JP6307879B2 - 磁気記録媒体およびその製造方法 - Google Patents

Description

本技術は、磁気記録媒体およびその製造方法に関する。詳しくは、シード層を備える磁気記録媒体およびその製造方法に関する。

近年、ＩＴ（情報技術）社会の発展、図書館および公文書館などの電子化、ならびにビジネス文書の長期保管により、データストレージ用テープメディアへの大容量化の要求が高まっている。また、最近では、グリーンストレージと呼ばれる、消費電力を下げ環境に配慮したストレージシステムが求められている。

現在、データストレージ用テープメディアでは、磁性粉を非磁性支持体上に塗布した塗布型磁気テープメディアが主流となっている。カートリッジ１巻当たりの記録容量を増やすためには、磁性粉を微粒子化して面記録密度を向上させる必要があるが、現在用いられている塗布法では、１０ｎｍ（ナノメートル）以下の微粒子で薄膜を形成することは困難である。

そこで、このような問題を解決するために、磁気異方性の高いＣｏＣｒＰｔ系の金属材料をスパッタ法などの手法により非磁性支持体上に成膜し、かつ、その材料を非磁性支持体の表面に対して垂直方向に結晶配向させた垂直磁気記録媒体が提案されている。この垂直磁気記録媒体については、磁気記録層の配向性を改善し、磁気特性を向上することが望まれており、この要望に応えるための技術が、近年種々検討されている。例えば特許文献１では、その技術の一つとして、非磁性支持体上に、少なくとも、アモルファス層、シード層、下地層、磁性層、及び保護層が順次形成された磁気記録媒体が開示されている。また、シード層をＴｉ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｚｒ、Ｔｉ合金、Ｃｒ合金、Ｚｒ合金のいずれかにより形成し、下地層をＲｕより形成し、磁性層をグラニュラ構造とすることが開示されている。

特開２００５−１９６８８５号公報

したがって、本技術の目的は、磁気特性を向上できる磁気記録媒体およびその製造方法を提供することにある。

上述の課題を解決するために、第１の技術は、
長尺状の基体と、シード層と、下地層と、垂直記録層とを備え、
シード層は、基体と下地層との間に設けられ、
シード層は、アモルファス状態を有し、Ｔｉ、ＣｒおよびＯを含む合金を含み、
シード層に含まれるＴｉおよびＣｒの総量に対するＴｉの割合は、３０原子％以上１００原子％未満であり、
シード層に含まれるＴｉ、ＣｒおよびＯの総量に対するＯの割合は、１５原子％以下である磁気記録媒体である。

第２の技術は、
長尺状の基体と、シード層と、下地層と、垂直記録層とを備え、
シード層は、基体と下地層との間に設けられ、
シード層は、アモルファス状態を有し、ＴｉおよびＣｒを含む合金を含み、
シード層に含まれるＴｉおよびＣｒの総量に対するＴｉの割合は、３０原子％以上１００原子％未満である磁気記録媒体である。

第３の技術は、
長尺状の基体と、アモルファス状態を有し、ＴｉおよびＣｒを含む層と、下地層と、垂直記録層とを備え、
ＴｉおよびＣｒを含む層は、基体と下地層との間に設けられ、
ＴｉおよびＣｒを含む層におけるＴｉおよびＣｒの総量に対するＴｉの割合は、３０原子％以上１００原子％未満である磁気記録媒体である。

第４の技術は、
長尺状の基体の表面に、シード層、下地層および垂直記録層をＲｏｌｌ ｔｏ Ｒｏｌｌ法により連続成膜する工程を備え、
シード層は、アモルファス状態を有し、Ｔｉ、ＣｒおよびＯを含む合金を含み、
シード層に含まれるＴｉおよびＣｒの総量に対するＴｉの割合は、３０原子％以上１００原子％未満であり、
シード層に含まれるＴｉ、ＣｒおよびＯの総量に対するＯの割合は、１５原子％以下である磁気記録媒体の製造方法である。

第５の技術は、
長尺状の基体を回転体の周面に沿わせて搬送しながら、該基体の表面に複数の薄膜を積層する工程を備え、
複数の薄膜のうちの少なくとも２層は、連続成膜される磁気記録媒体の製造方法である。

本技術において、シード層、下地層および記録層の各層は、単層構造および多層構造のいずれであってもよい。磁気記録媒体の磁気特性および／または記録再生特性をさらに向上する観点からすると、多層構造を採用することが好ましい。製造効率を考慮すると、多層構造のうちでも２層構造を採用することが好ましい。

本技術では、磁気記録媒体がシード層と下地層との間に設けられた軟磁性層をさらに備えることが好ましい。軟磁性層の構造としては、単層構造および多層構造のいずれを用いてもよいが、記録再生特性の向上の観点からすると、多層構造を用いることが好ましい。多層構造を有する軟磁性層としては、第１の軟磁性層と中間層と第２の軟磁性層とを備え、中間層が第１の軟磁性層と第２の軟磁性層との間に設けられているものが好ましい。磁気記録媒体が軟磁性層をさらに備える場合、軟磁性層と下地層との間に別のシード層をさらに備えることが好ましい。

本技術では、シード層、下地層および記録層のうちの少なくとも２層が、Ｒｏｌｌ ｔｏ Ｒｏｌｌ法により連続成膜されていることが好ましく、それら３層すべてが、同法により連続成膜されていることがより好ましい。磁気記録媒体が軟磁性層をさらに備える場合、シード層、軟磁性層、下地層および記録層のうちの少なくとも２層が、Ｒｏｌｌ ｔｏ Ｒｏｌｌ法により連続成膜されていることが好ましく、それら４層すべてが、同法により連続成膜されていることがより好ましい。

本技術では、基体と下地層との間に、アモルファス状態を有し、ＴｉおよびＣｒを含む合金を含んでいるシード層が設けられている。これにより、基体に吸着したＯ₂ガスやＨ₂Ｏなどが下地層に対して及ぼす影響を抑制できるとともに、基体に金属性の平滑面を形成できる。

以上説明したように、本技術によれば、下地層および記録層の配向性を改善し、磁気記録媒体の磁気特性を向上できる。

図１は、本技術の第１の実施形態に係る垂直磁気記録媒体の構成の一例を模式的に示す断面図である。 図２は、本技術の第１の実施形態に係る垂直磁気記録媒体の製造に用いられるスパッタ装置の構成の一例を示す概略図である。 図３は、本技術の第２の実施形態に係る垂直磁気記録媒体の構成の一例を模式的に示す断面図である。 図４は、実施例１、比較例１、２に係る磁気テープの下地層のＸ線回折の結果を示す図である。 図５は、実施例１、２、比較例３に係る磁気テープのシート層中に含まれる酸素含有量に対する磁気特性の依存性を示す図である。 図６は、実施例２〜４、比較例４に係る磁気テープのシート層中に含まれるＴｉ含有量に対する磁気特性の依存性を示す図である。 図７は、実施例４、５に係る磁気テープの記録再生特性を示す図である。 図８は、本技術の第３の実施形態に係る垂直磁気記録媒体の構成の一例を模式的に示す断面図である。 図９は、本技術の第４の実施形態に係る垂直磁気記録媒体の構成の一例を模式的に示す断面図である。 図１０は、本技術の第５の実施形態に係る垂直磁気記録媒体の構成の一例を模式的に示す断面図である。

本技術の実施形態について以下の順序で説明する。
１ 第１の実施形態（単層構造のシード層を備える垂直磁気記録媒体の例）
１．１ 概要
１．２ 垂直磁気記録媒体の構成
１．３ スパッタ装置の構成
１．４ 垂直磁気記録媒体の製造方法
１．５ 効果
２ 第２の実施形態（２層構造のシード層を備える垂直磁気記録媒体の例）
２．１ 垂直磁気記録媒体の構成
２．２ 効果
３．第３の実施形態（２層構造の下地層を備える垂直磁気記録媒体の例）
３．１ 垂直磁気記録媒体の構成
３．２ 効果
３．３ 変形例
４．第４の実施形態（単層構造の軟磁性裏打ち層をさらに備える垂直磁気記録媒体の例）
４．１ 垂直磁気記録媒体の構成
４．２ 効果
４．３ 変形例
５．第５の実施形態（多層構造の軟磁性裏打ち層をさらに備える垂直磁気記録媒体の例）
５．１ 垂直磁気記録媒体の構成
５．２ 効果
５．３ 変形例

＜１ 第１の実施形態＞
［１．１ 概要］
磁気記録層の配向分散を低減するためには、下地層の役割が重要となる。その理由は、（１）配向性が良好な下地層を選ぶことで、磁気記録層の配向が改善され、（２）下地層と磁気記録層との格子定数のマッチングを良くすることで、下地層と磁気記録層との界面の接合が良好になり、磁気記録層における初期成長層が低減されるからである。したがって、下地層の役割としては、磁気記録層の配向性の向上と、磁気記録層における初期成長層の低減とを同時に実現することが望まれる。

また、近年の垂直磁気記録媒体の記録層材料において主流となっているグラニュラ構造の実現においても下地層が形態学的に重要な役割を果たす。グラニュラ構造とは、強磁性体のカラムの周りを非磁性体が囲む構造のことをいう。記録層材料としてグラニュラ構造を有するものを用いる場合には、下地層の役割としては、上記２つの役割に加えて、グラニュラ構造の促進をも同時に実現することが望まれる。

例えば、グラニュラ構造を有する磁気記録媒体の下地層としては、一般にＲｕまたはＲｕ合金が用いられている。Ｒｕは六方細密充填（hexagonal close-packed structure：ｈｃｐ）構造を有し、磁気記録層としてしばしば用いられるＣｏ系合金と同じ結晶構造となるため、格子定数のマッチングが比較的良い。

しかし、磁気記録媒体の基体上に下地層を直接成膜した場合、基体表面に吸着したＯ₂やＨ₂Ｏの影響、および基体表面の微小な凹凸の影響により、下地層の配向性が著しく低下する。そこで、発明者らは、下地層の配向性を改善すべく、鋭意検討を繰り返した。その結果、本発明者らは、ＴｉおよびＣｒを含む合金を含み、アモルファス状態を有するシード層を、基体と下地層との間にさらに設けることで、下地層の配向性を改善できる、すなわち磁気特性を改善できることを見出した。

しかし、本発明者らが、上述のシード層を設けた磁気記録媒体について更に鋭意検討を重ねたところ、この磁気記録媒体では、シード層の組成によっては下地層の配向性が低下することを見出した。そこで、本発明者らは、シード層の組成について実験により鋭意検討を重ねた結果、シード層に含まれるＴｉおよびＣｒの総量に対するＴｉの割合を、３０原子％以上１００原子％未満とすることにより、下地層の配向性の低下を抑制できることを見出した。

また、本発明者らは、シード層が不純物酸素を含んでいる場合について鋭意検討を重ねたところ、この磁気記録媒体では、シード層に含まれるＴｉ、ＣｒおよびＯの総量に対するＯの割合を、１５原子％以下とすることにより、下地層の配向性の低下を抑制できることを見出した。
以上により、発明者らは、本実施形態に係る磁気記録媒体を完成するに至った。

［１．２ 磁気記録媒体の構成］
図１は、本技術の第１の実施形態に係る磁気記録媒体の構成の一例を模式的に示す断面図である。磁気記録媒体は、いわゆる単層垂直磁気記録媒体であり、図１に示すように、基体１１と、基体１１の表面に設けられたシード層１２と、シード層１２の表面に設けられた下地層１３と、下地層１３の表面に設けられた磁気記録層１４と、磁気記録層１４の表面に設けられた保護層１５と、保護層１５の表面に設けられたトップコート層１６とを備える。なお、本明細書では、軟磁性裏打ち層を持たない記録媒体を「単層垂直磁気記録媒体」と称し、軟磁性裏打ち層を有する記録媒体を「二層垂直磁気記録媒体」と称する。

この磁気記録媒体は、今後ますます需要が高まることが期待されるデータアーカイブ用ストレージメディアとして用いて好適なものである。この磁気記録媒体は、例えば、現在のストレージ用塗布型磁気テープの１０倍以上の面記録密度、すなわち５０Ｇｂ／ｉｎ²の面記録密度を実現することが可能である。このような面記録密度を有する磁気記録媒体を用いて、一般のリニア記録方式のデータカートリッジを構成した場合には、データカートリッジ１巻当たり５０ＴＢ以上の大容量記録が可能になる。この磁気記録媒体は、リング型の記録ヘッドと巨大磁気抵抗効果（Giant Magnetoresistive：ＧＭＲ）型の再生ヘッドを用いる記録再生装置に用いて好適なものである。

（基体）
支持体となる基体１１は、例えば、長尺状のフィルムである。基体１１としては、可撓性を有する非磁性基体を用いることが好ましい。非磁性基体の材料としては、例えば、通常の磁気記録媒体に用いられる可撓性の高分子樹脂材料を用いることができる。このような高分子材料の具体例としては、ポリエステル類、ポリオレフィン類、セルロース誘導体、ビニル系樹脂、ポリイミド類、ポリアミド類またはポリカーボネートなどが挙げられる。

（シード層）
シード層１２は、基体１１と下地層１３との間に設けられている。シード層１２は、ＴｉおよびＣｒを含む合金を含み、この合金はアモルファス状態を有している。具体的には、シード層１２は、ＴｉおよびＣｒを含む合金を含み、アモルファス状態を有している。
また、この合金には、Ｏ（酸素）がさらに含まれていてもよい。この酸素は、例えば、スパッタリング法などの成膜法でシード層１２を成膜する際に、シード層１２内に微量に含まれる不純物酸素である。ここで、「シード層」とは、下地層１３に類似した結晶構造を有し、結晶成長を目的として設けられる中間層ではなく、当該シード層１２の平坦性およびアモルファス状態によって下地層１３の垂直配向性を向上する中間層のことを意味する。「合金」とは、ＴｉおよびＣｒを含む固溶体、共晶体、および金属間化合物などの少なくとも一種を意味する。「アモルファス状態」とは、電子線回折法により、ハローが観測され、結晶構造を特定できないことを意味する。

ＴｉおよびＣｒを含む合金を含み、アモルファス状態を有するシード層１２には、基体１１に吸着したＯ₂ガスやＨ₂Ｏの影響を抑制するとともに、基体１１の表面の凹凸を緩和して基体１１の表面に金属性の平滑面を形成する作用がある。この作用により、下地層１３の垂直配向性が向上する。なお、シード層１２の状態を結晶状態にすると、結晶成長に伴うカラム形状が明瞭となり、基体１１の表面の凹凸が強調され、下地層１３の結晶配向が悪化する。

シード層１２に含まれるＴｉ、ＣｒおよびＯ（酸素）の総量に対するＯの割合は、好ましくは１５原子％（atomic％：at％）以下、より好ましくは１０原子％以下である。酸素の割合が１５原子％を超えると、ＴｉＯ₂結晶が生成することにより、シード層１２の表面に形成される下地層１３の結晶核形成に影響を与えるようになり、下地層１３の配向性が大きく低下する。

シード層１２に含まれるＴｉおよびＣｒの総量に対するＴｉの割合は、好ましくは３０原子％以上１００原子％未満、より好ましくは５０原子％以上１００原子％未満の範囲内である。Ｔｉの比率が３０％未満であると、Ｃｒの体心立方格子（Body-Centered Cubic lattice：ｂｃｃ）構造の（１００）面が配向するようになり、シード層１２の表面に形成される下地層１３の配向性が低下する。

なお、上記元素の割合は次のようにして求めることができる。磁気記録媒体のトップコート層１６側からイオンビームによるエッチングを行い、エッチングされたシード層１２の最表面についてオージェ電子分光法による解析を実施し、膜厚に対する平均の原子数比率をその元素の比率とする。具体的には、Ｔｉ、ＣｒおよびＯの３元素について解析を行い、その百分率比率による元素量を同定する。

シード層１２に含まれる合金が、ＴｉおよびＣｒ以外の元素を添加元素としてさらに含んでいてもよい。この添加元素としては、例えば、Ｎｂ、Ｎｉ、Ｍｏ、ＡｌおよびＷなどからなる群より選ばれる１種以上の元素が挙げられる。

（下地層）
下地層１３は、磁気記録層１４と同様の結晶構造を有していることが好ましい。磁気記録層１４がＣｏ系合金を含んでいる場合には、下地層１３は、Ｃｏ系合金と同様の六方細密充填（ｈｃｐ）構造を有する材料を含み、その構造のｃ軸が膜面に対して垂直方向（すなわち膜厚方向）に配向していることが好ましい。磁気記録層１４の配向性を高め、かつ、下地層１３と磁気記録層１４との格子定数のマッチングを比較的良好にできるからである。六方細密充填（ｈｃｐ）構造を有する材料としては、Ｒｕを含む材料を用いることが好ましく、具体的にはＲｕ単体またはＲｕ合金が好ましい。Ｒｕ合金としては、例えば、Ｒｕ−ＳｉＯ₂、Ｒｕ−ＴｉＯ₂またはＲｕ−ＺｒＯ₂などのＲｕ合金酸化物が挙げられる。

（磁気記録層）
磁気記録層１４は、記録密度を向上する観点から、Ｃｏ系合金を含むグラニュラ磁性層であることが好ましい。このグラニュラ磁性層は、Ｃｏ系合金を含む強磁性結晶粒子と、この強磁性結晶粒子を取り巻く非磁性粒界（非磁性体）とから構成されている。より具体的には、このグラニュラ磁性層は、Ｃｏ系合金を含むカラム（柱状結晶）と、このカラムを取り囲み、それぞれのカラムを磁気的に分離する非磁性粒界（例えばＳｉＯ₂などの酸化物）とから構成されている。この構造では、それぞれのカラムが磁気的に分離した構造を有する磁気記録層１４を構成することができる。

Ｃｏ系合金は、六方細密充填（ｈｃｐ）構造を有し、そのｃ軸が膜面に対して垂直方向（膜厚方向）に配向している。Ｃｏ系合金としては、少なくともＣｏ、ＣｒおよびＰｔを含有するＣｏＣｒＰｔ系合金を用いることが好ましい。ＣｏＣｒＰｔ系合金は、特に限定されるものではなく、ＣｏＣｒＰｔ合金がさらに添加元素を含んでいてもよい。添加元素としては、例えば、ＮｉおよびＴａなどからなる群より選ばれる１種以上の元素が挙げられる。

強磁性結晶粒子を取り巻く非磁性粒界は、非磁性金属材料を含んでいる。ここで、金属には半金属を含むものとする。非磁性金属材料としては、例えば、金属酸化物および金属窒化物のうちの少なくとも一方を用いることができ、グラニュラ構造をより安定に維持する観点からすると、金属酸化物を用いることが好ましい。金属酸化物としては、Ｓｉ、Ｃｒ、Ｃｏ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｔａ、Ｚｒ、Ｃｅ、ＹおよびＨｆなどからなる群より選ばれる少なくとも１種以上の元素を含む金属酸化物が挙げられ、少なくともＳｉ酸化物（すなわちＳｉＯ₂）を含んでいる金属酸化物が好ましい。その具体例としては、ＳｉＯ₂、Ｃｒ₂Ｏ₃、ＣｏＯ、Ａｌ₂Ｏ₃、ＴｉＯ₂、Ｔａ₂Ｏ₅、ＺｒＯ₂またはＨｆＯ₂などが挙げられる。金属窒化物としては、Ｓｉ、Ｃｒ、Ｃｏ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｔａ、Ｚｒ、Ｃｅ、ＹおよびＨｆなどからなる群より選ばれる少なくとも１種以上の元素を含む金属窒化物が挙げられる。その具体例としては、ＳｉＮ、ＴｉＮまたはＡｌＮなどが挙げられる。グラニュラ構造をより安定に維持するためには、非磁性粒界が金属窒化物および金属酸化物のうち金属酸化物を含んでいることが好ましい。

ＳＮＲ（Signal-Noise Ratio）の更なる向上を実現する観点からすると、強磁性結晶粒子に含まれるＣｏＣｒＰｔ系合金と、非磁性粒界に含まれるＳｉ酸化物とが、以下の式（１）に示す平均組成を有していることが好ましい。反磁界の影響を抑え、かつ、十分な再生出力を確保できる飽和磁化量Ｍｓを実現でき、これにより、高いＳＮＲを確保できるからである。
（Ｃｏ_xＰｔ_yＣｒ_100-x-y）_100-z−（ＳｉＯ₂）_z ・・・（１）
（但し、式（１）中において、ｘ、ｙ、ｚはそれぞれ、６９≦Ｘ≦７２、１２≦ｙ≦１６、９≦Ｚ≦１２の範囲内の値である。）

なお、上記組成は次のようにして求めることができる。磁気記録媒体のトップコート層１６側からイオンビームによるエッチングを行い、エッチングされた磁気記録層１２の最表面についてオージェ電子分光法による解析を実施し、膜厚に対する平均の原子数比率をその元素の比率とする。具体的には、Ｃｏ、Ｐｔ、Ｃｒ、ＳｉおよびＯの５元素について解析を行い、その百分率比率による元素量を同定する。

本実施形態に係る磁気記録媒体は、軟磁性材料を含む裏打ち層（軟磁性裏打ち層）を有さない単層磁気記録媒体であるが、この種の磁気記録媒体では、磁気記録層１４に起因する垂直方向への反磁界の影響が大きいと、垂直方向への十分な記録が困難となる傾向がある。反磁界は、磁気記録層１４の飽和磁化量Ｍｓに比例して大きくなるので、反磁界を抑えるためには飽和磁化量Ｍｓを小さくすることが望ましい。しかしながら、飽和磁化量Ｍｓが小さくなると、残留磁化量Ｍｒが小さくなり、再生出力が低下する。したがって、磁気記録層１４に含まれる材料は、反磁界の影響の抑制（すなわち飽和磁化量Ｍｓの低減）と、十分な再生出力を確保できる残留磁化量Ｍｒとを両立する観点から選択することが好ましい。上記式（１）の平均組成においては、これらの特性を両立し、高いＳＮＲを確保できる。

シード層１２、下地層１３および磁気記録層１４のうち少なくとも隣接する２層は、Ｒｏｌｌ ｔｏ Ｒｏｌｌ法により連続成膜されていることが好ましく、それらの３層すべてがＲｏｌｌ ｔｏ Ｒｏｌｌ法により連続成膜されていることがより好ましい。磁気特性および記録再生特性を更に向上できるからである。

（保護層）
保護層１５は、例えば、炭素材料または二酸化ケイ素（ＳｉＯ₂）を含み、保護層１５の膜強度の観点からすると、炭素材料を含んでいることが好ましい。炭素材料としては、例えば、グラファイト、ダイヤモンド状炭素（Diamond-Like Carbon：ＤＬＣ）またはダイヤモンドなどが挙げられる。

（トップコート層）
トップコート層１６は、例えば潤滑剤を含んでいる。潤滑剤としては、例えば、シリコーン系潤滑剤、炭化水素系潤滑剤またはフッ素化炭化水素系潤滑剤などを用いることができる。

［１．３ スパッタ装置の構成］
図２は、本技術の第１の実施形態に係る磁気記録媒体の製造に用いられるスパッタ装置の構成の一例を示す概略図である。このスパッタ装置は、シード層１２、下地層１３および磁気記録層１４の成膜に用いられる連続巻取式スパッタ装置であり、図２に示すように、成膜室２１と、金属キャン（回転体）であるドラム２２と、カソード２３ａ〜２３ｃと、供給リール２４と、巻き取りリール２５と、複数のガイドロール２７、２８とを備える。スパッタ装置は、例えばＤＣ（直流）マグネトロンスパッタリング方式の装置であるが、スパッタリング方式はこの方式に限定されるものではない。

成膜室２１は、排気口２６を介して図示しない真空ポンプに接続され、この真空ポンプにより成膜室２１内の雰囲気が所定の真空度に設定される。成膜室２１の内部には、回転可能な構成を有するドラム２２、供給リール２４および巻き取りリール２５が配置されている。成膜室２１の内部には、供給リール２４とドラム２２との間における基体１１の搬送をガイドするための複数のガイドロール２７が設けられていると共に、ドラム２２と巻き取りロール２５との間における基体１１の搬送をガイドするための複数のガイドロール２８が設けられている。スパッタ時には、供給リール２４から巻き出された基体１１が、ガイドロール２７、ドラム２２およびガイドロール２８を介して巻き取りリール２５に巻き取られる。ドラム２２は円柱状の形状を有し、細長い矩形状の基体１１はドラム２２の円柱面状の周面に沿わせて搬送される。ドラム２２には、図示しない冷却機構が設けられており、スパッタ時には、例えば−２０℃程度に冷却される。成膜室２１の内部には、ドラム２２の周面に対向して複数のカソード２３ａ〜２３ｃが配置されている。これらのカソード２３ａ〜２３ｃにはそれぞれターゲットがセットされている。具体的には、カソード２３ａ、２３ｂ、２３ｃにはそれぞれ、シート層１２、下地層１３、磁気記録層１４を成膜するためのターゲットがセットされている。これらのカソード２３ａ〜２３ｃにより複数の種類の膜、すなわちシート層１２、下地層１３および磁気記録層１４が同時に成膜される。

スパッタ時の成膜室２１の雰囲気は、例えば、１×１０^-5Ｐａ〜５×１０^-5Ｐａ程度に設定される。シート層１２、下地層１３および磁気記録層１４の膜厚および特性（例えば磁気特性）は、基体１１を巻き取るテープライン速度、スパッタ時に導入するＡｒガスの圧力（スパッタガス圧）、および投入電力などを調整することにより制御可能である。テープライン速度は、１ｍ／ｍｉｎ〜１０ｍ／ｍｉｎ程度の範囲内であることが好ましい。スパッタガス圧は、０．１Ｐａ〜５Ｐａ程度の範囲内であることが好ましい。投入電力量は、３０ｍＷ／ｍｍ²〜１５０ｍＷ／ｍｍ²程度の範囲内であることが好ましい。

高分子材料を含む、厚みの薄い基体１１の表面に、シート層１２、下地層１３および磁気記録層１４を連続成膜する場合には、以下の（１）〜（４）の成膜条件のすべてを満たしていることが好ましい。
（１）ドラム２２の温度が、好ましくは１０℃以下、より好ましくは−２０℃以下である。ここで、ドラム２２の温度は、測温抵抗体、リニア抵抗、サーミスタなどを利用した回転体用の温度センサーをドラム２２上にセットして測定したものである。
（２）ドラム２２の周面のうち基体１１が接触する領域の角度範囲θは、好ましくは２２０°以上３６０°未満、より好ましくは２７０°以上３６０°未満である。ここで、角度範囲は、図２に示すように、円柱状のドラム２２の中心軸に対するドラム２２の周面の円周方向の角度範囲を意味する。
（３）基体１１の幅１ｍｍ長さ当たりの張力が、好ましくは４ｇ／ｍｍ以上、より好ましくは４ｇ／ｍｍ以上２０ｇ／ｍｍ以下である。ここで、張力は、基準とするガイドロール２７、２８の両側にかかる荷重をストレインゲージトランスデューサー（張力センサー）により計測したものである。
（４）シート層１２、下地層１３および磁気記録層１４のダイナミックレートのうち最大のものが、好ましくは７０ｎｍ・ｍ／ｍｉｎ以下である。ここで、ダイナミックレートとは、成膜膜厚と送り速度の積である。

上記（１）〜（４）の成膜条件を満たすことで、スパッタ時のプラズマからの輻射熱による基体１１のダメージを抑制することができる。より具体的には、基体１１の一部が変形したり、より深刻なケースでは成膜中に基体１１に切断が発生したりすることなどを抑制することができる。また、上記（３）の成膜条件において張力の上限値を２０ｇ／ｍｍ以下とした場合には、磁気テープを巻き取った後のテンションで基体１１上に積層した膜にクラックが発生することを抑制できる。

上述の構成を有するスパッタ装置では、シード層１２、下地層１３および磁気記録層１４をＲｏｌｌ ｔｏ Ｒｏｌｌ法により連続成膜または不連続成膜することができ、磁気特性および記録再生特性の更なる向上の観点からすると、連続成膜することが好ましい。連続成膜を採用する場合、シード層１２、下地層１３および磁気記録層１４のうち少なくとも隣接する２層を、Ｒｏｌｌ ｔｏ Ｒｏｌｌ法により連続成膜することが好ましく、それらの３層すべてをＲｏｌｌ ｔｏ Ｒｏｌｌ法により連続成膜することがより好ましい。

ここで、連続成膜とは、連接する下層（シード層１２または下地層１３）と上層（下地層１３または磁気記録層１４）とが成膜される間に、下層の表面状態に変化を招くことがない、より具体的には下層の表面に何らかの力が加えられることがない成膜のことを意味する。連続成膜プロセスの具体例としては、供給リール２４から基体１１を巻き出し、ドラム２２を介して巻き取りリール２５に巻き取る１回の工程で、走行する基体１１の表面にシード層１２、下地層１３および磁気記録層１４を順次成膜するプロセスが挙げられる。

一方、不連続成膜とは、連接する下層（シード層１２または下地層１３）と上層（下地層１３または磁気記録層１４）とが成膜される間に、下層の表面状態に変化を招いてしまう、より具体的には下層の表面に何らかの力が加えられてしまう成膜のことを意味する。不連続成膜プロセスの具体例としては、以下のプロセスが挙げられる。すなわち、供給リール２４から基体１１を巻き出し、ドラム２２上で下層を基体１１の表面に成膜し、巻き取りリール２５に巻き取る。その後、再度巻き取りリール２５から基体１１を巻き出し、ドラム２２上で上層を基体１１の表面に成膜し、供給リール２４に巻き取る。このプロセスでは、巻き取りリール２５に基体１１を巻き取るとき、および巻き取りリール２５から基体１１を巻き出すとき、下層の表面が複数のガイドロール２８に接触するとともに、巻き取りリール２５に基体１１を巻き取ったときに下層の表面がその上に巻き取られる基体１１の裏面に接触する。このため、下層の表面状態に変化を招くことになる。

［１．４ 磁気記録媒体の製造方法］
本技術の第１の実施形態に係る磁気記録媒体は、例えば、以下のようにして製造することができる。

まず、図２に示したスパッタ装置を用いて、シード層１２、下地層１３および磁気記録層１４を基体１１の上に形成する。具体的には以下のようにして成膜する。まず、成膜室２１を所定の圧力になるまで真空引きする。その後、成膜室２１内にＡｒガスなどのプロセスガスを導入しながら、カソード２３ａ〜２３ｃにセットされたターゲットをスパッタして、走行する基体１１の表面にシード層１２、下地層１３および磁気記録層１４を順次成膜する。

供給リール２４から基体１１を巻き出し、ドラム２２を介して巻き取りリール２５に巻き取る１回の工程で、走行する基体１１の表面にシード層１２、下地層１３および磁気記録層１４のうちの少なくとも隣接する２層を成膜することが好ましく、３層すべてを連続成膜することがより好ましい。なお、供給リール２４から基体１１を巻き出し、ドラム２２を介して巻き取りリール２５に巻き取る１回の工程で、隣接する２層（シード層１２、下地層１３）を成膜した場合には、再度巻き取りリール２５から基体１１を巻き出し、供給リール２４に巻き取る更なる工程で、ドラム２２上で残りの１層（磁気記録層１４）が成膜される。

次に、磁気記録層１４の表面に保護層１５を形成する。保護層１５の形成方法としては、例えば化学気相成長（Chemical Vapor Deposition：ＣＶＤ）法または物理蒸着（physical vapor deposition：ＰＶＤ）法を用いることができる。

次に、例えば潤滑剤を保護層１５の表面に塗布し、トップコート層１６を形成する。潤滑剤の塗布方法はとしては、例えば、グラビアコーティング、ディップコーティングなどの各種塗布方法を用いることができる。
以上により、図１に示した磁気記録媒体が得られる。

［１．５ 効果］
第１の実施形態に係る磁気記録媒体では、以下の（１）および（２）の構成および作用を有している。
（１）基体１１と下地層１３との間に、アモルファス状態を有し、ＴｉおよびＣｒを含む合金を含んでいるシード層１２が設けられている。これにより、基体１１に吸着したＯ₂ガスやＨ₂Ｏなどが下地層１３に対して及ぼす影響を抑制するとともに、基体１１の表面に金属性の平滑面を形成できる。
（２）シード層１２に含まれるＴｉおよびＣｒの総量に対するＴｉの割合を、３０原子％以上１００原子％未満としている。これにより、Ｃｒの体心立方格子（ｂｃｃ）構造の（１００）面の配向を抑制できる。
上記（１）および（２）の構成および作用を有することで、下地層１３および磁気記録層１４の配向性を改善し、優れた磁気特性を達成することができる。したがって、高出力化および低ノイズ化といった媒体性能の向上を実現できる。

また、第１の実施形態に係る磁気記録媒体では、シード層１２が不純物酸素を含んでいる場合には、以下の（３）の構成および作用をさらに有していることが好ましい。
（３）シード層１２に含まれるＴｉ、ＣｒおよびＯの総量に対するＯの割合を、１５原子％以下としていることが好ましい。これにより、ＴｉＯ₂結晶が生成することを抑制し、シード層１２の表面に形成される下地層１３の結晶核形成に対する影響を抑制できる。
上記（３）の構成および作用をさらに有することで、シード層１２が不純物酸素を含んでいる場合であっても、下地層１３および磁気記録層１４の配向性を改善し、優れた磁気特性を達成することができる。

＜２ 第２の実施形態＞
［２．１ 磁気記録媒体の構成］
図３は、本技術の第２の実施形態に係る磁気記録媒体の構成の一例を模式的に示す断面図である。この第２の実施形態に係る磁気記録媒体は、図３に示すように、２層構造のシード層１７を備える点において、第１の実施形態に係る磁気記録媒体とは異なっている。なお、第２の実施形態において第１の実施形態と同様の箇所には同一の符号を付して説明を省略する。

シード層１７は、第１のシード層（上側シード層）１７ａおよび第２のシード層（下側シード層）１７ｂを備える。第１のシード層１７ａが下地層１３の側に設けられ、第２のシード層１７ｂが基体１１の側に設けられる。第２のシード層１７ｂは、第１の実施形態におけるシード層１２と同様のものを用いることができる。第１のシード層１７ａは、例えば第２のシード層１７ｂとは異なる組成の材料を含んでいる。この材料の具体例としては、ＮｉＷまたはＴａなどが挙げられる。なお、第１のシード層１７ａは、シード層ではなく、第２のシード層１７ｂと下地層１３との間に設けられた中間層と見なすことも可能である。

［２．２ 効果］
磁気記録媒体が２層構造のシード層１７を備えることで、下地層１３および磁気記録層１４の配向性をさらに改善し、磁気特性をさらに向上させることが可能となる。

＜３ 第３の実施形態＞
［３．１ 磁気記録媒体の構成］
図８は、本技術の第３の実施形態に係る磁気記録媒体の構成の一例を模式的に示す断面図である。この第３の実施形態に係る磁気記録媒体は、図８に示すように、２層構造の下地層１８を備える点において、第２の実施形態に係る磁気記録媒体とは異なっている。なお、第３の実施形態において第２の実施形態と同様の箇所には同一の符号を付して説明を省略する。

下地層１８は、第１の下地層（上側下地層）１８ａおよび第２の下地層（下側下地層）１８ｂを備える。第１の下地層１８ａが磁気記録層１４の側に設けられ、第２の下地層１８ｂがシード層１７の側に設けられる。

第１の下地層１８ａ、第２の下地層１８ｂの材料としては、ともに、例えば、上述の第１の実施形態における下地層１３と同様のものを用いることができる。しかしながら、第１の下地層１８ａ、第２の下地層１８ｂそれぞれにおいて目的とする効果が異なっており、それ故にそれぞれのスパッタ条件は異なるものとなる。すなわち、第１の下地層１８ａについてはその上層となる磁気記録層のグラニュラ構造を促進する膜構造とすることが重要であり、第２の下地層１８ｂについては結晶配向性の高い膜構造とすることが重要となる。

［３．２ 効果］
磁気記録媒体が２層構造の下地層１８を備えることで、磁気記録層１４の配向性およびグラニュラ構造性をさらに改善し、磁気特性をさらに向上させることが可能となる。

［３．３ 変形例］
第３の実施形態に係る磁気記録媒体において、２層構造のシード層１７に代えて単層構造のシード層を備えるようにしてもよい。単層構造のシード層としては、第１の実施形態におけるシード層１２を用いることができる。

＜４ 第４の実施形態＞
［４．１ 磁気記録媒体の構成］
図９は、本技術の第４の実施形態に係る磁気記録媒体の構成の一例を模式的に示す断面図である。この第４の実施形態に係る磁気記録媒体は、いわゆる二層垂直磁気記録媒体であり、図９に示すように、基体１１とシード層１７との間に、シード層１９および軟磁性裏打ち層（Soft magnetic underlayer、以下「ＳＵＬ」という。）３１を備える点において、第３の実施形態に係る磁気記録媒体とは異なっている。シード層１９は基体１１の側に設けられ、ＳＵＬ３１はシード層１７の側に設けられる。この第４の実施形態に係る磁気記録媒体は、単磁極型（Single Pole Type：ＳＰＴ）の記録ヘッドとトンネル磁気抵抗効果（Tunnel Magnetoresistive：ＴＭＲ）型の再生ヘッドを用いる記録再生装置に用いて好適なものである。なお、第４の実施形態において第３の実施形態と同様の箇所には同一の符号を付して説明を省略する。

シード層１９としては、第１の実施形態におけるシード層１２と同様のものを用いることができる。

ＳＵＬ３１の膜厚は、好ましくは４０ｎｍ以上、より好ましくは４０ｎｍ以上１４０ｎｍ以下である。４０ｎｍ未満であると、記録再生特性が低下する傾向がある。一方、１４０ｎｍを超えると、ＳＵＬ膜の結晶粒の粗大化による下地層１８の結晶配向性の低下が顕著となるとともに、ＳＵＬ３１の成膜時間が長くなり、生産性の低下を招く虞がある。ＳＵＬ３１は、アモルファス状態の軟磁性材料を含んでいる。軟磁性材料としては、例えば、Ｃｏ系材料またはＦｅ系材料などを用いることができる。Ｃｏ系材料としては、例えば、ＣｏＺｒＮｂ、ＣｏＺｒＴａ、ＣｏＺｒＴａＮｂなどが挙げられる。Ｆｅ系材料としては、例えば、ＦｅＣｏＢ、ＦｅＣｏＺｒ、ＦｅＣｏＴａなどが挙げられる。

ＳＵＬ３１はアモルファス状態を有するため、ＳＵＬ３１上に形成される層のエピタキシャル成長を促す役割を担わないが、ＳＵＬ３１の上に形成される下地層１８の結晶配向を乱さないことが求められる。そのためには、軟磁性材料がカラムを形成しない微細な構造を有していることが必要となるが、基体１１からの水分などのデガスの影響が大きい場合、軟磁性材料が粗大化し、ＳＵＬ３１上に形成される下地層１８の結晶配向を乱してしまう。それらの影響を抑えるために、シード層１９を基体１１の表面に設けることが重要となる。特に、水分や酸素などの気体の吸着の多い、高分子材料のフィルムを基体１１として用いる場合、それらの影響を抑えるためにシード層１９を設けることが重要となる。

記録層１４と保護層１５との間にＣＡＰ層（スタック層）３２をさらに備えることが好ましい。グラニュラ構造を有する磁気記録層１４と、ＣＡＰ層３２とからなる積層構造は、一般にCoupled Granular Continuous（ＣＧＣ）と呼ばれている。ＣＡＰ層３２の膜厚は、４ｎｍ以上１２ｎｍ以下であることが好ましい。ＣＡＰ層３２の膜厚を４ｎｍ以上１２ｎｍ以下の範囲内に選択することで、より良好な記録再生特性を得ることができる。ＣｏＣｒＰｔ系材料を含んでいる。ＣｏＣｒＰｔ系材料としては、例えば、ＣｏＣｒＰｔ、ＣｏＣｒＰｔＢ、これら材料に金属酸化物をさらに添加した材料（ＣｏＣｒＰｔ−金属酸化物、ＣｏＣｒＰｔＢ−金属酸化物）などが挙げられる。添加する金属酸化物としては、例えば、Ｓｉ、Ｔｉ、Ｍｇ、ＴａおよびＣｒなどからなる群より選ばれる少なくとも１種を用いることができる。その具体例としては、ＳｉＯ₂、ＴｉＯ₂、ＭｇＯ、Ｔａ₂Ｏ₅、Ｃｒ₂Ｏ₃、それらの２種以上の混合体などが挙げられる。

第４の実施形態に係る磁気記録媒体では、シード層１９、ＳＵＬ３１、第１、第２のシード層１７ａ、１７ｂ、第１、第２の下地層１８ａ、１８ｂおよび磁気記録層１４のすべてがＲｏｌｌ ｔｏ Ｒｏｌｌ法により連続成膜されていることが好ましい。磁気特性および記録再生特性を更に向上できるからである。

［４．２ 効果］
第４の実施形態に係る磁気記録媒体では、垂直磁性層である磁気記録層１４の下にＳＵＬ３１を設けることで、磁気記録層１４の表層に発生する磁極の発生を減磁界を抑えるとともに、ヘッド磁束をＳＵＬ３１中に誘導することにより、鋭いヘッド磁界の発生を助ける役割を果たす。また、基体１１とＳＵＬ３１との間にシード層１９を設けているので、ＳＵＬ３１に含まれる軟磁性材料の粗大化を抑制することができる。すなわち、下地層１８における結晶配向の乱れを抑制することができる。したがって、第１の実施形態よりも高い面記録密度を有する磁気記録媒体において、良好な記録再生特性を実現することができる。

グラニュラ構造を有する磁気記録層１４上にＣＡＰ層３２を設けた構造を採用した場合には、これらの磁気記録層１４とＣＡＰ層３２との間で交換相互作用による磁気的結合を発生させ、その効果により、Ｈｃ近傍でのＭ−Ｈループの傾きを急峻とすることで、記録を容易とすることができる。通常、磁気記録層１４のみでＭ−Ｈループの傾きを急峻とした場合、ノイズの増大が観察されるが、この構造の場合には、ノイズを発生する記録の構造は低ノイズ構造を維持できるため、低ノイズでかつ記録が容易となる構造を実現できる。

［４．３ 変形例］
第４の実施形態に係る磁気記録媒体において、２層構造のシード層１７に代えて単層構造のシード層を備えるようにしてもよい。単層構造のシード層としては、第１の実施形態におけるシード層１２を用いることができる。また、２層構造の下地層１８に代えて単層構造の下地層を備えるようにしてもよい。単層構造の下地層としては、第１の実施形態における下地層１３を用いることができる。

＜５ 第５の実施形態＞
［５．１ 磁気記録媒体の構成］
図１０は、本技術の第５の実施形態に係る磁気記録媒体の構成の一例を模式的に示す断面図である。この第５の実施形態に係る磁気記録媒体は、図１０に示すように、Antiparallel Coupled ＳＵＬ（以下「ＡＰＣ−ＳＵＬ」という。）３３を備える点において、第４の実施形態に係る磁気記録媒体とは異なっている。なお、第５の実施形態において第４の実施形態と同様の箇所には同一の符号を付して説明を省略する。

ＡＰＣ−ＳＵＬ３３は、薄い中間層３３ｂを介して２つの軟磁性層３３ａ、３３ｃを積層し、中間層３３ｂを介した交換結合を利用して積極的に磁化を反平行に結合させた構造を有している。軟磁性層３３ａ、３３ｃの膜厚は略同一であることが好ましい。軟磁性層３３ａ、３３ｃのトータルの膜厚は、好ましくは４０ｎｍ以上、より好ましくは４０ｎｍ以上７０ｎｍ以下である。４０ｎｍ未満であると、記録再生特性が低下する傾向がある。一方、７０ｎｍを超えると、ＡＰＣ−ＳＵＬ３３の成膜時間が長くなり、生産性の低下を招く虞がある。軟磁性層３３ａ、３３ｃの材料は同一の材料であることが好ましく、その材料としては第４の実施形態におけるＳＵＬ３１と同様の材料を用いることができる。中間層３３ｂの膜厚は、例えば０．８ｎｍ以上１．４ｎｍ以下、好ましくは０．９ｎｍ以上１．３ｎｍ以下、より好ましくは１．１ｎｍ程度である。中間層３３ｂの膜厚を０．９ｎｍ以上１．３ｎｍ以下の範囲内に選択することで、より良好な記録再生特性を得ることができる。中間層３３ｂの材料としては、Ｖ，Ｃｒ，Ｍｏ，Ｃｕ，Ｒｕ，Ｒｈ，及びＲｅが考えられ、特に、Ｒｕを含んでいることが好ましい。

［５．２ 効果］
第５の実施形態に係る磁気記録媒体では、ＡＰＣ−ＳＵＬ３３を用いているので、上層部である軟磁性層３３ａと下層部である軟磁性層３３ｃとが反平行に交換結合し、残留磁化状態で上下層トータルの磁化量はゼロなる。これにより、ＡＰＣ−ＳＵＬ３３中の磁区が動いた場合に発生する、スパイク状のノイズの発生を抑えることができる。したがって、記録再生特性を更に向上することができる。

［５．３ 変形例］
第５の実施形態に係る磁気記録媒体において、第４の実施形態の変形例に係る磁気記録媒体と同様に、単層構造のシード層および／または下地層を備えるようにしてもよい。

以下、実施例により本技術を具体的に説明するが、本技術はこれらの実施例のみに限定されるものではない。

本技術の実施例について以下の順序で説明する。
ｉ．軟磁性裏打ち層（ＳＵＬ）を持たない磁気テープについての検討
ii．軟磁性裏打ち層（ＳＵＬ）を持った磁気テープについての検討

＜ｉ．軟磁性裏打ち層（ＳＵＬ）を持たない磁気テープについての検討＞
（実施例１）
（シード層の成膜工程）
まず、以下の成膜条件にて、非磁性基体としての高分子フィルム上にＴｉＣｒシード層を５ｎｍ成膜した。
スパッタリング方式：ＤＣマグネトロンスパッタリング方式
ターゲット：Ｔｉ₃₀Ｃｒ₇₀ターゲット
到達真空度：５×１０^-5Ｐａ
ガス種：Ａｒ
ガス圧：０．５Ｐａ

（下地層の成膜工程）
次に、以下の成膜条件にて、ＴｉＣｒシード層上にＲｕ下地層を２０ｎｍ成膜した。
スパッタリング方式：ＤＣマグネトロンスパッタリング方式
ターゲット：Ｒｕターゲット
ガス種：Ａｒ
ガス圧：１．５Ｐａ

（磁気記録層の成膜工程）
次に、以下の成膜条件にて、Ｒｕ下地層上に（ＣｏＣｒＰｔ）−（ＳｉＯ₂）磁気記録層を２０ｎｍ成膜した。
スパッタリング方式：ＤＣマグネトロンスパッタリング方式
ターゲット：（Ｃｏ₇₅Ｃｒ₁₀Ｐｔ₁₅）₉₀−（ＳｉＯ₂）₁₀ターゲット
ガス種：Ａｒ
ガス圧：１．５Ｐａ

（保護層の成膜工程）
次に、以下の成膜条件にて、（ＣｏＣｒＰｔ）−（ＳｉＯ₂）磁気記録層上にカーボンからなる保護層を５ｎｍ成膜した。
スパッタリング方式：ＤＣマグネトロンスパッタリング方式
ターゲット：カーボンターゲット
ガス種：Ａｒ
ガス圧：１．０Ｐａ

（トップコート層の成膜工程）
次に、潤滑剤を保護層上に塗布し、保護層上にトップコート層を成膜した。
以上により、垂直磁気記録媒体である磁気テープを得た。

（実施例２）
シード層の成膜工程における成膜条件を以下のように変更する以外は、実施例１と同様にして磁気テープを得た。
スパッタリング方式：ＤＣマグネトロンスパッタリング方式
ターゲット：Ｔｉ₃₀Ｃｒ₇₀ターゲット
到達真空度：１×１０^-5Ｐａ
ガス種：Ａｒ
ガス圧：０．５Ｐａ

（実施例３）
シード層の成膜工程における成膜条件を以下のように変更する以外は、実施例１と同様にして磁気テープを得た。
スパッタリング方式：ＤＣマグネトロンスパッタリング方式
ターゲット：Ｔｉ₄₀Ｃｒ₆₀ターゲット
到達真空度：１×１０^-5Ｐａ
ガス種：Ａｒ
ガス圧：０．５Ｐａ

（実施例４）
シード層の成膜工程における成膜条件を以下のように変更する以外は、実施例１と同様にして磁気テープを得た。
スパッタリング方式：ＤＣマグネトロンスパッタリング方式
ターゲット：Ｔｉ₅₀Ｃｒ₅₀ターゲット
到達真空度：１×１０^-5Ｐａ
ガス種：Ａｒ
ガス圧：０．５Ｐａ

（実施例５）
磁気記録層の成膜工程の成膜工程における成膜条件を以下のように変更する以外は、実施例４と同様にして磁気テープを得た。
スパッタリング方式：ＤＣマグネトロンスパッタリング方式
ターゲット：（Ｃｏ₇₀Ｃｒ₁₅Ｐｔ₁₅）₉₀−（ＳｉＯ₂）₁₀ターゲット
ガス種：Ａｒ
ガス圧：１．５Ｐａ

（比較例１）
シード層の成膜工程を省略して、非磁性基体としての高分子フィルム上に下地層を直接形成する以外は、実施例１と同様にして磁気テープを得た。

（比較例２）
シード層の成膜工程における成膜条件を調整して、ＴｉＣｒシード層を４０ｎｍ成膜する以外は、実施例１と同様にして磁気テープを得た。

（比較例３）
シード層の成膜工程における成膜条件を以下のように変更する以外は、実施例１と同様にして磁気テープを得た。
スパッタリング方式：ＤＣマグネトロンスパッタリング方式
ターゲット：Ｔｉ₃₀Ｃｒ₇₀ターゲット
到達真空度：１×１０^-4Ｐａ
ガス種：Ａｒ
ガス圧：０．５Ｐａ

（比較例４）
シード層の成膜工程における成膜条件を以下のように変更する以外は、実施例１と同様にして磁気テープを得た。
スパッタリング方式：ＤＣマグネトロンスパッタリング方式
ターゲット：Ｔｉ₂₀Ｃｒ₈₀ターゲット
到達真空度：１×１０^-5Ｐａ
ガス種：Ａｒ
ガス圧：０．５Ｐａ

（特性評価）
上述のようにして得られた実施例１〜５および比較例１〜４の磁気テープについて、以下の（ａ）〜（ｆ）の評価を行った。

（ａ）下地層の垂直配向性
Ｘ線回折装置により、θ／２θ特性を調査し、下地層に含まれるＲｕの垂直配向性を以下の基準で評価した。
垂直配向性が良好：（０００２）のみのピークが観察された場合
垂直配向性が悪い：（０００２）のピークの以外に、（１０−１０）、（１０−１１）のピークも観察された場合
ここで、上記結晶方位における“−１”は、オーバーラインが付された“１”を意味する。

（ｂ）シード層の状態
電子線回折法により、ＴｉＣｒシード層の状態を解析した。電子線回折法では、ＴｉＣｒシード層が結晶状態であれば電子線回折像としてドットが得られ、ＴｉＣｒシード層が多結晶状態であれば電子線回折像としてリングが得られ、そして、ＴｉＣｒシード層がアモルファス状態であれば電子線回折像としてハローが得られる。

（ｃ）シード層の組成
以下のようにしてシード層の組成を分析した。サンプルの表層からイオンビームによるエッチングを行い、エッチングされた最表面についてオージェ電子分光法による解析を実施し、膜厚に対する平均の原子数比率をその元素の比率とした。具体的には、Ｔｉ、ＣｒおよびＯの３元素について解析を行い、その百分率比率による元素量を同定した。

以下に、オージェ電子分光法について説明する。オージェ電子分光法は、細く絞った電子線を固体表面に照射し、発生するオージェ電子のエネルギーと数を測定することで、固体表面に存在する元素の種類と量を同定する分析方法である。この放出されるオージェ電子のエネルギーは、表面に照射された電子線により作られた空準位へ外殻準位から電子が落ちる際に放出されるエネルギーに依存し、元素によって決まった値をとるため、サンプル表面の元素を特定することができる。

（ｄ）磁気記録層の組成
以下のようにして磁気記録層の組成を分析した。上記「（ｃ）シード層の組成」におけるのと同様にして、オージェ電子分光法による解析を実施し、膜厚に対する平均の原子数比率をその元素の比率とした。具体的には、Ｃｏ、Ｐｔ、Ｃｒ、ＳｉおよびＯの５元素について解析を行い、その百分率比率による元素量を同定した。

（ｅ）磁気記録層の磁気特性
磁気記録層の垂直方向の磁気特性を振動試料磁力計（Vibrating Sample Magnetometer：ＶＳＭ）にて調べた。

（ｆ）記録再生特性
以下のようにして記録再生特性を評価した。まず、リング型の記録ヘッドと巨大磁気抵抗効果（Giant Magnetoresistive：ＧＭＲ）型の再生ヘッドを用い、ピエゾステージによりこのヘッドを往復振動させることにより記録再生を行う、所謂、ドラッグテスタにて測定を行った。ここで、再生ヘッドのリードトラック幅は１２０ｎｍとした。次に、記録波長を２５０ｋＦＣＩ（kilo Flux Changes per Inch）とし、ＳＮＲを、再生波形のピーク・トゥ・ピーク電圧と、ノイズスペクトラムを０ｋＦＣＩ〜５００ｋＦＣＩの帯域で積分した値から求めた電圧との比により計算して求めた。次に、下記の基準に基づき、求めたＳＮＲを３段階で評価し、その結果を表１に示した。なお、表１中の「×」印、「○」印、「◎」印は、下記の基準に対応している。
×：ＳＮＲが２０ｄＢ未満である
○：ＳＮＲが２０ｄＢ以上２３ｄＢ未満である
◎：ＳＮＢが２３ｄＢ以上である

一般に、記録再生システムを成立させるのに最低必要となるＳＮＲは、波形等化やエラー補正を処理した後のＳＮＲ（所謂ディジタルＳＮＲ）において、１６ｄＢ程度といわれている。ディジタルＳＮＲは本測定方法（上記記録再生特性の評価に用いた測定方法）によるＳＮＲに対して４ｄＢほど低くなるので、１６ｄＢのディジタルＳＮＲを確保するためには、本測定方法によるＳＮＲは２０ｄＢほど必要となる。したがって、本測定方法によるＳＮＲは最低２０ｄＢ必要と判断している。更に、磁気テープと磁気ヘッドの摺動にて発生する出力低下や、磁気テープの変形などの実用上の特性低下を考慮した場合、更にＳＮＲマージンを設定することが望ましい。このマージンを考慮すると、ＳＮＲは２３ｄＢ以上であることが好ましいと考えられる。

なお、本実施例の磁気テープでは、線記録密度が５００ｋＢＰＩ（Bit Per Inch）であり、トラックピットを再生ヘッドのトラック幅の２倍として、トラック密度が１０６ｋＴＰＩ（Tracks Per Inch）であると考えると、５００ｋＢＰＩ×１０６ｋＴＰＩ＝５３Ｇｂ／ｉｎ²の面記録密度を実現できることになる。

（評価結果）
図４は、実施例１、比較例１、２に係る磁気テープの下地層のＸ線回折の結果を示す図である。図５は、実施例１、２、比較例３に係る磁気テープのシート層中に含まれる酸素含有量に対する磁気特性の依存性を示す図である。図６は、実施例２〜４、比較例４に係る磁気テープのシート層中に含まれるＴｉ含有量に対する磁気特性の依存性を示す図である。図７は、実施例４、５に係る磁気テープの記録再生特性を示す図である。

表１は、実施例１〜５および比較例１〜４の磁気テープの構成および評価（ａ）〜（ｆ）の結果を示す。

・シード層について
実施例１〜５、比較例３、４では、電子線回折法によりＴｉＣｒシード層を解析した結果、いずれの回折スポットも観察されず、ハローの状態が確認された。すなわち、実施例１〜５、比較例３、４では、ＴｉＣｒシード層は、結晶化しておらず、アモルファス状態であることが確認された。

比較例２では、電子線回折法によりＴｉＣｒシード層を解析した結果、Ｃｒの体心立方格子（ｂｃｃ）構造の（１００）の回折スポットとともに、Ｔｉの六方細密充填（ｈｃｐ）構造の（００２）の回折スポットが確認された。すなわち、比較例２では、ＴｉＣｒシード層は、結晶配向状態であることが確認された。

実施例１では、ＴｉＣｒシード層中の酸素含有量は１５原子％であったのに対して、実施例２〜５、比較例４では、ＴｉＣｒシード層中の酸素含有量は１０原子％に低下した。この酸素含有量の低下は、実施例２〜５、比較例４では成膜室の雰囲気を５×１０^-5Ｐａから１×１０^-5Ｐａに変更したことにより、暴露によるＴｉＣｒシード層の酸化が抑えられ、ＴｉＣｒシード層中の酸素含有量が低下したためと考えられる。

実施例１では、ＴｉＣｒシード層の酸素含有量が１５原子％であったのに対して、比較例３では、ＴｉＣｒシード層の酸素含有量が２０原子％に増加した。この酸素含有量の増加は、比較例３では成膜室の雰囲気を５×１０^-5Ｐａから１×１０^-4Ｐａに変更したことにより、暴露によるＴｉＣｒシード層の酸化が進み、膜中の酸素含有量が増大したためと考えられる。

・下地層について
実施例１では、図４に示すように、Ｒｕ下地層の垂直配向性を調べた結果、（１０−１０）、（１０−１１）のピークが観察されず、六方細密充填（ｈｃｐ）構造のｃ軸が垂直配向していることを示す（０００２）のみのピークが観察された。これより、アモルファス状態のＴｉＣｒシード層を非磁性基体とＲｕ下地層との間に設けた場合には、Ｒｕ下地層の垂直配向が大きく改善されることがわかった。

比較例１では、図４に示すように、Ｒｕ下地層の垂直配向性を調べた結果、垂直配向を示す六方細密充填（ｈｃｐ）構造の（０００２）のピークは低く、それ以外に（１０−１０）、（１０−１１）のピークも観察された。これより、アモルファス状態のＴｉＣｒシード層を非磁性基体とＲｕ下地層との間に設けていない場合には、Ｒｕ下地層では結晶配向がランダムとなり、十分な垂直配向が得られないことがわかった。

比較例２では、図４に示すように、Ｒｕ下地層の垂直配向性を調べた結果、垂直配向を示す六方細密充填（ｈｃｐ）構造の（０００２）のピークの以外に、（１０−１０）、（１０−１１）のピークが比較例１と同様に観察された。これにより、結晶状態のＴｉＣｒシード層を非磁性基体とＲｕ下地層との間に設けた場合には、十分な垂直配向が得られないことがわかった。

・媒体特性について
実施例１では、抗磁力Ｈｃが３５００Ｏｅ、角型比Ｒｓが７０％であり、比較例２に比べて磁気特性が大きく向上し、垂直配向度合いが高まっていることがわかった。また、実施例３では、ＳＮＲは２０ｄＢであり、比較例２に比して記録再生特性を向上できることがわかった。

実施例２では、抗磁力Ｈｃが４０００Ｏｅ、角型比Ｒｓが８０％となり、実施例１に比べて磁気特性が更に向上し、垂直配向度合いが高まっていることがわかった。また、実施例２では、ＳＮＲは２１ｄＢであり、実施例１に比べて１ｄＢ高い値となり、記録再生特性を向上できることがわかった。これらの特性向上は、実施例２では、ＴｉＣｒシード層中の酸素含容量が１０原子％まで低減されているためと考えられる。

実施例３では、抗磁力Ｈｃが４３００Ｏｅ、角型比Ｒｓが８２％となり、実施例２に比べて磁気特性が更に向上し、垂直配向度合いが高まっていることがわかった。また、実施例３では、ＳＮＲは２２ｄＢであり、実施例２に比べて１ｄＢ高い値となり、記録再生特性を向上できることがわかた。これらの特性向上は、ＴｉＣシード層中のＴｉの含有量を４０原子％に増加させているためと考えられる。

実施例４では、抗磁力Ｈｃが４５００Ｏｅ、角型比Ｒｓが８５％となり、実施例３に比べて磁気特性が更に向上していることがわかった。また、実施例４では、ＳＮＲは２３ｄＢであり、５０Ｇｂ／ｉｎ²の記録密度を実現するのに十分なＳＮＲが得られていることがわかった。これらの特性向上は、Ｔｉの含有量を５０原子％に増加させているためと考えられる。

実施例５では、抗磁力Ｈｃは４５００Ｏｅ、角型比Ｒｓは８５％であり、実施例３と同等の磁気特性が得られることがわかった。これに対して、実施例５では、ＳＮＲは２５ｄＢであり、実施例４を更に上回るＳＮＲが実現されていることがわかった。これは、磁気記録層の組成比の変更により飽和磁化量Ｍｓが好ましい範囲内で更に小さくなり、カラム粒子間の交換相互作用が低下し、低ノイズ化に至ったためと考えられる。

比較例１では、抗磁力Ｈｃは２５００Ｏｅ、角型比Ｒｓは３０％であり、十分な垂直配向が得られていないことがわかった。また、比較例１では、ＳＮＲは２０未満であることがわかった。これらの特性低下は、比較例１では非磁性基体とＲｕ下地層との間にＴｉＣｒシード層を設けていないためであると考えられる。

比較例２では、抗磁力Ｈｃは２８００Ｏｅ、角型比Ｒｓは４０％であり、比較例１に比べて改善は見られたが、十分な垂直配向が得られていないことがわかった。また、比較例２では、ＳＮＲは２０未満であることがわかった。これらの特性低下は、比較例２ではＴｉＣｒシード層が結晶状態であるためと考えられる。

比較例３では、抗磁力Ｈｃは３０００Ｏｅ、角型比Ｒｓは５０％であり、実施例１に比べて磁気特性が低下し、特に垂直配向度合いが低下していることがわかった。また、比較例３では、ＳＮＲは２０未満であることがわかった。これらの特性低下は、比較例３では酸素含有量が１５原子％を超えて増加しているためと考えられる。

比較例４では、抗磁力Ｈｃは３５００Ｏｅ、角型比Ｒｓは６０％であり、実施例２に比べて磁気特性が低下し、特に垂直配向度合いが低下していることがわかった。これらの特性低下は、ＴｉＣｒシード層中のＴｉ含有量を３０原子％未満に減少させているためであると考えられる。

以上により、磁気特性および記録再生特性を向上するためには、アモルファス状態を有するシード層を非磁性基体と下地層との間に設け、シード層に含まれるＴｉおよびＣｒの総量に対するＴｉの割合を３０原子％以上１００原子％未満の範囲内とし、シード層に含まれるＴｉ、ＣｒおよびＯの総量に対するＯの割合を１５原子％以下とすることが好ましい。
また、磁気特性および記録再生特性を向上するためには、アモルファス状態を有するシード層を非磁性基体と下地層との間に設け、シード層に含まれるＴｉおよびＣｒの総量に対するＴｉの割合を３０原子％以上１００原子％未満の範囲内とし、シード層に含まれる不純物酸素の割合をほぼ０原子％もしくは機器分析（オージェ電子分光法）による検出限界以下にすることが好ましい。

＜ii．軟磁性裏打ち層（ＳＵＬ）を持った磁気テープについての検討＞
（実施例６〜９）
（第１のＴｉＣｒシード層の成膜工程）
まず、以下の成膜条件にて、非磁性基体としての高分子フィルム上に第１のＴｉＣｒシード層を５ｎｍ成膜した。
スパッタリング方式：ＤＣマグネトロンスパッタリング方式
ターゲット：Ｔｉ₅₀Ｃｒ₅₀ターゲット
到達真空度：５×１０^-5Ｐａ
ガス種：Ａｒ
ガス圧：０．５Ｐａ

（ＳＵＬの成膜工程）
次に、以下の成膜条件にて、第１のＴｉＣｒシード層上に単層構造のＳＵＬとしてＣｏＺｒＮｂ層を、表２に示すように４０ｎｍ〜１２０ｎｍの範囲で成膜した。
スパッタリング方式：ＤＣマグネトロンスパッタリング方式
ターゲット：ＣｏＺｒＮｂターゲット
ガス種：Ａｒ
ガス圧：０．１Ｐａ

（第２のＴｉＣｒシード層の成膜工程）
次に、以下の成膜条件にて、ＣｏＺｒＮｂ層上に第２のＴｉＣｒシード層を２．５ｎｍ成膜した。
スパッタリング方式：ＤＣマグネトロンスパッタリング方式
ターゲット：Ｔｉ₅₀Ｃｒ₅₀ターゲット
到達真空度：５×１０^-5Ｐａ
ガス種：Ａｒ
ガス圧：０．５Ｐａ

（ＮｉＷシード層の成膜工程）
次に、以下の成膜条件にて、第２のＴｉＣｒシード層上にＮｉＷシード層を１０ｎｍ成膜した。
スパッタリング方式：ＤＣマグネトロンスパッタリング方式
ターゲット：ＮｉＷターゲット
到達真空度：５×１０^-5Ｐａ
ガス種：Ａｒ
ガス圧：０．５Ｐａ

（第１のＲｕ下地層の成膜工程）
次に、以下の成膜条件にて、ＮｉＷシード層上に第１のＲｕ下地層を１０ｎｍ成膜した。
スパッタリング方式：ＤＣマグネトロンスパッタリング方式
ターゲット：Ｒｕターゲット
ガス種：Ａｒ
ガス圧：０．５Ｐａ

（第２のＲｕ下地層の成膜工程）
次に、以下の成膜条件にて、第１のＲｕ下地層上に第２のＲｕ下地層を２０ｎｍ成膜した。
スパッタリング方式：ＤＣマグネトロンスパッタリング方式
ターゲット：Ｒｕターゲット
ガス種：Ａｒ
ガス圧：１．５Ｐａ

（磁気記録層の成膜工程）
次に、以下の成膜条件にて、第２のＲｕ下地層上に（ＣｏＣｒＰｔ）−（ＳｉＯ₂）磁気記録層を２０ｎｍ成膜した。
スパッタリング方式：ＤＣマグネトロンスパッタリング方式
ターゲット：（Ｃｏ₇₀Ｃｒ₁₅Ｐｔ₁₀）₉₀−（ＳｉＯ₂）₁₀ターゲット
ガス種：Ａｒ
ガス圧：１．５Ｐａ

（保護層の成膜工程）
次に、以下の成膜条件にて、（ＣｏＣｒＰｔ）−（ＳｉＯ₂）磁気記録層上にカーボンからなる保護層を５ｎｍ成膜した。
スパッタリング方式：ＤＣマグネトロンスパッタリング方式
ターゲット：カーボンターゲット
ガス種：Ａｒ
ガス圧：１．０Ｐａ

（トップコート層の成膜工程）
次に、潤滑剤を保護層上に塗布し、保護層上にトップコート層を成膜した。
以上により、垂直磁気記録媒体である磁気テープを得た。

（実施例１０〜１４）
単層構造のＳＵＬに代えて、ＡＰＣ−ＳＵＬを成膜する以外は、実施例６と同様にして磁気テープを得た。以下に、ＡＰＣ−ＳＵＬを構成する各層の成膜工程について説明する。

（第１の軟磁性層）
まず、以下の成膜条件にて、ＴｉＣｒシード層上に第１の軟磁性層としてＣｏＺｒＮｂ層を２０ｎｍ成膜した。
スパッタリング方式：ＤＣマグネトロンスパッタリング方式
ターゲット：ＣｏＺｒＮｂターゲット
ガス種：Ａｒ
ガス圧：０．１Ｐａ

（Ｒｕ中間層）
次に、以下の成膜条件にて、ＣｏＺｒＮｂ層上にＲｕ中間層を、表２に示すように０．８ｎｍ〜１．１ｎｍの範囲で成膜した。
スパッタリング方式：ＤＣマグネトロンスパッタリング方式
ターゲット：Ｒｕターゲット
ガス種：Ａｒ
ガス圧：０．３Ｐａ

（第２の軟磁性層）
次に、以下の成膜条件にて、Ｒｕ中間層上に第２の軟磁性層としてＣｏＺｒＮｂ層を２０ｎｍ成膜した。
スパッタリング方式：ＤＣマグネトロンスパッタリング方式
ターゲット：ＣｏＺｒＮｂターゲット
ガス種：Ａｒ
ガス圧：０．１Ｐａ

（実施例１５〜１９）
以下の成膜条件にて、磁気記録層と保護層との間にＣＡＰ層としてのＣｏＰｔＣｒＢ層を、表２に示すように３ｎｍ〜１３ｎｍの範囲で成膜する以外は、実施例１０と同様にして磁気テープを得た。
スパッタリング方式：ＤＣマグネトロンスパッタリング方式
ターゲット：ＣｏＰｔＣｒＢターゲット
ガス種：Ａｒ
ガス圧：１．５Ｐａ

（実施例２０）
第１のＲｕ下地層の成膜を省略する以外は、実施例６と同様にして磁気テープを得た。

（実施例２１）
ＳＵＬの膜厚を３０ｎｍに変更する以外は、実施例６と同様にして磁気テープを得た。

（比較例５）
第１のＴｉＣｒシード層および第１のＲｕ下地層の成膜を省略する以外は、実施例６と同様にして磁気テープを得た。

（特性評価）
上述のようにして得られた実施例５〜２１および比較例５の磁気テープについて、上記（ａ）〜（ｅ）の評価を行うとともに、以下の評価（ｇ）を行った。

（ｇ）記録再生特性
以下のようにして記録再生特性を評価した。まず、Single Pole型の記録ヘッドとトンネル磁気抵抗効果（Tunnel Magnetoresistive：ＴＭＲ）型の再生ヘッドを用い、ピエゾステージによりこのヘッドを往復振動させることにより記録再生を行う、所謂、ドラッグテスタにて測定を行った。１００Ｇｂ／ｉｎ²を超える高記録密度記録領域では、垂直磁気記録媒体であっても主に記録の問題で、十分な記録再生特性を実現することが難しく、垂直方向に急峻な磁界を発生できる単磁極（Single Pole Type：ＳＰＴ）ヘッドと軟磁性裏打ち層（ＳＵＬ）を有する２層垂直記録媒体の組み合わせが必要である。また、巨大磁気抵抗ヘッドに比べて磁気抵抗変化率が大きく再生感度の高いトンネル磁気抵抗効果（Tunnel Magnetoresistive：ＴＭＲ）型の再生ヘッドも必要と思われる。そのような理由から、ここでは、ＳＰＴ記録ヘッドとＴＭＲ再生ヘッドによる評価を実施した。ここで、再生ヘッドのリードトラック幅は７５ｎｍとした。次に、記録波長を３００ｋＦＣＩ（kilo Flux Changes per Inch）とし、ＳＮＲを、再生波形のピーク・トゥ・ピーク電圧と、ノズスペクトラムを０ｋＦＣＩ〜６００ｋＦＣＩの帯域で積分した値から求めた電圧との比により計算して求めた。次に、下記の基準に基づき、求めたＳＮＲを３段階で評価し、その結果を表３に示した。なお、表３中の「×」印、「○」印、「◎」印は、下記の基準に対応している。
×：ＳＮＲが２０ｄＢ未満である
○：ＳＮＲが２０ｄＢ以上２３ｄＢ未満である
◎：ＳＮＢが２３ｄＢ以上である
一般に、記録再生システムを成立させるのに最低必要となるＳＮＲは、波形等化やエラー補正を処理した後のＳＮＲ（所謂ディジタルＳＮＲ）において、１６ｄＢ程度といわれている。ディジタルＳＮＲは本測定方法（上記記録再生特性の評価に用いた測定方法）によるＳＮＲに対して４ｄＢほど低くなるので、１６ｄＢのディジタルＳＮＲを確保するためには、本測定方法によるＳＮＲは２０ｄＢほど必要となる。したがって、本測定方法によるＳＮＲは最低２０ｄＢ必要と判断している。更に、磁気テープと磁気ヘッドの摺動にて発生する出力低下や、磁気テープの変形などの実用上の特性低下を考慮した場合、更にＳＮＲマージンを設定することが望ましい。このマージンを考慮すると、ＳＮＲは２３ｄＢ以上であることが好ましいと考えられる。
なお、本実施例の磁気テープでは、線記録密度が６００ｋＢＰＩ（Bit Per Inch）であり、トラックピットを再生ヘッドのトラック幅の２倍として、トラック密度が１６９ｋＴＰＩ（Tracks Per Inch）であると考えると、６００ｋＢＰＩ×１６９ｋＴＰＩ＝１０１Ｇｂ／ｉｎ²の面記録密度を実現できることになる。

（評価結果）
表２、表３は、実施例５〜２１、比較例５の磁気テープの構成および評価（ａ）〜（ｅ）、（ｇ）の結果を示す。

実施例５〜２１、比較例５の磁気テープの評価結果から以下のことがわかった。
実施例６〜９では、４０ｎｍ以上のＣｏＺｒＮｂ層（ＳＵＬ）を第１、第２のＴｉＣｒシード層間に形成しているので、ＳＮＲが２０ｄＢ以上の良好な記録再生特性が得られた。

実施例１０〜１４では、２層のＣｏＺｒＮｂ層間に０．８ｎｍ以上１．４ｎｍ以下の薄いＲｕ層を設けた積層膜（ＡＰＣ−ＳＵＬ）を第１、第２のＴｉＣｒシード層間に形成しているので、ＳＮＲが２０ｄＢ以上の良好な記録再生特性が得られた。Ｒｕ層の膜厚が０．９ｎｍ以上１．３ｎｍ以下であるときに、実施例６に比べて良好な記録再生特性が得られ、Ｒｕ層の膜厚が１．１ｎｍ程度であるときに、特に良好な記録再生特性が得られた。

実施例１５〜１９では、磁気記録層と保護層との間に、ＣＡＰ層としてＣｏＰｔＣｒＢ層を形成しているので、実施例６に比して良好な信号特性が得られた。ＣｏＰｔＣｒＢ層の膜厚が４ｎｍ以上１２ｎｍ以下であるときに、特に良好な記録再生特性が得られた。

実施例５では、ＣｏＺｒＮｂ層（ＳＵＬ）および第１のＲｕ下地層を形成していないため、ＳＮＲが２０ｄＢ以上未満となった。

実施例２０では、第１のＲｕ下地層を形成していないため、ＳＮＲが２０ｄＢ以上未満となった。

実施例２１では、ＣｏＺｒＮｂ層（ＳＵＬ）を第１、第２のＴｉＣｒシード層間に形成しているが、その膜厚が４０ｎｍ未満であるため、ＳＮＲが２０ｄＢ以上未満となった。

比較例５では、第１のＴｉＣｒシード層および第１のＲｕ下地層を形成していないため、第２のＲｕ下地層の配向性が悪く、ＳＮＲが２０ｄＢ以上未満となった。

なお、上記評価（ｇ）では、ＳＰＴ記録ヘッドおよびＴＭＲ再生ヘッドを用いて記録再生特性を評価したため、実施例５に係る磁気テープではＳＮＲが２０ｄＢ未満となっている。しかし、リング型記録ヘッドおよびＧＭＲ再生ヘッドを用いて記録再生特性を評価した場合には、実施例５に係る磁気テープでもＳＮＲが２０ｄＢ以上の良好な記録再生特性が得られることは、上記評価（ｆ）の結果にて示した通りである。また、実施例２０、２１でも、上記評価（ｆ）におけるように、リング型記録ヘッドおよびＧＭＲ再生ヘッドを用いて記録再生特性を評価した場合には、２０ｄＢ以上の良好な記録再生特性が得られる。

以上により、１００Ｇｂ／ｉｎ²の面記録密度を有する磁気テープにおいて、良好な記録再生特性を実現するためには、第１、第２の下地層間に軟磁性裏打ち層（ＳＵＬ）を設けることが好ましく、その膜厚は４０ｎｍ以上であることが好ましい。
更なる記録再生特性の向上を実現する観点からすると、多層構造の軟磁性裏打ち層（ＡＰＣ−ＳＵＬ）を用いることが好ましく、その磁性裏打ち層に含まれる中間層の厚さは、例えば０．８ｎｍ以上１．４ｎｍ以下、好ましくは０．９ｎｍ以上１．３ｎｍ以下、より好ましくは１．１ｎｍ程度である。
更なる記録再生特性の向上を実現する観点からすると、磁気記録層と保護層との間にＣＡＰ層を設けることが好ましく、その膜厚は４ｎｍ以上１２ｎｍ以下であることが好ましい。

以上、本技術の実施形態について具体的に説明したが、本技術は、上述の実施形態に限定されるものではなく、本技術の技術的思想に基づく各種の変形が可能である。

例えば、上述の実施形態において挙げた構成、方法、工程、形状、材料および数値などはあくまでも例に過ぎず、必要に応じてこれと異なる構成、方法、工程、形状、材料および数値などを用いてもよい。

また、上述の実施形態の構成、方法、工程、形状、材料および数値などは、本技術の主旨を逸脱しない限り、互いに組み合わせることが可能である。

また、本開示において用いた「含む（または含んでいる）」（comprising）という用語は、より制限的な用語および句である「本質的に成る」（consisting essentially of）および「成る」（consisting of）を含んでいる。

また、本技術は以下の構成を採用することもできる。
（１）
基体と、シード層と、下地層と、記録層とを備え、
上記シード層は、上記基体と上記下地層との間に設けられ、
上記シード層は、アモルファス状態を有し、Ｔｉ、ＣｒおよびＯを含む合金を含み、
上記シード層に含まれるＴｉおよびＣｒの総量に対するＴｉの割合は、３０原子％以上１００原子％未満であり、
上記シード層に含まれるＴｉ、ＣｒおよびＯの総量に対するＯの割合は、１５原子％以下である磁気記録媒体。
（２）
上記シード層により上記基体の表面の凹凸が緩和されている（１）に記載の磁気記録媒体。
（３）
上記下地層は、Ｒｕを含んでいる（１）または（２）のいずれかに記載の磁気記録媒体。
（４）
上記下地層は、第１の下地層と第２の下地層とを備え、
上記第１の下地層が上記記録層の側に設けられ、Ｒｕを含んでいる（１）から（３）のいずれかに記載の磁気記録媒体。
（５）
上記記録層は、Ｃｏ、ＰｔおよびＣｒを含む粒子が酸化物で分離されたグラニュラ構造を有する（１）から（４）のいずれかに記載の磁気記録媒体。
（６）
上記記録層は、以下の式（１）に示す平均組成を有している（５）に記載の磁気記録媒体。
（Ｃｏ_xＰｔ_yＣｒ_100-x-y）_100-z−（ＳｉＯ₂）_z ・・・（１）
（但し、式（１）中において、ｘ、ｙ、ｚはそれぞれ、６９≦ｘ≦７２、１２≦ｙ≦１６、９≦ｚ≦１２の範囲内の値である。）
（７）
上記シード層と上記下地層との間に設けられた別のシード層をさらに備える（１）から（６）のいずれかに記載の磁気記録媒体。
（８）
上記シード層と上記下地層との間に設けられた軟磁性層をさらに備える（１）から（７）のいずれかに記載の磁気記録媒体。
（９）
上記軟磁性層の膜厚は、４０ｎｍ以上１４０ｎｍ以下である（８）に記載の磁気記録媒体。
（１０）
上記軟磁性層は、第１の軟磁性層と、中間層と、第２の軟磁性層とを備え、
上記中間層は、上記第１の軟磁性層と上記第２の軟磁性層との間に設けられている（８）または（９）に記載の磁気記録媒体。
（１１）
上記軟磁性層と上記下地層との間に別のシード層をさらに備える（８）から（１０）のいずれかに記載の磁気記録媒体。
（１２）
上記記録層上に設けられた、Ｃｏ、ＣｒおよびＰｔを含む層をさらに備える（１）から（１１）のいずれかに記載の磁気記録媒体。
（１３）
上記シード層、上記下地層および上記記録層は、Ｒｏｌｌ ｔｏ Ｒｏｌｌ法により連続成膜されている（１）から（１２）のいずれかに記載の磁気記録媒体。
（１４）
基体と、シード層と、下地層と、記録層とを備え、
上記シード層は、上記基体と上記下地層との間に設けられ、
上記シード層は、アモルファス状態を有し、ＴｉおよびＣｒを含む合金を含み、
上記シード層に含まれるＴｉおよびＣｒの総量に対するＴｉの割合は、３０原子％以上１００原子％未満である磁気記録媒体。
（１５）
基体と、アモルファス状態を有し、ＴｉおよびＣｒを含む層と、下地層と、記録層とを備え、
上記ＴｉおよびＣｒを含む層は、上記基体と上記下地層との間に設けられ、
上記ＴｉおよびＣｒを含む層におけるＴｉおよびＣｒの総量に対するＴｉの割合は、３０原子％以上１００原子％未満である磁気記録媒体。
（１６）
基体の表面に、シード層、下地層および記録層をＲｏｌｌ ｔｏ Ｒｏｌｌ法により連続成膜する工程を備え、
上記シード層は、アモルファス状態を有し、Ｔｉ、ＣｒおよびＯを含む合金を含み、
上記シード層に含まれるＴｉおよびＣｒの総量に対するＴｉの割合は、３０原子％以上１００原子％未満であり、
上記シード層に含まれるＴｉ、ＣｒおよびＯの総量に対するＯの割合は、１５原子％以下である磁気記録媒体の製造方法。
（１７）
基体を回転体の周面に沿わせて搬送しながら、該基体の表面に複数の薄膜を積層する工程を備え、
上記複数の薄膜のうちの少なくとも２層は、連続成膜される磁気記録媒体の製造方法。
（１８）
上記回転体の温度が、好ましくは１０℃以下であり、
上記回転体の周面のうち上記基体が接触する領域の角度範囲が、２２０°以上であり、
上記基体の幅１ｍｍ長さ当たりの張力が、４ｇ／ｍｍ以上であり、
上記複数の薄膜のダイナミックレートのうち最大のものが、７０ｎｍ・ｍ／ｍｉｎ以下である（１７）に記載の磁気記録媒体の製造方法。
（１９）
上記複数の薄膜は、シード層、下地層および記録層を含んでいる（１７）または（１８）に記載の磁気記録媒体の製造方法。
（２０）
上記複数の薄膜は、軟磁性層をさらに含んでいる（１９）に記載の磁気記録媒体の製造方法。
（２１）
基体の表面に、アモルファス状態を有し、ＴｉおよびＣｒを含む層、下地層および記録層をＲｏｌｌ ｔｏ Ｒｏｌｌ法により連続成膜する工程を備え、
上記ＴｉおよびＣｒを含む層は、上記基体と上記下地層との間に設けられ、
上記ＴｉおよびＣｒを含む層におけるＴｉおよびＣｒの総量に対するＴｉの割合は、３０原子％以上１００原子％未満である磁気記録媒体の製造方法。

１１ 基体
１２、１７ シード層
１３、１８ 下地層
１４ 磁気記録層
１５ 保護膜
１６ トップコート層
２１ 成膜室
２２ ドラム
２３ａ、２３ｂ、２３ｃ カソード
２４ 供給リール
２５ 巻き取りリール
３１ ＳＵＬ
３２ ＣＡＰ層
３３ ＡＰＣ−ＳＵＬ
３３ａ、３３ｃ 軟磁性層
３３ｂ 中間層

Claims (26)

1. 長尺状の基体と、シード層と、下地層と、垂直記録層とを備え、
   上記シード層は、上記基体と上記下地層との間に設けられ、
   上記シード層は、アモルファス状態を有し、Ｔｉ、ＣｒおよびＯを含む合金を含み、
   上記シード層に含まれるＴｉおよびＣｒの総量に対するＴｉの割合は、３０原子％以上１００原子％未満であり、
   上記シード層に含まれるＴｉ、ＣｒおよびＯの総量に対するＯの割合は、１５原子％以下である磁気記録媒体。
2. 上記シード層により上記基体の表面の凹凸が緩和されている請求項１に記載の磁気記録媒体。
3. 上記シード層は、上記基体に隣接して設けられている請求項１または２に記載の磁気記録媒体。
4. 上記シード層に含まれるＴｉおよびＣｒの総量に対するＴｉの割合は、４０原子％以上１００原子％未満である請求項１から３のいずれかに記載の磁気記録媒体。
5. 上記シード層に含まれるＴｉおよびＣｒの総量に対するＴｉの割合は、５０原子％以上１００原子％未満である請求項１から３のいずれかに記載の磁気記録媒体。
6. 上記垂直記録層がＣｏ系合金を含み、
   上記下地層は、六方細密充填構造を有する材料を含み、上記六方細密充填構造のｃ軸が垂直方向に配向している請求項１から５のいずれかに記載の磁気記録媒体。
7. 上記下地層は、Ｒｕを含んでいる請求項１から６のいずれかに記載の磁気記録媒体。
8. 上記下地層は、第１の下地層と第２の下地層とを備え、
   上記第１の下地層が上記垂直記録層の側に設けられ、Ｒｕを含んでいる請求項１から６のいずれかに記載の磁気記録媒体。
9. 上記垂直記録層は、Ｃｏ、ＰｔおよびＣｒを含む粒子が酸化物で分離されたグラニュラ構造を有する請求項１から８のいずれかに記載の磁気記録媒体。
10. 上記垂直記録層は、以下の式（１）に示す平均組成を有している請求項９に記載の磁気記録媒体。
    （Ｃｏ_xＰｔ_yＣｒ_100-x-y）_100-z−（ＳｉＯ₂）_z ・・・（１）
    （但し、式（１）中において、ｘ、ｙ、ｚはそれぞれ、６９≦ｘ≦７２、１２≦ｙ≦１６、９≦ｚ≦１２の範囲内の値である。）
11. 上記シード層と上記下地層との間に設けられた別のシード層をさらに備える請求項１から１０のいずれかに記載の磁気記録媒体。
12. 上記シード層と上記下地層との間に設けられた軟磁性層をさらに備える請求項１から１０のいずれかに記載の磁気記録媒体。
13. 上記軟磁性層の膜厚は、４０ｎｍ以上１４０ｎｍ以下である請求項１２に記載の磁気記録媒体。
14. 上記軟磁性層は、第１の軟磁性層と、中間層と、第２の軟磁性層とを備え、
    上記中間層は、上記第１の軟磁性層と上記第２の軟磁性層との間に設けられている請求項１２または１３に記載の磁気記録媒体。
15. 上記軟磁性層と上記下地層との間に別のシード層をさらに備える請求項１２から１４のいずれかに記載の磁気記録媒体。
16. 上記別のシード層が、アモルファス状態を有し、ＴｉおよびＣｒを含む合金を含む請求項１５に記載の磁気記録媒体。
17. 上記垂直記録層上に設けられた、Ｃｏ、ＣｒおよびＰｔを含む層をさらに備える請求項１から１６のいずれかに記載の磁気記録媒体。
18. 上記シード層、上記下地層および上記垂直記録層は、Ｒｏｌｌ ｔｏ Ｒｏｌｌ法により連続成膜されている請求項１から１０のいずれかに記載の磁気記録媒体。
19. リング型の記録ヘッドと巨大磁気抵抗効果型の再生ヘッドを用いる記録再生装置に用いられる請求項１から１１のいずれかに記載の磁気記録媒体。
20. 単磁極型の記録ヘッドとトンネル磁気抵抗効果型の再生ヘッドを用いる記録再生装置に用いられる請求項１２から１６のいずれかに記載の磁気記録媒体。
21. 長尺状の基体と、シード層と、下地層と、垂直記録層とを備え、
    上記シード層は、上記基体と上記下地層との間に設けられ、
    上記シード層は、アモルファス状態を有し、ＴｉおよびＣｒを含む合金を含み、
    上記シード層に含まれるＴｉおよびＣｒの総量に対するＴｉの割合は、３０原子％以上１００原子％未満である磁気記録媒体。
22. 長尺状の基体と、アモルファス状態を有し、ＴｉおよびＣｒを含む層と、下地層と、垂直記録層とを備え、
    上記ＴｉおよびＣｒを含む層は、上記基体と上記下地層との間に設けられ、
    上記ＴｉおよびＣｒを含む層におけるＴｉおよびＣｒの総量に対するＴｉの割合は、３０原子％以上１００原子％未満である磁気記録媒体。
23. 長尺状の基体の表面に、シード層、下地層および垂直記録層をＲｏｌｌ ｔｏ Ｒｏｌｌ法により連続成膜する工程を備え、
    上記シード層は、アモルファス状態を有し、Ｔｉ、ＣｒおよびＯを含む合金を含み、
    上記シード層に含まれるＴｉおよびＣｒの総量に対するＴｉの割合は、３０原子％以上１００原子％未満であり、
    上記シード層に含まれるＴｉ、ＣｒおよびＯの総量に対するＯの割合は、１５原子％以下である磁気記録媒体の製造方法。
24. 上記シード層、上記下地層および上記垂直記録層は、上記基体を回転体の周面に沿わせて搬送しながら連続成膜される請求項２３に記載の磁気記録媒体の製造方法。
25. 上記回転体の温度が、１０℃以下であり、
    上記回転体の周面のうち上記基体が接触する領域の角度範囲が、２２０°以上であり、
    上記基体の幅１ｍｍ長さ当たりの張力が、４ｇ／ｍｍ以上であり、
    上記シード層、上記下地層および上記垂直記録層のダイナミックレートのうち最大のものが、７０ｎｍ・ｍ／ｍｉｎ以下である請求項２４に記載の磁気記録媒体の製造方法。
26. 上記連続成膜の工程では、上記基体の表面に、軟磁性層をさらにＲｏｌｌ ｔｏ Ｒｏｌｌ法により連続成膜する請求項２３から２５のいずれかに記載の磁気記録媒体の製造方法。