JP5569111B2 - 磁気記録媒体およびその製造方法 - Google Patents

Description

この発明は、磁気記録媒体およびその製造方法に関する。詳しくは、摩擦上昇を抑制できる磁気記録媒体に関する。

従来、磁気記録媒体としては、磁性粉末や結合剤を有機溶媒とともに分散した磁性塗料を、非磁性支持体上に塗布乾燥することで磁性層が形成される塗布型の磁気記録媒体が知られている。このような塗布型の磁気記録媒体は、バックアップ用データカートリッジなどのコンピュータ用記録媒体として利用されており、現在における磁気記録媒体の主流である。

近年、磁気記録媒体では、記録密度を向上することが望まれている。この記録密度向上の技術としては、記録トラック幅の縮小化、線記録密度のアップ、および記録波長の短波長化などが挙げられる。

このように、磁気記録媒体の記録密度を向上させる技術が、下記の特許文献１および２に記載されている。

特開２００４−２２０７５４号公報 特開２００４−３４８８４４号公報

しかしながら、高記録密度化が進むほど信号エラーが発生しやすくなる。例えば、リニア方式の磁気記録システムでは、固定ヘッドを用いるために、磁気テープのリールからの巻き出し、巻き取り速度が速く、全トラックを記録するためにはトラック数を記録再生ヘッドで除した回数だけシャトルが必要となる。すなわち、シャトル回数が多いだけ巻き出し／巻き取りの数が多い。

巻き出し／巻き取りの際には、磁気記録面と磁気ヘッドとが高速摺動するため、磁気テープ表面の平滑性が向上し、かつ塗膜に含まれる潤滑剤が減少して潤滑性が劣化してしまう。これにより、磁気ヘッドと磁気テープとの間に摩擦が生じるため、磁気ヘッドが磁気テープに貼り付き、テープ走行が不能になる状態に陥る確率が増加してしまう。

このような信号エラーの発生を抑制するために有効な技術の１つとして、磁気記録媒体の磁気記録面における摩擦の低減化が挙げられる。

したがって、この発明の目的は、磁気ヘッドなどの読み取り手段と磁気記録媒体との高速摺動により、潤滑性が劣化した場合にも、磁気記録面の摩擦係数の上昇を抑制することができる磁気記録媒体およびその製造方法を提供することにある。

上述の課題を解決するために、第１の発明は、
両主面を有する非磁性支持体と、
非磁性支持体の一主面上に形成された、非磁性粉末、導電性粒子、および結合剤を含有する非磁性層と、
非磁性層上に形成された、磁性粉末、導電性粒子、および結合剤を含有する磁性層と
を備え、
非磁性層および磁性層は、ウェット・オン・ドライ方式により作製され、
磁性層に含まれる導電性粒子のうち導電点に寄与する導電性粒子の粒径が、磁性層の平均厚さの３倍以上５倍以下の範囲内である磁気記録媒体である。

また、第２の発明は、
両主面を有する非磁性支持体と、
非磁性支持体の一主面上に形成された、非磁性粉末、導電性粒子、および結合剤を含有する非磁性層と、
非磁性層上に形成された、磁性粉末、導電性粒子、および結合剤を含有する磁性層と
を備え、
非磁性層および磁性層は、ウェット・オン・ウェット方式により作製され、
磁性層に含まれる導電性粒子のうち導電点に寄与する導電性粒子の粒径が、磁性層の平均厚さの１．３倍以上３倍以下の範囲内である磁気記録媒体である。

また、第３の発明は、
非磁性支持体上に非磁性層形成用塗料を塗布し乾燥させることにより、非磁性層を形成する工程と、
非磁性層上に磁性層形成用塗料を塗布し乾燥させることにより、磁性層を形成する工程と
を備え、
磁性層の導電性粒子のうち導電点に寄与する導電性粒子の粒径が、磁性層の平均厚さの３倍以上５倍以下の範囲内である磁気記録媒体の製造方法である。

また、第４の発明は、
非磁性層形成用塗料、磁性層形成用塗料を非磁性支持体上に順次塗布する工程と、
非磁性層上に塗布された非磁性層形成用塗料、磁性層形成用塗料を乾燥し、非磁性支持体上に非磁性層、磁性層を形成する工程と
を備え、
磁性層の導電性粒子のうち導電点に寄与する導電性粒子の粒径が、磁性層の平均厚さの１．３倍以上３倍以下の範囲内である磁気記録媒体の製造方法である。

また、第５の発明は、
両主面を有する非磁性支持体と、
非磁性支持体の一主面上に形成された、非磁性粉末、導電性粒子、および結合剤を含有する非磁性層と、
非磁性層上に形成された、磁性粉末、導電性粒子、および結合剤を含有する磁性層と
を備え、
非磁性層および磁性層は、ウェット・オン・ドライ方式により作製され、
磁性層に含まれる導電性粒子のうち導電点に寄与する導電性粒子の粒径が、磁性層の平均厚さの３倍以上５倍以下であり、
磁性層の一主面上に露出する導電性粒子が１００μｍ²あたり１４個以上である磁気記録媒体である。

また、第６の発明は、
両主面を有する非磁性支持体と、
非磁性支持体の一主面上に形成された、非磁性粉末、導電性粒子、および結合剤を含有する非磁性層と、
非磁性層上に形成された、磁性粉末、導電性粒子、および結合剤を含有する磁性層と
を備え、
非磁性層および磁性層は、ウェット・オン・ウェット方式により作製され、
磁性層に含まれる導電性粒子のうち導電点に寄与する導電性粒子の粒径が、磁性層の平均厚さの１．３倍以上３倍以下であり、
磁性層の一主面上に露出する導電性粒子が１００μｍ²あたり１５個以上である磁気記録媒体である。

また、第７の発明は、
非磁性支持体上に非磁性層形成用塗料を塗布し乾燥させることにより、非磁性層を形成する工程と、
非磁性層上に磁性層形成用塗料を塗布し乾燥させることにより、磁性層を形成する工程と
を備え、
磁性層の導電性粒子のうち導電点に寄与する導電性粒子の粒径が、磁性層の平均厚さの３倍以上５倍以下であり、
磁性層の一主面上に露出する導電性粒子が１００μｍ²あたり１４個以上である磁気記録媒体の製造方法である。

また、第８の発明は、
非磁性層形成用塗料、磁性層形成用塗料を非磁性支持体上に順次塗布する工程と、
非磁性層上に塗布された非磁性層形成用塗料、磁性層形成用塗料を乾燥し、非磁性支持体上に非磁性層、磁性層を形成する工程と
を備え、
磁性層の導電性粒子のうち導電点に寄与する導電性粒子の粒径が、磁性層の平均厚さの１．３倍以上３倍以下であり、
磁性層の一主面上に露出する導電性粒子が１００μｍ²あたり１５個以上である磁気記録媒体の製造方法である。

上述したように、第１および第３の発明では、非磁性支持体上に非磁性層形成用塗料を塗布し乾燥させることにより、非磁性層を形成し、非磁性層上に磁性層形成用塗料を塗布し乾燥させることにより、磁性層を形成するようにされ、磁性層の導電性粒子の導電点粒径が、磁性層の平均厚さの３倍以上５倍以下の範囲内であるようにしているため、磁気ヘッドなどの読み取り手段と磁気記録媒体の高速摺動による磁気記録面の摩擦上昇を抑制できる。

また、第２および第４の発明では、非磁性層形成用塗料、磁性層形成用塗料を非磁性支持体上に順次塗布し、非磁性層上に塗布された非磁性層形成用塗料、磁性層形成用塗料を乾燥し、非磁性支持体上に非磁性層、磁性層を形成するようにされ、磁性層の導電性粒子の導電点粒径が、磁性層の平均厚さの１．３倍以上３倍以下の範囲内であるようにしているため、磁気ヘッドなどの読み取り手段と磁気記録媒体の高速摺動による磁気記録面の摩擦上昇を抑制できる。

また、第５および第７の発明では、非磁性支持体上に非磁性層形成用塗料を塗布し乾燥させることにより、非磁性層を形成し、非磁性層上に磁性層形成用塗料を塗布し乾燥させることにより、磁性層を形成するようにされ、磁性層の導電性粒子の導電点粒径が、磁性層の平均厚さの５倍以下であり、磁性層の一主面上に露出する導電性粒子が１００μｍ²あたり１４個以上であるようにしているため、磁気ヘッドなどの読み取り手段と磁気記録媒体の高速摺動による磁気記録面の摩擦上昇を抑制できる。

また、第６および第８の発明では、非磁性層形成用塗料、磁性層形成用塗料を非磁性支持体上に順次塗布し、非磁性層上に塗布された非磁性層形成用塗料、磁性層形成用塗料を乾燥し、非磁性支持体上に非磁性層、磁性層を形成するようにされ、磁性層の導電性粒子の導電点粒径が、磁性層の平均厚さの３倍以下であり、磁性層の一主面上に露出する導電性粒子が１００μｍ²あたり１５個以上であるようにしているため、磁気ヘッドなどの読み取り手段と磁気記録媒体の高速摺動による磁気記録面の摩擦上昇を抑制できる。

この発明は、非磁性支持体上に、非磁性層および磁性層をウェット・オン・ドライ方式により形成し、磁性層の導電性粒子の導電点粒径が、磁性層の平均厚さの３倍以上５倍以下の範囲内であり、磁性層の一主面上に露出する導電性粒子が１００μｍ²あたり１４個以上であるようにしているため、磁気記録媒体の磁気記録面における摩擦の上昇を抑制することができるという効果がある。

また、この発明は、非磁性支持体上に、非磁性層および磁性層をウェット・オン・ウェット方式により形成し、磁性層の導電性粒子の導電点粒径が、磁性層の平均厚さの１．３倍以上３倍以下の範囲内であり、磁性層の一主面上に露出する導電性粒子が１００μｍ²あたり１５個以上であるようにしているため、磁気記録媒体の磁気記録面における摩擦の上昇を抑制することができるという効果がある。

図１は、この発明の一実施形態による磁気記録媒体の一例の概略断面図を示す。 図２は、ウェット・オン・ドライ方式およびウェット・オン・ウェット方式により形成された磁気記録媒体の構成を示す概略断面図である。 図３は、球状シリカの粒径分布を示す略線図である。 図４Ａは、導電性粒子としてカーボンブラックを用いてウェット・オン・ドライ方式により形成された磁気記録媒体の構成を示す概略断面図である。図４Ｂは、導電性粒子としてカーボンブラックを用いてウェット・オン・ウェット方式により形成された磁気記録媒体の構成を示す概略断面図である。 図５Ａは、導電性粒子としてハイブリッドカーボンを用いてウェット・オン・ドライ方式により形成された磁気記録媒体の構成を示す概略断面図である。図５Ｂは、導電性粒子としてハイブリッドカーボンを用いてウェット・オン・ウェット方式により形成された磁気記録媒体の構成を示す概略断面図である。 図６は、ウェット・オン・ドライ塗布方式を用いた磁気記録媒体の製造工程の流れの一例を示すフローチャートである。 図７は、カーボンブラックの粒径分布を示す略線図である。 図８は、実施例１および実施例２における磁性層表面の導電点を示す略線図である。 図９は、実施例１および実施例２におけるカーボン粒子分布と平均導電点密度との関係を示す略線図である。 図１０は、導電点個数と摩擦との関係について説明するための略線図である。 図１１は、実施例９−１〜実施例９−４および比較例７−１における導電点個数と再生出力との関係を説明するための略線図である。 図１２は、実施例１０における最小導電点粒径とエラーレートとの関係について説明するための略線図である。 図１３は、実施例１１における最小導電点粒径とエラーレートとの関係について説明するための略線図である。 図１４は、比較例８における最小導電点粒径とエラーレートとの関係について説明するための略線図である。 図１５は、比較例９における最小導電点粒径とエラーレートとの関係について説明するための略線図である。 図１６は、実施例１２における最小導電点粒径とエラーレートとの関係について説明するための略線図である。 図１７は、実施例１３における最小導電点粒径とエラーレートとの関係について説明するための略線図である。 図１８は、比較例１０における最小導電点粒径とエラーレートとの関係について説明するための略線図である。 図１９Ａは、実施例１４−１〜実施例１４−３におけるシリカ体積割合と摩擦との関係について説明するための略線図である。図１９Ｂは、実施例１５−１〜実施例１５−３におけるシリカ体積割合と摩擦との関係について説明するための略線図である。 図２０Ａは、実施例１６−１〜実施例１６−２および比較例１１−１〜比較例１１−３におけるシリカ粒径と摩擦との関係について説明するための略線図である。図２０Ｂは、実施例１７−１〜実施例１７−２および比較例１２−１〜比較例１２−３におけるシリカ粒径と摩擦との関係について説明するための略線図である。 図２１Ａは、実施例１４−１〜実施例１４−３におけるシリカ体積割合とエラーレートとの関係について説明するための略線図である。図２１Ｂは、実施例１５−１〜実施例１５−３におけるシリカ体積割合とエラーレートとの関係について説明するための略線図である。 図２２Ａは、実施例１６−１〜実施例１６−２および比較例１１−１〜比較例１１−３におけるシリカ粒径とエラーレートとの関係について説明するための略線図である。図２２Ｂは、実施例１７−１〜実施例１７−２および比較例１２−１〜比較例１２−３におけるシリカ粒径とエラーレートとの関係について説明するための略線図である。

［磁気記録媒体の構成］
この発明の一実施形態について図面を参照しながら説明する。図１に本発明の磁気記録媒体の一例の概略断面図を示す。磁気記録媒体は、長尺状の非磁性支持体１と、長尺状の非磁性支持体１の一主面上に形成された非磁性層２と、非磁性層２上に形成された磁性層３とを備える。磁気記録媒体が、必要に応じて、長尺状の非磁性支持体１の他主面上に形成されたバックコート層４をさらに備えるようにしてもよい。非磁性層２と磁性層３との界面は、塗布方式の違いにより異なったものとなる。この発明の一実施形態に係る磁気記録媒体は、リニア方式を適用した記録再生システムに用いて好適なものである。

図２Ａは、ウェット・オン・ドライ方式（塗布・乾燥工程）により形成された磁気記録媒体の構成を示す概略断面図である。図２Ｂは、ウェット・オン・ウェット方式（湿潤重層塗布方式）により形成された磁気記録媒体の構成を示す概略断面図である。図２Ａに示すように、ウェット・オン・ドライ方式により形成された非磁性層２と磁性層３との界面は明瞭である。これに対して、ウェット・オン・ウェット方式により形成された非磁性層２と磁性層３との界面は、図２Ｂに示すように不明瞭である。

（非磁性支持体）
非磁性支持体１について説明する。非磁性支持体１の材料としては、例えば、ポリエチレンテレフタレートなどのポリエステル類、ポリエチレン、ポリプロピレンなどのポリオレフィン類、セルローストリアセテート、セルロースダイアセテート、セルロースブチレートなどのセルロース誘導体、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデンなどのビニル系樹脂、ポリカーボネート、ポリイミド、ポリアミドイミドなどのプラスチック、アルミニウム合金、チタン合金などの軽金属、アルミナガラスなどのセラミックなどが挙げられる。さらには、機械的強度を高めるために、酸化アルミ膜などのＡｌまたはＣｕの酸化物を含む薄膜を、ビニル系樹脂などを含む非磁性支持体１の主面のうち少なくとも一方に成膜したものもある。成膜法としては、例えば、蒸着法、化学気相成長法、スパッタリング法などを用いることができる。

（磁性層）
次に、磁性層３について説明する。磁性層３は、磁性粉末、結合剤および導電性粒子３ａを主成分とするものとし、その他潤滑剤、研磨剤、防錆剤などの添加剤を混合し、有機溶剤を用いて混練、分散させ、調製した磁性塗料を塗布することにより形成されるものである。

磁性層３の平均厚さが、５０ｎｍ以上７５ｎｍ以下であることが好ましく、より好ましくは５０ｎｍ以上７０ｎｍ以下、さらに好ましくは５０ｎｍ以上６５ｎｍ以下である。磁性層３の平均厚さが５０ｎｍ以上にすると、一定の厚みの磁性層３を形成することができる。一方、磁性層３の平均厚さを７５ｎｍ以下にすると、記録密度を向上することができる。

（磁性粉末）
磁性粉末は、適用するＶＴＲフォーマット、データドライブフォーマットの記録再生特性に好適な磁気特性（保磁力、磁化量）を有するものを選択する。例えば、Ｆｅ系、およびＦｅ−Ｃｏ系の金属粉末、バリウムフェライト、炭化鉄、酸化鉄などが挙げられる。なお、副元素として、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｂａ、Ｓｒ、Ｚｎ、Ｔｉ、Ｍｏ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｎａ、Ｋ、Ｌｉ、Ａｌ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｇａ、Ｙ、Ｎｄ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｚｒなどの金属化合物が共存していても良い。

（結合剤）
本発明の磁気記録媒体の磁性層３を構成する結合剤としては、ポリウレタン系樹脂や、塩化ビニル系樹脂などに架橋反応を付与した構造の樹脂が好ましい。しかしながら結合剤はこれらに限定することなく、目的とする磁気記録媒体に対して要求される物性などに応じて、その他、従来公知の他の樹脂を適宜配合してもよい。配合する樹脂としては、通常、塗布型の磁気記録媒体に用いられる樹脂であれば、特に限定されない。

例えば、塩化ビニル、酢酸ビニル、塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体、塩化ビニル−塩化ビニリデン共重合体、塩化ビニル−アクリロニトリル共重合体、アクリル酸エステル−アクリロニトリル共重合体、アクリル酸エステル−塩化ビニル−塩化ビニリデン共重合体、塩化ビニル−アクリロニトリル共重合体、アクリル酸エステル−アクリロニトリル共重合体、アクリル酸エステル−塩化ビニリデン共重合体、メタクリル酸エステル−塩化ビニリデン共重合体、メタクリル酸エステル−塩化ビニル共重合体、メタクリル酸エステル−エチレン共重合体、ポリ弗化ビニル、塩化ビニリデン−アルリロニトリル共重合体、アクリロニトリル−ブタジエン共重合体、ポリアミド樹脂、ポリビニルブチラール、セルロース誘導体（セルロースアセテートブチレート、セルロースダイアセテート、セルローストリアセテート、セルロースプロピオネート、ニトロセルロース）、スチレンブタジエン共重合体、ポリエステル樹脂、アミノ樹脂、合成ゴムなどが挙げられる。

また、熱硬化性樹脂、または反応型樹脂の例としては、フェノール樹脂、エポキシ樹脂、尿素樹脂、メラミン樹脂、アルキッド樹脂、シリコーン樹脂、ポリアミン樹脂、尿素ホルムアルデヒド樹脂などが挙げられる。

また、上述した各結合剤には、磁性粉末の分散性を向上させる目的で、−ＳＯ₃Ｍ、−ＯＳＯ₃Ｍ、−ＣＯＯＭ、Ｐ＝Ｏ（ＯＭ）₂などの極性官能基が導入されていてもよい。ここで、式中Ｍは、水素原子、あるいはリチウム、カリウム、ナトリウムなどのアルカリ金属である。

更に、極性官能基としては、−ＮＲ１Ｒ２、−ＮＲ１Ｒ２Ｒ３＋Ｘ−の末端基を有する側鎖型のもの、＞ＮＲ１Ｒ２＋Ｘ−の主鎖型のものが挙げられる。ここで、式中Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３は、水素原子、あるいは炭化水素基であり、Ｘ−は弗素、塩素、臭素、ヨウ素などのハロゲン元素イオンあるいは無機・有機イオンである。また、極性官能基としては、−ＯＨ、−ＳＨ、−ＣＮ、エポキシ基なども挙げられる。

（導電性粒子）
導電性粒子３ａとしては、炭素を主成分とする微粒子、例えば、カーボンブラックを用いることができる。カーボンブラックとしては、例えば、旭カーボン社の旭＃１５、＃１５ＨＳなどを用いることができる。

ここで、磁性層３に対して非磁性のカーボンブラックを多量に入れると再生出力が低下してしまう。また、粒径（直径）の大きいカーボンブラックを使用した場合には、粒子が磁気記録媒体表面の突起になり、磁気ヘッドと磁気記録媒体との間隙（以下、スペーシングと適宜称する）となり、再生出力と再生分解能が劣化してしまう。そのため、この発明の一実施形態では、粒径が磁性層３の厚さに対して所定の大きさである導電性粒子３ａを入れ、磁気ヘッドと磁気記録媒体との間が適切なスペーシングとなるようにしている。

ウェット・オン・ドライ方式により磁気記録媒体を作製する場合には、導電性粒子３ａの導電点粒径（直径）が磁性層３の平均厚さの３倍以上５倍以下の範囲内であることが好ましい。３倍未満であると、導電性粒子３ａにより導電点を形成することが困難となる傾向がある。一方、５倍を超えると、メディア表面から突出してスペーシングとなる傾向がある。

また、ウェット・オン・ドライ方式により磁気記録媒体を作製する場合には、導電性粒子３ａの最小導電点粒径（直径）が磁性層３の平均厚さの３倍以上５倍以下の範囲内であることが好ましい。３倍未満であると、導電性粒子３ａにより導電点を形成することが困難となる傾向がある。一方、５倍を超えると、磁気ヘッドと磁気記録媒体との間のスペーシングが大きくなりすぎるため、再生出力の低下、およびエラーレートの悪化などの記録再生特性の低下を招く傾向がある。ウェット・オン・ドライ方式により磁気記録媒体を作製する場合には、導電性粒子３ａの粒径は、好ましくは１５０ｎｍ以上３７５ｎｍ以下、より好ましくは１５０ｎｍ以上２５０ｎｍ以下、さらに好ましくは１５０ｎｍ以上２００ｎｍ以下であり、磁性層３の平均厚さは、好ましくは５０ｎｍ以上７５ｎｍ以下、より好ましくは５０ｎｍ以上７０ｎｍ以下、さらに好ましくは５０ｎｍ以上６５ｎｍ以下である。

また、ウェット・オン・ドライ方式により磁気記録媒体を作製する場合には、磁性層３の一主面上に露出する導電性粒子３ａが、好ましくは１００μｍ²あたり１４個以上、より好ましくは１００μｍ²あたり１４個以上７０個以下である。１４個以上であると、走行回数の増加に伴う摩擦の上昇を抑制できるとともに、摩擦を低減することができる。７０個以下であると、再生出力の低下を抑制することができる。

ウェット・オン・ウェット方式により磁気記録媒体を作製する場合には、導電性粒子３ａの導電点粒径（直径）が磁性層３の平均厚さの１．３倍以上３倍以下の範囲内であることが好ましい。１．３倍未満であると、導電性粒子３ａにより導電点を形成することが困難となる傾向がある。一方、３倍を超えると、メディア表面から突出してスペーシングとなる傾向がある。

また、ウェット・オン・ウェット方式により磁気記録媒体を作製する場合には、導電性粒子３ａの最小導電点粒径（直径）が磁性層３の平均厚さの１．３倍以上３倍以下の範囲内であることが好ましい。１．３倍未満であると、導電性粒子３ａにより導電点を形成することが困難となる傾向がある。一方、３倍を超えると、磁気ヘッドと磁気記録媒体との間のスペーシングが大きくなりすぎるため、再生出力の低下、およびエラーレートの悪化などの記録再生特性の低下を招く傾向がある。この場合、導電性粒子３ａの粒径は、好ましくは６５ｎｍ以上２２５ｎｍ以下、より好ましくは６５ｎｍ以上１６５ｎｍ以下、さらに好ましくは６５ｎｍ以上１１５ｎｍ以下である。

また、ウェット・オン・ウェット方式により磁気記録媒体を作製する場合には、磁性層３の一主面上に露出する導電性粒子３ａが、好ましくは１００μｍ²あたり１５個以上、より好ましくは１００μｍ²あたり１５個以上７０個以下である。１５個以上であると、走行回数の増加に伴う摩擦の上昇を抑制できるとともに、摩擦を低減することができる。７０個以下であると、再生出力の低下を抑制することができる。

このような、従来と比較して大きい最小導電点粒径の導電性粒子３ａを磁性層３が含むことで、導電点に寄与しない導電性粒子３ａの個数を低減し、磁性層中の非磁性成分を減少できるので、再生出力を向上させることができる。

後述する図９Ａ、図９Ｂに示したように、導電性粒子３ａとしてカーボン粒子（カーボンブラック）を用いた場合には、導電点に寄与しないカーボン粒子が非常に多くなってしまう。理想的な導電性粒子３ａは、全く粒径分布がなく、ウェット・オン・ドライ方式なら３倍程度の粒径で、ウェット・オン・ウェット方式なら１．３倍程度であることが好ましい。このような条件を満たす導電性粒子３ａとして、粒子径分散の少ないシリカ粒子表面にカーボンを付着させたハイブリッドカーボンが好適である。ハイブリッドカーボンの材料となる球状シリカ粒径分布を図３に示す。この粒径分布は、具体的にはアドマテック社製アドマファイン（型番SO-E１）のものである。図３に示すように、球状シリカの粒径分布は、カーボンブラックに比べて非常に少ない。このような粒径分布を有する導電性粒子を用いることで、実効的な導電点となりうる粒子を多くすることが可能である。シリカ粒子表面に付着させる導電性粒子としては、例えば、中性のカーボンブラック、具体的には、粒径１５ｎｍ程度のカーボンブラックを用いることができる。このようなカーボンブラックとしては、例えば、旭カーボン株式会社のSUNBLACKS905などを用いていることができる。これらをシリカ表面に吸着させるのだが、この際の吸着量は、シリカ体積が１００ｎｍの場合には４０％の体積割合で均一に被着させることが好ましく、シリカ体積が２００ｎｍの場合には１８％程度の体積割合となるように吸着させることが好ましい。粒径分散の少ないハイブリッドカーボンを用いることで導電に寄与しない粒子が減り、磁性膜中の非磁性成分が減るので再生出力を向上させることができる。ここでは、シリカ粒子を用いたが、シリカ粒子の代わりにセラミック粒子、または導電性を有するＡｕ、Ａｇなどの金属粒子をそのまま導電性粒子３ａとして使うことも可能である。

（潤滑剤）
磁性層３、および非磁性層２に含有させる潤滑剤としては、例えば、炭素数１０〜２４の一塩基性脂肪酸と、炭素数２〜１２の１価〜６価アルコールのいずれかとのエステル、これらの混合エステル、またはジ脂肪酸エステル、トリ脂肪酸エステルを適宜用いることができる。潤滑剤の具体例としては、ラウリン酸、ミリスチン酸、パルミチン酸、ステアリン酸、ベヘン酸、オレイン酸、リノール酸、リノレン酸、エライジン酸、ステアリン酸ブチル、ステアリン酸ペンチル、ステアリン酸ヘプチル、ステアリン酸オクチル、ステアリン酸イソオクチル、ミリスチン酸オクチルが挙げられる。

（非磁性補強粒子）
磁性層３には、非磁性補強粒子として、酸化アルミニウム（α、β、γ）、酸化クロム、酸化珪素、ダイヤモンド、ガーネット、エメリー、窒化ホウ素、チタンカーバイト、炭化珪素、炭化チタン、酸化チタン（ルチル、アナターゼ）などを含有させてもよい。

（非磁性層）
次に、非磁性層２について説明する。非磁性層２は、非磁性粉末と結合剤を主成分とするものとし、その他導電性粒子２ａ、潤滑剤などの各種添加剤を混合し、有機溶剤を用いて混練、分散させ、調製した下層非磁性層用塗料を塗布することにより形成されるものである。

（非磁性粉末）
非磁性粉末としては、針状、球状、板状など、各種形状の微粒子を適宜使用することができる。

（結合剤）
非磁性層２を構成する結合剤としては、上述した磁性層３において適用可能なものをいずれも使用することができる。また、非磁性層２においては、樹脂にポリイソシアネートを併用して、これを架橋硬化させるようにしてもよい。ポリイソシアネートとしては、トルエンジイソシアネート、およびこれらの付加体、アルキレンジイソシアネート、およびこれらの付加体などが挙げられる。

（導電性粒子）
非磁性層２の導電性粒子２ａとしては、上述した磁性層３の導電性粒子３ａと同様に、例えば、カーボンブラックや、上述したハイブリッドカーボンを用いることができる。非磁性層２は、非磁性のため磁気記録媒体の読み出し出力には影響しないため、カーボンブラックを多量に混入させることができる。具体的には、例えば、平均粒径が３０ｎｍ程度のカーボンブラックを多量に混入させることで、比較的容易に磁気記録媒体の磁性層形成面側の電気抵抗を２×１０⁵Ω／ｃｍ²程度まで低くすることができる。なお、電気抵抗が２×１０⁵Ω／ｃｍ²を超えると、電荷がたまりやすくなり、磁気ヘッドと磁気テープとが接触した際の摩擦が上昇し、磁気ヘッドに対する磁気テープの貼り付きが発生しやすくなってしまう。ここで、電気抵抗値は、以下のようにして測定した値である。電極間の距離が２５．４ｍｍの一対の平行電極上に、磁気記録媒体の磁気記録層側を接触させ、磁気記録媒体の両端に８０ｇｆの加重を加える。そして、この状態で電極間にＤＣ１００Ｖの電圧を印可し、超絶縁抵抗計により抵抗値を測定し、得られた抵抗値を電極間の磁気記録媒体の面積で除する。

導電性粒子３ａの最小導電点粒径と磁性層３と平均厚さとの関係について、図４および図５を参照して、より詳細に説明する。図４Ａは、導電性粒子３ａとしてカーボンブラックを用いてウェット・オン・ドライ方式により形成された磁気記録媒体の構成を示す概略断面図である。図４Ｂは、導電性粒子３ａとしてカーボンブラックを用いてウェット・オン・ウェット方式により形成された磁気記録媒体の構成を示す概略断面図である。図５Ａは、導電性粒子３ａとしてハイブリッドカーボンを用いてウェット・オン・ドライ方式により形成された磁気記録媒体の構成を示す概略断面図である。図５Ｂは、導電性粒子３ａとしてハイブリッドカーボンを用いてウェット・オン・ウェット方式により形成された磁気記録媒体の構成を示す概略断面図である。

上述したように、ウェット・オン・ウェット方式により磁気記録媒体を作製する場合には、導電性粒子３ａの最小導電点粒径（直径）を、磁性層３の平均厚さの１．３倍以上とすることが好ましい。このように磁性層３の平均厚さに対して最小導電点粒径が大きい導電性粒子３ａを磁性層３に含有させる必要があるのは、以下の理由による。導電性粒子３ａが導電点を形成するためには、導電性粒子３ａが磁性層３の表面と非磁性層２との間の電気的なパスとして機能する必要がある。このためには、図４Ａおよび図５Ａに示すように、導電性粒子３ａの一部が磁性層３の表面からの突出すると共に、導電性粒子３ａの一部が磁性層３から非磁性層２に向けて突出し、この突出部が非磁性層２に含まれる導電性粒子２ａと電気的に接続する必要がある。導電性粒子３ａの最小導電点粒径（直径）が磁性層３の平均厚さの１．３倍以上であると、このような状態を導電性粒子２ａが確保することができると考えられる。

また、上述したように、ウェット・オン・ドライ方式により磁気記録媒体を作製する場合には、導電性粒子３ａの最小導電点粒径（直径）を、磁性層３の平均厚さの３倍以上とすることが好ましい。上述したウェット・オン・ウェット方式の場合に比べて、磁性層３の平均厚さに対して最小導電点粒径が大きい導電性粒子３ａを磁性層３に含有させる必要があるのは、以下の理由によるものと考えられる。図４Ａおよび図５Ａに示すように、ウェット・オン・ドライ方式により非磁性層２と磁性層３とを形成した場合には、非磁性層２には、磁性層３との界面近傍に導電性粒子２ａが疎となる領域が形成されていると考えられる。電性粒子３ａの最小導電点粒径（直径）を磁性層３の平均厚さの３倍以上にすると、上述した導電性粒子２ａが疎となる領域から導電性粒子３ａの一部を突出させ、この突出部を非磁性層２に含まれる導電性粒子２ａと電気的に接続させることができると考えられる。

［磁気記録媒体の製造方法］
次に、上述の構成を有する磁気記録媒体の製造方法の一例について説明する。まず、非磁性粉末、導電性粒子２ａおよび結着剤を溶剤に混練、分散させることにより、非磁性層形成用塗料を調製した。次に、磁性粉末、導電性粒子３ａおよび結着剤を溶剤に混練、分散させることにより、磁性層形成用塗料を調製した。磁性層形成用塗料および非磁性層形成用塗料を調製する際には、同様の溶剤、分散装置および混練装置を適用することができる。

上述の塗料調製に用いられる溶剤としては、例えば、アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、シクロヘキサノンなどのケトン系溶媒、メタノール、エタノール、プロパノールなどのアルコール系溶媒、酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸ブチル、酢酸プロピル、乳酸エチル、エチレングリコールアセテートなどのエステル系溶媒、ジエチレングリコールジメチルエーテル、２−エトキシエタノール、テトラヒドロフラン、ジオキサンなどのエーテル系溶媒、ベンゼン、トルエン、キシレンなどの芳香族炭化水素系溶媒、メチレンクロライド、エチレンクロライド、四塩化炭素、クロロホルム、クロロベンゼンなどのハロゲン化炭化水素系溶媒などが挙げられる。これらは単独で用いてもよく、適宜混合して用いてもよい。

上述の塗料調製に用いられる混練装置としては、例えば、連続二軸混練機、多段階で希釈可能な連続二軸混練機、ニーダー、加圧ニーダー、ロールニーダーなどの、従来から公知の混練装置を用いることができるが、特にこれらの装置に限定されるものではない。また、上述の塗料調製に用いられる分散装置としては、例えば、ロールミル、ボールミル、横型サンドミル、縦型サンドミル、スパイクミル、ピンミル、タワーミル、ＤＣＰ、ホモジナイザー、超音波分散機などの、従来から公知の分散装置を用いることができるが、特にこれらの装置に限定されるものではない。

次に、上述したようにして調製した磁性層形成用塗料、および非磁性層形成用塗料を、非磁性支持体１上に重層塗布し、乾燥処理を行うことにより、磁性層３、非磁性層２が非磁性支持体１上に形成される。塗料の塗布方法としては、例えば、ウェット・オン・ドライ塗布方式（塗布・乾燥工程）、およびウェット・オン・ウェット塗布方式（湿潤重層塗布方式）のいずれの方法を用いることができる。

次に、２つの方式のうちウェット・オン・ドライ方式を用いた磁気記録媒体の製造工程について、図６に示すフローチャートを参照して説明する。ウェット・オン・ドライ塗布方式では、非磁性支持体１を用意し（ステップＳ１）、非磁性層形成用塗料を非磁性支持体１の一主面上に塗布して乾燥させることにより、非磁性層２を形成する（ステップＳ２）。次に、この非磁性層２上に磁性層形成用塗料を塗布して乾燥させることにより、磁性層３を非磁性層２上に形成する（ステップＳ３）。次に、ステップＳ４でバックコート層形成用塗料を非磁性支持体１の他主面上に塗布して乾燥させることにより、バックコート層４を形成する。

次に、ステップＳ５において、非磁性層２、磁性層３、およびバックコート層４が形成された非磁性支持体１を大径コアに巻き直し、硬化処理を行う（ステップＳ６）。ステップＳ７では、非磁性層２、磁性層３、およびバックコート層４が形成された非磁性支持体１に対してカレンダー処理を行い、ステップＳ８で所定の幅に裁断する。このようにして、ステップＳ９で所定の幅に裁断されたパンケーキを得ることができる。

なお、ステップＳ４におけるバックコート層４を形成する工程は、ステップＳ７におけるカレンダー処理の後に行ってもよい。

ウェット・オン・ウェット塗布方式（湿潤重層塗布方式）では、上述したステップＳ２およびＳ３の代わりに、非磁性層形成用塗料を非磁性支持体１の一主面上に塗布して塗膜を形成し、この湿潤状態にある塗膜上に磁性層形成用塗料を重ねて塗布して塗膜を形成した後、両塗膜を乾燥させることにより、磁気記録媒体を製造することができる。

この発明の一実施形態では、上述したように、ウェット・オン・ドライ方式により磁気記録媒体を作製する場合には、磁性層３内の導電性粒子３ａの粒径が磁性層３の厚さの３倍以上５倍以下の範囲内であることが好ましい。

導電性粒子３ａの粒径が磁性層３の厚さの５倍を超える場合、磁気ヘッドと磁気記録媒体との接触面積が減ることで摩擦を抑制することができる。しかしながら、この場合には、導電性粒子３ａによる磁性層３の表面の突起が磁気記録媒体と磁気ヘッドとのスペーシングになり、再生出力が低下してしまうからである。

一方、導電性粒子３ａの粒径が磁性層３の厚さの３倍を下回る場合、スペーシングを低くして再生出力を高めることができる。しかしながら、この場合には、磁性層３内の導電性粒子３ａが磁性層３の表面に露出しなくなってしまうからである。また、非磁性層２と磁性層３との間に結合剤が析出するため、非磁性層２と磁性層３内の導電性粒子３ａとの電気的な接触を保つことができず、静電気破壊が発生してしまうからである。

また、上述したように、ウェット・オン・ウェット方式により磁気記録媒体を作製する場合には、磁性層３内の導電性粒子３ａの粒径が磁性層３の厚さの１．３倍以上３倍以下の範囲内であることが好ましい。

このように、この発明の一実施形態では、磁性層３の厚さに応じて、導電性粒子３ａの粒径を適切に選択することにより、磁性層３の表面に露出する導電性粒子３ａによる突起の高さを適切にして、磁気ヘッドと磁気記録媒体との高速摺動による、磁気記録面の摩擦の上昇を抑制することができるとともに、再生出力を高めることができる。

また、高密度記録化された磁気記録媒体を再生するためには、高感度の磁気ヘッド、例えば巨大磁気抵抗効果を用いた磁気ヘッドを採用する必要がある。一方で、このような磁気ヘッドを用いた場合、巨大磁気抵抗効果素子の静電気破壊が考えられる。

既存のリニア方式においては、上述した磁気ヘッドの貼り付きや磁気ヘッドの静電気破壊が大きな問題となる。しかしながら、この発明の一実施形態のように、磁性層３の厚さに応じて導電性粒子３ａの粒径を適切に選択することにより、非磁性層２と磁性層３内の導電性粒子３ａとの電気的な接触を保つことができる。これにより、磁気記録媒体の抵抗値を低下させることができるため、磁気記録媒体の磁気記録面と磁気ヘッドとの摩擦による帯電効果よりも放電の効果が勝り、帯電が抑制されて磁気ヘッドの静電気破壊を減少させることができる。

なお、ウェット・オン・ドライ方式を用いた場合の導電性粒子３ａの粒径が、ウェット・オン・ウェット方式を用いた場合の粒径よりも大きいのは、上述したように非磁性層２における磁性層３との界面近傍に、導電性粒子２ａが疎となる領域が形成されることにより、非磁性層２と磁性層３との電気的な接触を保つためであると推測される。

以下、実施例によりこの発明を具体的に説明するが、この発明はこれらの実施例のみに限定されるものではない。

本発明の実施例について図面を参照しながら以下の順序で説明する。
１．実施例における各物理量の測定方法
２．最小導電点粒径についての検討
３．導電点個数と摩擦との関係についての検討
４．最小導電点粒径と再生出力との関係についての検討
５．最小導電点粒径とエラーレートとの関係について検討
６．ハイブリッドカーボンを用いた場合についての検討

＜１．実施例における各物理量の測定方法＞
この実施例において、導電性粒子３ａの粒径分布および平均粒径、ならびに磁性層３の平均厚さは以下のようにして測定したものである。

（粒径分布および平均粒径）
導電性粒子３ａの粒径分布および平均粒径は以下のように求めた。まず、導電性粒子３ａとなるカーボンブラックを水溶液化し、ホモジナイザーで分散させた。次に、透過型電子顕微鏡（以下ＴＥＭ）用の試料台（通称メッシュ）にサンプルを採取した。次に、ＴＥＭにサンプルをセットし、６万倍で観察した。この際、加速電圧は２００Ｖに設定した。次に、数十枚の画像ファイルから、任意に３００個以上の粒子サイズを計測し、その計測結果から、統計処理を行い、粒径分布および平均粒径を求めた。

（非磁性層、および磁性層の平均厚さ）
非磁性層２、および磁性層３の平均厚さは、以下のようにして求めた。まず、磁気テープをその主面に対して垂直に切り出し、その断面をＴＥＭにより６万倍で撮影した。次に、撮影したＴＥＭ写真から無作為に１０点を選び出し、それらの各点において非磁性層、および磁性層の厚さを測定した。次に、これらの測定値を単純に平均（算術平均）して非磁性層２、および磁性層３の平均厚さを求めた。

＜２．最小導電点粒径についての検討＞
（実施例１）
下記配合の第一組成物をエクストルーダで混練する。その後、ディスパーを備えた攪拌タンクに、第一組成物と、下記配合の第二組成物を加えて予備混合を行った。その後、さらにサンドミル混合を行い、フィルター処理を行い、磁性層形成用塗料を作製した。

（第一組成物）
Ｆｅ−Ｃｏ系金属磁性粉末Ａ：１００重量部
（長軸長０．１μｍ、Ｃｏ／Ｆｅ＝３０ａｔｍ％、比表面積＝４７ｍ²／ｇ、飽和磁化＝１５０Ａｍ²／ｋｇ、保磁力＝１８４ｋＡ／ｍ）
塩化ビニル系樹脂Ａ（シクロヘキサノン溶液３０ｗｔ％）：５５．６重量部
（重合度３００、Ｍｎ＝１００００、極性基としてＯＳＯ₃Ｋ＝０．０７ｍｍｏｌ／ｇ、２級ＯＨ＝０．３ｍｍｏｌ／ｇを含有する。）
酸化アルミニウム粉末Ａ：５重量部
（α−Ａｌ₂Ｏ₃、平均粒径０．２μｍ）
カーボンブラック：２重量部
（東海カーボン社製、商品名：シーストＴＡ）
図７に、磁性層形成用塗料に含まれる６０μｍ²あたりのカーボンブラックの粒径分布を示す。カーボンブラックとしては、図７に示すように粒径分布を有し、平均粒径が１２０ｎｍのものを用いた。

（第二組成物）
塩化ビニル系樹脂Ａ：２７．８重量部
（樹脂溶液：樹脂分３０ｗｔ％、シクロヘキサノン７０ｗｔ％）
ｎ−ブチルステアレート：２重量部
メチルエチルケトン：１２１．３重量部
トルエン：１２１．３重量部
シクロヘキサノン：６０．７重量部

次に、下記配合の第三組成物をエクストルーダで混練する。その後、ディスパーを備えた攪拌タンクに、第三組成物と、下記配合の第四組成物を加えて予備混合を行った。その後、さらにサンドミル混合を行い、フィルター処理を行い、非磁性層形成用塗料を作製した。

（第三組成物）
針状酸化鉄粉末：１００重量部
（α−Ｆｅ₂Ｏ₃、平均長軸長０．１５μｍ）
塩化ビニル系樹脂Ａ：５５．６重量部
（樹脂溶液：樹脂分３０ｗｔ％、シクロヘキサノン７０ｗｔ％）
カーボンブラック：１０重量部
（平均粒径２０ｎｍ）

（第四組成物）
ポリウレタン系樹脂ＵＲ８２００（東洋紡績製）：１８．５重量部
ｎ−ブチルステアレート：２重量部
メチルエチルケトン：１０８．２重量部
トルエン：１０８．２重量部
シクロヘキサノン：１８．５重量部

次に、上述のようにして作製した磁性層形成用塗料、および非磁性層形成用塗料のそれぞれに、硬化剤として、ポリイソシアネート（商品名：コロネートＬ、日本ポリウレタン社製）を４重量部と、ミリスチン酸を２重量部添加した。

次に、これらの塗料を用いて、非磁性支持体１であるポリエチレンナフタレートフィルム（ＰＥＮフィルム）上に非磁性層２、および磁性層３をウェット・オン・ドライ方式により以下のようにして形成した。まず、非磁性支持体１である厚さ６．２μｍのＰＥＮフィルム上に、非磁性層形成用塗料を塗布、乾燥させることにより、ＰＥＮフィルム上に非磁性層２を形成した。次に、非磁性層２上に、磁性層形成用塗料を塗布、乾燥させることにより、非磁性層２上に磁性層３形成した。次に、非磁性層２、および磁性層３が形成されたＰＥＮフィルムに対してカレンダー処理を行い、磁性層表面を平滑化した。なお、カレンダー処理後の非磁性層２の平均厚さ１１００ｎｍ、磁性層３の平均厚さは５０ｎｍであった。

次に、バックコート層４として、磁性層３とは反対側の面に、下記の組成の塗料を膜厚０．６μｍに塗布し乾燥処理を行った。
カーボンブラック（旭社製商品名 ＃８０）：１００重量部
ポリエステルポリウレタン：１００重量部
（日本ポリウレタン社製商品名 Ｎ−２３０４）
メチルエチルケトン：５００重量部
トルエン：４００重量部
シクロヘキサノン：１００重量部

次に、上述のようにして非磁性層２、磁性層３、およびバックコート層４が形成されたＰＥＮフィルムを１／２インチ（１２．６５ｍｍ）幅に裁断し、磁気テープを得た。

（実施例２）
まず、磁性層３に含まれるカーボンブラックとして、粒径分布を有し、平均粒径５６ｎｍであるエボニックデグサ社のPrintex２５を用いる以外は、実施例１と同様にして、非磁性層形成用塗料、および磁性層形成用塗料を作製した。

次に、これらの塗料を用いて、非磁性層２、および磁性層３を非磁性支持体１上にウェット・オン・ウェット方式により以下のようにして形成した。まず、非磁性支持体１である厚さ６．２μｍのポリエチレンナフタレートフィルム（ＰＥＮフィルム）上に、非磁性層形成用塗料を塗布し、ＰＥＮフィルム上に塗膜を形成した。次に、この塗膜上に、磁性層形成用塗料を塗布し、塗膜を形成した。次に、これの塗膜を乾燥させることにより、ＰＥＮフィルム上に非磁性層２、および磁性層３を形成した。なお、カレンダー処理後において非磁性層の平均膜厚は、１１００ｎｍ、磁性層膜の平均膜厚は７０ｎｍであった。これ以降の工程は実施例１と同様にしてサンプルを得た。

（導電点密度）
まず、導電性原子間力顕微鏡（以下Ｃ−ＡＦＭ）を用いて、実施例１、２の磁気テープの磁性層３を、以下の条件にて無作為に１０箇所で観察した。その観察結果の一部を図８Ａ、および図８Ｂに示す。
走査範囲：６０×６０μｍ
走査速度：１Ｈｚ
Ｓｃａｎ Ｌｉｎｅ：２５６
ＤＣバイアス電圧：２Ｖ
使用カンチレバー：日本ＶＥＥＣＯ社製のＭＥＳＰ

次に、観察した１０箇所のＣ−ＡＦＭ像毎に、導電点密度（単位面積１００μｍ²あたりの導電点の個数）を求め、それらの１０箇所の導電点密度を単純に加算平均し、平均導電点密度を算出した。その結果、実施例１の磁気テープでは、磁性層３の平均導電点密度は２０個／１００μｍ²であった。また、実施例２の磁気テープでは、磁性層３の平均導電点密度は３５個／１００μｍ²であった。

図８Ａ、および図８Ｂに示すように、Ｃ−ＡＦＭの測定結果では、カーボンが磁性層３の表面に露出している部分が白い点として観測される。この明細書中においては、これらの点を導電点（Conduction Point）と称する。導電点は、磁気テープ表面の電荷を非磁性層２へ逃がす役割を果たし、磁気ヘッドと磁気テープの高速摺動時に摩擦帯電による磁気テープの帯電を抑制する。また、導電点は、磁気ヘッドと磁気テープとの接触面積を減らす役割を果たし、両者の間の摩擦上昇を抑制する。なお、以下の実施例においても、平均導電点密度は上述のようにして求めたものである。

（最小導電点粒径）
ウェット・オン・ドライ方式で作製した実施例１の磁気テープについて、最小導電点粒径を以下のようにして調べた。ここで、最小導電点粒径とは、磁性層３に含まれるカーボン粒子（導電性粒子３ａ）のうち、導電点に寄与する最小の導電点粒径を意味する。まず、図７のカーボン粒子分布を１００μｍ²単位面積あたりの個数に直した。その粒径分布を図９Ａに示す。次に、上述のようにして求めた平均導電点密度に基づき、導電点に寄与するカーボン粒子の粒子径を求めた。その結果を図９Ａに示す。図９Ａに示すように、導電点に寄与するカーボン粒子の粒子径は、１５０ｎｍ以上であることがわかった。

実施例１では、上述したように、１００μｍ²における平均導電点密度を調べた結果、平均導電点密度：２０個／１００μｍ²という結果が得られた。図９Ａにおいて、磁性層３に含まれるカーボン粒子のうち、粒径が最も大きいカーボン粒子から所定の粒径までのカーボン粒子が、導電点に寄与していると仮定する。このように仮定すると、粒径が最も大きいカーボン粒子から数えて累積個数が２０個となるカーボン粒子の粒径を求めれば、導電点に寄与するカーボン粒子の最小粒径を知ることができる。図９Ａでは、このようにして求めたカーボン粒子の最小粒径は１５０ｎｍ以上となる。したがって、粒径１５０ｎｍ以上のサイズのカーボン粒子が、Ｃ−ＡＦＭで観察されていることになる。最小のカーボン粒子の粒径１５０ｎｍは、磁性層３の厚さ５０ｎｍの３倍の値となっている。ウェット・オン・ドライ方式では、非磁性層２と磁性層３の界面が明瞭であるが、塗膜強度が硬く表面に結合剤の析出もあることから、磁性層厚さの３倍より大きいカーボン粒子が導電点に寄与している。

ウェット・オン・ウェット方式で作製した実施例２の磁気テープについて、カーボン粒子分布と、平均導電点密度との関係を以下のようにして調べた。まず、カーボン粒子分布を１００μｍ²単位面積あたりの個数に直した。その粒径分布を図９Ｂに示す。次に、上述のようにして求めた平均導電点密度３５個／１００μｍ²に基づき、導電点に寄与するカーボン粒子の粒子径を求めた。すなわち、磁性層３に含まれるカーボン粒子のうち、粒径が最も大きいカーボン粒子から数えて累積個数が３５個となるカーボン粒子の粒径を求めた。その結果を図９Ｂに示す。図９Ｂに示すように、導電点に寄与するカーボン粒子の粒子径は、９０ｎｍ以上であることがわかった。最小のカーボン粒子の粒径９０ｎｍは、磁性層３の厚さ７０ｎｍの１．３倍程度の値となっている。

ウェット・オン・ウェット方式の場合、非磁性層２と磁性層３との界面が明瞭ではないために、実効導電点になりうるカーボンサイズが小さくなる。したがって、塗布方式に応じて最適なカーボンブラック粒径を選択することが好ましい。なお、以下の実施例においても、最小導電点粒径は上述のようにして求めたものである。

＜３．導電点個数と摩擦との関係についての検討＞
（実施例３）
カーボンブラック量を磁性粉量１００重量部に対して１．８重量部にする以外は実施例１と同様にして、ウェット・オン・ドライ方式により、磁性層３の平均厚さ５０ｎｍ、最小導電点粒径１５０ｎｍ、導電点密度２０個／１００μｍ²の磁気テープを作製した。

（実施例４）
カーボンブラック量を磁性粉量１００重量部に対して１．６重量部にする以外は実施例１と同様にして、ウェット・オン・ドライ方式により、磁性層３の平均厚さ５０ｎｍ、最小導電点粒径２００ｎｍ、導電点密度１４個／１００μｍ²の磁気テープを作製した。

（比較例１）
カーボンブラック量を磁性粉量１００重量部に対して１．４重量部にする以外は実施例１と同様にして、ウェット・オン・ドライ方式により、磁性層３の平均厚さ５０ｎｍ、最小導電点粒径３００ｎｍ、導電点密度９個／１００μｍ²の磁気テープを作製した。

（比較例２）
カーボンブラック量を磁性粉量１００重量部に対して１．２重量部にする以外は実施例１と同様にして、ウェット・オン・ドライ方式により、磁性層３の平均厚さ５０ｎｍ、最小導電点粒径３６０ｎｍ、導電点密度２個／１００μｍ²の磁気テープを作製した。

（摩擦）
実施例３、４および比較例１、２の磁気テープを、リニアテープドライブのＬＴＯ(Linier Tape Open)Generation4のヘッドを用いて、テープスピード４ｍ／ｓｅｃで高速走行させた場合の摩擦変化について調べた。磁気テープは全て２０００回の走行を行った。その結果を図１０に示す。

図１０から、磁気テープを２００回走行させた時点付近から、導電点密度が低いテープ（比較例１、２）の摩擦の上昇度合いが大きくなるが、導電点密度が高いテープ（実施例３、４）の摩擦の上昇度合いが小さく、略一定の摩擦力を維持している。すなわち、導電点密度が高いテープ（実施例３、４）の方が、導電点密度が低いテープ（比較例１、２）よりも、走行回数の増加に伴う摩擦の上昇を抑制できる傾向にあることがわかる。また、磁気テープを２０００回走行させた時点において、導電点密度が高いテープ（実施例３、４）の方が、導電点密度が低いテープ（比較例１、２）よりも摩擦を低減できる傾向にあることがわかる。したがって、ウェット・オン・ドライ方式で作製された磁気テープにおいては、導電点密度が１４個／１００μｍ²以上のときに、走行回数の増加に伴う摩擦の上昇を抑制できるとともに、摩擦を低減できる傾向にあることがわかる。

＜４．最小導電点粒径と再生出力との関係についての検討＞
（実施例５−１）
カーボンブラック量を磁性粉量１００重量部に対して１〜２重量部に適宜変化させる以外は実施例１と同様にして、ウェット・オン・ドライ方式により、磁性層３の平均厚さが５０ｎｍ、最小導電点粒径が１００ｎｍである磁気テープを作製した。

（実施例５−２）
最小導電点粒径が１５０ｎｍである以外は実施例５−１と同様にして、ウェット・オン・ドライ方式により、磁性層３の平均厚さが５０ｎｍである磁気テープを作製した。

（実施例５−３）
最小導電点粒径が２００ｎｍである以外は実施例５−１と同様にして、ウェット・オン・ドライ方式により、磁性層３の平均厚さが５０ｎｍである磁気テープを作製した。

（実施例５−４）
最小導電点粒径が２５０ｎｍである以外は実施例５−１と同様にして、ウェット・オン・ドライ方式により、磁性層３の平均厚さが５０ｎｍである磁気テープを作製した。

（比較例３−１）
最小導電点粒径が３００ｎｍである以外は実施例５−１と同様にして、ウェット・オン・ドライ方式により、磁性層３の平均厚さが５０ｎｍである磁気テープを作製した。

（比較例３−２）
最小導電点粒径が３５０ｎｍである以外は実施例５−１と同様にして、ウェット・オン・ドライ方式により、磁性層３の平均厚さが５０ｎｍである磁気テープを作製した。

（比較例３−３）
最小導電点粒径が３６０ｎｍである以外は実施例５−１と同様にして、ウェット・オン・ドライ方式により、磁性層３の平均厚さが５０ｎｍである磁気テープを作製した。

（実施例６−１）
カーボンブラック量を磁性粉量１００重量部に対して１〜２重量部に適宜変化させる以外は実施例１と同様にして、ウェット・オン・ドライ方式により、磁性層３の平均厚さが７０ｎｍ、最小導電点粒径が１００ｎｍである磁気テープを作製した。

（実施例６−２）
最小導電点粒径が１５０ｎｍである以外は実施例６−１と同様にして、ウェット・オン・ドライ方式により、磁性層３の平均厚さが７０ｎｍである磁気テープを作製した。

（実施例６−３）
最小導電点粒径が２００ｎｍである以外は実施例６−１と同様にして、ウェット・オン・ドライ方式により、磁性層３の平均厚さが７０ｎｍである磁気テープを作製した。

（実施例６−４）
最小導電点粒径が２５０ｎｍである以外は実施例６−１と同様にして、ウェット・オン・ドライ方式により、磁性層３の平均厚さが７０ｎｍである磁気テープを作製した。

（実施例６−５）
最小導電点粒径が３００ｎｍである以外は実施例６−１と同様にして、ウェット・オン・ドライ方式により、磁性層３の平均厚さが７０ｎｍである磁気テープを作製した。

（実施例６−６）
最小導電点粒径が３５０ｎｍである以外は実施例６−１と同様にして、ウェット・オン・ドライ方式により、磁性層３の平均厚さが７０ｎｍである磁気テープを作製した。

（比較例４−１）
最小導電点粒径が３６０ｎｍである以外は実施例６−１と同様にして、ウェット・オン・ドライ方式により、磁性層３の平均厚さが７０ｎｍである磁気テープを作製した。

（実施例７−１）
カーボンブラック量を磁性粉量１００重量部に対して１〜３重量部に適宜変化させる以外は実施例２と同様にして、ウェット・オン・ウェット方式により、磁性層３の平均厚さが５０ｎｍ、最小導電カーボン粒径が９０ｎｍである磁気テープを作製した。

（実施例７−２）
最小導電点粒径が１２０ｎｍである以外は実施例７−１と同様にして、ウェット・オン・ウェット方式により、磁性層３の平均厚さが５０ｎｍである磁気テープを作製した。

（実施例７−３）
最小導電点粒径が１５０ｎｍである以外は実施例７−１と同様にして、ウェット・オン・ウェット方式により、磁性層３の平均厚さが５０ｎｍである磁気テープを作製した。

（比較例５−１）
最小導電点粒径が２１０ｎｍである以外は実施例７−１と同様にして、ウェット・オン・ウェット方式により、磁性層３の平均厚さが５０ｎｍである磁気テープを作製した。

（比較例５−２）
最小導電点粒径が２２０ｎｍである以外は実施例７−１と同様にして、ウェット・オン・ウェット方式により、磁性層３の平均厚さが５０ｎｍである磁気テープを作製した。

（比較例５−３）
最小導電点粒径が２５０ｎｍである以外は実施例７−１と同様にして、ウェット・オン・ウェット方式により、磁性層３の平均厚さが５０ｎｍである磁気テープを作製した。

（実施例８−１）
カーボンブラック量を磁性粉量１００重量部に対して１〜３重量部に適宜変化させる以外は実施例２と同様にして、ウェット・オン・ウェット方式により、磁性層３の平均厚さが７０ｎｍ、最小導電カーボン粒径が９０ｎｍである磁気テープを作製した。

（実施例８−２）
最小導電点粒径が１２０ｎｍである以外は実施例８−１と同様にして、ウェット・オン・ウェット方式により、磁性層３の平均厚さが７０ｎｍである磁気テープを作製した。

（実施例８−３）
最小導電点粒径が１５０ｎｍである以外は実施例８−１と同様にして、ウェット・オン・ウェット方式により、磁性層３の平均厚さが７０ｎｍである磁気テープを作製した。

（実施例８−４）
最小導電点粒径が２１０ｎｍである以外は実施例８−１と同様にして、ウェット・オン・ウェット方式により、磁性層３の平均厚さが７０ｎｍである磁気テープを作製した。

（比較例６−１）
最小導電点粒径が２２０ｎｍである以外は実施例８−１と同様にして、ウェット・オン・ウェット方式により、磁性層３の平均厚さが７０ｎｍである磁気テープを作製した。

（比較例６−２）
最小導電点粒径が２５０ｎｍである以外は実施例８−１と同様にして、ウェット・オン・ウェット方式により、磁性層３の平均厚さが７０ｎｍである磁気テープを作製した。

（再生出力）
上述のようにして作製した実施例５−１〜実施例８−４および比較例３−１〜比較例６−２の再生出力を以下のようにして評価した。テープ走行系は、Mountain EngineeringII社製のSmall Form Factorを用い、Hewlett Packard社製のLTO4 Urtrium 1840に搭載されている記録再生ヘッドを用いた。自社で設計した記録・再生アンプを用い、２Ｔ出力をデジタルオシロスコープで取得した。

表１は、実施例５−１〜実施例６−６および比較例３−１〜比較例４−１の磁気テープの再生出力の評価結果を示す。なお、実施例５−１〜実施例６−６および比較例３−１〜比較例４−１の磁気テープはそれぞれ、ウェット・オン・ドライ方式により作製したサンプルである。

表２は、実施例７−１〜実施例８−４および比較例５−１〜比較例６−２の磁気テープの再生出力の評価結果を示す。なお、実施例７−１〜実施例８−４および比較例５−１〜比較例６−２の磁気テープはそれぞれ、ウェット・オン・ウェット方式により作製したサンプルである。

表１から以下のことがわかる。ウェット・オン・ドライ方式により、平均厚さ５０ｎｍの磁性層３を形成した実施例５−１〜実施例５−４および比較例３−１〜比較例３−３では、最小導電点粒径が２５０ｎｍを超えると、再生出力は急激に減少することがわかる。すなわち、最小導電点粒径が磁性層３の平均厚さの５倍を超えると、再生出力は急激に減少することがわかる。また、ウェット・オン・ドライ方式により、平均厚さ７０ｎｍの磁性層３を形成した実施例６−１〜実施例６−６および比較例４−１では、最小導電点粒径が３５０ｎｍを超えると、再生出力は急激に減少することがわかる。すなわち、最小導電点粒径が磁性層３の平均厚さの５倍を超えると、再生出力は急激に減少することがわかる。

表２から以下のことがわかる。ウェット・オン・ウェット方式により、平均厚さ５０ｎｍの磁性層３を形成した実施例７−１〜実施例７−３および比較例５−１〜比較例５−３では、最小導電点粒径が１５０ｎｍを超えると、再生出力は急激に減少することがわかる。すなわち、最小導電点粒径が磁性層３の平均厚さの３倍を超えると、再生出力は急激に減少することがわかる。また、ウェット・オン・ウェット方式により、平均厚さ７０ｎｍの磁性層３を形成した実施例８−１〜実施例８−４および比較例６−１〜比較例６−２では、最小導電点粒径が２１０ｎｍを超えると、再生出力は急激に減少することがわかる。すなわち、最小導電点粒径が磁性層３の平均厚さの３倍を超えると、再生出力は急激に減少することがわかる。

上述したように、最小導電点粒径が磁性層３の平均厚さの５倍、または３倍を超えると、再生出力が急激に減少するのは、カーボン粒子の一部が磁性層表面から突出して突起を形成し、磁気ヘッドと磁気記録媒体のスペーシングとなったためであると考えられる。

以上の検討から、ウェット・オン・ドライ方式により磁気テープを作製する場合には、最小導電点粒径が磁性層３の平均厚さの５倍以下であることが好ましい。また、ウェット・オン・ウェット方式により磁気テープを作製する場合には、最小導電点粒径が磁性層３の平均厚さの３倍以下であることが好ましい。さらに、塗布方式、磁性層の厚さ、導電性粒子の粒径、および材料を選択することで、再生出力の減少を抑え高信頼性の磁気記録媒体を得ることができる。

（実施例９−１）
カーボンブラック量を磁性粉量１００重量部に対して１重量部添加し、ウェット・オン・ドライ方式により、磁性層３の平均厚さ５０ｎｍ、導電点密度１４個／１００μｍ²とする以外は実施例１と同様にして磁気テープを作製した。

（実施例９−２）
カーボンブラック量を磁性粉量１００重量部に対して２重量部添加し、ウェット・オン・ドライ方式により、磁性層３の平均厚さ５０ｎｍ、導電点密度３０個／１００μｍ²とする以外は実施例１と同様にして磁気テープを作製した。

（実施例９−３）
カーボンブラック量を磁性粉量１００重量部に対して３重量部添加し、ウェット・オン・ドライ方式により、磁性層３の平均厚さ５０ｎｍ、導電点密度５０個／１００μｍ²とする以外は実施例１と同様にして磁気テープを作製した。

（実施例９−４）
カーボンブラック量を磁性粉量１００重量部に対して５重量部添加し、ウェット・オン・ドライ方式により、磁性層３の平均厚さ５０ｎｍ、導電点密度７０個／１００μｍ²とする以外は実施例１と同様にして磁気テープを作製した。

（比較例７−１）
カーボンブラック量を磁性粉量１００重量部に対して５．５重量部添加し、ウェット・オン・ドライ方式により、磁性層３の平均厚さ５０ｎｍ、導電点密度８０個／１００μｍ²とする以外は実施例１と同様にして磁気テープを作製した。

（再生出力）
上述のようにして作製した実施例９−１〜実施例９−４および比較例７−１の再生出力を以下のようにして評価した。テープ走行系は、Mountain EngineeringII社製のSmall Form Factorを用い、Hewlett Packard社製のLTO4 Urtrium 1840に搭載されている記録再生ヘッドを用いた。自社で設計した記録・再生アンプを用い、２Ｔ出力をデジタルオシロスコープで取得した。その結果を表３および図１１に示す。

表３は、実施例９−１〜実施例９−４および比較例７−１の磁気テープの再生出力の評価結果を示す。

表３および図１１から以下のことがわかる。
カーボン投入量を増加させるに従って、導電点個数が増加する傾向がある。
カーボン投入量が１〜５重量部の範囲内では、カーボン投入量の増加に伴って、再生出力が僅かに低下する傾向を示すのに対して、カーボン投入量が５重量部を超える範囲では、再生出力が急激に低下する傾向を示す。したがって、カーボン投入量は、再生出力の低下を抑制する観点からすると、磁性粉末１００重量部に対して１〜５重量部の範囲内であることが好ましい。
導電点個数が１４〜７０個／１００μｍ²の範囲内では、導電点個数の増加に伴って、再生出力が僅かに低下する傾向を示すのに対して、導電点個数が７０個／１００μｍ²を超える範囲では、再生出力が急激に低下する傾向を示す。したがって、導電点個数は、再生出力の低下を抑制する観点からすると、７０個／１００μｍ²以下であることが好ましい。

＜５．最小導電点粒径とエラーレートとの関係について検討＞
（実施例１０）
カーボンブラック量を磁性粉量１００重量部に対して１〜２重量部に適宜変化させる以外は実施例１と同様にして、ウェット・オン・ドライ方式により、磁性層３の平均厚さ５０ｎｍ、最小導電点粒径１５０ｎｍ、導電点密度２０個／１００μｍ²の磁気テープを作製した。

（実施例１１）
カーボンブラック量を磁性粉量１００重量部に対して１〜２重量部に適宜変化させる以外は実施例１と同様にして、ウェット・オン・ドライ方式により、磁性層３の平均厚さ５０ｎｍ、最小導電点粒径２００ｎｍ、導電点密度１４個／１００μｍ²の磁気テープを作製した。

（比較例８）
カーボンブラック量を磁性粉量１００重量部に対して１〜２重量部に適宜変化させる以外は実施例１と同様にして、ウェット・オン・ドライ方式により、磁性層３の平均厚さ５０ｎｍ、最小導電点粒径３００ｎｍ、導電点密度９個／１００μｍ²の磁気テープを作製した。

（比較例９）
カーボンブラック量を磁性粉量１００重量部に対して１〜２重量部に適宜変化させる以外は実施例１と同様にして、ウェット・オン・ドライ方式により、磁性層３の平均厚さ５０ｎｍ、最小導電点粒径３６０ｎｍ、導電点密度２個／１００μｍ²の磁気テープを作製した。
（実施例１２）
カーボンブラック量を磁性粉量１００重量部に対して１〜３重量部に適宜変化させる以外は実施例２と同様にして、ウェット・オン・ウェット方式により、磁性層３の平均厚さ７０ｎｍ、最小導電点粒径９０ｎｍ、導電点密度３５個／１００μｍ²の磁気テープを作製した。

（実施例１３）
カーボンブラック量を磁性粉量１００重量部に対して１〜３重量部に適宜変化させる以外は実施例２と同様にして、ウェット・オン・ウェット方式により、磁性層３の平均厚さ７０ｎｍ、最小導電点粒径１２０ｎｍ、導電点密度１５個／１００μｍ²の磁気テープを作製した。

（比較例１０）
カーボンブラック量を磁性粉量１００重量部に対して１〜３重量部に適宜変化させる以外は実施例２と同様にして、ウェット・オン・ウェット方式により、磁性層３の平均厚さ７０ｎｍ、最小導電点粒径２２０ｎｍ、導電点密度２個／１００μｍ²の磁気テープを作製した。

（エラーレート）
上述のようにして作製した実施例３〜６、および比較例８〜１０のエラーレートを以下のようにして評価した。テープ走行系は、Mountain EngineeringII社製のSmall Form Factorを用い、Hewlett Packard社製のＬＴＯ４ドライブに搭載されている記録再生ヘッドを用いた。自社で設計した記録・再生アンプを用い、入力信号としてＭ系列のランダム信号を用いた。評価結果を図１２〜図１８に示す。

図１２Ａに示すように、実施例１０では、エラーレートが磁気テープに対する読み書きのサイクル数によらず略一定となった。実施例１０では、最小導電点粒径が１５０ｎｍのカーボン粒子が導電点に寄与している（図１２Ｂ）。この最小導電点粒径１５０ｎｍは、磁性層３の厚さの３倍の値となっている。

図１３Ａに示すように、実施例１１では、エラーレートが磁気テープに対する読み書きのサイクル数が増加するに従ってやや上昇するが、略一定となった。実施例１１では、最小導電点粒径が２００ｎｍのカーボン粒子が導電点に寄与している（図１３Ｂ）。この最小導電点粒径２００ｎｍは、磁性層３の厚さの４倍の値となっている。

図１４Ａに示すように、比較例８では、エラーレートが磁気テープに対する読み書きのサイクル数が増加するに従って上昇した。比較例８では、最小導電点粒径が３００ｎｍのカーボン粒子が導電点に寄与している（図１４Ｂ）。この最小導電点粒径３００ｎｍは、磁性層３の厚さの６倍の値となっている。

図１５Ａに示すように、比較例９では、エラーレートが磁気テープに対する読み書きのサイクル数が増加するに従って上昇した。比較例９では、最小導電点粒径が３６０ｎｍのカーボン粒子が導電点に寄与している（図１５Ｂ）。この最小導電点粒径３６０ｎｍは、磁性層３の厚さの７．２倍の値となっている。

図１２〜図１５に示す結果から、ウェット・オン・ドライ方式により作製された磁気テープにおいては、最小導電点粒径が磁性層３の厚さの３倍以上５倍以下のときに、エラーレートを低減できる傾向にあることがわかる。

また、図１６Ａに示すように、実施例１２では、エラーレートが磁気テープに対する読み書きのサイクル数によらず略一定となった。実施例１２では、最小導電点粒径が９０ｎｍのカーボン粒子が導電点に寄与している（図１６Ｂ）。この最小導電点粒径９０ｎｍは、磁性層３の厚さの約１．３倍の値となっている。

図１７Ａに示すように、実施例１３では、エラーレートが磁気テープに対する読み書きのサイクル数が増加するに従ってやや上昇するが、略一定となった。実施例１３では、最小導電点粒径が１２０ｎｍのカーボン粒子が導電点に寄与している（図１７Ｂ）。この最小導電点粒径１２０ｎｍは、磁性層３の厚さの約１．７倍の値となっている。

図１８Ａに示すように、比較例１０では、エラーレートが磁気テープに対する読み書きのサイクル数が増加するに従って上昇した。比較例１０では、最小導電点粒径が２２０ｎｍのカーボン粒子が導電点に寄与している（図１８Ｂ）。この最小導電点粒径２２０ｎｍは、磁性層３の厚さの約３．１倍の値となっている。

図１６〜図１８に示す結果から、ウェット・オン・ウェット方式により作製された磁気テープにおいては、最小導電点粒径が磁性層３の厚さの１．３倍以上３倍以下のときに、エラーレートを低減できる傾向にあることがわかる。また、ウェット・オン・ウェット方式により作製された磁気テープにおいては、導電点密度が１５個／１００μｍ²以上のときに、エラーレートを低減できる傾向にあることがわかる。

＜６．ハイブリッドカーボンを用いた場合についての検討＞
導電性粒子３ａとして、カーボンブラックの代わりに、シリカ粒子表面にカーボンを付着させたハイブリッドカーボンを用いた場合の、摩擦、再生出力およびエラーレートについて検討する。

（実施例１４−１〜実施例１４−３）
ハイブリッドカーボンの体積に対するシリカ粒子の体積の割合を示すシリカ体積割合が１８％、４０％および８０％であるハイブリッドカーボンを用意した。カーボンブラックの代わりにこのハイブリッドカーボンを用い、ハイブリッドカーボン量を磁性粉量１００重量部に対して０．２〜１．６重量部に適宜変化させる以外は実施例１と同様にして、ウェット・オン・ドライ方式により、磁性層３の平均厚さが５０ｎｍ、最小導電点粒径が２１１ｎｍ〜２４３ｎｍである磁気テープを作製した。

（実施例１５−１〜実施例１５−３）
カーボンブラックの代わりに体積割合が１８％、４０％および８０％であるハイブリッドカーボンを用い、ハイブリッドカーボン量を磁性粉量１００重量部に対して０．２〜１．６重量部に適宜変化させる以外は実施例２と同様にして、ウェット・オン・ウェット方式により、磁性層３の平均厚さが５０ｎｍ、最小導電点粒径が１０６ｎｍ〜１２２ｎｍ、シリカ体積割合が１８％〜８０％の範囲の磁気テープを作製した。

（実施例１６−１〜実施例１６−２、比較例１１−１〜比較例１１−３）
最小導電点粒径が９５ｎｍ、１１２ｎｍ、１５０ｎｍ、２５０ｎｍおよび２６０ｎｍであるハイブリッドカーボンを用意した。カーボンブラックの代わりにこのハイブリッドカーボンを用い、ハイブリッドカーボン量を磁性粉量１００重量部に対して０．２〜１．６重量部に適宜変化させる以外は実施例１と同様にして、ウェット・オン・ドライ方式により、磁性層３の平均厚さが５０ｎｍ、シリカ体積割合が４０％である磁気テープを作製した。

（実施例１７−１〜実施例１７−２、比較例１２−１〜比較例１２−３）
カーボンブラックの代わりに最小導電点粒径が５０ｎｍ、６５ｎｍ、１５０ｎｍ、１６０ｎｍおよび２４６ｎｍであるハイブリッドカーボンを用い、ハイブリッドカーボン量を磁性粉量１００重量部に対して０．２〜１．６重量部に適宜変化させる以外は実施例２と同様にして、ウェット・オン・ウェット方式により、磁性層３の平均厚さが５０ｎｍ、シリカ体積割合が４０％である磁気テープを作製した。

（摩擦）
実施例１４−１〜実施例１７−２および比較例１１−１〜比較例１２−３の磁気テープを、リニアテープドライブのＬＴＯGeneration4のヘッドを用いて、テープスピード４ｍ／ｓｅｃで高速走行させた場合の摩擦変化について調べた。磁気テープは全て１００００回の走行を行った。その結果を図１９および図２０に示す。

図１９Ａから、磁気テープを走行させるに従って、ウェット・オン・ドライ方式においてシリカ体積割合が１８％〜４０％のテープ（実施例１４−１〜実施例１４−３）の摩擦の上昇度合いが小さく、略一定の摩擦力を維持している。

図１９Ｂから、磁気テープを走行させるに従って、ウェット・オン・ウェット方式においてシリカ体積割合が１８％〜４０％のテープ（実施例１５−１〜実施例１５−３）の摩擦の上昇度合いが小さく、略一定の摩擦力を維持している。

図２０Ａから、磁気テープを走行させるに従って、最小導電点粒径が小さいテープ（比較例１１−１〜比較例１１−２）の摩擦の上昇度合いが大きくなるが、最小導電点粒径が大きいテープ（実施例１６−１〜実施例１６−２、比較例１１−３）の摩擦の上昇度合いが小さく、略一定の摩擦力を維持している。すなわち、最小導電点粒径が大きいテープ（実施例１６−１〜実施例１６−２、比較例１１−３）の方が、最小導電点粒径が小さいテープ（比較例１１−１〜比較例１１−２）よりも、走行回数の増加に伴う摩擦の上昇を抑制できる傾向にあることがわかる。また、磁気テープを１００００回走行させた時点において、最小導電点粒径が大きいテープ（実施例１６−１〜実施例１６−２、比較例１１−３）の方が、最小導電点粒径が小さいテープ（比較例１１−１〜比較例１１−２）よりも摩擦を低減できる傾向にあることがわかる。

図２０Ｂから、磁気テープを走行させるに従って、最小導電点粒径が小さいテープ（比較例１２−１）の摩擦の上昇度合いが大きくなるが、最小導電点粒径が大きいテープ（実施例１７−１〜実施例１７−２、比較例１２−２〜比較例１２−３）の摩擦の上昇度合いが小さく、略一定の摩擦力を維持している。すなわち、最小導電点粒径が大きいテープ実施例１７−１〜実施例１７−２、比較例１２−２〜比較例１２−３）の方が、最小導電点粒径が小さいテープ（比較例１２−１）よりも、走行回数の増加に伴う摩擦の上昇を抑制できる傾向にあることがわかる。また、磁気テープを１００００回走行させた時点において、最小導電点粒径が大きいテープ実施例１７−１〜実施例１７−２、比較例１２−２〜比較例１２−３）の方が、最小導電点粒径が小さいテープ（比較例１２−１）よりも摩擦を低減できる傾向にあることがわかる。

（再生出力）
上述のようにして作製した実施例１４−１〜実施例１７−２および比較例１１−１〜比較例１２−３の再生出力を以下のようにして評価した。テープ走行系は、Mountain EngineeringII社製のSmall Form Factorを用い、Hewlett Packard社製のLTO4 Urtrium 1840に搭載されている記録再生ヘッドを用いた。自社で設計した記録・再生アンプを用い、２Ｔ出力をデジタルオシロスコープで取得した。

表４は、実施例１４−１〜実施例１５−３の磁気テープの再生出力の評価結果を示す。なお、実施例１４−１〜実施例１４−３の磁気テープはそれぞれ、ウェット・オン・ドライ方式により作製したサンプルであり、実施例１５−１〜実施例１５−３の磁気テープはそれぞれ、ウェット・オン・ウェット方式により作製したサンプルである。

表５は、実施例１６−１〜実施例１７−２および比較例１１−１〜比較例１２−３の磁気テープの再生出力の評価結果を示す。なお、実施例１６−１〜実施例１６−２および比較例１１−１〜比較例１１−３の磁気テープはそれぞれ、ウェット・オン・ドライ方式により作製したサンプルであり、実施例１７−１〜実施例１７−２および比較例１２−１〜比較例１２−３の磁気テープはそれぞれ、ウェット・オン・ウェット方式により作製したサンプルである。

表４から以下のことがわかる。ウェット・オン・ドライ方式によって磁性層３を形成した実施例１４−１〜実施例１４−３では、シリカ体積割合が１８％〜８０％の場合に、適切な再生出力を得ることができる。また、ウェット・オン・ウェット方式によって磁性層３を形成した実施例１５−１〜実施例１５−３では、シリカ体積割合が１８％〜８０％の場合に、適切な再生出力を得ることができる。

表５から以下のことがわかる。ウェット・オン・ドライ方式によって磁性層３を形成した実施例１６−１〜実施例１６−２および比較例１１−１〜比較例１１−３では、最小導電点粒径が２５０ｎｍを超えると、再生出力は急激に減少することがわかる。すなわち、最小導電点粒径が磁性層３の平均厚さの５倍を超えると、再生出力は急激に減少することがわかる。また、ウェット・オン・ウェット方式によって磁性層３を形成した実施例１７−１〜実施例１７−２および比較例１２−１〜比較例１２−３では、最小導電点粒径が１５０ｎｍを超えると、再生出力は急激に減少することがわかる。すなわち、最小導電点粒径が磁性層３の平均厚さの３倍を超えると、再生出力は急激に減少することがわかる。

上述したように、最小導電点粒径が２５０ｎｍ、または１５０ｎｍ（磁性層３の平均厚さの５倍、または３倍）を超えると、再生出力が急激に減少するのは、カーボン粒子の一部が磁性層表面から突出して突起を形成し、磁気ヘッドと磁気記録媒体のスペーシングとなったためであると考えられる。

以上の検討から、ウェット・オン・ドライ方式によりハイブリッドカーボンを用いて磁気テープを作製する場合には、シリカ体積割合が８０％以下であることが好ましい。また、最小導電点粒径が２５０ｎｍ以下（磁性層３の平均厚さの５倍以下）であることが好ましい。

また、ウェット・オン・ウェット方式によりハイブリッドカーボンを用いて磁気テープを作製する場合には、シリカ体積割合が８０％以下であることが好ましい。また、最小導電点粒径が１５０ｎｍ以下（磁性層３の平均厚さの３倍以下）であることが好ましい。

さらに、塗布方式、磁性層の厚さ、導電性粒子の粒径、および材料を選択することで、再生出力の減少を抑え高信頼性の磁気記録媒体を得ることができる。

（エラーレート）
上述のようにして作製した実施例１４−１〜実施例１７−２および比較例１１−１〜比較例１２−３のエラーレートを以下のようにして評価した。テープ走行系は、Mountain EngineeringII社製のSmall Form Factorを用い、Hewlett Packard社製のＬＴＯ４ドライブに搭載されている記録再生ヘッドを用いた。自社で設計した記録・再生アンプを用い、入力信号としてＭ系列のランダム信号を用いた。評価結果を図２１および図２２に示す。

図２１Ａに示すように、実施例１４−１では、エラーレートが磁気テープに対する読み書きのサイクル数が増加するに従ってやや上昇するが、略一定となった。実施例１４−２および実施例１４−３では、エラーレートが磁気テープに対する読み書きのサイクル数によらず略一定となった。実施例１４−１〜実施例１４−３では、最小導電点粒径が２１１ｎｍ〜２４３ｎｍのハイブリッドカーボンが導電点に寄与している。この最小導電点粒径２４３ｎｍは、磁性層３の厚さの約４．９倍の値となっている。

図２１Ｂに示すように、実施例１５−１〜実施例１５−２では、エラーレートが磁気テープに対する読み書きのサイクル数が増加するに従ってやや上昇するが、略一定となった。実施例１５−３では、エラーレートが磁気テープに対する読み書きのサイクル数によらず略一定となった。実施例１５−１〜実施例１５−３では、最小導電点粒径が１０６ｎｍ〜１２２ｎｍのハイブリッドカーボンが導電点に寄与している。この最小導電点粒径１２２ｎｍは、磁性層３の厚さの約２．４倍の値となっている。

図２２Ａに示すように、実施例１６−１では、エラーレートが磁気テープに対する読み書きのサイクル数によらず略一定となった。実施例１６−１では、最小導電点粒径が１５０ｎｍのハイブリッドカーボンが導電点に寄与している。この最小導電点粒径１５０ｎｍは、磁性層３の厚さの３倍の値となっている。

実施例１６−２では、エラーレートが磁気テープに対する読み書きのサイクル数によらず略一定となった。実施例１６−２では、最小導電点粒径が２５０ｎｍのハイブリッドカーボンが導電点に寄与している。この最小導電点粒径２５０ｎｍは、磁性層３の厚さの５倍の値となっている。

比較例１１−１では、エラーレートが磁気テープに対する読み書きのサイクル数が増加するに従ってやや上昇するが、略一定となった。比較例１１−１では、最小導電点粒径が９５ｎｍのハイブリッドカーボンが導電点に寄与している。この最小導電点粒径９５ｎｍは、磁性層３の厚さの１．９倍の値となっている。

比較例１１−２では、エラーレートが磁気テープに対する読み書きのサイクル数が増加するに従ってやや上昇するが、略一定となった。比較例１１−２では、最小導電点粒径が１１２ｎｍのハイブリッドカーボンが導電点に寄与している。この最小導電点粒径１１２ｎｍは、磁性層３の厚さの約２．２倍の値となっている。

一方、比較例１１−３では、エラーレートが磁気テープに対する読み書きのサイクル数によらず略一定であるが、サイクル初期の段階で６乗台となり、ＬＴＯのスペック外となった。比較例１１−３では、最小導電点粒径が２６０ｎｍのハイブリッドカーボンが導電点に寄与している。この最小導電点粒径２６０ｎｍは、磁性層３の厚さの５．２倍の値となっている。

図２２Ｂに示すように、実施例１７−１では、エラーレートが磁気テープに対する読み書きのサイクル数によらず略一定となった。実施例１７−１では、最小導電点粒径が６５ｎｍのハイブリッドカーボンが導電点に寄与している。この最小導電点粒径６５ｎｍは、磁性層３の厚さの１．３倍の値となっている。

実施例１７−２では、エラーレートが磁気テープに対する読み書きのサイクル数によらず略一定となった。実施例１７−２では、最小導電点粒径が１５０ｎｍのハイブリッドカーボンが導電点に寄与している。この最小導電点粒径１５０ｎｍは、磁性層３の厚さの３倍の値となっている。

比較例１２−１では、エラーレートが磁気テープに対する読み書きのサイクル数が増加するに従ってやや上昇するが、略一定となった。比較例１２−１では、最小導電点粒径が５０ｎｍのハイブリッドカーボンが導電点に寄与している。この最小導電点粒径５０ｎｍは、磁性層３の厚さの１．０倍の値となっている。

一方、比較例１２−２では、エラーレートが磁気テープに対する読み書きのサイクル数によらず略一定であるが、サイクル初期の段階で６乗台となり、ＬＴＯのスペック外となった。比較例１２−２では、最小導電点粒径が１６０ｎｍのハイブリッドカーボンが導電点に寄与している。この最小導電点粒径１６０ｎｍは、磁性層３の厚さの３．２倍の値となっている。

また、比較例１２−３では、エラーレートが磁気テープに対する読み書きのサイクル数が増加するに従ってやや上昇するが、サイクル初期の段階で６乗台となり、ＬＴＯのスペック外となった。比較例１２−３では、最小導電点粒径が２４６ｎｍのハイブリッドカーボンが導電点に寄与している。この最小導電点粒径２４６ｎｍは、磁性層３の厚さの約４．９倍の値となっている。

図２１および図２２に示す結果から、ウェット・オン・ドライ方式によりハイブリッドカーボンを用いて作製された磁気テープにおいては、シリカ体積割合が８０％以下のときに、エラーレートを低減できる傾向にあることがわかる。また、最小導電点粒径が２５０ｎｍ以下（磁性層３の厚さの５倍以下）のときに、エラーレートを低減できる傾向にあることがわかる。

また、ウェット・オン・ウェット方式によりハイブリッドカーボンを用いて作製された磁気テープにおいては、シリカ体積割合が８０％以下のときに、エラーレートを低減できる傾向にあることがわかる。また、最小導電点粒径が１５０ｎｍ以下（磁性層３の厚さの３倍以下）のときに、エラーレートを低減できる傾向にあることがわかる。

以上、この発明の一実施形態について具体的に説明したが、この発明は、上述の一実施形態に限定されるものではなく、この発明の技術的思想に基づく各種の変形が可能である。

例えば、上述の一実施形態において挙げた構成、方法、形状、材料および数値などはあくまでも例に過ぎず、必要に応じてこれと異なる構成、方法、形状、材料および数値などを用いてもよい。

また、上述の実施形態の各構成は、この発明の主旨を逸脱しない限り、互いに組み合わせることが可能である。

１ 非磁性支持体
２ 非磁性層
２ａ 導電性粒子
３ 磁性層
３ａ 導電性粒子

Claims (16)

1. 両主面を有する非磁性支持体と、
   上記非磁性支持体の一主面上に形成された、非磁性粉末、導電性粒子、および結合剤を含有する非磁性層と、
   上記非磁性層上に形成された、磁性粉末、導電性粒子、および結合剤を含有する磁性層と
   を備え、
   上記非磁性層および磁性層は、ウェット・オン・ドライ方式により作製され、
   上記磁性層に含まれる導電性粒子のうち導電点に寄与する導電性粒子の粒径が、上記磁性層の平均厚さの３倍以上５倍以下の範囲内である磁気記録媒体。
2. 両主面を有する非磁性支持体と、
   上記非磁性支持体の一主面上に形成された、非磁性粉末、導電性粒子、および結合剤を含有する非磁性層と、
   上記非磁性層上に形成された、磁性粉末、導電性粒子、および結合剤を含有する磁性層と
   を備え、
   上記非磁性層および磁性層は、ウェット・オン・ウェット方式により作製され、
   上記磁性層に含まれる導電性粒子のうち導電点に寄与する導電性粒子の粒径が、上記磁性層の平均厚さの１．３倍以上３倍以下の範囲内である磁気記録媒体。
3. 上記磁性層に含まれる導電性粒子のうち導電点に寄与する最小の導電性粒子の粒径が、上記磁性層の平均厚さの３倍以上５倍以下の範囲である請求項１記載の磁気記録媒体。
4. 上記磁性層に含まれる導電性粒子のうち導電点に寄与する最小の導電性粒子の粒径が、上記磁性層の平均厚さの１．３倍以上３倍以下の範囲内である請求項２記載の磁気記録媒体。
5. 導電点に寄与する上記導電性粒子の一部が、上記磁性層の表面、および上記磁性層と上記非磁性層との界面の両方から突出している請求項１または２に記載の磁気記録媒体。
6. 上記磁性層の導電性粒子は、
   非導電性粒子と、
   上記非導電性粒子の表面に被着されたカーボン粒子と
   を備える請求項１または２に記載の磁気記録媒体。
7. 上記導電性粒子は、金属粒子である請求項１または２に記載の磁気記録媒体。
8. 磁性層形成面側の表面電気抵抗が、２×１０⁵Ω／ｃｍ²以下である請求項１または２に記載の磁気記録媒体。
9. 上記非磁性支持体の表面にＡｌまたはＣｕの酸化物を含む薄膜が形成される請求項１または２に記載の磁気記録媒体。
10. リニア方式を適用した記録再生システムに用いられる請求項１または２に記載の磁気記録媒体。
11. 非磁性支持体上に非磁性層形成用塗料を塗布し乾燥させることにより、非磁性層を形成する工程と、
    上記非磁性層上に磁性層形成用塗料を塗布し乾燥させることにより、磁性層を形成する工程と
    を備え、
    上記磁性層の導電性粒子のうち導電点に寄与する導電性粒子の粒径が、上記磁性層の平均厚さの３倍以上５倍以下の範囲内である磁気記録媒体の製造方法。
12. 非磁性層形成用塗料、磁性層形成用塗料を非磁性支持体上に順次塗布する工程と、
    上記非磁性層上に塗布された非磁性層形成用塗料、磁性層形成用塗料を乾燥し、上記非磁性支持体上に非磁性層、磁性層を形成する工程と
    を備え、
    上記磁性層の導電性粒子のうち導電点に寄与する導電性粒子の粒径が、上記磁性層の平均厚さの１．３倍以上３倍以下の範囲内である磁気記録媒体の製造方法。
13. 両主面を有する非磁性支持体と、
    上記非磁性支持体の一主面上に形成された、非磁性粉末、導電性粒子、および結合剤を含有する非磁性層と、
    上記非磁性層上に形成された、磁性粉末、導電性粒子、および結合剤を含有する磁性層と
    を備え、
    上記非磁性層および磁性層は、ウェット・オン・ドライ方式により作製され、
    上記磁性層に含まれる導電性粒子のうち導電点に寄与する導電性粒子の粒径が、上記磁性層の平均厚さの３倍以上５倍以下であり、
    上記磁性層の一主面上に露出する上記導電性粒子が１００μｍ²あたり１４個以上である磁気記録媒体。
14. 両主面を有する非磁性支持体と、
    上記非磁性支持体の一主面上に形成された、非磁性粉末、導電性粒子、および結合剤を含有する非磁性層と、
    上記非磁性層上に形成された、磁性粉末、導電性粒子、および結合剤を含有する磁性層と
    を備え、
    上記非磁性層および磁性層は、ウェット・オン・ウェット方式により作製され、
    上記磁性層に含まれる導電性粒子のうち導電点に寄与する導電性粒子の粒径が、上記磁性層の平均厚さの１．３倍以上３倍以下であり、
    上記磁性層の一主面上に露出する上記導電性粒子が１００μｍ²あたり１５個以上である磁気記録媒体。
15. 非磁性支持体上に非磁性層形成用塗料を塗布し乾燥させることにより、非磁性層を形成する工程と、
    上記非磁性層上に磁性層形成用塗料を塗布し乾燥させることにより、磁性層を形成する工程と
    を備え、
    上記磁性層の導電性粒子のうち導電点に寄与する導電性粒子の粒径が、上記磁性層の平均厚さの３倍以上５倍以下であり、
    上記磁性層の一主面上に露出する上記導電性粒子が１００μｍ²あたり１４個以上である磁気記録媒体の製造方法。
16. 非磁性層形成用塗料、磁性層形成用塗料を非磁性支持体上に順次塗布する工程と、
    上記非磁性層上に塗布された非磁性層形成用塗料、磁性層形成用塗料を乾燥し、上記非磁性支持体上に非磁性層、磁性層を形成する工程と
    を備え、
    上記磁性層の導電性粒子のうち導電点に寄与する導電性粒子の粒径が、上記磁性層の平均厚さの１．３倍以上３倍以下であり、
    上記磁性層の一主面上に露出する上記導電性粒子が１００μｍ²あたり１５個以上である磁気記録媒体の製造方法。