JP2005128040A - 表示装置 - Google Patents

Abstract

【課題】 配線の引き回しに融通性をもたせた有機ＥＬ表示装置を得る。
【解決手段】 基板面に、表示部および該表示部の周辺に形成された表示駆動回路を備え、前記表示部には前記表示駆動回路によって駆動される複数の画素を有し、前記画素のそれぞれは該基板側から少なくとも一方の電極、発光層、他方の電極からなる積層体が形成され、各画素の前記他方の電極はそれぞれ電気的に共通に接続されているとともに、前記表示部以外の領域に該他方の電極と同層かつ同一の材料で形成された導電層が該他方の電極と電気的に分離されて形成されている。
【選択図】 図４

Description

本発明は表示装置に係り、たとえば有機ＥＬ(Electro Luminescence)表示装置に関する。

有機ＥＬ表示装置は、基板上の表示部内にマトリクス状に配置された複数の画素が形成され、これら各画素は該基板側から少なくとも一方の電極、発光層、他方の電極の積層体が設けられ、該電極を通して発光層に電流を流すことにより、該発光層を発光させるようにしている（特許文献１、特許文献２参照）。

また、いわゆるアクティブ・マトリクス型と称されるものは、少なくとも、一方向に並設された画素の画素群に沿って形成されたゲート信号線、このゲート信号線からの走査信号によってオンする各画素毎のスイッチング・トランジスタ、前記一方向に交差する方向に並設された画素の画素群に沿って形成されたドレイン信号線、このドレイン信号線からの映像信号を前記スイッチング・トランジスタを介して制御するドライブ・トランジスタ、このドライブ・トラジスタを介して前記一方の電極に電流を供給する電流供給線が備えられている。

そして、該一方の電極からは前記発光層を通して他方の電極に電流が流れるようになるが、該他方の電極は各画素に共通に、すなわち、各画素の集合である表示部の全域に亘って形成された導電膜から構成されている（特許文献３参照）。

特開２０００−３６３８１号公報 特開平９−１４８０６６号公報 特開平１０−３１９９０９号公報

しかしながら、このような有機ＥＬ表示装置は、基板上に積層された各材料層のうち前記他方の電極は最上層に近い部分に位置づけられているため、画素内あるいは画素の近傍に形成される信号線あるいは配線層は、前記他方の電極に対して下層に形成されていたのが現状である。

このため、配線等の配置において、スペース的に裕度をもたせることが要望されていた。限られた層において配線層等を形成することは、有機ＥＬ表示装置の面積を大きくしなければならなくなるからである。

このような要望を満たすためには、従前の構成よりも層を多くし、その層の一つとして前記配線層をあてがうことが考えられるが、製造工数が増大する等の不都合が生じ好ましくない。

本発明は、このような事情に基づいてなされたもので、その目的は、製造工数の増大をもたらすことなく、配線等の配置の自由度を大幅に向上させた有機ＥＬ表示装置を提供することにある。

本願において開示される発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、以下のとおりである。
手段１．
本発明による表示装置は、たとえば、基板面に、表示部および該表示部の周辺に形成された表示駆動回路を備え、前記表示部には前記表示駆動回路によって駆動される複数の画素を有し、前記画素のそれぞれは該基板側から少なくとも一方の電極、発光層、他方の電極からなる積層体が形成され、各画素の前記他方の電極はそれぞれ電気的に共通に接続されているとともに、前記表示部以外の領域に該他方の電極と同層かつ同一の材料で形成された導電層が該他方の電極と電気的に分離されて形成されていることを特徴とするものである。

手段２．
本発明による表示装置は、たとえば、手段１の構成を前提とし、前記導電層は、表示駆動回路の上方に絶縁膜を介し、その一部が該表示駆動回路と重畳して形成されていることを特徴とするものである。

手段３．
本発明による表示装置は、たとえば、手段１の構成を前提とし、前記導電層は、表示駆動回路の上方に絶縁膜を介し、その一部が該表示駆動回路と重畳することなく形成されていることを特徴とするものである。

手段４．
本発明による表示装置は、たとえば、手段１の構成を前提とし、前記導電層は、表示駆動回路の上方に絶縁膜を介し、該表示駆動回路と重畳することなく形成されていることを特徴とするものである。

手段５．
本発明による表示装置は、たとえば、手段１から４のいずれかの構成を前提とし、導電層は配線層であることを特徴とするものである。

手段６．
本発明による表示装置は、たとえば、手段１から４のいずれかの構成を前提とし、導電層は容量素子の一方の電極を兼ねていることを特徴とするものである。

手段７．
本発明による表示装置は、たとえば、基板面に、表示部および該表示部の周辺に形成された表示駆動回路を備え、前記表示部には前記表示駆動回路によって駆動される複数の画素を有し、前記画素のそれぞれは該基板側から少なくとも一方の電極、発光層、他方の電極からなる積層体が形成され、各画素の前記他方の電極はそれぞれ電気的に共通に接続されているとともに、前記表示部の領域に該他方の電極と同層かつ同一の材料で形成された導電層が該他方の電極と電気的に分離されて形成されていることを特徴とするものである。

手段８．
本発明による表示装置は、たとえば、手段７の構成を前提とし、導電層は配線層であることを特徴とするものである。

手段９．
本発明による表示装置は、たとえば、手段７の構成を前提とし、導電層は容量素子の一方の電極を兼ねていることを特徴とするものである。

手段１０．
本発明による表示装置は、たとえば、基板面に表示部を備え、該表示部は複数の画素を有し、該画素のそれぞれは該基板側から少なくとも一方の電極、発光層、他方の電極からなる積層体が形成され、前記一方の電極は電流供給配線を通して電流が供給されるとともに、該電流供給配線は前記他方の電極と絶縁層を介して下層に位置づけられ、前記他方の電極は、前記電流供給配線と重畳するのを回避して形成されていることを特徴とするものである。

なお、本発明は以上の構成に限定されず、本発明の技術思想を逸脱しない範囲で種々の変更が可能である。

前記手段１の構成によれば、表示部の全域を被って形成される各発光層の他の電極の周辺において、該電極の他に導電層が形成されていることから、この導電層を用いて、表示部の周辺の回路の配線等の引き回しに融通性をもたらすことができる。また、この導電層は前記他の電極と同時に形成することができることから、製造の増大をもたらすことのない効果を奏する。

前記手段２の構成によれば、前記導電層の形成において特別な領域を確保する必要なく、該導電層を形成することができるようになる。

前記手段３の構成によれば、前記導電層による配線等が複雑になる場合において、その一部を表示駆動回路の形成領域から若干はみ出してもよく、この場合においても、スペース的に有効な配線等の引き回しを行なうことができる。

前記手段４の構成によれば、たとえ前記導電膜等からなる配線層等を表示駆動回路に重畳させることなく形成しても、前記他の電極と同時に形成することができることから、製造の増大をもたらすことのない効果を奏する。

前記手段５の構成によれば、前記導電層を配線層とし、この配線層はそれより下層に形成される他の配線層と別個に形成でき、配線の引き回しにおいて融通性を有するようになる。

前記手段６の構成によれば、前記導電層を容量素子の一方の電極を兼ねるようにすることにより、該容量素子の配置個所等に融通性を有するようになる。

前記手段７の構成によれば、表示部の領域内においてもたとえば配線層等を前記他の電極と同層に形成することができ、表示部内の配線層等の形成に融通性を有するようになる。

前記手段８の構成によれば、前記導電層を配線層とし、この配線層はそれより下層に形成される他の配線層と別個に形成でき、配線の引き回しにおいて融通性を有するようになる。

前記手段９の構成によれば、前記導電層を容量素子の一方の電極を兼ねるようにすることにより、該容量素子の配置個所等に融通性を有するようになる。

前記手段１０の構成によれば、各画素の発光層の他方の電極と電流供給配線との間で発生する寄生容量を大幅に低減させることができる。

以下、本発明による有機ＥＬ表示装置の実施例を図面を用いて説明をする。
図１は、本発明による有機ＥＬ表示装置の構成の一実施例を示す概略平面図である。まず、矩形状のたとえばガラスから構成される透明基板ＳＵＢがある。

この透明基板ＳＵＢの僅かな周辺を除く中央部には表示部ＡＲが形成されている。この表示部ＡＲの構成は後に詳述するが、複数の画素がたとえばマトリクス状に複数配置され、これらの各画素の境界の部分にはｘ方向およびｙ方向に走行する複数の信号線が形成されている。

そして、前記表示部ＡＲを間にしてその左右の両脇にはそれぞれ走査信号駆動回路ＶＬ、ＶＲが形成されている。この走査信号駆動回路ＶＬ、ＶＲは該表示部ＡＲ内をそのｘ方向に延在しｙ方向に並設される複数のゲート信号線ＧＬ（図示せず）に接続されるもので、これら各ゲート信号線ＧＬに順次走査信号を走査して供給するようになっている。

また、前記表示部ＡＲの下側にはこの表示部ＡＲと近接してデータ信号駆動回路Ｈｅが形成されている。このデータ信号駆動回路Ｈｅは該表示部ＡＲ内をそのｙ方向に延在しｘ方向に並設される複数のデータ信号線ＤＬ（図示せず）に接続されるもので、これら各データ信号線ＧＬにデータ信号を前記走査信号の供給のタイミングに合わせて供給するようになっている。

さらに、前記表示部ＡＲ内には、前記ゲート信号線ＧＬ、データ信号線ＤＬの他に、電流供給線ＰＬが配置されている。この電流供給線ＰＬは、たとえばｙ方向に延在されｘ方向に並設された複数の信号線から構成され、図中上側で共通に接続された後、たとえば右側の走査信号駆動回路ＶＲの脇を通って後述する端子部ＴＲに引き出されるようになっている。

そして、透明基板ＳＵＢには、前記表示部ＡＲ、走査信号駆動回路ＶＬ、ＶＲ、映像信号駆動回路Ｈｅの各形成領域を囲むようにして封止シール部ＳＬが形成され、この封止シール部ＳＬは前記透明基板ＳＵＢとは異なる他の基板を該透明基板ＳＵＢと対向するようにして固定させるためのシール材となっている。各画素に形成される有機ＥＬ（発光層）は酸素、水分によって劣化を起すことから、外気との遮蔽を行なうためである。

透明基板ＳＵＢの下側であって前記封止シール部ＳＬの外側には端子部ＴＲが形成され、この端子部ＴＲから上述した電流供給線ＰＬに電流を供給し、走査信号駆動回路ＶＬ、ＶＲおよび映像信号駆動回路Ｈｅにそれぞれ信号を供給するようになっている。

このように、透明基板の表面に形成された信号線、画素、回路等は導電層、半導体層、および絶縁層の積層体で構成されるものであるが、その最上層あるいはそれに近い層として、表示部ＡＲはもちろんのこと、走査信号駆動回路ＶＬ、ＶＲ、映像信号駆動回路Ｈｅをも被った板状の導電層ＭＴＬが形成されている。この導電層ＭＴＬは、各画素の有機ＥＬ（発光層）の一方の電極が前記電流供給線ＰＬに接続されているのに対し、接地される側の他方の電極を構成するものとなっている。

そして、この導電層ＭＴＬが走査信号駆動回路ＶＬ、ＶＲ、映像信号駆動回路Ｈｅをも被った構成としているのは、この導電層ＭＴＬに遮光機能をも併せ持つようにしているからである。この導電層ＭＴＬによって、表示部ＡＲの各画素、走査信号駆動回路ＶＬ、ＶＲ、映像信号駆動回路Ｈｅ内にそれぞれ形成される半導体層に光が照射されるのを回避せんとしている。

したがって、導電層ＭＴＬはたとえばＡｌ等の金属から構成され、各画素の有機ＥＬからの光は透明基板ＳＵＢを介して外方に照射されるようになる。換言すれば、観察者が目視する表示部ＡＲは透明基板ＳＵＢ側を介してなされることになる。このため、発光層と積層して形成される一方の前記電極は透光性を有するように、たとえば、ITO (Indium Tin Oxide)、ITZO(Indium Tin Zinc Oxide)、IZO (Indium Zinc Oxide)、SnO₂（酸化スズ）、In₂O₃（酸化インジウム）等の材料が選定される。

なお、この導電層ＭＴＬもたとえば表示部ＡＲの上であって封止シール部ＳＬ内に形成されるコンタクトホールＣＨを介して信号線に接続され、この信号線は左側の走査信号駆動回路ＶＬの脇を通って前記端子部ＴＲに引き出されるようになっている。

図２は、前記有機ＥＬ表示装置の表示領域ＡＲの一実施例を示す等価回路図である。図中点線枠で示した部分が一画素に相当する。図２は等価回路図であるが、実際の幾何学的配置に対応させて描いている。

図２において、まず、ｘ方向に延在しｙ方向に並設されるゲート信号線ＧＬ、データ信号線ＤＬ、また、各データ信号線ＤＬのそれぞれに近接されてｙ方向に延在しｘ方向に並設される電流供給線ＰＬがある。
ここで、各ゲート信号線ＧＬの間の領域であって、図中左側のデータ信号線ＤＬと図中右側の電流供給線ＰＬとの領域を画素領域とするようになっている。

各画素領域には、片側のゲート信号線ＧＬ（図中上側）からの走査信号の供給によってオンされるスイッチングトランジスタＳＷを有し、このオンされたスイッチングトランジスタＳＷを介して片側のデータ信号線ＤＬからのデータ信号が供給される容量素子Ｃを有する。この容量素子Ｃの他端は接地されている。該容量素子Ｃに蓄積されるデータ信号に対応する電荷はドライブ・トランジスタＤＴのゲートに供給され、該電荷の量に応じて前記電流供給線ＰＬから電流が流れるようになっている。該ドライブ・トランジスタＤＴは一端が接地された有機ＥＬ素子ＬＥＤと直列接続され、該有機ＥＬ素子ＬＥＤはそれに前記電流が流れて発光するようになっている。

図３は、前記表示部ＡＲの一画素に相当する部分の断面を示した図である。
同図において、透明基板ＳＵＢがあり、この透明基板ＳＵＢの表面に、まずスイッチングトランジスタＳＷおよびドライブ・トランジスタＤＴが形成されている。
スイッチング素子ＳＷおよびドライブ・トランジスタＤＴは、その半導体としてたとえばポリシリコン（ｐ−Ｓｉ）で形成され、ほぼ同様の構成となっている。

すなわち、透明基板ＳＵＢ上のそれらの形成領域にポリシリコンからなる半導体層ＰＳが形成され、この半導体層ＰＳをも被って透明基板ＳＵＢ上には第１の絶縁膜ＧＩが形成されている。この第１の絶縁膜ＧＩは前記各トランジスタの形成領域においてゲート絶縁膜として機能するものである。

第１の絶縁膜ＧＩ上には前記各半導体層ＰＳの中央部を横切るようにしてゲート電極ＧＴが形成されている。このゲート電極ＧＴはそれと同層に形成される前記ゲート信号線ＧＬと一体に形成されるようになっている。

なお、製造の過程において、このゲート電極ＧＴを形成した後は該ゲート電極ＧＴをマスクとして半導体層ＰＳに不純物をドープし、各トランジスタにおいて、ドレイン領域およびソース領域を形成するようになっている。

そして、該ゲート電極ＧＴおよびゲート信号線ＧＬをも被って透明基板ＳＵＢ上には第２の絶縁膜ＩＮＳが形成されている。この第２の絶縁膜ＩＮＳは次に説明するデータ信号線ＤＬおよび電流供給線ＰＬの前記ゲート信号線ＧＬに対する層間絶縁膜として機能するものである。

データ信号線ＤＬはスイッチングトランジスタＳＷの形成領域においてその下の第２の絶縁膜ＩＮＳ、第１の絶縁膜ＧＩを貫通するスルーホールを通して該スイッチングトランジスタＳＷのドレイン領域に接続されている。また、電流供給線ＰＬはドライブ・トランジスタＤＴの形成領域においてその下の第２の絶縁膜ＩＮＳ、第１の絶縁膜ＧＩを貫通するスルーホールを通して該ドライブ・トランジスタＤＴのドレイン領域に接続されている。

なお、スイッチングトランジスタＳＷのソース電極は第２の絶縁膜ＩＮＳ、第１の絶縁膜ＧＩを貫通するスルーホールを通して第２の絶縁膜ＩＮＳ上に引き出され、ドライブ・トランジスタＤＴのゲート電極ＧＴと第２の絶縁膜ＩＮＳに形成されたスルーホールを通して電気的に接続されている。

ドライブ・トランジスタＤＴのソース電極は第２の絶縁膜ＩＮＳ、第１の絶縁膜ＧＩを貫通するスルーホールを通して形成され、この電極は後に説明する発光層の一方の電極に引き出されるようになっている。

このようにデータ信号線ＤＬ、電流供給線ＰＬ等が形成された透明基板ＳＵＢの表面には、該データ信号線ＤＬ、電流供給線ＰＬ等をも被って第３の絶縁膜ＰＡＳが形成されている。

そして、この第３の絶縁膜ＰＡＳの表面には、該第３の絶縁膜ＰＡＳに形成されたスルーホールを通して前記ドライブ・トランジスタＤＴのソース電極に接続された電極ＡＤが形成されている。この電極ＡＤは後述する有機ＥＬ（発光層）の一方の電極を構成するもので、たとえばITO (Indium Tin Oxide)、ITZO(Indium Tin Zinc Oxide)、IZO (Indium Zinc Oxide)、SnO₂（酸化スズ）、In₂O₃（酸化インジウム）等の透光性の導電材からなっている。

さらに、前記電極ＡＤの一部を露出させるようにし、いわゆるバンク層ＢＭＰが形成されている。このバンク層ＢＭＰはたとえば樹脂等で形成されたもので、製造の過程において、流動性を有する有機ＥＬからなる発光層を前記電極ＡＤ上の定位置に堆積させる機能を有する。

換言すれば、バンク層ＢＭＰに形成される開口ＯＰＮにおいて、その開口ＯＰＮから露出された前記電極ＡＤの表面に発光層ＬＥＤが埋設するようにして形成されている。なお、この発光層ＬＥＤは、有機ＥＬの他、正孔輸送層、電子輸送層等を積層させて形成する場合もあるが、この場合は、これら正孔輸送層、電子輸送層等をも含めてこの明細書では発光層と称する。

そして、前記バンク層ＢＭＰ、およびこのバンク層ＢＭＰに形成された開口に埋設された発光層ＬＥＤの上面に導電層ＭＴＬが形成されている。この導電層ＭＴＬは、前記電極ＡＤを一方の電極とすれば、他方の電極ＣＤに相当し、該発光層ＬＥＤを挟持して形成される。

前記導電層ＭＴＬは隣接する画素においても共通に形成され、これによりバンク層ＢＭＰの表面に及んで形成されている。また、たとえばＡｌ等の金属からなる非透光性の材料から構成され、この結果、発光層ＬＥＤからの光は透光性の前記電極ＡＤ、透明基板ＳＵＢ等を介して照射されるようになる。

図４は、本発明による有機ＥＬ表示装置の他の実施例を示す平面図で、図１に対応した図となっている。
図１の場合と比較して異なる構成は導電層ＭＴＬ（ＣＤ）にある。すなわち、表示部ＡＲおよび映像信号駆動回路Ｈｅを被って形成される導電層ＭＴＬ１と、左側に配置される走査信号駆動回路ＶＬを被って形成される導電層ＭＴＬ２と、右側に配置される走査信号駆動回路ＶＲを被って形成される導電層ＭＴＬ３は、いずれも同層に形成され、かつ同一の材料層で構成されているが、それぞれ物理的に分離されて形成されていることにある。

そして、表示部ＡＲおよび映像信号駆動回路Ｈｅを被って形成される導電層ＭＴＬ１は表示部ＡＲの各画素の発光層ＬＥＤの一方の電極として電位が与えられ、左側に配置される走査信号駆動回路ＶＬを被って形成される導電層ＭＴＬ２、および右側に配置される走査信号駆動回路ＶＲを被って形成される導電層ＭＴＬ３はたとえばグランド線として機能するようになっている。

この場合、各走査信号駆動回路ＶＬ、ＶＲを被って形成されるそれぞれの導電層ＭＴＬ２、ＭＴＬ３はグランド線として形成することなく、対応する走査信号駆動回路ＶＬ、ＶＲの配線として用いるようにしてもよい。すなわち、走査信号線駆動回路ＶＬ、ＶＲ内の結線として、最上層あるいはそれに近い層を除く他の層に形成した配線以外に前記導電層ＭＴＬ２、ＭＴＬ３をも用いるようにしてもよい。この導電層ＭＴＬ２、ＭＴＬ３と他の配線層との接続に際し、スルーホールを形成しなければならないことになるが、走査信号駆動回路ＶＬ、ＶＲで占める面積を小さくすることができる等の効果を奏するからである。

このことから、該導電層ＭＴＬ２、ＭＴＬ３は各走査信号駆動回路ＶＬ、ＶＲを被うようにして形成する必要はなく、走査信号線駆動回路ＶＬ、ＶＲの形成領域においてその一部に重畳するようにして形成するようにしてもよい。

要は、少なくとも表示部ＡＲを被う導電層ＭＴＬ１が形成され、この導電層ＭＴＬ１と同層で、かつ同一の材料層からなる他の導電層ＭＴＬ２等が、それぞれ電気的に分離されており、前記他の導電層ＭＴＬ２等が他の用途に用いられておればよい。

図５は、本発明による有機ＥＬ表示装置の他の実施例を示す平面図で、図１に対応した図となっている。
図１の場合と比較して異なる構成は導電層ＭＴＬにあり、この導電層ＭＴＬは、表示部ＡＲ、左側の走査信号駆動回路ＶＬ、および映像信号駆動回路Ｈｅを被う部分が一体として形成され、表示部ＡＲの右側において、図中ｙ方向に延在する導電層ＭＴＬ４が前記導電層ＭＴＬと分離されて形成されている。

また、この導電層ＭＴＬ４の下層には走査信号駆動回路ＶＲは形成されておらず、各ゲート信号線ＧＬへの走査信号の供給は全て左側の走査信号駆動回路ＶＬによってなされるようになっている。
そして、前記導電層ＭＴＬ４は端子ＴＲから各電流供給線ＰＬへ電流を供給するための配線層として機能させている。

この場合、導電層ＭＴＬ４に対して電流供給線ＰＬおよび端子ＴＲからの配線層は絶縁膜を介して下層に位置づけられていることから、それらは該絶縁膜に形成したスルーホールを通して電気的に接続されている。

図６は、本発明による有機ＥＬ表示装置の他の実施例を示す平面図で、図５に対応した図となっている。
図５の場合と比較して異なる構成は、前記導電層ＭＴＬ４を端子ＴＲから各電流供給線ＰＬへ電流を供給するための配線層として機能させるとともに、この導電層ＭＴＬ４の下層に右側の走査信号駆動回路ＶＲを配置させている。
そして、前記導電膜ＭＴＬ４はその一部を容量素子の一方の電極として機能させるように構成している。すなわち、該導電膜ＭＴＬ４の下層には誘電体膜である絶縁膜を有し、この絶縁膜の下層に容量素子の他方の電極として機能する配線層が形成された構成となっている。

図７は、前記容量素子の一方の電極とした前記導電膜の部分における断面図で、図３に対応した図となっている。
この場合、前記容量素子の誘電体膜はバンク層ＢＭＰを利用して構成している。すなわち、第３の絶縁膜ＰＡＳの上面に形成する導電層と該バンク層ＢＭＰを挟んで形成される前記導電膜ＭＴＬ４との間に容量素子Ｃ１、Ｃ２等を形成している。

図８は、本発明による有機ＥＬ表示装置の他の実施例を示す平面図で、図４に対応した図となっている。
図４の場合と比較して異なる構成は表示部ＡＲを被う導電膜ＭＴＬ１にあり、この導電膜ＭＴＬは図中ｙ方向に沿ってスリットＳＴが形成され、このスリットＳＴは図中ｘ方向に並設されて形成されている。
ここで、これら各スリットＳＴが形成された部分の下層には前記電流供給線ＰＬが配置された位置関係にあり、該電流供給線ＰＬと前記導電膜ＭＴＬ１は重畳が回避させた構成となっている。
これにより、電流供給線ＰＬと前記導電膜ＭＴＬ１との間に生じる寄生容量の大幅な低減を図った構成としている。

図９は、前記導電膜ＭＴＬ１のスリットＳＴが形成された部分における断面図を示し、図３と対応した図となっている。
なお、この場合の構成において、表示部を被う導電膜ＭＴＬ１と左側の走査信号駆動回路ＶＬを被う導電膜ＭＴＬ２あるいは右側の走査信号駆動回路ＶＲを被う導電膜ＭＴＬ３とが接続された構成とするようにしてもよいことはいうまでもない。換言すれば、図１に示した構成を前提とし、導電膜ＭＴＬに電流供給線ＰＬとの重畳を回避させるスリットＳＴを設けるようにしてもよい。

上述した各実施例は一画素に２つのトランジスタを備える有機ＥＬ表示装置について説明したものであるが、４つのトランジスタを備えるものにおいてもそのまま適用できることはいうまでもない。各画素を駆動する回路が複雑となるだけで他の事情は同じだからである。

一画素に４つのトランジスタを備える画素の構成の一実施例を図１０（ａ）に示す。図１０（ａ）において、該一画素は、その図中上側において当該画素を選択駆動するゲート信号線ＧＬによって画され、左側において当該画素に映像信号を供給するデータ信号線ＤＬによって画され、右側において当該画素に電流を供給する電流供給線ＰＬによって画され、下側において当該画素と隣接する他の画素を選択駆動するゲート信号線ＧＬによって画されている。

この一画素の領域は図中上側と下側とに区分され、下側の領域には有機ＥＬ層からなる発光層が形成され、上側の領域には前記映像信号対応した電流を形成するための回路が形成されている。

発光層が形成された前記領域には、基板側からたとえば透光性の導電層からなる一方の電極（図中ＩＴＯで示す）、発光層、他方の電極が順次積層されている。前記発光層は前記一方の電極の上層に形成されたバンク層の開口部（図中ＢＭＰ，ＯＰＮ）に埋設されて形成され、この部分が実質的に発光部として構成される。また、前記他方の電極は前記バンク層の上面をも被って各画素に共通に形成されている。

前記一方の電極を陽極、他方の電極を陰極として、その間の発光層に電流が流れることによって、該発光層は電流に応じた強度で発光がなされるようになっている。なお、前記バンク層は当該画素からの発光を隣接する画素内に伝達されるのを回避するため、あるいは、製造の工程において当初流動性をもつ発光層を所定の輪郭を有するように形成するために設けられている。

前記回路に形成された前記領域には、スイッチング素子ＳＷ１、ＳＷ２、ＳＷ３、スイッチング素子ＳＷ２をオン・オフするコントロール信号線ＣＬ１、スイッチング素子ＳＷ３をオン・オフするコントロール信号線ＣＬ２、ドライブ・トランジスタＤＴ、容量素子Ｃ１−ＣＳｉ、ＣＳｉ−Ｃ２が形成されている。

この回路は、ゲート信号線ＧＬからの走査信号によって、データ信号線ＤＬから映像信号を取り込み、この映像信号の強弱（電圧）に応じて、電流供給線ＰＬからの電流を前記発光層が形成された領域の一方の電極に供給するようになっている。

ここで、前記スイッチング素子ＳＷ２、ＳＷ３、および容量素子Ｃｓｉ−Ｃ２は、ドライブ・トランジスタＤＴの閾値電圧が各画素毎にばらつきがある場合において、そのばらつき補正をするために設けられている。

図１０（ｂ）は前記一画素における等価回路を示し、図１０（ａ）に示す幾何学的配置にほぼ対応させて描いている。

ゲート信号線ＧＬからの走査信号によって、スイッチング素子ＳＷ１がオンし、ドレイン信号線ＤＬからの映像信号が該スイッチング素子ＳＷ１を介して容量素子Ｃ１−ＣＳｉの一方の電極Ｃ１に供給される。このとき、該容量素子Ｃ１−ＣＳｉの他方の電極はフローティング状態となっている。

なお、容量素子Ｃ１−ＣＳｉは、その他方の電極と導電位となるゲート電極を有するドライブ・トランジスタＤＴのゲート電位を所定の期間に亘り所望の値に維持させる機能を有する。

このような状態で、まず、コントロール信号線ＣＬ１を通して伝送された制御信号がスイッチング素子ＳＷ２をターン・オンさせる。このとき、ドライブ・トランジスタＤＴはターン・オンされないものの、そのノードＣＨ２側はフローティング状態から有機ＥＬ素子ＬＥＤを通して基準電位に接続され、その電位は所定の値に上がる。

次にコントロール信号線ＣＬ２を通して伝送された制御信号が、これに対応するスイッチング素子ＳＷ３をターン・オンさせる。これにより、フローティング状態にあった容量素子ＣＳｉ−Ｃ２の一方の電極ＣＳｉは、スイッチング素子ＳＷ３を通してドライブ・トランジスタＤＴのノードＣＨ２側と接続され、その電位は上記所定の値に上がる。このとき、ドライブ・トランジスタＤＴのゲート電位（ノードＣＨ１の電位）はその出力側（ノードＣＨ２）と同じため、ドライブ・トランジスタＤＴのチャネル層は電荷の流れを遮断する。

電流供給線ＰＬには、データ信号線ＤＬで伝送される映像信号に関係なく所定の電流が流れるため、その電位も概ね一定である。したがって、２つのスイッチング素子ＳＷ２、ＳＷ３を順次ターン・オンする（それぞれのチャネル層を順次導通状態にする）ことにより、いずれの画素の容量素子ＣＳｉ−Ｃ２にも概ね同じ量の電荷が蓄えられる。

この状態で、スイッチング素子ＳＷ３のチャネル層を閉ざし、次にスイッチング素子ＳＷ１がターン・オンされると、容量素子Ｃ１−ＣＳｉの一方の電極Ｃ１に印加される電圧（映像信号）に応じて、容量素子Ｃ１−ＣＳｉの容量も変り、これに応じてノードＣＨ１の電位（ドライブ・トランジスタＤＴのゲート電位）とその出力側（ノードＣＨ２側）の電位との間に差が生じる。
この電位差により、ドライブ・トランジスタＤＴをターン・オンし、またターン・オンされたチャネルに流れる電荷量を制御して有機ＥＬ素子ＬＥＤを所望の輝度で光らせる。

上述した各実施例はそれぞれ単独に、あるいは組み合わせて用いても良い。それぞれの実施例での効果を単独であるいは相乗して奏することができるからである。

本発明による有機ＥＬ表示装置の一実施例を示す平面図である。 本発明による有機ＥＬ表示装置の表示部の回路を示す図である。 本発明による有機ＥＬ表示装置の画素の領域における構成の一実施例を示す断面図である。 本発明による有機ＥＬ表示装置の他の実施例を示す平面図である。 本発明による有機ＥＬ表示装置の他の実施例を示す平面図である。 本発明による有機ＥＬ表示装置の他の実施例を示す平面図である。 本発明による有機ＥＬ表示装置の画素の領域における構成の他の実施例を示す断面図である。 本発明による有機ＥＬ表示装置の他の実施例を示す平面図である。 本発明による有機ＥＬ表示装置の画素の領域における構成の他の実施例を示す断面図である。 本発明による有機ＥＬ表示装置の画素の領域における構成の他の実施例を示す説明図である。

符号の説明

ＳＵＢ…基板、ＧＬ…ゲート信号線、ＤＬ…データ信号線、ＰＬ…電流供給線、ＳＷ…スイッチングトランジスタ、ＤＴ…ドライブ・トランジスタ、Ｃ…容量素子、ＰＳ…半導体層、ＢＭＰ…バンク層、ＬＥＤ…発光層、ＭＴＬ…導電膜、ＳＴ…スリット

Claims (10)

1. 基板面に、表示部および該表示部の周辺に形成された表示駆動回路を備え、前記表示部には前記表示駆動回路によって駆動される複数の画素を有し、
   前記画素のそれぞれは該基板側から少なくとも一方の電極、発光層、他方の電極からなる積層体が形成され、各画素の前記他方の電極はそれぞれ電気的に共通に接続されているとともに、前記表示部以外の領域に該他方の電極と同層かつ同一の材料で形成された導電層が該他方の電極と電気的に分離されて形成されていることを特徴とする表示装置。
2. 前記導電層は、表示駆動回路の上方に絶縁膜を介し、その一部が該表示駆動回路と重畳して形成されていることを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
3. 前記導電層は、表示駆動回路の上方に絶縁膜を介し、その一部が該表示駆動回路と重畳することなく形成されていることを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
4. 前記導電層は、表示駆動回路の上方に絶縁膜を介し、該表示駆動回路と重畳することなく形成されていることを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
5. 導電層は配線層であることを特徴とする請求項１から４のいずれかに記載の表示装置。
6. 導電層は容量素子の一方の電極を兼ねていることを特徴とする請求項１から４のいずれかに記載の表示装置。
7. 基板面に、表示部および該表示部の周辺に形成された表示駆動回路を備え、前記表示部には前記表示駆動回路によって駆動される複数の画素を有し、
   前記画素のそれぞれは該基板側から少なくとも一方の電極、発光層、他方の電極からなる積層体が形成され、各画素の前記他方の電極はそれぞれ電気的に共通に接続されているとともに、前記表示部の領域に該他方の電極と同層かつ同一の材料で形成された導電層が該他方の電極と電気的に分離されて形成されていることを特徴とする表示装置。
8. 導電層は配線層であることを特徴とする請求項７に記載の表示装置。
9. 導電層は容量素子の一方の電極を兼ねていることを特徴とする請求項７に記載の表示装置。
10. 基板面に表示部を備え、該表示部は複数の画素を有し、該画素のそれぞれは該基板側から少なくとも一方の電極、発光層、他方の電極からなる積層体が形成され、
    前記一方の電極は電流供給配線を通して電流が供給されるとともに、該電流供給配線は前記他方の電極と絶縁層を介して下層に位置づけられ、
    前記他方の電極は、前記電流供給配線と重畳するのを回避して形成されていることを特徴とする表示装置。
    

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