JP6465823B2 - 磁気テープおよびその製造方法 - Google Patents
磁気テープおよびその製造方法Info
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Description
非磁性支持体の一方の表面側に強磁性粉末および結合剤を含む磁性層を有し、他方の表面側に非磁性粉末および結合剤を含むバックコート層を有する磁気テープであって、
磁気テープの磁性層側の表面において測定される中心線平均表面粗さRaは、1.8nm以下であり、
磁気テープの磁性層側の表面の素地部分において測定される摩擦係数は、0.35以下であり、
磁気テープのバックコート層側の表面において測定される中心線平均表面粗さRaは、5.0nm以下であり、
磁気テープを真空加熱する前に磁気テープのバックコート層側の表面において光学干渉法により測定されるスペーシング分布の半値全幅は、0nm超かつ10.0nm以下であり、
磁気テープを真空加熱した後に磁気テープのバックコート層側の表面において光学干渉法により測定されるスペーシング分布の半値全幅は、0nm超かつ10.0nm以下であり、かつ
磁気テープを真空加熱した後に磁気テープのバックコート層側の表面において光学干渉法により測定されるスペーシングSafterと、磁気テープを真空加熱する前に磁気テープのバックコート層側表面において光学干渉法により測定されるスペーシングSbeforeとの差分(Safter−Sbefore)は、0nm超かつ8.0nm以下である磁気テープ、
を見出すに至った。上記磁気テープは、優れた電磁変換特性を示すことができ、低ドロップアウトで信号の読み取りが可能であり、かつエッジダメージが少なく走行させることができる。この点に関する本発明者らによる推察は、後述する。
AFM(Veeco社製Nanoscope4)で磁気テープの磁性層側の表面の面積40μm×40μmの領域を測定する。スキャン速度(探針移動速度)は40μm/sec、分解能は512pixel×512pixelとする。
原子間力顕微鏡(Atomic Force Microscope:AFM)によって測定された、視野中の凸成分と凹成分の体積が等しくなる面を基準面として定め、その基準面から15nm以上の高さの突起を、突起と定義する。そして、かかる突起の数がゼロ個である部分、即ち磁気テープの磁性層側の表面において基準面から15nm以上の高さの突起が検出されない部分を、素地部分と特定する。
また、素地部分において測定される摩擦係数とは、以下の方法により測定される値とする。
素地部分において(測定箇所:磁気テープ長手方向10μm長)、半径1μmのダイヤモンド製球状圧子を荷重100μNおよび速度1μm/sec.で1回往復させて摩擦力(水平力)および垂直抗力を測定する。ここで測定される摩擦力および垂直抗力は、上記1回の往復中に摩擦力および垂直抗力を常時測定して得られる算術平均である。以上の測定は、例えばHysitron社TI−950型トライボインデンターにて行うことができる。そして、測定された摩擦力の算術平均および垂直抗力の算術平均から、摩擦係数μ値を算出する。なお摩擦係数は、摩擦力(水平力)F(単位:ニュートン(N))と垂直抗力N(単位:ニュートン(N))から、次式:F=μN、により求められる値である。上記の測定および摩擦係数μ値の算出を、磁気テープの磁性層側の表面で無作為に決定した素地部分の3箇所において行い得られた3つの測定値の算術平均を、素地部分において測定される摩擦係数とする。以下において、素地部分において測定される摩擦係数を、「素地摩擦」ともいう。
磁気テープと透明な板状部材(例えばガラス板等)を、磁気テープのバックコート層側の表面が透明な板状部材と対向するように重ね合わせた状態で、磁気テープのバックコート層側とは反対側から5.05×104N/m(0.5atm)の圧力で押圧部材を押しつける。この状態で、透明な板状部材を介して磁気テープのバックコート層側の表面に光を照射し(照射領域:150000〜200000μm2)、磁気テープのバックコート層側の表面からの反射光と透明な板状部材の磁気テープ側表面からの反射光との光路差によって発生する干渉光の強度(例えば干渉縞画像のコントラスト)に基づき、磁気テープのバックコート層側の表面と透明な板状部材表面との間のスペーシング(距離)を求める。ここで照射される光は特に限定されるものではない。照射される光が、複数波長の光を含む白色光のように、比較的広範な波長範囲にわたり発光波長を有する光の場合には、透明な板状部材と反射光を受光する受光部との間に、干渉フィルタ等の特定波長または特定波長域以外の光を選択的にカットする機能を有する部材を配置し、反射光の中の一部の波長または一部の波長域の光を選択的に受光部に入射させる。照射させる光が単一の発光ピークを有する光(いわゆる単色光)の場合には、上記の部材は用いなくてもよい。受光部に入射させる光の波長は、一例として、例えば500〜700nmの範囲にあることができるが、特に限定されるものではない。また、透明な板状部材は、この部材を介して磁気テープに光を照射し干渉光が得られる程度に、照射される光を透過する透明性を有する部材であればよい。
以上の測定は、例えばMicro Physics社製Tape Spacing Analyzer等の市販のテープスペーシングアナライザー(TSA;Tape Spacing Analyzer)を用いて行うことができる。実施例におけるスペーシング測定は、Micro Physics社製Tape Spacing Analyzerを用いて実施した。
また、本発明および本明細書におけるスペーシング分布の半値全幅とは、上記スペーシングの測定により得られる干渉縞画像を300000ポイントに分割して各ポイントのスペーシング(磁気テープのバックコート層側の表面と透明な板状部材の磁気テープ側表面との間の距離)を求め、これをヒストグラムとし、このヒストグラムをガウス分布でフィッティングしたときの半値全幅(Full Width at Half Maximum;FWHM)である。
また、差分(Safter−Sbefore)は、上記300000ポイントにおける真空加熱後の最頻値から真空加熱前の最頻値を差し引いた値をいうものとする。
上記バックコート層を、
非磁性支持体の一方の表面側に、非磁性粉末、結合剤および脂肪酸エステルを含むバックコート層形成用組成物を塗布し乾燥させることにより塗布層を形成すること、および、
形成した塗布層に振動を加えること、
により形成することを含む磁気テープの製造方法、
に関する。
非磁性支持体の一方の表面側に強磁性粉末および結合剤を含む磁性層を有し、他方の表面側に非磁性粉末および結合剤を含むバックコート層を有する磁気テープであって、
磁気テープの磁性層側の表面において測定される中心線平均表面粗さRa(以下、「磁性層側Ra」とも記載する。)は、1.8nm以下であり、
磁気テープの磁性層側の表面の素地部分において測定される摩擦係数(素地摩擦)は、0.35以下であり、
磁気テープのバックコート層側の表面において測定される中心線平均表面粗さRa(以下、「バックコート層側Ra」とも記載する。)は、5.0nm以下であり、
磁気テープを真空加熱する前に磁気テープのバックコート層側の表面において光学干渉法により測定されるスペーシング分布の半値全幅(以下、「FWHMbefore」とも記載する。)は、0nm超かつ10.0nm以下であり、
磁気テープを真空加熱した後に磁気テープのバックコート層側の表面において光学干渉法により測定されるスペーシング分布の半値全幅(以下、「FWHMafter」とも記載する。)は、0nm超かつ10.0nm以下であり、かつ
磁気テープを真空加熱した後に磁気テープのバックコート層側の表面において光学干渉法により測定されるスペーシングSafterと、磁気テープを真空加熱する前に磁気テープのバックコート層側表面において光学干渉法により測定されるスペーシングSbeforeとの差分(Safter−Sbefore)は、0nm超かつ8.0nm以下である磁気テープ、
である。以下において、磁気テープの磁性層側の表面を、磁性層側表面とも記載する。また、磁気テープのバックコート層側の表面を、バックコート層側表面とも記載する。
一方、本発明者らは、巻きずれに関しては、磁気テープがリールに巻き取られてバックコート層側表面と磁性層側表面とが接触する際に、両表面の間に両表面を引き寄せる力が働くことが巻きずれの抑制に寄与すると考えている。そして、上記磁気テープでは、バックコート層側表面の脂肪酸エステルの液膜のメニスカス(液架橋)によりもたらされる力(メニスカス力)が両表面を引き寄せる力として働くと推察される。このメニスカス力の制御に関して、上記の素地摩擦、FWHMbefore、FWHMafter、および差分(Safter−Sbefore)は、それぞれ以下のように関与すると、本発明者らは考えている。
上記磁気テープの磁性層側の表面において測定される中心線平均表面粗さRa(磁性層側Ra)は、1.8nm以下である。これにより、上記磁気テープは、優れた電磁変換特性を示すことができる。電磁変換特性の更なる向上の観点からは、磁性層側Raは、1.7nm以下であることが好ましく、1.6nm以下であることが更に好ましく、1.5nm以下であることが一層好ましい。また、磁性層側Raは、例えば1.2nm以上であることができる。ただし電磁変換特性向上の観点からは磁性層側Raが低いほど好ましいため、上記例示した値を下回ってもよい。
上記磁気テープの磁性層側の表面の素地部分において測定される摩擦係数(素地摩擦)は、0.35以下である。先に記載したように、素地摩擦が0.35以下であることが、エッジダメージの発生抑制に寄与すると、本発明者らは推察している。エッジダメージの発生を更に抑制する観点から、素地摩擦は0.33以下であることが好ましく、0.30以下であることがより好ましい。また、素地摩擦は、例えば0.10以上、0.15以上または0.20以上であるが、エッジダメージを低減する観点からは、低いほど好ましいため、上記例示した値を下回ってもよい。
また他の手段として、本発明者らは、素地部分の凹凸の形状を制御すべく、磁性層側表面に基準面から15nm以上の高さの突起を形成可能な研磨剤等の非磁性粉末に加えて、強磁性粉末より平均粒子サイズの大きな他の非磁性粉末を用いて磁性層を形成したところ、素地摩擦を様々な値に制御することが可能であった。したがって、素地摩擦を調整するための手段の1つとしては、磁性層形成時に上記の他の非磁性粉末を用いることが挙げられる。より詳しくは、上記の他の非磁性粉末が凸部となることで素地部分に上記の微視的な凹凸を形成することができ、かかる非磁性粉末の混合比を高めることにより素地部分における凸部の存在率を高めることができる(または逆に混合比を下げることにより素地部分における凸部の存在率を低下させることができる)と、本発明者は考えている。詳細は更には後述する。
加えて、上記二種の手段を組み合わせることにより、素地摩擦を調整することも可能である。
ただし上記の調整手段は例示であって、素地摩擦を調整可能な任意の手段によって、0.35以下の素地摩擦を実現することができ、そのような態様も本発明に包含される。
上記磁気テープのバックコート層側の表面において測定される中心線平均表面粗さRa(バックコート層側Ra)は、5.0nm以下である。これにより、ドロップアウトの発生を抑制することができる。ドロップアウトの発生をより一層抑制する観点から、バックコート層側Raは、4.5nm以下であることが好ましく、4.0nm以下であることがより好ましく、3.5nm以下であることが更に好ましく、3.0nm以下であることが一層好ましい。また、バックコート層側Raは、例えば1.5nm以上であることができ、または1.8nm以上であることもできる。ただしドロップアウトの発生抑制のため裏写りを低減する観点からは、バックコート層側Raは低いほど好ましいため、バックコート層側Raは、上記例示した値を下回ってもよい。
上記磁気テープのバックコート層側の表面において測定される真空加熱前のスペーシング分布FWHMbefore、および真空加熱後のスペーシング分布FWHMafterは、ともに0nm超かつ10.0nm以下である。先に記載したように、FWHMbefore、およびFWHMafterが上記範囲であることが、エッジダメージの発生抑制に寄与すると、本発明者らは推察している。エッジダメージの発生を更に抑制する観点からは、FWHMbeforeおよびFWHMafterは、9.0nm以下であることが好ましく、8.0nm以下であることがより好ましく、7.0nm以下であることが更に好ましく、6.0nm以下であることが一層好ましい。FWHMbeforeおよびFWHMafterは、例えば1.0nm以上であることができるが、値が小さいほど好ましいため、上記例示した値を下回ってもよい。
真空加熱前のスペーシング分布FWHMbeforeは、主に脂肪酸エステルの液膜の厚みのばらつきを低減することにより小さくすることができる。具体的な手段の一例は後述する。一方、真空加熱後のスペーシング分布FWHMafterは、バックコート層側表面の形状のばらつきを低減することにより小さくすることができる。そのためには、バックコート層形成用組成物における非磁性粉末の分散性を向上することが好ましい。分散性は、例えば、バックコート層形成に用いる非磁性粉末の種類および二種以上の非磁性粉末を含む場合にはそれらの混合比等によって調整することができる。具体的な手段の一例は後述する。
上記磁気テープのバックコート層側表面において測定される真空加熱前後のスペーシングの差分(Safter−Sbefore)は、0nm超かつ8.0nm以下である。これにより、バックコート層側表面と磁性層側表面との貼り付きの発生を抑制しつつ、エッジダメージの発生を抑制することができる。エッジダメージの発生を更に抑制する観点から、差分(Safter−Sbefore)は、0.1nm以上であることが好ましく、1.0nm以上であることがより好ましい。また、同様の観点から、差分(Safter−Sbefore)は、7.0nm以下であることが好ましく、6.0nm以下であることがより好ましく、5.0nm以下であることが更に好ましい。差分(Safter−Sbefore)は、バックコート層形成用組成物に添加する脂肪酸エステル量によって制御することができる。バックコート層形成用組成物に添加する脂肪酸エステル量を増量するほど差分(Safter−Sbefore)は大きくなる傾向がある。
<強磁性粉末>
上記の通り、素地摩擦の調整手段の1つとしては、強磁性粉末によって調整することが挙げられる。上記磁気テープの磁性層に含有される強磁性粉末としては、磁気テープの磁性層において強磁性粉末として通常用いられる各種粉末を使用することができる。
強磁性粉末を、透過型電子顕微鏡を用いて撮影倍率100000倍で撮影し、総倍率500000倍になるように印画紙にプリントして強磁性粉末を構成する粒子の写真を得る。得られた粒子の写真から目的の粒子を選びデジタイザーで粒子の輪郭をトレースし粒子(一次粒子)のサイズを測定する。一次粒子とは、凝集のない独立した粒子をいう。
以上の測定を、無作為に抽出した500個の粒子について行う。こうして得られた500個の粒子の粒子サイズの算術平均を、強磁性粉末の平均粒子サイズとする。上記透過型電子顕微鏡としては、例えば日立製透過型電子顕微鏡H−9000型を用いることができる。また、粒子サイズの測定は、公知の画像解析ソフト、例えばカールツァイス製画像解析ソフトKS−400を用いて行うことができる。
本発明および本明細書において、強磁性粉末、およびその他の粉末についての平均粒子サイズとは、特記しない限り、上記方法により求められる平均粒子サイズをいうものとする。後述の実施例に示す平均粒子サイズは、透過型電子顕微鏡として日立製透過型電子顕微鏡H−9000型、画像解析ソフトとしてカールツァイス製画像解析ソフトKS−400を用いて測定された値である。なお本発明および本明細書において、粉末とは、複数の粒子の集合を意味する。例えば、強磁性粉末とは、複数の強磁性粒子の集合を意味する。また、複数の粒子の集合とは、集合を構成する粒子が直接接触している態様に限定されず、後述する結合剤や添加剤等が、粒子同士の間に介在している態様も包含される。粒子との語を、粉末を表すために用いることもある。
(1)針状、紡錘状、柱状(ただし、高さが底面の最大長径より大きい)等の場合は、粒子を構成する長軸の長さ、即ち長軸長で表され、
(2)板状または柱状(ただし、厚さまたは高さが板面または底面の最大長径より小さい)場合は、その板面または底面の最大長径で表され、
(3)球形、多面体状、不特定形等であって、かつ形状から粒子を構成する長軸を特定できない場合は、円相当径で表される。円相当径とは、円投影法で求められるものを言う。
そして、粒子の形状が特定の場合、例えば、上記粒子サイズの定義(1)の場合、平均粒子サイズは平均長軸長であり、同定義(2)の場合、平均粒子サイズは平均板径であり、平均板状比とは、(最大長径/厚さまたは高さ)の算術平均である。同定義(3)の場合、平均粒子サイズは、平均直径(平均粒径、平均粒子径ともいう)である。
上記磁気テープは塗布型磁気テープであって、磁性層に、強磁性粉末とともに結合剤を含む。結合剤としては、ポリウレタン樹脂、ポリエステル系樹脂、ポリアミド系樹脂、塩化ビニル系樹脂、スチレン、アクリロニトリル、メチルメタクリレートなどを共重合したアクリル系樹脂、ニトロセルロースなどのセルロース系樹脂、エポキシ樹脂、フェノキシ樹脂、ポリビニルアセタール、ポリビニルブチラールなどのポリビニルアルキラール樹脂などから単独または複数の樹脂を混合して用いることができる。これらの中で好ましいものはポリウレタン樹脂、アクリル系樹脂、セルロース系樹脂、塩化ビニル系樹脂である。これらの樹脂は、後述する非磁性層においても結合剤として使用することができる。以上の結合剤については、特開2010−24113号公報段落0028〜0031を参照できる。また、上記結合剤として使用可能な樹脂とともに硬化剤を使用することもできる。硬化剤としては、ポリイソシアネートが好適である。ポリイソシアネートの詳細については、特開2011−216149号公報段落0124〜0125を参照できる。硬化剤は、磁性層形成用の塗料組成物中に、結合剤100.0質量部に対して例えば0〜80.0質量部、塗膜強度向上の観点からは好ましくは50.0〜80.0質量部の量で添加し使用することができる。
磁性層には、必要に応じて添加剤を加えることができる。添加剤としては、非磁性粉末、潤滑剤、分散剤、分散助剤、防黴剤、帯電防止剤、酸化防止剤、カーボンブラックなどを挙げることができる。添加剤は、所望の性質に応じて市販品を適宜選択して使用することができる。
次に非磁性層について説明する。上記磁気テープは、非磁性支持体表面に直接磁性層を有していてもよく、非磁性支持体と磁性層との間に、非磁性粉末と結合剤を含む非磁性層を有することもできる。非磁性層に使用される非磁性粉末は、無機物質でも有機物質でもよい。また、カーボンブラック等も使用できる。無機物質としては、例えば金属、金属酸化物、金属炭酸塩、金属硫酸塩、金属窒化物、金属炭化物、金属硫化物等が挙げられる。これらの非磁性粉末は、市販品として入手可能であり、公知の方法で製造することもできる。その詳細については、特開2011−216149号公報段落0146〜0150を参照できる。非磁性層に使用可能なカーボンブラックについては、特開2010−24113号公報段落0040〜0041も参照できる。非磁性層における非磁性粉末の含有量(充填率)は、好ましくは50〜90質量%の範囲であり、より好ましくは60〜90質量%の範囲である。
<脂肪酸エステル>
上記磁気テープは、非磁性支持体の磁性層を有する表面とは反対の表面側に非磁性粉末および結合剤を含むバックコート層を有する。バックコート層は、脂肪酸エステルを含む。先に記載した通り、本発明者らは、バックコート層側表面の脂肪酸エステルの液膜によりもたらされるメニスカス力が巻きずれを防ぎ、これによりエッジダメージの発生を抑制することが可能になると推察している。
バックコート層の脂肪酸エステル含有量は、バックコート層に含まれる非磁性粉末100.0質量部あたり、例えば0.1〜10.0質量部であり、好ましくは1.0〜5.0質量部である。脂肪酸エステルとして二種以上の異なる脂肪酸エステルを使用する場合、含有量とは、それらの合計含有量をいうものとする。なお本発明および本明細書において、特記しない限り、ある成分は一種のみ用いても二種以上を用いてもよい。ある成分を二種以上用いる場合、この成分の含有量とは、特記しない限り、これら二種以上の成分の合計含有量をいうものとする。
上記磁気テープは、バックコート層に潤滑剤の一種である脂肪酸エステルを含むが、脂肪酸エステル以外の潤滑剤をバックコート層に含んでもよく、含まなくてもよい。脂肪酸エステル以外の潤滑剤としては、脂肪酸、脂肪酸アミド等を挙げることができる。脂肪酸および脂肪酸アミドは、一般に境界潤滑剤として機能し得る成分と言われている。
脂肪酸としては、例えば、ラウリン酸、ミリスチン酸、パルミチン酸、ステアリン酸、オレイン酸、リノール酸、リノレン酸、ベヘン酸、エルカ酸、エライジン酸等を挙げることができ、ステアリン酸、ミリスチン酸、パルミチン酸が好ましく、ステアリン酸がより好ましい。なお脂肪酸は、金属塩等の塩の形態でバックコート層に含まれていてもよい。
脂肪酸アミドとしては、上記の各種脂肪酸のアミド、例えば、ラウリン酸アミド、ミリスチン酸アミド、パルミチン酸アミド、ステアリン酸アミド等を挙げることができる。
脂肪酸と脂肪酸誘導体(エステル、アミド等)を併用する場合、脂肪酸誘導体の脂肪酸由来部位は、併用される脂肪酸と同様または類似の構造を有することが好ましい。例えば、一例として、脂肪酸としてステアリン酸を用いる場合にステアリン酸エステルおよび/またはステアリン酸アミドを使用することは好ましい。
バックコート層の脂肪酸含有量は、バックコート層に含まれる非磁性粉末100.0質量部あたり、例えば0〜10.0質量部であり、好ましくは0.1〜10.0質量部であり、より好ましくは1.0〜7.0質量部である。バックコート層の脂肪酸アミド含有量は、バックコート層に含まれる非磁性粉末100.0質量部あたり、例えば0〜3.0質量部であり、好ましくは0〜2.0質量部であり、より好ましくは0〜1.0質量部である。
バックコート層に含まれる非磁性粉末の種類については、非磁性層に含まれる非磁性粉末に関する上記記載を参照することができる。バックコート層に含まれる非磁性粉末は、好ましくは無機粉末およびカーボンブラックからなる群から選択される一種以上の非磁性粉末であることができる。一般に、無機粉末はカーボンブラックに比べてバックコート層形成用組成物における分散性が良好な傾向がある。バックコート層形成用組成物の分散性を高めることは、バックコート層側表面の形状のばらつきを低減することに寄与し得る。したがって、バックコート層側表面の形状のばらつきを低減するほど小さな値になると考えられる真空加熱後のスペーシング分布FWHMafterの調整方法としては、バックコート層に含まれる非磁性粉末の種類および二種以上の非磁性粉末を含む場合にはそれらの混合比を調整することを挙げることができる。例えば、バックコート層の非磁性粉末の主粉末(非磁性粉末の中で質量基準で最も多く含まれる非磁性粉末)として、無機粉末を用いることは好ましい。バックコート層に含まれる非磁性粉末が無機粉末およびカーボンブラックからなる群から選択される一種以上の非磁性粉末である場合、非磁性粉末全量100.0質量部に対して無機粉末の占める割合は、50.0質量部超〜100.0質量部の範囲であることが好ましく、60.0質量部〜100.0質量部の範囲であることがより好ましく、70.0質量部〜100.0質量部の範囲であることが更に好ましく、80.0質量部〜100.0質量部の範囲であることが一層好ましい。
次に、非磁性支持体について説明する。非磁性支持体としては、二軸延伸を行ったポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリアミド、ポリアミドイミド、芳香族ポリアミド等の公知のものが挙げられる。これらの中でもポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリアミドが好ましい。これらの支持体はあらかじめコロナ放電、プラズマ処理、易接着処理、熱処理などを行ってもよい。
上記磁気テープにおける非磁性支持体および各層の厚みについては、非磁性支持体の厚みは、例えば3.00〜80.00μmの範囲であり、好ましくは3.00〜50.00μmの範囲であり、より好ましくは3.00〜10.00μmの範囲である。
<各層形成用組成物の調製>
磁性層、バックコート層、または任意に設けられる非磁性層を形成するための組成物は、先に説明した各種成分とともに、通常、溶媒を含む。溶媒としては、一般に塗布型磁気記録媒体製造のために使用される各種有機溶媒を挙げることができる。具体的には、任意の比率でアセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、ジイソブチルケトン、シクロヘキサノン、イソホロン、テトラヒドロフラン、等のケトン類、メタノール、エタノール、プロパノール、ブタノール、イソブチルアルコール、イソプロピルアルコール、メチルシクロヘキサノールなどのアルコール類、酢酸メチル、酢酸ブチル、酢酸イソブチル、酢酸イソプロピル、乳酸エチル、酢酸グリコール等のエステル類、グリコールジメチルエーテル、グリコールモノエチルエーテル、ジオキサンなどのグリコールエーテル系、ベンゼン、トルエン、キシレン、クレゾール、クロルベンゼンなどの芳香族炭化水素類、メチレンクロライド、エチレンクロライド、四塩化炭素、クロロホルム、エチレンクロルヒドリン、ジクロルベンゼン等の塩素化炭化水素類、N,N−ジメチルホルムアミド、ヘキサン等を使用することができる。
・第一の強磁性粉末の平均粒子サイズは、10〜80nmの範囲である。
・第一の強磁性粉末より平均粒子サイズの大きい強磁性粉末の平均粒子サイズと第一の強磁性粉末の平均粒子サイズとの差は、10〜50nmの範囲である。
・第一の強磁性粉末と第一の強磁性粉末より平均粒子サイズの大きい強磁性粉末との混合比は、質量基準で、前者:後者=90.0:10.0〜99.9:0.1の範囲である。
・上記の他の非磁性粉末の平均粒子サイズは、強磁性粉末の平均粒子サイズより大きい。
・強磁性粉末の平均粒子サイズと上記の他の非磁性粉末の平均粒子サイズとの差は、10〜80nmの範囲である。
・強磁性粉末と上記の他の非磁性粉末との混合比は、質量基準で、前者:後者=90.0:10.0〜99.9:0.1の範囲である。
磁性層は、磁性層形成用組成物を非磁性支持体表面に直接塗布するか、または非磁性層形成用組成物と逐次もしくは同時に重層塗布することにより形成することができる。バックコート層は、バックコート層形成用組成物を、非磁性支持体の磁性層を有する(または磁性層が追って設けられる)側とは反対側の表面に塗布することにより形成することができる。各層形成のための塗布の詳細については、特開2010−231843号公報段落0066を参照できる。
磁気テープ製造のためのその他の各種工程については、特開2010−231843号公報段落0067〜0070を参照できる。
好ましい製造方法としては、磁気テープのバックコート層側表面における脂肪酸エステルの液膜の厚みの均一性向上のために、バックコート層形成用組成物の塗布層に振動を加える製造方法を挙げることができる。振動を加えることにより、上記塗布層表面の脂肪酸エステルの液膜が流動し、形成されるバックコート層側の表面において脂肪酸エステルの液膜の厚みの均一性が向上すると、本発明者らは推察している。この液膜の厚みの均一性向上は、真空加熱前のスペーシング分布FWHMbeforeを0nm超かつ10.0nm以下の範囲に制御するために好ましいと本発明者らは考えている。
即ち、本発明の一態様は、上記磁気テープの製造方法であって、
上記バックコート層を、
非磁性支持体の一方の表面側に、非磁性粉末、結合剤および脂肪酸エステルを含むバックコート層形成用組成物を塗布し乾燥させることにより塗布層を形成すること、および、
形成した塗布層に振動を加えること、
により形成することを含む磁気テープの製造方法、
に関する。バックコート層形成用組成物の塗布層に振動を加える点以外は、通常の磁気テープの製造工程と同様であり、その詳細は先に記載した通りである。
上記のようにバックコート層を形成した後、非磁性支持体のバックコート層を形成した表面側とは反対の表面に直接磁性層形成用組成物を塗布すること、または、
上記のようにバックコート層を形成した後、非磁性支持体のバックコート層を形成した表面とは反対の表面側に磁性層形成用組成物を非磁性層形成用組成物と逐次もしくは同時に重層塗布すること、
を含む製造方法を挙げることができる。
GPC装置:HLC−8120(東ソー製)
カラム:TSK gel Multipore HXL−M(東ソー製、7.8mmID(内径)×30.0cm)
溶離液:テトラヒドロフラン(THF)
1.アルミナ分散物の調製
アルファ化率約65%、BET比表面積30m2/gのアルミナ粉末(住友化学社製HIT−70)100.0部に対し、3.0部の2,3−ジヒドロキシナフタレン(東京化成製)、極性基としてSO3Na基を有するポリエステルポリウレタン樹脂(東洋紡(登録商標)製UR−4800(極性基量:80meq/kg))の32%溶液(溶媒はメチルエチルケトンとトルエンの混合溶媒)を31.3部、溶媒としてメチルエチルケトンとシクロヘキサノン1:1(質量比)の混合溶液570.0部を混合し、ジルコニアビーズ存在下で、ペイントシェーカーにより5時間分散させた。分散後、メッシュにより分散液とビーズとを分け、アルミナ分散物を得た。
(磁性液)
強磁性六方晶バリウムフェライト粉末(1)(表1参照) 表1参照
強磁性六方晶バリウムフェライト粉末(2)(表1参照) 表1参照
SO3Na基含有ポリウレタン樹脂 14.0部
(重量平均分子量:70,000、SO3Na基:0.2meq/g)
シクロヘキサノン 150.0部
メチルエチルケトン 150.0部
(研磨剤液)
上記1.で調製したアルミナ分散物 6.0部
(シリカゾル)
コロイダルシリカ(平均粒子サイズ100nm) 2.0部
メチルエチルケトン 1.4部
(その他成分)
ステアリン酸 2.0部
ブチルステアレート 6.0部
ポリイソシアネート(日本ポリウレタン社製コロネート(登録商標))2.5部
(仕上げ添加溶媒)
シクロヘキサノン 200.0部
メチルエチルケトン 200.0部
無機粉末:α−酸化鉄 100.0部
平均粒子サイズ(平均長軸長):10nm
平均針状比:1.9
BET比表面積:75m2/g
カーボンブラック 20.0部
平均粒子サイズ:20nm
SO3Na基含有ポリウレタン樹脂 18.0部
(重量平均分子量:70,000、SO3Na基:0.2meq/g)
ステアリン酸 1.0部
シクロヘキサノン 300.0部
メチルエチルケトン 300.0部
無機粉末:α−酸化鉄 表1参照
平均粒子サイズ(平均長軸長):150nm
平均針状比:7
BET比表面積:52m2/g
カーボンブラック 表1参照
平均粒子サイズ20nm
塩化ビニル共重合体 13.0部
スルホン酸塩基含有ポリウレタン樹脂 6.0部
フェニルホスホン酸 3.0部
コロイダルシリカ(平均粒子サイズ150nm) 表1参照
シクロヘキサノン 155.0部
メチルエチルケトン 155.0部
ステアリン酸 表1参照
ブチルステアレート 表1参照
ポリイソシアネート 5.0部
シクロヘキサノン 200.0部
磁性層形成用組成物を、以下の方法により作製した。上記磁性液を、各成分をバッチ式縦型サンドミルを用いて24時間分散(ビーズ分散)することにより調製した。分散ビーズとしては、ビーズ径0.5mmΦのジルコニアビーズを使用した。上記サンドミルを用いて、調製した磁性液および上記研磨剤液を他の成分(シリカゾル、その他成分および仕上げ添加溶媒)と混合し5分間ビーズ分散した後、バッチ型超音波装置(20kHz、300W)で0.5分間処理(超音波分散)を行った。その後、0.5μmの平均孔径を有するフィルタを用いてろ過を行い磁性層形成用組成物を作製した。
非磁性層形成用組成物を、以下の方法により作製した。ステアリン酸、シクロヘキサノン、メチルエチルケトンを除いた各成分を、バッチ式縦型サンドミルを用いて24時間分散して分散液を得た。分散ビーズとしては、ビーズ径0.1mmΦのジルコニアビーズを使用した。その後、得られた分散液に残りの成分を添加し、ディゾルバーで攪拌した。こうして得られた分散液を0.5μmの平均孔径を有するフィルタを用いてろ過し非磁性層形成用組成物を作製した。
バックコート層形成用組成物を、以下の方法により作製した。潤滑剤(ステアリン酸およびブチルステアレート)とポリイソシアネート、シクロヘキサノンを除いた各成分をオープンニーダにより混練および希釈した後、横型ビーズミル分散機により、ビーズ径1mmΦのジルコニアビーズを用い、ビーズ充填率80体積%、ローター先端周速10m/秒で、1パス滞留時間を2分とし、12パスの分散処理を行った。その後、得られた分散液に残りの成分を添加し、ディゾルバーで攪拌した。こうして得られた分散液を1μmの平均孔径を有するフィルタを用いてろ過しバックコート層形成用組成物を作製した。
厚み4.50μmのポリエチレンナフタレート製支持体の一方の表面上に、乾燥後の厚みが0.60μmになるように上記5.で調製したバックコート層形成用組成物を塗布し乾燥させ塗布層を形成した。その後、上記塗布層を形成した支持体を、図1に示す振動付与装置に、上記塗布層を形成した表面とは反対側の表面が振動付与ユニットと接するように設置し、上記塗布層を形成した支持体(図1中、符号1)を搬送速度0.5m/sで搬送させて上記塗布層に振動を付与した。図1中、符号2はガイドローラ(符号2は2つのガイドローラの一方に付した)、符号3は振動付与装置(超音波振動子を含む振動付与ユニット)、矢印は搬送方向を示す。上記塗布層を形成した支持体の任意の箇所が振動付与ユニットとの接触を開始してから接触が終了するまでの時間を振動付与時間として、表1に示す。使用した振動付与ユニットは内部に超音波振動子を備えている。超音波振動子の振動周波数は30kHz、強度は100Wで振動付与を行った。その後、こうしてバックコート層を形成した上記支持体の、バックコート層を形成した表面とは反対側の表面上に、乾燥後の厚みが0.40μmになるように上記5.で調製した非磁性層形成用組成物を塗布し乾燥した後、その上に乾燥後の厚みが60nmになるように上記5.で調製した磁性層形成用組成物を塗布(逐次重層塗布)した。この磁性層形成用組成物が未乾燥状態にあるうちに磁場強度0.3Tの磁場を、磁性層形成用組成物の塗布面に対し垂直方向に印加し垂直配向処理を行った後、乾燥させた。
その後、金属ロールのみから構成されるカレンダで、速度100m/分、線圧300kg/cm(294kN/m)、カレンダロールの表面温度100℃で表面平滑化処理(カレンダ処理)を行った。その後、雰囲気温度70℃の環境で36時間熱処理を行った。熱処理後1/2インチ(0.0127メートル)幅にスリットし、磁気テープを得た。なおカレンダ処理条件を強化するほど(例えばカレンダロールの表面温度を高くするほど)、磁性層側Raは小さくなる傾向がある。
表1に示すように各層形成用組成物の処方および/または製造条件を変更した点以外、実施例1と同様の方法で磁気テープを作製した。振動付与時間は、上記塗布層を形成した支持体の搬送速度を変えることにより調整した。
表1に記載のバックコート層の無機粉末/カーボンブラックの処方率とは、無機粉末とカーボンブラックとの合計含有量100.0質量部に対する各粉末の質量基準の含有率である。
表1に記載の強磁性六方晶バリウムフェライト粉末の処方率とは、強磁性粉末全量100.0質量部に対する各強磁性六方晶バリウムフェライト粉末の質量基準の含有率である。表1に示す強磁性六方晶バリウムフェライト粉末の平均粒子サイズは、磁気テープの作製に用いる粉末ロットから必要量を採取し、先に記載した方法によって平均粒子サイズを測定した値である。測定後の強磁性六方晶バリウムフェライト粉末を、磁気テープの作製のための磁性液の調製に用いた。
磁気テープの厚み方向の断面を、イオンビームにより露出させた後、露出した断面において走査型電子顕微鏡を用いて断面観察を行う。断面観察において厚み方向の2箇所において求められた厚みの算術平均として、各種厚みを求めた。
(1)磁性層側表面の素地部分において測定される摩擦係数(素地摩擦)
まず、測定面に予めレーザーマーカーで罫書きをいれ、そこから一定距離(約100μm)離れた部分の原子間力顕微鏡(AFM)像を測定した。視野面積は7μm×7μmで行った。このとき、後述するように同一箇所の走査型電子顕微鏡(SEM(Scanning Electron Microscope))画像を撮りやすいように、カンチレバーを硬いもの(単結晶シリコン)に変えて、AFM上で罫書きを入れた。こうして測定したAFM画像から、基準面から15nm以上の高さにある突起を全て抽出した。そして突起が存在しないと判定された箇所を素地部分と特定し、Hysitron社TI−950型トライボインデンターを用いて先に記載した方法により素地摩擦を測定した。
更に、AFMを測定したところと同一箇所のSEM画像を測定して成分マップを取得し、抽出した基準面から15nm以上の高さの突起がアルミナまたはコロイダルシリカにより形成された突起であることを確認した。また、実施例1〜11では、上記SEMを用いた成分マップにおいて、素地部分にアルミナおよびコロイダルシリカは確認されなかった。なお、ここではSEMにより成分分析を行ったが、成分分析は、SEMに限らず、エネルギー分散型X線分光法(EDS:Energy Dispersive X−ray Spectrometry)、オージェ電子分光法(AES:Auger Electron Spectroscopy)等の公知の方法により行うことができる。
測定結果を、表1に示す。
原子間力顕微鏡(AFM、Veeco社製Nanoscope4)を用い、測定面積40μm×40μmの範囲を測定し、磁気テープの磁性層側表面およびバックコート層側表面において、それぞれ中心線平均表面粗さRaを求めた。スキャン速度(探針移動速度)は40μm/sec、分解能は512pixel×512pixelとした。
TSA(Tape Spacing Analyzer(Micro Physics社製))を用いて、以下の方法により、磁気テープのバックコート層側表面において、真空加熱前後のスペーシング分布FWHMbefore、FWHMafterを求めた。
磁気テープのバックコート層側表面上に、TSAに備えられたガラス板を配置した状態で、押圧部材としてTSAに備えられているウレタン製の半球を用いて、この半球を磁気テープの磁性層側表面に、5.05×104N/m(0.5atm)の圧力で押しつけた。この状態で、TSAに備えられているストロボスコープから白色光を、ガラス板を通して磁気テープのバックコート層側表面の一定領域(150000〜200000μm2)に照射し、得られる反射光を、干渉フィルタ(波長633nmの光を選択的に透過するフィルタ) を通してCCD(Charge−Coupled Device)で受光することで、この領域の凹凸で生じた干渉縞画像を得た。
この画像を300000ポイントに分割して各ポイントのガラス板の磁気テープ側の表面から磁気テープのバックコート層側表面までの距離(スペーシング)を求めこれをヒストグラムとし、ヒストグラムをガウス分布でフィッティングしたときの半値全幅をスペーシング分布の半値全幅とした。
真空加熱は、磁気テープを、200Pa以上0.01MPa以下の真空度の内部雰囲気温度70〜90℃の真空定温乾燥機に24時間保存することにより行った。
上記(3)で得た真空加熱後のヒストグラムの最頻値から、真空加熱前のヒストグラムの最頻値を差し引いて、差分(Safter−Sbefore)とした。
ヘッドを固定した1/2インチ(0.0127メートル)リールテスターを用いて、以下の方法により電磁変換特性(S/N比(Signal−to−Noise−Ratio))を求めた。
ヘッド/テープ相対速度を5.5m/secとし、記録ヘッドとしてMIG(Metal−In−Gap)ヘッド(ギャップ長0.15μm、トラック幅1.0μm)を用い、記録電流は各テープの最適記録電流に設定した。再生ヘッドとしては素子厚み15nm、シールド間隔0.1μm、リード幅0.5μmのGMR(Giant−Magnetoresistive)ヘッドを用いた。線記録密度300kfciの信号を記録し、再生信号をシバソク社製のスペクトラムアナライザーで測定し、キャリア信号の出力と、スペクトル全帯域の積分ノイズとの比をS/N比とした。信号は、磁気テープ走行開始後に信号が十分に安定した部分を使用した。比較例1の値を0dBとし、その相対値としてS/N比を求めた。S/N比が1.0dB以上であれば、優れた電磁変換特性が示されたと判断することができる。
ドロップアウトの測定は、ヘッドを固定した1/2インチ(0.0127メートル)リールテスターを用いて行った。記録ヘッドを用いて線記録密度300kfciの信号を記録し、トラック幅1μmのGMR(Giant−Magnetoresistive)ヘッドで再生した。平均の出力に対して40%以上の出力落ちで長さが0.4μm以上の信号抜けの個数を検出し、テープ長1m当たり(測定面積1mm2(=トラック幅(1μm)×テープ長(1m))当たり)の個数をドロップアウトとした。エラーレート低減の観点からは、ドロップアウトが800個/mm2以下であることが好ましく、600個/mm2以下であることが更に好ましい。
エッジダメージは、以下の方法により評価した。
実施例、比較例の各磁気テープ(磁気テープ全長500m)を収容した磁気テープカートリッジを、IBM社製LTO−G5(Linear Tape−Open Generation 5)ドライブにセットし、磁気テープを、テンション0.6N、走行速度5m/秒で1500往復走行させた。
上記走行後の磁気テープカートリッジを、リファレンスドライブ(IBM社製LTO−G5ドライブ)にセットし、磁気テープを走行させて記録再生を行った。走行中の再生信号を外部AD(Analog/Digital)変換装置に取り込み、磁気テープの一方のエッジに最も近いトラックおよび他方のエッジに最も近いトラックでそれぞれ、再生信号振幅が平均(各トラックでの測定値の平均)に対して70%以上低下した信号をミッシングパルスとして、その発生頻度(発生回数)を磁気テープ全長で除して、磁気テープの単位長さ当たり(1m当たり)のミッシングパルス発生頻度(以下、「ミッシングパルス個数」と記載する。)として求めた。
エッジダメージが重度に発生しているほど、上記方法で求められるミッシングパルス個数は増加する。したがって、上記方法で求められるミッシングパルス個数は、エッジダメージの指標となる。ミッシングパルス個数が10.0個/m以下であれば、エッジダメージの発生が実用上十分なレベルまで抑制されていると判断することができる。なおエッジダメージが発生する位置は一定ではないため、本評価では、一方のエッジに最も近いトラックでの測定結果と、他方のエッジに最も近いトラックでの測定結果の中で、より大きい測定結果をミッシングパルス個数として採用し、表1に示した。
Claims (11)
- 非磁性支持体の一方の表面側に強磁性粉末および結合剤を含む磁性層を有し、他方の表面側に非磁性粉末および結合剤を含むバックコート層を有する磁気テープであって、
前記磁気テープの磁性層側の表面において測定される中心線平均表面粗さRaは、1.8nm以下であり、
前記磁気テープの磁性層側の表面の素地部分において測定される摩擦係数は、0.35以下であり、
前記磁気テープのバックコート層側の表面において測定される中心線平均表面粗さRaは、5.0nm以下であり、
前記バックコート層は脂肪酸エステルを含み、
前記磁気テープを真空加熱する前に前記磁気テープのバックコート層側の表面において光学干渉法により測定されるスペーシング分布の半値全幅は、0nm超かつ10.0nm以下であり、
前記磁気テープを真空加熱した後に前記磁気テープのバックコート層側の表面において光学干渉法により測定されるスペーシング分布の半値全幅は、0nm超かつ10.0nm以下であり、かつ
前記磁気テープを真空加熱した後に前記磁気テープのバックコート層側の表面において光学干渉法により測定されるスペーシングSafterと、前記磁気テープを真空加熱する前に前記磁気テープのバックコート層側表面において光学干渉法により測定されるスペーシングSbeforeとの差分、Safter−Sbefore、は、0nm超かつ8.0nm以下である磁気テープ。 - 前記磁性層側の表面において測定される中心線平均表面粗さRaは、1.2nm以上1.8nm以下である請求項1に記載の磁気テープ。
- 前記バックコート層の表面において測定される中心線平均表面粗さRaは、1.5nm以上5.0nm以下である請求項1または2に記載の磁気テープ。
- 前記磁気テープを真空加熱する前に前記磁気テープのバックコート層側の表面において光学干渉法により測定されるスペーシング分布の半値全幅は、1.0〜8.0nmの範囲である請求項1〜3のいずれか1項に記載の磁気テープ。
- 前記磁気テープを真空加熱した後に前記磁気テープのバックコート層側の表面において光学干渉法により測定されるスペーシング分布の半値全幅は、1.0〜8.0nmの範囲である請求項1〜4のいずれか1項に記載の磁気テープ。
- 前記差分、Safter−Sbefore、は、1.0〜7.0nmの範囲である請求項1〜5のいずれか1項に記載の磁気テープ。
- 前記磁気テープの磁性層側の表面の素地部分において測定される摩擦係数は、0.15〜0.30の範囲である請求項1〜6のいずれか1項に記載の磁気テープ。
- 前記バックコート層に含まれる非磁性粉末は、無機粉末およびカーボンブラックからなる群から選択される一種以上の非磁性粉末である請求項1〜7のいずれか1項に記載の磁気テープ。
- 前記バックコート層に含まれる非磁性粉末全量100.0質量部に対して無機粉末の占める割合は、50.0質量部超〜100.0質量部の範囲である請求項8に記載の磁気テープ。
- 請求項1〜9のいずれか1項に記載の磁気テープの製造方法であって、
前記バックコート層を、
非磁性支持体の一方の表面側に、非磁性粉末、結合剤および脂肪酸エステルを含むバックコート層形成用組成物を塗布し乾燥させることにより塗布層を形成すること、および、
形成した塗布層に振動を加えること、
により形成することを含む、前記磁気テープの製造方法。 - 前記振動は、超音波振動である請求項10に記載の磁気テープの製造方法。
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