JP2006156426A - 導電性パターンの形成方法 - Google Patents

Abstract

【課題】 より簡便に比較的厚さが大きく、インクの着弾径より小さな線幅でも着弾痕のない導電性パターンを得る形成方法を提供することにある。
【解決手段】 撥液剤８０は、前述したようにバンク上面１２ｅにおいて、水に対して１１０°以上の高い接触角を備えているため、導電性液状材料１１に対しても接触角θは大きい。一方、バンク溝部２０は前述したように親水性となっているために、基板１０に到達した導電性液状材料１１は、バンク上面１２ｅに配設されている撥液剤８０から圧縮力を受け、逆にバンク溝部２０からは張力を受ける。このために、導電性液状材料１１はバンク溝部２０の溝に沿って、同図紙面の垂直方向の前後に広がっていくことができる。また、バンク溝幅Ｂが液滴の大きさＤより大きい場合は、より安定して導電性液状材料１１をバンク溝部２０の中へ収容することができる。
【選択図】 図１４

Description

本発明は、インクジェット方式を用いた金属配線の製造のプロセスに関するものである。

インクジェット方式によるパターン形成では、基板に配設された凸状の隔壁部材（以下、バンクという）によるパターンの微細化が行われている。インクジェット方式によって吐出された導電性材料液（以下、インクという）をバンクと基板とで形成された凹部（以下、バンク溝部という）に収納するために、バンクは撥液性を呈し、基板は親水性を呈するようにしてインクがバンクを乗り越えることを防止している（例えば特許文献１）。

特開２００２−３０５０７７号公報

しかしながら、比較的大きい電流が流れる導電性パターンを形成する場合は、導電性パターン自体の電気的抵抗値を低くするために厚さが必要となるが、バンクが撥液性を呈することによって、バンクと基板とで形成された凹部に滞在できるインクの量は限られた量となり、導電性パターンとしての厚さが確保できずに、比較的大きい電流が流れる導電性パターンとしては好ましくなかった。

また、インクジェット方式によって吐出されたインクが基板に到達した場合に、到達したインクは、主にインク自体の粘度と基板の表面張力との関係によって到達したインクの大きさ（以下、着弾径という）が決まる。基板の上にこの着弾径より小さい幅の凹部を配設して、この凹部を含むようにインクを吐出すると、バンクの上面にインクが残留（以下、着弾痕という）してしまう。この着弾痕は、バンクに収容されたインクとともに熱処理等が施されることによって、着弾痕そのものも導電性を有するようになり、基板としての電気的な信頼性を損ねていた。

そこで本発明の目的は、より簡便に比較的厚さが大きく、インクの着弾径より小さな線幅でも着弾痕のない導電性パターンを得る形成方法を提供することにある。

上記課題を解決するため本発明では、基板上にバンクを形成する工程と、前記バンクの上面の一部又は全部に撥液剤を塗布する工程とを含むことを要旨とする。

これによれば、基板上にバンクを形成する工程と、該バンクの上面の一部又は全部に撥液剤を塗布する工程とを含むことにより、インクジェット方式によって吐出されたインクがバンクの上面に吐出された場合は、バンクの上面の一部又は全部に塗布されている撥液剤によって、バンクの上面にインクが残留することを防止することができる。このことは、バンクの上面に着弾痕のない導電性パターンを得ることとなる。

基板上にバンクを形成する工程と、前記基板と前記バンクの一部又は全部を親水化する工程と、前記バンクの上面の一部又は全部に撥液剤を塗布する工程とを含むことを要旨とする。

これによれば、インクの着弾径より小さな線幅で着弾痕のない導電性パターンを得ることができる。

本発明の撥液剤は、前記基板以外の原版部材に付着させ、前記原版部材と前記基板上の前記バンクとが接触することにより、前記撥液剤が前記バンクの上面の一部又は全部に転写することを要旨とする。

これによれば、撥液剤を基板以外の原版部材に付着させ、原版部材と基板上のバンクとが接触することにより、撥液剤がバンクの上面の一部又は全部に転写することができるため、親水化されているバンクの溝に影響を与えずにバンクの上面の一部又は全部に撥液剤を設けることができる。

本発明のバンクは、フォトリソグラフィ法又は転写法又は印刷法によって形成されることを要旨とする。

これによれば、インクの着弾径より小さな線幅を備えたバンクを形成することができる。

本発明のバンクの材質は、無機材料又は有機材料であることを要旨とする。

これによれば、バンクの材質に関係なく本発明を適用することができる。

本発明のバンクの高さは、１μｍ以上であることを要旨とする。

これによれば、バンクの上面の一部又は全部に撥液剤を設ける際に、バンクの高さが１μｍ以上であるとバンクの溝の中に撥液剤が付着することを防ぐことができる。

本発明の前記基板と前記バンクの一部又は全部を親水化する工程は、オゾン酸化処理、プラズマ処理、コロナ処理、紫外線照射処理、電子線照射処理、酸処理、アルカリ処理の少なくとも一つの処理を含むことを要旨とする。

これによれば、基板とバンクの一部又は全部を親水化する工程の処理方法として、オゾン酸化処理、プラズマ処理、コロナ処理、紫外線照射処理、電子線照射処理、酸処理、アルカリ処理の少なくとも一つの処理を含むことによって、基板とバンクの一部又は全部を親水化することができる。

本発明の原版部材は、平板状又はロール状であることを要旨とする。

これによれば、基板上に形成されたバンク上面の一部又は全部に対して、平板状又はロール状の原版部材に付着されている撥液剤を容易に転写することができ、バンク上面の一部又は全部が撥液性を備えることができる。

本発明の原版部材の材質は、少なくともシロキサン構造を含むエラストマであることを要旨とする。

これによれば、原版部材の材質が、少なくともシロキサン構造を含むエラストマであるために、弾性体としての原版部材を得ることができ、基板とバンクの一部又は全部との密着性を高めることができる。また、撥液剤との耐性も確保される。

本発明の撥液剤は、シランカップリング剤又は撥液性を呈する高分子であることを要旨とする。

これによれば、撥液剤がシランカップリング剤又は撥液性を呈する高分子であるために、バンクの上面の一部又は全部に強い撥液性が備えられ、インクを安定してバンク溝部に収容することができる。

以下、本発明の実施例について詳細に説明する。

本実施例は、導電性パターンの形成方法としての基板と該基板上にバンクを形成する工程と、基板とバンクの一部又は全部を親水化する工程と、バンクの上面の一部又は全部に撥液剤を塗布する工程について説明する。

＜基板と該基板上にバンクを形成する工程のフローチャート＞
図１は、本実施例の基板と該基板上にバンクを形成する工程のフローチャートである。
本実施例では、基板自体をバンクとして使用するか否かをステップ（以降、Ｓという）１００で選択する。基板自体をバンクとして使用しない場合はＳ１０１へ進み、基板自体をバンクとして使用する場合はＳ１２０へ進む。

ここで、基板の材質としては、ガラス、石英等からなる透明又は半透明の無機質基板材料、ダイアモンド、シリコン系、ゲルマニュウム系等の単結晶又は非単結晶の半導体基板材料、さらにはセラミック等からなる基板材料、又はポリエチレン樹脂系、ポリスチレン樹脂系、ポリエチレンテレフタレート樹脂系、ポリアクリル樹脂系、ポリメタクリル樹脂系などの汎用プラスチックやポリカーボネート樹脂系、ポリエステル樹脂系、ポリアミド樹脂系、ポリアセタール樹脂系、ポリアミドイミド樹脂系、ポリイミド樹脂系、ポリエーテルイミド樹脂系、エポキシ樹脂系（ガラス入りを含む）、ポリサルホン樹脂系、ポリエーテルサルホン樹脂系、ポリエーテル樹脂系、ポリエーテルーテルケトン樹脂系、ポリエーテルニトリル樹脂系、ポリフェニレンエーテル樹脂系、ポリフェニレンサルファイド樹脂系、ポリフェノール樹脂系等のエンジニアリングプラスチックのいずれか一つ又はそれぞれの材料とを組み合わせた材料である。

基板自体をバンクとして使用しない場合について説明する。
Ｓ１０１では、印刷法で基板の上に直接バンクを造るか否かを選択する。印刷法で基板の上に直接バンクを造る場合はＳ１０２へ進み、印刷法によって基板の上に直接バンクを造らない場合はＳ１０４へ進む。Ｓ１０２の印刷法では、スクリーン印刷法、オフセット印刷法、エンボス法、インプリント法等により所望のパターンを基板の上にバンク材料を直接配設し、Ｓ１０３において熱及び／又は光処理等の成膜処理を施して所望のバンクを得る。熱及び／又は光処理とは、加熱、紫外線照射、赤外線照射又は可視光照射等によりバンクを構成している物質を活性化して、反応させ、バンクとしての性能を得るための処理をいう。以降、成膜処理という。

Ｓ１０４では、基板の一部又は全部にバンクの材料を塗布又は付着させ、バンクとしての性能を得るために成膜処理が施される。ここで得られた膜のことを以降、バンク膜という。バンクの高さとしてのバンク膜の厚さ（高さ）は、１μｍ以上であることが好ましい。

ここで、基板自体をバンクとして使用しない場合における塗布又は付着されるバンクとしての材質としては、無機材料としての無機質基板材料、半導体基板材料、セラミック基板材料、又は有機材料としての汎用プラスチックやエンジニアリングプラスチックのいずれか一つ又はそれぞれの材料を組み合わせた材料である。

さらに、塗布又は付着する方法について説明する。
塗布する方法としては、液状の前述したバンクの材料を回転している基板に供給することによって所望の厚さを有するバンク膜を得ることができるスピンコート法、液状の前述したバンクの材料を気体又は媒体によって霧状にして基板に吹き付けるスプレーコート法、液状の前述したバンクの材料を回転している複数のロールに供給して所望の厚さに調整し、少なくとも１つのロールと基板とを接触させてバンクの材料をロールから基板に転写させるロールコート法、液状の前述したバンクの材料をスキージの内部に供給し、スキージの先端から均一に基板に塗布するダイコート法、液状の前述したバンクの材料を容器に貯留させ、基板を浸漬した後に等速で引き上げて塗布するディップコート法がある。

同図のＳ１０４で得られたバンク膜を所望のパターンに成形する方法として、フォトリソグラフィ法、転写法又は印刷法があり、Ｓ１０５において求められるバンクの精度によって選択する。

Ｓ１０６のフォトリソグラフィ法を使用する場合には、バンク形状に合わせたマスクを施し、液状のレジストを塗布・露光・現像し、Ｓ１０９においてバンク膜の不要部をエッチングして除去し、Ｓ１１０においてレジストを剥離して所望のバンク形状を得る。詳細は後述する。

Ｓ１０８の転写法を使用する場合には、バンクの材質が主に有機材料の場合に有効であり、フィルム上に予めバンクとなる物質を付着させ、フォトリソグラフィ法又は印刷法を使用して所望のパターンを形成しておく。このバンク付きフィルムのバンクが形成されている面と基板とを対向させ、複数のローラにより圧着させバンクと基板とを固着する。次にフィルムとバンク間で剥離を行い、バンクだけを基板に残して所望のバンク形状を得る。この方法は、大型の基板を製造する場合に大変有効である。また、Ｓ１０６のフォトリソグラフィ法を使用する場合と比較して、バンクをエッチングする必要がないこととドライプロセスだけでバンクを得ることができるため、より廉価な製造方法である。詳細は後述する。

Ｓ１０７の印刷法を使用する場合には、スクリーン印刷又はオフセット印刷やエンボス法、インプリント法などが挙げられる。

Ｓ１０７の印刷法において、スクリーン印刷又はオフセット印刷を使用する場合には、バンクの材料を所望の形状に加工された原版を用いてスクリーン印刷又はオフセット印刷で基板上に印刷し、乾燥又は加熱又は光照射により硬化させ、所望のバンク形状を得る。下地にバンク膜を形成する場合は、バンク膜の不要部をエッチングして除去し、Ｓ１１０においてレジストを剥離して所望のバンク形状を得る。この方法は、フォトリソグラフィ法と比較して廉価な製造方法である。

また、Ｓ１０７の印刷法において、エンボス法を用いる場合には、液状の前述したバンクの材料を基板に供給した後、いったん乾燥又は加熱又は光照射により硬化させる。その後、所望の形状に加工された原版を圧着させながら、適宜加圧する。また、必要に応じて加熱をすることで所望のバンク形状を得る。この方法は、フォトリソグラフィ法と比較して廉価な製造方法である。

また、Ｓ１０７の印刷法において、インプリント法を用いる場合には、液状の前述したバンクの材料を基板に供給した後、所望の形状に加工された原版を圧着させながら、乾燥又は加熱又は光照射により硬化させ、所望のバンク形状を得る。この方法は、エンボス法同様にフォトリソグラフィ法と比較して廉価な製造方法である。

基板自体をバンクとして使用する場合について説明する。
同図のＳ１００にて基板自体をバンクとして使用する場合が選択され、Ｓ１２０において求められるバンクの形状又は位置の精度によってフォトリソグラフィ法、転写法又は印刷法が選択される。Ｓ１２１のフォトリソグラフィ法、Ｓ１２２の転写法及びＳ１２３の印刷法は、前述した方法と同様なため説明を省略する。Ｓ１２４において、それぞれの方法によって基板の上に造られたレジストによるパターンのレジストがない部分の基板を、リン酸、硫酸、硝酸等の酸性溶剤又はアルカリ溶剤によってエッチングし、次に、Ｓ１２５において、レジストを剥離して基板上に所望の深さの凹部を得る。この凹部をバンク溝部として使用する。

＜フォトリソグラフィ法によって基板上にバンクを形成する工程＞
図２（ａ）〜（ｆ）は、フォトリソグラフィ法によってバンク膜をエッチングしてバンクを形成する工程を説明する基板断面図である。
図２（ａ）では、基板１０の一部又は全部にバンク膜１２を図１のＳ１０４で説明したように形成する。図２（ｂ）では、図２（ａ）のバンク膜１２一部又は全部の上に図１のＳ１０６の方法によってレジスト１４を形成する。

図２（ｃ）では、形成されたレジスト１４に密着するように、フォトマスク１６を施し、その密着されたフォトマスク１６の面には、所望のパターンが施されている。本実施例では、ポジレジストが使用されており、フォトマスク１６の上方より照射された平行光は、フォトマスクパターン１６ａがない部分だけに照射される。

図２（ｄ）では、光が照射されたレジスト１４はその光によって化学反応を起こし、現像液に対して可溶となる。現像液にレジスト１４の表面を充分に浸漬すると、不要レジスト１４ｂは現像液に溶ける。また、必要レジスト１４ａは、現像液に溶けない。必要レジスト１４ａは、加熱されてバンク膜１２との密着性を向上させてもよい。

図２（ｅ）では、バンク膜１２を溶かす溶剤（以降、エッチング液という）をバンク膜１２の表面に供給して、必要レジスト１４ａがない部分の不要バンク膜１２ｂを溶かして除去する。必要バンク膜１２ａは、必要レジスト１４ａと基板１０との間に確保されている。

図２（ｆ）では、必要レジスト１４ａが剥離溶剤によって除去され、必要バンク膜１２ａが基板１０上にパターン化されて形成されている。本実施例では、一つの必要バンク膜１２ａのバンク壁側面１２ｃと対向している他の必要バンク膜１２ａのバンク壁側面１２ｄと基板１０の表面１０ａとで形成された凹部をバンク溝部２０という。また、必要バンク膜１２ａの上方の面をバンク上面１２ｅという。

＜転写法によって基板上にバンクを形成する工程＞
図３（ａ）、（ｂ）は、転写法によってバンクを形成する工程を説明する基板断面図である。
図３（ａ）は、バンク壁付きフィルムと基板とを圧着する工程を説明する基板断面図である。フィルム３０には、予めフィルム３０の面にフォトリソグラフィ法又は印刷法等を用いて有機材料のバンク壁３１が所望のパターンに形成されている。ローラ間の距離が調整されている複数のローラ３２の間に、バンク壁付きフィルムのバンク壁３１が形成されている面と基板とを対向させて挿入し、複数のローラ３２によってフィルム３０とバンク壁３１と基板１０との間に圧力を発生させて、バンク壁３１と基板１０とを圧着する。この場合に、ローラ又は周囲の空気を加熱してもよい。

図３（ｂ）は、圧着されたバンク壁からフィルムを剥離する工程を説明する基板断面図である。フィルム３０とバンク壁３１との固着力は、基板１０とバンク壁３１との固着力より弱い関係になっている。従って、フィルム３０を持ち上げると、バンク壁３１は基板１０に固着された状態でフィルム３０だけを剥離することができる。フィルム３０の材質は、バンク壁３１と作業工程で剥離しない程度の密着力を有していればよく、主にフッ素樹脂系である。

＜印刷法によって基板上にバンクを形成する工程＞
図４（ａ）〜（ｃ）は、スクリーン印刷又はオフセット印刷法によってバンク膜をエッチングしてバンクを形成する工程を説明する基板断面図である。
図４（ａ）では、基板１０の面にバンク膜１２が、前述した通りに形成される。このバンク膜１２の上に、スクリーン印刷又はオフセット印刷によってレジスト１４が所望のパターンで印刷される。印刷されたレジスト１４及び基板１０は、加熱処理されて密着し、レジスト１４は固化する。ここで、レジスト１４は、光に対して感応型でも非感応型でも良い。非感応型としては塗料等がある。

図４（ｂ）では、レジスト１４が無い部分（不要バンク膜１２ｂ）をエッチングして除去する工程である。エッチングに関しては、フォトリソグラフィ法のエッチングと同様である。

図４（ｃ）では、必要バンク膜１２ａの上にあるレジスト１４をフォトリソグラフィ法と同様に除去する工程である。これらの工程を経ることによって、基板１０上の面に必要バンク膜１２ａが所望のパターンを有して配設され、一つの必要バンク膜１２ａのバンク壁側面１２ｃとこの必要バンク膜１２ａに対向して配設されている他の必要バンク膜１２ａのバンク壁側面１２ｄと基板１０の表面１０ａとで凹部が構成され、バンク溝部２０が形成される。また、必要バンク膜１２ａの上方の面をバンク上面１２ｅという。

＜印刷法によって基板上に直接的にバンクを形成する工程＞
図５は、図１のフローチャートにおけるスクリーン印刷又はオフセット印刷法によって、直接的にバンクを形成する工程（Ｓ１０２，Ｓ１０３）を説明する基板断面図である。
Ｓ１０２では、基板１０の上にスクリーン印刷又はオフセット印刷によって、バンク材料を所望のパターンで印刷して必要バンク膜１２ａを得る。Ｓ１０３では、成膜処理が施されて、一つの必要バンク膜１２ａのバンク壁側面１２ｃこの必要バンク膜１２ａに対向して配設されている他の必要バンク膜１２ａのバンク壁側面１２ｄと基板１０の表面１０ａとで凹部が構成され、バンク溝部２０が形成される。また、必要バンク膜１２ａの上方の面をバンク上面１２ｅという。

エッチングされて形成されたバンク壁側面１２ｃとバンク壁側面１２ｄと、この印刷法によって基板上に直接的にバンクを形成する方法で形成されたバンク壁側面１２ｃとバンク壁側面１２ｄとを比較すると、多少ながらバンク上面１２ｅとバンク壁側面１２ｃとバンク壁側面１２ｄとの境界が不明確な所はあるが、バンク溝部２０を形成するまでの工程が短くてよいことが特徴である。

＜印刷法によって基板上に直接的にバンクを形成する工程＞
図６（ａ）〜（ｃ）は、エンボス法による印刷法によって直接的にバンクを形成する工程を説明する基板断面図である。
図６（ａ）では、基板１０の面にバンク膜１２が、前述した通りに形成される。このバンク膜１２は、いったん乾燥又は加熱又は光照射により固化させる。ここで、バンク膜１２は、光又は熱に対して感応型でも非感応型でも良い。非感応型としては塗料等がある。

図６（ｂ）では、レジスト膜又はエッチング等により形成されたバンク形状パターン部７１ａを備えている基板１０とは別部材の平板状の原版部材７１を作成し、このバンク形状パターン部７１ａとバンク膜１２を対向して配置する。バンク膜１２を原版部材７１のバンク形状パターン部７１ａと密着させながら、適宜加圧する。また、必要に応じて加熱をすることでバンク膜１２は変形し、バンク形状パターン部７１ａの溝に沿って成型され、バンク膜１２はバンク形状パターン部７１ａと対向する形状となる。

図６（ｃ）では、原版部材７１及びバンク形状パターン部７１ａとを基板１０から剥離することで、所望の必要バンク膜１２ａを得る工程である。これらの工程を経ることによって、基板１０上の面に必要バンク膜１２ａが所望のパターンを有して配設され、一つの必要バンク膜１２ａのバンク壁側面１２ｃとこの必要バンク膜１２ａに対向して配設されている他の必要バンク膜１２ａのバンク壁側面１２ｄと基板１０の表面１０ａとで凹部が構成され、バンク溝部２０が形成される。また、必要バンク膜１２ａの上方の面をバンク上面１２ｅという。

＜印刷法によって基板上に直接的にバンクを形成する工程＞
図７（ａ）〜（ｃ）は、インプリント法による印刷法によって直接的にバンクを形成する工程を説明する基板断面図である。
図７（ａ）では、基板１０の面にバンク液状材料７３が、バンク液状材料供給装置７４によって、適量供給される。バンク液状材料７３は、いったん乾燥又は加熱又は光照射等により半固体状態にしてもよい。

図７（ｂ）では、レジスト膜又はエッチング等により形成されたバンク形状パターン部７２を備えている平板状の原版部材７１を作成し、このバンク形状パターン部７２と基板１０の上に供給されたバンク液状材料７３又は半固体状態にされたバンク膜１２を対向して配置する。バンク液状材料７３又はバンク膜１２を原版部材７１が備えているバンク形状パターン部７２と密着させながら、適宜加圧することでバンク液状材料７３又はバンク膜１２を変形させ、原版部材７１が備えているバンク形状パターン部７２の溝へ浸透させる。適宜加圧している状態で乾燥又は加熱又は光照射によりバンク液状材料７３又はバンク膜１２を固化させる。ここで、バンク液状材料７３又はバンク膜１２は、光又は熱に対して感応型でも非感応型でも良い。非感応型としては塗料等がある。

図７（ｃ）では、バンク形状パターン部７２及び原版部材７１をバンク膜１２より剥離することで、所望の必要バンク膜１２ａを得る工程である。これらの工程を経ることによって、基板１０上の面に必要バンク膜１２ａが所望のパターンを有して配設され、一つの必要バンク膜１２ａのバンク壁側面１２ｃとこの必要バンク膜１２ａに対向して配設されている他の必要バンク膜１２ａのバンク壁側面１２ｄと基板１０の表面１０ａとで凹部が構成され、バンク溝部２０が形成される。また、必要バンク膜１２ａの上方の面をバンク上面１２ｅという。

図８（ａ）〜（ｅ）は、図１のフローチャートにおけるフォトリソグラフィ法によって、基板をエッチングしてバンクを形成する工程（Ｓ１２１，Ｓ１２４，Ｓ１２５）を説明する基板断面図である。
図８（ａ）では、Ｓ１２１において、基板１０上にレジスト１４を形成する工程である。形成する方法、材質はＳ１０６と同様である。Ｓ１２１とＳ１０６との相違点は、基板１０上にバンク膜１２が配設されずに、基板１０上にレジスト１４が形成されることである。

図８（ｂ）では、Ｓ１２１において、フォトマスク１６を施し、フォトマスクパターン１６ａがない部分から平行光が照射され、フォトマスクパターン１６ａがない部分に対向しているレジスト１４だけ平行光が照射される。

図８（ｃ）では、Ｓ１２１において、光が照射されたレジスト１４はその光によって化学反応を起こし、現像液に対して可溶となる。現像液にレジスト１４の表面を充分に浸漬すると、不要レジスト１４ｂは現像液に溶ける。また、必要レジスト１４ａは、現像液に溶けない。必要レジスト１４ａは、加熱されてバンク膜１２との密着性を向上させてもよい。

図８（ｄ）では、Ｓ１２１において、基板１０を溶かす溶剤（以降、基板エッチング液という）を必要レジスト１４ａと基板１０の表面に供給して、必要レジスト１４ａがない部分の基板１０を溶かして所望の深さに除去され凹状の所望のパターン１０ｂを得る。基板エッチング液は、必要レジスト１４ａを溶解せずに基板１０を溶解する液であればよい。

図８（ｅ）では、Ｓ１２４において、必要レジスト１４ａが剥離溶剤によって除去され、エッチングされた基板１０の凹状の所望のパターン１０ｂが得られ、本実施例では、この凹状の所望のパターン１０ｂをバンク溝部２０として使用するものである。また、エッチングされていない基板１０の表面１０ａをバンク上面１２ｅという。

図９（ａ）〜（ｄ）は、図１のフローチャートにおける転写法によって、基板をエッチングしてバンクを形成する工程（Ｓ１２２，Ｓ１２４，Ｓ１２５）を説明する基板断面図である。
図９（ａ）では、Ｓ１２２において、レジスト付きフィルムと基板とを圧着する工程を説明する基板断面図である。フィルム３０には、予めフィルム３０の面にフォトリソグラフィ法又は印刷法等を用いて有機材料のレジスト１４が所望のパターンに形成されている。ローラ間の距離が調整されている複数のローラ３２の間に、レジスト付きフィルムのレジスト１４が形成されている面と基板１０とを対向させて挿入し、複数のローラ３２によってフィルム３０とレジスト１４と基板１０との間に圧力を発生させて、レジスト１４と基板１０とを圧着する。この場合に、ローラ又は周囲の空気を加熱してもよい。

図９（ｂ）では、Ｓ１２２において、圧着されたレジストからフィルムを剥離する工程を説明する基板断面図である。フィルム３０とレジスト１４との固着力は、基板１０とレジスト１４との固着力より弱い関係になっている。従って、フィルム３０を持ち上げると、レジスト１４は基板１０に固着された状態でフィルム３０だけを剥離することができる。フィルム３０の材質は、レジスト１４と作業工程で剥離しない程度の密着力を有していればよく、主にフッ素樹脂系である。

図９（ｃ）では、Ｓ１２４において、基板１０を溶かす溶剤（以降、基板エッチング液という）をレジスト１４と基板１０の表面に供給して、レジスト１４がない部分の基板１０を溶かして所望の深さに除去され凹状の所望のパターン１０ｂを得る。基板エッチング液は、レジスト１４を溶解せずに基板１０を溶解する液であればよい。

図９（ｄ）では、Ｓ１２５において、レジスト１４が剥離溶剤によって除去され、エッチングされた基板１０の凹状の所望のパターン１０ｂが得られ、本実施例では、この凹状の所望のパターン１０ｂをバンク溝部２０として使用するものである。また、エッチングされていない基板１０の表面１０ａをバンク上面１２ｅという。

図１０（ａ）〜（ｃ）は、図１のフローチャートにおける印刷法によって、基板をエッチングしてバンクを形成する工程（Ｓ１２３，Ｓ１２４，Ｓ１２５）を説明する基板断面図である。
図１０（ａ）では、Ｓ１２３において、スクリーン印刷法、オフセット印刷法等により所望のパターンを基板の上にレジスト１４を直接配設する。印刷されたレジスト１４及び基板１０は、加熱処理されて密着し、レジスト１４は固化する。ここで、レジスト１４は、光に対して感応型でも非感応型でも良い。非感応型としては塗料等がある。

図１０（ｂ）では、Ｓ１２４において、基板１０を溶かす溶剤（以降、基板エッチング液という）をレジスト１４と基板１０の表面に供給して、レジスト１４がない部分の基板１０を溶かして所望の深さに除去され凹状の所望のパターン１０ｂを得る。基板エッチング液は、必要レジスト１４ａを溶解せずに基板１０を溶解する液であればよい。

図１０（ｃ）では、Ｓ１２５において、レジスト１４が剥離溶剤によって除去され、エッチングされた基板１０の凹状の所望のパターン１０ｂが得られ、本実施例では、この凹状の所望のパターン１０ｂをバンク溝部２０として使用するものである。また、エッチングされていない基板１０の表面１０ａをバンク上面１２ｅという。

＜基板とバンクの一部又は全部を親水化する工程＞
図１のＳ１０１〜Ｓ１１０で基板１０上に造られたバンク溝部２０、図１のＳ１２０〜Ｓ１２５で基板１０をエッチングして造られたバンク溝部２０、及びそれぞれの方法で造られたバンク上面１２ｅの一部又は全部に対して親水化する工程である。

親水化する工程（親水処理）は、水に対して濡れ易くするための処理であり、バンク溝部２０、基板１０及びバンク上面１２ｅの一部又は全部に対して処理されるものである。親水処理の具体例としては、オゾン酸化処理、プラズマ処理、コロナ処理、紫外線照射処理、電子線照射処理、酸処理、アルカリ処理等を例示することができる。また、バンク溝部２０、基板１０及びバンク上面１２ｅの表面特性に応じて適宜行われる処理であり、例えば有機物であるバンク溝部２０や基板１０の表面にヒドロキシル基、アルデヒド基、ケトン基、アミノ基、イミノ基、カルボキシル基、シラノール基等の極性基が含まれている場合には、親水処理工程は省略することができる。

親水処理を施されたバンク溝部２０及び基板１０は水に対して２０°以下の接触角を示す。

＜バンクの上面の一部又は全部に撥液剤を塗布する工程＞
次に、前述したバンク上面１２ｅの一部又は全部に対して、撥液剤５０を塗布する工程について説明する。この工程は、バンク上面１２ｅの一部又は全部が水に対して濡れ難くする処理である。
撥液剤５０を基板１０とは別部材の平板状の原版部材５１に付着させ、この原版部材５１と基板１０上のバンク上面１２ｅとが接触することにより、撥液剤５０がバンク上面１２ｅの一部又は全部に転写し、バンク上面１２ｅを撥液化する工程である。

図１１（ａ）〜（ｃ）は、平板状の原版部材の製作方法を説明する平断面図と斜視図である。
図１１（ａ）は、平板状の原版部材を製作する際の平面図であり、図１１（ｂ）は、平板状の原版部材を製作する際の図１１（ａ）のＡ−Ａ断面図であり、図１１（ｃ）は、完成した平板状の原版部材の斜視図である。
図１１（ａ）、（ｂ）では、平板状の原版部材５１を製作するには、先ず型枠５２の上方からスタンプ体５３を挿着する。型枠５２の底面には案内孔５２ａが配設され、スタンプ体５３から下方に延在した突出部５３ｂが係合している。また、型枠５２とスタンプ体５３とは係合している。スタンプ体５３の上方には、下方に間隔が縮むように対向した一対の傾斜面５３ａを備えた突出部が配設されている。

型枠５２の上方からスタンプ体５３を挿着した後に、液状のスタンプ剤５４を型枠５２とスタンプ体５３とで構成された凹状の領域に流し込む。流し込まれた液状のスタンプ剤５４は、スタンプ体５３の面５３ｃと傾斜面５３ａ及び型枠５２の内壁面５２ｂとを含む領域に充填するまで流し込む。

液状のスタンプ剤５４の挿填後に、少なくとも一面が平滑な面５５ａを備えている、例えば、シリコンウエハ又はガラス等の平板５５を型枠５２の上方から挿着し、液状のスタンプ剤５４を挟み込む。この場合に、平板５５の平滑な面５５ａと液状のスタンプ剤５４との間に空気が入らないように、予め平板５５の平滑な面５５ａに液状のスタンプ剤５４を塗り付けてから挿着する。平板５５は、平坦な面をもつものであればなんでも良く、特に限定されない。

平板５５を型枠５２に挿着した後に、付勢部材５６を挿着する。本実施例では、付勢部材５６の重量を利用して、平板５５と液状のスタンプ剤５４とを付勢しているが、上方からエアシリンダ、ばねによって付勢してもよいし、型枠５２と付勢部材５６とを螺着してもよい。

このようにしてそれぞれの部材が装着された一式を室温で２４時間放置する。また、加熱してもよい。この処理により液状のスタンプ剤５４が弾力性を備えた状態で硬化する。

ここで、原版部材の材質としてのスタンプ剤５４の材料について説明する。
スタンプ剤５４の材料としてはポリジメチルシロキサン（ＰＤＭＳ）（信越化学工業製 ＫＥ１３１０ＳＴ）を用いて、付加型の反応機構により硬化する樹脂材料と硬化剤を混合した後、室温２４時間放置又は加熱放置によって弾力性を備えた状態で硬化する。

例えば、液状のスタンプ剤５４を反応させエラストマを成型する場合の反応は、縮合型あるいは付加型いずれによってもよいが、０．５％程度の線収縮率を示す縮合型は高分子が反応する過程にガスを発生することから、線収縮率０．１％程度の付加型反応機構による弾性体材料を使用することがより好ましい。

また、スタンプ剤５４としては、基板１０との密着性を高めるためにシロキサン構造を含むエラストマを用いるのが好ましい。例えば、シラン化合物であるポリジメチルシロキサン（ＰＤＭＳ）系のエラストマを挙げることができる。この高分子の構造式はＳｉ（ＣＨ₃）₃−Ｏ−（Ｓｉ（ＣＨ₃）₂Ｏ）_n−Ｓｉ（ＣＨ₃）₃で表される。ｎは正の整数。この材料を用いることによって、成型された原版面５４ａの表面に、後述する基板１０に塗布する表面処理剤を吸収又は付着させることができる。

図１１（ｃ）は、スタンプ剤５４が弾力性を備え硬化された状態で、型枠５２より取り外した原版部材５１の斜視図である。
スタンプ体５３の複数の傾斜面５３ａと面５３ｃとを含んでスタンプ剤５４が固着されている。スタンプ体５３に配設されている突出部５３ｂは、後述する工程で原版部材５１を他の装置に装着するために使われる。また、スタンプ剤５４の原版面５４ａは、平板５５の平滑な面５５ａによって平滑な面となっている。

原版部材５１の原版面５４ａの上に、表面処理剤７０として撥液性高分子溶液（ダイキン工業製 ユニダインＴＧ−６５６）を、スピナーにより、３０００ｒｐｍで３０秒間の回転により原版面５４ａに表面処理剤７０を塗布する。この表面処理剤７０の塗布により、原版面５４ａは撥液性を備える。

＜バンクの上面の一部又は全部に撥液剤を塗布する工程＞
図１２（ａ）〜（ｃ）は、基板１０に形成されたバンク上面１２ｅの一部又は全部に撥液剤８０を塗布する工程を説明する基板１０及び原版部材５１の断面図である。
図１２（ａ）は、撥液剤８０が塗布されている原版部材５１の断面図である。
原版部材５１が備えているスタンプ剤５４の原版面５４ａの一部又は全部に撥液剤８０が塗布されている。撥液剤８０としては、例えば、分子の末端官能基が基板構成原子に選択的に化学的吸着することを特徴とするシランカップリング剤（有機ケイ素化合物）や界面活性剤を使用することができる。

ここで、シランカップリング剤とは、Ｒ¹ＳｉＸ¹ｍＸ²（３−ｍ）で表される化合物であり、Ｒ¹は有機基を表し、Ｘ¹及びＸ²は−ＯＲ²、−Ｒ²、−Ｃｌを表し、Ｒ²は炭素数１〜４のアルキル基を表し、ｍは１から３の整数である。

また、界面活性剤とはＲ¹Ｙ¹で表される化合物であり、Ｙ¹は親水性の極性基、−ＯＨ、−（ＣＨ₂ＣＨ₂Ｏ）_nＨ、−ＣＯＯＨ、−ＣＯＯＫ、−ＣＯＯＮａ、−ＣＯＮＨ₂、−ＳＯ₃Ｈ、−ＳＯ₃Ｎａ、−ＯＳＯ₃Ｈ、−ＯＳＯ₃Ｎａ、−ＰＯ₃Ｈ₂、−ＰＯ₃Ｎａ₂、−ＰＯ₃Ｋ₂、−ＮＯ₂、−ＮＨ₂、−ＮＨ₃Ｃｌ（アンモニウム塩）、−ＮＨ₃Ｂｒ（アンモニウム塩）、≡ＮＨＣｌ（ピリジニウム塩）、≡ＮＨＢｒ（ピリジニウム塩）等である。

シランカップリング剤は基板表面における水酸基に対して化学的に吸着することを特徴とし、金属や絶縁体などの幅広い材料の酸化物表面に反応性を示すため、撥液剤８０として好適に用いることができる。これらシランカップリング剤や界面活性剤の中で、特にＲ¹がパーフルオロアルキル構造Ｃ_nＦ_2n+1やパーフルオロアルキルエーテル構造Ｃ_pＦ_2p+1Ｏ（Ｃ_pＦ_2pＯ）_rを有するようなフッ素原子含有化合物によって修飾され、固体表面の表面自由エネルギーは２５ｍＪ／ｍ²よりも低くなり、極性を持った材料との親和性が小さくなるため、好適に用いられる。

より具体的には、シランカップリング剤としてはＣＦ₃−ＣＨ₂ＣＨ₂−Ｓｉ（ＯＣＨ₃）₃、ＣＦ₃（ＣＦ₂）₃−ＣＨ₂ＣＨ₂−Ｓｉ（ＯＣＨ₃）₃、ＣＦ₃（ＣＦ₂）₅−ＣＨ₂ＣＨ₂−Ｓｉ（ＯＣＨ₃）₃、ＣＦ₃（ＣＦ₂）₅−ＣＨ₂ＣＨ₂−Ｓｉ（ＯＣ₂Ｈ₅）₃、ＣＦ₃（ＣＦ₂）₇−ＣＨ₂ＣＨ₂−Ｓｉ（ＯＣＨ₃）₃、ＣＦ₃（ＣＦ₂）₁₁−ＣＨ₂ＣＨ₂−Ｓｉ（ＯＣ₂Ｈ₅）₃、ＣＦ₃（ＣＦ₂）₃−ＣＨ₂ＣＨ₂−Ｓｉ（ＣＨ₃）（ＯＣＨ₃）₂、ＣＦ₃（ＣＦ₂）₇−ＣＨ₂ＣＨ₂−Ｓｉ（ＣＨ₃）（ＯＣＨ₃）₂、ＣＦ₃（ＣＦ₂）₈−ＣＨ₂ＣＨ₂−Ｓｉ（ＣＨ₃）（ＯＣ₂Ｈ₅）₂、ＣＦ₃（ＣＦ₂）₈−ＣＨ₂ＣＨ₂−Ｓｉ（Ｃ₂Ｈ₅）（ＯＣ₂Ｈ₅）₂、ＣＦ₃Ｏ（ＣＦ₂Ｏ）₆−ＣＨ₂ＣＨ₂−Ｓｉ（ＯＣ₂Ｈ₅）₃、ＣＦ₃Ｏ（Ｃ₃Ｆ₆Ｏ）₄−ＣＨ₂ＣＨ₂−Ｓｉ（ＯＣＨ₃）₃、ＣＦ₃Ｏ（Ｃ₃Ｆ₆Ｏ）₂（ＣＦ₂Ｏ）₃−ＣＨ₂ＣＨ₂−Ｓｉ（ＯＣＨ₃）₃、ＣＦ₃Ｏ（Ｃ₃Ｆ₆Ｏ）₈−ＣＨ₂ＣＨ₂−Ｓｉ（ＯＣＨ₃）₃、ＣＦ₃Ｏ（Ｃ₄Ｆ₉Ｏ）₅−ＣＨ₂ＣＨ₂−Ｓｉ（ＯＣＨ₃）₃、ＣＦ₃Ｏ（Ｃ₄Ｆ₉Ｏ）₅−ＣＨ₂ＣＨ₂−Ｓｉ（ＣＨ₃）（ＯＣ₂Ｈ₅）₂、ＣＦ₃Ｏ（Ｃ₃Ｆ₆Ｏ）₄−ＣＨ₂ＣＨ₂−Ｓｉ（Ｃ₂Ｈ₅）（ＯＣＨ₃）₂等が挙げられる。ただし、これらの構造に限定されるものではない。

また、界面活性剤としては、ＣＦ₃−ＣＨ₂ＣＨ₂−ＣＯＯＮａ、ＣＦ₃（ＣＦ₂）₃−ＣＨ₂ＣＨ₂−ＣＯＯＮａ、ＣＦ₃（ＣＦ₂）₃−ＣＨ₂ＣＨ₂−ＮＨ₃Ｂｒ、ＣＦ₃（ＣＦ₂）₅−ＣＨ₂ＣＨ₂−ＮＨ₃Ｂｒ、ＣＦ₃（ＣＦ₂）₇−ＣＨ₂ＣＨ₂−ＮＨ₃Ｂｒ、ＣＦ₃（ＣＦ₂）₇−ＣＨ₂ＣＨ₂−ＯＳＯ₃Ｎａ、ＣＦ₃（ＣＦ₂）₁₁−ＣＨ₂ＣＨ₂−ＮＨ₃Ｂｒ、ＣＦ₃（ＣＦ₂）₈−ＣＨ₂ＣＨ₂−ＯＳＯ₃Ｎａ、ＣＦ₃Ｏ（ＣＦ₂Ｏ）₆−ＣＨ₂ＣＨ₂−ＯＳＯ₃Ｎａ、ＣＦ₃Ｏ（Ｃ₃Ｆ₆Ｏ）₂（ＣＦ₂Ｏ）₃−ＣＨ₂ＣＨ₂−ＯＳＯ₃Ｎａ、ＣＦ₃Ｏ（Ｃ₃Ｆ₆Ｏ）₄−ＣＨ₂ＣＨ₂−ＯＳＯ₃Ｎａ、ＣＦ₃Ｏ（Ｃ₄Ｆ₉Ｏ）₅−ＣＨ₂ＣＨ₂−ＯＳＯ₃Ｎａ、ＣＦ₃Ｏ（Ｃ₃Ｆ₆Ｏ）₈−ＣＨ₂ＣＨ₂−ＯＳＯ₃Ｎａ等が挙げられる。ただし、これらの構造に限定されるものではない。

さらに、撥液剤８０としては、撥液性の高分子化合物を用いることもできる。例えば、撥液性高分子化合物としては、分子内にフッ素原子を含有するオリゴマー又はポリマーを用いることができ、具体例を挙げるならば、ポリ４フッ化エチレン（ＰＴＦＥ）、エチレン−４フッ化エチレン共重合体、６フッ化プロピレン−４フッ化エチレン共重合体、ポリフッ化ビニリデン（ＰＶｄＦ）、ポリ（ペンタデカフルオロヘプチルエチルメタクリレート）（ＰＰＦＭＡ）、ポリ（パーフルオロオクチルエチルアクリレート）等の長鎖パーフルオロアルキル構造を有するエチレン、エステル、アクリレート、メタクリレート、ビニル、ウレタン、シリコン、イミド、カーボネート系ポリマーである。

転写された撥液剤８０の膜はバンク溝部２０に影響を与えないように、厚みは１０ｎｍ以下が好ましく、より好ましくは５ｎｍ以下の膜厚である。

また、スタンプ剤５４の原版面５４ａへの撥液剤８０の塗布方法としては一般的なコーティング方法、例えば、押出コーティング方法、スピンコーティング方法、グラビアコーティング方法、リバースロールコーティング方法、ロッドコーティング方法、スリットコーティング方法、マイクログラビアコーティング方法、ディップコーティング方法、インクジェットコーティング方法等を採用することができる。

図１２（ｂ）は、撥液剤８０が塗布されている原版面５４ａと基板１０のバンク上面１２ｅとを接触させて、原版面５４ａの撥液剤８０を基板１０のバンク上面１２ｅへ転写することを説明する基板１０及び原版部材５１の断面図である。
先ず、原版面５４ａと基板１０のバンク上面１２ｅとの平行度が調整される。次に、弾力性を備えたスタンプ剤５４が多少変形する程度に、原版面５４ａと基板１０のバンク上面１２ｅとの間で付勢する。従って、バンク壁側面１２ｃ、バンク壁側面１２ｄには撥液剤８０が塗布されず、前述したバンク壁側面１２ｃ、バンク壁側面１２ｄ及び基板１０の表面１０ａの親水性はそのまま確保されている。スタンプ剤５４が多少変形することによって、撥液剤８０がバンク溝部２０に付着することがあるために、必要バンク膜１２ａの高さ（厚さ）は、１μｍ以上であることが好ましい。

図１２（ｃ）は、原版部材５１が基板１０のバンク上面１２ｅから離脱し、撥液剤８０が基板１０のバンク上面１２ｅ上に転写された状態を説明する基板１０の断面図である。
原版面５４ａと基板１０のバンク上面１２ｅとが接触した部分だけに撥液剤８０が転写され、接触していない部分には撥液剤８０が転写されていない。このことは、バンク上面１２ｅの一部に転写できる方法である。バンク上面１２ｅの全てに転写してもよい。

転写されたバンク上面１２ｅの撥液剤８０の撥液性を高めるために、転写の工程の後に、撥液剤８０を基板１０に対して固定するための工程、具体的には加熱処理や反応性の蒸気にさらすなどの処理を用いることが好ましい。例えば、シランカップリング剤の場合、基板を高温に加熱する、あるいは室温で高湿度の環境下にさらすことにより反応が進行する。具体例として、撥液剤８０としての撥液性高分子を基板１０のバンク上面１２ｅに反応定着させるために、１５０℃に加熱したオーブンで１分間加熱処理する方法である。

このように、塗布された撥液剤８０が基板１０に固定させることにより、基板１０上のバンク上面１２ｅだけが撥液剤８０である撥液性高分子の薄膜が形成される。転写された撥液剤８０の撥液性高分子により表面が撥液性に処理され、バンク上面１２ｅは水に対して９０°以上の高い接触角を示す。

図１３（ａ）は、液滴吐出ヘッド２００の全体の断面斜視図、同図（ｂ）は、吐出部の詳細断面図である。それぞれの液滴吐出ヘッド２００は、インクジェット液滴吐出ヘッドである。それぞれの液滴吐出ヘッド２００は、振動板２２６と、ノズルプレート２２８とを備えている。振動板２２６と、ノズルプレート２２８との間には、タンク（図示せず）からチューブ（図示せず）を介して、孔２３２へ供給されるインクとしての導電性液状材料１１が常に充填される液溜り２２９が位置している。

また、振動板２２６と、ノズルプレート２２８との間には、複数の隔壁２２２が位置している。そして、振動板２２６と、ノズルプレート２２８と、１対の隔壁２２２と、によって囲まれた部分がキャビティ２２０である。キャビティ２２０はノズル２５２に対応して設けられているため、キャビティ２２０の数とノズル２５２の数とは同じである。キャビティ２２０には、一対の隔壁２２２間に位置する供給口２３０を介して、液溜り２２９から導電性液状材料１１が供給される。

図１３（ｂ）では、振動板２２６上には、それぞれのキャビティ２２０に対応して、振動子２２４が位置する。振動子２２４は、ピエゾ素子２２４ｃと、ピエゾ素子２２４ｃを挟む一対の電極２２４ａ，２２４ｂとを含む。この一対の電極２２４ａ，２２４ｂとの間に駆動電圧を与えることで、対応するノズル２５２から導電性液状材料１１が吐出される。なお、ノズル２５２からＺ軸方向に導電性液状材料１１が吐出されるように、ノズル２５２の形状が調整されている。

ここで、本実施例において「導電性液状材料１１」とは、ノズルから吐出可能な粘度を有する材料をいう。この場合、材料が水性であること油性であることを問わない。ノズルから吐出可能な流動性（粘度）を備えていれば十分で、固体物質が混入していても全体として流動体であればよい。

導電性液状材料１１の粘度は１ｍＰａ・ｓ以上５０ｍＰａ・ｓ以下であるのが好ましい。粘度が１ｍＰａ・ｓより小さい場合には、導電性液状材料１１の液滴を吐出する際にノズル２５２の周辺部が導電性液状材料１１の流出により汚染されやすい。一方、粘度が５０ｍＰａ・ｓより大きい場合は、ノズル２５２における目詰まり頻度が高くなり、このため円滑な液滴の吐出が困難となり得る。

本実施例では、ひとつのノズル２５２と、ノズル２５２に対応するキャビティ２２０と、キャビティ２２０に対応する振動子２２４と、を含んだ部分を「吐出部２２７」と表記することもある。この表記によれば、１つの液滴吐出ヘッド２００は、ノズル２５２の数と同じ数の吐出部２２７を有する。吐出部２２７は、ピエゾ素子の代わりに電気熱変換素子を有してもよい。つまり、吐出部２２７は、電気熱変換素子による材料の熱膨張を利用して材料を吐出する構成を有していてもよい。

ここで導電性液状材料１１の材質について説明する。導電性パターンとなる導電性液状材料１１は、導電性微粒子及び有機金属化合物のうちの少なくとも一方を含有し、液滴吐出装置（図示せず）によって基板１０の上に所定の形状で所定の位置に設けられて導電性パターンとなる。導電性微粒子及び有機金属化合物のうちの少なくとも一方を含有する導電性液状材料１１としては、導電性微粒子を分散媒に分散させた分散液、液体の有機金属化合物、有機金属化合物の溶液、又はそれらの混合物を用いる。

ここで用いられる導電性微粒子は、例えば、金、銀、銅、アルミニウム、パラジウム、マンガン、インジウム、スズ、アンチモン及びニッケルのうちの少なくともいずれか１つを含有する金属微粒子の他、これらの酸化物、並びに導電性ポリマーや超電導体の微粒子などが用いられる。

これらの導電性微粒子は分散性を向上させるために表面に、キシレンやトルエン等の有機溶剤やクエン酸等をコーティングして使うこともできる。導電性微粒子の粒径は１ｎｍ以上０．１μｍ以下であることが好ましい。０．１μｍより大きいと後述する液滴吐出ヘッドの吐出ノズルに目詰まりが生じるおそれがある。また、１ｎｍより小さいと導電性微粒子に対するコーテイング材の体積比が大きくなり、得られる膜中の有機物の割合が過多となる。コーティング材で導電性微粒子を被覆したものを用いる場合、液状体の形態では導電性を示さず、乾燥又は焼結した際に導電性を呈するようなインクとすることもできる。

導電性微粒子のコーティング剤として、アミン、アルコール、チオールなどが知られている。より具体的には、導電性微粒子のコーティング剤として、２−メチルアミノエタノール、ジエタノールアミン、ジエチルメチルアミン、２−ジメチルアミノエタノール、メチルジエタノールアミンなどのアミン化合物、アルキルアミン類、エチレンジアミン、アルキルアルコール類、エチレングリコール、プロピレングリコール、アルキルチオール類、エタンジチオールを用いることができる。

また、有機金属化合物としては、例えば金、銀、銅、パラジウムなどを含有する化合物や錯体で、熱分解により金属を析出するものが挙げられる。具体的には、クロロトリエチルホスフィン金（Ｉ）、クロロトリメチルホスフィン金（Ｉ）、クロロトリフェニルフォスフィン金（Ｉ）、銀（Ｉ）２，４−ペンタンヂオナト錯体、トリメチルホスフィン（ヘキサフルオロアセチルアセトナート）銀（Ｉ）錯体、銅（Ｉ）ヘキサフルオロペンタンジオナトシクロオクタジエン錯体、などが挙げられる。

導電性微粒子及び有機金属化合物のうちの少なくとも一方を含有する液体の分散媒又は溶媒としては、室温での蒸気圧が０．００１ｍｍＨｇ以上２００ｍｍＨｇ以下（約０．１３３Ｐａ以上２６６００Ｐａ以下）であるものが好ましい。蒸気圧が２００ｍｍＨｇより高いと、吐出後に分散媒又は溶媒が急激に蒸発してしまい、良好な膜を形成することが困難となるからである。

また、分散媒又は溶媒の蒸気圧は０．００１ｍｍＨｇ以上５０ｍｍＨｇ以下（約０．１３３Ｐａ以上６６５０Ｐａ以下）であるのがより好ましい。蒸気圧が５０ｍｍＨｇより高いと、液滴吐出法で液滴を吐出する際に乾燥によるノズル詰まりが起こり易く、安定な吐出が困難になるからである。一方、室温での蒸気圧が０．００１ｍｍＨｇより低い分散媒又は溶媒の場合には、乾燥が遅くなって膜中に分散媒又は溶媒が残留しやすくなり、後工程の熱及び／又は光処理後に良質の導電膜が得られにくくなる。

分散媒としては、前記の導電性微粒子を分散できるもので凝集を起こさないものであれば特に限定されない。例えば、水の他に、メタノール、エタノール、プロパノール、ブタノールなどのアルコール類、ｎ−ヘプタン、ｎ−オクタン、デカン、ドデカン、テトラデカン、トルエン、キシレン、シメン、デュレン、インデン、ジペンテン、テトラヒドロナフタレン、デカヒドロナフタレン、シクロヘキシルベンゼンなどの炭化水素系化合物、またエチレングリコールジメチルエーテル、エチレングリコールジエチルエーテル、エチレングリコールメチルエチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジエチルエーテル、ジエチレングリコールメチルエチルエーテル、１，２−ジメトキシエタン、ビス（２−メトキシエチル）エーテル、ｐ−ジオキサンなどのエーテル系化合物、さらにプロピレンカーボネート、γ−ブチロラクトン、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシド、シクロヘキサノンなどの極性化合物を例示できる。これらのうち、微粒子の分散性と分散液の安定性、また液滴吐出法への適用の容易さの点で、水、アルコール類、炭化水素系化合物、エーテル系化合物が好ましく、より好ましい分散媒としては、水、炭化水素系化合物を挙げることができる。

前記導電性微粒子を分散媒に分散する場合の分散質濃度としては、１質量％以上８０質量％以下とするのが好ましく、所望の導電膜の膜厚に応じて調整することができる。８０質量％を超えると凝集をおこしやすくなり、均一な膜が得にくくなる。また、同様の理由で、前記有機金属化合物の溶液の溶質濃度としても、前記の分散質濃度と同範囲のものが好ましい。

前記導電性微粒子の分散液の表面張力は０．０２Ｎ／ｍ以上０．０７Ｎ／ｍ以下の範囲内であることが好ましい。液滴吐出法によりインクを吐出する際、表面張力が０．０２Ｎ／ｍ未満であると、インクのノズル面に対する濡れ性が増大するため飛行曲りが生じやすくなり、０．０７Ｎ／ｍを超えるとノズル先端でのメニスカスの形状が安定しないため吐出量や吐出タイミングの制御が困難になる。表面張力を調整するため、前記分散液には、基板との接触角を大きく低下させない範囲で、フッ素系、シリコーン系、ノニオン系などの表面張力調節剤を微量添加するとよい。ノニオン系表面張力調節剤は、インクの基板への濡れ性を向上させ、膜のレベリング性を改良し、膜の微細な凹凸の発生などの防止に役立つものである。前記表面張力調節剤は、必要に応じて、アルコール、エーテル、エステル、ケトン等の有機化合物を含んでもよい。

前記分散液の粘度は１ｍＰａ・ｓ以上５０ｍＰａ・ｓ以下であることが好ましい。液滴吐出法を用いてインクを液滴として吐出する際、粘度が１ｍＰａ・ｓより小さい場合にはノズル周辺部がインクの流出により汚染されやすく、また粘度が５０ｍＰａ・ｓより大きい場合は、ノズル孔での目詰まり頻度が高くなり円滑な液滴の吐出が困難となる。

このような導電層用インク３３ａとしては、具体的には、直径１０ｎｍ程度の銀微粒子が有機溶剤に分散した銀微粒子分散液（真空冶金社製、商品名「パーフェクトシルバー」）の分散媒をテトラデカンで置換してこれを希釈し、濃度が６０ｗｔ％、粘度が８ｍＰａ・ｓ、表面張力が０．０２２Ｎ／ｍとなるように調整したものを例示することができる。

図１４（ａ）〜（ｃ）は、液滴吐出ヘッド２００から吐出された導電性液状材料１１と基板１０との関係を説明する断面図である。
図１４（ａ）では、液滴吐出ヘッド２００から吐出された導電性液状材料１１は、砲弾型の形状で基板１０に達する。液滴吐出装置（図示せず）によって、バンク壁側面１２ｃと基板１０の表面１０ａとバンク壁側面１２ｄとが構成しているバンク溝部２０に対して、吐出するための位置が制御されて導電性液状材料１１が吐出される。図示してある導電性液状材料１１は、液滴吐出装置が備えている液滴吐出ヘッド２００から吐出されたものである。導電性液状材料１１の液滴の大きさＤが、バンク溝部２０のバンク溝幅Ｂより大きい場合について説明する。

図１４（ｂ）では、導電性液状材料１１が基板１０へ到達した直後の状態を示す。導電性液状材料１１の液滴の大きさＤがバンク溝部２０のバンク溝幅Ｂより大きいために、基板１０に到達した直後は同図のようにバンク溝部２０のバンク溝幅Ｂよりはみ出して、バンク上面１２ｅの上に配設されている撥液剤８０の領域まで広がった形状（以降、着弾径という）Ｌとなる。

撥液剤８０は、前述したようにバンク上面１２ｅにおいて、水に対して１１０°以上の高い接触角を備えているため、導電性液状材料１１に対しても接触角θは大きい。一方、バンク溝部２０は前述したように親水性となっているために、基板１０に到達した導電性液状材料１１は、バンク上面１２ｅに配設されている撥液剤８０から圧縮力を受け、逆にバンク溝部２０からは張力を受ける。このために、導電性液状材料１１はバンク溝部２０の溝に沿って、同図紙面の垂直方向の前後に広がっていくことができる。また、バンク溝幅Ｂが液滴の大きさＤより大きい場合は、より安定して導電性液状材料１１をバンク溝部２０の中へ収容することができる。

図１４（ｃ）では、導電性液状材料１１がバンク溝部２０の溝に沿って広がった後の状態を示す。
導電性液状材料１１は、親水性となっているバンク壁側面１２ｃとバンク上面１２ｅ上に配設されている撥液性となっている撥液剤８０との境界１１ｃから、バンク壁側面１２ｄとバンク上面１２ｅ上に配設されている撥液性となっている撥液剤８０との境界１１ｄとの間のバンク溝部２０に収まる。従来は、バンク壁側面１２ｃ及びバンク壁側面１２ｄは撥液性となっていたために、導電性液状材料１１をバンク溝部２０に収めるための張力が弱く、導電性液状材料１１が収まる途中で、同図に示すように導電性液状材料１１ａ及び導電性液状材料１１ｂ（以降、着弾痕という）が撥液剤８０上に残ってしまい、導電性液状材料１１の成膜処理が施された後に、この着弾痕も電気的に導電性を備えるために、多層構造の電気回路を構成しようとすると、各層間で電気的な短絡が生じ基板としての電気的な信頼性を損ねていた。

以下、本実施例の効果を記載する。
（１）バンク壁側面１２ｃ及びバンク壁側面１２ｄが親水性となっていることから、導電性液状材料１１をバンク溝部２０の溝に引き入れる力が増し、着弾径（導電性液状材料１１の液滴の大きさＤ）より小さな線幅（バンク溝部２０のバンク溝幅Ｂ）の場合でも着弾痕（導電性液状材料１１ａ及び導電性液状材料１１ｂ）のない導電性パターンを得ることができる。

次に実施例２について図面を用いて説明する。
本実施例は、実施例１と異なる部分について記載し、記載されていない部分は実施例１と同様である。

図１５（ａ）、（ｂ）は、ロール状の原版部材６１の製作方法を示す平断面図及び斜視図である。
図１５（ａ）、（ｂ）では、基板１０とは別部材のロール状の原版部材６１を製作する工程を説明する。
型枠６２の内壁６２ａは、円筒研削加工で真円度、円筒度が精度良く仕上げられている。型枠６２の下方には段孔６２ｂが内壁６２ａと同心度が確保されて設けられ、中心に孔６４ａを備えた底板６４と底板６３とが係合している。ここに実施例１に記載の液状のスタンプ剤５４を流し込む。

中心軸６５を型枠６２の上方から差し入れ、中心軸６５の一端を底板６４の中心の孔６４ａに挿入する。型枠６２の上方に設けられている段孔６２ｃと係合する蓋６６を型枠６２の上方から挿入し、蓋６６に備えられている孔６６ａと中心軸６５の他端とを係合させながら挿入する。蓋６６に備えられている逃げ孔６６ｂ，６６ｃからは、余分な液状のスタンプ剤５４が型枠６２の外部に流出するようになっている。これらの部材を実施例１と同様に処理することによって、液状のスタンプ剤５４が固化する。固化されたスタンプ剤５４と一部がスタンプ剤５４に内包されている中心軸６５を型枠６２から取り出す。

図１５（ｃ）は、型枠６２から取り出されたロール状の原版部材６１である。
スタンプ剤５４から突出している中心軸６５の突出部６５ａ，６５ｂと、スタンプ剤５４の原版面５４ａとの同軸度を計測する。計測された同軸度が好ましくない場合又はスタンプ剤５４の原版面５４ａに気泡が存在している場合は、中心軸６５の突出部６５ａ，６５ｂを基準にして原版面５４ａを旋削する。この場合に、スタンプ剤５４は弾力性を有しているため、加熱された鋭利な刃物で旋削するとよい。

原版部材６１のスタンプ剤５４の原版面５４ａは実施例１と同様に表面処理剤７０によって処理される。こうして製作された原版部材６１をロールコートする装置等に装着して、スタンプ剤５４の原版面５４ａに実施例１に記載の撥液剤８０を均一な厚さに塗布し、バンク溝部２０が備えられている基板１０のバンク上面１２ｅに転写し撥液剤８０を成膜処理する。

以下、本実施例の効果を記載する。
（２）基板１０のバンク上面１２ｅに撥液剤８０を連続して塗布することができるようになり、生産性が向上する。

次に実施例３について図面を用いて説明する。
本実施例は、実施例１と異なる部分について記載し、記載されていない部分は実施例１と同様である。
本実施例は、基板１０に配設されているバンク膜１２に対して、エンボス印刷法でバンク形成を行いながら撥液剤８０を塗布して、所望の形状の必要バンク膜１２ａを得ると伴にバンク上面１２ｅを撥液性にするための処理を施す方法である。

図１６は、エンボス印刷法でバンク形成を行いながら、必要バンク膜１２ａのバンク上面１２ｅに撥液剤８０を塗布する工程を説明する基板断面図である。
図１６では、先ず、基板１０の面にバンク膜１２となる例えば、ポリメチルメタクリレート樹脂（ＰＭＭＡ）が、前述した通りに形成される。このバンク膜１２は、いったん乾燥又は加熱又は光照射により固化させる。ここで、バンク膜１２は、光又は熱に対して感応型でも非感応型でも良い。非感応型としては塗料等がある。

固化されたバンク膜１２を備えた基板１０は、エンボス印刷装置７５と、撥液剤塗布装置７６とによって適宜加圧されて、相対位置を変更する。エンボス印刷装置７５は、エンボスドラム７７の周囲に所望のバンクパターンと対向した凸凹の溝を備えたアルミプレート７８が備えられている。所望のバンクパターンと対向した凸凹の溝を備えていないアルミプレート７８の部分によって接合してエンボスドラム７７に取り付ける場合は、アルミプレート７８の長さ（周長）を基板１０の相対位置を変更する方向の長さより長くしておくことによって、基板１０の上に配設されているバンク膜１２に対して所望の必要バンク膜１２ａを得ることができる。

また、アルミプレート７８が備えられているエンボスドラム７７と、バンク膜１２が備えられている基板１０との相対位置を変更する間での滑り等による位置ずれを防止するために、歯車伝達機構（図示せず）又はベルト伝達機構（図示せず）が配設されている。

アルミプレート７８の所望のバンクパターンと対向した凸凹の溝は、フォトリソグラフィ法によりエッチングされて形成されたもの、又はレーザ加工により微細溶融加工されたものである。所望のバンクパターンと対向した凸凹の溝の深さは、バンク膜１２と等しいか或いは大きいことが好ましい。

固化されたバンク膜１２を備えた基板１０とエンボス印刷装置７５とが適宜加圧されて相対位置を変更すると、バンク膜１２には、アルミプレート７８の所望のバンクパターンと対向した凸凹の溝とその凸凹の溝に対向した所望のバンクパターンが形成される。

バンク膜１２は、エンボス印刷装置７５によって、必要バンク膜１２ａが基板１０の上に残される。これらの工程を経ることによって、基板１０上の面に必要バンク膜１２ａが所望のパターンを有して配設され、一つの必要バンク膜１２ａのバンク壁側面１２ｃとこの必要バンク膜１２ａに対向して配設されている他の必要バンク膜１２ａのバンク壁側面１２ｄと基板１０の表面１０ａとで凹部が構成され、バンク溝部２０が形成される。また、必要バンク膜１２ａの上方の面をバンク上面１２ｅという。この工程で、バンク膜１２を加熱することによってバンク膜１２が柔軟性を呈し、さらに好ましい必要バンク膜１２ａが得られる。

撥液剤塗布装置７６は、本発明の実施例２の基板１０とは別部材のロール状の原版部材６１が備えられ、タンク７９に貯留されている撥液剤８０が適宜、補助ロール８１に供給され、膜厚制御装置８２によって補助ロール８１の周囲に付着している撥液剤８０の厚さを制御している。

補助ロール８１は、原版部材６１と隣接していて補助ロール８１の周囲の撥液剤８０を原版部材６１に転写される。転写された撥液剤８０は、原版部材６１によって基板１０の必要バンク膜１２ａのバンク上面１２ｅを適宜加圧しながらバンク上面１２ｅに転写される。この後に撥液剤８０の前述の成膜処理が施される。

これらの工程を経ることによって、基板１０上に配設されたバンク膜１２は、エンボス印刷装置７５によってバンク溝部２０が形成され、続いて撥液剤塗布装置７６によってバンク上面１２ｅの一部又は全部に撥液剤８０が塗布／成膜処理され、バンク上面１２ｅは撥水性を備えるようになる。

以下、本実施例の効果を記載する。
（３）基板１０に配設されているバンク膜１２に対し、エンボス印刷装置７５によってバンク溝部２０が形成され、続いて撥液剤塗布装置７６によってバンク上面１２ｅの一部又は全部に撥液剤８０が塗布されるため生産性が向上する。

次に実施例４について図面を用いて説明する。
本実施例は、実施例１と異なる部分について記載し、記載されていない部分は実施例１と同様である。
本実施例は、薄膜トランジスタ（以下、ＴＦＴと称す）駆動による液晶パネルに本発明を用いたものである。

図１７（ａ）は、ＴＦＴを搭載するためのゲート電極を配設する方法を説明する基板の部分平面図であり、図１７（ｂ）は、基板の部分断面図である。
液晶パネルのＴＦＴアレイ基板３００上には、マトリクス状に複数の透明な画素電極（図示せず）が設けられており、それぞれの画素電極にはポリシリコン膜からなる半導体層３０１が配設されている。また、ＴＦＴアレイ基板３００と対向する対向基板（図示せず）との間には液晶（図示せず）が充填されており、それぞれの基板の表面には配向膜（図示せず）が配設され、液晶が所定の方向に配列するように配向処理が成されている。この液晶の所定の方向と一致する方向に偏光軸を備えた一対の偏光版（図示せず）が光路上に配設されている。

本実施例は、この半導体層３０１用のゲート電極３０２を形成する方法で説明する。
ＴＦＴアレイ基板３００の上に、所望の必要バンク膜１２ａａ，１２ａｂ，１２ａｃがそれぞれ前述した通りに形成される。必要バンク膜１２ａａのバンク壁側面３１３と必要バンク膜１２ａｂのひとつの一辺としてのバンク壁側面３１４とＴＦＴアレイ基板表面３１０とによってバンク溝部３２０が構成される。また、必要バンク膜１２ａｂの他の一辺としてのバンク壁側面３１５と必要バンク膜１２ａｃのひとつの一辺としてのバンク壁側面３１６とＴＦＴアレイ基板表面３１０とによって他のバンク溝部３２１が構成される。バンク溝部３２０，３２１は本実施例では直線であるが、屈曲していてもよい。また、バンク溝部３２０，３２１の幅は一定でなくてもよい。

必要バンク膜１２ａａ，１２ａｂ，１２ａｃのそれぞれのバンク上面３１２には、前述した通りに撥液剤８０が塗布／成膜処理され撥液性を呈している。

ＴＦＴアレイ基板３００のバンク溝部３２０の溝の略中心に、バンク溝部３２０の幅より大きい前述の液滴吐出ヘッド２００（図１３参照）から吐出された導電性液状材料３１１が到達した際は、導電性液状材料３１１は導電性液状材料３１７へと形を変えて着弾する。

着弾した導電性液状材料３１７はバンク溝部３２０の幅より大きいため、導電性液状材料３１７の一部は必要バンク膜１２ａａと必要バンク膜１２ａｂのバンク上面３１２の上に着弾する。しかしながら、本発明によれば、バンク上面３１２は撥液剤８０によって撥液化され、バンク溝部３２０は親水化されているため、バンク上面３１２の上に着弾した導電性液状材料３１７は、バンク溝部３２０の中に全て収容される。

収容された導電性液状材料３１７は、バンク溝部３２０の中で変形して導電性液状材料３１８ａから導電性液状材料３１８ｂまで広がる。この広がる量はバンク溝部３２０の幅と、バンク溝部３２０の深さと、吐出された導電性液状材料３１１の体積と、導電性液状材料３１１の粘性と、ＴＦＴアレイ基板３００の温度と、バンク溝部３２０の親水化の程度と、撥液剤８０によるバンク上面３１２の撥液化の程度とによって略決まる。

バンク溝部３２０上に、前述の液滴吐出ヘッド２００から別の位置に導電性液状材料３１１を吐出する場合は、前述の広がる量を考慮して吐出する。この場合に、前に吐出されて広がった導電性液状材料３１８ａから導電性液状材料３１８ｂまでの領域に重ねて導電性液状材料３１１を吐出することによって厚いゲート電極３０２を得ることができる。

他のバンク溝部３２１にも同様に導電性液状材料３１１を吐出してゲート電極３０２を造ることができる。

ＴＦＴアレイ基板３００では、ゲート電極３０２を造った後に、ゲート電極３０２とバンク上面３１２とを含む一部又は全部に絶縁層３２２を造る。この場合に、バンク上面３１２に配設した撥液剤８０による撥液化層を親水化する工程を設けてから、絶縁層を配設してもよい。この絶縁層上の所定の位置に半導体層３０１が配設される。また、この半導体層３０１用の電極として、ソース電極３２３（図１７（ｂ）参照）とドレイン電極３２４（図１７（ｂ）参照）が配設されてＴＦＴの主要部が構成される。

本実施例は、ＴＦＴ駆動による液晶パネルのゲート電極３０２として説明したが、ＴＦＴ駆動による液晶パネルの他の電極、有機ＴＦＴ駆動の液晶パネルの各電極、有機エレクトロルミネッセンス表示装置の各電極、他の電気光学表示装置の各電極を製造する方法として同様に適用することができる。

以下、本実施例の効果を記載する。
（４）電気光学表示装置は、表示をするための表示領域を広く確保することによって、画素数を増やして、より高細密にすることが求められている。本実施例によれば、トランジスタ、ダイオード等を制御するための各電極を極力細くすることができると伴にバンク上面３１２に導電性液状材料３１１が残留しない電気的に信頼性のある導電性パターンを形成することができる。

本発明の実施例は、前記に限定されず以下のように変更できる。

（変形例１）前記実施例では、基板１０とは別部材の原版部材５１の原版面５４ａは平滑な平面を備えているとしたが、基板１０のバンク溝部２０の形状に合わせて凸凹に成形して、バンク上面１２ｅの一部又は全部に撥液剤８０を設けてもよい。

（変形例２）前記実施例では、基板１０とは別部材の原版部材６１に備えられているスタンプ剤５４をロール状としているが、基板１０のバンク溝部２０の形状に合わせて凸凹に成形して、バンク上面１２ｅの一部又は全部に撥液剤８０を設けてもよい。

基板と該基板上にバンクを形成する工程のフローチャート。 （ａ）〜（ｆ）は、フォトリソグラフィ法によってバンク膜をエッチングしてバンクを形成する工程を説明する基板断面図。 （ａ）、（ｂ）は、転写法によってバンクを形成する工程を説明する基板断面図。 （ａ）〜（ｃ）は、印刷法によってバンク膜をエッチングしてバンクを形成する工程を説明する基板断面図。 図１のフローチャートにおける印刷法によって、直接的にバンクを形成する工程（Ｓ１０２，Ｓ１０３）を説明する基板断面図。 （ａ）〜（ｃ）は、エンボス法による印刷法によって直接的にバンクを形成する工程を説明する基板断面図。 （ａ）〜（ｃ）は、インプリント法による印刷法によって直接的にバンクを形成する工程を説明する基板断面図。 （ａ）〜（ｅ）は、図１のフローチャートにおけるフォトリソグラフィ法によって、基板をエッチングしてバンクを形成する工程（Ｓ１２１，Ｓ１２４，Ｓ１２５）を説明する基板断面図。 （ａ）〜（ｄ）は、図１のフローチャートにおける転写法によって、基板をエッチングしてバンクを形成する工程（Ｓ１２２，Ｓ１２４，Ｓ１２５）を説明する基板断面図。 （ａ）〜（ｃ）は、図１のフローチャートにおける印刷法によって、基板をエッチングしてバンクを形成する工程（Ｓ１２３，Ｓ１２４，Ｓ１２５）を説明する基板断面図。 （ａ）は、平板状の原版部材を製作する際の平面図、（ｂ）は、平板状の原版部材を製作する際の図１１（ａ）のＡ−Ａ断面図、（ｃ）は、完成した平板状の原版部材の斜視図。 （ａ）は、撥液剤８０が塗布されている原版部材５１の断面図、（ｂ）は、撥液剤８０が塗布されている原版面５４ａと基板１０のバンク上面１２ｅとを接触させて、原版面５４ａの撥液剤８０を基板１０のバンク上面１２ｅへ転写することを説明する基板１０及び原版部材５１の断面図、（ｃ）は、原版部材５１が基板１０のバンク上面１２ｅから離脱し、撥液剤８０が基板１０のバンク上面１２ｅ上に転写された状態を説明する基板１０の断面図。 （ａ）は、液滴吐出ヘッド２００の全体の断面斜視図、（ｂ）は、吐出部の詳細断面図。 （ａ）〜（ｃ）は、液滴吐出ヘッド２００から吐出された導電性液状材料１１と基板１０との関係を説明する断面図。 （ａ）、（ｂ）は、ロール状の原版部材６１を製作する工程を説明する平断面図、（ｃ）は、型枠６２から取り出されたロール状の原版部材６１の斜視図。 エンボス印刷法でバンク形成を行いながら、必要バンク膜１２ａのバンク上面１２ｅに撥液剤８０を塗布する工程を説明する基板断面図。 （ａ）は、ＴＦＴを搭載するためのゲート電極を配設する方法を説明する基板の部分平面図、（ｂ）は、基板の部分断面図。

符号の説明

Ｂ…バンク溝幅、Ｄ…液滴の大きさ、Ｌ…着弾径、θ…接触角、１０…基板、１０ａ…表面、１０ｂ…パターン、１１，１１ａ，１１ｂ…導電性液状材料、１１ｃ，１１ｄ…境界、１２…バンク膜、１２ａ，１２ａａ，１２ａｂ，１２ａｃ…必要バンク膜、１２ｂ…不要バンク膜、１２ｃ，１２ｄ…バンク壁側面、１２ｅ…バンク上面、１４…レジスト、１４ａ…必要レジスト、１４ｂ…不要レジスト、１６…フォトマスク、１６ａ…フォトマスクパターン、２０…バンク溝部、３０…フィルム、３１…バンク壁、３２…ローラ、３３ａ…導電層用インク、５０…撥液剤、５１…基板とは別部材の平板状の原版部材、５２…型枠、５２ａ…案内孔、５２ｂ…壁面、５３…スタンプ体、５３ａ…傾斜面、５３ｂ…突出部、５３ｃ…面、５４…スタンプ剤、５４ａ…原版面、５５…平板、５５ａ…面、５６…付勢部材、６１…基板とは別部材のロール状の原版部材、６２…型枠、６２ａ…壁、６２ｂ，６２ｃ…段孔、６３，６４…底板、６４ａ…孔、６５…中心軸、６５ａ，６５ｂ…突出部、６６…蓋、６６ａ…孔、６６ｂ，６６ｃ…逃げ孔、７０…表面処理剤、７１…基板とは別部材の平板状の原版部材、７１ａ…バンク形状パターン部、７２…バンク形状パターン部、７３…バンク液状材料、７４…バンク液状材料供給装置、７５…エンボス印刷装置、７６…撥液剤塗布装置、７７…エンボスドラム、７８…アルミプレート、７９…タンク、８０…撥液剤、８１…補助ロール、８２…膜厚制御装置、２００…液滴吐出ヘッド、２２０…キャビティ、２２２…隔壁、２２４…振動子、２２４ａ，２２４ｂ…電極、２２４ｃ…ピエゾ素子、２２６…振動板、２２７…吐出部、２２８…ノズルプレート、２２９…液溜り、２３０…供給口、２３２…孔、２５２…ノズル、３００…ＴＦＴアレイ基板、３０１…半導体層、３０２…ゲート電極、３１０…ＴＦＴアレイ基板表面、３１１，３１７，３１８ａ，３１８ｂ…導電性液状材料、３１２…バンク上面、３１３，３１４，３１５，３１６…バンク壁側面、３２０，３２１…バンク溝部、３２２…絶縁層、３２３…ソース電極、３２４…ドレイン電極。

Claims (10)

1. 基板上にバンクを形成する工程と、
   前記バンクの上面の一部又は全部に撥液剤を塗布する工程と
   を含むことを特徴とする導電性パターンの形成方法。
2. 基板上にバンクを形成する工程と、
   前記基板と前記バンクの一部又は全部を親水化する工程と、
   前記バンクの上面の一部又は全部に撥液剤を塗布する工程と
   を含むことを特徴とする導電性パターンの形成方法。
3. 請求項１又は２に記載の前記撥液剤は、前記基板とは別部材の原版部材に付着させ、前記原版部材と前記基板上の前記バンクの上面とが接触することにより、前記撥液剤が前記バンクの上面の一部又は全部に転写することを特徴とする導電性パターンの形成方法。
4. 請求項１〜３のいずれか一項に記載の前記バンクは、フォトリソグラフィ法又は転写法又は印刷法によって形成されることを特徴とする導電性パターンの形成方法。
5. 請求項１〜４のいずれか一項に記載の前記バンクの材質は、無機材料又は有機材料であることを特徴とする導電性パターンの形成方法。
6. 請求項１〜５のいずれか一項に記載の前記バンクの高さは、１μｍ以上であることを特徴とする導電性パターンの形成方法。
7. 請求項２に記載の前記基板と前記バンクの一部又は全部を親水化する工程は、オゾン酸化処理、プラズマ処理、コロナ処理、紫外線照射処理、電子線照射処理、酸処理、アルカリ処理の少なくとも一つの処理を含むことを特徴とする導電性パターンの形成方法。
8. 請求項３に記載の原版部材は、平板状又はロール状であることを特徴とする導電性パターンの形成方法。
9. 請求項３又は８に記載の前記原版部材の材質は、少なくともシロキサン構造を含むエラストマであることを特徴とする導電性パターンの形成方法。
10. 請求項１〜３のいずれか一項に記載の前記撥液剤は、シランカップリング剤又は撥液性を呈する高分子であることを特徴とする導電性パターンの形成方法。
    

Images