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JP6114592B2 - 表示装置およびその製造方法、電子機器 - Google Patents

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Description

本発明は、表示装置およびその製造方法、電子機器に関する。
図１２は、所謂マイクロキャビティ（微小光共振器）とカラーフィルタを有した構造（以下、「ＷＴＣ構造」と記す。）を有する従来のＥＬパネルである。
図１２に示すＥＬパネルは、第１の基板２１０２と、第１の基板２１０２上に形成された陽極としての反射電極２１１０と、反射電極２１１０上に形成され、且つ画素部（青）２１７２に形成された陽極としての第１の透明電極２１１２と、反射電極２１１０上に形成され、且つ画素部（緑）２１７４に形成された第２の透明電極２１１４と、反射電極２１１０上に形成され、且つ画素部（赤）２１７６に形成された第３の透明電極２１１６と、第１の透明電極２１１２、第２の透明電極２１１４、および第３の透明電極２１１６上に形成された隔壁２１１８と、隔壁２１１８、第１の透明電極２１１２、第２の透明電極２１１４、および第３の透明電極２１１６上に形成されたＥＬ層２１２０と、ＥＬ層２１２０上に形成された陰極としての半透過電極２１２２と、第１の基板２１０２に対向して配置された第２の基板２１５２と、を有する（例えば特許文献１参照）。
また、第２の基板２１５２は、第２の基板２１５２上に形成されたカラーフィルタ（青）（図１２にはＣＦ（Ｂ）と示す）、カラーフィルタ（緑）（図１２にはＣＦ（Ｇ）と示す）、およびカラーフィルタ（赤）（図１２にはＣＦ（Ｒ）と示す）と、ＣＦ（Ｂ）、ＣＦ（Ｇ）ＣＦ（Ｒ）の間に形成されたブラックマトリクスＢＭと、を有する。
なお、図１２において、ブラックマトリクスＢＭが形成される部分をエリア２２０１として表し、画素部（青）２１７２の隔壁２１１８が形成されていない中央部（発光領域）をエリア２２０２として表し、画素部（緑）２１７４の隔壁２１１８が形成されていない中央部（発光領域）をエリア２２０４として表し、画素部（赤）２１７６の隔壁２１１８が形成されていない中央部（発光領域）をエリア２２０６として表し、画素部（青）２１７２の隔壁２１１８が形成されている端部（非発光領域）をエリア２２０３として表し、画素部（緑）２１７４の隔壁２１１８が形成されている端部（非発光領域）をエリア２２０５として表し、画素部（赤）２１７６の隔壁２１１８が形成されている端部（非発光領域）をエリア２２０７として表す。
図１２に示すＥＬパネルでは、各エリア２２０１〜２２０７で外光反射によるパネルの表示品位が低下する問題（コントラスト低下、ＮＴＳＣ比低下等）が発生している。
ここで、図１２に示すＥＬパネルに外光が入射される場合において、各エリア２２０１〜２２０７の反射率について測定した結果を図１３に示す。すなわち、反射率の大きさは、非発光エリア２２０３，２２０５，２２０７＞発光エリア２２０２，２２０４，２２０６＞ＢＭエリア２２０１となり、特にエリア２２０３，２２０５，２２０７の中でもカラーフィルタ（緑）（ＣＦ（Ｇ））と重なる領域の反射率が大きいことがわかる。エリア２２０３，２２０５，２２０７を占める領域の大きさは、パネル設計にもよるが、領域が大きくなるにつれ、パネルの表示品位の低下への影響が大きくなるものと考えられる。
特開２００７−０１２３７０号公報
本発明の一態様は、表示装置における外光反射を低減することを課題の一とする。
本発明の一態様は、非発光領域における表面反射を低減させるべく、非発光領域に形成される隔壁の構造の改善を行うものである。詳細には、本発明の一態様は、隔壁により有色層を透過して入射される外光を弱めるべく、前記非発光領域における前記隔壁の光学距離が調整されることを特徴とする。
本発明の一態様は、反射電極と、前記反射電極上に形成された透明電極と、前記透明電極上に形成され、前記透明電極および前記反射電極を囲むように形成された隔壁と、前記隔壁および前記透明電極上に形成された発光性の有機化合物を含む層と、前記発光性の有機化合物を含む層上に形成された半透過電極と、前記半透過電極上の有色層と、を具備し、発光領域は、少なくとも一部が前記透明電極、前記発光性の有機化合物を含む層、前記半透過電極、および前記有色層と重畳するように形成され、非発光領域は、少なくとも一部が前記透明電極、前記隔壁、前記発光性の有機化合物を含む層、および前記有色層と重畳するように形成され、前記非発光領域は前記発光領域を囲むように形成され、前記透明電極と前記発光性の有機化合物を含む層とを合わせた光学距離は、前記有色層の色の発光を強めるマイクロキャビティの条件に調整され、前記非発光領域における前記隔壁の光学距離は、前記有色層を透過して入射される外光を弱めるべく、調整されることを特徴とする表示装置である。
また、上記の本発明の一態様において、前記非発光領域における前記隔壁の光学距離（前記隔壁の膜厚と屈折率の積）は、前記有色層の色の発光波長の１／２波長の倍数になるように調整されるとよい。
本発明の一態様は、反射電極と、前記反射電極上に形成された透明電極と、前記透明電極および前記反射電極を囲むように形成された隔壁と、前記透明電極上に形成された発光性の有機化合物を含む層と、前記発光性の有機化合物を含む層上に形成された半透過電極と、前記半透過電極および前記隔壁上の有色層と、を具備し、前記隔壁は屈折率の異なる第１の絶縁層と第２の絶縁層からなる積層膜であり、発光領域は、少なくとも一部が前記透明電極、前記発光性の有機化合物を含む層、前記半透過電極、および前記有色層と重畳するように形成され、非発光領域は、少なくとも一部が前記透明電極、前記隔壁、前記発光性の有機化合物を含む層、および前記有色層と重畳するように形成され、前記非発光領域は前記発光領域を囲むように形成され、前記透明電極と前記発光性の有機化合物を含む層とを合わせた光学距離は、前記有色層の色の発光を強めるマイクロキャビティの条件に調整され、前記非発光領域における前記第２の絶縁層の光学距離は、前記有色層を透過して入射される外光を弱めるべく、調整されることを特徴とする表示装置である。
また、上記の本発明の一態様において、前記第１の絶縁層の屈折率が前記第２の絶縁層の屈折率より小さい場合、前記第２の絶縁層の光学距離（前記第２の絶縁層の膜厚と屈折率との積）は、前記透明電極の光学距離と前記有色層の色の発光波長の（２Ｎ−１）／４倍（Ｎは自然数）との和になるように調整され、前記第１の絶縁層の屈折率が前記第２の絶縁層の屈折率より大きい場合、前記第２の絶縁層の光学距離は、前記透明電極の光学距離と前記有色層の色の発光波長の１／２波長の倍数との和になるように調整されるとよい。
なお、前記第１の絶縁層と前記第２の絶縁層の屈折率の差は、０．１以上であるとよい。
また、上記の本発明の一態様において、前記有色層の色が緑色であるとよい。
本発明の一態様は、第１の反射電極および第２の反射電極と、前記第１の反射電極上に形成された第１の透明電極と、前記第２の反射電極上に形成された第２の透明電極と、前記第１の透明電極上に形成され、前記第１の反射電極と前記第１の透明電極を囲むように形成された第１の隔壁と、前記第２の透明電極上に形成され、前記第２の反射電極と前記第２の透明電極を囲むように形成された第２の隔壁と、前記第１の隔壁、前記第２の隔壁、前記第１の透明電極および前記第２の透明電極上に形成された発光性の有機化合物を含む層と、前記発光性の有機化合物を含む層上に形成された半透過電極と、前記半透過電極上の第１の有色層および第２の有色層と、を具備し、第１の発光領域は、少なくとも一部が前記第１の透明電極、前記発光性の有機化合物を含む層、前記半透過電極、および前記第１の有色層と重畳するように形成され、第１の非発光領域は、少なくとも一部が前記第１の透明電極、前記第１の隔壁、前記発光性の有機化合物を含む層、および前記第１の有色層と重畳するように形成され、前記第１の非発光領域は前記第１の発光領域を囲むように形成され、前記第１の透明電極と前記発光性の有機化合物を含む層とを合わせた光学距離は、前記第１の有色層の色の発光を強めるマイクロキャビティの条件に調整され、前記第１の隔壁の光学距離は、前記第１の有色層を透過して入射される外光を弱めるべく調整され、第２の発光領域は、少なくとも一部が前記第２の透明電極、前記発光性の有機化合物を含む層、前記半透過電極、および前記第２の有色層と重畳するように形成され、第２の非発光領域は、少なくとも一部が前記第２の透明電極、前記第２の隔壁、前記発光性の有機化合物を含む層、および前記第２の有色層と重畳するように形成され、前記第２の非発光領域は前記第２の発光領域を囲むように形成され、前記第２の透明電極と前記発光性の有機化合物を含む層とを合わせた光学距離は、前記第２の有色層の色の発光を強めるマイクロキャビティの条件に調整され、前記第２の隔壁の光学距離は、前記第２の有色層を透過して入射される外光を弱めるべく、調整されていることを特徴とする表示装置である。
また、上記の本発明の一態様において、前記第１の隔壁の光学距離（前記第１の隔壁の膜厚と前記第１の隔壁の屈折率の積）は、前記第１の有色層の色の発光波長の１／２波長の倍数になるように調整され、前記第２の隔壁（前記第２の隔壁の膜厚と前記第２の隔壁の屈折率の積）の光学距離は、前記第２の有色層の色の発光波長の１／２波長の倍数になるように調整されるとよい。
また、上記の本発明の一態様において、前記第１の隔壁は第１の絶縁層で構成され、
前記第１の絶縁層の光学距離（前記第１の絶縁層の膜厚と屈折率の積）は、前記第１の有色層の色の発光波長の１／２波長の倍数になるように調整され、前記第２の隔壁は、前記第１の絶縁層と第２の絶縁層からなる積層膜で構成され、前記第２の隔壁の光学距離である前記第２の絶縁層の光学距離（前記第２の絶縁層の膜厚と屈折率の積）と前記第１の絶縁層の光学距離との合計が、前記第２の有色層の色の発光波長の１／２波長の倍数になるように調整されるとよい。
また、上記の本発明の一態様において、前記半透過電極上に形成され、前記第１の有色層と前記第２の有色層との間に形成された遮光部を有するとよい。
また、本発明の一態様は、上述した表示装置を有する電子機器である。
本発明の一態様は、反射電極上に透明電極を形成し、前記透明電極上に、前記透明電極および前記反射電極を囲むように隔壁を形成し、前記隔壁および前記透明電極上に発光性の有機化合物を含む層を形成し、前記発光性の有機化合物を含む層上に半透過電極を形成し、前記半透過電極上に有色層を配置する表示装置の製造方法であって、発光領域は、少なくとも一部が前記透明電極、前記発光性の有機化合物を含む層、前記半透過電極、および前記有色層と重畳するように形成され、非発光領域は、少なくとも一部が前記透明電極、前記隔壁、前記発光性の有機化合物を含む層、および前記有色層と重畳するように形成され、前記透明電極と前記発光性の有機化合物を含む層とを合わせた光学距離は、前記有色層の色の発光を強めるマイクロキャビティの条件に調整し、前記非発光領域における前記隔壁の光学距離は、前記有色層を透過して入射される外光を弱めるべく、調整することを特徴とする表示装置の製造方法である。
また、上記の本発明の一態様において、前記非発光領域における前記隔壁の光学距離（前記隔壁の膜厚と屈折率の積）は、前記有色層の色の発光波長の１／２波長の倍数になるように調整されるとよい。
本発明の一態様は、反射電極上に透明電極を形成し、前記透明電極上に、前記透明電極および前記反射電極を囲むように、屈折率の異なる第１の絶縁層と第２の絶縁層を積層してなる隔壁を形成し、前記隔壁および前記透明電極上に発光性の有機化合物を含む層を形成し、前記発光性の有機化合物を含む層上に半透過電極を形成し、前記半透過電極上に有色層を配置する表示装置の製造方法であって、少なくとも一部が前記透明電極、前記発光性の有機化合物を含む層、前記半透過電極、および前記有色層と重畳してなる発光領域を形成し、少なくとも一部が前記透明電極、前記隔壁、前記発光性の有機化合物を含む層、および前記有色層と重畳してなる非発光領域を形成し、前記非発光領域は、前記発光領域を囲むように形成し、前記透明電極と前記発光性の有機化合物を含む層とを合わせた光学距離は、前記有色層の色の発光を強めるマイクロキャビティの条件に調整され、前記非発光領域における前記第２の絶縁層の光学距離は、前記有色層を透過して入射される外光を弱めるべく、調整することを特徴とする表示装置の製造方法である。
また、上記の本発明の一態様において、前記第１の絶縁層の屈折率が前記第２の絶縁層の屈折率より小さい場合、前記第２の絶縁層の光学距離（前記第２の絶縁層の膜厚と屈折率との積）は、前記透明電極の光学距離と前記有色層の色の発光波長の（２Ｎ−１）／４倍（Ｎは自然数）との和になるように調整され、前記第１の絶縁層の屈折率が前記第２の絶縁層の屈折率より大きい場合、前記第２の絶縁層の光学距離は、前記透明電極の光学距離と前記有色層の色の発光波長の１／２波長の倍数との和になるように調整されるとよい。
本発明の一態様は、第１の発光領域および前記第１の発光領域を囲む第１の非発光領域に第１の反射電極を形成し、且つ第２の発光領域および前記第２の発光領域を囲む第２の非発光領域に第２の反射電極を形成し、前記第１の反射電極上に第１の透明電極を形成し、且つ前記第２の反射電極上に第２の透明電極を形成し、前記第１の透明電極および前記第２の透明電極上に第１の膜厚の隔壁を形成し、前記第１の非発光領域の前記隔壁上に第１のフォトレジストを形成し、前記第１のフォトレジストをマスクとして前記隔壁をエッチングすることにより、前記第１の非発光領域の前記隔壁を第１の膜厚に維持し、且つ前記第２の非発光領域の前記隔壁を前記第１の膜厚より薄い第２の膜厚に形成し、前記第１のフォトレジストを除去し、前記第１の非発光領域および前記第２の非発光領域それぞれの前記隔壁上に第２のフォトレジストを形成し、前記第２のフォトレジストをマスクとして前記隔壁をエッチングすることにより、前記第１の発光領域および前記第２の発光領域それぞれの前記隔壁を除去し、前記第２のフォトレジストを除去し、前記隔壁、前記第１の透明電極および前記第２の透明電極上に発光性の有機化合物を含む層を形成し、前記発光性の有機化合物を含む層上に半透過電極を形成し、前記半透過電極上に第１の有色層および第２の有色層を配置することを特徴とする表示装置の製造方法である。
本発明の一態様は、第１の発光領域および前記第１の発光領域を囲む第１の非発光領域に第１の反射電極を形成し、且つ第２の発光領域および前記第２の発光領域を囲む第２の非発光領域に第２の反射電極を形成し、前記第１の反射電極上に第１の透明電極を形成し、且つ前記第２の反射電極上に第２の透明電極を形成し、前記第１の非発光領域の前記第１の透明電極上および前記第２の非発光領域の前記第２の透明電極上それぞれに第１の絶縁層を形成し、前記第２の非発光領域の前記第１の絶縁層上に第２の絶縁層を形成し、前記第１の非発光領域の前記第１の絶縁層上、前記第２の非発光領域の前記第２の絶縁層上、前記第１の発光領域の前記第１の透明電極上および前記第２の発光領域の前記第２の透明電極上に発光性の有機化合物を含む層を形成し、前記発光性の有機化合物を含む層上に半透過電極を形成し、前記半透過電極上に第１の有色層および第２の有色層を配置し、前記第１の絶縁層および前記第２の絶縁層は隔壁を構成することを特徴とする表示装置の製造方法である。
また、上記の本発明の一態様において、前記第１の発光領域は、少なくとも一部が前記第１の透明電極、前記発光性の有機化合物を含む層、前記半透過電極、および前記第１の有色層と重畳する領域であり、前記第１の非発光領域は、少なくとも一部が前記第１の透明電極、前記隔壁、前記発光性の有機化合物を含む層、および前記第１の有色層と重畳する領域であり、前記第１の発光領域における前記第１の透明電極と前記発光性の有機化合物を含む層とを合わせた光学距離は、前記第１の有色層の色の発光を強めるマイクロキャビティの条件に調整され、前記第１の非発光領域における前記隔壁の光学距離は、前記第１の有色層を透過して入射される外光を弱めるべく調整され、前記第２の発光領域は、少なくとも一部が前記第２の透明電極、前記発光性の有機化合物を含む層、前記半透過電極、および前記第２の有色層と重畳する領域であり、前記第２の非発光領域は、少なくとも一部が前記第２の透明電極、前記隔壁、前記発光性の有機化合物を含む層、および前記第２の有色層と重畳する領域であり、前記第２の発光領域における前記第２の透明電極と前記発光性の有機化合物を含む層とを合わせた膜厚は、前記第２の有色層の色の発光を強めるマイクロキャビティの条件に調整され、前記第２の非発光領域における前記隔壁の光学距離は、前記第２の有色層を透過して入射される外光を弱めるべく調整されるとよい。
また、上記の本発明の一態様において、前記第１の非発光領域における前記隔壁の光学距離（前記隔壁の膜厚と前記隔壁の屈折率の積）は、前記第１の有色層の色の発光波長の１／２波長の倍数になるように調整され、前記第２の非発光領域における前記隔壁の光学距離（前記隔壁の膜厚と前記隔壁の屈折率の積）は、前記第２の有色層の色の発光波長の１／２波長の倍数になるように調整されるとよい。
本発明の一態様を適用することで、表示装置における外光反射を低減することにより、表示品位の高い表示装置またはその製造方法を提供することができる。
本発明の一態様である表示装置を説明する図。 本発明の一態様である表示装置を説明する図。 本発明の一態様である表示装置を説明する図。 本発明の一態様である表示装置を説明する図。 本発明の一態様である表示装置の作製方法を説明する図。 本発明の一態様である表示装置の作製方法を説明する図。 本発明の一態様である表示装置の作製方法を説明する図。 本発明の一態様である表示装置の作製方法を説明する図。 本発明の一態様である表示装置の作製方法を説明する図。 本発明の一態様である表示装置の作製方法を説明する図。 本発明の一態様であるＥＬ層を説明する図。 従来の表示装置を説明する図。 従来の表示装置の反射率の測定結果を説明する図。
以下、本発明の実施の態様について図面を用いて詳細に説明する。但し、本発明は以下の説明に限定されず、本発明の趣旨およびその範囲から逸脱することなくその形態および詳細を様々に変更し得ることは当業者であれば容易に理解される。従って、本発明は以下に示す実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。
（実施の形態１）
本実施の形態では、本発明の表示装置の一態様について、図１（Ａ）、（Ｂ）を用いて説明する。
本実施の形態に係る表示装置の構造例を図１に示す。図１（Ａ）は、表示装置の画素領域の一部を示す上面図であり、図１（Ｂ）は、図１（Ａ）に示す一点鎖線Ａ１−Ａ２の断面図である。なお、図１（Ａ）の上面図においては、図の明瞭化のために一部の要素を透過、または省いて図示している。
また、図１（Ａ）に示す表示装置は、表示装置の画素領域の一部を示しており、一例としてマトリクス状に配置された画素部（青）、画素部（緑）、画素部（赤）の各画素パターンを有し、該各画素パターンには、各画素部のオン状態またはオフ状態を切り替えるスイッチング素子として機能する図示せぬＴＦＴ（薄膜トランジスタ）が、各々形成されている。なお、画素パターンは、画素部（青）、画素部（緑）、画素部（赤）の３色を一例として説明するが、これに限定されず、４色以上としてもよい。
本実施の形態においては、各画素パターンは、画素部（青）１０１Ｂと、画素部（緑）１０１Ｇと、画素部（赤）１０１Ｒとを有する。また、各画素パターン間には、ブラックマトリクス（ＢＭ）として機能する遮光部１０７が形成されている。
また、図１に示す表示装置は、第１の基板１０１と、第２の基板１０９と、を有し、第１の基板１０１上には、図示せぬＴＦＴ、および発光素子等の素子部が形成され、第２の基板１０９には、所謂カラーフィルタとして機能する有色層等が形成されている。なお、第１の基板１０１と第２の基板１０９は、対向して配置されており、第１の基板１０１と第２の基板１０９は、空間を挟持し封止されている。また、図１においては図示していないが、ＴＦＴと電気的に接続される配線パターン等を別途有していても良い。
表示装置において、外光が入射された場合、画素領域のガラス基板の表面、画素領域に形成された発光素子の界面、または反射電極等の表面等によって、外光が反射する。したがって、画素部における外光の反射を低減することによって、表示品位が優れた表示装置を提供することができる。具体的には、画素部において、外光の反射が高い領域の反射率を低減することが有効である。
本実施の形態においては、上述した外光の反射を低減するために、例えば、図１（Ｂ）に示すような構成とすることができる。画素部（青）１０１Ｂ、画素部（緑）１０１Ｇおよび画素部（赤）１０１Ｒそれぞれの非発光領域１１３Ｂ、１１３Ｇ、１１３Ｒの中でも外光による表面反射の高い画素部（緑）の非発光領域１１３Ｇの反射率を低減させる構造を有する表示装置について、図１（Ｂ）を用いて説明する。
なお、表示装置のパネル上は、遮光部１０７により遮光されたＢＭ領域１１１と、画素部（青）１０１Ｂ、画素部（緑）１０１Ｇおよび画素部（赤）１０１Ｒそれぞれの発光領域１１２Ｂ、１１２Ｇ、１１２Ｒ、および非発光領域１１３Ｂ、１１３Ｇ、１１３Ｒとを有するものとして以下、説明する。
図１（Ｂ）に示すように、第１の基板１０１上には、青色の発光（例えば、４５０〜４８５ｎｍの波長）を示す画素部（青）１０１Ｂ、緑色の発光（例えば、５００〜５６５ｎｍの波長）を示す画素部（緑）１０１Ｇ、赤色の発光（例えば、６００〜７４０ｎｍの波長）を示す画素部（赤）１０１Ｒがそれぞれ形成されている。
青色の発光を示す画素部（青）１０１Ｂは、陽極としての第１の反射電極１０２Ｂ、陽極としての第１の透明電極１０３Ｂ、発光性の有機化合物を含む層（以下、「ＥＬ層」ともいう。）１０５、陰極としての半透過電極１０６で構成された発光素子を有している。また、画素部（青）１０１Ｂは、カラーフィルタ（青）１０８Ｂが、第１の反射電極１０２Ｂ、第１の透明電極１０３Ｂ、ＥＬ層１０５および半透過電極１０６と重畳する発光領域１１２Ｂを有し、隔壁１０４が、第１の透明電極１０３Ｂ、ＥＬ層１０５、半透過電極１０６およびカラーフィルタ（青）１０８Ｂと重畳する非発光領域１１３Ｂを有する。この非発光領域１１３Ｂは発光領域１１２Ｂを囲むように配置されている。
緑色の発光を示す画素部（緑）１０１Ｇは、陽極としての第２の反射電極１０２Ｇ、陽極としての第２の透明電極１０３Ｇ、ＥＬ層１０５、陰極としての半透過電極１０６で構成された発光素子を有している。また、画素部（緑）１０１Ｇは、カラーフィルタ（緑）１０８Ｇが、第２の反射電極１０２Ｇ、第２の透明電極１０３Ｇ、ＥＬ層１０５および半透過電極１０６と重畳する発光領域１１２Ｇを有し、隔壁１０４が、第２の反射電極１０２Ｇ、第２の透明電極１０３Ｇ、ＥＬ層１０５、半透過電極１０６およびカラーフィルタ（緑）１０８Ｇと重畳する非発光領域１１３Ｇを有する。この非発光領域１１３Ｇは発光領域１１２Ｇを囲むように配置されている。
なお、画素部（緑）１０１Ｇでは、発光素子の第２の反射電極１０２Ｇのパターンが、それに対応するカラーフィルタ（緑）１０８Ｇよりも大きくなるように形成される。（図１（Ｂ）中、Ｘで示す。）
赤色の発光を示す画素部（赤）１０１Ｒは、陽極としての第３の反射電極１０２Ｒ、陽極としての第３の透明電極１０３Ｒ、ＥＬ層１０５、陰極としての半透過電極１０６で構成された発光素子を有している。また、画素部（赤）１０１Ｒは、カラーフィルタ（赤）１０８Ｒが、第３の反射電極１０２Ｒ、第３の透明電極１０３Ｒ、ＥＬ層１０５および半透過電極１０６と重畳する発光領域１１２Ｒを有し、隔壁１０４が、第３の透明電極１０３Ｒ、ＥＬ層１０５、半透過電極１０６およびカラーフィルタ（赤）１０８Ｒと重畳する非発光領域１１３Ｒを有する。この非発光領域１１３Ｒは発光領域１１２Ｒを囲むように配置されている。
なお、隔壁１０４は、各画素部に形成される第１〜第３の反射電極１０２Ｂ、１０２Ｇ、１０２Ｒそれぞれと第１〜第３の透明電極１０３Ｂ、１０３Ｇ、１０３Ｒそれぞれとの積層構造でなる陽極間に設けられており、第１〜第３の透明電極１０３Ｂ、１０３Ｇ、１０３Ｒそれぞれの端部は隔壁１０４によって覆われている。
画素部（緑）１０１Ｇの非発光領域１１３Ｇにおける第２の透明電極１０３Ｇと隔壁１０４とＥＬ層１０５とを合わせた膜厚を調整することにより、非発光領域１１３Ｇにおける緑色の反射光成分を弱めることができる。
詳細には、ＷＴＣ構造の場合、画素部（緑）１０１Ｇにおける、第２の透明電極１０３ＧとＥＬ層１０５とを合わせた膜厚は、緑色発光を強めるようなマイクロキャビティ（微小光共振器）の条件に設定しているので、画素部（緑）１０１Ｇの非発光領域１１３Ｇ（カラーフィルタ（緑）１０８Ｇと隔壁１０４とが重なる領域）における隔壁１０４の光学距離（隔壁の膜厚×屈折率）を緑色発光波長の１／２波長の倍数（Ｎ／２倍（Ｎは自然数））になるように設計することにより、第２の反射電極１０２Ｇで反射した緑色の反射光成分と半透過電極１０６で反射した緑色の反射光成分が弱めあうことで、非発光領域１１３Ｇにおける緑色の反射光成分を弱めることができる。
なお、画素部（青）１０１Ｂおよび画素部（赤）１０１Ｒそれぞれの非発光領域１１３Ｂ、１１３Ｒにおける隔壁１０４の膜厚は、画素部（緑）１０１Ｇの非発光領域１１３Ｇにおける隔壁１０４の膜厚と同様である。
また、隔壁１０４の材料としては、ｎｍオーダーでの膜厚制御に有利な無機絶縁材料（例えば、ＳｉＯｘ、ＳｉＮｘ、ＳｉＯＣ、ＳｉＮＯ、ＴｉＯ２、ＺｎＯなど）を用いることが好ましい。
また、隔壁１０４はＥＬ層１０５との屈折率段差が極力小さく、界面反射が起こらない方が望ましい。
以上のような構造とすることにより、非発光領域１１３Ｂ、１１３Ｇ、１１３Ｒにおける反射のうち、最も反射率が高い非発光領域（緑）１１３Ｇの反射率を低減することができるため、パネル全体としての反射光を低減することができる。別言すれば、非発光領域１１３Ｇにおける緑色の外光以外の光の透過をカラーフィルタ（緑）１０８Ｇにより低減し、カラーフィルタ（緑）１０８Ｇを透過した非発光領域１１３Ｇにおける緑色の外光の反射を光の干渉効果により低減することができる。
なお、青色の発光を示す画素部（青）１０１Ｂ、赤色の発光を示す画素部（赤）１０１Ｒでは、発光素子の第１の反射電極１０２Ｂおよび第３の反射電極１０２Ｒのパターンをそれぞれ発光領域１１２Ｂ、１１２Ｒと同じ面積となるように形成することが望ましい。
また、同様にして、画素部（青）、画素部（赤）の反射率を低減させた構造も選択可能である。
本実施の形態に示す構成は、他の実施の形態に示す構成と適宜組み合わせて用いることが可能である。
（実施の形態２）
本実施の形態においては、外光の反射を低減するために、例えば、図２に示すような構成とすることができる。図２は、図１（Ａ）に示す一点鎖線Ａ１−Ａ２の断面に相当する図である。
画素部（青）２０１Ｂ、画素部（緑）２０１Ｇおよび画素部（赤）２０１Ｒそれぞれの非発光領域２１３Ｂ、２１３Ｇ、２１３Ｒの外光による表面反射の反射率を低減させる構造を有する表示装置について、図２を用いて説明する。
なお、表示装置のパネル上は、ブラックマトリクス（ＢＭ）２０７により遮光されたＢＭ領域２１１と、画素部（青）２０１Ｂ、画素部（緑）２０１Ｇおよび画素部（赤）２０１Ｒそれぞれの発光領域２１２Ｂ、２１２Ｇ、２１２Ｒ、および非発光領域２１３Ｂ、２１３Ｇ、２１３Ｒとを有するものとして以下、説明する。
また、図２に示す表示装置は、図１に示す第１の基板１０１と同様の第１の基板２０１と、図１に示す第２の基板１０９と同様の第２の基板２０９と、を有する。
青色の発光を示す画素部（青）２０１Ｂは、陽極としての第１の反射電極２０２Ｂ、陽極としての第１の透明電極２０３Ｂ、ＥＬ層２０５、陰極としての半透過電極２０６で構成された発光素子を有している。また、画素部（青）２０１Ｂは、カラーフィルタ（青）２０８Ｂが、第１の反射電極２０２Ｂ、第１の透明電極２０３Ｂ、ＥＬ層２０５および半透過電極２０６と重畳する発光領域２１２Ｂを有し、隔壁２０４が、第１の反射電極２０２Ｂ、第１の透明電極２０３Ｂ、ＥＬ層２０５、半透過電極２０６およびカラーフィルタ（青）２０８Ｂと重畳する非発光領域２１３Ｂを有する。この非発光領域２１３Ｂは発光領域２１２Ｂを囲むように配置されている。
緑色の発光を示す画素部（緑）２０１Ｇにおける陽極としての第２の反射電極２０２Ｇ、陽極としての第２の透明電極２０３Ｇ、ＥＬ層２０５、陰極としての半透過電極２０６、カラーフィルタ（緑）２０８Ｇ、発光領域２１２Ｇおよび非発光領域２１３Ｇは、上記の画素部（青）２０１Ｂと同様に構成されている。
赤色の発光を示す画素部（赤）２０１Ｒにおける陽極としての第３の反射電極２０２Ｒ、陽極としての第３の透明電極２０３Ｒ、ＥＬ層２０５、陰極としての半透過電極２０６、カラーフィルタ（緑）２０８Ｒ、発光領域２１２Ｒおよび非発光領域２１３Ｒは、上記の画素部（青）２０１Ｂと同様に構成されている。
実施の形態１で示した図１（Ｂ）の画素部（緑）１０１Ｇの構造と同様にして、画素部（青）２０１Ｂ、画素部（緑）２０１Ｇ、画素部（赤）２０１Ｒにおける全ての陽極としての第１〜第３の反射電極２０２Ｂ、２０２Ｇ、２０２Ｒのパターンを、カラーフィルタ（青）２０８Ｂ、カラーフィルタ（緑）２０８Ｇ、カラーフィルタ（赤）２０８Ｒよりも大きくなるようにパターニングする。
また、隔壁２０４には、選択的にドライエッチングできるような複数の無機絶縁材料を用いることが好ましい。
なお、本実施の形態では、各画素部の非発光領域２１３Ｂ、２１３Ｇ、２１３Ｒにおける表面反射を低減するための光学的な機能を、実施の形態１で示した図１（Ｂ）の画素部（緑）１０１Ｇの非発光領域１１３Ｇの構造と同様にして隔壁２０４に持たせる構成であることから、隔壁２０４を３種類の膜厚を有する構造とする。それぞれの膜厚の隔壁を第１の隔壁２０４ａ、第２の隔壁２０４ｂおよび第３の隔壁２０４ｃとする。
つまり、各画素部の非発光領域２１３Ｂ、２１３Ｇ、２１３Ｒにおける第１〜第３の透明電極２０３Ｂ、２０３Ｇ、２０３Ｒそれぞれと隔壁２０４とＥＬ層２０５とを合わせた膜厚を調整することにより、非発光領域２１３Ｂ、２１３Ｇ、２１３Ｒにおける各色の反射光成分を弱めることができる。
詳細には、ＷＴＣ構造の場合、各画素部における、第１〜第３の透明電極２０３Ｂ、２０３Ｇ、２０３ＲそれぞれとＥＬ層２０５とを合わせた膜厚は、各画素部の色の発光を強めるようなマイクロキャビティ（微小光共振器）の条件に設定しているので、各画素部の非発光領域２１３Ｂ、２１３Ｇ、２１３Ｒ（カラーフィルタ（青）２０８Ｂ、カラーフィルタ（緑）２０８Ｇ、カラーフィルタ（赤）２０８Ｒそれぞれと隔壁２０４とが重なる領域）における隔壁２０４の光学距離（隔壁の膜厚×屈折率）を各色の発光波長の１／２波長の倍数（Ｎ／２倍（Ｎは自然数））になるように調整することにより、非発光領域２１３Ｂ、２１３Ｇ、２１３Ｒそれぞれにおける各色の反射光成分を弱めることができる。
画素部（青）２０１Ｂの非発光領域２１３Ｂにおける第１の隔壁２０４ａは第３の膜厚で構成され、画素部（緑）２０１Ｇの非発光領域２１３Ｇにおける第２の隔壁２０４ｂは第２の膜厚で構成され、画素部（赤）２０１Ｒの非発光領域２１３Ｒにおける第３の隔壁２０４ｃは第１の膜厚で構成されている。なお、第３の膜厚は、第１の隔壁２０４ａの光学距離が青発光の１／２波長の倍数（Ｎ／２倍（Ｎは自然数））になるように設計し、第２の膜厚は、第２の隔壁２０４ｂの光学距離が緑発光の１／２波長の倍数（Ｎ／２倍（Ｎは自然数））になるように設計し、第１の膜厚は、第３の隔壁２０４ｃの光学距離が、赤発光の１／２波長の倍数（Ｎ／２倍（Ｎは自然数））になるように設計する。
なお、第１〜第３の隔壁２０４ａ〜２０４ｃは、３種類の無機絶縁材料を用いた積層構造とし、次のように変更してもよい。画素部（青）２０１Ｂの非発光領域２１３Ｂにおける第１の隔壁２０４ａは第１の絶縁層で構成され、画素部（緑）２０１Ｇの非発光領域２１３Ｇにおける第２の隔壁２０４ｂは第１の絶縁層と第２の絶縁層を積層した積層膜で構成され、画素部（赤）２０１Ｒの非発光領域２１３Ｒにおける第３の隔壁２０４ｃは第１の絶縁層と第２の絶縁層と第３の絶縁層を積層した積層膜で構成されている。なお、第１の絶縁層は、その光学距離（第１の絶縁層の膜厚×屈折率）が青発光の１／２波長の倍数（Ｎ／２倍（Ｎは自然数））になるように設計し、第１の絶縁層と第２の絶縁層を積層した積層膜は、その光学距離（第１の絶縁層の膜厚×屈折率＋第２の絶縁層の膜厚×屈折率）が緑発光の１／２波長の倍数（Ｎ／２倍（Ｎは自然数））になるように設計し、第１の絶縁層と第２の絶縁層と第３の絶縁層を積層した積層膜は、その光学距離（第１の絶縁層の膜厚×屈折率＋第２の絶縁層の膜厚×屈折率＋第３の絶縁層の膜厚×屈折率）が、赤発光の１／２波長の倍数（Ｎ／２倍（Ｎは自然数））になるように設計する。
但し、第１の絶縁層の膜厚が、画素部（緑）２０１Ｇ、画素部（赤）２０１Ｒを構成する第２の透明電極２０３Ｇ、第３の透明電極２０３Ｒの膜厚よりも薄くなってしまう場合は、１波長になるように設計すればよい。その場合は、第１の絶縁層と第２の絶縁層を積層した積層膜は、その光学距離が緑発光の１波長分になるように設計し、第１の絶縁層と第２の絶縁層と第３の絶縁層を積層した積層膜は、その光学距離が、赤発光の１波長分になるように設計すればよい。
また、隔壁２０４に用いる無機絶縁材料としては、具体的には、ＳｉＯｘ、ＳｉＮｘ、ＳｉＯＣ、ＳｉＮＯ、ＴｉＯ２、ＺｎＯなどを用いることができる。なお、これらの無機絶縁材料を用いることにより、ドライエッチングによる精密膜厚制御が可能となるため好ましい。
また、隔壁２０４はＥＬ層２０５との屈折率段差が極力小さく、界面反射が起こらない方が望ましい。
以上の説明により、非発光領域２１３Ｂにおける第１の隔壁２０４ａを第３の膜厚で形成し、非発光領域２１３Ｇにおける第２の隔壁２０４ｂを第２の膜厚で形成し、非発光領域２１３Ｒにおける第３の隔壁２０４ｃを第１の膜厚で形成することにより、非発光領域２１３Ｂ、２１３Ｇ、２１３Ｒにおける外光反射を、各画素部２０１Ｂ、２０１Ｇ、２０１Ｒの全てにおいて低減することができる。
本実施の形態に示す構成は、他の実施の形態に示す構成と適宜組み合わせて用いることが可能である。
（実施の形態３）
本実施の形態では、実施の形態２で説明した各画素部２０１Ｂ、２０１Ｇ、２０１Ｒに対応した第１の隔壁２０４ａ、第２の隔壁２０４ｂ、第３の隔壁２０４ｃそれぞれの膜厚調整をマスク蒸着によって行う場合について、図３を用いて説明する。図３は、図１（Ａ）に示す一点鎖線Ａ１−Ａ２の断面に相当する図である。
なお、表示装置のパネル上は、カラーフィルタ（青）３０８Ｂ、カラーフィルタ（緑）３０８Ｇおよびカラーフィルタ（赤）３０８Ｒと、ブラックマトリクス（ＢＭ）３０７により遮光されたＢＭ領域３１１と、画素部（青）３０１Ｂ、画素部（緑）３０１Ｇおよび画素部（赤）３０１Ｒそれぞれの発光領域３１２Ｂ、３１２Ｇ、３１２Ｒ、および非発光領域３１３Ｂ、３１３Ｇ、３１３Ｒとを有するものとして以下、説明する。
また、図３に示す表示装置は、図１に示す第１の基板１０１と同様の第１の基板３０１と、図１に示す第２の基板１０９と同様の第２の基板３０９と、を有する。
はじめに、隔壁を構成する第１の絶縁層３０４ａは、その光学距離（第１の絶縁層３０４ａの膜厚×屈折率）が青発光の１／２波長になるように設計して全面に成膜され、非発光領域３１３Ｂ、３１３Ｇ、３１３ＲおよびＢＭ領域３１１における隔壁領域のみ残るようにエッチングされて形成される。但し、第１の絶縁層３０４ａの膜厚が、画素部（緑）３０１Ｇ、画素部（赤）３０１Ｒを構成する陽極としての第２および第３の透明電極３０３Ｇ、３０３Ｒそれぞれの膜厚よりも薄くなってしまう場合は、１波長になるように設計すればよい。
次に、画素部（緑）３０１Ｇおよび画素部（赤）３０１Ｒそれぞれの隔壁部分だけに蒸着可能なパターンを有するマスクを用いて、追加成膜を行い、第２の絶縁層３０４ｂを形成する。さらに、画素部（赤）３０１Ｒの隔壁部分だけに蒸着可能なパターンを有するマスクを用いて、追加成膜を行い、第３の絶縁層３０４ｃを形成する。第１の絶縁層３０４ａと第２の絶縁層３０４ｂを積層した積層膜は、その光学距離（第１の絶縁層３０４ａの膜厚×屈折率＋第２の絶縁層３０４ｂの膜厚×屈折率）が緑発光の１／２波長の倍数（Ｎ／２倍（Ｎは自然数））になるように設計し、第１の絶縁層３０４ａと第２の絶縁層３０４ｂと第３の絶縁層３０４ｃを積層した積層膜は、その光学距離（第１の絶縁層３０４ａの膜厚×屈折率＋第２の絶縁層３０４ｂの膜厚×屈折率＋第３の絶縁層３０４ｃの膜厚×屈折率）が、赤発光の１／２波長の倍数（Ｎ／２倍（Ｎは自然数））になるように設計する。これにより、非発光領域３１３Ｂ、３１３Ｇ、３１３Ｒからの反射を、各画素部３０１Ｂ、３０１Ｇ、３０１Ｒの全てにおいて低減することができる。
なお、陽極としての第１〜第３の反射電極３０２Ｂ、３０２Ｇ、３０２Ｒ、陽極としての第１〜第３の透明電極３０３Ｂ、３０３Ｇ、３０３Ｒ、ＥＬ層３０５、陰極としての半透過電極３０６は、実施の形態２と同様に形成される。
また、本実施の形態に示す構成は、他の実施の形態に示す構成と適宜組み合わせて用いることが可能である。
（実施の形態４）
本実施の形態では、各画素部４０１Ｂ、４０１Ｇ、４０１Ｒそれぞれの非発光領域４１３Ｂ、４１３Ｇ、４１３Ｒの中でも外光による表面反射の高い画素部（緑）４０１Ｇの非発光領域４１３Ｇの反射率を低減させる構造であって、実施の形態１とは異なる構造について、図４を用いて説明する。図４は、図１（Ａ）に示す一点鎖線Ａ１−Ａ２の断面に相当する図である。
なお、表示装置のパネル上は、カラーフィルタ（青）４０８Ｂ、カラーフィルタ（緑）４０８Ｇおよびカラーフィルタ（赤）４０８Ｒと、ブラックマトリクス（ＢＭ）４０７により遮光されたＢＭ領域４１１と、画素部（青）４０１Ｂ、画素部（緑）４０１Ｇおよび画素部（赤）４０１Ｒそれぞれの発光領域４１２Ｂ、４１２Ｇ、４１２Ｒ、および非発光領域４１３Ｂ、４１３Ｇ、４１３Ｒとを有するものとして以下、説明する。
また、図４に示す表示装置は、図１に示す第１の基板１０１と同様の第１の基板４０１と、図１に示す第２の基板１０９と同様の第２の基板４０９と、を有する。
図４に示す表示装置は、第１の基板４０１上に青色の発光を示す画素部（青）４０１Ｂ、緑色の発光を示す画素部（緑）４０１Ｇ、赤色の発光を示す画素部（赤）４０１Ｒがそれぞれ形成されている。また、各画素部４０１Ｂ、４０１Ｇ、４０１Ｒは、それぞれ、陽極としての第１〜第３の反射電極４０２Ｂ、４０２Ｇ、４０２Ｒ、陽極としての第１〜第３の透明電極４０３Ｂ、４０３Ｇ、４０３Ｒ、ＥＬ層４０５、半透過陰極４０６で構成された発光素子を有している。
本実施の形態で示す隔壁は、複数の層からなる積層構造を有し、例えば、図４に示すような第１の絶縁層４０４ａと第２の絶縁層４０４ｂとの２層積層構造を有する。また、第１の絶縁層４０４ａと第２の絶縁層４０４ｂとの界面で光が反射するように、屈折率の差はできるだけ大きい方がよく、少なくとも０．１以上が望ましい。
この２層積層構造の隔壁は、各画素部に形成される第１〜第３の反射電極４０２Ｂ、４０２Ｇ、４０２Ｒそれぞれと第１〜第３の透明電極４０３Ｂ、４０３Ｇ、４０３Ｒそれぞれとの積層構造でなる陽極間に設けられており、第１〜第３の透明電極４０３Ｂ、４０３Ｇ、４０３Ｒそれぞれの端部は隔壁によって覆われている。
本実施の形態における隔壁は、隔壁の界面反射光（例えば第１の絶縁層４０４ａと第２の絶縁層４０４ｂの界面反射光）と半透過電極４０６での反射光が弱めあうため、カラーフィルタとの相乗効果により、外光による反射率の低減を図ることができる。つまり、カラーフィルタの色の光以外の光の透過を当該カラーフィルタにより低減し、カラーフィルタを透過したカラーフィルタの色の光の反射を光の干渉効果により低減することができる。
また、本実施の形態に示す構成は、第１〜第３の透明電極４０３Ｂ、４０３Ｇ、４０３Ｒおよび第１〜第３の反射電極４０２Ｂ、４０２Ｇ、４０２Ｒが、隔壁と重なる位置に存在していても、存在していなくても上記効果を得ることができるため、プロセス的な制約が少ないという特徴を有している。
なお、第１の絶縁層４０４ａおよび第２の絶縁層４０４ｂのうち高屈折率材料としては、具体的にはＴｉＯ２を用いることができ、第１の絶縁層４０４ａおよび第２の絶縁層４０４ｂのうち低屈折率材料としては、具体的には、ＳｉＯｘ、ＳｉＮ、ＳｉＯＮなどを用いることができる。
また、第１の絶縁層４０４ａと、第２の絶縁層４０４ｂの屈折率の大小関係を基に、第２の絶縁層４０４ｂの光学距離を調整する。第１の絶縁層４０４ａの屈折率が、第２の絶縁層４０４ｂの屈折率より小さい場合は、第２の絶縁層４０４ｂの光学距離が、第２の透明電極４０３Ｇの光学距離と、緑の波長の（２Ｎ−１）／４倍（Ｎは自然数）との和になるように調整する。第１の絶縁層４０４ａの屈折率が、第２の絶縁層４０４ｂの屈折率より大きい場合は、第２の絶縁層４０４ｂの光学距離が、第２の透明電極４０３Ｇの光学距離または、第２の透明電極４０３Ｇの光学距離と緑の波長の１／２波長の倍数（Ｎ／２倍（Ｎは自然数））との和になるように調整する。
本実施の形態における隔壁に用いる材料としては、無機絶縁層を用いることが好ましい。樹脂などの有機絶縁材料を用いる場合、ｎｍオーダーでの膜厚制御が難しいためである。
以上のような構造とすることにより、非発光領域４１３Ｂ、４１３Ｇ、４１３Ｒにおける反射のうち、最も反射率が高い画素部（緑）４０１Ｇの非発光領域４１３Ｇの反射率を低減することができるため、パネル全体としての反射光を低減することができる。
また、同様にして、Ｂ画素、Ｒ画素の反射率を低減させた構造も選択可能である。
また、本実施の形態に示す構成は、他の実施の形態に示す構成と適宜組み合わせて用いることが可能である。
また、本発明の一態様としては、上述した表示装置を有する電子機器に適用してもよい。
（実施の形態５）
本実施の形態では、本発明の一態様である表示装置の作製方法の一例について説明する。具体的には、実施の形態１で示した表示装置の作製方法について、図５を用いて説明する。
図５（Ａ）に示すように、第１の基板５０１上に公知の手法により、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）５０２、平坦化層５０３、および配線５１０を形成する。例えば、平坦化層５０３を形成後、ＩＴＯ（Ｉｎ２Ｏ３にＳｎＯ２をドープしたもの）からなる透明導電膜を公知のスパッタリング法により、成膜した後、これを所望の形状にパターニングすることで、ＴＦＴ５０２と電気的に接続された配線５１０を形成することができる。
次に、図５（Ｂ）に示すように、配線５１０と電気的に接続された陽極５００を形成する。陽極５００は、反射電極５０５ａと透明電極５０５ｂの積層からなる。反射電極５０５ａは、反射率が高い材料が望ましく、例えば銀や銀合金などが用いられる。透明電極５０５ｂは各画素部５０１Ｂ、５０１Ｇ、５０１Ｒで発光色の効率および色純度を高めるために、各発光色に適した膜厚で形成する。例えば、青色の発光を示す画素部（青）５０１Ｂの透明電極５０５ｂを５ｎｍのＩＴＯとし、緑色の発光を示す画素部（緑）５０１Ｇの透明電極５０５ｂを４５ｎｍのＩＴＯとし、赤色の発光を示す画素部（赤）５０１Ｒの透明電極５０５ｂを８５ｎｍのＩＴＯとすることができる。なお、透明電極５０５ｂは単膜ではなく、異なる透明導電膜の積層でもよい。また、本実施の形態では、緑色の発光を示す画素部(緑)５０１Ｇの反射電極５０５ａのみが、非発光領域５１３Ｇにおいても形成される構造である。
次に、図５（Ｃ）に示すように、無機膜からなる隔壁５０４を形成する。この隔壁５０４を形成する際は、公知の方法で市販の第１のフォトレジスト５１５を所定のパターンで形成し、エッチングにより隔壁５０４のパターニングを行う。緑色の発光を示す画素部（緑）５０１Ｇにおいては、陽極５００のエッジが隔壁５０４と非発光領域５１３Ｇにおいて重なるようにパターニングを行う。青色の発光を示す画素部（青）５０１Ｂ、赤色の発光を示す画素部（赤）５０１Ｒにおいては、反射電極５０５ａのエッジと隔壁５０４のエッジが同じ位置になるようにパターニングするのが望ましい。
なお、隔壁５０４は、その光学距離が緑色発光波長の１／２波長の倍数（Ｎ／２倍（Ｎは自然数））になるように調整する。例えば、屈折率が１．５であるＳｉＯ２からなる膜は、１７３ｎｍの膜厚で形成すればよい。
以上により、各画素部５０１Ｂ、５０１Ｇ、５０１Ｒにおける発光領域５１２Ｂ、５１２Ｇ、５１２Ｒが形成される。
次に、図５（Ｄ）に示すように、陽極５００および隔壁５０４上に、ＥＬ層５０５、半透過電極５０６を順次形成する。ここで、ＥＬ層５０５は、積層構造を有していてもよく、特にマイクロキャビティ構造を利用した白色発光が得られる構成とするのが好ましい。
なお、図５（Ｄ）で得られた第１の基板５０１と、カラーフィルタやブラックマトリクスを有する第２の基板とを勘合させて封止を行うことにより、実施の形態１で示した構造を有する表示装置を作製することができる。
また、本実施の形態に示す構成は、他の実施の形態に示す構成と適宜組み合わせて用いることが可能である。
（実施の形態６）
本実施の形態では、本発明の一態様である素子構造の作製方法の一例について説明する。具体的には、実施の形態２で示した素子構造の作製方法について、図６および図７を用いて説明する。
図６（Ａ）に示すように、第１の基板５０１上に公知の手法により、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）５０２、絶縁層である平坦化層５０３、および配線５１０を形成する。例えば、上記平坦化層５０３を形成後、ＩＴＯ（Ｉｎ２Ｏ３にＳｎＯ２をドープしたもの）からなる透明導電膜を公知のスパッタリング法により、成膜した後、これを所望の形状にパターニングすることで、ＴＦＴ５０２と電気的に接続された配線５１０を形成することができる。
次に、図６（Ｂ）に示すように、配線５１０と電気的に接続された陽極５００を形成する。陽極５００は、第１〜第３の反射電極５０５ａ１、５０５ａ２、５０５ａ３それぞれと第１〜第３の透明電極５０５ｂ１、５０５ｂ２、５０５ｂ３それぞれの積層からなる。第１〜第３の反射電極５０５ａ１、５０５ａ２、５０５ａ３は、反射率が高い材料が望ましく、例えば銀や銀合金などが用いられる。第１〜第３の透明電極５０５ｂ１、５０５ｂ２、５０５ｂ３は各画素部５０１Ｂ、５０１Ｇ、５０１Ｒで発光色の効率および色純度を高めるために、各発光色に適した膜厚で形成する。例えば、青色の発光を示す画素部（青）５０１Ｂの第１の透明電極５０５ｂ１を５ｎｍのＩＴＯとし、緑色の発光を示す画素部（緑）５０１Ｇの第２の透明電極５０５ｂ２を４５ｎｍのＩＴＯとし、赤色の発光を示す画素部（赤）５０１Ｒの第３の透明電極５０５ｂ３を８５ｎｍのＩＴＯとすることができる。なお、第１〜第３の透明電極５０５ｂ１、５０５ｂ２、５０５ｂ３それぞれは単膜ではなく、異なる透明導電膜の積層でもよい。
次に、図６（Ｃ）に示すように、陽極５００を含む全域に無機膜からなる第１の膜厚Ｙ１の隔壁５１４を成膜し、赤色の発光を示す画素部（赤）５０１Ｒの非発光領域５２３Ｒに第１のフォトレジスト５１５をパターン形成し、第１のフォトレジスト５１５をマスクとして隔壁５１４をエッチングする。これにより、赤色の発光を示す画素部（赤）５０１Ｒの非発光領域５２３Ｒの隔壁５１４を第１の膜厚Ｙ１で維持し、且つ非発光領域５２３Ｇの隔壁５１４を第２の膜厚Ｙ２に形成することができる。次いで、第１のフォトレジスト５１５を除去する。
次に、図６（Ｄ）に示すように、緑色の発光を示す画素部（緑）５０１Ｇの非発光領域５２３Ｇの隔壁５１４を第２の膜厚Ｙ２に維持するために、緑色の発光を示す画素部（緑）５０１Ｇと赤色の発光を示す画素部（赤）５０１Ｒの非発光領域５２３Ｇ、５２３Ｒに第２のフォトレジスト５１６をパターン形成し、第２のフォトレジスト５１６をマスクとして隔壁５１４をエッチングする。これにより、緑色の発光を示す画素部（緑）５０１Ｇの非発光領域５２３Ｇの隔壁５１４を第２の膜厚Ｙ２で維持し、青色の発光を示す画素部（青）５０１Ｂの非発光領域の隔壁５１４を第３の膜厚に形成することができる。次いで、第２のフォトレジスト５１６を除去する。
次に、図７（Ａ）に示すように、各画素部５０１Ｂ、５０１Ｇ、５０１Ｒの非発光領域５２３Ｇ、５２３Ｒに第３のフォトレジスト５１７をパターン形成し、第３のフォトレジストをマスクとして隔壁５１４をエッチングする。これにより、各画素部５０１Ｂ、５０１Ｇ、５０１Ｒの発光領域５２２Ｂ、５２２Ｇ、５２２Ｒの隔壁５１４が除去される。次いで、第３のフォトレジスト５１７を除去する。
なお、上記のエッチングは、各画素部５０１Ｂ、５０１Ｇ、５０１Ｒにおいて、陽極５００のエッジが隔壁５１４のエッジと非発光領域において重なるように行われる。
また、図６（Ｄ）に示すエッチングは、画素部（青）５０１Ｂの非発光領域の隔壁５１４の光学距離（隔壁５１４の膜厚×屈折率）が、青色発光波長の１／２波長の倍数（Ｎ／２倍（Ｎは自然数））になるように調整される。また、図６（Ｃ）に示すエッチングは、画素部（緑）５０１Ｇの非発光領域５２３Ｇの隔壁５１４の光学距離（隔壁５１４の膜厚Ｙ２×屈折率）が、緑色発光波長の１／２波長の倍数（Ｎ／２倍（Ｎは自然数））になるように調整される。また、図６（Ｃ）に示す隔壁５１４の成膜は、画素部（赤）５０１Ｒの非発光領域５２３Ｒの隔壁５１４の光学距離（隔壁５１４の膜厚Ｙ１×屈折率）が、赤色発光波長の１／２波長の倍数（Ｎ／２倍（Ｎは自然数））になるように調整される。
次に、図７（Ｂ）に示すように、陽極５００および隔壁５１４上に、ＥＬ層５０５、半透過電極５０６を順次形成する。ここで、ＥＬ層５０５は、積層構造を有していてもよく、特にマイクロキャビティ構造を利用した白色発光が得られる構成とするのが好ましい。
なお、図７（Ｂ）で得られた第１の基板と、カラーフィルタやブラックマトリクスを有する第２の基板とを勘合させて封止を行うことにより、実施の形態２で示した構造を有する表示装置を作製することができる。
また、本実施の形態に示す構成は、他の実施の形態に示す構成と適宜組み合わせて用いることが可能である。
（実施の形態７）
本実施の形態では、本発明の一態様である表示装置の作製方法の一例について説明する。具体的には、実施の形態３で示した表示装置の作製方法について、図８、９を用いて説明する。
図８（Ａ）に示すように、基板５０１上に公知の手法により、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）５０２、平坦化層５０３、および配線５１０を形成する。例えば、上記平坦化層５０３を形成後、ＩＴＯ（Ｉｎ２Ｏ３にＳｎＯ２をドープしたもの）からなる透明導電膜を公知のスパッタリング法により、成膜した後、これを所望の形状にパターニングすることで、ＴＦＴ５０２と電気的に接続された配線５１０を形成することができる。
次に、図８（Ｂ）に示すように、配線５１０と電気的に接続された陽極５００を形成する。陽極５００は、第１〜第３の反射電極５０５ａ１、５０５ａ２、５０５ａ３それぞれと第１〜第３の透明電極５０５ｂ１、５０５ｂ２、５０５ｂ３それぞれの積層からなる。第１〜第３の反射電極５０５ａ１、５０５ａ２、５０５ａ３は、反射率が高い材料が望ましく、例えば銀や銀合金などが用いられる。第１〜第３の透明電極５０５ｂ１、５０５ｂ２、５０５ｂ３は、各画素部５０１Ｂ、５０１Ｇ、５０１Ｒで発光色の効率および色純度を高めるために、各発光色に適した膜厚で形成する。例えば、青色の発光を示す画素部（青）５０１Ｂの第１の透明電極５０５ｂ１を５ｎｍのＩＴＯとし、緑色の発光を示す画素部（緑）５０１Ｇの第２の透明電極５０５ｂ２を４５ｎｍのＩＴＯとし、赤色の発光を示す画素部（赤）５０１Ｒの第３の透明電極５０５ｂ３を８５ｎｍのＩＴＯとすることができる。なお、第１〜第３の透明電極５０５ｂ１、５０５ｂ２、５０５ｂ３それぞれは単膜ではなく、異なる透明導電膜の積層でもよい。
次に、陽極５００の端部を覆うように無機膜からなる隔壁を構成する第１の絶縁層５２０ａを形成する。
第１の絶縁層５２０ａを形成する際は、公知の方法により市販の第１のフォトレジスト５２５を所定のパターンで形成して、エッチングにより第１の絶縁層５２０ａのパターニングを行う。なお、各画素部５０１Ｂ、５０１Ｇ、５０１Ｒにおいては、反射電極５０５ａのエッジが第１の絶縁層５２０ａのエッジと非発光領域５２３Ｂにおいて重なるようにパターニングを行う。これにより、青色の発光を示す画素部（青）５０１Ｂの非発光領域５２３Ｂに、第１の絶縁層５２０ａからなる隔壁５２４Ｂが形成される。なお、第１の絶縁層５２０ａの光学距離は、青色発光波長の１／２波長の倍数（Ｎ／２倍（Ｎは自然数））になるように調整する。例えば、屈折率が１．５であるＳｉＯ２からなる膜は、１５３ｎｍの膜厚で形成すればよい。次いで、第１のフォトレジスト５２５を除去する。
次に、図８（Ｃ）に示すように、高精細な蒸着マスク５２６を用いて、緑色の発光を示す画素部（緑）５０１Ｇ、および赤色の発光を示す画素部（赤）５０１Ｒに形成された第１の絶縁層５２０ａ上に第２の絶縁層５２０ｂを蒸着により成膜する。これにより、緑色の発光を示す画素部（緑）５０１Ｇの非発光領域５２３Ｇに、第１の絶縁層５２０ａと第２の絶縁層５２０ｂとの積層構造を有する隔壁５２４Ｇが形成される。なお、第２の絶縁層５２０ｂの光学距離と、第１の絶縁層５２０ａの光学距離との和は、緑色発光波長の１／２波長の倍数（Ｎ／２倍（Ｎは自然数））になるように調整する。例えば、第２の絶縁層５２０ｂとして、屈折率が１．７である金属錯体：トリス（８−キノリノラト）アルミニウム（ＩＩＩ）（略称：Ａｌｑ）を用いる場合は、１８ｎｍの膜厚で形成すればよい。
次に、図８（Ｄ）に示すように、高精細な蒸着マスク５２７を用いて、赤色の発光を示す画素部（赤）５０１Ｒに形成された第２の絶縁層５２０ｂ上に第３の絶縁層５２０ｃを蒸着により成膜する。これにより、赤色の発光を示す画素部（赤）５０１Ｒの非発光領域５２３Ｒに、第１の絶縁層５２０ａと第２の絶縁層５２０ｂと第３の絶縁層５２０ｃとの積層構造を有する隔壁５２４Ｒが形成される。なお、第３の絶縁層５２０ｃの光学距離と、第１の絶縁層５２０ａの光学距離と、第２の絶縁層５２０ｂとの光学距離の和は、赤色発光波長の１／２波長の倍数（Ｎ／２倍（Ｎは自然数））になるように調整する。例えば、第３の絶縁層５２０ｃとして、屈折率が１．７のＡｌｑ（略称）を用いる場合は、３２ｎｍの膜厚で形成すればよい。
なお、第２の絶縁層５２０ｂと、第３の絶縁層５２０ｃに用いる材料は、第１の絶縁層５２０ａに用いる材料と同じであってもよい。
また、各画素部５０１Ｂ、５０１Ｇ、５０１Ｒにおいては、陽極５００のエッジが第１の絶縁層５２０ａのエッジと非発光領域５２３Ｂ、５２３Ｇ、５２３Ｒにおいて重なるようにパターニングを行う。
次に、図９に示すように、陽極５００および隔壁５２０ａ、５２０ｂ、５２０ｃ上に、ＥＬ層５０５、半透過電極５０６を順次形成する。ここで、ＥＬ層５０５は、積層構造を有していてもよく、特にマイクロキャビティ構造を利用した白色発光が得られる構成とするのが好ましい。
なお、図９で得られた第１の基板と、カラーフィルタやブラックマトリクスを有する第２の基板とを勘合させて封止を行うことにより、実施の形態３で示した構造を有する表示装置を作製することができる。
また、本実施の形態に示す構成は、他の実施の形態に示す構成と適宜組み合わせて用いることが可能である。
（実施の形態８）
本実施の形態では、本発明の一態様である表示装置の作製方法の一例について説明する。具体的には、実施の形態４で示した表示装置の作製方法について、図１０を用いて説明する。
図１０（Ａ）に示すように、第１の基板５０１上に公知の手法により、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）５０２、平坦化層５０３、および配線５１０を形成する。例えば、上記平坦化層５０３を形成後、ＩＴＯ（Ｉｎ２Ｏ３にＳｎＯ２をドープしたもの）からなる透明導電膜を公知のスパッタリング法により、成膜した後、これを所望の形状にパターニングすることで、ＴＦＴ５０２と電気的に接続された配線５１０を形成することができる。
次に、図１０（Ｂ）に示すように、配線５１０と電気的に接続された陽極５００を形成する。陽極は、反射電極５０５ａと透明電極５０５ｂの積層からなる。反射電極５０５ａは、反射率が高い材料が望ましく、例えば銀や銀合金などが用いられる。透明電極５０５ｂは各画素部５０１Ｂ、５０１Ｇ、５０１Ｒで発光色の効率および色純度を高めるために、各発光色に適した膜厚で形成する。例えば、青色の発光を示す画素部（青）５０１Ｂの透明電極５０５ｂを５ｎｍのＩＴＯとし、緑色の発光を示す画素部（緑）５０１Ｇの透明電極５０５ｂを４５ｎｍのＩＴＯとし、赤色の発光を示す画素部（赤）５０１Ｒの透明電極５０５ｂを８５ｎｍのＩＴＯとすることができる。なお、透明電極５０５ｂは単膜ではなく、異なる透明導電膜の積層でもよい。
次に、図１０（Ｃ）に示すように、陽極５００の端部を覆うように隔壁５３４を構成する第１の絶縁層５３０ａと第２の絶縁層５３０ｂの積層膜を形成する。
隔壁５３４を形成する際は、第１の絶縁層５３０ａ上に第２の絶縁層５３０ｂを形成し、公知の方法により市販の第１のフォトレジスト５３５を所定のパターンで形成して、エッチングにより第１の絶縁層５３０ａおよび第２の絶縁層５３０ｂのパターニングを行う。なお、青色の発光を示す画素部（青）５０１Ｂおよび赤色の発光を示す画素部（赤）５０１Ｒにおいては、反射電極５０５ａのエッジと隔壁５３４のエッジが同じ位置で重なるようにパターニングするのが望ましい。また、緑色の発光を示す画素部（緑）５０１Ｇにおいては、反射電極５０５ａのエッジと隔壁５３４のエッジが重なっても重ならなくてもよいが、本実施の形態では重なるようにパターニングしている。
なお、第１の絶縁層５３０ａと第２の絶縁層５３０ｂはその界面での屈折率差による反射が大きくなるように設定する。具体的には、屈折率差が０．１以上となるようにする。
すなわち、第１の絶縁層５３０ａと、第２の絶縁層５３０ｂの屈折率の大小関係を基に、第１の絶縁層５３０ａの光学距離を調整する。第１の絶縁層５３０ａの屈折率が、第２の絶縁層５３０ｂの屈折率より小さい場合は、第２の絶縁層５３０ｂの光学距離が、緑画素の透明電極５０５ｂの光学距離と緑の波長の（２Ｎ−１）／４倍（Ｎは自然数）との和になるように調整する。また、第１の絶縁層５３０ａの屈折率が、第２の絶縁層５３０ｂの屈折率より小さい場合は、第２の絶縁層５３０ｂの光学距離が、緑画素の透明電極５０５ｂの光学距離、または緑画素の透明電極５０５ｂの光学距離と緑色発光波長の１／２波長の倍数（Ｎ／２倍（Ｎは自然数））になるように調整する。
例えば、第１の絶縁層５３０ａとして、屈折率が２．５のＴｉＯ２を用い、第２の絶縁層５３０ｂとして、屈折率が１．５のＳｉＯ２を用いる場合、第１の絶縁層５３０ａを所望の膜厚で形成し、第２の絶縁層５３０ｂを１７３ｎｍの膜厚で形成すればよい。
次に、図１０（Ｄ）に示すように、陽極５００および隔壁５３４上に、ＥＬ層５０５、半透過電極５０６を順次形成する。ここで、ＥＬ層５０５は、積層構造を有していてもよく、特にマイクロキャビティ構造を利用した白色発光が得られる構成とするのが好ましい。
なお、図１０（Ｄ）で得られた第１の基板と、カラーフィルタやブラックマトリクスを有する第２の基板とを勘合させて封止を行うことにより、実施の形態４で示した構造を有する表示装置を作製することができる。
また、本実施の形態に示す構成は、他の実施の形態に示す構成と適宜組み合わせて用いることが可能である。
（実施の形態９）
本実施の形態では、本発明の一態様として、上述した発光素子のＥＬ層に用いることができる構成について説明する。なお、本実施の形態に示すＥＬ層（図１１の１１０３）が一対の電極間に有する発光素子をタンデム型発光素子ともよぶ。
また、本実施の形態に示すＥＬ層１１０３は、複数のＥＬ層が、電荷発生層を間に挟んで積層された構造を有する。なお、図１１に示すタンデム型発光素子は、第１のＥＬ層１１０２（１）と第２のＥＬ層１１０２（２）の２層が、電荷発生層１１０５を間に挟んで積層された構造を有する。但し、積層されるＥＬ層は、２層に限られることはなく、ＥＬ層の間に電荷発生層を挟んで３層以上が積層された構造としてもよい。
また、図１１における２つのＥＬ層（第１のＥＬ層１１０２（１）、第２のＥＬ層１１０２（２））の間に設けられる電荷発生層１１０５は、第１の電極１１０１と第２の電極１１０４に電圧を印加したときに、一方のＥＬ層に電子を注入し、他方のＥＬ層に正孔を注入する機能を有する。例えば、第１の電極１１０１に第２の電極１１０４よりも電位が高くなるように電圧を印加した場合、電荷発生層１１０５から第１のＥＬ層１１０２（１）に電子が注入され、第２のＥＬ層１１０２（２）に正孔が注入される。
なお、電荷発生層１１０５は、光の取り出し効率の点から、可視光に対して透光性を有する（具体的には、電荷発生層１１０５に対する可視光の透過率が、４０％以上）ことが好ましい。また、電荷発生層１１０５は、第１の電極１１０１や第２の電極１１０４よりも低い導電率であっても機能する。
また、電荷発生層１１０５は、正孔輸送性の高い有機化合物に電子受容体（アクセプター）が添加された構成であっても、電子輸送性の高い有機化合物に電子供与体（ドナー）が添加された構成であってもよい。また、これらの両方の構成が積層されていても良い。
なお、正孔輸送性の高い有機化合物に電子受容体が添加された構成とする場合において、正孔輸送性の高い有機化合物としては、例えば、ＮＰＢやＴＰＤ、ＴＤＡＴＡ、ＭＴＤＡＴＡ、４，４'−ビス［Ｎ−（スピロ−９，９'−ビフルオレン−２−イル）−Ｎ―フェニルアミノ］ビフェニル（略称：ＢＳＰＢ）などの芳香族アミン化合物等を用いることができる。ここに述べた物質は、主に１０−６ｃｍ２／Ｖｓ以上の正孔移動度を有する物質である。但し、電子よりも正孔の輸送性の高い有機化合物であれば、上記以外の物質を用いても構わない。
また、電子受容体としては、７，７，８，８−テトラシアノ−２，３，５，６−テトラフルオロキノジメタン（略称：Ｆ４−ＴＣＮＱ）、クロラニル等を挙げることができる。また、遷移金属酸化物を挙げることができる。また元素周期表における第４族乃至第８族に属する金属の酸化物を挙げることができる。具体的には、酸化バナジウム、酸化ニオブ、酸化タンタル、酸化クロム、酸化モリブデン、酸化タングステン、酸化マンガン、酸化レニウムは電子受容性が高いため好ましい。中でも特に、酸化モリブデンは大気中でも安定であり、吸湿性が低く、扱いやすいため好ましい。
一方、電子輸送性の高い有機化合物に電子供与体が添加された構成とする場合において、電子輸送性の高い有機化合物としては、例えば、Ａｌｑ、Ａｌｍｑ３、ＢｅＢｑ２、ＢＡｌｑなど、キノリン骨格またはベンゾキノリン骨格を有する金属錯体等を用いることができる。また、この他、Ｚｎ（ＢＯＸ）２、Ｚｎ（ＢＴＺ）２などのオキサゾール系、チアゾール系配位子を有する金属錯体なども用いることができる。さらに、金属錯体以外にも、ＰＢＤやＯＸＤ−７、ＴＡＺ、ＢＰｈｅｎ、ＢＣＰなども用いることができる。ここに述べた物質は、主に１０−６ｃｍ２／Ｖｓ以上の電子移動度を有する物質である。なお、正孔よりも電子の輸送性の高い有機化合物であれば、上記以外の物質を用いても構わない。
また、電子供与体としては、アルカリ金属またはアルカリ土類金属または希土類金属または元素周期表における第１３族に属する金属およびその酸化物、炭酸塩を用いることができる。具体的には、リチウム（Ｌｉ）、セシウム（Ｃｓ）、マグネシウム（Ｍｇ）、カルシウム（Ｃａ）、イッテルビウム（Ｙｂ）、インジウム（Ｉｎ）、酸化リチウム、炭酸セシウムなどを用いることが好ましい。また、テトラチアナフタセンのような有機化合物を電子供与体として用いてもよい。
なお、上述した材料を用いて電荷発生層１１０５を形成することにより、ＥＬ層が積層された場合における駆動電圧の上昇を抑制することができる。
また、各ＥＬ層（例えば、第１のＥＬ層１１０２（１）、第２のＥＬ層１１０２（２））は、それぞれ複数の機能層（正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層、電子注入層等）が積層された構成であっても良く、これらは、公知の材料を用いて、公知の方法により形成することができる。
本実施の形態で説明した発光素子のように、一対の電極間に複数のＥＬ層を有する場合、ＥＬ層とＥＬ層との間に電荷発生層を配置することで、電流密度を低く保ったまま、高輝度領域での長寿命素子を実現できる。また、照明を応用例とした場合は、電極材料の抵抗による電圧降下を小さくできるので、大面積での均一発光が可能となる。また、低電圧駆動が可能で消費電力が低い発光装置を実現することができる。
また、それぞれのＥＬ層の発光色を異なるものにすることで、発光素子全体として、所望の色の発光を得ることができる。例えば、２つのＥＬ層を有する発光素子において、第１のＥＬ層の発光色と第２のＥＬ層の発光色を補色の関係になるようにすることで、発光素子全体として白色発光する発光素子を得ることが可能である。なお、補色とは、混合すると無彩色になる色同士の関係をいう。つまり、補色の関係にある色を発光する物質から得られた光と混合すると、白色発光を得ることができる。
また、３つのＥＬ層を有する発光素子の場合でも同様であり、例えば、第１のＥＬ層の発光色が赤色であり、第２のＥＬ層の発光色が緑色であり、第３のＥＬ層の発光色が青色である場合、発光素子全体としては、白色発光を得ることができる。
なお、本実施の形態に示す構成は、他の実施の形態に示した構成と適宜組み合わせて用いることができる。
１０１、２０１、３０１、４０１、５０１ 第１の基板
１０１Ｂ、２０１Ｂ、３０１Ｂ、４０１Ｂ、５０１Ｂ 画素部（青）
１０１Ｇ、２０１Ｇ、３０１Ｇ、４０１Ｇ、５０１Ｇ 画素部（緑）
１０１Ｒ、２０１Ｒ、３０１Ｒ、４０１Ｒ、５０１Ｒ 画素部（赤）
１０２Ｂ、２０２Ｂ、３０２Ｂ、４０２Ｂ、５０５ａ１ 第１の反射電極
１０２Ｇ、２０２Ｇ、３０２Ｇ、４０２Ｇ、５０５ａ２ 第２の反射電極
１０２Ｒ、２０２Ｒ、３０２Ｒ、４０２Ｒ、５０５ａ３ 第３の反射電極
１０３Ｂ、２０３Ｂ、３０３Ｂ、４０３Ｂ、５０５ｂ１ 第１の透明電極
１０３Ｇ、２０３Ｇ、３０３Ｇ、４０３Ｇ、５０５ｂ２ 第２の透明電極
１０３Ｒ、２０３Ｒ、３０３Ｒ、４０３Ｒ、５０５ｂ３ 第３の透明電極
１０４、２０４、２０４ａ、２０４ｂ、２０４ｃ、５１４、５２４Ｂ、５２４Ｇ、５２４Ｒ、５３４ 隔壁
１０５、２０５、３０５、４０５、５０５ ＥＬ層
１０６、２０６、３０６、４０６、５０６ 半透過電極
１０７、２０７、３０７ 遮光部
１０８Ｂ、２０８Ｂ、３０８Ｂ カラーフィルタ（青）
１０８Ｇ、２０８Ｇ、３０８Ｇ カラーフィルタ（緑）
１０８Ｒ、２０８Ｒ、３０８Ｒ カラーフィルタ（赤）
１０９、２０９、３０９ 第２の基板
１１１、２１１、３１１ ＢＭ領域
１１２Ｂ、１１２Ｇ、１１２Ｒ、２１２Ｂ、２１２Ｇ、２１２Ｒ、３１２Ｂ、３１２Ｇ、３１２Ｒ、５１２Ｂ、５１２Ｇ、５１２Ｒ、５２２Ｂ、５２２Ｇ、５２２Ｒ 発光領域
１１３Ｂ、１１３Ｇ、１１３Ｒ、２１３Ｂ、２１３Ｇ、２１３Ｒ、３１３Ｂ、３１３Ｇ、３１３Ｒ、５１３Ｂ、５１３Ｇ、５１３Ｒ、５２３Ｂ、５２３Ｇ、５２３Ｒ 非発光領域
３０４ａ、４０４ａ、５２０ａ、５３０ａ 第１の絶縁層
３０４ｂ、４０４ｂ、５２０ｂ、５３０ｂ 第２の絶縁層
３０４ｃ、５２０ｃ 第３の絶縁層
５００ 陽極
５０２ 薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）
５０３ 平坦化層
５０５ａ 反射電極
５０５ｂ 透明電極
５１０ 配線
５１５、５２５、５３５ 第１のフォトレジスト
５１６ 第２のフォトレジスト
５１７ 第３のフォトレジスト
５２６、５２７ 高精細な蒸着マスク
１１０１ 第１の電極
１１０２（１） 第１のＥＬ層
１１０２（２） 第２のＥＬ層
１１０３ ＥＬ層
１１０４ 第２の電極
１１０５ 電荷発生層

Claims (18)

  1. 反射電極と、
    前記反射電極上に形成された透明電極と、
    前記透明電極上に形成され、前記透明電極および前記反射電極を囲むように形成された隔壁と、
    前記隔壁および前記透明電極上に形成された発光性の有機化合物を含む層と、
    前記発光性の有機化合物を含む層上に形成された半透過電極と、
    前記半透過電極上の有色層と、
    を具備し、
    発光領域は、少なくとも一部が前記透明電極、前記発光性の有機化合物を含む層、前記半透過電極、および前記有色層と重畳するように形成され、
    非発光領域は、少なくとも一部が前記透明電極、前記隔壁、前記発光性の有機化合物を含む層、および前記有色層と重畳するように形成され、
    前記非発光領域は前記発光領域を囲むように形成され、
    前記透明電極と前記発光性の有機化合物を含む層とを合わせた光学距離は、前記有色層の色の発光を強めるマイクロキャビティの条件に調整され、
    前記非発光領域における前記隔壁の光学距離は、前記有色層を透過して入射される外光を弱めるべく、調整されることを特徴とする表示装置。
  2. 請求項１において、
    前記非発光領域における前記隔壁の光学距離は、前記有色層の色の発光波長の１／２波長の倍数になるように調整される
    ことを特徴とする表示装置。
  3. 反射電極と、
    前記反射電極上に形成された透明電極と、
    前記透明電極および前記反射電極を囲むように形成された隔壁と、
    前記透明電極上に形成された発光性の有機化合物を含む層と、
    前記発光性の有機化合物を含む層上に形成された半透過電極と、
    前記半透過電極および前記隔壁上の有色層と、
    を具備し、
    前記隔壁は屈折率の異なる第１の絶縁層と第２の絶縁層からなる積層膜であり、
    発光領域は、少なくとも一部が前記透明電極、前記発光性の有機化合物を含む層、前記半透過電極、および前記有色層と重畳するように形成され、
    非発光領域は、少なくとも一部が前記透明電極、前記隔壁、前記発光性の有機化合物を含む層、および前記有色層と重畳するように形成され、
    前記非発光領域は前記発光領域を囲むように形成され、
    前記透明電極と前記発光性の有機化合物を含む層とを合わせた光学距離は、前記有色層の色の発光を強めるマイクロキャビティの条件に調整され、
    前記非発光領域における前記第２の絶縁層の光学距離は、前記有色層を透過して入射される外光を弱めるべく、調整されることを特徴とする表示装置。
  4. 請求項３において、
    前記積層膜は、前記第１の絶縁層上に前記第２の絶縁層が積層されており、
    前記第１の絶縁層の屈折率が前記第２の絶縁層の屈折率より小さい場合、前記第２の絶縁層の光学距離は、前記透明電極の光学距離と前記有色層の色の発光波長の（２Ｎ−１）／４倍（Ｎは自然数）との和になるように調整され、
    前記第１の絶縁層の屈折率が前記第２の絶縁層の屈折率より大きい場合、前記第２の絶縁層の光学距離は、前記透明電極の光学距離と前記有色層の色の発光波長の１／２波長の倍数との和になるように調整される
    ことを特徴とする表示装置。
  5. 請求項４において、
    前記第１の絶縁層と前記第２の絶縁層の屈折率の差が０．１以上である
    ことを特徴とする表示装置。
  6. 請求項２または５において、
    前記有色層の色が緑色である
    ことを特徴とする表示装置。
  7. 第１の反射電極および第２の反射電極と、
    前記第１の反射電極上に形成された第１の透明電極と、
    前記第２の反射電極上に形成された第２の透明電極と、
    前記第１の透明電極上に形成され、前記第１の反射電極と前記第１の透明電極を囲むように形成された第１の隔壁と、
    前記第２の透明電極上に形成され、前記第２の反射電極と前記第２の透明電極を囲むように形成された第２の隔壁と、
    前記第１の隔壁、前記第２の隔壁、前記第１の透明電極および前記第２の透明電極上に形成された発光性の有機化合物を含む層と、
    前記発光性の有機化合物を含む層上に形成された半透過電極と、
    前記半透過電極上の第１の有色層および第２の有色層と、
    を具備し、
    第１の発光領域は、少なくとも一部が前記第１の透明電極、前記発光性の有機化合物を含む層、前記半透過電極、および前記第１の有色層と重畳するように形成され、
    第１の非発光領域は、少なくとも一部が前記第１の透明電極、前記第１の隔壁、前記発光性の有機化合物を含む層、および前記第１の有色層と重畳するように形成され、
    前記第１の非発光領域は前記第１の発光領域を囲むように形成され、
    前記第１の透明電極と前記発光性の有機化合物を含む層とを合わせた光学距離は、前記第１の有色層の色の発光を強めるマイクロキャビティの条件に調整され、
    前記第１の隔壁の光学距離は、前記第１の有色層を透過して入射される外光を弱めるべく調整され、
    第２の発光領域は、少なくとも一部が前記第２の透明電極、前記発光性の有機化合物を含む層、前記半透過電極、および前記第２の有色層と重畳するように形成され、
    第２の非発光領域は、少なくとも一部が前記第２の透明電極、前記第２の隔壁、前記発光性の有機化合物を含む層、および前記第２の有色層と重畳するように形成され、
    前記第２の非発光領域は前記第２の発光領域を囲むように形成され、
    前記第２の透明電極と前記発光性の有機化合物を含む層とを合わせた光学距離は、前記第２の有色層の色の発光を強めるマイクロキャビティの条件に調整され、
    前記第２の隔壁の光学距離は、前記第２の有色層を透過して入射される外光を弱めるべく、調整されていることを特徴とする表示装置。
  8. 請求項７において、
    前記第１の隔壁の光学距離は、前記第１の有色層の色の発光波長の１／２波長の倍数になるように調整され、
    前記第２の隔壁の光学距離は、前記第２の有色層の色の発光波長の１／２波長の倍数になるように調整される
    ことを特徴とする表示装置。
  9. 請求項７または８において、
    前記第１の隔壁は第１の絶縁層で構成され、
    前記第１の絶縁層の光学距離は、前記第１の有色層の色の発光波長の１／２波長の倍数になるように調整され、
    前記第２の隔壁は、前記第１の絶縁層と第２の絶縁層からなる積層膜で構成され、
    前記第２の絶縁層の光学距離と前記第１の絶縁層の光学距離との合計が、前記第２の有色層の色の発光波長の１／２波長の倍数になるように調整される
    ことを特徴とする表示装置。
  10. 請求項７乃至９のいずれか一項において、
    前記半透過電極上に形成され、前記第１の有色層と前記第２の有色層との間に形成された遮光部を有する
    ことを特徴とする表示装置。
  11. 請求項１乃至１０のいずれか一項に記載の表示装置を有する電子機器。
  12. 反射電極上に透明電極を形成し、
    前記透明電極上に、前記透明電極および前記反射電極を囲むように隔壁を形成し、
    前記隔壁および前記透明電極上に発光性の有機化合物を含む層を形成し、
    前記発光性の有機化合物を含む層上に半透過電極を形成し、
    前記半透過電極上に有色層を配置する表示装置の製造方法であって、
    発光領域は、少なくとも一部が前記透明電極、前記発光性の有機化合物を含む層、前記半透過電極、および前記有色層と重畳するように形成され、
    非発光領域は、少なくとも一部が前記透明電極、前記隔壁、前記発光性の有機化合物を含む層、および前記有色層と重畳するように形成され、
    前記透明電極と前記発光性の有機化合物を含む層とを合わせた光学距離は、前記有色層の色の発光を強めるマイクロキャビティの条件に調整し、
    前記非発光領域における前記隔壁の光学距離は、前記有色層を透過して入射される外光を弱めるべく、調整することを特徴とする表示装置の製造方法。
  13. 請求項１２において、
    前記非発光領域における前記隔壁の光学距離は、前記有色層の色の発光波長の１／２波長の倍数になるように調整される
    ことを特徴とする表示装置の製造方法。
  14. 反射電極上に透明電極を形成し、
    前記透明電極上に、前記透明電極および前記反射電極を囲むように、屈折率の異なる第１の絶縁層と第２の絶縁層を積層してなる隔壁を形成し、
    前記隔壁および前記透明電極上に発光性の有機化合物を含む層を形成し、
    前記発光性の有機化合物を含む層上に半透過電極を形成し、
    前記半透過電極上に有色層を配置する表示装置の製造方法であって、
    少なくとも一部が前記透明電極、前記発光性の有機化合物を含む層、前記半透過電極、および前記有色層と重畳してなる発光領域を形成し、
    少なくとも一部が前記透明電極、前記隔壁、前記発光性の有機化合物を含む層、および前記有色層と重畳してなる非発光領域を形成し、
    前記非発光領域は、前記発光領域を囲むように形成し、
    前記透明電極と前記発光性の有機化合物を含む層とを合わせた光学距離は、前記有色層の色の発光を強めるマイクロキャビティの条件に調整され、
    前記非発光領域における前記第２の絶縁層の光学距離は、前記有色層を透過して入射される外光を弱めるべく、調整することを特徴とする表示装置の製造方法。
  15. 請求項１４において、
    前記隔壁は、前記第１の絶縁層上に前記第２の絶縁層が積層してなり、
    前記第１の絶縁層の屈折率が前記第２の絶縁層の屈折率より小さい場合、前記第２の絶縁層の光学距離は、前記透明電極の光学距離と前記有色層の色の発光波長の（２Ｎ−１）／４倍（Ｎは自然数）との和になるように調整され、
    前記第１の絶縁層の屈折率が前記第２の絶縁層の屈折率より大きい場合、前記第２の絶縁層の光学距離は、前記透明電極の光学距離と前記有色層の色の発光波長の１／２波長の倍数との和になるように調整される
    ことを特徴とする表示装置の製造方法。
  16. 第１の発光領域および前記第１の発光領域を囲む第１の非発光領域に第１の反射電極を形成し、且つ第２の発光領域および前記第２の発光領域を囲む第２の非発光領域に第２の反射電極を形成し、
    前記第１の反射電極上に第１の透明電極を形成し、且つ前記第２の反射電極上に第２の透明電極を形成し、
    前記第１の透明電極および前記第２の透明電極上に第１の膜厚の隔壁を形成し、
    前記第１の非発光領域の前記隔壁上に第１のフォトレジストを形成し、
    前記第１のフォトレジストをマスクとして前記隔壁をエッチングすることにより、前記第１の非発光領域の前記隔壁を第１の膜厚に維持し、且つ前記第２の非発光領域の前記隔壁を前記第１の膜厚より薄い第２の膜厚に形成し、
    前記第１のフォトレジストを除去し、
    前記第１の非発光領域および前記第２の非発光領域それぞれの前記隔壁上に第２のフォトレジストを形成し、
    前記第２のフォトレジストをマスクとして前記隔壁をエッチングすることにより、前記第１の発光領域および前記第２の発光領域それぞれの前記隔壁を除去し、
    前記第２のフォトレジストを除去し、
    前記隔壁、前記第１の透明電極および前記第２の透明電極上に発光性の有機化合物を含む層を形成し、
    前記発光性の有機化合物を含む層上に半透過電極を形成し、
    前記半透過電極上に第１の有色層および第２の有色層を配置し、
    前記第１の発光領域は、少なくとも一部が前記第１の透明電極、前記発光性の有機化合物を含む層、前記半透過電極、および前記第１の有色層と重畳する領域であり、
    前記第１の非発光領域は、少なくとも一部が前記第１の透明電極、前記隔壁、前記発光性の有機化合物を含む層、および前記第１の有色層と重畳する領域であり、
    前記第１の発光領域における前記第１の透明電極と前記発光性の有機化合物を含む層とを合わせた光学距離は、前記第１の有色層の色の発光を強めるマイクロキャビティの条件に調整され、
    前記第１の非発光領域における前記隔壁の光学距離は、前記第１の有色層を透過して入射される外光を弱めるべく調整され、
    前記第２の発光領域は、少なくとも一部が前記第２の透明電極、前記発光性の有機化合物を含む層、前記半透過電極、および前記第２の有色層と重畳する領域であり、
    前記第２の非発光領域は、少なくとも一部が前記第２の透明電極、前記隔壁、前記発光性の有機化合物を含む層、および前記第２の有色層と重畳する領域であり、
    前記第２の発光領域における前記第２の透明電極と前記発光性の有機化合物を含む層とを合わせた膜厚は、前記第２の有色層の色の発光を強めるマイクロキャビティの条件に調整され、
    前記第２の非発光領域における前記隔壁の光学距離は、前記第２の有色層を透過して入射される外光を弱めるべく調整される
    ことを特徴とする表示装置の製造方法。
  17. 第１の発光領域および前記第１の発光領域を囲む第１の非発光領域に第１の反射電極を形成し、且つ第２の発光領域および前記第２の発光領域を囲む第２の非発光領域に第２の反射電極を形成し、
    前記第１の反射電極上に第１の透明電極を形成し、且つ前記第２の反射電極上に第２の透明電極を形成し、
    前記第１の非発光領域の前記第１の透明電極上および前記第２の非発光領域の前記第２の透明電極上それぞれに第１の絶縁層を形成し、
    前記第２の非発光領域の前記第１の絶縁層上に第２の絶縁層を形成し、
    前記第１の非発光領域の前記第１の絶縁層上、前記第２の非発光領域の前記第２の絶縁層上、前記第１の発光領域の前記第１の透明電極上および前記第２の発光領域の前記第２の透明電極上に発光性の有機化合物を含む層を形成し、
    前記発光性の有機化合物を含む層上に半透過電極を形成し、
    前記半透過電極上に第１の有色層および第２の有色層を配置し、
    前記第１の絶縁層および前記第２の絶縁層は隔壁を構成し、
    前記第１の発光領域は、少なくとも一部が前記第１の透明電極、前記発光性の有機化合物を含む層、前記半透過電極、および前記第１の有色層と重畳する領域であり、
    前記第１の非発光領域は、少なくとも一部が前記第１の透明電極、前記隔壁、前記発光性の有機化合物を含む層、および前記第１の有色層と重畳する領域であり、
    前記第１の発光領域における前記第１の透明電極と前記発光性の有機化合物を含む層とを合わせた光学距離は、前記第１の有色層の色の発光を強めるマイクロキャビティの条件に調整され、
    前記第１の非発光領域における前記隔壁の光学距離は、前記第１の有色層を透過して入射される外光を弱めるべく調整され、
    前記第２の発光領域は、少なくとも一部が前記第２の透明電極、前記発光性の有機化合物を含む層、前記半透過電極、および前記第２の有色層と重畳する領域であり、
    前記第２の非発光領域は、少なくとも一部が前記第２の透明電極、前記隔壁、前記発光性の有機化合物を含む層、および前記第２の有色層と重畳する領域であり、
    前記第２の発光領域における前記第２の透明電極と前記発光性の有機化合物を含む層とを合わせた膜厚は、前記第２の有色層の色の発光を強めるマイクロキャビティの条件に調整され、
    前記第２の非発光領域における前記隔壁の光学距離は、前記第２の有色層を透過して入射される外光を弱めるべく調整される
    ことを特徴とする表示装置の製造方法。
  18. 請求項１６または１７において、
    前記第１の非発光領域における前記隔壁の光学距離は、前記第１の有色層の色の発光波長の１／２波長の倍数になるように調整され、
    前記第２の非発光領域における前記隔壁の光学距離は、前記第２の有色層の色の発光波長の１／２波長の倍数になるように調整される
    ことを特徴とする表示装置の製造方法。
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Families Citing this family (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2015132693A1 (en) 2014-03-07 2015-09-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting element, light-emitting device, electronic device, and lighting device
JP2015187982A (ja) 2014-03-13 2015-10-29 株式会社半導体エネルギー研究所 発光素子、発光装置、電子機器、および照明装置
KR102320578B1 (ko) 2014-04-25 2021-11-02 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광 장치, 전자 기기, 및 조명 장치
US9874775B2 (en) 2014-05-28 2018-01-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device and electronic device
US9269749B2 (en) * 2014-07-07 2016-02-23 Au Optronics Corporation Organic electroluminescence display panel
JP2016072250A (ja) 2014-09-30 2016-05-09 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置、電子機器、及び照明装置
JP2016085969A (ja) 2014-10-24 2016-05-19 株式会社半導体エネルギー研究所 発光素子、発光装置、電子機器、及び照明装置
JP2016085968A (ja) 2014-10-24 2016-05-19 株式会社半導体エネルギー研究所 発光素子、発光装置、電子機器、及び照明装置
CN104466022B (zh) * 2014-12-17 2019-01-18 昆山国显光电有限公司 一种有机发光二极管显示器件及其制备方法
CN104900684B (zh) 2015-06-12 2018-01-30 京东方科技集团股份有限公司 显示基板及其制作方法、显示装置
JP2017026973A (ja) * 2015-07-28 2017-02-02 ソニー株式会社 表示パネル、表示装置、及び、電子機器
US10797113B2 (en) 2016-01-25 2020-10-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting device with layered electrode structures
KR102419770B1 (ko) 2016-05-20 2022-07-13 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광 장치 및 전자 기기
JP2018045973A (ja) * 2016-09-16 2018-03-22 大日本印刷株式会社 有機エレクトロルミネッセンス表示装置用遮蔽基板および有機エレクトロルミネッセンス表示装置
WO2018100458A1 (en) 2016-11-30 2018-06-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and electronic device
JPWO2019220283A1 (ja) 2018-05-18 2021-07-01 株式会社半導体エネルギー研究所 発光素子、発光装置、電子機器および照明装置
FR3085232B1 (fr) * 2018-08-21 2020-07-17 Commissariat A L'energie Atomique Et Aux Energies Alternatives Pixel d’un micro-ecran a diodes electroluminescentes organiques
JP7414730B2 (ja) * 2018-11-20 2024-01-16 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 表示装置および表示装置の製造方法、並びに、電子機器
CN110323357B (zh) * 2019-07-03 2022-04-15 京东方科技集团股份有限公司 有机发光二极管、显示面板及显示装置
US11864420B2 (en) * 2019-08-23 2024-01-02 Boe Technology Group Co., Ltd. Display panel with anode electrode comprising first transparent conductive layer and metal layer, and manufacturing method thereof, and display apparatus
US11980046B2 (en) * 2020-05-27 2024-05-07 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Method for forming an isolation structure having multiple thicknesses to mitigate damage to a display device

Family Cites Families (38)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS60218626A (ja) 1984-04-13 1985-11-01 Sharp Corp カラ−液晶表示装置
JP2846571B2 (ja) 1994-02-25 1999-01-13 出光興産株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子
US5780174A (en) 1995-10-27 1998-07-14 Kabushiki Kaisha Toyota Chuo Kenkyusho Micro-optical resonator type organic electroluminescent device
JP3327558B2 (ja) 1995-11-28 2002-09-24 インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション 有機エレクトロルミネセント・デバイスを改良するために使用される有機／無機合金
JPH10162952A (ja) 1996-11-27 1998-06-19 Sharp Corp 薄膜ｅｌパネル及びその製造方法
US5869929A (en) 1997-02-04 1999-02-09 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Multicolor luminescent device
US6049167A (en) 1997-02-17 2000-04-11 Tdk Corporation Organic electroluminescent display device, and method and system for making the same
JPH1154268A (ja) 1997-08-08 1999-02-26 Sanyo Electric Co Ltd 有機エレクトロルミネッセンスディスプレイ装置
JPH1167444A (ja) 1997-08-27 1999-03-09 Tdk Corp 有機ｅｌ素子
JP3078257B2 (ja) 1998-04-15 2000-08-21 ティーディーケイ株式会社 有機ｅｌ表示装置及びその製造方法
US6160273A (en) 1998-07-15 2000-12-12 Xerox Corporation Diode pumped solid state edge emitting light source
US6140764A (en) 1998-07-20 2000-10-31 Motorola, Inc. Organic electroluminescent apparatus with mircrocavity
JP4001692B2 (ja) 1999-02-18 2007-10-31 パイオニア株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子とその製造方法
US6366025B1 (en) 1999-02-26 2002-04-02 Sanyo Electric Co., Ltd. Electroluminescence display apparatus
US6366017B1 (en) 1999-07-14 2002-04-02 Agilent Technologies, Inc/ Organic light emitting diodes with distributed bragg reflector
GB2353400B (en) 1999-08-20 2004-01-14 Cambridge Display Tech Ltd Mutiple-wavelength light emitting device and electronic apparatus
US6833668B1 (en) 1999-09-29 2004-12-21 Sanyo Electric Co., Ltd. Electroluminescence display device having a desiccant
TW478019B (en) 1999-10-29 2002-03-01 Semiconductor Energy Lab Self light-emitting device
US8957584B2 (en) 1999-10-29 2015-02-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Self light-emitting device
US6680570B2 (en) 2001-03-21 2004-01-20 Agilent Technologies, Inc. Polymer organic light emitting device with improved color control
JP2002289358A (ja) * 2001-03-23 2002-10-04 Ricoh Co Ltd 有機エレクトロルミネッセンス素子
KR100490535B1 (ko) 2001-12-17 2005-05-17 삼성에스디아이 주식회사 유기 전계발광 소자
JP3898163B2 (ja) * 2003-07-02 2007-03-28 株式会社日立製作所 有機発光表示装置
KR20050015902A (ko) 2003-08-14 2005-02-21 엘지전자 주식회사 유기 ｅｌ 소자 및 그 제조방법
JP4476594B2 (ja) 2003-10-17 2010-06-09 淳二 城戸 有機エレクトロルミネッセント素子
JP4243237B2 (ja) 2003-11-10 2009-03-25 淳二 城戸 有機素子、有機ｅｌ素子、有機太陽電池、及び、有機ｆｅｔ構造、並びに、有機素子の製造方法
JP3915806B2 (ja) 2003-11-11 2007-05-16 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置および電子機器
JP4300176B2 (ja) 2003-11-13 2009-07-22 ローム株式会社 有機エレクトロルミネッセント素子
US7129634B2 (en) * 2004-04-07 2006-10-31 Eastman Kodak Company Color OLED with added color gamut pixels
JP4925569B2 (ja) 2004-07-08 2012-04-25 ローム株式会社 有機エレクトロルミネッセント素子
JP4876453B2 (ja) 2005-06-29 2012-02-15 ソニー株式会社 有機発光素子および有機発光装置
US8729795B2 (en) 2005-06-30 2014-05-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device and electronic device
JP2007188653A (ja) * 2006-01-11 2007-07-26 Seiko Epson Corp 発光装置および電子機器
JP4898560B2 (ja) * 2006-06-23 2012-03-14 キヤノン株式会社 有機発光装置
US7888858B2 (en) * 2007-08-21 2011-02-15 Global Oled Technology Llc Light emitting diode device incorporating a white light emitting layer in combination with a plurality of optical microcavities
US8063552B2 (en) * 2007-10-22 2011-11-22 Global Oled Technology Llc LED device having improved light output
US7893612B2 (en) * 2008-02-27 2011-02-22 Global Oled Technology Llc LED device having improved light output
JP5418144B2 (ja) * 2009-10-23 2014-02-19 セイコーエプソン株式会社 発光装置及び電子機器

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