JPH1154268A - 有機エレクトロルミネッセンスディスプレイ装置 - Google Patents
有機エレクトロルミネッセンスディスプレイ装置Info
- Publication number
- JPH1154268A JPH1154268A JP9214724A JP21472497A JPH1154268A JP H1154268 A JPH1154268 A JP H1154268A JP 9214724 A JP9214724 A JP 9214724A JP 21472497 A JP21472497 A JP 21472497A JP H1154268 A JPH1154268 A JP H1154268A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- organic
- substrate
- display device
- cathode
- pixel array
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 68
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 33
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 claims description 76
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 claims description 10
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 abstract description 14
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 8
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 55
- 239000010408 film Substances 0.000 description 20
- 238000000034 method Methods 0.000 description 15
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 14
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 14
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 10
- 239000000463 material Substances 0.000 description 10
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 8
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 8
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 8
- 230000006870 function Effects 0.000 description 6
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 6
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 6
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 4
- 239000003566 sealing material Substances 0.000 description 4
- 229910017911 MgIn Inorganic materials 0.000 description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000003963 antioxidant agent Substances 0.000 description 3
- 230000003078 antioxidant effect Effects 0.000 description 3
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 3
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 3
- IBHBKWKFFTZAHE-UHFFFAOYSA-N n-[4-[4-(n-naphthalen-1-ylanilino)phenyl]phenyl]-n-phenylnaphthalen-1-amine Chemical compound C1=CC=CC=C1N(C=1C2=CC=CC=C2C=CC=1)C1=CC=C(C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C3=CC=CC=C3C=CC=2)C=C1 IBHBKWKFFTZAHE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 3
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 3
- YYMBJDOZVAITBP-UHFFFAOYSA-N rubrene Chemical compound C1=CC=CC=C1C(C1=C(C=2C=CC=CC=2)C2=CC=CC=C2C(C=2C=CC=CC=2)=C11)=C(C=CC=C2)C2=C1C1=CC=CC=C1 YYMBJDOZVAITBP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 3
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 3
- 229910017073 AlLi Inorganic materials 0.000 description 2
- -1 MgAg Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910006404 SnO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GQVWHWAWLPCBHB-UHFFFAOYSA-L beryllium;benzo[h]quinolin-10-olate Chemical compound [Be+2].C1=CC=NC2=C3C([O-])=CC=CC3=CC=C21.C1=CC=NC2=C3C([O-])=CC=CC3=CC=C21 GQVWHWAWLPCBHB-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 2
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 2
- AHLBNYSZXLDEJQ-FWEHEUNISA-N orlistat Chemical compound CCCCCCCCCCC[C@H](OC(=O)[C@H](CC(C)C)NC=O)C[C@@H]1OC(=O)[C@H]1CCCCCC AHLBNYSZXLDEJQ-FWEHEUNISA-N 0.000 description 2
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 description 2
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052790 beryllium Inorganic materials 0.000 description 1
- ATBAMAFKBVZNFJ-UHFFFAOYSA-N beryllium atom Chemical compound [Be] ATBAMAFKBVZNFJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 description 1
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 1
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 125000006617 triphenylamine group Chemical group 0.000 description 1
- 238000007738 vacuum evaporation Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
- G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
- G09G3/00—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes
- G09G3/20—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters
- G09G3/22—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources
- G09G3/30—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels
- G09G3/32—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED]
- G09G3/3208—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED] organic, e.g. using organic light-emitting diodes [OLED]
- G09G3/3225—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED] organic, e.g. using organic light-emitting diodes [OLED] using an active matrix
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/17—Passive-matrix OLED displays
-
- G—PHYSICS
- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
- G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
- G09G2300/00—Aspects of the constitution of display devices
- G09G2300/04—Structural and physical details of display devices
- G09G2300/0404—Matrix technologies
- G09G2300/0408—Integration of the drivers onto the display substrate
-
- G—PHYSICS
- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
- G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
- G09G2300/00—Aspects of the constitution of display devices
- G09G2300/04—Structural and physical details of display devices
- G09G2300/0421—Structural details of the set of electrodes
- G09G2300/0426—Layout of electrodes and connections
-
- G—PHYSICS
- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
- G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
- G09G2300/00—Aspects of the constitution of display devices
- G09G2300/08—Active matrix structure, i.e. with use of active elements, inclusive of non-linear two terminal elements, in the pixels together with light emitting or modulating elements
- G09G2300/0809—Several active elements per pixel in active matrix panels
- G09G2300/0842—Several active elements per pixel in active matrix panels forming a memory circuit, e.g. a dynamic memory with one capacitor
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
- H10K2102/301—Details of OLEDs
- H10K2102/302—Details of OLEDs of OLED structures
- H10K2102/3023—Direction of light emission
- H10K2102/3026—Top emission
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
- H10K2102/301—Details of OLEDs
- H10K2102/351—Thickness
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/123—Connection of the pixel electrodes to the thin film transistors [TFT]
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Theoretical Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 この発明は、有機ＥＬを備えた画素アレイ部
と周辺駆動回路とを同一基板上に作成し、有機ＥＬディ
スプレイ装置の製造を容易にし、且つディスプレイ装置
の小型化を図ることをその目的とする。 【解決手段】 この発明の有機ＥＬディスプレイ装置
は、半導体基板１上に有機ＥＬ素子で構成された画素ア
レイ２が設けられ、半導体基板１の画素アレイ２の周辺
部には、有機ＥＬ素子を駆動する駆動集積回路３が形成
され、画素アレイ１と駆動集積回路３が一体化されてい
る。
と周辺駆動回路とを同一基板上に作成し、有機ＥＬディ
スプレイ装置の製造を容易にし、且つディスプレイ装置
の小型化を図ることをその目的とする。 【解決手段】 この発明の有機ＥＬディスプレイ装置
は、半導体基板１上に有機ＥＬ素子で構成された画素ア
レイ２が設けられ、半導体基板１の画素アレイ２の周辺
部には、有機ＥＬ素子を駆動する駆動集積回路３が形成
され、画素アレイ１と駆動集積回路３が一体化されてい
る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、有機エレクトロ
ルミネッセンス（以下、有機ＥＬという。）を発光デバ
イスとして用いた有機ＥＬディスプレイ装置に関する。
ルミネッセンス（以下、有機ＥＬという。）を発光デバ
イスとして用いた有機ＥＬディスプレイ装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】有機エレクトロルミネッセンス（ＥＬ）
素子は、新しい自己発光型素子として、期待されてい
る。有機ＥＬ素子としては、一般に、陽極となるホール
注入電極と陰極となる電子注入電極との間にホール輸送
層と発光層とが形成された構造（ＳＨ−Ａ構造）、また
はホール注入電極と電子注入電極との間に発光層と電子
輸送層とが形成された構造（ＳＨ−Ｂ構造）の２層構
造、あるいはホール注入電極と電子注入電極との間に、
ホール輸送層と発光層と電子輸送層とが形成された構造
（ＤＨ構造）の３層構造のものがある。
素子は、新しい自己発光型素子として、期待されてい
る。有機ＥＬ素子としては、一般に、陽極となるホール
注入電極と陰極となる電子注入電極との間にホール輸送
層と発光層とが形成された構造（ＳＨ−Ａ構造）、また
はホール注入電極と電子注入電極との間に発光層と電子
輸送層とが形成された構造（ＳＨ−Ｂ構造）の２層構
造、あるいはホール注入電極と電子注入電極との間に、
ホール輸送層と発光層と電子輸送層とが形成された構造
（ＤＨ構造）の３層構造のものがある。
【０００３】上記陽極となるホール注入電極としては、
金やＩＴＯ（インジウム−スズ酸化物）のような仕事関
数の大きな電極材料を用い、上記陰極となる電子注入電
極としては、Ｍｇのような仕事関数の小さな電極材料を
用いる。
金やＩＴＯ（インジウム−スズ酸化物）のような仕事関
数の大きな電極材料を用い、上記陰極となる電子注入電
極としては、Ｍｇのような仕事関数の小さな電極材料を
用いる。
【０００４】また、上記ホール輸送層、発光層、電子輸
送層には有機材料が用いられ、ホール輸送層はｐ型半導
体の性質、電子輸送層はｎ型半導体の性質を有する材料
が用いられる。上記発光層は、上記ＳＨ−Ａ構造では、
ｎ型半導体の性質、ＳＨ−Ｂ構造ではｐ型半導体の性
質、ＤＨ構造では中性に近い性質を有する材料が用いら
れる。
送層には有機材料が用いられ、ホール輸送層はｐ型半導
体の性質、電子輸送層はｎ型半導体の性質を有する材料
が用いられる。上記発光層は、上記ＳＨ−Ａ構造では、
ｎ型半導体の性質、ＳＨ−Ｂ構造ではｐ型半導体の性
質、ＤＨ構造では中性に近い性質を有する材料が用いら
れる。
【０００５】いずれの構造にしても、有機ＥＬ素子はホ
ール注入電極（陽極）から注入されたホールと電子注入
電極（陰極）から注入された電子が、発光層とホール
（または電子）輸送層の界面、および発光層内で再結合
して発光するという原理である。従って、発光機構が衝
突勃起型発光である無機ＥＬ素子と比べて、有機ＥＬ素
子は低電圧で発光が可能といった特長を持っており、こ
れからの表示素子として非常に有望である。
ール注入電極（陽極）から注入されたホールと電子注入
電極（陰極）から注入された電子が、発光層とホール
（または電子）輸送層の界面、および発光層内で再結合
して発光するという原理である。従って、発光機構が衝
突勃起型発光である無機ＥＬ素子と比べて、有機ＥＬ素
子は低電圧で発光が可能といった特長を持っており、こ
れからの表示素子として非常に有望である。
【０００６】この種有機ＥＬ素子を用いたディスプレイ
装置が、特開平８−２４１０４７号公報（Ｉｎｔ．ｃ
ｌ．Ｇ０９Ｆ ９／３０）に開示されている。この有機
ＥＬディスプレイ装置は、アクティブマトリックス駆動
素子としてガラス基板上に設けた薄膜トランジスタ（Ｔ
ＦＴ）を用い、このガラス基板上に有機ＥＬ素子をアレ
イ状に形成している。
装置が、特開平８−２４１０４７号公報（Ｉｎｔ．ｃ
ｌ．Ｇ０９Ｆ ９／３０）に開示されている。この有機
ＥＬディスプレイ装置は、アクティブマトリックス駆動
素子としてガラス基板上に設けた薄膜トランジスタ（Ｔ
ＦＴ）を用い、このガラス基板上に有機ＥＬ素子をアレ
イ状に形成している。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記し
た従来の有機ＥＬディスプレイ装置においては、上記ア
クティブマトリックス駆動素子を駆動するためのシフト
レジスタやラッチ回路を含む周辺駆動集積回路（ＩＣ）
を別個用意し、ガラス基板上に形成された有機ＥＬ素子
の駆動素子と周辺駆動集積回路とをワイヤやフラットケ
ーブルなどを実装技術を用いて接続している。このた
め、その製造が煩瑣であると共に、ディスプレイ装置が
大きくなるという問題があった。
た従来の有機ＥＬディスプレイ装置においては、上記ア
クティブマトリックス駆動素子を駆動するためのシフト
レジスタやラッチ回路を含む周辺駆動集積回路（ＩＣ）
を別個用意し、ガラス基板上に形成された有機ＥＬ素子
の駆動素子と周辺駆動集積回路とをワイヤやフラットケ
ーブルなどを実装技術を用いて接続している。このた
め、その製造が煩瑣であると共に、ディスプレイ装置が
大きくなるという問題があった。
【０００８】一方、特開平９−１１４３９８号公報（Ｉ
ｎｔ．ｃｌ．Ｇ０９Ｆ ９／３０）には、基板として単
結晶シリコン半導体基板を用い、アクティブマトリック
ス駆動素子として単結晶シリコンによるＭＯＳトランジ
スタで有機ＥＬ素子を駆動したものが開示されている。
この有機ＥＬディスプレイ装置においては、基板として
単結晶シリコン基板を用いているので、周辺駆動集積回
路の組み込みが容易になり、駆動集積回路の外付けを不
要にすることができる。
ｎｔ．ｃｌ．Ｇ０９Ｆ ９／３０）には、基板として単
結晶シリコン半導体基板を用い、アクティブマトリック
ス駆動素子として単結晶シリコンによるＭＯＳトランジ
スタで有機ＥＬ素子を駆動したものが開示されている。
この有機ＥＬディスプレイ装置においては、基板として
単結晶シリコン基板を用いているので、周辺駆動集積回
路の組み込みが容易になり、駆動集積回路の外付けを不
要にすることができる。
【０００９】しかしながら、上記有機ＥＬディスプレイ
装置においては、シリコン基板側から素子の発光を取り
出すように構成しているため、有機ＥＬの発光部分の基
板にエッチングを施し、透過部分を形成している。この
ため、透過部分作成のためのエッチング工程が増加する
という難点があると共に、有機ＥＬからの発光を取り出
すために、基板をエッチングで薄くして透光部分が形成
されているので、機械的強度が極めて弱くなるという難
点もあった。
装置においては、シリコン基板側から素子の発光を取り
出すように構成しているため、有機ＥＬの発光部分の基
板にエッチングを施し、透過部分を形成している。この
ため、透過部分作成のためのエッチング工程が増加する
という難点があると共に、有機ＥＬからの発光を取り出
すために、基板をエッチングで薄くして透光部分が形成
されているので、機械的強度が極めて弱くなるという難
点もあった。
【００１０】この発明は、上述した従来の問題点を解消
するためになされたものにして、有機ＥＬを備えた画素
アレイ部と周辺駆動回路とを同一基板上に作成し、有機
ＥＬディスプレイ装置の製造を容易にし、且つディスプ
レイ装置の小型化を図ることをその目的とする。
するためになされたものにして、有機ＥＬを備えた画素
アレイ部と周辺駆動回路とを同一基板上に作成し、有機
ＥＬディスプレイ装置の製造を容易にし、且つディスプ
レイ装置の小型化を図ることをその目的とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】この発明の有機ＥＬディ
スプレイ装置は、半導体基体上に有機ＥＬ素子で構成さ
れた画素アレイが設けられ、上記半導体基体の画素アレ
イの周辺部には、前記有機ＥＬ素子を駆動する駆動集積
回路が形成されていることを特徴とする。
スプレイ装置は、半導体基体上に有機ＥＬ素子で構成さ
れた画素アレイが設けられ、上記半導体基体の画素アレ
イの周辺部には、前記有機ＥＬ素子を駆動する駆動集積
回路が形成されていることを特徴とする。
【００１２】上記したように、有機ＥＬを備えた画素ア
レイ部と周辺駆動回路とを同一基板上に作成すること
で、有機ＥＬディスプレイ装置の製造が容易になり、且
つディスプレイ装置の小型化が図れる。
レイ部と周辺駆動回路とを同一基板上に作成すること
で、有機ＥＬディスプレイ装置の製造が容易になり、且
つディスプレイ装置の小型化が図れる。
【００１３】更に、この発明は、上記半導体基体上に、
陰極と有機層と陽極をこの順序で積層したことを特徴と
する。
陰極と有機層と陽極をこの順序で積層したことを特徴と
する。
【００１４】上記したように構成することで、有機ＥＬ
素子は、前記基体とは反対側の面から発光する。
素子は、前記基体とは反対側の面から発光する。
【００１５】
【発明の実施の形態】以下、この発明の有機ＥＬディス
プレイ装置の実施の形態につき図面を参照して説明す
る。図１は、この発明の有機ＥＬディスプレイ装置の一
実施の形態を示し、アクティブスタテック駆動方式の駆
動回路一体型有機ＥＬディスプレイ装置の模式図、図２
は、同概略回路構成図、図３は同概略断面図、図４は、
この発明の有機ＥＬ素子の画素部分の平面図、図５はこ
の発明の有機ＥＬ素子部分の断面図である。
プレイ装置の実施の形態につき図面を参照して説明す
る。図１は、この発明の有機ＥＬディスプレイ装置の一
実施の形態を示し、アクティブスタテック駆動方式の駆
動回路一体型有機ＥＬディスプレイ装置の模式図、図２
は、同概略回路構成図、図３は同概略断面図、図４は、
この発明の有機ＥＬ素子の画素部分の平面図、図５はこ
の発明の有機ＥＬ素子部分の断面図である。
【００１６】図１及び図２に示すように、この実施の形
態においては、基板１として単結晶シリコン半導体基板
を用い、この基板１上に有機ＥＬ素子で構成された画素
アレイ部２と周辺駆動集積回路３が形成されている。
態においては、基板１として単結晶シリコン半導体基板
を用い、この基板１上に有機ＥＬ素子で構成された画素
アレイ部２と周辺駆動集積回路３が形成されている。
【００１７】周辺駆動集積回路３は、映像信号などを画
面表示するための走査信号を行選択線４に与えるための
Ｙドライバ３１と、データ線５にデータ信号を供給する
ためのＸドライバ３２と、Ｘドライバ３２からのクロッ
ク信号に従ってビデオ入力信号データをサンプリングし
てホールドするサンプル・ホールド３３と、で構成され
る。
面表示するための走査信号を行選択線４に与えるための
Ｙドライバ３１と、データ線５にデータ信号を供給する
ためのＸドライバ３２と、Ｘドライバ３２からのクロッ
ク信号に従ってビデオ入力信号データをサンプリングし
てホールドするサンプル・ホールド３３と、で構成され
る。
【００１８】上記したように、基板１は、単結晶シリコ
ン半導体基板からなり、画素アレイ部２の周辺部分に周
知のＣＭＯＳプロセスにより、Ｙドライバ３１、Ｘドラ
イバ３２、サンプル・ホールド３３が形成されている。
Ｙドライバ３１には、Ｙクロック、Ｙスタート信号が与
えられ、Ｘドライバ３２にはＸクロック、Ｘスタート信
号が、サンプル・ホールド３３には、ビデオ信号が与え
られる。
ン半導体基板からなり、画素アレイ部２の周辺部分に周
知のＣＭＯＳプロセスにより、Ｙドライバ３１、Ｘドラ
イバ３２、サンプル・ホールド３３が形成されている。
Ｙドライバ３１には、Ｙクロック、Ｙスタート信号が与
えられ、Ｘドライバ３２にはＸクロック、Ｘスタート信
号が、サンプル・ホールド３３には、ビデオ信号が与え
られる。
【００１９】上記半導体基板１内の画素アレイ部２に
は、Ｙドライバ回路３１からの水平走査信号が入力され
る行選択線４が基板上に絶縁膜を介して平行に配置され
ている。また、データ信号が供給されるデータ線５が同
じく絶縁膜を介して基板１上に配置されている。更に共
通電極線６が基板１上に絶縁膜を介して平行に配置され
ている。図４に示すように、この行選択線４、データ線
５、共通電極線６で囲まれた部分が１つの画素に相当す
る有機ＥＬ素子部である。
は、Ｙドライバ回路３１からの水平走査信号が入力され
る行選択線４が基板上に絶縁膜を介して平行に配置され
ている。また、データ信号が供給されるデータ線５が同
じく絶縁膜を介して基板１上に配置されている。更に共
通電極線６が基板１上に絶縁膜を介して平行に配置され
ている。図４に示すように、この行選択線４、データ線
５、共通電極線６で囲まれた部分が１つの画素に相当す
る有機ＥＬ素子部である。
【００２０】この２次元配置の画素（有機ＥＬ素子）数
がｎ×ｍの場合、行選択線２及び共通電極線４はｎ本、
データ線３がｍ本設けられる。
がｎ×ｍの場合、行選択線２及び共通電極線４はｎ本、
データ線３がｍ本設けられる。
【００２１】有機ＥＬ素子部２０には、有機ＥＬ素子を
オン・オフするためのスイッチング手段２１が設けられ
ている。このスイッチング手段２１は半導体基板１にソ
ース、ドレイン拡散層を設けた２個のＭＯＳトランジス
タＴｒ１，Ｔｒ２とコンデンサＣを備える。
オン・オフするためのスイッチング手段２１が設けられ
ている。このスイッチング手段２１は半導体基板１にソ
ース、ドレイン拡散層を設けた２個のＭＯＳトランジス
タＴｒ１，Ｔｒ２とコンデンサＣを備える。
【００２２】ＭＯＳトランジスタＴｒ１は、そのゲート
Ｇが行選択線４と接続され、ドレインＤがデータ線５と
接続されている。また、ＭＯＳトランジスタＴｒ１のソ
ースＳがコンデンサＣを介して共通電極線６と接続され
ている。
Ｇが行選択線４と接続され、ドレインＤがデータ線５と
接続されている。また、ＭＯＳトランジスタＴｒ１のソ
ースＳがコンデンサＣを介して共通電極線６と接続され
ている。
【００２３】さらに、ＭＯＳトランジスタＴｒ２のゲー
トＧがＭＯＳトランジスタＴｒ１のソースＳと接続さ
れ、且つソースＳが共通電極線６と接続されている。Ｍ
ＯＳトランジスタＴｒ２のドレインＤは画素電極の一
方、この実施の形態においては、陽極（透明電極）２４
と接続され、他方（陰極）２２が共通電極線６と接続さ
れている。このＭＯＳトランジスタＴｒ１、２及びコン
デンサＣは画素毎に設けられている。
トＧがＭＯＳトランジスタＴｒ１のソースＳと接続さ
れ、且つソースＳが共通電極線６と接続されている。Ｍ
ＯＳトランジスタＴｒ２のドレインＤは画素電極の一
方、この実施の形態においては、陽極（透明電極）２４
と接続され、他方（陰極）２２が共通電極線６と接続さ
れている。このＭＯＳトランジスタＴｒ１、２及びコン
デンサＣは画素毎に設けられている。
【００２４】この実施の形態においては、図３及び図５
に示すように、半導体基板１側に陰極２２が配置され、
その上に有機層２３、と陽極としてのＩＴＯ、ＳｎＯ2
などの透明電極２４が配置され、基板１とは逆の面から
発光するようになっている。この実施の形態では、基板
１とは逆の面から有機ＥＬが発光するように構成されて
いる。従って、基板１をエッチングなどにより透光部を
形成する必要が無く、工程数の増加もなくまた、機械的
強度も低下する畏れはない。
に示すように、半導体基板１側に陰極２２が配置され、
その上に有機層２３、と陽極としてのＩＴＯ、ＳｎＯ2
などの透明電極２４が配置され、基板１とは逆の面から
発光するようになっている。この実施の形態では、基板
１とは逆の面から有機ＥＬが発光するように構成されて
いる。従って、基板１をエッチングなどにより透光部を
形成する必要が無く、工程数の増加もなくまた、機械的
強度も低下する畏れはない。
【００２５】図５に従いこの有機ＥＬ素子につき説明す
る。この発明の有機ＥＬ素子は、シリコン半導体基板１
上に絶縁層１１を形成し、その絶縁層１上に陰極となる
電子注入電極２２（厚み２０００Å）、電子輸送層２３
ａ（厚み５００Å）、発光層２３ｂ（厚み２００Å）、
ホール輸送層２３ｃ（厚み５００Å）、インジウム−ス
ズ酸化物（ＩＴＯ）からなる陽極となるホール注入電極
２４とが順に形成されている。上記のように、堆積した
有機ＥＬ素子を封止材とシールドガラスを用いて封止さ
れる。
る。この発明の有機ＥＬ素子は、シリコン半導体基板１
上に絶縁層１１を形成し、その絶縁層１上に陰極となる
電子注入電極２２（厚み２０００Å）、電子輸送層２３
ａ（厚み５００Å）、発光層２３ｂ（厚み２００Å）、
ホール輸送層２３ｃ（厚み５００Å）、インジウム−ス
ズ酸化物（ＩＴＯ）からなる陽極となるホール注入電極
２４とが順に形成されている。上記のように、堆積した
有機ＥＬ素子を封止材とシールドガラスを用いて封止さ
れる。
【００２６】ところで、上記した電子注入電極（陰極）
２２は、ＭｇＩｎ、ＭｇＡｇ、ＡｌＬｉなどの仕事関数
の小さな金属を用いている。しかし、この陰極２２は仕
事関数が小さい故に、空気中の酸素あるいは水分と反応
を起こしやすいため、有機ＥＬ素子の最上層に陰極が配
置される構成であれば、陰極の酸化を防止するための酸
化防止膜を必要とする。これに対して、この発明におい
ては、酸化しやすい陰極２２は基板１上に設けられ、そ
の上に有機層２３及び陽極（透明電極）２４が配置され
るので、封止材とシールドガラス等により封止すること
で、特別な酸化防止膜を設けなくても陰極２２の酸化が
防止できる。
２２は、ＭｇＩｎ、ＭｇＡｇ、ＡｌＬｉなどの仕事関数
の小さな金属を用いている。しかし、この陰極２２は仕
事関数が小さい故に、空気中の酸素あるいは水分と反応
を起こしやすいため、有機ＥＬ素子の最上層に陰極が配
置される構成であれば、陰極の酸化を防止するための酸
化防止膜を必要とする。これに対して、この発明におい
ては、酸化しやすい陰極２２は基板１上に設けられ、そ
の上に有機層２３及び陽極（透明電極）２４が配置され
るので、封止材とシールドガラス等により封止すること
で、特別な酸化防止膜を設けなくても陰極２２の酸化が
防止できる。
【００２７】上記したホール輸送層２３ｃ、発光層２３
ｂ、電子輸送層２３ａは、それぞれ有機ＥＬが用いられ
ている。具体的には、例えば、ホール輸送層２３ｃは、
下記の化学式１で示されるトリフェニルアミン誘導体
（ＭＴＤＡＴＡ）からなり、発光層２３ｂは、下記の化
学式２で示されるＮ，Ｎ’−Ｄｉｐｈｅｎｙｌ−Ｎ，
Ｎ’−ｄｉ（α−ｎａｐｈｔｈｙｌ）ｂｅｎｚｉｄｉｎ
ｅ（αＮＰＤ）をホスト材料とし、下記の化学式３で示
すルブレンをドーパントしたものからなり、電子輸送層
２３ａは下記の化学式４で示す１０−ベンゾ（ｈ）−キ
ノリール−ベリリウム錯体（ＢｅＢｑ2 ）からなってい
る。
ｂ、電子輸送層２３ａは、それぞれ有機ＥＬが用いられ
ている。具体的には、例えば、ホール輸送層２３ｃは、
下記の化学式１で示されるトリフェニルアミン誘導体
（ＭＴＤＡＴＡ）からなり、発光層２３ｂは、下記の化
学式２で示されるＮ，Ｎ’−Ｄｉｐｈｅｎｙｌ−Ｎ，
Ｎ’−ｄｉ（α−ｎａｐｈｔｈｙｌ）ｂｅｎｚｉｄｉｎ
ｅ（αＮＰＤ）をホスト材料とし、下記の化学式３で示
すルブレンをドーパントしたものからなり、電子輸送層
２３ａは下記の化学式４で示す１０−ベンゾ（ｈ）−キ
ノリール−ベリリウム錯体（ＢｅＢｑ2 ）からなってい
る。
【００２８】
【化１】
【００２９】
【化２】
【００３０】
【化３】
【００３１】
【化４】
【００３２】次に、上記した図１ないし図５に示す構造
の有機ＥＬ素子の製造方法の一例につき説明する。
の有機ＥＬ素子の製造方法の一例につき説明する。
【００３３】まず、半導体基板１上に通常のＭＯＳ−Ｌ
ＳＩプロセス技術を用いて、周辺駆動集積回路３０及び
有機ＥＬ画素アレイ２の各画素部２０のスイッチング手
段２１をそれぞれ形成する。このＭＯＳ−ＬＳＩプロセ
スにより周辺駆動集積回路３及び画素部のスイッチグ手
段２１を形成すると共に、行選択線４、データ線５及び
共通電極線６も基板１上に絶縁膜を介して接続されてい
る。このプロセスの後、有機ＥＬ画素アレイ部２に有機
ＥＬ素子を形成する。
ＳＩプロセス技術を用いて、周辺駆動集積回路３０及び
有機ＥＬ画素アレイ２の各画素部２０のスイッチング手
段２１をそれぞれ形成する。このＭＯＳ−ＬＳＩプロセ
スにより周辺駆動集積回路３及び画素部のスイッチグ手
段２１を形成すると共に、行選択線４、データ線５及び
共通電極線６も基板１上に絶縁膜を介して接続されてい
る。このプロセスの後、有機ＥＬ画素アレイ部２に有機
ＥＬ素子を形成する。
【００３４】まず、有機ＥＬ素子の陰極２２を半導体基
板１の絶縁膜１１上に形成する。陰極２２は抵抗加熱式
真空蒸着法にて半導体基板１上の所定の画素領域にメタ
ルマスクを用いて形成する。陰極２２の材料としては、
ＭｇＩｎ、ＭｇＡｇ、ＡｌＬｉなどの低仕事関数の材料
が用いられる。また、共通電極線６と各陰極２２とが電
気的に接続されるように、陰極２２のパターンが形成さ
れている。
板１の絶縁膜１１上に形成する。陰極２２は抵抗加熱式
真空蒸着法にて半導体基板１上の所定の画素領域にメタ
ルマスクを用いて形成する。陰極２２の材料としては、
ＭｇＩｎ、ＭｇＡｇ、ＡｌＬｉなどの低仕事関数の材料
が用いられる。また、共通電極線６と各陰極２２とが電
気的に接続されるように、陰極２２のパターンが形成さ
れている。
【００３５】この後、駆動集積回路部３とスイッチング
手段２１をマスクして陰極を含め基板１上全面に有機電
子輸送層２３ａ、有機発光層２３ｂ、有機ホール輸送層
２３ｃの順に同じく真空蒸着法により順次形成する。即
ち、陰極２２上にＢｅＢｑ２を真空蒸着して電子輸送層
２３ａを形成し、この電子輸送層２３ａ上にαＮＰＤと
ルブレンを共蒸着して発光層２３ｂを形成した後、この
上にＭＴＤＡＴＡを真空蒸着してホール輸送層２３ｃを
形成する。尚、これらの蒸着はいずれも真空度１×１０
-6Torr、基板温度制御無しの条件下で行った。
手段２１をマスクして陰極を含め基板１上全面に有機電
子輸送層２３ａ、有機発光層２３ｂ、有機ホール輸送層
２３ｃの順に同じく真空蒸着法により順次形成する。即
ち、陰極２２上にＢｅＢｑ２を真空蒸着して電子輸送層
２３ａを形成し、この電子輸送層２３ａ上にαＮＰＤと
ルブレンを共蒸着して発光層２３ｂを形成した後、この
上にＭＴＤＡＴＡを真空蒸着してホール輸送層２３ｃを
形成する。尚、これらの蒸着はいずれも真空度１×１０
-6Torr、基板温度制御無しの条件下で行った。
【００３６】続いて、有機膜層２３の上に、メタルマス
クを用いて陽極となるＩＴＯからなる透明電極２４をス
パッタ法により所定のパターンに形成する。
クを用いて陽極となるＩＴＯからなる透明電極２４をス
パッタ法により所定のパターンに形成する。
【００３７】続いて、有機ＥＬ素子２０と駆動集積回路
３を結線するためのアルミニウム膜による配線工程が行
われる。この配線工程により、駆動集積回路３と有機Ｅ
Ｌ素子２０とが電気的に接続されると共に透明電極２４
とスイッチング手段２１とも接続される。有機ＥＬ素子
を形成後は、有機層２３がレジスト液に熔けるので、メ
タルマスクを用いて所定のパターンにアルミ配線が行わ
れる。
３を結線するためのアルミニウム膜による配線工程が行
われる。この配線工程により、駆動集積回路３と有機Ｅ
Ｌ素子２０とが電気的に接続されると共に透明電極２４
とスイッチング手段２１とも接続される。有機ＥＬ素子
を形成後は、有機層２３がレジスト液に熔けるので、メ
タルマスクを用いて所定のパターンにアルミ配線が行わ
れる。
【００３８】この後、有機ＥＬ素子画素アレイ２と駆動
集積回路３の全面に保護膜を形成する。この保護膜の材
質としては、高分子材料、ＳｉＯ、ＭｇＯなどの金属酸
化物が用いられる。保護膜形成後、シールドガラスと封
止材により、ディスプレイパネルを封止して、駆動集積
回路３と有機ＥＬ画素アレイ２が一体化したデバイスが
得られる。
集積回路３の全面に保護膜を形成する。この保護膜の材
質としては、高分子材料、ＳｉＯ、ＭｇＯなどの金属酸
化物が用いられる。保護膜形成後、シールドガラスと封
止材により、ディスプレイパネルを封止して、駆動集積
回路３と有機ＥＬ画素アレイ２が一体化したデバイスが
得られる。
【００３９】図６は、この発明の有機ＥＬディスプレイ
装置の他の実施の形態を示し、パッシブダイナミック駆
動方式の駆動回路一体型有機ＥＬディスプレイ装置の模
式図である。図７は、同概略回路構成図、図８は同概略
断面図である。
装置の他の実施の形態を示し、パッシブダイナミック駆
動方式の駆動回路一体型有機ＥＬディスプレイ装置の模
式図である。図７は、同概略回路構成図、図８は同概略
断面図である。
【００４０】図６及び図７に示すように、この実施の形
態においても前述の実施の形態と同じく、基板１として
単結晶シリコン半導体基板を用い、この基板１上に有機
ＥＬ素子で構成された画素アレイ部２と周辺駆動集積回
路３ａが形成されている。
態においても前述の実施の形態と同じく、基板１として
単結晶シリコン半導体基板を用い、この基板１上に有機
ＥＬ素子で構成された画素アレイ部２と周辺駆動集積回
路３ａが形成されている。
【００４１】周辺駆動集積回路３ａは、映像信号などを
画面表示するための走査信号を行選択線４に与えるため
のＹドライバ３１ａと、データ線にデータ信号を供給す
るためのＸ電極ドライバ３３ａと、Ｘ電極ドライバ３３
ａからのクロック信号に従ってビデオ入力信号データを
１ライン分保持するするバッファメモリ３２ａと、で構
成される。
画面表示するための走査信号を行選択線４に与えるため
のＹドライバ３１ａと、データ線にデータ信号を供給す
るためのＸ電極ドライバ３３ａと、Ｘ電極ドライバ３３
ａからのクロック信号に従ってビデオ入力信号データを
１ライン分保持するするバッファメモリ３２ａと、で構
成される。
【００４２】上記したように、基板１は、単結晶シリコ
ン半導体基板からなり、画素アレイ部２の周辺部分の基
板１内に周知のＣＭＯＳプロセスにより、Ｙドライバ３
１ａ、Ｘ電極ドライバ３３ａ、バッファメモリ３２ａが
形成されている。
ン半導体基板からなり、画素アレイ部２の周辺部分の基
板１内に周知のＣＭＯＳプロセスにより、Ｙドライバ３
１ａ、Ｘ電極ドライバ３３ａ、バッファメモリ３２ａが
形成されている。
【００４３】上記半導体基板１内の画素アレイ部２に
は、Ｙドライバ３１ａから与えられる水平走査信号が入
力される行選択線４が基板上に絶縁膜を介して平行に配
置されている。また、行選択線４と直交する方向に平行
に配置データ線５が配置されている。この実施の形態に
おいては、パッシブダイナミック駆動方式で駆動される
ために、データ線５と行選択線４との間に有機ＥＬ素子
が設けられる。そして、画素アレイ２内の行選択線４と
しては陰極２２が用いられ、また、データ線としては陽
極２４が用いられる。即ち、基板１上の絶縁膜を介して
陰極２２がＹドライバ３１からの行選択線と同じピッチ
で平行に配置される。そして、この上に有機層２３が設
けられ、この有機層２３上に陰極２２と直交する方向に
延びる透明電極２４がＸドライバ３３ａのデータ線と同
じピッチで配置される。この結果、行選択線とデータ線
との交点に有機ＥＬ素子が設けられる。
は、Ｙドライバ３１ａから与えられる水平走査信号が入
力される行選択線４が基板上に絶縁膜を介して平行に配
置されている。また、行選択線４と直交する方向に平行
に配置データ線５が配置されている。この実施の形態に
おいては、パッシブダイナミック駆動方式で駆動される
ために、データ線５と行選択線４との間に有機ＥＬ素子
が設けられる。そして、画素アレイ２内の行選択線４と
しては陰極２２が用いられ、また、データ線としては陽
極２４が用いられる。即ち、基板１上の絶縁膜を介して
陰極２２がＹドライバ３１からの行選択線と同じピッチ
で平行に配置される。そして、この上に有機層２３が設
けられ、この有機層２３上に陰極２２と直交する方向に
延びる透明電極２４がＸドライバ３３ａのデータ線と同
じピッチで配置される。この結果、行選択線とデータ線
との交点に有機ＥＬ素子が設けられる。
【００４４】この実施の形態においても、図８に示すよ
うに、前述の第１の実施の形態と同じく半導体基板１側
に陰極２２が配置され、その上に有機層２３、と陽極と
してのＩＴＯ、ＳｎＯ2などの透明電極２４が配置さ
れ、基板１とは逆の面から発光するようになっている。
この実施の形態においても、基板１とは逆の面から有機
ＥＬが発光するように構成されているため、基板１をエ
ッチングなどにより透光部を形成する必要が無く、工程
数の増加もなくまた、機械的強度が低下する畏れはな
い。
うに、前述の第１の実施の形態と同じく半導体基板１側
に陰極２２が配置され、その上に有機層２３、と陽極と
してのＩＴＯ、ＳｎＯ2などの透明電極２４が配置さ
れ、基板１とは逆の面から発光するようになっている。
この実施の形態においても、基板１とは逆の面から有機
ＥＬが発光するように構成されているため、基板１をエ
ッチングなどにより透光部を形成する必要が無く、工程
数の増加もなくまた、機械的強度が低下する畏れはな
い。
【００４５】この実施の形態の有機ＥＬ素子も前述した
有機ＥＬ素子と同様にして構成されるている。即ち、シ
リコン半導体基板１上に絶縁層１１を形成し、その絶縁
層１上に陰極となる電子注入電極２２（厚み２０００
Å）、電子輸送層（厚み５００Å）、発光層（厚み２０
０Å）、ホール輸送層（厚み５００Å）からなる有機層
２３、インジウム−スズ酸化物（ＩＴＯ）からなり陽極
となるホール注入電極２４とがこの順序で形成されてい
る。上記のように、堆積した有機ＥＬ素子を封止材とシ
ールドガラスを用いて封止される。
有機ＥＬ素子と同様にして構成されるている。即ち、シ
リコン半導体基板１上に絶縁層１１を形成し、その絶縁
層１上に陰極となる電子注入電極２２（厚み２０００
Å）、電子輸送層（厚み５００Å）、発光層（厚み２０
０Å）、ホール輸送層（厚み５００Å）からなる有機層
２３、インジウム−スズ酸化物（ＩＴＯ）からなり陽極
となるホール注入電極２４とがこの順序で形成されてい
る。上記のように、堆積した有機ＥＬ素子を封止材とシ
ールドガラスを用いて封止される。
【００４６】この実施の形態においても、酸化しやすい
陰極２２は基板１上に設けられ、その上に有機層２３及
び陽極（透明電極）２４が配置されるので、封止材とシ
ールドガラス等により封止することで、酸化防止膜を設
けなくても陰極２２の酸化が防止できる。
陰極２２は基板１上に設けられ、その上に有機層２３及
び陽極（透明電極）２４が配置されるので、封止材とシ
ールドガラス等により封止することで、酸化防止膜を設
けなくても陰極２２の酸化が防止できる。
【００４７】次に、上記した図６ないし図８に示す構造
の有機ＥＬ素子の製造方法の一例につき説明する。
の有機ＥＬ素子の製造方法の一例につき説明する。
【００４８】まず、半導体基板１上に通常のＭＯＳ−Ｌ
ＳＩプロセス技術を用いて、周辺駆動集積回路３を形成
する。このプロセスの後、有機ＥＬ画素アレイ部２に有
機ＥＬ素子を形成する。
ＳＩプロセス技術を用いて、周辺駆動集積回路３を形成
する。このプロセスの後、有機ＥＬ画素アレイ部２に有
機ＥＬ素子を形成する。
【００４９】まず、有機ＥＬ素子の陰極２２を半導体基
板１の絶縁膜１１上に形成する。陰極２２は抵抗加熱式
真空蒸着法にて半導体基板１上の所定の画素領域に行選
択線と同ピッチで平行にメタルマスクを用いて形成す
る。陰極２２の材料としては、ＭｇＩｎ、ＭｇＡｇ、Ａ
ｌＬｉなどの低仕事関数の材料が用いられる。また、共
通電極線６と各陰極２２とが電気的に接続されるよう
に、陰極２２のパターンが形成されている。
板１の絶縁膜１１上に形成する。陰極２２は抵抗加熱式
真空蒸着法にて半導体基板１上の所定の画素領域に行選
択線と同ピッチで平行にメタルマスクを用いて形成す
る。陰極２２の材料としては、ＭｇＩｎ、ＭｇＡｇ、Ａ
ｌＬｉなどの低仕事関数の材料が用いられる。また、共
通電極線６と各陰極２２とが電気的に接続されるよう
に、陰極２２のパターンが形成されている。
【００５０】この後、駆動集積回路部３をマスクして陰
極２２を含め基板１上全面に有機電子輸送層、有機発光
層、有機ホール輸送層の順に同じく真空蒸着法により順
次形成する。即ち、陰極２２上にＢｅＢｑ２を真空蒸着
して電子輸送層を形成し、この電子輸送層上にαＮＰＤ
とルブレンを共蒸着して発光層を形成した後、この上に
ＭＴＤＡＴＡを真空蒸着してホール輸送層を形成する。
尚、これらの蒸着はいずれも真空度１×１０-6Torr、基
板温度制御無しの条件下で行った。
極２２を含め基板１上全面に有機電子輸送層、有機発光
層、有機ホール輸送層の順に同じく真空蒸着法により順
次形成する。即ち、陰極２２上にＢｅＢｑ２を真空蒸着
して電子輸送層を形成し、この電子輸送層上にαＮＰＤ
とルブレンを共蒸着して発光層を形成した後、この上に
ＭＴＤＡＴＡを真空蒸着してホール輸送層を形成する。
尚、これらの蒸着はいずれも真空度１×１０-6Torr、基
板温度制御無しの条件下で行った。
【００５１】続いて、有機膜層２３の上に、メタルマス
クを用いて陽極となるＩＴＯからなる透明電極２４をス
パッタ法により所定のパターンに形成する。透明電極２
４は陰極２２とは直交方向でデータ線と同ピッチで平行
にパターニングされ、透明電極２４とＸドライバ３３ａ
とが電気的に接続される。
クを用いて陽極となるＩＴＯからなる透明電極２４をス
パッタ法により所定のパターンに形成する。透明電極２
４は陰極２２とは直交方向でデータ線と同ピッチで平行
にパターニングされ、透明電極２４とＸドライバ３３ａ
とが電気的に接続される。
【００５２】この後、有機ＥＬ素子画素アレイ２と駆動
集積回路３ａの全面に保護膜を形成する。この保護膜の
材質としては、高分子材料、ＳｉＯ、ＭｇＯなどの金属
酸化物が用いられる。保護膜形成後、シールドガラスと
封止材により、ディスプレイパネルを封止して、駆動集
積回路３と有機ＥＬ画素アレイ３が一体化したデバイス
が得られる。
集積回路３ａの全面に保護膜を形成する。この保護膜の
材質としては、高分子材料、ＳｉＯ、ＭｇＯなどの金属
酸化物が用いられる。保護膜形成後、シールドガラスと
封止材により、ディスプレイパネルを封止して、駆動集
積回路３と有機ＥＬ画素アレイ３が一体化したデバイス
が得られる。
【００５３】上記した各実施の形態においては、半導体
基体として単結晶シリコン基板を用いたが、ガラス基板
上に低温プロセスにより形成した多結晶シリコン半導体
層を基体として用いることもできる。
基体として単結晶シリコン基板を用いたが、ガラス基板
上に低温プロセスにより形成した多結晶シリコン半導体
層を基体として用いることもできる。
【００５４】
【発明の効果】以上説明したように、この発明によれ
ば、有機ＥＬを備えた画素アレイ部と周辺駆動回路とを
同一基板上に作成することができるので、有機ＥＬディ
スプレイ装置の製造が容易になるとともに、ディスプレ
イ装置の小型化を図ることができる。
ば、有機ＥＬを備えた画素アレイ部と周辺駆動回路とを
同一基板上に作成することができるので、有機ＥＬディ
スプレイ装置の製造が容易になるとともに、ディスプレ
イ装置の小型化を図ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】この発明の一実施の形態を示し、アクティブス
タテック駆動方式の駆動回路一体型有機ＥＬディスプレ
イ装置の模式図である。
タテック駆動方式の駆動回路一体型有機ＥＬディスプレ
イ装置の模式図である。
【図２】この発明の一実施の形態の概略回路構成図であ
る。
る。
【図３】この発明の一実施の形態の概略断面図である。
【図４】この発明の一実施の形態の有機ＥＬ素子の画素
部分の平面図である。
部分の平面図である。
【図５】この発明の一実施の形態の有機ＥＬ素子部分の
断面図である。
断面図である。
【図６】この発明の他の実施の形態を示し、パッシブダ
イナミック駆動方式の駆動回路一体型有機ＥＬディスプ
レイ装置の模式図である。
イナミック駆動方式の駆動回路一体型有機ＥＬディスプ
レイ装置の模式図である。
【図７】この発明の他の実施の形態の概略回路構成図で
ある。
ある。
【図８】この発明の他の実施の形態の概略断面図であ
る。
る。
１ 半導体基板 ２ 有機ＥＬ画素アレイ ３ 駆動集積回路
Claims (2)
- 【請求項１】 半導体基体上に有機エレクトロルミネッ
センス素子で構成された画素アレイが設けられ、上記半
導体基体の画素アレイの周辺部には、前記有機エレクト
ルミネッセンス素子を駆動する駆動集積回路が形成され
ていることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス
ディスプレイ装置。 - 【請求項２】 上記半導体基体上に、陰極と有機層と陽
極をこの順序で積層し、前記基体とは反対側の面から発
光することを特徴とする請求項１に記載の有機エレクト
ロルミネッセンスディスプレイ装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9214724A JPH1154268A (ja) | 1997-08-08 | 1997-08-08 | 有機エレクトロルミネッセンスディスプレイ装置 |
| US09/129,837 US6147451A (en) | 1997-08-08 | 1998-08-06 | Organic electrominiscent display device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9214724A JPH1154268A (ja) | 1997-08-08 | 1997-08-08 | 有機エレクトロルミネッセンスディスプレイ装置 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2003000320A Division JP2003234189A (ja) | 2003-01-06 | 2003-01-06 | 有機エレクトロルミネッセンスディスプレイ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1154268A true JPH1154268A (ja) | 1999-02-26 |
Family
ID=16660580
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9214724A Pending JPH1154268A (ja) | 1997-08-08 | 1997-08-08 | 有機エレクトロルミネッセンスディスプレイ装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6147451A (ja) |
| JP (1) | JPH1154268A (ja) |
Cited By (23)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1065723A2 (en) * | 1999-06-28 | 2001-01-03 | Sel Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | EL display device and electronic device |
| JP2001093661A (ja) * | 1999-09-22 | 2001-04-06 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | Ｅｌ表示装置及び電子装置 |
| JP2001092413A (ja) * | 1999-09-24 | 2001-04-06 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | Ｅｌ表示装置および電子装置 |
| JP2001167877A (ja) * | 1999-09-30 | 2001-06-22 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 自発光装置 |
| JP2001195016A (ja) * | 1999-10-29 | 2001-07-19 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 電子装置 |
| EP1063630A3 (en) * | 1999-06-23 | 2002-07-10 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Active matrix EL display device |
| JP2002541631A (ja) * | 1999-04-07 | 2002-12-03 | マイクロエミッシブ ディスプレイズ リミティド | 光電子工学的表示装置 |
| KR20030044568A (ko) * | 2001-11-30 | 2003-06-09 | 오리온전기 주식회사 | 수동 매트릭스 유기 ｅｌ 패널 제작 방법 및 그디스플레이 구동 시스템 |
| EP1562231A3 (en) * | 1999-06-04 | 2005-10-26 | Sel Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Electro-optical device and electronic device |
| JP2005327745A (ja) * | 2000-02-03 | 2005-11-24 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光装置及びその作製方法 |
| EP1207511A4 (en) * | 2000-03-30 | 2006-08-16 | Seiko Epson Corp | DISPLAY |
| US7222981B2 (en) | 2001-02-15 | 2007-05-29 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | EL display device and electronic device |
| US7550774B2 (en) | 2001-12-18 | 2009-06-23 | Seiko Epson Corporation | Light emission device, method of manufacturing same, electro-optical device and electronic device |
| US7623099B2 (en) | 2000-04-18 | 2009-11-24 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device |
| US7683535B2 (en) | 2000-02-03 | 2010-03-23 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting device and method of manufacturing the same |
| US7838883B2 (en) | 1999-09-30 | 2010-11-23 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Organic electroluminescent display device |
| US8017945B2 (en) | 1999-10-29 | 2011-09-13 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device using light-emitting element |
| JP2012227540A (ja) * | 1999-03-02 | 2012-11-15 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置 |
| JP2013021357A (ja) * | 2012-09-26 | 2013-01-31 | Seiko Epson Corp | 有機ｅｌ装置、有機ｅｌ装置の製造方法、電子機器 |
| JP2014041357A (ja) * | 2000-04-19 | 2014-03-06 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光装置 |
| US8698131B2 (en) | 2009-03-26 | 2014-04-15 | Seiko Epson Corporation | Organic EL apparatus, method of manufacturing organic EL apparatus, electronic apparatus |
| JP2015064592A (ja) * | 1999-10-29 | 2015-04-09 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 電子装置 |
| US10467961B2 (en) | 2000-01-17 | 2019-11-05 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display system and electrical appliance |
Families Citing this family (58)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH08129360A (ja) * | 1994-10-31 | 1996-05-21 | Tdk Corp | エレクトロルミネセンス表示装置 |
| US6853083B1 (en) * | 1995-03-24 | 2005-02-08 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Thin film transfer, organic electroluminescence display device and manufacturing method of the same |
| JP3520396B2 (ja) * | 1997-07-02 | 2004-04-19 | セイコーエプソン株式会社 | アクティブマトリクス基板と表示装置 |
| JP3536301B2 (ja) * | 1997-08-21 | 2004-06-07 | セイコーエプソン株式会社 | 表示装置 |
| JP3580092B2 (ja) * | 1997-08-21 | 2004-10-20 | セイコーエプソン株式会社 | アクティブマトリクス型表示装置 |
| CN1140886C (zh) * | 1998-03-12 | 2004-03-03 | 精工爱普生株式会社 | 有源矩阵发射装置及其制造方法 |
| US7022556B1 (en) * | 1998-11-11 | 2006-04-04 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Exposure device, exposure method and method of manufacturing semiconductor device |
| JP2000163014A (ja) * | 1998-11-27 | 2000-06-16 | Sanyo Electric Co Ltd | エレクトロルミネッセンス表示装置 |
| JP2000228284A (ja) | 1998-12-01 | 2000-08-15 | Sanyo Electric Co Ltd | カラーｅｌ表示装置 |
| JP2000227771A (ja) * | 1998-12-01 | 2000-08-15 | Sanyo Electric Co Ltd | カラーｅｌ表示装置 |
| JP2000227770A (ja) * | 1998-12-01 | 2000-08-15 | Sanyo Electric Co Ltd | カラーｅｌ表示装置 |
| EP2264771A3 (en) | 1998-12-03 | 2015-04-29 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | MOS thin film transistor and method of fabricating same |
| JP2000231346A (ja) * | 1999-02-09 | 2000-08-22 | Sanyo Electric Co Ltd | エレクトロルミネッセンス表示装置 |
| US7697052B1 (en) * | 1999-02-17 | 2010-04-13 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Electronic view finder utilizing an organic electroluminescence display |
| US6677613B1 (en) * | 1999-03-03 | 2004-01-13 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method of fabricating the same |
| JP2000259124A (ja) * | 1999-03-05 | 2000-09-22 | Sanyo Electric Co Ltd | エレクトロルミネッセンス表示装置 |
| US6306694B1 (en) | 1999-03-12 | 2001-10-23 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Process of fabricating a semiconductor device |
| US6512504B1 (en) | 1999-04-27 | 2003-01-28 | Semiconductor Energy Laborayory Co., Ltd. | Electronic device and electronic apparatus |
| JP5210473B2 (ja) | 1999-06-21 | 2013-06-12 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置 |
| JP2001051272A (ja) | 1999-08-11 | 2001-02-23 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | フロントライト及び電子機器 |
| US6641933B1 (en) * | 1999-09-24 | 2003-11-04 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting EL display device |
| JP2001100696A (ja) * | 1999-09-29 | 2001-04-13 | Sanyo Electric Co Ltd | アクティブマトリックス型ｅｌ表示装置 |
| TW478019B (en) * | 1999-10-29 | 2002-03-01 | Semiconductor Energy Lab | Self light-emitting device |
| US8957584B2 (en) | 1999-10-29 | 2015-02-17 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Self light-emitting device |
| JP4434411B2 (ja) * | 2000-02-16 | 2010-03-17 | 出光興産株式会社 | アクティブ駆動型有機ｅｌ発光装置およびその製造方法 |
| TW521303B (en) * | 2000-02-28 | 2003-02-21 | Semiconductor Energy Lab | Electronic device |
| US7525165B2 (en) | 2000-04-17 | 2009-04-28 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device and manufacturing method thereof |
| TW516164B (en) * | 2000-04-21 | 2003-01-01 | Semiconductor Energy Lab | Self-light emitting device and electrical appliance using the same |
| TW512304B (en) * | 2000-06-13 | 2002-12-01 | Semiconductor Energy Lab | Display device |
| US6879110B2 (en) | 2000-07-27 | 2005-04-12 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method of driving display device |
| US6822629B2 (en) * | 2000-08-18 | 2004-11-23 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device |
| US6562671B2 (en) * | 2000-09-22 | 2003-05-13 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor display device and manufacturing method thereof |
| US6664732B2 (en) * | 2000-10-26 | 2003-12-16 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device and manufacturing method thereof |
| KR100865542B1 (ko) | 2000-12-06 | 2008-10-27 | 소니 가부시끼 가이샤 | 표시장치용 타이밍 발생회로 및 이것을 탑재한 표시장치 |
| US6582980B2 (en) * | 2001-01-30 | 2003-06-24 | Eastman Kodak Company | System for integrating digital control with common substrate display devices |
| JP4731718B2 (ja) * | 2001-04-27 | 2011-07-27 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置 |
| JP3983037B2 (ja) | 2001-11-22 | 2007-09-26 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光装置およびその作製方法 |
| JP3718770B2 (ja) * | 2002-01-11 | 2005-11-24 | 株式会社日立製作所 | アクティブマトリックス型の表示装置 |
| JP4310984B2 (ja) * | 2002-02-06 | 2009-08-12 | 株式会社日立製作所 | 有機発光表示装置 |
| JP4094863B2 (ja) * | 2002-02-12 | 2008-06-04 | 三星エスディアイ株式会社 | 有機ｅｌ表示装置 |
| TWI285515B (en) | 2002-02-22 | 2007-08-11 | Semiconductor Energy Lab | Light-emitting device and method of manufacturing the same, and method of operating manufacturing apparatus |
| JP3757899B2 (ja) * | 2002-05-07 | 2006-03-22 | 株式会社豊田自動織機 | 駆動用半導体装置及び表示装置ならびに輝度バランス調整方法 |
| US7150537B2 (en) * | 2002-08-16 | 2006-12-19 | Infocus Corporation | Projection television device and screen |
| KR100459135B1 (ko) * | 2002-08-17 | 2004-12-03 | 엘지전자 주식회사 | 유기 ｅｌ 디스플레이 패널 및 구동방법 |
| JP4232415B2 (ja) * | 2002-08-30 | 2009-03-04 | セイコーエプソン株式会社 | 電気光学装置及びその製造方法、電子機器 |
| JP4089544B2 (ja) * | 2002-12-11 | 2008-05-28 | ソニー株式会社 | 表示装置及び表示装置の製造方法 |
| JP2004304161A (ja) * | 2003-03-14 | 2004-10-28 | Sony Corp | 発光素子、発光装置、画像表示装置、発光素子の製造方法及び画像表示装置の製造方法 |
| WO2004091261A1 (en) * | 2003-04-08 | 2004-10-21 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Two sided light emitting device |
| JP4543798B2 (ja) * | 2003-08-18 | 2010-09-15 | セイコーエプソン株式会社 | 有機ｅｌ装置および電子機器 |
| US8194006B2 (en) | 2004-08-23 | 2012-06-05 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device, driving method of the same, and electronic device comprising monitoring elements |
| US20060183323A1 (en) * | 2005-02-14 | 2006-08-17 | Omnivision Technologies, Inc. | Salicide process using CMP for image sensor |
| KR100759562B1 (ko) * | 2005-12-22 | 2007-09-18 | 삼성에스디아이 주식회사 | 디스플레이 장치용 섀시 조립체 및 이를 구비한 디스플레이장치 |
| DE102007001742A1 (de) * | 2007-01-11 | 2008-07-17 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronische Vorrichtung und Verfahren zur Herstellung einer optoelektronischen Vorrichtung |
| US20080213482A1 (en) * | 2007-03-01 | 2008-09-04 | Stephan Lvovich Logunov | Method of making a mask for sealing a glass package |
| US9223137B2 (en) * | 2010-10-08 | 2015-12-29 | Seiko Epson Corporation | Virtual image display apparatus |
| JP6174877B2 (ja) | 2013-03-21 | 2017-08-02 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置及び電子機器 |
| JP6114592B2 (ja) | 2013-03-21 | 2017-04-12 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置およびその製造方法、電子機器 |
| KR20150137214A (ko) * | 2014-05-28 | 2015-12-09 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기발광 디스플레이 장치 및 그 제조방법 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5550066A (en) * | 1994-12-14 | 1996-08-27 | Eastman Kodak Company | Method of fabricating a TFT-EL pixel |
| US5612591A (en) * | 1994-12-29 | 1997-03-18 | Nippondenso Co., Ltd. | Electroluminescent device |
| US5602445A (en) * | 1995-05-12 | 1997-02-11 | Oregon Graduate Institute Of Science And Technology | Blue-violet phosphor for use in electroluminescent flat panel displays |
-
1997
- 1997-08-08 JP JP9214724A patent/JPH1154268A/ja active Pending
-
1998
- 1998-08-06 US US09/129,837 patent/US6147451A/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (56)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2014056242A (ja) * | 1999-03-02 | 2014-03-27 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置 |
| JP2014132574A (ja) * | 1999-03-02 | 2014-07-17 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置 |
| US8847316B2 (en) | 1999-03-02 | 2014-09-30 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method of manufacturing the same |
| JP2012227540A (ja) * | 1999-03-02 | 2012-11-15 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置 |
| US9153604B2 (en) | 1999-03-02 | 2015-10-06 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method of manufacturing the same |
| JP2002541631A (ja) * | 1999-04-07 | 2002-12-03 | マイクロエミッシブ ディスプレイズ リミティド | 光電子工学的表示装置 |
| US9123854B2 (en) | 1999-06-04 | 2015-09-01 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Electro-optical device and electronic device |
| US9368680B2 (en) | 1999-06-04 | 2016-06-14 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Electro-optical device and electronic device |
| EP1562231A3 (en) * | 1999-06-04 | 2005-10-26 | Sel Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Electro-optical device and electronic device |
| US6777887B2 (en) | 1999-06-23 | 2004-08-17 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | EL display device and electronic device |
| US7358531B2 (en) | 1999-06-23 | 2008-04-15 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | EL display device and electronic device |
| EP2372682A3 (en) * | 1999-06-23 | 2012-05-30 | Semiconductor Energy Laboratory Co, Ltd. | Active matrix EL display device |
| EP1063630A3 (en) * | 1999-06-23 | 2002-07-10 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Active matrix EL display device |
| US6774574B1 (en) | 1999-06-23 | 2004-08-10 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | EL display device and electronic device |
| US7548027B2 (en) | 1999-06-28 | 2009-06-16 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | EL display device and electronic device |
| EP1065723A3 (en) * | 1999-06-28 | 2006-05-24 | Sel Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | EL display device and electronic device |
| EP1065723A2 (en) * | 1999-06-28 | 2001-01-03 | Sel Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | EL display device and electronic device |
| US7256422B2 (en) | 1999-06-28 | 2007-08-14 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | EL display device and electronic device |
| JP2001093661A (ja) * | 1999-09-22 | 2001-04-06 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | Ｅｌ表示装置及び電子装置 |
| JP2001092413A (ja) * | 1999-09-24 | 2001-04-06 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | Ｅｌ表示装置および電子装置 |
| US7786958B1 (en) | 1999-09-24 | 2010-08-31 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | EL display device and electronic device |
| US8426876B2 (en) | 1999-09-30 | 2013-04-23 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Organic electroluminescent display device |
| US7838883B2 (en) | 1999-09-30 | 2010-11-23 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Organic electroluminescent display device |
| US9853235B2 (en) | 1999-09-30 | 2017-12-26 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Organic electroluminescent display device |
| US8772766B2 (en) | 1999-09-30 | 2014-07-08 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Organic electroluminescent display device |
| JP2001167877A (ja) * | 1999-09-30 | 2001-06-22 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 自発光装置 |
| JP2016167086A (ja) * | 1999-10-29 | 2016-09-15 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 電子装置 |
| JP2016184167A (ja) * | 1999-10-29 | 2016-10-20 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置 |
| JP2001195016A (ja) * | 1999-10-29 | 2001-07-19 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 電子装置 |
| JP2015064592A (ja) * | 1999-10-29 | 2015-04-09 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 電子装置 |
| US8017945B2 (en) | 1999-10-29 | 2011-09-13 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device using light-emitting element |
| JP2012083765A (ja) * | 1999-10-29 | 2012-04-26 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 電子装置及び電子装置の作製方法 |
| US10522076B2 (en) | 2000-01-17 | 2019-12-31 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display system and electrical appliance |
| US10467961B2 (en) | 2000-01-17 | 2019-11-05 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display system and electrical appliance |
| JP2005327745A (ja) * | 2000-02-03 | 2005-11-24 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光装置及びその作製方法 |
| US7867053B2 (en) | 2000-02-03 | 2011-01-11 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing light emitting device |
| US7745993B2 (en) | 2000-02-03 | 2010-06-29 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing light emitting device comprising reflective film |
| US7683535B2 (en) | 2000-02-03 | 2010-03-23 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting device and method of manufacturing the same |
| US9419066B2 (en) | 2000-02-03 | 2016-08-16 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting device and method of manufacturing the same |
| EP1207511A4 (en) * | 2000-03-30 | 2006-08-16 | Seiko Epson Corp | DISPLAY |
| US7623099B2 (en) | 2000-04-18 | 2009-11-24 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device |
| US7990348B2 (en) | 2000-04-18 | 2011-08-02 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device |
| US8638278B2 (en) | 2000-04-18 | 2014-01-28 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device |
| US8400379B2 (en) | 2000-04-18 | 2013-03-19 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device |
| US7623100B2 (en) | 2000-04-18 | 2009-11-24 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device |
| US8194008B2 (en) | 2000-04-18 | 2012-06-05 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device |
| US9196663B2 (en) | 2000-04-18 | 2015-11-24 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device |
| US7623098B2 (en) | 2000-04-18 | 2009-11-24 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device |
| US9443461B2 (en) | 2000-04-19 | 2016-09-13 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Electronic device and method of driving the same |
| JP2014041357A (ja) * | 2000-04-19 | 2014-03-06 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光装置 |
| US7222981B2 (en) | 2001-02-15 | 2007-05-29 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | EL display device and electronic device |
| KR20030044568A (ko) * | 2001-11-30 | 2003-06-09 | 오리온전기 주식회사 | 수동 매트릭스 유기 ｅｌ 패널 제작 방법 및 그디스플레이 구동 시스템 |
| US8101946B2 (en) | 2001-12-18 | 2012-01-24 | Seiko Epson Corporation | Light-emission device, method of manufacturing same, electro-optical device and electronic device |
| US7550774B2 (en) | 2001-12-18 | 2009-06-23 | Seiko Epson Corporation | Light emission device, method of manufacturing same, electro-optical device and electronic device |
| US8698131B2 (en) | 2009-03-26 | 2014-04-15 | Seiko Epson Corporation | Organic EL apparatus, method of manufacturing organic EL apparatus, electronic apparatus |
| JP2013021357A (ja) * | 2012-09-26 | 2013-01-31 | Seiko Epson Corp | 有機ｅｌ装置、有機ｅｌ装置の製造方法、電子機器 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US6147451A (en) | 2000-11-14 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH1154268A (ja) | 有機エレクトロルミネッセンスディスプレイ装置 | |
| JP7438448B1 (ja) | 発光装置 | |
| US6828726B2 (en) | Display panel having light-emission element within an opening formed of insulating layers | |
| CN1700830B (zh) | 有机电致发光显示装置 | |
| US8026667B2 (en) | Electroluminescence display device having electrode power supply line | |
| US7663311B2 (en) | Organic light emitting display (OLED) device and method of fabricating the same | |
| TWI248322B (en) | Organic electro luminescence device and fabrication method thereof | |
| KR101525804B1 (ko) | 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법 | |
| US8025544B2 (en) | Method for manufacturing dual panel-type organic electroluminescent display device | |
| JP2004165067A (ja) | 有機電界発光パネル | |
| US10872948B2 (en) | Electroluminescent display device | |
| US7170225B2 (en) | Flat panel display for displaying screens at both sides | |
| EP1598869A2 (en) | Organic electroluminescence display device and fabricating method thereof | |
| CN113571560A (zh) | 双面显示面板及显示装置 | |
| JP2002231459A (ja) | 発光体、発光素子、及び発光表示装置 | |
| CN109979968A (zh) | 电致发光显示设备及其制造方法 | |
| JP2002202735A (ja) | 自己発光表示パネルおよびその製造方法 | |
| KR100590255B1 (ko) | 유기 전계 발광 표시장치 및 그 제조 방법 | |
| US7129524B2 (en) | Organic electroluminescent device and method for fabricating the same | |
| KR100766949B1 (ko) | 유기 전계 발광 표시장치 및 이의 제조 방법 | |
| KR100739651B1 (ko) | 유기 전계 발광 표시장치 및 이의 제조 방법 | |
| KR100611213B1 (ko) | 세퍼레이터를 구비한 액티브 매트릭스 타입유기전계발광소자의 제조방법 및 이에 따른유기전계발광소자 | |
| JP2003234189A (ja) | 有機エレクトロルミネッセンスディスプレイ装置 | |
| JP2002299049A (ja) | 有機エレクトロルミネセンスユニット | |
| KR100684825B1 (ko) | 유기 전계발광 표시 장치 및 그 제조 방법 |