JP2003316284A - 表示装置 - Google Patents
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- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
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Abstract
(57)【要約】
【課題】周辺駆動回路に電源等を供給するバスラインの
配線自由度を高め、表示装置の額縁面積を縮小する。 【解決手段】各種バスライン120〜124を画素電極
24と同一層で形成すると共に、周辺駆動回路について
は画素電極24よりも下層の層、例えばゲート電極6
0、データライン22、TFTの能動層14等の層を用
いて構成する。そして、HVDDバスライン120をH
スキャナー101上に重畳して配線し、VSSバスライ
ン121をHSW回路102及びVスキャナー104上
に重畳して配線し、プリチャージデータ・バスライン1
22をPSW回路103上に重畳して配線し、VVDD
バスライン123をVスキャナー104上に重畳して配
線する。
配線自由度を高め、表示装置の額縁面積を縮小する。 【解決手段】各種バスライン120〜124を画素電極
24と同一層で形成すると共に、周辺駆動回路について
は画素電極24よりも下層の層、例えばゲート電極6
0、データライン22、TFTの能動層14等の層を用
いて構成する。そして、HVDDバスライン120をH
スキャナー101上に重畳して配線し、VSSバスライ
ン121をHSW回路102及びVスキャナー104上
に重畳して配線し、プリチャージデータ・バスライン1
22をPSW回路103上に重畳して配線し、VVDD
バスライン123をVスキャナー104上に重畳して配
線する。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は表示装置に関し、特
に周辺駆動回路のレイアウトの自由度を高め表示装置の
縮小化を図る技術に関する。
に周辺駆動回路のレイアウトの自由度を高め表示装置の
縮小化を図る技術に関する。
【0002】
【従来の技術】一般的な反射型のアクティブマトリクス
型液晶表示装置(以下、略して反射型LCD)等のフラ
ットパネルディスプレイは、薄型化、小型化、軽量化が
可能で低消費電力であり、LCD等は、既に、様々な機
器の表示部として、携帯情報機器をはじめ、多くの機器
に採用されている。LCD等において、各画素に、スイ
ッチ素子として薄膜トランジスタ等を設けたものは、ア
クティブマトリクス型と称され、このパネルは、表示画
素毎の表示内容の維持が確実であるため、高精細な表示
や高い表示品質を実現するための表示装置として用いら
れている。
型液晶表示装置(以下、略して反射型LCD)等のフラ
ットパネルディスプレイは、薄型化、小型化、軽量化が
可能で低消費電力であり、LCD等は、既に、様々な機
器の表示部として、携帯情報機器をはじめ、多くの機器
に採用されている。LCD等において、各画素に、スイ
ッチ素子として薄膜トランジスタ等を設けたものは、ア
クティブマトリクス型と称され、このパネルは、表示画
素毎の表示内容の維持が確実であるため、高精細な表示
や高い表示品質を実現するための表示装置として用いら
れている。
【0003】図3は、アクティブマトリクス型LCDの
表示画素についての等価回路を示している。各表示画素
は、ゲートラインとデータラインに接続された薄膜トラ
ンジスタ11(TFT)を備え、ゲートラインに出力さ
れる選択信号によってTFTがオンすると、データライ
ンからこのTFTを介して表示内容に応じたデータが液
晶容量12(Clc)に供給される。ここで、TFTが
選択されてデータが書き込まれてから次にTFTが再び
選択されるまでの期間、書き込まれた表示データを確実
に保持することが必要であるため、TFTに対して液晶
容量Clcと並列に補助容量13(Csc)が接続され
ている。
表示画素についての等価回路を示している。各表示画素
は、ゲートラインとデータラインに接続された薄膜トラ
ンジスタ11(TFT)を備え、ゲートラインに出力さ
れる選択信号によってTFTがオンすると、データライ
ンからこのTFTを介して表示内容に応じたデータが液
晶容量12(Clc)に供給される。ここで、TFTが
選択されてデータが書き込まれてから次にTFTが再び
選択されるまでの期間、書き込まれた表示データを確実
に保持することが必要であるため、TFTに対して液晶
容量Clcと並列に補助容量13(Csc)が接続され
ている。
【0004】図4はLCDパネル300の全体の構成を
示す平面図である。LCDパネル300の中央には表示
領域100が配置されている。この表示領域100には
上述した表示画素がマトリクス状に配置されている。そ
して、表示領域100の周辺には、Hスキャナー10
1、HSW回路102、PSW回路103、Vスキャナ
ー104等の周辺駆動回路及び入力端子群105が配置
されている。
示す平面図である。LCDパネル300の中央には表示
領域100が配置されている。この表示領域100には
上述した表示画素がマトリクス状に配置されている。そ
して、表示領域100の周辺には、Hスキャナー10
1、HSW回路102、PSW回路103、Vスキャナ
ー104等の周辺駆動回路及び入力端子群105が配置
されている。
【0005】Hスキャナー(水平駆動回路)101は水
平走査信号を発生する回路である。HSW回路102
は、この水平走査信号に基づいてビデオ信号をデータラ
インに供給するためのスイッチ回路である。PSW回路
103は全てのデータラインに接続され、同時にオン、
オフするスイッチ回路であり、同時オンの場合には後述
するプリチャージデータ・バスライン112からプリチ
ャージデータ(プリチャージ信号)を全てのデータライ
ンに供給する。
平走査信号を発生する回路である。HSW回路102
は、この水平走査信号に基づいてビデオ信号をデータラ
インに供給するためのスイッチ回路である。PSW回路
103は全てのデータラインに接続され、同時にオン、
オフするスイッチ回路であり、同時オンの場合には後述
するプリチャージデータ・バスライン112からプリチ
ャージデータ(プリチャージ信号)を全てのデータライ
ンに供給する。
【0006】また、Vスキャナー(垂直駆動回路)は一
水平期間毎にハイになる垂直走査信号を、上述の選択信
号としてゲートラインに出力する回路である。
水平期間毎にハイになる垂直走査信号を、上述の選択信
号としてゲートラインに出力する回路である。
【0007】入力端子群105からは、HVDD(Hス
キャナー用電源電圧)、VSS(接地電圧)、プリチャ
ージデータ、VVDD(Vスキャナー用電源電圧)、V
COM(共通電圧)等が入力され、これらに対応するH
VDDバスライン110、VSSバスライン111、プ
リチャージデータ・バスライン112、VVDDバスラ
イン113、COMバスライン114がLCDパネル3
00の周辺に配線されている。これらの各種バスライン
110〜114は周辺駆動回路に必要なデータや電源を
供給している。
キャナー用電源電圧)、VSS(接地電圧)、プリチャ
ージデータ、VVDD(Vスキャナー用電源電圧)、V
COM(共通電圧)等が入力され、これらに対応するH
VDDバスライン110、VSSバスライン111、プ
リチャージデータ・バスライン112、VVDDバスラ
イン113、COMバスライン114がLCDパネル3
00の周辺に配線されている。これらの各種バスライン
110〜114は周辺駆動回路に必要なデータや電源を
供給している。
【0008】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、各種バ
スライン110〜114は周辺駆動回路を構成するTF
Tのポリシリコン層やアルミニウム配線層と同一層の配
線層で形成されていたため、周辺駆動回路上に重畳でき
ないというパターンレイアウト上の制約があった。しか
も、各種バスライン110〜114は時定数を小さくす
る必要から、LCDパネルのサイズが大きくなれば配線
幅をより広く確保する必要があったので、LCDパネル
300の額縁面積が大きくなってしまうという問題点を
有していた。
スライン110〜114は周辺駆動回路を構成するTF
Tのポリシリコン層やアルミニウム配線層と同一層の配
線層で形成されていたため、周辺駆動回路上に重畳でき
ないというパターンレイアウト上の制約があった。しか
も、各種バスライン110〜114は時定数を小さくす
る必要から、LCDパネルのサイズが大きくなれば配線
幅をより広く確保する必要があったので、LCDパネル
300の額縁面積が大きくなってしまうという問題点を
有していた。
【0009】そこで本発明は、各種バスライン110〜
114のパターンレイアウトの制約を無くし、LCDパ
ネル300の縮小化を図ることを目的としている。
114のパターンレイアウトの制約を無くし、LCDパ
ネル300の縮小化を図ることを目的としている。
【0010】
【課題を解決するための手段】本発明の表示装置は、複
数の表示画素から成る表示領域と、前記表示領域の周辺
に配置され前記各表示画素に駆動信号を供給する周辺駆
動回路と、前記周辺画素回路に電源電圧等を供給するバ
スラインとを有し、さらに前記各表示画素毎に、薄膜ト
ランジスタと、この薄膜トランジスタを介して画素電圧
が印加される画素電極とを有する表示装置において、前
記バスラインを前記画素電極と同一の層の配線層で形成
すると共に、前記周辺駆動回路を前記画素電極より下層
の層で形成したことを特徴とするものである。
数の表示画素から成る表示領域と、前記表示領域の周辺
に配置され前記各表示画素に駆動信号を供給する周辺駆
動回路と、前記周辺画素回路に電源電圧等を供給するバ
スラインとを有し、さらに前記各表示画素毎に、薄膜ト
ランジスタと、この薄膜トランジスタを介して画素電圧
が印加される画素電極とを有する表示装置において、前
記バスラインを前記画素電極と同一の層の配線層で形成
すると共に、前記周辺駆動回路を前記画素電極より下層
の層で形成したことを特徴とするものである。
【0011】かかる構成によれば、前記バスラインは表
示領域の周辺に自由に配線することができるようになる
ので、設計の自由度が向上する。
示領域の周辺に自由に配線することができるようになる
ので、設計の自由度が向上する。
【0012】また、上記構成に加えて、前記バスライン
を前記周辺駆動回路上に重畳して配置することにより、
表示装置の額縁面積を大幅に縮小することができる。
を前記周辺駆動回路上に重畳して配置することにより、
表示装置の額縁面積を大幅に縮小することができる。
【0013】
【発明の実施の形態】次に本発明の実施形態について図
面を参照しながら詳細に説明する。なお、表示装置とし
ては、以下液晶表示装置を例に説明する。図1は、本発
明の実施の形態に係るアクティブマトリクス型液晶表示
装置の表示画素の断面構造を示している。
面を参照しながら詳細に説明する。なお、表示装置とし
ては、以下液晶表示装置を例に説明する。図1は、本発
明の実施の形態に係るアクティブマトリクス型液晶表示
装置の表示画素の断面構造を示している。
【0014】この液晶表示装置は、ガラスなどの透明絶
縁材料が用いられた第1基板10と第2基板500との
間に液晶200が挟んで貼り合わされて構成されてい
る。
縁材料が用いられた第1基板10と第2基板500との
間に液晶200が挟んで貼り合わされて構成されてい
る。
【0015】各表示画素の等価回路は上述の図3と同様
であり、第1基板10上には図1に示すように画素電極
24が配置され、各画素電極24に対応してトップゲー
ト型TFTが設けられている。
であり、第1基板10上には図1に示すように画素電極
24が配置され、各画素電極24に対応してトップゲー
ト型TFTが設けられている。
【0016】TFTの能動層14(例えば、ポリシリコ
ン層)に設けられたチャネル領域14c上にはゲート絶
縁層66が形成され、ゲート絶縁層66上にはゲート電
極60が形成されている。ゲート電極60(例えば、モ
リブデン層)は層間絶縁膜68で覆われている。また、
能動層14のドレイン14dはゲート絶縁層66及び層
間絶縁膜68に形成されたコンタクトホールCN1を介
して列方向に延びるデータライン22(例えば、アルミ
ニウム層)に接続されている。
ン層)に設けられたチャネル領域14c上にはゲート絶
縁層66が形成され、ゲート絶縁層66上にはゲート電
極60が形成されている。ゲート電極60(例えば、モ
リブデン層)は層間絶縁膜68で覆われている。また、
能動層14のドレイン14dはゲート絶縁層66及び層
間絶縁膜68に形成されたコンタクトホールCN1を介
して列方向に延びるデータライン22(例えば、アルミ
ニウム層)に接続されている。
【0017】そして、能動層14のソース14sはゲー
ト絶縁層66及び層間絶縁膜68に形成されたコンタク
トホールを介して電極23に接続されている。電極23
は厚い平坦化絶縁膜72(膜厚は1.2μm程度)に設
けられたコンタクトホールCN2を介して上層の画素電
極24(例えば、アルミニウム層から成る反射電極)に
接続されている。
ト絶縁層66及び層間絶縁膜68に形成されたコンタク
トホールを介して電極23に接続されている。電極23
は厚い平坦化絶縁膜72(膜厚は1.2μm程度)に設
けられたコンタクトホールCN2を介して上層の画素電
極24(例えば、アルミニウム層から成る反射電極)に
接続されている。
【0018】また、能動層14のソース14sには補助
容量Cscが接続されている。補助容量Cscは、2つ
の補助容量C1,C2が並列に構成されている。補助容
量C1はゲート絶縁層66を挟んで、能動層14のソー
ス14sと上層の電極31とで形成される。電極31は
ゲート電極60と同一層である。
容量Cscが接続されている。補助容量Cscは、2つ
の補助容量C1,C2が並列に構成されている。補助容
量C1はゲート絶縁層66を挟んで、能動層14のソー
ス14sと上層の電極31とで形成される。電極31は
ゲート電極60と同一層である。
【0019】また、補助容量C2は、ゲート絶縁層66
の下層の絶縁層12を挟んで、能動層14のソース14
sと下層の電極32とで形成される。電極32は、第1
基板10側からの光の入射を遮るための遮光層33(例
えば、Cr層から成る)と同一層で形成されている。
の下層の絶縁層12を挟んで、能動層14のソース14
sと下層の電極32とで形成される。電極32は、第1
基板10側からの光の入射を遮るための遮光層33(例
えば、Cr層から成る)と同一層で形成されている。
【0020】このように補助容量Cscは能動層14の
ソース14sに並列接続された2つの補助容量C1,C
2から構成されているので、1つの補助容量を接続する
場合に比べて単位面積当たりの補助容量値が大きくな
る。ゲート絶縁層66と絶縁層12の厚さが同じ(例え
ば、0.1μm)とすれば、単位面積当たりの補助容量
値は通常の2倍になる。これにより、補助容量の面積を
小さくできるので、表示画素の開口率を向上することが
できる。
ソース14sに並列接続された2つの補助容量C1,C
2から構成されているので、1つの補助容量を接続する
場合に比べて単位面積当たりの補助容量値が大きくな
る。ゲート絶縁層66と絶縁層12の厚さが同じ(例え
ば、0.1μm)とすれば、単位面積当たりの補助容量
値は通常の2倍になる。これにより、補助容量の面積を
小さくできるので、表示画素の開口率を向上することが
できる。
【0021】また、第1基板10と対向配置される第2
基板500には共通電圧VCOMが印加される共通電極
56や、カラーフィルタ54等が配置されている。そし
て、各画素電極24と液晶200を挟んで対向する共通
電極56との間に印加される電圧によって液晶200が
配向することで液晶表示がなされる。
基板500には共通電圧VCOMが印加される共通電極
56や、カラーフィルタ54等が配置されている。そし
て、各画素電極24と液晶200を挟んで対向する共通
電極56との間に印加される電圧によって液晶200が
配向することで液晶表示がなされる。
【0022】図2は本発明の実施の形態に係るLCDパ
ネル300の全体構成を示す図である。LCDパネル3
00の中央には表示領域100が配置されている。この
表示領域100には、図1を用いて説明した表示画素が
マトリクス状に配置されている。そして、表示領域10
0の周辺には、Hスキャナー101、HSW回路10
2、PSW回路103、Vスキャナー104等の周辺駆
動回路及び入力端子群105が配置されている。
ネル300の全体構成を示す図である。LCDパネル3
00の中央には表示領域100が配置されている。この
表示領域100には、図1を用いて説明した表示画素が
マトリクス状に配置されている。そして、表示領域10
0の周辺には、Hスキャナー101、HSW回路10
2、PSW回路103、Vスキャナー104等の周辺駆
動回路及び入力端子群105が配置されている。
【0023】入力端子群105からは、HVDD(Hス
キャナー用電源電圧)、VSS(接地電圧)、プリチャ
ージデータ、VVDD(Vスキャナー用電源電圧)、V
COM(共通電圧)等が入力され、これらに対応するH
VDDバスライン120、VSSバスライン121、プ
リチャージデータ・バスライン122、VVDDバスラ
イン123、COMバスライン124がLCDパネル3
00の周辺に配線されている。これらの各種バスライン
120〜124は周辺駆動回路に必要なデータや電源を
供給している。
キャナー用電源電圧)、VSS(接地電圧)、プリチャ
ージデータ、VVDD(Vスキャナー用電源電圧)、V
COM(共通電圧)等が入力され、これらに対応するH
VDDバスライン120、VSSバスライン121、プ
リチャージデータ・バスライン122、VVDDバスラ
イン123、COMバスライン124がLCDパネル3
00の周辺に配線されている。これらの各種バスライン
120〜124は周辺駆動回路に必要なデータや電源を
供給している。
【0024】本発明の特徴は、各種バスライン120〜
124を画素電極24と同一層で形成すると共に、周辺
駆動回路については画素電極24よりも下層の層、例え
ばゲート電極60(モリブデン層)、データライン22
(アルミニウム層)、TFTの能動層14等の層を用い
て構成したことである。
124を画素電極24と同一層で形成すると共に、周辺
駆動回路については画素電極24よりも下層の層、例え
ばゲート電極60(モリブデン層)、データライン22
(アルミニウム層)、TFTの能動層14等の層を用い
て構成したことである。
【0025】透過型LCDは、画素電極24をITOの
ような透明導電体で形成するが、このITOは、導電率
が低いため、回路配線として用いることはほとんどな
い。そして、反射型LCDにおいても、透過型LCDと
同じ回路設計を流用して、開発費用を低減する目的か
ら、従来は画素電極24の層は回路配線に用いられるこ
とはなかった。これに対し、本願では、反射型LCDに
おいては、画素電極24がアルミニウムなどの金属層で
形成されることに着目し、画素電極24のアルミニウム
層を周辺駆動回路の配線として用いるのである。
ような透明導電体で形成するが、このITOは、導電率
が低いため、回路配線として用いることはほとんどな
い。そして、反射型LCDにおいても、透過型LCDと
同じ回路設計を流用して、開発費用を低減する目的か
ら、従来は画素電極24の層は回路配線に用いられるこ
とはなかった。これに対し、本願では、反射型LCDに
おいては、画素電極24がアルミニウムなどの金属層で
形成されることに着目し、画素電極24のアルミニウム
層を周辺駆動回路の配線として用いるのである。
【0026】そして、バスラインと周辺駆動回路とを重
畳して配置することによって、LCDパネル300の周
辺領域の面積(額縁面積)を縮小し、LCDパネル30
0全体としても表示領域100を最大限に確保しながら
小型化することができる。
畳して配置することによって、LCDパネル300の周
辺領域の面積(額縁面積)を縮小し、LCDパネル30
0全体としても表示領域100を最大限に確保しながら
小型化することができる。
【0027】さらに、画素電極24は、1.2μmと厚
い平坦化絶縁膜72上に設けられており、下層との距離
が十分に大きい。画素電極24と同一層でバスライン1
20〜124を形成することによって、スキャナ等の周
辺駆動回路と重畳させても、周辺駆動回路を構成するト
ランジスタなどの回路素子と大きな寄生容量が発生しな
い。従って、画素電極24と同一層で形成する配線は、
バスライン120〜124が最適である。
い平坦化絶縁膜72上に設けられており、下層との距離
が十分に大きい。画素電極24と同一層でバスライン1
20〜124を形成することによって、スキャナ等の周
辺駆動回路と重畳させても、周辺駆動回路を構成するト
ランジスタなどの回路素子と大きな寄生容量が発生しな
い。従って、画素電極24と同一層で形成する配線は、
バスライン120〜124が最適である。
【0028】従来は、バスラインを周辺回路と重畳させ
ずに配置していたため、狭額縁化の観点から、必要な抵
抗率を維持できる範囲でできるだけ細い配線とする必要
があった。これに対し、本実施形態では、バスライン1
20〜124を十分に太く形成する事ができるので、バ
スラインの抵抗率を低減でき、LCDの消費電力を低減
することができる。
ずに配置していたため、狭額縁化の観点から、必要な抵
抗率を維持できる範囲でできるだけ細い配線とする必要
があった。これに対し、本実施形態では、バスライン1
20〜124を十分に太く形成する事ができるので、バ
スラインの抵抗率を低減でき、LCDの消費電力を低減
することができる。
【0029】そして、例えばHVDDバスライン120
をHスキャナー101上に重畳して配線し、VSSバス
ライン121をHSW回路102及びVスキャナー10
4上に重畳して配線し、プリチャージデータ・バスライ
ン122をPSW回路103上に重畳して配線し、VV
DDバスライン123をVスキャナー104上に重畳し
て配線する、といったように、それぞれの回路に接続さ
れるバスラインをその回路に重畳させるとよい。バスラ
インとこれが接続される回路とを重畳させることによっ
て、回路とバスラインとの接続が近接し、回路レイアウ
トが容易となるので、額縁を更に縮小することができ
る。
をHスキャナー101上に重畳して配線し、VSSバス
ライン121をHSW回路102及びVスキャナー10
4上に重畳して配線し、プリチャージデータ・バスライ
ン122をPSW回路103上に重畳して配線し、VV
DDバスライン123をVスキャナー104上に重畳し
て配線する、といったように、それぞれの回路に接続さ
れるバスラインをその回路に重畳させるとよい。バスラ
インとこれが接続される回路とを重畳させることによっ
て、回路とバスラインとの接続が近接し、回路レイアウ
トが容易となるので、額縁を更に縮小することができ
る。
【0030】また、図2ではHVDDバスライン120
とVSSバスライン121とを右側辺に配置したが、こ
れらバスラインは、Vスキャナー104と重畳させても
よい。これらバスラインは、電源電圧を供給するバスラ
インであり、電圧が時間変動しない。これに対し、プリ
チャージデータ・バスライン122は時間変動する。平
坦化絶縁膜72があっても、寄生容量を完全に0にでき
るわけではないので、動作タイミングが全く異なるVス
キャナー104とプリチャージデータ・バスラインとを
重畳させるのは避けた方がよい。同様の理由から、対極
AC駆動を行う場合は、COMバスライン124もVス
キャナー104とは重畳させない方が好ましい。
とVSSバスライン121とを右側辺に配置したが、こ
れらバスラインは、Vスキャナー104と重畳させても
よい。これらバスラインは、電源電圧を供給するバスラ
インであり、電圧が時間変動しない。これに対し、プリ
チャージデータ・バスライン122は時間変動する。平
坦化絶縁膜72があっても、寄生容量を完全に0にでき
るわけではないので、動作タイミングが全く異なるVス
キャナー104とプリチャージデータ・バスラインとを
重畳させるのは避けた方がよい。同様の理由から、対極
AC駆動を行う場合は、COMバスライン124もVス
キャナー104とは重畳させない方が好ましい。
【0031】
【発明の効果】本発明によれば、周辺駆動回路に電源電
圧等を供給するバスラインを表示画素の画素電極と同一
の層の配線層で形成すると共に、周辺駆動回路を画素電
極より下層の層で形成したので、バスラインは表示領域
の周辺に自由に配線することができるようになり、設計
の自由度が向上する。
圧等を供給するバスラインを表示画素の画素電極と同一
の層の配線層で形成すると共に、周辺駆動回路を画素電
極より下層の層で形成したので、バスラインは表示領域
の周辺に自由に配線することができるようになり、設計
の自由度が向上する。
【0032】また、バスラインを前記周辺駆動回路上に
重畳して配置することにより、表示装置の額縁面積を大
幅に縮小することができる。
重畳して配置することにより、表示装置の額縁面積を大
幅に縮小することができる。
【図1】本発明の実施の形態に係るアクティブマトリク
ス型液晶表示装置の表示画素の平面構造を示す図であ
る。
ス型液晶表示装置の表示画素の平面構造を示す図であ
る。
【図2】本発明の実施の形態に係るLCDパネルの平面
図である。
図である。
【図3】アクティブマトリクス型LCDの表示画素につ
いての等価回路図である。
いての等価回路図である。
【図4】従来例に係るLCDパネルの平面図である。
10 第1基板
11 薄膜トランジスタ(TFT)
12 液晶容量(Clc)
13 補助容量(Csc)
14 能動層
14c チャネル領域
14d ドレイン領域
14s ソース領域
20 ゲートライン
22 データライン
24 画素電極
54 カラーフィルタ
56 共通電極
66 ゲート絶縁層
68 層間絶縁膜
70 ドレイン電極
72 平坦化絶縁層
101 Hスキャナー
102 HSW回路
103 PSW回路
104 Vスキャナー
105 入力端子群
120 HVDDバスライン120
121 VSSバスライン121
122 プリチャージデータ・バスライン
123 VVDDバスライン
124 COMバスライン
200 液晶
500 第2基板
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
Fターム(参考) 2H092 GA29 GA40 JA24 JA34 JA41
JA46 JB58 KB25 NA25 PA01
5C094 AA15 BA03 BA43 CA19 DA09
DA15 EA04 EA06 EA07 EA10
FA02 FB15 HA08
5F110 AA30 BB02 CC02 DD02 DD11
EE04 GG02 GG13 HL03 NN03
NN46 NN72 NN73 QQ01 QQ08
QQ19
5G435 AA18 BB12 EE37 EE38 HH14
KK05 KK09 LL06 LL07 LL08
Claims (5)
- 【請求項1】 複数の表示画素から成る表示領域と、前
記表示領域の周辺に配置され前記各表示画素に駆動信号
を供給する周辺駆動回路と、前記周辺画素回路に電源電
圧等を供給するバスラインとを有し、さらに前記各表示
画素毎に、薄膜トランジスタと、この薄膜トランジスタ
を介して画素電圧が印加される画素電極とを有する表示
装置において、前記バスラインを前記画素電極と同一層
の配線層で形成すると共に、前記周辺駆動回路を前記画
素電極より下層の層で形成したことを特徴とする表示装
置。 - 【請求項2】 前記バスラインを前記周辺駆動回路上に
重畳して配置することを特徴とする請求項1記載の表示
装置。 - 【請求項3】 前記バスライン及び画素電極をアルミニ
ウム層で形成することを特徴とする請求項1または2記
載の表示装置。 - 【請求項4】 複数の表示画素からなる表示領域と、前
記表示領域の周辺に配置され前記各表示画素に駆動信号
を供給する周辺駆動回路と、前記周辺駆動回路に電源電
圧等を供給するバスラインとを有し、さらに前記各表示
画素毎に、薄膜トランジスタと、この薄膜トランジスタ
を介して画素電圧が印加される反射画素電極とを有する
反射型の表示装置において、前記周辺駆動回路もしくは
/及び前記バスラインの少なくとも一部は、前記反射画
素電極と同一層で形成されると共に、前記周辺駆動回路
もしくは/及び前記バスラインの残りの一部を前記反射
画素電極より下層の層で形成したことを特徴とする表示
装置。 - 【請求項5】 前記反射画素電極と前記薄膜トランジス
タとの間には、平坦化絶縁膜が形成されていることを特
徴とする請求項4記載の表示装置。
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2002122148A JP2003316284A (ja) | 2002-04-24 | 2002-04-24 | 表示装置 |
TW092100007A TW567371B (en) | 2002-04-24 | 2003-01-02 | Display device |
US10/390,884 US6828734B2 (en) | 2002-04-24 | 2003-03-19 | Display device |
CNB031215734A CN1248032C (zh) | 2002-04-24 | 2003-03-31 | 显示装置 |
KR10-2003-0025722A KR100531388B1 (ko) | 2002-04-24 | 2003-04-23 | 표시 장치 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2002122148A JP2003316284A (ja) | 2002-04-24 | 2002-04-24 | 表示装置 |
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Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2003316284A true JP2003316284A (ja) | 2003-11-07 |
Family
ID=29243618
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2002122148A Pending JP2003316284A (ja) | 2002-04-24 | 2002-04-24 | 表示装置 |
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JP (1) | JP2003316284A (ja) |
KR (1) | KR100531388B1 (ja) |
CN (1) | CN1248032C (ja) |
TW (1) | TW567371B (ja) |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005128040A (ja) * | 2003-10-21 | 2005-05-19 | Hitachi Displays Ltd | 表示装置 |
EP1575090A2 (en) | 2004-03-09 | 2005-09-14 | Samsung SDI Co., Ltd. | Electroluminescence display device |
WO2011030590A1 (ja) * | 2009-09-11 | 2011-03-17 | シャープ株式会社 | アクティブマトリクス基板およびアクティブマトリクス型表示装置 |
CN102683367A (zh) * | 2011-03-17 | 2012-09-19 | 佳能株式会社 | 半导体装置及其制造方法 |
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---|---|---|---|---|
KR100531294B1 (ko) * | 2003-06-23 | 2005-11-28 | 엘지전자 주식회사 | 유기 el 소자 및 그 제조 방법 |
KR101149936B1 (ko) * | 2005-04-26 | 2012-05-30 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기전계발광패널 |
KR101147104B1 (ko) * | 2005-06-27 | 2012-05-18 | 엘지디스플레이 주식회사 | 액정 표시 장치의 데이터 구동 방법 및 장치 |
WO2010067645A1 (ja) * | 2008-12-10 | 2010-06-17 | シャープ株式会社 | 表示装置 |
CN103904086B (zh) * | 2012-12-24 | 2017-10-27 | 上海天马微电子有限公司 | 一种薄膜晶体管阵列基板 |
KR102295874B1 (ko) * | 2014-07-24 | 2021-08-31 | 엘지디스플레이 주식회사 | 디스플레이 장치 |
CN104600200B (zh) * | 2014-12-26 | 2017-07-28 | 上海天马微电子有限公司 | 一种阵列基板及显示面板 |
TWI548100B (zh) * | 2015-01-08 | 2016-09-01 | 友達光電股份有限公司 | 薄膜電晶體、顯示面板以及其製造方法 |
TWI553839B (zh) | 2015-04-15 | 2016-10-11 | 群創光電股份有限公司 | 顯示面板 |
CN110571227B (zh) * | 2015-04-15 | 2021-12-07 | 群创光电股份有限公司 | 显示面板 |
JP6704724B2 (ja) * | 2015-12-16 | 2020-06-03 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 表示装置 |
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---|---|---|---|---|
JPH07175084A (ja) * | 1993-12-21 | 1995-07-14 | Hitachi Ltd | 液晶表示装置及びその製造方法 |
JPH0968726A (ja) * | 1995-09-01 | 1997-03-11 | Pioneer Video Corp | 反射型液晶表示装置 |
JP3856901B2 (ja) * | 1997-04-15 | 2006-12-13 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置 |
US6239779B1 (en) * | 1998-03-06 | 2001-05-29 | Victor Company Of Japan, Ltd. | Active matrix type liquid crystal display apparatus used for a video display system |
JP2000231113A (ja) * | 1999-02-09 | 2000-08-22 | Mitsubishi Electric Corp | 反射型液晶表示装置およびその製造方法 |
JP4634673B2 (ja) * | 2001-09-26 | 2011-02-16 | シャープ株式会社 | 液晶表示装置及びその製造方法 |
-
2002
- 2002-04-24 JP JP2002122148A patent/JP2003316284A/ja active Pending
-
2003
- 2003-01-02 TW TW092100007A patent/TW567371B/zh not_active IP Right Cessation
- 2003-03-19 US US10/390,884 patent/US6828734B2/en not_active Expired - Lifetime
- 2003-03-31 CN CNB031215734A patent/CN1248032C/zh not_active Expired - Lifetime
- 2003-04-23 KR KR10-2003-0025722A patent/KR100531388B1/ko not_active Expired - Lifetime
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EP1575090A2 (en) | 2004-03-09 | 2005-09-14 | Samsung SDI Co., Ltd. | Electroluminescence display device |
US8247968B2 (en) | 2004-03-09 | 2012-08-21 | Samsung Mobile Display Co., Ltd. | Electroluminescence display device having electrode power supply line |
WO2011030590A1 (ja) * | 2009-09-11 | 2011-03-17 | シャープ株式会社 | アクティブマトリクス基板およびアクティブマトリクス型表示装置 |
JP5236812B2 (ja) * | 2009-09-11 | 2013-07-17 | シャープ株式会社 | アクティブマトリクス基板およびアクティブマトリクス型表示装置 |
US8586987B2 (en) | 2009-09-11 | 2013-11-19 | Sharp Kabushiki Kaisha | Active matrix substrate and active matrix display device |
CN102683367A (zh) * | 2011-03-17 | 2012-09-19 | 佳能株式会社 | 半导体装置及其制造方法 |
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TW567371B (en) | 2003-12-21 |
CN1248032C (zh) | 2006-03-29 |
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