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TWI607670B - 發光裝置及電子裝置 - Google Patents

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TWI607670B
TWI607670B TW098144795A TW98144795A TWI607670B TW I607670 B TWI607670 B TW I607670B TW 098144795 A TW098144795 A TW 098144795A TW 98144795 A TW98144795 A TW 98144795A TW I607670 B TWI607670 B TW I607670B
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light
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山崎舜平
片山雅博
江口晉吾
及川欣聰
中村亞美
瀨尾哲史
波多野薰
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半導體能源研究所股份有限公司
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Description

發光裝置及電子裝置
本發明相關於具有使用電致發光之發光元件的發光裝置。此外，本發明相關於在其上方將該等發光裝置載置為一組件的電子裝置。
近年，薄型平面顯示裝置已需求為電視機、行動電話、數位相機等的顯示裝置，且當該等顯示裝置滿足此需求時，使用自發光元件的顯示裝置已引起關注。該等自發光元件之一者係使用電致發光(EL)的發光元件，且此發光元件包括插於一對電極之間的發光材料，並能藉由施用電壓而自該發光材料提供光發射。
針對此種自發射發光元件，像素可見度比液晶顯示的像素可見度高，具有，例如，無需背光之優點，且此等自發光元件適於使用為平板顯示元件。此外，此種自發光元件具有可減少厚度及反應速度極高的特性。
當該等發光裝置的市場膨脹時，在將產品小型化時使裝置成為較薄形狀係重要的，且該薄化技術及該小型化產品的應用範圍迅速地散佈。例如，在專利文件1中，提出使用分離及轉移技術的可撓電致發光裝置。
[參考文件]
專利文件1：日本已公告專利申請案案號第2003-174153號。
本發明之一實施例的目的係提供可薄化之高度可靠的發光裝置。另外，本發明之一實施例的另一目的係以高良率製造在其中將一發光元件設置在一可撓基材上方的發光裝置。
本發明之一實施例係包括可撓基材、形成在該可撓基材上方的發光元件、以及覆蓋該發光元件之樹脂膜的發光裝置。此外，該發光元件至少包括一第一電極、一絕緣層，覆蓋該第一電極之一終端部並具有一凸部、一EL層，與該第一電極接觸、以及一第二電極，與該EL層接觸，且該凸部嵌入在覆蓋該發光元件的該樹脂膜中。亦即，該樹脂膜覆蓋該絕緣層之一全部表面及該第二電極的一全部表面。
本發明之一實施例係包括第一可撓基材、形成在該第一可撓基材上方的該發光元件、覆蓋該發光元件之樹脂膜、以及形成在該樹脂膜上方之第二可撓基材的發光裝置。此外，該發光元件至少包括一第一電極、一絕緣層，覆蓋該第一電極之一終端部並具有一凸部、一EL層，與該第一電極接觸、以及一第二電極，與該EL層接觸，且該凸部嵌入在覆蓋該發光元件的該樹脂膜中。亦即，該樹脂膜覆蓋該絕緣層之一全部表面及該第二電極的一全部表面。
本發明之一實施例係包括第一可撓基材、形成在該第一可撓基材上方的發光元件、覆蓋該發光元件之樹脂膜、以及形成在該樹脂膜上方之第二可撓基材的發光裝置。此外，該發光元件至少包括一第一電極、一第一絕緣層，覆蓋該第一電極的一終端部、一第二絕緣層，其與該第一絕緣層接觸且其與該第一絕緣層的接觸區域小於該第一絕緣層之一頂區域、一EL層，與該第一電極接觸、以及一第二電極，與該EL層接觸，且該第二絕緣層嵌入在覆蓋該發光元件的該樹脂膜中。亦即，該樹脂膜覆蓋該第二絕緣層之一全部表面及該第二電極的一全部表面。
在本發明之任一上述實施例的該發光元件中，該第一基材及該第二基材之一者或二者結構為其中一纖維體係以一有機樹脂浸漬。
須注意在此說明書中，術語「發光元件」包括其亮度係以電流或電壓控制的元件，並具體地包括無機電致發光(EL)元件、有機EL元件等。
揭示於此說明書中的該發光元件可能係被動矩陣發光裝置或主動矩陣發光裝置之任一者。
此外，在此說明書中的該發光裝置包括影像顯示裝置、發光裝置、及光源(包括照明裝置)。另外，該發光裝置包括所有類型的模組，諸如在其中將連接器，諸如FPC(可撓印刷電路)、TAB(捲帶式自動接合)捲帶、TCP(帶載式封裝)，附接至面板的模組；具有印刷線路板設置在其終端之TAB捲帶或TCP的模組；以及具有藉由COG(晶粒玻璃接合)法將IC(積體電路)直接載置在發光裝置上的模組。
須注意使用於本文中之該等術語的程度，諸如「相同」、「等於」、「實質相同」、「大約」、以及「近似」，意指該術語的合理偏差量，使得最後結果不會顯著地改變。若此偏差不會否定其所修改之該字的意義，此等術語的程度應解釋為至少包括該術語之±5%的偏差。
須注意此說明書中的該等有序數字，諸如「第一」及「第二」，係為了方便而使用，並不代表步驟之順序或層的堆疊順序。此外，此說明書中的該等有序數字並不表示說明此發明的特定名稱。
根據本發明之一實施例，可提供具有高可靠性並受薄化之發光裝置。此外，根據本發明之一實施例，也可在發光裝置之製程中防止形狀或特徵的缺陷，從而可用高良率製造發光裝置。
在下文中，將參考該等隨附圖式詳細描述本發明之實施例。須注意本發明並未受限於以下描述，且本發明的模式及細節可無須脫離本發明之精神及範圍而以不同方式修改。因此，不將本發明解釋為受以下實施例之描述所限制。在下文提供的該等結構中，相同部位或具有相似功能之部位在不同圖式中係以相同的參考數字指示，且其解釋將不重覆。
實施例1
在實施例1中，將參考圖1以詳細描述發光裝置的範例。
此實施例之發光裝置的顯示部描繪於圖1中。描繪於圖1中的此實施例之發光裝置包括形成在基材200上方的元件部170。此外，元件部170係以樹脂膜130覆蓋。
可撓基材可使用為基材200。例如，可較佳地使用諸如聚對苯二甲酸乙二酯(PET)及聚萘二甲酸乙二酯(PEN)的聚酯樹脂、聚丙烯腈樹脂、聚醯亞胺樹脂、聚甲基丙烯酸甲酯樹脂、聚碳酸酯樹脂(PC)、聚醚碸樹脂(PES)、聚醯胺樹脂、環烯樹脂、聚苯乙烯樹脂、聚醯胺醯亞胺樹脂、聚氯乙烯樹脂等之任一者。替代地，可將在其中纖維體係以有機樹脂浸漬的一結構使用為基材200。須注意當光係經由基材200傳輸時，將具有光傳輸性質的基材使用為基材200。
元件部170形成在基材200的上方。元件部170至少包括發光元件140及組態為提供電位至發光元件140的切換元件。例如，電晶體(例如，雙極電晶體或MOS電晶體)、二極體(例如，PN二極體、PIN二極體、肖特基二極體、金屬－絕緣體－金屬(MIM)二極體、金屬－絕緣體－半導體(MIS)二極體、或二極體連接式電晶體)、閘流體等可使用為該切換元件。替代地，將此等元件組合於其中的邏輯電路可使用為該切換元件。在此實施例中，將薄膜電晶體106使用為該切換元件。此外，可能將驅動器電路部包括在元件部170中，以成為驅動器積體型發光裝置。須注意驅動器電路可形成在密閉基材的外側。
發光元件140包括第一電極122、覆蓋該第一電極之終端部的絕緣層137、EL層134、以及第二電極136。第一電極122及第二電極136之一者係作為陽極使用，且彼等之另一者係作為陰極使用。
包括在發光元件中的EL層134至少包括一發光層。此外，除了該發光層外，EL層134可具有包括電洞注入層、電洞運輸層、電子運輸層、電子注入層等的堆疊結構。EL層134可使用低分子材料或高分子材料之任一者形成。須注意形成EL層134的材料未限制為僅含有機化合物材料的材料，並可能含無機化合物材料。
須注意當該發光裝置實施全彩顯示時，可能使用呈現紅色(R)、綠色(G)、及藍色(B)的材料以選擇性地形成EL層134。在單色顯示的情形中，可能使用至少呈現一色的材料以形成EL層134。此外，可能組合EL層及彩色濾波器(未圖示)。即使在使用單色發光層(例如，白色發光層)的情形中，可能藉由彩色濾波器以全彩顯示。例如，當將用於白色(W)光發射的EL層與彩色濾波器組合時，全彩顯示可能使用四個次像素，亦即，不含彩色濾波器及RGB像素的像素實施。
絕緣層137包括一凸部。在此實施例中，絕緣層137具有第一絕緣層137a及第二絕緣層137b的二層結構。此外，絕緣層137係使用諸如矽之氧化物及矽的氮化物之無機材料；諸如聚醯亞胺、聚醯胺、苯環丁烯、丙烯酸材料、或環氧樹脂之有機材料；矽氧烷材料等形成。此外，構成絕緣層137的第一絕緣層137a及第二絕緣層137b可能使用彼此相同或不同的材料形成。
形成在基材200上方的元件部170以樹脂膜130覆蓋。用於形成樹脂膜130的材料範例包括有機化合物，諸如丙烯酸樹脂、聚醯亞胺樹脂、三聚氰胺樹脂、聚酯樹脂、聚碳酸酯樹脂、酚樹脂、環氧樹脂、聚縮醛、聚醚、聚胺甲酸酯、聚醯胺(耐綸)、呋喃樹脂、或二烯丙基鄰苯二甲酸樹脂；在包括矽、氧、及氫之化合物當中包括Si-O-Si鍵的無機矽氧烷聚合物，其係藉由將以石英玻璃為代表之以矽氧烷聚合物為底質的材料作為起始材料而形成；或其中以矽鍵結之氫係以諸如甲基或苯基的有機基團取代的有機矽氧烷聚合物，其以烷基矽氧聚合物、烷基倍半矽氧烷聚合物、氫化倍半矽氧烷聚合物、氫化烷基倍半矽氧烷聚合物為代表。替代地，可將在其中纖維體係以有機樹脂浸漬的結構使用為樹脂膜130。
此外，當光係自發光元件140之第二電極136側擷取時，樹脂膜130係使用具有透光性質的材料形成或形成為具有夠小之厚度以至少在該發光裝置的顯示表面傳輸光。另一方面，當光僅自發光元件140之第一電極122側擷取時，樹脂膜130不必使用具有透光性質之材料形成。
在包括在於此實施例中描述之該發光裝置中的發光元件140中，作為分隔物(庫)使用的絕緣層137係具有一凸部的絕緣層。須注意在圖1中，描繪包括該第一絕緣層137a及形成在一第一絕緣層137a上方之一第二絕緣層137b的絕緣層137。然而，絕緣層137的形狀未受限於此，且可能具有二或多個凸部。絕緣層137具有凸部且該凸部嵌入在樹脂膜130中，使得絕緣層137及樹脂膜130的固定強度可以增加。結果，如此形成的發光裝置可具有高可靠性。此外，當絕緣層137及樹脂膜130的固定強度增加時，在該發光裝置的製程中，剝落不會在該發光元件內側發生，且因此該發光元件可轉移至可撓基材。因此，可用高良率製造高度可靠的發光裝置。
另外，當形成薄元件部170時，該發光裝置係可撓的。因此，此實施例的發光裝置可黏合至不同的底質材料。當此實施例的發光裝置附接至具有彎曲表面之底質材料時，可實現具有彎曲表面之顯示器或具有彎曲表面的發光裝置。此外，當元件部170的厚度甚小時，該發光裝置的重量可減少。
此實施例可視情況與任何實施例組合。
實施例2
在實施例2中，將參考圖2以描述發光裝置的另一範例。須注意將省略與實施例1的部位相同或相似之該等部位的描述。
此實施例之發光裝置的顯示部描繪於圖2中。描繪於圖2中的此實施例之發光裝置具有設置在第一基材132及第二基材133之間的元件部170。此外，樹脂膜130形成在元件部170及第二基材133之間。在圖2中，樹脂膜130可使用與實施例1中所描述之樹脂膜130相似的材料形成。
可撓基材可使用為第一基材132及第二基材133，且該等基材的較佳範例包括諸如聚對苯二甲酸乙二酯(PET)及聚萘二甲酸乙二酯(PEN)的聚酯樹脂、聚丙烯腈樹脂、聚醯亞胺樹脂、聚甲基丙烯酸甲酯樹脂、聚碳酸酯樹脂(PC)、聚醚碸樹脂(PES)、聚醯胺樹脂、環烯樹脂、聚苯乙烯樹脂、聚醯胺醯亞胺樹脂、聚氯乙烯樹脂等。須注意至少設置在光從該發光元件擷取之該側上的該基材應係具有透光性質的基材。
須注意第一基材132及第二基材133係由具有實質相等之低熱膨脹係數的材料形成為佳。此外，第一基材132及第二基材133係由相同材料形成更佳。須注意將第一基材132及第二基材133之熱膨脹係數設定為20ppm/℃或以下為佳，因為該發光裝置的熱阻改善。
在此實施例中，可將在其中纖維體132a係以有機樹脂132b浸漬的結構使用為第一基材132及第二基材133。用於第一基材132及第二基材133的該等結構係具有13GPa或以上之彈性模數且破壞模數低於300MPa的材料為佳。第一基材132及第二基材133的厚度在5μm至50μm之範圍中為佳，且彼此相等為佳。當第一基材132的厚度等於第二基材133之厚度時，元件部170可設置在該發光裝置的中心部。此外，藉由使用厚度在5μm至50μm範圍中的第一基材及第二基材，該第一基材及該第二基材的厚度大於該元件部之厚度，且因此該元件部可實質設置在該中心部並可提供可抵抗彎曲應力的發光裝置。
在此實施例中，在使用為第一基材132及第二基材133之該等結構中的纖維體132a係編織自以規律間距間隔之經線及以規律間距間隔的緯線。此種使用經線及緯線編織的纖維體具有不存在經線及緯線的區域。在該情形中，纖維體132a更容易以有機樹脂132b浸漬，因此增加在纖維體132a及發光元件之間的黏附性。
替代地，纖維體132a可能係具有高密度的經線及緯線且不存在經線及緯線之區域比率甚低的纖維體。
另外，為增強該有機樹脂進入該紗束內側的滲透性，該紗束可能受表面處理。例如，可將用於活化該紗束之表面的電暈放電、電漿放電等提供為該表面處理。另外，可提供使用矽烷耦合劑或鈦酸鹽耦合劑的表面處理。
須注意可能將在其中纖維體係以有機樹脂浸漬之複數個結構堆疊。在該情形中，可能將可能係在各結構中單層纖維體係以有機樹脂浸漬之複數個結構的堆疊之該結構，或在其中複數個堆疊纖維體係以有機樹脂浸漬而形成的結構使用為第一基材132或第二基材133。另外，在堆疊在各結構中單層纖維體係以有機樹脂浸漬之複數個結構時，其他層可能設在該等結構之間。
設置在第一基材132及第二基材133之間的元件部170至少包括發光元件140及組態為提供電位至發光元件140的切換元件。在此實施例中，將薄膜電晶體106使用為該切換元件。此外，可能將驅動器電路部包括在元件部170中，以成為驅動器積體型發光裝置。須注意該驅動器電路可形成在密閉基材的外側。
發光元件140包括第一電極122、覆蓋該第一電極之終端部的絕緣層137、EL層134、以及第二電極136。第一電極122及第二電極136之一者係作為陽極使用，且彼等之另一者係作為陰極使用。圖2中的發光元件140可用與實施例1所描述之發光元件140相似的方式組態。
絕緣層137包括一凸部。在此實施例中，絕緣層137具有第一絕緣層137a及第二絕緣層137b的二層結構。此外，絕緣層137係使用諸如矽之氧化物及矽的氮化物之無機材料；諸如聚醯亞胺、聚醯胺、苯環丁烯、丙烯酸材料、或環氧樹脂之有機材料；矽氧烷材料等形成。此外，構成絕緣層137的第一絕緣層137a及第二絕緣層137b可能使用彼此相同或不同的材料形成。
絕緣層137具有凸部且該凸部嵌在樹脂膜130中，亦即，樹脂膜130覆蓋絕緣層137的全部表面及第二電極136之全部表面，因此絕緣層137及樹脂膜130的固定強度可改善。因此，如此形成的發光裝置可具有高可靠性。藉由絕緣層137及樹脂膜130之固定強度的改善，在該發光裝置的製程中，剝落不會在該發光元件內側發生，且因此該發光元件可轉移至可撓基材。因此，可用高良率製造高度可靠的發光裝置。
在此實施例中，包括在用於該第一基材及該第二基材之該等結構中的纖維體132a係形成自具有高延伸模數或高楊氏模數的高強度纖維。因此，即使當諸如點壓力或線壓力之局部壓力施加至該發光裝置，該高強度纖維不會伸展。壓縮力分散在纖維體132a各處，且該發光裝置整體彎曲。結果，即使在局部壓力施加時，產生在該發光裝置中的該曲線具有大曲率半徑，因此設置在一對結構間的該等發光元件、佈線等不會破裂且可減少該發光裝置的損壞。
另外，當形成薄元件部170時，該發光裝置係可撓的。因此，此實施例的發光裝置可黏合至不同的底質材料。當此實施例的發光裝置附接至具有彎曲表面之底質材料時，可實現具有彎曲表面之顯示器或具有彎曲表面的發光裝置。此外，當元件部170的厚度甚小時，該發光裝置的重量可減少。
此實施例可視情況與任何實施例組合。
實施例3
在實施例3中，將參考圖示詳細地描述用於製造實施例2所描述之該發光裝置的方法。
首先，將分隔層102形成在基材100的表面上，且然後形成絕緣層104(參見圖3A)。分隔層102及絕緣層104可連續地形成。該連續形成不會導致暴露在空氣中，且因此可防止雜質污染。
玻璃基材、石英基材、金屬基材、不鏽鋼基材等可使用為基材100。例如，藉由使用具有一公尺或以上之側邊的長方形玻璃基材，可顯著地增加生產力。
須注意在此製程中，分隔層102係形成在基材100的整體表面上；然而，在分隔層102形成在基材100的整體表面上之後，可能選擇性地移除分隔層102，使得該分隔層可依需要僅在期望區域中提供。此外，雖然將分隔層102形成為與基材100接觸，諸如氧化矽膜、氮氧化矽膜、氮化矽膜、或氮化氧化矽膜(silicon nitride oxide film)之絕緣層可能依需要形成為與基材100接觸，且該分隔層102可能形成為與該絕緣層接觸。
分隔層102係以單層結構或係以具有30nm至200nm的厚度之層的堆疊結構形成，其係藉由濺鍍法、電漿CVD法、塗佈法、印刷法等從選自鎢(W)、鉬(Mo)、鈦(Ti)、鉭(Ta)、鈮(Nb)、鎳(Ni)、鈷(Co)、鋯(Zr)、鋅(Zn)、釕(Ru)、銠(Rh)、鈀(Pd)、鋨(Os)、銥(Ir)、或矽(Si)的一元素；或從含有上述任一元素作為其主成分之合金材料或化合物材料形成。含矽層的晶體結構可能係非晶的、微晶的、或多晶的。此處，塗佈法係經由其藉由將溶液排放在待處理物件上而形成膜的方法，且該塗佈法的範例包括旋轉塗佈法及液滴排放法。液滴排放法係藉由從小孔排放包括含有粒子的組成物之液滴以形成預定型樣的方法。
當分隔層102具有單層結構時，分隔層102藉由使用含鎢、鉬、或鎢及鉬的混合物之層而形成為佳。替代地，分隔層102係使用含有鎢的氧化物或氮氧化物之層，或含有鎢及鉬之混合物的氧化物或氮氧化物之層形成。例如，須注意鎢及鉬的該混合物對應於鎢及鉬的合金。
當分隔層102具有堆疊結構時，將金屬層形成為第一層並將金屬氧化物層形成為第二層為佳。例如，將含有鎢或鉬或含有鎢及鉬的混合物之層形成為該第一金屬層。將含有鎢或鉬之氧化物的層、含有鎢及鉬的混合物之氧化物的層、含有鎢之氮化物的層、含有鎢及鉬的混合物之氮化物的層、含有鎢之氮氧化物的層、含有鎢及鉬的混合物之氮氧化物的層、含有鎢之氮化氧化物的層、及含有鎢及鉬的混合物之氮化氧化物的層之任一者形成為該第二層。
在分隔層102具有在其中將金屬層形成該第一層並將金屬氧化物層形成為該第二層之堆疊結構的情形中，該堆疊結構可能以將含鎢層形成為該金屬層，並將由氧化物形成的絕緣層形成於其上的此種方式形成，因此將含鎢之氧化物的層形成為在該含鎢層及該絕緣層間之介面的金屬氧化物層。再者，該金屬氧化物可能以該金屬層之表面受熱氧化處理、氧氣電漿處理、使用具有強氧化力之溶液(諸如臭氧水)的處理等此種方式形成。
絕緣層104作為保護層使用，並設置其以在稍後的分隔步驟中協助在分隔層102及絕緣層104間之介面的分隔，或在稍後的分隔步驟中防止半導體元件及佈線破裂或受損。例如，絕緣層104係使用藉由濺鍍法、電漿CVD法、塗佈法、印刷法等成為單層或堆疊層之無機化合物而形成。該無機化合物的典型範例包括氧化矽、氮化矽、氮氧化矽、氮化氧化矽等。當將氮化矽、氮化氧化矽、氮氧化矽等用於絕緣層104時，可防止濕氣或諸如氧氣之氣體從外側進入待於稍後形成之該元件層中。功能為保護層之該絕緣層的厚度從10nm至1000nm為佳，從100nm至700nm更佳。
其次，將薄膜電晶體106形成在絕緣層104上方(圖3B)。薄膜電晶體106至少使用具有源極區域、汲極區域及通道形成區域之半導體層108；閘絕緣層110；以及閘極112而形成。
將半導體層108形成為具有在10nm至100nm之範圍中的厚度為佳，在20nm至70nm之範圍中的厚度更佳。用於形成半導體層108的材料範例包括藉由氣相沈積法或濺鍍法使用以矽烷或鍺烷為代表之半導體材料而形成的非晶半導體、藉由使用光能或熱能晶體化該非晶半導體而形成的多晶半導體或微晶半導體、包括作為主成分之有機材料的半導體等。當將晶體半導體層使用為該半導體層時，該晶體半導體層係藉由雷射照射，熱處理，諸如快速熱退火(RTA)或爐管退火，或該等方法之組合而形成。在該熱處理中，可採行使用具有提昇矽半導體晶化之功能的金屬元素，諸如鎳，的晶化方法。
此外，可將諸如GaAs、InP、SiC、ZnSe、GaN、或SiGeIn的化合物半導體以及諸如矽(Si)或鍺(Ge)之元素使用為該半導體的材料。另外，可能使用諸如氧化鋅(ZnO)、氧化錫(SnO2)、鎂鋅氧化物、氧化鎵、或氧化銦的氧化物半導體，由部分上述氧化物半導體所形成的氧化物半導體等。例如，可能使用由氧化鋅、氧化銦、及氧化鎵形成的氧化物半導體。在將氧化鋅使用為該半導體層的情形中，闡絕緣層使用Y2O3、Al2O3、TiO2，或彼等任一者之堆疊形成為佳。將ITO、Au、Ti用於該閘電層、源極層、或汲極層為佳。此外，可將In、Ga等加至ZnO。
以諸如氧化矽或氮氧化矽之無機絕緣物將閘絕緣層110製造至5nm至200nm為佳，且10nm至100nm更佳。
閘極112可使用金屬或將具有一導電型之雜質加至其的多晶矽半導體形成。在使用金屬的情形中，可使用鎢(W)、鉬(Mo)、鈦(Ti)、鉭(Ta)、鋁(Al)等。再者，也可使用藉由氮化金屬而得到的金屬氮化物。替代地，可能使用在其中將包括該金屬氮化物的第一層及包括該金屬之第二層堆疊的結構。藉由形成使用該金屬氮化物的該第一層，可將該第一層使用為障壁金屬。換言之，可防止該第二層的金屬擴散入該閘絕緣層或設置在該閘絕緣層下方的該半導體層中。在使用此種堆疊結構的情形中，該閘極可能具有在其中該第一層的終端部延伸出該第二層之終端部的形狀。
由半導體層108、閘絕緣層110、閘極112等之組合形成的薄膜電晶體106可使用任何不同種類的結構，諸如單汲極結構、LDD(輕度摻雜汲極)結構、及閘極覆蓋汲極結構。薄膜電晶體106係具有LDD結構的薄膜電晶體，在該結構中，低濃度雜質區域係使用與閘極112之側邊接觸的絕緣層(也指稱為側壁)而形成。再者，可使用多閘極結構，其中若已顯示在等效電路中，將具有相同電位之閘電壓施加至彼等的電晶體係序列地連接的；雙閘極結構，其中該半導體層係由在其下及在其上之閘極所包夾；等。須注意雖然將圖示中的頂閘型薄膜電晶體描繪為範例，可能使用底閘型薄膜電晶體或具有其他已為人所知之結構的薄膜電晶體。
可將使用金屬氧化物或用於半導體層之有機半導體材料的薄膜電晶體使用為該薄膜電晶體。該金屬氧化物的典型範例包括鋅氧化物、鋅鎵銦氧化物等。
在薄膜電晶體係藉由相對低溫(低於500℃)製程形成的情形中，分隔層102以鉬(Mo)之單層或堆疊層、將鉬包括為主成分的合金、及/或包括鉬元素之化合物材料形成為佳。
其次，形成電性連接至該薄膜電晶體106之源極區域及汲極區域的佈線118，並形成電性連接至佈線118的第一電極122(圖3C)。
此處，將絕緣層114及116形成為覆蓋薄膜電晶體106，並將亦能如同該源極及汲極電極作用的佈線118形成在絕緣層116的上方。然後，將絕緣層120形成在佈線118的上方，並將第一電極122形成在絕緣層120的上方。
絕緣層114及116係作為層間絕緣層使用。絕緣層114及116係藉由CVD法、濺鍍法、SOG法、液滴排放法、網板印刷法等，形成為具有無機材料，諸如矽之氧化物或矽之氮化物；有機材料，諸如聚醯亞胺、聚醯胺、苯環丁烯、丙烯酸材料、或環氧樹脂；矽氧烷材料等之單層或堆疊層。此處，可將氮化氧化矽膜形成為係該第一層的絕緣層114，並可將氮氧化矽膜形成為係該第二層的絕緣層116。
佈線118以低電阻材料(諸如鋁(Al))與使用高熔點金屬材料(諸如鈦(Ti)或鉬(Mo))之障壁金屬的組合物形成為佳，例如，鈦(Ti)及鋁(Al)的堆疊層結構、鉬(Mo)及鋁(Al)的堆疊層結構等。
絕緣層120係藉由CVD法、濺鍍法、SOG法、液滴排放法、網板印刷法等，以無機材料，諸如矽之氧化物或矽之氮化物；有機材料，諸如聚醯亞胺、聚醯胺、苯環丁烯、丙烯酸材料、或環氧樹脂；矽氧烷材料等之單層或堆疊層形成。此處，絕緣層120係藉由網板印刷之環氧樹脂形成。
須注意第一電極122係使用為該發光元件之陽極或陰極的電極。當將第一電極122使用為陽極時，使用具有高功函數的材料為佳。例如，單層膜，諸如銦錫氧化物膜、含矽之銦錫氧化物膜、藉由使用在其中氧化銦係與2wt%至20wt%的氧化鋅(ZnO)混合之標靶的濺鍍法而形成的光傳輸導電膜、氧化鋅(ZnO)膜、氮化鈦膜、鉻膜、鎢膜、Zn膜、或Pt膜；氮化鈦膜及包含作為其主成分的鋁之膜的堆疊層；氮化鈦膜、包含作為其主成分之鋁的膜、以及其他氮化鈦膜的三層結構；等。當該陽極具有堆疊結構時，該陽極可具有如佈線的低電阻並形成良好電阻接點。
當第一電極122作為陰極使用時，使用具有低功函數的金屬(Al、Ag、Li、Ca、或彼等之合金，諸如MgAg、MgIn、AlLi、CaF2、或氮化鈣)為佳。當使用為該陰極的第一電極122具有光傳輸性質時，將具有小厚度之金屬薄膜及光傳輸導電膜(銦錫氧化物膜、含矽之銦錫氧化物膜、藉由使用在其中氧化銦係與2wt%至20wt%的氧化鋅(ZnO)混合之標靶的濺鍍法而形成的光傳輸導電膜、氧化鋅(ZnO)膜等)的堆疊層使用為該電極為佳。
其次，將第一絕緣層137a形成為覆蓋第一電極122的終端部(圖3D)。在此實施例中，第一絕緣層137a係使用正光敏丙烯酸樹脂膜形成。為使第一絕緣層137a可具有高覆蓋率，將具有曲率的彎曲表面形成在其上終端部或下終端部為佳。例如，若將正型光敏丙烯酸使用為第一絕緣層137a的材料，將第一絕緣層137a形成為僅在其上終端部具有曲率半徑(0.2至3μm)的彎曲表面為佳。可將藉由光照射而在蝕刻劑中變為不可溶解的負型或藉由光照射而在蝕刻劑中變為可溶解的正型之任一者使用為第一絕緣層137a。替代地，第一絕緣層137a可設有無機材料，諸如矽之氧化物或矽的氮化物、有機材料，諸如環氧樹脂、聚醯亞胺、聚醯胺、聚乙烯苯酚、或苯環丁烯、或矽氧烷材料，諸如矽氧烷樹脂，的單層結構或堆疊結構。
其次，將第二絕緣層137b形成在第一絕緣層137a之上。第二絕緣層137b係由無機材料，諸如矽之氧化物及矽的氮化物、有機材料，諸如聚醯亞胺、聚醯胺、苯環丁烯、丙烯酸材料、或環氧樹脂、或矽氧烷材料等形成，與第一絕緣層137a相似。須注意第一絕緣層137a及第二絕緣層137b可能由相同的材料形成或可能以彼此不同的材料形成。此外，第一絕緣層137a及第二絕緣層137b之接觸部的區域小於第一絕緣層137a之頂區域為佳，且可將第二絕緣層137b設置在第一絕緣層137a上的該區域內。須注意第二絕緣層137b可藉由網板印刷法、噴墨法、以及光微影製程等形成。以此方式，形成具有第一絕緣層137a及第二絕緣層137b之二層結構的絕緣層137各者。
此外，電漿處理可在絕緣層137上實施，以氧化或氮化絕緣層137；因此修改絕緣層137的表面並從而可得到緻密膜。藉由修改絕緣層137的表面，可改善絕緣層137的強度，且可減少物理損害，諸如在開口部形成時所產生的破裂等，或在蝕刻時的膜衰減。
其次，將EL層134形成在第一電極122之上。EL層134可使用低分子材料或高分子材料之任一者形成。須注意形成EL層134的材料未限制為僅含有機化合物材料的材料，且用於EL層134的該材料可能部分地含有無機化合物材料。EL層134可能具有至少一發光層，並可能使用發光層的單層或包括具有不同功能之層的堆疊結構。例如，除了該發光層以外，可視情況組合功能層，諸如電洞注入層、電洞運輸層、載子阻隔層、電子運輸層、電子注入層等。須注意可能包括具有二或多個該等層之功能的層。
此外，EL層134可藉由濕製程或乾製程之任一者形成，諸如蒸鍍法、噴墨法、旋轉塗佈法、浸塗法、或噴嘴印刷法。
其次，將第二電極136形成在EL層134之上。因此，可形成在其中堆疊第一電極122、覆蓋第一電極122之終端部的絕緣層137、EL層134、及第二電極136的發光元件140。須注意第一電極122及第二電極136之一者可使用為陽極，並將彼等之另一者使用為陰極。
在此實施例中，將第一電極122使用為陽極，且EL層134具有在其中電洞注入層、電洞運輸層、發光層、電子注入層係循序地堆疊在第一電極122之上的結構。可將不同種類的材料用於該發光層。例如，可使用呈現螢光的螢光化合物或呈現燐光之燐光化合物。
此外，當將第一電極122作為陰極使用時，連接至第一電極122的薄膜電晶體106係n-通道電晶體為佳。
其次，將絕緣層138形成於第二電極136之上，以覆蓋發光元件140(圖4A)。以此方式，可形成包括薄膜電晶體106及發光元件140的元件部170。絕緣層138係作為發光元件140的保護層使用，並設置其以防止濕氣或損害在稍後之該第二基材的壓力連結製程等中進入EL層134。此外，絕緣層138也作為熱絕緣層使用，以防止當第二基材以壓力連結時，EL層134受熱。例如，絕緣層138係使用藉由濺鍍法、電漿CVD法、塗佈法、印刷法等成為單層或堆疊層之無機化合物而形成。無機化合物的典型範例包括氧化矽、氮化矽、氮氧化矽、氮化氧化矽等。此外，將具有良好覆蓋率的膜用於絕緣層138為佳。替代地，可能將有機化合物及無機化合物的堆疊層膜用於絕緣層138。當將氮化矽、氮化氧化矽、氮氧化矽等用於絕緣層138時，可防止濕氣或諸如氧氣之氣體從外側進入待於稍後形成之該元件層中。功能為保護層之該絕緣層的厚度在10nm至1000nm的範圍中為佳，從100nm至700nm更佳。
其次，如圖4B所描繪的，將樹脂膜130形成在元件部170之上。樹脂膜130可用，例如，藉由塗佈法施用組成物並於之後藉由加熱乾燥的此種方式形成。因為樹脂膜130在稍後的製程中係作為該發光元件的保護層使用，樹脂膜130在其表面上具有較少的不均勻性為佳。此外，將具有與絕緣層138有良好固定強度之材料使用為樹脂膜130為佳。具體地說，當樹脂膜130係藉由塗佈法形成時，用於樹脂膜130之材料的範例包括有機化合物，諸如丙烯酸樹脂、聚醯亞胺樹脂、三聚氰胺樹脂、聚酯樹脂、聚碳酸酯樹脂、酚樹脂、環氧樹脂、聚縮醛、聚醚、聚胺甲酸酯、聚醯胺(耐綸)、呋喃樹脂、或二烯丙基鄰苯二甲酸樹脂；在包括矽、氧、及氫之化合物當中包括Si-O-Si鍵的無機矽氧烷聚合物，其係藉由將以石英玻璃為代表之以矽氧烷聚合物為底質的材料使用為起始材料而形成；以及在其中將鍵結至矽之氫以諸如甲基或苯基的有機基團取代的有機矽氧烷聚合物、其以烷基矽氧聚合物、烷基倍半矽氧烷聚合物、氫化倍半矽氧烷聚合物、氫化烷基倍半矽氧烷聚合物為代表。替代地，可能將在其中纖維體係以有機樹脂浸漬的結構使用為樹脂膜130。
此外，當光係自發光元件140之第二電極136側擷取時，樹脂膜130係使用具有透光性質的材料形成或形成為具有夠小之厚度以至少在該發光裝置的顯示表面傳輸光。另一方面，當光僅自發光元件140之第一電極122側擷取時，樹脂膜130不必使用具有透光性質之材料形成。
其次，將黏著片131附接至樹脂膜130。將可藉由光或熱分離的片用於黏著片131。黏著片131的附接可協助分離，另外減少在分離之前及之後施加在元件部170的應力，並抑制薄膜電晶體106及發光元件140的損害。須注意當複數個發光裝置面板係自一基材形成(使用從一基材得到多面板的技術)時，在設置黏著片131之前，將蝕刻引導至形成該面板之各區域的終端部，並將該基材分割為形成該等面板的元件。替代地，該元件部由第一基材及第二基材包夾係可能的，然後藉由切割等將其分割為元件部。
其次，從基材100分離包括薄膜電晶體106、發光元件140等的元件部170(圖4C)。可將任何不同的方法使用為分離法。例如，當將金屬氧化物層形成為在與絕緣層104接觸之該側上的分隔層102時，藉由晶化弱化該金屬氧化物層，使得元件部170可從基材100分離。此外，當將具有光傳輸性質的基材使用為基材100，並將含氮、氧、氫等(例如含氫之非晶矽膜、含氫之合金、含氧之合金等)的膜使用為分隔層102時，分隔層102以經由基材100的雷射光照射，並蒸發包含在該分隔層中的氮、氧、或氫，使得分離可在基材100及分隔層102之間發生。替代地，可能將分隔層102蝕刻為待移除，使得元件部170可從基材100分離。
替代地，可使用藉由機械研磨移除基材100之方法或藉由使用鹵素氟化物氣體，諸如NF3、BrF3、ClF3等、HF等蝕刻以移除基材100的方法。在該情形中，不必使用分隔層102。此外，當將金屬氧化物層形成為在與絕緣層104接觸之該側上的分隔層102時，藉由晶化以弱化該金屬氧化物層，並藉由溶液或藉由使用鹵素氟化物氣體，諸如NF3、BrF3、ClF3等蝕刻以移除分隔層102的部位係可能的，且因此分離可在已弱化金屬氧化物膜中發生。
替代地，藉由雷射照射、使用氣體、溶液等蝕刻、使用利刃或剝刀以形成曝露分隔層102的溝槽係可能的，元件部170從基材100分離可在分隔層102及作為保護層使用之絕緣層104的介面發生，因為該溝槽觸發該分離。例如，可能將機械力(使用人手或夾子的分離製程、藉由滾輪之旋轉的分離製程等)使用為分離方法。替代地，可能將液體滴入該溝槽中，以滲透入分隔層102及絕緣層104之間的介面，使得元件部170可從分隔層102分離。替代地，可使用在其中將諸如NF3、BrF3、ClF3之氟化物氣體引入該溝槽，且該分隔層係藉由使用該氟化物氣體之蝕刻而移除的方法，使得元件部170從具有絕緣表面的該基材分離。另外，該分離可能在諸如水之液體流出時實施。
作為另一分離方法，若分隔層102係由鎢形成，分離可在該分隔層係以氨水及過氧化氫水之混合溶液蝕刻時實施。
通常，包括有機化合物之該EL層及由無機化合物形成的該第二電極之間的固定強度極端低，且在該分離製程中膜剝落有時在該EL層及該第二電極之間的介面發生。然而，在此實施例所描述的發光元件140中，設置具有凸部之絕緣層137且絕緣層137(或絕緣層137之凸部)係嵌入在樹脂膜130中。亦即，樹脂膜130覆蓋絕緣層137的整體表面(或絕緣層137之凸部)及該第二電極的整體表面。因為絕緣層137在樹脂膜130中的功能如同楔子(具有所謂的定錨效應)，可改善樹脂膜130及絕緣層137的固定強度。因此，在該分離製程中，分離難以在EL層134及第二電極136之間的介面發生，且因此可用高良率將元件部170從基材100分離。
其次，將第一基材132設置在已分離元件部170之分離面(該表面藉由絕緣層104的分離而曝露)的該側上。在此實施例中，將在其中纖維體132a係以有機樹脂132b浸漬的第一結構使用為第一基材132(圖5A)。該結構也稱為預浸體。
該預浸體係以下列方式具體地形成：在纖維體以在其中基質樹脂係以有機溶劑稀釋之漆浸漬之後，實施乾燥使得該有機溶劑揮發且該基質樹脂半固化。該結構的厚度從10μm至100μm為佳，從10μm至30μm更佳。當使用具有此種厚度的結構時，可製造細薄及可撓之發光裝置。
可將熱固性樹脂、可紫外光固化樹脂等使用為有機樹脂132b。典型範例包括環氧樹脂、未飽和聚酯樹脂、聚醯亞胺樹脂、雙馬來醯亞胺-三樹脂、氰酸酯樹脂等。替代地，可能使用熱塑性樹脂，諸如聚苯醚樹脂(polyphenylene oxide resin)、聚醚醯亞胺樹脂、或氟樹脂。藉由使用上述之有機樹脂，可藉由熱處理將該纖維體固定至該半導體積體電路。有機樹脂132b的玻璃轉移溫度越高，由局部壓縮力摧毀的有機樹脂132b越少，此係較佳的。
高熱傳導填料可能分佈在有機樹脂132b或纖維體132a的紗束中。可將氮化鋁、氮化硼、氮化矽、氧化鋁等給定為該高熱傳導填料。也可將諸如銀或銅之金屬的粒子給定為該高熱傳導填料。當傳導填料係包括在該有機樹脂或該纖維的紗束中時，可輕易地將熱釋放至外側。因此，在該發光裝置內的熱蓄積可受抑制，且因此可防止該發光裝置受損。
纖維體132a係使用有機化合物或無機化合物之高強度纖維的織布或不織布，並將纖維體設置為部分地彼此相互重疊。該高強度纖維具體地係具有高彈性模數之纖維或具有高楊氏模數的纖維。高強度纖維的典型範例包括聚乙烯醇纖維、聚酯纖維、聚醯胺纖維、聚乙烯纖維、醯胺纖維、聚對伸苯基苯並雙唑樹脂、玻璃纖維、碳纖維等。可將使用E玻璃、S玻璃、D玻璃、Q玻璃等的玻璃纖維使用為該玻璃纖維。須注意纖維體132a可能由上述之一種或複數種高強度纖維形成。須注意將具有實質相同之折射率等級的材料用於纖維體132a及有機樹脂132b為佳。
纖維體132a可能係使用用於經線及緯線之纖維束(單紗)(下文中，將該等纖維束指稱為紗束)編織的織布，或係藉由以隨機方式或在一方向上堆疊複數種纖維之紗束而得到的不織布。在該織布的情形中，可視情況使用平織、斜紋織、緞織等。
該紗束在剖面上可能具有圓形形狀或橢圓形狀。可能將已受使用高壓水蒸氣的鬆棉處理、使用液體作為媒體之高頻震動、連續超音波震動、以滾筒擠壓等之纖維紗束使用為該纖維紗束。受鬆棉處理的纖維紗束具有大寬度、在厚度方向上具有數量較少的單線、且在其剖面方向具有橢圓形狀或平坦形狀。另外，藉由將鬆散扭結線使用為該纖維紗束，該紗束可輕易地平坦化並在剖面方向上具有橢圓形狀或平坦形狀。以此種方式使用在剖面方向具有橢圓形狀或平坦形狀的紗束可減少纖維體132a的厚度。因此，可減少該結構的厚度且因此可製造薄型發光裝置。
其次，加熱並壓力連結使用為第一基材132的該第一結構，使得該第一結構的有機樹脂132b塑化、半固化、或固化。用於加熱第一基材132的溫度為100℃或以下為佳。在有機樹脂132b係有機塑膠樹脂的情形中，已塑化之該有機樹脂係藉由冷卻至室溫而固化。替代地，可能以紫外線照射並壓力連結該第一結構，以半固化或固化有機樹脂132b。藉由加熱或紫外線照及壓力連結，將有機樹脂132b均勻地散佈在元件形成層124的表面上並固化。該第一結構的壓力連結可在大氣壓力或低壓力下實施。
在壓力連結該第一結構後，移除黏著片131以曝露樹脂膜130。然後，將第二基材133設置在樹脂膜130之上(圖5B)。在此實施例中，將在其中纖維體係以有機樹脂浸漬的第二基材使用為第二基材133，與第一基材132相似。之後，將該第二結構加熱並受壓力連結，使得該第二結構的有機樹脂132b塑化或固化。替代地，該第二結構可能以紫外線照射並受壓力連結，使得有機樹脂132b固化。須注意樹脂膜130的功能可如同第二基材133。在該情形中，不必設置第二基材133。
經由上述製程，可形成具有由該第一基材及該第二基材所包夾的該發光元件之此實施例的該發光裝置。
在此實施例中，作為分隔物使用的絕緣層137具有凸部之該結構，在其中形成第一絕緣層137a且一第二絕緣層137b形成於其上，但此係非限定範例。可接受將作為分隔物使用的絕緣層137嵌入在樹脂膜130中，且該絕緣層有大表面區域以改善與樹脂膜130的固定強度，且該絕緣層具有凸部。例如，如在圖6A所描繪之該發光元件中，二第二絕緣層137b可能形成在一第一絕緣層137a之上，作為具有凸部之絕緣層137。第二絕緣層137b可藉由光微影法、網板印刷法、噴墨法等形成。此外，如在圖6B所描繪之該發光元件中，三第二絕緣層137b可能形成在一第一絕緣層137a之上，作為具有凸部之絕緣層137。隨著絕緣層137的表面區域較佳地增加，得到更多的該定錨效應，其導致絕緣層137及樹脂膜130之間的固定強度改善。須注意在覆蓋該第一電極之終端部的該對絕緣層137中，凸部的數量可能與在絕緣層137中的數量彼此不同。須注意在複數個第二絕緣層137b設置在一第一絕緣層137a之上的情形中，該複數個第二絕緣層137b與第一絕緣層137a的接觸區域小於第一絕緣層137a之頂區域為佳，且該複數個第二絕緣層137b係設置在第一絕緣層137a之上的該區域內。
此外，如在圖6C所描繪之該發光元件中，絕緣層137可能具有三層或更多層的堆疊結構。須注意絕緣層137的厚度(從絕緣層120的表面至絕緣層137之最外側表面的高度)在300nm至5μm的範圍內為佳。藉由將300nm或更大的厚度用於該絕緣層的厚度上，可得到優秀的絕緣性質。此外，藉由使用5μm或更小的厚度，可形成具有高導電性的絕緣層137。
雖然此實施例已描述將在其中該纖維體係以該有機樹脂(所謂的預浸體)浸漬的該結構用於第一基材132及第二基材133之範例，本發明之該等實施例未受限於此範例。例如，可撓基材或由樹脂製成之膜，諸如聚酯樹脂，諸如聚對苯二甲酸乙二酯(PET)、聚萘二甲酸乙二酯(PEN)、丙烯酸樹脂、聚丙烯腈樹脂、聚醯亞胺樹脂、聚甲基丙烯酸甲酯樹脂、聚碳酸酯樹脂(PC)、聚醚碸(PES)樹脂、聚醯胺樹脂、環烯樹脂、聚苯乙烯樹脂、聚醯胺醯亞胺樹脂、聚氯乙烯樹脂等，可使用為第一基材132或第二基材133，然後藉由黏著劑附接至絕緣層104或樹脂膜130。可將各種可固化黏著劑，諸如可反應固化黏著劑、可熱固化黏著劑、可光固化黏著劑(諸如可紫外線固化黏著劑)、厭氧黏著劑等，使用為該黏著劑的材料。可將環氧樹脂、丙烯酸樹脂、聚矽氧樹脂、酚樹脂等使用為該黏著劑的材料。須注意將具有光傳輸性質的基材至少用於光係經由其從發光元件140擷取的該基材。
另外，可能將金屬基材用於第一基材132或第二基材133。該金屬基材具有從10μm至200μm之厚度為佳，以具有彈性。該金屬基材具有用於高彈性之從20μm至100μm的厚度更佳。用於該金屬基材之金屬並無明確限制，但可使用諸如鋁、銅、或鎳之金屬、鋁合金、諸如不鏽鋼的金屬合金等為佳。此種金屬基材可藉由黏著劑附接至絕緣層104或樹脂膜130。須注意在該金屬基材藉由黏著劑附接之前，該金屬基材在真空中受烘烤或電漿處理以可將附於其表面上的濕氣移除為佳。
因為此種金屬基材具有低透水性，作為發光裝置之支撐使用的此種金屬基材可防止水從發光元件140進入，且因此該發光裝置可具有較長的使用期限。須注意此種金屬基材具有彈性及低透水性二者，但具有低可見光傳輸性質，且因此將此種金屬基材用於設置成包夾該發光裝置中的該發光元件之基材對的一基材為佳。
此外，如圖7A所描繪的，乾燥劑142可能設置在樹脂膜130及第二基材133之間。藉由將乾燥劑142封閉於其間，可防止因濕氣所導致的該發光元件退化。該乾燥劑可能係藉由化學吸收吸收濕氣的基質，諸如鹼土金屬的氧化物，諸如氧化鈣或氧化鋇。須注意藉也可能使用藉由物理吸收吸收濕氣的基質，諸如沸石或二氧化矽膠體。當光自發光元件140之第二電極136側擷取時，乾燥劑設置在不與像素區域重疊之區域(例如，像素區域的周邊區域)中為佳，使得該孔徑率不減少。
此外，如圖7B所描繪的，第一衝擊釋放層144及第二衝擊釋放層146可能分別設置在第一基材132及第二基材133的外側(在未設置發光元件140之側上)。
該等衝擊釋放層具有擴散及減少待自外側施加至該發光裝置之力的效用。因此，如圖7B所描繪的，藉由設置預防自外側施加至該發光裝置之力(也指稱為外部應力)的該等衝擊釋放層，可緩和局部施力。因此，可增加該發光裝置的強度，且可防止該發光裝置之損傷、缺陷特徵等。
例如，可將具有在其中彈性模數係自5PGa至12PGa且破裂模數為300MPa或以上之橡膠彈性的膜用於第一衝擊釋放層144及第二衝擊釋放層146。須注意使用具有比第一基材132及第二基材133更低的彈性及更高之破裂強度的材料為佳。
第一衝擊釋放層144及第二衝擊釋放層146使用高強度材料形成為佳。高強度材料的典型範例包括聚乙烯醇樹脂、聚酯樹脂、聚醯胺樹脂、聚乙烯樹脂、醯胺樹脂、聚對伸苯基苯並雙唑樹脂、玻璃樹脂等。藉由設置使用具有彈性之高強度材料而形成的第一衝擊釋放層144及第二衝擊釋放層146，將諸如局部壓力之負載擴散並由該整體層吸收，使得可防止該發光裝置受損。
具體地說，可將醯胺樹脂、聚萘二甲酸乙二酯(PEN)樹脂、聚醚腈(PES)樹脂、聚苯硫醚(PPS)樹脂、聚醯亞胺(PI)樹脂、聚對苯二甲酸乙二酯(PET)樹脂等使用為第一衝擊釋放層144及第二衝擊釋放層146。在此實施例中，將由醯胺樹脂製成之醯胺膜用於第一衝擊釋放層144及第二衝擊釋放層146各者。
第一基材132及第一衝擊釋放層144或第二基材133及第二衝擊釋放層146可藉由黏著劑(未圖示)彼此相互附接。此外，當將在其中纖維體係以有機樹脂浸漬之結構使用為第一基材132及第二基材133時，在其間不具有黏著劑而可藉由加熱及加壓直接黏合彼等係可能的。
須注意雖然圖7B描繪在其中該等衝擊釋放層係針對第一基材132及第二基材133外側之二側設置的範例，該等衝擊釋放層可能設置在第一基材132或第二基材133任一者的外側。須注意如圖7B所描繪的，當一對衝擊釋放層係相關於元件部170對稱地設置時，可將施加至該發光裝置之力均勻地散佈為佳；因此，可防止因彎曲、折曲等導致元件部170受損。另外，當一對基材或一對衝擊釋放層係使用相同材料形成為相同厚度時，彼等可具有等同特徵，因此該施力變得更分散。
在此實施例描述的該發光裝置中，絕緣層137具有凸部，且此凸部嵌入在樹脂膜130中，因此該絕緣層137及樹脂膜130的固定強度可改善。因此，在該發光裝置的製程中，剝落不會在該發光元件的內側發生，且因此該發光元件可轉移至可撓基材。因此，可用高良率製造該發光裝置，且如此形成的發光裝置具有高可靠性。
藉由設置一對結構，彼等包夾用於此實施例中之該發光裝置的該元件部，可緩和局部施加至該發光元件的力；因此可防止因外部應力所導致之該發光裝置的受損、缺陷特徵等。因此，可提供在厚度及尺寸上縮減並具有耐久性的高度可靠之發光裝置。另外，可藉由防止由於製程中之外部應力所導致的形狀及特徵缺陷，而以高良率製造發光裝置。
此實施例可視情況與任何實施例組合。
實施例4
在實施例4中，將參考圖8A及8B的頂視圖及剖面圖，描述模組型發光裝置(也指稱為EL模組)的範例。
圖8A係描繪以上述實施例所描述的方式形成之EL模組的頂視圖，且圖8B係沿著圖8A之A-A'線取得的剖面圖。在圖8A中，像素部502、源極側驅動電路504、及閘極側驅動電路503係形成於第一基材132之上。
參考數字508指示將訊號傳輸至源極側驅動電路504及閘極側驅動電路503的佈線，且該佈線可與包括在該像素部之切換元件中的佈線同時形成。佈線508自係外部輸入端的FPC(可撓印刷電路)402接收視訊訊號、時鐘訊號、開始訊號、重設訊號等。雖然在圖8A及8B中僅描畫FPC 402，可能將印刷佈線板(PWB)設置給FPC 402。此說明書中的該發光裝置不僅包括發光裝置本體自身，也包括在其中FPC或PWB係附接至其之狀態。
其次，將參考圖8B描述該剖面結構。將像素部502及閘極側驅動電路503形成在第一基材132之上，且像素部502包括複數個像素，該等像素各者包括薄膜電晶體106及電性連接至薄膜電晶體106之汲極的第一電極。使用在彼等之間的各向異性導電劑等，將係外部輸入端的FPC 402附接在針對第一基材132設置的佈線508上。藉由包括在該各向異性導電劑中的導電粒子，佈線508與形成在FPC 402中的佈線彼此電性連接。在圖8A及8B中，FPC 402係由第一基材132及第二基材133包夾。
以此方式，可得到將FPC 402連接至其的該模組型發光裝置。
此實施例可視情況與任何實施例組合。
實施例5
可將上述實施例之任一者所描述的該發光裝置使用為電子裝置的顯示部。描述在此實施例中的電子裝置具有該等實施例之任一者的該發光裝置。藉由製造根據上述任一實施例之發光裝置的該方法，可用高良率得到高度可靠的發光裝置。結果，具有高產量及高品質之電子裝置可形成為終端產品。
上述實施例之任一者所描述的該發光裝置可用於，例如，各種電子裝置的顯示部，諸如顯示裝置、電腦、行動電話、或攝影機。上述實施例之任一者所描述的該發光裝置可用於顯示部，因此可提供具有高可靠性的輕薄電子裝置。
圖9A描繪包括外殼9101、支撐基座9102、顯示部9103、揚聲器部9104、視訊輸入端9105等的電視機。該電視裝置的顯示部9103係使用上述實施例之任一者所描述的該發光裝置製造。載置上述實施例之任一者的發光裝置之該電視機係可撓的，具有長使用期限並易於製造，可係可在彎曲表面上實現顯示並使用顯示部9103而輕量化的高度可靠之產品。
圖9B描繪包括主體9201、框架9202、顯示部9203、鍵盤9204、外部連接埠9205、指標裝置9206等的電腦。該電腦的顯示部9203係使用上述實施例之任一者所描述的該發光裝置製造。載置上述實施例之任一者的發光裝置之該電腦係可撓的，具有長使用期限並易於製造，可係可在彎曲表面上實施顯示並使用顯示部9203而輕量化的高度可靠之產品。
圖9C描繪包括主體9401、框架9402、顯示部9403、音訊輸入部9404、音訊輸出部9405、操作鍵9406、外部連接埠9407等的行動電話。該行動電話的顯示部9403係使用上述實施例之任一者所描述的該發光裝置製造。載置上述實施例之任一者的發光裝置之該行動電話係可撓的，具有長使用期限並易於製造，可係可在彎曲表面上實施顯示並使用顯示部9403而輕量化的高度可靠之產品。即使當各種附加價值加至該行動電話時，此實施例中的該輕量行動電話可具有適於可攜電話的尺寸及重量，並適於高功能性的行動電話。
圖9D描繪包括主體9501、顯示部9502、外殼9503、外部連接埠9504、遙控接收器部9505、影像接收部9506、電池9507、音訊輸入部9508、操作鍵9509、目鏡部9510等之攝影機。該攝影機的顯示部9502係使用上述實施例之任一者所描述的該發光裝置製造。載置上述實施例之任一者的發光裝置之該攝影機係可撓的，具有長使用期限並易於製造，可係可在彎曲表面上實施顯示並使用顯示部9502而輕量化的高度可靠之產品。
圖9E描繪包括主體9601、顯示部9602、外部記憶體插入部9603、揚聲器部9604、操作鍵9605等的顯示器。主體9601可能另外載置用於接收待顯示於電視之影像的天線、外部輸入端、外部輸出端、電池等。該顯示器的顯示部9602係使用上述實施例之任一者所描述的該發光裝置製造。該可撓顯示部9602可藉由捲起而儲存在主體9601內，其適於一起運載。載置上述實施例之任一者的發光裝置之該顯示器，其係可撓的，可係可實現可攜性並使用顯示部9602而輕量化的高度可靠之產品。
如上文所述，使用上文實施例之任一者所描述的發光裝置而形成之該發光裝置的應用範例係廣泛的，使得該發光裝置可施用在所有領域的電子裝置上。
在上文實施例之任一者中描述的該發光裝置也可使用為照明裝置。茲參考圖10以描述用於照明裝置之該發光裝置的一模式。
圖10描繪在其中將已描述為上述實施例之任一者中的範例之該發光裝置施用為係照明裝置的桌燈3000、內部照明裝置3001及3002之範例。描繪於圖10中的桌燈3000將描述為上述實施例之任一者中的一範例之發光裝置使用為光源。因此，該桌燈可實現輕量化及高可靠性。此外，藉由使用上述實施例之任一者所描述的該發光裝置，內部照明裝置3001及3002可減少彼等之重量並具有高可靠性。此外，因為該發光裝置可撓，例如，其可係像照明裝置3002的捲動型照明裝置。
該等照明裝置並未受限於圖10所例示之該等裝置，且在上述實施例之任一者中描述的該發光裝置可施用至各種模式的照明裝置，包括用於住家或公共設施的照明裝置。在該情形中，使用上述實施例之任一者所描述的該發光裝置之照明裝置的發光媒體係薄膜，其提供更佳的設計自由度。因此，可將各種精巧設計之產品提供至市場。
此實施例可視情況與任何實施例組合。
本申請案基於2009年1月8日向日本特許廳申請的日本專利申請案編號第2009-002567號，該專利之教示全文以提及之方式倂入本文中。
100、200．．．基材
102．．．分隔層
104、114、116、120、137、138．．．絕緣層
106．．．薄膜電晶體
108．．．半導體層
110．．．閘絕緣層
112．．．閘極
118、508．．．佈線
122．．．第一電極
124．．．元件形成層
130．．．樹脂膜
131．．．黏著片
132．．．第一基材
132a．．．纖維體
132b．．．有機樹脂
133．．．第二基材
134．．．EL層
136．．．第二電極
137a．．．第一絕緣層
137b．．．第二絕緣層
140．．．發光元件
142．．．乾燥劑
144．．．第一衝擊釋放層
146．．．第二衝擊釋放層
170．．．元件部
402．．．FPC(可撓印刷電路)
502．．．像素部
503．．．閘極側驅動電路
504．．．源極側驅動電路
9101、9503．．．外殼
9102．．．支撐基座
9103、9203、9403、9502、9602．．．顯示部
9104、9604．．．揚聲器部
9105．．．視訊輸入端
9201、9401、9501、9601．．．主體
9202、9402．．．框架
9204．．．鍵盤
9205、9407、9504．．．外部連接埠
9206．．．指標裝置
9404、9508．．．音訊輸入部
9405．．．音訊輸出部
9406、9509、9605．．．操作鍵
9505．．．遙控接收器部
9506．．．影像接收部
9507．．．電池
9510‧‧‧目鏡部
9603‧‧‧外部記憶體插入部
3000‧‧‧桌燈
3001、3002‧‧‧內部照明裝置
在該等隨附圖式中：
圖1描繪根據本發明之一實施例的發光裝置；
圖2描繪根據本發明之一實施例的發光裝置；
圖3A至3D描繪根據本發明的一實施例之用於製造發光裝置的方法；
圖4A至4C描繪根據本發明的一實施例之用於該製造發光裝置的該方法；
圖5A及5B描繪根據本發明的一實施例之用於該製造發光裝置的該方法；
圖6A至6C各者描繪發光元件的結構範例；
圖7A及7B各者描繪根據本發明的一實施例之發光元件的結構範例；
圖8A及8B描繪根據本發明之一實施例的發光裝置；
圖9A至9E各者描繪根據本發明的一實施例之發光元件的應用範例；以及
圖10描繪根據本發明的一實施例之發光裝置的應用範例。
200．．．基材
137．．．絕緣層
106．．．薄膜電晶體
122．．．第一電極
130．．．樹脂膜
134．．．EL層
136．．．第二電極
137a．．．第一絕緣層
137b．．．第二絕緣層
140．．．發光元件
170．．．元件部

Claims (9)

  1. 一種發光裝置，包含：一基材；一第一絕緣層，在該基材上方；一發光元件，在該第一絕緣層上方，包含：一第一電極，在該第一絕緣層上方；一EL層，與該第一電極接觸；一第二電極，與該EL層接觸；以及一第二絕緣層，覆蓋該第一電極的一終端部；一第三絕緣層，在該第二絕緣層上方；以及一樹脂膜，其中該第三絕緣層係嵌入在該樹脂膜中，且該樹脂膜覆蓋該發光元件，其中該第三絕緣層包含第一凸部及第二凸部，其中該樹脂膜與該第二絕緣層之表面的第一部位以及該第三絕緣層之表面的第二部位接觸，其中該第二電極與該第一凸部重疊，其中該第二電極不與該第二凸部重疊，其中該EL層與該第一凸部重疊，其中該EL層不與該第二凸部重疊，以及其中該第三絕緣層包含有機材料。
  2. 一種電子裝置，包含一顯示部，其中該顯示部包含如申請專利範圍第1項之發光裝置。
  3. 一種發光裝置，包含：一第一基材； 一第一絕緣層，在該第一基材上方；一發光元件，在該第一絕緣層上方，包含：一第一電極，在該第一絕緣層上方；一EL層，與該第一電極接觸；一第二電極，與該EL層接觸；以及一第二絕緣層，覆蓋該第一電極的一終端部；一第三絕緣層，與該第二絕緣層接觸且其與該第二絕緣層之接觸區域小於該第二絕緣層之頂區域；一樹脂膜，其中該第三絕緣層係嵌入在該樹脂膜中，且該樹脂膜覆蓋該發光元件，一第二基材，設置於該樹脂膜上方；其中該第三絕緣層包含第一凸部及第二凸部，其中該樹脂膜與該第二絕緣層之表面的第一部位以及該第三絕緣層之表面的第二部位接觸，其中該第二電極與該第一凸部重疊，其中該第二電極不與該第二凸部重疊，其中該EL層與該第一凸部重疊，其中該EL層不與該第二凸部重疊，以及其中該第三絕緣層包含有機材料。
  4. 如申請專利範圍第3項之發光裝置，其中該第一基材的一厚度等於該第二基材之一厚度。
  5. 一種電子裝置，包含一顯示部，其中該顯示部包含如申請專利範圍第3項之發光裝置。
  6. 一種發光裝置，包含： 一第一可撓基材；一第一絕緣層，在該第一可撓基材上方；一發光元件，在該第一絕緣層上方，包含：一第一電極，在該第一絕緣層上方；一第二絕緣層，覆蓋該第一電極的一終端部；一EL層，與該第一電極接觸；以及一第二電極，與該EL層接觸；一第三絕緣層，在該第二電極上方；以及一樹脂膜，其中該第三絕緣層係嵌入在該樹脂膜中，且該樹脂膜覆蓋該發光元件，其中該第三絕緣層包含第一凸部及第二凸部，其中該樹脂膜與該第二絕緣層之表面的第一部位以及該第三絕緣層之表面的第二部位接觸，其中該第二電極與該第一凸部重疊，其中該第二電極不與該第二凸部重疊，其中該EL層與該第一凸部重疊，其中該EL層不與該第二凸部重疊，以及其中該第三絕緣層包含有機材料。
  7. 一種電子裝置，包含一顯示部，其中該顯示部包含如申請專利範圍第6項之發光裝置。
  8. 一種發光裝置，包含：一第一可撓基材；一第一絕緣層，在該第一可撓基材上方；一發光元件，在該第一絕緣層上方，包含： 一第一電極，在該第一絕緣層上方；一第二絕緣層，覆蓋該第一電極的一終端部；一EL層，與該第一電極接觸；以及一第二電極，與該EL層接觸；一第三絕緣層，與該第二絕緣層接觸且其與該第二絕緣層之接觸區域小於該第二絕緣層之頂區域；一樹脂膜，其中該第三絕緣層係嵌入在該樹脂膜中，且該樹脂膜覆蓋該發光元件；以及一第二可撓基材，設置在該樹脂膜上方，其中該第三絕緣層包含第一凸部及第二凸部，其中該樹脂膜與該第二絕緣層之表面的第一部位以及該第三絕緣層之表面的第二部位接觸，其中該第二電極與該第一凸部重疊，其中該第二電極不與該第二凸部重疊，其中該EL層與該第一凸部重疊，其中該EL層不與該第二凸部重疊，以及其中該第三絕緣層包含有機材料。
  9. 一種電子裝置，包含一顯示部，其中該顯示部包含如申請專利範圍第8項之發光裝置。
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Families Citing this family (58)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI460851B (zh) 2005-10-17 2014-11-11 Semiconductor Energy Lab 半導體裝置及其製造方法
TWI607670B (zh) * 2009-01-08 2017-12-01 半導體能源研究所股份有限公司 發光裝置及電子裝置
US9136286B2 (en) * 2009-08-07 2015-09-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display panel and electronic book
WO2012046428A1 (ja) * 2010-10-08 2012-04-12 シャープ株式会社 半導体装置の製造方法
US8735874B2 (en) * 2011-02-14 2014-05-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting device, display device, and method for manufacturing the same
KR102109009B1 (ko) * 2011-02-25 2020-05-11 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광 장치 및 발광 장치를 사용한 전자 기기
US20120295376A1 (en) * 2011-05-16 2012-11-22 Korea Advanced Institute Of Science And Technology Method for manufacturing a led array device, and led array device manufactured thereby
KR101879831B1 (ko) * 2012-03-21 2018-07-20 삼성디스플레이 주식회사 플렉시블 표시 장치, 유기 발광 표시 장치 및 플렉시블 표시 장치용 원장 기판
KR102105287B1 (ko) 2012-08-01 2020-04-28 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치
US20140061610A1 (en) 2012-08-31 2014-03-06 Hyo-Young MUN Organic light emitting device and manufacturing method thereof
KR20140031003A (ko) * 2012-09-04 2014-03-12 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
JP6204012B2 (ja) 2012-10-17 2017-09-27 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置
JP6076683B2 (ja) 2012-10-17 2017-02-08 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置
KR102065364B1 (ko) * 2012-10-30 2020-01-13 엘지디스플레이 주식회사 유기발광다이오드 표시장치 및 그 제조방법
CN103794625B (zh) * 2012-10-30 2017-04-12 乐金显示有限公司 有机发光二极管显示装置及其制造方法
US20140144593A1 (en) * 2012-11-28 2014-05-29 International Business Machiness Corporation Wafer debonding using long-wavelength infrared radiation ablation
US9636782B2 (en) 2012-11-28 2017-05-02 International Business Machines Corporation Wafer debonding using mid-wavelength infrared radiation ablation
JP6155020B2 (ja) 2012-12-21 2017-06-28 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置及びその製造方法
JP6216125B2 (ja) 2013-02-12 2017-10-18 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置
KR20140107036A (ko) * 2013-02-27 2014-09-04 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법, 그리고 도너 기판
JP6104649B2 (ja) 2013-03-08 2017-03-29 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置
KR20140120427A (ko) * 2013-04-02 2014-10-14 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치의 제조 방법
KR102064392B1 (ko) * 2013-06-04 2020-01-10 삼성디스플레이 주식회사 유기발광표시장치 및 그 제조방법
US9818763B2 (en) * 2013-07-12 2017-11-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and method for manufacturing display device
KR102080008B1 (ko) * 2013-07-12 2020-02-24 삼성디스플레이 주식회사 유기발광표시장치 및 그 제조방법
US9269914B2 (en) * 2013-08-01 2016-02-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting device, electronic device, and lighting device
TWI610374B (zh) 2013-08-01 2018-01-01 格芯公司 用於將搬運器晶圓接合至元件晶圓以及能以中段波長紅外光雷射燒蝕釋出之接著劑
KR20150021000A (ko) 2013-08-19 2015-02-27 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치
GB2521000A (en) * 2013-12-07 2015-06-10 Ct De Inova Μes Csem Brasil Electroluminescent device and manufacturing method thereof
KR102107456B1 (ko) * 2013-12-10 2020-05-08 삼성디스플레이 주식회사 플렉시블 표시 장치 및 이의 제조 방법
KR102244722B1 (ko) * 2013-12-24 2021-04-26 엘지디스플레이 주식회사 점등 패드부 및 이를 포함하는 유기발광표시장치
KR20150075367A (ko) * 2013-12-25 2015-07-03 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치 및 전자 기기
DE112015000866T5 (de) * 2014-02-19 2016-11-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Lichtemittierende Vorrichtung und Ablöseverfahren
KR102203447B1 (ko) * 2014-05-27 2021-01-18 엘지디스플레이 주식회사 유기발광 표시패널 및 그 제조방법
WO2016012900A1 (en) 2014-07-25 2016-01-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and electronic device
CN104779269B (zh) * 2015-04-13 2017-06-27 深圳市华星光电技术有限公司 Oled显示器件
CN104779268B (zh) * 2015-04-13 2016-07-06 深圳市华星光电技术有限公司 Oled显示器件
US9467190B1 (en) 2015-04-23 2016-10-11 Connor Sport Court International, Llc Mobile electronic device covering
JP2017009725A (ja) * 2015-06-19 2017-01-12 ソニー株式会社 表示装置
KR102516054B1 (ko) 2015-11-13 2023-03-31 삼성디스플레이 주식회사 유기발광표시장치 및 유기발광표시장치의 제조 방법
KR102642198B1 (ko) * 2016-04-04 2024-03-05 삼성디스플레이 주식회사 유기발광 디스플레이 장치
CN106601779A (zh) * 2016-12-29 2017-04-26 深圳市华星光电技术有限公司 Oled基板及其制作方法
TWI692002B (zh) * 2017-02-28 2020-04-21 財團法人國家實驗研究院 可撓式基板結構、可撓式電晶體及其製造方法
CN110447309A (zh) * 2017-03-30 2019-11-12 夏普株式会社 El设备的制造方法以及el设备的制造装置
US20190013370A1 (en) * 2017-07-07 2019-01-10 Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co., Ltd. Woled display panel and display device
CN109166968B (zh) * 2018-08-31 2020-10-16 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 有机半导体器件的制备方法
WO2020049674A1 (ja) * 2018-09-06 2020-03-12 シャープ株式会社 表示デバイス
KR102573780B1 (ko) * 2018-09-28 2023-08-31 엘지디스플레이 주식회사 표시 장치
KR102724703B1 (ko) * 2018-10-23 2024-11-01 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이 장치 및 디스플레이 장치를 제조하기 위한 마스크
WO2020111202A1 (ja) * 2018-11-28 2020-06-04 ソニー株式会社 表示装置および電子機器
KR102178463B1 (ko) * 2019-01-24 2020-11-13 국민대학교산학협력단 섬유형 발광소자 및 그 제조방법
CN110707232A (zh) * 2019-09-12 2020-01-17 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 显示装置
CN111403623A (zh) * 2020-03-26 2020-07-10 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 一种显示面板及其制备方法
CN111430428B (zh) * 2020-04-10 2023-02-07 京东方科技集团股份有限公司 柔性显示面板及其制作方法、显示装置
WO2022214904A1 (ja) * 2021-04-08 2022-10-13 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置
CN113285046B (zh) * 2021-05-21 2023-07-04 京东方科技集团股份有限公司 衬底基板、衬底基板制造方法与显示面板
CN118401985A (zh) * 2021-12-29 2024-07-26 株式会社半导体能源研究所 电子设备
US11906133B2 (en) 2022-03-31 2024-02-20 Alliance Sports Group, L.P. Outdoor lighting apparatus

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI255153B (en) * 2003-10-20 2006-05-11 Hitachi Displays Ltd Organic EL display device
US20070045621A1 (en) * 2005-08-31 2007-03-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
TWI302388B (en) * 2005-06-24 2008-10-21 Toshiba Matsushita Display Tec Wiring substrate and display device
US20080280417A1 (en) * 2007-05-11 2008-11-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
US20080303424A1 (en) * 2007-04-25 2008-12-11 Seiko Epson Corporation Organic electroluminescent device

Family Cites Families (127)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6045219A (ja) 1983-08-23 1985-03-11 Toshiba Corp アクテイブマトリクス型表示装置
US4653864A (en) 1986-02-26 1987-03-31 Ovonic Imaging Systems, Inc. Liquid crystal matrix display having improved spacers and method of making same
US7362093B2 (en) 1995-10-31 2008-04-22 Texas Instruments Incorporated IC selectively connecting logic and bypass conductors between opposing pads
US5969538A (en) 1996-10-31 1999-10-19 Texas Instruments Incorporated Semiconductor wafer with interconnect between dies for testing and a process of testing
US6166557A (en) 1996-10-31 2000-12-26 Texas Instruments Incorporated Process of selecting dies for testing on a wafer
US5994912A (en) 1995-10-31 1999-11-30 Texas Instruments Incorporated Fault tolerant selection of die on wafer
US6046600A (en) 1995-10-31 2000-04-04 Texas Instruments Incorporated Process of testing integrated circuit dies on a wafer
US5760643A (en) 1995-10-31 1998-06-02 Texas Instruments Incorporated Integrated circuit die with selective pad-to-pad bypass of internal circuitry
US7230447B2 (en) 2003-10-31 2007-06-12 Texas Instruments Incorporated Fault tolerant selection of die on wafer
EP0786667B1 (en) 1995-10-31 2004-10-27 Texas Instruments Incorporated Method and apparatus for testing integrated circuits
US6326801B1 (en) 1996-10-31 2001-12-04 Texas Instruments Incorporated Wafer of semiconductor material with dies, probe areas and leads
JP3361029B2 (ja) 1997-03-19 2003-01-07 株式会社東芝 表示装置
JP3570857B2 (ja) 1997-05-20 2004-09-29 パイオニア株式会社 有機ｅｌディスプレイパネルとその製造方法
US6465268B2 (en) 1997-05-22 2002-10-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of manufacturing an electro-optical device
US6175345B1 (en) 1997-06-02 2001-01-16 Canon Kabushiki Kaisha Electroluminescence device, electroluminescence apparatus, and production methods thereof
KR100707779B1 (ko) * 1997-08-21 2007-04-18 세이코 엡슨 가부시키가이샤 액티브 매트릭스형 표시장치
JP3580092B2 (ja) 1997-08-21 2004-10-20 セイコーエプソン株式会社 アクティブマトリクス型表示装置
CN100530758C (zh) 1998-03-17 2009-08-19 精工爱普生株式会社 薄膜构图的衬底及其表面处理
JPH11339958A (ja) 1998-05-22 1999-12-10 Casio Comput Co Ltd 電界発光素子の製造方法
US6274887B1 (en) 1998-11-02 2001-08-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method therefor
JP4186289B2 (ja) 1998-12-24 2008-11-26 凸版印刷株式会社 有機エレクトロルミネッセンス表示素子用基板の製造方法および有機エレクトロルミネッセンス表示素子の製造方法
US6680487B1 (en) 1999-05-14 2004-01-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor comprising a TFT provided on a substrate having an insulating surface and method of fabricating the same
US6952020B1 (en) 1999-07-06 2005-10-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
TW459275B (en) 1999-07-06 2001-10-11 Semiconductor Energy Lab Semiconductor device and method of fabricating the same
US6833668B1 (en) 1999-09-29 2004-12-21 Sanyo Electric Co., Ltd. Electroluminescence display device having a desiccant
US20020024356A1 (en) 1999-10-12 2002-02-28 Whetsel Lee D. Method and apparatus for parallel die testing on wafer
JP3809758B2 (ja) 1999-10-28 2006-08-16 ソニー株式会社 表示装置及び表示装置の製造方法
EP1096568A3 (en) 1999-10-28 2007-10-24 Sony Corporation Display apparatus and method for fabricating the same
US6384427B1 (en) 1999-10-29 2002-05-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Electronic device
KR100720066B1 (ko) 1999-11-09 2007-05-18 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광장치 제작방법
JP2001148291A (ja) 1999-11-19 2001-05-29 Sony Corp 表示装置及びその製造方法
TW473800B (en) 1999-12-28 2002-01-21 Semiconductor Energy Lab Method of manufacturing a semiconductor device
JP4076720B2 (ja) 1999-12-28 2008-04-16 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
JP4132528B2 (ja) 2000-01-14 2008-08-13 シャープ株式会社 液晶表示装置の製造方法
US6559594B2 (en) 2000-02-03 2003-05-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting device
TW484238B (en) 2000-03-27 2002-04-21 Semiconductor Energy Lab Light emitting device and a method of manufacturing the same
TWI226205B (en) 2000-03-27 2005-01-01 Semiconductor Energy Lab Self-light emitting device and method of manufacturing the same
US6736993B1 (en) * 2000-04-18 2004-05-18 Advanced Technology Materials, Inc. Silicon reagents and low temperature CVD method of forming silicon-containing gate dielectric materials using same
US20010030511A1 (en) 2000-04-18 2001-10-18 Shunpei Yamazaki Display device
JP2002025767A (ja) 2000-07-03 2002-01-25 Sharp Corp 有機ｅｌ素子の製造方法
US6739931B2 (en) 2000-09-18 2004-05-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and method of fabricating the display device
JP2002164181A (ja) 2000-09-18 2002-06-07 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 表示装置及びその作製方法
US6924594B2 (en) 2000-10-03 2005-08-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device
TW522752B (en) 2000-10-20 2003-03-01 Toshiba Corp Self-luminous display panel and method of manufacturing the same
JP2002151252A (ja) 2000-11-16 2002-05-24 Stanley Electric Co Ltd 有機ｅｌ表示装置
SG143942A1 (en) 2001-02-19 2008-07-29 Semiconductor Energy Lab Light emitting device and method of manufacturing the same
JP2005135929A (ja) 2001-02-19 2005-05-26 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 発光装置の作製方法
JP4101529B2 (ja) 2001-02-22 2008-06-18 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置及びその作製方法
US6992439B2 (en) 2001-02-22 2006-01-31 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device with sealing structure for protecting organic light emitting element
JP2002289347A (ja) 2001-03-27 2002-10-04 Sanyo Electric Co Ltd エレクトロルミネッセンス表示装置、その製造方法、被着マスク及びその製造方法
JP2003017244A (ja) * 2001-07-05 2003-01-17 Sony Corp 有機電界発光素子およびその製造方法
US8415208B2 (en) 2001-07-16 2013-04-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and peeling off method and method of manufacturing semiconductor device
JP4027740B2 (ja) 2001-07-16 2007-12-26 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
JP3858637B2 (ja) * 2001-07-30 2006-12-20 株式会社豊田自動織機 有機エレクトロルミネッセンスディスプレイパネル及びその製造方法
JP2003059671A (ja) 2001-08-20 2003-02-28 Sony Corp 表示素子及びその製造方法
US7351300B2 (en) * 2001-08-22 2008-04-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Peeling method and method of manufacturing semiconductor device
JP2003123969A (ja) 2001-10-17 2003-04-25 Matsushita Electric Ind Co Ltd 蒸着用マスクおよび有機エレクトロルミネッセンスディスプレイの製造方法
JP3705264B2 (ja) 2001-12-18 2005-10-12 セイコーエプソン株式会社 表示装置及び電子機器
US6815723B2 (en) 2001-12-28 2004-11-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device, method of manufacturing the same, and manufacturing apparatus therefor
KR100488953B1 (ko) 2001-12-31 2005-05-11 비오이 하이디스 테크놀로지 주식회사 액정표시장치의 지주 스페이서 형성방법
US7109653B2 (en) 2002-01-15 2006-09-19 Seiko Epson Corporation Sealing structure with barrier membrane for electronic element, display device, electronic apparatus, and fabrication method for electronic element
SG126714A1 (en) 2002-01-24 2006-11-29 Semiconductor Energy Lab Light emitting device and method of manufacturing the same
JP4094863B2 (ja) 2002-02-12 2008-06-04 三星エスディアイ株式会社 有機ｅｌ表示装置
JP2003243171A (ja) 2002-02-18 2003-08-29 Matsushita Electric Ind Co Ltd 有機エレクトロルミネッセンスディスプレイパネルおよびその製造方法
JP3481232B2 (ja) 2002-03-05 2003-12-22 三洋電機株式会社 有機エレクトロルミネッセンスパネルの製造方法
GB2391686B (en) * 2002-07-31 2006-03-22 Dainippon Printing Co Ltd Electroluminescent display and process for producing the same
JP4373653B2 (ja) * 2002-09-12 2009-11-25 東芝モバイルディスプレイ株式会社 有機ｅｌ表示装置
CN100416840C (zh) 2002-11-01 2008-09-03 株式会社半导体能源研究所 半导体装置及半导体装置的制作方法
JP2004165067A (ja) 2002-11-14 2004-06-10 Sanyo Electric Co Ltd 有機電界発光パネル
KR20050094882A (ko) * 2003-01-27 2005-09-28 도시바 마쯔시따 디스플레이 테크놀로지 컴퍼니, 리미티드 유기 ｅｌ 디스플레이의 제조 방법
KR100628074B1 (ko) 2003-02-06 2006-09-27 대영산업개발 주식회사 보호막과 보호캡슐을 갖는 유기전계발광표시패널
WO2004077386A1 (ja) * 2003-02-28 2004-09-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. 表示装置、折り畳み型携帯端末
WO2004093500A1 (ja) 2003-04-15 2004-10-28 Fujitsu Limited 有機ｅｌ表示装置
US7397592B2 (en) * 2003-04-21 2008-07-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Beam irradiation apparatus, beam irradiation method, and method for manufacturing a thin film transistor
JP4233433B2 (ja) 2003-11-06 2009-03-04 シャープ株式会社 表示装置の製造方法
JP2005158494A (ja) 2003-11-26 2005-06-16 Seiko Epson Corp 薄膜の形成方法、電気光学装置の製造方法及び電気光学装置並びに電子機器
KR20110091797A (ko) 2003-11-28 2011-08-12 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광 장치
KR100565745B1 (ko) 2003-12-22 2006-03-29 엘지.필립스 엘시디 주식회사 유기 전계발광 소자 및 그의 제조방법
US7792489B2 (en) 2003-12-26 2010-09-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device, electronic appliance, and method for manufacturing light emitting device
JP3994998B2 (ja) 2004-03-03 2007-10-24 セイコーエプソン株式会社 発光装置、発光装置の製造方法及び電子機器
US7619258B2 (en) 2004-03-16 2009-11-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device
JP4496828B2 (ja) 2004-04-09 2010-07-07 住友ベークライト株式会社 透明複合基板の製造方法
JP2005322564A (ja) 2004-05-11 2005-11-17 Sony Corp 表示装置の製造方法および表示装置
US8350466B2 (en) 2004-09-17 2013-01-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and manufacturing method thereof
JP2006100043A (ja) 2004-09-28 2006-04-13 Toshiba Matsushita Display Technology Co Ltd 表示装置及び表示装置の製造方法
JP4879541B2 (ja) 2004-09-29 2012-02-22 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置の作製方法
US7753751B2 (en) 2004-09-29 2010-07-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of fabricating the display device
US8772783B2 (en) 2004-10-14 2014-07-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device
JP4329740B2 (ja) * 2004-10-22 2009-09-09 セイコーエプソン株式会社 有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法、及び有機エレクトロルミネッセンス装置
KR100683695B1 (ko) 2004-11-11 2007-02-15 삼성에스디아이 주식회사 유기전계 발광표시장치
US7582904B2 (en) 2004-11-26 2009-09-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, display device and method for manufacturing thereof, and television device
US7696625B2 (en) 2004-11-30 2010-04-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
US7517791B2 (en) 2004-11-30 2009-04-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
BRPI0405799B1 (pt) * 2004-12-21 2018-06-12 Petroleo Brasileiro S.A. - Petrobras Estaca torpedo com poder de garra aumentado e com abas para ancoragem permanente ou temporária de estruturas flutuantes e método de instalação
CN102522503B (zh) 2004-12-28 2014-08-20 株式会社半导体能源研究所 蒽衍生物、使用它的发光元件和使用它的发光器件
JP4742626B2 (ja) 2005-03-09 2011-08-10 セイコーエプソン株式会社 発光装置、及びこれを備えた電子機器
JP2006259049A (ja) 2005-03-16 2006-09-28 Seiko Epson Corp 中吊り広告用情報表示装置
JP2007005138A (ja) 2005-06-23 2007-01-11 Fuji Electric Holdings Co Ltd 有機ｅｌ素子およびそれを用いた薄型有機ｅｌパネル
JP2007123240A (ja) * 2005-09-28 2007-05-17 Sony Corp 表示装置の製造方法および表示装置
JP4701971B2 (ja) 2005-09-30 2011-06-15 セイコーエプソン株式会社 表示装置および電子機器、表示装置の製造方法
TWI460851B (zh) 2005-10-17 2014-11-11 Semiconductor Energy Lab 半導體裝置及其製造方法
KR101157263B1 (ko) * 2005-12-13 2012-06-15 엘지디스플레이 주식회사 유기전계발광표시장치 및 그 제조 방법
JP5301080B2 (ja) * 2005-12-26 2013-09-25 株式会社ジャパンディスプレイ 液晶表示装置
KR20070051620A (ko) * 2006-02-03 2007-05-18 주식회사 대우일렉트로닉스 오엘이디 디스플레이 소자
JP2007213999A (ja) 2006-02-10 2007-08-23 Seiko Epson Corp 有機ｅｌ装置の製造方法及び有機ｅｌ装置
JP2007250520A (ja) 2006-02-16 2007-09-27 Toyota Industries Corp 有機エレクトロルミネッセンスディスプレイパネル
JP2007225716A (ja) 2006-02-21 2007-09-06 Toppan Printing Co Ltd 膜厚を平坦化する隔壁
JP2007280866A (ja) 2006-04-11 2007-10-25 Seiko Epson Corp 薄膜デバイス、有機ｅｌ装置および液晶表示装置、電子機器、薄膜デバイスの製造方法、有機ｅｌ装置の製造方法および液晶表示装置の製造方法
JP4415971B2 (ja) 2006-05-10 2010-02-17 カシオ計算機株式会社 表示装置及びその製造方法
US7892059B2 (en) 2006-05-10 2011-02-22 Casio Computer Co., Ltd. Manufacturing method for organic electroluminescent display device including etching partition wall after imparting lyophilicity to partion wall and pixel electrode
JP2008010402A (ja) * 2006-06-02 2008-01-17 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 発光素子及び表示装置
KR100822204B1 (ko) * 2006-06-07 2008-04-17 삼성에스디아이 주식회사 유기 발광 디스플레이 장치
JP4652451B2 (ja) 2006-08-10 2011-03-16 パイオニア株式会社 光デバイス、および光デバイスの製造方法
GB0618698D0 (en) 2006-09-22 2006-11-01 Cambridge Display Tech Ltd Molecular electronic device fabrication methods and structures
JP2008080581A (ja) * 2006-09-26 2008-04-10 Matsushita Electric Works Ltd 扉パネルとその製造方法
WO2008047928A1 (en) 2006-10-19 2008-04-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
JP5354884B2 (ja) 2006-10-19 2013-11-27 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
JP2008112649A (ja) 2006-10-31 2008-05-15 Optrex Corp 有機ｅｌ装置の製造方法
KR20080048840A (ko) * 2006-11-29 2008-06-03 엘지디스플레이 주식회사 유기전계발광소자 및 제조방법
US8304982B2 (en) 2006-11-30 2012-11-06 Lg Display Co., Ltd. Organic EL device and method for manufacturing the same
JP4503586B2 (ja) 2006-12-21 2010-07-14 株式会社 日立ディスプレイズ 有機ｅｌ表示装置
US7728948B2 (en) 2007-04-26 2010-06-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device and manufacturing method
JP2009238456A (ja) 2008-03-26 2009-10-15 Casio Comput Co Ltd エレクトロルミネッセンスパネル
WO2009128522A1 (en) 2008-04-18 2009-10-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Thin film transistor and method for manufacturing the same
KR101635625B1 (ko) 2008-04-18 2016-07-01 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 박막 트랜지스터 및 그 제작 방법
US20100065834A1 (en) * 2008-09-16 2010-03-18 Plextronics, Inc. Integrated organic photovoltaic and light emitting diode device
TWI607670B (zh) 2009-01-08 2017-12-01 半導體能源研究所股份有限公司 發光裝置及電子裝置

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI255153B (en) * 2003-10-20 2006-05-11 Hitachi Displays Ltd Organic EL display device
TWI302388B (en) * 2005-06-24 2008-10-21 Toshiba Matsushita Display Tec Wiring substrate and display device
US20070045621A1 (en) * 2005-08-31 2007-03-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
US20080303424A1 (en) * 2007-04-25 2008-12-11 Seiko Epson Corporation Organic electroluminescent device
US20080280417A1 (en) * 2007-05-11 2008-11-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device

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