JP2022075922A - 発光装置 - Google Patents

Abstract

【課題】薄型化を達成しながら、信頼性が高い発光装置を提供することを目的の一とする。また、可撓性を有する基板上に発光素子が設けられた発光装置を歩留まり良く製造することを目的の一とする。【解決手段】可撓性を有する基板と、基板上に形成された発光素子と、発光素子を覆う樹脂膜と、を有し、発光素子において隔壁として機能する絶縁層が凸状部有し、樹脂膜がその凸状部を埋没することで、薄型化を達成しながら、信頼性の高い発光装置を提供することができる。また、作製工程においても、歩留まり良く発光装置を作製することができる。【選択図】図１

Description

本発明は、エレクトロルミネッセンスを利用した発光素子を有する発光装置に関する。ま
た、その発光装置を部品として搭載した電子機器に関する。

近年、テレビ、携帯電話、デジタルカメラ等における表示装置は、平面的で薄型の表示装
置が求められており、この要求を満たすための表示装置として、自発光型である発光素子
を利用した表示装置が注目されている。自発光型の発光素子の一つとして、エレクトロル
ミネッセンス（Ｅｌｅｃｔｒｏ Ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ）を利用する発光素子があり
、この発光素子は、発光材料を一対の電極で挟み、電圧を印加することにより、発光材料
からの発光を得ることができるものである。

このような自発光型の発光素子は、液晶ディスプレイに比べ画素の視認性が高く、バック
ライトが不要である等の利点があり、フラットパネルディスプレイ素子として好適である
。また、このような自発光型の発光素子は、薄膜化が可能なこと、または非常に応答速度
が速いことも特徴の一つである。

また、発光装置の市場が拡大するに伴い、薄型化が製品小型化の上で重要な要素となって
おり、薄型化技術や小型化製品の使用範囲が急速に広まっている。例えば、特許文献１で
は、剥離および転写技術を用いたフレキシブルなエレクトロルミネッセンス発光装置を提
案されている。

特開２００３－１７４１５３号公報

本発明の一態様は、薄型化を達成しながら、信頼性が高い発光装置を提供することを目的
とする。また、本発明の一態様は、可撓性を有する基板上に発光素子が設けられた発光装
置を歩留まり良く製造することを目的とする。

本発明の一態様は、可撓性を有する基板と、基板上に形成された発光素子と、発光素子を
覆う樹脂膜と、を有する。また、その発光素子は、第１の電極と、第１の電極の端部を覆
い、且つ凸状部を有する絶縁層と、第１の電極に接するＥＬ層と、ＥＬ層に接する第２の
電極と、を少なくとも含み、発光素子を覆う樹脂膜は、凸状部を埋没させている。すなわ
ち、樹脂膜は絶縁層と第２の電極の全面を覆っている。

また、本発明の一態様は、可撓性を有する第１の基板と、第１の基板上に形成された発光
素子と、発光素子を覆う樹脂膜と、樹脂膜上に設けられた可撓性を有する第２の基板と、
を有する。また、その発光素子は、第１の電極と、第１の電極の端部を覆い、且つ凸状部
を有する絶縁層と、第１の電極に接するＥＬ層と、ＥＬ層に接する第２の電極と、を少な
くとも含み、発光素子を覆う樹脂膜は、凸状部を埋没させている。すなわち、樹脂膜は絶
縁層と第２の電極の全面を覆っている。

また、本発明の一態様は、可撓性を有する第１の基板と、第１の基板上に形成された発光
素子と、発光素子を覆う樹脂膜と、樹脂膜上に設けられた可撓性を有する第２の基板と、
を有する。また、その発光素子は、第１の電極と、第１の電極の端部を覆う第１の絶縁層
と、第１の絶縁層に接し、その接触面積が前記第１の絶縁層の上面積より小さい第２の絶
縁層と、第１の電極に接するＥＬ層と、ＥＬ層に接する第２の電極と、を少なくとも含み
、発光素子を覆う樹脂膜は、第２の絶縁層を埋没させている。すなわち、樹脂膜は第２の
絶縁層と第２の電極の全面を覆っている。

上記に示す本発明の一態様としての発光装置において、第１又は第２の基板の一方または
双方は、繊維体に有機樹脂が含浸された構造体であってもよい。

なお、本明細書において、発光素子は、電流または電圧によって輝度が制御される素子を
その範疇に含んでおり、具体的には有機ＥＬ（Ｅｌｅｃｔｒｏ Ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃ
ｅ）素子、無機ＥＬ素子等が含まれる。

また、本明細書において開示される発光装置は、パッシブマトリクス型でもアクティブマ
トリクス型でもよい。

なお、本明細書中における発光装置とは、画像表示デバイス、発光デバイス、もしくは光
源（照明装置含む）を含む。また、パネルにコネクター、例えばＦＰＣ（Ｆｌｅｘｉｂｌ
ｅ ｐｒｉｎｔｅｄ ｃｉｒｃｕｉｔ）もしくはＴＡＢ（Ｔａｐｅ Ａｕｔｏｍａｔｅｄ
Ｂｏｎｄｉｎｇ）テープもしくはＴＣＰ（Ｔａｐｅ Ｃａｒｒｉｅｒ Ｐａｃｋａｇｅ
）が取り付けられたモジュール、ＴＡＢテープやＴＣＰの先にプリント配線板が設けられ
たモジュール、または発光素子にＣＯＧ（Ｃｈｉｐ Ｏｎ Ｇｌａｓｓ）方式によりＩＣ
（集積回路）が直接実装されたモジュールも全て発光装置に含むものとする。

なお、本明細書において使用した程度を表す用語、例えば「同じ」、「同程度」などは、
最終結果が顕著には変化しないように幾分変更された用語の合理的な逸脱の程度を意味す
る。これらの用語は、幾分変更された用語の少なくともプラスマイナス５％の逸脱を含む
ものとして解釈されるべきであるが、この逸脱が幾分変更される用語の意味を否定しない
ことを条件とする。

また、本明細書において、第１又は第２などとして付される序数詞は便宜上用いるもので
あり、工程順又は積層順を示すものではない。また、本明細書において発明を特定するた
めの事項として固有の名称を示すものではない。

本発明の一態様は、薄型化を達成しながら、信頼性の高い発光装置を提供することができ
る。また、本発明の一態様は、発光装置の製造工程においても、形状や特性の不良を防ぐ
ことが可能であり、歩留まり良く発光装置を製造することができる。

本発明の一態様の発光装置を説明する図。 本発明の一態様の発光装置を説明する図。 本発明の一態様の発光装置の製造方法を説明する図。 本発明の一態様の発光装置の製造方法を説明する図。 本発明の一態様の発光装置の製造方法を説明する図。 発光素子の構造の例を示す図。 本発明の一態様の発光装置の構造の例を示す図。 本発明の一態様の発光装置を説明する図。 本発明の一態様の発光装置の適用例を説明する図。 本発明の一態様の発光装置の適用例を説明する図。

以下、本発明の実施の形態について、図面を用いて詳細に説明する。但し、本発明は以下
の説明に限定されず、本発明の趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及び詳細
を様々に変更し得ることは当業者であれば容易に理解される。従って、以下に示す実施の
形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。なお、以下に説明する実施の形態の
構成において、同一部分又は同様な機能を有する部分には同一の符号を異なる図面間で共
通して用い、その繰り返しの説明は省略する。

（実施の形態１）
本実施の形態では、発光装置の一例を図１を用いて詳細に説明する。

図１に本実施の形態の発光装置の表示部を示す。図１に図示する本実施の形態の発光装置
は、基板２００上に形成された素子部１７０を有している。また、素子部１７０は、樹脂
膜１３０によって覆われている。

基板２００としては、可撓性を有する基板を用いることができ、例えば、ポリエチレンテ
レフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）等のポリエステル樹脂、
ポリアクリルニトリル樹脂、ポリイミド樹脂、ポリメチルメタクリレート樹脂、ポリカー
ボネート樹脂（ＰＣ）、ポリエーテルスルフォン樹脂（ＰＥＳ）、ポリアミド樹脂、シク
ロオレフィン樹脂、ポリスチレン樹脂、ポリアミドイミド樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂など
を好適に用いることができる。または、基板２００として、繊維体に有機樹脂が含浸され
た構造体を用いることができる。ただし、基板２００側から光を取り出す場合には、透光
性を有する基板を用いるものとする。

基板２００上には素子部１７０が形成されている。素子部１７０は、発光素子１４０と、
その発光素子１４０に電位をかけるためのスイッチング素子とを少なくとも有する。スイ
ッチング素子としては、トランジスタ（例えば、バイポーラトランジスタ、ＭＯＳトラン
ジスタなど）、ダイオード（例えば、ＰＮダイオード、ＰＩＮダイオード、ショットキー
ダイオード、ＭＩＭ（Ｍｅｔａｌ Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ Ｍｅｔａｌ）ダイオード、ＭＩ
Ｓ（Ｍｅｔａｌ Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）ダイオード、ダイ
オード接続のトランジスタなど）、サイリスタなどを用いることが出来る。または、これ
らを組み合わせた論理回路をスイッチング素子として用いることが出来る。本実施の形態
では、スイッチング素子として薄膜トランジスタ１０６を用いるものとする。また、発光
装置をドライバ一体型として素子部１７０に駆動回路部を含めても良い。なお、封止され
た基板の外部に駆動回路を形成することもできる。

発光素子１４０は、第１の電極１２２、第１の電極の端部を覆う絶縁層１３７、ＥＬ層１
３４、及び第２の電極１３６を有している。第１の電極１２２及び第２の電極１３６は、
一方が陽極として用いられ、他方が陰極として用いられる。

発光素子を構成するＥＬ層１３４は、少なくとも発光層を有する。また、ＥＬ層１３４は
、発光層の他に、正孔注入層、正孔輸送層、電子輸送層、電子注入層などを有する積層構
造とすることもできる。ＥＬ層１３４には、低分子系材料および高分子系材料のいずれを
用いることもできる。なお、ＥＬ層１３４を形成する材料には、有機化合物材料のみから
成るものだけでなく、無機化合物を含む構成も含めるものとする。

なお、発光装置をフルカラー表示とする場合、赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）及び青色（Ｂ）の
発光が得られる材料を用いて選択的にＥＬ層１３４を形成すればよく、モノカラー表示と
する場合、少なくとも一つの色を呈する材料を用いてＥＬ層１３４を形成すればよい。ま
た、ＥＬ層と、カラーフィルタ（図示しない）を組み合わせて用いてもよい。カラーフィ
ルタにより、単色発光層（例えば白色発光層）を用いる場合であっても、フルカラー表示
が可能となる。例えば、白色（Ｗ）の発光が得られる材料を用いたＥＬ層と、カラーフィ
ルタを組み合わせる場合、カラーフィルタを設けない画素とＲＧＢのそれぞれの画素の４
つのサブピクセルでフルカラー表示を行っても良い。

絶縁層１３７は、凸状部を有している。本実施の形態では、絶縁層１３７が、第１の絶縁
層１３７ａと第２の絶縁層１３７ｂの２層が積層された構造を示す。また、絶縁層１３７
は、珪素の酸化物や珪素の窒化物等の無機材料、ポリイミド、ポリアミド、ベンゾシクロ
ブテン、アクリル、エポキシ等の有機材料やシロキサン材料等により形成されている。な
お、絶縁層１３７を構成する第１の絶縁層１３７ａ及び第２の絶縁層１３７ｂは、同じ材
料を用いて形成しても、又は別々の材料を用いて形成しても構わない。

基板２００上に形成された素子部１７０は、樹脂膜１３０によって覆われている。樹脂膜
１３０としては、例えば、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂、メラミン樹脂、ポリエステル
樹脂、ポリカーボネート樹脂、フェノール樹脂、エポキシ樹脂、ポリアセタール、ポリエ
ーテル、ポリウレタン、ポリアミド（ナイロン）、フラン樹脂、ジアリルフタレート樹脂
等の有機化合物、シリカガラスに代表されるシロキサンポリマー系材料を出発材料として
形成された珪素、酸素、水素からなる化合物のうちＳｉ－Ｏ－Ｓｉ結合を含む無機シロキ
サンポリマー、又はアルキルシロキサンポリマー、アルキルシルセスキオキサンポリマー
、水素化シルセスキオキサンポリマー、水素化アルキルシルセスキオキサンポリマーに代
表される珪素に結合される水素がメチルやフェニルのような有機基によって置換された有
機シロキサンポリマー等を用いることができる。または、樹脂膜１３０として繊維体に有
機樹脂が含浸された構造体を用いることもできる。

なお、発光素子１４０の第２の電極１３６側から発光を取り出す場合には、樹脂膜１３０
は、少なくとも発光装置の表示面においては、透光性を有する材料を用いて形成する、又
は、光を透過する膜厚で形成するものとする。発光素子１４０の第１の電極１２２側から
のみ発光を取り出す場合には、透光性を有する樹脂膜１３０としなくても構わない。

本実施の形態で示す発光装置に含まれる発光素子１４０において、隔壁（土手）として機
能する絶縁層１３７は、凸状部を有する絶縁層とする。なお、図１においては、第１の絶
縁層１３７ａと、第１の絶縁層１３７ａ上に１つ設けられた第２の絶縁層１３７ｂを有す
る絶縁層１３７を図示したが、絶縁層の形状はこれに限られるものではなく、２つ以上の
凸状部を有していても構わない。絶縁層１３７が凸状部を有し、この凸状部が樹脂膜１３
０に埋め込まれることで、絶縁層１３７と、樹脂膜１３０との密着性を向上させることが
できるため、製造された発光装置を信頼性の高い発光装置とすることができる。また、絶
縁層１３７と、樹脂膜１３０との密着性を向上すると、発光装置の製造工程において、発
光素子内部での剥離を生じさせることなく、発光素子を可撓性基板へ転写することが可能
となる。よって、信頼性の高い発光装置を歩留まり良く製造することができる。

また、素子部１７０の厚さを薄くすることで、発光装置を湾曲させることが可能となる。
従って、本実施の形態の発光装置を様々な基材に接着することができ、曲面を有する基材
に貼りつければ、曲面を有するディスプレイ、または曲面を有する照明等が実現できる。
また、素子部１７０の厚さを薄くすることで、発光装置を軽量化させることができる。

なお、本実施の形態は他の実施の形態と適宜組み合わせて用いることができる。

（実施の形態２）
本実施の形態では、発光装置の別の一例を、図２を用いて詳細に説明する。なお、実施の
形態１と準じ重複する構成については、説明を省略或いは簡略化する。

図２に本実施の形態の発光装置の表示部を示す。図２に図示する本実施の形態の発光装置
は、第１の基板１３２及び第２の基板１３３との間に挟持された素子部１７０を有してい
る。また、素子部１７０と第２の基板１３３との間には、樹脂膜１３０が形成されている
。図２において、樹脂膜１３０は、実施の形態１で示した樹脂膜１３０と同様の材料を用
いて形成することができる。

第１の基板１３２及び第２の基板１３３としては、可撓性を有する基板を用いることがで
き、例えば、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥ
Ｎ）等のポリエステル樹脂、ポリアクリルニトリル樹脂、ポリイミド樹脂、ポリメチルメ
タクリレート樹脂、ポリカーボネート樹脂（ＰＣ）、ポリエーテルスルフォン樹脂（ＰＥ
Ｓ）、ポリアミド樹脂、シクロオレフィン樹脂、ポリスチレン樹脂、ポリアミドイミド樹
脂、ポリ塩化ビニル樹脂などを好適に用いることができる。ただし、少なくとも発光素子
の光の取り出し方向に位置する基板には、透光性を有する基板を用いるものとする。

なお、第１の基板１３２及び第２の基板１３３は、熱膨張係数が低い材料であって、同程
度の熱膨張係数を有する材料を用いるのが好ましい。また、第１の基板１３２と第２の基
板１３３とが同じ材料で構成されているのがより好ましい。なお、第１の基板１３２及び
第２の基板１３３の有する熱膨張係数が２０ｐｐｍ／℃以下であると、発光装置の耐熱性
が向上するため好ましい。

本実施の形態において、第１の基板１３２及び第２の基板１３３としては、繊維体１３２
ａに有機樹脂１３２ｂが含浸された構造体を用いるものとする。第１の基板１３２及び第
２の基板１３３として用いる構造体は、弾性率１３ＧＰａ以上、破断係数は３００ＭＰａ
未満の材料を用いるのが好ましい。また、第１の基板１３２及び第２の基板１３３は、５
μｍ以上５０μｍ以下の膜厚であることが好ましく、第１の基板１３２と第２の基板１３
３が同じ膜厚を有していることが好ましい。第１の基板１３２と第２の基板１３３が同じ
膜厚を有していることで、素子部１７０を発光装置の中央部に配置することができる。ま
た、第１及び第２の基板の膜厚を５μｍ以上５０μｍ以下とすると、素子部の膜厚と比べ
て第１の基板及び第２の基板の膜厚が厚いので、素子部がほぼ中央部に配置され、曲げス
トレスに強い発光装置を提供することができる。

本実施の形態において第１の基板１３２及び第２の基板１３３として用いる構造体におけ
る繊維体１３２ａは、一定間隔をあけた経糸と、一定間隔をあけた緯糸とで織られている
。このような経糸及び緯糸を用いて製織された繊維体には、経糸及び緯糸が存在しない領
域を有する。このような繊維体１３２ａは、有機樹脂１３２ｂが含浸される割合が高まり
、繊維体１３２ａと発光素子との密着性を高めることができる。

また繊維体１３２ａは、経糸及び緯糸の密度が高く、経糸及び緯糸が存在しない領域の割
合が低いものでもよい。

また、繊維糸束内部への有機樹脂の浸透率を高めるため、繊維に表面処理が施されても良
い。例えば、繊維表面を活性化させるためのコロナ放電処理、プラズマ放電処理等がある
。また、シランカップリング剤、チタネートカップリング剤を用いた表面処理がある。

なお繊維体に有機樹脂が含浸された構造体は、複数層を積層させてもよい。この場合、単
層の繊維体に有機樹脂が含浸された構造体を複数積層させることで構造体を形成してもよ
いし、複数の積層された繊維体に有機樹脂を含浸させた構造体を第１の基板１３２又は第
２の基板１３３として用いても良い。また、単層の繊維体に有機樹脂が含浸された構造体
を複数積層させる際、各構造体間に別の層を挟むようにしても良い。

第１の基板１３２及び第２の基板１３３によって挟持された素子部１７０は、発光素子１
４０と、その発光素子１４０に電位をかけるためのスイッチング素子とを少なくとも有す
る。本実施の形態では、スイッチング素子として薄膜トランジスタ１０６を用いるものと
する。また、発光装置をドライバ一体型として素子部１７０に駆動回路部を含めても良い
。なお、封止された基板の外部に駆動回路を形成することもできる。

発光素子１４０は、第１の電極１２２、第１の電極の端部を覆う絶縁層１３７、ＥＬ層１
３４、及び第２の電極１３６を有している。第１の電極１２２及び第２の電極１３６は、
一方が陽極として用いられ、他方が陰極として用いられる。図２の発光素子１４０は、実
施の形態１で示した発光素子１４０と同様の構成とすることができる。

絶縁層１３７は、凸状部を有している。本実施の形態では、絶縁層１３７が、第１の絶縁
層１３７ａと第２の絶縁層１３７ｂの２層が積層された構造を示す。また、絶縁層１３７
は、珪素の酸化物や珪素の窒化物等の無機材料、ポリイミド、ポリアミド、ベンゾシクロ
ブテン、アクリル、エポキシ等の有機材料やシロキサン材料等により形成されている。な
お、絶縁層１３７を構成する第１の絶縁層１３７ａ及び第２の絶縁層１３７ｂは、同じ材
料を用いて形成しても、又は別々の材料を用いて形成しても構わない。

絶縁層１３７が凸状部を有し、樹脂膜１３０がこの凸状部を埋没させることで、絶縁層１
３７と、樹脂膜１３０との密着性を向上させることができる。よって、製造された発光装
置を信頼性の高い発光装置とすることができる。また、絶縁層１３７と、樹脂膜１３０と
の密着性を向上すると、発光装置の製造工程において、発光素子内部での剥離を生じさせ
ることなく、発光素子を可撓性基板へ転写することが可能となる。よって、信頼性の高い
発光装置を歩留まり良く製造することができる。

なお、本実施の形態において第１及び第２の基板として機能する構造体に含まれる繊維体
１３２ａは高強度繊維で形成されており、高強度繊維は、引っ張り弾性率が高い、または
ヤング率が高い。このため、発光装置に点圧や線圧等の局所的な押圧がかかっても高強度
繊維は延伸せず、押圧された力が繊維体１３２ａ全体に分散され、発光装置全体で湾曲す
るようになる。この結果、局所的な押圧が加えられても、発光装置で生じる湾曲は曲率半
径の大きなものとなり、一対の構造体によって挟持された発光素子、配線等に亀裂が生じ
ず、発光装置の破壊を低減することができる。

また、素子部１７０の厚さを薄くすることで、発光装置を湾曲させることが可能となる。
従って、本実施の形態の発光装置を様々な基材に接着することができ、曲面を有する基材
に貼りつければ、曲面を有するディスプレイ、照明が実現できる。また、素子部１７０の
厚さを薄くすることで、発光装置を軽量化させることができる。

なお、本実施の形態は他の実施の形態と適宜組み合わせて用いることができる。

（実施の形態３）
本実施の形態では、実施の形態２に示す発光装置の製造方法の一例について図面を参照し
て詳細に説明する。

まず、基板１００の一表面に剥離層１０２を形成し、続けて絶縁層１０４を形成する（図
３（Ａ）参照）。剥離層１０２、絶縁層１０４は、連続して形成することができる。連続
して形成することにより、大気に曝されないため不純物の混入を防ぐことができる。

基板１００は、ガラス基板、石英基板、金属基板やステンレス基板等を用いることができ
る。例えば、１辺が１メートル以上の矩形状のガラス基板を用いることにより、生産性を
格段に向上させることができる。

なお、本工程では、剥離層１０２を基板１００の全面に設ける場合を示しているが、必要
に応じて、基板１００の全面に剥離層１０２を設けた後に当該剥離層１０２を選択的に除
去し、所望の領域にのみ剥離層を設けてもよい。また、基板１００に接して剥離層１０２
を形成しているが、必要に応じて、基板１００に接するように酸化珪素膜、酸化窒化珪素
膜、窒化珪素膜、窒化酸化珪素膜等の絶縁層を形成し、当該絶縁層に接するように剥離層
１０２を形成してもよい。

剥離層１０２は、スパッタリング法やプラズマＣＶＤ法、塗布法、印刷法等により、厚さ
３０ｎｍ～２００ｎｍのタングステン（Ｗ）、モリブデン（Ｍｏ）、チタン（Ｔｉ）、タ
ンタル（Ｔａ）、ニオブ（Ｎｂ）、ニッケル（Ｎｉ）、コバルト（Ｃｏ）、ジルコニウム
（Ｚｒ）、亜鉛（Ｚｎ）、ルテニウム（Ｒｕ）、ロジウム（Ｒｈ）、パラジウム（Ｐｄ）
、オスミウム（Ｏｓ）、イリジウム（Ｉｒ）、及び珪素（Ｓｉ）の中から選択された元素
、又は元素を主成分とする合金材料、又は元素を主成分とする化合物材料からなる層を、
単層または複数の層を積層させて形成する。珪素を含む層の結晶構造は、非晶質、微結晶
、多結晶のいずれの場合でもよい。ここでは、なお、塗布法は、溶液を被処理物上に吐出
させて成膜する方法であり、例えばスピンコーティング法や液滴吐出法を含む。また、液
滴吐出法とは微粒子を含む組成物の液滴を微細な孔から吐出して所定の形状のパターンを
形成する方法である。

剥離層１０２が単層構造の場合、好ましくは、タングステン、モリブデン、又はタングス
テンとモリブデンの混合物を含む層を形成する。又は、タングステンの酸化物若しくは酸
化窒化物を含む層、又はタングステンとモリブデンの混合物の酸化物若しくは酸化窒化物
を含む層を形成する。なお、タングステンとモリブデンの混合物とは、例えば、タングス
テンとモリブデンの合金に相当する。

剥離層１０２が積層構造の場合、好ましくは、１層目として金属層を形成し、２層目とし
て金属酸化物層を形成する。例えば、１層目の金属層として、タングステン、モリブデン
、又はタングステンとモリブデンの混合物を含む層を形成し、２層目として、タングステ
ン、モリブデン、又はタングステンとモリブデンの混合物の酸化物、タングステン、又は
タングステンとモリブデンの混合物の窒化物、タングステン、又はタングステンとモリブ
デンの混合物の酸化窒化物、又はタングステン、又はタングステンとモリブデンの混合物
の窒化酸化物を含む層を形成する。

剥離層１０２として、１層目として金属層、２層目として金属酸化物層の積層構造を形成
する場合、金属層としてタングステンを含む層を形成し、その上層に酸化物で形成される
絶縁層を形成することで、タングステンを含む層と絶縁層との界面に、金属酸化物層とし
てタングステンの酸化物を含む層が形成されることを活用してもよい。さらには、金属層
の表面を、熱酸化処理、酸素プラズマ処理、オゾン水等の酸化力の強い溶液での処理等を
行って金属酸化物層を形成してもよい。

絶縁層１０４は、保護層として機能し、後の剥離工程において剥離層１０２との界面での
剥離が容易となるように、又は後の剥離工程において半導体素子や配線に亀裂やダメージ
が入るのを防ぐために設ける。例えば、絶縁層１０４として、スパッタリング法やプラズ
マＣＶＤ法、塗布法、印刷法等により、無機化合物を用いて単層又は多層で形成する。無
機化合物の代表例としては、酸化珪素、窒化珪素、酸化窒化珪素、窒化酸化珪素等がある
。なお、絶縁層１０４として、窒化珪素、窒化酸化珪素、酸化窒化珪素等を用いることに
より、外部から後に形成される素子層へ水分や、酸素等の気体が侵入することを防止する
ことができる。保護層として機能する絶縁層の厚さは１０ｎｍ以上１０００ｎｍ以下、さ
らには１００ｎｍ以上７００ｎｍ以下が好ましい。

次に、絶縁層１０４上に薄膜トランジスタ１０６を形成する（図３（Ｂ）参照）。薄膜ト
ランジスタ１０６は、少なくともソース領域、ドレイン領域及びチャネル形成領域を有す
る半導体層１０８、ゲート絶縁層１１０、ゲート電極１１２で構成される。

半導体層１０８は、好ましくは厚さ１０ｎｍ以上１００ｎｍ以下、さらに好ましくは２０
ｎｍ以上７０ｎｍ以下で形成される。半導体層１０８を形成する材料は、シランやゲルマ
ンに代表される半導体材料を用いて気相成長法やスパッタリング法で作製される非晶質半
導体、該非晶質半導体を光エネルギーや熱エネルギーを利用して結晶化させた多結晶半導
体、或いは微結晶半導体、有機材料を主成分とする半導体などを用いることができる。半
導体層に結晶性半導体層を用いる場合、その結晶性半導体層の作製方法は、レーザ光の照
射、瞬間熱アニール（ＲＴＡ）やファーネスアニール炉を用いた熱処理、又はこれらの方
法を組み合わせた方法を適用することができる。加熱処理においては、シリコン半導体の
結晶化を助長する作用のあるニッケルなどの金属元素を用いた結晶化法を適用することが
できる。

また、半導体の材料としてはシリコン（Ｓｉ）、ゲルマニウム（Ｇｅ）などの単体のほか
ＧａＡｓ、ＩｎＰ、ＳｉＣ、ＺｎＳｅ、ＧａＮ、ＳｉＧｅなどのような化合物半導体も用
いることができる。また酸化物半導体である酸化亜鉛（ＺｎＯ）、酸化スズ（ＳｎＯ_２）
、酸化マグネシウム亜鉛、酸化ガリウム、インジウム酸化物、及び上記酸化物半導体の複
数より構成される酸化物半導体などを用いることができる。例えば、酸化亜鉛とインジウ
ム酸化物と酸化ガリウムとから構成される酸化物半導体なども用いることができる。なお
、酸化亜鉛を半導体層に用いる場合、ゲート絶縁層をＹ_２Ｏ_３、Ａｌ_２Ｏ_３、ＴｉＯ_２、
それらの積層などを用いるとよく、ゲート電極層、ソース電極層、ドレイン電極層として
は、ＩＴＯ、Ａｕ、Ｔｉなどを用いるとよい。また、ＺｎＯにＩｎやＧａなどを添加する
こともできる。

ゲート絶縁層１１０は、厚さ５ｎｍ以上２００ｎｍ以下、好ましくは１０ｎｍ以上１００
ｎｍ以下の酸化珪素及び酸化窒化珪素などの無機絶縁物で形成する。

ゲート電極１１２は、金属または一導電型の不純物を添加した多結晶半導体で形成するこ
とができる。金属を用いる場合は、タングステン（Ｗ）、モリブデン（Ｍｏ）、チタン（
Ｔｉ）、タンタル（Ｔａ）、アルミニウム（Ａｌ）などを用いることができる。また、金
属を窒化させた金属窒化物を用いることができる。或いは、当該金属窒化物からなる第１
層と当該金属から成る第２層とを積層させた構造としても良い。このとき第１層を金属窒
化物とすることで、バリアメタルとすることができる。すなわち、第２層の金属が、ゲー
ト絶縁層やその下層の半導体層に拡散することを防ぐことができる。また、積層構造とす
る場合には、第１層の端部が第２層の端部より外側に突き出した形状としても良い。

半導体層１０８、ゲート絶縁層１１０、ゲート電極１１２等を組み合わせて構成される薄
膜トランジスタ１０６は、シングルドレイン構造、ＬＤＤ（低濃度ドレイン）構造、ゲー
トオーバーラップドレイン構造など各種構造を適用することができる。ここでは、ゲート
電極１１２の側面に接する絶縁層（「サイドウォール」ともよばれる）を用いて低濃度不
純物領域が設けられたＬＤＤ構造の薄膜トランジスタを示している。さらには、等価的に
は同電位のゲート電圧が印加されるトランジスタが直列に接続された形となるマルチゲー
ト構造、半導体層の上下をゲート電極で挟むデュアルゲート構造等で形成される薄膜トラ
ンジスタ等を適用することができる。なお、図面においては、トップゲート構造の薄膜ト
ランジスタの一例を示したが、もちろんその他、ボトムゲート構造や公知の他の構造の薄
膜トランジスタを用いても構わない。

また、薄膜トランジスタとして金属酸化物や有機半導体材料を半導体層に用いた薄膜トラ
ンジスタを用いることが可能である。金属酸化物の代表的には酸化亜鉛や亜鉛ガリウムイ
ンジウムの酸化物等がある。

なお、薄膜トランジスタとして、比較的低温（５００℃未満）のプロセスで作製される薄
膜トランジスタを形成する場合には、モリブデン（Ｍｏ）、モリブデンを主成分とする合
金材料、又はモリブデン元素を主成分とする化合物材料からなる層を単層、又は複数積層
させて剥離層１０２を形成するのが好ましい。

次に、薄膜トランジスタ１０６のソース領域、ドレイン領域に電気的に接続する配線１１
８を形成し、当該配線１１８に電気的に接続する第１の電極１２２を形成する（図３（Ｃ
）参照）。

ここでは、薄膜トランジスタ１０６を覆うように絶縁層１１４、１１６を形成し、絶縁層
１１６上にソース電極、ドレイン電極としても機能しうる配線１１８を形成する。その後
、配線１１８上に絶縁層１２０を形成し、当該絶縁層１２０上に第１の電極１２２を形成
する。

絶縁層１１４、１１６は、層間絶縁層として機能する。絶縁層１１４、１１６は、ＣＶＤ
法、スパッタ法、ＳＯＧ法、液滴吐出法、スクリーン印刷法等により、珪素の酸化物や珪
素の窒化物等の無機材料、ポリイミド、ポリアミド、ベンゾシクロブテン、アクリル、エ
ポキシ等の有機材料やシロキサン材料等により、単層または積層で形成する。ここでは、
１層目の絶縁層１１４として窒化酸化珪素膜で形成し、２層目の絶縁層１１６として酸化
窒化珪素膜で形成することができる。

配線１１８は、チタン（Ｔｉ）とアルミニウム（Ａｌ）の積層構造、モリブデン（Ｍｏ）
とアルミニウム（Ａｌ）との積層構造など、アルミニウム（Ａｌ）のような低抵抗材料と
、チタン（Ｔｉ）やモリブデン（Ｍｏ）などの高融点金属材料を用いたバリアメタルとの
組み合わせで形成することが好ましい。

絶縁層１２０は、ＣＶＤ法、スパッタ法、ＳＯＧ法、液滴吐出法、スクリーン印刷法等に
より、珪素の酸化物や珪素の窒化物等の無機材料、ポリイミド、ポリアミド、ベンゾシク
ロブテン、アクリル、エポキシ等の有機材料やシロキサン材料等により、単層または積層
で形成する。ここでは、絶縁層１２０として、スクリーン印刷法を用いてエポキシで設け
る。

第１の電極１２２は、発光素子の陽極又は陰極として用いられる電極である。陽極として
用いる場合には、仕事関数の大きい材料を用いることが望ましい。例えば、インジウム錫
酸化物膜、珪素を含有したインジウム錫酸化物膜、酸化インジウムに２～２０ｗｔ％の酸
化亜鉛（ＺｎＯ）を混合したターゲットを用いてスパッタ法により形成した透光性を有す
る導電膜、酸化亜鉛（ＺｎＯ）膜、窒化チタン膜、クロム膜、タングステン膜、Ｚｎ膜、
Ｐｔ膜などの単層膜の他、窒化チタンとアルミニウムを主成分とする膜との積層、窒化チ
タン膜とアルミニウムを主成分とする膜と窒化チタン膜との３層構造等を用いることがで
きる。なお、陽極を積層構造とすると、配線としての抵抗も低く、良好なオーミックコン
タクトがとれる。

また、陰極として用いる場合には、仕事関数の小さい材料（Ａｌ、Ａｇ、Ｌｉ、Ｃａ、ま
たはこれらの合金ＭｇＡｇ、ＭｇＩｎ、ＡｌＬｉ、ＣａＦ_２、または窒化カルシウム）を
用いることが好ましい。なお、陰極として用いる第１の電極１２２を透光性とする場合に
は、電極として、膜厚を薄くした金属薄膜と、透光性を有する導電膜（インジウム錫酸化
物膜、珪素を含有したインジウム錫酸化物膜、酸化インジウムに２～２０ｗｔ％の酸化亜
鉛（ＺｎＯ）を混合したターゲットを用いてスパッタ法により形成した透光性を有する導
電膜、酸化亜鉛（ＺｎＯ）等）との積層を用いるのが良い。

次いで、第１の電極１２２の端部を覆うように、第１の絶縁層１３７ａを形成する（図３
（Ｄ）参照）。本実施の形態においては、ポジ型の感光性アクリル樹脂膜を用いることに
より、第１の絶縁層１３７ａを形成する。第１の絶縁層１３７ａの被覆性を良好なものと
するため、その上端部または下端部に曲率を有する曲面が形成されるように設けるのが好
ましい。例えば、第１の絶縁層１３７ａの材料としてポジ型の感光性アクリルを用いた場
合、第１の絶縁層１３７ａの上端部のみに曲率半径（０．２μｍ～３μｍ）を有する曲面
を持たせることが好ましい。第１の絶縁層１３７ａとしては、感光性の光によってエッチ
ャントに不溶解性となるネガ型、或いは光によってエッチャントに溶解性となるポジ型の
いずれも使用することができる。他にも、第１の絶縁層１３７ａとして珪素の酸化物や珪
素の窒化物等の無機材料、エポキシ、ポリイミド、ポリアミド、ポリビニルフェノール、
ベンゾシクロブテン等の有機材料やシロキサン樹脂等のシロキサン材料からなる単層また
は積層構造で設けることができる。

次いで、第１の絶縁層１３７ａ上に、第２の絶縁層１３７ｂを形成する。第２の絶縁層１
３７ｂは、第１の絶縁層１３７ａと同様に、珪素の酸化物や珪素の窒化物等の無機材料、
ポリイミド、ポリアミド、ベンゾシクロブテン、アクリル、エポキシ等の有機材料やシロ
キサン材料等により形成されている。なお、第１の絶縁層１３７ａ及び第２の絶縁層１３
７ｂは、同じ材料を用いて形成しても、又は別々の材料を用いて形成しても構わない。ま
た、第２の絶縁層１３７ｂと第１の絶縁層１３７ａとの接触面積は、第１の絶縁層１３７
ａの上面積よりも小さく、第２の絶縁層１３７ｂが、第１の絶縁層１３７ａ上に収まるよ
うに形成するのが好ましい。なお、第２の絶縁層１３７ｂは、フォトリソグラフィ法の他
、スクリーン印刷法、又はインクジェット法等により形成することができる。これによっ
て、第１の絶縁層１３７ａと第２の絶縁層１３７ｂの２層よりなる絶縁層１３７が形成さ
れる。

なお、絶縁層１３７にプラズマ処理を行い、当該絶縁層１３７を酸化または窒化すること
によって、絶縁層１３７の表面を改質して緻密な膜を得ることも可能である。絶縁層１３
７の表面を改質することによって、当該絶縁層１３７の強度が向上し開口部等の形成時に
おけるクラックの発生やエッチング時の膜減り等の物理的ダメージを低減することが可能
となる。

次に、第１の電極１２２上に、ＥＬ層１３４を形成する。ＥＬ層１３４には、低分子系材
料および高分子系材料のいずれを用いることもできる。なお、ＥＬ層１３４を形成する材
料には、有機化合物材料のみから成るものだけでなく、無機化合物を一部に含む構成も含
めるものとする。ＥＬ層１３４は、少なくとも発光層を有し、発光層一層でなる単層構造
であっても、各々異なる機能を有する層からなる積層構造であっても良い。例えば、発光
層の他に、正孔注入層、正孔輸送層、キャリアブロッキング層、電子輸送層、電子注入層
等、各々の機能を有する機能層を適宜組み合わせて構成することができる。なお、それぞ
れの層の有する機能を２つ以上同時に有する層を含んでいても良い。

また、ＥＬ層１３４の形成には、蒸着法、インクジェット法、スピンコート法、ディップ
コート法、ノズルプリンティング法など、湿式、乾式を問わず、用いることができる。

次いで、ＥＬ層１３４上に、第２の電極１３６を形成する。これによって、第１の電極１
２２、第１の電極１２２の端部を覆う絶縁層１３７、ＥＬ層１３４、第２の電極１３６が
積層された発光素子１４０を形成することができる。なお、第１の電極１２２及び第２の
電極１３６は、一方を陽極として用い、他方を陰極として用いる。

本実施の形態においては、第１の電極１２２を陽極として用い、ＥＬ層１３４は、第１の
電極１２２側から順に、正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子注入層が積層された構造
とする。発光層としては種々の材料を用いることができる。例えば、蛍光を発光する蛍光
性化合物や燐光を発光する燐光性化合物を用いることができる。

なお、第１の電極１２２を陰極として用いる場合には、第１の電極１２２と接続する薄膜
トランジスタ１０６は、ｎチャネル型トランジスタであることが好ましい。

次いで、発光素子１４０を覆うように、第２の電極１３６上に絶縁層１３８を形成する（
図４（Ａ）参照）。これによって、薄膜トランジスタ１０６及び発光素子１４０を含む素
子部１７０を形成することができる。絶縁層１３８は、発光素子１４０の保護層として機
能し、後の第２の基板の圧着工程等においてＥＬ層１３４に水分やダメージが入るのを防
ぐために設ける。また、後の第２の基板を圧着させた場合にＥＬ層１３４が加熱されるの
を低減させるための断熱層としても機能する。例えば、絶縁層１３８として、スパッタリ
ング法やプラズマＣＶＤ法、塗布法、印刷法等により、無機化合物を用いて単層又は多層
で形成する。無機化合物の代表例としては、酸化珪素、窒化珪素、酸化窒化珪素、窒化酸
化珪素等がある。また、カバレッジの良い膜を絶縁層１３８として用いることが好ましい
。また、絶縁層１３８を有機化合物と無機化合物の積層膜としても良い。なお、絶縁層１
３８として、窒化珪素、窒化酸化珪素、酸化窒化珪素等を用いることにより、外部から後
に形成される素子層へ水分や、酸素等の気体が侵入することを防止することができる。保
護層として機能する絶縁層の厚さは１０ｎｍ以上１０００ｎｍ以下、さらには１００ｎｍ
以上７００ｎｍ以下が好ましい。

次に、図４（Ｂ）に示すように、素子部１７０上に樹脂膜１３０を形成する。樹脂膜１３
０は、例えば、塗布法を用いて組成物を塗布し、乾燥加熱して形成することができる。樹
脂膜１３０は後の剥離工程において発光素子の保護層として機能するため、表面の凹凸の
少ない膜であることが好ましい。また、絶縁層１３８と密着性の良好な材料を用いるもの
とする。具体的には、塗布法を用いて樹脂膜１３０を形成する場合、例えば、アクリル樹
脂、ポリイミド樹脂、メラミン樹脂、ポリエステル樹脂、ポリカーボネート樹脂、フェノ
ール樹脂、エポキシ樹脂、ポリアセタール、ポリエーテル、ポリウレタン、ポリアミド（
ナイロン）、フラン樹脂、ジアリルフタレート樹脂等の有機化合物、シリカガラスに代表
されるシロキサンポリマー系材料を出発材料として形成された珪素、酸素、水素からなる
化合物のうちＳｉ－Ｏ－Ｓｉ結合を含む無機シロキサンポリマー、又はアルキルシロキサ
ンポリマー、アルキルシルセスキオキサンポリマー、水素化シルセスキオキサンポリマー
、水素化アルキルシルセスキオキサンポリマーに代表される珪素に結合される水素がメチ
ルやフェニルのような有機基によって置換された有機シロキサンポリマー等を用いること
ができる。または、樹脂膜１３０として繊維体に有機樹脂が含浸された構造体を用いるこ
ともできる。

なお、発光素子１４０の第２の電極１３６側から発光を取り出す場合には、樹脂膜１３０
は、少なくとも発光装置の表示面においては、透光性を有する材料を用いて形成する、又
は、光を透過する膜厚で形成するものとする。発光素子１４０の第１の電極１２２側から
のみ発光を取り出す場合には、透光性を有する樹脂膜１３０としなくても構わない。

次いで、樹脂膜１３０上に粘着シート１３１を貼り合わせて設ける。粘着シート１３１は
、光または熱により剥離可能なシートを適用する。粘着シート１３１を貼り合わせること
により、剥離が容易に行えると共に剥離の前後において素子部１７０に加わる応力を低減
し、薄膜トランジスタ１０６及び発光素子１４０の破損を抑制することが可能となる。な
お、１枚の基板から複数の発光装置のパネルを形成する（多面取りする）場合には、粘着
シート１３１を設ける前に、パネルを形成する各々の領域の端部においてエッチングし、
それぞれのパネルを構成する素子部毎に分離することができる。または、第１の基板及び
第２の基板で挟持した後に、ダイシング等によって素子部毎に分離しても良い。

次に、薄膜トランジスタ１０６、発光素子１４０等を含む素子部１７０を基板１００から
剥離する（図４（Ｃ）参照）。剥離方法としては、様々な方法を用いることができる。例
えば、剥離層１０２として絶縁層１０４に接する側に金属酸化層を形成した場合には、当
該金属酸化層を結晶化により脆弱化して、素子部１７０を基板１００から剥離することが
できる。また、基板１００として透光性を有する基板を用い、剥離層１０２として窒素、
酸素や水素等を含む膜（例えば、水素を含む非晶質珪素膜、水素含有合金膜、酸素含有合
金膜など）を用いた場合には、基板１００から剥離層１０２にレーザ光を照射して、剥離
層内に含有する窒素、酸素や水素を気化させて、基板１００と剥離層１０２との間で剥離
する方法を用いることができる。または、剥離層１０２をエッチングにより除去すること
で、素子部１７０を基板１００から剥離しても良い。

または、基板１００を機械的に研磨し除去する方法や、基板１００をＮＦ_３、ＢｒＦ_３、
ＣｌＦ_３等のフッ化ハロゲンガスまたはＨＦによるエッチングで除去する方法等を用いる
ことができる。この場合、剥離層１０２を用いなくともよい。また、剥離層１０２として
絶縁層１０４に接する側に金属酸化層を形成し、当該金属酸化膜を結晶化により脆弱化し
、さらに剥離層１０２の一部を溶液やＮＦ_３、ＢｒＦ_３、ＣｌＦ_３等のフッ化ハロゲンガ
スによりエッチングで除去した後、脆弱化された金属酸化層において剥離することができ
る。

また、レーザ光の照射、ガスや溶液などによるエッチング、又は、鋭いナイフやメスなど
を用いて、剥離層１０２を露出させる溝を形成し、溝をきっかけとして剥離層１０２と保
護層として機能する絶縁層１０４の界面において素子部１７０を基板１００から剥離する
こともできる。剥離方法としては、例えば、機械的な力を加えること（人間の手や把治具
で引き剥がす処理や、ローラーを回転させながら分離する処理等）を用いて行えばよい。
また、溝に液体を滴下し、剥離層１０２及び絶縁層１０４の界面に液体を浸透させて剥離
層１０２から素子部１７０を剥離してもよい。また、溝にＮＦ_３、ＢｒＦ_３、ＣｌＦ_３等
のフッ化ガスを導入し、剥離層をフッ化ガスでエッチングし除去して、絶縁表面を有する
基板から素子部１７０を剥離する方法を用いることができる。また、剥離を行う際に水な
どの液体をかけながら剥離してもよい。

その他の剥離方法としては、剥離層１０２をタングステンで形成した場合は、アンモニア
水と過酸化水素水の混合溶液により剥離層をエッチングしながら剥離を行うことができる
。

一般に、有機化合物を含むＥＬ層と、無機化合物で形成される第２の電極との密着性は非
常に低く、剥離工程においてＥＬ層と第２の電極との界面で膜剥がれが生じることがある
。しかしながら、本実施の形態で示す発光素子１４０は、絶縁層１３７が凸状部を有して
おり、樹脂膜１３０が絶縁層１３７（または、絶縁層１３７の凸状部）を埋没させている
。この絶縁層１３７が樹脂膜１３０内においてくさびのような働きをする（いわゆるアン
カー効果を有する）ため、樹脂膜１３０と絶縁層１３７との密着性が高くなる。従って、
剥離工程においてＥＬ層１３４と第２の電極１３６の界面では剥離しにくくなり、歩留ま
り良く素子部１７０を基板１００から剥離することができる。

次に、剥離した素子部１７０の剥離面（剥離により露出した絶縁層１０４表面）側に、第
１の基板１３２を設ける。本実施の形態においては、第１の基板１３２として、繊維体１
３２ａに有機樹脂１３２ｂが含浸された第１の構造体を設ける（図５（Ａ）参照）。この
ような構造体は、プリプレグとも呼ばれる。

プリプレグは、繊維体にマトリックス樹脂を有機溶剤で希釈したワニスを含浸させた後、
乾燥して有機溶剤を揮発させてマトリックス樹脂を半硬化させたものである。構造体の厚
さは、１０μｍ以上１００μｍ以下、さらには１０μｍ以上３０μｍが好ましい。このよ
うな厚さの構造体を用いることで、薄型で湾曲することが可能な発光装置を製造すること
ができる。

有機樹脂１３２ｂとしては、熱硬化性樹脂、紫外線硬化樹脂等を用いることができ、具体
的には、エポキシ樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、ポリイミド樹脂、ビスマレイミドトリ
アジン樹脂又はシアネート樹脂等を用いることができる。また、ポリフェニレンオキシド
樹脂、ポリエーテルイミド樹脂又はフッ素樹脂等の熱可塑性樹脂を用いてもよい。上記有
機樹脂を用いることで、熱処理により繊維体を半導体集積回路に固着することができる。
なお、有機樹脂１３２ｂはガラス転移温度が高いほど、局所的押圧に対して破壊しにくい
ため好ましい。

有機樹脂１３２ｂまたは繊維体１３２ａの糸束内に高熱伝導性フィラーを分散させてもよ
い。高熱伝導性フィラーとしては、窒化アルミニウム、窒化ホウ素、窒化珪素、アルミナ
等が挙げられる。また、高熱伝導性フィラーとしては、銀、銅等の金属粒子がある。導電
性フィラーが有機樹脂または繊維糸束内に含まれることにより発熱を外部に放出しやすく
なるため、発光装置の蓄熱を抑制することが可能であり、発光装置の破壊を低減すること
ができる。

繊維体１３２ａは、有機化合物または無機化合物の高強度繊維を用いた織布または不織布
であり、部分的に重なるように配置する。高強度繊維としては、具体的には引張弾性率ま
たはヤング率の高い繊維である。高強度繊維の代表例としては、ポリビニルアルコール系
繊維、ポリエステル系繊維、ポリアミド系繊維、ポリエチレン系繊維、アラミド系繊維、
ポリパラフェニレンベンゾビスオキサゾール繊維、ガラス繊維、または炭素繊維が挙げら
れる。ガラス繊維としては、Ｅガラス、Ｓガラス、Ｄガラス、Ｑガラス等を用いたガラス
繊維が挙げられる。なお、繊維体１３２ａは、一種類の上記高強度繊維で形成されてもよ
い。また、複数の上記高強度繊維で形成されてもよい。なお、繊維体１３２ａと有機樹脂
１３２ｂとは、同程度の屈折率を有する材料を用いるのが好ましい。

また、繊維体１３２ａは、繊維（単糸）の束（以下、糸束と呼ぶ）を経糸及び緯糸に使っ
て製織した織布、または複数種の繊維の糸束をランダムまたは一方向に堆積させた不織布
であってもよい。織布の場合、平織り、綾織り、しゅす織り等を適宜用いることができる
。

糸束の断面は、円形でも楕円形でもよい。繊維糸束として、高圧水流、液体を媒体とした
高周波の振動、連続超音波の振動、ロールによる押圧等によって、開繊加工をした繊維糸
束を用いてもよい。開繊加工をした繊維糸束は、糸束幅が広くなり、厚み方向の単糸数を
削減することが可能であり、糸束の断面が楕円形または平板状となる。また、繊維糸束と
して低撚糸を用いることで、糸束が扁平化やすく、糸束の断面形状が楕円形状または平板
形状となる。このように、断面が楕円形または平板状の糸束を用いることで、繊維体１３
２ａを薄くすることが可能である。このため、構造体を薄くすることが可能であり、薄型
の発光装置を製造することができる。

次に、第１の基板１３２として用いる第１の構造体を加熱し圧着して第１の構造体の有機
樹脂１３２ｂを可塑化、半硬化、又は硬化する。第１の基板１３２を加熱する場合、加熱
温度は１００℃以下とするのが好ましい。なお、有機樹脂１３２ｂが可塑性有機樹脂の場
合、この後、室温に冷却することにより可塑化した有機樹脂を硬化する。又は、第１の構
造体に紫外光を照射し圧着して有機樹脂１３２ｂを半硬化、又は硬化しても良い。有機樹
脂１３２ｂは加熱若しくは紫外光照射、及び圧着により、素子形成層１２４の表面に有機
樹脂１３２ｂが均一に広がり硬化する。第１の構造体を圧着する工程は、大気圧下または
減圧下で行うことができる。

第１の構造体を圧着後、粘着シート１３１を除去して、樹脂膜１３０を露出させる。次い
で、樹脂膜１３０上に、第２の基板１３３を設ける（図５（Ｂ）参照）。本実施の形態に
おいては、第２の基板１３３も第１の基板１３２と同様、繊維体に有機樹脂が含浸された
第２の構造体を用いる。その後、第２の構造体を加熱し圧着して、第２の構造体の有機樹
脂１３２ｂを可塑化、又は硬化する。又は、第２の構造体に紫外光を照射し圧着して有機
樹脂１３２ｂを硬化しても良い。なお、樹脂膜１３０を、第２の基板１３３として機能さ
せることも可能である。この場合、新たに第２の基板１３３を設けなくとも良い。

以上によって、第１及び第２の基板によって挟持された発光素子を有する本実施の形態の
発光装置を形成することができる。

なお、本実施の形態において、隔壁として機能する絶縁層１３７は、第１の絶縁層１３７
ａと第１の絶縁層１３７ａ上に１層形成された第２の絶縁層１３７ｂからなる凸状部を有
する構造としたが、本発明の実施の形態はこれに限られない。隔壁として機能する絶縁層
は、樹脂膜１３０中に埋め込まれて、樹脂膜１３０との密着性を向上させるために表面積
が大きく形成されており、凸状部を有していれば良い。例えば、図６（Ａ）に図示する発
光素子のように、第１の絶縁層１３７ａ上に、２つの第２の絶縁層１３７ｂを設けた凸状
部を有する絶縁層１３７を形成してもよい。第２の絶縁層１３７ｂは、フォトリソグラフ
ィ法、スクリーン印刷法、インクジェット法等によって形成することが可能である。また
、図６（Ｂ）に図示する発光素子のように、第１の絶縁層１３７ａ上に、３つの第２の絶
縁層１３７ｂを設けた凸状部を有する絶縁層１３７を形成しても良い。絶縁層１３７の表
面積を大きくするほど、アンカー効果をより増大し、絶縁層１３７と樹脂膜１３０の密着
性を向上させることができるため好ましい。なお、第１の電極の端部を覆う一対の絶縁層
１３７において、それぞれの絶縁層１３７の有する凸状部の個数が異なっていても構わな
い。なお、第１の絶縁層１３７ａ上に複数の第２の絶縁層１３７ｂを設ける場合、複数の
第２の絶縁層１３７ｂと第１の絶縁層１３７ａとの接触面積は、第１の絶縁層１３７ａの
上面積よりも小さく、複数の第２の絶縁層１３７ｂが、第１の絶縁層１３７ａ上に収まる
ように形成するのが好ましい。

また、図６（Ｃ）に図示する発光素子のように絶縁層１３７を３層以上の積層構造として
も良い。ただし、絶縁層１３７の膜厚（絶縁層１２０表面から絶縁層１３７の最表面まで
の高さ）は、３００ｎｍ以上５μｍ以下とするのが好ましい。絶縁層の膜厚を３００ｎｍ
以上とすることで絶縁性が良好となる。また、５μｍ以下とすることで生産性良く絶縁層
１３７を形成することができる。

なお、本実施の形態においては、第１の基板１３２及び第２の基板１３３として、繊維体
に有機樹脂が含浸された構造体（いわゆるプリプレグ）を用いた例を示したが、本発明の
実施の形態はこれに限られない。例えば、第１の基板１３２又は第２の基板１３３として
、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）等のポ
リエステル樹脂、アクリル樹脂、ポリアクリルニトリル樹脂、ポリイミド樹脂、ポリメチ
ルメタクリレート樹脂、ポリカーボネート樹脂（ＰＣ）、ポリエーテルスルフォン樹脂（
ＰＥＳ）、ポリアミド樹脂、シクロオレフィン樹脂、ポリスチレン樹脂、ポリアミドイミ
ド樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂等からなる可撓性を有する基板若しくはフィルムなどを用い
、接着剤によって絶縁層１０４又は樹脂膜１３０と貼り合わせることができる。接着剤の
材料としては、反応硬化型接着剤、熱硬化型接着剤、紫外線硬化型接着剤など光硬化型の
接着剤や嫌気型接着剤など各種硬化型接着剤を用いることができる。これらの接着剤の材
質としてはエポキシ樹脂やアクリル樹脂、シリコーン樹脂、フェノール樹脂などを用いる
ことができる。ただし、少なくとも発光素子１４０の光の取り出し方向に位置する基板に
は、透光性を有する基板を用いるものとする。

また、第１の基板１３２又は第２の基板１３３として、金属基板を用いてもよい。金属基
板は可撓性を得るためにその膜厚は１０μｍ以上２００μｍ以下のものを用いるのが好ま
しい。なお、膜厚が２０μｍ以上１００μｍ以下のものが可撓性が高いためより好ましい
。金属基板を構成する材料としては、特に限定はないが、アルミニウム、銅、ニッケル等
の金属や、アルミニウム合金若しくはステンレスなどの金属の合金などを好適にもちいる
ことができる。これらの金属基板は、接着剤によって絶縁層１０４又は樹脂膜１３０と貼
り合わせることができる。なお、金属基板は、接着剤を用いて接着する前に、真空中での
ベークやプラズマ処理を行うことによって、その表面に付着した水を取り除いておくこと
が好ましい。

金属基板は透水性が低いため、発光装置の支持体として用いることで、発光素子１４０へ
の水分の侵入を防ぐことができ、寿命の長い発光装置とすることが可能となる。なお、こ
れらの金属基板は、透水性の低さと可撓性とを同時に持ち合わせているが、可視光に対す
る透光性が低いため、発光装置においては発光素子を挟持する一対の基板のうち、どちら
か一方にのみ使用するのが好ましい。

また、図７（Ａ）に図示するように、樹脂膜１３０と、第２の基板１３３との間に乾燥剤
１４２を設けてもよい。乾燥剤１４２を封入することで、水分などによる発光素子の劣化
を防ぐことができる。乾燥剤としては、酸化カルシウムや酸化バリウム等のアルカリ土類
金属の酸化物のような化学吸着によって水分を吸収する物質を用いることが可能である。
その他の乾燥剤として、ゼオライトやシリカゲル等の物理吸着によって水分を吸着する物
質を用いてもよい。なお、発光素子１４０の第２の電極１３６側から発光を取り出す場合
には、画素領域と重ならない箇所（例えば、画素領域の周辺部）に乾燥剤を配置すると、
開口率を下げることがないため好ましい。

また、図７（Ｂ）に図示するように、第１の基板１３２と第２の基板１３３の外側（発光
素子１４０と反対側）に、それぞれ第１の衝撃緩和層１４４及び第２の衝撃緩和層１４６
を設けた構成としてもよい。

衝撃緩和層は外部から発光装置にかかる力を拡散し、低減する効果がある。よって、図７
（Ｂ）に示すように、発光装置に外部から与えられる力（外部ストレスともいう）を拡散
する衝撃緩和層を設けることによって、局所的にかかる力を軽減することができるため、
発光装置の強度を高め、破損や特性不良などを防止することが可能となる。

第１の衝撃緩和層１４４及び第２の衝撃緩和層１４６は、例えば、弾性率５ＧＰａ以上１
２ＧＰａ以下、破断係数３００ＭＰａ以上のゴム弾性を有する膜を用いることができる。
なお、第１の基板１３２及び第２の基板１３３より弾性率が低く、かつ破断強度が高い材
料を用いるのが好ましい。

第１の衝撃緩和層１４４及び第２の衝撃緩和層１４６は、高強度材料で形成されているこ
とが好ましい。高強度材料の代表例としては、ポリビニルアルコール樹脂、ポリエステル
樹脂、ポリアミド樹脂、ポリエチレン樹脂、アラミド樹脂、ポリパラフェニレンベンゾビ
スオキサゾール樹脂、ガラス樹脂等がある。弾性を有する高強度材料で形成される第１の
衝撃緩和層１４４及び第２の衝撃緩和層１４６を設けると局所的な押圧などの荷重を層全
体に拡散し吸収するために、発光装置の破損を防ぐことができる。

より具体的には、第１の衝撃緩和層１４４及び第２の衝撃緩和層１４６として、アラミド
樹脂、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）樹脂、ポリエーテルサルフォン（ＰＥＳ）樹
脂、ポリフェニレンサルファイド（ＰＰＳ）樹脂、ポリイミド（ＰＩ）樹脂、ポリエチレ
ンテレフタレート（ＰＥＴ）樹脂などを用いることができる。本実施の形態では、第１の
衝撃緩和層１４４及び第２の衝撃緩和層１４６としてアラミド樹脂を用いたアラミドフィ
ルムを用いる。

第１の基板１３２と第１の衝撃緩和層１４４、または第２の基板１３３と第２の衝撃緩和
層１４６とは、接着剤（図示しない）等によって接着することができる。なお、第１の基
板１３２または第２の基板１３３として、繊維体に有機樹脂が含浸された構造体を用いる
と、接着剤を介さず直接加熱及び加圧処理によって接着することができる。

なお、図７（Ｂ）には、衝撃緩和層を第１の基板１３２及び第２の基板１３３の双方の外
側に設けた例を示したが、衝撃緩和層は、第１の基板１３２又は第２の基板１３３のどち
らか一方のみの外側に設けても構わない。但し、図７（Ｂ）に示すように素子部１７０に
対して一対の衝撃緩和層を対称に設けると、発光装置にかかる力を均一に拡散できるため
、曲げや反りなどに起因する素子部１７０の破損を防止できるため好ましい。また、一対
の基板同士、または一対の衝撃緩和層同士をそれぞれ同材料及び同じ膜厚で作製すると、
同等な特性を付与できるために、力の拡散効果はより高まる。

本実施の形態で示す発光装置は、絶縁層１３７が凸状部を有し、この凸状部が樹脂膜１３
０に埋め込まれることで、絶縁層１３７と、樹脂膜１３０との密着性を向上させることが
できるため、発光装置の製造工程において、発光素子内部での剥離を生じさせることなく
、発光素子を可撓性基板へ転写することが可能となる。よって、歩留まりよく発光装置を
製造することが可能となる。また、製造された発光装置を信頼性の高い発光装置とするこ
とができる。

また、本実施の形態の発光装置において、素子部を挟持する一対の構造体を設けることに
よって、局所的にかかる力を軽減することができるため、外部ストレスによる発光装置の
破損や特性不良などを防止することが可能となる。よって、薄型化及び小型化を達成しな
がら耐性を有する信頼性の高い発光装置を提供することができる。また、製造工程におい
ても外部ストレスに起因する形状や特性の不良を防ぎ、歩留まり良く発光装置を製造する
ことができる。

なお、本実施の形態は、他の実施の形態と適宜組み合わせて用いることができる。

（実施の形態４）
本実施の形態では、モジュール型の発光装置（ＥＬモジュールとも表記する）の一例を図
８の上面図及び断面図を用いて示す。

図８（Ａ）は、上記実施の形態に示す方法によって製造したＥＬモジュールを示す上面図
、図８（Ｂ）は図８（Ａ）をＡ－Ａ’で切断した断面図である。図８（Ａ）において、第
１の基板１３２上に、画素部５０２、ソース側駆動回路５０４、及びゲート側駆動回路５
０３を形成されている。

なお、５０８はソース側駆動回路５０４及びゲート側駆動回路５０３に入力される信号を
伝送するための配線であり、画素部のスイッチング素子に含まれる配線と同時に形成する
ことができる。配線５０８は、外部入力端子となるＦＰＣ４０２（フレキシブルプリント
サーキット）からビデオ信号、クロック信号、スタート信号、リセット信号等を受け取る
。なお、ここではＦＰＣ４０２しか図示されていないが、このＦＰＣにはプリント配線基
盤（ＰＷＢ）が取り付けられていても良い。本明細書における発光装置には、発光装置本
体だけでなく、それにＦＰＣもしくはＰＷＢが取り付けられた状態をも含むものとする。

次に、断面構造について図８（Ｂ）を用いて説明する。第１の基板１３２の上方には画素
部５０２、ゲート側駆動回路５０３が形成されており、画素部５０２は薄膜トランジスタ
１０６とそのドレインに電気的に接続された第１の電極を含む複数の画素により形成され
る。外部入力端子となるＦＰＣ４０２は、第１の基板１３２に設けられた配線５０８上に
異方性導電剤等を介して貼りつけられている。異方性導電剤に含まれる導電性粒子により
、配線５０８とＦＰＣ４０２に形成された配線とが電気的に接続する。図８において、Ｆ
ＰＣ４０２は、第１の基板１３２及び第２の基板１３３によって挟持されている。

以上によって、ＦＰＣ４０２が接続されたモジュール型の発光装置を得ることができる。

なお、本実施の形態は、他の実施の形態と自由に組み合わせて用いることができる。

（実施の形態５）
上記実施の形態で示した発光装置は、電子機器の表示部として用いることができる。本実
施の形態で示す電子機器は、上記実施の形態で示した発光装置を有する。上記実施の形態
で示した発光装置の製造方法によって、歩留まり良く、かつ信頼性の高い発光装置を得る
ことが可能になり、結果として、最終製品としての電子機器をスループット良く、良好な
品質で製造することが可能になる。

上記実施の形態で示した発光装置は、例えば、表示装置、コンピュータ、携帯電話、カメ
ラ等のあらゆる電子機器の表示部に用いることができる。上記実施の形態で示した発光装
置を表示部に用いることで、薄型化及び軽量化され、かつ信頼性の高い電子機器を提供す
ることが可能である。

図９（Ａ）はテレビ装置であり、筐体９１０１、支持台９１０２、表示部９１０３、スピ
ーカー部９１０４、ビデオ入力端子９１０５等を含む。このテレビ装置の表示部９１０３
は、上記実施の形態に示した発光装置を用いることによって製造される。フレキシブル且
つ長寿命で簡便に製造できる上記実施の形態に記載の発光装置を搭載したテレビ装置は、
表示部９１０３において、曲面の表示が可能かつ軽量化を実現しながら信頼性の高い商品
とすることが可能となる。

図９（Ｂ）はコンピュータであり、本体９２０１、筐体９２０２、表示部９２０３、キー
ボード９２０４、外部接続ポート９２０５、ポインティングデバイス９２０６等を含む。
このコンピュータの表示部９２０３は、上記実施の形態に示した発光装置を用いることに
よって製造される。フレキシブル且つ長寿命で簡便に製造できる上記実施の形態に記載の
発光装置を搭載したコンピュータは、表示部９２０３において、曲面の表示が可能かつ軽
量化を実現しながら信頼性の高い商品とすることが可能となる。

図９（Ｃ）は携帯電話であり、本体９４０１、筐体９４０２、表示部９４０３、音声入力
部９４０４、音声出力部９４０５、操作キー９４０６、外部接続ポート９４０７等を含む
。この携帯電話の表示部９４０３は、上記実施の形態に示した発光装置を用いることによ
って製造される。フレキシブル且つ長寿命で簡便に製造できる上記実施の形態に記載の発
光装置を搭載した携帯電話は、表示部９４０３において、曲面の表示が可能かつ軽量化を
実現しながら信頼性の高い商品とすることが可能となる。また軽量化が図られた本実施の
形態における携帯電話には、様々な付加価値を備えても携帯に適した、重量に止めること
ができ、当該携帯電話は高機能な携帯電話としても適した構成となっている。

図９（Ｄ）はカメラであり、本体９５０１、表示部９５０２、筐体９５０３、外部接続ポ
ート９５０４、リモコン受信部９５０５、受像部９５０６、バッテリー９５０７、音声入
力部９５０８、操作キー９５０９、接眼部９５１０等を含む。このカメラの表示部９５０
２は、上記実施の形態に示した発光装置を用いることによって製造される。フレキシブル
且つ長寿命で簡便に製造できる上記実施の形態に記載の発光装置を搭載したカメラは、表
示部９５０２において、曲面の表示が可能かつ軽量化を実現しながら信頼性の高い商品と
することが可能となる。

図９（Ｅ）はディスプレイであり、本体９６０１、表示部９６０２、外部メモリ挿入部９
６０３、スピーカー部９６０４、操作キー９６０５等を含む。本体９６０１には他にテレ
ビ受像アンテナや外部入力端子、外部出力端子、バッテリーなどが搭載されていても良い
。このディスプレイの表示部９６０２は上記実施の形態に示した発光装置を用いることに
よって製造される。フレキシブルな表示部９６０２は本体９６０１内に巻き取ることで収
納することが可能であり、携帯に好適である。フレキシブルな形状とすることが可能な上
記実施の形態に記載の発光装置を搭載したディスプレイは、表示部９６０２において、携
帯好適性かつ軽量化を実現しながら信頼性の高い商品とすることが可能となる。

以上の様に、上記実施の形態に示した発光装置を用いて製造された発光装置の適用範囲は
極めて広く、この発光装置をあらゆる分野の電子機器に適用することが可能である。

また、上記実施の形態で示した発光装置は、照明装置として用いることもできる。照明装
置として用いる一態様を、図１０を用いて説明する。

図１０は、上記実施の形態で一例を示した発光装置を、照明装置である電気スタンド３０
００、及び室内の照明装置３００１、３００２として用いた例である。図１０に示す電気
スタンド３０００は、光源として、上記実施の形態で一例を示した発光装置が用いられて
いる。従って、軽量化を実現し、且つ信頼性の高い電気スタンドとすることができる。ま
た、上記実施の形態に示す発光装置を用いることで、軽量化され、且つ信頼性の高い照明
装置３００１、３００２を提供することができる。また、この発光装置は、フレキシブル
化が可能であるため、例えば、照明装置３００２のように、ロール型の照明とすることが
可能である。

また、照明装置としては、図１０で例示したものに限られず、住宅や公共施設の照明をは
じめ、様々な形態の照明装置として応用することができる。このような場合において、上
記実施の形態で示した発光装置を用いた照明装置は、発光媒体が薄膜状であるので、デザ
インの自由度が高く、様々な意匠を凝らした商品を市場に提供することができる。

なお、本実施の形態は、他の実施の形態と適宜組み合わせて用いることができる。

１００ 基板
１０２ 剥離層
１０４ 絶縁層
１０６ 薄膜トランジスタ
１０８ 半導体層
１１０ ゲート絶縁層
１１２ ゲート電極
１１４ 絶縁層
１１６ 絶縁層
１１８ 配線
１２０ 絶縁層
１２２ 電極
１２４ 素子形成層
１３０ 樹脂膜
１３１ 粘着シート
１３２ 基板
１３２ａ 繊維体
１３２ｂ 有機樹脂
１３３ 基板
１３４ ＥＬ層
１３６ 電極
１３７ 絶縁層
１３７ａ 絶縁層
１３７ｂ 絶縁層
１３８ 絶縁層
１４０ 発光素子
１４２ 乾燥剤
１４４ 衝撃緩和層
１４６ 衝撃緩和層
１７０ 素子部
２００ 基板
４０２ ＦＰＣ
５０２ 画素部
５０３ ゲート側駆動回路
５０４ ソース側駆動回路
５０８ 配線
３０００ 電気スタンド
３００１ 照明装置
３００２ 照明装置
９１０１ 筐体
９１０２ 支持台
９１０３ 表示部
９１０４ スピーカー部
９１０５ ビデオ入力端子
９２０１ 本体
９２０２ 筐体
９２０３ 表示部
９２０４ キーボード
９２０５ 外部接続ポート
９２０６ ポインティングデバイス
９４０１ 本体
９４０２ 筐体
９４０３ 表示部
９４０４ 音声入力部
９４０５ 音声出力部
９４０６ 操作キー
９４０７ 外部接続ポート
９５０１ 本体
９５０２ 表示部
９５０３ 筐体
９５０４ 外部接続ポート
９５０５ リモコン受信部
９５０６ 受像部
９５０７ バッテリー
９５０８ 音声入力部
９５０９ 操作キー
９５１０ 接眼部
９６０１ 本体
９６０２ 表示部
９６０３ 外部メモリ挿入部
９６０４ スピーカー部
９６０５ 操作キー

Claims (6)

1. 第１の基板と、
   前記第１の基板上に設けられたトランジスタと、
   前記トランジスタ上の第１の絶縁層と、
   前記第１の絶縁層上の、第１の電極と、前記第１の電極の端部を覆う第２の絶縁層と、前記第１の電極上及び前記第２の絶縁層の上面の第１の領域と接するＥＬ層と、前記ＥＬ層上の第２の電極と、を含む発光素子と、
   前記第２の絶縁層の上面の第２の領域の上に接触している第３の絶縁層と、
   前記発光素子を覆う有機材料層と、を有し、
   前記トランジスタは、第３の電極と電気的に接続され、
   前記第１の電極は、前記第１の絶縁層に設けられたコンタクトホールを介して、前記第３の電極と電気的に接続され、
   前記第２の絶縁層は、前記コンタクトホールと重なる領域を有し、
   前記第３の絶縁層は、前記コンタクトホールと重ならず、
   前記第３の絶縁層は有機材料を含み、
   前記ＥＬ層は、前記第３の絶縁層の上にあり、前記第３の絶縁層の頭頂部と接触し、
   前記第２の絶縁層および前記第３の絶縁層は、前記有機材料層に埋め込まれ、
   前記有機材料層は、透光性を有し、
   前記ＥＬ層で発光した光を前記第２の電極を介して取り出す発光装置。
2. 請求項１において、
   前記第２の絶縁層および前記第３の絶縁層は同じ材料を含む発光装置。
3. 第１の基板と、
   前記第１の基板上に設けられたトランジスタと、
   前記トランジスタ上の第１の絶縁層と、
   前記第１の絶縁層上の、第１の電極と、前記第１の電極の端部を覆う第２の絶縁層と、前記第１の電極上及び前記第２の絶縁層の上面の第１の領域と接するＥＬ層と、前記ＥＬ層上の第２の電極と、を含む発光素子と、
   前記第２の絶縁層の上面の第２の領域の上に接触している第３の絶縁層と、
   前記第２の絶縁層の上面の第３の領域の上に接触している第４の絶縁層と、
   前記発光素子を覆う有機材料層と、を有し、
   前記トランジスタは、第３の電極と電気的に接続され、
   前記第１の電極は、前記第１の絶縁層に設けられたコンタクトホールを介して、前記第３の電極と電気的に接続され、
   前記第２の絶縁層は、前記コンタクトホールと重なる領域を有し、
   前記第３の絶縁層および前記第４の絶縁層は、前記コンタクトホールと重ならず、
   前記第３の絶縁層および前記第４の絶縁層は、それぞれ有機材料を含み、
   前記ＥＬ層は、前記第３の絶縁層および前記第４の絶縁層の上にあり、且つ前記第３の絶縁層の頭頂部および前記第４の絶縁層の頭頂部と接触し、
   前記第２の絶縁層、前記第３の絶縁層および前記第４の絶縁層は、前記有機材料層に埋め込まれ、
   前記有機材料層は、透光性を有し、
   前記ＥＬ層で発光した光を前記第２の電極を介して取り出す発光装置。
4. 請求項３において、
   前記第２の絶縁層、前記第３の絶縁層および前記第４の絶縁層は同じ材料を含む発光装置。
5. 請求項１乃至請求項４のいずれか一において、
   前記第１の基板は可撓性基盤である発光装置。
6. 請求項１乃至請求項５のいずれか一において、
   前記有機材料層上に第２の基板を有する発光装置。

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