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CN101068025B - 显示装置 - Google Patents

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CN101068025B CN2006100934435A CN200610093443A CN101068025B CN 101068025 B CN101068025 B CN 101068025B CN 2006100934435 A CN2006100934435 A CN 2006100934435A CN 200610093443 A CN200610093443 A CN 200610093443A CN 101068025 B CN101068025 B CN 101068025B
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Abstract

本发明以实现不会损伤薄膜发光元件并能在该薄膜发光元件的有机半导体膜的周围适当地形成厚的绝缘膜的显示装置为目的，显示装置包括：一个对置电极；以及多个象素，多个象素中各象素包括：象素电极；以及设置在所述象素电极和所述对置电极间的有机半导体膜，其中，除了在形成端子的区域外，所述对置电极的形成作为所述多个象素的共同之用。

Description

显示装置
本申请属分案申请，其母案的申请号为200410043407.9，该母案的申请日是1998年8月20，分案提交日是2004年4月28日、发明名称是“显示装置”。
技术领域
本发明涉及这样一种有源矩阵型显示装置，其中由薄膜晶体管(以下称为TFT)对利用驱动电流流过有机半导体膜而发光的EL(场致发光)元件或LED(发光二极管)元件等薄膜发光元件进行驱动控制。
背景技术
已提出了使用EL元件或LED元件等的电流控制型发光元件的有源矩阵型显示装置。由于该类型的显示装置中使用的发光元件都是自身发光的，故与液晶显示装置不同，不需要背照光源，并且具有视野角依存性少等的优点。
图22是使用了这样的电荷注入型的有机薄膜EL元件的有源矩阵型显示装置的框图。在该图中示出的有源矩阵型显示装置1A中，在透明基板10上构成了多条扫描线gate、在与该扫描线gate的延伸方向交叉的方向上延伸的多条数据线sig、与该数据线sig并列的多条共同供电线com和由数据线sig和扫描线gate形成为矩阵状的多个象素7。相对于数据线sig和扫描线gate，构成了数据侧驱动电路3和扫描侧驱动电路4。在各自的象素7中，构成了通过扫描线gate被供给扫描信号的导通控制电路50和基于通过该导通控制电路50从数据线sig被供给的图象信号而发光的薄膜发光元件40。在这里示出的例子中，导通控制电路50由通过扫描线gate在栅电极上接受扫描信号的第1TFT20、保持通过该第1TFT20从数据线sig被供给的图象信号的保持电容cap和在栅电极上接受由该保持电容cap保持的图象信号的第2TFT30构成。第2TFT30和薄膜发光元件40以串联方式连接在下述的对置电极op与共同供电线com之间。该薄膜发光元件40在第2TFT30成为导通状态时因驱动电流从共同供电线com流入而发光，同时该发光状态由保持电容cap而保持预定的期间。
在这样的结构的有源矩阵型显示装置1A中，如图23和图24(A)、(B)中所示，在哪一个象素7中都利用岛状的半导体膜形成了第1TFT20和第2TFT30。第1TFT20的栅电极21作为扫描线gate的一部分而构成。数据线sig通过第1层间绝缘膜51的接触孔导电性地连接到第1TFT20的源·漏区的一方上，漏电极22导电性地连接到其另一方上。漏电极22朝向第2TFT30的形成区域而延伸，第2TFT30的栅电极31通过第1层间绝缘膜51的接触孔导电性地连接到该延伸部分上。中继电极35通过第1层间绝缘膜51的接触孔导电性地连接到第2TFT30的源·漏区的一方上，薄膜发光元件40的象素电极41通过第2层间绝缘膜52的接触孔导电性地连接到该中继电极35上。
从图23和图24(A)、(B)中可知，在每个象素7中独立地形成了象素电极41.在象素电极41的上层一侧，按下述顺序层叠了有机半导体膜43和对置电极op.虽然在每个象素7中形成了有机半导体膜43，但有时也越过多个象素7将其形成为条状.对置电极op不仅在构成了象素7的显示部11中形成，而且也在透明基板10的大致整个面上形成.
再有，在图23和图24(A)中，共同供电线com通过第1层间绝缘膜51的接触孔导电性地连接到第2TFT30的源·漏区的另一方上。共同供电线com的延伸部分39相对于第2TFT30的栅电极31的延伸部分36，将第1层间绝缘膜51作为电介质膜夹住而对置，构成了保持电容cap。
但是，在上述的有源矩阵型显示装置1A中，与液晶有源矩阵型显示装置不同，由于与象素电极41对置的对置电极op在相同的透明基板10上的数据线sig之间只介入了第2层间绝缘膜52，故大的电容寄生于数据线sig上，数据侧驱动电路3的负载较大。
因此，本发明者提出了，如图22、图23和图25(A)、(B)、(C)所示，在对置电极op与数据线sig等之间设置厚的绝缘膜(堤层bank/以宽的间距附加了朝向左下方向的斜线的区域)以减少寄生于数据线sig上的电容的方案。再有，提出了，通过用该绝缘膜(堤层bank)来包围有机半导体膜43的形成区域，在由喷射头喷出的液状的材料(喷出液)形成有机半导体膜43时用堤层bank来拦住喷出液以防止喷出液向侧方溢出的方案。
但是，在采用这样的结构时，如果由厚的无机材料来形成堤层bank的整体，则存在成膜时间长的问题。此外，在对由无机材料构成的厚膜进行图形刻蚀时，存在变成过刻蚀而损伤象素电极41的担心。另一方面，如果由抗蚀剂等的有机材料来构成堤层bank，则存在下述担心：在有机半导体膜43的与堤层bank的相接的部分处，由于构成堤层bank的有机材料中包含的溶剂成分等的影响，有机半导体膜43的性能变坏。
此外，如果形成厚的堤层bank，则由于起因于堤层bank的存在而形成大的台阶差bb，故存在在该堤层bank的上层形成的对置电极op在上述的台阶差bb的部分处容易断裂的问题。如果在这样的台阶差bb处在对置电极op中产生断裂，则该部分的对置电极op与周围的对置电极op成为绝缘状态，从而发生显示的点缺陷或线缺陷。此外，如果沿覆盖数据侧驱动电路3及扫描侧驱动电路4的表面的堤层bank外周在对置电极op中引起断裂，则在显示部11的对置电极op与端子12之间成为完全的绝缘状态，完全不能进行显示。
发明内容
鉴于以上的问题，本发明的课题在于提供这样一种有源矩阵型显示装置，该显示装置不会损伤薄膜发光元件，能在该薄膜发光元件的有机半导体膜的周围适当地形成厚的绝缘膜。
此外，本发明的课题在于提供这样一种有源矩阵型显示装置，在该显示装置中，即使在有机半导体膜的周围形成厚的绝缘膜从而能抑制寄生电容，在该厚的绝缘膜的上层上形成的对置电极中也不发生断裂等。
为了解决上述课题，根据本发明的一种显示装置，包括：一个对置电极；以及多个象素，多个象素中的各象素包括：象素电极；以及设置在所述象素电极和所述对置电极间的有机半导体膜，其中，除了在形成端子的区域外，所述对置电极的形成作为所述多个象素的共同之用。
根据本发明另一种显示装置，包括：在衬底上的多条扫描线；在所述衬底上的多条数据线；在所述衬底上的多条共同供电线；在所述多条数据线和所述多条扫描线之间的交叉处对应地设置的多个象素电极，所述多个象素电极中的各象素电极经一个晶体管电连接到所述多条共同供电线中的一条共同供电线上；为所述多个象素电极共用而形成的对置电极；以及所述衬底之上的诸端子，所述端子未受所述对置电极覆盖.
根据本发明的另一种显示装置，包括：衬底；在所述衬底上形成的端子；对应于所述衬底的显示部分而设置的多个象素电极；以及在所述显示部分之上形成的对置电极，在所述多个象素电极中的各象素电极和所述对置电极之间设置有机半导体膜，而所述对置电极覆盖所述端子。
在本发明中，在下述的有源矩阵型显示装置中，在基板上具有多条扫描线、在与该扫描线的延伸方向交叉的方向上延伸的多条数据线以及由被该数据线和上述扫描线形成为矩阵状的多个象素构成的显示部，该象素的每一个具备薄膜发光元件，该薄膜发光元件具备包含通过上述扫描线在栅电极上接受扫描信号的薄膜晶体管的导通控制电路、在每个象素中形成的象素电极、在该象素电极的上层侧层叠的有机半导体膜和在该有机半导体膜的上层侧层叠的对置电极，上述薄膜发光元件基于通过上述导通控制电路从上述数据线被供给的图象信号而发光，该有源矩阵型显示装置的特征在于：由比该有机半导体膜形成得厚的绝缘膜来划分上述有机半导体膜的形成区域，该绝缘膜具备由比该有机半导体膜形成得厚的无机材料构成的第一绝缘膜和由在该第一绝缘膜上层叠的有机材料构成的第二绝缘膜。
在本发明中，由于对置电极至少在显示部的整个面上形成，处于与数据线对置的状态，故在原有状态下大的电容寄生于数据线上。而在本发明中，由于使厚的绝缘膜介入数据线与对置电极之间，故可防止电容寄生于数据线上。其结果，由于可降低数据侧驱动电路的负载，故可谋求低功耗化或显示工作的高速化。此外，在形成厚的绝缘膜时，如果用由无机材料构成的膜来构成整个该厚的绝缘膜，则由于必须有长的成膜时间，故生产率低。而在本发明中，只由无机材料构成与薄膜发光元件的有机半导体膜相接的第一绝缘膜，在其上层侧层叠由抗蚀剂等的有机材料构成的第二绝缘膜。如果是由这样的有机材料构成的第二绝缘膜，则由于能容易地形成厚膜，故生产率提高。而且，由于该第二绝缘膜不与有机半导体膜相接，与有机半导体膜相接的是由无机材料构成的第一绝缘膜，故有机半导体膜不会受到第二绝缘膜的影响而性能变坏。因此，薄膜发光元件中不引起发光效率的下降或可靠性的下降。
在本发明中，上述第二绝缘膜最好具有比上述第一绝缘膜窄的宽度并层叠在该第一绝缘膜的内侧区域上。如果作成这样的2层结构，由于由有机材料构成的第二绝缘膜难以与有机半导体膜相接，故能更可靠地防止有机半导体膜的性能变坏。
如果是这样的2层结构，也可由无机材料来构成第一绝缘膜和第二绝缘膜两者.即，在本发明的另一形态中有一种显示装置，它包括：多条数据线；多条扫描线；一个对置电极；一层间绝缘膜，用来覆盖多条数据线和多条扫描线；以对应方式设于所述多条数据线和所述多条扫描线之间的交叉处的多个象素电极，多个象素电极中每一个经所述层间绝缘膜中形成的一接触孔连接于一晶体管，该晶体管包括于导通控制电路中；以及多个有机半导体膜，其中每一个设于多个象素电极中相应的一个象素电极与其对置电极之间，并由层间绝缘膜上的一绝缘膜所划分，而绝缘膜包括第一绝缘层及淀积于第一绝缘层上的第二绝缘层，该绝缘膜由所述对置电极覆盖.该绝缘膜具备由无机材料构成的第一绝缘膜和具有比该第一绝缘膜窄的宽度并层叠在该第一绝缘膜的内侧区域上的由无机材料构成的第二绝缘膜.
在本发明的另一形态中，一种显示装置，具有多个象素；各上述多个象素包括具有通过扫描线供给扫描信号的薄膜晶体管的导通控制电路，和具有象素电极、相对电极和夹在它们之间的有机半导体膜的薄膜发光元件；上述薄膜发光元件根据从数据线通过导通控制电路供给的图象信号而发光，其特征在于：上述薄膜发光元件通过绝缘膜对上述各个象素作划分而成；该绝缘膜具备由无机材料构成的第一绝缘膜和具有比该第一绝缘膜窄的宽度并层叠在该第一绝缘膜的内侧区域上的由有机材料构成的第二绝缘膜而构成。
如果以这种方式来构成，则在形成了由应构成第一绝缘膜和第二绝缘膜的无机材料构成的膜之后，首先，对第二绝缘膜进行图形刻蚀。此时，由于第一绝缘膜起到刻蚀中止层的作用，故即使多少有些过刻蚀也不会损伤象素电极。在结束这样的图形刻蚀之后，以图形刻蚀方式形成第一绝缘膜。此时，由于只刻蚀第一绝缘膜的1层的部分，故刻蚀控制变得容易，不引起损伤象素电极那样的过刻蚀。
在本发明中，上述导通控制电路具备在栅电极上接受上述扫描信号的第1TFT和通过该第1TFT其栅电极连接到上述数据线上的第2TFT，该第2TFT和上述薄膜发光元件最好以串联方式连接在对上述数据线和扫描线来说是另外构成的驱动电流供给用的共同供电线与上述对置电极之间。即，虽然可用1个TFT和保持电容来构成导通控制电路，但如果从提高显示品位的观点来看，则最好用2个TFT和保持电容来构成各象素的导通控制电路。
在本发明中，最好将上述绝缘膜作为在利用喷射法在被该绝缘膜划分的区域内形成上述有机半导体膜时防止喷出液溢出的堤层来利用，为此，上述绝缘膜的膜厚最好在1μm以上。
在本发明中，在上述象素电极的形成区域中的与上述导通控制电路重叠的区域最好被上述绝缘膜覆盖。即，最好只在上述象素电极的形成区域中的没有形成上述导通控制电路的平坦部分中对上述厚的绝缘膜进行开口，只在其内侧形成有机半导体膜。如果以这种方式来构成，则可防止因有机半导体膜的膜厚的离散性引起的显示不匀。此外，如果在有机半导体膜中有膜厚薄的部分，则薄膜发光元件的驱动电流在该处集中，薄膜发光元件的可靠性下降，但可防止这样的问题。再有，即使形成了象素电极，即使在与导通控制电路重叠的区域中，例如驱动电流在与对置电极之间流动，有机半导体膜发光，该光也被导通控制电路遮住，对显示没有贡献。在这样的对显示没有贡献的部分中流过有机半导体膜的驱动电流从显示这方面来看可以说是无效电流。因此，在本发明中，在迄今为止应流过这样的无效电流的部分中形成上述的厚的绝缘膜，防止驱动电流在该处流动。其结果，由于可减小流过共同供电线中的电流，故如果相应地使共同供电线的宽度变窄，则作为其结果，可增加发光面积，可提高亮度、对比度等的显示性能。
在本发明中，如果对于被上述绝缘膜划分的区域使其角部变圆，则可将有机半导体膜形成为没有角的圆形的平面形状。如果是这样的形状的有机半导体膜，则由于角部的驱动电流不会集中，故可防止在该部分处的耐压不足等的不良情况的发生。
在本发明中，在将上述有机半导体膜形成为条状的情况下，将上述绝缘膜中的上述第一绝缘膜形成为覆盖上述象素电极的形成区域中的与上述导通控制电路的形成区域重叠的区域、上述数据线、上述共同供电线和上述扫描线，另一方面，上述第二绝缘膜沿上述数据线形成为条状，例如利用喷射法在被该第二绝缘膜划分为条状的区域内形成上述有机半导体膜.
在以这种方式来构成的情况下，由于导通控制电路被第一绝缘膜覆盖，故只有在各象素中的象素电极的平坦部分中被形成的有机半导体膜对发光有贡献。即，只在象素电极的平坦部分中形成了薄膜发光元件。因此，以恒定的膜厚形成有机半导体膜，不引起显示不匀。此外，由于用第一绝缘膜来防止驱动电流流过对显示没有贡献的部分，故具有可防止无用的电流流过共同供电线的效果。再有，如果以这种方式来构成，则可将上述绝缘膜中的上述第一绝缘膜与上述第二绝缘膜重叠的部分作为在利用喷射法形成上述有机半导体膜时防止喷出液溢出的堤层来利用。在作为这样的堤层来利用方面，上述第一绝缘膜与上述第二绝缘膜重叠的部分的膜厚最好在1μm以上。
此外，在本发明中，上述绝缘膜最好具备第1中断部分，该中断部分使每个象素的对置电极部分相互间通过没有起因于该绝缘膜的台阶差的平坦部分连接起来。在本发明中，如果将上述绝缘膜形成得较厚，则该绝缘膜形成大的台阶差，存在在其上层侧形成的对置电极中发生断裂的担心。而在本发明中，在厚的绝缘膜的预定位置上构成第1中断部分，使该部分变得平坦。因而，由于每个区域的对置电极通过在平坦部分中形成的部分导电性地连接，故例如即使由于因绝缘膜引起的台阶差在该部分中发生断裂，也可通过与绝缘膜的第1中断部分相当的平坦部分可靠地进行导电性连接，故不发生对置基板的断裂那样的不良情况。因此，在有源矩阵型显示装置中，由于即使在有机半导体膜的周边形成厚的绝缘膜来抑制寄生电容等，在绝缘膜的上层形成的对置电极中也不发生断裂，故可提高有源矩阵型显示装置的显示质量和可靠性。
在本发明中，在通过沿上述数据线和上述扫描线形成了上述绝缘膜来包围上述有机半导体膜的形成区域的周边的情况下，最好该绝缘膜在上述数据线的延伸方向上在与相邻的象素之间、上述扫描线的延伸方向上在与相邻的象素之间或在这两者的方向上在与相邻的象素之间相当的部分上构成上述第1中断部分。
此外，有时上述绝缘膜沿上述数据线以条状延伸，在该情况下，也可在该延伸方向的至少一个端部上构成上述第1中断部分。
在本发明中，在上述显示部的周围具有通过上述数据线供给数据信号的数据侧驱动电路和通过上述扫描线供给扫描信号的扫描侧驱动电路，在该扫描侧驱动电路和上述数据侧驱动电路的上层侧也形成了上述绝缘膜，同时该绝缘膜最好在与上述扫描侧驱动电路的形成区域和上述数据侧驱动电路的形成区域之间相当的位置上具备第2中断部分，该第2中断部分通过没有起因于该绝缘膜的台阶差的平坦部分使在上述显示部一侧的对置电极与基板外周一侧的对置电极连接起来。如果以这种方式来构成，则即使沿覆盖数据侧驱动电路及扫描侧驱动电路的表面的绝缘膜的外周在对置电极中发生断裂，显示部一侧的对置电极和基板外周一侧的对置电极也通过没有起因于该绝缘膜的台阶差的平坦部分连接起来，可确保显示部一侧的对置电极与基板外周一侧的对置电极之间的导电性连接。
在本发明中，在上述中断部分中，可以是构成上述绝缘膜的上述第一绝缘膜和上述第二绝缘膜两者发生中断的结构、或是构成上述绝缘膜的上述第一绝缘膜和上述第二绝缘膜中的只有第二绝缘膜发生中断的结构的某一种。
附图说明
图1是示意性地示出与本发明的实施形态1有关的有源矩阵型显示装置的整体布局的框图。
图2是抽出图1中示出的有源矩阵型显示装置中被构成的象素的1个而示出的平面图。
图3(A)、(B)、(C)分别是图2的A-A’剖面图、B-B’剖面图和C-C’剖面图。
图4(A)、(B)、(C)分别是与本发明的实施形态2、3有关的有源矩阵型显示装置的与图2的A-A’线、B-B’线和C-C’线相当的位置上的剖面图。
图5是抽出与本发明的实施形态4有关的有源矩阵型显示装置中被构成的象素的1个而示出的平面图。
图6(A)、(B)、(C)分别是与图5的A-A’线、B-B’线和C-C’线相当的位置上的剖面图。
图7是示意性地示出与本发明的实施形态5有关的有源矩阵型显示装置的整体布局的框图。
图8是抽出图7中示出的有源矩阵型显示装置中被构成的象素的1个而示出的平面图。
图9(A)、(B)、(C)分别是与图8的A-A’线、B-B’线和C-C’线相当的位置上的剖面图。
图10是示意性地示出与本发明的实施形态5的变形例1有关的有源矩阵型显示装置的整体布局的框图。
图11是抽出图10中示出的有源矩阵型显示装置中被构成的象素的1个而示出的平面图。
图12(A)、(B)、(C)分别是与图11的A-A’线、B-B’线和C-C’线相当的位置上的剖面图。
图13是示意性地示出与本发明的实施形态5的变形例2有关的有源矩阵型显示装置的整体布局的框图。
图14是抽出图13中示出的有源矩阵型显示装置中被构成的象素的1个而示出的平面图。
图15(A)、(B)、(C)分别是与图14的A-A’线、B-B’线和C-C’线相当的位置上的剖面图。
图16是示意性地示出与本发明的实施形态5的变形例3有关的有源矩阵型显示装置的整体布局的框图。
图17是抽出图16中示出的有源矩阵型显示装置中被构成的象素的1个而示出的平面图。
图18(A)、(B)、(C)分别是与图17的A-A’线、B-B’线和C-C’线相当的位置上的剖面图。
图19是示意性地示出与本发明的实施形态6有关的有源矩阵型显示装置的整体布局的框图。
图20是抽出图19中示出的有源矩阵型显示装置中被构成的象素的1个而示出的平面图.
图21(A)、(B)、(C)分别是与图20的A-A’线、B-B’线和C-C’线相当的位置上的剖面图。
图22是示意性地示出与现有的和本发明的比较例有关的有源矩阵型显示装置的整体布局的框图。
图23是抽出图22中示出的有源矩阵型显示装置中被构成的象素的1个而示出的平面图。
图24(A)、(B)、(C)分别是与图23的A-A’线、B-B’线和C-C’线相当的位置上的剖面图。
图25(A)、(B)、(C)分别是与比较例有关的有源矩阵型显示装置中的与图23的A-A’线、B-B’线和C-C’线相当的位置上的剖面图。
[符号的说明]
1有源矩阵型显示装置
2显示部
3数据侧驱动电路
4扫描侧驱动电路
7象素
10透明基板
12端子
20第1TFT
21第1TFT的栅电极
30第2TFT
31第2TFT的栅电极
40发光元件
41象素电极
43有机半导体
61第一绝缘膜
62第二绝缘膜
bank堤层(绝缘膜)
cap  保持电容
com  共同供电线
gate扫描线
op  对置电极
off  堤层的中断部分
sig  数据线
具体实施方式
参照附图说明本发明的实施形态。再有，在以下的说明中，对于与参照图22至图25已说明的构成要素共同的部分，附以相同的符号。
[实施形态1]
(整体结构)
图1是示意性地示出有源矩阵型显示装置的整体布局的框图，图2是抽出图1中被构成的象素的1个而示出的平面图，图3(A)、(B)、(C)分别是图2的A-A’剖面图、B-B’剖面图和C-C’剖面图。
在图1中示出的有源矩阵型显示装置1中，作为其基体的透明基板10的中央部分成为显示部11。在透明基板10的外周部分中，在数据线sig的端部构成了输出图象信号的数据侧驱动电路3，在扫描线gate的端部构成了输出扫描信号的扫描侧驱动电路4。在这些驱动电路3、4中，由N型的TFT和P型的TFT构成互补型TFT，该互补型TFT构成了移位寄存器电路、电平移动电路、模拟开关电路等。在显示部11中，与液晶有源矩阵型显示装置的有源矩阵基板相同，在透明基板10上构成了多条扫描线gate、在与该扫描线gate的延伸方向交叉的方向上延伸的多条数据线sig和由数据线sig和扫描线gate形成为矩阵状的多个象素7。
在各自的象素7中，构成了通过扫描线gate被供给扫描信号的导通控制电路50和基于通过该导通控制电路50从数据线sig被供给的图象信号而发光的薄膜发光元件40。在这里示出的例子中，导通控制电路50由通过扫描线gate在栅电极上接受扫描信号的第1TFT20、保持通过该第1TFT20从数据线sig被供给的图象信号的保持电容cap和在栅电极上接受由该保持电容cap保持的图象信号的第2TFT30构成。第2TFT30和薄膜发光元件40以串联方式连接在下述的对置电极op与共同供电线com之间。再有，关于保持电容cap，除了在对置电极op与共同供电线com之间形成的结构之外，也可在对置电极op和与扫描线gate并列地形成的电容线之间形成。
在这样的结构的有源矩阵型显示装置1中，如图2和图3(A)、(B)中所示，在哪一个象素7中都利用岛状的半导体膜(硅膜)形成了第1TFT20和第2TFT30。
第1TFT20的栅电极21作为扫描线gate的一部分而构成。数据线sig通过第1层间绝缘膜51的接触孔导电性地连接到第1TFT20的源·漏区的一方上，漏电极22导电性地连接到其另一方上。漏电极22朝向第2TFT30的形成区域而延伸，第2TFT30的栅电极31通过第1层间绝缘膜51的接触孔导电性地连接到该延伸部分上。
与数据线sig同时地形成的中继电极35通过第1层间绝缘膜51的接触孔导电性地连接到第2TFT30的源·漏区的一方上，薄膜发光元件40的由ITO(铟锡氧化物)膜构成的透明的象素电极41通过第2层间绝缘膜52的接触孔导电性地连接到该中继电极35上。
从图2和图3(B)、(C)中可知，在每个象素7中独立地形成了象素电极41。在象素电极41的上层一侧，按下述顺序层叠了聚苯撑乙烯撑(PPV)等的有机半导体膜43和由含有锂的铝或钙等金属模构成的对置电极op，构成了薄膜发光元件40。在这里示出的例子中，虽然在每个象素7中形成了有机半导体膜43，但有时也越过多个象素7将其形成为条状。对置电极op在显示部11整体中和在除了至少形成了端子12部分的周围之外的区域中形成。该端子12包含了导电性地连接到利用与对置电极op同时形成的布线(未图示)被形成的对置电极op上的端子。
作为薄膜发光元件40，也可采用设置了空穴注入层来提高发光效率(空穴注入率)的结构、设置了电子注入层来提高发光效率(电子注入率)的结构、形成了空穴注入层和电子注入层两者的结构。
再有，在图2和图3(A)中，共同供电线com通过第1层间绝缘膜51的接触孔导电性地连接到第2TFT30的源·漏区的另一方上。共同供电线com的延伸部分39相对于第2TFT30的栅电极31的延伸部分36，将第1层间绝缘膜51作为电介质膜夹住而对置，构成了保持电容cap。关于保持电容cap，除了在与共同供电线com之间形成的结构之外，可在对置电极op和与扫描线gate并列地形成的电容线之间形成。此外，也可利用第1TFT20的漏区和第2TFT30的栅电极31来构成保持电容cap。
在以这种方式构成的有源矩阵型显示装置1中，如果被扫描信号选择的第1TFT20变成导通状态，则将来自数据线sig的图象信号通过第1TFT20施加到第2TFT30的栅电极31上，同时图象信号通过第1TFT20写入到保持电容cap中。结果，如果第2TFT30变成导通状态，则分别将对置电极op和象素电极41作为负极和正极施加电压，在施加电压超过阈值电压的区域中，流过有机半导体膜43的电流(驱动电流)急剧增大。因而，发光元件40作为场致发光元件或LED元件而发光，发光元件40的光被对置电极op反射，透过透明的象素电极41和透明基板10而射出。由于进行这样的发光用的驱动电流流过由对置电极op、有机半导体膜43、象素电极41、第2TFT30和共同供电线com构成的电流路径，故如果第2TFT30变成关断状态，则电流不流动。但是，由于即使第1TFT20变成关断状态，第2TFT30的栅电极也由于保持电容cap而保持于与图象信号相当的电位，故第2TFT30仍处于原来的导通状态。因此，驱动电流继续流过发光元件40，该象素仍处于原来的点亮状态。该状态维持到将新的图象数据写入到保持电容cap中、第2TFT30变成关断状态为止。
(堤层的结构)
在以这种方式构成的有源矩阵型显示装置1中，在本形态中，为了防止大的电容寄生于数据线sig上，如图1、图2和图3(A)、(B)、(C)中所示，沿数据线sig和扫描线gate，设置了比有机半导体膜43厚的绝缘膜(堤层bank/附加了朝向左下方向的1条斜线、或以宽的间距2条一组的斜线的区域)，在该堤层bank的上层侧形成了对置电极op。即，由于在数据线sig与对置电极op之间介入了第2层间绝缘膜52和厚的堤层bank，故寄生于数据线sig上的电容极小。因此，可降低驱动电路3、4的负载，可谋求低功耗化或显示工作的高速化。
在此，堤层bank由第一绝缘膜61和第二绝缘膜62构成，其中，第一绝缘膜61由形成得比有机半导体膜43厚的氧化硅膜或氮化硅膜等的无机材料构成，第二绝缘膜62由在该第一绝缘膜61上层叠的抗蚀剂或聚酰亚胺膜等的有机材料构成。例如，有机半导体膜43、第一绝缘膜61和第二绝缘膜62的膜厚分别是0.05μm～0.2μm、0.2μm～1.0μm和1μm～2μm。
如果是这样的2层结构，则由于第二绝缘膜62由在形成厚膜方面较为容易的抗蚀剂或聚酰亚胺膜构成，故只将第一绝缘膜61由无机材料构成即可。因而，与堤层bank整体由无机材料构成的情况不同，不需要用PECVD法等花费较长的时间形成由无机材料构成的膜。因此，可提高有源矩阵型显示装置1的生产率。
此外，如果是这样的2层结构，则虽然有机半导体膜43与由无机材料构成的第一绝缘膜61相接，但未与由有机材料构成的第二绝缘膜62相接。因此，由于有机半导体膜43不会受到由有机材料构成的第二绝缘膜62的影响而性能变坏，故在薄膜发光元件40中不引起发光效率的降低及可靠性的降低。
此外，从图1中可知，由于在透明基板10的周边区域(显示部11的外侧区域)中也形成了堤层bank，故数据侧驱动电路3和扫描侧驱动电路4也被堤层bank所覆盖。对置电极op必须至少在显示部11中形成，但没有必要在驱动电路区域中形成。但是，由于对置电极op通常用掩模溅射法来形成，故对准精度较差，有时对置电极op与驱动电路重叠。而在本形态中，即使对置电极op与这些驱动电路的形成区域处于重叠状态，在驱动电路的布线层与对置电极op之间也介入了堤层bank。因此，由于可防止电容寄生于驱动电路3、4上，故可降低驱动电路3、4的负载，可谋求低功耗化或显示工作的高速化。
再有，在本形态中，在象素电极41的形成区域中，堤层bank也在与导通控制电路50的中继电极35重叠的区域中形成。因此，在与中继电极35重叠的区域中不形成有机半导体膜43。即，在象素电极41的形成区域中，由于有机半导体膜43只在平坦的部分上形成，故以恒定的膜厚形成有机半导体膜43，不会引起显示的不匀。此外，如果在有机半导体膜43中存在膜厚薄的部分，则薄膜发光元件40的驱动电流在该处集中，薄膜发光元件40的可靠性下降，但可防止这样的问题。再有，如果在与中继电极35重叠的区域中没有堤层bank，则即使在该部分中驱动电流流过与对置电极op之间，有机半导体膜43也发光，但是，该光被夹在中继电极35与对置电极op之间，不向外射出，对显示没有贡献。在这样的对显示没有贡献的部分中流动的驱动电流从显示这方面来看，可以说是无效电流。而在本形态中，由于在迄今为止应流过这样的无效电流的部分中形成堤层bank，防止驱动电流在该处流动，故可防止无用的电流流过共同供电线com。因此，共同供电线com的宽度可相应地变窄。作为其结果，可增加发光面积，可提高亮度、对比度等的显示性能。
再有，如果用黑色的抗蚀剂来形成堤层bank，则堤层bank起到黑色矩阵的功能，提高了对比度等显示的品位。即，在与本形态有关的有源矩阵型显示装置1中，由于对置电极op在透明基板10的表面一侧在像素7的整个面上形成，故在对置电极op处的反射光使对比度下降。而如果用黑色的抗蚀剂来构成担当防止寄生电容的功能的堤层bank，则由于堤层bank也起到黑色矩阵的功能，遮住来自对置电极op的反射光，故可提高对比度。
(有源矩阵型显示装置的制造方法)
由于以这种方式形成的堤层bank以包围有机半导体膜43的形成区域的方式来构成，故在有源矩阵型显示装置的制造工序中，在由喷射头喷出的液状的材料(喷出液)形成有机半导体膜43时拦住喷出液以防止喷出液向侧方溢出。再有，在以下说明的有源矩阵型显示装置的制造方法中，由于到在透明基板10上制造第1TFT20和第2TFT30为止的工序与制造有源矩阵型液晶显示装置的有源矩阵基板的工序大致相同，故参照图3(A)、(B)、(C)只简单地说明其概略。
首先，对于透明基板10，根据需要，将TEOS(四乙基氧硅烷)及氧气等作为原料气体，利用等离子CVD法形成由厚度约为2000～5000埃的氧化硅膜构成的基底保护膜(未图示)，之后利用等离子CVD法在基底保护膜的表面上形成由厚度约为300～700埃的非晶态的硅膜构成的半导体膜。其次，对由非晶态的硅膜构成的半导体膜进行激光退火或固相生长法等结晶化工序，使半导体膜结晶化成为多晶硅膜。
其次，对半导体膜进行图形刻蚀，作成岛状的半导体膜，将TEOS(四乙基氧硅烷)及氧气等作为原料气体，利用等离子CVD法在其表面上形成由厚度约为600～1500埃的氧化硅膜或氮化膜构成的栅绝缘膜57。
其次，利用溅射法形成由铝、钽、钼、钛、钨等的金属模构成的导电膜，之后进行图形刻蚀，形成栅电极21、31和栅电极31的延伸部分36(栅电极形成工序)。在该工序中也形成扫描线gate。
在该状态下，注入高浓度的磷离子，相对于栅电极21、31以自对准的方式形成源·漏区。再有，未导入杂质的部分成为沟道区。
其次，在形成了第1层间绝缘膜51之后，形成各接触孔，其次，形成数据线sig、漏电极22、共同供电线com、共同供电线com的延伸部分39和中继电极35。其结果，形成第1TFT20、第2TFT30和保持电容cap。
其次，形成第2层间绝缘膜52，在该层间绝缘膜中，在与中继电极35相当的部分处形成接触孔。其次，在第2层间绝缘膜52的整个表面上形成了ITO膜之后，进行图形刻蚀，在每个象素7中形成通过接触孔与第2TFT30的源·漏区导电性地连接的象素电极41。
其次，利用PECVD法等在第2层间绝缘膜52的表面一侧形成由无机材料构成的膜(形成第一绝缘膜61用的无机膜)，之后沿扫描线gate和数据线sig形成抗蚀剂(第二绝缘膜62)。其后，将该抗蚀剂作为掩模，对由无机材料构成的膜进行图形刻蚀，形成第一绝缘膜61。即使在以这种方式利用图形刻蚀形成第一绝缘膜61时，由于第一绝缘膜61较薄，故不引起过刻蚀。因而，象素电极41不会受到损伤。
如果进行这样的刻蚀工序，则由无机材料构成的膜沿扫描线gate和数据线sig遗留下来，形成第一绝缘膜61。以这种方式形成由第一绝缘膜61和第二绝缘膜62构成的2层结构的堤层bank。此时，将沿数据线sig留下的抗蚀剂部分的宽度做得较宽，以便覆盖共同供电线com。其结果，应形成发光元件40的有机半导体膜43的区域被堤层bank所包围。
其次，利用喷射法在被堤层bank划分成矩阵状的区域内形成对应于R、G、B的各有机半导体膜43。为此，相对于堤层bank的内侧区域，从喷射头喷出构成有机半导体膜43用的液状的材料(前体/喷出液)，将其固定在堤层bank的内侧区域中，形成有机半导体膜43。在此，由于堤层bank的第二绝缘膜62由抗蚀剂或聚酰亚胺膜构成，故是憎水性的。与此不同，由于有机半导体膜43的前体使用亲水性的溶剂，故有机半导体膜43的涂敷区域被堤层bank可靠地确定，不会溢出到邻接的象素7中。因此，能只在预定的区域内形成有机半导体膜43等。
在该工序中，从喷射头喷出的前体由于表面张力的影响鼓起约2μm至约4μm的厚度，故堤层bank的厚度必须是约1μm至约3μm。在该状态下，从喷射头喷出的前体处于与第二绝缘膜62相接的状态，但在进行了100℃～150℃的热处理之后，由于从前体中除去了溶剂成分，故固定在堤层bank的内侧后的有机半导体膜43的厚度是约0.05μm至约0.2μm。因此，在该状态下有机半导体膜43没有与第二绝缘膜62相接。
再有，如果由堤层bank构成的隔壁的高度是1μm以上，则即使堤层bank不是憎水性的，堤层bank也能充分起到作为隔壁的作用。如果预先形成这样厚的堤层bank，则即使在使用涂敷法来代替喷射法形成有机半导体膜43的情况下也能规定该形成区域。
其后，在透明基板10的大致整个面上形成对置电极op。
按照这样的制造方法，由于能利用喷射法在预定的区域内形成对应于R、G、B的各有机半导体膜43，故能以高的生产率制造全彩色的有源矩阵型显示装置1。
再有，在图1中示出的数据侧驱动电路3及扫描侧驱动电路4中也形成TFT，但这些TFT是利用在上述的象素7中形成TFT的工序的全部或一部分而形成的。因此，构成驱动电路的TFT也是在与象素7的TFT相同的层间形成的。此外，关于上述第1TFT20和第2TFT30，两者是N型、两者是P型、一者是N型另一者是P型这样的情况的任一种都是可以的，但由于即使是这样的任一种的组合，也能利用众所周知的方法来形成TFT，故省略其说明。
[实施形态2]
图4(A)、(B)、(C)分别是本形态的有源矩阵型显示装置中的与图2的A-A’线、B-B’线和C-C’线相当的位置上的剖面图。再有，由于本形态与实施形态1的基本结构相同，故在图4中对于共同的部分附以相同的符号，省略其详细的说明。此外，由于本形态的有源矩阵型显示装置中的堤层bank的形成区域与实施形态1相同，故同样地参照图1和图2进行说明。
在本形态中，也为了防止大的电容寄生于数据线sig上，如图1、图2和图4(A)、(B)、(C)中所示，沿数据线sig和扫描线gate，设置了比有机半导体膜43厚的绝缘膜(堤层bank/附加了朝向左下方向的1条斜线、或以宽的间距2条一组的斜线的区域)，在该堤层bank的上层侧形成了对置电极op。
在此，堤层bank由第一绝缘膜61和第二绝缘膜62构成，其中，第一绝缘膜61由形成得比有机半导体膜43厚的氧化硅膜或氮化硅膜等的无机材料构成，第二绝缘膜62由在该第一绝缘膜61上层叠的抗蚀剂或聚酰亚胺膜等的有机材料构成，这一点与实施形态1相同。
在本形态中，从图4(A)、(B)、(C)中可知，关于由有机材料构成的第二绝缘膜62，具有比由无机材料构成的第一绝缘膜61窄的宽度，被层叠在该第一绝缘膜61的内侧区域中。例如，第二绝缘膜62与象素电极41重叠的部分的宽度是1μm～3μm，在第一绝缘膜61与第二绝缘膜62之间，存在向一侧1μm～5μm的偏移。因此，堤层bank成为层叠了宽度不同的第一绝缘膜61与第二绝缘膜62的2层结构。如果是这样的2层结构，则由于第二绝缘膜62由较为容易形成厚膜的抗蚀剂或聚酰亚胺膜构成，故只由无机材料构成第一绝缘膜61即可。因而，与厚的堤层bank整体由无机材料构成的情况不同，不需要用PECVD法等花费较长的时间形成由无机材料构成的膜。因此，可提高有源矩阵型显示装置1的生产率。此外，如果是这样的2层结构，则虽然有机半导体膜43与由无机材料构成的第一绝缘膜61相接，但没有与第二绝缘膜62相接。而且，由于第二绝缘膜62在第一绝缘膜61的内侧形成，故相应地有机半导体膜43难以与第二绝缘膜62相接。因此，能可靠地防止有机半导体膜43受到由有机材料构成的第二绝缘膜62的影响而性能变坏，在薄膜发光元件40中不引起发光效率的降低及可靠性的降低。
其它的结构与实施形态1相同。在此，任一个象素7都被堤层bank所包围。因此，由于能利用喷射法在预定的区域内形成对应于R、G、B的各有机半导体膜43，故能以高的生产率制造全彩色的有源矩阵型显示装置1等，能起到与实施形态1相同的效果。
在形成这样的结构的堤层bank时，在第2层间绝缘膜52的表面一侧利用PECVD法等形成了由无机材料构成的膜(形成第一绝缘膜61用的无机膜)后，将其沿扫描线gate和数据线sig遗留下来，在形成了第一绝缘膜61之后，除去在该图形刻蚀中使用的抗蚀剂，其后在第一绝缘膜61的上层将宽度比其窄的抗蚀剂或聚酰亚胺作为第二绝缘膜62来形成即可.通过这样做，即使在利用图形刻蚀形成第一绝缘膜61时，由于第一绝缘膜61较薄，故不引起过刻蚀.因而，象素电极41不会受到损伤.
[实施形态3]
本形态的有源矩阵型显示装置1只是在构成堤层bank的材料方面与实施形态2不同，其结构与实施形态2相同。因而，对于共同的部分附以相同的符号进行图示，省略其说明。此外，与实施形态2相同，参照图1、图2和图4进行说明。
在本形态中，也为了防止大的电容寄生于数据线sig上，如图1、图2和图4(A)、(B)、(C)中所示，沿数据线sig和扫描线gate，设置了比有机半导体膜43厚的绝缘膜(堤层bank/附加了朝向左下方向的1条斜线、或以宽的间距2条一组的斜线的区域)，在该堤层bank的上层侧形成了对置电极op。
在此，堤层bank由第一绝缘膜61和第二绝缘膜62构成，其中，第一绝缘膜61由形成得比有机半导体膜43厚的氮化硅膜等的无机材料构成，第二绝缘膜62由在该第一绝缘膜61上层叠的氧化硅膜等的无机材料构成。如果是这样的2层结构，则由于有机半导体膜43没有与有机材料相接，故有机半导体膜43不会受到有机材料的影响而性能变坏。因此，在薄膜发光元件40中不引起发光效率的降低及可靠性的降低。
在此，关于第二绝缘膜62，具有比第一绝缘膜61窄的宽度，被层叠在该第一绝缘膜61的内侧区域中。因此，堤层bank成为层叠了宽度不同的第一绝缘膜61与第二绝缘膜62的2层结构。
在形成这样的2层结构的堤层bank时，在依次形成了应构成第一绝缘膜61和第二绝缘膜62的无机材料(氮化硅膜和氧化硅膜)之后，首先对第二绝缘膜62进行图形刻蚀。此时，由于第一绝缘膜61起到刻蚀中止层的功能，即使多少有点过刻蚀，也不会损伤象素电极41。在结束了这样的图形刻蚀之后，以图形刻蚀方式形成第一绝缘膜61。此时，由于只刻蚀第一绝缘膜61的1层的部分，故刻蚀的控制是容易的，不会引起损伤象素电极41那样的过刻蚀。
其它的结构与实施形态1、2相同。因而，任一个象素7都被堤层bank所包围。因此，由于能利用喷射法在预定的区域内形成对应于R、G、B的各有机半导体膜43，故能以高的生产率制造全彩色的有源矩阵型显示装置1等，能起到与实施形态1相同的效果。
[实施形态1、2、3的变形例]
再有，在上述形态中，由于沿数据线sig和扫描线gate形成了堤层bank，故成为用堤层bank将象素7划分成矩阵状的结构，但也可只沿数据线sig来形成堤层bank。在该情况下，由于也能利用喷射法在由堤层bank划分成条状的的区域内以条状形成对应于R、G、B的各有机半导体膜43，故能以高的生产率制造全彩色的有源矩阵型显示装置1。
此外，在上述形态中，虽然堤层bank划分的区域的任一角部都成为角状，但如果在该处使其变圆，则可将有机半导体膜43形成为没有角的圆形的平面形状。如果是这样的形状的有机半导体膜43，则由于角部的驱动电流不会集中，故可防止在该部分处的耐压不足等的不良情况的发生。
[实施形态4]
由于本形态的有源矩阵型显示装置1的基本结构与实施形态1至3相同，故同样参照图1来说明，同时，对于共同的部分附以相同的符号进行图示，省略其说明.
图5是抽出本形态的有源矩阵型显示装置中被构成的象素的1个而示出的平面图，图6(A)、(B)、(C)分别是图5的A-A’剖面图、B-B’剖面图和C-C’剖面图。
在本形态中，如以下所说明的那样，将第一绝缘膜61与第二绝缘膜62部分地重叠，使其各自发挥不同的功能。即，在本形态中，也如图1中所示，构成了多条扫描线gate、在与该扫描线gate的延伸方向交叉的方向上延伸的多条数据线sig、与该数据线sig并列的多条共同供电线com和由数据线sig和扫描线gate形成为矩阵状的多个象素7。
在本形态中，如图5和图6中所示，这样来形成第一绝缘膜61(附加了朝向左下方向的2条一组的斜线的区域)，使其覆盖象素电极41的形成区域中的与导通控制电路50的形成区域重叠的区域、数据线sig、共同供电线com和扫描线gate。与此不同，只在第一绝缘膜61的形成区域中的沿数据线sig的部分上将第二绝缘膜62(以宽的间距附加了朝向左下方向的斜线的区域)形成为条状。此外，在由该第二绝缘膜62划分成条状的区域内形成了有机半导体膜43。
在以这种方式构成的情况下，在用喷射法形成有机半导体膜43时，也将第一绝缘膜61与第二绝缘膜62重叠的部分作为防止喷出液溢出的堤层bank来利用，同时可将有机半导体膜43形成为条状。因此，在本形态中，第一绝缘膜61与第二绝缘膜62重叠的部分的膜厚为1μm以上。
在以这种方式构成的情况下，由于在数据线sig与对置电极op之间介入了第2层间绝缘膜52和厚的堤层bank(第一绝缘膜61和第二绝缘膜62)，故寄生于数据线sig上的电容极小。因此可降低驱动电路3、4的负载，可谋求低功耗化或显示工作的高速化。
此外，虽然以条状形成了有机半导体膜43，但由于象素电极41的形成区域中的与导通控制电路50的形成区域重叠的区域和扫描线gate被第二绝缘膜62所覆盖，故只在各象素7中的象素电极41的平坦部分上形成的有机半导体膜43有助于发光。即，只在象素电极41的平坦部分上形成薄膜发光元件40。因此，以恒定的膜厚形成有机半导体膜43，不会引起显示不匀及驱动电流的集中。此外，由于用第一绝缘膜61来防止驱动电流流过对显示没有贡献的部分上，故也具有可防止无用的电流流过共同供电线com的效果。
在此，如果对于第一绝缘膜61用比有机半导体膜43形成得厚的氧化硅膜或氮化硅膜等的无机材料来构成，对于第二绝缘膜62用抗蚀剂或聚酰亚胺等的有机材料来构成，则只用无机材料来构成第一绝缘膜61即可。因而，与将厚的堤层bank整体由无机材料构成的情况不同，不需要用PECVD法等花费较长的时间形成由无机材料构成的膜。因此，可提高有源矩阵型显示装置1的生产率。此外，如果是这样的2层结构，有机半导体膜43与由无机材料构成的第一绝缘膜61相接，但没有与由有机材料构成的第二绝缘膜62相接。。因此，由于有机半导体膜43不会受到由有机材料构成的第二绝缘膜62的影响而性能变坏，故在薄膜发光元件40中不引起发光效率的降低及可靠性的降低等，起到与实施形态1相同的效果。
与此不同，对于第一绝缘膜61用比有机半导体膜43形成得厚的氮化硅膜等的无机材料来构成，对于第二绝缘膜62用在该第一绝缘膜61上层叠的氧化硅膜等的无机材料来构成的情况下，由于有机半导体膜43没有与有机材料相接，故不会受到有机材料的影响而性能变坏.因此，在薄膜发光元件40中不引起发光效率的降低及可靠性的降低.此外，由于第二绝缘膜62以窄的宽度层叠在第一绝缘膜61的内侧区域中，故在对第二绝缘膜62进行图形刻蚀时，第一绝缘膜61起到作为刻蚀中止层的功能等，具有与实施形态3相同的效果.
[实施形态5]
图7是示意性地示出有源矩阵型显示装置的整体布局的框图。图8是抽出其中被构成的象素的1个而示出的平面图。图9(A)、(B)、(C)分别是图8的A-A’剖面图、B-B’剖面图和C-C’线相当的位置上的剖面图。再有，由于本形态的基本结构与实施形态1相同，故对于共同的部分附以相同的符号进行图示，省略其说明。
在本形态中，在本形态的有源矩阵型显示装置1中，也沿数据线sig和扫描线gate，设置了比有机半导体膜43厚的绝缘膜(堤层bank/附加了朝向左下方向的1条斜线、或以宽的间距2条一组的斜线的区域)，在该堤层bank的上层侧形成了对置电极op。即，由于在数据线sig与对置电极op之间介入了第2层间绝缘膜52和厚的堤层bank，故寄生于数据线sig上的电容极小。因此，可降低驱动电路3、4的负载，可谋求低功耗化或显示工作的高速化。
在此，堤层bank由第一绝缘膜61和第二绝缘膜62构成，其中第一绝缘膜61由比有机半导体膜43形成得厚的氧化硅膜或氮化硅膜等的无机材料来构成，第二绝缘膜62由在该第一绝缘膜61上层叠的抗蚀剂或聚酰亚胺膜等的有机材料来构成。例如，有机半导体膜43、第一绝缘膜61和第二绝缘膜62的膜厚分别是0.05μm～0.2μm、0.2μm～1.0μm和1μm～2μm。因而，由于有机半导体膜43与由无机材料构成的第一绝缘膜61相接，但没有与由有机材料构成的第二绝缘膜62相接。。因此，由于有机半导体膜43不会受到由有机材料构成的第二绝缘膜62的影响而性能变坏，故在薄膜发光元件40中不引起发光效率的降低及可靠性的降低等，起到与实施形态1相同的效果。
在以这种方式构成的有源矩阵型显示装置1中，有机半导体膜43被堤层bank所包围。因此，在原有状态下，各象素7的对置电极op越过堤层bank与邻接的象素7的对置电极op连接。而在本形态中，在堤层bank中，在数据线sig的延伸方向上与相邻的象素7之间相当的部分上形成了第一绝缘膜61和第二绝缘膜62两者发生中断的中断部分off(第1中断部分)。此外，也在堤层bank中，在扫描线gate的延伸方向上与相邻的象素7之间相当的部分上形成了第一绝缘膜61和第二绝缘膜62两者发生中断的中断部分off(第1中断部分)。再有，在堤层bank中，在数据线sig和扫描线gate的各延伸方向的端部的每一端部处形成了第一绝缘膜61和第二绝缘膜62两者发生中断的中断部分off(第1中断部分)。
由于在这样的中断部分off中没有厚的堤层bank，故是没有起因于堤层bank的大的台阶差的平坦部分，在该部分中被形成的对置电极op不会发生断裂。因而，各象素7的对置电极op通过没有起因于堤层bank的台阶差的平坦部分可靠地连接。因此，即使在象素7的周围形成厚的绝缘膜(堤层bank)从而能抑制寄生电容等，在该厚的绝缘膜(堤层bank)的上层上形成的对置电极op中也不发生断裂。
此外，在透明基板10的周边区域(显示部11的外侧区域)中，数据侧驱动电路3和扫描侧驱动电路4都被堤层bank(在形成区域中附以斜线)所覆盖.因此，即使对置电极op与这些驱动电路的形成区域处于重叠状态，在驱动电路的布线层与对置电极op之间也介入了堤层bank.因此，由于可防止电容寄生于驱动电路3、4上，故可降低驱动电路3、4的负载，可谋求低功耗化或显示工作的高速化.
而且，在扫描侧驱动电路4和数据侧驱动电路3的上层一侧形成的堤层bank在与扫描侧驱动电路4的形成区域和数据侧驱动电路3的形成区域之间相当的位置上形成了第一绝缘膜61和第二绝缘膜62两者发生中断的中断部分off(第2中断部分)。因此，显示部11的一侧的对置电极op与基板外周一侧的对置电极op通过堤层bank的中断部分off连接，该中断部分off也是没有起因于堤层bank的台阶差的平坦部分。因而，由于在该中断部分off中被形成的对置电极op不会断裂，故显示部11的一侧的对置电极op与基板外周一侧的对置电极op通过堤层bank的中断部分off可靠地连接，以布线方式连接到基板外周一侧的对置电极op的端子12与显示部11的对置电极op可靠地连接。
再有，在本形态中，由于在象素电极41的形成区域中的与导通控制电路50的中继电极35重叠的区域中也形成了堤层bank，故可防止无用的无效电流的流动。因此，可相应地使共同供电线com的宽度变窄。
在制造这样的结构的有源矩阵型显示装置1时，也与实施形态1相同，在第2层间绝缘膜52的表面一侧沿扫描线gate和数据线sig形成堤层bank。此时，在堤层bank的预定部分中预先形成中断部分off。此外，将沿数据线sig形成的堤层bank的宽度做得较宽，以便覆盖共同供电线com。其结果，应形成薄膜发光元件40的有机半导体膜43的区域被堤层bank所包围。
其次，利用喷射法在被堤层bank划分成矩阵状的区域内形成对应于R、G、B的各有机半导体膜43。为此，相对于堤层bank的内侧区域，从喷射头喷出构成有机半导体膜43用的液状的材料(前体)，将其固定在堤层bank的内侧区域中，形成有机半导体膜43。在此，由于堤层bank的第二绝缘膜62由抗蚀剂或聚酰亚胺膜构成，故是憎水性的。与此不同，由于有机半导体膜43的前体使用亲水性的溶剂，故有机半导体膜43的涂敷区域被堤层bank可靠地确定，不会溢出到邻接的象素7中。此外，即使划分有机半导体膜43的形成区域的堤层bank中有中断部分off，由于这样的中断部分off是窄的，故有机半导体膜43的涂敷区域被堤层bank可靠地确定，不会溢出到邻接的象素7中。因此，能只在预定的区域内形成有机半导体膜43等。
再有，从喷射头喷出的前体由于表面张力的影响鼓起约2μm至约4μm的厚度，故堤层bank的厚度必须是约1μm至约3μm。在该状态下，从喷射头喷出的前体处于与第二绝缘膜62相接的状态，但在进行了100℃～150℃～的热处理之后，由于从前体中除去了溶剂成分，故固定在堤层bank的内侧后的有机半导体膜43的厚度是约0.05μm至约0.2μm。因此，在该状态下有机半导体膜43没有与第二绝缘膜62相接。
再有，如果由堤层bank构成的隔壁的高度是1μm以上，则即使堤层bank不是憎水性的，堤层bank也能充分起到作为隔壁的作用。因而，如果预先形成这样的厚的堤层bank，则即使在使用涂敷法来代替喷射法形成有机半导体膜43的情况下也能规定该形成区域。
[实施形态5的变形例1]
图10是示意性地示出有源矩阵型显示装置的整体布局的框图，图11是抽出其中被构成的象素的1个而示出的平面图，图12(A)、(B)、(C)分别是图11的A-A’剖面图、B-B’剖面图和C-C’线剖面图.再有，由于本形态与实施形态1的基本结构相同，故在各图中对于共同的部分附以相同的符号，省略其详细的说明.
如图10、图11和图12(A)、(B)、(C)中所示，在本形态的有源矩阵型显示装置1中，也沿数据线sig和扫描线gate，设置了比有机半导体膜43厚的绝缘膜(堤层bank/附加了朝向左下方向的1条斜线、或以宽的间距2条一组的斜线的区域)，在该堤层bank的上层侧形成了对置电极op。即，由于在数据线sig与对置电极op之间介入了第2层间绝缘膜52和厚的堤层bank，故寄生于数据线sig上的电容极小。因此，可降低驱动电路3、4的负载，可谋求低功耗化或显示工作的高速化。
在此，堤层bank由第一绝缘膜61和第二绝缘膜62构成，其中第一绝缘膜61由比有机半导体膜43形成得厚的氧化硅膜或氮化硅膜等的无机材料来构成，第二绝缘膜62由在该第一绝缘膜61上层叠的抗蚀剂或聚酰亚胺膜等的有机材料来构成。因而，有机半导体膜43与由无机材料构成的第一绝缘膜61相接，但没有与由有机材料构成的第二绝缘膜62相接。因此，由于有机半导体膜43不会受到由有机材料构成的第二绝缘膜62的影响而性能变坏，故在薄膜发光元件40中不引起发光效率的降低及可靠性的降低等，起到与实施形态1相同的效果。
此外，在本形态中，由于沿数据线sig和扫描线gate形成了堤层bank，故任一个象素7都被堤层bank所包围。因此，由于能利用喷射法在预定的区域内形成对应于R、G、B的各有机半导体膜43，故能以高的生产率制造全彩色的有源矩阵型显示装置1。
而且，在堤层bank中，在与扫描线gate的延伸方向上相邻的象素7之间相当的部分上形成了中断部分off(第1中断部分)。此外，在堤层bank中，在数据线sig和扫描线gate的各延伸方向的端部的每一端部处形成了中断部分off(第1中断部分)。再有，在扫描侧驱动电路4和数据侧驱动电路3的上层一侧形成的堤层bank在与扫描侧驱动电路4的形成区域和数据侧驱动电路3的形成区域之间相当的位置上形成了中断部分off(第2中断部分)。因而，对置电极op通过没有起因于堤层bank的台阶差的平坦部分(中断部分off)可靠地连接，不会断裂。
[实施形态5的变形例2]
图13是示意性地示出有源矩阵型显示装置的整体布局的框图。图14是抽出其中被构成的象素的1个而示出的平面图，图15(A)、(B)、(C)分别是与图14的A-A’剖面图、B-B’剖面图和C-C’线剖面图。再有，由于本形态与实施形态1的基本结构相同，故各图中对于共同的部分附以相同的符号，省略其详细的说明。
如图13、图14和图15(A)、(B)、(C)中所示，在本形态的有源矩阵型显示装置1中，也沿数据线sig和扫描线gate，设置了比有机半导体膜43厚的绝缘膜(堤层bank/附加了朝向左下方向的1条斜线、或以宽的间距2条一组的斜线的区域)，在该堤层bank的上层侧形成了对置电极op。即，由于在数据线sig与对置电极op之间介入了第2层间绝缘膜52和厚的堤层bank，故寄生于数据线sig上的电容极小。因此，可降低驱动电路3、4的负载，可谋求低功耗化或显示工作的高速化。
在此，堤层bank由第一绝缘膜61和第二绝缘膜62构成，其中第一绝缘膜61由比有机半导体膜43形成得厚的氧化硅膜或氮化硅膜等的无机材料来构成，第二绝缘膜62由在该第一绝缘膜61上层叠的抗蚀剂或聚酰亚胺膜等的有机材料来构成.因而，有机半导体膜43与由无机材料构成的第一绝缘膜61相接，但没有与由有机材料构成的第二绝缘膜62相接.因此，由于有机半导体膜43不会受到由有机材料构成的第二绝缘膜62的影响而性能变坏，故在薄膜发光元件40中不引起发光效率的降低及可靠性的降低等，起到与实施形态1相同的效果.
此外，在本形态中，由于沿数据线sig和扫描线gate形成了堤层bank，故任一个象素7都被堤层bank所包围。因此，由于能利用喷射法在预定的区域内形成对应于R、G、B的各有机半导体膜43，故能以高的生产率制造全彩色的有源矩阵型显示装置1。
而且，在堤层bank中，在数据线sig的延伸方向上与相邻的象素7之间相当的部分上形成了中断部分off(第1中断部分)。此外，在堤层bank中，在数据线sig和扫描线gate的各延伸方向的端部的每一端部处形成了中断部分off(第1中断部分)。再有，在扫描侧驱动电路4和数据侧驱动电路3的上层一侧形成的堤层bank在与扫描侧驱动电路4的形成区域和数据侧驱动电路3的形成区域之间相当的位置上形成了中断部分off(第2中断部分)。因而，对置电极op通过没有起因于堤层bank的台阶差的平坦部分(中断部分off)可靠地连接，不会断裂。
[实施形态5的变形例3]
图16是示意性地示出有源矩阵型显示装置的整体布局的框图。图17是抽出其中被构成的象素的1个而示出的平面图，图18(A)、(B)、(C)分别是与图17的A-A’剖面图、B-B’剖面图和C-C’线剖面图。再有，由于本形态与实施形态1的基本结构相同，故在各图中对于共同的部分附以相同的符号，省略其详细的说明。
如图16、图17和图18(A)、(B)、(C)中所示，在本形态的有源矩阵型显示装置1中，也沿数据线sig和扫描线gate设置了比有机半导体膜43厚的绝缘膜(堤层bank/附加了朝向左下方向的1条斜线、或以宽的间距2条一组的斜线的区域)，在该堤层bank的上层侧形成了对置电极op。即，由于在数据线sig与对置电极op之间介入了第2层间绝缘膜52和厚的堤层bank，故寄生于数据线sig上的电容极小。因此，可降低驱动电路3、4的负载，可谋求低功耗化或显示工作的高速化。
在此，堤层bank由第一绝缘膜61和第二绝缘膜62构成，其中第一绝缘膜61由比有机半导体膜43形成得厚的氧化硅膜或氮化硅膜等的无机材料来构成，第二绝缘膜62由在该第一绝缘膜61上层叠的抗蚀剂或聚酰亚胺膜等的有机材料来构成。
此外，在本形态中，由于沿数据线sig和扫描线gate形成了堤层bank，故任一个象素7都被堤层bank所包围。因此，由于能利用喷射法在预定的区域内形成对应于R、G、B的各有机半导体膜43，故能以高的生产率制造全彩色的有源矩阵型显示装置1。
而且，在堤层bank中，在数据线sig的延伸方向上与相邻的象素7之间相当的部分上形成了中断部分off(第1中断部分)。此外，在堤层bank中，在数据线sig和扫描线gate的各延伸方向的端部的每一端部处形成了中断部分off(第1中断部分)。再有，在扫描侧驱动电路4和数据侧驱动电路3的上层一侧形成的堤层bank在与扫描侧驱动电路4的形成区域和数据侧驱动电路3的形成区域之间相当的位置上形成了中断部分off(第2中断部分)。
但是，在本形态中，在中断部分off中，在形成堤层bank方面使用的第一绝缘膜61(附以2条一组的斜线的区域)和第二绝缘膜62(附以朝向左下的1条斜线的区域)中，只有第二绝缘膜62发生中断，即使是中断部分off，也在该处形成了第一绝缘膜61.
在以这种方式构成的情况下，由于在中断部分off处只有薄的第一绝缘膜61，没有厚的第二绝缘膜62，故对置电极op通过中断部分off可靠地连接，不会断裂。
再有，在上述形态中，是在第1中断部分和第2中断部分两者中形成了第一绝缘膜61的结构，但本发明不限定于此，也可以是只在第1中断部分和第2中断部分的某一部分中形成了第一绝缘膜61的结构。此外，如本形态那样的在中断部分中形成了第一绝缘膜61的结构也可适用于其它实施形态中已说明的图形的堤层bank。
[实施形态6]
图19是示意性地示出有源矩阵型显示装置的整体布局的框图。图20是抽出其中被构成的象素的1个而示出的平面图，图21(A)、(B)、(C)分别是图20的A-A’剖面图、B-B’剖面图和C-C’线剖面图。再有，由于本形态与实施形态1的基本结构相同，故在各图中对于共同的部分附以相同的符号，省略其详细的说明。
如图19、图20和图21(A)、(B)、(C)中所示，在本形态的有源矩阵型显示装置1中，沿数据线sig设置了比有机半导体膜43厚的绝缘膜(堤层bank/附加了朝向左下方向的1条斜线、或以宽的间距2条一组的斜线的区域)，在该堤层bank的上层侧形成了对置电极op。即，由于在数据线sig与对置电极op之间介入了第2层间绝缘膜52和厚的堤层bank，故寄生于数据线sig上的电容极小。因此，可降低驱动电路3、4的负载，可谋求低功耗化或显示工作的高速化。
在此，堤层bank由第一绝缘膜61和第二绝缘膜62构成，其中第一绝缘膜61由比有机半导体膜43形成得厚的氧化硅膜或氮化硅膜等的无机材料来构成，第二绝缘膜62由在该第一绝缘膜61上层叠的抗蚀剂或聚酰亚胺膜等的有机材料来构成。因而，有机半导体膜43与由无机材料构成的第一绝缘膜61相接，但没有与由有机材料构成的第二绝缘膜62相接。因此，由于有机半导体膜43不会受到由有机材料构成的第二绝缘膜62的影响而性能变坏，故在薄膜发光元件40中不引起发光效率的降低及可靠性的降低等，起到与实施形态1相同的效果。
此外，在本形态中，由于沿数据线sig形成了堤层bank，故由于能利用喷射法在由堤层bank划分成条状的区域内以条状形成对应于R、G、B的各有机半导体膜43，故能以高的生产率制造全彩色的有源矩阵型显示装置1。
而且，在堤层bank中，在数据线sig的延伸方向的端部处形成了第一绝缘膜61和第二绝缘膜62这两者发生中断的中断部分off(第1中断部分)。因而，各象素7的对置电极op在扫描线gate的延伸方向上相对于邻接的象素7的对置电极op，越过厚的堤层bank而连接。尽管如此，在数据线sig的延伸方向上，各象素7的对置电极op在数据线sig的端部通过中断部分off(没有起因于堤层bank的台阶差的平坦部分)与在扫描线gate的延伸方向上邻接的象素7的列连接。因此，可以说各象素7的对置电极op通过没有起因于堤层bank的台阶差的平坦部分与其它象素7的对置电极op连接，任一个象素7的对置电极op都不会处于断裂状态。
此外，在透明基板10的周边区域(显示部11的外侧区域)中，数据侧驱动电路3和扫描侧驱动电路4都被堤层bank所覆盖.因此，即使对置电极op与这些驱动电路的形成区域处于重叠状态，在驱动电路的布线层与对置电极op之间也介入了堤层bank.因此，由于可防止电容寄生于驱动电路3、4上，故可降低驱动电路3、4的负载，可谋求低功耗化或显示工作的高速化.
而且，在扫描侧驱动电路4和数据侧驱动电路3的上层侧形成的堤层bank在与扫描侧驱动电路4的形成区域和数据侧驱动电路3的形成区域之间相当的位置上形成了中断部分off(第2中断部分)。因而，对置电极op通过没有起因于堤层bank的台阶差的平坦部分(中断部分off)可靠地连接，不会断裂。
[其它实施形态]
再有，如在实施形态5的变形例3中已说明的那样，在堤层bank的中断部分off中只有第二绝缘膜62发生中断的结构也可适用于实施形态6。
此外，如在实施形态5、6中已说明的那样，通过对于堤层bank形成中断部分off来防止对置电极op的断裂的这样的发明也能适用于实施形态3中已说明的使用了由无机材料构成的堤层bank的情况。
发明的利用可能性
如以上已说明的那样，在与本发明有关的有源矩阵型显示装置中，在形成绝缘膜以便包围有机半导体膜的形成区域方面，由第一绝缘膜和第二绝缘膜来构成该绝缘膜，其中，第一绝缘膜由比有机半导体膜厚的无机材料构成，第二绝缘膜由在其上层叠的有机材料构成。因而，按照本发明，由于使厚的绝缘膜介入数据线与对置电极之间，故可防止电容寄生于数据线上。因此，可降低数据侧驱动电路的负载，可谋求低功耗化或显示工作的高速化。此外，在本发明中，由于只由无机材料来构成薄膜发光元件的与有机半导体膜相接的第一绝缘膜，在其上层侧，层叠了由能容易形成厚膜的抗蚀剂等的有机材料构成的第二绝缘膜，故生产率高。而且，由于第二绝缘膜不与有机半导体膜相接，与有机半导体膜相接的是由无机材料构成的第一绝缘膜，故有机半导体膜不会受到第二绝缘膜的影响而性能变坏。因此，薄膜发光元件中不会引起发光效率的下降或可靠性的下降。
在此，在第二绝缘膜具有比第一绝缘膜窄的宽度并层叠在该第一绝缘膜的内侧区域中的情况下，由于由有机材料构成的第二绝缘膜难以与有机半导体膜相接，故能更可靠地防止有机半导体膜的性能变坏。
在本发明的其它的形态中，在形成绝缘膜以便包围有机半导体膜的形成区域方面，由第一绝缘膜和第二绝缘膜来构成该绝缘膜，其中，第一绝缘膜由无机材料构成，第二绝缘膜由具有比该第一绝缘膜窄的宽度、层叠在该第一绝缘膜的内侧区域上的无机材料构成。因而，在本发明中，也由于使厚的绝缘膜介入数据线与对置电极之间，故可防止电容寄生于数据线上。因此，由于可降低数据侧驱动电路的负载，故可谋求低功耗化或显示工作的高速化。此外，在形成了由应构成第一绝缘膜和第二绝缘膜的无机材料构成的膜之后，在对第二绝缘膜进行图形刻蚀时，由于第一绝缘膜起到刻蚀中止层的功能，故即使多少有些过刻蚀也不会损伤象素电极。在结束这样的图形刻蚀之后，在以图形刻蚀方式形成第一绝缘膜时，由于只刻蚀第一绝缘膜的1层的部分，故刻蚀控制变得容易，不引起损伤象素电极那样的过刻蚀。

Claims (3)

1.一种显示装置，包括：
一个衬底，具有显示部分和周围部分；
布置在所述显示部分中的多个数据线；
布置在所述显示部分中的多个扫描线；
布置在所述周围部分中的多个驱动电路；
布置在所述显示部分中的多个象素电极；
形成在所述显示部分和所述周围部分以上的一个对置电极；
多个有机半导体薄膜，所述多个有机半导体薄膜的每一个形成在所述对置电极和所述多个象素电极之一之间；
一个绝缘膜，形成在所述对置电极和所述多个数据线之间，所述绝缘膜具有第一绝缘层和在所述第一绝缘层上的第二绝缘层，所述第一绝缘层比所述多个有机半导体薄膜中的任一个薄膜都厚；
所述绝缘膜的一个中断形成在扫描侧驱动电路的形成区域和数据侧驱动电路的形成区域之间；
形成在所述中断中的终端，所述终端电连接到所述对置电极；和
形成在所述显示部分以上的所述对置电极与形成在所述周围部分以上的所述对置电极通过所述中断之上的对置电极进行电连接。
2.根据权利要求1的显示装置，其中所述端子包括与所述对置电极同时形成的布线。
3.一种显示装置，包括：
一个衬底，具有显示部分和周围部分；
布置在所述显示部分中的多个数据线；
布置在所述显示部分中的多个扫描线；
布置在所述周围部分中的多个驱动电路；
布置在所述显示部分中的多个象素电极；
形成在所述显示部分以上的第一对置电极部分；
形成在所述周围部分以上的第二对置电极部分；
多个有机半导体薄膜，形成在所述第一对置电极和多个象素电极之一之间；
一个绝缘膜，形成在所述第一对置电极部分和所述多个数据线之间，所述绝缘膜具有第一绝缘层和在所述第一绝缘层上的第二绝缘层，所述第一绝缘层比所述多个有机半导体薄膜中的任一个薄膜都厚；
所述绝缘膜的一个中断形成在扫描侧驱动电路的形成区域和数据侧驱动电路的形成区域之间；
形成在所述中断中的端子，所述端子电连接到所述第二对置电极部分；和
形成在所述绝缘膜中的中断以上的第三对置电极部分，所述第三对置电极部分将所述第一对置电极部分与所述第二对置电极部分电连接。
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