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TW201631756A - 有機發光顯示裝置 - Google Patents

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TW201631756A
TW201631756A TW104143785A TW104143785A TW201631756A TW 201631756 A TW201631756 A TW 201631756A TW 104143785 A TW104143785 A TW 104143785A TW 104143785 A TW104143785 A TW 104143785A TW 201631756 A TW201631756 A TW 201631756A
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鄭知泳
朴正善
房賢聖
李德重
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三星顯示器有限公司
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Abstract

本發明揭示一種有機發光顯示裝置，其具有複數個第一電極、複數個中間層及複數個第二電極，該等第一電極、中間層及第二電極對應於複數個畫素區域。該等第一電極係彼此間隔開，該等第二電極係彼此間隔開，且該等中間層係彼此間隔開。一導電性保護層係形成於該等第二電極之上，且一連接電極層係形成於該導電性保護層之上並電性連接該等第二電極。

Description

有機發光顯示裝置 【優先權聲明】
本申請案主張2015年2月24日在韓國智慧財產局(Korean Intellectual Property Office)提出申請且發明名稱為「有機發光顯示裝置及其製造方法」之第10-2015-0025912號韓國專利申請案之優先權，其揭露全文併於此以供參考。
本文中所述之一或多個實施態樣係關於一種有機發光顯示裝置及一種製造有機發光顯示裝置之方法。
與其他類型之顯示裝置相較，有機發光顯示裝置係輕量且薄的，並具有一寬視角、快速回應速度及降低之功率消耗。為實現全色(full color)顯示，不同顏色之畫素可具有光程(optical length)不同之光諧振結構(light resonance structure)。
根據一或多個實施態樣，有機發光顯示裝置包括： 一基板，包括複數個畫素區域(pixel area)；複數個第一電極，對應於該等畫素區域且彼此分隔開；複數個中間層，對應於該等畫素區域且彼此分隔開；複數個第二電極，對應於該等畫素區域且彼此分隔開；一導電性保護層，位於該等第二電極之上；以及一連接電極層(connection electrode layer)，位於該導電性保護層之上且電性連接該等第二電極。
該連接電極層可被一體成型以覆蓋該等畫素區域。該等第二電極及該連接電極層可包括一半透射式金屬層(transflective metal layer)。該導電性保護層之厚度可大於各該第二電極之厚度及該連接電極層之厚度。該導電性保護層可為一半透明層(translucent layer)。
對應於該等畫素區域之該等中間層及該等第二電極可具有實質上相同之一圖案。對應於該等畫素區域之至少一者之第二電極與連接電極層之間的距離可對應於自該等畫素區域之該至少一者所發射之光的光學諧振距離(optical resonance distance)。對應於該等畫素區域之至少一者之第一電極與第二電極間的距離及對應於該等畫素區域之至少一者之第一電極與連接電極層間的距離之至少一者，可對應於自該等畫素區域之該至少一者所發射之光的光學諧振距離。
該等畫素區域可包括對應於一第一顏色發射光之一第一畫素區域以及對應於一第二顏色發射光之一第二畫素區域，且對應於該第一畫素區域之第二電極之厚度可不同於對應於該第二畫素區域之第二電極之厚度。該導電性保護層可相對於該等第 二電極而一體成型。該顯示裝置可包括一畫素界定層，該畫素界定層位於該等畫素區域之相鄰畫素區域之間，其中該畫素界定層之一頂面之至少一部可直接接觸該導電性保護層。該導電性保護層可具有基於自該等畫素區域之一者所發射之光的光學諧振距離之厚度。
該導電性保護層可具有與該基板之該等畫素區域對應之多個島型圖案。各該島型圖案可實質上對應於該等第二電極之島型圖案。該顯示裝置可包括一畫素界定層，該畫素界定層位於該等畫素區域之相鄰畫素區域之間，其中該畫素界定層之一頂面之至少一部分可直接接觸該連接電極層。
該等畫素區域可包括對應於一第一顏色發射光之一第一畫素區域以及對應於一第二顏色發射光之一第二畫素區域，且對應於該第一畫素區域之該導電性保護層之厚度可不同於對應於該第二畫素區域之該導電性保護層之厚度。該等第一電極可為陽極，且該等第二電極可為陰極。該顯示裝置可包括一保護層，該保護層位於該連接電極層上。各該中間層可包括鄰近該第一電極之一第一中間層及位於該第一中間層上之一發射層。該第一中間層可包括一電洞傳輸層。
根據一或多個其他實施態樣，係提供一種用於製造有機發光顯示裝置之方法，該方法包括：製備包括複數個畫素區域之一基板；圖案化多個第一電極，該等第一電極係彼此分隔開且對應於該基板之該等畫素區域；形成多個中間層及多個第二電極，各該中間層及第二電極皆具有島型圖案，以對應於該基板之 複數個畫素區域而彼此分隔開；形成一導電性保護層覆蓋該等第二電極；以及形成一連接電極層在該導電性保護層上，該連接電極層係與該等畫素區域一體成型、且電性連接該等第二電極。
該等第二電極及該連接電極層可包括一半透射式金屬層。該導電性保護層之厚度可大於各該第二電極之厚度及該連接電極層之厚度。該導電性保護層可為一半透明層。
形成該等中間層及該等第二電極之步驟可包括：形成一遮蔽圖案(masking pattern)在該基板上，該遮蔽圖案具有一開口，該開口暴露出與一第一畫素區域對應之一第一電極，該第一畫素區域對應於一第一顏色發射光；形成一中間層在該基板之一表面上，該表面包括該遮蔽圖案；形成該等第二電極在該中間層上；以及移除該遮蔽圖案，俾使呈該島型圖案之該等中間層及該等第二電極對應於該第一畫素區域而保留。
該導電性保護層可被形成為使該導電性保護層之一部分具有基於自該第一畫素區域所發射之光的光學諧振距離之厚度，該導電性保護層的一部分與用於執行一第一顏色發射光之一第一畫素區域對應。該導電性保護層可相對於該等第二電極而一體成型。該導電性保護層可具有與各該第二電極之該島型圖案實質上對應之一島型圖案。
該等第一電極可為陽極，且該等第二電極可為陰極。各該中間層可包括鄰近該第一電極之一第一中間層及位於該第一中間層上之一發射層。該第一中間層可包括一電洞傳輸層。該方法可包括形成一保護層在該連接電極層上。
100‧‧‧基板
150‧‧‧絕緣層
180‧‧‧畫素界定層
200、200'‧‧‧堆疊結構
210‧‧‧第一電極
220‧‧‧中間層
221‧‧‧第一中間層
222B、222G、222R‧‧‧發射層
223‧‧‧第二中間層
230‧‧‧第二電極
240、240'‧‧‧導電性保護層
250‧‧‧連接電極層
260‧‧‧保護層
II-II‧‧‧截面線
M1‧‧‧第一遮蔽圖案
M2‧‧‧第二遮蔽圖案
M3‧‧‧第三遮蔽圖案
OP‧‧‧開口
P1‧‧‧第一畫素區域/畫素單元
P2‧‧‧第二畫素區域/畫素單元
P3‧‧‧第三畫素區域/畫素單元
PC‧‧‧畫素電路
藉由參照附圖詳細地闡述實例性實施態樣，將使熟習此項技術者明瞭各特徵，在附圖中：第1圖例示有機發光顯示裝置之一實施態樣；第2圖例示沿著第1圖中之截面線II-II之一視圖；第3圖至第13圖例示一種用於製造有機發光顯示裝置之方法之一實施態樣之不同階段；第14圖例示有機發光顯示裝置之另一實施態樣；第15圖例示一有機發光顯示裝置之另一實施態樣；第16圖至第22圖例示用於製造第15圖所示有機發光顯示裝置之方法之一實施態樣中之不同階段；以及第23圖例示有機發光顯示裝置之另一實施態樣。
下文中將參照附圖來更全面地闡述實例性實施態樣；然而，該等實施態樣可實施為不同形式而不應被理解為僅限於本文中所陳述之實施態樣。而是，提供此等實施態樣係為了使本發明透徹及完整，且將向熟習此項技術者全面地傳達實例性實施方案。可組合該等實施態樣以形成額外的實施態樣。
亦將理解，當將一層或元件稱作位於另一層或基板「上」時，該層或元件可直接位於該另一層或基板上，或者亦可存在中間層。此外，將理解，當將一層稱作位於另一層「下方」 時，該層可直接位於另一層下方，且亦可存在一或多個中間層。另外，亦將理解，當將一層稱作位於二個層「之間」時，該層可係位於該二個層之間的僅有層，或者亦可存在一或多個中間層。在通篇中，相似參考編號指代相似元件。
第1圖例示有機發光顯示裝置之一實施態樣，該有機發光顯示裝置包括複數個畫素區域P1、P2及P3。畫素區域P1、P2及P3可被排列為形成一矩陣且發射不同顏色之光。舉例而言，畫素區域P1、P2及P3可分別發射藍色光、綠色光及紅色光。為方便說明，下文將闡述其中第一畫素區域P1發射藍色光、第二畫素區域P2發射綠色光且第三畫素區域P3發射紅色光之一實例。(在另一實施態樣中，只要能實現全色顯示，顯示裝置可發射一不同的顏色組合。此外，另一實施態樣可具有不同數目的畫素區域，例如，可包括發射藍色光、綠色光、紅色光及白色光之四個畫素之一組合。)
在各畫素區域P1、P2及P3中皆存在一經圖案化之堆疊結構(patterned stack structure)200。堆疊結構200可包括一第一電極210、一中間層220及一第二電極230，例如參見第2圖。各堆疊結構200之第二電極230係經由一連接電極層250而電性連接，且具有預定厚度之一導電性保護層240係位於堆疊結構200與連接電極層250之間。
畫素區域P1、P2及P3被排列為形成例如第1圖中所例示之矩陣。根據另一實例性實施態樣，畫素區域P1、P2及P3可被排列為具有各種其他形狀，例如，一波形瓦(pentile)形狀。
第2圖例示第1圖中沿著線II-II截取之一剖視圖。參照第2圖，一畫素電路PC係形成於一基板100上，且一絕緣層150係置於畫素電路PC上。舉例而言，基板100可包括一玻璃材料、一金屬材料、或一塑膠材料(例如聚對酞酸乙二酯(polyethylene terephthalate；PET)、聚萘二甲酸乙二酯(polyethylene naphthalate；PEN)、或聚醯亞胺(polyimide))。根據一實施態樣，相較於基板100係由玻璃材料形成時，當基板100係由塑膠材料或金屬材料形成時，基板100可具有改良之可撓性。例如由SiO2及/或SiNx形成之一緩衝層(buffer layer)可位於基板100上，以防止雜質穿透至基板100中。
畫素電路PC係包括一薄膜電晶體(thin-film transistor；TFT)及一電容器，且可電性連接至各該畫素區域P1、P2及P3上之第一電極210。畫素電路PC之一頂面可由近似平坦之絕緣層150所覆蓋。
各該畫素區域P1、P2及P3中皆存在第一電極210。第一電極210係被圖案化成與各該畫素區域P1、P2及P3對應之一島型。第一電極210係一充當反射電極之陽極電極。第一電極210可為一單一反射金屬層，舉例而言，單一反射金屬層包括銀(Ag)、鋁(Al)、金(Au)、鉑(Pt)、鉻(Cr)、或一含有此等元素之合金。根據一實施態樣，第一電極210可為一雙層或三層，舉例而言，其更包括位於上述單一反射金屬層之一頂部分及/或一底部分上之氧化銦錫(indium tin oxide；ITO)或氧化銦鋅(indium zinc oxide；IZO)。
畫素界定層180係包括與畫素區域P1、P2及P3對應之多個開口OP。第一電極210之一頂面係透過畫素界定層180之開口OP而被暴露。第一電極210之一邊緣可由畫素界定層180所覆蓋。畫素界定層180可包括一由丙烯酸樹脂(acryl resin)形成之有機絕緣層。畫素界定層180可增加第一電極210之端部分與第二電極230之間及/或第一電極210之端部分與連接電極層250之間的距離，藉此用以防止在第一電極210之端部分中產生電弧等。
中間層220係形成於各該畫素區域P1、P2及P3中。中間層220可在各該畫素區域P1、P2及P3中被圖案化為一島型，且可包括依序堆疊之第一中間層221、發射層222B、222G及222R、以及第二中間層223。
第一中間層221可鄰近第一電極210，且可具有一單層或多層結構。舉例而言，當第一中間層221包括一高分子量材料時，第一中間層221可為一具有單層結構之電洞傳輸層(hole transport layer；HTL)，且舉例而言，可包括聚-(3,4)-伸乙基-二羥基噻吩(poly-(3,4)-ethylene-dihydroxy thiophene；PEDOT)或聚苯胺(polyaniline；PANI)。當第一中間層221包括一低分子量材料時，第一中間層221可包括一電洞注入層(hole injection layer；HIL)及HTL。
第一畫素區域P1之發射層222B可對應於一藍色發射光，且被圖案化為一與第一畫素區域P1對應之島型。根據一實施態樣，第一畫素區域P1之發射層222B可包括選自以下所組成群組之一螢光材料：DPVBi、螺旋DPVBi(spiro-DPVBi)、螺旋6P (spiro-6P)、二苯乙烯基苯(distyrylbenzene；DSB)、二苯乙烯基芳香族(distyrylarylene；DSA)、PFO系聚合物(PFO-based polymer)、及PPV系聚合物。根據另一實施態樣，發射層222B可包括一蒽(anthracene)衍生物或一咔唑(carbazole)系化合物作為一寄主材料(host material)，且可包括一磷光體(phosphor)材料作為一摻雜劑材料(dopant material)，該磷光體材料包括F2Irpic、(F2ppy)2Ir(tmd)、或Ir(dfppz)3。
第二畫素區域P2之發射層222G可對應於一綠色發射光，且被圖案化為一與第二畫素區域P2對應之島型。根據一實施態樣，第二畫素區域P2之發射層222G可包括蒽衍生物或咔唑系化合物作為寄主材料，且可包括一磷光體材料作為摻雜劑材料，該磷光體材料包括Ir(ppy)3(面式三(2-苯基吡啶)銥(fac tris(2-phenylpyridine)iridium))。根據另一實施態樣，發射層222G可包括一螢光材料，例如三(8-羥基喹啉)鋁(tris(8-hydroxyquinoline)aluminum；Alq3)。
第三畫素區域P3之發射層222R可對應於一紅色發射光，且被圖案化為一與第三畫素區域P3對應之島型。根據一實施態樣，第三畫素區域P3之發射層222R可包括蒽衍生物或咔唑系化合物作為寄主材料，且可包括一磷光體材料作為摻雜劑材料，該磷光體材料包括選自以下所組成群組之一或多種材料：PIQIr(acac)(雙(1-苯基異喹啉)乙醯丙酮銥(bis(1-phenylisoquinoline)acetylacetonate iridium))、PQIr(acac)(雙(1-苯基喹啉)乙醯丙酮銥(bis(1-phenylquinoline)acetylacetonate iridium))、PQIr(三 (1-苯基喹啉)銥(tris(1-phenylquinoline)iridium))、及PtPEP(八乙基卟啉鉑(octaethylporphyrin platinum))。根據另一實施態樣，發射層222R可包括一螢光材料，例如PED：Eu(DBM)3(Phen)或苝(perylene)。
第二中間層223係對應於各該發射層222B、222G及222R被圖案化以覆蓋各該發射層222B、222G及222R。在一替代實施態樣中，可省略第二中間層223。舉例而言，當第一中間層221以及發射層222B、222G及222R包括高分子量材料時，可省略第二中間層223。當第一中間層221以及發射層222B、222G及222R包括低分子量材料時，可形成第二中間層223，以達成極佳的發光特性。在此情形中，第二中間層223可具有一單層或多層結構，且可包括一電子傳輸層(electron transport layer；ETL)及/或一電子注入層(electron injection layer；EIL)。
第二電極230係形成於各該畫素區域P1、P2及P3中。第二電極230係置於中間層220上，且被圖案化為一與各畫素區域P1、P2及P3對應之島型。第二電極230係一同時具有半透明性及反射性之陰極電極。舉例而言，第二電極230可包括一半透射式金屬層。藉由適當調整半透射式金屬層之厚度，第二電極230可透射或反射自發射層222B、222G及222R所發射之光之一部分。根據一實例性實施態樣，第二電極230可與第一電極210及/或連接電極層250形成一微腔(micro-cavity)結構，以藉此提高有機發光顯示裝置之光效率。
根據一實施態樣，舉例而言，第二電極230可包括Ag 及Mg。舉例而言，第二電極230可由一其中Ag之量高於Mg之量之Ag-Mg合金所形成。根據另一實施態樣，第二電極230可包括選自以下之任一者：鎂(Mg)、銀(Ag)、鋰(Li)、鈉(Na)、鈣(Ca)、鍶(Sr)、及此等元素之一合金。
導電性保護層240可位於第二電極230上。導電性保護層240將在各該畫素區域P1、P2及P3中圖案化之第二電極230電性連接至連接電極層250，且具有半透明性，俾使自發射層222B、222G及222R所發射之光可發射至外部。舉例而言，導電性保護層240可包括一氧化物(例如ITO、IZO、WOx、MoOx、及InOx)或一導電性聚合物(例如PEDOT)，且可被形成為單層或雙層。
導電性保護層240可被一體成型以覆蓋各該畫素區域P1、P2及P3之第二電極230。導電性保護層240可覆蓋一顯示區域。舉例而言，該顯示區域係對應於有機發光顯示裝置可發射光之所有區域，例如，除有機發光顯示裝置中設置一控制器之一邊緣外之所有區域。當有機發光顯示裝置之一整個表面中不存在一不作用區域(dead area)時，有機發光顯示裝置之整個表面即可為顯示區域。
連接電極層250可相對於畫素區域P1、P2及P3而一體成型以覆蓋顯示區域，且電性連接被圖案化為一與畫素區域P1、P2及P3對應之島型之第二電極230。
連接電極層250可同時為半透明及反射的。舉例而言，連接電極層250可包括半透射式金屬層。藉由適當調整半透射式金屬層之厚度，連接電極層250可透射或反射自發射層222B、 222G及222R所發射之光之一部分。連接電極層250可與第一電極210及/或第二電極230形成微腔結構，藉此提高有機發光顯示裝置之光效率。
根據一實施態樣，舉例而言，連接電極層250可包括Ag及Mg。舉例而言，連接電極層250可包括一其中Ag之量高於Mg之量之Ag-Mg合金。根據另一實施態樣，連接電極層250可包括選自以下之任一者：鎂(Mg)、銀(Ag)、鋰(Li)、鈉(Na)、鈣(Ca)、鍶(Sr)、及此等元素之一合金。
中間層220及第二電極230係被圖案化為一與各該畫素區域P1、P2及P3對應之島型，而導電性保護層240及連接電極層250係相對於畫素區域P1、P2及P3而一體成型。因此，在畫素區域P1、P2及P3之間或之中的畫素界定層180之頂面之部分可直接接觸導電性保護層240。
畫素區域P1、P2及P3之至少一者可具有一光學諧振結構，例如，一微腔。
根據一實施態樣，畫素區域P1、P2及P3之一者可具有介於第二電極230與連接電極層250之間(例如，自第二電極230至連接電極層250)的第一光學諧振距離。舉例而言，導電性保護層240可具有與在畫素區域P1、P2及P3之一者中(例如，在第一畫素區域P1中)實現之光的光學諧振距離對應之厚度。
中間層220及第二電極230可在製造期間被獨立地圖案化於各該畫素區域P1、P2及P3中。因此，可獨立地選擇各該畫 素區域P1、P2及P3之中間層220之厚度及第二電極230之厚度，例如，該等厚度可具有不同值。
藉由調整中間層220及/或第二電極230之厚度，各畫素區域P1、P2及P3可具有自第一電極210至第二電極230之第二光學諧振距離及/或自第一電極210至連接電極層250之第三光學諧振距離。
第二電極230及連接電極層250之厚度可具有較導電性保護層240之厚度為小之值。舉例而言，導電性保護層240之厚度可大於第二電極230及連接電極層250之厚度。當由金屬形成之第二電極230及連接電極層250之厚度係大(例如，大於一或多個對應預定值)時，具體而言，當相對於畫素區域P1、P2及P3而一體成型之連接電極層250之厚度係大時，連接電極層250之電阻可減小，半透明性可降低，且因此有機發光顯示裝置之光效率可劣化。然而，根據一實施態樣，導電性保護層240之厚度係相對厚的，且第二電極230及連接電極層250之厚度係相對薄的，藉此在減小電阻之同時提高半透明性。
第3圖至第13圖例示一種用於製造有機發光顯示裝置(例如，第2圖所示者)之方法之一實施態樣之不同階段的剖視圖。
參照第3圖，製備包括畫素區域P1、P2及P3之基板100。一緩衝層係設置在基板100上以防止雜質穿透至基板100中。在緩衝層上形成包括一TFT及一電容器之畫素電路PC。畫素電路PC係形成於各畫素區域P1、P2及P3中，且可具有一由近似平坦之 絕緣層150覆蓋之頂面。
此後，藉由在絕緣層150上形成並圖案化一金屬層而在各該畫素區域P1、P2及P3中形成第一電極210。第一電極210被圖案化為一與各該畫素區域P1、P2及P3對應之島型。第一電極210係一反射電極。根據一實施態樣，第一電極210可為一單一反射金屬層，其包括銀(Ag)、鋁(Al)、金(Au)、鉑(Pt)、鉻(Cr)、或一含有此等元素之合金。根據另一實施態樣，第一電極210可被形成為一雙層或三層，其更包括位於上述單一反射金屬層之一頂部分及/或一底部分上之ITO或IZO。
藉由在其上形成有第一電極210之基板100上形成並圖案化一有機絕緣層來形成畫素界定層180。畫素界定層180包括多個開口OP，該等開口暴露出第一電極210之一頂面之至少一部分。
參照第4圖，形成一第一遮蔽圖案M1，以覆蓋除第一畫素區域P1外之畫素單元(pixels unit)P2及P3。第一遮蔽圖案M1可包括一聚合物材料。在另一實施態樣中，第一遮蔽圖案M1之材料類型可為不同的，只要該材料可在一剝離(lift-off)製程期間良好地溶解於一溶劑中且可減少或最小化對中間層220之影響即可，剝離製程將於之後進行闡述。
參照第5圖，在其上提供有第一遮蔽圖案M1之基板100上依序形成中間層220及第二電極230。中間層220可包括第一中間層221、實現藍色之發射層222B、及第二中間層223。
第一中間層221可為具有單層結構之HTL。根據另一實施態樣，第一中間層221可包括鄰近第一電極210之HIL及置於HIL上之HTL。
發射層222B可包括一螢光材料作為與藍色發射光對應之一材料，該螢光材料包括選自以下所組成群組之一材料：DPVBi、螺旋DPVBi、螺旋6P、二苯乙烯基苯(DSB)、二苯乙烯基芳香族(DSA)、PFO系聚合物、及PPV系聚合物。根據另一實施態樣，發射層222B可包括一蒽衍生物或一咔唑系化合物作為一寄主材料，且可包括一磷光體材料作為一摻雜劑材料，該磷光體材料包括F2Irpic、(F2ppy)2Ir(tmd)、或Ir(dfppz)3。
第二中間層223可包括ETL及/或EIL。當第一中間層221及發射層222B包括一聚合物材料時，可省略第二中間層223。
第二電極230可充當一半透射式金屬層。根據一實施態樣，舉例而言，第二電極230可包括Ag及Mg。舉例而言，第二電極230可包括一其中Ag之量高於Mg之量之Ag-Mg合金。根據另一實施態樣，第二電極230可包括選自以下之任一者：鎂(Mg)、銀(Ag)、鋰(Li)、鈉(Na)、鈣(Ca)、鍶(Sr)、及此等元素之一合金。
根據一實施態樣，第一遮蔽圖案M1之厚度可大於中間層220與第二電極230之厚度和。因此，位於第一畫素區域P1上之中間層220及第二電極230可與位於第一遮蔽圖案M1上之中間層220及第二電極230不連續地形成。
參照第6圖，經由剝離製程移除第一遮蔽圖案M1。當第一遮蔽圖案M1被移除，被圖案化為一島型之中間層220及第二電極230係保留於第一畫素區域P1上。
參照第7圖，形成一第二遮蔽圖案M2，以覆蓋除第二畫素區域P2外之畫素單元P1及P3。第二遮蔽圖案M2可包括一聚合物材料。然而，在另一實施態樣中，第二遮蔽圖案M2之材料類型可為不同的，只要該材料可在剝離製程期間良好地溶解於溶劑中且可減少或最小化對中間層220之影響即可，剝離製程將於之後進行闡述。
參照第8圖，在其上提供有第二遮蔽圖案M2之基板100上依序形成中間層220及第二電極230。中間層220可包括第一中間層221、實現綠色之發射層222G、及第二中間層223。
第一中間層221可形成為具有單層結構之HTL。根據另一實施態樣，第一中間層221可包括鄰近第一電極210之HIL及置於HIL上之HTL。第二中間層223可包括或省略ETL及/或EIL。
發射層222G可包括一蒽衍生物或一咔唑系化合物作為一寄主材料，且可包括一磷光體材料作為一摻雜劑材料，該磷光體材料包括Ir(ppy)3(面式三(2-苯基吡啶)銥)。根據另一實施態樣，發射層222G可包括一螢光材料，例如三(8-羥基喹啉)鋁(Alq3)。
第二電極230可形成為半透射式金屬層。根據一實施態樣，舉例而言，第二電極230可包括Ag及Mg。舉例而言，第二 電極230可包括一其中Ag之量高於Mg之量之Ag-Mg合金。根據另一實施態樣，第二電極230可包括選自以下之任一者：鎂(Mg)、銀(Ag)、鋰(Li)、鈉(Na)、鈣(Ca)、鍶(Sr)、及此等元素之一合金。
根據一實施態樣，第二遮蔽圖案M2之厚度可大於中間層220與第二電極230之厚度和。因此，位於第二畫素區域P2上之中間層220及第二電極230可與位於第二遮蔽圖案M2上之中間層220及第二電極230不連續地形成。
參照第9圖，可經由一剝離製程移除第二遮蔽圖案M2。當第二遮蔽圖案M2被移除，被圖案化為一島型之中間層220及第二電極230係保留於第二畫素區域P2上。
參照第10圖，形成一第三遮蔽圖案M3，以覆蓋除第三畫素區域P3外之畫素單元P1及P2。第三遮蔽圖案M3可包括一聚合物材料。然而，在另一實施態樣中，第三遮蔽圖案M3之材料類型可為不同的，只要該材料可在剝離製程期間良好地溶解於溶劑中且可減少或最小化對中間層220之影響即可，剝離製程將於之後進行闡述。
參照第11圖，在其上提供有第三遮蔽圖案M3之基板100上依序形成中間層220及第二電極230。中間層220可包括第一中間層221、實現紅色之發射層222R、及第二中間層223。
第一中間層221可形成為具有單層結構之HTL。根據另一實施態樣，第一中間層221可包括鄰近第一電極210之HIL及置 於HIL上之HTL。第二中間層223可包括或省略ETL及/或EIL。
發射層222R可包括蒽衍生物或咔唑系化合物作為寄主材料，且可包括一磷光體材料作為一摻雜劑材料，該磷光體材料包括選自以下所組成群組之一或多種材料：PIQIr(acac)(雙(1-苯基異喹啉)乙醯丙酮銥)、PQIr(acac)(雙(1-苯基喹啉)乙醯丙酮銥)、PQIr(三(1-苯基喹啉)銥)、及PtPEP(八乙基卟啉鉑)。根據另一實施態樣，發射層222R可包括一螢光材料，例如PED：Eu(DBM)3(Phen)或苝。
第二電極230可形成為半透射式金屬層。根據某些實施態樣，舉例而言，第二電極230可包括Ag及Mg。舉例而言，第二電極230可包括一其中Ag之量高於Mg之量之Ag-Mg合金。根據另一實施態樣，第二電極230可包括選自以下之任一者：鎂(Mg)、銀(Ag)、鋰(Li)、鈉(Na)、鈣(Ca)、鍶(Sr)、及此等元素之一合金。
根據一實施態樣，第三遮蔽圖案M3之厚度可大於中間層220與第二電極230之厚度和。因此，形成於第三畫素區域P3上之中間層220及第二電極230可與形成於第三遮蔽圖案M3上之中間層220及第二電極230不連續地形成。
參照第12圖，經由剝離製程移除第三遮蔽圖案M3。當第三遮蔽圖案M3被移除，被圖案化為一島型之中間層220及第二電極230係保留於第三畫素區域P3上。
參照第13圖，於在各該畫素區域P1、P2及P3中被圖 案化為一島型之中間層220及第二電極230上形成導電性保護層240及連接電極層250，導電性保護層240及連接電極層250係被一體成型以覆蓋畫素區域P1、P2及P3。
導電性保護層240包括一半透明材料，俾使自發射層222B、222G及222R所發射之光可行進。舉例而言，導電性保護層240可包括一氧化物(例如ITO、IZO、WOx、MoOx、及InOx)或一導電性聚合物(例如PEDOT)。
連接電極層250可形成為半透射式金屬層。根據一實施態樣，舉例而言，連接電極層250可包括Ag及Mg。舉例而言，連接電極層250可包括一其中Ag之量高於Mg之量之Ag-Mg合金。根據另一實施態樣，連接電極層250可包括選自以下之任一者：鎂(Mg)、銀(Ag)、鋰(Li)、鈉(Na)、鈣(Ca)、鍶(Sr)、及此等元素之一合金。
第二電極230及連接電極層250之厚度可小於導電性保護層240之厚度。
導電性保護層240可具有與畫素區域P1、P2及P3之一者之光學諧振距離對應之厚度。根據一實施態樣，導電性保護層240可具有與藍色光之光學諧振距離對應之厚度，且因此，可在第一畫素區域P1之第二電極230與連接電極層250之間形成一微腔。
如參照第4圖至第12圖所述，各該畫素區域P1、P2及P3之中間層220及第二電極230係經由單獨製程而形成。因此，可獨立地形成各該畫素區域P1、P2及P3之中間層220及第二電極 230之厚度。在各該畫素區域P1、P2及P3中不同地形成中間層220及/或第二電極230之厚度。因此，可在各該畫素區域P1、P2及P3中形成與將在對應畫素區域中實現之顏色對應之光學諧振距離。
根據一非限制性實施態樣，藉由控制導電性保護層240之厚度，實現具有相對低效率之藍色之第一畫素區域P1可具有介於第二電極230與連接電極層250之間的第一光學諧振距離，且藉由控制中間層220及/或第二電極230之厚度，第一畫素區域P1可具有分別形成於第一電極210與第二電極230之間及第一電極210與連接電極層250之間的第二光學諧振距離及第三光學諧振距離。藉由控制第二畫素區域P2及第三畫素區域P3之各者之中間層220及/或第二電極230之厚度，第二畫素區域P2及第三畫素區域P3可具有分別介於第一電極210與第二電極230之間及介於第一電極210與連接電極層250之間的光學諧振距離。
第14圖例示一有機發光顯示裝置之另一實施態樣之一剖視圖。參照第14圖，有機發光顯示裝置可包括位於連接電極層250上之一保護層260。當在有機發光顯示裝置之一製造製程期間將形成為一半透射式金屬層之連接電極層250暴露於氧時，連接電極層250之半透明性可因連接電極層250被氧化而劣化。為防止此種情形，有機發光顯示裝置可包括保護層260，其可包括具有半透明性之有機材料及/或無機材料。
第15圖例示一有機發光顯示裝置之另一實施態樣之一剖視圖。參照第15圖，一導電性保護層240'可被圖案化為一與各該畫素區域P1、P2及P3對應之島型。導電性保護層240'可與中間 層220及第二電極230一起被圖案化，俾使中間層220、第二電極230及導電性保護層240'可具有實質上相同之一圖案。因此，在各該畫素區域P1、P2及P3中皆置有一包括第一電極210、中間層220、第二電極230及導電性保護層240'之堆疊結構200'。
中間層220、第二電極230及導電性保護層240'係被圖案化為與各該畫素區域P1、P2及P3對應之島型。連接電極層250係相對於畫素區域P1、P2及P3而一體成型。因此，在畫素區域P1、P2及P3之間或之中的畫素界定層180之一頂面之部分可直接接觸連接電極層250。
在參照第2圖所述之有機發光顯示裝置中，導電性保護層240係相對於畫素區域P1、P2及P3而一體成型。因此，可鑒於自畫素區域P1、P2及P3之一者所發射之光來確定藉由調整導電性保護層240之厚度而在第二電極230與連接電極層250之間形成之第一光學諧振距離。
然而，根據有機發光顯示裝置之一或多個實施態樣，導電性保護層240'係被圖案化於各該畫素區域P1、P2及P3中。因此，可在各該畫素區域P1、P2及P3中獨立地控制導電性保護層240'之厚度。因此，藉由調整對應於一對應畫素而圖案化之導電性保護層240'之厚度，各該畫素區域P1、P2及P3可設定自第二電極230至連接電極層250之光學諧振距離。
第16圖至第22圖例示一種用於製造第15圖所示有機發光顯示裝置之方法之一實施態樣之不同階段的剖視圖。
參照第16圖，在其中形成有畫素電路PC及第一電極210之基板100上形成第一遮蔽圖案M1。第一遮蔽圖案M1係覆蓋除第一畫素區域P1外之畫素區域P2及P3。
在其上形成有第一遮蔽圖案M1之基板100上依序形成中間層220、第二電極230及導電性保護層240'。中間層220可包括第一中間層221、發射藍色光之發射層222B、及第二中間層223。中間層220、第二電極230及導電性保護層240'之詳細組態可與上述相同。
根據一實施態樣，第一遮蔽圖案M1之厚度可大於中間層220、第二電極230及導電性保護層240'之厚度和。因此，位於第一畫素區域P1上之中間層220、第二電極230及導電性保護層240'可與形成於第一遮蔽圖案M1上之中間層220、第二電極230及導電性保護層240'不連續地形成。
參照第17圖，經由一剝離製程移除第一遮蔽圖案M1。當第一遮蔽圖案M1被移除，被圖案化為一島型之中間層220、第二電極230及導電性保護層240'係保留於第一畫素區域P1上。
參照第18圖，形成第二遮蔽圖案M2，以覆蓋除第二畫素區域P2外之畫素區域P1及P3。此後，在其上形成有第二遮蔽圖案M2之基板100上依序形成中間層220、第二電極230及導電性保護層240'。中間層220可包括第一中間層221、實現綠色之發射層222G、及第二中間層223。中間層220、第二電極230及導電性保護層240'之詳細組態可與前文所描述者相同。
根據一實施態樣，第二遮蔽圖案M2之厚度可大於中間層220、第二電極230及導電性保護層240'之厚度和。因此，位於第二畫素區域P2上之中間層220、第二電極230及導電性保護層240'可與形成於第二遮蔽圖案M2上之中間層220、第二電極230及導電性保護層240'不連續地形成。
參照第19圖，經由剝離製程移除第二遮蔽圖案M2。當第二遮蔽圖案M2被移除，被圖案化為一島型之中間層220、第二電極230及導電性保護層240'係保留於第二畫素區域P2上。
參照第20圖，形成第三遮蔽圖案M3，以覆蓋除第三畫素區域P3外之畫素區域P1及P2。此後，在其上形成有第三遮蔽圖案M3之基板100上依序形成中間層220、第二電極230及導電性保護層240'。中間層220可包括第一中間層221、實現紅色之發射層222R、及第二中間層223。中間層220、第二電極230及導電性保護層240'之詳細組態可與前文所描述者相同。
根據一實施態樣，第三遮蔽圖案M3之厚度可大於中間層220、第二電極230及導電性保護層240'之厚度和。因此，位於第三畫素區域P3上之中間層220、第二電極230及導電性保護層240'可與形成於第三遮蔽圖案M3上之中間層220、第二電極230及導電性保護層240'不連續地形成。
參照第21圖，經由剝離製程移除第三遮蔽圖案M3。當第三遮蔽圖案M3被移除，被圖案化成島型之中間層220、第二電極230及導電性保護層240'係保留於第三畫素區域P3上。
根據參照第16圖至第21圖所述之製程，第二電極230係在導電性保護層240'形成於其上時被圖案化，藉此有效地防止因形成為一半透射式金屬層之第二電極230在執行剝離之一製程、或其他製程期間被暴露於氧且被氧化而使透射率劣化。
因在各該畫素區域P1、P2及P3中皆圖案化中間層220、第二電極230及導電性保護層240'，故根據本實施態樣之有機發光顯示裝置可個別地設定各該畫素區域P1、P2及P3中之各種諧振距離。舉例而言，各該畫素區域P1、P2及P3可獨立地設定中間層220、第二電極230及導電性保護層240'之厚度。舉例而言，各該畫素區域P1、P2及P3可包括以下之至少一者：自第二電極230至連接電極層250之第一光學諧振距離、自第一電極210至第二電極230之第二光學諧振距離、及自第一電極210至連接電極層250之第三光學諧振距離。
第23圖例示一有機發光顯示裝置之另一實施態樣之一剖視圖。參照第23圖，該有機發光顯示裝置可包括形成於連接電極層250上之保護層260。當在有機發光顯示裝置之一製造製程期間將形成為一半透射式金屬層之連接電極層250暴露於氧時，連接電極層250之半透明性可因連接電極層250被氧化而劣化。為防止此種情形，有機發光顯示裝置可包括保護層260，其包括具有半透明性之有機材料及/或無機材料。
如上所述，根據以上實例性實施態樣之一或多者之有機發光顯示裝置及製造有機發光顯示裝置之方法，可提高光效率。
本文中已揭示實例性實施態樣，且雖然採用了特定術語，但該等術語應僅以一般且說明性意義而非出於限制目的來加以使用及解釋。在某些例子中，如熟習此項技術者自本申請案提交時起即明瞭，除非另外指明，否則結合一特定實施態樣所述之特徵、特性、及/或元件可被單獨使用，或者可與結合其他實施態樣所述之特徵、特性、及/或元件組合使用。因此，熟習此項技術者將理解，可在形式及細節上作出各種改變，此並不背離以下申請專利範圍中所陳述之本發明精神及範圍。
100‧‧‧基板
150‧‧‧絕緣層
180‧‧‧畫素界定層
200‧‧‧堆疊結構
210‧‧‧第一電極
220‧‧‧中間層
221‧‧‧第一中間層
222B‧‧‧發射層
222G‧‧‧發射層
222R‧‧‧發射層
223‧‧‧第二中間層
230‧‧‧第二電極
240‧‧‧導電性保護層
250‧‧‧連接電極層
OP‧‧‧開口
P1‧‧‧第一畫素區域/畫素單元
P2‧‧‧第二畫素區域/畫素單元
P3‧‧‧第三畫素區域/畫素單元
PC‧‧‧畫素電路

Claims (20)

  1. 一種有機發光顯示裝置，包含：一基板，包括複數個畫素區域(pixel area)；複數個第一電極，對應於該等畫素區域且彼此分隔開；複數個中間層，對應於該等畫素區域且彼此分隔開；複數個第二電極，對應於該等畫素區域且彼此分隔開；一導電性保護層，位於該等第二電極之上；以及一連接電極層(connection electrode layer)，位於該導電性保護層之上且電性連接該等第二電極。
  2. 如請求項1所述之顯示裝置，其中該連接電極層被一體成型以覆蓋該等畫素區域。
  3. 如請求項1所述之顯示裝置，其中該等第二電極及該連接電極層包括一半透射式金屬層(transflective metal layer)。
  4. 如請求項1所述之顯示裝置，其中該導電性保護層之厚度係大於各該第二電極之厚度及該連接電極層之厚度。
  5. 如請求項1所述之顯示裝置，其中該導電性保護層係一半透明層(translucent layer)。
  6. 如請求項1所述之顯示裝置，其中對應於該等畫素區域之該等中間層及該等第二電極具有實質上相同之一圖案。
  7. 如請求項1所述之顯示裝置，其中對應於該等畫素區域之至少一者之第二電極與連接電極層之間的距離係對應於自該等畫素區域之該至少一者所發射之光的光學諧振距離(optical resonance distance)。
  8. 如請求項1所述之顯示裝置，其中對應於該等畫素區域之至少一者之第一電極與第二電極間的距離及對應於該等畫素區域之至少一者之第一電極與連接電極層間的距離之至少一者係對應於自該等畫素區域之該至少一者所發射之光的光學諧振距離。
  9. 如請求項1所述之顯示裝置，其中：該等畫素區域包括對應於一第一顏色發射光之一第一畫素區域以及對應於一第二顏色發射光之一第二畫素區域，以及對應於該第一畫素區域之第二電極之厚度係不同於對應於該第二畫素區域之第二電極之厚度。
  10. 如請求項1所述之顯示裝置，其中該導電性保護層係相對於該等第二電極而一體成型。
  11. 如請求項10所述之顯示裝置，更包含：一畫素界定層，位於該等畫素區域之相鄰畫素區域之間，其中該畫素界定層之一頂面之至少一部分係直接接觸該導電性保護層。
  12. 如請求項10所述之顯示裝置，其中該導電性保護層具有基於自該等畫素區域之一者所發射之光的光學諧振距離之厚度。
  13. 如請求項1所述之顯示裝置，其中該導電性保護層具有與該基板之該等畫素區域對應之多個島型圖案。
  14. 如請求項13所述之顯示裝置，其中各該島型圖案係實質上對應 於該等第二電極之島型圖案。
  15. 如請求項13所述之顯示裝置，更包含：一畫素界定層，位於該等畫素區域之相鄰畫素區域之間，其中該畫素界定層之一頂面之至少一部分係直接接觸該連接電極層。
  16. 如請求項13所述之顯示裝置，其中：該等畫素區域包括對應於一第一顏色發射光之一第一畫素區域以及對應於一第二顏色發射光之一第二畫素區域，以及對應於該第一畫素區域之該導電性保護層之厚度係不同於對應於該第二畫素區域之該導電性保護層之厚度。
  17. 如請求項1所述之顯示裝置，其中該等第一電極係陽極，且該等第二電極係陰極。
  18. 如請求項1所述之顯示裝置，更包含：一保護層，位於該連接電極層上。
  19. 如請求項1所述之顯示裝置，其中各該中間層包括鄰近該第一電極之一第一中間層及位於該第一中間層上之一發射層。
  20. 如請求項19所述之顯示裝置，其中該第一中間層包括一電洞傳輸層。
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