JP2003059671A - 表示素子及びその製造方法 - Google Patents
表示素子及びその製造方法Info
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Landscapes
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 成膜用マスクによる損傷を受けることなく良
好に発光体を形成することができる表示素子及びその製
造方法を提供する。 【解決手段】 成膜用マスク４４の開口４６がＲの凹部
２６Ｒに位置するように位置合わせし、シートマグネッ
ト４８で吸着する。そして、蒸着源５０によってＲの有
機ＥＬ層２８Ｒを凹部２６Ｒに形成する。その後、成膜
用マスク４４を移動し、Ｇ，Ｂの有機ＥＬ層２８Ｇ，２
８Ｂを順に形成する。このとき、凹部２６Ｒ，２６Ｇ，
２６Ｂには、絶縁スペーサ２５がそれぞれ形成されてい
る。このため、シートマグネット４８によって成膜用マ
スク４４がリブ形成基板３０の凹部２６側に吸着されて
も、絶縁スペーサ２５によって変形が低減され、有機Ｅ
Ｌ層形成時における成膜用マスク４４と有機ＥＬ層２８
Ｒや２８Ｇとの接触が回避される。
好に発光体を形成することができる表示素子及びその製
造方法を提供する。 【解決手段】 成膜用マスク４４の開口４６がＲの凹部
２６Ｒに位置するように位置合わせし、シートマグネッ
ト４８で吸着する。そして、蒸着源５０によってＲの有
機ＥＬ層２８Ｒを凹部２６Ｒに形成する。その後、成膜
用マスク４４を移動し、Ｇ，Ｂの有機ＥＬ層２８Ｇ，２
８Ｂを順に形成する。このとき、凹部２６Ｒ，２６Ｇ，
２６Ｂには、絶縁スペーサ２５がそれぞれ形成されてい
る。このため、シートマグネット４８によって成膜用マ
スク４４がリブ形成基板３０の凹部２６側に吸着されて
も、絶縁スペーサ２５によって変形が低減され、有機Ｅ
Ｌ層形成時における成膜用マスク４４と有機ＥＬ層２８
Ｒや２８Ｇとの接触が回避される。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、有機ＥＬ発光体な
どを利用した表示素子及びその製造方法に関し、更に具
体的には、カラー用のディスプレイに好適な表示素子及
びその製造方法に関するものである。
どを利用した表示素子及びその製造方法に関し、更に具
体的には、カラー用のディスプレイに好適な表示素子及
びその製造方法に関するものである。
【０００２】
【背景技術】表示素子，例えば有機ＥＬ素子は、有機Ｅ
Ｌ発光体をマトリクス状に配列した構造となっており、
カラー用の場合は、Ｒ（赤），Ｇ（緑），Ｂ（青）の各
有機ＥＬ発光体をストライプ型，デルタ型などの適宜の
パターンで配列した構造となっている。従来の製造方法
としては、例えば特開平８−２２７２７６号公報に開示
されている有機エレクトロルミネッセンスディスプレイ
パネルとその製造方法がある。これによれば、まず、Ｔ
ＦＴによって構成された駆動回路がマトリクス状に形成
された素子基板上に各画素を囲むように隔壁が設けられ
る。一方、Ｒ，Ｇ，Ｂのうちのいずれか一つの色の画素
の配列パターンに相当する窓ないし開口を有する成膜用
マスクを用意する。そして、該成膜用マスクを前記素子
基板上で順次移動することで、Ｒ，Ｇ，Ｂの各有機ＥＬ
発光体が形成される。
Ｌ発光体をマトリクス状に配列した構造となっており、
カラー用の場合は、Ｒ（赤），Ｇ（緑），Ｂ（青）の各
有機ＥＬ発光体をストライプ型，デルタ型などの適宜の
パターンで配列した構造となっている。従来の製造方法
としては、例えば特開平８−２２７２７６号公報に開示
されている有機エレクトロルミネッセンスディスプレイ
パネルとその製造方法がある。これによれば、まず、Ｔ
ＦＴによって構成された駆動回路がマトリクス状に形成
された素子基板上に各画素を囲むように隔壁が設けられ
る。一方、Ｒ，Ｇ，Ｂのうちのいずれか一つの色の画素
の配列パターンに相当する窓ないし開口を有する成膜用
マスクを用意する。そして、該成膜用マスクを前記素子
基板上で順次移動することで、Ｒ，Ｇ，Ｂの各有機ＥＬ
発光体が形成される。
【０００３】図７には、マグネットを利用して前記方法
で有機ＥＬ発光体を形成する手順が示されている。ま
ず、同図（Ａ）に示すように、素子基板９００の隔壁９
０２の形成面に成膜用マスク９１０を配置し、素子基板
９００の反対側にシート状のマグネット９２０を配置す
る。そして、例えばＲの有機ＥＬ発光体を形成する凹部
９０４Ｒにマスク開口９１２を位置合わせして固定す
る。この状態で、蒸着などの方法で、Ｒの有機ＥＬ発光
体を凹部９０４Ｒに形成する。次に、同図（Ｂ）に示す
ように、成膜用マスク９１０の開口９１２を、例えばＧ
の有機ＥＬ発光体を形成する凹部９０４Ｇに位置合わせ
する。そして、Ｇの有機ＥＬ発光体を蒸着などの方法で
凹部９０４Ｇに形成する。次に、同図（Ｃ）に示すよう
に、成膜用マスク９１０の開口９１２を、Ｂの有機ＥＬ
発光体を形成する凹部９０４Ｂに位置合わせする。そし
て、Ｂの有機ＥＬ発光体を蒸着などの方法で凹部９０４
Ｂに形成する。
で有機ＥＬ発光体を形成する手順が示されている。ま
ず、同図（Ａ）に示すように、素子基板９００の隔壁９
０２の形成面に成膜用マスク９１０を配置し、素子基板
９００の反対側にシート状のマグネット９２０を配置す
る。そして、例えばＲの有機ＥＬ発光体を形成する凹部
９０４Ｒにマスク開口９１２を位置合わせして固定す
る。この状態で、蒸着などの方法で、Ｒの有機ＥＬ発光
体を凹部９０４Ｒに形成する。次に、同図（Ｂ）に示す
ように、成膜用マスク９１０の開口９１２を、例えばＧ
の有機ＥＬ発光体を形成する凹部９０４Ｇに位置合わせ
する。そして、Ｇの有機ＥＬ発光体を蒸着などの方法で
凹部９０４Ｇに形成する。次に、同図（Ｃ）に示すよう
に、成膜用マスク９１０の開口９１２を、Ｂの有機ＥＬ
発光体を形成する凹部９０４Ｂに位置合わせする。そし
て、Ｂの有機ＥＬ発光体を蒸着などの方法で凹部９０４
Ｂに形成する。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ところで、上述した素
子基板９００上における隔壁９０２の高さないし段差Ｗ
Ｈは、前記公報によれば１〜２μm程度が望ましいとさ
れており、該隔壁９０２に囲まれた凹部９０４の面積は
０．３×０．１mm程度，すなわち幅ＷＳが３００もしく
は１００μm程度となっている。これらの関係を概略図
示すると、図８のようになる。このように、凹部９０４
の面積に対して隔壁９０２の高さは非常に小さい。この
ため、マグネット９２０で成膜用マスク９１０を引き付
けることによって素子基板９００と成膜用マスク９１０
を密着させた際に、点線のように成膜用マスク９１０が
凹部９０４側に変形する可能性がある。このような変形
が生ずると、成膜用マスク９１０が凹部９０４内に形成
された有機ＥＬ発光体に接触し、発光体を破損する恐れ
がある。
子基板９００上における隔壁９０２の高さないし段差Ｗ
Ｈは、前記公報によれば１〜２μm程度が望ましいとさ
れており、該隔壁９０２に囲まれた凹部９０４の面積は
０．３×０．１mm程度，すなわち幅ＷＳが３００もしく
は１００μm程度となっている。これらの関係を概略図
示すると、図８のようになる。このように、凹部９０４
の面積に対して隔壁９０２の高さは非常に小さい。この
ため、マグネット９２０で成膜用マスク９１０を引き付
けることによって素子基板９００と成膜用マスク９１０
を密着させた際に、点線のように成膜用マスク９１０が
凹部９０４側に変形する可能性がある。このような変形
が生ずると、成膜用マスク９１０が凹部９０４内に形成
された有機ＥＬ発光体に接触し、発光体を破損する恐れ
がある。
【０００５】本発明は、以上の点に着目したもので、成
膜用マスクによる損傷を受けることなく良好に発光体を
形成することができる表示素子及びその製造方法を提供
することを目的とする。
膜用マスクによる損傷を受けることなく良好に発光体を
形成することができる表示素子及びその製造方法を提供
することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するた
め、本発明は、周囲にリブが設けられた画素領域に成膜
用マスクを使用して発光体が順次形成される表示素子で
あって、前記成膜用マスクに対して一定のスペースを確
保するためのスペーサを、前記画素領域内に形成したこ
とを特徴とする。他の発明は、周囲にリブが設けられた
画素領域がマトリックス状に多数配列された素子基板の
主面側に成膜用マスクを配置するとともに、裏面側にマ
グネットを配置し、該素子基板を成膜用マスクとマグネ
ットで挟んで前記画素領域に発光体を順次形成する表示
素子の製造方法であって、前記画素領域内にスペーサを
形成し、これにより前記成膜用マスクに対して一定のス
ペースを前記画素領域に確保しつつ前記発光体を形成す
ることを特徴とする。本発明の前記及び他の目的，特
徴，利点は、以下の詳細な説明及び添付図面から明瞭に
なろう。
め、本発明は、周囲にリブが設けられた画素領域に成膜
用マスクを使用して発光体が順次形成される表示素子で
あって、前記成膜用マスクに対して一定のスペースを確
保するためのスペーサを、前記画素領域内に形成したこ
とを特徴とする。他の発明は、周囲にリブが設けられた
画素領域がマトリックス状に多数配列された素子基板の
主面側に成膜用マスクを配置するとともに、裏面側にマ
グネットを配置し、該素子基板を成膜用マスクとマグネ
ットで挟んで前記画素領域に発光体を順次形成する表示
素子の製造方法であって、前記画素領域内にスペーサを
形成し、これにより前記成膜用マスクに対して一定のス
ペースを前記画素領域に確保しつつ前記発光体を形成す
ることを特徴とする。本発明の前記及び他の目的，特
徴，利点は、以下の詳細な説明及び添付図面から明瞭に
なろう。
【０００７】
【発明の実施の形態】＜実施形態１＞……以下、本発明
の実施形態１について詳細に説明する。最初に、主要な
製造工程を順に説明する。本例は、ＴＦＴを利用したア
クティブマトリックス駆動型の有機ＥＬ素子の例であ
り、まず図１（Ａ）に示すような素子基板１０を用意す
る。なお、素子基板１０は、ＴＦＴ１２が各画素毎にマ
トリックス配列された基板であり、各種のものが公知で
ある。その製造方法も各種知られており、いずれを適用
してもよい。各ＴＦＴ１２のゲート電極は、走査回路に
接続されている（図示せず）。
の実施形態１について詳細に説明する。最初に、主要な
製造工程を順に説明する。本例は、ＴＦＴを利用したア
クティブマトリックス駆動型の有機ＥＬ素子の例であ
り、まず図１（Ａ）に示すような素子基板１０を用意す
る。なお、素子基板１０は、ＴＦＴ１２が各画素毎にマ
トリックス配列された基板であり、各種のものが公知で
ある。その製造方法も各種知られており、いずれを適用
してもよい。各ＴＦＴ１２のゲート電極は、走査回路に
接続されている（図示せず）。
【０００８】素子基板１０の上面には、ＴＦＴ１２を覆
うように、第１層間絶縁膜１４を形成する。第１層間絶
縁膜１４には、例えば、酸化シリコンあるいは酸化シリ
コンにリンを含有させてなるＰＳＧ（Phospho-Silicate
Glass）などの酸化シリコン系の材料が使用される。該
第１層間絶縁膜１４上には、アルミニウムやアルミニウ
ム−銅合金などによって配線１６Ａ，１６Ｂをそれぞれ
パターン形成する。これらの配線１６Ａ，１６Ｂは、駆
動用の信号線として用いられるもので、前記第１層間絶
縁膜１４に形成された接続穴（図示せず）を介して前記
ＴＦＴ１２のソース又はドレインに接続される。
うように、第１層間絶縁膜１４を形成する。第１層間絶
縁膜１４には、例えば、酸化シリコンあるいは酸化シリ
コンにリンを含有させてなるＰＳＧ（Phospho-Silicate
Glass）などの酸化シリコン系の材料が使用される。該
第１層間絶縁膜１４上には、アルミニウムやアルミニウ
ム−銅合金などによって配線１６Ａ，１６Ｂをそれぞれ
パターン形成する。これらの配線１６Ａ，１６Ｂは、駆
動用の信号線として用いられるもので、前記第１層間絶
縁膜１４に形成された接続穴（図示せず）を介して前記
ＴＦＴ１２のソース又はドレインに接続される。
【０００９】次に、図１（Ｂ）に示すように、配線１６
Ａ，１６Ｂを覆うための第２層間絶縁膜１８を形成す
る。この第２層間絶縁膜１８としては、パターン加工さ
れた配線１６Ａ，１６Ｂを覆う必要性から、平坦性の高
い材料を使用するのが望ましい。また、後の工程で蒸着
成膜される有機材料が水分により劣化して十分な輝度が
得られなくなる恐れがあることから、吸水率の低い材料
を使用するのが望ましい。本実施形態では、例えばポリ
イミドによって第２層間絶縁膜１８が基板主面全体に形
成され、その後配線１６Ａに接続するための接続穴１８
Ａが形成される。
Ａ，１６Ｂを覆うための第２層間絶縁膜１８を形成す
る。この第２層間絶縁膜１８としては、パターン加工さ
れた配線１６Ａ，１６Ｂを覆う必要性から、平坦性の高
い材料を使用するのが望ましい。また、後の工程で蒸着
成膜される有機材料が水分により劣化して十分な輝度が
得られなくなる恐れがあることから、吸水率の低い材料
を使用するのが望ましい。本実施形態では、例えばポリ
イミドによって第２層間絶縁膜１８が基板主面全体に形
成され、その後配線１６Ａに接続するための接続穴１８
Ａが形成される。
【００１０】次に、図１（Ｃ）に示すように、前記第２
層間絶縁膜１８上に有機ＥＬ層のアノード電極（下部電
極）２０を形成する。本例のような上面発光型の表示パ
ネルの場合は、クロム，鉄，コバルト，ニッケル，銅，
タンタル，タングステン，プラチナ，金などのような仕
事関数が大きくかつ光の反射率も高い導電性材料を用い
る。本例では、クロムによって形成されている。このア
ノード電極２０は、各画素毎にパターニングされるとと
もに、前記第２層間絶縁膜１８に形成された接続穴１８
Ａを介して配線１６Ａに接続される。
層間絶縁膜１８上に有機ＥＬ層のアノード電極（下部電
極）２０を形成する。本例のような上面発光型の表示パ
ネルの場合は、クロム，鉄，コバルト，ニッケル，銅，
タンタル，タングステン，プラチナ，金などのような仕
事関数が大きくかつ光の反射率も高い導電性材料を用い
る。本例では、クロムによって形成されている。このア
ノード電極２０は、各画素毎にパターニングされるとと
もに、前記第２層間絶縁膜１８に形成された接続穴１８
Ａを介して配線１６Ａに接続される。
【００１１】次に、図２に示すように、リブないし隔壁
２２を各画素（有機ＥＬ層）を囲むように形成する。リ
ブ２２は、以後の工程で蒸着成膜される有機ＥＬ層の表
面高さよりも十分高く形成する。本実施形態では、酸化
シリコン膜２２Ａ，２２Ｂによってリブ２２を形成して
いる。すなわち、最初に同図（Ａ）に示すように、前記
接続穴１８Ａ付近を埋めるように酸化シリコン膜２２Ａ
を形成し、次に同図（Ｂ）に示すように酸化シリコン膜
２２Ｂを積層形成する。このような積層構造とすること
で、十分な高さを有するリブ２２を形成することができ
る。なお、酸化シリコン膜２２Ａは層間絶縁膜であり、
酸化シリコン膜２２Ｂがリブであると考えることもでき
る。
２２を各画素（有機ＥＬ層）を囲むように形成する。リ
ブ２２は、以後の工程で蒸着成膜される有機ＥＬ層の表
面高さよりも十分高く形成する。本実施形態では、酸化
シリコン膜２２Ａ，２２Ｂによってリブ２２を形成して
いる。すなわち、最初に同図（Ａ）に示すように、前記
接続穴１８Ａ付近を埋めるように酸化シリコン膜２２Ａ
を形成し、次に同図（Ｂ）に示すように酸化シリコン膜
２２Ｂを積層形成する。このような積層構造とすること
で、十分な高さを有するリブ２２を形成することができ
る。なお、酸化シリコン膜２２Ａは層間絶縁膜であり、
酸化シリコン膜２２Ｂがリブであると考えることもでき
る。
【００１２】更に、リブ２２は、図示のように側壁が順
テーパ形状に形成されており、これによって相当程度の
高さを有するリブ２２を覆う上部共通電極（カソード電
極）のカバレッジが確保される。
テーパ形状に形成されており、これによって相当程度の
高さを有するリブ２２を覆う上部共通電極（カソード電
極）のカバレッジが確保される。
【００１３】この場合において、本実施形態では、絶縁
スペーサ２５がリブ２２に囲まれた画素領域である凹部
２６の略中央付近に形成される。すなわち、同図（Ａ）
に示すように、リブ２２の酸化シリコン膜２２Ａと同時
に、酸化シリコン膜２５Ａが形成される。そして、リブ
２２の酸化シリコン膜２２Ｂと同時に、前記酸化シリコ
ン膜２５Ａ上に酸化シリコン膜２５Ｂが形成される。こ
のようにして、リブ２２と同時に絶縁スペーサ２５が凹
部２６の略中央に形成される。
スペーサ２５がリブ２２に囲まれた画素領域である凹部
２６の略中央付近に形成される。すなわち、同図（Ａ）
に示すように、リブ２２の酸化シリコン膜２２Ａと同時
に、酸化シリコン膜２５Ａが形成される。そして、リブ
２２の酸化シリコン膜２２Ｂと同時に、前記酸化シリコ
ン膜２５Ａ上に酸化シリコン膜２５Ｂが形成される。こ
のようにして、リブ２２と同時に絶縁スペーサ２５が凹
部２６の略中央に形成される。
【００１４】次に、図３（Ａ）に示すように、成膜用マ
スク（蒸着マスク）４４を使用して、リブ形成基板３０
の凹部２６に、Ｒ，Ｇ，Ｂの発光体である有機ＥＬ層２
８を蒸着形成する。本例では、例えばＧ→Ｂ→Ｒの順で
蒸着を行うものとし、Ｒ，Ｇ，Ｂの有機ＥＬ層が形成さ
れる凹部をそれぞれ２６Ｒ，２６Ｇ，２６Ｂとする。図
４には、蒸着時の様子が分解して示されている。リブ形
成基板３０のリブ２２が形成された主面側には、マスク
ホルダ４２に保持された成膜用マスク４４が配置され
る。成膜用マスク４４は、マグネットによって吸着可能
なニッケルなどによるメタルマスクである。この成膜用
マスク４４には、Ｒ，Ｇ，Ｂのうちのいずれか一色の画
素に対応して開口ないし窓４６が設けられており、各開
口４６は、前記リブ２２によって囲まれた凹部２６に形
成される有機ＥＬ層の形成領域に対応している。
スク（蒸着マスク）４４を使用して、リブ形成基板３０
の凹部２６に、Ｒ，Ｇ，Ｂの発光体である有機ＥＬ層２
８を蒸着形成する。本例では、例えばＧ→Ｂ→Ｒの順で
蒸着を行うものとし、Ｒ，Ｇ，Ｂの有機ＥＬ層が形成さ
れる凹部をそれぞれ２６Ｒ，２６Ｇ，２６Ｂとする。図
４には、蒸着時の様子が分解して示されている。リブ形
成基板３０のリブ２２が形成された主面側には、マスク
ホルダ４２に保持された成膜用マスク４４が配置され
る。成膜用マスク４４は、マグネットによって吸着可能
なニッケルなどによるメタルマスクである。この成膜用
マスク４４には、Ｒ，Ｇ，Ｂのうちのいずれか一色の画
素に対応して開口ないし窓４６が設けられており、各開
口４６は、前記リブ２２によって囲まれた凹部２６に形
成される有機ＥＬ層の形成領域に対応している。
【００１５】一方、反対側のリブ形成基板３０の裏面側
には、シートマグネット４８が配置されている。また、
成膜用マスク４４の下方には、蒸着源５０が設けられて
いる。この蒸着源５０としては、例えば抵抗過熱型もし
くはＥＢ（電子ビーム）型のものが使用される。
には、シートマグネット４８が配置されている。また、
成膜用マスク４４の下方には、蒸着源５０が設けられて
いる。この蒸着源５０としては、例えば抵抗過熱型もし
くはＥＢ（電子ビーム）型のものが使用される。
【００１６】次に、有機ＥＬ層の形成手順を説明する。
まず、成膜用マスク４４の開口４６が、リブ形成基板３
０の凹部２６Ｒ，２６Ｇ，２６Ｂのうちの所望のものに
対応するように位置決めを行い、シートマグネット４８
で成膜用マスク４４をリブ形成基板３０に固定する。そ
して、蒸着源５０からの蒸着によって、凹部２６Ｒ，２
６Ｇ，２６ＢにＲ，Ｇ，Ｂの有機ＥＬ層を順次形成す
る。まず、図５（Ａ）に示すように、成膜用マスク４４
の開口４６がＲの凹部２６Ｒに位置するように位置合わ
せする。そして、蒸着源５０から、ホール注入層，ホー
ル輸送層，発光層，電子輸送層，電子注入層の各材料を
順次蒸発し、それらの積層膜によってＲの有機ＥＬ層２
８Ｒを凹部２６Ｒに形成する。次に、図５（Ｂ）に示す
ように、成膜用マスク４４の開口４６がＧの凹部２６Ｇ
に位置するように位置合わせする。そして、蒸着源５０
から、ホール注入層，ホール輸送層，発光層，電子輸送
層，電子注入層の各材料を順次蒸発し、それらの積層膜
によってＧの有機ＥＬ層２８Ｇを凹部２６Ｇに形成す
る。最後に、図５（Ｃ）に示すように、成膜用マスク４
４の開口４６がＢの凹部２６Ｂに位置するように位置合
わせする。そして、蒸着源５０から、ホール注入層，ホ
ール輸送層，発光層，電子輸送層，電子注入層の各材料
を順次蒸発し、それらの積層膜によってＢの有機ＥＬ層
２８Ｂを凹部２６Ｂに形成する。
まず、成膜用マスク４４の開口４６が、リブ形成基板３
０の凹部２６Ｒ，２６Ｇ，２６Ｂのうちの所望のものに
対応するように位置決めを行い、シートマグネット４８
で成膜用マスク４４をリブ形成基板３０に固定する。そ
して、蒸着源５０からの蒸着によって、凹部２６Ｒ，２
６Ｇ，２６ＢにＲ，Ｇ，Ｂの有機ＥＬ層を順次形成す
る。まず、図５（Ａ）に示すように、成膜用マスク４４
の開口４６がＲの凹部２６Ｒに位置するように位置合わ
せする。そして、蒸着源５０から、ホール注入層，ホー
ル輸送層，発光層，電子輸送層，電子注入層の各材料を
順次蒸発し、それらの積層膜によってＲの有機ＥＬ層２
８Ｒを凹部２６Ｒに形成する。次に、図５（Ｂ）に示す
ように、成膜用マスク４４の開口４６がＧの凹部２６Ｇ
に位置するように位置合わせする。そして、蒸着源５０
から、ホール注入層，ホール輸送層，発光層，電子輸送
層，電子注入層の各材料を順次蒸発し、それらの積層膜
によってＧの有機ＥＬ層２８Ｇを凹部２６Ｇに形成す
る。最後に、図５（Ｃ）に示すように、成膜用マスク４
４の開口４６がＢの凹部２６Ｂに位置するように位置合
わせする。そして、蒸着源５０から、ホール注入層，ホ
ール輸送層，発光層，電子輸送層，電子注入層の各材料
を順次蒸発し、それらの積層膜によってＢの有機ＥＬ層
２８Ｂを凹部２６Ｂに形成する。
【００１７】この場合において、本実施形態によれば、
凹部２６Ｒ，２６Ｇ，２６Ｂに絶縁スペーサ２５がそれ
ぞれ形成されている。このため、シートマグネット４８
によって成膜用マスク４４がリブ形成基板３０の凹部２
６側に吸着されても、絶縁スペーサ２５によって変形が
低減される。このため、有機ＥＬ層形成時における成膜
用マスク４４と有機ＥＬ層２８Ｒや２８Ｇとの接触が回
避されるようになる。なお、図５に示した例では、有機
ＥＬ層２８Ｂは、一番最後に形成されるので、成膜用マ
スク４４との接触による破損は生じない。従って、絶縁
スペーサ２５は、一番最後に形成される色の凹部２６に
は、必ずしも形成する必要はない。例えば、最も輝度が
低い有機ＥＬ層を最後に形成すると、その色については
絶縁スペーサを設ける必要がない。従って、絶縁スペー
サによる輝度の低下がなく、好都合である。
凹部２６Ｒ，２６Ｇ，２６Ｂに絶縁スペーサ２５がそれ
ぞれ形成されている。このため、シートマグネット４８
によって成膜用マスク４４がリブ形成基板３０の凹部２
６側に吸着されても、絶縁スペーサ２５によって変形が
低減される。このため、有機ＥＬ層形成時における成膜
用マスク４４と有機ＥＬ層２８Ｒや２８Ｇとの接触が回
避されるようになる。なお、図５に示した例では、有機
ＥＬ層２８Ｂは、一番最後に形成されるので、成膜用マ
スク４４との接触による破損は生じない。従って、絶縁
スペーサ２５は、一番最後に形成される色の凹部２６に
は、必ずしも形成する必要はない。例えば、最も輝度が
低い有機ＥＬ層を最後に形成すると、その色については
絶縁スペーサを設ける必要がない。従って、絶縁スペー
サによる輝度の低下がなく、好都合である。
【００１８】次に、以上の有機ＥＬ層２８（２８Ｒ，２
８Ｇ，２８Ｂ）の蒸着後、図３（Ｂ）に示すようにカソ
ード電極（上部電極）３１を各画素の共通電極として形
成する。カソード電極３１は、前記有機ＥＬ層２８の劣
化を防止するため、同一の装置内でマスク交換を行って
形成する。次に、同図（Ｃ）に示すようにパッシベーシ
ョン膜（保護膜）３２を主面全体に形成する。パッシベ
ーション膜３２は、カソード電極３１の形成後、大気暴
露することなく、同一装置内で成膜する。有機ＥＬ層２
８は、水分や酸素を嫌うとともに高温にも弱いので、カ
ソード電極３１やパッシベーション膜３２の形成に当た
っては、それらによる有機ＥＬ層２８の劣化が生じない
ように配慮する。以上のようにして、有機ＥＬディスプ
レイパネルが得られる。
８Ｇ，２８Ｂ）の蒸着後、図３（Ｂ）に示すようにカソ
ード電極（上部電極）３１を各画素の共通電極として形
成する。カソード電極３１は、前記有機ＥＬ層２８の劣
化を防止するため、同一の装置内でマスク交換を行って
形成する。次に、同図（Ｃ）に示すようにパッシベーシ
ョン膜（保護膜）３２を主面全体に形成する。パッシベ
ーション膜３２は、カソード電極３１の形成後、大気暴
露することなく、同一装置内で成膜する。有機ＥＬ層２
８は、水分や酸素を嫌うとともに高温にも弱いので、カ
ソード電極３１やパッシベーション膜３２の形成に当た
っては、それらによる有機ＥＬ層２８の劣化が生じない
ように配慮する。以上のようにして、有機ＥＬディスプ
レイパネルが得られる。
【００１９】このように、本実施形態によれば、リブ２
２によって囲まれた画素領域である凹部２６の略中央付
近に絶縁スペーサ２５が形成される。有機ＥＬ層２８の
形成時に成膜用マスク４４をシートマグネット４８で吸
着しても、絶縁スペーサ２５によって成膜用マスク４４
の変形が低減される。このため、成膜用マスク４４によ
る有機ＥＬ層２８の破損が防止され、画像としてみた場
合の滅点が減少する。有機ＥＬ層２８を挟む電極間のシ
ョートも防止される。
２によって囲まれた画素領域である凹部２６の略中央付
近に絶縁スペーサ２５が形成される。有機ＥＬ層２８の
形成時に成膜用マスク４４をシートマグネット４８で吸
着しても、絶縁スペーサ２５によって成膜用マスク４４
の変形が低減される。このため、成膜用マスク４４によ
る有機ＥＬ層２８の破損が防止され、画像としてみた場
合の滅点が減少する。有機ＥＬ層２８を挟む電極間のシ
ョートも防止される。
【００２０】＜実施形態２＞……次に、本発明の実施形
態２について説明する。上述した実施形態は、図６
（Ａ）に示すように、リブ２２によって仕切られた凹部
２６の中央付近に一つの島状の絶縁スペーサ２５を設け
たが、本実施形態は、該絶縁スペーサの他の形態に関す
るものである。まず、図６（Ｂ）に示す例は、凹部２６
の中央付近に、２つの島状の絶縁スペーサ１００，１０
２を設けた例である。図６（Ｃ）に示す例は、凹部２６
を４分割するように十字形状の絶縁スペーサ１１０を設
けた例である。この例は、画素自体が絶縁スペーサ１１
０によって４分割されていると考えることもできる。別
言すれば、１画素当たりの面積を狭くすることで、成膜
用マスク４４の変形を低減したと考えることができる。
図６（Ｄ）に示す例は、円形の絶縁スペーサ１２０の例
である。この例は、内側と外側に画素が絶縁スペーサ１
２０で分割されていると考えることができる。同図
（Ｅ）の例は、Ｒ，Ｇ，Ｂの有機ＥＬ層の輝度を考慮し
て、絶縁スペーサ１３０Ｒ，１３０Ｇ，１３０Ｂの面積
を変更した例である。すなわち、輝度が高い画素は絶縁
スペーサの面積を大きくし、輝度が低い画素は絶縁スペ
ーサの面積を小さくすることで、Ｒ，Ｇ，Ｂの各画素の
輝度を調整するようにした例である。
態２について説明する。上述した実施形態は、図６
（Ａ）に示すように、リブ２２によって仕切られた凹部
２６の中央付近に一つの島状の絶縁スペーサ２５を設け
たが、本実施形態は、該絶縁スペーサの他の形態に関す
るものである。まず、図６（Ｂ）に示す例は、凹部２６
の中央付近に、２つの島状の絶縁スペーサ１００，１０
２を設けた例である。図６（Ｃ）に示す例は、凹部２６
を４分割するように十字形状の絶縁スペーサ１１０を設
けた例である。この例は、画素自体が絶縁スペーサ１１
０によって４分割されていると考えることもできる。別
言すれば、１画素当たりの面積を狭くすることで、成膜
用マスク４４の変形を低減したと考えることができる。
図６（Ｄ）に示す例は、円形の絶縁スペーサ１２０の例
である。この例は、内側と外側に画素が絶縁スペーサ１
２０で分割されていると考えることができる。同図
（Ｅ）の例は、Ｒ，Ｇ，Ｂの有機ＥＬ層の輝度を考慮し
て、絶縁スペーサ１３０Ｒ，１３０Ｇ，１３０Ｂの面積
を変更した例である。すなわち、輝度が高い画素は絶縁
スペーサの面積を大きくし、輝度が低い画素は絶縁スペ
ーサの面積を小さくすることで、Ｒ，Ｇ，Ｂの各画素の
輝度を調整するようにした例である。
【００２１】＜他の実施形態＞……本発明には数多くの
実施形態があり、以上の開示に基づいて多様に改変する
ことが可能である。例えば、次のようなものも含まれ
る。 （１）有機ＥＬディスプレイパネルの積層構造として
は、前記実施形態に示したものの他、各種の公知の構造
としてよい。各部を構成する材料についても同様であ
る。 （２）前記実施形態では、絶縁スペーサをリブと同時に
形成したが、絶縁スペーサを他の部材と独立して形成す
るようにしてもよい。 （３）前記実施形態では、１画素を構成する凹部の形状
が四角形であったが、円形，楕円形など多様な形状とし
てよい。また、Ｒ，Ｇ，Ｂの画素配列も、ストライプ
型，モザイク型，デルタ型，スクエア型など、各種の配
列としてよい。 （４）前記実施形態は、有機ＥＬ発光体を使用した例で
あるが、各種の発光体を使用した表示素子に本発明は適
用可能である。
実施形態があり、以上の開示に基づいて多様に改変する
ことが可能である。例えば、次のようなものも含まれ
る。 （１）有機ＥＬディスプレイパネルの積層構造として
は、前記実施形態に示したものの他、各種の公知の構造
としてよい。各部を構成する材料についても同様であ
る。 （２）前記実施形態では、絶縁スペーサをリブと同時に
形成したが、絶縁スペーサを他の部材と独立して形成す
るようにしてもよい。 （３）前記実施形態では、１画素を構成する凹部の形状
が四角形であったが、円形，楕円形など多様な形状とし
てよい。また、Ｒ，Ｇ，Ｂの画素配列も、ストライプ
型，モザイク型，デルタ型，スクエア型など、各種の配
列としてよい。 （４）前記実施形態は、有機ＥＬ発光体を使用した例で
あるが、各種の発光体を使用した表示素子に本発明は適
用可能である。
【００２２】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
成膜用マスクに対して一定のスペースを確保するための
スペーサを画素領域内に形成することとしたので、成膜
用マスクによる損傷を受けることなく良好に発光体を形
成することができるという効果がある。
成膜用マスクに対して一定のスペースを確保するための
スペーサを画素領域内に形成することとしたので、成膜
用マスクによる損傷を受けることなく良好に発光体を形
成することができるという効果がある。
【図１】本発明の実施形態１の製造プロセスを示す主要
端面図である。
端面図である。
【図２】本発明の実施形態１の製造プロセスを示す主要
端面図である。
端面図である。
【図３】本発明の実施形態１の製造プロセスを示す主要
端面図である。
端面図である。
【図４】前記実施形態における有機ＥＬ層の形成時の様
子を示す分解斜視図である。
子を示す分解斜視図である。
【図５】前記実施形態における成膜用マスクの移動の様
子を示す端面図である。
子を示す端面図である。
【図６】本発明の実施形態２の主要部を示す斜視図であ
る。
る。
【図７】従来技術における成膜用マスクの移動の様子を
示す端面図である。
示す端面図である。
【図８】前記従来技術における有機ＥＬ層形成時におけ
る成膜用マスクの変形の様子を示す端面図である。
る成膜用マスクの変形の様子を示す端面図である。
１０…素子基板
１２…ＴＦＴ
１４…第１層間絶縁膜
１６Ａ，１６Ｂ…配線
１８…第２層間絶縁膜
１８Ａ…接続穴
２０…アノード電極
２２…リブないし隔壁
２２Ａ，２２Ｂ…酸化シリコン膜
２５…絶縁スペーサ
２５Ａ，２５Ｂ…酸化シリコン膜
２６，２６Ｒ，２６Ｇ，２６Ｂ…凹部
２８，２８Ｒ，２８Ｇ，２８Ｂ…有機ＥＬ層
３０…リブ形成基板
３１…カソード電極
３２…パッシベーション膜
４２…マスクホルダ
４４…成膜用マスク
４６…開口ないし窓
４８…シートマグネット
５０…蒸着源
１００，１０２，１１０，１２０，１３０Ｒ，１３０
Ｇ，１３０Ｂ…絶縁スペーサ
Ｇ，１３０Ｂ…絶縁スペーサ
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考）
Ｈ０５Ｂ 33/10 Ｈ０５Ｂ 33/10
33/12 33/12 Ｂ
33/14 33/14 Ａ
Ｆターム(参考） 3K007 AB04 AB17 AB18 BA06 DA01
DB03 EB00 FA01
4K029 BC07 BD00 HA03 HA04
5C094 AA08 AA47 AA48 BA03 BA12
BA27 CA19 CA24 DA13 FA01
FA02 FA04 FB01 FB20 GB10
5G435 AA01 AA04 AA17 BB05 CC09
CC12 HH14 HH18 KK05 KK10
Claims (7)
- 【請求項１】 周囲にリブが設けられた画素領域に成膜
用マスクを使用して発光体が順次形成される表示素子で
あって、 前記成膜用マスクに対して一定のスペースを確保するた
めのスペーサを、前記画素領域内に形成したことを特徴
とする表示素子。 - 【請求項２】 前記スペーサを前記リブと同時に形成し
たことを特徴とする請求項１記載の表示素子。 - 【請求項３】 前記スペーサを島状に少なくとも１つ形
成したことを特徴とする請求項１記載の表示素子。 - 【請求項４】 前記スペーサを前記リブに連続するよう
に形成したことを特徴とする請求項１記載の表示素子。 - 【請求項５】 前記スペーサを絶縁体で形成したことを
特徴とする請求項１記載の表示素子。 - 【請求項６】 前記画素領域のうち最後に発光体が形成
される画素領域を除いて、前記スペーサを形成したこと
を特徴とする請求項１記載の表示素子。 - 【請求項７】 周囲にリブが設けられた画素領域がマト
リックス状に多数配列された素子基板の主面側に成膜用
マスクを配置するとともに、裏面側にマグネットを配置
し、該素子基板を成膜用マスクとマグネットで挟んで前
記画素領域に発光体を順次形成する表示素子の製造方法
であって、 前記画素領域内にスペーサを形成し、これにより前記成
膜用マスクに対して一定のスペースを前記画素領域に確
保しつつ前記発光体を形成することを特徴とする表示素
子の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001248834A JP2003059671A (ja) | 2001-08-20 | 2001-08-20 | 表示素子及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001248834A JP2003059671A (ja) | 2001-08-20 | 2001-08-20 | 表示素子及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003059671A true JP2003059671A (ja) | 2003-02-28 |
Family
ID=19077930
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001248834A Pending JP2003059671A (ja) | 2001-08-20 | 2001-08-20 | 表示素子及びその製造方法 |
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|---|---|
| JP (1) | JP2003059671A (ja) |
Cited By (23)
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