WO2022214904A1

WO2022214904A1 - 表示装置

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Publication number: WO2022214904A1
Application number: PCT/IB2022/052736
Authority: WO
Inventors: 方堂涼太; 柳澤悠一; 澤井寛美
Original assignee: 株式会社半導体エネルギー研究所
Priority date: 2021-04-08
Filing date: 2022-03-25
Publication date: 2022-10-13
Also published as: KR20230166105A; CN117136632A; US20240172491A1; JPWO2022214904A1

Abstract

表示品位の高い表示装置を提供する。第１の画素と、第１の画素と隣接して配置された第２の画素と、第１の絶縁層と、第１の絶縁層上の第２の絶縁層と、第２の絶縁層上の第３の絶縁層と、を有し、第１の画素は、第１の画素電極と、第１の画素電極上の第１のＥＬ層と、第１のＥＬ層上の共通電極と、を有し、第２の画素は、第２の画素電極と、第２の画素電極上の第２のＥＬ層と、第２のＥＬ層上の共通電極と、を有し、第１の絶縁層、及び第３の絶縁層は、無機材料を有し、第２の絶縁層は、有機材料を有し、第２の絶縁層は、第１の絶縁層を介して、第１のＥＬ層の側面、及び第２のＥＬ層の側面と重なり、第２の絶縁層は、第３の絶縁層を介して、共通電極と重なり、第３の絶縁層は、第２の絶縁層と重畳しない領域において、第１の絶縁層と接する。

Description

表示装置

　本発明の一態様は、表示装置に関する。本発明の一態様は、表示装置の作製方法に関する。

　なお、本発明の一態様は、上記の技術分野に限定されない。本明細書等で開示する本発明の一態様の技術分野としては、半導体装置、表示装置、発光装置、蓄電装置、記憶装置、電子機器、照明装置、入力装置、入出力装置、それらの駆動方法、又はそれらの製造方法、を一例として挙げることができる。半導体装置は、半導体特性を利用することで機能しうる装置全般を指す。

　近年、ディスプレイパネルの高精細化が求められている。高精細なディスプレイパネルが要求される機器としては、例えばスマートフォン、タブレット端末、ノート型コンピュータなどがある。また、テレビジョン装置、モニタ装置などの据え置き型のディスプレイ装置においても、高解像度化に伴う高精細化が求められている。さらに、最も高精細度が要求される機器としては、例えば、仮想現実（ＶＲ：Ｖｉｒｔｕａｌ　Ｒｅａｌｉｔｙ）、または拡張現実（ＡＲ：Ａｕｇｍｅｎｔｅｄ　Ｒｅａｌｉｔｙ）向けの機器がある。

　また、ディスプレイパネルに適用可能な表示装置としては、代表的には液晶表示装置、有機ＥＬ（Ｅｌｅｃｔｒｏ　Ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ）素子、発光ダイオード（ＬＥＤ：Ｌｉｇｈｔ　Ｅｍｉｔｔｉｎｇ　Ｄｉｏｄｅ）等の発光素子を備える発光装置、及び電気泳動方式などにより表示を行う電子ペーパなどが挙げられる。

　例えば、有機ＥＬ素子の基本的な構成は、一対の電極間に発光性の有機化合物を含む層を挟持したものである。この素子に電圧を印加することにより、発光性の有機化合物から発光を得ることができる。このような有機ＥＬ素子が適用された表示装置は、液晶表示装置等で必要であったバックライトが不要なため、薄型、軽量、高コントラストで且つ低消費電力な表示装置を実現できる。例えば、有機ＥＬ素子を用いた表示装置の一例が、特許文献１に記載されている。

　特許文献２には、有機ＥＬデバイスを用いた、ＶＲ向けの表示装置が開示されている。

特開２００２−３２４６７３号公報国際公開第２０１８／０８７６２５号

　本発明の一態様は、表示品位の高い表示装置を提供することを課題の一とする。本発明の一態様は、信頼性の高い表示装置を提供することを課題の一とする。本発明の一態様は、消費電力の低い表示装置を提供することを課題の一とする。本発明の一態様は、高精細化が容易な表示装置を提供することを課題の一とする。本発明の一態様は、高い表示品位と、高い精細度を兼ね備える表示装置を提供することを課題の一とする。本発明の一態様は、コントラストの高い表示装置を提供することを課題の一とする。

　本発明の一態様は、新規な構成を有する表示装置、または表示装置の作製方法を提供することを課題の一とする。本発明の一態様は、上述した表示装置を歩留まりよく製造する方法を提供することを課題の一とする。本発明の一態様は、先行技術の問題点の少なくとも一を軽減することを課題の一とする。

　なお、これらの課題の記載は、他の課題の存在を妨げるものではない。なお、本発明の一態様は、これらの課題の全てを解決する必要はないものとする。なお、これら以外の課題は、明細書、図面、請求項などの記載から抽出することが可能である。

　本発明の一態様は、第１の画素と、第１の画素と隣接して配置された第２の画素と、第１の絶縁層と、第１の絶縁層上の第２の絶縁層と、第２の絶縁層上の第３の絶縁層と、を有する表示装置であって、第１の画素は、第１の画素電極と、第１の画素電極上の第１のＥＬ層と、第１のＥＬ層上の共通電極と、を有し、第２の画素は、第２の画素電極と、第２の画素電極上の第２のＥＬ層と、第２のＥＬ層上の共通電極と、を有し、第１の絶縁層、及び第３の絶縁層は、無機材料を有し、第２の絶縁層は、有機材料を有し、第２の絶縁層は、第１の絶縁層を介して、第１のＥＬ層の側面、及び第２のＥＬ層の側面と重なり、第２の絶縁層は、第３の絶縁層を介して、共通電極と重なり、第３の絶縁層は、第２の絶縁層と重畳しない領域において、第１の絶縁層と接する、表示装置である。

　また上記において、第１の絶縁層は、第１の画素電極の側面、第１のＥＬ層の側面、第２の画素電極の側面、及び第２のＥＬ層の側面を覆う、構成にしてもよい。

　また上記において、第３の絶縁層の下面は、第２の絶縁層の上面に接する、ことが好ましい。また上記において、第３の絶縁層は、窒化シリコンを有する、ことが好ましい。

　また上記において、第１の絶縁層は、第４の絶縁層と、第４の絶縁層上の第５の絶縁層と、を有し、第４の絶縁層は、酸化アルミニウムを有し、第５の絶縁層は、窒化シリコンを有する、ことが好ましい。

　また上記において、第１の絶縁層の第１の領域が、第１のＥＬ層の上に位置し、且つ第１のＥＬ層の上面と重畳しており、第１の絶縁層の第２の領域が、第２のＥＬ層の上に位置し、且つ第２のＥＬ層の上面と重畳しており、第１の領域と第１のＥＬ層の間に、無機材料を含む第１の層が形成され、第２の領域と第２のＥＬ層の間に、無機材料を含む第２の層が形成される、構成にしてもよい。

　また上記において、第１のＥＬ層の上面と、第２のＥＬ層の上面と、第３の絶縁層の上面と、は共通電極と接する領域を有する、構成にしてもよい。

　また上記において、第１の画素は、第１のＥＬ層と共通電極の間に配置される共通層を有し、第２の画素は、第２のＥＬ層と共通電極の間に配置される共通層を有し、第１のＥＬ層の上面と、第２のＥＬ層の上面と、第３の絶縁層の上面と、は共通層と接する領域を有する、構成にしてもよい。

　また上記において、表示装置の断面視において、第２の絶縁層の上面は凹曲面形状を有する、ことが好ましい。

　本発明の一態様によれば、表示品位の高い表示装置を提供できる。また、信頼性の高い表示装置を提供できる。また、消費電力の低い表示装置を提供できる。また、高精細化が容易な表示装置を提供できる。また、高い表示品位と、高い精細度を兼ね備える表示装置を提供できる。また、コントラストの高い表示装置を提供できる。

　また、本発明の一態様によれば、新規な構成を有する表示装置、または表示装置の作製方法を提供できる。また、上述した表示装置を歩留まりよく製造する方法を提供できる。本発明の一態様によれば、先行技術の問題点の少なくとも一を軽減することができる。

　なお、これらの効果の記載は、他の効果の存在を妨げるものではない。なお、本発明の一態様は、必ずしも、これらの効果の全てを有する必要はない。なお、これら以外の効果は、明細書、図面、請求項などの記載から抽出することが可能である。

図１Ａ乃至図１Ｄは、表示装置の構成例を示す図である。
図２Ａ乃至図２Ｃは、表示装置の構成例を示す図である。
図３Ａ乃至図３Ｃは、表示装置の構成例を示す図である。
図４Ａ乃至図４Ｆは、画素の構成例を示す上面図である。
図５Ａ乃至図５Ｅは、画素の構成例を示す上面図である。
図６Ａ乃至図６Ｄは、表示装置の構成例を示す図である。
図７Ａ乃至図７Ｆは、表示装置の作製方法例を示す図である。
図８Ａ乃至図８Ｄは、表示装置の作製方法例を示す図である。
図９Ａ乃至図９Ｄは、表示装置の作製方法例を示す図である。
図１０Ａ乃至図１０Ｃは、表示装置の作製方法例を示す図である。
図１１Ａ乃至図１１Ｃは、表示装置の作製方法例を示す図である。
図１２Ａ乃至図１２Ｄは、表示装置の作製方法例を示す図である。
図１３は、表示装置の一例を示す斜視図である。
図１４Ａは、表示装置の一例を示す断面図である。図１４Ｂ乃至図１４Ｄは、トランジスタの一例を示す断面図である。
図１５Ａ及び図１５Ｂは、表示モジュールの一例を示す斜視図である。
図１６は、表示装置の一例を示す断面図である。
図１７は、表示装置の一例を示す断面図である。
図１８は、表示装置の一例を示す断面図である。
図１９は、表示装置の一例を示す断面図である。
図２０Ａ乃至図２０Ｆは、発光素子の構成例を示す図である。
図２１Ａ及び図２１Ｂは、電子機器の一例を示す図である。
図２２Ａ乃至図２２Ｄは、電子機器の一例を示す図である。
図２３Ａ乃至図２３Ｆは、電子機器の一例を示す図である。
図２４Ａ乃至図２４Ｆは、電子機器の一例を示す図である。

　以下、実施の形態について図面を参照しながら説明する。ただし、実施の形態は多くの異なる態様で実施することが可能であり、趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及び詳細を様々に変更し得ることは当業者であれば容易に理解される。従って、本発明は、以下の実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。

　なお、以下に説明する発明の構成において、同一部分又は同様な機能を有する部分には同一の符号を異なる図面間で共通して用い、その繰り返しの説明は省略する。また、同様の機能を指す場合には、ハッチパターンを同じくし、特に符号を付さない場合がある。

　なお、本明細書で説明する各図において、各構成要素の大きさ、層の厚さ、または領域は、明瞭化のために誇張されている場合がある。よって、必ずしもそのスケールに限定されない。

　なお、本明細書等における「第１」、「第２」等の序数詞は、構成要素の混同を避けるために付すものであり、数的に限定するものではない。

　また、本明細書等において、「膜」という用語と、「層」という用語とは、互いに入れ替えることが可能である。例えば、「導電層」または「絶縁層」という用語は、「導電膜」または「絶縁膜」という用語に相互に交換することが可能な場合がある。

　なお、本明細書において、ＥＬ層とは発光素子の一対の電極間に設けられ、少なくとも発光性の物質を含む層（発光層とも呼ぶ）、または発光層を含む積層体を示すものとする。

　本明細書等において、表示装置の一態様である表示パネルは表示面に画像等を表示（出力）する機能を有するものである。したがって表示パネルは出力装置の一態様である。

　また、本明細書等では、表示パネルの基板に、例えばＦＰＣ（Ｆｌｅｘｉｂｌｅ　Ｐｒｉｎｔｅｄ　Ｃｉｒｃｕｉｔ）もしくはＴＣＰ（Ｔａｐｅ　Ｃａｒｒｉｅｒ　Ｐａｃｋａｇｅ）などのコネクターが取り付けられたもの、または基板にＣＯＧ（Ｃｈｉｐ　Ｏｎ　Ｇｌａｓｓ）方式等によりＩＣが実装されたものを、表示パネルモジュール、表示モジュール、または単に表示パネルなどと呼ぶ場合がある。

　本発明の一態様の発光素子は、正孔注入性の高い物質、正孔輸送性の高い物質、電子輸送性の高い物質、および電子注入性の高い物質、バイポーラ性の物質等を含む層を有してもよい。

　なお、発光層、ならびに正孔注入性の高い物質、正孔輸送性の高い物質、電子輸送性の高い物質、および電子注入性の高い物質、バイポーラ性の物質等を含む層は、それぞれ量子ドットなどの無機化合物、または高分子化合物（オリゴマー、デンドリマー、ポリマー等）を有していてもよい。例えば、量子ドットを発光層に用いることで、発光材料として機能させることもできる。

　なお、量子ドット材料としては、コロイド状量子ドット材料、合金型量子ドット材料、コア・シェル型量子ドット材料、コア型量子ドット材料などを用いることができる。また、１２族と１６族、１３族と１５族、または１４族と１６族の元素グループを含む材料を用いてもよい。または、カドミウム、セレン、亜鉛、硫黄、リン、インジウム、テルル、鉛、ガリウム、ヒ素、アルミニウム等の元素を含む量子ドット材料を用いてもよい。

（実施の形態１）
　本実施の形態では、本発明の一態様の表示装置の構成例、及び表示装置の作製方法例について説明する。

　本発明の一態様は、発光素子（発光デバイスともいう）を有する表示装置である。表示装置は、少なくとも異なる色の光を発する２つの発光素子を有する。発光素子は、それぞれ一対の電極と、その間にＥＬ層を有する。発光素子として、有機ＥＬ素子、無機ＥＬ素子などの電界発光素子を用いることができる。その他、発光ダイオード（ＬＥＤ）を用いることができる。本発明の一態様の発光素子は、有機ＥＬ素子（有機電界発光素子）であることが好ましい。異なる色を発する２つ以上の発光素子は、それぞれ異なる材料を含むＥＬ層を有する。例えば、それぞれ赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）、または青色（Ｂ）の光を発する３種類の発光素子を有することで、フルカラーの表示装置を実現できる。

　ここで、異なる色の発光素子間で、ＥＬ層を作り分ける場合、メタルマスクなどのシャドーマスクを用いた蒸着法により形成することが知られている。しかしながら、この方法では、メタルマスクの精度、メタルマスクと基板との位置ずれ、メタルマスクのたわみ、及び蒸気の散乱などによる成膜される膜の輪郭の広がりなど、様々な影響により、島状の有機膜の形状及び位置に設計からのずれが生じるため、高精細化、及び高開口率化が困難である。また、蒸着においてメタルマスクに付着した材料に起因するゴミが発生する場合がある。このようなゴミは、発光素子のパターン不良を引き起こす懸念がある。また、ゴミに起因したショートが生じる可能性がある。また、メタルマスクに付着した材料のクリーニングの工程を要する。そのため、ペンタイル配列などの特殊な画素配列方式を適用することなどにより、疑似的に精細度（画素密度ともいう）を高める対策が取られていた。

　本発明の一態様は、ＥＬ層をメタルマスクなどのシャドーマスクを用いることなく、微細なパターンに加工する。これにより、これまで実現が困難であった高い精細度と、大きな開口率を有する表示装置を実現できる。さらに、ＥＬ層を作り分けることができるため、極めて鮮やかで、コントラストが高く、表示品位の高い表示装置を実現できる。

　ここでは、簡単のために、２色の発光素子のＥＬ層を作り分ける場合について説明する。まず、画素電極を覆って、第１のＥＬ膜と、第１の犠牲膜とを積層して形成する。続いて、第１の犠牲膜上にレジストマスクを形成する。続いて、レジストマスクを用いて、第１の犠牲膜の一部、及び第１のＥＬ膜の一部をエッチングし、第１のＥＬ層、および第１のＥＬ層上の第１の犠牲層を形成する。なお、本明細書等において、犠牲層をマスク層と呼称してもよい。また、本明細書等において、犠牲膜をマスク膜と呼称してもよい。

　続いて、第２のＥＬ膜と、第２の犠牲膜とを積層して形成する。続いて、レジストマスクを用いて、第２の犠牲膜の一部、及び第２のＥＬ膜の一部をエッチングし、第２のＥＬ層、および第２のＥＬ層上の第２の犠牲層を形成する。このようにして、第１のＥＬ層と第２のＥＬ層を作り分けることができる。最後に、第１の犠牲層及び第２の犠牲層を除去し、共通電極を形成することで、二色の発光素子を作り分けることができる。

　さらに、上記を繰り返すことで、３色以上の発光素子のＥＬ層を作り分けることができ、３色、または４色以上の発光素子を有する表示装置を実現できる。

　ＥＬ層の端部においては、画素電極およびＥＬ層が設けられる領域と、画素電極およびＥＬ層が設けられない領域と、に起因する段差が生じている。ＥＬ層上に共通電極を形成する際に、ＥＬ層の端部の段差に起因して、共通電極の被覆性が悪くなり、共通電極が切断される懸念がある。また、共通電極が薄くなり、電気抵抗が上昇する懸念がある。

　また、画素電極の端部がＥＬ層の端部と概略揃う場合、および、画素電極の端部がＥＬ層の端部より外側に位置する場合においては、ＥＬ層上に共通電極を形成する際に、共通電極と画素電極とが短絡する場合がある。

　本発明の一態様は、第１のＥＬ層と第２のＥＬ層の間に、有機材料を含む第１の絶縁層を設けることにより、共通電極を設ける面の凹凸を小さくすることができる。よって、第１のＥＬ層の端部、および第２のＥＬ層の端部における共通電極の被覆性を高めることができ、共通電極の良好な導電性を実現することができる。また、共通電極と画素電極の短絡を抑制することができる。

　また、本発明の一態様は、有機材料を含む第１の絶縁層と、第１のＥＬ層及び第２のＥＬ層との間に、無機材料を含む第２の絶縁層を設ける構成とする。ここで、第２の絶縁層は、酸素及び水分の少なくとも一方に対してバリア性を有する。このような第２の絶縁層によって、第１の絶縁層と、第１のＥＬ層及び第２のＥＬ層と、を離隔することにより、第１のＥＬ層及び第２のＥＬ層の側面から内部へ酸素、水分、またはこれらの構成元素が侵入することを抑制でき、信頼性の高い表示装置とすることができる。

　また、本発明の一態様は、有機材料を含む第１の絶縁層と、共通電極との間に、無機材料を含む第３の絶縁層を設ける構成とする。ここで、第３の絶縁層は、酸素及び水分の少なくとも一方に対してバリア性を有する。このような第３の絶縁層によって、第１の絶縁層と、共通電極と、を離隔することにより、共通電極の下面から内部へ酸素、水分、またはこれらの構成元素が侵入することを抑制でき、信頼性の高い表示装置とすることができる。

　さらに、第３の絶縁層は、第１の絶縁層と重畳しない領域において、第２の絶縁層と接する構成とする。第１の絶縁層は、上面、側面、及び下面を、第２の絶縁層及び第３の絶縁層によって取り囲まれることが好ましい。これにより、有機材料を含む第１の絶縁層が、酸素及び水分の少なくとも一方に対してバリア性を有する、第２の絶縁層及び第３の絶縁層によって、封止される構造になる。よって、第１の絶縁層に含まれる、酸素、水分、またはこれらの構成元素が、直接的または間接的に、ＥＬ層、または共通電極などに拡散することを抑制することができる。

　異なる色のＥＬ層が隣接する場合、隣接するＥＬ層の間隔について、例えばメタルマスクを用いた形成方法では１０μｍ未満にすることは困難であるが、上記方法によれば、３μｍ以下、２μｍ以下、または、１μｍ以下にまで狭めることができる。例えばＬＳＩ向けの露光装置を用いることで、５００ｎｍ以下、２００ｎｍ以下、１００ｎｍ以下、さらには５０ｎｍ以下にまで間隔を狭めることもできる。これにより、２つの発光素子間に存在しうる非発光領域の面積を大幅に縮小することができ、開口率を１００％に近づけることが可能となる。例えば、開口率は、５０％以上、６０％以上、７０％以上、８０％以上、さらには９０％以上であって、１００％未満を実現することもできる。

　さらに、ＥＬ層自体のパターン（加工サイズともいえる）についても、メタルマスクを用いた場合に比べて極めて小さくすることができる。また、例えばＥＬ層の作り分けにメタルマスクを用いた場合では、ＥＬ層の中央と端で厚さのばらつきが生じるため、ＥＬ層の面積に対して、発光領域として使用できる有効な面積は小さくなる。一方、上記作製方法では、均一な厚さに成膜した膜を加工することでＥＬ層を形成するため、ＥＬ層内で厚さを均一にでき、微細なパターンであっても、そのほぼ全域を発光領域として用いることができる。そのため、上記作製方法によれば、高い精細度と高い開口率を兼ね備えることができる。

　このように、上記作製方法によれば、微細な発光素子を集積した表示装置を実現することができるため、例えばペンタイル方式などの特殊な画素配列方式を適用し、疑似的に精細度を高める必要が無いため、Ｒ、Ｇ、Ｂをそれぞれ一方向に配列させた、いわゆるストライプ配置で、且つ、５００ｐｐｉ以上、１０００ｐｐｉ以上、または２０００ｐｐｉ以上、さらには３０００ｐｐｉ以上、さらには５０００ｐｐｉ以上の精細度の表示装置を実現することができる。

　以下では、本発明の一態様の表示装置の、より具体的な構成例及び作製方法例について、図面を参照して説明する。

［構成例］
　図１Ａに、本発明の一態様の表示装置１００の上面概略図を示す。表示装置１００は、赤色を呈する発光素子１１０Ｒ、緑色を呈する発光素子１１０Ｇ、及び青色を呈する発光素子１１０Ｂをそれぞれ複数有する。図１Ａでは、各発光素子の区別を簡単にするため、各発光素子の発光領域内にＲ、Ｇ、Ｂの符号を付している。以下において、発光素子１１０Ｒ、発光素子１１０Ｇ、及び発光素子１１０Ｂをまとめて発光素子１１０と呼ぶ場合がある。

　発光素子１１０Ｒ、発光素子１１０Ｇ、及び発光素子１１０Ｂは、それぞれマトリクス状に配列している。図１Ａに示す画素１０３には、一方向に同一の色の発光素子が配列する、いわゆるストライプ配列を示している。なお、発光素子の配列方法はこれに限られず、デルタ配列、ジグザグ配列などの配列方法を適用してもよいし、ペンタイル配列を用いることもできる。

　発光素子１１０Ｒ、発光素子１１０Ｇ、及び発光素子１１０Ｂとしては、例えば、ＯＬＥＤ（Ｏｒｇａｎｉｃ　Ｌｉｇｈｔ　Ｅｍｉｔｔｉｎｇ　Ｄｉｏｄｅ）、またはＱＬＥＤ（Ｑｕａｎｔｕｍ−ｄｏｔ　Ｌｉｇｈｔ　Ｅｍｉｔｔｉｎｇ　Ｄｉｏｄｅ）などの発光素子を用いることが好ましい。発光素子が有する発光物質としては、蛍光を発する物質（蛍光材料）、燐光を発する物質（燐光材料）、無機化合物（量子ドット材料など）、熱活性化遅延蛍光を示す物質（熱活性化遅延蛍光（Ｔｈｅｒｍａｌｌｙ　ａｃｔｉｖａｔｅｄ　ｄｅｌａｙｅｄ　ｆｌｕｏｒｅｓｃｅｎｃｅ：ＴＡＤＦ）材料）などが挙げられる。

　図１Ｂは、図１Ａ中の一点鎖線Ａ１−Ａ２、及び一点鎖線Ｃ１−Ｃ２に対応する断面概略図であり、図１Ｃは、一点鎖線Ｂ１−Ｂ２に対応する断面概略図である。

　図１Ｂには、発光素子１１０Ｒ、発光素子１１０Ｇ、及び発光素子１１０Ｂの断面を示している。図１Ｂにおいて、発光素子１１０Ｒ、発光素子１１０Ｇ、及び発光素子１１０Ｂは基板１０１上に設けられている。発光素子１１０Ｒは、画素電極１１１Ｒ、ＥＬ層１１２Ｒ、共通層１１４、及び共通電極１１３を有する。発光素子１１０Ｇは、画素電極１１１Ｇ、ＥＬ層１１２Ｇ、共通層１１４、及び共通電極１１３を有する。発光素子１１０Ｂは、画素電極１１１Ｂ、ＥＬ層１１２Ｂ、共通層１１４、及び共通電極１１３を有する。また、各発光素子の間に埋め込まれるように、絶縁層１３１（絶縁層１３１ａ、絶縁層１３１ｂ）と、絶縁層１３１上の絶縁層１３２が設けられる。また、共通電極１１３上に保護層１２１が設けられる。なお、以下において、画素電極１１１Ｒ、画素電極１１１Ｇ、及び画素電極１１１Ｂをまとめて画素電極１１１と呼ぶ場合がある。また、ＥＬ層１１２Ｒ、ＥＬ層１１２Ｇ、及びＥＬ層１１２ＢをまとめてＥＬ層１１２と呼ぶ場合がある。

　また、図２Ａに、図１Ｂにおいて四角い一点鎖線で囲んだ領域の拡大図を示す。また、図２Ａに示す絶縁層１３１の近傍の変形例を図２Ｂ乃至図３Ｃに示す。なお、本明細書等において、拡大前の図面において、見やすくするために、層及び膜の厚さを厚く記載する場合がある。また、拡大後の図面において、表示装置が有する各構成要素の間の距離などが実際とは異なる場合がある。

　発光素子１１０Ｒは、画素電極１１１Ｒと共通電極１１３との間に、ＥＬ層１１２Ｒを有する。ＥＬ層１１２Ｒは、少なくとも赤色の波長域に強度を有する光を発する発光性の有機化合物を有する。発光素子１１０Ｇは、画素電極１１１Ｇと共通電極１１３との間に、ＥＬ層１１２Ｇを有する。ＥＬ層１１２Ｇは、少なくとも緑色の波長域に強度を有する光を発する発光性の有機化合物を有する。発光素子１１０Ｂは、画素電極１１１Ｂと共通電極１１３との間に、ＥＬ層１１２Ｂを有する。ＥＬ層１１２Ｂは、少なくとも青色の波長域に強度を有する光を発する発光性の有機化合物を有する。

　図１Ｂおよび図１Ｃにおいて、共通層１１４は、発光素子１１０の画素電極１１１と共通電極１１３の間に設けられる。共通層１１４は、各発光素子に共通な一続きの層として設けられている。この場合、共通層１１４は、ＥＬ層１１２の上面に接して設けられることが好ましい。さらに共通電極１１３が、共通層１１４の上面に接して設けられることが好ましい。なお、発光素子１１０が共通層１１４を有さない構成としてもよい。この場合、共通電極１１３が、ＥＬ層１１２の上面に接して設けられることが好ましい。

　また図１Ａには、共通電極１１３と電気的に接続する接続電極１１１Ｃを示している。接続電極１１１Ｃは、共通電極１１３に供給するための電位（例えばアノード電位、またはカソード電位）が与えられる。接続電極１１１Ｃは、発光素子１１０Ｒなどが配列する表示領域の外に設けられる。また、図１Ａには、共通電極１１３を破線で示している。

　接続電極１１１Ｃは、表示領域の外周に沿って設けることができる。例えば、表示領域の外周の一辺に沿って設けられていてもよいし、表示領域の外周の２辺以上に沿って設けられていてもよい。すなわち、表示領域の上面形状が長方形である場合には、接続電極１１１Ｃの上面形状は、帯状、Ｌ字状、コの字状（角括弧状）、または四角形状などとすることができる。

　また、図１ＢのＣ１−Ｃ２の断面は、接続電極１１１Ｃと、共通電極１１３と、が電気的に接続する領域１３０を示している。なお、図１Ｂにおいては、接続電極１１１Ｃと共通電極１１３との間に共通層１１４が設けられる例を示すが、図１Ｄに示すように、領域１３０において、共通層１１４を設けない構成としてもよい。図１Ｄに示す構成においては、接続電極１１１Ｃと共通電極１１３が接しており、接触抵抗をより低くすることができる。

　また、領域１３０においても、共通電極１１３を覆って保護層１２１が設けられている。

　ＥＬ層１１２Ｒ、ＥＬ層１１２Ｇ、及びＥＬ層１１２Ｂは、それぞれ発光性の有機化合物を含む層（発光層）を有する。発光層は、発光物質（ゲスト材料）に加えて、１種または複数種の化合物（ホスト材料、アシスト材料）を有していてもよい。ホスト材料、アシスト材料としては、発光物質（ゲスト材料）のエネルギーギャップより大きなエネルギーギャップを有する物質を、一種もしくは複数種選択して用いることができる。ホスト材料、アシスト材料としては、励起錯体を形成する化合物を組み合わせて用いることが好ましい。効率よく励起錯体を形成するためには、正孔を受け取りやすい化合物（正孔輸送性材料）と、電子を受け取りやすい化合物（電子輸送性材料）とを組み合わせることが特に好ましい。

　発光素子には低分子系化合物及び高分子系化合物のいずれを用いることもでき、無機化合物（量子ドット材料等）を含んでいてもよい。

　ＥＬ層１１２Ｒ、ＥＬ層１１２Ｇ、及びＥＬ層１１２Ｂのそれぞれは、発光層のほかに、電子注入層、電子輸送層、正孔注入層、及び正孔輸送層のうち、一以上を有していてもよい。

　画素電極１１１Ｒ、画素電極１１１Ｇ、及び画素電極１１１Ｂは、それぞれ発光素子毎に設けられている。また、共通電極１１３は、各発光素子に共通な一続きの層として設けられている。各画素電極と共通電極１１３のいずれか一方に可視光に対して透光性を有する導電膜を用い、他方に反射性を有する導電膜を用いる。各画素電極を透光性、共通電極１１３を反射性とすることで、下面射出型（ボトムエミッション型）の表示装置とすることができる。反対に各画素電極を反射性、共通電極１１３を透光性とすることで、上面射出型（トップエミッション型）の表示装置とすることができる。なお、各画素電極と共通電極１１３の双方を透光性とすることで、両面射出型（デュアルエミッション型）の表示装置とすることもできる。

　画素電極１１１として、可視光に対して反射性を有する導電膜を用いる場合には例えば、銀、アルミニウム、チタン、タンタル、モリブデン、白金、金、窒化チタン、窒化タンタル等を用いることができる。また、画素電極１１１として合金を用いることができる。例えば、銀を含む合金を用いることができる。銀を含む合金として例えば、銀、パラジウムおよび銅を含む合金を用いることができる。また例えば、アルミニウムを含む合金を用いることができる。また、これらの材料を２層以上、積層して用いてもよい。

　また、画素電極１１１として、可視光に対して反射性を有する導電膜上に、可視光に対して透光性を有する導電膜を積層して用いることができる。可視光に対して透光性を有する導電性材料として、酸化インジウム、インジウム錫酸化物、インジウム亜鉛酸化物、酸化亜鉛、ガリウムを含む酸化亜鉛、シリコンを含むインジウム錫酸化物、シリコンを含むインジウム亜鉛酸化物などの導電性酸化物を用いることができる。また、可視光に対して反射性を有する導電性材料を酸化した、酸化物には、透光性を有するものがある。よって、可視光に対して透光性を有する導電性材料として、該酸化物を用いてもよい。該酸化物は、可視光に対して反射性を有する導電性材料の表面を酸化することにより形成されてもよい。具体的には例えば、酸化チタンを用いてもよい。酸化チタンは例えば、チタンの表面を酸化することに形成されてもよい。

　画素電極１１１の表面に酸化物を設けることにより、ＥＬ層１１２の形成の際に、画素電極１１１との酸化反応などを抑制することができる。

　また、画素電極１１１として、可視光に対して反射性を有する導電膜上に、可視光に対して透光性を有する導電膜を積層して設けることにより、可視光に対して透光性を有する導電膜を光学調整層として機能させることができる。

　画素電極１１１が光学調整層を有することにより、光路長を調整することができる。各発光素子における光路長は例えば、光学調整層の厚さと、ＥＬ層１１２において発光性の化合物を含む膜より下層に設けられる層の厚さの和に対応する。

　発光素子において、マイクロキャビティ構造（微小共振器構造）を用いて光路長を異ならせることにより、特定の波長の光を強めることができる。これにより、色純度が高められた表示装置を実現することができる。

　例えば、各発光素子において、ＥＬ層１１２の厚さを異ならせることにより、マイクロキャビティ構造を実現することができる。例えば、最も波長の長い光を発する発光素子１１０ＲのＥＬ層１１２Ｒを最も厚く、最も波長の短い光を発する発光素子１１０ＢのＥＬ層１１２Ｂを最も薄い構成にすることができる。なお、これに限られず、各発光素子が発する光の波長、発光素子を構成する層の光学特性、及び発光素子の電気特性などを考慮して、各ＥＬ層の厚さを調整することができる。

　また、図１Ｂ及び図１Ｃなどに示すように、ＥＬ層１１２は、画素電極１１１の平坦部の上のみに形成され、画素電極１１１の端部を乗り越えて形成されないことが好ましい。別言すると、ＥＬ層１１２の端部が、画素電極１１１の端部より内側に位置することが好ましい。このような構成にすることで、画素電極１１１の段差に起因して、ＥＬ層１１２に段切れが生じることを抑制することができる。また、当該段切れによって、共通層１１４及び共通電極１１３にさらに段切れが生じるのを防ぐことができる。

　なお、本発明は上記に限られるものではない。図６Ａ及び図６Ｂに示すように、画素電極１１１の上面及び端部が、ＥＬ層１１２により覆われる構造にしてもよい。この場合、ＥＬ層１１２の端部は、画素電極１１１の端部よりも外側に位置する。ここで、図６Ａは、図１Ａ中の一点鎖線Ａ１−Ａ２、及び一点鎖線Ｃ１−Ｃ２に対応する断面概略図であり、図６Ｂは、一点鎖線Ｂ１−Ｂ２に対応する断面概略図である。

　ＥＬ層１１２が画素電極１１１の上面及び端部を覆うことにより、画素電極１１１を露出させずに、ＥＬ層１１２の形成工程、絶縁層１３１の形成工程、等を行うことができる。これにより、ＥＬ層１１２の形成工程、絶縁層１３１の形成工程、等において、画素電極１１１の損傷を低減することができるので、発光素子１１０の歩留まりを向上させることができ、発光素子１１０の表示品位を向上させることができる。

　また、図６Ｃ及び図６Ｄに示すように、ＥＬ層１１２の端部と画素電極１１１の端部が概略一致する構成にしてもよい。ここで、図６Ｃは、図１Ａ中の一点鎖線Ａ１−Ａ２、及び一点鎖線Ｃ１−Ｃ２に対応する断面概略図であり、図６Ｄは、一点鎖線Ｂ１−Ｂ２に対応する断面概略図である。

　隣接する発光素子１１０の間には、絶縁層１３１が設けられている。絶縁層１３１は、発光素子１１０が有するそれぞれのＥＬ層１１２の間に位置する。また、絶縁層１３１上には、絶縁層１３２が設けられている。また、絶縁層１３２上には、共通電極１１３が設けられている。つまり、絶縁層１３１は、絶縁層１３２を介して共通電極１１３と重なっている。

　絶縁層１３１及び絶縁層１３２は例えば、それぞれが異なる色を呈する２つのＥＬ層１１２の間に設けられる。あるいは絶縁層１３１及び絶縁層１３２は例えば、同じ色を呈する２つのＥＬ層１１２の間に設けられる。あるいは絶縁層１３１及び絶縁層１３２が、異なる色を呈する２つのＥＬ層１１２の間に設けられ、同じ色を呈する２つのＥＬ層１１２の間には設けられない構成としてもよい。

　例えば、図１Ａ乃至図１Ｃに示すように、絶縁層１３１及び絶縁層１３２は、上面視において網目状（格子状、又はマトリクス状ということもできる）の形状を有するように、隣接画素間のＥＬ層１１２間に配置されている。

　ＥＬ層１１２Ｒ、ＥＬ層１１２Ｇ、及びＥＬ層１１２Ｂは、それぞれ画素電極の上面に接する領域と、絶縁層１３１の側面に接する領域と、を有することが好ましい。ＥＬ層１１２Ｒ、ＥＬ層１１２Ｇ、及びＥＬ層１１２Ｂの端部は、絶縁層１３１の側面と接することが好ましい。また、図１Ｂ及び図１Ｃ等に示すように、画素電極１１１Ｒ、画素電極１１１Ｇ、及び画素電極１１１Ｂの端部も、絶縁層１３１の側面と接することが好ましい。

　異なる色の発光素子間に絶縁層１３１を設けることにより、ＥＬ層１１２Ｒ、ＥＬ層１１２Ｇ、及びＥＬ層１１２Ｇが、互いに接することを抑制することができる。これにより、隣接する２つのＥＬ層を介して電流が流れ、意図しない発光が生じることを好適に防ぐことができる。そのため、コントラストを高めることができ、表示品位の高い表示装置を実現できる。

　なお、隣接する同色を呈する画素間において絶縁層１３１を設けずに、異なる色を呈する画素間においてのみ絶縁層１３１を形成してもよい。この場合、上面視においてストライプ形状を有する絶縁層１３１とすることができる。絶縁層１３１をストライプ形状とすることで、格子状の形状を有する場合と比較して絶縁層１３１を形成するために必要なスペースが不要となるため、開口率を高めることができる。絶縁層１３１をストライプ形状とする場合、隣接する同色のＥＬ層は列方向に地続きになるように帯状に加工されていてもよい。

　隣接する発光素子間において、ＥＬ層１１２の端部近傍では、ＥＬ層１１２が設けられる領域と、画素電極１１１が設けられる領域と、ＥＬ層１１２及び画素電極１１１が設けられない領域と、に起因する段差が生じている。本発明の一態様の表示装置は、絶縁層１３１を有することで当該段差を平坦化させ、共通電極１１３が隣接する発光素子の間で基板１０１と接して設けられる場合と比較して、共通電極１１３の被覆性を向上させることができるため、段切れによる接続不良を抑制することができる。または、段差によって共通電極１１３が局所的に薄膜化して電気抵抗が上昇することを抑制することができる。

　本発明の一態様は、隣接して配置されるＥＬ層１１２の間に絶縁層１３１を設けることにより、共通電極１１３の形成面の凹凸を小さくすることができるため、ＥＬ層１１２の端部近傍における共通電極１１３の被覆性を高めることができ、共通電極１１３の良好な導電性を実現することができる。

　絶縁層１３１は、絶縁層１３１ａと、絶縁層１３１ａの下に設けられた絶縁層１３１ｂと、を有する。絶縁層１３１ｂは、発光素子１１０が有するそれぞれのＥＬ層１１２の側面に接するように設けられる。また、絶縁層１３１ｂは、発光素子１１０が有するそれぞれの画素電極１１１の側面に接するように設けられることが好ましい。例えば、図１Ｂ及び図１Ｃに示すように、絶縁層１３１ｂは、発光素子１１０が有するそれぞれのＥＬ層１１２の側面及び画素電極１１１の側面を覆うように設けられることが好ましい。

　また、絶縁層１３１ｂは、絶縁層１３１ａの側面及び下面に接して設けられる。言い換えると、断面視において、絶縁層１３１ａは、絶縁層１３１ｂの凹部を充填するように、絶縁層１３１ｂ上に接して設けられている。

　以上のような構成にすることで、図１Ｂ及び図１Ｃに示すように、絶縁層１３１ａは、絶縁層１３１ｂを介して、ＥＬ層１１２の側面と重なる（対向するということもできる。）ように設けられる。つまり、絶縁層１３１ａは、絶縁層１３１ｂによって、ＥＬ層１１２と離隔されている。

　絶縁層１３１ｂは、ＥＬ層１１２の側面と接する領域を有し、ＥＬ層１１２の保護絶縁層として機能する。絶縁層１３１ｂは、酸素及び水分の少なくとも一方に対してバリア性を有することが好ましい。このような絶縁層１３１ｂによって、絶縁層１３１ａとＥＬ層１１２を離隔することで、ＥＬ層１１２の側面から内部へ酸素、水分、またはこれらの構成元素が侵入することを抑制でき、信頼性の高い表示装置とすることができる。

　断面視においてＥＬ層１１２の側面と接する領域における絶縁層１３１ｂの幅が大きいと、ＥＬ層１１２の間隔が大きくなり、開口率が低くなってしまう場合がある。また、絶縁層１３１ｂの幅が小さいと、ＥＬ層１１２の側面から内部へ酸素、水分、またはこれらの構成元素が侵入することを抑制する効果が小さくなってしまう場合がある。ＥＬ層１１２の側面と接する領域における絶縁層１３１ｂの幅は、３ｎｍ以上２００ｎｍ以下が好ましく、さらには３ｎｍ以上１５０ｎｍ以下が好ましく、さらには５ｎｍ以上１５０ｎｍ以下が好ましく、さらには５ｎｍ以上１００ｎｍ以下が好ましく、さらには１０ｎｍ以上１００ｎｍ以下が好ましく、さらには１０ｎｍ以上５０ｎｍ以下が好ましい。絶縁層１３１ｂの幅を前述の範囲とすることで、高い開口率を有し、かつ信頼性の高い表示装置とすることができる。

　絶縁層１３１ｂは、無機材料を有する絶縁層とすることができる。絶縁層１３１ｂとして、酸化アルミニウム、酸化マグネシウム、酸化ハフニウム、酸化ガリウム、インジウムガリウム亜鉛酸化物、酸化シリコン、酸化窒化シリコン、窒化シリコン、または窒化酸化シリコンなどを単層で、又は積層して用いることができる。特に、酸化アルミニウムは、エッチングにおいて、ＥＬ層１１２との選択比が高く、後述する絶縁層１３１ｂの形成において、ＥＬ層１１２を保護する機能を有するため、好ましい。特に原子層堆積（ＡＬＤ：Ａｔｏｍｉｃ　Ｌａｙｅｒ　Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法により形成した酸化アルミニウム、酸化ハフニウム、酸化シリコンなどの無機絶縁材料を絶縁層１３１ｂとして用いることにより、ピンホールの少ない膜とすることができ、ＥＬ層１１２を保護する機能に優れた絶縁層１３１ｂとすることができる。

　なお、本明細書中において、酸化窒化物とは、その組成として窒素よりも酸素の含有量が多い材料を指し、窒化酸化物とは、その組成として酸素よりも窒素の含有量が多い材料を指す。例えば、酸化窒化シリコンと記載した場合は、その組成として窒素よりも酸素の含有量が多い材料を指し、窒化酸化シリコンと記載した場合は、その組成として、酸素よりも窒素の含有量が多い材料を示す。

　絶縁層１３１ｂの形成は、スパッタリング法、化学気相成長（ＣＶＤ：Ｃｈｅｍｉｃａｌ　Ｖａｐｏｒ　Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法、分子線エピタキシー（ＭＢＥ：Ｍｏｌｅｃｕｌａｒ　Ｂｅａｍ　Ｅｐｉｔａｘｙ）法、パルスレーザ堆積（ＰＬＤ：Ｐｕｌｓｅｄ　Ｌａｓｅｒ　Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法、ＡＬＤ法などを用いることができる。絶縁層１３１ｂの形成は、被覆性が良好なＡＬＤ法を好適に用いることができる。

　また、絶縁層１３１ｂは、図２Ａに示すように、絶縁層１３１ｂ１と、絶縁層１３１ｂ１上の絶縁層１３１ｂ２の積層膜にすることが好ましい。絶縁層１３１ｂ１及び絶縁層１３１ｂ２としては、上述の絶縁層１３１ｂに用いることができる無機材料を適宜用いればよい。例えば、絶縁層１３１ｂ１として、ＡＬＤ法で成膜された酸化アルミニウムを用い、絶縁層１３１ｂ２として、スパッタリング法で成膜された窒化シリコンを用いればよい。このような構成にすることで、絶縁層１３１ｂ１を被覆性良く、ピンホールの少ない膜として形成し、且つ絶縁層１３１ｂ２として窒化シリコンを設けることで、酸素及び水分に対するバリア性を向上させることができる。

　なお、本発明は図２Ａに示す構成に限られるものではない。例えば、図２Ｂに示すように、絶縁層１３１ｂ１として、ＡＬＤ法で成膜した酸化アルミニウムを単層で設ける構成にしてもよい。

　絶縁層１３１ｂ上に設けられる絶縁層１３１ａは、隣接する発光素子間に形成された絶縁層１３１ｂの凹部を平坦化する機能を有する。換言すると、絶縁層１３１ａを有することで共通電極１１３の形成面の平坦性を向上させる効果を奏する。絶縁層１３１ａとしては、有機材料を有する絶縁層を好適に用いることができる。例えば、絶縁層１３１ａとして、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂、エポキシ樹脂、ポリアミド樹脂、ポリイミドアミド樹脂、シロキサン樹脂、ベンゾシクロブテン系樹脂、フェノール樹脂、及びこれら樹脂の前駆体等を適用することができる。また、絶縁層１３１ａとして、感光性の樹脂を用いることができる。感光性の樹脂は、ポジ型の材料、またはネガ型の材料を用いることができる。

　絶縁層１３１ａを、感光性の樹脂を用いて形成することにより、露光及び現像の工程のみで絶縁層１３１ａを作製することができる。

　共通電極１１３の形成面の平坦性を向上させるために、ＥＬ層１１２の端部において、絶縁層１３１ａの上面、及び絶縁層１３１ｂの上面が、ＥＬ層１１２の上面と概略一致するようにしてもよい。また、絶縁層１３１の上面は平坦な形状を有することが好ましい。ただし、絶縁層１３１ａの上面、絶縁層１３１ｂの上面及びＥＬ層１１２の上面は必ずしも一致していなくてもよい。

　例えば、絶縁層１３１ａの上面とＥＬ層１１２の上面の高さの差は、絶縁層１３１ａの厚さの０．５倍以下が好ましく、絶縁層１３１ａの厚さの０．３倍以下がより好ましい。また例えば、ＥＬ層１１２の上面が絶縁層１３１ａの上面よりも高くなるように、絶縁層１３１ａを設けてもよい。また例えば、絶縁層１３１ａの上面が、ＥＬ層１１２が有する発光層の上面よりも高くなるように、絶縁層１３１ａを設けてもよい。

　また、異なる色に対応するＥＬ層１１２において、ＥＬ層１１２の上面の高さが異なる場合には、絶縁層１３１ａの上面の高さが、それぞれのＥＬ層の近傍において、該ＥＬ層の上面の高さと概略一致するようにしてもよい。また、絶縁層１３１ｂの上面の高さが、それぞれのＥＬ層の側面と接する領域において、該ＥＬ層の高さと概略一致するようにしてもよい。例えば、図２Ａ等に示すように、絶縁層１３１ａの上面の高さが、ＥＬ層１１２Ｂの近傍においては、ＥＬ層１１２Ｂの上面の高さと概略一致し、ＥＬ層１１２Ｒの近傍においては、ＥＬ層１１２Ｒの上面の高さと概略一致する、構成にしてもよい。また例えば、絶縁層１３１ｂの上面の高さが、ＥＬ層１１２Ｂの側面に接する領域においてはＥＬ層１１２Ｂの上面の高さと概略一致し、ＥＬ層１１２Ｒの側面に接する領域においてはＥＬ層１１２Ｒの上面の高さと概略一致する、構成にしてもよい。

　また、図２Ｃに示すように、絶縁層１３１ａの上面が、中央及びその近傍において窪んだ形状（凹曲面形状と呼ぶ場合がある）を有する構成にしてもよい。また、これに限られず、絶縁層１３１ａの上面が、中央及びその近傍において膨らんだ形状（凸曲面形状と呼ぶ場合がある）を有する構成にしてもよい。

　さらに、絶縁層１３１ａ及び絶縁層１３１ｂの上に、絶縁層１３２が設けられる。絶縁層１３２は、絶縁層１３１と共通電極１１３の間に設けられる。なお、共通層１１４が設けられない場合、絶縁層１３２の上面は、各ＥＬ層１１２の上面と同様に、共通電極１１３の下面に接することが好ましい。このように、絶縁層１３１ａは、絶縁層１３２を介して、共通電極１１３と重なっている。つまり、絶縁層１３１ａは、絶縁層１３２によって、共通電極１１３と離隔されている。

　なお、共通層１１４が設けられる場合、絶縁層１３２の上面は、各ＥＬ層１１２の上面と同様に、共通層１１４の下面に接することが好ましい。この場合、絶縁層１３１ａは、絶縁層１３２を介して、共通層１１４及び共通電極１１３と重なっている。つまり、絶縁層１３１ａは、絶縁層１３２によって、共通層１１４及び共通電極１１３と離隔されている。

　絶縁層１３２は、共通電極１１３または共通層１１４の下面と接する領域を有し、共通電極１１３及び共通層１１４の保護絶縁層として機能する。絶縁層１３２は、酸素及び水分の少なくとも一方に対してバリア性を有することが好ましい。このような絶縁層１３２によって、絶縁層１３１ａと共通電極１１３及び共通層１１４を離隔することで、共通電極１１３及び共通層１１４の下面から内部へ酸素、水分、またはこれらの構成元素が侵入することを抑制でき、共通電極１１３及び共通層１１４が酸化するのを抑制することができる。これにより、図１等に示す表示装置を、表示品位及び信頼性の高い表示装置とすることができる。

　絶縁層１３２としては、上述の絶縁層１３１ｂに用いることができる、酸素及び水分の少なくとも一方に対してバリア性を有する無機材料を用いればよい。特に、酸素及び水分に対するバリア性が比較的に高い、窒化シリコン、窒化アルミニウム、又は窒化ハフニウムなどの窒化物を用いることが好ましい。また、絶縁層１３２の成膜方法も、上述の絶縁層１３１ｂに用いることができる成膜方法を用いればよい。例えば、絶縁層１３２として、スパッタリング法で成膜された窒化シリコンを用いればよい。

　また、絶縁層１３２は、酸素及び水分の少なくとも一方に対してバリア性を有するにあたって十分な膜厚を有することが好ましい。例えば、絶縁層１３２の膜厚は、３ｎｍ以上２００ｎｍ以下が好ましく、さらには３ｎｍ以上１５０ｎｍ以下が好ましく、さらには５ｎｍ以上１５０ｎｍ以下が好ましく、さらには５ｎｍ以上１００ｎｍ以下が好ましく、さらには１０ｎｍ以上１００ｎｍ以下が好ましく、さらには１０ｎｍ以上５０ｎｍ以下が好ましい。絶縁層１３２の膜厚を前述の範囲とすることで、信頼性の高い表示装置とすることができる。

　絶縁層１３２は、絶縁層１３１ａと重畳しない領域において、絶縁層１３１ｂと接することが好ましい。特に、図２Ａなどに示すように、絶縁層１３１ｂがバリア性の高い窒化物を含む絶縁層１３１ｂ２を含む場合、絶縁層１３１ｂ２が絶縁層１３２に接することが好ましい。また、上面視において、絶縁層１３２と絶縁層１３１ｂが接する領域が、絶縁層１３１ａを取り囲むように形成されることが好ましい。このような構成にすることにより、絶縁層１３１ａは、上面、側面、及び下面を、絶縁層１３２及び絶縁層１３１ｂによって取り囲まれることになる。言い換えると、絶縁層１３１ａは、酸素及び水分の少なくとも一方に対してバリア性を有する、絶縁層１３１ｂ及び絶縁層１３２によって、封止される構造になる。

　有機物を含む絶縁層１３１ａを絶縁層１３１ｂ及び絶縁層１３２によって封止することにより、絶縁層１３１ａから、ＥＬ層１１２、共通層１１４、及び共通電極１１３に酸素、水分、またはこれらの構成元素が、直接的または間接的に拡散することを抑制することができる。これにより、本発明に係る表示装置の表示品位及び信頼性を向上させることができる。

　なお、絶縁層１３２は、隣接するＥＬ層１１２（図２Ａなどでは、ＥＬ層１１２Ｂ及びＥＬ層１１２Ｒ）に重畳しない、または重畳する領域が小さいことが好ましい。例えば、図２Ａ乃至図２Ｃ等に示すように、絶縁層１３１ｂの側面と絶縁層１３２の側面が、概略一致する構成にしてもよい。

　ただし、本発明はこれに限られるものではなく、図３Ａに示すように、絶縁層１３２の一部が隣接するＥＬ層１１２（図３Ａでは、ＥＬ層１１２Ｂ及びＥＬ層１１２Ｒ）に重畳する構成にしてもよい。

　また、絶縁層１３２の一部が隣接するＥＬ層１１２に重畳する場合、当該絶縁層１３２の一部とＥＬ層１１２の間に、絶縁層１３１ｂの一部、および犠牲層１４５の一部が形成される場合がある。なお、犠牲層１４５とは、ＥＬ層１１２を形成する際にハードマスクとして機能する、無機材料を含む層である。犠牲層１４５の詳細については、後述する表示装置の作製方法で説明する。

　例えば、図３Ｂに示すように、絶縁層１３１ｂ（絶縁層１３１ｂ１及び絶縁層１３１ｂ２）は、ＥＬ層１１２Ｂの上に位置し、且つＥＬ層１１２Ｂの上面と重畳する第１の領域と、ＥＬ層１１２Ｒの上に位置し、且つＥＬ層１１２Ｒの上面と重畳する第２の領域と、を有する。絶縁層１３１ｂの第１の領域と、ＥＬ層１１２Ｂの間に犠牲層１４５Ｂ（犠牲層１４５（１）Ｂ及び犠牲層１４５（２）Ｂ）が形成される。また、絶縁層１３１ｂの第２の領域と、ＥＬ層１１２Ｒの間に犠牲層１４５Ｒ（犠牲層１４５（１）Ｒ及び犠牲層１４５（２）Ｒ）が形成される。

　ここで、図３Ｂに示すように、絶縁層１３２及び絶縁層１３１ｂの端部は、断面視において、テーパー形状を有していることが好ましい。このような構成にすることで、絶縁層１３２及び絶縁層１３１ｂの上に形成する、共通層１１４及び共通電極１１３を被覆性良く成膜し、段切れが発生することを抑制することができる。なお、図示していないが、犠牲層１４５Ｂの端部及び犠牲層１４５Ｒの端部も、断面視において、テーパー形状となるように加工してもよい。

　なお、図３Ｂに示す構成では、絶縁層１３１ａの上面が絶縁層１３１ｂの第１の領域の上面及び第２の領域の上面と概略一致しているが、本発明はこれに限られるものではない。例えば、図３Ｃに示すように、絶縁層１３１ａの上面が、絶縁層１３１ｂの第１の領域の上面及び第２の領域の上面より、低い位置になる構成にしてもよい。また、図３Ｃに示すように、図２Ｂに示す構成と同様に、絶縁層１３１ｂを絶縁層１３１ｂ１の単層にする構成にしてもよい。

　また、図１Ｂ及び図１Ｄに示すように、接続電極１１１Ｃの側面に絶縁層１３１及び絶縁層１３２が形成される場合がある。このとき、接続電極１１１Ｃと絶縁層１３１の間に、犠牲層１４５Ｒが形成される場合がある。

　また、共通電極１１３上には、発光素子１１０Ｒ、発光素子１１０Ｇ、及び発光素子１１０Ｂを覆って、保護層１２１が設けられている。保護層１２１は、上方から各発光素子に水などの不純物が拡散することを防ぐ機能を有する。

　保護層１２１としては、例えば、少なくとも無機絶縁膜を含む単層構造または積層構造とすることができる。無機絶縁膜としては、例えば、酸化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜、窒化酸化シリコン膜、窒化シリコン膜、酸化アルミニウム膜、酸化窒化アルミニウム膜、酸化ハフニウム膜などの酸化物膜または窒化物膜が挙げられる。または、保護層１２１としてインジウムガリウム酸化物、インジウムガリウム亜鉛酸化物などの半導体材料を用いてもよい。

　また、保護層１２１として、無機絶縁膜と、有機絶縁膜の積層膜を用いることもできる。例えば、一対の無機絶縁膜の間に、有機絶縁膜を挟んだ構成とすることが好ましい。さらに有機絶縁膜が平坦化膜として機能することが好ましい。これにより、有機絶縁膜の上面を平坦なものとすることができるため、その上の無機絶縁膜の被覆性が向上し、バリア性を高めることができる。また、保護層１２１の上面が平坦となるため、保護層１２１の上方に構造物（例えばカラーフィルタ、タッチセンサの電極、またはレンズアレイなど）を設ける場合に、下方の構造に起因する凹凸形状の影響を軽減できるため好ましい。

　共通層１１４は、共通電極１１３と同様、複数の発光素子にわたって設けられる。共通層１１４は、ＥＬ層１１２Ｒ、ＥＬ層１１２Ｇ、及びＥＬ層１１２Ｂを覆って設けられている。共通層１１４を有する構成とすることで、作製工程を簡略化できるため、作製コストを低減できる。共通層１１４と共通電極１１３は、エッチングなどの工程を挟まずに連続して形成することができる。よって、共通層１１４と共通電極の界面を清浄な面とすることができ、発光素子において、良好な特性を得ることができる。

　ＥＬ層１１２Ｒ、ＥＬ層１１２Ｇ、及びＥＬ層１１２Ｂは例えば、少なくともそれぞれ、一の色を発光する発光材料を含む発光層を有していることが好ましい。また、共通層１１４は例えば、電子注入層、電子輸送層、正孔注入層、または正孔輸送層のうち、一以上を含む層とすることが好ましい。画素電極をアノード、共通電極をカソードとした発光素子においては、共通層１１４として、電子注入層を含む構成、または電子注入層と電子輸送層の２つを含む構成を、用いることができる。

［画素のレイアウト］
　次に、図１Ａとは異なる画素レイアウトについて説明する。副画素の配列に特に限定はなく、様々な方法を適用することができる。副画素の配列としては、例えば、ストライプ配列、Ｓストライプ配列、マトリクス配列、デルタ配列、ベイヤー配列、ペンタイル配列などが挙げられる。

　また、副画素の上面形状としては、例えば、三角形、四角形（長方形、正方形を含む）、五角形などの多角形、これら多角形の角が丸い形状、楕円形、または円形などが挙げられる。ここで、副画素の上面形状は、発光素子の発光領域の上面形状に相当する。

　図４Ａに示す画素１０３には、Ｓストライプ配列が適用されている。図４Ａに示す画素１０３は、副画素１０３ａ、副画素１０３ｂ、及び副画素１０３ｃの、３つの副画素から構成される。例えば、図５Ａに示すように、副画素１０３ａを青色の副画素Ｂとし、副画素１０３ｂを赤色の副画素Ｒとし、副画素１０３ｃを緑色の副画素Ｇとしてもよい。

　図４Ｂに示す画素１０３は、角が丸い略台形の上面形状を有する副画素１０３ａと、角が丸い略三角形の上面形状を有する副画素１０３ｂと、角が丸い略四角形または略六角形の上面形状を有する副画素１０３ｃと、を有する。また、副画素１０３ａは、副画素１０３ｂよりも発光面積が広い。このように、各副画素の形状及びサイズはそれぞれ独立に決定することができる。例えば、信頼性の高い発光素子を有する副画素ほど、サイズを小さくすることができる。例えば、図５Ｂに示すように、副画素１０３ａを緑色の副画素Ｇとし、副画素１０３ｂを赤色の副画素Ｒとし、副画素１０３ｃを青色の副画素Ｂとしてもよい。

　図４Ｃに示す画素１２４ａ、及び画素１２４ｂには、ペンタイル配列が適用されている。図４Ｃでは、副画素１０３ａ及び副画素１０３ｂを有する画素１２４ａと、副画素１０３ｂ及び副画素１０３ｃを有する画素１２４ｂと、が交互に配置されている例を示す。例えば、図５Ｃに示すように、副画素１０３ａを赤色の副画素Ｒとし、副画素１０３ｂを緑色の副画素Ｇとし、副画素１０３ｃを青色の副画素Ｂとしてもよい。

　図４Ｄ及び図４Ｅに示す画素１２４ａ、及び画素１２４ｂは、デルタ配列が適用されている。画素１２４ａは上の行（１行目）に、２つの副画素（副画素１０３ａ、及び副画素１０３ｂ）を有し、下の行（２行目）に、１つの副画素（副画素１０３ｃ）を有する。画素１２４ｂは上の行（１行目）に、１つの副画素（副画素１０３ｃ）を有し、下の行（２行目）に、２つの副画素（副画素１０３ａ、及び副画素１０３ｂ）を有する。例えば、図５Ｄに示すように、副画素１０３ａを赤色の副画素Ｒとし、副画素１０３ｂを緑色の副画素Ｇとし、副画素１０３ｃを青色の副画素Ｂとしてもよい。

　図４Ｄは、各副画素が、角が丸い略四角形の上面形状を有する例であり、図４Ｅは、各副画素が、円形の上面形状を有する例である。

　図４Ｆは、各色の副画素がジグザグに配置されている例である。具体的には、上面視において、列方向に並ぶ２つの副画素（例えば、副画素１０３ａと副画素１０３ｂ、または、副画素１０３ｂと副画素１０３ｃ）の上辺の位置がずれている。例えば、図５Ｅに示すように、副画素１０３ａを赤色の副画素Ｒとし、副画素１０３ｂを緑色の副画素Ｇとし、副画素１０３ｃを青色の副画素Ｂとしてもよい。

　フォトリソグラフィ法では、加工するパターンが微細になるほど、光の回折の影響を無視できなくなるため、露光によりフォトマスクのパターンを転写する際に忠実性が損なわれ、レジストマスクを所望の形状に加工することが困難になる。そのため、フォトマスクのパターンが矩形であっても、角が丸まったパターンが形成されやすい。したがって、副画素の上面形状が、多角形の角が丸い形状、楕円形、または円形などになることがある。

　さらに、本発明の一態様の表示装置の作製方法では、レジストマスクを用いてＥＬ層を島状に加工する。ＥＬ層上に形成したレジスト膜は、ＥＬ層の耐熱温度よりも低い温度で硬化する必要がある。そのため、ＥＬ層の材料の耐熱温度及びレジスト材料の硬化温度によっては、レジスト膜の硬化が不十分になる場合がある。硬化が不十分なレジスト膜は、加工時に所望の形状から離れた形状をとることがある。その結果、ＥＬ層の上面形状が、多角形の角が丸い形状、楕円形、または円形などになることがある。例えば、上面形状が正方形のレジストマスクを形成しようとした場合に、円形の上面形状のレジストマスクが形成され、ＥＬ層の上面形状が円形になることがある。

　なお、ＥＬ層の上面形状を所望の形状とするために、設計パターンと、転写パターンとが、一致するように、あらかじめマスクパターンを補正する技術（ＯＰＣ（Ｏｐｔｉｃａｌ　Ｐｒｏｘｉｍｉｔｙ　Ｃｏｒｒｅｃｔｉｏｎ：光近接効果補正）技術）を用いてもよい。具体的には、ＯＰＣ技術では、マスクパターン上の図形コーナー部などに補正用のパターンを追加する。

［作製方法例１］
　以下では、本発明の一態様の表示装置の作製方法の一例について、図面を参照して説明する。ここでは、上記構成例に係る、図１及び図３Ｂに示す表示装置１００を例に挙げて説明する。図７Ａ乃至図１１Ｃは、以下で例示する表示装置の作製方法の、各工程における断面概略図である。

　なお、表示装置を構成する薄膜（絶縁膜、半導体膜、導電膜等）は、スパッタリング法、ＣＶＤ法、真空蒸着法、ＰＬＤ法、ＡＬＤ法等を用いて形成することができる。ＣＶＤ法としては、プラズマ化学気相堆積（ＰＥＣＶＤ：Ｐｌａｓｍａ　Ｅｎｈａｎｃｅｄ　ＣＶＤ）法、または熱ＣＶＤ法などがある。また、熱ＣＶＤ法のひとつに、有機金属化学気相堆積（ＭＯＣＶＤ：Ｍｅｔａｌ　Ｏｒｇａｎｉｃ　ＣＶＤ）法がある。

　また、表示装置を構成する薄膜（絶縁膜、半導体膜、導電膜等）は、スピンコート、ディップ、スプレー塗布、インクジェット、ディスペンス、スクリーン印刷、オフセット印刷、ドクターナイフ法、スリットコート、ロールコート、カーテンコート、ナイフコート等の方法により形成することができる。

　また、表示装置を構成する薄膜を加工する際には、フォトリソグラフィ法等を用いることができる。それ以外に、ナノインプリント法、サンドブラスト法、リフトオフ法などにより薄膜を加工してもよい。また、メタルマスクなどの遮蔽マスクを用いた成膜方法により、島状の薄膜を直接形成してもよい。

　フォトリソグラフィ法としては、代表的には以下の２つの方法がある。一つは、加工したい薄膜上にレジストマスクを形成して、エッチング等により当該薄膜を加工し、レジストマスクを除去する方法である。もう一つは、感光性を有する薄膜を成膜した後に、露光、現像を行って、当該薄膜を所望の形状に加工する方法である。

　フォトリソグラフィ法において、露光に用いる光は、例えばｉ線（波長３６５ｎｍ）、ｇ線（波長４３６ｎｍ）、ｈ線（波長４０５ｎｍ）、またはこれらを混合させた光を用いることができる。そのほか、紫外線、ＫｒＦレーザ光、またはＡｒＦレーザ光等を用いることもできる。また、液浸露光技術により露光を行ってもよい。また、露光に用いる光として、極端紫外（ＥＵＶ：Ｅｘｔｒｅｍｅ　Ｕｌｔｒａ−ｖｉｏｌｅｔ）光またはＸ線を用いてもよい。また、露光に用いる光に換えて、電子ビームを用いることもできる。極端紫外光、Ｘ線または電子ビームを用いると、極めて微細な加工が可能となるため好ましい。なお、電子ビームなどのビームを走査することにより露光を行う場合には、フォトマスクを用いなくてもよい。

　薄膜のエッチングには、ドライエッチング法、ウェットエッチング法、サンドブラスト法などを用いることができる。

〔基板１０１の準備〕
　基板１０１としては、少なくとも後の熱処理に耐えうる程度の耐熱性を有する基板を用いることができる。基板１０１として、絶縁性基板を用いる場合には、ガラス基板、石英基板、サファイア基板、セラミック基板、有機樹脂基板などを用いることができる。また、シリコンまたは炭化シリコンなどを材料とした単結晶半導体基板、多結晶半導体基板、シリコンゲルマニウム等の化合物半導体基板、ＳＯＩ基板などの半導体基板を用いることができる。

　特に、基板１０１として、上記半導体基板または絶縁性基板上に、トランジスタなどの半導体素子を含む半導体回路が形成された基板を用いることが好ましい。当該半導体回路は、例えば画素回路、ゲート線駆動回路（ゲートドライバ）、ソース線駆動回路（ソースドライバ）などを構成していることが好ましい。また、上記に加えて演算回路、記憶回路などが構成されていてもよい。

　続いて、基板１０１上に画素電極１１１、および接続電極１１１Ｃとなる導電膜を成膜する。続いて、導電膜の一部をエッチングし、基板１０１上に画素電極１１１Ｒ、画素電極１１１Ｇ、画素電極１１１Ｂ、および接続電極１１１Ｃを形成する（図７Ａ）。

　画素電極として可視光に対して反射性を有する導電膜を用いる場合、可視光の波長域全域での反射率ができるだけ高い材料（例えば銀またはアルミニウムなど）を適用することが好ましい。これにより、発光素子の光取り出し効率を高められるだけでなく、色再現性を高めることができる。

〔ＥＬ膜１１２Ｒｆの形成〕
　続いて、画素電極１１１Ｒ、画素電極１１１Ｇ、および画素電極１１１Ｂ上に、後にＥＬ層１１２ＲとなるＥＬ膜１１２Ｒｆを成膜する。

　ＥＬ膜１１２Ｒｆは、少なくとも発光性の化合物を含む膜を有する。このほかに、電子注入層、電子輸送層、電荷発生層、正孔輸送層、または正孔注入層として機能する膜のうち、一以上が積層された構成としてもよい。ＥＬ膜１１２Ｒｆは、例えば蒸着法、スパッタリング法、またはインクジェット法等により形成することができる。なおこれに限られず、上述した成膜方法を適宜用いることができる。

〔犠牲膜１４４（１）Ｒおよび犠牲膜１４４（２）Ｒの形成〕
　続いて、犠牲膜の成膜工程について説明する。

　犠牲膜１４４Ｒは犠牲層１４５Ｒとなる膜である。また、後述する犠牲膜１４４Ｇは犠牲層１４５Ｇとなる膜であり、犠牲膜１４４Ｂは犠牲層１４５Ｂとなる膜である。犠牲層１４５Ｒ、犠牲層１４５Ｇ、及び犠牲層１４５Ｂをまとめて犠牲層１４５と呼ぶ場合がある。犠牲層１４５として単層構造を用いてもよいし、２層以上の積層構造を用いることもできる。

　以下では、２層構造の犠牲層を用いる例を示す。

　以下に示す例においては、犠牲膜１４４Ｒとして、犠牲膜１４４（１）Ｒと犠牲膜１４４（２）Ｒの積層構造を用い、犠牲膜１４４Ｇとして、犠牲膜１４４（１）Ｇと犠牲膜１４４（２）Ｇの積層構造を用い、犠牲膜１４４Ｂとして、犠牲膜１４４（１）Ｂと犠牲膜１４４（２）Ｂの積層構造を用いる。

　犠牲膜１４４（１）Ｒは犠牲層１４５（１）Ｒとなる膜であり、犠牲膜１４４（２）Ｒは犠牲層１４５（２）Ｒとなる膜である。犠牲膜１４４（１）Ｇは犠牲層１４５（１）Ｇとなる膜であり、犠牲膜１４４（２）Ｇは犠牲層１４５（２）Ｇとなる膜である。犠牲膜１４４（１）Ｂは犠牲層１４５（１）Ｂとなる膜であり、犠牲膜１４４（２）Ｂは犠牲層１４５（２）Ｂとなる膜である。

　犠牲膜の成膜工程としてはまず、ＥＬ膜１１２Ｒｆを覆って犠牲膜１４４（１）Ｒを形成する。また、犠牲膜１４４（１）Ｒは、接続電極１１１Ｃの上面に接して設けられる。続いて、犠牲膜１４４（１）Ｒ上に犠牲膜１４４（２）Ｒを形成する。

　犠牲膜１４４（１）Ｒ及び犠牲膜１４４（２）Ｒの形成には、例えば、スパッタリング法、ＡＬＤ法（熱ＡＬＤ法、ＰＥＡＬＤ法を含む）または真空蒸着法を用いることができる。なお、ＥＬ膜１１２Ｒｆ上に直接形成する犠牲膜１４４（１）Ｒは、ＥＬ層へのダメージが少ない方法で形成することが好ましい。よって、犠牲膜１４４（１）Ｒは、スパッタリング法よりも、ＡＬＤ法、または真空蒸着法を用いて、形成すると好適である。

　犠牲膜１４４（１）Ｒとして、金属膜、合金膜、金属酸化物膜、半導体膜、無機絶縁膜などの無機膜を好適に用いることができる。

　また、犠牲膜１４４（１）Ｒとして、酸化物膜を用いることができる。代表的には、酸化シリコン、酸化窒化シリコン、酸化アルミニウム、酸化窒化アルミニウム、酸化ハフニウム、酸化窒化ハフニウムなどの酸化物膜または酸窒化物膜を用いることもできる。また、犠牲膜１４４（１）Ｒとして、例えば窒化物膜を用いることができる。具体的には、窒化シリコン、窒化アルミニウム、窒化ハフニウム、窒化チタン、窒化タンタル、窒化タングステン、窒化ガリウム、窒化ゲルマニウムなどの窒化物を用いることもできる。このような無機絶縁材料は、スパッタリング法、ＣＶＤ法、またはＡＬＤ法等の成膜方法を用いて形成することができる。ＥＬ膜１１２Ｒｆ上に直接形成する犠牲膜１４４（１）Ｒには、特にＡＬＤ法を用いることが好ましい。

　また、犠牲膜１４４（１）Ｒとして、例えば金、銀、白金、マグネシウム、ニッケル、タングステン、クロム、モリブデン、鉄、コバルト、銅、パラジウム、チタン、アルミニウム、イットリウム、ジルコニウム、及びタンタルなどの金属材料、または該金属材料を含む合金材料を用いることができる。特に、アルミニウムまたは銀などの低融点材料を用いることが好ましい。

　また、犠牲膜１４４（１）Ｒとして、インジウムガリウム亜鉛酸化物（Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ酸化物、ＩＧＺＯとも表記する）などの金属酸化物を用いることができる。さらに、酸化インジウム、インジウム亜鉛酸化物（Ｉｎ−Ｚｎ酸化物）、インジウムスズ酸化物（Ｉｎ−Ｓｎ酸化物、ＩＴＯとも表記する）、インジウムチタン酸化物（Ｉｎ−Ｔｉ酸化物）、インジウムスズ亜鉛酸化物（Ｉｎ−Ｓｎ−Ｚｎ酸化物）、インジウムチタン亜鉛酸化物（Ｉｎ−Ｔｉ−Ｚｎ酸化物）、インジウムガリウムスズ亜鉛酸化物（Ｉｎ−Ｇａ−Ｓｎ−Ｚｎ酸化物）などを用いることができる。またはシリコンを含むインジウムスズ酸化物などを用いることもできる。

　なお、上記ガリウムに代えて元素Ｍ（Ｍは、アルミニウム、シリコン、ホウ素、イットリウム、銅、バナジウム、ベリリウム、チタン、鉄、ニッケル、ゲルマニウム、ジルコニウム、モリブデン、ランタン、セリウム、ネオジム、ハフニウム、タンタル、タングステン、またはマグネシウムから選ばれた一種または複数種）を用いた場合にも適用できる。

　犠牲膜１４４（２）Ｒとして、上記に挙げた犠牲膜１４４（１）Ｒとして用いることができる材料を用いることができる。また、上記に挙げた犠牲膜１４４（１）Ｒとして用いることができる材料から、犠牲膜１４４（１）Ｒとして一を選択し、犠牲膜１４４（２）Ｒとして他の一を選択することができる。また、上記に挙げた犠牲膜１４４（１）Ｒとして用いることができる材料のうち、犠牲膜１４４（１）Ｒには一または複数の材料を選択し、犠牲膜１４４（２）Ｒには、犠牲膜１４４（１）Ｒとして選択された材料以外から選択された材料を用いることができる。

　犠牲膜１４４（１）Ｒは、ＥＬ膜１１２Ｒｆなどの各ＥＬ膜のエッチング処理に対する耐性の高い膜、すなわちエッチングの選択比の大きい膜を用いることができる。また、犠牲膜１４４（１）Ｒは、各ＥＬ膜へのダメージの少ないウェットエッチング法により除去可能な膜を用いることが特に好ましい。

　また、犠牲膜１４４（１）Ｒとして、少なくともＥＬ膜１１２Ｒｆの最上部に位置する膜に対して、化学的に安定な溶媒に溶解しうる材料を用いてもよい。特に、水またはアルコールに溶解する材料を、犠牲膜１４４（１）Ｒに好適に用いることができる。犠牲膜１４４（１）Ｒを成膜する際には、水またはアルコールなどの溶媒に溶解させた状態で、湿式の成膜方法で塗布した後に、溶媒を蒸発させるための加熱処理を行うことが好ましい。このとき、減圧雰囲気下での加熱処理を行うことで、低温且つ短時間で溶媒を除去できるため、ＥＬ膜１１２Ｒｆへの熱的なダメージを低減することができ、好ましい。

　犠牲膜１４４（１）Ｒの形成に用いることのできる湿式の成膜方法としては、スピンコート、ディップ、スプレー塗布、インクジェット、ディスペンス、スクリーン印刷、オフセット印刷、ドクターナイフ法、スリットコート、ロールコート、カーテンコート、ナイフコートなどがある。

　犠牲膜１４４（１）Ｒとしては、ポリビニルアルコール（ＰＶＡ）、ポリビニルブチラール、ポリビニルピロリドン、ポリエチレングリコール、ポリグリセリン、プルラン、水溶性のセルロース、またはアルコール可溶性のポリアミド樹脂などの有機材料を用いることができる。

　犠牲膜１４４（２）Ｒには、犠牲膜１４４（１）Ｒとの選択比の大きい膜を用いればよい。

　犠牲膜１４４（１）Ｒとして、ＡＬＤ法により形成した酸化アルミニウム、酸化ハフニウム、酸化シリコンなどの無機絶縁材料を用い、犠牲膜１４４（２）Ｒとして、スパッタリング法により形成した、ＩＧＺＯなどの、インジウムを含む金属酸化物を用いることが特に好ましい。また、犠牲膜１４４（２）Ｒとして、スパッタリング法により形成した、タングステンを用いてもよい。

　また、犠牲膜１４４（２）Ｒとして、ＥＬ膜１１２Ｒｆなどに用いることのできる有機膜を用いてもよい。例えば、ＥＬ膜１１２Ｒｆ、ＥＬ膜１１２Ｇｆ、またはＥＬ膜１１２Ｂｆに用いる有機膜と同じ膜を、犠牲膜１４４（２）Ｒとして用いることができる。このような有機膜を用いることで、ＥＬ膜１１２Ｒｆなどと成膜装置を共通に用いることができるため、好ましい。さらに、ＥＬ膜１１２Ｒｆ等をエッチングする際に、犠牲層１４５（２）Ｒを同時に除去できるため、工程を簡略化できる。

　例えば、ＥＬ膜１１２Ｒｆのエッチングに、フッ素を含むガス（フッ素系ガスともいう）を用いたドライエッチングを用いる場合には、シリコン、窒化シリコン、酸化シリコン、タングステン、チタン、モリブデン、タンタル、窒化タンタル、モリブデンとニオブを含む合金、またはモリブデンとタングステンを含む合金などを、犠牲膜１４４（２）Ｒに用いることができる。ここで、上記フッ素系ガスを用いたドライエッチングに対して、エッチングの選択比を大きくとれる（すなわち、エッチング速度を遅くできる）膜としては、ＩＧＺＯ、ＩＴＯなどの金属酸化物膜などがあり、これを犠牲膜１４４（１）Ｒに用いることができる。

〔レジストマスク１４３ａの形成〕
　続いて、犠牲膜１４４（２）Ｒ上にレジストマスク１４３ａを形成する（図７Ｂ）。なお、図７Ｂには、領域１３０において、ＥＬ膜１１２Ｒｆの成膜を行わない例を示す。ＥＬ膜１１２Ｒｆの成膜において、領域１３０を遮蔽する場合には、メタルマスクを用いることができる。この際に用いるメタルでは表示部の画素領域の遮蔽は行わなくてもよいため、高精細なマスクを用いる必要がない。

　レジストマスク１４３ａは、ポジ型のレジスト材料、またはネガ型のレジスト材料など、感光性の樹脂を含むレジスト材料を用いることができる。

　ここで、犠牲膜１４４（２）Ｒ上にレジストマスク１４３ａを形成する場合、犠牲膜１４４（２）Ｒにピンホールなどの欠陥が存在すると、レジスト材料の溶媒によって、ＥＬ膜１１２Ｒｆが溶解してしまう恐れがある。犠牲膜１４４（１）ＲとしてＡＬＤ法により形成した酸化アルミニウム、酸化ハフニウム、酸化シリコンなどの無機絶縁材料を用いることにより、ピンホールの少ない膜とすることができ、このような不具合が生じることを防ぐことができる。

〔犠牲膜１４４（１）Ｒ及び犠牲膜１４４（２）Ｒのエッチング〕
　続いて、レジストマスク１４３ａに覆われない、犠牲膜１４４（２）Ｒ及び犠牲膜１４４（１）Ｒの一部をエッチングにより除去し、島状または帯状の犠牲層１４５Ｒ（犠牲層１４５（１）Ｒおよび犠牲層１４５（２）Ｒ）を形成する。ここでは、犠牲層１４５（１）Ｒ及び犠牲層１４５（２）Ｒは、画素電極１１１Ｒ上に形成される。また、犠牲層１４５（１）Ｒ及び犠牲層１４５（２）Ｒは、接続電極１１１Ｃを覆うように形成される。

　ここで、レジストマスク１４３ａを用いて犠牲膜１４４（２）Ｒの一部をエッチングにより除去し、犠牲層１４５（２）Ｒを形成した後、レジストマスク１４３ａを除去し、犠牲層１４５（２）Ｒをハードマスクとして、犠牲膜１４４（１）Ｒをエッチングすることが好ましい。犠牲膜１４４（２）Ｒのエッチングには、犠牲膜１４４（１）Ｒとの選択比の高いエッチング条件を用いることが好ましい。ハードマスク形成のエッチングにはウェットエッチングまたはドライエッチングを用いることができるが、ドライエッチングを用いることで、パターンの縮小を抑制できる。例えば犠牲膜１４４（１）Ｒとして、ＡＬＤ法により形成した酸化アルミニウム、酸化ハフニウム、酸化シリコンなどの無機絶縁材料を用い、犠牲膜１４４（２）Ｒとして、スパッタリング法により形成した、ＩＧＺＯなどの、インジウムを含む金属酸化物を用いる場合には、ここで、スパッタリング法により形成された犠牲膜１４４（２）Ｒのエッチングを行い、ハードマスクとする。

　レジストマスク１４３ａの除去は、ウェットエッチングまたはドライエッチングにより行うことができる。特に、酸素ガスをエッチングガスに用いたドライエッチング（プラズマアッシングともいう）により、レジストマスク１４３ａを除去することが好ましい。

　犠牲層１４５（２）Ｒをハードマスクとして犠牲膜１４４（１）Ｒをエッチングすることにより、レジストマスク１４３ａの除去を、ＥＬ膜１１２Ｒｆが犠牲膜１４４（１）Ｒに覆われた状態で行うことができる。特に、ＥＬ膜１１２Ｒｆが酸素に触れると、電気特性に悪影響を及ぼす場合があるため、プラズマアッシングなどの、酸素ガスを用いたエッチングを行う場合には好適である。

　続いて、犠牲層１４５（２）Ｒをマスクとして用いて、犠牲膜１４４（１）Ｒをエッチングにより除去し、島状または帯状の犠牲層１４５（１）Ｒを形成する。なお、本発明の一態様の表示装置の作製方法において、犠牲層１４５（１）Ｒ及び犠牲層１４５（２）Ｒのうち、いずれかを用いない構成としてもよい。

〔ＥＬ膜１１２Ｒｆのエッチング〕
　続いて、犠牲層１４５（１）Ｒに覆われないＥＬ膜１１２Ｒｆの一部をエッチングにより除去し、島状または帯状のＥＬ層１１２Ｒを形成する。

　ＥＬ膜１１２Ｒｆのエッチングには、酸素を主成分に含まないエッチングガスを用いたドライエッチングを用いることが好ましい。これにより、ＥＬ膜１１２Ｒｆの変質を抑制し、信頼性の高い表示装置を実現できる。酸素を主成分に含まないエッチングガスとしては、例えばＣＦ_４、Ｃ_４Ｆ_８、ＳＦ_６、ＣＨＦ_３、Ｃｌ_２、Ｈ_２Ｏ、ＢＣｌ_３、またはＨｅなどの貴ガスが挙げられる。また、上記ガスと、酸素を含まない希釈ガスとの混合ガスをエッチングガスに用いることができる。ここで、ＥＬ膜１１２Ｒｆのエッチングにおいて、犠牲層１４５（２）Ｒの一部を除去してもよい。

　なお、ＥＬ膜１１２Ｒｆのエッチングは上記に限られず、他のガスを用いたドライエッチングにより行ってもよいし、ウェットエッチングにより行ってもよい。

　また、ＥＬ膜１１２Ｒｆのエッチングに酸素ガスを含むエッチングガス、または酸素ガスを用いたドライエッチングを用いると、エッチング速度を高めることができる。そのため、エッチング速度を十分な速さに維持しつつ、低パワーの条件でのエッチングが可能なため、エッチングによるダメージを低減できる。さらに、エッチング時に生じる反応生成物の付着などの不具合を抑制することができる。例えば、上記酸素を主成分に含まないエッチングガスに、酸素ガスを加えたエッチングガスを用いることができる。

　ところで、上述の工程において、酸素を含むガスを用いてＥＬ膜１１２Ｒｆのエッチングを行うと、画素電極１１１Ｇ、及び画素電極１１１Ｂの表面状態が変化する場合がある。例えば、画素電極１１１Ｇ、及び画素電極１１１Ｂの表面が親水性となる。ここで、後の工程で画素電極１１１Ｇと接する領域を有するように形成されるＥＬ膜、及び画素電極１１１Ｂと接する領域を有するように形成されるＥＬ膜は、疎水性である。そのため、画素電極１１１Ｇ及び画素電極１１１Ｂと、後の工程で形成されるＥＬ膜との密着性が低くなり、膜剥がれが生じる恐れがある。

　そこで、画素電極１１１Ｇの表面、及び画素電極１１１Ｂの表面に対して疎水化処理を行うことで、後の工程で形成されるＥＬ膜の膜剥がれを抑制することができる。これにより、表示装置１００を信頼性の高い表示装置とすることができる。また、表示装置１００の作製における歩留まりを高め、表示装置１００の製造コストを低減することができる。疎水化処理は、後述するＥＬ膜１１２Ｇｆ及びＥＬ膜１１２Ｂｆの形成前に行うことが好ましい。

　疎水化処理は、例えば画素電極１１１Ｇ、及び画素電極１１１Ｂへのフッ素修飾により行うことができる。フッ素修飾は例えば、フッ素を有するガスによる処理または加熱処理、フッ素を有するガス雰囲気中におけるプラズマ処理等により行うことができる。フッ素を有するガスとして、例えばフッ素ガスを用いることができ、例えばフルオロカーボンガスを用いることができる。フルオロカーボンガスとして、例えば四フッ化炭素（ＣＦ_４）ガス、Ｃ_４Ｆ_６ガス、Ｃ_２Ｆ_６ガス、Ｃ_４Ｆ_８ガス、Ｃ_５Ｆ_８等の低級フッ化炭素ガスを用いることができる。また、フッ素を有するガスとして、例えばＳＦ_６ガス、ＮＦ_３ガス、ＣＨＦ_３ガスなどを用いることができる。また、これらのガスに、ヘリウムガス、アルゴンガス、または水素ガスなどを適宜添加することができる。

　また、画素電極１１１Ｇの表面、及び画素電極１１１Ｂの表面に対して、アルゴン等の１８族元素を含むガス雰囲気中におけるプラズマ処理を行った後、シリル化剤を用いた処理を行うことで、画素電極１１１Ｇの表面、及び画素電極１１１Ｂの表面を疎水化することができる。シリル化剤として、ヘキサメチルジシラザン（ＨＭＤＳ）、トリメチルシリルイミダゾール（ＴＭＳＩ）等を用いることができる。さらに、画素電極１１１Ｇの表面、及び画素電極１１１Ｂの表面に対して、アルゴン等の１８族元素を含むガス雰囲気中におけるプラズマ処理を行った後、シランカップリング剤を用いた処理を行うことでも、画素電極１１１Ｇの表面、及び画素電極１１１Ｂの表面を疎水化することができる。なお、シリル化剤、またはシランカップリング剤等を用いた処理は、例えばスピンコート法、ディップ法、または気相法等を用いて行えばよい。

〔ＥＬ層１１２Ｇ、ＥＬ層１１２Ｂの形成〕
　続いて、犠牲層１４５（２）Ｒ上、画素電極１１１Ｇ上、及び画素電極１１１Ｂ上にＥＬ層１１２ＧとなるＥＬ膜１１２Ｇｆを成膜する。ＥＬ膜１１２Ｇｆについては、ＥＬ膜１１２Ｒｆの記載を参照することができる。

　続いて、ＥＬ膜１１２Ｇｆ上に犠牲膜１４４（１）Ｇを成膜する。犠牲膜１４４（１）Ｇについては、犠牲膜１４４（１）Ｒの記載を参照することができる。

　続いて、犠牲膜１４４（１）Ｇ上に犠牲膜１４４（２）Ｇを成膜する。犠牲膜１４４（２）Ｇについては、犠牲膜１４４（２）Ｒの記載を参照することができる。

　続いて、犠牲膜１４４（２）Ｇ上にレジストマスク１４３ｂを形成する（図７Ｃ）。

　続いて、犠牲層１４５（１）Ｇ、犠牲層１４５（２）Ｇ及びＥＬ層１１２Ｇを形成する。犠牲層１４５（１）Ｇ、犠牲層１４５（２）Ｇ及びＥＬ層１１２Ｇの形成は、犠牲層１４５（１）Ｒ、犠牲層１４５（２）Ｒ及びＥＬ層１１２Ｒの形成を参照することができる。

　続いて、犠牲層１４５（２）Ｒ上、及び犠牲層１４５（２）Ｇ上、及び画素電極１１１Ｂ上にＥＬ層１１２ＢとなるＥＬ膜１１２Ｂｆを成膜する。ＥＬ膜１１２Ｂｆについては、ＥＬ膜１１２Ｒｆの記載を参照することができる。

　続いて、ＥＬ膜１１２Ｂｆ上に犠牲膜１４４（１）Ｂを成膜する。犠牲膜１４４（１）Ｂについては、犠牲膜１４４（１）Ｒの記載を参照することができる。

　続いて、犠牲膜１４４（１）Ｂ上に犠牲膜１４４（２）Ｂを成膜する。犠牲膜１４４（２）Ｂについては、犠牲膜１４４（２）Ｒの記載を参照することができる。

　続いて、犠牲膜１４４（２）Ｂ上にレジストマスク１４３ｃを形成する（図７Ｄ）。

　続いて、犠牲層１４５（１）Ｂ、犠牲層１４５（２）Ｂ及びＥＬ層１１２Ｂを形成する（図７Ｅ）。犠牲層１４５（１）Ｂ、犠牲層１４５（２）Ｂ及びＥＬ層１１２Ｂの形成は、犠牲層１４５（１）Ｒ、犠牲層１４５（２）Ｒ及びＥＬ層１１２Ｒの形成を参照することができる。

　図７Ｆには、図７Ｅにおいて、四角い一点鎖線で囲んだ領域の拡大図を示す。

〔絶縁層１３１の形成〕
　続いて、絶縁層１３１ｂとなる絶縁膜１３１ｂｆを形成する（図８Ａ）。絶縁膜１３１ｂｆは無機材料を有する膜を適用することが好ましい。例えば、酸化アルミニウム、酸化マグネシウム、酸化ハフニウム、酸化ガリウム、インジウムガリウム亜鉛酸化物、酸化シリコン、酸化窒化シリコン、窒化シリコン、または窒化酸化シリコンなどを有する膜を単層で又は積層して用いることができる。

　絶縁膜１３１ｂｆの形成は、スパッタリング法、化学気相成長（ＣＶＤ）法、分子線エピタキシー（ＭＢＥ）法、パルスレーザ堆積（ＰＬＤ）法、原子層堆積（ＡＬＤ）法などを用いることができる。絶縁膜１３１ｂｆの形成は、被覆性が良好なＡＬＤ法を好適に用いることができる。

　絶縁膜１３１ｂｆとして、酸化アルミニウム、酸化マグネシウム、酸化ハフニウム、酸化ガリウム、インジウムガリウム亜鉛酸化物、酸化シリコン、酸化窒化シリコン、窒化シリコン、または窒化酸化シリコンなどを単層で、又は積層して用いることができる。特に、酸化アルミニウムは、エッチングにおいて、ＥＬ層１１２との選択比が高く、後述する絶縁層１３１ｂの形成において、ＥＬ層１１２を保護する機能を有するため、好ましい。

　絶縁膜１３１ｂｆをＡＬＤ法により形成することにより、ピンホールの少ない膜とすることができ、ＥＬ層１１２を保護する機能に優れた絶縁層１３１ｂとすることができる。

　また、絶縁膜１３１ｂｆの成膜温度は、ＥＬ層１１２の耐熱温度よりも低い温度で形成することが好ましい。例えば、絶縁膜１３１ｂｆとして、ＡＬＤ法により酸化アルミニウムを形成することが好ましい。ＡＬＤ法による絶縁膜１３１ｂｆの形成温度は、６０℃以上１５０℃以下が好ましく、７０℃以上１１５℃以下がより好ましく、８０℃以上１００℃以下がさらに好ましい。このような温度で絶縁膜１３１ｂｆを形成することにより、緻密な絶縁膜を得ることができ、かつ、ＥＬ層１１２へのダメージを低くすることができる。

　また、絶縁膜１３１ｂｆを積層構造にすることが好ましい。例えば、図３Ｂに示すように、絶縁膜１３１ｂｆを、ＡＬＤ法で成膜した酸化アルミニウムを有する絶縁膜１３１ｂ１ｆと、スパッタリング法で成膜した窒化シリコンを有する絶縁膜１３１ｂ２ｆの積層構造にすることができる。窒化シリコンを有する絶縁膜１３１ｂ２ｆを設けることで、絶縁膜１３１ｂｆのバリア性をさらに向上させることができる。また、絶縁膜１３１ｂ１ｆ上にスパッタリング法で絶縁膜１３１ｂ２ｆを成膜するので、ＥＬ層１１２などに与えるダメージを軽減することができる。

　続いて、絶縁層１３１ａとなる絶縁膜１３１ａｆを形成する（図８Ｂ）。絶縁膜１３１ａｆは、絶縁膜１３１ｂｆの凹部を埋めるように設けられる。また、絶縁膜１３１ａｆは、犠牲層１４５、ＥＬ層１１２、画素電極１１１を覆うように設けられる。絶縁膜１３１ａｆは、平坦化膜であることが好ましい。

　絶縁膜１３１ａｆとして、有機材料を有する絶縁膜を適用することが好ましく、有機材料としては樹脂を用いることが好ましい。

　絶縁膜１３１ａｆに用いることができる材料としては、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂、エポキシ樹脂、ポリアミド樹脂、ポリイミドアミド樹脂、シロキサン樹脂、ベンゾシクロブテン系樹脂、フェノール樹脂、及びこれら樹脂の前駆体等が挙げられる。また、絶縁膜１３１ａｆとして、感光性の樹脂を用いることができる。感光性の樹脂は、ポジ型の材料、またはネガ型の材料を用いることができる。

　絶縁膜１３１ａｆを、感光性の樹脂を用いて形成することにより、露光及び現像の工程のみで絶縁層１３１ａを作製することができ、発光素子１１０を構成する各層、特にＥＬ層へのダメージを低減することができる。

　絶縁膜１３１ａｆは、図８Ｂに示すように、被形成面の凹凸を反映した、なだらかな凹凸を有する場合がある。あるいは、絶縁膜１３１ａｆは、被形成面の凹凸の影響が小さく、図８Ｂに比べて、より平坦性が高い場合がある。

　続いて、絶縁層１３１ａを形成する。ここで、絶縁膜１３１ａｆとして感光性の樹脂を用いることにより、レジストマスク、ハードマスク等のエッチングマスクを設けることなく、絶縁層１３１ａを形成することができる。また、感光性の樹脂は露光及び現像の工程のみで加工が可能であるため、ドライエッチング法などを用いることなく絶縁層１３１ａが形成できる。よって、工程の簡略化が可能となる。また、絶縁膜１３１ａｆのエッチングによるＥＬ層のダメージを低減することができる。なお、さらに絶縁層１３１ａの上部の一部をエッチングし、表面の高さを調整してもよい。

　また、絶縁膜１３１ａｆの上面に対し、略均一にエッチングを施すことにより、絶縁層１３１ａを形成してもよい。このように均一にエッチングして平坦化することをエッチバックともいう。ここで、絶縁膜１３１ａｆのエッチバックとしては、例えば、酸素プラズマを用いたアッシングを行えばよい。

　絶縁層１３１ａの形成において、露光及び現像の工程と、エッチバック工程と、を組み合わせて用いてもよい。

　図８Ｃ乃至図９Ｂを用いて、絶縁層１３１ａの形成方法の一例を説明する。図８Ｃには、絶縁膜１３１ａｆとして、感光性の樹脂を用い、露光及び現像の工程を用いて絶縁膜１３１ａｆの加工を行って、絶縁層１３１ａｐを形成する例を示す。図８Ｄは、図８Ｃにおいて、四角い一点鎖線に囲まれた領域の拡大図である。図８Ｃに示す絶縁層１３１ａｐに、さらにエッチングを施すことにより、図９Ａに示す絶縁層１３１ａを形成することができる。図９Ｂは、図９Ａにおいて、四角い一点鎖線に囲まれた領域の拡大図である。

　なお、絶縁層１３１ａの形成において、絶縁膜１３１ｂｆのエッチバックを行う構成にすることもできる。絶縁膜１３１ｂｆのエッチバックは、ドライエッチング法、ウェットエッチング法を用いることができる。また、酸素プラズマを用いたアッシング、等によりエッチングを行ってもよい。また絶縁膜１３１ｂｆのエッチバックとして、化学機械研磨（ＣＭＰ：Ｃｈｅｍｉｃａｌ　Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ　Ｐｏｌｉｃｈｉｎｇ）を用いてもよい。

　ここで、絶縁層１３１ａは複数のＥＬ層１１２の間の領域において凹曲面を有する形状（くぼんだ形状）、凸曲面を有する形状（膨らんだ形状）、等になる場合がある。

　なお、図８Ｃに示す絶縁層１３１ａｐを、絶縁層１３１ａとして用いることもでき、このような場合には、発光素子１１０は、絶縁層１３１ａと、ＥＬ層１１２との間に犠牲層１４５が残存する構成を有する場合がある。

〔絶縁膜１３２ｆの形成〕
　続いて、絶縁層１３２となる絶縁膜１３２ｆを形成する（図９Ｃ）。絶縁膜１３２ｆとしては、上述の絶縁膜１３１ｂｆに用いることができる無機材料を用いればよい。また同様に、上述の絶縁膜１３１ｂｆに用いることができる成膜方法を用いて成膜すればよい。例えば、絶縁膜１３２ｆとして、窒化シリコンをスパッタリング法で成膜すればよい。左記の工程で、絶縁層１３１ａが形成されており、被形成面の平坦性が向上しているので、スパッタリング法を用いて、段切れすることなく絶縁膜１３２ｆを形成することができる。

〔レジストマスク１４８の形成〕
　続いて、絶縁膜１３２ｆ上にレジストマスク１４８を形成する（図９Ｄ）。ここで、レジストマスク１４８は、少なくとも絶縁層１３１ａに重畳するように形成される。レジストマスク１４８は、上述のレジストマスク１４３ａなどと同様の材料及び方法で形成することができる。

〔絶縁膜１３２ｆ、絶縁膜１３１ｂｆ及び犠牲層１４５（２）のエッチング〕
　続いて、絶縁膜１３２ｆ、絶縁膜１３１ｂｆ、犠牲層１４５（２）Ｒ、犠牲層１４５（２）Ｇ、及び犠牲層１４５（２）Ｂ（以下、まとめて犠牲層１４５（２）と呼ぶ）のレジストマスク１４８と重畳していない領域を、エッチング等を用いて、除去する（図１０Ａ）。なお、図１０Ｂは、図１０Ａにおいて、四角い一点鎖線に囲まれた領域の拡大図である。

　これにより、レジストマスク１４８の下に、絶縁層１３２、絶縁層１３１ｂ（絶縁層１３１ｂ１及び絶縁層１３１ｂ２）が形成される。絶縁層１３１ｂは、ＥＬ層１１２及び画素電極１１１の側面を覆うように形成される。また、絶縁層１３２は、絶縁層１３１ａと重畳しない領域において、絶縁層１３１ｂと接するように形成される。このようにして、絶縁層１３１ｂと絶縁層１３２によって、絶縁層１３１ａを封止することができる。これにより、絶縁層１３１ａから、ＥＬ層１１２、共通層１１４、及び共通電極１１３に酸素、水分、またはこれらの構成元素が、直接的または間接的に拡散することを抑制することができる。

　また、犠牲層１４５（１）の上に、犠牲層１４５（２）（図１０Ｂでは、犠牲層１４５（２）Ｂ及び犠牲層１４５（２）Ｒ）の一部が残存する場合がある。絶縁膜１３２ｆ、絶縁膜１３１ｂｆ及び犠牲層１４５（２）のエッチングは、ドライエッチング法、またはウェットエッチング法を用いることができる。

　図１０Ｂ等に示すように、絶縁層１３２及び絶縁層１３１ｂの端部は、断面視において、テーパー形状を有していることが好ましい。このような構成にすることで、絶縁層１３２及び絶縁層１３１ｂの上に形成する、共通層１１４及び共通電極１１３を被覆性良く成膜し、段切れが発生することを抑制することができる。

　また、犠牲層１４５（２）のエッチングには、犠牲層１４５（１）Ｒ、犠牲層１４５（１）Ｇ、及び犠牲層１４５（１）Ｂ（以下、まとめて犠牲層１４５（１）と呼ぶ）との選択比が高い条件を用いることが好ましい。なお、犠牲層１４５（２）の除去を行わない構成にすることもできる。

　上記エッチング後に、レジストマスク１４８を除去する（図１０Ｃ）。レジストマスク１４８の除去は、レジストマスク１４３ａなどと同様の方法で行うことができる。ここでレジストマスク１４８の除去を、酸素プラズマを用いたアッシングで行っても、ＥＬ層１１２が、犠牲層１４５（１）、絶縁層１３２、絶縁層１３１で覆われているので、ＥＬ層１１２にダメージを与えずに行うことができる。

〔犠牲層１４５（１）のエッチング〕
　続いて、犠牲層１４５（１）のエッチングを行う（図１１Ａ）。なお、図１１Ｂは、図１１Ａにおいて、四角い一点鎖線に囲まれた領域の拡大図である。このとき、ＥＬ層１１２Ｒ、ＥＬ層１１２Ｇ、及びＥＬ層１１２Ｂにできるだけダメージを与えない方法を用いることが好ましい。例えば、犠牲層１４５（１）として無機材料を用いることにより、ＥＬ層１１２との選択比を高くできる場合がある。

　図１１Ｂに示すように、絶縁層１３１ｂ（絶縁層１３１ｂ１及び絶縁層１３１ｂ２）は、ＥＬ層１１２Ｂの上に位置し、且つＥＬ層１１２Ｂの上面と重畳する第１の領域と、ＥＬ層１１２Ｒの上に位置し、且つＥＬ層１１２Ｒの上面と重畳する第２の領域が、形成される場合がある。このとき、絶縁層１３１ｂの第１の領域と、ＥＬ層１１２Ｂの間に犠牲層１４５Ｂ（犠牲層１４５（１）Ｂ及び犠牲層１４５（２）Ｂ）が形成される。また、絶縁層１３１ｂの第２の領域と、ＥＬ層１１２Ｒの間に犠牲層１４５Ｒ（犠牲層１４５（１）Ｒ及び犠牲層１４５（２）Ｒ）が形成される。

〔共通層１１４の形成〕
　続いて、共通層１１４の形成を行う。なお、接続電極１１１Ｃ上に共通層１１４を設けない構成とする場合には、共通層１１４の成膜において、接続電極１１１Ｃ上を遮蔽するメタルマスクを用いればよい。この際に用いるメタルマスクでは表示部の画素領域の遮蔽は行わなくてもよいため、高精細なマスクを用いる必要がない。

〔共通電極１１３の形成〕
　続いて、共通層１１４上に共通電極１１３を形成する。共通電極１１３は、例えばスパッタリング法または真空蒸着法などにより形成することができる。なお、共通層１１４を有さない構成の場合には、ＥＬ層１１２Ｒ、ＥＬ層１１２Ｇ、及びＥＬ層１１２Ｂを覆って、共通電極１１３を形成すればよい。

　以上の工程により、発光素子１１０Ｒ、発光素子１１０Ｇ、及び発光素子１１０Ｂを作製することができる。

〔保護層１２１の形成〕
　続いて、共通電極１１３上に、保護層１２１を形成する（図１１Ｃ）。保護層１２１に用いる無機絶縁膜の成膜には、スパッタリング法、ＰＥＣＶＤ法、またはＡＬＤ法を用いることが好ましい。特にＡＬＤ法は、段差被覆性に優れ、ピンホールなどの欠陥が生じにくいため、好ましい。また、有機絶縁膜の成膜には、インクジェット法を用いると、所望のエリアに均一な膜を形成できるため好ましい。

　以上の工程により、図１Ａに示す表示装置１００を作製することができる。

［変形例］
　なお、上記においては、絶縁膜１３２ｆの形成後に、絶縁膜１３１ｂｆ及び犠牲層１４５（２）のエッチングを行ったが、本発明はこれに限られるものではない。例えば、絶縁層１３１ａの形成後に絶縁膜１３１ｂｆ及び犠牲層１４５（２）のエッチングを行い、それから絶縁膜１３２ｆを成膜してもよい。以下、図１２Ａ乃至図１２Ｄを用いて、絶縁膜１３１ｂｆ及び犠牲層１４５（２）のエッチングを先に行う場合の作製方法について説明する。

　まず、図７Ａ乃至図９Ｂに係る工程を上述の通りに行えばよい。ここで、図９Ａに係る工程で絶縁層１３１ａをエッチバックする際、図９Ａ及び図９Ｂに示す絶縁層１３１ａより、絶縁層１３１ａの上面が低くなるようにエッチバックを行うことが好ましい。例えば、絶縁層１３１ａの上面が、隣接する犠牲層１４５（１）の上面より低くなることが好ましい。

　続いて、絶縁膜１３１ｂｆのエッチバック、及び犠牲層１４５（２）の除去を行う（図１２Ａ）。なお、図１２Ｂは、図１２Ａにおいて、四角い一点鎖線に囲まれた領域の拡大図である。絶縁膜１３１ｂｆ及び犠牲層１４５（２）のエッチングは、上述の図１０Ａに係る工程と同様の方法を用いればよい。これにより、絶縁膜１３１ｂｆの犠牲層１４５（１）の上面より上の部分を除去して、絶縁層１３１ｂ（絶縁層１３１ｂ１及び絶縁層１３１ｂ２）が形成され、さらに犠牲層１４５（２）が除去される。

　ここで、図１２Ａ及び図１２Ｂに示すように、絶縁層１３１ｂ１及び絶縁層１３１ｂ２が、ＥＬ層１１２（図１２ＢではＥＬ層１１２Ｂ及びＥＬ層１１２Ｒ）と重ならないことが好ましい。

　なお、図１２Ａの領域１３０に示すように、接続電極１１１Ｃの側面に、犠牲層１４５Ｒが残存して形成される場合がある。

　以下、図９Ｃ乃至図１１Ａに係る工程を、上述の通りに行えばよい。ただし、図１２Ａ及び図１２Ｂに示す工程で、絶縁膜１３１ｂｆのエッチバック、及び犠牲層１４５（２）の除去をすでに行っているので、図１０Ａに係る工程は、絶縁膜１３２ｆを加工して絶縁層１３２を形成する工程だけになる。

　このようにして作製された表示装置１００を、図１２Ｃに示す。なお、図１２Ｄは、図１２Ｃにおいて、四角い一点鎖線に囲まれた領域の拡大図である。

　図１２Ｃ及び図１２Ｄに示すように、絶縁膜１３１ｂｆ及び犠牲層１４５（２）のエッチングを先に行った場合でも、絶縁層１３１ａと重畳しない領域において、絶縁層１３１ｂの上面が絶縁層１３２に接する構造にすることができる。これにより、絶縁層１３１ａを、絶縁層１３１ｂ及び絶縁層１３２によって封止することができる。

　また、本構造では、絶縁層１３２とＥＬ層１１２（図１２Ｂでは、ＥＬ層１１２Ｂ及びＥＬ層１１２Ｒ）の間に、犠牲層１４５（１）（図１２Ｂでは、犠牲層１４５（１）Ｂ及び犠牲層１４５（１）Ｒ）だけが形成される。これにより、絶縁層１３２と隣接するＥＬ層に形成される段差を低くすることができるので、共通層１１４及び共通電極１１３が段切れする恐れを低減することができる。

　本実施の形態は、少なくともその一部を本明細書中に記載する他の実施の形態と適宜組み合わせて実施することができる。

（実施の形態２）
　本実施の形態では、本発明の一態様の表示装置の構成例について説明する。

　本実施の形態の表示装置は、高解像度な表示装置または大型な表示装置とすることができる。したがって、本実施の形態の表示装置は、例えば、テレビジョン装置、デスクトップ型もしくはノート型のパーソナルコンピュータ、コンピュータ用などのモニタ、デジタルサイネージ、パチンコ機などの大型ゲーム機などの比較的大きな画面を備える電子機器の他、デジタルカメラ、デジタルビデオカメラ、デジタルフォトフレーム、携帯電話機、携帯型ゲーム機、スマートフォン、腕時計型端末、タブレット端末、携帯情報端末、音響再生装置の表示部に用いることができる。

［表示装置の構成例］
　図１３に、表示装置４００Ａの斜視図を示し、図１４Ａに、表示装置４００Ａの断面図を示す。

　表示装置４００Ａは、基板４５２と基板４５１とが貼り合わされた構成を有する。図１３では、基板４５２を破線で明示している。

　表示装置４００Ａは、表示部４６２、回路４６４、配線４６５等を有する。図１３では表示装置４００ＡにＩＣ４７３及びＦＰＣ４７２が実装されている例を示している。そのため、図１３に示す構成は、表示装置４００Ａ、ＩＣ（集積回路）、及びＦＰＣを有する表示モジュールということもできる。

　回路４６４としては、例えば走査線駆動回路を用いることができる。

　配線４６５は、表示部４６２及び回路４６４に信号及び電力を供給する機能を有する。当該信号及び電力は、外部からＦＰＣ４７２を介して配線４６５に入力されるか、またはＩＣ４７３から配線４６５に入力される。

　図１３では、ＣＯＧ（Ｃｈｉｐ　Ｏｎ　Ｇｌａｓｓ）方式またはＣＯＦ（Ｃｈｉｐ　Ｏｎ　Ｆｉｌｍ）方式等により、基板４５１にＩＣ４７３が設けられている例を示す。ＩＣ４７３は、例えば走査線駆動回路または信号線駆動回路などを有するＩＣを適用できる。なお、表示装置４００Ａ及び表示モジュールは、ＩＣを設けない構成としてもよい。また、ＩＣを、ＣＯＦ方式等により、ＦＰＣに実装してもよい。

　図１４Ａに、表示装置４００Ａの、ＦＰＣ４７２を含む領域の一部、回路４６４の一部、表示部４６２の一部、及び、端部を含む領域の一部をそれぞれ切断したときの断面の一例を示す。

　図１４Ａに示す表示装置４００Ａは、基板４５１と基板４５２の間に、トランジスタ２０１、トランジスタ２０５、赤色の光を発する発光素子４３０ａ、緑色の光を発する発光素子４３０ｂ、及び、青色の光を発する発光素子４３０ｃ等を有する。

　発光素子４３０ａ、発光素子４３０ｂ、及び発光素子４３０ｃには、実施の形態１で例示した発光素子を適用することができる。

　ここで、表示装置の画素が、互いに異なる色を発する発光素子を有する副画素を３種類有する場合、当該３つの副画素としては、Ｒ、Ｇ、Ｂの３色の副画素、黄色（Ｙ）、シアン（Ｃ）、及びマゼンタ（Ｍ）の３色の副画素などが挙げられる。当該副画素を４つ有する場合、当該４つの副画素としては、Ｒ、Ｇ、Ｂ、白色（Ｗ）の４色の副画素、Ｒ、Ｇ、Ｂ、Ｙの４色の副画素などが挙げられる。

　保護層４１０と基板４５２は接着層４４２を介して接着されている。発光素子の封止には、固体封止構造または中空封止構造などが適用できる。図１４では、基板４５２、接着層４４２、及び基板４５１に囲まれた空間４４３が、不活性ガス（窒素またはアルゴンなど）で充填されており、中空封止構造が適用されている。接着層４４２は、発光素子と重ねて設けられていてもよい。また、基板４５２、接着層４４２、及び基板４５１に囲まれた空間４４３を、接着層４４２とは異なる樹脂で充填してもよい。

　トランジスタ２０５が有する導電層２２２ｂの上面が露出するように絶縁層２１４に設けられる開口部において、該開口部の底面及び側面に沿うように導電層４１８ａ、４１８ｂ、及び４１８ｃの一部が形成される。導電層４１８ａ、４１８ｂ、４１８ｃは、それぞれ、絶縁層２１４に設けられた開口を介して、トランジスタ２０５が有する導電層２２２ｂと接続されている。画素電極は可視光を反射する材料を含み、対向電極は可視光を透過する材料を含む。また、導電層４１８ａ、４１８ｂ、及び４１８ｃの別の一部は、絶縁層２１４上に設けられる。

　導電層４１８ａ、４１８ｂ、及び４１８ｃ上には、画素電極４１１ａ、４１１ｂ、及び４１１ｃが設けられる。画素電極４１１ａ、４１１ｂ、４１１ｃとして、先の実施の形態に示す画素電極１１１を適用することができる。

　また図１４Ａに示すように、導電層４１８ａ、４１８ｂ、及び４１８ｃと、画素電極４１１ａ、４１１ｂ、及び４１１ｃとの間にそれぞれ、絶縁層４１４が設けられてもよい。

　また、画素電極４１１ａ、４１１ｂ、及び４１１ｃ上には、発光素子４３０ａが有するＥＬ層４１６ａ、発光素子４３０ｂが有するＥＬ層４１６ｂ、及び発光素子４３０ｃが有するＥＬ層４１６ｃが設けられる。

　発光素子４３０ａと発光素子４３０ｂの間であり、絶縁層２１４上の領域、及び発光素子４３０ｂと発光素子４３０ｃの間であり、絶縁層２１４上の領域にはそれぞれ、絶縁層４２１が設けられている。絶縁層４２１として、先の実施の形態に示す、絶縁層１３１ａ、絶縁層１３１ｂ、及び絶縁層１３２を参照することができる。

　発光素子が発する光は、基板４５２側に射出される。基板４５２には、可視光に対する透過性が高い材料を用いることが好ましい。

　トランジスタ２０１及びトランジスタ２０５は、いずれも基板４５１上に形成されている。これらのトランジスタは、同一の材料及び同一の工程により作製することができる。

　基板４５１上には、絶縁層２１１、絶縁層２１３、絶縁層２１５、及び絶縁層２１４がこの順で設けられている。絶縁層２１１は、その一部が各トランジスタのゲート絶縁層として機能する。絶縁層２１３は、その一部が各トランジスタのゲート絶縁層として機能する。絶縁層２１５は、トランジスタを覆って設けられる。絶縁層２１４は、トランジスタを覆って設けられ、平坦化層としての機能を有する。なお、ゲート絶縁層の数及びトランジスタを覆う絶縁層の数は限定されず、それぞれ単層であっても２層以上であってもよい。

　トランジスタを覆う絶縁層の少なくとも一層に、水及び水素などの不純物が拡散しにくい材料を用いることが好ましい。これにより、絶縁層をバリア層として機能させることができる。このような構成とすることで、トランジスタに外部から不純物が拡散することを効果的に抑制でき、表示装置の信頼性を高めることができる。

　絶縁層２１１、絶縁層２１３、及び絶縁層２１５としては、それぞれ、無機絶縁膜を用いることが好ましい。無機絶縁膜としては、例えば、窒化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜、酸化シリコン膜、窒化酸化シリコン膜、酸化アルミニウム膜、窒化アルミニウム膜などを用いることができる。また、酸化ハフニウム膜、酸化イットリウム膜、酸化ジルコニウム膜、酸化ガリウム膜、酸化タンタル膜、酸化マグネシウム膜、酸化ランタン膜、酸化セリウム膜、及び酸化ネオジム膜等を用いてもよい。また、上述の絶縁膜を２以上積層して用いてもよい。

　平坦化層として機能する絶縁層２１４には、有機絶縁膜が好適である。有機絶縁膜に用いることができる材料としては、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂、エポキシ樹脂、ポリアミド樹脂、ポリイミドアミド樹脂、シロキサン樹脂、ベンゾシクロブテン系樹脂、フェノール樹脂、及びこれら樹脂の前駆体等が挙げられる。

　ここで、有機絶縁膜は、無機絶縁膜に比べてバリア性が低いことが多い。そのため、有機絶縁膜は、表示装置４００Ａの端部近傍に開口を有することが好ましい。これにより、表示装置４００Ａの端部から有機絶縁膜を介して不純物が入り込むことを抑制することができる。または、有機絶縁膜の端部が表示装置４００Ａの端部よりも内側にくるように有機絶縁膜を形成し、表示装置４００Ａの端部に有機絶縁膜が露出しないようにしてもよい。

　図１４Ａに示す領域２２８では、絶縁層２１４及び絶縁層２１４上の絶縁層４２１ｂの２層積層構造に、開口が形成されている。絶縁層４２１ｂは絶縁層４２１と同じ材料を用いて形成することができる。また、絶縁層４２１ｂは例えば、絶縁層４２１と同じ工程を用いて形成される。開口を覆うように保護層４１０が形成される。保護層４１０として無機層を用いることにより、絶縁層２１４に有機絶縁膜を用いる場合であっても、絶縁層２１４を介して外部から表示部４６２に不純物が入り込むことを抑制できる。従って、表示装置４００Ａの信頼性を高めることができる。

　トランジスタ２０１及びトランジスタ２０５の拡大図を図１４Ｂに示す。トランジスタ２０１及びトランジスタ２０５は、ゲートとして機能する導電層２２１、ゲート絶縁層として機能する絶縁層２１１、チャネル形成領域２３１ｉ及び一対の低抵抗領域２３１ｎを有する半導体層２３１、一対の低抵抗領域２３１ｎの一方と接続する導電層２２２ａ、一対の低抵抗領域２３１ｎの他方と接続する導電層２２２ｂ、ゲート絶縁層として機能する絶縁層２１３、ゲートとして機能する導電層２２３、並びに、導電層２２３を覆う絶縁層２１５を有する。導電層２２２ａ及び導電層２２２ｂのうち、一方はソースとして機能し、他方はドレインとして機能する。絶縁層２１１は、導電層２２１とチャネル形成領域２３１ｉとの間に位置する。絶縁層２１３は、導電層２２３とチャネル形成領域２３１ｉとの間に位置する。

　本実施の形態の表示装置が有するトランジスタの構造は特に限定されない。例えば、プレーナ型のトランジスタ、スタガ型のトランジスタ、逆スタガ型のトランジスタ等を用いることができる。また、トップゲート型またはボトムゲート型のいずれのトランジスタ構造としてもよい。または、チャネルが形成される半導体層の上下にゲートが設けられていてもよい。

　トランジスタ２０１及びトランジスタ２０５には、チャネルが形成される半導体層を２つのゲートで挟持する構成が適用されている。２つのゲートを接続し、これらに同一の信号を供給することによりトランジスタを駆動してもよい。または、２つのゲートのうち、一方に閾値電圧を制御するための電位を与え、他方に駆動のための電位を与えることで、トランジスタの閾値電圧を制御してもよい。

　トランジスタに用いる半導体材料の結晶性についても特に限定されず、非晶質半導体、結晶性を有する半導体（微結晶半導体、多結晶半導体、単結晶半導体、または一部に結晶領域を有する半導体）のいずれを用いてもよい。結晶性を有する半導体を用いると、トランジスタ特性の劣化を抑制できるため好ましい。

　トランジスタの半導体層は、金属酸化物（酸化物半導体ともいう）を有することが好ましい。つまり、本実施の形態の表示装置は、金属酸化物をチャネル形成領域に用いたトランジスタ（以下、ＯＳトランジスタ）を用いることが好ましい。または、トランジスタの半導体層は、シリコンを有していてもよい。シリコンとしては、アモルファスシリコン、結晶性のシリコン（低温ポリシリコン、単結晶シリコンなど）などが挙げられる。

　半導体層は、例えば、インジウムと、Ｍ（Ｍは、ガリウム、アルミニウム、シリコン、ホウ素、イットリウム、スズ、銅、バナジウム、ベリリウム、チタン、鉄、ニッケル、ゲルマニウム、ジルコニウム、モリブデン、ランタン、セリウム、ネオジム、ハフニウム、タンタル、タングステン、及びマグネシウムから選ばれた一種または複数種）と、亜鉛と、を有することが好ましい。特に、Ｍは、アルミニウム、ガリウム、イットリウム、及びスズから選ばれた一種または複数種であることが好ましい。

　特に、半導体層として、インジウム（Ｉｎ）、ガリウム（Ｇａ）、及び亜鉛（Ｚｎ）を含む酸化物（ＩＧＺＯとも記す）を用いることが好ましい。または、半導体層としては、インジウム（Ｉｎ）、アルミニウム（Ａｌ）、及び亜鉛（Ｚｎ）を含む酸化物（ＩＡＺＯとも記す）を用いてもよい。または、半導体層としては、インジウム（Ｉｎ）、アルミニウム（Ａｌ）、ガリウム（Ｇａ）、及び亜鉛（Ｚｎ）を含む酸化物（ＩＡＧＺＯ）を用いてもよい。

　半導体層がＩｎ−Ｍ−Ｚｎ酸化物の場合、当該Ｉｎ−Ｍ−Ｚｎ酸化物におけるＩｎの原子数比はＭの原子数比以上であることが好ましい。このようなＩｎ−Ｍ−Ｚｎ酸化物の金属元素の原子数比として、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝１：１：１またはその近傍の組成、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝１：１：１．２またはその近傍の組成、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝１：３：２またはその近傍の組成、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝１：３：４またはその近傍の組成、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝２：１：３またはその近傍の組成、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝３：１：２またはその近傍の組成、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝４：２：３またはその近傍の組成、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝４：２：４．１またはその近傍の組成、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝５：１：３またはその近傍の組成、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝５：１：６またはその近傍の組成、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝５：１：７またはその近傍の組成、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝５：１：８またはその近傍の組成、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝６：１：６またはその近傍の組成、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝５：２：５またはその近傍の組成、等が挙げられる。なお、近傍の組成とは、所望の原子数比の±３０％の範囲を含む。

　例えば、原子数比がＩｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝４：２：３またはその近傍の組成と記載する場合、Ｉｎを４としたとき、Ｇａが１以上３以下であり、Ｚｎが２以上４以下である場合を含む。また、原子数比がＩｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝５：１：６またはその近傍の組成と記載する場合、Ｉｎを５としたときに、Ｇａが０．１より大きく２以下であり、Ｚｎが５以上７以下である場合を含む。また、原子数比がＩｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝１：１：１またはその近傍の組成と記載する場合、Ｉｎを１としたときに、Ｇａが０．１より大きく２以下であり、Ｚｎが０．１より大きく２以下である場合を含む。

　回路４６４が有するトランジスタと、表示部４６２が有するトランジスタは、同じ構造であってもよく、異なる構造であってもよい。回路４６４が有する複数のトランジスタの構造は、全て同じであってもよく、２種類以上あってもよい。同様に、表示部４６２が有する複数のトランジスタの構造は、全て同じであってもよく、２種類以上あってもよい。

　基板４５１の、基板４５２が重ならない領域には、接続部２０４が設けられている。接続部２０４では、配線４６５が導電層４６６及び接続層２４２を介してＦＰＣ４７２と電気的に接続されている。導電層４６６として、画素電極と同一の導電膜を加工して得られた導電膜、あるいは画素電極と同一の導電膜と光学調整層と同一の導電膜の積層膜を加工して得られた導電膜を用いることができる。接続部２０４の上面では、導電層４６６が露出している。これにより、接続部２０４とＦＰＣ４７２とを接続層２４２を介して電気的に接続することができる。

　基板４５２の基板４５１側の面には、遮光層４１７を設けることが好ましい。また、基板４５２の外側には各種光学部材を配置することができる。光学部材としては、偏光板、位相差板、光拡散層（拡散フィルムなど）、反射防止層、及び集光フィルム等が挙げられる。また、基板４５２の外側には、ゴミの付着を抑制する帯電防止膜、汚れを付着しにくくする撥水性の膜、使用に伴う傷の発生を抑制するハードコート膜、衝撃吸収層等を配置してもよい。

　発光素子を覆う保護層４１０を設けることで、発光素子に水などの不純物が入り込むことを抑制し、発光素子の信頼性を高めることができる。

　表示装置４００Ａの端部近傍の領域２２８において、絶縁層２１４の開口を介して、絶縁層２１５と保護層４１０とが互いに接することが好ましい。特に、絶縁層２１５が有する無機絶縁膜と保護層４１０が有する無機絶縁膜とが互いに接することが好ましい。これにより、有機絶縁膜を介して外部から表示部４６２に不純物が入り込むことを抑制することができる。従って、表示装置４００Ａの信頼性を高めることができる。

　基板４５１及び基板４５２には、それぞれ、ガラス、石英、セラミック、サファイア、樹脂、金属、合金、半導体などを用いることができる。発光素子からの光を取り出す側の基板には、該光を透過する材料を用いる。基板４５１及び基板４５２に可撓性を有する材料を用いると、表示装置の可撓性を高め、フレキシブルディスプレイを実現することができる。また、基板４５１または基板４５２として偏光板を用いてもよい。

　基板４５１及び基板４５２としては、それぞれ、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）等のポリエステル樹脂、ポリアクリロニトリル樹脂、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂、ポリメチルメタクリレート樹脂、ポリカーボネート（ＰＣ）樹脂、ポリエーテルスルホン（ＰＥＳ）樹脂、ポリアミド樹脂（ナイロン、アラミド等）、ポリシロキサン樹脂、シクロオレフィン樹脂、ポリスチレン樹脂、ポリアミドイミド樹脂、ポリウレタン樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂、ポリ塩化ビニリデン樹脂、ポリプロピレン樹脂、ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）樹脂、ＡＢＳ樹脂、セルロースナノファイバー等を用いることができる。基板４５１及び基板４５２の一方または双方に、可撓性を有する程度の厚さのガラスを用いてもよい。

　なお、表示装置に円偏光板を重ねる場合、表示装置が有する基板には、光学等方性の高い基板を用いることが好ましい。光学等方性が高い基板は、複屈折が小さい（複屈折量が小さい、ともいえる）。

　光学等方性が高い基板のリタデーション（位相差）値の絶対値は、３０ｎｍ以下が好ましく、２０ｎｍ以下がより好ましく、１０ｎｍ以下がさらに好ましい。

　光学等方性が高いフィルムとしては、トリアセチルセルロース（ＴＡＣ、セルローストリアセテートともいう）フィルム、シクロオレフィンポリマー（ＣＯＰ）フィルム、シクロオレフィンコポリマー（ＣＯＣ）フィルム、及びアクリルフィルム等が挙げられる。

　また、基板としてフィルムを用いる場合、フィルムが吸水することで、表示パネルにしわが発生するなどの形状変化が生じる恐れがある。そのため、基板には、吸水率の低いフィルムを用いることが好ましい。例えば、吸水率が１％以下のフィルムを用いることが好ましく、０．１％以下のフィルムを用いることがより好ましく、０．０１％以下のフィルムを用いることがさらに好ましい。

　接着層としては、紫外線硬化型等の光硬化型接着剤、反応硬化型接着剤、熱硬化型接着剤、嫌気型接着剤などの各種硬化型接着剤を用いることができる。これら接着剤としてはエポキシ樹脂、アクリル樹脂、シリコーン樹脂、フェノール樹脂、ポリイミド樹脂、イミド樹脂、ＰＶＣ（ポリビニルクロライド）樹脂、ＰＶＢ（ポリビニルブチラル）樹脂、ＥＶＡ（エチレンビニルアセテート）樹脂等が挙げられる。特に、エポキシ樹脂等の透湿性が低い材料が好ましい。また、二液混合型の樹脂を用いてもよい。また、接着シート等を用いてもよい。

　接続層２４２としては、異方性導電フィルム（ＡＣＦ：Ａｎｉｓｏｔｒｏｐｉｃ　Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ　Ｆｉｌｍ）、異方性導電ペースト（ＡＣＰ：Ａｎｉｓｏｔｒｏｐｉｃ　Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ　Ｐａｓｔｅ）などを用いることができる。

　トランジスタのゲート、ソース及びドレインのほか、表示装置を構成する各種配線及び電極などの導電層に用いることのできる材料としては、アルミニウム、チタン、クロム、ニッケル、銅、イットリウム、ジルコニウム、モリブデン、銀、タンタル、及びタングステンなどの金属、並びに、当該金属を主成分とする合金などが挙げられる。これらの材料を含む膜を単層で、または積層構造として用いることができる。

　また、透光性を有する導電材料としては、酸化インジウム、インジウム錫酸化物、インジウム亜鉛酸化物、酸化亜鉛、ガリウムを含む酸化亜鉛などの導電性酸化物またはグラフェンを用いることができる。または、金、銀、白金、マグネシウム、ニッケル、タングステン、クロム、モリブデン、鉄、コバルト、銅、パラジウム、及びチタンなどの金属材料、または、該金属材料を含む合金材料を用いることができる。または、該金属材料の窒化物（例えば、窒化チタン）などを用いてもよい。なお、金属材料、または、合金材料（またはそれらの窒化物）を用いる場合には、透光性を有する程度に薄くすることが好ましい。また、上記材料の積層膜を導電層として用いることができる。例えば、銀とマグネシウムの合金とインジウムスズ酸化物の積層膜などを用いると、導電性を高めることができるため好ましい。これらは、表示装置を構成する各種配線及び電極などの導電層、及び、発光素子が有する導電層（画素電極または共通電極として機能する導電層）にも用いることができる。

　各絶縁層に用いることのできる絶縁材料としては、例えば、アクリル樹脂、エポキシ樹脂などの樹脂、酸化シリコン、酸化窒化シリコン、窒化酸化シリコン、窒化シリコン、酸化アルミニウムなどの無機絶縁材料が挙げられる。

　また、図１４Ｃに、トランジスタ２０１及びトランジスタ２０５において、絶縁層２１３が半導体層の上面及び側面を覆う例を示す。導電層２２２ａ及び導電層２２２ｂは、それぞれ、絶縁層２１３及び絶縁層２１５に設けられた開口を介して低抵抗領域２３１ｎと接続される。

　一方、図１４Ｄに示すトランジスタ２０９では、絶縁層２１３は、半導体層２３１のチャネル形成領域２３１ｉと重なり、低抵抗領域２３１ｎとは重ならない。例えば、導電層２２３をマスクとして絶縁層２１３を加工することで、図１４Ｄに示す構造を作製できる。図１４Ｄでは、絶縁層２１３及び導電層２２３を覆って絶縁層２１５が設けられ、絶縁層２１５の開口を介して、導電層２２２ａ及び導電層２２２ｂがそれぞれ低抵抗領域２３１ｎと接続されている。さらに、トランジスタを覆う絶縁層２１８を設けてもよい。

　また、発光素子を駆動する画素回路に含まれるトランジスタの全てに、チャネルが形成される半導体層にシリコンを有するトランジスタ（以下、Ｓｉトランジスタともいう）を用いてもよい。シリコンとしては、単結晶シリコン、多結晶シリコン、非晶質シリコンなどが挙げられる。特に、半導体層に低温ポリシリコン（ＬＴＰＳ（Ｌｏｗ　Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ　Ｐｏｌｙ　Ｓｉｌｉｃｏｎ））を有するトランジスタ（以下、ＬＴＰＳトランジスタともいう）を用いることができる。ＬＴＰＳトランジスタは、電界効果移動度が高く、周波数特性が良好である。

　ＬＴＰＳトランジスタなどのシリコンを用いたトランジスタを適用することで、高周波数で駆動する必要のある回路（例えばソースドライバ回路）を表示部と同一基板上に作り込むことができる。これにより、表示装置に実装される外部回路を簡略化でき、部品コスト及び実装コストを削減することができる。

　また、画素回路に含まれるトランジスタの少なくとも一に、チャネルが形成される半導体層に金属酸化物（以下、酸化物半導体ともいう）を有するトランジスタ（以下、ＯＳトランジスタともいう）を用いることが好ましい。ＯＳトランジスタは、非晶質シリコンと比較して電界効果移動度が極めて高い。また、ＯＳトランジスタは、オフ状態におけるソース−ドレイン間のリーク電流（以下、オフ電流ともいう）が著しく小さく、当該トランジスタと直列に接続された容量に蓄積した電荷を長期間に亘って保持することが可能である。また、ＯＳトランジスタを適用することで、表示装置の消費電力を低減することができる。

　また、室温下における、チャネル幅１μｍあたりのＯＳトランジスタのオフ電流値は、１ａＡ（１×１０^−１８Ａ）以下、１ｚＡ（１×１０^−２１Ａ）以下、または１ｙＡ（１×１０^−２４Ａ）以下とすることができる。なお、室温下における、チャネル幅１μｍあたりのＳｉトランジスタのオフ電流値は、１ｆＡ（１×１０^−１５Ａ）以上１ｐＡ（１×１０^−１２Ａ）以下である。したがって、ＯＳトランジスタのオフ電流は、Ｓｉトランジスタのオフ電流よりも１０桁程度低いともいえる。

　画素回路に含まれるトランジスタの一部に、ＬＴＰＳトランジスタを用い、他の一部にＯＳトランジスタを用いることで、消費電力が低く、駆動能力の高い表示装置を実現することができる。また、ＬＴＰＳトランジスタと、ＯＳトランジスタとを、組み合わせる構成をＬＴＰＯと呼称する場合がある。なお、より好適な例としては、配線間の導通、非導通を制御するためのスイッチとして機能するトランジスタなどにＯＳトランジスタを適用し、電流を制御するトランジスタなどにＬＴＰＳトランジスタを適用することが好ましい。

　例えば、画素回路に設けられるトランジスタの一は、発光素子に流れる電流を制御するためのトランジスタとして機能し、駆動トランジスタもと呼ぶことができる。駆動トランジスタのソース及びドレインの一方は、発光素子の画素電極と電気的に接続される。当該駆動トランジスタには、ＬＴＰＳトランジスタを用いることが好ましい。これにより、画素回路において発光素子に流れる電流を大きくできる。

　一方、画素回路に設けられるトランジスタの他の一は、画素の選択、非選択を制御するためのスイッチとして機能し、選択トランジスタとも呼ぶことができる。選択トランジスタのゲートはゲート線と電気的に接続され、ソース及びドレインの一方は、ソース線（信号線）と電気的に接続される。選択トランジスタには、ＯＳトランジスタを適用することが好ましい。これにより、フレーム周波数を著しく小さく（例えば１ｆｐｓ以下）しても、画素の階調を維持することができるため、静止画を表示する際にドライバを停止することで、消費電力を低減することができる。

　このように本発明の一態様は、高い開口率と、高い精細度と、高い表示品位と、低い消費電力と、を兼ね備えた表示装置を実現することができる。

　なお、本発明の一態様の表示装置は、ＯＳトランジスタを有し、且つＭＭＬ（メタルマスクレス）構造の発光素子を有する構成である。ここで、ＭＭＬ構造の発光素子とは、メタルマスク、またはＦＭＭ（ファインメタルマスク、高精細なメタルマスク）を用いることなく作製される発光素子を指す。上記のような構成とすることで、トランジスタに流れうるリーク電流、及び隣接する発光素子間に流れうるリーク電流（横リーク電流、サイドリーク電流などともいう）を、極めて低くすることができる。また、上記構成とすることで、表示装置に画像を表示した場合に、観察者が画像のきれ、画像のするどさ、及び高いコントラスト比のいずれか一または複数を観測できる。なお、トランジスタに流れうるリーク電流、及び発光素子間の横リーク電流が極めて低い構成とすることで、黒表示時に生じうる光漏れなどが限りなく少ない表示（真黒表示ともいう）とすることができる。

　本実施の形態で例示した構成例、及びそれらに対応する図面等は、少なくともその一部を他の構成例、または図面等と適宜組み合わせることができる。

（実施の形態３）
　本実施の形態では、上記とは異なる表示装置の構成例について説明する。

　本実施の形態の表示装置は、高精細な表示装置とすることができる。したがって、本実施の形態の表示装置は、例えば、腕時計型、ブレスレット型などの情報端末機（ウェアラブル機器）、並びに、ヘッドマウントディスプレイなどのＶＲ向け機器、メガネ型のＡＲ向け機器など、頭部に装着可能なウェアラブル機器の表示部に用いることができる。

［表示モジュール］
　図１５Ａに、表示モジュール２８０の斜視図を示す。表示モジュール２８０は、表示装置４００Ｃと、ＦＰＣ２９０と、を有する。なお、表示モジュール２８０が有する表示装置は表示装置４００Ｃに限られず、後述する表示装置４００Ｄ、表示装置４００Ｅまたは表示装置４００Ｆであってもよい。

　表示モジュール２８０は、基板２９１及び基板２９２を有する。表示モジュール２８０は、表示部２８１を有する。表示部２８１は、表示モジュール２８０における画像を表示する領域であり、後述する画素部２８４に設けられる各画素からの光を視認できる領域である。

　図１５Ｂに、基板２９１側の構成を模式的に示した斜視図を示している。基板２９１上には、回路部２８２と、回路部２８２上の画素回路部２８３と、画素回路部２８３上の画素部２８４と、が積層されている。また、基板２９１上の画素部２８４と重ならない部分に、ＦＰＣ２９０と接続するための端子部２８５が設けられている。端子部２８５と回路部２８２とは、複数の配線により構成される配線部２８６により電気的に接続されている。

　画素部２８４は、周期的に配列した複数の画素２８４ａを有する。図１５Ｂの右側に、１つの画素２８４ａの拡大図を示している。画素２８４ａは、発光色が互いに異なる発光素子４３０ａ、４３０ｂ、４３０ｃを有する。複数の発光素子は、図１５Ｂに示すようにストライプ配列で配置することが好ましい。ストライプ配列を用いることにより、本発明の一態様の発光素子を高密度に画素回路を配列することが出来るため、高精細な表示装置を提供できる。また、デルタ配列、ペンタイル配列など様々な配列方法を適用することができる。

　画素回路部２８３は、周期的に配列した複数の画素回路２８３ａを有する。

　１つの画素回路２８３ａは、１つの画素２８４ａが有する３つの発光素子の発光を制御する回路である。１つの画素回路２８３ａは、１つの発光素子の発光を制御する回路が３つ設けられる構成としてもよい。例えば、画素回路２８３ａは、１つの発光素子につき、１つの選択トランジスタと、１つの電流制御用トランジスタ（駆動トランジスタ）と、容量素子と、を少なくとも有する構成とすることができる。このとき、選択トランジスタのゲートにはゲート信号が、ソースまたはドレインの一方にはソース信号が、それぞれ入力される。これにより、アクティブマトリクス型の表示装置が実現されている。

　回路部２８２は、画素回路部２８３の各画素回路２８３ａを駆動する回路を有する。例えば、ゲート線駆動回路、及び、ソース線駆動回路の一方または双方を有することが好ましい。このほか、演算回路、メモリ回路、及び電源回路等の少なくとも一つを有していてもよい。

　ＦＰＣ２９０は、外部から回路部２８２にビデオ信号または電源電位等を供給するための配線として機能する。また、ＦＰＣ２９０上にＩＣが実装されていてもよい。

　表示モジュール２８０は、画素部２８４の下側に画素回路部２８３及び回路部２８２の一方または双方が積層された構成とすることができるため、表示部２８１の開口率（有効表示面積比）を極めて高くすることができる。例えば表示部２８１の開口率は、４０％以上１００％未満、好ましくは５０％以上９５％以下、より好ましくは６０％以上９５％以下とすることができる。また、画素２８４ａを極めて高密度に配置することが可能で、表示部２８１の精細度を極めて高くすることができる。例えば、表示部２８１には、２０００ｐｐｉ以上、好ましくは３０００ｐｐｉ以上、より好ましくは５０００ｐｐｉ以上、さらに好ましくは６０００ｐｐｉ以上であって、２００００ｐｐｉ以下、または３００００ｐｐｉ以下の精細度で、画素２８４ａが配置されることが好ましい。

　このような表示モジュール２８０は、極めて高精細であることから、ヘッドマウントディスプレイなどのＶＲ向け機器、またはメガネ型のＡＲ向け機器に好適に用いることができる。例えば、レンズを通して表示モジュール２８０の表示部を視認する構成の場合であっても、表示モジュール２８０は極めて高精細な表示部２８１を有するためにレンズで表示部を拡大しても画素が視認されず、没入感の高い表示を行うことができる。また、表示モジュール２８０はこれに限られず、比較的小型の表示部を有する電子機器に好適に用いることができる。例えば腕時計などの装着型の電子機器の表示部に好適に用いることができる。

［表示装置４００Ｃ］
　図１６に示す表示装置４００Ｃは、基板３０１、発光素子４３０ａ、４３０ｂ、４３０ｃ、容量２４０、及び、トランジスタ３１０を有する。

　トランジスタ３１０は、基板３０１にチャネル形成領域を有するトランジスタである。基板３０１としては、例えば単結晶シリコン基板などの半導体基板を用いることができる。トランジスタ３１０は、基板３０１の一部、導電層３１１、低抵抗領域３１２、絶縁層３１３、及び、絶縁層３１４を有する。導電層３１１は、ゲート電極として機能する。絶縁層３１３は、基板３０１と導電層３１１の間に位置し、ゲート絶縁層として機能する。低抵抗領域３１２は、基板３０１に不純物がドープされた領域であり、ソースまたはドレインの一方として機能する。絶縁層３１４は、導電層３１１の側面を覆って設けられる。

　また、基板３０１に埋め込まれるように、隣接する２つのトランジスタ３１０の間に素子分離層３１５が設けられている。

　また、トランジスタ３１０を覆って絶縁層２６１が設けられ、絶縁層２６１上に容量２４０が設けられている。

　容量２４０は、導電層２４１と、導電層２４５と、これらの間に位置する絶縁層２４３を有する。導電層２４１は容量２４０の一方の電極として機能し、導電層２４５は容量２４０の他方の電極として機能し、絶縁層２４３は容量２４０の誘電体として機能する。

　導電層２４１は絶縁層２６１上に設けられ、絶縁層２５４に埋め込まれている。導電層２４１は、絶縁層２６１に埋め込まれたプラグ２７１によってトランジスタ３１０のソースまたはドレインの一方と電気的に接続されている。絶縁層２４３は導電層２４１を覆って設けられる。導電層２４５は、絶縁層２４３を介して導電層２４１と重なる領域に設けられている。

　容量２４０を覆って、絶縁層２５５が設けられ、絶縁層２５５上に発光素子４３０ａ、４３０ｂ、４３０ｃ等が設けられている。発光素子４３０ａ、４３０ｂ、４３０ｃ上には保護層４１５が設けられており、保護層４１５の上面には、樹脂層４１９によって基板４２０が貼り合わされている。基板４２０は、図１５Ａにおける基板２９２に相当する。

　発光素子の画素電極は、絶縁層２５５に埋め込まれたプラグ２５６、絶縁層２５４に埋め込まれた導電層２４１、及び、絶縁層２６１に埋め込まれたプラグ２７１によってトランジスタ３１０のソースまたはドレインの一方と電気的に接続されている。

［表示装置４００Ｄ］
　図１７に示す表示装置４００Ｄは、トランジスタの構成が異なる点で、表示装置４００Ｃと主に相違する。なお、表示装置４００Ｃと同様の部分については説明を省略することがある。

　トランジスタ３２０は、チャネルが形成される半導体層に、金属酸化物（酸化物半導体ともいう）が適用されたトランジスタである。

　トランジスタ３２０は、半導体層３２１、絶縁層３２３、導電層３２４、一対の導電層３２５、絶縁層３２６、及び、導電層３２７を有する。

　基板３３１は、図１５Ａ及び図１５Ｂにおける基板２９１に相当する。基板３３１としては、絶縁性基板または半導体基板を用いることができる。

　基板３３１上に、絶縁層３３２が設けられている。絶縁層３３２は、基板３３１から水または水素などの不純物がトランジスタ３２０に拡散すること、及び半導体層３２１から絶縁層３３２側に酸素が脱離することを防ぐバリア層として機能する。絶縁層３３２としては、例えば酸化アルミニウム膜、酸化ハフニウム膜、窒化シリコン膜などの、酸化シリコン膜よりも水素または酸素が拡散しにくい膜を用いることができる。

　絶縁層３３２上に導電層３２７が設けられ、導電層３２７を覆って絶縁層３２６が設けられている。導電層３２７は、トランジスタ３２０の第１のゲート電極として機能し、絶縁層３２６の一部は、第１のゲート絶縁層として機能する。絶縁層３２６の少なくとも半導体層３２１と接する部分には、酸化シリコン膜等の酸化物絶縁膜を用いることが好ましい。絶縁層３２６の上面は、平坦化されていることが好ましい。

　半導体層３２１は、絶縁層３２６上に設けられる。半導体層３２１は、半導体特性を有する金属酸化物（酸化物半導体ともいう）膜を有することが好ましい。半導体層３２１に好適に用いることのできる材料の詳細については後述する。

　一対の導電層３２５は、半導体層３２１上に接して設けられ、ソース電極及びドレイン電極として機能する。

　また、一対の導電層３２５の上面及び側面、並びに半導体層３２１の側面等を覆って絶縁層３２８が設けられ、絶縁層３２８上に絶縁層２６４が設けられている。絶縁層３２８は、半導体層３２１に絶縁層２６４等から水または水素などの不純物が拡散すること、及び半導体層３２１から酸素が脱離することを防ぐバリア層として機能する。絶縁層３２８としては、上記絶縁層３３２と同様の絶縁膜を用いることができる。

　絶縁層３２８及び絶縁層２６４に、半導体層３２１に達する開口が設けられている。当該開口の内部において、絶縁層２６４、絶縁層３２８、及び導電層３２５の側面、並びに半導体層３２１の上面に接する絶縁層３２３と、導電層３２４とが埋め込まれている。導電層３２４は、第２のゲート電極として機能し、絶縁層３２３は第２のゲート絶縁層として機能する。

　導電層３２４の上面、絶縁層３２３の上面、及び絶縁層２６４の上面は、それぞれ高さが概略一致するように平坦化処理され、これらを覆って絶縁層３２９及び絶縁層２６５が設けられている。

　絶縁層２６４及び絶縁層２６５は、層間絶縁層として機能する。絶縁層３２９は、トランジスタ３２０に絶縁層２６５等から水または水素などの不純物が拡散することを防ぐバリア層として機能する。絶縁層３２９としては、上記絶縁層３２８及び絶縁層３３２と同様の絶縁膜を用いることができる。

　一対の導電層３２５の一方と電気的に接続するプラグ２７４は、絶縁層２６５、絶縁層３２９、及び絶縁層２６４に埋め込まれるように設けられている。ここで、プラグ２７４は、絶縁層２６５、絶縁層３２９、絶縁層２６４、及び絶縁層３２８のそれぞれの開口の側面、及び導電層３２５の上面の一部を覆う導電層２７４ａと、導電層２７４ａの上面に接する導電層２７４ｂとを有することが好ましい。このとき、導電層２７４ａとして、水素及び酸素が拡散しにくい導電材料を用いることが好ましい。

　表示装置４００Ｄにおける、絶縁層２５４から基板４２０までの構成は、表示装置４００Ｃと同様である。

［表示装置４００Ｅ］
　図１８に示す表示装置４００Ｅは、それぞれ半導体基板にチャネルが形成されるトランジスタ３１０Ａと、トランジスタ３１０Ｂとが積層された構成を有する。

　表示装置４００Ｅは、トランジスタ３１０Ｂ、容量２４０および各発光デバイスが設けられた基板３０１Ｂと、トランジスタ３１０Ａが設けられた基板３０１Ａとが、貼り合された構成を有する。

　基板３０１Ｂには、基板３０１Ｂを貫通するプラグ３４３が設けられる。また、プラグ３４３は、基板３０１の裏面（基板４２０側とは反対側の表面）に設けられる導電層３４２と電気的に接続されている。一方、基板３０１Ａには、絶縁層２６１上に導電層３４１が設けられている。

　導電層３４１と、導電層３４２とが接合されることで、基板３０１Ａと基板３０１Ｂとが電気的に接続される。

　導電層３４１および導電層３４２としては、同じ導電性材料を用いることが好ましい。例えば、Ａｌ、Ｃｒ、Ｃｕ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｍｏ、Ｗから選ばれた元素を含む金属膜、又は上述した元素を成分とする金属窒化物膜（窒化チタン膜、窒化モリブデン膜、窒化タングステン膜）等を用いることができる。特に、導電層３４１および導電層３４２に、銅を用いることが好ましい。これにより、Ｃｕ−Ｃｕ（カッパー・カッパー）直接接合技術（Ｃｕ（銅）のパッド同士を接続することで電気的導通を図る技術）を適用することができる。なお、導電層３４１と導電層３４２とは、バンプを介して接合されてもよい。

［表示装置４００Ｆ］
　図１９に示す表示装置４００Ｆは、基板３０１にチャネルが形成されるトランジスタ３１０と、チャネルが形成される半導体層に金属酸化物を含むトランジスタ３２０とが積層された構成を有する。なお、表示装置４００Ｃ、４００Ｄと同様の部分については説明を省略することがある。

　トランジスタ３１０を覆って絶縁層２６１が設けられ、絶縁層２６１上に導電層２５１が設けられている。また導電層２５１を覆って絶縁層２６２が設けられ、絶縁層２６２上に導電層２５２が設けられている。導電層２５１及び導電層２５２は、それぞれ配線として機能する。また、導電層２５２を覆って絶縁層２６３及び絶縁層３３２が設けられ、絶縁層３３２上にトランジスタ３２０が設けられている。また、トランジスタ３２０を覆って絶縁層２６５が設けられ、絶縁層２６５上に容量２４０が設けられている。容量２４０とトランジスタ３２０とは、プラグ２７４により電気的に接続されている。

　トランジスタ３２０は、画素回路を構成するトランジスタとして用いることができる。また、トランジスタ３１０は、画素回路を構成するトランジスタ、または当該画素回路を駆動するための駆動回路（ゲート線駆動回路、ソース線駆動回路）を構成するトランジスタとして用いることができる。また、トランジスタ３１０及びトランジスタ３２０は、演算回路または記憶回路などの各種回路を構成するトランジスタとして用いることができる。

　このような構成とすることで、発光素子の直下に画素回路だけでなく駆動回路等を形成することができるため、表示領域の周辺に駆動回路を設ける場合に比べて、表示装置を小型化することが可能となる。

（実施の形態４）
　本実施の形態では、本発明の一態様である表示装置に用いることができる発光素子（発光デバイスともいう）について説明する。

＜発光デバイスの構成例＞
　図２０Ａに示すように、発光デバイスは、一対の電極（下部電極７７２、上部電極７８８）の間に、ＥＬ層７８６を有する。ＥＬ層７８６は、層４４２０、発光層４４１１、層４４３０などの複数の層で構成することができる。層４４２０は、例えば電子注入性の高い物質を含む層（電子注入層）および電子輸送性の高い物質を含む層（電子輸送層）などを有することができる。発光層４４１１は、例えば発光性の化合物を有する。層４４３０は、例えば正孔注入性の高い物質を含む層（正孔注入層）および正孔輸送性の高い物質を含む層（正孔輸送層）を有することができる。

　一対の電極間に設けられた層４４２０、発光層４４１１および層４４３０を有する構成は単一の発光ユニットとして機能することができ、本明細書では図２０Ａの構成をシングル構造と呼ぶ。

　また、図２０Ｂは、図２０Ａに示す発光デバイスが有するＥＬ層７８６の変形例である。具体的には、図２０Ｂに示す発光デバイスは、下部電極７７２上の層４４３０−１と、層４４３０−１上の層４４３０−２と、層４４３０−２上の発光層４４１１と、発光層４４１１上の層４４２０−１と、層４４２０−１上の層４４２０−２と、層４４２０−２上の上部電極７８８と、を有する。例えば、下部電極７７２を陽極とし、上部電極７８８を陰極とした場合、層４４３０−１が正孔注入層として機能し、層４４３０−２が正孔輸送層として機能し、層４４２０−１が電子輸送層として機能し、層４４２０−２が電子注入層として機能する。または、下部電極７７２を陰極とし、上部電極７８８を陽極とした場合、層４４３０−１が電子注入層として機能し、層４４３０−２が電子輸送層として機能し、層４４２０−１が正孔輸送層として機能し、層４４２０−２が正孔注入層として機能する。このような層構造とすることで、発光層４４１１に効率よくキャリアを注入し、発光層４４１１内におけるキャリアの再結合の効率を高めることが可能となる。

　なお、図２０Ｃ、図２０Ｄに示すように層４４２０と層４４３０との間に複数の発光層（発光層４４１１、４４１２、４４１３）が設けられる構成もシングル構造のバリエーションである。

　また、図２０Ｅ、図２０Ｆに示すように、複数の発光ユニット（ＥＬ層７８６ａ、ＥＬ層７８６ｂ）が中間層（電荷発生層）４４４０を介して直列に接続された構成を本明細書ではタンデム構造と呼ぶ。なお、本明細書等においては、図２０Ｅ、図２０Ｆに示すような構成をタンデム構造として呼称するが、これに限定されず、例えば、タンデム構造をスタック構造と呼んでもよい。なお、タンデム構造とすることで、高輝度発光が可能な発光デバイスとすることができる。

　図２０Ｃにおいて、発光層４４１１、発光層４４１２、及び発光層４４１３に、同じ光を発する発光材料を用いてもよい。

　また、発光層４４１１、発光層４４１２、及び発光層４４１３に、異なる発光材料を用いてもよい。発光層４４１１、発光層４４１２、及び発光層４４１３がそれぞれ発する光が補色の関係である場合、白色発光が得られる。図２０Ｄでは、カラーフィルタとして機能する着色層７８５を設ける例を示している。白色光がカラーフィルタを透過することで、所望の色の光を得ることができる。

　また、図２０Ｅにおいて、発光層４４１１と、発光層４４１２とに、同じ発光材料を用いてもよい。または、発光層４４１１と、発光層４４１２とに、異なる光を発する発光材料を用いてもよい。発光層４４１１が発する光と、発光層４４１２が発する光が補色の関係である場合、白色発光が得られる。図２０Ｆには、さらに着色層７８５を設ける例を示している。

　なお、図２０Ｃ、図２０Ｄ、図２０Ｅ、図２０Ｆにおいても、図２０Ｂに示すように、層４４２０と、層４４３０とは、２層以上の層からなる積層構造としてもよい。

　発光デバイスごとに、発光色（ここでは青（Ｂ）、緑（Ｇ）、および赤（Ｒ））に対応するＥＬ層を作り分ける構造をＳＢＳ（Ｓｉｄｅ　Ｂｙ　Ｓｉｄｅ）構造と呼ぶことができる。

　発光デバイスの発光色は、ＥＬ層７８６を構成する材料によって、赤、緑、青、シアン、マゼンタ、黄または白などとすることができる。また、発光デバイスにマイクロキャビティ構造を付与することにより色純度をさらに高めることができる。

　白色の光を発する発光デバイスは、発光層に２種類以上の発光物質を含む構成とすることが好ましい。２つの発光物質を用いて白色発光を得る場合、２つの発光物質の各々の発光が補色の関係となるような発光物質を選択すればよい。例えば、第１の発光層の発光色と第２の発光層の発光色を補色の関係になるようにすることで、発光デバイス全体として白色発光する発光デバイスを得ることができる。また、発光物質を３つ以上有する発光デバイスの場合、３つ以上の発光物質のそれぞれの発光色が合わさることで、発光デバイス全体として白色発光することができる構成とすればよい。

　発光層には、Ｒ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）、Ｙ（黄）、Ｏ（橙）等の発光を示す発光物質を２つ以上含むことが好ましい。または、発光物質を２つ以上有し、それぞれの発光物質の発光は、Ｒ、Ｇ、Ｂのうち２以上の色のスペクトル成分を含むことが好ましい。

　ここで、発光デバイスの具体的な構成例について説明する。

　発光デバイスは少なくとも発光層を有する。また、発光デバイスは、発光層以外の層として、正孔注入性の高い物質、正孔輸送性の高い物質、正孔ブロック材料、電子輸送性の高い物質、電子ブロック材料、電子注入性の高い物質、またはバイポーラ性の物質（電子輸送性及び正孔輸送性が高い物質）等を含む層をさらに有していてもよい。

　発光デバイスには低分子系化合物及び高分子系化合物のいずれを用いることもでき、無機化合物を含んでいてもよい。発光デバイスを構成する層は、それぞれ、蒸着法（真空蒸着法を含む）、転写法、印刷法、インクジェット法、塗布法等の方法で形成することができる。

　例えば、発光デバイスは、正孔注入層、正孔輸送層、正孔ブロック層、電子ブロック層、電子輸送層、及び電子注入層のうち１層以上を有する構成とすることができる。

　正孔注入層は、陽極から正孔輸送層に正孔を注入する層であり、正孔注入性の高い材料を含む層である。正孔注入性の高い材料としては、芳香族アミン化合物、及び、正孔輸送性材料とアクセプター性材料（電子受容性材料）とを含む複合材料などが挙げられる。

　正孔輸送層は、正孔注入層によって、陽極から注入された正孔を発光層に輸送する層である。正孔輸送層は、正孔輸送性材料を含む層である。正孔輸送性材料としては、１×１０^−６ｃｍ^２／Ｖｓ以上の正孔移動度を有する物質が好ましい。なお、電子よりも正孔の輸送性の高い物質であれば、これら以外のものも用いることができる。正孔輸送性材料としては、π電子過剰型複素芳香族化合物（例えばカルバゾール誘導体、チオフェン誘導体、フラン誘導体など）、芳香族アミン（芳香族アミン骨格を有する化合物）等の正孔輸送性の高い材料が好ましい。

　電子輸送層は、電子注入層によって、陰極から注入された電子を発光層に輸送する層である。電子輸送層は、電子輸送性材料を含む層である。電子輸送性材料としては、１×１０^−６ｃｍ^２／Ｖｓ以上の電子移動度を有する物質が好ましい。なお、正孔よりも電子の輸送性の高い物質であれば、これら以外のものも用いることができる。電子輸送性材料としては、キノリン骨格を有する金属錯体、ベンゾキノリン骨格を有する金属錯体、オキサゾール骨格を有する金属錯体、チアゾール骨格を有する金属錯体等の他、オキサジアゾール誘導体、トリアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、オキサゾール誘導体、チアゾール誘導体、フェナントロリン誘導体、キノリン配位子を有するキノリン誘導体、ベンゾキノリン誘導体、キノキサリン誘導体、ジベンゾキノキサリン誘導体、ピリジン誘導体、ビピリジン誘導体、ピリミジン誘導体、その他、含窒素複素芳香族化合物を含むπ電子不足型複素芳香族化合物等の電子輸送性の高い材料を用いることができる。

　電子注入層は、陰極から電子輸送層に電子を注入する層であり、電子注入性の高い材料を含む層である。電子注入性の高い材料としては、アルカリ金属、アルカリ土類金属、またはそれらの化合物を用いることができる。電子注入性の高い材料としては、電子輸送性材料とドナー性材料（電子供与性材料）とを含む複合材料を用いることもできる。

　電子注入層としては、例えば、リチウム、セシウム、フッ化リチウム（ＬｉＦ）、フッ化セシウム（ＣｓＦ）、フッ化カルシウム（ＣａＦ_２）、８−（キノリノラト）リチウム（略称：Ｌｉｑ）、２−（２−ピリジル）フェノラトリチウム（略称：ＬｉＰＰ）、２−（２−ピリジル）−３−ピリジノラトリチウム（略称：ＬｉＰＰｙ）、４−フェニル−２−（２−ピリジル）フェノラトリチウム（略称：ＬｉＰＰＰ）、リチウム酸化物（ＬｉＯ_ｘ）、炭酸セシウム等のようなアルカリ金属、アルカリ土類金属、またはこれらの化合物を用いることができる。

　または、上述の電子注入層としては、電子輸送性を有する材料を用いてもよい。例えば、非共有電子対を備え、電子不足型複素芳香環を有する化合物を、電子輸送性を有する材料に用いることができる。具体的には、ピリジン環、ジアジン環（ピリミジン環、ピラジン環、ピリダジン環）、トリアジン環の少なくとも一つを有する化合物を用いることができる。

　なお、非共有電子対を備える有機化合物の最低空軌道（ＬＵＭＯ：Ｌｏｗｅｓｔ　Ｕｎｏｃｃｕｐｉｅｄ　Ｍｏｌｅｃｕｌａｒ　Ｏｒｂｉｔａｌ）が、−３．６ｅＶ以上−２．３ｅＶ以下であると好ましい。また、一般にＣＶ（サイクリックボルタンメトリ）、光電子分光法、光吸収分光法、逆光電子分光法等により、有機化合物の最高被占有軌道（ＨＯＭＯ：Ｈｉｇｈｅｓｔ　Ｏｃｃｕｐｉｅｄ　Ｍｏｌｅｃｕｌａｒ　Ｏｒｂｉｔａｌ）準位及びＬＵＭＯ準位を見積もることができる。

　例えば、４，７−ジフェニル−１，１０−フェナントロリン（略称：ＢＰｈｅｎ）、２，９−ジス（ナフタレン−２−イル）−４，７−ジフェニル−１，１０−フェナントロリン（略称：ＮＢＰｈｅｎ）、ジキノキサリノ［２，３−ａ：２’，３’−ｃ］フェナジン（略称：ＨＡＴＮＡ）、２，４，６−トリス［３’−（ピリジン−３−イル）ビフェニル−３−イル］−１，３，５−トリアジン（略称：ＴｍＰＰＰｙＴｚ）等を、非共有電子対を備える有機化合物に用いることができる。なお、ＮＢＰｈｅｎはＢＰｈｅｎと比較して、高いガラス転移温度（Ｔｇ）を備え、耐熱性に優れる。

　発光層は、発光物質を含む層である。発光層は、１種または複数種の発光物質を有することができる。発光物質としては、青色、紫色、青紫色、緑色、黄緑色、黄色、橙色、赤色などの発光色を呈する物質を適宜用いる。また、発光物質として、近赤外光を発する物質を用いることもできる。

　発光物質としては、蛍光材料、燐光材料、ＴＡＤＦ材料、量子ドット材料などが挙げられる。

　蛍光材料としては、例えば、ピレン誘導体、アントラセン誘導体、トリフェニレン誘導体、フルオレン誘導体、カルバゾール誘導体、ジベンゾチオフェン誘導体、ジベンゾフラン誘導体、ジベンゾキノキサリン誘導体、キノキサリン誘導体、ピリジン誘導体、ピリミジン誘導体、フェナントレン誘導体、ナフタレン誘導体などが挙げられる。

　燐光材料としては、例えば、４Ｈ−トリアゾール骨格、１Ｈ−トリアゾール骨格、イミダゾール骨格、ピリミジン骨格、ピラジン骨格、またはピリジン骨格を有する有機金属錯体（特にイリジウム錯体）、電子吸引基を有するフェニルピリジン誘導体を配位子とする有機金属錯体（特にイリジウム錯体）、白金錯体、希土類金属錯体等が挙げられる。

　発光層は、発光物質（ゲスト材料）に加えて、１種または複数種の有機化合物（ホスト材料、アシスト材料等）を有していてもよい。１種または複数種の有機化合物としては、正孔輸送性材料及び電子輸送性材料の一方または双方を用いることができる。また、１種または複数種の有機化合物として、バイポーラ性材料、またはＴＡＤＦ材料を用いてもよい。

　発光層は、例えば、燐光材料と、励起錯体を形成しやすい組み合わせである正孔輸送性材料及び電子輸送性材料と、を有することが好ましい。このような構成とすることにより、励起錯体から発光物質（燐光材料）へのエネルギー移動であるＥｘＴＥＴ（Ｅｘｃｉｐｌｅｘ−Ｔｒｉｐｌｅｔ　Ｅｎｅｒｇｙ　Ｔｒａｎｓｆｅｒ）を用いた発光を効率よく得ることができる。発光物質の最も低エネルギー側の吸収帯の波長と重なるような発光を呈する励起錯体を形成するような組み合わせを選択することで、エネルギー移動がスムーズとなり、効率よく発光を得ることができる。この構成により、発光デバイスの高効率、低電圧駆動、長寿命を同時に実現できる。

　本実施の形態は、他の実施の形態と適宜組み合わせることができる。

（実施の形態５）
　本実施の形態では、上記の実施の形態で説明したＯＳトランジスタに用いることができる金属酸化物（酸化物半導体ともいう）について説明する。

　金属酸化物は、少なくともインジウムまたは亜鉛を含むことが好ましい。特にインジウム及び亜鉛を含むことが好ましい。また、それらに加えて、アルミニウム、ガリウム、イットリウム、スズなどが含まれていることが好ましい。また、ホウ素、シリコン、チタン、鉄、ニッケル、ゲルマニウム、ジルコニウム、モリブデン、ランタン、セリウム、ネオジム、ハフニウム、タンタル、タングステン、マグネシウム、コバルトなどから選ばれた一種、または複数種が含まれていてもよい。

　また、金属酸化物は、スパッタリング法、ＭＯＣＶＤ法などのＣＶＤ法、またはＡＬＤ法などにより形成することができる。

＜結晶構造の分類＞
　酸化物半導体の結晶構造としては、アモルファス（ｃｏｍｐｌｅｔｅｌｙ　ａｍｏｒｐｈｏｕｓを含む）、ＣＡＡＣ（ｃ−ａｘｉｓ−ａｌｉｇｎｅｄ　ｃｒｙｓｔａｌｌｉｎｅ）、ｎｃ（ｎａｎｏｃｒｙｓｔａｌｌｉｎｅ）、ＣＡＣ（ｃｌｏｕｄ−ａｌｉｇｎｅｄ　ｃｏｍｐｏｓｉｔｅ）、単結晶（ｓｉｎｇｌｅ　ｃｒｙｓｔａｌ）、及び多結晶（ｐｏｌｙ　ｃｒｙｓｔａｌ）等が挙げられる。

　なお、膜または基板の結晶構造は、Ｘ線回折（ＸＲＤ：Ｘ−Ｒａｙ　Ｄｉｆｆｒａｃｔｉｏｎ）スペクトルを用いて評価することができる。例えば、ＧＩＸＤ（Ｇｒａｚｉｎｇ−Ｉｎｃｉｄｅｎｃｅ　ＸＲＤ）測定で得られるＸＲＤスペクトルを用いて評価することができる。なお、ＧＩＸＤ法は、薄膜法またはＳｅｅｍａｎｎ−Ｂｏｈｌｉｎ法ともいう。

　例えば、石英ガラス基板では、ＸＲＤスペクトルのピークの形状がほぼ左右対称である。一方で、結晶構造を有するＩＧＺＯ膜では、ＸＲＤスペクトルのピークの形状が左右非対称である。ＸＲＤスペクトルのピークの形状が左右非対称であることは、膜中または基板中の結晶の存在を明示している。別言すると、ＸＲＤスペクトルのピークの形状で左右対称でないと、膜または基板は非晶質状態であるとは言えない。

　また、膜または基板の結晶構造は、極微電子線回折法（ＮＢＥＤ：Ｎａｎｏ　Ｂｅａｍ　Ｅｌｅｃｔｒｏｎ　Ｄｉｆｆｒａｃｔｉｏｎ）によって観察される回折パターン（極微電子線回折パターンともいう）にて評価することができる。例えば、石英ガラス基板の回折パターンでは、ハローが観察され、石英ガラスは、非晶質状態であることが確認できる。また、室温成膜したＩＧＺＯ膜の回折パターンでは、ハローではなく、スポット状のパターンが観察される。このため、室温成膜したＩＧＺＯ膜は、結晶状態でもなく、非晶質状態でもない、中間状態であり、非晶質状態であると結論することはできないと推定される。

＜＜酸化物半導体の構造＞＞
　なお、酸化物半導体は、構造に着目した場合、上記とは異なる分類となる場合がある。例えば、酸化物半導体は、単結晶酸化物半導体と、それ以外の非単結晶酸化物半導体と、に分けられる。非単結晶酸化物半導体としては、例えば、上述のＣＡＡＣ−ＯＳ、及びｎｃ−ＯＳがある。また、非単結晶酸化物半導体には、多結晶酸化物半導体、擬似非晶質酸化物半導体（ａ−ｌｉｋｅ　ＯＳ：ａｍｏｒｐｈｏｕｓ−ｌｉｋｅ　ｏｘｉｄｅ　ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）、非晶質酸化物半導体、などが含まれる。

　ここで、上述のＣＡＡＣ−ＯＳ、ｎｃ−ＯＳ、及びａ−ｌｉｋｅ　ＯＳの詳細について、説明を行う。

［ＣＡＡＣ−ＯＳ］
　ＣＡＡＣ−ＯＳは、複数の結晶領域を有し、当該複数の結晶領域はｃ軸が特定の方向に配向している酸化物半導体である。なお、特定の方向とは、ＣＡＡＣ−ＯＳ膜の厚さ方向、ＣＡＡＣ−ＯＳ膜の被形成面の法線方向、またはＣＡＡＣ−ＯＳ膜の表面の法線方向である。また、結晶領域とは、原子配列に周期性を有する領域である。なお、原子配列を格子配列とみなすと、結晶領域とは、格子配列の揃った領域でもある。さらに、ＣＡＡＣ−ＯＳは、ａ−ｂ面方向において複数の結晶領域が連結する領域を有し、当該領域は歪みを有する場合がある。なお、歪みとは、複数の結晶領域が連結する領域において、格子配列の揃った領域と、別の格子配列の揃った領域と、の間で格子配列の向きが変化している箇所を指す。つまり、ＣＡＡＣ−ＯＳは、ｃ軸配向し、ａ−ｂ面方向には明らかな配向をしていない酸化物半導体である。

　なお、上記複数の結晶領域のそれぞれは、１つまたは複数の微小な結晶（最大径が１０ｎｍ未満である結晶）で構成される。結晶領域が１つの微小な結晶で構成されている場合、当該結晶領域の最大径は１０ｎｍ未満となる。また、結晶領域が多数の微小な結晶で構成されている場合、当該結晶領域の大きさは、数十ｎｍ程度となる場合がある。

　また、Ｉｎ−Ｍ−Ｚｎ酸化物（元素Ｍは、アルミニウム、ガリウム、イットリウム、スズ、チタンなどから選ばれた一種、または複数種）において、ＣＡＡＣ−ＯＳは、インジウム（Ｉｎ）、及び酸素を有する層（以下、Ｉｎ層）と、元素Ｍ、亜鉛（Ｚｎ）、及び酸素を有する層（以下、（Ｍ，Ｚｎ）層）とが積層した、層状の結晶構造（層状構造ともいう）を有する傾向がある。なお、インジウムと元素Ｍは、互いに置換可能である。よって、（Ｍ，Ｚｎ）層にはインジウムが含まれる場合がある。また、Ｉｎ層には元素Ｍが含まれる場合がある。なお、Ｉｎ層にはＺｎが含まれる場合もある。当該層状構造は、例えば、高分解能ＴＥＭ（Ｔｒａｎｓｍｉｓｓｉｏｎ　Ｅｌｅｃｔｒｏｎ　Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ）像において、格子像として観察される。

　ＣＡＡＣ−ＯＳ膜に対し、例えば、ＸＲＤ装置を用いて構造解析を行うと、θ／２θスキャンを用いたＯｕｔ−ｏｆ−ｐｌａｎｅ　ＸＲＤ測定では、ｃ軸配向を示すピークが２θ＝３１°またはその近傍に検出される。なお、ｃ軸配向を示すピークの位置（２θの値）は、ＣＡＡＣ−ＯＳを構成する金属元素の種類、組成などにより変動する場合がある。

　また、例えば、ＣＡＡＣ−ＯＳ膜の電子線回折パターンにおいて、複数の輝点（スポット）が観測される。なお、あるスポットと別のスポットとは、試料を透過した入射電子線のスポット（ダイレクトスポットともいう）を対称中心として、点対称の位置に観測される。

　上記特定の方向から結晶領域を観察した場合、当該結晶領域内の格子配列は、六方格子を基本とするが、単位格子は正六角形とは限らず、非正六角形である場合がある。また、上記歪みにおいて、五角形、七角形などの格子配列を有する場合がある。なお、ＣＡＡＣ−ＯＳにおいて、歪み近傍においても、明確な結晶粒界（グレインバウンダリー）を確認することはできない。即ち、格子配列の歪みによって、結晶粒界の形成が抑制されていることがわかる。これは、ＣＡＡＣ−ＯＳが、ａ−ｂ面方向において酸素原子の配列が稠密でないこと、及び金属原子が置換することで原子間の結合距離が変化することなどによって、歪みを許容することができるためと考えられる。

　なお、明確な結晶粒界が確認される結晶構造は、いわゆる多結晶（ｐｏｌｙｃｒｙｓｔａｌ）と呼ばれる。結晶粒界は、再結合中心となり、キャリアが捕獲されトランジスタのオン電流の低下、電界効果移動度の低下などを引き起こす可能性が高い。よって、明確な結晶粒界が確認されないＣＡＡＣ−ＯＳは、トランジスタの半導体層に好適な結晶構造を有する結晶性の酸化物の一つである。なお、ＣＡＡＣ−ＯＳを構成するには、Ｚｎを有する構成が好ましい。例えば、Ｉｎ−Ｚｎ酸化物、及びＩｎ−Ｇａ−Ｚｎ酸化物は、Ｉｎ酸化物よりも結晶粒界の発生を抑制できるため好適である。

　ＣＡＡＣ−ＯＳは、結晶性が高く、明確な結晶粒界が確認されない酸化物半導体である。よって、ＣＡＡＣ−ＯＳは、結晶粒界に起因する電子移動度の低下が起こりにくいといえる。また、酸化物半導体の結晶性は不純物の混入または欠陥の生成などによって低下する場合があるため、ＣＡＡＣ−ＯＳは不純物及び欠陥（酸素欠損など）の少ない酸化物半導体ともいえる。従って、ＣＡＡＣ−ＯＳを有する酸化物半導体は、物理的性質が安定する。そのため、ＣＡＡＣ−ＯＳを有する酸化物半導体は熱に強く、信頼性が高い。また、ＣＡＡＣ−ＯＳは、製造工程における高い温度（所謂サーマルバジェット）に対しても安定である。従って、ＯＳトランジスタにＣＡＡＣ−ＯＳを用いると、製造工程の自由度を広げることが可能となる。

［ｎｃ−ＯＳ］
　ｎｃ−ＯＳは、微小な領域（例えば、１ｎｍ以上１０ｎｍ以下の領域、特に１ｎｍ以上３ｎｍ以下の領域）において原子配列に周期性を有する。別言すると、ｎｃ−ＯＳは、微小な結晶を有する。なお、当該微小な結晶の大きさは、例えば、１ｎｍ以上１０ｎｍ以下、特に１ｎｍ以上３ｎｍ以下であることから、当該微小な結晶をナノ結晶ともいう。また、ｎｃ−ＯＳは、異なるナノ結晶間で結晶方位に規則性が見られない。そのため、膜全体で配向性が見られない。従って、ｎｃ−ＯＳは、分析方法によっては、ａ−ｌｉｋｅ　ＯＳまたは非晶質酸化物半導体と区別が付かない場合がある。例えば、ｎｃ−ＯＳ膜に対し、ＸＲＤ装置を用いて構造解析を行うと、θ／２θスキャンを用いたＯｕｔ−ｏｆ−ｐｌａｎｅ　ＸＲＤ測定では、結晶性を示すピークが検出されない。また、ｎｃ−ＯＳ膜に対し、ナノ結晶よりも大きいプローブ径（例えば５０ｎｍ以上）の電子線を用いる電子線回折（制限視野電子線回折ともいう。）を行うと、ハローパターンのような回折パターンが観測される。一方、ｎｃ−ＯＳ膜に対し、ナノ結晶の大きさと近いかナノ結晶より小さいプローブ径（例えば１ｎｍ以上３０ｎｍ以下）の電子線を用いる電子線回折（ナノビーム電子線回折ともいう。）を行うと、ダイレクトスポットを中心とするリング状の領域内に複数のスポットが観測される電子線回折パターンが取得される場合がある。

［ａ−ｌｉｋｅ　ＯＳ］
　ａ−ｌｉｋｅ　ＯＳは、ｎｃ−ＯＳと非晶質酸化物半導体との間の構造を有する酸化物半導体である。ａ−ｌｉｋｅ　ＯＳは、鬆または低密度領域を有する。即ち、ａ−ｌｉｋｅ　ＯＳは、ｎｃ−ＯＳ及びＣＡＡＣ−ＯＳと比べて、結晶性が低い。また、ａ−ｌｉｋｅ　ＯＳは、ｎｃ−ＯＳ及びＣＡＡＣ−ＯＳと比べて、膜中の水素濃度が高い。

＜＜酸化物半導体の構成＞＞
　次に、上述のＣＡＣ−ＯＳの詳細について、説明を行う。なお、ＣＡＣ−ＯＳは材料構成に関する。

［ＣＡＣ−ＯＳ］
　ＣＡＣ−ＯＳとは、例えば、金属酸化物を構成する元素が、０．５ｎｍ以上１０ｎｍ以下、好ましくは、１ｎｍ以上３ｎｍ以下、またはその近傍のサイズで偏在した材料の一構成である。なお、以下では、金属酸化物において、一つまたは複数の金属元素が偏在し、該金属元素を有する領域が、０．５ｎｍ以上１０ｎｍ以下、好ましくは、１ｎｍ以上３ｎｍ以下、またはその近傍のサイズで混合した状態をモザイク状、またはパッチ状ともいう。

　さらに、ＣＡＣ−ＯＳとは、第１の領域と、第２の領域と、に材料が分離することでモザイク状となり、当該第１の領域が、膜中に分布した構成（以下、クラウド状ともいう。）である。つまり、ＣＡＣ−ＯＳは、当該第１の領域と、当該第２の領域とが、混合している構成を有する複合金属酸化物である。

　ここで、Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ酸化物におけるＣＡＣ−ＯＳを構成する金属元素に対するＩｎ、Ｇａ、及びＺｎの原子数比のそれぞれを、［Ｉｎ］、［Ｇａ］、及び［Ｚｎ］と表記する。例えば、Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ酸化物におけるＣＡＣ−ＯＳにおいて、第１の領域は、［Ｉｎ］が、ＣＡＣ−ＯＳ膜の組成における［Ｉｎ］よりも大きい領域である。また、第２の領域は、［Ｇａ］が、ＣＡＣ−ＯＳ膜の組成における［Ｇａ］よりも大きい領域である。または、例えば、第１の領域は、［Ｉｎ］が、第２の領域における［Ｉｎ］よりも大きく、且つ、［Ｇａ］が、第２の領域における［Ｇａ］よりも小さい領域である。また、第２の領域は、［Ｇａ］が、第１の領域における［Ｇａ］よりも大きく、且つ、［Ｉｎ］が、第１の領域における［Ｉｎ］よりも小さい領域である。

　具体的には、上記第１の領域は、インジウム酸化物、インジウム亜鉛酸化物などが主成分である領域である。また、上記第２の領域は、ガリウム酸化物、ガリウム亜鉛酸化物などが主成分である領域である。つまり、上記第１の領域を、Ｉｎを主成分とする領域と言い換えることができる。また、上記第２の領域を、Ｇａを主成分とする領域と言い換えることができる。

　なお、上記第１の領域と、上記第２の領域とは、明確な境界が観察できない場合がある。

　また、Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ酸化物におけるＣＡＣ−ＯＳとは、Ｉｎ、Ｇａ、Ｚｎ、及びＯを含む材料構成において、一部にＧａを主成分とする領域と、一部にＩｎを主成分とする領域とが、それぞれモザイク状であり、これらの領域がランダムに存在している構成をいう。よって、ＣＡＣ−ＯＳは、金属元素が不均一に分布した構造を有していると推測される。

　ＣＡＣ−ＯＳは、例えば基板を加熱しない条件で、スパッタリング法により形成することができる。また、ＣＡＣ−ＯＳをスパッタリング法で形成する場合、成膜ガスとして、不活性ガス（代表的にはアルゴン）、酸素ガス、及び窒素ガスの中から選ばれたいずれか一つまたは複数を用いればよい。また、成膜時の成膜ガスの総流量に対する酸素ガスの流量比は低いほど好ましく、例えば、成膜時の成膜ガスの総流量に対する酸素ガスの流量比を０％以上３０％未満、好ましくは０％以上１０％以下とすることが好ましい。

　また、例えば、Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ酸化物におけるＣＡＣ−ＯＳでは、エネルギー分散型Ｘ線分光法（ＥＤＸ：Ｅｎｅｒｇｙ　Ｄｉｓｐｅｒｓｉｖｅ　Ｘ−ｒａｙ　ｓｐｅｃｔｒｏｓｃｏｐｙ）を用いて取得したＥＤＸマッピングにより、Ｉｎを主成分とする領域（第１の領域）と、Ｇａを主成分とする領域（第２の領域）とが、偏在し、混合している構造を有することが確認できる。

　ここで、第１の領域は、第２の領域と比較して、導電性が高い領域である。つまり、第１の領域を、キャリアが流れることにより、金属酸化物としての導電性が発現する。従って、第１の領域が、金属酸化物中にクラウド状に分布することで、高い電界効果移動度（μ）が実現できる。

　一方、第２の領域は、第１の領域と比較して、絶縁性が高い領域である。つまり、第２の領域が、金属酸化物中に分布することで、リーク電流を抑制することができる。

　従って、ＣＡＣ−ＯＳをトランジスタに用いる場合、第１の領域に起因する導電性と、第２の領域に起因する絶縁性とが、相補的に作用することにより、スイッチングさせる機能（Ｏｎ／Ｏｆｆさせる機能）をＣＡＣ−ＯＳに付与することができる。つまり、ＣＡＣ−ＯＳとは、材料の一部では導電性の機能と、材料の一部では絶縁性の機能とを有し、材料の全体では半導体としての機能を有する。導電性の機能と絶縁性の機能とを分離させることで、双方の機能を最大限に高めることができる。よって、ＣＡＣ−ＯＳをトランジスタに用いることで、高いオン電流（Ｉ_ｏｎ）、高い電界効果移動度（μ）、及び良好なスイッチング動作を実現することができる。

　また、ＣＡＣ−ＯＳを用いたトランジスタは、信頼性が高い。従って、ＣＡＣ−ＯＳは、表示装置をはじめとするさまざまな半導体装置に最適である。

　酸化物半導体は、多様な構造をとり、それぞれが異なる特性を有する。本発明の一態様の酸化物半導体は、非晶質酸化物半導体、多結晶酸化物半導体、ａ−ｌｉｋｅ　ＯＳ、ＣＡＣ−ＯＳ、ｎｃ−ＯＳ、ＣＡＡＣ−ＯＳのうち、二種以上を有していてもよい。

＜酸化物半導体を有するトランジスタ＞
　続いて、上記酸化物半導体をトランジスタに用いる場合について説明する。

　上記酸化物半導体をトランジスタに用いることで、高い電界効果移動度のトランジスタを実現することができる。また、信頼性の高いトランジスタを実現することができる。

　トランジスタには、キャリア濃度の低い酸化物半導体を用いることが好ましい。例えば、酸化物半導体のキャリア濃度は１×１０^１７ｃｍ^−３以下、好ましくは１×１０^１５ｃｍ^−３以下、さらに好ましくは１×１０^１３ｃｍ^−３以下、より好ましくは１×１０^１１ｃｍ^−３以下、さらに好ましくは１×１０^１０ｃｍ^−３未満であり、１×１０^−９ｃｍ^−３以上である。なお、酸化物半導体膜のキャリア濃度を低くする場合においては、酸化物半導体膜中の不純物濃度を低くし、欠陥準位密度を低くすればよい。本明細書等において、不純物濃度が低く、欠陥準位密度の低いことを高純度真性または実質的に高純度真性と言う。なお、キャリア濃度の低い酸化物半導体を、高純度真性または実質的に高純度真性な酸化物半導体と呼ぶ場合がある。

　また、高純度真性または実質的に高純度真性である酸化物半導体膜は、欠陥準位密度が低いため、トラップ準位密度も低くなる場合がある。

　また、酸化物半導体のトラップ準位に捕獲された電荷は、消失するまでに要する時間が長く、あたかも固定電荷のように振る舞うことがある。そのため、トラップ準位密度の高い酸化物半導体にチャネル形成領域が形成されるトランジスタは、電気特性が不安定となる場合がある。

　従って、トランジスタの電気特性を安定にするためには、酸化物半導体中の不純物濃度を低減することが有効である。また、酸化物半導体中の不純物濃度を低減するためには、近接する膜中の不純物濃度も低減することが好ましい。不純物としては、水素、窒素、アルカリ金属、アルカリ土類金属、鉄、ニッケル、シリコン等がある。

＜不純物＞
　ここで、酸化物半導体中における各不純物の影響について説明する。

　酸化物半導体において、第１４族元素の一つであるシリコンまたは炭素が含まれると、酸化物半導体において欠陥準位が形成される。このため、酸化物半導体におけるシリコンまたは炭素の濃度と、酸化物半導体との界面近傍のシリコンまたは炭素の濃度（二次イオン質量分析法（ＳＩＭＳ：Ｓｅｃｏｎｄａｒｙ　Ｉｏｎ　Ｍａｓｓ　Ｓｐｅｃｔｒｏｍｅｔｒｙ）により得られる濃度）を、２×１０^１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以下、好ましくは２×１０^１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以下とする。

　また、酸化物半導体にアルカリ金属またはアルカリ土類金属が含まれると、欠陥準位を形成し、キャリアを生成する場合がある。従って、アルカリ金属またはアルカリ土類金属が含まれている酸化物半導体を用いたトランジスタはノーマリーオン特性となりやすい。このため、ＳＩＭＳにより得られる酸化物半導体中のアルカリ金属またはアルカリ土類金属の濃度を、１×１０^１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以下、好ましくは２×１０^１６ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以下にする。

　また、酸化物半導体において、窒素が含まれると、キャリアである電子が生じ、キャリア濃度が増加し、ｎ型化しやすい。この結果、窒素が含まれている酸化物半導体を半導体に用いたトランジスタはノーマリーオン特性となりやすい。または、酸化物半導体において、窒素が含まれると、トラップ準位が形成される場合がある。この結果、トランジスタの電気特性が不安定となる場合がある。このため、ＳＩＭＳにより得られる酸化物半導体中の窒素濃度を、５×１０^１９ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３未満、好ましくは５×１０^１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以下、より好ましくは１×１０^１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以下、さらに好ましくは５×１０^１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以下にする。

　また、酸化物半導体に含まれる水素は、金属原子と結合する酸素と反応して水になるため、酸素欠損を形成する場合がある。該酸素欠損に水素が入ることで、キャリアである電子が生成される場合がある。また、水素の一部が金属原子と結合する酸素と結合して、キャリアである電子を生成することがある。従って、水素が含まれている酸化物半導体を用いたトランジスタはノーマリーオン特性となりやすい。このため、酸化物半導体中の水素はできる限り低減されていることが好ましい。具体的には、酸化物半導体において、ＳＩＭＳにより得られる水素濃度を、１×１０^２０ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３未満、好ましくは１×１０^１９ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３未満、より好ましくは５×１０^１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３未満、さらに好ましくは１×１０^１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３未満にする。

　不純物が十分に低減された酸化物半導体をトランジスタのチャネル形成領域に用いることで、安定した電気特性を付与することができる。

（実施の形態６）
　本実施の形態では、本発明の一態様の電子機器について図２１乃至図２４を用いて説明する。

　本実施の形態の電子機器は、本発明の一態様の表示装置を有する。本発明の一態様の表示装置は、高精細化、高解像度化、大型化のそれぞれが容易である。したがって、本発明の一態様の表示装置は、様々な電子機器の表示部に用いることができる。

　また、本発明の一態様の表示装置は、低いコストで作製できるため、電子機器の製造コストを低減することができる。

　電子機器としては、例えば、テレビジョン装置、デスクトップ型もしくはノート型のパーソナルコンピュータ、コンピュータ用などのモニタ、デジタルサイネージ、パチンコ機などの大型ゲーム機などの比較的大きな画面を備える電子機器の他、デジタルカメラ、デジタルビデオカメラ、デジタルフォトフレーム、携帯電話機、携帯型ゲーム機、携帯情報端末、音響再生装置、などが挙げられる。

　特に、本発明の一態様の表示装置は、精細度を高めることが可能なため、比較的小さな表示部を有する電子機器に好適に用いることができる。このような電子機器としては、例えば腕時計型、ブレスレット型などの情報端末機（ウェアラブル機器）、並びに、ヘッドマウントディスプレイなどのＶＲ向け機器、メガネ型のＡＲ向け機器など、頭部に装着可能なウェアラブル機器等が挙げられる。また、ウェアラブル機器としては、ＳＲ（Ｓｕｂｓｔｉｔｕｔｉｏｎａｌ　Ｒｅａｌｉｔｙ）向け機器、及び、ＭＲ（Ｍｉｘｅｄ　Ｒｅａｌｉｔｙ）向け機器も挙げられる。

　本発明の一態様の表示装置は、ＨＤ（画素数１２８０×７２０）、ＦＨＤ（画素数１９２０×１０８０）、ＷＱＨＤ（画素数２５６０×１４４０）、ＷＱＸＧＡ（画素数２５６０×１６００）、４Ｋ２Ｋ（画素数３８４０×２１６０）、８Ｋ４Ｋ（画素数７６８０×４３２０）といった極めて高い解像度を有していることが好ましい。特に４Ｋ２Ｋ、８Ｋ４Ｋ、又はそれ以上の解像度とすることが好ましい。また、本発明の一態様の表示装置における画素密度（精細度）は、３００ｐｐｉ以上が好ましく、５００ｐｐｉ以上がより好ましく、１０００ｐｐｉ以上がより好ましく、２０００ｐｐｉ以上がより好ましく、３０００ｐｐｉ以上がより好ましく、５０００ｐｐｉ以上がより好ましく、７０００ｐｐｉ以上がさらに好ましい。このように高い解像度または高い精細度を有する表示装置を用いることで、携帯型または家庭用途などのパーソナルユースの電子機器において、臨場感及び奥行き感などをより高めることが可能となる。

　本実施の形態の電子機器は、家屋もしくはビルの内壁もしくは外壁、または、自動車の内装もしくは外装の曲面に沿って組み込むことができる。

　本実施の形態の電子機器は、アンテナを有していてもよい。アンテナで信号を受信することで、表示部で映像及び情報等の表示を行うことができる。また、電子機器がアンテナ及び二次電池を有する場合、アンテナを、非接触電力伝送に用いてもよい。

　本実施の形態の電子機器は、センサ（力、変位、位置、速度、加速度、角速度、回転数、距離、光、液、磁気、温度、化学物質、音声、時間、硬度、電場、電流、電圧、電力、放射線、流量、湿度、傾度、振動、においまたは赤外線を測定する機能を含むもの）を有していてもよい。

　本実施の形態の電子機器は、様々な機能を有することができる。例えば、様々な情報（静止画、動画、テキスト画像など）を表示部に表示する機能、タッチパネル機能、カレンダー、日付または時刻などを表示する機能、様々なソフトウェア（プログラム）を実行する機能、無線通信機能、記録媒体に記録されているプログラムまたはデータを読み出す機能等を有することができる。

　図２１Ａに示す電子機器６５００は、スマートフォンとして用いることのできる携帯情報端末機である。

　電子機器６５００は、筐体６５０１、表示部６５０２、電源ボタン６５０３、ボタン６５０４、スピーカ６５０５、マイク６５０６、カメラ６５０７、及び光源６５０８等を有する。表示部６５０２はタッチパネル機能を備える。

　表示部６５０２に、本発明の一態様の表示装置を適用することができる。

　図２１Ｂは、筐体６５０１のマイク６５０６側の端部を含む断面概略図である。

　筐体６５０１の表示面側には透光性を有する保護部材６５１０が設けられ、筐体６５０１と保護部材６５１０に囲まれた空間内に、表示パネル６５１１、光学部材６５１２、タッチセンサパネル６５１３、プリント基板６５１７、バッテリ６５１８等が配置されている。

　保護部材６５１０には、表示パネル６５１１、光学部材６５１２、及びタッチセンサパネル６５１３が接着層（図示しない）により固定されている。

　表示部６５０２よりも外側の領域において、表示パネル６５１１の一部が折り返されており、当該折り返された部分にＦＰＣ６５１５が接続されている。ＦＰＣ６５１５には、ＩＣ６５１６が実装されている。ＦＰＣ６５１５は、プリント基板６５１７に設けられた端子に接続されている。

　表示パネル６５１１には本発明の一態様のフレキシブルディスプレイ（可撓性を有する表示装置）を適用することができる。そのため、極めて軽量な電子機器を実現できる。また、表示パネル６５１１が極めて薄いため、電子機器の厚さを抑えつつ、大容量のバッテリ６５１８を搭載することもできる。また、表示パネル６５１１の一部を折り返して、画素部の裏側にＦＰＣ６５１５との接続部を配置することにより、狭額縁の電子機器を実現できる。

　図２２Ａにテレビジョン装置の一例を示す。テレビジョン装置７１００は、筐体７１０１に表示部７０００が組み込まれている。ここでは、スタンド７１０３により筐体７１０１を支持した構成を示している。

　表示部７０００に、本発明の一態様の表示装置を適用することができる。

　図２２Ａに示すテレビジョン装置７１００の操作は、筐体７１０１が備える操作スイッチ、及び、別体のリモコン操作機７１１１により行うことができる。または、表示部７０００にタッチセンサを備えていてもよく、指等で表示部７０００に触れることでテレビジョン装置７１００を操作してもよい。リモコン操作機７１１１は、当該リモコン操作機７１１１から出力する情報を表示する表示部を有していてもよい。リモコン操作機７１１１が備える操作キーまたはタッチパネルにより、チャンネル及び音量の操作を行うことができ、表示部７０００に表示される映像を操作することができる。

　なお、テレビジョン装置７１００は、受信機及びモデムなどを備えた構成とする。受信機により一般のテレビ放送の受信を行うことができる。また、モデムを介して有線または無線による通信ネットワークに接続することにより、一方向（送信者から受信者）または双方向（送信者と受信者間、あるいは受信者間同士など）の情報通信を行うことも可能である。

　図２２Ｂに、ノート型パーソナルコンピュータの一例を示す。ノート型パーソナルコンピュータ７２００は、筐体７２１１、キーボード７２１２、ポインティングデバイス７２１３、外部接続ポート７２１４等を有する。筐体７２１１に、表示部７０００が組み込まれている。

　図２２Ｃ及び図２２Ｄに、デジタルサイネージの一例を示す。

　図２２Ｃに示すデジタルサイネージ７３００は、筐体７３０１、表示部７０００、及びスピーカ７３０３等を有する。さらに、ＬＥＤランプ、操作キー（電源スイッチ、または操作スイッチを含む）、接続端子、各種センサ、マイクロフォン等を有することができる。

　図２２Ｄは円柱状の柱７４０１に取り付けられたデジタルサイネージ７４００である。デジタルサイネージ７４００は、柱７４０１の曲面に沿って設けられた表示部７０００を有する。

　図２２Ｃ及び図２２Ｄにおいて、表示部７０００に、本発明の一態様の表示装置を適用することができる。

　表示部７０００が広いほど、一度に提供できる情報量を増やすことができる。また、表示部７０００が広いほど、人の目につきやすく、例えば、広告の宣伝効果を高めることができる。

　表示部７０００にタッチパネルを適用することで、表示部７０００に画像または動画を表示するだけでなく、使用者が直感的に操作することができ、好ましい。また、路線情報もしくは交通情報などの情報を提供するための用途に用いる場合には、直感的な操作によりユーザビリティを高めることができる。

　また、図２２Ｃ及び図２２Ｄに示すように、デジタルサイネージ７３００またはデジタルサイネージ７４００は、ユーザが所持するスマートフォン等の情報端末機７３１１または情報端末機７４１１と無線通信により連携可能であることが好ましい。例えば、表示部７０００に表示される広告の情報を、情報端末機７３１１または情報端末機７４１１の画面に表示させることができる。また、情報端末機７３１１または情報端末機７４１１を操作することで、表示部７０００の表示を切り替えることができる。

　また、デジタルサイネージ７３００またはデジタルサイネージ７４００に、情報端末機７３１１または情報端末機７４１１の画面を操作手段（コントローラ）としたゲームを実行させることもできる。これにより、不特定多数のユーザが同時にゲームに参加し、楽しむことができる。

　図２３Ａは、ファインダー８１００を取り付けた状態のカメラ８０００の外観を示す図である。

　カメラ８０００は、筐体８００１、表示部８００２、操作ボタン８００３、シャッターボタン８００４等を有する。またカメラ８０００には、着脱可能なレンズ８００６が取り付けられている。なお、カメラ８０００は、レンズ８００６と筐体とが一体となっていてもよい。

　カメラ８０００は、シャッターボタン８００４を押す、またはタッチパネルとして機能する表示部８００２をタッチすることにより撮像することができる。

　筐体８００１は、電極を有するマウントを有し、ファインダー８１００のほか、ストロボ装置等を接続することができる。

　ファインダー８１００は、筐体８１０１、表示部８１０２、ボタン８１０３等を有する。

　筐体８１０１は、カメラ８０００のマウントと係合するマウントにより、カメラ８０００に取り付けられている。ファインダー８１００はカメラ８０００から受信した映像等を表示部８１０２に表示させることができる。

　ボタン８１０３は、電源ボタン等としての機能を有する。

　カメラ８０００の表示部８００２、及びファインダー８１００の表示部８１０２に、本発明の一態様の表示装置を適用することができる。なお、ファインダーが内蔵されたカメラ８０００であってもよい。

　図２３Ｂは、ヘッドマウントディスプレイ８２００の外観を示す図である。

　ヘッドマウントディスプレイ８２００は、装着部８２０１、レンズ８２０２、本体８２０３、表示部８２０４、ケーブル８２０５等を有している。また装着部８２０１には、バッテリ８２０６が内蔵されている。

　ケーブル８２０５は、バッテリ８２０６から本体８２０３に電力を供給する。本体８２０３は無線受信機等を備え、受信した映像情報を表示部８２０４に表示させることができる。また、本体８２０３はカメラを備え、使用者の眼球またはまぶたの動きの情報を入力手段として用いることができる。

　また、装着部８２０１には、使用者に触れる位置に、使用者の眼球の動きに伴って流れる電流を検知可能な複数の電極が設けられ、視線を認識する機能を有していてもよい。また、当該電極に流れる電流により、使用者の脈拍をモニタする機能を有していてもよい。また、装着部８２０１には、温度センサ、圧力センサ、加速度センサ等の各種センサを有していてもよく、使用者の生体情報を表示部８２０４に表示する機能、使用者の頭部の動きに合わせて表示部８２０４に表示する映像を変化させる機能などを有していてもよい。

　表示部８２０４に、本発明の一態様の表示装置を適用することができる。

　図２３Ｃ乃至図２３Ｅは、ヘッドマウントディスプレイ８３００の外観を示す図である。ヘッドマウントディスプレイ８３００は、筐体８３０１と、表示部８３０２と、バンド状の固定具８３０４と、一対のレンズ８３０５と、を有する。

　使用者は、レンズ８３０５を通して、表示部８３０２の表示を視認することができる。なお、表示部８３０２を湾曲して配置させると、使用者が高い臨場感を感じることができるため好ましい。また、表示部８３０２の異なる領域に表示された別の画像を、レンズ８３０５を通して視認することで、視差を用いた３次元表示等を行うこともできる。なお、表示部８３０２を１つ設ける構成に限られず、表示部８３０２を２つ設け、使用者の片方の目につき１つの表示部を配置してもよい。

　表示部８３０２に、本発明の一態様の表示装置を適用することができる。本発明の一態様の表示装置は、極めて高い精細度を実現することも可能である。例えば、図２３Ｅのようにレンズ８３０５を用いて表示を拡大して視認される場合でも、使用者に画素が視認されにくい。つまり、表示部８３０２を用いて、使用者に現実感の高い映像を視認させることができる。

　図２３Ｆは、ゴーグル型のヘッドマウントディスプレイ８４００の外観を示す図である。ヘッドマウントディスプレイ８４００は、一対の筐体８４０１と、装着部８４０２と、緩衝部材８４０３と、を有する。一対の筐体８４０１内には、それぞれ、表示部８４０４及びレンズ８４０５が設けられる。一対の表示部８４０４に互いに異なる画像を表示させることで、視差を用いた３次元表示を行うことができる。

　使用者は、レンズ８４０５を通して表示部８４０４を視認することができる。レンズ８４０５はピント調整機構を有し、使用者の視力に応じて位置を調整することができる。表示部８４０４は、正方形または横長の長方形であることが好ましい。これにより、臨場感を高めることができる。

　装着部８４０２は、使用者の顔のサイズに応じて調整でき、かつ、ずれ落ちることのないよう、可塑性及び弾性を有することが好ましい。また、装着部８４０２の一部は、骨伝導イヤフォンとして機能する振動機構を有していることが好ましい。これにより、別途イヤフォン、スピーカなどの音響機器を必要とせず、装着しただけで映像と音声を楽しむことができる。なお、筐体８４０１内に、無線通信により音声データを出力する機能を有していてもよい。

　装着部８４０２と緩衝部材８４０３は、使用者の顔（額、頬など）に接触する部分である。緩衝部材８４０３が使用者の顔と密着することにより、光漏れを防ぐことができ、より没入感を高めることができる。緩衝部材８４０３は、使用者がヘッドマウントディスプレイ８４００を装着した際に使用者の顔に密着するよう、柔らかな素材を用いることが好ましい。例えばゴム、シリコーンゴム、ウレタン、スポンジなどの素材を用いることができる。また、スポンジ等の表面を布、革（天然皮革または合成皮革）、などで覆ったものを用いると、使用者の顔と緩衝部材８４０３との間に隙間が生じにくく光漏れを好適に防ぐことができる。また、このような素材を用いると、肌触りが良いことに加え、寒い季節などに装着した際に、使用者に冷たさを感じさせないため好ましい。緩衝部材８４０３または装着部８４０２などの、使用者の肌に触れる部材は、取り外し可能な構成とすると、クリーニングまたは交換が容易となるため好ましい。

　図２４Ａ乃至図２４Ｆに示す電子機器は、筐体９０００、表示部９００１、スピーカ９００３、操作キー９００５（電源スイッチ、または操作スイッチを含む）、接続端子９００６、センサ９００７（力、変位、位置、速度、加速度、角速度、回転数、距離、光、液、磁気、温度、化学物質、音声、時間、硬度、電場、電流、電圧、電力、放射線、流量、湿度、傾度、振動、においまたは赤外線を測定する機能を含むもの）、マイクロフォン９００８、等を有する。

　図２４Ａ乃至図２４Ｆに示す電子機器は、様々な機能を有する。例えば、様々な情報（静止画、動画、テキスト画像など）を表示部に表示する機能、タッチパネル機能、カレンダー、日付または時刻などを表示する機能、様々なソフトウェア（プログラム）によって処理を制御する機能、無線通信機能、記録媒体に記録されているプログラムまたはデータを読み出して処理する機能、等を有することができる。なお、電子機器の機能はこれらに限られず、様々な機能を有することができる。電子機器は、複数の表示部を有していてもよい。また、電子機器にカメラ等を設け、静止画または動画を撮影し、記録媒体（外部またはカメラに内蔵）に保存する機能、撮影した画像を表示部に表示する機能、等を有していてもよい。

　表示部９００１に、本発明の一態様の表示装置を適用することができる。

　図２４Ａ乃至図２４Ｆに示す電子機器の詳細について、以下説明を行う。

　図２４Ａは、携帯情報端末９１０１を示す斜視図である。携帯情報端末９１０１は、例えばスマートフォンとして用いることができる。なお、携帯情報端末９１０１は、スピーカ９００３、接続端子９００６、センサ９００７等を設けてもよい。また、携帯情報端末９１０１は、文字及び画像情報をその複数の面に表示することができる。図２４Ａでは３つのアイコン９０５０を表示した例を示している。また、破線の矩形で示す情報９０５１を表示部９００１の他の面に表示することもできる。情報９０５１の一例としては、電子メール、ＳＮＳ、電話などの着信の通知、電子メール、ＳＮＳなどの題名、送信者名、日時、時刻、バッテリの残量、アンテナ受信の強度などがある。または、情報９０５１が表示されている位置にはアイコン９０５０などを表示してもよい。

　図２４Ｂは、携帯情報端末９１０２を示す斜視図である。携帯情報端末９１０２は、表示部９００１の３面以上に情報を表示する機能を有する。ここでは、情報９０５２、情報９０５３、情報９０５４がそれぞれ異なる面に表示されている例を示す。例えば使用者は、洋服の胸ポケットに携帯情報端末９１０２を収納した状態で、携帯情報端末９１０２の上方から観察できる位置に表示された情報９０５３を確認することもできる。使用者は、携帯情報端末９１０２をポケットから取り出すことなく表示を確認し、例えば電話を受けるか否かを判断できる。

　図２４Ｃは、腕時計型の携帯情報端末９２００を示す斜視図である。携帯情報端末９２００は、例えばスマートウォッチ（登録商標）として用いることができる。また、表示部９００１はその表示面が湾曲して設けられ、湾曲した表示面に沿って表示を行うことができる。また、携帯情報端末９２００を、例えば無線通信可能なヘッドセットと相互通信させることによって、ハンズフリーで通話することもできる。また、携帯情報端末９２００は、接続端子９００６により、他の情報端末と相互にデータ伝送を行うこと、及び、充電を行うこともできる。なお、充電動作は無線給電により行ってもよい。

　図２４Ｄ乃至図２４Ｆは、折り畳み可能な携帯情報端末９２０１を示す斜視図である。また、図２４Ｄは携帯情報端末９２０１を展開した状態、図２４Ｆは折り畳んだ状態、図２４Ｅは図２４Ｄと図２４Ｆの一方から他方に変化する途中の状態の斜視図である。携帯情報端末９２０１は、折り畳んだ状態では可搬性に優れ、展開した状態では継ぎ目のない広い表示領域により表示の一覧性に優れる。携帯情報端末９２０１が有する表示部９００１は、ヒンジ９０５５によって連結された３つの筐体９０００に支持されている。例えば、表示部９００１は、曲率半径０．１ｍｍ以上１５０ｍｍ以下で曲げることができる。

１００：表示装置、１０１：基板、１０３：画素、１０３ａ：副画素、１０３ｂ：副画素、１０３ｃ：副画素、１１０：発光素子、１１０Ｂ：発光素子、１１０Ｇ：発光素子、１１０Ｒ：発光素子、１１１：画素電極、１１１Ｂ：画素電極、１１１Ｃ：接続電極、１１１Ｇ：画素電極、１１１Ｒ：画素電極、１１２：ＥＬ層、１１２Ｂ：ＥＬ層、１１２Ｂｆ：ＥＬ膜、１１２Ｇ：ＥＬ層、１１２Ｇｆ：ＥＬ膜、１１２Ｒ：ＥＬ層、１１２Ｒｆ：ＥＬ膜、１１３：共通電極、１１４：共通層、１２１：保護層、１２４ａ：画素、１２４ｂ：画素、１３０：領域、１３１：絶縁層、１３１ａ：絶縁層、１３１ａｆ：絶縁膜、１３１ａｐ：絶縁層、１３１ｂ：絶縁層、１３１ｂ１：絶縁層、１３１ｂ１ｆ：絶縁膜、１３１ｂ２：絶縁層、１３１ｂ２ｆ：絶縁膜、１３１ｂｆ：絶縁膜、１３２：絶縁層、１３２ｆ：絶縁膜、１４３ａ：レジストマスク、１４３ｂ：レジストマスク、１４３ｃ：レジストマスク、１４４：犠牲膜、１４４Ｂ：犠牲膜、１４４Ｇ：犠牲膜、１４４Ｒ：犠牲膜、１４５：犠牲層、１４５Ｂ：犠牲層、１４５Ｇ：犠牲層、１４５Ｒ：犠牲層、１４８：レジストマスク、２０１：トランジスタ、２０４：接続部、２０５：トランジスタ、２０９：トランジスタ、２１１：絶縁層、２１３：絶縁層、２１４：絶縁層、２１５：絶縁層、２１８：絶縁層、２２１：導電層、２２２ａ：導電層、２２２ｂ：導電層、２２３：導電層、２２８：領域、２３１：半導体層、２３１ｉ：チャネル形成領域、２３１ｎ：低抵抗領域、２４０：容量、２４１：導電層、２４２：接続層、２４３：絶縁層、２４５：導電層、２５１：導電層、２５２：導電層、２５４：絶縁層、２５５：絶縁層、２５６：プラグ、２６１：絶縁層、２６２：絶縁層、２６３：絶縁層、２６４：絶縁層、２６５：絶縁層、２７１：プラグ、２７４：プラグ、２７４ａ：導電層、２７４ｂ：導電層、２８０：表示モジュール、２８１：表示部、２８２：回路部、２８３：画素回路部、２８３ａ：画素回路、２８４：画素部、２８４ａ：画素、２８５：端子部、２８６：配線部、２９０：ＦＰＣ、２９１：基板、２９２：基板、３０１：基板、３０１Ａ：基板、３０１Ｂ：基板、３１０：トランジスタ、３１０Ａ：トランジスタ、３１０Ｂ：トランジスタ、３１１：導電層、３１２：低抵抗領域、３１３：絶縁層、３１４：絶縁層、３１５：素子分離層、３２０：トランジスタ、３２１：半導体層、３２３：絶縁層、３２４：導電層、３２５：導電層、３２６：絶縁層、３２７：導電層、３２８：絶縁層、３２９：絶縁層、３３１：基板、３３２：絶縁層、３４１：導電層、３４２：導電層、３４３：プラグ、４００Ａ：表示装置、４００Ｃ：表示装置、４００Ｄ：表示装置、４００Ｅ：表示装置、４００Ｆ：表示装置、４１０：保護層、４１１ａ：画素電極、４１１ｂ：画素電極、４１１ｃ：画素電極、４１４：絶縁層、４１５：保護層、４１６ａ：ＥＬ層、４１６ｂ：ＥＬ層、４１６ｃ：ＥＬ層、４１７：遮光層、４１８ａ：導電層、４１８ｂ：導電層、４１８ｃ：導電層、４１９：樹脂層、４２０：基板、４２１：絶縁層、４２１ｂ：絶縁層、４３０ａ：発光素子、４３０ｂ：発光素子、４３０ｃ：発光素子、４４２：接着層、４４３：空間、４５１：基板、４５２：基板、４６２：表示部、４６４：回路、４６５：配線、４６６：導電層、４７２：ＦＰＣ、４７３：ＩＣ、７７２：下部電極、７８５：着色層、７８６：ＥＬ層、７８６ａ：ＥＬ層、７８６ｂ：ＥＬ層、７８８：上部電極、４４１１：発光層、４４１２：発光層、４４１３：発光層、４４２０：層、４４２０−１：層、４４２０−２：層、４４３０：層、４４３０−１：層、４４３０−２：層、６５００：電子機器、６５０１：筐体、６５０２：表示部、６５０３：電源ボタン、６５０４：ボタン、６５０５：スピーカ、６５０６：マイク、６５０７：カメラ、６５０８：光源、６５１０：保護部材、６５１１：表示パネル、６５１２：光学部材、６５１３：タッチセンサパネル、６５１５：ＦＰＣ、６５１６：ＩＣ、６５１７：プリント基板、６５１８：バッテリ、７０００：表示部、７１００：テレビジョン装置、７１０１：筐体、７１０３：スタンド、７１１１：リモコン操作機、７２００：ノート型パーソナルコンピュータ、７２１１：筐体、７２１２：キーボード、７２１３：ポインティングデバイス、７２１４：外部接続ポート、７３００：デジタルサイネージ、７３０１：筐体、７３０３：スピーカ、７３１１：情報端末機、７４００：デジタルサイネージ、７４０１：柱、７４１１：情報端末機、８０００：カメラ、８００１：筐体、８００２：表示部、８００３：操作ボタン、８００４：シャッターボタン、８００６：レンズ、８１００：ファインダー、８１０１：筐体、８１０２：表示部、８１０３：ボタン、８２００：ヘッドマウントディスプレイ、８２０１：装着部、８２０２：レンズ、８２０３：本体、８２０４：表示部、８２０５：ケーブル、８２０６：バッテリ、８３００：ヘッドマウントディスプレイ、８３０１：筐体、８３０２：表示部、８３０４：固定具、８３０５：レンズ、８４００：ヘッドマウントディスプレイ、８４０１：筐体、８４０２：装着部、８４０３：緩衝部材、８４０４：表示部、８４０５：レンズ、９０００：筐体、９００１：表示部、９００３：スピーカ、９００５：操作キー、９００６：接続端子、９００７：センサ、９００８：マイクロフォン、９０５０：アイコン、９０５１：情報、９０５２：情報、９０５３：情報、９０５４：情報、９０５５：ヒンジ、９１０１：携帯情報端末、９１０２：携帯情報端末、９２００：携帯情報端末、９２０１：携帯情報端末

Claims

　第１の画素と、前記第１の画素と隣接して配置された第２の画素と、第１の絶縁層と、前記第１の絶縁層上の第２の絶縁層と、前記第２の絶縁層上の第３の絶縁層と、を有する表示装置であって、
　前記第１の画素は、第１の画素電極と、前記第１の画素電極上の第１のＥＬ層と、前記第１のＥＬ層上の共通電極と、を有し、
　前記第２の画素は、第２の画素電極と、前記第２の画素電極上の第２のＥＬ層と、前記第２のＥＬ層上の前記共通電極と、を有し、
　前記第１の絶縁層、及び前記第３の絶縁層は、無機材料を有し、
　前記第２の絶縁層は、有機材料を有し、
　前記第２の絶縁層は、前記第１の絶縁層を介して、前記第１のＥＬ層の側面、及び前記第２のＥＬ層の側面と重なり、
　前記第２の絶縁層は、前記第３の絶縁層を介して、前記共通電極と重なり、
　前記第３の絶縁層は、前記第２の絶縁層と重畳しない領域において、前記第１の絶縁層と接する、
　表示装置。
　請求項１において、
　前記第１の絶縁層は、前記第１の画素電極の側面、前記第１のＥＬ層の側面、前記第２の画素電極の側面、及び前記第２のＥＬ層の側面を覆う、表示装置。
　請求項１または請求項２において、
　前記第３の絶縁層の下面は、前記第２の絶縁層の上面に接する、表示装置。
　請求項１乃至請求項３のいずれか一項において、
　前記第３の絶縁層は、窒化シリコンを有する、表示装置。
　請求項１乃至請求項４のいずれか一項において、
　前記第１の絶縁層は、第４の絶縁層と、前記第４の絶縁層上の第５の絶縁層と、を有し、
　前記第４の絶縁層は、酸化アルミニウムを有し、
　前記第５の絶縁層は、窒化シリコンを有する、表示装置。
　請求項１乃至請求項５のいずれか一項において、
　前記第１の絶縁層の第１の領域が、前記第１のＥＬ層の上に位置し、且つ前記第１のＥＬ層の上面と重畳しており、
　前記第１の絶縁層の第２の領域が、前記第２のＥＬ層の上に位置し、且つ前記第２のＥＬ層の上面と重畳しており、
　前記第１の領域と前記第１のＥＬ層の間に、無機材料を含む第１の層が形成され、
　前記第２の領域と前記第２のＥＬ層の間に、無機材料を含む第２の層が形成される、表示装置。
　請求項１乃至請求項６のいずれか一項において、
　前記第１のＥＬ層の上面と、前記第２のＥＬ層の上面と、前記第３の絶縁層の上面と、は前記共通電極と接する領域を有する、表示装置。
　請求項１乃至請求項６のいずれか一項において、
　前記第１の画素は、前記第１のＥＬ層と前記共通電極の間に配置される共通層を有し、
　前記第２の画素は、前記第２のＥＬ層と前記共通電極の間に配置される前記共通層を有し、
　前記第１のＥＬ層の上面と、前記第２のＥＬ層の上面と、前記第３の絶縁層の上面と、は前記共通層と接する領域を有する、表示装置。
　請求項１乃至請求項８のいずれか一項において、
　前記表示装置の断面視において、前記第２の絶縁層の上面は凹曲面形状を有する、表示装置。