JP2007150015A - パターン形成方法、及び液滴吐出装置 - Google Patents
パターン形成方法、及び液滴吐出装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2007150015A JP2007150015A JP2005343302A JP2005343302A JP2007150015A JP 2007150015 A JP2007150015 A JP 2007150015A JP 2005343302 A JP2005343302 A JP 2005343302A JP 2005343302 A JP2005343302 A JP 2005343302A JP 2007150015 A JP2007150015 A JP 2007150015A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- region
- droplet
- pattern
- substrate
- laser beam
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 73
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 72
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 63
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims abstract description 37
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims abstract description 10
- 238000007599 discharging Methods 0.000 claims abstract description 9
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims abstract description 6
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 12
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 10
- 230000008859 change Effects 0.000 claims description 8
- 239000002904 solvent Substances 0.000 abstract description 32
- 239000002612 dispersion medium Substances 0.000 abstract description 29
- 230000003993 interaction Effects 0.000 abstract description 8
- 230000007261 regionalization Effects 0.000 description 25
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 15
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 14
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 14
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 description 10
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 9
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 7
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 230000008016 vaporization Effects 0.000 description 6
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 5
- 230000007480 spreading Effects 0.000 description 5
- 238000003892 spreading Methods 0.000 description 5
- 238000009834 vaporization Methods 0.000 description 5
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 4
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 4
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 4
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N N,N-Dimethylformamide Chemical compound CN(C)C=O ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- IMNFDUFMRHMDMM-UHFFFAOYSA-N N-Heptane Chemical compound CCCCCCC IMNFDUFMRHMDMM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-N citric acid Chemical compound OC(=O)CC(O)(C(O)=O)CC(O)=O KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- -1 for example Substances 0.000 description 3
- 150000002430 hydrocarbons Chemical class 0.000 description 3
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 3
- YBYIRNPNPLQARY-UHFFFAOYSA-N 1H-indene Chemical compound C1=CC=C2CC=CC2=C1 YBYIRNPNPLQARY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YEJRWHAVMIAJKC-UHFFFAOYSA-N 4-Butyrolactone Chemical compound O=C1CCCO1 YEJRWHAVMIAJKC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N Diethyl ether Chemical compound CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XTHFKEDIFFGKHM-UHFFFAOYSA-N Dimethoxyethane Chemical compound COCCOC XTHFKEDIFFGKHM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IAZDPXIOMUYVGZ-UHFFFAOYSA-N Dimethylsulphoxide Chemical compound CS(C)=O IAZDPXIOMUYVGZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LRHPLDYGYMQRHN-UHFFFAOYSA-N N-Butanol Chemical compound CCCCO LRHPLDYGYMQRHN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- SECXISVLQFMRJM-UHFFFAOYSA-N N-Methylpyrrolidone Chemical compound CN1CCCC1=O SECXISVLQFMRJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N O-Xylene Chemical compound CC1=CC=CC=C1C CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000001298 alcohols Chemical class 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 2
- 229920001940 conductive polymer Polymers 0.000 description 2
- JHIVVAPYMSGYDF-UHFFFAOYSA-N cyclohexanone Chemical compound O=C1CCCCC1 JHIVVAPYMSGYDF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- DIOQZVSQGTUSAI-UHFFFAOYSA-N decane Chemical compound CCCCCCCCCC DIOQZVSQGTUSAI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- SNRUBQQJIBEYMU-UHFFFAOYSA-N dodecane Chemical compound CCCCCCCCCCCC SNRUBQQJIBEYMU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 2
- SQNZJJAZBFDUTD-UHFFFAOYSA-N durene Chemical compound CC1=CC(C)=C(C)C=C1C SQNZJJAZBFDUTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000002170 ethers Chemical class 0.000 description 2
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 2
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 239000002346 layers by function Substances 0.000 description 2
- XMGQYMWWDOXHJM-UHFFFAOYSA-N limonene Chemical compound CC(=C)C1CCC(C)=CC1 XMGQYMWWDOXHJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000005499 meniscus Effects 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 239000003607 modifier Substances 0.000 description 2
- TVMXDCGIABBOFY-UHFFFAOYSA-N octane Chemical compound CCCCCCCC TVMXDCGIABBOFY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002210 silicon-based material Substances 0.000 description 2
- NDVLTYZPCACLMA-UHFFFAOYSA-N silver oxide Chemical compound [O-2].[Ag+].[Ag+] NDVLTYZPCACLMA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BGHCVCJVXZWKCC-UHFFFAOYSA-N tetradecane Chemical compound CCCCCCCCCCCCCC BGHCVCJVXZWKCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 2
- 239000008096 xylene Substances 0.000 description 2
- LZDKZFUFMNSQCJ-UHFFFAOYSA-N 1,2-diethoxyethane Chemical compound CCOCCOCC LZDKZFUFMNSQCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CAQYAZNFWDDMIT-UHFFFAOYSA-N 1-ethoxy-2-methoxyethane Chemical compound CCOCCOC CAQYAZNFWDDMIT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004734 Polyphenylene sulfide Substances 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002679 ablation Methods 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 230000002776 aggregation Effects 0.000 description 1
- 238000004220 aggregation Methods 0.000 description 1
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 1
- 238000009835 boiling Methods 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- HHNHBFLGXIUXCM-GFCCVEGCSA-N cyclohexylbenzene Chemical compound [CH]1CCCC[C@@H]1C1=CC=CC=C1 HHNHBFLGXIUXCM-GFCCVEGCSA-N 0.000 description 1
- 229930007927 cymene Natural products 0.000 description 1
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 150000002148 esters Chemical class 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 150000002576 ketones Chemical class 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 229910021645 metal ion Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 239000002105 nanoparticle Substances 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000005416 organic matter Substances 0.000 description 1
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 1
- HFPZCAJZSCWRBC-UHFFFAOYSA-N p-cymene Chemical compound CC(C)C1=CC=C(C)C=C1 HFPZCAJZSCWRBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 239000012071 phase Substances 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 229920000069 polyphenylene sulfide Polymers 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- BDERNNFJNOPAEC-UHFFFAOYSA-N propan-1-ol Chemical compound CCCO BDERNNFJNOPAEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RUOJZAUFBMNUDX-UHFFFAOYSA-N propylene carbonate Chemical compound CC1COC(=O)O1 RUOJZAUFBMNUDX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 229940100890 silver compound Drugs 0.000 description 1
- 150000003379 silver compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229910001923 silver oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007790 solid phase Substances 0.000 description 1
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- CXWXQJXEFPUFDZ-UHFFFAOYSA-N tetralin Chemical compound C1=CC=C2CCCCC2=C1 CXWXQJXEFPUFDZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Coating Apparatus (AREA)
- Ink Jet (AREA)
- Application Of Or Painting With Fluid Materials (AREA)
- Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
Abstract
【課題】吐出する液滴の粘度等に左右されにくい、液滴吐出法によるパターン形成方法を提供する。
【解決手段】基体にパターンを形成するための材料Cを有する機能液Bからなる液滴Aを、前記基体上のパターンを形成すべき第1の領域内に向けて吐出する第1の工程と、前記基体上に着弾した液滴Aの状態を変化させて、前記基体上にパターンを形成する第2の工程と、前記基体上に着弾した液滴Aが自然に広がる領域である第2の領域とその周辺領域から、前記第1の領域を除いた領域である第3の領域にレーザ光を照射する第3の工程と、を含む。前記レーザ光との相互作用により液滴Aが広がることを停止させられるので、液滴Aが自然に広がった後に溶媒(分散媒)Dを除去してパターンを形成する方法に比べて精度良いパターンの形成が可能となる。
【選択図】図2
【解決手段】基体にパターンを形成するための材料Cを有する機能液Bからなる液滴Aを、前記基体上のパターンを形成すべき第1の領域内に向けて吐出する第1の工程と、前記基体上に着弾した液滴Aの状態を変化させて、前記基体上にパターンを形成する第2の工程と、前記基体上に着弾した液滴Aが自然に広がる領域である第2の領域とその周辺領域から、前記第1の領域を除いた領域である第3の領域にレーザ光を照射する第3の工程と、を含む。前記レーザ光との相互作用により液滴Aが広がることを停止させられるので、液滴Aが自然に広がった後に溶媒(分散媒)Dを除去してパターンを形成する方法に比べて精度良いパターンの形成が可能となる。
【選択図】図2
Description
本発明は、液滴吐出装置を用いたパターン形成方法、及び液滴吐出装置に関する。
近年、ガラス等の基板上に導電配線等のパターンを形成する手段として、パターン形成材料である溶質と、溶媒と、からなる液滴を前記基板の被吐出面に吐出し、前記液滴が被吐出面上を広がった後に前記液滴を乾燥させ、前記溶媒を気化させて除去することにより前記溶質からなるパターンを形成する、液滴吐出装置を用いたパターン形成方法が提案されている(特許文献1)。
しかしながら、前記特許文献1に記載の液滴吐出法は、吐出された前記液滴が前記被吐出面上に自然に広がった後に前記溶媒を除去してパターンを形成するため、得られるパターンの寸法や形状は、前記被吐出面の形状や濡れ性の分布、及び前記液滴の粘度や最小吐出量等に左右されることとなり、精度良いパターンの形成が難しいという課題があった。
前記課題を解決するために、本発明に係るパターン形成方法は、基体にパターンを形成するための材料を有する機能液からなる液滴を、前記基体上のパターンを形成すべき第1の領域内に吐出する第1の工程と、前記基体上に着弾した前記液滴の状態を変化させて、前記基体上にパターンを形成する第2の工程と、前記基体上に着弾した前記液滴が濡れ広がる第2の領域、または前記第2の領域を含む周辺領域から前記第1の領域を除いた第3の領域に第1のレーザ光を照射する第3の工程と、を含む。
本発明に係るパターン形成方法によれば、前記第3の工程で、前記液滴とレーザ光との相互作用によって前記液滴が広がることを抑制させることができるレーザ光の照射を、前記第3の領域における前記液滴に行うことから、前記第1の領域と前記第3の領域が接している線上で前記着弾した液滴の広がりを停止し、もしくは前記第1の領域と前記第3の領域が接している線上まで後退させることができる。換言すれば、前記着弾した液滴が、前記第1の領域内に広がることを許容し、かつ、前記第1の領域外へ広がることを抑制することができる。これにより、従来のような、吐出された前記液滴が前記被吐出面上に広がった後に前記溶媒を除去してパターンを形成する方法に比べてより一層精度良いパターンの形成が可能となる。
ここで、液滴とレーザ光との相互作用とは、例えば、部分的光照射により生じた温度差による対流および物質移動、部分的気化(蒸発・沸騰)により生じる液滴を押し戻す力、光圧による液滴の運動量変化等を利用すること等が挙げられる。
また、機能液とは、パターンを形成するための材料を含む溶質と溶媒、またはパターンを形成するための材料を含む分散質と分散媒を含む液体のことである。機能液としては、例えば、導電材料、バンク材料、絶縁材料、抵抗材料、誘電体材料、液体シリコン材料、エッチング材料、マーキング材料、接着材料、スペーサー材料、カラーフィルタ材料、光学レンズ材料、各種有機EL材料、チタニア分散材料等が挙げられる。
また、液滴の状態変化とは、溶媒(分散媒)等の気化による濃度(密度)変化や相変化、2液混合もしくは基材表面の物質との化学反応の進行もしくは光重合反応の進行による粘度変化や液相−固相変化、ゾルゲル反応等のことである。
好ましくは、前記第1の工程は、前記第3の工程の実施中に行われる。
かかるパターン形成方法によれば、前記液滴が前記基体上に着弾して広がり始める前に、前記第3の領域にはレーザ光が照射されていることになる。したがって、前記液滴が前記第3の領域に入り込んだ瞬間にレーザ光との相互作用が始まり、前記第3の領域内にパターンが形成されることがより一層抑制され、より一層精度良いパターンの形成が可能となる。
好ましくは、前記第3の工程は、前記第3の領域が、前記液滴が前記基体上に着弾する位置を挟んで向かい合うように前記レーザ光を照射する。
かかるパターン形成方法によれば、前記基体上に着弾した前記液滴の広がりを、両側から挟むようにして抑制できる。したがって、片側のみから前記広がりを抑制する形成方法に比べて、前記基体上により一層精度良いパターンを形成することが可能となる。
好ましくは、前記第3の工程は、前記レーザ光の照射強度を前記液滴の状態の変化に応じて変化させる。
かかるパターン形成方法によれば、前記液滴に含まれる溶媒(分散媒)の濃度に応じて最適な照射強度を与えることができ、効率的に物質移動を行うことができる。また、基体上に着弾した前記液滴が前記第1の領域と前記第3の領域が接している線上まで後退している途中で定着してしまった場合でも、例えばアブレーション閾値以上のレーザーパルスを加えることで、物質を除去することが可能となり、前記基体上により一層精度良いパターンを形成することが可能となる。
好ましくは、前記第1の工程は、前記液滴を、前記基体上に間隔を空けて不連続的に吐出し、前記第3の工程は、前記第3の領域を、前記液滴が着弾する位置に合わせて連続的に移動させる。
かかるパターン形成方法によれば、前記第3の領域を連続的に移動させることにより、前記基体上に着弾した前記液滴の広がりを連続的に抑制しつつ前記液滴を吐出していくことができる。したがって、前記第3の領域の面積の大きさを一定に保ちながら直線状に伸びるパターンを形成できる。
好ましくは、前記第3の工程は、前記レーザ光を、吐出された前記液滴の周囲を囲む領域に照射する。
かかるパターン形成方法によれば、前記基体上に着弾した液滴の周囲を囲むように前記第3の領域を設定するため、着弾後の前記液滴の広がりを、全周囲において抑制できる。したがって、前記基体上に、方形状等のパターンを、より一層精度良く形成することができる。
また、前記課題を解決するために、本発明に係るパターン形成方法は、パターンを形成するための材料を有する機能液からなる液滴を、当該液滴を吐出すべき基体上の、パターンを形成すべき第1の領域内に吐出する第1の工程と、前記第1の領域とは重複しない領域に前記レーザ光を照射する第2の工程と、前記第1の領域内に着弾した前記液滴の状態を変化させて、前記基体上にパターンを形成する第3の工程と、前記基体上に着弾した前記液滴が濡れ広がる第2の領域、または前記第2の領域を含む周辺領域から前記第1の領域を除いた領域である前記第3の領域に前記レーザ光が照射されるように、前記レーザ光が照射される領域の形状を変化させる第4の工程と、を含む。
かかるパターン形成方法によれば、前記第1の領域とは重なっていなかった前記レーザ光が照射される領域(以下、「照射領域」と称する。)を、前記液滴の着弾後に、前記第3の領域を含むように変化させることで、前記基体上に着弾した前記液滴の部分のみと相互作用させ、前記液滴の体積を徐々に縮小させて前記液滴が着弾した位置に向けて押し戻すことができる。したがって、前記照射領域内に、前記パターンを形成するための材料が残留することを抑制でき、精度良いパターンを形成できる。
好ましくは、前記第1の工程は、前記第2の工程の実施中に行われる。
前記パターン形成方法によれば、前記液滴が前記基体上に着弾して広がり始める前に、前記照射領域が形成されていることになる。したがって、前記照射領域に差し掛かった瞬間に、即ち前記照射領域に前記液滴が接触した瞬間に、前記液滴と前記レーザ光との相互作用が始まることになり、前記液滴が前記照射領域内まで達することがより一層抑制され、より一層精度良いパターンの形成が可能となる。
好ましくは、前記第2の工程は、前記レーザ光を、当該レーザ光が照射される領域が前記第2の領域に重ならないように照射する。
かかるパターン形成方法によれば、前記液滴が前記基体上に着弾後自然に濡れ広がる領域の外側の領域をレーザ光で照射する。したがって前記着弾点に若干の狂いが生じても、前記液滴が前記照射領域内に着弾し、前記レーザ光との相互作用により前記液滴が瞬時に状態変化して、前記第1の領域の外部に前記パターンを形成するための材料を残留させる可能性が減少し、前記着弾点の位置精度が形成されるパターンの精度に及ぼす影響を抑制できる。
好ましくは、前記液滴の状態を変化させるために、前記液滴に前記レーザ光を照射することにより行なう。
かかるパターン形成方法によれば、前記液滴の広がりを停止させるために用いるレーザ光を、前記溶媒の除去手段や定着したパターンの改質手段としても用いることができるので、コストを上昇させずに生産性を向上させることができる。
また、前記課題を解決するために、本発明に係る液滴吐出装置は、パターンを形成するための材料を有する機能液からなる液滴を、当該液滴を吐出すべき基体のパターンを形成すべき領域内に吐出可能な液滴吐出手段と、前記液滴を吐出すべき物体を保持する保持手段と、前記基体の任意の領域にレーザ光を照射可能なレーザ光照射手段と、を有する。
かかる液滴吐出装置によれば、前記保持手段により保持された基体に着弾した前記液滴が、前記基体の表面を広がる現象を、レーザ光の照射で液滴と相互作用させることにより抑制することができる。したがって、着弾した前記液滴の広がりを抑制する手段を有しない液滴吐出装置に比べてパターンの制御性が向上し、精度良いパターンの形成ができる。
好ましくは、前記レーザ光照射手段は、少なくともレーザ光を発生させる光源と、前記レーザ光を回折させる回折光学素子と、を有する。
かかる液滴吐出装置によれば、前記回折光学素子に前期レーザ光を透過させる事により、前記レーザ光が照射される領域の大きさや形状を容易に変更できるので、前記基体に形成するパターンの高精度化を、装置コストの上昇を抑制しつつ実施できる。
(第1の実施形態)
以下、本発明に係る液滴吐出法によるパターン形成方法、及び液滴吐出装置の実施形態について、図面を参照して説明する。まず、本実施形態に係る液滴吐出装置について、図1を参照して説明する。
以下、本発明に係る液滴吐出法によるパターン形成方法、及び液滴吐出装置の実施形態について、図面を参照して説明する。まず、本実施形態に係る液滴吐出装置について、図1を参照して説明する。
図1は、本実施形態に係る、ピエゾ素子(圧電素子)が電気信号の印加により変形する性質を利用した電気機械変換方式の液滴吐出手段10と、波長が810nmのレーザ光を照射する半導体レーザーアレイに、回折光学素子を組み合わせたレーザ光照射手段20と、パターンを形成すべき基体としての基板(以下、単に「基板」と称する。)40を保持してXY方向、すなわち平面方向に移動可能な基板保持手段30と、を備えた液滴吐出装置の概略断面図である。
液滴吐出手段は、下側にノズルプレート102が備えられ、その下面には後述する機能液Bから液滴Aを形成し、後述する対面する基板40に液滴Aを吐出する円形孔のノズル106が形成されている。ノズルプレート102の上面には圧力室としてのキャビティ108が形成されている。キャビティ108は、それぞれ対応する連通孔110、及び供給路112を介して、図示しない収容タンクに導通し、タンク内に収納されている機能液Bをノズル106まで供給する。なお、各実施形態、及び変形例における機能液Bとは、溶媒(分散媒)Dにパターン形成材料のCを溶解(分散)して得られる液である。
キャビティ108の上方には、振動板104が備えられている。振動板は、厚さが約2μmのポリフェニ連サルファイドフィルムであり、上下方向に振動可能に貼り付けられ、その振動によりキャビティ108内の容積を拡大、及び縮小する。振動板の上方には、ピエゾ素子114が配置されている。ピエゾ素子114は、図示しない制御装置から供給される駆動信号を受けて収縮、又は伸張し、振動板104を上下方向に振動させる。そして、ピエゾ素子114が振動すると、キャビティ108内の容積が拡大、又は縮小し、縮小した分の容積に対応する機能液Bが、ノズル106から液滴Aとして吐出される。
レーザ光照射手段20は、筐体122内に備えられている半導体レーザーアレイ124、コリメータ126、回折光学素子128、反射鏡130、及び、対物レンズ132で形成されている。コリメータ126は、半導体レーザーアレイ124から出射される波長が810nmのレーザ光を平行光束にして回折光学素子128に導く。回折光学素子128は、前記光束の断面形状(光束に垂直な面に照射される形状)を光束方向に渡って任意の形状に加工する。反射鏡130は、前記光束に対する角度を調整可能であり、前記加工後の光束を基板表面の上述した着弾すべき目標位置44の近辺に導く。そして、対物レンズ132は、反射鏡130により反射されたレーザ光を着弾すべき目標位置44近辺の領域に集光する。
そして基板保持手段30は、ガラス等の基板40を保持し、所定の範囲内において当該基板を平面方向に移動させることができ、ノズル106のほぼ直下に後述するパターン形成領域(図2参照)を位置させることができる。
以上の構成により、本実施形態に係る液滴吐出装置は、基板40の表面の任意の位置に吐出した液滴Aを着弾させ、同時に着弾すべき目標位置44の周辺に任意の形状の領域にレーザ光を照射できる。そして、レーザ光が照射される領域が着弾した液滴Aの広がりを抑制させることができ、基板40の表面にパターン形成材料Cからなる精度良いパターンを形成できる。
なお、パターン形成工程においては、着弾すべき目標位置44と液滴Aが実際に着弾する位置(以下、「着弾点」という。)とは完全には一致せずに、着弾すべき目標位置44を中心とする、液滴吐出手段の精度等で定まる所定の範囲内に着弾する。着弾した液滴Aは着弾点を中心に広がるが、着弾点を検出する機構は備えられておらず、また、液滴の着弾前からレーザ光の照射を行うため、液滴Aは着弾すべき目標位置44に着弾するものと仮定してレーザ光を照射する。また、前記図1では液滴Aを吐出するノズル106を1つとして図示してあるが、本発明の実施においては、ノズルは1つに限るものではなく、複数のノズルを用いることも可能である。また、レーザ光の波長も810nmに限定されるものではない。
図2は、本実施形態の液滴吐出法によるパターン形成方法を示すものであり、基板40上に配線状のパターンを形成する場合を、配線に垂直な方向から見た工程断面図である。まず図2(a)に示すように、パターンが形成されるべき領域(以下、「パターン形成領域」という。)202に隣接する領域204に対しレーザ光の照射を開始する。次に、図2(b)に示すように、パターン形成領域202の中心線上に位置する、着弾すべき目標位置44を狙って、機能液Bの液滴Aをノズル106から吐出する。着弾すべき目標位置44の近辺に着弾した液滴Aは、図2(c)に示すように、広がり始める。そして、上述した広がりは、図2(d)に示すように照射領域204に差し掛かる。そして、照射領域204内で照射されたレーザ光と液滴Aが相互作用を起こし、液滴A中の溶媒(分散媒)Dの一部が気化し始める。その気化により生じる気体の流れ、及び、温度勾配の発生に伴う表面張力の働き等により矢印方向に物質の流れが生じ、前記広がりは抑制され、液滴Aは着弾すべき目標位置44に向けて収縮する。そして、図2(e)に示すように、パターン形成領域202内に液滴Aの広がりが収まった時点でレーザ光の照射を停止する。液滴Aは溶媒(分散媒)Dの一部が気化することにより全体の体積が減少し、液滴A中に占めるパターン形成材料Cの比率が上昇した状態である。そして最後に、図2(f)に示すように、液滴Aから溶媒(分散媒)Dを完全に除去して、パターン形成材料Cからなる配線状のパターンを基板40上に形成する。
なお、液滴Aから溶媒(分散媒)Dを完全に除去する手段としても、レーザ光の照射を用いることができる。
図3は、第1の実施形態に係る照射領域204の形状と、液滴Aが吐出される着弾すべき目標位置44の配置を示す。上述したように配線状のパターンを形成する場合の例であり、直線状に伸びるパターン形成領域202の両側に照射領域204がある。そして、パターン形成領域202の中心線304上に複数の着弾すべき目標位置44が実質的に等しい間隔に設定されており、着弾すべき目標位置44に向けて順次液滴Aが吐出される。そして着弾すべき目標位置44の近辺に着弾した液滴Aは、上述した仕組により照射領域204までははみ出ず、パターン形成領域202内に留まることにより配線状のパターンが形成される。なお、着弾後の液滴Aの広がりが抑制される方向は、中心線304に直角方向のみで、中心線304方向には通常の液滴吐出法と同様に広がり得る。したがって、配線膜厚(配線の高さ)には影響を与えずに、精度良い配線状のパターンを形成できる。
(第2の実施形態)
図4に、本発明の第2の実施形態に係る照射領域204の形状と、液滴Aの吐出位置を示す。本実施形態に用いる液滴吐出装置、及びパターン形成方法は、第1の実施形態の図1、及び図2に示すものと同様であり、照射領域204の形状のみが異なっている。後述する第3の実施形態、及び第4の実施形態も同様である。
図4に、本発明の第2の実施形態に係る照射領域204の形状と、液滴Aの吐出位置を示す。本実施形態に用いる液滴吐出装置、及びパターン形成方法は、第1の実施形態の図1、及び図2に示すものと同様であり、照射領域204の形状のみが異なっている。後述する第3の実施形態、及び第4の実施形態も同様である。
一列に並ぶ着弾すべき目標位置44の片側に照射領域204がある。そして、着弾すべき目標位置44は照射領域204に沿って並ぶ一列だけではなく、当該一列を挟む、照射領域204とは反対側の領域にも複数存在している。当該一列に着弾した液滴Aの広がりは、照射領域204で抑制され、その他の着弾すべき目標位置44に着弾した液滴Aは、自然な広がりにまかされる。片側のみ、着弾した液滴Aの広がりを抑制でき、端部の境界は厳密であるパターンの形成に有効である。
(第3の実施形態)
図5に、本発明の第3の実施形態に係る照射領域204の形状と、液滴Aの吐出位置を示す。照射領域204は方形ではなく、複数の着弾すべき目標位置44の周囲を囲む枠状である。着弾した液滴の広がりは全周囲に渡って抑制されるので、独立した飛び石状の精度良いパターンを形成できる。なお、図5では4角形の枠状の照射領域204の中に一つの液滴Aを着弾させる例を示したが、照射領域204の形状は4角形に限るものではなく、回折光学素子132の選択により任意の形状、例えば円形、あるいは屈折部を有するパターン等にすることもできる。また着弾すべき目標位置44を複数設けず、1つの枠状の照射領域204の中に1つの着弾すべき目標位置44を設定することも可能である。
図5に、本発明の第3の実施形態に係る照射領域204の形状と、液滴Aの吐出位置を示す。照射領域204は方形ではなく、複数の着弾すべき目標位置44の周囲を囲む枠状である。着弾した液滴の広がりは全周囲に渡って抑制されるので、独立した飛び石状の精度良いパターンを形成できる。なお、図5では4角形の枠状の照射領域204の中に一つの液滴Aを着弾させる例を示したが、照射領域204の形状は4角形に限るものではなく、回折光学素子132の選択により任意の形状、例えば円形、あるいは屈折部を有するパターン等にすることもできる。また着弾すべき目標位置44を複数設けず、1つの枠状の照射領域204の中に1つの着弾すべき目標位置44を設定することも可能である。
(第4の実施形態)
図6に、本発明の第4の実施形態に係る照射領域204の形状と、液滴Aの着弾すべき目標位置44を示す。照射領域204は、環状のパターン形成領域202に略等間隔に配列された複数の着弾すべき目標位置44を、内側、及び外側の双方から囲む2重の形状である。着弾した液滴Aは、内側、及び外側の双方の側から、レーザ光の照射により広がりが抑制されるので、任意の幅と形状の枠状のパターンが形成される。なお、上述の第3の実施形態と同様に、照射領域204の形状は図示するような方形に限定されるものではなく、円形等の他の形状でも可能である。
図6に、本発明の第4の実施形態に係る照射領域204の形状と、液滴Aの着弾すべき目標位置44を示す。照射領域204は、環状のパターン形成領域202に略等間隔に配列された複数の着弾すべき目標位置44を、内側、及び外側の双方から囲む2重の形状である。着弾した液滴Aは、内側、及び外側の双方の側から、レーザ光の照射により広がりが抑制されるので、任意の幅と形状の枠状のパターンが形成される。なお、上述の第3の実施形態と同様に、照射領域204の形状は図示するような方形に限定されるものではなく、円形等の他の形状でも可能である。
(第5の実施形態)
図7の(a)〜(d)に、第5の実施形態におけるパターン形成方法を、基板上に配線状のパターンを形成する場合を例として示す。図2と同様に配線に垂直な方向から見た、工程断面図である。図2(a)〜図2(c)に示す、レーザ光が照射されている基板上に吐出された液滴Aが広がり始めるところまでは、第1の実施形態と共通する工程なので、図示は省略してある。したがって、図7(a)は、図2(d)に相当する状態、すなわちパターン形成領域202の両側の第1の照射領域702にレーザ光を照射し、パターン形成領域202内の着弾すべき目標位置44の近辺に、溶媒(分散媒)Dとパターン形成材料Cとからなる機能液Bの液滴Aを着弾させ、基板上を広がり始めた液滴Aが第1の照射領域702に差し掛かった状態である。液滴A中の溶媒(分散媒)Dがレーザ光との相互作用により気化し始め、その気化により生じる気体の流れ、及び、温度勾配の発生に伴う表面張力の働きにより矢印方向に物質の流れが生じ、前記広がりが着弾すべき目標位置44に向けて収縮し始めた状態である。この状態を、前記レーザ光の照射がなくても前記広がりが停止するまで暫時保つ。ここで、第1の照射領域702は、第1〜4の実施形態の照射領域204とは異なり、パターン形成領域202に隣接せず、若干の間隙をもって存在する領域である。
図7の(a)〜(d)に、第5の実施形態におけるパターン形成方法を、基板上に配線状のパターンを形成する場合を例として示す。図2と同様に配線に垂直な方向から見た、工程断面図である。図2(a)〜図2(c)に示す、レーザ光が照射されている基板上に吐出された液滴Aが広がり始めるところまでは、第1の実施形態と共通する工程なので、図示は省略してある。したがって、図7(a)は、図2(d)に相当する状態、すなわちパターン形成領域202の両側の第1の照射領域702にレーザ光を照射し、パターン形成領域202内の着弾すべき目標位置44の近辺に、溶媒(分散媒)Dとパターン形成材料Cとからなる機能液Bの液滴Aを着弾させ、基板上を広がり始めた液滴Aが第1の照射領域702に差し掛かった状態である。液滴A中の溶媒(分散媒)Dがレーザ光との相互作用により気化し始め、その気化により生じる気体の流れ、及び、温度勾配の発生に伴う表面張力の働きにより矢印方向に物質の流れが生じ、前記広がりが着弾すべき目標位置44に向けて収縮し始めた状態である。この状態を、前記レーザ光の照射がなくても前記広がりが停止するまで暫時保つ。ここで、第1の照射領域702は、第1〜4の実施形態の照射領域204とは異なり、パターン形成領域202に隣接せず、若干の間隙をもって存在する領域である。
次に図7(b)に示すように、第1のレーザ光の照射領域702を着弾すべき目標位置44に近づく方向に移動させ、パターン形成領域202に隣接する第2の照射領域704にレーザ光が照射されるようにする。基板上に広がった液滴Aとレーザ光の照射領域が一部重なることにより、溶媒(分散媒)Dの気化が再開して液滴Aの体積が再び減少し始める。溶媒(分散媒)Dの気化により生じる気体の流れ、及び、温度勾配の発生に伴う表面張力の働きにより矢印方向に物質の流れが生じ、前記広がりが着弾すべき目標位置44に向けて再び収縮し始める。次に図7(c)に示すように、液滴Aの体積が充分に減少した時点でレーザ光の照射を停止する。溶媒(分散媒)Dが大幅に減少しているので、レーザ光の照射領域を停止しても、液滴Aがパターン形成領域202を超えることはない。最後に、図7(d)に示すように、液滴Aから溶媒(分散媒)Dを完全に除去し、パターン形成材料Cからなる配線状のパターンを基板40上に形成する。
本実施形態によれば、基板40に着弾した液滴A中の溶媒(分散媒)Dをある程度気化させて液滴Aの体積を減少させた後に、レーザ光を照射する領域を着弾すべき目標位置44に向けて移動させることにより、広がりが停止した液滴Aをさらに着弾すべき目標位置44に向けて押し戻せる。したがって、レーザ光を照射する領域を固定するパターン形成方法に比べ、より一層の精度良いパターンを形成できる。
なお、配線パターンを形成するために吐出する主な液滴として、導電性微粒子を分散媒に分散させた分散液や、有機銀化合物や酸化銀ナノ粒子を溶媒に分散した分散液からなるものが挙げられる。導電性微粒子としては、例えば、金、銀、銅、パラジウム、及びニッケルのうちのいずれかを含有する金属微粒子の他、これらの酸化物、並びに導電性ポリマーの微粒子などが好ましい。これらの導電性微粒子は、分散性を向上させるため、表面に有機物等をコーティングして用いることが好ましい。コーティング剤としては、例えばキシレン、トルエン等の有機溶剤やクエン酸等が好ましい。
前記導電性微粒子の粒径は1nm以上100nm以下であることが好ましい。100nmより大きいとノズルに目詰まりが生じるおそれがある。また、1nmより小さいと、導電性微粒子に対するコーティング剤の体積比が大きくなり、得られる膜中の有機物の割合が過多となる。
分散媒としては、前記の導電性微粒子を分散できるもので、凝集を起こさないものであれば特に限定されない。例えば水の他に、メタノール、エタノール、プロパノール、ブタノールなどのアルコール類、n−ヘプタン、n−オクタン、デカン、ドデカン、テトラデカン、トルエン、キシレン、シメン、デュレン、インデン、ジペンデン、テトラヒデロナフタレン、デカヒデロナフタレン、シクロヘキシルベンゼン等の炭化水素系化合物、また、エチレングリコールジメチルエーテル、エチレングリコールジエチルエーテル、エチレングリコールメチルエチルエーテル等のエーテル系化合物、さらにプロピレンカーボネート、γ−ブチロラクトン、N−メチル−2−ピロリドン、ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシド、シクロヘキサノントウの極性化合物を用いることができる。これらのうち、微粒子の分散性と分散媒との安定性、また液滴吐出方への適用の容易さの点、水、アルコール類、炭化水素系化合物、エーテル系化合物が好ましく、より好ましい溶媒としては、水、炭化水素系化合物がある。
前記導電性微粒子の分散媒の表面張力は0.02N/m以上、0.07N/m以下の範囲内であることが好ましい。液滴吐出法にて液滴を吐出する際、表面張力が0.02N/m未満であると、インク組成物のノズル面に対する濡れ性が増大するので飛行曲がりが生じやすくなり、表面張力が0.07N/mを超えるとノズル先端でのメニスカスの形状が安定しないため、吐出量や吐出タイミングの制御が困難になる。表面張力を調整するため前記分散媒には、基板との接触角を大きくは低下させない範囲でフッ素系、シリコーン系、ノニオン系などの表面張力調節剤を微量添加する事が好ましい。ノニオン系表面張力調節剤は、液滴の基板への濡れ性を向上させ、膜のレベリング性を改良する。前記表面張力調節剤は、必要に応じてアルコール、エーテル、エステル、ケトン等の有機化合物を含んでも良い。
前記液滴の粘度は、1mPa・s以上50mPa・s以下であることが好ましい。液滴を吐出する際、粘度が1mPa・sより小さい場合にはノズル周辺部が液滴の流出により汚染されやすく、また、粘度が50mPa・sより大きい場合は、ノズル孔での目詰まり頻度が高くなり円滑な液滴の吐出が困難になる。
なお、配線パターンを形成する方法として、具体例として上記の通り、分散液について例示したが、分散液に限らず金属イオンや金属錯体、導電性高分子等を溶解した溶液でも本実施形態を適用することができる。
上述した実施形態では、基板40上に液滴Aを吐出する手段として電気機械変換方式を挙げたが、本発明に適用可能な吐出手段はそれに限定されるものではなく、帯電制御方式、加圧振動方式、電気熱変換方式、静電吸引方式等も適用可能である。
帯電制御方式は、材料に帯電電極で電荷を付与し、偏向電極で当該材料の飛翔方向を制御してノズルから吐出させるものである。また加圧振動方式は、材料に30kg/cm2程度の超高圧を印加してノズル先端側に材料を吐出させるものである。また電気熱変換方式は、材料を貯留した空間内に設けたヒーターにより当該材料を急激に加熱してバブルを発生させ、当該バブルの圧力により空間内の材料を吐出させるものである。また静電吸引方式は、材料を貯留した空間内に微小圧力を加え、ノズルに材料のメニスカスを形成し、この状態で静電引力を加えてから材料を引き出すものである。
(変形例1)
上述した各実施形態では、略平坦な基板上にパターン形成材料が分散された液滴を吐出するものであり、パターンを形成すべき領域は物理的に確定しているものではなかった。しかし本発明によるパターン形成方法はそれに限定されるものではなく、隔壁で周囲を囲まれた領域に液滴吐出法によりパターンを形成する場合にも適用できる。
上述した各実施形態では、略平坦な基板上にパターン形成材料が分散された液滴を吐出するものであり、パターンを形成すべき領域は物理的に確定しているものではなかった。しかし本発明によるパターン形成方法はそれに限定されるものではなく、隔壁で周囲を囲まれた領域に液滴吐出法によりパターンを形成する場合にも適用できる。
図8の(a)〜(e)に本変形例によるパターン形成方法の概略の工程断面図を示す。まず、図8(a)に示すように、基板40上に隔壁材料層802を形成する。次に、図8(b)に示すように、隔壁材料層802の一部を選択的に除去してパターン形成領域202を囲む隔壁804を形成する。次に、図8(c)に示すように、隔壁804の上面にレーザ光を照射する。次に、図8(d)に示すように、上面にレーザ光の照射が継続されている隔壁804で囲まれたパターン形成領域202内の着弾すべき目標位置44に、パターン形成材料Cと溶媒(分散媒)Dからなる機能液の液滴Aを吐出する。隔壁804の上面にはレーザ光が照射されているため、液滴Aが隔壁804の上面に達しても、レーザ光との相互作用によりパターン形成領域202内に戻る力が働く。したがって、着弾した液滴Aは、パターン形成領域202に留まり、隔壁804の外部、あるいは隔壁804の上面にはみ出すことはない。液滴Aがパターン形成領域202に着弾し若干の時間経過後に、レーザ光の照射を停止する。そして、図8(e)に示すように、液滴A内の溶媒(分散媒)Dを除去して、パターン形成領域202内にパターン形成材料Cからなる機能層を形成する。
本変形例によれば、隔壁804の上面に撥水加工を行なわずに隔壁804の外部に機能液が漏れることを抑制でき、隔壁804で囲まれた領域内に機能層を形成する工程についての生産性を向上させることができる。
本変形例によれば、隔壁804の上面に撥水加工を行なわずに隔壁804の外部に機能液が漏れることを抑制でき、隔壁804で囲まれた領域内に機能層を形成する工程についての生産性を向上させることができる。
(変形例2)
上述した各実施形態では、パターン形成材料を溶質とする液滴を吐出し、レーザ光の照射により広がりを抑制して精度良いパターンを形成していた。しかし本発明によるパターン形成方法はそれに限定されるものではなく、パターン形成材料層が全面に形成された基板上にマスク形成材料と溶媒とからなる液滴を吐出してマスクを形成し、当該パターン形成材料層のマスクで覆われていない領域をエッチングにより除去してパターンを形成する場合にも適用できる。
上述した各実施形態では、パターン形成材料を溶質とする液滴を吐出し、レーザ光の照射により広がりを抑制して精度良いパターンを形成していた。しかし本発明によるパターン形成方法はそれに限定されるものではなく、パターン形成材料層が全面に形成された基板上にマスク形成材料と溶媒とからなる液滴を吐出してマスクを形成し、当該パターン形成材料層のマスクで覆われていない領域をエッチングにより除去してパターンを形成する場合にも適用できる。
図9の(a)〜(e)に本変形例によるパターン形成方法の概略の工程断面図を示す。まず、図9(a)に示すように、基板40上の全面にパターン形成材料層902を形成する。次に、図9(b)に示すように、パターン形成材料層902のうちのパターン形成領域202の周囲にレーザ光を照射する。次に、図9(c)に示すように、前記レーザ光の照射を維持した状態で、マスク材料Eと溶媒(分散媒)Dとからなる液滴Aをパターン形成領域202内の着弾すべき目標位置44に吐出する。上述した実施形態の図2で示す機構により、吐出された液滴Aがレーザ光照射領域204までははみ出ないため、図9(d)に示すようにパターン形成領域202のみにマスク材料Eからなるマスクパターン904を形成できる。この時点でレーザ光の照射は停止する。最後に、図9(e)に示すように、マスクパターン904で覆われていない部分のパターン形成材料層902をエッチングにより除去し、さらにその後マスクパターン904も除去して、基板40上にパターン906を形成できる。
本変形例によれば、目的とするパターンの形成に直接的に本発明を適用するのではなく、エッチング時のマスクとなるパターンの形成に適用することで、液滴にして吐出することが困難な材質からなるパターンの形成にも本発明を適用でき、精度良いパターンをフォトリソグラフィー法等に比べて低コストで形成できる。
(変形例3)
上述した実施形態では、図1において、液滴を吐出するノズルが1つである液滴吐出装置を概略図として挙げたが、ノズルの個数は1つに限定されるものではない。複数のノズルを備えた液滴吐出手段を有する液滴吐出装置も本発明に適用可能である。同時に複数の液滴を吐出できるので、配線等の細長いパターンを形成する場合、あるいは大面積のパターンを形成する場合には好適である。
上述した実施形態では、図1において、液滴を吐出するノズルが1つである液滴吐出装置を概略図として挙げたが、ノズルの個数は1つに限定されるものではない。複数のノズルを備えた液滴吐出手段を有する液滴吐出装置も本発明に適用可能である。同時に複数の液滴を吐出できるので、配線等の細長いパターンを形成する場合、あるいは大面積のパターンを形成する場合には好適である。
(変形例4)
上述した実施形態では、レーザ光照射手段が1つである液滴吐出装置を概略図として挙げたが、複数のレーザ光照射手段を有する液滴吐出装置も本発明に適用可能である。レーザ光照射手段が2つあれば、着弾すべき目標位置44の両側からレーザ光を照射できるので複雑な照射領域の設定が容易になる。また液滴の広がりを抑制するレーザ光とは別途に、溶媒(分散媒)Dを気化させるためのレーザ光を照射できるので、乾燥工程を別途行なう必要がなくなり生産性を向上させることができる。
上述した実施形態では、レーザ光照射手段が1つである液滴吐出装置を概略図として挙げたが、複数のレーザ光照射手段を有する液滴吐出装置も本発明に適用可能である。レーザ光照射手段が2つあれば、着弾すべき目標位置44の両側からレーザ光を照射できるので複雑な照射領域の設定が容易になる。また液滴の広がりを抑制するレーザ光とは別途に、溶媒(分散媒)Dを気化させるためのレーザ光を照射できるので、乾燥工程を別途行なう必要がなくなり生産性を向上させることができる。
(変形例5)
上述した実施形態では、図1において、レーザ光照射手段に備えられている回折光学素子は単体である液滴吐出装置を概略図として挙げたが、表面に複数個の回折光学素子が備えられた円盤上のディスクを用いることも可能である。各パターンの回折光学素子容易に切り替えることができるので生産効率が向上する。
上述した実施形態では、図1において、レーザ光照射手段に備えられている回折光学素子は単体である液滴吐出装置を概略図として挙げたが、表面に複数個の回折光学素子が備えられた円盤上のディスクを用いることも可能である。各パターンの回折光学素子容易に切り替えることができるので生産効率が向上する。
(変形例6)
上述した実施形態、及び変形例では、パターンを形成すべき領域202は、照射領域204、又は、第2の照射領域704と接している。形成されたパターンの外周は溶媒(分散媒)Dが完全に除去される前の段階におけるレーザ光の照射で決定されている。しかし、本発明によるパターン形成方法は、溶媒(分散媒)Dが完全に除去された後にもレーザ光を照射することを除外するものではない。溶媒(分散媒)Dが完全に除去され、パターン形成材料Cからなるパターンが形成された後さらに、前記パターンのエッジ部分にレーザ光を照射してパターン形成材料Cを一部除去することも、本発明のパターン形成方法に含まれる。吐出された液滴Aの広がりを押えて形成されたパターンのエッジ部分を、乾燥後さらに整形できるので、より一層精度良いパターンを形成できる。
上述した実施形態、及び変形例では、パターンを形成すべき領域202は、照射領域204、又は、第2の照射領域704と接している。形成されたパターンの外周は溶媒(分散媒)Dが完全に除去される前の段階におけるレーザ光の照射で決定されている。しかし、本発明によるパターン形成方法は、溶媒(分散媒)Dが完全に除去された後にもレーザ光を照射することを除外するものではない。溶媒(分散媒)Dが完全に除去され、パターン形成材料Cからなるパターンが形成された後さらに、前記パターンのエッジ部分にレーザ光を照射してパターン形成材料Cを一部除去することも、本発明のパターン形成方法に含まれる。吐出された液滴Aの広がりを押えて形成されたパターンのエッジ部分を、乾燥後さらに整形できるので、より一層精度良いパターンを形成できる。
10…液滴吐出手段、20…レーザ光照射手段、30…基板保持手段、40…基板、44…着弾すべき目標位置、102…ノズルプレート、104…振動板、106…ノズル、108…圧力室としてのキャビティ、110…連通孔、112…供給路、114…ピエゾ素子、122…筐体、124…半導体レーザーアレイ、126…コリメータ、128…回折光学素子、130…反射鏡、132…対物レンズ、202…パターン形成領域、204…照射領域、304…中心線、702…第1の照射領域、704…第2の照射領域、802…隔壁材料層、804…隔壁、902…パターン形成材料層、904…マスクパターン、906…パターン、A…液滴、B…機能液、C…パターン形成材料、D…溶媒(分散媒)、E…マスク材料。
Claims (12)
- 基体にパターンを形成するための材料を有する機能液からなる液滴を、前記基体上のパターンを形成すべき第1の領域内に吐出する第1の工程と、
前記基体上に着弾した前記液滴の状態を変化させて、前記基体上にパターンを形成する第2の工程と、
前記基体上に着弾した前記液滴が濡れ広がる第2の領域、または前記第2の領域を含む周辺領域から前記第1の領域を除いた第3の領域にレーザ光を照射する第3の工程と、を含むことを特徴とするパターン形成方法。 - 前記第1の工程は、前記第3の工程の実施中に行われることを特徴とする請求項1に記載のパターン形成方法。
- 前記第3の工程は、前記第3の領域が、前記液滴が前記基体上に着弾する位置を挟んで向かい合うように前記レーザ光を照射することを特徴とする請求項1、又は2に記載のパターン形成方法。
- 前記第3の工程は、前記レーザ光の照射強度を前記液滴の状態の変化に応じて変化させることを特徴とする請求項1〜3のうちのいずれかの1項に記載のパターン形成方法。
- 前記第1の工程は、前記液滴を、前記基体上に間隔を空けて不連続的に吐出し、
前記第3の工程は、前記第3の領域を、前記液滴が着弾する位置に合せて連続的に移動させることを特徴とする請求項1〜4のうちのいずれかの1項に記載のパターン形成方法。 - 前記第3の工程は、前記レーザ光を、吐出された前記液滴の周囲を囲む領域に照射することを特徴とする請求項1〜5のうちのいずれかの1項に記載のパターン形成方法。
- パターンを形成するための材料を有する機能液からなる液滴を、当該液滴を吐出すべき基体上の、パターンを形成すべき第1の領域内に吐出する第1の工程と、
前記第1の領域とは重複しない領域にレーザ光を照射する第2の工程と、
前記第1の領域内に着弾した前記液滴の状態を変化させて、前記基体上にパターンを形成する第3の工程と、
前記基体上に着弾した前記液滴が濡れ広がる第2の領域、または前記第2の領域を含む周辺領域から前記第1の領域を除いた領域である前記第3の領域に前記レーザ光が照射されるように、前記レーザ光が照射される領域の形状を変化させる第4の工程と、を含むことを特徴とするパターン形成方法。 - 前記第1の工程は、前記第2の工程の実施中に行われることを特徴とする請求項7に記載のパターン形成方法。
- 前記第2の工程は、前記レーザ光を、当該レーザ光が照射される領域が前記第2の領域に重ならないように照射することを特徴とする請求項7、又は8に記載のパターン形成方法。
- 前記液滴の状態を変化させるために、前記液滴に前記レーザ光を照射することにより行なうことを特徴とする請求項1〜9のうちのいずれかの1項に記載のパターン形成方法。
- パターンを形成するための材料を有する機能液からなる液滴を、当該液滴を吐出すべき基体のパターンを形成すべき領域内に吐出可能な液滴吐出手段と、
前記液滴を吐出すべき物体を保持する保持手段と、
前記基体の任意の領域にレーザ光を照射可能なレーザ光照射手段と、を有することを特徴とする液滴吐出装置。 - 前記レーザ光照射手段は、少なくともレーザ光を発生させる光源と、前記レーザ光を回折させる回折光学素子と、を有することを特徴とする請求項11に記載の液滴吐出装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005343302A JP2007150015A (ja) | 2005-11-29 | 2005-11-29 | パターン形成方法、及び液滴吐出装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005343302A JP2007150015A (ja) | 2005-11-29 | 2005-11-29 | パターン形成方法、及び液滴吐出装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2007150015A true JP2007150015A (ja) | 2007-06-14 |
Family
ID=38211043
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005343302A Withdrawn JP2007150015A (ja) | 2005-11-29 | 2005-11-29 | パターン形成方法、及び液滴吐出装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2007150015A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2012016664A (ja) * | 2010-07-08 | 2012-01-26 | Sharp Corp | 塗布膜形成方法および塗布膜形成装置 |
JP2014046254A (ja) * | 2012-08-30 | 2014-03-17 | Advantest Corp | パターン印刷装置、パターン印刷方法、および試験装置 |
-
2005
- 2005-11-29 JP JP2005343302A patent/JP2007150015A/ja not_active Withdrawn
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2012016664A (ja) * | 2010-07-08 | 2012-01-26 | Sharp Corp | 塗布膜形成方法および塗布膜形成装置 |
JP2014046254A (ja) * | 2012-08-30 | 2014-03-17 | Advantest Corp | パターン印刷装置、パターン印刷方法、および試験装置 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4052295B2 (ja) | 多層配線基板の製造方法、電子デバイス及び電子機器 | |
KR100710017B1 (ko) | 액체 방울 도포 방법과 액체 방울 도포 장치 및 전기 광학장치와 전자 기기 | |
KR101690893B1 (ko) | 노즐 플레이트, 노즐 플레이트의 제조 방법, 잉크젯 헤드, 및 잉크젯 인쇄 장치 | |
TWI244973B (en) | Micro lens and making method thereof, optical device, optical transmitting device, head for laser printer and laser printer | |
JP5734737B2 (ja) | 傾斜機能材料の製造方法及び装置 | |
KR100910977B1 (ko) | 패턴의 형성 방법, 및 액정 표시 장치의 제조 방법 | |
KR100749976B1 (ko) | 포토마스크 및 그 제조 방법, 전자 기기의 제조 방법 | |
JP2004276591A (ja) | 液滴吐出装置、印刷装置、印刷方法および電気光学装置 | |
JP2006156426A (ja) | 導電性パターンの形成方法 | |
JP3687663B2 (ja) | 膜形成方法、デバイス製造方法、電気光学装置の製造方法、及び電子機器の製造方法 | |
US7954925B2 (en) | Droplet discharging head and method for manufacturing the same, and droplet discharging device | |
KR100728149B1 (ko) | 박막 패턴 기판, 디바이스의 제조 방법, 전기 광학 장치 및전자 기기 | |
CN104085195A (zh) | 液体喷射头的制造方法、液体喷射头和打印设备 | |
JP4379386B2 (ja) | 多層構造形成方法 | |
JP2004200244A (ja) | パターン形成方法及びパターン形成装置 | |
JP2007150015A (ja) | パターン形成方法、及び液滴吐出装置 | |
JP2010104977A (ja) | 膜パターンとその膜パターン形成方法、及び導電膜配線、並びに電気光学装置 | |
JP2009075252A (ja) | 積層構造体およびその形成方法、配線基板、マトリクス基板、電子表示装置 | |
JP2007066951A (ja) | 積層体の加工方法、積層体、デバイスの製造方法、デバイス、インクジェット記録装置 | |
JP4211842B2 (ja) | 電子基板の製造方法及び多層配線基板の製造方法 | |
JP4888073B2 (ja) | 電子基板の製造方法 | |
JP2008028292A (ja) | 配線形成用基板、配線の形成方法、及びプラズマディスプレイの製造方法 | |
KR100733058B1 (ko) | 박막 패턴 형성 기판, 디바이스의 제조 방법, 전기 광학장치 및 전자 기기 | |
JP4476779B2 (ja) | ノズルプレートおよびその製造方法 | |
US20090162536A1 (en) | Method for forming film pattern, method for forming contact hole, method for forming bump, and method for manufacturing light emitting device |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20070405 |
|
A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20090203 |