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WO2020049674A1 - 表示デバイス - Google Patents

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WO2020049674A1
WO2020049674A1 PCT/JP2018/032977 JP2018032977W WO2020049674A1 WO 2020049674 A1 WO2020049674 A1 WO 2020049674A1 JP 2018032977 W JP2018032977 W JP 2018032977W WO 2020049674 A1 WO2020049674 A1 WO 2020049674A1
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WO
WIPO (PCT)
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layer
display device
heat
emitting element
insulating layer
Prior art date
Application number
PCT/JP2018/032977
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
真伸 水崎
Original Assignee
シャープ株式会社
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by シャープ株式会社 filed Critical シャープ株式会社
Priority to CN201880097014.6A priority Critical patent/CN112640577B/zh
Priority to PCT/JP2018/032977 priority patent/WO2020049674A1/ja
Priority to US17/272,649 priority patent/US11917858B2/en
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Definitions

  • the present invention relates to a display device provided with a heat insulation layer.
  • Light-emitting elements used for various display devices have low heat resistance and are liable to have reduced luminance in a high-temperature environment.
  • JP 2010-147179 A (Published July 1, 2010)
  • the heat dissipation layer does not function properly, and the light emitting element itself emits heat and the like. There was a problem that it was difficult to prevent deterioration.
  • the present invention has been made in view of the above problems, and an object of the present invention is to provide a display device that can delay deterioration of a light-emitting element even when applied to a high-temperature environment.
  • a display device includes a light-emitting element layer including a plurality of light-emitting elements and a TFT layer provided below the light-emitting element layer and including a TFT that drives the light-emitting element. And at least one heat-insulating layer that insulates heat from the outside to the light-emitting element.
  • the heat-insulating layer includes a complex containing molybdenum and a polyphenylene sulfide-based resin.
  • a display device which can delay deterioration of a light-emitting element even when applied to a high-temperature environment can be provided.
  • FIG. 5 is a flowchart illustrating an example of a method for manufacturing a display device.
  • FIG. 3 is a cross-sectional view illustrating a configuration of a display area of the display device.
  • FIG. 1 is a cross-sectional view illustrating a schematic configuration of a display device according to a first embodiment.
  • FIG. 7 is a cross-sectional view illustrating a schematic configuration of a display device according to a second embodiment.
  • FIG. 11 is a cross-sectional view illustrating a schematic configuration of a display device according to a first modification of the second embodiment.
  • FIG. 9 is a cross-sectional view illustrating a schematic configuration of a display device according to a third embodiment.
  • FIG. 1 is a cross-sectional view illustrating a schematic configuration of a display device according to a first embodiment.
  • FIG. 7 is a cross-sectional view illustrating a schematic configuration of a display device according to a second embodiment.
  • FIG. 11 is a cross-sectional
  • FIG. 14 is a cross-sectional view illustrating a schematic configuration of a display device according to a fourth embodiment.
  • FIG. 14 is a cross-sectional view illustrating a schematic configuration of a display device according to a fifth embodiment.
  • (A) is a sectional view showing a configuration example of a display area of a display device according to a sixth embodiment, and
  • (b) is a plan view showing a configuration of the display device shown in (a).
  • (A)-(d) is sectional drawing explaining the manufacturing process of a heat radiation layer in a process order.
  • the same layer means that the layers are formed by the same process (film formation step), and “lower layer” means that the layers are formed by a process earlier than the layer to be compared. “Upper layer” means that it is formed in a process subsequent to the layer to be compared.
  • FIG. 1 is a flowchart showing an example of a method for manufacturing a display device.
  • FIG. 2 is a cross-sectional view illustrating a configuration of a display area of the display device.
  • a resin layer 12 is formed on a light-transmitting support substrate (for example, mother glass) (Step S1).
  • the barrier layer 3 is formed as a moisture-proof film covering the resin layer (Step S2).
  • the TFT layer 4 is formed (Step S3).
  • a top emission type light emitting element layer 5 is formed (Step S4).
  • the sealing film 6 is formed (Step S5).
  • the upper surface film 39 is stuck on the sealing film 6 (Step S6).
  • Step S7 the support substrate is separated from the resin layer 12 by laser light irradiation or the like (Step S7).
  • the lower surface film 10 is attached to the lower surface of the resin layer 12 (Step S8).
  • the laminate including the lower film 10, the resin layer 12, the barrier layer 3, the TFT layer 4, the light emitting element layer 5, and the sealing film 6 is divided to obtain a plurality of pieces (Step S9).
  • a functional film is attached to the obtained individual pieces (step S10).
  • an electronic circuit board for example, an IC chip and an FPC
  • Step S11 are performed by a display device manufacturing apparatus (including a film forming apparatus that performs each step of steps S1 to S5).
  • the resin layer 12 As a material of the resin layer 12, for example, PI (polyimide) or the like can be used.
  • the resin layer 12 may be replaced with a two-layer resin film (for example, a polyimide film) and an inorganic insulating film sandwiched between them.
  • the barrier layer 3 is a layer that prevents foreign substances such as water and oxygen from entering the TFT layer 4 and the light emitting element layer 5.
  • a silicon oxide film, a silicon nitride film, or an oxynitride film formed by a CVD method It can be composed of a silicon film or a laminated film of these.
  • the TFT layer 4 includes a semiconductor film 15, an inorganic insulating film 16 (gate insulating film) above the semiconductor film 15, a gate electrode GE and a gate wiring GH, and a gate electrode GE above the inorganic insulating film 16.
  • a planarizing film 21 (interlayer insulating film) above the source wiring SH.
  • the semiconductor film 15 is made of, for example, low-temperature polysilicon (LTPS) or an oxide semiconductor (for example, an In—Ga—Zn—O-based semiconductor), and a transistor (TFT) is formed to include the semiconductor film 15 and the gate electrode GE. Is done.
  • the transistor is illustrated as having a top-gate structure, but may have a bottom-gate structure.
  • the gate electrode GE, the gate wiring GH, the capacitor electrode CE, and the source wiring SH are formed of, for example, a single-layer film or a stacked film of a metal containing at least one of aluminum, tungsten, molybdenum, tantalum, chromium, titanium, and copper. You.
  • the TFT layer 4 in FIG. 2 includes one semiconductor layer and three metal layers.
  • the inorganic insulating films 16, 18, and 20 can be composed of, for example, a silicon oxide (SiOx) film, a silicon nitride (SiNx) film, or a stacked film of these films formed by a CVD method.
  • the flattening film 21 can be made of a coatable organic material such as polyimide or acrylic.
  • the light emitting element layer 5 includes an anode 22 above the planarizing film 21, an insulating edge cover 23 covering the edge of the anode 22, an EL (electroluminescence) layer 24 above the edge cover 23, and an EL layer 24 and a cathode 25 above.
  • the edge cover 23 is formed, for example, by applying an organic material such as polyimide or acrylic and then patterning by photolithography.
  • a light emitting element ES for example, OLED: organic light emitting diode, QLED: quantum dot diode
  • a light emitting element ES including an island-shaped anode 22, an EL layer 24, and a cathode 25 is formed in the light emitting element layer 5, and the light emitting element ES Is formed in the TFT layer 4.
  • the EL layer 24 is formed by, for example, stacking a hole injection layer, a hole transport layer, a light emitting layer, an electron transport layer, and an electron injection layer in this order from the lower layer side.
  • the light emitting layer is formed in an island shape at the opening (for each sub-pixel) of the edge cover 23 by a vapor deposition method or an inkjet method.
  • Other layers are formed in an island shape or a solid shape (common layer). Further, a configuration in which one or more of the hole injection layer, the hole transport layer, the electron transport layer, and the electron injection layer are not formed is also possible.
  • an FMM fine metal mask
  • the FMM is a sheet having a large number of openings (for example, made of Invar material), and an organic material that has passed through one opening forms an island-shaped light-emitting layer (corresponding to one sub-pixel).
  • the light emitting layer of the QLED can form an island-shaped light emitting layer (corresponding to one sub-pixel), for example, by inkjet coating a solvent in which quantum dots are diffused.
  • the anode (anode) 22 is made of, for example, a laminate of ITO (Indium Tin Oxide) and Ag (silver) or an alloy containing Ag, and has light reflectivity.
  • the cathode (cathode) 25 can be made of a light-transmitting conductive material such as an MgAg alloy (extremely thin film), ITO, or IZO (Indium Zinc Oxide).
  • the light emitting element ES is an OLED
  • holes and electrons are recombined in the light emitting layer due to a driving current between the anode 22 and the cathode 25, and light is emitted in a process in which the generated excitons transition to the ground state.
  • the cathode 25 is translucent and the anode 22 is light-reflective, the light emitted from the EL layer 24 is directed upward, resulting in top emission.
  • the light emitting device ES is a QLED
  • holes and electrons are recombined in the light emitting layer due to the driving current between the anode 22 and the cathode 25, and the excitons generated by the recombination generate conduction band levels of the quantum dots.
  • Light (fluorescence) is emitted in the process of transitioning from to the valence band (valence band).
  • a light emitting element (such as an inorganic light emitting diode) other than the OLED and QLED may be formed in the light emitting element layer 5.
  • the sealing film 6 is translucent, and covers the cathode 25 with an inorganic sealing film 26 (first inorganic insulating layer), an organic buffer film 27 (organic insulating layer) above the inorganic sealing film 26, and an inorganic sealing film. Including the film 28 (second inorganic insulating layer).
  • the sealing film 6 covering the light emitting element layer 5 prevents foreign substances such as water and oxygen from penetrating into the light emitting element layer 5.
  • Each of the inorganic sealing film 26 and the inorganic sealing film 28 is an inorganic insulating layer, and includes, for example, a silicon oxide film, a silicon nitride film, or a silicon oxynitride film formed by a CVD method, or a stacked film thereof. can do.
  • the organic buffer film 27 is a translucent organic insulating layer having a flattening effect, and can be made of a coatable organic material such as acrylic.
  • the organic buffer film 27 can be formed by, for example, ink-jet coating, but a bank for stopping the liquid droplets may be provided in the non-display area.
  • the inorganic sealing film 26, the organic buffer film 27, and the inorganic sealing film 28 are stacked in this order from the light emitting element layer 5 side.
  • the lower surface film 10 is, for example, a PET film for realizing a display device having excellent flexibility by peeling off the support substrate and attaching the lower surface film 10 to the lower surface of the resin layer 12 with the adhesive layer 51 (FIG. 3 described later). It is.
  • the functional film has, for example, at least one of an optical compensation function, a touch sensor function, and a protection function.
  • FIG. 3 is a cross-sectional view illustrating a schematic configuration of the display device 2 according to the present embodiment.
  • the display device 2 includes a heat insulating layer 50 that insulates heat from the outside to the light emitting element layer 5 around the light emitting element ES.
  • the display device 2 shown in FIG. 3 uses the heat insulating layer 50 as the organic buffer film 27 in the sealing film 6 covering the light emitting element layer 5 in the display device 2 shown in FIG. That is, in the present embodiment, the organic buffer film 27 is the heat insulating layer 50, and has both the function as the organic buffer film and the function as the heat insulating layer.
  • the heat insulating layer 50 contains a complex containing molybdenum (hereinafter, referred to as “molybdenum complex”) and a polyphenylene sulfide-based resin (polyphenylene sulfide) that is a binder resin (matrix resin).
  • molybdenum complex a complex containing molybdenum (hereinafter, referred to as “molybdenum complex”) and a polyphenylene sulfide-based resin (polyphenylene sulfide) that is a binder resin (matrix resin).
  • the molybdenum complex is dispersed in the polyphenylene sulfide resin.
  • polyphenylene sulfide-based resin examples include polyphenylene sulfide, polyphenylene sulfide derivatives, and polyphenylene sulfide copolymer.
  • polyphenylene sulfide examples include poly (p-phenylene sulfide) having a repeating structure represented by the following structural formula (1) in the main chain.
  • the number of repetitions represented by p is such that when the degree of polymerization is too low, the heat resistance is not sufficient, and when the degree of polymerization is too high, the viscosity when a film is formed by a solution coating method such as an ink jet method. Since the film thickness becomes too high to control the film thickness, the thickness is preferably in the range of 10 to 10000, more preferably in the range of 50 to 5000.
  • polyphenylene sulfide derivative examples include, for example, a poly (p-phenylene sulfide) derivative having a repeating structure represented by the following structural formula (2) in the main chain.
  • R represents an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, an alkyloxy group, an alkylamino group, or an alkylene group
  • p represents an integer of 10 to 10,000.
  • the number of repetitions represented by p is such that if the degree of polymerization is too low, the heat resistance is not sufficient, and if the degree of polymerization is too high, the viscosity when a film is formed by a solution coating method such as an inkjet method. Since the film thickness becomes too high to control the film thickness, the thickness is preferably in the range of 10 to 10000, more preferably in the range of 50 to 5000.
  • polyphenylene sulfide copolymer examples include, for example, a p-phenylene sulfide block copolymer, a p-phenylene sulfide random copolymer, and the like.
  • a p-phenylene sulfide unit is used as a main repeating unit
  • An m-phenylene sulfide unit may be included as a copolymerized unit.
  • the polyphenylene sulfide-based resin is desirably transparent.
  • the polyphenylene sulfide-based resin is a polyphenylene sulfide-based copolymer
  • a copolymerization component for example, (meth) acrylic acid-based polymer or (meth) acrylic acid-based monomer (That is, for example, an acrylic acid-based polymer, an acrylic acid-based monomer, a methacrylic acid-based polymer, and a methacrylic acid-based monomer).
  • the weight average molecular weight of the polyphenylene sulfide-based resin is not enough if the degree of polymerization is too low, the viscosity becomes too high when forming a film by a solution coating method such as an inkjet method if the degree of polymerization is too high. Since it is difficult to control the film thickness, the thickness is preferably in the range of 1,000 to 1500,000, more preferably in the range of 5,000 to 500,000.
  • Polyphenylene sulfide-based resins such as polyphenylene sulfide are more rigid, have higher heat resistance, and are less likely to cause molecular vibration than vinyl-based resins.
  • polyphenylene sulfide has heat resistance of 100 ° C. or higher, and does not change conformation even in an environment of 100 ° C. or higher.
  • the most demanded high-temperature resistance level for the most severe automotive application is 95 ° C.
  • polyphenylene sulfide having a heat resistance of 100 ° C. or more is suitable as a binder resin (matrix resin).
  • the polyphenylene sulfide resin can be formed into a film by a solution coating method such as an inkjet method.
  • a molybdenum complex is a coordination compound containing molybdenum (molybdenum atom) as a central metal and a ligand (ligand) bonded to molybdenum.
  • the ligand is not particularly limited, but preferably contains sulfur (sulfur atom).
  • Examples of the sulfur complex of molybdenum containing sulfur in the ligand include [MoFe 3 S 6 (CH 3 ) 5 ] and [MoFe 2 S 5 (CH 3 ) 5 ] having the following structures. .
  • the molybdenum sulfur complex has good compatibility with the polyphenylene sulfide-based resin having a sulfur (sulfur atom) in the skeleton structure, and can be uniformly dispersed in the polyphenylene sulfide-based resin. Therefore, by using a molybdenum sulfur complex as the molybdenum complex, the heat insulating layer 50 having a higher heat insulating effect can be obtained. For this reason, it is possible to further suppress the thermal degradation of the light emitting element ES for applications requiring high heat resistance, such as, for example, in-vehicle applications.
  • the content of the molybdenum complex with respect to the polyphenylene sulfide-based resin in the heat insulating layer 50 is preferably in the range of 3 to 7 wt%.
  • the thickness of the heat insulating layer 50 is not particularly limited, but is preferably 20 nm or more and 1000 nm or less, since the heat insulating effect is not excessively reduced by decreasing the film thickness, and the light intensity is not reduced by increasing the film thickness. It is more preferable that the thickness be 100 nm or more and 300 nm or less from the viewpoint of securing the heat insulating effect and suppressing the decrease in light intensity.
  • the heat insulating layer 50 is, for example, a molybdenum complex is added to a solution obtained by dissolving a polyphenylene sulfide-based resin in a solvent, and the mixture is uniformly stirred and thoroughly mixed. It can be formed by applying and baking to remove (evaporate) the solvent.
  • the deterioration of the light emitting element ES is much larger when the light emitting element ES is operated in a high temperature environment than when it is simply operated in a high temperature environment. Therefore, the boiling point of the solvent, the firing temperature, and the firing time are not particularly limited.
  • the solvent may be any organic solvent that can dissolve the polyphenylene sulfide-based resin.
  • the solvent include N-methyl-2-pyrrolidone (NMP), butyl cellosolve, toluene, chloroform and the like.
  • the firing temperature and the firing time are not particularly limited, and may be appropriately set according to the type and amount of the solvent so that the solvent is removed.
  • the substrate after the application of the mixed solution is first preliminarily dried at a temperature of, for example, about 90 ° C. for, for example, 5 minutes, and then subjected to main firing in, for example, a 140 ° C. oven for, for example, 5 minutes.
  • the main firing temperature is not particularly limited as long as the solvent evaporates, but is preferably 140 ° C. or more and 220 ° C. or less.
  • the main firing temperature is lower than 140 ° C., the solvent may not be completely removed depending on the type of the solvent. If the solvent remains, the solvent acts as an impurity, and there is a risk that the characteristics of the light emitting element ES may be deteriorated.
  • the main firing temperature is higher than 220 ° C., the temperature of the oven is generally difficult to stabilize, and as a result, it is difficult to form a uniform film (heat insulating layer 50).
  • the amount of the polyphenylene sulfide-based resin to be added to the solvent may be appropriately set, for example, so that the viscosity of the mixed solution becomes a desired viscosity, and is not particularly limited.
  • polyphenylene sulfide in the solution may be used.
  • the content of the system resin is set to be within a range of 1 wt% to 30 wt%, and more preferably, is set to be within a range of 3 wt% to 10 wt%.
  • the viscosity of the mixed solution is not particularly limited, it is in the range of 0.1 cP to 20 cP from the viewpoint of easy stirring of the mixed solution and easy application of the mixed solution to the underlayer. And more preferably within the range of 1 cP to 10 cP.
  • the viscosity of the mixed liquid is preferably in the range of 1 cP to 10 cP, and more preferably in the range of 1.5 cP to 8 cP.
  • a spin coating method or the like may be used instead of the ink jet method.
  • the mixed liquid is applied on the inorganic sealing film 26 using the inorganic sealing film 26 covering the cathode 25 as the base layer.
  • it can be formed by baking after application by inkjet application.
  • external heat entering the light emitting element ES can be insulated by the sealing film 6 (more specifically, the organic buffer film 27 in the sealing film 6).
  • the heat insulating layer 50 is formed so as to cover the light emitting element ES, it is possible to insulate external heat entering the light emitting element ES from above the light emitting element ES.
  • the sealing film 6 may be formed in such a manner that the inorganic sealing film seals the organic buffer film vertically. Good. Therefore, the sealing film 6 may have a plurality of heat insulating layers 50.
  • FIG. 4 is a cross-sectional view illustrating a schematic configuration of the display device 2 according to the present embodiment.
  • the heat insulating layer 50 may be formed below the TFT layer 4.
  • the display device 2 according to the present embodiment is different from the display device 2 shown in FIG. 2 in that, instead of forming the organic buffer film 27 with the heat insulating layer 50, the resin layer 12 and the barrier layer 3 (moisture-proof film) covering the resin layer 12 are provided. And a heat insulating layer 50. Except for this point, the display device 2 according to the present embodiment is the same as the display device 2 according to the first embodiment.
  • the mixed solution containing a polyphenylene sulfide-based resin and a molybdenum complex is formed on the resin layer 12 using the resin layer 12 as the base layer, for example. It can be formed by baking after application by inkjet application.
  • external heat that enters the display device 2 from the lower layer side of the barrier layer 3, that is, the substrate side can be insulated.
  • the display device 2 is, for example, a top emission type display device 2
  • the position of the heat insulating layer 50 is located on the side opposite to the light extraction direction with respect to the light emitting element layer 5. Therefore, for example, the thickness of the heat insulating layer 50 can be increased.
  • the heat insulating layer 50 can be formed to have a thickness of, for example, 500 nm or more.
  • the heat insulating effect of the heat insulating layer 50 can be further increased.
  • the thickness of the heat insulating layer 50 exceeds 1000 nm, the characteristics of a thin display may be lost. For this reason, it is desirable that the thickness of the heat insulating layer 50 be 1000 nm or less.
  • FIG. 5 is a cross-sectional view illustrating a schematic configuration of another display device 2 according to the present embodiment.
  • FIG. 5 shows an example in which the heat insulating layer 50A is formed adjacent to the lower surface of the resin layer 12 and the heat insulating layer 50B is formed adjacent to the upper surface of the resin layer 12 as the heat insulating layer 50. Is shown.
  • the heat insulation layers 50A and 50B are the same as the heat insulation layer 50 described above. Therefore, the description is omitted here.
  • the heat insulating layers 50A and 50B may have the same thickness or different thicknesses.
  • the display device 2 as shown in FIG. 5 includes the above-mentioned mixed liquid containing a polyphenylene sulfide-based resin and a molybdenum complex, which are the materials of the heat insulating layer 50, on the upper and lower surfaces of, for example, a polyimide substrate (resin layer 12) serving as a base substrate.
  • a polyimide substrate resin layer 12
  • it can be formed by applying by an inkjet method or the like and removing the solvent.
  • the heat insulating layer 50 may be a base substrate. Therefore, instead of providing the resin layer 12 and the heat insulating layer 50 separately as shown in FIG. 4, the heat insulating layer 50 may be formed as the resin layer 12 shown in FIG. Since the base substrate (resin layer 12) also serves as the heat insulating layer 50, an increase in the number of components of the display device 2 due to the formation of the heat insulating layer 50 separately from the base substrate (resin layer 12) can be suppressed.
  • the heat-insulating layer 50 may be formed as a resin layer 12 on a light-transmitting support substrate (eg, mother glass) as a base layer and on the support substrate.
  • a light-transmitting support substrate eg, mother glass
  • the display device 2 on which the heat insulating layer 50 is formed as the base substrate (resin layer 12) can be manufactured.
  • the heat insulating layer 50 may be formed between a substrate such as a glass substrate and the TFT layer 4, for example.
  • external heat entering the display device 2 from the substrate side can be insulated.
  • the position of the heat insulating layer 50 is opposite to the light extraction direction with respect to the light emitting element layer 5.
  • FIG. 6 is a cross-sectional view illustrating a schematic configuration of the display device 2 according to the present embodiment.
  • the heat insulating layer 50 is formed on the sealing film 6 so as to cover the light emitting element layer 5. Except for this point, the display device 2 according to the present embodiment is the same as the display device 2 according to the first embodiment.
  • the mixed film containing a polyphenylene sulfide-based resin and a molybdenum complex is formed on the sealing film 6 using the sealing film 6 as the base layer.
  • the liquid can be formed by applying the liquid by, for example, ink-jet coating and baking the liquid.
  • the display device 2 according to the present embodiment can obtain the heat insulating effect within the range shown in the embodiment even if the heat insulating layer 50 has a relatively small thickness or a relatively low content of the molybdenum complex. It is easy to be.
  • FIG. 7 is a cross-sectional view illustrating a schematic configuration of the display device 2 according to the present embodiment.
  • a heat insulating layer 50A is formed between the resin layer 12 and the barrier layer 3, and the heat insulating layer 50B is formed of the sealing film 6. It is the same as the display device 2 according to the first embodiment, except that it is formed between the display device 2 and the upper film 39.
  • the heat insulation layer 50A is the same as the heat insulation layer 50 according to the second embodiment, and the heat insulation layer 50B is the same as the heat insulation layer 50 according to the third embodiment. Therefore, the description is omitted here. Also in the present embodiment, the heat insulating layer 50A and the heat insulating layer 50B may have the same thickness, or may have different thicknesses.
  • the display device 2 can insulate external heat that enters the display device 2 from the lower layer side of the barrier layer 3, that is, the substrate side, and also enters the light emitting element ES from above the light emitting element ES. Heat can be insulated. According to the present embodiment, since the heat insulating layer 50A and the heat insulating layer 50B are provided with the light emitting element layer 5 interposed therebetween, the light emitting element layer 5 is completely surrounded. A large heat insulating effect can be obtained.
  • FIG. 8 is a cross-sectional view illustrating a schematic configuration of the display device 2 according to the present embodiment.
  • the display device 2 according to the present embodiment is different from the display device 2 shown in FIG. 2 in that the organic buffer film 27 is formed of the heat insulating layer 50 instead of the TFT in the resin layer 12 as the base substrate.
  • a heat insulating layer 50 is formed on the side opposite to the surface on which the layer 4 is formed.
  • the heat insulating layer 50 may also serve as the lower film 10, or the adhesive layer 51 and the lower film 10 may be provided on the heat insulating layer 50 on the side opposite to the resin layer 12.
  • the mixed solution containing a polyphenylene sulfide-based resin and a molybdenum complex is applied to the lower surface of the resin layer 12 by, for example, inkjet coating, followed by baking. .
  • ⁇ Circle over (2) ⁇ This makes it possible to avoid heat during the formation of the sealing film 6 when the heat insulating layer 50 is formed. Further, according to the present embodiment, it is possible to insulate the external heat entering the display device 2 from the lower layer side of the barrier layer 3, that is, the substrate side. Furthermore, according to the present embodiment, when the display device 2 is, for example, a top emission type display device 2, the position of the heat insulating layer 50 is located on the side opposite to the light extraction direction with respect to the light emitting element layer 5. Therefore, also in the present embodiment, for example, as described in the second embodiment, the thickness of the heat insulating layer 50 can be increased.
  • the heat insulating layer 50 also serves as the lower surface film 10
  • the increase in the number of components of the display device 2 due to the formation of the heat insulating layer 50 can be suppressed.
  • FIG. 9A is a cross-sectional view illustrating a configuration example of a display area of the display device 2 according to the present embodiment
  • FIG. 9B is a configuration of the display device 2 illustrated in FIG. FIG.
  • the display device 2 according to the present embodiment includes, as shown in FIG. 9A, the display device 2 according to the first embodiment, for example, a heat radiation layer 55 that radiates heat from the light emitting element layer 5 to the outside. It has a configuration provided with a heat insulating layer 56 surrounding the heat radiation layer 55 in plan view.
  • the TFT layer 4 is formed between the heat radiation layer 55 and the light emitting element layer 5.
  • the heat insulation layer 56 is provided in the same layer as the heat radiation layer 55.
  • the heat insulating layer 56 can be formed in the same manner as the heat insulating layer 50.
  • the same material as the heat insulating layer 50 can be used for the heat insulating layer 56. Note that the same material may be used for the heat insulating layer 50 and the heat insulating layer 56, or different materials may be used.
  • the heat radiation layer 55 includes a resin and inorganic fine particles dispersed in the resin.
  • the resin include an acrylic resin, a polyimide, a polyester, and a polyamide resin. Among them, acrylic resin is most desirable from the viewpoint of heat radiation. When an acrylic resin is used, the film can be formed by polymerizing the monomer by photopolymerization, so that handling is convenient in terms of process.
  • the diameter of the inorganic fine particles contained in the resin is preferably in the range of 5 to 100 nm, more preferably in the range of 10 to 30 nm.
  • the diameter of the inorganic fine particles is smaller than 5 nm, a sufficient heat radiation effect may not be obtained.
  • the diameter of the inorganic fine particles is larger than 100 nm, the inorganic fine particles are hardly dispersed in the resin, and the inorganic fine particles may be separated. Further, when inorganic fine particles having a diameter smaller than 5 nm are introduced at a high concentration, the inorganic fine particles may aggregate as a result, and the inorganic fine particles may be separated from the resin.
  • Examples of the inorganic fine particles include, for example, at least one selected from the group consisting of silver, copper, aluminum, magnesium, tin, silicon, and oxides thereof.
  • the inorganic fine particles are easily dispersed in the acrylic resin due to the intermolecular force between the inorganic fine particles and the acrylic resin.
  • the inorganic fine particles are uniformly dispersed in the acrylic resin, and the heat radiation layer 55 having a high heat radiation effect is obtained.
  • the heat radiation property of the heat radiation layer 55 is improved, and the heat radiation layer 55 functions properly. As a result, it is possible to prevent the light emitting element ES from deteriorating due to heat generated by the light emitting element ES itself.
  • the content of the inorganic fine particles in the heat radiation layer 55 is preferably 5 to 40% by weight based on the acrylic resin.
  • the size of the inorganic fine particles is in the above-described range, the distance between the O group (ester group, carbonyl group, or ether group) and the N group (amine) contained in the acrylic resin, and the above-described metal having heat dissipation properties can be improved. As a result, a sufficient heat radiation effect can be obtained, and the inorganic fine particles can be uniformly dispersed in the acrylic resin.
  • the above-mentioned metal having a heat radiation property may have an oxide film formed on the surface of the metal. In this case, the compatibility between the O group contained in the acrylic resin and the metal is particularly high. Get better.
  • the thickness of the heat radiation layer 55 is not particularly limited, but is preferably 20 nm or more and 1000 nm or less, and more preferably 100 nm or more and 300 nm or less, since it absorbs heat generated inside the light emitting element layer 5 and does not suppress the heat insulating effect. More preferably, there is.
  • the display device 2 further includes an extraction wire 54 (extraction member) for extracting heat from the heat dissipation layer 55 to the outside, in addition to the above-described configuration.
  • an extraction wire 54 extraction member
  • the heat dissipation layer 55 overlaps the light emitting element ES.
  • the heat insulating layer 50 surrounds the heat radiation layer 55 in a plan view.
  • the extraction wiring 54 is formed so as to be connected to the heat radiation layer 55 and overlap the heat insulation layer 50 in a plan view. By forming the heat radiation layer 55 so as to overlap with the heat insulation layer 50, heat can be efficiently radiated from the heat radiation layer 55 to the external environment.
  • the same wiring material as the wiring such as the gate wiring GH and the source wiring SH can be used for the extraction wiring 54.
  • FIGS. 10A to 10D are cross-sectional views illustrating the steps of manufacturing the heat dissipation layer 55 in the order of steps.
  • the heat insulating layer 50 is formed on the resin layer 12 and the barrier layer 3 is formed thereon similarly to the first embodiment.
  • an extraction wiring 54 is formed on the barrier layer 3, as shown in FIGS. 9A and 9B.
  • a solution containing the acrylic resin monomer and the metal having the above-mentioned heat dissipation properties (including a metal oxide containing the metal) is prepared.
  • the solvent an alcohol-based solvent or hexane is generally used.
  • the content of the metal (metal oxide) in the solution is 5 to 40% by weight, more preferably 10 to 20% by weight based on the acrylic monomer.
  • a metal-containing acrylic monomer layer 60 is formed on the barrier layer 3 by applying the solution on the barrier layer 3 as shown in FIG. Thereafter, as shown in FIG. 10B, the metal-containing acrylic monomer layer 60 is irradiated with ultraviolet light through the opening 62 of the mask 61. Thereby, as shown in FIG. 10C, the metal-containing acrylic monomer in the ultraviolet light irradiated portion 63 of the metal-containing acrylic monomer layer 60 is photopolymerized to obtain a metal-containing acrylic resin. Subsequently, as shown in FIG.
  • the unreacted metal-containing acrylic monomer (the portion other than the ultraviolet light irradiated portion 63 in the metal-containing acrylic monomer layer 60) is washed away with a solvent such as alcohol or hexane. Thereby, the heat radiation layer 55 made of the metal-containing acrylic resin of the ultraviolet light irradiated portion 63 remaining on the barrier layer 3 is obtained.
  • the method for forming the heat radiation layer 55 is not limited to the above-described method, and for example, a method of attaching a film, a method of forming a film by coating, or the like may be used.
  • Example 1 First, the molybdenum complex [MoFe 3 S 6 (CH 3 ) 5 ] was added to an NMP solution having a poly (p-phenylene sulfide) represented by the structural formula (1) at a ratio of 5 wt%. A mixture containing the above poly (p-phenylene sulfide) and [MoFe 3 S 6 (CH 3 ) 5 ] was prepared by adding 3 wt% to (p-phenylene sulfide) and stirring well. .
  • the mixed solution is applied to the outer upper surface and the lower surface of the polyimide substrate (resin layer 12) on which the OLED element is mounted by an inkjet method, and baked. By drying, the display device 2 shown in FIG. 5 was formed.
  • the decrease in the luminance characteristics of the OLED elements in the display device 2 is tracked by an operation test at 70 ° C., and the time during which the luminance is 90% of the initial luminance of the OLED elements (hereinafter, referred to as “deterioration time”) is omitted. It was measured.
  • Example 2 Display device 2 was formed under the same conditions as in Example 1 except that the amount of [MoFe 3 S 6 (CH3) 5 ] added to poly (p-phenylene sulfide) was changed to 7 wt%. The deterioration time was measured in the same manner as in Example 1.
  • Example 3 Display device 2 was formed under the same conditions as in Example 1 except that the amount of [MoFe 3 S 6 (CH3) 5 ] added to poly (p-phenylene sulfide) was changed to 1 wt%. The deterioration time was measured in the same manner as in Example 1.
  • Example 4 Display device 2 was formed under the same conditions as in Example 1 except that the amount of [MoFe 3 S 6 (CH3) 5 ] added to poly (p-phenylene sulfide) was changed to 10 wt%. The deterioration time was measured in the same manner as in Example 1.
  • Example 1 the heat insulation layer 50 was formed only of poly (p-phenylene sulfide) without adding a molybdenum complex to poly (p-phenylene sulfide) (that is, the amount of molybdenum complex added was zero).
  • a display device 2 for comparison was formed under the same conditions as in Example 1 except for the above, and the deterioration time was measured by the same method as in Example 1.
  • Example 2 In Example 1, except that the poly (p-phenylene sulfide) was replaced by molybdenum complex and single molybdenum fine particles were added at a ratio of 5 wt% to the poly (p-phenylene sulfide), A display device 2 for comparison was formed under the same conditions as in Example 1, and the deterioration time was measured by the same method as in Example 1.
  • Example 3 In Example 1, a display device 2 for comparison was formed under the same conditions as in Example 1 except that the heat insulating layer 50 was not formed, and the deterioration time was measured by the same method as in Example 1.
  • Table 1 summarizes the deterioration times measured in Examples 1 to 4 and Comparative Examples 1 to 3.
  • Example 5 Further, in Example 1, the polyphenylene sulfide-based resin was a dodecyl group containing a dodecyl group as an alkyl group in the structural formula (2) instead of the poly (p-phenylene sulfide) represented by the structural formula (1). The procedure was carried out except that poly (p-phenylene sulfide) was used and the above-mentioned [MoFe 2 S 5 (CH 3 ) 5 ] was used instead of [MoFe 3 S 6 (CH 3 ) 5 ] as the molybdenum complex. A display device 2 for comparison was formed under the same conditions as in Example 1, and the deterioration time was measured by the same method as in Example 1.
  • Example 6 Display device 2 was formed under the same conditions as in Example 6 except that the amount of [MoFe 2 S 5 (CH 3 ) 5 ] added to the dodecyl group-containing poly (p-phenylene sulfide) was changed to 7 wt%. Then, the deterioration time was measured in the same manner as in Example 1.
  • Example 7 Display device 2 was formed under the same conditions as in Example 6, except that the amount of [MoFe 2 S 5 (CH 3 ) 5 ] added to the dodecyl group-containing poly (p-phenylene sulfide) was changed to 1 wt%. Then, the deterioration time was measured in the same manner as in Example 1.
  • Example 8 Display device 2 was formed under the same conditions as in Example 6 except that the amount of [MoFe 2 S 5 (CH 3 ) 5 ] added to the dodecyl group-containing poly (p-phenylene sulfide) was changed to 10 wt%. Then, the deterioration time was measured in the same manner as in Example 1.
  • Example 6 the molybdenum complex was not added to the dodecyl group-containing poly (p-phenylene sulfide) (that is, the addition amount of the molybdenum complex was set to zero), and only the dodecyl group-containing poly (p-phenylene sulfide) was used for heat insulation.
  • a display device 2 for comparison was formed under the same conditions as in Example 6 except that the layer 50 was formed, and the deterioration time was measured by the same method as in Example 1.
  • Example 6 single molybdenum fine particles were added to the dodecyl group-containing poly (p-phenylene sulfide) in place of the molybdenum complex at a ratio of 5 wt% to the dodecyl group-containing poly (p-phenylene sulfide). Except for this, a display device 2 for comparison was formed under the same conditions as in Example 6, and the deterioration time was measured by the same method as in Example 1.
  • Table 2 summarizes the deterioration times measured in Examples 5 to 8 and Comparative Examples 4 and 5.
  • the heat insulating effect was enhanced by setting the addition amount of the molybdenum complex to the polyphenylene sulfide-based resin in the range of 3 wt% to 7 wt%, and the addition amount of the molybdenum complex was increased. It can be seen that the deterioration of the light emitting element ES can be delayed to each stage and that the display characteristics can be prevented from deteriorating due to the influence of scattering or the like, as compared with the case where it is out of the range.
  • the display device 2 that can delay the deterioration of the light emitting element ES by insulating the heat from the outside to the light emitting element ES (making the heat difficult to transmit) is provided. be able to.
  • a display device includes a light emitting element layer including a plurality of light emitting elements, and a TFT layer provided below the light emitting element layer and including a TFT that drives the light emitting element. And at least one heat-insulating layer that insulates heat from the outside to the light-emitting element.
  • the heat-insulating layer includes a complex containing molybdenum and a polyphenylene sulfide-based resin.
  • the complex may include sulfur in a ligand.
  • the content of the complex with respect to the polyphenylene sulfide-based resin in the heat insulating layer may be 3 to 7 wt%.
  • the heat insulating layer may be formed so as to cover the light emitting element layer.
  • the display device in any one of aspects 1 to 4, wherein the heat insulating layer is an organic insulating layer, includes the heat insulating layer, and includes a sealing film for sealing the light emitting element layer.
  • the sealing film may have a structure in which a first inorganic insulating layer, the heat insulating layer, and a second inorganic insulating layer are stacked in this order from the light emitting element layer side.
  • the display device may include the sealing film for sealing the light emitting element layer according to any one of the first to fourth aspects, wherein the heat insulating layer covers the sealing film.
  • the heat insulating layer may be formed below the TFT layer.
  • a display device is the display device according to any one of the first to seventh aspects, further comprising a resin layer below the TFT layer and a moisture-proof film covering the resin layer, wherein the resin layer, the moisture-proof film, The above-mentioned heat insulation layer may be provided between them.
  • the display device in any one of aspects 1 to 7, may include a resin layer below the TFT layer, and the heat insulating layer below the resin layer. .
  • a display device is the display device according to any one of the aspects 1 to 9, further comprising a heat radiating layer for radiating heat from the light emitting element, wherein the TFT layer is formed by the heat radiating layer and the light emitting element layer. It may be formed between them.
  • the display device is the display device according to the tenth aspect, wherein the heat radiation layer is connected to an extraction member for extracting the heat to the outside, and the heat radiation layer overlaps the light emitting element in a plan view.
  • the heat radiation layer may surround the heat radiation layer, and the extraction member may be formed so as to overlap the heat insulation layer.
  • the heat dissipation layer may be made of a material containing an acrylic resin in which inorganic fine particles are dispersed.
  • the display device according to aspect 13 of the present invention is the display device according to aspect 12, wherein the inorganic fine particles are at least one selected from the group consisting of silver, copper, aluminum, magnesium, tin, silicon, and oxides thereof. Good.
  • the display device in the aspect 12 or 12, wherein the content of the inorganic fine particles contained in the material of the heat dissipation layer may be 5 to 40% by weight based on the acrylic resin. .

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Abstract

表示デバイス（２）は、複数の発光素子を備える発光素子層（５）と、上記発光素子層の下層側に設けられ、上記発光素子を駆動するＴＦＴを備えるＴＦＴ層（４）と、を備えるとともに、外部から上記発光素子への熱を断熱する断熱層（５０）を少なくとも一層備え、上記断熱層は、モリブデンを含む錯体と、ポリフェニレンスルフィド系樹脂と、を含む。

Description

表示デバイス
　本発明は、断熱層を備える表示デバイスに関する。
　各種表示デバイスに用いられる発光素子は、耐熱性が低く、かつ高温環境で発光輝度が低下し易い。
　そこで、従来の表示デバイスには、例えば下記特許文献１に記載されているように、当該表示デバイスの支持基板の表面に放熱層を設けることが提案されている。
日本国公開特許公報「特開２０１０－１４７１７９号公報（２０１０年７月１日公開）」
　しかしながら、上記のような従来の表示デバイスでは、例えば、車載用途等の高温環境下に適用された場合に、放熱層が適切に機能せずに、発光素子自ら発する熱等に起因する発光素子の劣化を防ぐことが難しいという課題があった。
　本発明は、前記の課題に鑑みてなされたものであり、その目的は、高温環境下に適用された場合でも、発光素子の劣化を遅らせることができる表示デバイスを提供することである。
　本発明の一態様に係る表示デバイスは、複数の発光素子を備える発光素子層と、上記発光素子層の下層側に設けられ、上記発光素子を駆動するＴＦＴを備えるＴＦＴ層と、を備える表示デバイスであって、外部から上記発光素子への熱を断熱する断熱層を少なくとも一層備え、上記断熱層は、モリブデンを含む錯体と、ポリフェニレンスルフィド系樹脂と、を含む。
　本発明の一態様によれば、高温環境下に適用された場合でも、発光素子の劣化を遅らせることができる表示デバイスを提供することができる。
表示デバイスの製造方法の一例を示すフローチャートである。 表示デバイスの表示領域の構成を示す断面図である。 実施形態１にかかる表示デバイスの概略構成を示す断面図である。 実施形態２にかかる表示デバイスの概略構成を示す断面図である。 実施形態２の変形例１にかかる表示デバイスの概略構成を示す断面図である。 実施形態３にかかる表示デバイスの概略構成を示す断面図である。 実施形態４にかかる表示デバイスの概略構成を示す断面図である。 実施形態５にかかる表示デバイスの概略構成を示す断面図である。 （ａ）は、実施形態６にかかる表示デバイスの表示領域の構成例を示す断面図であり、（ｂ）は、（ａ）に示す表示デバイスの構成を示す平面図である。 （ａ）～（ｄ）は、放熱層の製造工程を工程順に説明する断面図である。
　〔表示デバイスの製造方法および構成における概要説明〕
　以下、本発明の一実施形態に係る表示デバイスの製造方法について、図１～図２を参照しながら、詳細に説明する。なお、以下においては、「同層」とは同一のプロセス（成膜工程）にて形成されていることを意味し、「下層」とは、比較対象の層よりも先のプロセスで形成されていることを意味し、「上層」とは比較対象の層よりも後のプロセスで形成されていることを意味する。
　図１は表示デバイスの製造方法の一例を示すフローチャートである。図２は、表示デバイスの表示領域の構成を示す断面図である。
　フレキシブルな表示デバイスを製造する場合、図１および図２に示すように、まず、透光性の支持基板（例えば、マザーガラス）上に樹脂層１２を形成する（ステップＳ１）。次いで、上記樹脂層を覆う防湿膜として、バリア層３を形成する（ステップＳ２）。次いで、ＴＦＴ層４を形成する（ステップＳ３）。次いで、トップエミッション型の発光素子層５を形成する（ステップＳ４）。次いで、封止膜６を形成する（ステップＳ５）。次いで、封止膜６上に上面フィルム３９を貼り付ける（ステップＳ６）。
　次いで、レーザ光の照射等によって支持基板を樹脂層１２から剥離する（ステップＳ７）。次いで、樹脂層１２の下面に下面フィルム１０を貼り付ける（ステップＳ８）。次いで、下面フィルム１０、樹脂層１２、バリア層３、ＴＦＴ層４、発光素子層５、封止膜６を含む積層体を分断し、複数の個片を得る（ステップＳ９）。次いで、得られた個片に機能フィルムを貼り付ける（ステップＳ１０）。次いで、複数のサブ画素が形成された表示領域よりも外側（非表示領域、額縁）の一部（端子部）に電子回路基板（例えば、ＩＣチップおよびＦＰＣ）をマウントする（ステップＳ１１）。なお、ステップＳ１～Ｓ１１は、表示デバイス製造装置（ステップＳ１～Ｓ５の各工程を行う成膜装置を含む）が行う。
　樹脂層１２の材料としては、例えばＰＩ（ポリイミド）等が挙げられる。樹脂層１２の部分を、二層の樹脂膜（例えば、ポリイミド膜）およびこれらに挟まれた無機絶縁膜で置き換えることもできる。
　バリア層３は、水、酸素等の異物がＴＦＴ層４および発光素子層５に侵入することを防ぐ層であり、例えば、ＣＶＤ法により形成される、酸化シリコン膜、窒化シリコン膜、あるいは酸窒化シリコン膜、またはこれらの積層膜で構成することができる。
　ＴＦＴ層４は、半導体膜１５と、半導体膜１５よりも上層の無機絶縁膜１６（ゲート絶縁膜）と、無機絶縁膜１６よりも上層の、ゲート電極ＧＥおよびゲート配線ＧＨと、ゲート電極ＧＥおよびゲート配線ＧＨよりも上層の無機絶縁膜１８と、無機絶縁膜１８よりも上層の容量電極ＣＥと、容量電極ＣＥよりも上層の無機絶縁膜２０と、無機絶縁膜２０よりも上層のソース配線ＳＨと、ソース配線ＳＨよりも上層の平坦化膜２１（層間絶縁膜）とを含む。
　半導体膜１５は、例えば低温ポリシリコン（ＬＴＰＳ）あるいは酸化物半導体（例えばＩｎ－Ｇａ－Ｚｎ－Ｏ系の半導体）で構成され、半導体膜１５およびゲート電極ＧＥを含むようにトランジスタ（ＴＦＴ）が構成される。図２では、トランジスタがトップゲート構造で示されているが、ボトムゲート構造でもよい。
　ゲート電極ＧＥ、ゲート配線ＧＨ、容量電極ＣＥ、およびソース配線ＳＨは、例えば、アルミニウム、タングステン、モリブデン、タンタル、クロム、チタン、銅の少なくとも１つを含む金属の単層膜あるいは積層膜によって構成される。図２のＴＦＴ層４には、一層の半導体層および三層のメタル層が含まれる。
　無機絶縁膜１６・１８・２０は、例えば、ＣＶＤ法によって形成された、酸化シリコン（ＳｉＯｘ）膜あるいは窒化シリコン（ＳｉＮｘ）膜またはこれらの積層膜によって構成することができる。平坦化膜２１は、例えば、ポリイミド、アクリル等の塗布可能な有機材料によって構成することができる。
　発光素子層５は、平坦化膜２１よりも上層のアノード２２と、アノード２２のエッジを覆う絶縁性のエッジカバー２３と、エッジカバー２３よりも上層のＥＬ（エレクトロルミネッセンス）層２４と、ＥＬ層２４よりも上層のカソード２５とを含む。エッジカバー２３は、例えば、ポリイミド、アクリル等の有機材料を塗布した後にフォトリソグラフィよってパターニングすることで形成される。
　サブ画素ごとに、島状のアノード２２、ＥＬ層２４、およびカソード２５を含む発光素子ＥＳ（例えば、ＯＬＥＤ：有機発光ダイオード，ＱＬＥＤ：量子ドットダイオード）が発光素子層５に形成され、発光素子ＥＳを制御するサブ画素回路がＴＦＴ層４に形成される。
　ＥＬ層２４は、例えば、下層側から順に、正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層、電子注入層を積層することで構成される。発光層は、蒸着法あるいはインクジェット法によって、エッジカバー２３の開口（サブ画素ごと）に、島状に形成される。他の層は、島状あるいはベタ状（共通層）に形成する。また、正孔注入層、正孔輸送層、電子輸送層、電子注入層のうち１以上の層を形成しない構成も可能である。
　ＯＬＥＤの発光層を蒸着形成する場合は、ＦＭＭ（ファインメタルマスク）を用いる。ＦＭＭは多数の開口を有するシート（例えば、インバー材製）であり、１つの開口を通過した有機物質によって島状の発光層（１つのサブ画素に対応）が形成される。
　ＱＬＥＤの発光層は、例えば、量子ドットを拡散させた溶媒をインクジェット塗布することで、島状の発光層（１つのサブ画素に対応）を形成することができる。
　アノード（陽極）２２は、例えばＩＴＯ（Indium Tin Oxide）とＡｇ（銀）あるいはＡｇを含む合金との積層によって構成され、光反射性を有する。カソード（陰極）２５は、ＭｇＡｇ合金（極薄膜）、ＩＴＯ、ＩＺＯ（Indium zinc Oxide）等の透光性の導電材で構成することができる。
　発光素子ＥＳがＯＬＥＤである場合、アノード２２およびカソード２５間の駆動電流によって正孔と電子が発光層内で再結合し、これによって生じたエキシトンが基底状態に遷移する過程で光が放出される。カソード２５が透光性であり、アノード２２が光反射性であるため、ＥＬ層２４から放出された光は上方に向かい、トップエミッションとなる。
　発光素子ＥＳがＱＬＥＤである場合、アノード２２およびカソード２５間の駆動電流によって正孔と電子が発光層内で再結合し、これによって生じたエキシトンが、量子ドットの伝導帯準位（conduction band）から価電子帯準位（valence band）に遷移する過程で光（蛍光）が放出される。
　発光素子層５には、前記のＯＬＥＤ、ＱＬＥＤ以外の発光素子（無機発光ダイオード等）を形成してもよい。
　封止膜６は透光性であり、カソード２５を覆う無機封止膜２６（第１無機絶縁層）、無機封止膜２６よりも上層の有機バッファ膜２７（有機絶縁層）および無機封止膜２８（第２無機絶縁層）を含む。発光素子層５を覆う封止膜６は、水、酸素等の異物の発光素子層５への浸透を防いでいる。
　無機封止膜２６および無機封止膜２８は、それぞれ無機絶縁層であり、例えば、ＣＶＤ法により形成される、酸化シリコン膜、窒化シリコン膜、あるいは酸窒化シリコン膜、またはこれらの積層膜で構成することができる。有機バッファ膜２７は、平坦化効果のある透光性有機絶縁層であり、アクリル等の塗布可能な有機材料によって構成することができる。有機バッファ膜２７は例えばインクジェット塗布によって形成することができるが、液滴を止めるためのバンクを非表示領域に設けてもよい。これら無機封止膜２６、有機バッファ膜２７、無機封止膜２８は、発光素子層５側からこの順に積層されている。
　下面フィルム１０は、支持基板を剥離した後に、接着剤層５１（後掲の図３）により樹脂層１２の下面に貼り付けることで柔軟性に優れた表示デバイスを実現するための、例えばＰＥＴフィルムである。機能フィルムは、例えば、光学補償機能、タッチセンサ機能、保護機能の少なくとも１つを有する。
　以上にフレキシブルな表示デバイスについて説明したが、非フレキシブルな表示デバイスを製造する場合は、一般的に樹脂層の形成、基材の付け替え等が不要であるため、例えば、ガラス基板上にステップＳ２～Ｓ５の積層工程を行い、その後ステップＳ９に移行する。
　以下、各実施形態において、表示デバイス２の構造の一例について説明するが、各実施形態中、先に記載する実施形態に記載の説明と同様の点については、後から記載する実施形態では省略する。
　〔実施形態１〕
　図３は、本実施形態にかかる表示デバイス２の概略構成を示す断面図である。
　例えば図３に示すように、本実施形態にかかる表示デバイス２は、発光素子ＥＳの周辺部分に、外部から発光素子層５への熱を断熱する断熱層５０を備えている。図３に示す表示デバイス２は、図２に示す表示デバイス２において、発光素子層５を覆う封止膜６における有機バッファ膜２７に断熱層５０を用いている。つまり、本実施形態では、有機バッファ膜２７が、断熱層５０であり、有機バッファ膜としての機能と、断熱層としての機能とを兼ね備えている。
　断熱層５０は、モリブデンを含む錯体（以下、「モリブデン錯体」と称する）と、バインダー樹脂（マトリクス樹脂）であるポリフェニレンスルフィド系樹脂（ポリフェニレンスルフィド類）と、を含んでいる。モリブデン錯体は、ポリフェニレンスルフィド系樹脂中に分散されている。
　ポリフェニレンスルフィド系樹脂としては、例えば、ポリフェニレンスルフィド、ポリフェニレンスルフィド誘導体、ポリフェニレンスルフィド共重合体等が挙げられる。
　ポリフェニレンスルフィドとしては、例えば、主鎖に下記構造式（１）で示される繰り返し構造を有するポリ（ｐ－フェニレンスルフィド）等が挙げられる。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000001
 　（式中、ｐは１０～１００００の整数を表す）
　上記構造式（１）中、ｐで示される繰り返し数は、重合度が低すぎると耐熱性が充分でなく、重合度が高過ぎるとインクジェット法等の溶液塗布法で製膜する際に粘度が高くなり過ぎて膜厚制御が困難になることから、１０～１００００の範囲内であることが望ましく、５０～５０００の範囲内であることがより望ましい。
　また、ポリフェニレンスルフィド誘導体としては、例えば、主鎖に下記構造式（２）で示される繰り返し構造を有するポリ（ｐ－フェニレンスルフィド）誘導体、等が挙げられる。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000002
 　（式中、Ｒは炭素数１～２０のアルキル基、アルキルオキシ基、アルキルアミノ基、またはアルキレン基を表し、ｐは１０～１００００の整数を表す）
　上記構造式（２）中、ｐで示される繰り返し数は、重合度が低すぎると耐熱性が充分でなく、重合度が高過ぎるとインクジェット法等の溶液塗布法で製膜する際に粘度が高くなり過ぎて膜厚制御が困難になることから、１０～１００００の範囲内であることが望ましく、５０～５０００の範囲内であることがより望ましい。
　また、ポリフェニレンスルフィド共重合体としては、例えば、ｐ－フェニレンスルフィドのブロック共重合体、ｐ－フェニレンスルフィドのランダム共重合体等が挙げられ、例えば、ｐ－フェニレンスルフィド単位を主な繰り返し単位とし、ｍ－フェニレンスルフィド単位を共重合単位として含んでいても構わない。
　ポリフェニレンスルフィド系樹脂は、透明であることが望ましく、ポリフェニレンスルフィド系樹脂がポリフェニレンスルフィド共重合体である場合、共重合成分としては、例えば、（メタ）アクリル酸系ポリマーまたは（メタ）アクリル酸系モノマー（つまり、例えば、アクリル酸系ポリマー、アクリル酸系モノマー、メタクリル酸系ポリマー、メタクリル酸系モノマー）等が挙げられる。
　また、ポリフェニレンスルフィド系樹脂の重量平均分子量は、重合度が低すぎると耐熱性が充分でなく、重合度が高過ぎるとインクジェット法等の溶液塗布法で製膜する際に粘度が高くなり過ぎて膜厚制御が困難になることから、１０００～１５０００００の範囲内であることが望ましく、５０００～５０００００の範囲内であることがより望ましい。
　ポリフェニレンスルフィド等のポリフェニレンスルフィド系樹脂は、ビニル系樹脂に比べて剛直であり、耐熱性が高く、分子振動を起こし難い。例えばポリフェニレンスルフィドは、１００℃以上の耐熱性を有し、１００℃以上の環境下でもコンフォメーション変化が無い。最も厳しい車載用途の一般的な高温耐性要求レベルは９５℃であり、１００℃以上の耐熱性を有するポリフェニレンスルフィドは、バインダー樹脂（マトリクス樹脂）として好適である。また、ポリフェニレンスルフィド系樹脂は、インクジェット法等の溶液塗布法により製膜が可能である。
　モリブデン錯体は、中心金属としてモリブデン（モリブデン原子）を含み、モリブデンに配位子（リガンド）が結合した配位化合物である。配位子は特に限定されないが、硫黄（硫黄原子）を含むことが好ましい。
　配位子に硫黄を含む、モリブデンの硫黄錯体としては、例えば、以下に示す構造を有する［ＭｏＦｅ３Ｓ６（ＣＨ３）５］および［ＭｏＦｅ２Ｓ５（ＣＨ３）５］等が挙げられる。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000003
 　モリブデンの硫黄錯体は、骨格構造に硫黄（硫黄原子）を有するポリフェニレンスルフィド系樹脂との相溶性が良く、ポリフェニレンスルフィド系樹脂中に均一に分散させることができる。このため、モリブデン錯体としてモリブデンの硫黄錯体を使用することで、より断熱効果が高い断熱層５０を得ることができる。このため、例えば車載用途等、高耐熱を要求される用途に対して、発光素子ＥＳの熱劣化をより抑制することができる。
　断熱層５０における、ポリフェニレンスルフィド系樹脂に対するモリブデン錯体の含有率は、３～７ｗｔ％の範囲内であることが好ましい。ポリフェニレンスルフィド系樹脂に対しモリブデン錯体を上記範囲内で混合することで、十分な断熱効果を得ることができるとともに、散乱等の影響がなく、透過率が高い断熱層５０を得ることができる。このため、上記の構成によれば、輝度特性に優れ、発光素子ＥＳの劣化を遅らせることができる表示デバイス２を提供することができる。なお、上記モリブデン錯体の含有率が３ｗｔ％未満だと、断熱効果が小さくなる。一方、上記モリブデン錯体の含有率が７ｗｔ％を越えると、散乱等の影響で、表示デバイス２の表示特性の低下が起こる場合がある。
　断熱層５０の厚みは、特に限定されないが、膜厚低下により断熱効果を落とし過ぎないこと、および膜厚増加により光強度が低下しないようにすることから、２０ｎｍ以上１０００ｎｍ以下であることが好ましく、断熱効果確保と光強度低下の抑制の観点から、１００ｎｍ以上３００ｎｍ以下であることがより好ましい。
　断熱層５０は、例えば、ポリフェニレンスルフィド系樹脂を溶媒中に溶解させてなる溶液中にモリブデン錯体を添加し、よく撹拌させて均一に混合した後、得られた混合液を、下地となる層に塗布し、焼成して溶媒を除去する（蒸発させる）ことで形成することができる。
　発光素子ＥＳの劣化は、発光素子ＥＳを単に高温環境下においた場合よりも、高温環境下で動作した場合の方が遥かに大きい。このため、溶媒の沸点、焼成温度、並びに焼成時間は、特に限定されない。
　したがって、上記溶媒としては、ポリフェニレンスルフィド系樹脂を溶解させることができる有機溶媒であればよいが、熱による発光素子ＥＳへのダメージを低減するとともに断熱層５０の形成にかかる時間を短縮するために、できるだけ沸点が低い有機溶媒を使用することがより望ましい。上記溶媒としては、例えば、Ｎ－メチル－２－ピロリドン（ＮＭＰ）、ブチルセルソルブ、トルエン、クロロホルム等が挙げられる。
　また、焼成温度および焼成時間は、溶媒の種類並びに量等に応じて、溶媒が除去されるように適宜設定すればよく、特に限定されない。一例として、例えば、上記混合液を塗布した後の基板は、まず、例えば９０℃程度の温度で例えば５分間仮乾燥させた後、例えば１４０℃のオーブン中で例えば５分間本焼成が行われる。
　なお、上記本焼成温度は、溶媒が蒸発する温度であれば特に限定されないが、好ましくは、１４０℃以上、２２０℃以下である。上記本焼成温度が１４０℃未満では、溶媒の種類にもよるが、溶媒が完全に除去し切れない場合がある。溶媒が残存すると、該溶媒が不純物として振る舞い、発光素子ＥＳの特性劣化を引き起こす危険性がある。一方、上記本焼成温度が２２０℃より高温になると、一般的にオーブンの温度が安定しにくく、その結果、均質の膜（断熱層５０）が形成され難くなる。
　上記溶媒に対するポリフェニレンスルフィド系樹脂の添加量は、例えば、上記混合液の粘度が所望の粘度となるように適宜設定すればよく、特に限定されるものではないが、例えば、上記溶液中のポリフェニレンスルフィド系樹脂の含有量が、１ｗｔ％～３０ｗｔ％の範囲内となるように設定されることが望ましく、３ｗｔ％～１０ｗｔ％の範囲内となるように設定されることがより望ましい。
　上記混合液の粘度も特に限定されるものではないが、上記混合液の撹拌のし易さ並びに下地層への上記混合液の塗布のし易さ等の観点から、０．１ｃＰ～２０ｃＰの範囲内であることが望ましく、１ｃＰ～１０ｃＰの範囲内であることが、より望ましい。特に、上記混合液の塗布にインクジェット塗布法を用いる場合、上記混合液の粘度は、１ｃＰ～１０ｃＰの範囲内であることが望ましく、１．５ｃＰ～８ｃＰの範囲内であることが、より望ましい。なお、上記混合液の塗布方法としては、インクジェット法の代わりにスピンコート法等を用いてもよい。
　本実施形態にかかる断熱層５０は、ステップＳ５の封止膜６の形成工程において、カソード２５を覆う無機封止膜２６を上記下地層として、該無機封止膜２６上に、上記混合液を例えばインクジェット塗布によって塗布した後、焼成することで、形成することができる。
　本実施形態によれば、発光素子ＥＳに入る外部の熱を、封止膜６（より具体的には、封止膜６における有機バッファ膜２７）によって断熱することができる。本実施形態によれば、断熱層５０が発光素子ＥＳを覆うように形成されていることで、発光素子ＥＳの上方から発光素子ＥＳに入る外部の熱を断熱することができる。
　＜変形例１＞
　なお、前述したように、封止膜６は、無機封止膜が有機バッファ膜を上下に挟んで封止する形で、無機封止膜と有機バッファ膜とが複数層繰り返し積層されていてもよい。したがって、封止膜６は、断熱層５０を複数層有していてもよい。
　〔実施形態２〕
　図４は、本実施形態にかかる表示デバイス２の概略構成を示す断面図である。
　図４に示すように、断熱層５０は、ＴＦＴ層４の下層側に形成されていてもよい。本実施形態にかかる表示デバイス２は、図２に示す表示デバイス２において、有機バッファ膜２７を断熱層５０で形成する代わりに、樹脂層１２と該樹脂層１２を覆うバリア層３（防湿膜）との間に、断熱層５０を備えている。本実施形態にかかる表示デバイス２は、この点を除けば、実施形態１にかかる表示デバイス２と同じである。
　このような表示デバイス２は、ステップＳ１において樹脂層１２を形成した後、該樹脂層１２を前記下地層として、該樹脂層１２上に、ポリフェニレンスルフィド系樹脂およびモリブデン錯体を含む前記混合液を例えばインクジェット塗布によって塗布した後、焼成することで、形成することができる。
　本実施形態によれば、バリア層３の下層側、つまり、基板側から表示デバイス２に入る外部の熱を断熱することができる。また、本実施形態によれば、表示デバイス２が例えばトップエミッション型の表示デバイス２である場合、断熱層５０の位置が、発光素子層５に対し、光の取り出し方向と逆側に位置する。このため、例えば、断熱層５０の膜厚を厚くすることが可能である。このように、断熱層５０の位置が、発光素子層５に対し、光の取り出し方向と逆側に位置する場合、断熱層５０は、例えば、５００ｎｍ以上の厚さに形成することができる。これにより、本実施形態によれば、断熱層５０による断熱効果をより大きくすることができる。但し、断熱層５０の厚さが１０００ｎｍを越えると、薄型ディスプレイであることの特徴が失われることがある。このため、断熱層５０の厚さは、１０００ｎｍ以下とすることが望ましい。
　＜変形例１＞
　図５は、本実施形態にかかる他の表示デバイス２の概略構成を示す断面図である。
　断熱層５０は、二層以上設けられていてもよい。図５では、断熱層５０として、断熱層５０Ａが樹脂層１２の下面に隣接して形成されているとともに、断熱層５０Ｂが樹脂層１２の上面に隣接して形成されている場合を例に挙げて示している。
　なお、断熱層５０Ａ・５０Ｂは、上述した断熱層５０と同じである。したがって、ここではその説明を省略する。上述したように表示デバイス２に断熱層５０を複数層設ける場合、断熱層５０Ａおよび断熱層５０Ｂは、同じ厚さを有していてもよいし、互いに異なる厚さを有していてもよい。
　図５に示すような表示デバイス２は、ベース基板となる例えばポリイミド基板（樹脂層１２）の上面および下面に、断熱層５０の材料である、ポリフェニレンスルフィド系樹脂およびモリブデン錯体を含む前記混合液を例えばインクジェット法等により塗布して溶媒を除去することにより、形成することができる。
　＜変形例２＞
　また、断熱層５０は、ベース基板であってもよい。したがって、図４に示すように、樹脂層１２と断熱層５０とを別々に設けるのではなく、図２に示す樹脂層１２として断熱層５０を形成してもよい。ベース基板（樹脂層１２）が断熱層５０を兼ねることで、ベース基板（樹脂層１２）とは別に断熱層５０を形成することによる表示デバイス２の部品点数の増加を抑えることができる。
　この場合、ステップＳ１において、透光性の支持基板（例えば、マザーガラス）を下地層として、該支持基板上に、樹脂層１２として、上記断熱層５０を形成すればよい。これにより、ベース基板（樹脂層１２）として断熱層５０が形成された表示デバイス２を製造することができる。
　＜変形例３＞
　また、表示デバイス２がフレキシブル基板でない場合には、断熱層５０は、例えば、ガラス基板等の基板とＴＦＴ層４との間に形成されていてもよい。
　変形例１～３の何れの場合にも、基板側から表示デバイス２に入る外部の熱を断熱することができる。また、変形例１～３の何れの場合にも、表示デバイス２が例えばトップエミッション型の表示デバイス２である場合、断熱層５０の位置が、発光素子層５に対し、光の取り出し方向と逆側に位置するため、上述したように、断熱層５０の膜厚を厚くすることが可能である。このため、変形例１～３の何れの場合にも、断熱層５０による断熱効果をより大きくすることができる。
　〔実施形態３〕
　図６は、本実施形態にかかる表示デバイス２の概略構成を示す断面図である。
　図６に示すように、本実施形態にかかる表示デバイス２は、断熱層５０が、発光素子層５を覆うように、封止膜６上に形成されている。本実施形態にかかる表示デバイス２は、この点を除けば、実施形態１にかかる表示デバイス２と同じである。
　このような表示デバイス２は、ステップＳ５において封止膜６を形成した後、該封止膜６を前記下地層として、該封止膜６上に、ポリフェニレンスルフィド系樹脂およびモリブデン錯体を含む前記混合液を例えばインクジェット塗布によって塗布した後、焼成することで、形成することができる。
　本実施形態によれば、発光素子ＥＳの上方側から表示デバイス２に入る外部の熱を断熱することができる。また、本実施形態にかかる表示デバイス２は、発光素子層５を囲うように断熱層５０が形成されているため、発光素子層５内の温度安定効果が大きくなる。このため、本実施形態にかかる表示デバイス２は、実施形態で示した範囲内で、比較的薄い膜厚、またはモリブデン錯体の含有量が比較的低い断熱層５０であっても、断熱効果が得られ易くなる。
　〔実施形態４〕
　図７は、本実施形態にかかる表示デバイス２の概略構成を示す断面図である。
　図７に示すように、本実施形態にかかる表示デバイス２は、断熱層５０として、断熱層５０Ａが樹脂層１２とバリア層３との間に形成され、かつ、断熱層５０Ｂが封止膜６と上面フィルム３９との間に形成されている点を除けば、実施形態１にかかる表示デバイス２と同じである。
　なお、断熱層５０Ａは、実施形態２にかかる断熱層５０と同じであり、断熱層５０Ｂは、実施形態３にかかる断熱層５０と同じである。したがって、ここではその説明を省略する。なお、本実施形態でも、断熱層５０Ａおよび断熱層５０Ｂは、同じ厚さを有していてもよいし、互いに異なる厚さを有していてもよい。
　本実施形態にかかる表示デバイス２は、バリア層３の下層側、つまり、基板側から表示デバイス２に入る外部の熱を断熱することができるとともに、発光素子ＥＳの上方から発光素子ＥＳに入る外部の熱を断熱することができる。本実施形態によれば、このように発光素子層５を挟んで断熱層５０Ａおよび断熱層５０Ｂが設けられていることにより、発光素子層５を完全に囲えるので、実施形態１～３よりも大きな断熱効果を得ることができる。
　〔実施形態５〕
　図８は、本実施形態にかかる表示デバイス２の概略構成を示す断面図である。
　図８に示すように、本実施形態にかかる表示デバイス２は、図２に示す表示デバイス２において、有機バッファ膜２７を断熱層５０で形成する代わりに、ベース基板である樹脂層１２における、ＴＦＴ層４の形成面とは反対面側に、断熱層５０が形成されている。なお、断熱層５０は、下面フィルム１０を兼ねていてもよいし、断熱層５０における樹脂層１２とは反対面側に、接着剤層５１および下面フィルム１０が設けられていてもよい。
　このような表示デバイス２は、例えば、ステップＳ５で封止膜６を形成し、ステップＳ６で封止膜６上に上面フィルム３９を貼り付け、ステップＳ７で支持基板を樹脂層１２から剥離した後、該樹脂層１２を前記下地層として、該樹脂層１２の下面に、ポリフェニレンスルフィド系樹脂およびモリブデン錯体を含む前記混合液を例えばインクジェット塗布によって塗布した後、焼成することで、形成することができる。
　これにより、断熱層５０の成膜時に、封止膜６の形成時における熱を避けることができる。また、本実施形態によれば、バリア層３の下層側、つまり、基板側から表示デバイス２に入る外部の熱を断熱することができる。さらに、本実施形態によれば、表示デバイス２が例えばトップエミッション型の表示デバイス２である場合、断熱層５０の位置が、発光素子層５に対し、光の取り出し方向と逆側に位置する。このため、本実施形態でも、例えば実施形態２で説明したように、断熱層５０の膜厚を厚くすることが可能である。
　また、例えば断熱層５０が下面フィルム１０を兼ねる場合、断熱層５０を形成することによる表示デバイス２の部品点数の増加を抑えることができる。
　〔実施形態６〕
　図９の（ａ）は、本実施形態にかかる表示デバイス２の表示領域の構成例を示す断面図であり、図９の（ｂ）は、図９の（ａ）に示す表示デバイス２の構成を示す平面図である。
　本実施形態における表示デバイス２は、一例として、例えば実施形態１にかかる表示デバイス２が、図９の（ａ）に示すように、発光素子層５からの熱を外部に放熱する放熱層５５および平面視で該放熱層５５の周囲を囲む断熱層５６を備えている構成を有している。本実施形態では、ＴＦＴ層４は、放熱層５５と発光素子層５との間に形成されている。
　断熱層５６は、放熱層５５と同層に設けられている。断熱層５６は、断熱層５０と同様にして形成することができる。断熱層５６には断熱層５０と同様の材料を用いることができる。なお、断熱層５０と断熱層５６とには、同じ材料を用いてもよいし、異なる材料を用いても構わない。
　放熱層５５は、樹脂と、該樹脂中に分散された無機微粒子とを含む。上記樹脂としては、例えば、アクリル樹脂、ポリイミド、ポリエステル、ポリアミド樹脂等が挙げられる。そのなかでも、放熱の観点からアクリル樹脂が最も望ましい。また、アクリル樹脂を用いる場合、光重合によりモノマーの重合を行うことで膜形成を行うことができるので、プロセス面でも取扱いが便利である。
　上記樹脂中に含まれる無機微粒子の直径は、５～１００ｎｍの範囲内であることが好ましく、１０～３０ｎｍの範囲であることがより好ましい。上記無機微粒子の直径が５ｎｍより小さい場合、十分な放熱効果が得られないおそれがある。一方、上記無機微粒子の直径が１００ｎｍよりも大きい場合、該無機微粒子が樹脂中に分散し難く、該無機微粒子が分離する場合がある。また、直径が５ｎｍよりも小さい無機微粒子を高濃度で導入させた場合、結果として無機微粒子の凝集が起こり、上記樹脂から無機微粒子が分離することがある。
　上記無機微粒子としては、例えば、銀、銅、アルミニウム、マグネシウム、スズ、ケイ素、およびそれらの酸化物からなる群より選ばれる少なくとも一種が挙げられる。上記無機微粒子は、無機微粒子とアクリル樹脂との分子間力により、アクリル樹脂中に分散し易く、その結果、無機微粒子がアクリル樹脂中に均一に分散され、高い放熱効果を奏する放熱層５５が得られる。それ故、放熱層５５が有する放熱性が向上して、放熱層５５が適切に機能し、その結果、発光素子ＥＳが自ら発する熱等に起因する発光素子ＥＳの劣化を防ぐことができる。
　放熱層５５における上記無機微粒子の含有量は、アクリル樹脂に対して５～４０重量％であることが好ましい。上記無機微粒子のサイズが上記範囲であることにより、アクリル樹脂中に含まれるＯ基（エステル基、カルボニル基、もしくはエーテル基）およびＮ基（アミン）と、放熱性を有する上述の金属との間で誘起双極子相互作用が起こるため、十分な放熱効果を得ることができるとともに、上記無機微粒子をアクリル樹脂中に均一に分散させることができる。また、上述の、放熱性を有する金属は、該金属の表面に酸化膜が形成される場合があり、この場合、特にアクリル樹脂中に含まれる上記Ｏ基と該金属との間で相溶性が良くなる。
　放熱層５５の厚みは、特に限定されないが、発光素子層５内部で発生する熱を吸熱し、且つ断熱効果を抑制させないことから、２０ｎｍ以上１０００ｎｍ以下であることが好ましく、更に１００ｎｍ以上３００ｎｍ以下であることがより好ましい。
　本実施形態における表示デバイス２は、上述の構成に加え、さらに、放熱層５５から熱を外部に取り出す取出配線５４（取出部材）を備えている。平面視（図９の（ｂ）を参照）において、放熱層５５は、発光素子ＥＳと重畳している。断熱層５０は、平面視において、放熱層５５の周囲を囲んでいる。取出配線５４は、放熱層５５に接続され、かつ、平面視において断熱層５０に重畳するように形成されている。放熱層５５が、断熱層５０に重畳するように形成されることにより、放熱層５５から外部環境に向けて、効率よく放熱することができる。取出配線５４には、ゲート配線ＧＨ、ソース配線ＳＨ等の配線と同様の配線材料を用いることができる。
　放熱層５５を形成する方法を、図９の（ａ）・（ｂ）および図１０の（ａ）～（ｄ）を参照して説明する。図１０の（ａ）～（ｄ）は、放熱層５５の製造工程を工程順に説明する断面図である。
　まず、図９の（ａ）に示すように、実施形態１と同様にして、樹脂層１２上に、断熱層５０を形成し、その上に、バリア層３を形成する。次いで、バリア層３上に、図９の（ａ）・（ｂ）に示すように、取出配線５４を形成する。一方、アクリル樹脂用モノマーと、上述の放熱性を有する金属（該金属が含まれる金属酸化物を含む）とを含む溶液を調整する。溶媒にはアルコール系の溶媒もしくはヘキサンが一般的に用いられる。ここで、上記溶液中の金属（金属酸化物）含有量は、アクリルモノマーに対して５～４０ｗｔ％、より好ましくは１０～２０ｗｔ％とする。
　次に、上記溶液を、バリア層３上に塗布することにより、図１０の（ａ）に示すように、バリア層３上に、金属含有アクリルモノマー層６０を形成する。その後、図１０の（ｂ）に示すように、マスク６１の開口部６２を介して、金属含有アクリルモノマー層６０に紫外光照射を行う。これにより、図１０の（ｃ）に示すように、金属含有アクリルモノマー層６０における紫外光照射部分６３の金属含有アクリルモノマーを光重合させて金属含有アクリル樹脂とする。続いて、図１０の（ｄ）に示すように、未反応の金属含有アクリルモノマー（金属含有アクリルモノマー層６０における紫外光照射部分６３以外の部分）を、アルコール、ヘキサン等の溶剤で洗い落とす。これにより、バリア層３上へ残存した、紫外光照射部分６３の金属含有アクリル樹脂からなる放熱層５５が得られる。
　なお、放熱層５５を形成する方法は、上述の方法に限定されず、例えば、フィルムを貼る方法、または塗布による成膜方法等を用いてもよい。
　以下、実施例および比較例を用いて、断熱層５０の効果について説明する。但し、以下の実施例は、あくまでも、上述した実施形態の一例であって、上述した実施形態は、以下の実施例にのみ限定されるものではない。
　以下では、発光素子ＥＳとしてＯＬＥＤ素子（有機ＥＬ素子）を使用し、該有機ＥＬ素子の劣化（輝度低下）の検証試験を行った結果について説明する。
　〔実施例１〕
　まず、前記構造式（１）で示されるポリ（ｐ－フェニレンスルフィド）を５ｗｔ％の割合で有するＮＭＰ溶液中に、モリブデン錯体である前記［ＭｏＦｅ３Ｓ６（ＣＨ３）５］を、上記ポリ（ｐ－フェニレンスルフィド）に対し、３ｗｔ％の割合で添加してよく撹拌することにより、上記ポリ（ｐ－フェニレンスルフィド）および［ＭｏＦｅ３Ｓ６（ＣＨ３）５］を含む混合液を調整した。
　次いで、この混合液を、実施形態２の変形例１に記載したように、ＯＬＥＤ素子を搭載するポリイミド基板（樹脂層１２）の外部の上面と下面とに、インクジェット法で塗布し、焼成して乾燥させることにより、図５に示す表示デバイス２を形成した。
　上記表示デバイス２におけるＯＬＥＤ素子の輝度特性低下を、７０℃での動作試験により追跡し、ＯＬＥＤ素子の初期輝度に対して輝度が９０％になる時間（以下、「劣化時間」と省する）を測定した。
　〔実施例２〕
　実施例１において、ポリ（ｐ－フェニレンスルフィド）に対する［ＭｏＦｅ３Ｓ６（ＣＨ３）５］の添加量を７ｗｔ％に変更した以外は実施例１と同じ条件で表示デバイス２を形成し、実施例１と同じ方法で劣化時間を測定した。
　〔実施例３〕
　実施例１において、ポリ（ｐ－フェニレンスルフィド）に対する［ＭｏＦｅ３Ｓ６（ＣＨ３）５］の添加量を１ｗｔ％に変更した以外は実施例１と同じ条件で表示デバイス２を形成し、実施例１と同じ方法で劣化時間を測定した。
　〔実施例４〕
　実施例１において、ポリ（ｐ－フェニレンスルフィド）に対する［ＭｏＦｅ３Ｓ６（ＣＨ３）５］の添加量を１０ｗｔ％に変更した以外は実施例１と同じ条件で表示デバイス２を形成し、実施例１と同じ方法で劣化時間を測定した。
　〔比較例１〕
　実施例１において、ポリ（ｐ－フェニレンスルフィド）に対し、モリブデン錯体を添加せず（つまり、モリブデン錯体の添加量をゼロとし）、ポリ（ｐ－フェニレンスルフィド）のみで断熱層５０を形成したことを除けば、実施例１と同じ条件で、比較用の表示デバイス２を形成し、実施例１と同じ方法で劣化時間を測定した。
　〔比較例２〕
　実施例１において、ポリ（ｐ－フェニレンスルフィド）に対し、モリブデン錯体に代えて、単体のモリブデン微粒子を、上記ポリ（ｐ－フェニレンスルフィド）に対し、５ｗｔ％の割合で添加したことを除けば、実施例１と同じ条件で、比較用の表示デバイス２を形成し、実施例１と同じ方法で劣化時間を測定した。
　〔比較例３〕
　実施例１において、断熱層５０を形成しないことを除けば、実施例１と同じ条件で、比較用の表示デバイス２を形成し、実施例１と同じ方法で劣化時間を測定した。
　上記実施例１～４および比較例１～３で測定した劣化時間を、表１にまとめて示す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000004
 　〔実施例５〕
　また、実施例１において、ポリフェニレンスルフィド系樹脂として、前記構造式（１）で示されるポリ（ｐ－フェニレンスルフィド）に代えて、前記構造式（２）においてアルキル基としてドデシル基を含む、ドデシル基含有ポリ（ｐ－フェニレンスルフィド）を使用し、モリブデン錯体として、［ＭｏＦｅ３Ｓ６（ＣＨ３）５］に代えて、前記［ＭｏＦｅ２Ｓ５（ＣＨ３）５］を使用した以外は、実施例１と同じ条件で、比較用の表示デバイス２を形成し、実施例１と同じ方法で劣化時間を測定した。
　〔実施例６〕
　実施例６において、ドデシル基含有ポリ（ｐ－フェニレンスルフィド）に対する［ＭｏＦｅ２Ｓ５（ＣＨ３）５］の添加量を７ｗｔ％に変更した以外は実施例６と同じ条件で表示デバイス２を形成し、実施例１と同じ方法で劣化時間を測定した。
　〔実施例７〕
　実施例６において、ドデシル基含有ポリ（ｐ－フェニレンスルフィド）に対する［ＭｏＦｅ２Ｓ５（ＣＨ３）５］の添加量を１ｗｔ％に変更した以外は実施例６と同じ条件で表示デバイス２を形成し、実施例１と同じ方法で劣化時間を測定した。
　〔実施例８〕
　実施例６において、ドデシル基含有ポリ（ｐ－フェニレンスルフィド）に対する［ＭｏＦｅ２Ｓ５（ＣＨ３）５］の添加量を１０ｗｔ％に変更した以外は実施例６と同じ条件で表示デバイス２を形成し、実施例１と同じ方法で劣化時間を測定した。
　〔比較例３〕
　実施例６において、ドデシル基含有ポリ（ｐ－フェニレンスルフィド）に対し、モリブデン錯体を添加せず（つまり、モリブデン錯体の添加量をゼロとし）、ドデシル基含有ポリ（ｐ－フェニレンスルフィド）のみで断熱層５０を形成したことを除けば、実施例６と同じ条件で、比較用の表示デバイス２を形成し、実施例１と同じ方法で劣化時間を測定した。
　〔比較例４〕
　実施例６において、ドデシル基含有ポリ（ｐ－フェニレンスルフィド）に対し、モリブデン錯体に代えて、単体のモリブデン微粒子を、上記ドデシル基含有ポリ（ｐ－フェニレンスルフィド）に対し、５ｗｔ％の割合で添加したことを除けば、実施例６と同じ条件で、比較用の表示デバイス２を形成し、実施例１と同じ方法で劣化時間を測定した。
　上記実施例５～８および比較例４、５で測定した劣化時間を、表２にまとめて示す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000005
 　表１および表２に示す結果から、ポリフェニレンスルフィド系樹脂とモリブデン錯体とを含む断熱層５０を形成することで、比較例３のように断熱層５０を形成しない場合と比較して、発光素子ＥＳ（ＯＬＥＤ素子）の劣化を遅らせることができることが判る。また、表１および表２に示す結果から、同じ材料を用いたもの同士で比較した場合、ポリフェニレンスルフィド系樹脂とモリブデン錯体とを含む断熱層５０を形成することで、比較例１、３のようにモリブデン錯体を使用しない場合や、比較例２、４のようにモリブデン微粒子を単体で用いた場合と比較しても、発光素子ＥＳ（ＯＬＥＤ素子）の劣化を遅らせることができることが判る。また、実施例１～８に示す結果から、ポリフェニレンスルフィド系樹脂に対するモリブデン錯体の添加量を３ｗｔ％～７ｗｔ％の範囲内とすることで、断熱効果を高めて、上記モリブデン錯体の添加量が上記範囲外である場合と比較して、発光素子ＥＳの劣化を各段に遅らせることができるとともに、散乱等の影響で表示特性が低下することを回避することができることが判る。
　また、比較例２、４に示す結果から、モリブデンを、錯体ではなく、単体の金属として用いた場合、モリブデンが凝集するため、十分な断熱効果が得られなかったと推測することができる。例えばモリブデン、タングステン、タンタル等の無機微粒子（金属微粒子）は、吸熱性を有し、それ自体、断熱効果を有している。しかしながら、本願発明者らが鋭意検討した結果、このように単体の金属を、色付いたり散乱を起こしたりしない程度の微量で樹脂中に分散させたとしても、該金属が均一に分散されず、樹脂中に偏在する。この結果、断熱効果が十分に発揮されなくなる。
　また、本願発明者らが鋭意検討した結果、モリブデン錯体のみで断熱層５０を形成すると、透過率の低下が著しく、表示性能を大きく損なうことが判った。一方、例えば上述したようにポリフェニレンスルフィド系樹脂に対するモリブデン錯体の添加量を３ｗｔ％～７ｗｔ％の範囲内とした場合、空気透過率を１００％とすると、９５％以上の透過率を確保することができる。
　以上のように、本実施形態によれば、発光素子ＥＳへの外部からの熱を断熱する（熱を伝え難くする）ことで、発光素子ＥＳの劣化を遅らせることができる表示デバイス２を提供することができる。
　本発明は上述した各実施形態および各実施例に限定されるものではなく、請求項に示した範囲で種々の変更が可能であり、例えば異なる実施形態にそれぞれ開示された技術的手段を適宜組み合わせて得られる実施形態についても本発明の技術的範囲に含まれる。さらに、各実施形態にそれぞれ開示された技術的手段を組み合わせることにより、新しい技術的特徴を形成することができる。
　〔まとめ〕
　本発明の態様１にかかる表示デバイスは、複数の発光素子を備える発光素子層と、上記発光素子層の下層側に設けられ、上記発光素子を駆動するＴＦＴを備えるＴＦＴ層と、を備える表示デバイスであって、外部から上記発光素子への熱を断熱する断熱層を少なくとも一層備え、上記断熱層は、モリブデンを含む錯体と、ポリフェニレンスルフィド系樹脂と、を含む。
　本発明の態様２にかかる表示デバイスは、上記態様１において、上記錯体は、配位子に硫黄を含んでいてもよい。
　本発明の態様３にかかる表示デバイスは、上記態様１または２において、上記断熱層における、上記ポリフェニレンスルフィド系樹脂に対する上記錯体の含有率が３～７ｗｔ％であってもよい。
　本発明の態様４にかかる表示デバイスは、上記態様１～３の何れかにおいて、上記発光素子層を覆うように上記断熱層が形成されていてもよい。
　本発明の態様５にかかる表示デバイスは、上記態様１～４の何れかにおいて、上記断熱層は有機絶縁層であり、上記断熱層を含み、上記発光素子層を封止する封止膜を備え、
　上記封止膜は、第１無機絶縁層と、上記断熱層と、第２無機絶縁層とが、上記発光素子層側からこの順に積層された構造を含んでいてもよい。
　本発明の態様６にかかる表示デバイスは、上記態様１～４の何れかにおいて、上記発光素子層を封止する封止膜を備え、上記断熱層が上記封止膜を覆っていてもよい。
　本発明の態様７にかかる表示デバイスは、上記態様１～６の何れかにおいて、上記ＴＦＴ層の下層側に上記断熱層が形成されていてもよい。
　本発明の態様８にかかる表示デバイスは、上記態様１～７の何れかにおいて、上記ＴＦＴ層の下層側に樹脂層と上記樹脂層を覆う防湿膜とを備え、上記樹脂層と上記防湿膜との間に上記断熱層が設けられていてもよい。
　本発明の態様９にかかる表示デバイスは、上記態様１～７の何れかにおいて、上記ＴＦＴ層の下層側に樹脂層を備え、上記樹脂層の下層側に上記断熱層が設けられていてもよい。
　本発明の態様１０にかかる表示デバイスは、上記態様１～９の何れかにおいて、上記発光素子からの熱を放熱する放熱層を備え、上記ＴＦＴ層は、上記放熱層と上記発光素子層との間に形成されていてもよい。
　本発明の態様１１にかかる表示デバイスは、上記態様１０において、上記放熱層には、上記熱を外部に取り出す取出部材が接続されており、平面視において、上記放熱層は、上記発光素子と重畳し、上記放熱層の周囲を上記断熱層が囲んでおり、上記取出部材は、上記断熱層に重畳するように形成されていてもよい。
　本発明の態様１２にかかる表示デバイスは、上記態様１０または１１において、上記放熱層は、無機微粒子が分散されたアクリル樹脂を含む材料からなっていてもよい。
　本発明の態様１３にかかる表示デバイスは、上記態様１２において、上記無機微粒子が、銀、銅、アルミニウム、マグネシウム、スズ、ケイ素、およびそれらの酸化物からなる群より選ばれる少なくとも一種であってもよい。
　本発明の態様１４にかかる表示デバイスは、上記態様１２または１２において、上記放熱層の材料に含まれる上記無機微粒子の含有量は、上記アクリル樹脂に対して５～４０重量％であってもよい。
　２　表示デバイス
　３　バリア層（防湿層）
　４　ＴＦＴ層
　５　発光素子層
　６　封止膜
　１２　樹脂層（ベース基板）
　２７　有機バッファ膜
　５０、５０Ａ、５０Ｂ、５６　断熱層
　５４　取出配線
　５５　放熱層
　ＥＳ　発光素子

Claims (14)

  1. 　複数の発光素子を備える発光素子層と、上記発光素子層の下層側に設けられ、上記発光素子を駆動するＴＦＴを備えるＴＦＴ層と、を備える表示デバイスであって、
    　外部から上記発光素子への熱を断熱する断熱層を少なくとも一層備え、
    　上記断熱層は、モリブデンを含む錯体と、ポリフェニレンスルフィド系樹脂と、を含むことを特徴とする表示デバイス。
  2. 　上記錯体は、配位子に硫黄を含むことを特徴とする請求項１に記載の表示デバイス。
  3. 　上記断熱層における、上記ポリフェニレンスルフィド系樹脂に対する上記錯体の含有率が３～７ｗｔ％であることを特徴とする請求項１または２に記載の表示デバイス。
  4. 　上記発光素子層を覆うように上記断熱層が形成されていることを特徴とする請求項１～３の何れか１項に記載の表示デバイス。
  5. 　上記断熱層は有機絶縁層であり、
    　上記断熱層を含み、上記発光素子層を封止する封止膜を備え、
    　上記封止膜は、第１無機絶縁層と、上記断熱層と、第２無機絶縁層とが、上記発光素子層側からこの順に積層された構造を含むことを特徴とする請求項１～４の何れか１項に記載の表示デバイス。
  6. 　上記発光素子層を封止する封止膜を備え、
    　上記断熱層が上記封止膜を覆っていることを特徴とする請求項１～４の何れか１項に記載の表示デバイス。
  7. 　上記ＴＦＴ層の下層側に上記断熱層が形成されていることを特徴とする請求項１～６の何れか１項に記載の表示デバイス。
  8. 　上記ＴＦＴ層の下層側に樹脂層と上記樹脂層を覆う防湿膜とを備え、
    　上記樹脂層と上記防湿膜との間に上記断熱層が設けられていることを特徴とする請求項１～７の何れか１項に記載の表示デバイス。
  9. 　上記ＴＦＴ層の下層側に樹脂層を備え、
    　上記樹脂層の下層側に上記断熱層が設けられていることを特徴とする請求項１～７の何れか１項に記載の表示デバイス。
  10. 　上記発光素子からの熱を放熱する放熱層を備え、
    　上記ＴＦＴ層は、上記放熱層と上記発光素子層との間に形成されていることを特徴とする請求項１～９の何れか１項に記載の表示デバイス。
  11. 　上記放熱層には、上記熱を外部に取り出す取出部材が接続されており、
    　平面視において、
    　上記放熱層は、上記発光素子と重畳し、
    　上記放熱層の周囲を上記断熱層が囲んでおり、
    　上記取出部材は、上記断熱層に重畳するように形成されていることを特徴とする請求項１０に記載の表示デバイス。
  12. 　上記放熱層は、無機微粒子が分散されたアクリル樹脂を含む材料からなることを特徴とする請求項１０または１１に記載の表示デバイス。
  13. 　上記無機微粒子が、銀、銅、アルミニウム、マグネシウム、スズ、ケイ素、およびそれらの酸化物からなる群より選ばれる少なくとも一種であることを特徴とする請求項１２に記載の表示デバイス。
  14. 　上記放熱層の材料に含まれる上記無機微粒子の含有量は、上記アクリル樹脂に対して５～４０重量％であることを特徴とする請求項１２または１３に記載の表示デバイス。
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