KR102320578B1 - 발광 장치, 전자 기기, 및 조명 장치 - Google Patents
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Abstract
신규의 발광 장치를 제공한다. 또는 생산성이 높고, 소비 전력이 저감된 신규의 발광 장치를 제공한다.
제1 화소 내지 제3 화소를 갖고, 제1 화소는, 제1 발광 소자와 제1 광학 소자를 갖고, 제2 화소는, 제2 발광 소자와 제2 광학 소자를 갖고, 제3 화소는 제3 발광 소자를 갖고, 제1 발광 소자 내지 제3 발광 소자에 있어서, 제1 발광층 또는 제2 발광층을 공통으로 사용한다. 또한, 제1 발광층은, 540nm 이상 580nm 이하의 범위에 스펙트럼 피크를 갖는 제1 발광 재료를 갖고, 제2 발광층은, 420nm 이상 480nm 이하의 범위에 스펙트럼 피크를 갖는 제2 발광 재료를 갖는다.
제1 화소 내지 제3 화소를 갖고, 제1 화소는, 제1 발광 소자와 제1 광학 소자를 갖고, 제2 화소는, 제2 발광 소자와 제2 광학 소자를 갖고, 제3 화소는 제3 발광 소자를 갖고, 제1 발광 소자 내지 제3 발광 소자에 있어서, 제1 발광층 또는 제2 발광층을 공통으로 사용한다. 또한, 제1 발광층은, 540nm 이상 580nm 이하의 범위에 스펙트럼 피크를 갖는 제1 발광 재료를 갖고, 제2 발광층은, 420nm 이상 480nm 이하의 범위에 스펙트럼 피크를 갖는 제2 발광 재료를 갖는다.
Description
본 발명의 일 형태는, 전계를 가함으로써 발광이 얻어지는 발광층을 한 쌍의 전극 사이에 끼워서 이루어지는 발광 소자를 갖는 발광 장치, 전자 기기, 및 조명 장치에 관한 것이다.
또한, 본 발명의 일 형태는, 상기의 기술분야에 한정되지 않는다. 본 명세서 등에서 개시하는 발명의 일 형태의 기술분야는, 물, 방법, 또는, 제조 방법에 관한 것이다. 또는, 본 발명의 일 형태는, 프로세스(process), 기계(machine), 제품(manufacture), 또는 조성물(composition of matter)에 관한 것이다. 그 때문에, 보다 구체적으로 본 명세서에서 개시하는 본 발명의 일 형태의 기술분야로서는, 반도체 장치, 표시 장치, 액정 표시 장치, 발광 장치, 조명 장치, 축전 장치, 기억 장치, 그들의 구동 방법, 또는, 그들의 제조 방법을 일례로서 들 수 있다.
박형 경량, 고속 응답성, 직류 저전압 구동 등의 특징을 갖는 유기 화합물을 발광층으로서 사용한 발광 소자는, 차세대의 플랫 패널 디스플레이에의 응용이 기대되고 있다. 특히, 발광 소자(예를 들어, 유기 EL 소자)를 매트릭스 형상으로 배치한 발광 장치는, 종래의 액정 표시 장치와 비교하여 시야각이 넓고 시인성이 우수한 점에 우위성이 있다고 여겨지고 있다.
유기 EL 소자는 전극 사이에 발광층을 끼워서 전압을 인가함으로써, 전극으로부터 주입된 전자 및 홀이 재결합하여 유기 화합물인 발광 물질이 여기 상태가 되고, 그 여기 상태가 기저 상태로 복귀될 때에 발광한다. 발광 물질이 발하는 광의 스펙트럼은 그 발광 물질 특유의 것이고, 상이한 종류의 유기 화합물을 발광 물질로서 사용함으로써, 여러가지 색의 발광을 나타내는 발광 소자를 얻을 수 있다.
화상을 표시하는 것을 염두에 둔 발광 장치의 경우, 풀컬러의 영상을 재현하기 위해서는, 적어도 적, 녹, 청의 3색의 광을 얻을 필요가 있다. 또한, 색의 재현성을 양호한 것으로 하여 화질을 높이기 위해서, 마이크로 캐비티 구조, 또는 컬러 필터를 사용함으로써 발광의 색순도를 높이는 고안도 이루어진다.
또한, 풀컬러화의 방법의 하나로서, 예를 들어, 발광층을 화소마다 구분 도포하는 방법이 있다. 그 발광층은, 섀도우 마스크를 사용하여 필요한 화소에만 증착된다. 이 경우, 공정을 줄여서 비용을 삭감하기 위해서, 발광층 이외의 층, 예를 들어, 정공 수송층, 전자 수송층, 및 음극을 복수의 화소에서 공통으로 형성하는 구성이 개시되어 있다(예를 들어, 특허문헌 1 참조).
특허문헌 1에 기재된 구성의 경우, 화소마다 발광층을 구분 도포할 필요가 있어, 섀도우 마스크의 개구부를 원하는 위치에 배치(얼라인먼트라고도 함)하는 정밀도가 높게 요구된다. 발광 장치의 고정밀화가 진행하는 경우에, 더욱 높은 얼라인먼트 정밀도가 요구되기 때문에, 발광 장치의 제작에 있어서의 수율이 저하된다고 하는 과제가 있다.
또한, 백색의 발광을 나타내는 발광 소자와, 그 발광 소자에 중첩되어 설치된 컬러 필터 또는 색변환층을 사용하여 풀컬러화할 경우, 컬러 필터 또는 색변환층에 의한 에너지 손실이 있다. 그 에너지 손실을 보충하기 위해서, 발광 소자의 전류 밀도를 높여서 구동시키면 소비 전력이 높아지거나, 또는 발광 소자의 신뢰성이 저하되어버린다.
상술한 과제를 감안하여, 본 발명의 일 형태에서는, 신규의 발광 장치를 제공하는 것을 과제의 하나로 한다. 또는 생산성이 높고, 소비 전력이 저감된 신규의 발광 장치를 제공하는 것을 과제의 하나로 한다. 또는 신규의 발광 장치의 제작 방법을 제공하는 것을 과제의 하나로 한다.
또한, 상기의 과제의 기재는 다른 과제의 존재를 방해하는 것이 아니다. 또한, 본 발명의 일 형태는, 반드시 이들 과제의 전부를 해결할 필요는 없다. 상기 이외의 과제는, 명세서 등의 기재로부터 저절로 밝혀질 것이며, 명세서 등의 기재로부터 상기 이외의 과제를 추출하는 것이 가능하다.
본 발명의 일 형태는, 제1 화소 내지 제3 화소를 갖고, 제1 화소는, 제1 발광 소자와 제1 광학 소자를 갖고, 제2 화소는, 제2 발광 소자와 제2 광학 소자를 갖고, 제3 화소는 제3 발광 소자를 갖고, 제1 발광 소자 내지 제3 발광 소자에 있어서, 제1 발광층 또는 제2 발광층을 공통으로 사용한다. 또한, 제1 발광층은, 540nm 이상 580nm 이하의 범위에 스펙트럼 피크를 갖는 제1 발광 재료를 갖고, 제2 발광층은, 420nm 이상 480nm 이하의 범위에 스펙트럼 피크를 갖는 제2 발광 재료를 갖는 발광 장치이다. 보다 상세하게는 이하와 같다.
본 발명의 일 형태는, 복수의 광을 발하는 발광 장치로서, 발광 장치는, 제1 색을 나타내는 광을 발할 수 있는 기능을 갖는 제1 화소와, 제2 색을 나타내는 광을 발할 수 있는 기능을 갖는 제2 화소와, 제3 색을 나타내는 광을 발할 수 있는 기능을 갖는 제3 화소를 갖고, 제1 화소는, 제1 발광 소자와 제1 광학 소자를 갖고, 제1 발광 소자와 제1 광학 소자는 서로 중첩되는 영역을 갖고, 제2 화소는, 제2 발광 소자와 제2 광학 소자를 갖고, 제2 발광 소자와 제2 광학 소자는 서로 중첩되는 영역을 갖고, 제3 화소는 제3 발광 소자를 갖고, 제1 발광 소자는, 제1 전극과, 제1 전극 위의 제1 발광층과, 제1 발광층 위의 제2 발광층과, 제2 발광층 위의 제2 전극을 갖고, 제2 발광 소자는, 제3 전극과, 제3 전극 위의 제1 발광층과, 제1 발광층 위의 제2 발광층과, 제2 발광층 위의 제2 전극을 갖고, 제3 발광 소자는, 제4 전극과, 제4 전극 위의 제2 발광층과, 제2 발광층 위의 제2 전극을 갖고, 제1 발광층은, 540nm 이상 580nm 이하의 범위에 스펙트럼 피크를 갖는 제1 발광 재료를 갖고, 제2 발광층은, 420nm 이상 480nm 이하의 범위에 스펙트럼 피크를 갖는 제2 발광 재료를 갖는 것을 특징으로 하는 발광 장치이다.
또한, 본 발명의 다른 일 형태는, 복수의 광을 발하는 발광 장치로서, 발광 장치는, 제1 색을 나타내는 광을 발할 수 있는 기능을 갖는 제1 화소와, 제2 색을 나타내는 광을 발할 수 있는 기능을 갖는 제2 화소와, 제3 색을 나타내는 광을 발할 수 있는 기능을 갖는 제3 화소를 갖고, 제1 화소는, 제1 발광 소자와 제1 광학 소자를 갖고, 제1 발광 소자와 제1 광학 소자는 서로 중첩되는 영역을 갖고, 제2 화소는, 제2 발광 소자와 제2 광학 소자를 갖고, 제2 발광 소자와 제2 광학 소자는 서로 중첩되는 영역을 갖고, 제3 화소는 제3 발광 소자를 갖고, 제1 발광 소자는, 제1 전극과, 제1 전극 위의 제1 투명 도전막과, 제1 투명 도전막 위의 제1 발광층과, 제1 발광층 위의 제2 발광층과, 제2 발광층 위의 제2 전극을 갖고, 제2 발광 소자는, 제3 전극과, 제3 전극 위의 제2 투명 도전막과, 제2 투명 도전막 위의 제1 발광층과, 제1 발광층 위의 제2 발광층과, 제2 발광층 위의 제2 전극을 갖고, 제3 발광 소자는, 제4 전극과, 제4 전극 위의 제3 투명 도전막과, 제3 투명 도전막 위의 제2 발광층과, 제2 발광층 위의 제2 전극을 갖고, 제1 발광층은, 540nm 이상 580nm 이하의 범위에 스펙트럼 피크를 갖는 제1 발광 재료를 갖고, 제2 발광층은, 420nm 이상 480nm 이하의 범위에 스펙트럼 피크를 갖는 제2 발광 재료를 갖는 것을 특징으로 하는 발광 장치이다.
또한, 상기 구성에 있어서, 제1 투명 도전막은 제1 영역을 갖고, 제1 영역은 제1 두께를 갖고, 제2 투명 도전막은 제2 영역을 갖고, 제2 영역은 제2 두께를 갖고, 제3 투명 도전막은 제3 영역을 갖고, 제3 영역은 제3 두께를 갖고, 제1 두께는 제2 두께보다도 두껍고, 제2 두께는 제3 두께보다도 두꺼우면 바람직하다.
또한, 본 발명의 다른 일 형태는, 복수의 광을 발하는 발광 장치로서, 발광 장치는, 제1 색을 나타내는 광을 발할 수 있는 기능을 갖는 제1 화소와, 제2 색을 나타내는 광을 발할 수 있는 기능을 갖는 제2 화소와, 제3 색을 나타내는 광을 발할 수 있는 기능을 갖는 제3 화소와, 제4 색을 나타내는 광을 발할 수 있는 기능을 갖는 제4 화소를 갖고, 제1 화소는, 제1 발광 소자와 제1 광학 소자를 갖고, 제1 발광 소자와 제1 광학 소자는 서로 중첩되는 영역을 갖고, 제2 화소는, 제2 발광 소자와 제2 광학 소자를 갖고, 제2 발광 소자와 제2 광학 소자는 서로 중첩되는 영역을 갖고, 제3 화소는 제3 발광 소자를 갖고, 제4 화소는 제4 발광 소자를 갖고, 제1 발광 소자는, 제1 전극과, 제1 전극 위의 제1 발광층과, 제1 발광층 위의 제2 발광층과, 제2 발광층 위의 제2 전극을 갖고, 제2 발광 소자는, 제3 전극과, 제3 전극 위의 제1 발광층과, 제1 발광층 위의 제2 발광층과, 제2 발광층 위의 제2 전극을 갖고, 제3 발광 소자는, 제4 전극과, 제4 전극 위의 제2 발광층과, 제2 발광층 위의 제2 전극을 갖고, 제4 발광 소자는, 제5 전극과, 제5 전극 위의 제1 발광층과, 제1 발광층 위의 제2 발광층과, 제2 발광층 위의 제2 전극을 갖고, 제1 발광층은, 540nm 이상 580nm 이하의 범위에 스펙트럼 피크를 갖는 제1 발광 재료를 갖고, 제2 발광층은, 420nm 이상 480nm 이하의 범위에 스펙트럼 피크를 갖는 제2 발광 재료를 갖는 것을 특징으로 하는 발광 장치이다.
또한, 본 발명의 다른 일 형태는, 복수의 광을 발하는 발광 장치로서, 발광 장치는, 제1 색을 나타내는 광을 발할 수 있는 기능을 갖는 제1 화소와, 제2 색을 나타내는 광을 발할 수 있는 기능을 갖는 제2 화소와, 제3 색을 나타내는 광을 발할 수 있는 기능을 갖는 제3 화소와, 제4 색을 나타내는 광을 발할 수 있는 기능을 갖는 제4 화소를 갖고, 제1 화소는, 제1 발광 소자와 제1 광학 소자를 갖고, 제1 발광 소자와 제1 광학 소자는 서로 중첩되는 영역을 갖고, 제2 화소는, 제2 발광 소자와 제2 광학 소자를 갖고, 제2 발광 소자와 제2 광학 소자는 서로 중첩되는 영역을 갖고, 제3 화소는 제3 발광 소자를 갖고, 제4 화소는 제4 발광 소자를 갖고, 제1 발광 소자는, 제1 전극과, 제1 전극 위의 제1 투명 도전막과, 제1 투명 도전막 위의 제1 발광층과, 제1 발광층 위의 제2 발광층과, 제2 발광층 위의 제2 전극을 갖고, 제2 발광 소자는, 제3 전극과, 제3 전극 위의 제2 투명 도전막과, 제2 투명 도전막 위의 제1 발광층과, 제1 발광층 위의 제2 발광층과, 제2 발광층 위의 제2 전극을 갖고, 제3 발광 소자는, 제4 전극과, 제4 전극 위의 제3 투명 도전막과, 제3 투명 도전막 위의 제2 발광층과, 제2 발광층 위의 제2 전극을 갖고, 제4 발광 소자는, 제5 전극과, 제5 전극 위의 제4 투명 도전막과, 제4 투명 도전막 위의 제2 발광층과, 제2 발광층 위의 제2 전극을 갖고, 제1 발광층은, 540nm 이상 580nm 이하의 범위에 스펙트럼 피크를 갖는 제1 발광 재료를 갖고, 제2 발광층은, 420nm 이상 480nm 이하의 범위에 스펙트럼 피크를 갖는 제2 발광 재료를 갖는 것을 특징으로 하는 발광 장치이다.
또한, 상기 구성에 있어서, 제1 투명 도전막은 제1 영역을 갖고, 제1 영역은 제1 두께를 갖고, 제2 투명 도전막은 제2 영역을 갖고, 제2 영역은 제2 두께를 갖고, 제3 투명 도전막은 제3 영역을 갖고, 제3 영역은 제3 두께를 갖고, 제4 투명 도전막은 제4 영역을 갖고, 제4 영역은 제4 두께를 갖고, 제1 두께는 제4 두께보다도 두껍고, 제4 두께는 제2 두께보다도 두껍고, 제2 두께는 제3 두께보다도 두꺼우면 바람직하다.
또한, 본 발명의 다른 일 형태는, 복수의 광을 발하는 발광 장치로서, 발광 장치는, 제1 색을 나타내는 광을 발할 수 있는 기능을 갖는 제1 화소와, 제2 색을 나타내는 광을 발할 수 있는 기능을 갖는 제2 화소와, 제3 색을 나타내는 광을 발할 수 있는 기능을 갖는 제3 화소와, 제4 색을 나타내는 광을 발할 수 있는 기능을 갖는 제4 화소를 갖고, 제1 화소는, 제1 발광 소자와 제1 광학 소자를 갖고, 제1 발광 소자와 제1 광학 소자는 서로 중첩되는 영역을 갖고, 제2 화소는, 제2 발광 소자와 제2 광학 소자를 갖고, 제2 발광 소자와 제2 광학 소자는 서로 중첩되는 영역을 갖고, 제3 화소는 제3 발광 소자를 갖고, 제4 화소는 제4 발광 소자를 갖고, 제1 발광 소자는, 제1 전극과, 제1 전극 위의 제1 발광층과, 제1 발광층 위의 제2 전극을 갖고, 제2 발광 소자는, 제3 전극과, 제3 전극 위의 제1 발광층과, 제1 발광층 위의 제2 전극을 갖고, 제3 발광 소자는, 제4 전극과, 제4 전극 위의 제2 발광층과, 제2 발광층 위의 제1 발광층과, 제1 발광층 위의 제2 전극을 갖고, 제4 발광 소자는, 제5 전극과, 제5 전극 위의 제1 발광층과, 제1 발광층 위의 제2 전극을 갖고, 제1 발광층은, 540nm 이상 580nm 이하의 범위에 스펙트럼 피크를 갖는 제1 발광 재료를 갖고, 제2 발광층은, 420nm 이상 480nm 이하의 범위에 스펙트럼 피크를 갖는 제2 발광 재료를 갖는 것을 특징으로 하는 발광 장치이다.
또한, 제1 발광 재료는, 황녹색, 황색, 또는 주황색 발광을 나타내는 것이 바람직하다. 또한, 제2 발광 재료는, 자색 발광, 청색 발광, 또는 청녹색 발광을 나타내는 것이 바람직하다. 또한, 제1 발광층과 제2 발광층의 적층순을 적절히 교체해도 된다.
또한, 본 발명의 일 형태는, 상기 각 구성의 발광 장치와, 터치 센서 기능을 갖는 전자 기기, 또는 상기 각 구성의 발광 장치와, 터치 센서 기능을 갖는 조명 장치도 범주에 포함하는 것이다. 또한, 본 명세서 중에 있어서의 발광 장치란, 화상 표시 디바이스, 또는 광원(조명 장치 포함함)을 가리킨다. 또한, 발광 장치에 커넥터, 예를 들어 FPC(Flexible printed circuit) 또는 TCP(Tape Carrier Package)가 설치된 모듈, TCP의 끝에 프린트 배선판이 설치된 모듈, 또는 발광 소자에 COG(Chip On Glass) 방식에 의해 IC(집적 회로)가 직접 실장된 모듈도 모두 발광 장치에 포함하는 것으로 한다.
본 발명의 일 형태에 의해 신규의 발광 장치를 제공할 수 있다. 또는, 본 발명의 일 형태에 의해 생산성이 높고, 소비 전력이 저감된 신규의 발광 장치를 제공할 수 있다. 또는, 본 발명의 일 형태에 의해 신규의 발광 장치의 제작 방법을 제공할 수 있다.
또한, 이들 효과의 기재는 다른 효과의 존재를 방해하는 것이 아니다. 또한, 본 발명의 일 형태는, 반드시 이들 효과의 전부를 가질 필요는 없다. 또한, 이들 이외의 효과는, 명세서, 도면, 청구항 등의 기재로부터 저절로 명확해지는 것이며, 명세서, 도면, 청구항 등의 기재로부터, 이들 이외의 효과를 추출하는 것이 가능하다.
도 1은 본 발명의 일 형태의 발광 장치를 설명하는 상면도 및 단면도.
도 2는 본 발명의 일 형태의 발광 장치를 설명하는 단면도.
도 3은 본 발명의 일 형태의 발광 장치를 설명하는 상면도 및 단면도.
도 4는 본 발명의 일 형태의 발광 장치를 설명하는 단면도.
도 5는 본 발명의 일 형태의 발광 장치를 설명하는 단면도.
도 6은 본 발명의 일 형태의 발광 장치를 설명하는 단면도.
도 7은 본 발명의 일 형태의 발광 장치를 설명하는 단면도.
도 8은 본 발명의 일 형태의 발광 장치를 설명하는 단면도.
도 9는 본 발명의 일 형태의 발광 장치를 설명하는 단면도.
도 10은 본 발명의 일 형태의 발광 장치를 설명하는 상면도.
도 11은 본 발명의 일 형태의 발광 장치의 제작 방법을 설명하는 단면도.
도 12는 본 발명의 일 형태의 발광 장치의 제작 방법을 설명하는 단면도.
도 13은 본 발명의 일 형태의 발광 장치의 제작 방법을 설명하는 단면도.
도 14는 발광 소자의 소자 구조를 설명하는 단면도.
도 15는 발광 소자의 소자 구조를 설명하는 단면도.
도 16은 발광 장치에 대하여 설명하는 도면.
도 17은 전자 기기에 대하여 설명하는 도면.
도 18은 전자 기기에 대하여 설명하는 도면.
도 19는 조명 장치에 대하여 설명하는 도면.
도 2는 본 발명의 일 형태의 발광 장치를 설명하는 단면도.
도 3은 본 발명의 일 형태의 발광 장치를 설명하는 상면도 및 단면도.
도 4는 본 발명의 일 형태의 발광 장치를 설명하는 단면도.
도 5는 본 발명의 일 형태의 발광 장치를 설명하는 단면도.
도 6은 본 발명의 일 형태의 발광 장치를 설명하는 단면도.
도 7은 본 발명의 일 형태의 발광 장치를 설명하는 단면도.
도 8은 본 발명의 일 형태의 발광 장치를 설명하는 단면도.
도 9는 본 발명의 일 형태의 발광 장치를 설명하는 단면도.
도 10은 본 발명의 일 형태의 발광 장치를 설명하는 상면도.
도 11은 본 발명의 일 형태의 발광 장치의 제작 방법을 설명하는 단면도.
도 12는 본 발명의 일 형태의 발광 장치의 제작 방법을 설명하는 단면도.
도 13은 본 발명의 일 형태의 발광 장치의 제작 방법을 설명하는 단면도.
도 14는 발광 소자의 소자 구조를 설명하는 단면도.
도 15는 발광 소자의 소자 구조를 설명하는 단면도.
도 16은 발광 장치에 대하여 설명하는 도면.
도 17은 전자 기기에 대하여 설명하는 도면.
도 18은 전자 기기에 대하여 설명하는 도면.
도 19는 조명 장치에 대하여 설명하는 도면.
이하, 본 발명의 실시 형태에 대하여 도면을 사용하여 상세하게 설명한다. 단, 본 발명은 이하의 설명에 한정되지 않고, 본 발명의 취지 및 그 범위로부터 일탈하지 않고 그 형태 및 상세를 다양하게 변경할 수 있는 것이 가능하다. 따라서, 본 발명은 이하에 나타내는 실시 형태의 기재 내용에 한정하여 해석되는 것이 아니다.
또한, 도면 등에서 도시하는 각 구성의, 위치, 크기, 범위 등은, 이해의 간단화를 위하여, 실제의 위치, 크기, 범위 등을 나타내고 있지 않은 경우가 있다. 이로 인해, 개시하는 발명은, 반드시 도면 등에 개시된 위치, 크기, 범위 등에 한정되는 것은 아니다.
또한, 본 명세서 등에 있어서, 제1, 제2 등으로서 첨부되는 서수사는 편의상 사용하는 것이며, 공정순 또는 적층순을 나타내는 것이 아니다. 그로 인해, 예를 들어, 「제1」을 「제2」 또는 「제3」 등으로 적절히 치환하여 설명할 수 있다. 또한, 본 명세서 등에 기재되어 있는 서수사와, 본 발명의 일 형태를 특정하기 위하여 사용되는 서수사는 일치하지 않는 경우가 있다.
또한, 본 명세서 등에 있어서, 도면을 사용하여 발명의 구성을 설명하는 데 있어서, 동일한 것을 가리키는 부호는 다른 도면 간에도 공통으로 사용한다.
(실시 형태 1)
본 실시 형태에서는, 본 발명의 발광 장치에 대해서, 도 1 내지 도 13을 사용하여 이하 설명한다.
<발광 장치의 구성예 1>
도 1의 (A)는 본 발명의 일 형태의 발광 장치의 일례를 도시하는 상면도이며, 도 1의 (B)는 도 1의 (A)에 도시하는 일점쇄선 X1-Y1 사이의 절단면의 단면도에 상당한다. 도 1의 (A)(B)에 도시하는 발광 장치(100)는 제1 색을 나타내는 광을 발하는 제1 화소(101R)와, 제2 색을 나타내는 광을 발하는 제2 화소(101G)와, 제3 색을 나타내는 광을 발하는 제3 화소(101B)를 갖는다. 또한, 제1 화소(101R)는, 제1 발광 소자(120R)와, 제1 발광 소자(120R)와 중첩하는 제1 광학 소자(156R)를 갖고, 제2 화소(101G)는, 제2 발광 소자(120G)와, 제2 발광 소자(120G)와 중첩하는 제2 광학 소자(156G)를 갖고, 제3 화소(101B)는 제3 발광 소자(120B)를 갖는다.
또한, 제1 발광 소자(120R) 및 제2 발광 소자(120G)는, 기판(102) 위의 제1 전극(104)과, 제1 전극(104) 위의 제1 발광층(110)과, 제1 발광층(110) 위의 제2 발광층(112)과, 제2 발광층(112) 위의 제2 전극(114)을 갖고, 제3 발광 소자(120B)는 제1 전극(104)과, 제1 전극(104) 위의 제2 발광층(112)과, 제2 발광층(112) 위의 제2 전극(114)을 갖는다. 또한, 도 1의 (B)에 도시한 바와 같이, 제1 전극(104) 위에 투명 도전막(106)을 설치하는 구성으로 해도 된다.
또한, 제1 광학 소자(156R) 및 제2 광학 소자(156G)는, 기판(152)의 하방에 설치되고, 기판(152)의 하방에는, 인접하는 발광 소자로부터의 광을 차광하는 차광층(154)이 설치된다. 또한, 차광층(154)을 설치하지 않는 구성으로 해도 된다.
또한, 발광 장치(100)는 절연성의 격벽(108)을 갖는다. 격벽(108)은 하부 전극(제1 전극(104) 및 투명 도전막(106))의 단부를 덮고, 하부 전극(제1 전극(104) 및 투명 도전막(106))과 중첩하는 개구부를 갖는다.
또한, 제1 발광층(110)은 540nm 이상 580nm 이하의 범위에 스펙트럼 피크를 갖는 제1 발광 재료를 갖고, 제2 발광층(112)은 420nm 이상 480nm 이하의 범위에 스펙트럼 피크를 갖는 제2 발광 재료를 갖는다. 달리 말하면, 제1 발광층(110)은 황색 발광을 나타내는 제1 발광 재료를 갖고, 제2 발광층(112)은 청색 발광을 나타내는 제2 발광 재료를 갖는다. 또한, 제1 발광 재료 및 제2 발광 재료는, 일중항 여기 에너지를 발광으로 바꾸는 발광성 물질(예를 들어, 형광 발광하는 물질)이나 삼중항 여기 에너지를 발광으로 바꾸는 발광성 물질(예를 들어, 인광 발광하는 물질) 중의 어느 것을 사용해도 된다.
이와 같이, 도 1의 (A)에 도시하는 발광 장치(100)에 있어서는, 제1 발광층(110)을 제1 발광 소자(120R) 및 제2 발광 소자(120G)에서 공통으로 사용하고, 제2 발광층(112)을 제1 발광 소자(120R), 제2 발광 소자(120G), 및 제3 발광 소자(120B)에서 공통으로 사용한다. 각 발광 소자에 있어서, 제1 발광층(110) 또는 제2 발광층(112)을 공통으로 사용함으로써 발광 소자 형성 시의 생산성을 높일 수 있다. 구체적으로는, 발광 장치(100)의 각 발광 소자의 제작 시의 구분 도포 공정을, 제1 발광층(110)의 1회만으로 할 수 있기 때문에, 생산성이 높아진다.
또한, 제1 화소(101R)로부터는 적색(R)을 나타내는 광이 발해지고, 제2 화소(101G)로부터는 녹색(G)을 나타내는 광이 발해지고, 제3 화소(101B)로부터는 청색(B)을 나타내는 광이 발해진다. 따라서, 제1 화소(101R), 제2 화소(101G), 및 제3 화소(101B)에 의해 풀컬러 표시를 행할 수 있다.
또한, 제1 화소(101R)가 갖는 제1 발광 소자(120R)로부터는 황색을 나타내는 광이 발해지고, 그 황색을 나타내는 광이 제1 광학 소자(156R)를 통과함으로써, 적색을 나타내는 광이 되어 외부로 사출된다. 또한, 제2 화소(101G)가 갖는 제2 발광 소자(120G)로부터는 황색을 나타내는 광이 발해지고, 그 황색을 나타내는 광이 제2 광학 소자(156G)를 통과함으로써, 녹색을 나타내는 광이 되어 외부로 사출된다. 또한, 제1 발광 소자(120R), 및 제2 발광 소자(120G)에 있어서, 제2 발광층(112)은 발광에 기여하지 않는다. 또한, 제3 화소(101B)가 갖는 제3 발광 소자(120B)로부터는 청색을 나타내는 광이 발해지고, 광학 소자 등을 통과하지 않고, 그대로 외부로 사출된다. 즉, 제3 화소(101B)는 광학 소자를 갖지 않는다.
상술한 바와 같이, 제3 발광 소자(120B)로부터 사출되는 광은, 광학 소자를 통하지 않고 외부로 취출되는 구성이다. 따라서, 제3 발광 소자(120B)로부터 사출되는 광은 제1 발광 소자(120R) 및 제2 발광 소자(120G)로부터 사출되는 광보다도 손실이 적게 사출된다.
따라서, 발광 장치(100)의 소비 전력을 저감할 수 있다. 제3 발광 소자(120B)로서, 청색의 형광 발광하는 물질을 사용한 경우에, 소비 전력 저감의 효과는 보다 현저하다. 또한, 제3 발광 소자(120B)에 광학 소자가 설치되어 있지 않은 경우, 제3 발광 소자에 있어서의 외광 반사를 방지하기 위해서, 용도에 따라서는 광학 소자, 또는 원편광판을 갖는 구성으로 해도 된다.
또한, 도 1의 (B)에 있어서는, 외부로 사출되는, 적색을 나타내는 광, 녹색을 나타내는 광, 및 청색 나타내는 광을, 각각 파선의 화살표로 모식적으로 나타내고, 후술하는 발광 장치도 마찬가지이다. 이와 같이, 도 1의 (A)(B)에 도시하는 발광 장치(100)는 각 발광 소자가 발하는 광을 발광 소자가 형성되는 기판(102)과는 반대측으로 취출하는 상면 사출형(톱에미션형이라고도 함)이다. 단, 본 발명의 일 형태는 이것에 한정되지 않고, 각 발광 소자가 발하는 광을 발광 소자가 형성되는 기판측으로 취출하는 하면 사출형(보텀에미션형이라고도 함), 또는 각 발광 소자가 발하는 광을 발광 소자가 형성되는 기판(102)의 상방 및 하방의 양쪽으로 취출하는 양면 사출형(듀얼에미션형이라고도 함)이어도 된다.
또한, 도 1의 (A)에 있어서는, 본 발명의 일 형태의 발광 장치의 제1 화소(101R), 제2 화소(101G), 및 제3 화소(101B)로서는, 스트라이프 배열의 구성에 대하여 예시했지만, 이것에 한정되지 않는다. 예를 들어, 본 발명의 일 형태의 발광 장치의 화소 구성으로서는, 도 10의 (A)에 도시한 바와 같은 델타 배열, 또는 도 10의 (B)에 도시한 바와 같은 펜타일 배열을 적용해도 된다.
여기서, 도 1의 (A)(B)에 도시하는 발광 장치(100)의 기타의 구성 요소에 대해서, 이하 상세하게 설명을 행한다.
<기판>
기판(102)은 발광 소자의 지지체로서 사용된다. 또한, 기판(152)은 광학 소자의 지지체로서 사용된다. 기판(102, 152)으로서는, 예를 들어 유리, 석영, 또는 플라스틱 등을 사용할 수 있다. 또한 가요성 기판을 사용해도 된다. 가요성 기판이란, 구부릴 수 있는(플렉시블) 기판을 말하며, 예를 들어, 폴리카르보네이트, 폴리아릴레이트, 폴리에테르술폰을 포함하는 플라스틱 기판 등을 들 수 있다. 또한, 필름(폴리프로필렌, 폴리에스테르, 폴리불화비닐, 폴리염화비닐 등을 포함함), 무기 증착 필름 등을 사용할 수도 있다. 또한, 발광 소자, 및 광학 소자의 제작 공정에 있어서 지지체로서 기능하는 것이라면, 이들 이외의 것이어도 된다.
<제1 전극>
제1 전극(104)은 각 발광 소자의 하부 전극 또는 양극으로서의 기능을 갖는다. 또한, 제1 전극(104)은 반사성을 갖는 도전성 재료에 의해 형성되면 바람직하다. 상기 도전성 재료로서는, 가시광의 반사율이 40％ 이상 100％ 이하, 바람직하게는 70％ 이상 100％ 이하이고, 또한 그 저항률이 1×10- 2Ωcm 이하인 도전성 재료를 들 수 있다. 구체적으로는, 제1 전극(104)으로서는, 은, 알루미늄, 은 또는 알루미늄을 포함하는 합금 등을 사용할 수 있다. 알루미늄을 포함하는 합금으로서는, 예를 들어, 알루미늄과 니켈과 란탄을 포함하는 합금을 들 수 있다. 또한, 은을 포함하는 합금으로서는, 예를 들어, 은과 팔라듐과 구리를 포함하는 합금을 들 수 있다. 제1 전극(104)으로서는, 스퍼터링법, 증착법, 인쇄법 또는 도포법 등을 사용하여 형성할 수 있다. 또한, 도 1의 (B)에 있어서, 제1 전극(104)은 각 발광 소자에 각각 섬 형상으로 설치되어 있다. 따라서, 각 발광 소자에 있어서, 제1 전극(104)을 각각 따로따로 식별하기 위해서, 제3 전극, 제4 전극, 또는 제5 전극이라고 호칭하는 경우가 있다.
<투명 도전막>
투명 도전막(106)은 각 발광 소자의 하부 전극 또는 양극으로서의 기능을 갖는다. 또는, 투명 도전막(106)은 각 발광층으로부터의 원하는 광을 공진시켜, 그 파장의 광을 강화할 수 있도록, 원하는 광의 파장마다 제1 전극(104)과 제2 전극(114)의 광학 거리를 조정하는 기능을 갖는다. 예를 들어, 투명 도전막(106)의 막 두께를 바꿈으로써, 원하는 광의 파장 λ에 대하여 전극 간의 광학 거리가 mλ/2(단, m은 자연수)가 되도록 조정한다. 또한, 전극 간의 광학 거리의 구체적인 구성에 대해서는 후술한다.
투명 도전막(106)으로서는, 예를 들어, 산화인듐-산화주석(Indium Tin Oxide, 이하 ITO로서 기재함), 실리콘 또는 산화실리콘을 함유한 산화인듐-산화주석, 산화인듐-산화아연(Indium Zinc Oxide), 산화텅스텐 및 산화아연을 함유한 산화인듐 등을 사용할 수 있다. 특히, 투명 도전막(106)으로서는, 일함수가 큰(4.0eV 이상) 재료를 사용하는 것이 바람직하다. 투명 도전막(106)으로서는, 스퍼터링법, 증착법, 인쇄법 또는 도포법 등을 사용하여 형성할 수 있다.
<제2 전극>
제2 전극(114)은 각 발광 소자의 상부 전극 또는 음극으로서의 기능을 갖는다. 또한, 제2 전극(114)은 반사성을 갖는 도전성 재료와 투광성을 갖는 도전성 재료에 의해 형성되면 바람직하다. 상기 도전성 재료로서는, 가시광의 반사율이 20％ 이상 80％ 이하, 바람직하게는 40％ 이상 70％ 이하이고, 또한 그 저항률이 1×10-2Ωcm 이하인 도전성 재료를 들 수 있다. 제2 전극(114)으로서는, 도전성을 갖는 금속, 합금, 도전성 화합물 등을 1종 또는 복수종 사용하여 형성할 수 있다. 특히, 일함수가 작은(3.8eV 이하) 재료를 사용하는 것이 바람직하다. 예를 들어, 원소 주기율표의 제1족 또는 제2족에 속하는 원소(리튬, 세슘 등의 알칼리 금속, 칼슘, 스트론튬 등의 알칼리 토금속, 마그네슘 등), 이들 원소를 포함하는 합금(예를 들어, Mg-Ag, Al-Li), 유로퓸, 이테르븀 등의 희토류 금속, 이들 희토류 금속을 포함하는 합금, 알루미늄, 은 등을 사용할 수 있다. 제2 전극(114)으로서는, 스퍼터링법, 증착법, 인쇄법 또는 도포법 등을 사용하여 형성할 수 있다.
<격벽>
격벽(108)은 절연성이면 되고, 무기 재료 또는 유기 재료를 사용하여 형성된다. 그 무기 재료로서는, 산화실리콘막, 산화질화실리콘막, 질화산화실리콘막, 질화실리콘막, 산화알루미늄막, 질화알루미늄막 등을 들 수 있다. 그 유기 재료로서는, 예를 들어, 아크릴 수지, 또는 폴리이미드 수지 등의 감광성의 수지 재료를 들 수 있다.
<발광층>
제1 발광층(110)은 540nm 이상 580nm 이하의 범위에 스펙트럼 피크를 갖는 제1 발광 재료를 갖고, 제2 발광층(112)은 420nm 이상 480nm 이하의 범위에 스펙트럼 피크를 갖는 제2 발광 재료를 갖는다. 또한, 제1 발광층(110)은 제1 발광 재료 외에, 전자 수송성 재료 또는 정공 수송성 재료의 한쪽 또는 양쪽을 포함하여 구성된다. 또한, 제2 발광층(112)은 제2 발광 재료 외에, 전자 수송성 재료 또는 정공 수송성 재료의 한쪽 또는 양쪽을 포함하여 구성된다.
또한, 제1 발광 재료 및 제2 발광 재료로서는, 일중항 여기 에너지를 발광으로 바꾸는 발광성 물질이나 삼중항 여기 에너지를 발광으로 바꾸는 발광성 물질을 사용할 수 있다. 또한, 상기 발광성 물질로서는, 예를 들어, 이하와 같은 것을 들 수 있다.
일중항 여기 에너지를 발광으로 바꾸는 발광성 물질로서는, 형광을 발하는 물질을 들 수 있고, 예를 들어, N,N'-비스[4-(9H-카르바졸-9-일)페닐]-N,N'-디페닐스틸벤-4,4'-디아민(약칭: YGA2S), 4-(9H-카르바졸-9-일)-4'-(10-페닐-9-안트릴)트리페닐아민(약칭: YGAPA), 4-(9H-카르바졸-9-일)-4'-(9,10-디페닐-2-안트릴)트리페닐아민(약칭: 2YGAPPA), N,9-디페닐-N-[4-(10-페닐-9-안트릴)페닐]-9H-카르바졸-3-아민(약칭: PCAPA), 4-(10-페닐-9-안트릴)-4'-(9-페닐-9H-카르바졸-3-일)트리페닐아민(약칭: PCBAPA), 4-[4-(10-페닐-9-안트릴)페닐]-4'-(9-페닐-9H-카르바졸-3-일)트리페닐아민(약칭: PCBAPBA), 페릴렌, 2,5,8,11-테트라-tert-부틸페릴렌(약칭: TBP), N,N'-비스〔4-(9-페닐-9H-플루오렌-9-일)페닐〕-N,N'-디페닐-피렌-1,6-디아민(약칭: 1,6FLPAPrn), N,N'-비스(3-메틸페닐)-N,N'-비스[3-(9-페닐-9H-플루오렌-9-일)페닐]-피렌-1,6-디아민(약칭: 1,6mMemFLPAPrn) 등의 청색의 발광(발광 파장 400nm 내지 480nm)을 나타내는 물질이나, 루브렌, 5,12-비스(1,1'-비페닐-4-일)-6,11-디페닐테트라센(약칭: BPT), 2-(2-{2-[4-(디메틸아미노)페닐]에테닐}-6-메틸-4H-피란-4-일리덴)프로판디니트릴(약칭: DCM1), 2-{2-메틸-6-[2-(2,3,6,7-테트라하이드로-1H,5H-벤조[ij]퀴놀리진-9-일)에테닐]-4H-피란-4-일리덴}프로판디니트릴(약칭: DCM2) 등의 황색의 발광(발광 파장 540nm 내지 580nm)을 나타내는 물질을 사용할 수 있다.
또한, 삼중항 여기 에너지를 발광으로 바꾸는 발광성 물질로서는, 예를 들어, 인광을 발하는 물질을 들 수 있고, 예를 들어, 비스[2-(4',6'-디플루오로페닐)피리디나토-N,C2']이리듐(III)테트라키스(1-피라졸릴)보레이트(약칭: FIr6), 비스[2-(4',6'-디플루오로페닐)피리디나토-N,C2']이리듐(III)피콜리네이트(약칭: FIrpic), 트리스{2-[5-(2-메틸페닐)-4-(2,6-디메틸페닐)-4H-1,2,4-트리아졸-3-일-κN2]페닐-κC}이리듐(III)(약칭: Ir(mpptz-dmp)3), 트리스[3-(5-비페닐)-5-이소프로필-4-페닐-4H-1,2,4-트리아졸라토]이리듐(III)(약칭: Ir(iPr5btz)3), 트리스[3-메틸-1-(2-메틸페닐)-5-페닐-1H-1,2,4-트리아졸라토]이리듐(III)(약칭: Ir(Mptz1-mp)3), 트리스(1-메틸-5-페닐-3-프로필-1H-1,2,4-트리아졸라토)이리듐(III)(약칭: Ir(Prptz1-Me)3), fac-트리스[(1-2,6-디이소프로필페닐)-2-페닐-1H-이미다졸]이리듐(III)(약칭: Ir(iPrpmi)3), 트리스[3-(2,6-디메틸페닐)-7-메틸이미다조[1,2-f]페난트리디나토]이리듐(III)(약칭: Ir(dmpimpt-Me)3) 등의 청색의 발광(발광 파장 400nm 내지 480nm)을 나타내는 물질이나, (아세틸아세토네이트)비스(6-메틸-4-페닐피리미디나토)이리듐(III)(약칭: Ir(mppm)2(acac)), (아세틸아세토네이트)비스(6-tert-부틸-4-페닐피리미디나토)이리듐(III)(약칭: Ir(tBuppm)2(acac)), (아세틸아세토네이트)비스[6-(2-노르보르닐)-4-페닐피리미디나토]이리듐(III)(약칭: Ir(nbppm)2(acac)), (아세틸아세토네이트)비스[5-메틸-6-(2-메틸페닐)-4-페닐피리미디나토]이리듐(III)(약칭: Ir(mpmppm)2(acac)), (아세틸아세토네이트)비스{4,6-디메틸-2-[6-(2,6-디메틸페닐)-4-피리미디닐-κN3]페닐-κC}이리듐(III)(약칭: Ir(dmppm-dmp)2(acac)), (아세틸아세토네이트)비스(4,6-디페닐피리미디나토)이리듐(III)(약칭: Ir(dppm)2(acac)), (아세틸아세토네이트)비스(3,5-디메틸-2-페닐피라디나토)이리듐(III)(약칭: Ir(mppr-Me)2(acac), (아세틸아세토네이트)비스(5-이소프로필-3-메틸-2-페닐피라디나토)이리듐(III)(약칭: Ir(mppr-iPr)2(acac), 트리스(2-페닐퀴놀리나토-N,C2')이리듐(III)(약칭: Ir(pq)3), 비스(2-페닐퀴놀리나토-N,C2')이리듐(III)아세틸아세토네이트(약칭: Ir(pq)2(acac)), 비스(벤조[h]퀴놀리나토)이리듐(III)아세틸아세토네이트(약칭: Ir(bzq)2(acac)), 비스(2,4-디페닐-1,3-옥사졸라토-N,C2')이리듐(III)아세틸아세토네이트(약칭: Ir(dpo)2(acac)), 비스{2-[4'-(퍼플루오로페닐)페닐]피리디나토-N,C2 '}이리듐(III)아세틸아세토네이트(약칭: Ir(p-PF-ph)2(acac)), 비스(2-페닐벤조티아졸라토-N,C2')이리듐(III)아세틸아세토네이트(약칭: Ir(bt)2(acac)) 등의 황색의 발광(발광 파장 540nm 내지 580nm)을 나타내는 물질을 사용할 수 있다.
또한, 제1 발광층(110) 및 제2 발광층(112)에 사용하는 전자 수송성 재료로서는, 질소 함유 복소 방향족 화합물과 같은 π 전자 부족형 복소 방향족 화합물이 바람직하고, 예를 들어, 2-[3-(디벤조티오펜-4-일)페닐]디벤조[f,h]퀴녹살린(약칭: 2mDBTPDBq-II), 2-[3'-(디벤조티오펜-4-일)비페닐-3-일]디벤조[f,h]퀴녹살린(약칭: 2mDBTBPDBq-II), 2-[4-(3,6-디페닐-9H-카르바졸-9-일)페닐]디벤조[f,h]퀴녹살린(약칭: 2CzPDBq-III), 7-[3-(디벤조티오펜-4-일)페닐]디벤조[f,h]퀴녹살린(약칭: 7mDBTPDBq-II), 및 6-[3-(디벤조티오펜-4-일)페닐]디벤조[f,h]퀴녹살린(약칭: 6mDBTPDBq-II) 등의 퀴녹살린 내지는 디벤조퀴녹살린 유도체를 들 수 있다.
또한, 제1 발광층(110) 및 제2 발광층(112)에 사용하는 정공 수송성 재료로서는, π 전자 과잉형 복소 방향족 화합물(예를 들어 카르바졸 유도체나 인돌 유도체)이나 방향족 아민 화합물이 바람직하고, 예를 들어, 4-페닐-4'-(9-페닐-9H-카르바졸-3-일)트리페닐아민(약칭: PCBA1BP), 4,4'-디(1-나프틸)-4"-(9-페닐-9H-카르바졸-3-일)트리페닐아민(약칭: PCBNBB), 3-[N-(1-나프틸)-N-(9-페닐카르바졸-3-일)아미노]-9-페닐카르바졸(약칭: PCzPCN1), 4,4',4"-트리스[N-(1-나프틸)-N-페닐아미노]트리페닐아민(약칭: 1'-TNATA), 2,7-비스[N-(4-디페닐아미노페닐)-N-페닐아미노]-스피로-9,9'-비플루오렌(약칭: DPA2SF), N,N'-비스(9-페닐카르바졸-3-일)-N,N'-디페닐벤젠-1,3-디아민(약칭: PCA2B), N-(9,9-디메틸-2-디페닐아미노-9H-플루오렌-7-일)디페닐아민(약칭: DPNF), N,N',N"-트리페닐-N,N',N"-트리스(9-페닐카르바졸-3-일)벤젠-1,3,5-트리아민(약칭: PCA3B), 2-[N-(9-페닐카르바졸-3-일)-N-페닐아미노]스피로-9,9'-비플루오렌(약칭: PCASF), 2-[N-(4-디페닐아미노페닐)-N-페닐아미노]스피로-9,9'-비플루오렌(약칭: DPASF), N,N'-비스[4-(카르바졸-9-일)페닐]-N,N'-디페닐-9,9-디메틸플루오렌-2,7-디아민(약칭: YGA2F), 4,4'-비스[N-(3-메틸페닐)-N-페닐아미노]비페닐(약칭: TPD), 4,4'-비스[N-(4-디페닐아미노페닐)-N-페닐아미노]비페닐(약칭: DPAB), N-(9,9-디메틸-9H-플루오렌-2-일)-N-{9,9-디메틸-2-[N'-페닐-N'-(9,9-디메틸-9H-플루오렌-2-일)아미노]-9H-플루오렌-7-일}페닐아민(약칭: DFLADFL), 3-[N-(9-페닐카르바졸-3-일)-N-페닐아미노]-9-페닐카르바졸(약칭: PCzPCA1), 3-[N-(4-디페닐아미노페닐)-N-페닐아미노]-9-페닐카르바졸(약칭: PCzDPA1), 3,6-비스[N-(4-디페닐아미노페닐)-N-페닐아미노]-9-페닐카르바졸(약칭: PCzDPA2), 4,4'-비스(N-{4-[N'-(3-메틸페닐)-N'-페닐아미노]페닐}-N-페닐아미노)비페닐(약칭: DNTPD), 3,6-비스[N-(4-디페닐아미노페닐)-N-(1-나프틸)아미노]-9-페닐카르바졸(약칭: PCzTPN2), 3,6-비스[N-(9-페닐카르바졸-3-일)-N-페닐아미노]-9-페닐카르바졸(약칭: PCzPCA2)을 들 수 있다.
<차광층>
차광층(154)으로서는, 외광의 반사를 억제하는 기능을 갖는다. 또는, 차광층(154)으로서는, 인접하는 발광 소자로부터 발해지는 광의 혼색을 방지하는 기능을 갖는다. 차광층(154)으로서는, 금속, 흑색 안료를 포함한 수지, 카본 블랙, 금속 산화물, 복수의 금속 산화물의 고용체를 포함하는 복합 산화물 등을 사용할 수 있다.
<광학 소자>
제1 광학 소자(156R)와 제2 광학 소자(156G)는, 입사되는 광으로부터 특정한 색을 나타내는 광을 선택적으로 투과하는 것이다. 예를 들어, 컬러 필터, 대역 통과 필터, 다층막 필터 등을 적용할 수 있다. 또한, 광학 소자에 색변환 소자를 적용할 수 있다. 색변환 소자는, 입사되는 광을, 그 광의 파장보다 긴 파장의 광으로 변환하는 광학 소자이다. 색변환 소자로서, 양자 도트 방식을 사용하는 소자이면 적합하다. 양자 도트 방식을 사용함으로써 발광 장치의 색 재현성을 높일 수 있다.
제1 광학 소자(156R)는 제1 발광 소자(120R)가 발하는 광으로부터 적색을 나타내는 광을 투과한다. 또한, 제2 광학 소자(156G)는 제2 발광 소자(120G)가 발하는 광으로부터 녹색을 나타내는 광을 투과한다.
또한, 광학 소자를 제3 발광 소자(120B)에 중첩시켜서 형성해도 되고, 복수의 광학 소자를 제1 발광 소자(120R) 및/또는 제2 발광 소자(120G)에 중첩시켜서 형성해도 된다. 다른 광학 소자로서는, 예를 들어 원편광판이나 반사 방지막 등을 설치할 수 있다. 원편광판을, 발광 장치의 발광 소자가 발하는 광이 취출되는 측에 설치하면, 발광 장치의 외부로부터 입사한 광이, 발광 장치의 내부에서 반사되어서, 외부로 사출되는 현상을 방지할 수 있다. 또한, 반사 방지막을 설치하면, 발광 장치의 표면에서 반사되는 외광을 약화시킬 수 있다. 이에 의해, 발광 장치가 발하는 발광을 선명하게 관찰할 수 있다.
<발광 장치의 구성예 2>
이어서, 도 1의 (A)(B)에 도시하는 발광 장치(100)와 상이한 구성예에 대해서, 도 2의 (A)(B)를 사용하여, 이하 설명을 행한다.
도 2의 (A)(B)는 본 발명의 일 형태의 발광 장치의 일례를 도시하는 단면도이다. 또한, 도 2의 (A)(B)에 도시하는 발광 장치의 상면도에 대해서는, 도 1의 (A)에 도시하는 발광 장치(100)의 상면도와 동일하기 때문에, 여기에서의 기재는 생략한다.
도 2의 (A)에 도시하는 발광 장치(100A)는 제1 색을 나타내는 광을 발하는 제1 화소(101R)와, 제2 색을 나타내는 광을 발하는 제2 화소(101G)와, 제3 색을 나타내는 광을 발하는 제3 화소(101B)를 갖는다. 또한, 제1 화소(101R)는, 제1 발광 소자(121R)와, 제1 발광 소자(121R)와 중첩하는 제1 광학 소자(156R)를 갖고, 제2 화소(101G)는, 제2 발광 소자(121G)와, 제2 발광 소자(121G)와 중첩하는 제2 광학 소자(156G)를 갖고, 제3 화소(101B)는 제3 발광 소자(121B)를 갖는다.
또한, 제1 발광 소자(121R)는, 제1 전극(104)과, 제1 전극(104) 위의 제1 투명 도전막(106R)과, 제1 투명 도전막(106R) 위의 제1 발광층(110)과, 제1 발광층(110) 위의 제2 발광층(112)과, 제2 발광층(112) 위의 제2 전극(114)을 갖고, 제2 발광 소자(121G)는 제1 전극(104)과, 제1 전극(104) 위의 제2 투명 도전막(106G)와, 제2 투명 도전막(106G) 위의 제1 발광층(110)과, 제1 발광층(110) 위의 제2 발광층(112)과, 제2 발광층(112) 위의 제2 전극(114)을 갖고, 제3 발광 소자(121B)는 제1 전극(104)과, 제1 전극(104) 위의 제3 투명 도전막(106B)와, 제3 투명 도전막(106B) 위의 제2 발광층(112)과, 제2 발광층(112) 위의 제2 전극(114)을 갖는다.
도 2의 (A)에 도시하는 발광 장치(100A)는, 도 1의 (B)에 도시하는 발광 장치(100)와 비교하여, 제1 발광 소자(121R), 제2 발광 소자(121G), 및 제3 발광 소자(121B)가 설치되어 있는 점이 상이하다. 또한, 제1 발광 소자(121R), 제2 발광 소자(121G), 및 제3 발광 소자(121B)는, 미소 공진기 구조(마이크로 캐비티 구조라고도 함)를 갖는 구성이다. 미소 공진기 구조를 각 발광 소자에 조합하면, 발광 소자가 발하는 광으로부터, 특정한 파장을 갖는 광을 효율적으로 취출할 수 있다.
제1 발광층(110) 및 제2 발광층(112)으로부터 사출되는 광은 제1 전극(104)과 제2 전극(114) 사이에서 공진된다. 발광 장치(100A)에 있어서는, 각 발광 소자에서 제1 투명 도전막(106R), 제2 투명 도전막(106G), 및 제3 투명 도전막(106B)의 두께를 조정함으로써, 제1 발광층(110) 및 제2 발광층(112)으로부터 사출되는 광의 강도를 강화할 수 있다.
구체적으로는, 제1 투명 도전막(106R), 제2 투명 도전막(106G), 및 제3 투명 도전막(106B)의 막 두께를 조정하여, 원하는 광의 파장 λ에 대하여 제1 전극(104)과 제2 전극(114) 사이의 광학 거리가 mλ/2(단, m은 자연수)가 되도록 조정한다. 또한, 제1 투명 도전막(106R), 제2 투명 도전막(106G), 및 제3 투명 도전막(106B)의 막 두께를 조정하여, 원하는 광의 파장 λ에 대하여 제1 전극(104)과 발광층(제1 발광층(110) 및 제2 발광층(112)) 사이의 광학 거리가, (2ｍ'+1)λ/4(단, ｍ'은 자연수)가 되도록 조절한다.
또한, 제1 전극(104)과 제2 전극(114) 사이의 광학 거리는, 엄밀하게는 제1 전극(104)에 있어서의 반사 영역부터 제2 전극(114)에 있어서의 반사 영역까지의 막 두께와 굴절률의 곱으로 표현된다. 그러나, 제1 전극(104)이나 제2 전극(114)에 있어서의 반사 영역을 엄밀하게 결정하는 것은 곤란하기 때문에, 제1 전극(104)과 제2 전극(114)의 임의의 위치를 반사 영역이라고 가정함으로써 충분히 상술한 효과를 얻을 수 있는 것으로 한다.
또한, 제1 전극(104)과, 원하는 광을 사출하는 발광층의 광학 거리는, 엄밀하게는 제1 전극(104)에 있어서의 반사 영역과, 원하는 광을 사출하는 발광층에 있어서의 발광 영역의 광학 거리라고 할 수 있다. 그러나, 제1 전극(104)에 있어서의 반사 영역이나, 원하는 광을 사출하는 발광층에 있어서의 발광 영역을 엄밀하게 결정하는 것은 곤란하기 때문에, 제1 전극(104)의 임의의 위치를 반사 영역, 원하는 광을 사출하는 발광층의 임의의 위치를 발광 영역이라고 가정함으로써 충분히 상술한 효과를 얻을 수 있는 것으로 한다.
제1 투명 도전막(106R), 제2 투명 도전막(106G), 및 제3 투명 도전막(106B)의 두께로서는, 「제1 투명 도전막(106R)>제2 투명 도전막(106G)>제3 투명 도전막(106B)」의 관계를 만족하면 된다. 달리 말하면, 제1 투명 도전막(106R)은 제1 영역을 갖고, 제1 영역은 제1 두께를 갖고, 제2 투명 도전막(106G)은 제2 영역을 갖고, 제2 영역은 제2 두께를 갖고, 제3 투명 도전막(106B)은 제3 영역을 갖고, 제3 영역은 제3 두께를 갖고, 제1 두께는 제2 두께보다도 두껍고, 제2 두께는 제3 두께보다도 두껍다. 예를 들어, 제1 투명 도전막(106R)으로서는, 막 두께 100nm의 ITO막을, 제2 투명 도전막(106G)으로서는, 막 두께 60nm의 ITO막을, 제3 투명 도전막(106B)으로서는, 막 두께 20nm의 ITO막을, 각각 사용하면 된다. 제1 투명 도전막(106R), 제2 투명 도전막(106G), 및 제3 투명 도전막(106B)의 두께가 상기 관계를 만족함으로써, 각 발광 소자가 발하는 광으로부터, 특정한 파장을 갖는 광을 효율적으로 취출할 수 있다.
도 2의 (B)에 도시하는 발광 장치(100B)는 제1 색을 나타내는 광을 발하는 제1 화소(101R)와, 제2 색을 나타내는 광을 발하는 제2 화소(101G)와, 제3 색을 나타내는 광을 발하는 제3 화소(101B)를 갖는다. 또한, 제1 화소(101R)는, 제1 발광 소자(122R)와, 제1 발광 소자(122R)와 중첩하는 제1 광학 소자(156R)를 갖고, 제2 화소(101G)는, 제2 발광 소자(122G)와, 제2 발광 소자(122G)와 중첩하는 제2 광학 소자(156G)를 갖고, 제3 화소(101B)는 제3 발광 소자(122B)를 갖는다.
또한, 제1 발광 소자(122R) 및 제2 발광 소자(122G)는 제1 전극(104)과, 제1 전극(104) 위의 제1 투명 도전막(106)과, 제1 투명 도전막(106) 위의 정공 주입층(131)과, 정공 주입층(131) 위의 정공 수송층(132)과, 정공 수송층(132) 위의 제1 발광층(110)과, 제1 발광층(110) 위의 제2 발광층(112)과, 제2 발광층(112) 위의 전자 수송층(133)과, 전자 수송층(133) 위의 전자 주입층(134)과, 전자 주입층(134) 위의 제2 전극(114)을 갖는다. 또한, 제3 발광 소자(122B)는 제1 전극(104)과, 제1 전극(104) 위의 제1 투명 도전막(106)과, 제1 투명 도전막(106) 위의 정공 주입층(131)과, 정공 주입층(131) 위의 정공 수송층(132)과, 정공 수송층(132) 위의 제2 발광층(112)과, 제2 발광층(112) 위의 전자 수송층(133)과, 전자 수송층(133) 위의 전자 주입층(134)과, 전자 주입층(134) 위의 제2 전극(114)을 갖는다.
발광 장치(100B)는, 발광 장치(100)와 비교하여, 제1 발광 소자(122R), 제2 발광 소자(122G), 및 제3 발광 소자(122B)가 설치되어 있는 점이 상이하다.
이와 같이, 도 2의 (B)에 도시하는 발광 장치(100B)에 있어서는, 제1 발광층(110)을 제1 발광 소자(122R), 및 제2 발광 소자(122G)에서 공통으로 사용하고, 제2 발광층(112)을 제1 발광 소자(122R), 제2 발광 소자(122G), 및 제3 발광 소자(122B)에서 공통으로 사용한다. 또한, 제1 발광 소자(122R), 제2 발광 소자(122G), 및 제3 발광 소자(122B)가 갖는 정공 주입층(131), 정공 수송층(132), 전자 수송층(133), 및 전자 주입층(134)은 각각, 각 발광 소자에서 공통으로 사용할 수 있다. 즉, 정공 주입층(131), 정공 수송층(132), 전자 수송층(133), 및 전자 주입층(134)을 각 발광 소자에서 구분 도포할 필요가 없다. 따라서, 발광 장치(100B)의 각 발광 소자의 제작 시의 구분 도포 공정으로서는, 제1 발광층(110)의 1회만으로 할 수 있다.
여기서, 발광 장치(100B)가 갖는 정공 주입층(131), 정공 수송층(132), 전자 수송층(133), 및 전자 주입층(134)의 상세에 대하여 기재한다.
<정공 주입층, 정공 수송층>
정공 주입층(131)은 정공 수송성이 높은 정공 수송층(132)을 통하여 제1 발광층(110) 및 제2 발광층(112)에 정공을 주입하는 층이며, 정공 수송성 재료와 억셉터성 재료를 포함하는 층이다. 정공 수송성 재료와 억셉터성 재료를 포함함으로써, 억셉터성 재료에 의해 정공 수송성 재료로부터 전자가 인발되어 정공(홀)이 발생하고, 정공 수송층(132)을 통하여 제1 발광층(110) 및 제2 발광층(112)에 정공이 주입된다. 또는, 정공 주입층(131)은 정공 수송성 재료와, 억셉터성 재료를 적층한 구성으로 해도 된다. 또한, 정공 수송층(132)은 정공 수송성 재료를 사용하여 형성된다.
정공 주입층(131) 및 정공 수송층(132)에 사용하는 정공 수송성 재료로서는, 예를 들어, 4,4'-비스[N-(1-나프틸)-N-페닐아미노]비페닐(약칭: NPB 또는 α-NPD)이나 N,N'-비스(3-메틸페닐)-N,N'-디페닐-[1,1'-비페닐]-4,4'-디아민(약칭: TPD), 4,4',4"-트리스(카르바졸-9-일)트리페닐아민(약칭: TCTA), 4,4',4"-트리스(N, N-디페닐아미노)트리페닐아민(약칭: TDATA), 4,4',4"-트리스[N-(3-메틸페닐)-N-페닐아미노]트리페닐아민(약칭: MTDATA), 4,4'-비스[N-(스피로-9,9'-비플루오렌-2-일)-N-페닐아미노]비페닐(약칭: BSPB) 등의 방향족 아민 화합물, 3-[N-(9-페닐카르바졸-3-일)-N-페닐아미노]-9-페닐카르바졸(약칭: PCzPCA1), 3,6-비스[N-(9-페닐카르바졸-3-일)-N-페닐아미노]-9-페닐카르바졸(약칭: PCzPCA2), 3-[N-(1-나프틸)-N-(9-페닐카르바졸-3-일)아미노]-9-페닐카르바졸(약칭: PCzPCN1) 등을 들 수 있다. 기타, 4,4'-디(N-카르바졸릴)비페닐(약칭: CBP), 1,3,5-트리스[4-(N-카르바졸릴)페닐]벤젠(약칭: TCPB), 9-[4-(10-페닐-9-안트라세닐)페닐]-9H-카르바졸(약칭: CzPA) 등의 카르바졸 유도체, 등을 사용할 수 있다. 여기에 설명한 물질은, 주로 10-6㎠/Vs 이상의 정공 이동도를 갖는 물질이다. 단, 전자보다도 정공의 수송성이 높은 물질이라면, 이들 이외의 것을 사용해도 된다.
또한, 폴리(N-비닐카르바졸)(약칭: PVK), 폴리(4-비닐트리페닐아민)(약칭: PVTPA), 폴리[N-(4-{N'-[4-(4-디페닐아미노)페닐]페닐-N'-페닐아미노}페닐)메타크릴아미드](약칭: PTPDMA), 폴리[N,N'-비스(4-부틸페닐)-N,N'-비스(페닐)벤지딘](약칭: Poly-TPD) 등의 고분자 화합물을 사용할 수도 있다.
또한, 정공 주입층(131)에 사용하는 억셉터성 재료로서는, 7,7,8,8-테트라시아노-2,3,5,6-테트라플루오로퀴노디메탄(약칭: F4-TCNQ), 클로라닐, 2,3,6,7,10,11-헥사시아노-1,4,5,8,9,12-헥사아자트리페닐렌(HAT-CN) 등의 전자 흡인기(할로겐기나 시아노기)를 갖는 화합물을 들 수 있다. 특히, HAT-CN과 같이 복소 원자를 복수 갖는 축합 방향환에 전자 흡인기가 결합하고 있는 화합물이 열적으로 안정되어 바람직하다. 또한, 전이 금속 산화물을 들 수 있다. 또한 원소 주기율표에 있어서의 제4족 내지 제8족에 속하는 금속의 산화물을 들 수 있다. 구체적으로는, 산화바나듐, 산화니오븀, 산화탄탈, 산화크롬, 산화몰리브덴, 산화텅스텐, 산화망간, 산화레니움은 전자 수용성이 높기 때문에 바람직하다. 그 중에서도 특히, 산화몰리브덴은 대기 중에서도 안정되고, 흡습성이 낮아, 취급하기 쉽기 때문에 바람직하다.
또한, 정공 주입층(131)은 상술한 억셉터성 재료를 단독 또는 다른 재료와 혼합하여 형성해도 된다. 이 경우, 억셉터성 재료가 정공 수송층으로부터 전자를 인발하여, 정공 수송층에 정공 주입할 수 있다. 억셉터성 재료는 인발한 전자를 양극에 수송한다.
<전자 수송층>
전자 수송층(133)은 전자 수송성이 높은 물질을 포함하는 층이다. 전자 수송층(133)에는, Alq3, 트리스(4-메틸-8-퀴놀리놀라토)알루미늄(약칭: Almq3), 비스(10-히드록시벤조[h]퀴놀리나토)베릴륨(약칭: BeBq2), BAlq, Zn(BOX)2, 비스[2-(2-히드록시페닐)벤조티아졸라토]아연(약칭: Zn(BTZ)2) 등의 금속 착체를 사용할 수 있다. 또한, 2-(4-비페닐릴)-5-(4-tert-부틸페닐)-1,3,4-옥사디아졸(약칭: PBD), 1,3-비스[5-(p-tert-부틸페닐)-1,3,4-옥사디아졸-2-일]벤젠(약칭: OXD-7), 3-(4-tert-부틸페닐)-4-페닐-5-(4-비페닐릴)-1,2,4-트리아졸(약칭: TAZ), 3-(4-tert-부틸페닐)-4-(4-에틸페닐)-5-(4-비페닐릴)-1,2,4-트리아졸(약칭: p-EtTAZ), 바소페난트롤린(약칭: Bphen), 바소큐프로인(약칭: BCP), 4,4'-비스(5-메틸벤조옥사졸-2-일)스틸벤(약칭: BzOs) 등의 복소 방향족 화합물도 사용할 수 있다. 또한, 폴리(2,5-피리딘디일)(약칭: PPy), 폴리[(9,9-디헥실플루오렌-2,7-디일)-co-(피리딘-3,5-디일)](약칭: PF-Py), 폴리[(9,9-디옥틸플루오렌-2,7-디일)-co-(2,2'-비피리딘-6,6'-디일)](약칭: PF-BPy)과 같은 고분자 화합물을 사용할 수도 있다. 여기에 설명한 물질은, 주로 1×10-6㎠/Vs 이상의 전자 이동도를 갖는 물질이다. 또한, 정공보다도 전자의 수송성이 높은 물질이라면, 상기 이외의 물질을 전자 수송층(133)으로서 사용해도 된다.
또한, 전자 수송층(133)은 단층의 것뿐만 아니라, 상기 물질을 포함하는 층이 2층 이상 적층된 것으로 해도 된다.
<전자 주입층>
전자 주입층(134)은 전자 주입성이 높은 물질을 포함하는 층이다. 전자 주입층(134)에는, 불화 리튬(LiF), 불화 세슘(CsF), 불화칼슘(CaF2), 리튬 산화물(LiOx) 등과 같은 알칼리 금속, 알칼리 토금속, 또는 그들의 화합물을 사용할 수 있다. 또한, 불화에르븀(ErF3)과 같은 희토류 금속 화합물을 사용할 수 있다. 또한, 전자 주입층(134)에 일렉트라이드를 사용해도 된다. 그 일렉트라이드로서는, 예를 들어, 칼슘과 알루미늄의 혼합 산화물에 전자를 고농도 첨가한 물질 등을 들 수 있다.
또한, 전자 주입층(134)에, 유기 화합물과 전자 공여체(도너)를 혼합하여 이루어지는 복합 재료를 사용해도 된다. 이러한 복합 재료는, 전자 공여체에 의해 유기 화합물에 전자가 발생하기 때문에, 전자 주입성 및 전자 수송성이 우수하다. 이 경우, 유기 화합물로서는, 발생한 전자의 수송이 우수한 재료인 것이 바람직하고, 구체적으로는, 예를 들어 상술한 전자 수송층(133)을 구성하는 물질(금속 착체나 복소 방향족 화합물 등)을 사용할 수 있다. 전자 공여체로서는, 유기 화합물에 대하여 전자 공여성을 나타내는 물질이면 된다. 구체적으로는, 알칼리 금속이나 알칼리 토금속이나 희토류 금속이 바람직하고, 리튬, 세슘, 마그네슘, 칼슘, 에르븀, 이테르븀 등을 들 수 있다. 또한, 알칼리 금속 산화물이나 알칼리 토금속 산화물이 바람직하고, 리튬 산화물, 칼슘 산화물, 바륨 산화물 등을 들 수 있다. 또한, 산화마그네슘과 같은 루이스 염기를 사용할 수도 있다. 또한, 테트라티아풀발렌(약칭: TTF) 등의 유기 화합물을 사용할 수도 있다.
또한, 상술한, 발광층, 정공 수송층, 정공 주입층, 전자 수송층, 및 전자 주입층은, 각각, 스퍼터링법, 증착법(진공 증착법을 포함함), 인쇄법(예를 들어, 철판 인쇄법, 요판 인쇄법, 그라비아 인쇄법, 평판 인쇄법, 공판 인쇄법 등), 잉크젯법, 도포법 등의 방법으로 형성할 수 있다.
이상과 같이, 발광 장치(100B)에 있어서는, 각 발광 소자에 정공 수송층, 정공 주입층, 전자 수송층, 전자 주입층이 설치된 구조이다. 그 이외의 구성에 대해서는, 도 1의 (A)(B)에 도시하는 발광 장치(100)와 동일하며, 동일한 효과를 발휘한다.
<발광 장치의 구성예 3>
이어서, 도 1의 (A)(B)에 도시하는 발광 장치(100)와 상이한 구성예에 대해서, 도 3의 (A)(B)를 사용하여, 이하 설명을 행한다.
도 3의 (A)는 본 발명의 일 형태의 발광 장치의 일례를 도시하는 상면도이며, 도 3의 (B)는 도 3의 (A)에 도시하는 일점쇄선 X2-Y2 사이의 절단면의 단면도에 상당한다. 도 3의 (A)(B)에 도시하는 발광 장치(140)는 제1 색을 나타내는 광을 발하는 제1 화소(101R)와, 제2 색을 나타내는 광을 발하는 제2 화소(101G)와, 제3 색을 나타내는 광을 발하는 제3 화소(101B)와, 제4 색을 나타내는 광을 발하는 제4 화소(101Y)를 갖는다. 또한, 제1 화소(101R)는, 제1 발광 소자(120R)와, 제1 발광 소자(120R)와 중첩하는 제1 광학 소자(156R)를 갖고, 제2 화소(101G)는, 제2 발광 소자(120G)와, 제2 발광 소자(120G)와 중첩하는 제2 광학 소자(156G)를 갖고, 제3 화소(101B)는 제3 발광 소자(120B)를 갖고, 제4 화소(101Y)는 제4 발광 소자(120Y)를 갖는다.
또한, 제1 발광 소자(120R), 제2 발광 소자(120G), 및 제4 발광 소자(120Y)는 제1 전극(104)과, 제1 전극(104) 위의 제1 발광층(110)과, 제1 발광층(110) 위의 제2 발광층(112)과, 제2 발광층(112) 위의 제2 전극(114)을 갖고, 제3 발광 소자(120B)는 제1 전극(104)과, 제1 전극(104) 위의 제2 발광층(112)과, 제2 발광층(112) 위의 제2 전극(114)을 갖는다. 또한, 도 3의 (B)에 도시한 바와 같이, 제1 전극(104) 위에 투명 도전막(106)을 설치하는 구성으로 해도 된다.
이와 같이, 발광 장치(140)에 있어서는, 제1 발광층(110)을 제1 발광 소자(120R), 제2 발광 소자(120G), 및 제4 발광 소자(120Y)에서 공통으로 사용하고, 제2 발광층(112)을 제1 발광 소자(120R), 제2 발광 소자(120G), 제3 발광 소자(120B), 및 제4 발광 소자(120Y)에서 공통으로 사용한다. 각 발광 소자에 있어서, 제1 발광층(110) 또는 제2 발광층(112)을 공통으로 사용함으로써 발광 소자 형성 시의 생산성을 높일 수 있다. 구체적으로는, 발광 장치(140)의 각 발광 소자의 제작 시의 구분 도포 공정을, 제1 발광층(110)의 1회만으로 할 수 있기 때문에, 생산성이 높아진다.
또한, 제1 화소(101R)로부터는 적색(R)을 나타내는 광이 발해지고, 제2 화소(101G)로부터는 녹색(G)을 나타내는 광이 발해지고, 제3 화소(101B)로부터는 청색(B)을 나타내는 광이 발해지고, 제4 화소(101Y)로부터는 황색(Y)을 나타내는 광이 발생된다. 따라서, 제1 화소(101R), 제2 화소(101G), 제3 화소(101B), 및 제4 화소(101Y)에 의해 풀컬러 표시를 행할 수 있다.
또한, 발광 장치(140)는 제1 화소(101R), 제2 화소(101G), 및 제3 화소(101B) 외에, 제4 화소(101Y)를 갖는 구성이기 때문에, 색 재현성을 높일 수 있다. 또한, 발광 장치(140)는 제4 화소(101Y)를 가짐으로써, 소비 전력을 저감할 수 있다.
또한, 제1 화소(101R)가 갖는 제1 발광 소자(120R)로부터는 황색을 나타내는 광이 발해지고, 그 황색을 나타내는 광이 제1 광학 소자(156R)를 통과함으로써, 적색을 나타내는 광이 되어 외부로 사출된다. 또한, 제2 화소(101G)가 갖는 제2 발광 소자(120G)로부터는 황색을 나타내는 광이 발해지고, 그 황색을 나타내는 광이 제2 광학 소자(156G)를 통과함으로써, 녹색을 나타내는 광이 되어 외부로 사출된다. 또한, 제4 화소(101Y)가 갖는 발광 소자(120Y)로부터는 황색을 나타내는 광이 발해지고, 광학 소자 등을 통과하지 않고, 그대로 외부로 사출된다. 또한, 제1 발광 소자(120R), 제2 발광 소자(120G), 및 제4 발광 소자(120Y)에 있어서, 제2 발광층(112)은 발광에 기여하지 않는다. 또한, 제3 화소(101B)가 갖는 제3 발광 소자(120B)로부터는 청색을 나타내는 광이 발해지고, 광학 소자 등을 통과하지 않고, 그대로 외부로 사출된다. 즉, 제3 화소(101B) 및 제4 화소(101Y)는 광학 소자를 갖지 않는다. 따라서, 제3 발광 소자(120B) 및 제4 발광 소자(120Y)로부터 사출되는 광은, 광학 소자를 통하지 않고 외부로 취출되는 구성이다. 달리 말하면, 제3 발광 소자(120B) 및 제4 발광 소자(120Y)로부터 사출되는 광은 제1 발광 소자(120R) 및 제2 발광 소자(120G)로부터 사출되는 광보다도 손실이 적게 사출된다.
따라서, 발광 장치(140)의 소비 전력을 저감할 수 있다. 제3 발광 소자(120B)로서, 청색의 형광 발광하는 물질을 사용한 경우에, 이 소비 전력 저감의 효과는 보다 현저하다. 또한, 제3 발광 소자(120B) 및 제4 발광 소자(120Y)에 광학 소자가 설치되어 있지 않은 경우, 제3 발광 소자(120B) 및 제4 발광 소자(120Y)에 있어서의 외광 반사를 방지하기 위해서, 용도에 따라서는 광학 소자, 또는 원편광판을 갖는 구성으로 해도 된다.
도 3의 (A)(B)에 도시하는 발광 장치(140)의 기타의 구성은, 도 1의 (A)(B)에 도시하는 발광 장치(100)와 동일하며, 동일한 효과를 발휘한다.
<발광 장치의 구성예 4>
이어서, 도 3의 (A)(B)에 도시하는 발광 장치(140)와 상이한 구성예에 대해서, 도 4의 (A)(B)를 사용하여, 이하 설명을 행한다.
도 4의 (A)(B)는 본 발명의 일 형태의 발광 장치의 일례를 도시하는 단면도이다. 또한, 도 4의 (A)(B)에 도시하는 발광 장치의 상면도에 대해서는, 도 3의 (A)에 도시하는 발광 장치(140)의 상면도와 동일하기 때문에, 여기에서의 기재는 생략한다.
도 4의 (A)에 도시하는 발광 장치(140A)는 제1 색을 나타내는 광을 발하는 제1 화소(101R)와, 제2 색을 나타내는 광을 발하는 제2 화소(101G)와, 제3 색을 나타내는 광을 발하는 제3 화소(101B)와, 제4 색을 나타내는 광을 발하는 제4 화소(101Y)를 갖는다. 또한, 제1 화소(101R)는, 제1 발광 소자(121R)와, 제1 발광 소자(121R)와 중첩하는 제1 광학 소자(156R)를 갖고, 제2 화소(101G)는, 제2 발광 소자(121G)와, 제2 발광 소자(121G)와 중첩하는 제2 광학 소자(156G)를 갖고, 제3 화소(101B)는 제3 발광 소자(121B)를 갖고, 제4 화소(101Y)는 제4 발광 소자(121Y)를 갖는다.
또한, 제1 발광 소자(121R)는, 제1 전극(104)과, 제1 전극(104) 위의 제1 투명 도전막(106R)과, 제1 투명 도전막(106R) 위의 제1 발광층(110)과, 제1 발광층(110) 위의 제2 발광층(112)과, 제2 발광층(112) 위의 제2 전극(114)을 갖고, 제2 발광 소자(121G)는 제1 전극(104)과, 제1 전극(104) 위의 제2 투명 도전막(106G)와, 제2 투명 도전막(106G) 위의 제1 발광층(110)과, 제1 발광층(110) 위의 제2 발광층(112)과, 제2 발광층(112) 위의 제2 전극(114)을 갖고, 제3 발광 소자(121B)는 제1 전극(104)과, 제1 전극(104) 위의 제3 투명 도전막(106B)와, 제3 투명 도전막(106B) 위의 제2 발광층(112)과, 제2 발광층(112) 위의 제2 전극(114)을 갖고, 제4 발광 소자(121Y)는 제1 전극(104)과, 제1 전극(104) 위의 제4 투명 도전막(106Y)과, 제4 투명 도전막(106Y) 위의 제1 발광층(110)과, 제1 발광층(110) 위의 제2 발광층(112)과, 제2 발광층(112) 위의 제2 전극(114)을 갖는다.
도 4의 (A)에 도시하는 발광 장치(140A)는, 도 3의 (B)에 도시하는 발광 장치(140)와 비교하여, 제1 발광 소자(121R), 제2 발광 소자(121G), 제3 발광 소자(121B), 및 제4 발광 소자(121Y)가 설치되어 있는 점이 상이하다. 또한, 제1 발광 소자(121R), 제2 발광 소자(121G), 제3 발광 소자(121B), 및 제4 발광 소자(121Y)는, 미소 공진기 구조를 갖는 구성이다. 미소 공진기 구조를 발광 소자에 조합하면, 발광 소자가 발하는 광으로부터, 특정한 파장을 갖는 광을 효율적으로 취출할 수 있다.
제1 발광층(110) 및 제2 발광층(112)으로부터 사출되는 광은 제1 전극(104)과 제2 전극(114) 사이에서 공진된다. 발광 장치(140A)에 있어서는, 각 발광 소자에서 제1 투명 도전막(106R), 제2 투명 도전막(106G), 제3 투명 도전막(106B), 및 제4 투명 도전막(106Y)의 두께를 조정함으로써, 제1 발광층(110) 및 제2 발광층(112)으로부터 사출되는 광의 강도를 강화할 수 있다.
구체적으로는, 제1 투명 도전막(106R), 제2 투명 도전막(106G), 제3 투명 도전막(106B), 및 제4 투명 도전막(106Y)의 막 두께를 조정하여, 원하는 광의 파장 λ에 대하여 제1 전극(104)과 제2 전극(114) 사이의 광학 거리가 mλ/2(단, m은 자연수)가 되도록 조정한다. 또한, 제1 투명 도전막(106R), 제2 투명 도전막(106G), 제3 투명 도전막(106B), 및 제4 투명 도전막(106Y)의 막 두께를 조정하여, 원하는 광의 파장 λ에 대하여 제1 전극(104)과 발광층(제1 발광층(110) 및 제2 발광층(112)) 사이의 광학 거리가, (2ｍ'+1)λ/4(단, ｍ'은 자연수)가 되도록 조절한다.
제1 투명 도전막(106R), 제2 투명 도전막(106G), 제3 투명 도전막(106B), 및 제4 투명 도전막(106Y)의 두께로서는, 「제1 투명 도전막(106R)>제4 투명 도전막(106Y)>제2 투명 도전막(106G)>제3 투명 도전막(106B)」의 관계를 만족하면 된다. 달리 말하면, 제1 투명 도전막(106R)은 제1 영역을 갖고, 제1 영역은 제1 두께를 갖고, 제2 투명 도전막(106G)은 제2 영역을 갖고, 제2 영역은 제2 두께를 갖고, 제3 투명 도전막(106B)은 제3 영역을 갖고, 제3 영역은 제3 두께를 갖고, 제4 투명 도전막(106Y)은 제4 영역을 갖고, 제4 영역은 제4 두께를 갖고, 제1 두께는 제4 두께보다도 두껍고, 제4 두께는 제2 두께보다도 두껍고, 제2 두께는 제3 두께보다도 두껍다. 예를 들어, 제1 투명 도전막(106R)으로서는, 막 두께 100nm의 ITO막을, 제2 투명 도전막(106G)으로서는, 막 두께 60nm의 ITO막을, 제3 투명 도전막(106B)으로서는, 막 두께 20nm의 ITO막을, 제4 투명 도전막(106Y)으로서는, 막 두께 80nm의 ITO막을, 각각 사용하면 된다. 제1 투명 도전막(106R), 제2 투명 도전막(106G), 제3 투명 도전막(106B), 및 제4 투명 도전막(106Y)의 두께가 상기 관계를 만족함으로써, 각 발광 소자가 발하는 광으로부터, 특정한 파장을 갖는 광을 효율적으로 취출할 수 있다.
도 4의 (B)에 도시하는 발광 장치(140B)는 제1 색을 나타내는 광을 발하는 제1 화소(101R)와, 제2 색을 나타내는 광을 발하는 제2 화소(101G)와, 제3 색을 나타내는 광을 발하는 제3 화소(101B)와, 제4 색을 나타내는 광을 발하는 제4 화소(101Y)를 갖는다. 또한, 제1 화소(101R)는, 제1 발광 소자(122R)와, 제1 발광 소자(122R)와 중첩하는 제1 광학 소자(156R)를 갖고, 제2 화소(101G)는, 제2 발광 소자(122G)와, 제2 발광 소자(122G)와 중첩하는 제2 광학 소자(156G)를 갖고, 제3 화소(101B)는 제3 발광 소자(122B)를 갖고, 제4 화소(101Y)는 제4 발광 소자(122Y)를 갖는다.
또한, 제1 발광 소자(122R), 제2 발광 소자(122G), 및 제4 발광 소자(122Y)는 제1 전극(104)과, 제1 전극(104) 위의 제1 투명 도전막(106)과, 제1 투명 도전막(106) 위의 정공 주입층(131)과, 정공 주입층(131) 위의 정공 수송층(132)과, 정공 수송층(132) 위의 제1 발광층(110)과, 제1 발광층(110) 위의 제2 발광층(112)과, 제2 발광층(112) 위의 전자 수송층(133)과, 전자 수송층(133) 위의 전자 주입층(134)과, 전자 주입층(134) 위의 제2 전극(114)을 갖는다. 또한, 제3 발광 소자(122B)는 제1 전극(104)과, 제1 전극(104) 위의 제1 투명 도전막(106)과, 제1 투명 도전막(106) 위의 정공 주입층(131)과, 정공 주입층(131) 위의 정공 수송층(132)과, 정공 수송층(132) 위의 제2 발광층(112)과, 제2 발광층(112) 위의 전자 수송층(133)과, 전자 수송층(133) 위의 전자 주입층(134)과, 전자 주입층(134) 위의 제2 전극(114)을 갖는다.
발광 장치(140B)는, 도 3의 (B)에 도시하는 발광 장치(140)와 비교하여, 제1 발광 소자(122R), 제2 발광 소자(122G), 및 제3 발광 소자(122B)가 설치되어 있는 점이 상이하다.
또한, 제1 발광 소자(122R), 제2 발광 소자(122G), 제3 발광 소자(122B), 및 제4 발광 소자(122Y)가 갖는 정공 주입층(131), 정공 수송층(132), 전자 수송층(133), 및 전자 주입층(134)은 각각, 각 발광 소자에서 공통으로 사용할 수 있다. 즉, 정공 주입층(131), 정공 수송층(132), 전자 수송층(133), 및 전자 주입층(134)을 각 발광 소자에서 구분 도포할 필요가 없다. 따라서, 발광 장치(140B)의 각 발광 소자의 제작 시의 구분 도포 공정으로서는, 제1 발광층(110)의 1회만으로 할 수 있다.
발광 장치(140B)가 갖는 정공 주입층(131), 정공 수송층(132), 전자 수송층(133), 및 전자 주입층(134)에 대해서는, 앞에서 기재된 발광 장치(100B)의 기재를 원용함으로써 형성할 수 있다.
기타의 구성에 대해서는, 도 3의 (A)(B)에 도시하는 발광 장치(140)와 동일하며, 동일한 효과를 발휘한다.
<발광 장치의 구성예 5>
이어서, 도 1의 (A)(B)에 도시하는 발광 장치(100)와 상이한 구성예에 대해서, 도 5의 (A)(B) 및 도 6을 사용하여, 이하 설명을 행한다.
도 5의 (A)(B), 및 도 6은, 본 발명의 일 형태의 발광 장치의 일례를 도시하는 단면도이다.
또한, 도 5의 (A)(B), 및 도 6에 도시하는 발광 장치의 상면도에 대해서는, 도 1의 (A)에 도시하는 발광 장치(100)의 상면도와 동일하기 때문에, 여기에서의 기재는 생략한다.
도 5의 (A)에 도시하는 발광 장치(160)는 제1 색을 나타내는 광을 발하는 제1 화소(101R)와, 제2 색을 나타내는 광을 발하는 제2 화소(101G)와, 제3 색을 나타내는 광을 발하는 제3 화소(101B)를 갖는다. 또한, 제1 화소(101R)는, 제1 발광 소자(123R)와, 제1 발광 소자(123R)와 중첩하는 제1 광학 소자(156R)를 갖고, 제2 화소(101G)는, 제2 발광 소자(123G)와, 제2 발광 소자(123G)와 중첩하는 제2 광학 소자(156G)를 갖고, 제3 화소(101B)는 제3 발광 소자(123B)를 갖는다.
또한, 제1 발광 소자(123R) 및 제2 발광 소자(123G)는 제1 전극(104)과, 제1 전극(104) 위의 제1 발광층(110)과, 제1 발광층(110) 위의 제2 전극(114)과, 갖고, 제3 발광 소자(123B)는 제1 전극(104)과, 제1 전극(104) 위의 제2 발광층(112)과, 제2 발광층(112) 위의 제1 발광층(110)과, 제1 발광층(110) 위의 제2 전극(114)을 갖는다. 또한, 도 5의 (A)에 도시한 바와 같이, 제1 전극(104) 위에 투명 도전막(106)을 설치하는 구성으로 해도 된다.
이와 같이, 도 5의 (A)에 도시하는 발광 장치(160)에 있어서는, 제1 발광층(110)을 제1 발광 소자(123R), 제2 발광 소자(123G), 및 제3 발광 소자(123B)에서 공통으로 사용하고, 제2 발광층(112)을 제3 발광 소자(123B)에서 사용한다. 각 발광 소자에 있어서, 제1 발광층(110)을 공통으로 사용함으로써 발광 소자 형성 시의 생산성을 높일 수 있다. 구체적으로는, 발광 장치(160)의 각 발광 소자의 제작 시의 구분 도포 공정을, 제2 발광층(112)의 1회만으로 할 수 있기 때문에, 생산성을 높일 수 있다.
또한, 제1 화소(101R)로부터는 적색(R)을 나타내는 광이 발해지고, 제2 화소(101G)로부터는 녹색(G)을 나타내는 광이 발해지고, 제3 화소(101B)로부터는 청색(B)을 나타내는 광이 발해진다. 따라서, 제1 화소(101R), 제2 화소(101G), 및 제3 화소(101B)에 의해 풀컬러 표시를 행할 수 있다.
또한, 제1 화소(101R)가 갖는 제1 발광 소자(123R)로부터는 황색을 나타내는 광이 발해지고, 그 황색을 나타내는 광이 제1 광학 소자(156R)를 통과함으로써, 적색을 나타내는 광이 되어 외부로 사출된다. 또한, 제2 화소(101G)가 갖는 제2 발광 소자(123G)로부터는 황색을 나타내는 광이 발해지고, 그 황색을 나타내는 광이 제2 광학 소자(156G)를 통과함으로써, 녹색을 나타내는 광이 되어 외부로 사출된다. 또한, 제3 화소(101B)가 갖는 제3 발광 소자(123B)로부터는 청색을 나타내는 광이 발해지고, 광학 소자 등을 통과하지 않고, 그대로 외부로 사출된다. 즉, 제3 화소(101B)는 광학 소자를 갖지 않는다. 따라서, 제3 발광 소자(123B)로부터 사출되는 광은, 광학 소자를 통하지 않고 외부로 취출되는 구성이다. 달리 말하면, 제3 발광 소자(123B)로부터 사출되는 광은 제1 발광 소자(123R) 및 제2 발광 소자(123G)로부터 사출되는 광보다도 손실이 적게 사출된다. 따라서, 발광 장치(160)의 소비 전력을 저감할 수 있다. 또한, 제3 발광 소자(123B)에 있어서, 제1 발광층(110)은 발광에 기여하지 않는다.
도 5의 (B)에 도시하는 발광 장치(160A)는 제1 색을 나타내는 광을 발하는 제1 화소(101R)와, 제2 색을 나타내는 광을 발하는 제2 화소(101G)와, 제3 색을 나타내는 광을 발하는 제3 화소(101B)를 갖는다. 또한, 제1 화소(101R)는, 제1 발광 소자(124R)와, 제1 발광 소자(124R)와 중첩하는 제1 광학 소자(156R)를 갖고, 제2 화소(101G)는, 제2 발광 소자(124G)와, 제2 발광 소자(124G)와 중첩하는 제2 광학 소자(156G)를 갖고, 제3 화소(101B)는 제3 발광 소자(124B)를 갖는다.
또한, 제1 발광 소자(124R)는, 제1 전극(104)과, 제1 전극(104) 위의 제1 투명 도전막(106R)과, 제1 투명 도전막(106R) 위의 제1 발광층(110)과, 제1 발광층(110) 위의 제2 전극(114)을 갖고, 제2 발광 소자(124G)는 제1 전극(104)과, 제1 전극(104) 위의 제2 투명 도전막(106G)와, 제2 투명 도전막(106G) 위의 제1 발광층(110)과, 제1 발광층(110) 위의 제2 전극(114)을 갖고, 제3 발광 소자(124B)는 제1 전극(104)과, 제1 전극(104) 위의 제3 투명 도전막(106B)와, 제3 투명 도전막(106B) 위의 제2 발광층(112)과, 제2 발광층(112) 위의 제1 발광층(110)과, 제1 발광층(110) 위의 제2 전극(114)을 갖는다.
또한, 제1 발광 소자(124R), 제2 발광 소자(124G), 및 제3 발광 소자(124B)는, 미소 공진기 구조를 갖는 구성이다.
제1 발광 소자(124R), 제2 발광 소자(124G), 및 제3 발광 소자(124B)가 갖는 제1 투명 도전막(106R), 제2 투명 도전막(106G), 및 제3 투명 도전막(106B)의 구성에 대해서는, 발광 장치(100)와 동일한 구성으로 할 수 있다.
기타의 구성에 대해서는, 발광 장치(160)와 동일하며, 동일한 효과를 발휘한다.
도 6에 도시하는 발광 장치(160B)는 제1 색을 나타내는 광을 발하는 제1 화소(101R)와, 제2 색을 나타내는 광을 발하는 제2 화소(101G)와, 제3 색을 나타내는 광을 발하는 제3 화소(101B)를 갖는다. 또한, 제1 화소(101R)는, 제1 발광 소자(125R)와, 제1 발광 소자(125R)와 중첩하는 제1 광학 소자(156R)를 갖고, 제2 화소(101G)는, 제2 발광 소자(125G)와, 제2 발광 소자(125G)와 중첩하는 제2 광학 소자(156G)를 갖고, 제3 화소(101B)는 제3 발광 소자(125B)를 갖는다.
또한, 제1 발광 소자(125R) 및 제2 발광 소자(125G)는 제1 전극(104)과, 제1 전극(104) 위의 투명 도전막(106)과, 투명 도전막(106) 위의 정공 주입층(131)과, 정공 주입층(131) 위의 정공 수송층(132)과, 정공 수송층(132) 위의 제1 발광층(110)과, 제1 발광층(110) 위의 전자 수송층(133)과, 전자 수송층(133) 위의 전자 주입층(134)과, 전자 주입층(134) 위의 제2 전극(114)을 갖는다. 또한, 제3 발광 소자(125B)는 제1 전극(104)과, 제1 전극(104) 위의 투명 도전막(106)과, 투명 도전막(106) 위의 정공 주입층(131)과, 정공 주입층(131) 위의 정공 수송층(132)과, 정공 수송층(132) 위의 제2 발광층(112)과, 제2 발광층(112) 위의 전자 수송층(133)과, 전자 수송층(133) 위의 전자 주입층(134)과, 전자 주입층(134) 위의 제2 전극(114)을 갖는다.
도 6에 도시하는 발광 장치(160B)가 갖는 정공 주입층(131), 정공 수송층(132), 전자 수송층(133), 및 전자 주입층(134)으로서는, 발광 장치(100B)의 기재를 참조함으로써 형성할 수 있다.
또한, 제1 발광 소자(125R), 제2 발광 소자(125G), 제3 발광 소자(125B)가 갖는 정공 주입층(131), 정공 수송층(132), 전자 수송층(133), 및 전자 주입층(134)은 각각, 각 발광 소자에서 공통으로 사용할 수 있다. 즉, 정공 주입층(131), 정공 수송층(132), 전자 수송층(133), 및 전자 주입층(134)을 각 발광 소자에서 구분 도포할 필요가 없다. 따라서, 발광 장치(160B)의 각 발광 소자의 제작 시의 구분 도포 공정으로서는, 제2 발광층(112)의 1회만으로 할 수 있다.
기타의 구성에 대해서는, 발광 장치(160)와 동일하며, 동일한 효과를 발휘한다.
<발광 장치의 구성예 6>
이어서, 도 3의 (A)(B)에 도시하는 발광 장치(140)와 상이한 구성예에 대해서, 도 7의 (A)(B), 도 8의 (A)(B), 및 도 9를 사용하여, 이하 설명을 행한다.
도 7의 (A)에 도시하는 발광 장치(170)는 제1 색을 나타내는 광을 발하는 제1 화소(101R)와, 제2 색을 나타내는 광을 발하는 제2 화소(101G)와, 제3 색을 나타내는 광을 발하는 제3 화소(101B)와, 제4 색을 나타내는 광을 발하는 제4 화소(101Y)를 갖는다. 또한, 제1 화소(101R)는, 제1 발광 소자(123R)와, 제1 발광 소자(123R)와 중첩하는 제1 광학 소자(156R)를 갖고, 제2 화소(101G)는, 제2 발광 소자(123G)와, 제2 발광 소자(123G)와 중첩하는 제2 광학 소자(156G)를 갖고, 제3 화소(101B)는 제3 발광 소자(123B)를 갖고, 제4 화소(101Y)는 제4 발광 소자(123Y)를 갖는다.
또한, 제1 발광 소자(123R), 제2 발광 소자(123G), 및 제4 발광 소자(123Y)는 제1 전극(104)과, 제1 전극(104) 위의 제1 발광층(110)과, 제1 발광층(110) 위의 제2 전극(114)을 갖고, 제3 발광 소자(123B)는 제1 전극(104)과, 제1 전극(104) 위의 제2 발광층(112)과, 제2 발광층(112) 위의 제1 발광층(110)과, 제1 발광층(110) 위의 제2 전극(114)을 갖는다.
이와 같이, 발광 장치(170)에 있어서는, 제1 발광층(110)을 제1 발광 소자(123R), 제2 발광 소자(123G), 및 제3 발광 소자(123B)에서 공통으로 사용하고, 제2 발광층(112)을 제3 발광 소자(123B)에서 사용한다. 각 발광 소자에 있어서, 제1 발광층(110)을 공통으로 사용함으로써 발광 소자 형성 시의 생산성을 높일 수 있다. 구체적으로는, 발광 장치(170)의 각 발광 소자의 제작 시의 구분 도포 공정으로서는, 제2 발광층(112)의 1회만으로 할 수 있다.
또한, 제1 화소(101R)로부터는 적색(R)을 나타내는 광이 발해지고, 제2 화소(101G)로부터는 녹색(G)을 나타내는 광이 발해지고, 제3 화소(101B)로부터는 청색(B)을 나타내는 광이 발해진다. 또한, 제4 화소(101Y)로부터는 황색(Y)을 나타내는 광이 발해진다.
또한, 발광 장치(170)는 제1 화소(101R), 제2 화소(101G), 및 제3 화소(101B) 외에, 제4 화소(101Y)를 갖는 구성이기 때문에, 색 재현성을 높일 수 있다. 또한, 발광 장치(170)는 제4 화소(101Y)를 가짐으로써, 소비 전력을 저감할 수 있다.
또한, 제1 화소(101R)가 갖는 제1 발광 소자(123R)로부터는 황색을 나타내는 광이 발해지고, 그 황색을 나타내는 광이 제1 광학 소자(156R)를 통과함으로써, 적색을 나타내는 광이 되어 외부로 사출된다. 또한, 제2 화소(101G)가 갖는 제2 발광 소자(123G)로부터는 황색을 나타내는 광이 발해지고, 그 황색을 나타내는 광이 제2 광학 소자(156G)를 통과함으로써, 녹색을 나타내는 광이 되어 외부로 사출된다. 또한, 제3 화소(101B)가 갖는 제3 발광 소자(123B)로부터는 청색을 나타내는 광이 발해지고, 광학 소자 등을 통과하지 않고, 그대로 외부로 사출된다. 또한, 제4 발광 소자(123Y)로부터는 황색을 나타내는 광이 발해지고, 광학 소자 등을 통과하지 않고, 그대로 외부로 사출된다. 즉, 제3 화소(101B) 및 제4 화소(101Y)는 광학 소자를 갖지 않는다. 따라서, 제3 발광 소자(123B) 및 제4 발광 소자(123Y)로부터 사출되는 광은, 광학 소자를 통하지 않고 외부로 취출되는 구성이다. 달리 말하면, 제3 발광 소자(123B) 및 제4 발광 소자(123Y)로부터 사출되는 광은 제1 발광 소자(123R) 및 제2 발광 소자(123G)로부터 사출되는 광보다도 손실이 적게 사출된다. 따라서, 발광 장치(170)의 소비 전력을 저감할 수 있다. 또한, 제3 발광 소자(123B)에 있어서, 제1 발광층(110)은 발광에 기여하지 않는다.
도 7의 (B)에 도시하는 발광 장치(170A)는 제1 색을 나타내는 광을 발하는 제1 화소(101R)와, 제2 색을 나타내는 광을 발하는 제2 화소(101G)와, 제3 색을 나타내는 광을 발하는 제3 화소(101B)와, 제4 색을 나타내는 광을 발하는 제4 화소(101Y)를 갖는다. 또한, 제1 화소(101R)는, 제1 발광 소자(124R)와, 제1 발광 소자(124R)와 중첩하는 제1 광학 소자(156R)를 갖고, 제2 화소(101G)는, 제2 발광 소자(124G)와, 제2 발광 소자(124G)와 중첩하는 제2 광학 소자(156G)를 갖고, 제3 화소(101B)는 제3 발광 소자(124B)를 갖고, 제4 화소(101Y)는 제4 발광 소자(124Y)를 갖는다.
또한, 제1 발광 소자(124R)는, 제1 전극(104)과, 제1 전극(104) 위의 제1 투명 도전막(106R)과, 제1 투명 도전막(106R) 위의 제1 발광층(110)과, 제1 발광층(110) 위의 제2 전극(114)을 갖고, 제2 발광 소자(124G)는 제1 전극(104)과, 제1 전극(104) 위의 제2 투명 도전막(106G)와, 제2 투명 도전막(106G) 위의 제1 발광층(110)과, 제1 발광층(110) 위의 제2 전극(114)을 갖고, 제3 발광 소자(124B)는 제1 전극(104)과, 제1 전극(104) 위의 제3 투명 도전막(106B)와, 제3 투명 도전막(106B) 위의 제2 발광층(112)과, 제2 발광층(112) 위의 제1 발광층(110)과, 제1 발광층(110) 위의 제2 전극(114)을 갖고, 제4 발광 소자(124Y)는 제1 전극(104)과, 제1 전극(104) 위의 제4 투명 도전막(106Y)과, 제4 투명 도전막(106Y) 위의 제1 발광층(110)과, 제1 발광층(110) 위의 제2 전극(114)을 갖는다.
또한, 제1 발광 소자(124R), 제2 발광 소자(124G), 제3 발광 소자(124B), 및 제4 발광 소자(124Y)는, 미소 공진기 구조를 갖는 구성이다. 미소 공진기 구조를 발광 소자에 조합하면, 발광 소자가 발하는 광으로부터, 특정한 파장을 갖는 광을 효율적으로 취출할 수 있다.
제1 발광 소자(124R), 제2 발광 소자(124G), 제3 발광 소자(124B), 및 제4 발광 소자(124Y)가 갖는 제1 투명 도전막(106R), 제2 투명 도전막(106G), 제3 투명 도전막(106B), 제4 투명 도전막(106Y)의 구성에 대해서는, 상술한 실시 형태에 나타내는 발광 장치(140)와 동일한 구성으로 할 수 있다.
도 8의 (A)에 도시하는 발광 장치(170B)는 제1 색을 나타내는 광을 발하는 제1 화소(101R)와, 제2 색을 나타내는 광을 발하는 제2 화소(101G)와, 제3 색을 나타내는 광을 발하는 제3 화소(101B)와, 제4 색을 나타내는 광을 발하는 제4 화소(101Y)를 갖는다. 또한, 제1 화소(101R)는, 제1 발광 소자(125R)와, 제1 발광 소자(125R)와 중첩하는 제1 광학 소자(156R)를 갖고, 제2 화소(101G)는, 제2 발광 소자(125G)와, 제2 발광 소자(125G)와 중첩하는 제2 광학 소자(156G)를 갖고, 제3 화소(101B)는 제3 발광 소자(125B)를 갖고, 제4 화소(101Y)는 제4 발광 소자(125Y)를 갖는다.
또한, 제1 발광 소자(125R), 제2 발광 소자(125G), 및 제4 발광 소자(125Y)는 제1 전극(104)과, 제1 전극(104) 위의 투명 도전막(106)과, 투명 도전막(106) 위의 정공 주입층(131)과, 정공 주입층(131) 위의 정공 수송층(132)과, 정공 수송층(132) 위의 제1 발광층(110)과, 제1 발광층(110) 위의 전자 수송층(133)과, 전자 수송층(133) 위의 전자 주입층(134)과, 전자 주입층(134) 위의 제2 전극(114)을 갖는다. 또한, 제3 발광 소자(125B)는 제1 전극(104)과, 제1 전극(104) 위의 투명 도전막(106)과, 투명 도전막(106) 위의 정공 주입층(131)과, 정공 주입층(131) 위의 정공 수송층(132)과, 정공 수송층(132) 위의 제2 발광층(112)과, 제2 발광층(112) 위의 전자 수송층(133)과, 전자 수송층(133) 위의 전자 주입층(134)과, 전자 주입층(134) 위의 제2 전극(114)을 갖는다.
도 8의 (A)에 도시하는 발광 장치(170B)가 갖는 정공 주입층(131), 정공 수송층(132), 전자 수송층(133), 및 전자 주입층(134)으로서는, 발광 장치(140B)를 참조함으로써 형성할 수 있다.
기타의 구성에 대해서는, 발광 장치(170)와 동일하며, 동일한 효과를 발휘한다.
도 8의 (B)에 도시하는 발광 장치(170C)는, 도 8의 (A)에 도시하는 발광 장치(170B)의 변형예이며, 광학 소자의 구성이 상이하다. 구체적으로는, 발광 장치(170C)가 갖는 제3 화소(101B) 및 제4 화소(101Y)는 제3 광학 소자(156B) 및 제4 광학 소자(156Y)를 각각 갖는다.
제3 광학 소자(156B) 및 제4 광학 소자(156Y)로서는, 먼저 나타내는 제1 광학 소자(156R), 제2 광학 소자(156G)와 동일한 구성으로 할 수 있다. 또한, 제3 광학 소자(156B)는 제3 발광 소자(125B)가 발하는 광으로부터 청색을 나타내는 광을 투과한다. 또한, 제4 광학 소자(156Y)는 제4 발광 소자(125Y)가 발하는 광으로부터 황색을 나타내는 광을 투과한다.
이와 같이, 각 발광 소자의 상방에 광학 소자를 설치하는 구성으로 함으로써, 색순도를 향상시키는 것이 가능하게 된다. 또한, 외광 반사를 억제할 수 있다.
도 9에 도시하는 발광 장치(170D)는, 도 8의 (A)에 도시하는 발광 장치(170B)의 변형예이며, 광학 소자의 구성이 상이하다. 구체적으로는, 발광 장치(170D)가 갖는 제1 화소(101R), 제2 화소(101G), 제3 화소(101B), 및 제4 화소(101Y)는, 광학 소자를 갖지 않은 구성이다.
이와 같이, 각 발광 소자의 상방에 광학 소자를 설치하지 않는 구성으로 함으로써, 소비 전력을 저감하는 것이 가능하게 된다. 단, 발광 장치(170D)에 도시한 바와 같이, 각 발광 소자가 미소 공진기 구조를 갖는 경우, 발광 소자가 발하는 광으로부터, 특정한 파장을 갖는 광을 효율적으로 취출하는 구성으로 하고 있기 때문에, 관찰하는 각도에 따라, 발광 소자로부터의 발광 스펙트럼이 상이하게 보이는 경우(시야각 의존성이라고도 함)가 있다. 그 시야각 의존성이 큰 경우에 있어서는, 발광 장치(170C)에 도시한 바와 같이, 각 발광 소자의 상방에 광학 소자를 설치하는 구성으로 함으로써, 시야각 의존성을 억제하는 것이 가능하게 된다.
또한, 상기 예시한 발광 장치의 각 구성에 대해서는, 적절히 조합하여 사용할 수 있다.
<발광 장치의 제작 방법 1>
이어서, 본 발명의 일 형태의 발광 장치의 제작 방법에 대해서, 도 11 및 도 12를 사용하여 이하 설명을 행한다. 또한, 여기에서는, 도 3의 (A)(B)에 도시하는 발광 장치(140)의 제작 방법에 대하여 설명한다.
도 11 및 도 12는, 본 발명의 일 형태의 발광 장치의 제작 방법을 설명하기 위한 단면도이다.
이하에서 설명하는 발광 장치(140)의 제작 방법은 제1 내지 제6의 6가지의 스텝을 갖는다.
<제1 스텝>
제1 스텝은, 각 발광 소자의 하부 전극(구체적으로는, 제1 전극(104) 및 투명 도전막(106)) 및 격벽(108)을 유기 화합물을 포함하는 발광층이 형성되어 있지 않은 기판(102) 위에 형성하는 공정이다(도 11의 (A) 참조).
제1 스텝에 있어서는, 유기 화합물을 포함하는 발광층을 손상시킬 우려가 없기 때문에, 다양한 미세 가공 기술을 적용할 수 있다. 본 실시 형태에서는, 스퍼터링법을 사용하여 제1 전극(104) 및 투명 도전막(106)이 되는 도전막을 형성하고, 포토리소그래피법을 사용하여 그 도전막을 패터닝하고, 그 후 건식 에칭법 및 습식 에칭법을 사용하여, 그 도전막을 섬 형상으로 가공하여 하부 전극을 형성한다. 그 후, 섬 형상의 하부 전극의 단부를 덮도록 격벽(108)을 형성한다.
제1 스텝에 있어서, 기판(102) 위에 반사성의 도전막을 형성하고, 그 후 투명 도전막을 형성한다. 또한, 본 실시 형태에 있어서는, 반사성의 도전막으로서, 은과 팔라듐과 구리의 합금막을 사용하고, 투명 도전막으로서 ITO막을 사용한다.
또한, 제1 스텝 전에, 기판(102) 위에 트랜지스터를 형성해도 된다. 또한, 그 트랜지스터와, 제1 전극(104)을 전기적으로 접속시켜도 된다.
또한, 투명 도전막은, 복수회로 나누어서 형성해도 된다. 그 투명 도전막을 복수회로 나누어서 형성함으로써, 각 발광 소자에서 미소 공진기 구조로 되는 막 두께로 투명 도전막을 형성할 수 있다.
격벽(108)은 하부 전극과 중첩되도록 개구부를 갖는다. 그 개구부에 의해 노출되는 투명 도전막이 발광 소자의 하부 전극으로서 기능한다. 본 실시 형태에서는, 격벽(108)으로서 아크릴 수지를 사용한다.
<제2 스텝>
제2 스텝은, 섀도우 마스크(190)를 사용하여 제1 발광층(110)을 형성하는 공정이다(도 11의 (B) 참조).
제2 스텝에 있어서, 개구부(191)를 갖는 섀도우 마스크(190)를 투명 도전막(106) 및 격벽(108)에 중첩되도록 배치하고, 섀도우 마스크(190)가 배치된 측으로부터, 제1 발광 재료를 갖는 유기 화합물(192)을 증착함으로써, 제1 발광층(110)을 형성한다.
본 실시 형태에서는, 기판(102)을 증착 장치에 공급하고, 섀도우 마스크(190)를 증착원(도시 생략)측에 배치한다. 그 후, 섀도우 마스크(190)의 개구부(191)를 원하는 위치에 배치하기 위한 얼라인먼트를 행한다. 또한, 섀도우 마스크(190)는 개구부(191)가 설치된, 두께가 몇십㎛ 이상인 금속 등의 박 또는 두께가 몇백㎛ 이하인 금속 등의 판으로 형성된 차폐판이다.
제1 발광층(110)은 540nm 이상 580nm 이하의 범위에 스펙트럼 피크를 갖는 제1 발광 재료를 갖는다. 제1 발광 재료로서는, 황색을 나타내는 광을 발하는 인광성의 유기 화합물을 사용할 수 있다. 또한, 그 인광성의 유기 화합물은, 단독으로 증착해도 되지만, 다른 재료와 혼합하여 증착해도 된다. 예를 들어, 인광성의 유기 화합물을 게스트 재료로 하여, 게스트 재료보다 여기 에너지가 큰 호스트 재료에 그 게스트 재료를 분산하여 증착해도 된다.
또한, 제1 발광층(110)을 형성하기 전에, 제1 발광 소자(120R), 제2 발광 소자(120G), 제3 발광 소자(120B), 및 제4 발광 소자(120Y)에 공통되는 유기 화합물(예를 들어, 정공 주입층 및/또는 정공 수송층)을 투명 도전막(106) 위에 형성해도 된다.
<제3 스텝>
제3 스텝은, 하부 전극(투명 도전막(106)), 격벽(108), 및 제1 발광층(110) 위에 제2 발광층(112)을 형성하는 공정이다(도 11의 (C) 참조).
제2 발광층(112)은 420nm 이상 480nm 이하의 범위에 스펙트럼 피크를 갖는 제2 발광 재료를 갖는다. 제2 발광 재료로서는, 청색을 나타내는 광을 발하는 형광성의 유기 화합물을 사용할 수 있다. 또한, 그 형광성의 유기 화합물은, 단독으로 증착해도 되지만, 다른 재료와 혼합하여 증착해도 된다. 예를 들어, 형광성의 유기 화합물을 게스트 재료로 하여, 게스트 재료보다 여기 에너지가 큰 호스트 재료에 그 게스트 재료를 분산하여 증착해도 된다.
<제4 스텝>
제4 스텝은, 발광 소자의 상부 전극으로서 기능하는 제2 전극(114)을 제2 발광층(112) 위에 형성하는 공정이다(도 11의 (D) 참조).
또한, 제2 전극(114)을 형성하기 전에, 제1 발광 소자(120R), 제2 발광 소자(120G), 제3 발광 소자(120B), 및 제4 발광 소자(120Y)에 공통되는 유기 화합물(예를 들어, 전자 수송층 및/또는 전자 주입층)을 제2 발광층(112) 위에 형성해도 된다.
상기 공정을 거쳐, 제1 발광 소자(120R), 제2 발광 소자(120G), 제3 발광 소자(120B), 및 제4 발광 소자(120Y)가 기판(102) 위에 형성된다.
<제5 스텝>
제5 스텝은, 기판(152) 위에 차광층(154), 제1 광학 소자(156R), 및 제2 광학 소자(156G)를 형성하는 공정이다(도 12의 (A) 참조).
본 실시 형태에서는, 차광층(154)으로서, 흑색 안료가 포함한 유기 수지막을 원하는 영역에 형성한다. 그 후, 기판(152) 및 차광층(154) 위에 제1 광학 소자(156R) 및 제2 광학 소자(156G)를 형성한다. 제1 광학 소자(156R)로서, 적색 안료가 포함한 유기 수지막을 원하는 영역에 형성한다. 또한, 제2 광학 소자(156G)로서, 녹색 안료가 포함한 유기 수지막을 원하는 영역에 형성한다.
<제6 스텝>
제6 스텝은, 기판(102) 위에 형성된 제1 발광 소자(120R), 제2 발광 소자(120G), 제3 발광 소자(120B), 및 제4 발광 소자(120Y)와, 기판(152) 위에 형성된 차광층(154), 제1 광학 소자(156R), 및 제2 광학 소자(156G)를 접합하고, 밀봉재(도시 생략)를 사용하여 밀봉하는 공정이다(도 12의 (B) 참조).
이상의 공정에 의해, 도 3의 (B)에 도시하는 발광 장치(140)를 형성할 수 있다. 또한, 본 실시 형태에 있어서는, 발광 소자의 구분 도포 공정이 제1 발광층(110)의 1회만으로 함으로써, 생산성이 높은 발광 장치의 제작 방법을 제공할 수 있다. 그 결과, 고정밀화에 수반하는 개구율의 저하가 억제된, 신규의 발광 장치의 제작 방법을 제공할 수 있다. 또는, 생산이 용이한, 신규의 발광 장치를 제공할 수 있다.
<발광 장치의 제작 방법 2>
이어서, 본 발명의 일 형태의 발광 장치의 제작 방법에 대해서, 도 13을 사용하여 이하 설명을 행한다. 또한, 여기에서는, 도 7의 (A)에 도시하는 발광 장치(170)의 제작 방법에 대하여 설명한다.
도 13은, 본 발명의 일 형태의 발광 장치의 제작 방법을 설명하기 위한 단면도이다.
이하에서 설명하는 발광 장치(170)의 제작 방법은 제1 내지 제6의 6가지의 스텝을 갖는다.
<제1 스텝>
제1 스텝은, 각 발광 소자의 하부 전극(구체적으로는, 제1 전극(104) 및 투명 도전막(106)) 및 격벽(108)을 유기 화합물을 포함하는 발광층이 형성되어 있지 않은 기판(102) 위에 형성하는 공정이다(도 13의 (A) 참조).
제1 스텝은, 먼저 나타내는 발광 장치(140)의 제1 스텝과 동일한 스텝이기 때문에, 여기에서의 상세한 설명은 생략한다.
<제2 스텝>
제2 스텝은, 섀도우 마스크(190a)를 사용하여 제2 발광층(112)을 형성하는 공정이다(도 13의 (B) 참조).
제2 스텝에 있어서, 개구부(191)를 갖는 섀도우 마스크(190a)를 투명 도전막(106) 및 격벽(108)에 중첩되도록 배치하고, 섀도우 마스크(190a)가 배치된 측으로부터, 제2 발광 재료를 갖는 유기 화합물(193)을 증착함으로써, 제2 발광층(112)을 형성한다.
본 실시 형태에서는, 기판(102)을 증착 장치에 공급하고, 섀도우 마스크(190a)를 증착원(도시 생략)측에 배치한다. 그 후, 섀도우 마스크(190a)의 개구부(191)를 원하는 위치에 배치하기 위한 얼라인먼트를 행한다. 또한, 섀도우 마스크(190a)는 개구부(191)가 설치된, 두께가 몇십㎛ 이상인 금속 등의 박 또는 두께가 몇백㎛ 이하인 금속 등의 판으로 형성된 차폐판이다.
또한, 앞에서 기재된 섀도우 마스크(190)보다도 섀도우 마스크(190a)쪽이, 개구부(191)의 면적이 작다. 개구부(191)의 면적이 작아짐으로써 섀도우 마스크(190a)의 기계적 강도가 높아져서, 섀도우 마스크(190a)의 휨 등이 적어지기 때문에 얼라인먼트 정밀도가 향상되기 때문에 적합하다.
제2 발광층(112)은 420nm 이상 480nm 이하의 범위에 스펙트럼 피크를 갖는 제2 발광 재료를 갖는다. 제2 발광 재료로서는, 청색을 나타내는 광을 발하는 형광성의 유기 화합물을 사용할 수 있다. 또한, 그 형광성의 유기 화합물은, 단독으로 증착해도 되지만, 다른 재료와 혼합하여 증착해도 된다. 예를 들어, 형광성의 유기 화합물을 게스트 재료로 하여, 게스트 재료보다 여기 에너지가 큰 호스트 재료에 그 게스트 재료를 분산하여 증착해도 된다.
또한, 제2 발광층(112)을 형성하기 전에, 제1 발광 소자(123R), 제2 발광 소자(123G), 제3 발광 소자(123B), 및 제4 발광 소자(123Y)에 공통되는 유기 화합물(예를 들어, 정공 주입층 및/또는 정공 수송층)을 투명 도전막(106) 위에 형성해도 된다.
<제3 스텝>
제3 스텝은, 하부 전극(투명 도전막(106)), 격벽(108), 및 제2 발광층(112) 위에 제1 발광층(110)을 형성하는 공정이다(도 13의 (C) 참조).
제1 발광층(110)은 540nm 이상 580nm 이하의 범위에 스펙트럼 피크를 갖는 제1 발광 재료를 갖는다. 제1 발광 재료로서는, 황색을 나타내는 광을 발하는 인광성의 유기 화합물을 사용할 수 있다. 또한, 그 인광성의 유기 화합물은, 단독으로 증착해도 되지만, 다른 재료와 혼합하여 증착해도 된다. 예를 들어, 인광성의 유기 화합물을 게스트 재료로 하여, 게스트 재료보다 여기 에너지가 큰 호스트 재료에 그 게스트 재료를 분산하여 증착해도 된다.
<제4 스텝>
제4 스텝은, 발광 소자의 상부 전극으로서 기능하는 제2 전극(114)을 제1 발광층(110) 위에 형성하는 공정이다(도 13의 (D) 참조).
또한, 제2 전극(114)을 형성하기 전에, 제1 발광 소자(123R), 제2 발광 소자(123G), 제3 발광 소자(123B), 및 제4 발광 소자(123Y)에 공통되는 유기 화합물(예를 들어, 전자 수송층 및/또는 전자 주입층)을 제1 발광층(110) 위에 형성해도 된다.
상기 공정을 거쳐, 제1 발광 소자(123R), 제2 발광 소자(123G), 제3 발광 소자(123B), 및 제4 발광 소자(123Y)가 기판(102) 위에 형성된다.
<제5 스텝 및 제6 스텝>
제5 스텝 및 제6 스텝은, 앞에서 기재된 발광 장치(140)의 제5 스텝 및 제6 스텝과 동일하다. 따라서, 여기에서의 설명은 생략한다.
이상의 공정에 의해, 도 7의 (A)에 도시하는 발광 장치(170)를 형성할 수 있다. 또한, 본 실시 형태에 있어서는, 발광 소자의 구분 도포 공정이 제2 발광층(112)의 1회만으로 함으로써, 생산성이 높은 발광 장치의 제작 방법을 제공할 수 있다. 그 결과, 고정밀화에 수반하는 개구율의 저하가 억제된, 신규의 발광 장치의 제작 방법을 제공할 수 있다. 또는, 생산이 용이한, 신규의 발광 장치를 제공할 수 있다.
이상, 본 실시 형태는, 다른 실시 형태와 적절히 조합할 수 있다.
(실시 형태 2)
본 실시 형태에서는, 본 발명의 일 형태의 발광 장치가 갖는 발광 소자의 구성에 대해서, 도 14 및 도 15의 (A)(B)(C)(D)를 사용하여 이하 설명한다.
본 실시 형태에서 예시하는 발광 소자는, 하부 전극과, 하부 전극 위의 유기 화합물을 포함하는 층(이하, EL층으로 함)과, EL층 위의 상부 전극을 갖는다. 하부 전극 또는 상부 전극의 한쪽은 양극, 다른쪽은 음극으로서 기능한다.
EL층은 하부 전극과 상부 전극의 사이에 설치되고, 그 EL층의 구성은 하부 전극과 상부 전극의 극성 및 재질에 맞춰서 적절히 선택한다.
이하에 발광 소자의 구성을 예시하는데, 발광 소자의 구성은 이것에 한정되지 않는다.
<발광 소자의 구성예>
발광 소자의 구성의 일례를 도 14에 도시한다. 도 14에 도시하는 발광 소자는, 양극(1101)과 음극(1102) 사이에 발광 유닛(1103)이 끼워져 있다.
발광 유닛(1103)은 전자와 정공이 재결합하는 영역을 적어도 하나 갖는다. 또한, 발광 유닛(1103)은 적어도 발광 물질을 포함하는 발광층을 1개 이상 구비하고 있으면 되고, 발광층 이외의 층과 적층된 구조여도 된다. 발광층 이외의 층으로서는, 예를 들어 정공 주입성이 높은 물질, 정공 수송성이 높은 물질, 정공 수송성이 부족한(블로킹하는) 물질, 전자 수송성이 높은 물질, 전자 주입성이 높은 물질, 및 바이폴라성(전자 및 정공의 수송성이 높은)의 물질 등을 포함하는 층을 들 수 있다.
양극(1101)과 음극(1102)의 사이에, 발광 소자의 역치 전압보다 높은 전압을 인가하면, 발광 유닛(1103)에 양극(1101) 측으로부터 정공이 주입되고, 음극(1102) 측으로부터 전자가 주입된다. 주입된 전자와 정공은 발광 유닛(1103)에서 재결합하여, 발광 유닛(1103)에 포함되는 발광 물질이 발광한다.
<발광 유닛의 구성예 1>
발광 유닛(1103)의 구성의 일례를 도 15의 (A)에 도시하였다. 도 15의 (A)에 도시하는 발광 유닛(1103)은 정공 주입층(131), 정공 수송층(132), 제1 발광층(110), 제2 발광층(112), 전자 수송층(133), 및 전자 주입층(134)이 양극(1101)측으로부터 이 순서로 적층되어 있다.
또한, 도 15의 (A)에 도시하는 발광 유닛(1103)은 도 4의 (B)에 도시하는 제1 발광 소자(122R), 제2 발광 소자(122G), 및 제4 발광 소자(122Y)의 구성에 상당한다.
양극(1101)측으로부터 주입되는 정공과, 음극(1102)측으로부터 주입되는 전자는 제1 발광층(110)의 근방에서 재결합하고, 그 에너지에 의해 제1 발광층(110)이 갖는 제1 발광 재료가 발광한다.
또한, 제1 발광층(110)은 양극측으로부터 주입된 정공을 제2 발광층(112)에 수송하지 않는 구성이 바람직하다. 예를 들어, 전자 수송성이 우수하고 정공 수송성이 떨어지는 재료, 또는 HOMO 준위가 제2 발광층(112)보다 깊은 재료를 포함하는 층을, 제1 발광층(110)의 제2 발광층(112)에 접하는 측에 설치하는 구성으로 해도 된다.
제1 발광층(110)은 540nm 이상 580nm 이하의 범위에 스펙트럼 피크를 갖는 제1 발광 재료를 갖는다. 제1 발광 재료로서는, 발광 효율이 높은 인광 물질을 사용하는 것이 바람직하다.
또한, 도 15의 (A)에 도시하는 발광 유닛(1103)의 구성에 있어서, 제2 발광층(112)은 발광층으로서 기능하지 않고, 전자 수송층으로서 기능한다. 제2 발광층(112)은 음극(1102)측으로부터 주입되는 전자를 제1 발광층(110)에 수송한다.
<발광 유닛의 구성예 2>
발광 유닛(1103)의 구성의 일례를 도 15의 (B)에 도시하였다. 도 15의 (B)에 도시하는 발광 유닛(1103)은 정공 주입층(131), 정공 수송층(132), 제2 발광층(112), 전자 수송층(133), 및 전자 주입층(134)이 양극(1101)측으로부터 이 순서로 적층되어 있다.
또한, 도 15의 (B)에 도시하는 발광 유닛(1103)은 도 4의 (B)에 도시하는 제3 발광 소자(122B)의 구성에 상당한다.
양극(1101)측으로부터 주입되는 정공과, 음극(1102)측으로부터 주입되는 전자는 제2 발광층(112)에서 재결합하고, 그 에너지에 의해 제2 발광층(112)이 갖는 제2 발광 재료가 발광한다.
제2 발광층(112)은 420nm 이상 480nm 이하의 범위에 스펙트럼 피크를 갖는 제2 발광 재료를 갖는다. 제2 발광 재료로서는, 신뢰성의 관점에서 형광 물질을 사용하면 바람직하다. 또한, 제2 발광층(112)에 형광 물질을 사용하는 경우, 그 형광 물질은 안트라센 유도체에 분산시키는 것이 바람직하다. 안트라센 유도체는 전자 수송성이 높기 때문에, 제2 발광층(112)에 사용함으로써 도 15의 (A)에 도시하는 발광 유닛(1103)에 있어서, 제2 발광층(112)이 발광하게 되는 것을 억제할 수 있다. 이때, 그 형광 물질은 방향족 아민 화합물이 바람직하다. 방향족 아민 화합물은 정공 트랩성이 높아(정공이 움직이기 어려워), 상대적으로 제2 발광층(112)의 전자 수송성을 높이기 때문이다. 방향족 아민 화합물로서는, 특히 피렌 유도체가 바람직하다.
또한, 도 15의 (B)에 도시하는 발광 유닛(1103)의 구성에 있어서, 제2 발광층(112)은 발광층으로서 기능한다.
<발광 유닛의 구성예 3>
발광 유닛(1103)의 구성의 일례를 도 15의 (C)에 도시하였다. 도 15의 (C)에 도시하는 발광 유닛(1103)은 정공 주입층(131), 정공 수송층(132), 제1 발광층(110), 전자 수송층(133), 및 전자 주입층(134)이 양극(1101)측으로부터 이 순서로 적층되어 있다.
또한, 도 15의 (C)에 도시하는 발광 유닛(1103)은 도 8의 (A)에 도시하는 제1 발광 소자(125R), 제2 발광 소자(125G), 및 제4 발광 소자(125Y)의 구성에 상당한다.
양극(1101)측으로부터 주입되는 정공과, 음극(1102)측으로부터 주입되는 전자는 제1 발광층(110)의 근방에서 재결합하고, 그 에너지에 의해 제1 발광층(110)이 갖는 제1 발광 재료가 발광한다.
제1 발광층(110)은 540nm 이상 580nm 이하의 범위에 스펙트럼 피크를 갖는 제1 발광 재료를 갖는다. 제1 발광 재료로서는, 발광 효율이 높은 인광 물질을 사용하는 것이 바람직하다.
<발광 유닛의 구성예 4>
발광 유닛(1103)의 구성의 일례를 도 15의 (D)에 도시하였다. 도 15의 (D)에 도시하는 발광 유닛(1103)은 정공 주입층(131), 정공 수송층(132), 제2 발광층(112), 제1 발광층(110), 전자 수송층(133), 및 전자 주입층(134)이 양극(1101)측으로부터 이 순서로 적층되어 있다.
또한, 도 15의 (D)에 도시하는 발광 유닛(1103)은 도 8의 (A)에 도시하는 제3 발광 소자(125B)의 구성에 상당한다.
양극(1101)측으로부터 주입되는 정공과, 음극(1102)측으로부터 주입되는 전자는 제2 발광층(112)에서 재결합하고, 그 에너지에 의해 제2 발광층(112)이 갖는 제2 발광 재료가 발광한다.
또한, 제2 발광층(112)은 양극측으로부터 주입된 정공을 제1 발광층(110)에 수송하지 않는 구성이 바람직하다. 예를 들어, 전자 수송성이 우수하고 정공 수송성이 떨어지는 재료, 또는 HOMO 준위가 제1 발광층(112)보다 깊은 재료를 포함하는 층을, 제2 발광층(112)의 제1 발광층(110)에 접하는 측에 설치하는 구성으로 해도 된다.
제2 발광층(112)은 420nm 이상 480nm 이하의 범위에 스펙트럼 피크를 갖는 제2 발광 재료를 갖는다. 제2 발광 재료로서는, 신뢰성의 관점에서 형광 물질을 사용하면 바람직하다.
또한, 도 15의 (D)에 도시하는 발광 유닛(1103)의 구성에 있어서, 제1 발광층(110)은 발광층으로서 기능하지 않고, 전자 수송층으로서 기능한다. 제1 발광층(110)은 음극(1102)측으로부터 주입되는 전자를 제2 발광층(112)에 수송한다.
또한, 본 실시 형태에서 설명한, EL층, 상부 전극, 및 하부 전극으로서는, 거기에 사용하는 재료에 따라서 다양한 방법(예를 들어, 건식법이나 습식법 등)을 사용할 수 있다. 예를 들어, 스퍼터링법, 진공 증착법, 전사법, 인쇄법(철판 인쇄법, 요판 인쇄법, 그라비아 인쇄법, 평판 인쇄법, 공판 인쇄법 등), 잉크젯법, 도포법 또는 스핀 코팅법 등을 선택하여 사용하면 된다. 또한, 각 층에서 서로 다른 방법을 사용하여 형성해도 된다.
또한, 본 실시 형태는, 본 명세서에서 나타내는 다른 실시 형태와 적절히 조합할 수 있다.
(실시 형태 3)
본 실시 형태에서는, 본 발명의 일 형태인 발광 장치의 일례로서, 액티브 매트릭스형의 발광 장치에 대하여 도 16을 사용하여 설명한다.
또한, 도 16의 (A)는 발광 장치를 도시하는 상면도이며, 도 16의 (B)는 도 16의 (A)를 일점쇄선 A-A'에서 절단한 단면도이다. 본 실시 형태에 따른 액티브 매트릭스형의 발광 장치는, 소자 기판(301) 위에 설치된 화소부(302)와, 구동 회로부(소스선 구동 회로)(303)와, 구동 회로부(게이트선 구동 회로)(304)(304a 및 304b)를 갖는다. 화소부(302), 구동 회로부(303), 및 구동 회로부(304)는 시일재(305)에 의해, 소자 기판(301)과 밀봉 기판(306) 사이에 밀봉되어 있다.
또한, 소자 기판(301) 위에는, 구동 회로부(303), 및 구동 회로부(304)에 외부로부터의 신호(예를 들어, 비디오 신호, 클럭 신호, 스타트 신호, 또는 리셋 신호 등)나 전위를 전달하는 외부 입력 단자를 접속하기 위한 라우팅 배선(307)이 설치된다. 여기에서는, 외부 입력 단자로서 FPC(플렉시블 프린트 서킷)(308)를 설치하는 예를 나타내고 있다. 또한, 여기에서는 FPC밖에 도시되어 있지 않으나, 이 FPC에는 프린트 배선 기판(PWB)이 설치되어 있어도 된다. 본 명세서에 있어서의 발광 장치에는, 발광 장치 본체뿐만 아니라, 거기에 FPC 또는 PWB가 설치된 상태도 포함하는 것으로 한다.
이어서, 단면 구조에 대하여 도 16의 (B)를 사용하여 설명한다. 소자 기판(301) 위에는 구동 회로부 및 화소부가 형성되어 있는데, 여기에서는, 소스선 구동 회로인 구동 회로부(303)와, 화소부(302)가 도시되어 있다.
구동 회로부(303)는 FET(309)와 FET(310)를 조합한 구성에 대하여 예시하고 있다. 또한, 구동 회로부(303)가 갖는 FET(309)와 FET(310)는, 단극성(N형 또는 P형 중 어느 한쪽만)의 트랜지스터를 포함하는 회로로 형성되어도 되고, N형의 트랜지스터와 P형의 트랜지스터를 포함하는 CMOS 회로로 형성되어도 된다. 또한, 본 실시 형태에서는, 기판 위에 구동 회로를 형성한 드라이버 일체형을 나타내지만, 반드시 그럴 필요는 없고, 기판 위가 아니라 외부에 구동 회로를 형성할 수도 있다.
또한, 화소부(302)는 스위칭용 FET(도시하지 않음)와, 전류 제어용의 FET(312)를 갖고, 전류 제어용의 FET(312)의 배선(소스 전극 또는 드레인 전극)은 발광 소자(317a) 및 발광 소자(317b)의 제1 전극(양극)(313a, 313b)과 전기적으로 접속되어 있다. 또한, 본 실시 형태에 있어서는, 화소부(302)에 2개의 FET(스위칭용 FET, 전류 제어용의 FET(312))를 사용하여 구성하는 예에 대하여 나타냈지만, 이것에 한정되지 않는다. 예를 들어, 3개 이상의 FET와, 용량 소자를 조합하는 구성으로 해도 된다.
FET(309, 310, 312)로서는, 예를 들어, 스태거형이나 역스태거형의 트랜지스터를 적용할 수 있다. FET(309, 310, 312)에 사용할 수 있는 반도체 재료로서는, 예를 들어, 제13족(갈륨 등) 반도체, 제14족(실리콘 등) 반도체, 화합물 반도체, 산화물 반도체, 유기 반도체 재료를 사용할 수 있다. 또한, 그 반도체 재료의 결정성에 대해서는, 특별히 한정되지 않고 예를 들어, 비정질 반도체막, 또는 결정성 반도체막을 사용할 수 있다. 특히, FET(309, 310, 312)로서는, 산화물 반도체를 사용하면 바람직하다. 그 산화물 반도체로서는, 예를 들어, In-Ga 산화물, In-M-Zn 산화물(M은, Al, Ga, Y, Zr, La, Ce, 또는 Nd) 등을 들 수 있다. FET(309, 310, 312)로서, 예를 들어, 에너지 갭이 2eV 이상, 바람직하게는 2.5eV 이상, 더욱 바람직하게는 3eV 이상의 산화물 반도체 재료를 사용함으로써 트랜지스터의 오프 전류를 저감할 수 있다.
또한, 제1 전극(313)에는, 광학 조정을 위한 도전막(320)을 적층한 구조를 포함한다. 예를 들어, 도 16의 (B)에 도시한 바와 같이 발광 소자(317a)와 발광 소자(317b)는 취출하는 광의 파장이 상이하기 때문에, 도전막(320a)과 도전막(320b)은 막 두께를 바꾸어서 형성된다. 또한, 제1 전극(313a, 313b)의 단부를 덮도록 절연물을 포함하는 격벽(314)이 형성된다. 여기에서는, 격벽(314)으로서, 포지티브형의 감광성 아크릴 수지를 사용하여 형성한다. 또한, 본 실시 형태에서는, 제1 전극(313a, 313b)을 양극으로서 사용한다.
또한, 격벽(314)의 상단부 또는 하단부에 곡률을 갖는 곡면이 형성되도록 하는 것이 바람직하다. 격벽(314)의 형상을 상기와 같이 형성함으로써, 격벽(314)의 상층에 형성되는 막의 피복성을 양호한 것으로 할 수 있다. 예를 들어, 격벽(314)의 재료로서, 네가티브형의 감광성 수지, 또는 포지티브형의 감광성 수지 중 어느 하나를 사용할 수 있고, 유기 화합물에 한하지 않고 무기 화합물, 예를 들어, 산화실리콘, 산화질화실리콘, 질화실리콘 등을 사용할 수 있다.
제1 전극(313a, 313b) 위에는, EL층(315) 및 제2 전극(316)이 적층 형성되어 있다. EL층(315)은 적어도 발광층이 형성되어 있고, 제1 전극(313a, 313b), EL층(315) 및 제2 전극(316)을 포함하는 발광 소자(317a, 317b)가 공유하는 EL층(315)의 단부가 제2 전극(316)으로 덮인 구조를 갖는다. 또한, EL층(315)의 구성에 대해서는, 실시 형태 2와 동일하게 한다.
또한, 제1 전극(313), EL층(315) 및 제2 전극(316)에 사용하는 재료로서는, 실시 형태 1에 나타내는 재료를 사용할 수 있다. 또한, 발광 소자(317a, 317b)의 제1 전극(313a, 313b)은 영역(321)에 있어서, 라우팅 배선(307)과 전기적으로 접속되어 FPC(308)를 통하여 외부 신호가 입력된다. 또한, 발광 소자(317a, 317b)의 제2 전극(316)은 영역(322)에 있어서, 라우팅 배선(323)과 전기적으로 접속되고, 여기에서는 도시하지 않지만, FPC(308)를 통하여 외부 신호가 입력된다.
또한, 도 16의 (B)에 도시하는 단면도에서는 발광 소자(317)를 2개만 도시하고 있지만, 화소부(302)에 있어서는, 실시 형태 1에서 나타낸 바와 같이 복수의 발광 소자가 매트릭스 형상으로 배치되어 있는 것으로 한다. 즉, 화소부(302)에는, 4종류(R, G, B, Y)의 발광이 얻어지는 발광 소자를 각각 형성하여, 풀컬러 표시 가능한 발광 장치를 형성할 수 있다.
또한, 시일재(305)로 밀봉 기판(306)을 소자 기판(301)과 접합함으로써, 소자 기판(301), 밀봉 기판(306), 및 시일재(305)로 둘러싸인 공간(318)에 발광 소자(317)가 구비된 구조가 되어 있다.
또한, 밀봉 기판(306)에는, 광학 소자(324)가 설치되어 있고, 인접하는 광학 소자의 사이에는 차광층(325)이 설치되어 있다. 또한, 발광 소자(317a, 317b)로 얻어진 발광은, 광학 소자(324)를 통하여 외부로 취출된다.
또한, 공간(318)은 불활성 기체(질소나 아르곤 등)가 충전되는 경우 외에, 시일재(305) 등의 고체로 충전되는 구성도 포함하는 것으로 한다.
또한, 시일재(305)에는 에폭시계 수지나 유리 프릿을 사용하는 것이 바람직하다. 또한, 이들 재료는 가능한 한 수분이나 산소를 투과하지 않는 재료인 것이 바람직하다. 또한, 밀봉 기판(306)에 사용하는 재료로서 유리 기판이나 석영 기판외에, FRP(Fiber-Reinforced Plastics), PVF(폴리비닐플루오라이드), 폴리에스테르 또는 아크릴 등을 포함하는 플라스틱 기판을 사용할 수 있다. 시일재로서 유리 프릿을 사용하는 경우에는, 접착성의 관점에서 소자 기판(301) 및 밀봉 기판(306)은 유리 기판인 것이 바람직하다.
이상과 같이 하여, 액티브 매트릭스형의 발광 장치를 얻을 수 있다. 또한, 발광 장치로서는, 실시 형태 1에 나타내는 소자 구조를 갖는 발광 소자를 적용한 패시브 매트릭스형의 발광 장치를 제작하는 것도 가능하다.
또한, 본 실시 형태에 나타내는 구성은, 다른 실시 형태에 나타낸 구성을 적절히 조합하여 사용할 수 있다.
(실시 형태 4)
본 실시 형태에서는, 본 발명의 일 형태인 발광 장치를 사용하여 완성시킨 여러가지 전자 기기의 일례에 대해서, 도 17을 사용하여 설명한다.
발광 장치를 적용한 전자 기기로서, 예를 들어, 텔레비전 장치(텔레비전, 또는 텔레비전 수신기라고도 함), 컴퓨터용 등의 모니터, 디지털 카메라, 디지털 비디오 카메라, 디지털 포토 프레임, 휴대 전화기(휴대 전화, 휴대 전화 장치라고도 함), 휴대형 게임기, 휴대 정보 단말기, 음향 재생 장치, 파칭코기 등의 대형 게임기 등을 들 수 있다.
도 17의 (A)는 텔레비전 장치의 일례를 나타내고 있다. 텔레비전 장치(7100)는 하우징(7101)에 표시부(7103)가 내장되어 있다. 표시부(7103)에 의해 영상을 표시하는 것이 가능하고, 발광 장치를 표시부(7103)에 사용할 수 있다. 또한, 여기에서는, 스탠드(7105)에 의해 하우징(7101)을 지지한 구성을 나타내고 있다.
텔레비전 장치(7100)의 조작은, 하우징(7101)이 구비하는 조작 스위치나, 별체의 리모콘 조작기(7110)에 의해 행할 수 있다. 리모콘 조작기(7110)가 구비하는 조작 키(7109)에 의해, 채널이나 음량의 조작을 행할 수 있어, 표시부(7103)에 표시되는 영상을 조작할 수 있다. 또한, 리모콘 조작기(7110)에, 그 리모콘 조작기(7110)로부터 출력하는 정보를 표시하는 표시부(7107)를 설치하는 구성으로 해도 된다.
또한, 텔레비전 장치(7100)는 수신기나 모뎀 등을 구비한 구성으로 한다. 수신기에 의해 일반의 텔레비전 방송의 수신을 행할 수 있고, 또한 모뎀을 통하여 유선 또는 무선에 의한 통신 네트워크에 접속함으로써, 일방향(송신자로부터 수신자) 또는 쌍방향(송신자와 수신자 간, 또는 수신자 간끼리 등)의 정보 통신을 행하는 것도 가능하다.
도 17의 (B)는 컴퓨터로서, 본체(7201), 하우징(7202), 표시부(7203), 키보드(7204), 외부 접속 포트(7205), 포인팅 디바이스(7206) 등을 포함한다. 또한, 컴퓨터는, 발광 장치를 그 표시부(7203)에 사용함으로써 제작할 수 있다.
도 17의 (C)는 손목 시계형 정보 단말기로서, 하우징(7302), 표시 패널(7304), 조작 버튼(7311, 7312), 접속 단자(7313), 밴드(7321), 이음쇠(7322), 등을 갖는다.
베젤 부분을 겸하는 하우징(7302)에 탑재된 표시 패널(7304)은 비직사각 형상의 표시 영역을 갖고 있다. 표시 패널(7304)은 시각을 나타내는 아이콘(7305), 기타의 아이콘(7306) 등을 표시할 수 있다.
또한, 도 17의 (C)에 도시하는 손목 시계형 정보 단말기는 여러가지 기능을 가질 수 있다. 예를 들어, 여러가지 정보(정지 화상, 동화상, 텍스트 화상 등)를 표시부에 표시하는 기능, 터치 센서 기능, 캘린더, 일자 또는 시각 등을 표시하는 기능, 여러가지 소프트웨어(프로그램)에 의해 처리를 제어하는 기능, 무선 통신 기능, 무선 통신 기능을 사용하여 여러가지 컴퓨터 네트워크에 접속하는 기능, 무선 통신 기능을 사용하여 여러가지 데이터의 송신 또는 수신을 행하는 기능, 기록 매체에 기록되어 있는 프로그램 또는 데이터를 판독하여 표시부에 표시하는 기능, 등을 가질 수 있다.
또한, 하우징(7302)의 내부에, 스피커, 센서(힘, 변위, 위치, 속도, 가속도, 각속도, 회전수, 거리, 광, 액체, 자기, 온도, 화학 물질, 음성, 시간, 경도, 전기장, 전류, 전압, 전력, 방사선, 유량, 습도, 경도, 진동, 냄새 또는 적외선을 측정하는 기능을 포함하는 것), 마이크로폰 등을 가질 수 있다. 또한, 손목 시계형 정보 단말기는, 발광 장치를 그 표시 패널(7304)에 사용함으로써 제작할 수 있다.
도 17의 (D)는 휴대 전화기(스마트폰을 포함함)의 일례를 도시하고 있다. 휴대 전화기(7400)는 하우징(7401)에, 표시부(7402), 마이크(7406), 스피커(7405), 카메라(7407), 외부 접속부(7404), 조작용 버튼(7403) 등을 구비하고 있다. 또한, 본 발명의 일 형태에 관한 발광 소자를, 가요성을 갖는 기판에 형성하여 발광 장치를 제작한 경우, 도 17의 (D)에 도시한 바와 같은 곡면을 갖는 표시부(7402)에 적용하는 것이 가능하다.
도 17의 (D)에 도시하는 휴대 전화기(7400)는 표시부(7402)를 손가락 등으로 접촉함으로써 정보를 입력할 수 있다. 또한, 전화를 걸거나, 또는 메일을 작성하는 등의 조작은, 표시부(7402)를 손가락 등으로 접촉함으로써 행할 수 있다.
표시부(7402)의 화면은 주로 3개의 모드가 있다. 제1은, 화상의 표시를 주로 하는 표시 모드이며, 제2는, 문자 등의 정보의 입력을 주로 하는 입력 모드이다. 제3은 표시 모드와 입력 모드의 2개의 모드가 혼합된 표시+입력 모드이다.
예를 들어, 전화를 걸거나, 또는 메일을 작성하는 경우에는, 표시부(7402)를 문자의 입력을 주로 하는 문자 입력 모드로 하고, 화면에 표시시킨 문자의 입력 조작을 행하면 된다. 이 경우, 표시부(7402)의 화면 대부분에 키보드 또는 번호 버튼을 표시시키는 것이 바람직하다.
또한, 휴대 전화기(7400) 내부에, 자이로 센서나 가속도 센서 등의 검출 장치를 설치함으로써, 휴대 전화기(7400)의 방향(세로이나 가로인가)을 판단하여, 표시부(7402)의 화면 표시를 자동으로 전환하도록 할 수 있다.
또한, 화면 모드의 전환은, 표시부(7402)를 접촉하는 것, 또는 하우징(7401)의 조작용 버튼(7403)의 조작에 의해 행하여진다. 또한, 표시부(7402)에 표시되는 화상의 종류에 따라 전환하도록 할 수도 있다. 예를 들어, 표시부에 표시하는 화상 신호가 동화상의 데이터라면 표시 모드, 텍스트 데이터라면 입력 모드로 전환한다.
또한, 입력 모드에서, 표시부(7402)의 광 센서로 검출되는 신호를 검지하고, 표시부(7402)의 터치 조작에 의한 입력이 일정 기간 없는 경우에는, 화면의 모드를 입력 모드로부터 표시 모드로 전환하도록 제어해도 된다.
표시부(7402)는 이미지 센서로서 기능시킬 수도 있다. 예를 들어, 표시부(7402)에 손바닥이나 손가락으로 접촉하여, 손금, 지문 등을 촬상함으로써, 본인 인증을 행할 수 있다. 또한, 표시부에 근적외광을 발광하는 백라이트 또는 근적외광을 발광하는 센싱용 광원을 사용하면, 손가락 정맥, 손바닥 정맥 등을 촬상할 수도 있다.
또한, 휴대 전화기(스마트폰을 포함함)의 다른 구성으로서, 도 17의 (D'-1)이나 도 17의 (D'-2)와 같은 구조를 갖는 휴대 전화기에 적용할 수도 있다.
또한, 도 17의 (D'-1)이나 도 17의 (D'-2)와 같은 구조를 갖는 경우에는, 문자 정보나 화상 정보 등을 하우징(7500(1), 7500(2))의 제1면(7501(1), 7501(2))뿐만 아니라, 제2면(7502(1), 7502(2))에 표시시킬 수 있다. 이러한 구조를 가짐으로써, 휴대 전화기를 가슴 주머니에 수납한 상태에서, 제2면(7502(1), 7502(2)) 등에 표시된 문자 정보나 화상 정보 등을 사용자가 용이하게 확인할 수 있다.
또한, 도 18의 (A) 내지 (C)에, 절첩 가능한 휴대 정보 단말기(9310)를 도시한다. 도 18의 (A)에 전개한 상태의 휴대 정보 단말기(9310)를 도시한다. 도 18의 (B)에 전개한 상태 또는 절첩한 상태의 한쪽으로부터 다른쪽으로 변화하는 도중의 상태의 휴대 정보 단말기(9310)를 도시한다. 도 18의 (C)에 절첩한 상태의 휴대 정보 단말기(9310)를 도시한다. 휴대 정보 단말기(9310)는 절첩한 상태에서는 가반성이 우수하고, 전개한 상태에서는, 이음매가 없는 넓은 표시 영역에 의해 표시의 일람성이 우수하다.
표시 패널(9311)은 힌지(9313)에 의해 연결된 3개의 하우징(9315)에 지지되어 있다. 힌지(9313)를 통하여 2개의 하우징(9315) 사이를 굴곡시킴으로써, 휴대 정보 단말기(9310)를 전개한 상태로부터 절첩한 상태로 가역적으로 변형시킬 수 있다. 본 발명의 일 형태의 발광 장치를 표시 패널(9311)에 사용할 수 있다.
이상과 같이 하여, 본 발명의 일 형태인 발광 장치를 적용하여 전자 기기를 얻을 수 있다. 또한, 적용할 수 있는 전자 기기는, 본 실시 형태에 나타낸 것에 한하지 않고, 모든 분야의 전자 기기에 적용하는 것이 가능하다.
또한, 본 실시 형태에 나타내는 구성은, 다른 실시 형태에 나타낸 구성과 적절히 조합하여 사용할 수 있다.
(실시 형태 5)
본 실시 형태에서는, 본 발명의 일 형태인 발광 장치를 적용한 조명 장치의 일례에 대해서, 도 19를 사용하여 설명한다.
도 19는, 발광 장치를 실내의 조명 장치(8001)로서 사용한 예이다. 또한, 발광 장치는 대면적화도 가능하기 때문에, 대면적의 조명 장치를 형성할 수도 있다. 기타, 곡면을 갖는 하우징을 사용함으로써 발광 영역이 곡면을 갖는 조명 장치(8002)를 형성할 수도 있다. 본 실시 형태에서 나타내는 발광 장치에 포함되는 발광 소자는 박막형이며, 하우징의 디자인 자유도가 높다. 따라서, 여러가지 의장을 집중시킨 조명 장치를 형성할 수 있다. 또한, 실내의 벽면에 대형의 조명 장치(8003)를 구비해도 된다. 또한, 조명 장치(8001, 8002, 8003)에 터치 센서를 설치하여, 발광 장치의 전원 온 또는 오프를 행해도 된다.
또한, 발광 장치를 테이블의 표면에 사용함으로써 테이블로서의 기능을 구비한 조명 장치(8004)로 할 수 있다. 또한, 기타의 가구의 일부에 발광 장치를 사용함으로써, 가구로서의 기능을 구비한 조명 장치로 할 수 있다.
이상과 같이, 발광 장치를 적용한 여러가지 조명 장치가 얻어진다. 또한, 이 조명 장치는 본 발명의 일 형태에 포함되는 것으로 한다.
또한, 본 실시 형태에 나타내는 구성은, 다른 실시 형태에 나타낸 구성과 적절히 조합하여 사용할 수 있다.
100: 발광 장치
100A: 발광 장치
100B: 발광 장치
101B: 화소
101G: 화소
101R: 화소
101Y: 화소
102: 기판
104: 전극
106: 투명 도전막
106B: 투명 도전막
106G: 투명 도전막
106R: 투명 도전막
106Y: 투명 도전막
108: 격벽
110: 발광층
112: 발광층
114: 전극
120B: 발광 소자
120G: 발광 소자
120R: 발광 소자
120Y: 발광 소자
121B: 발광 소자
121G: 발광 소자
121R: 발광 소자
121Y: 발광 소자
122B: 발광 소자
122G: 발광 소자
122R: 발광 소자
122Y: 발광 소자
123B: 발광 소자
123G: 발광 소자
123R: 발광 소자
123Y: 발광 소자
124B: 발광 소자
124G: 발광 소자
124R: 발광 소자
124Y: 발광 소자
125B: 발광 소자
125G: 발광 소자
125R: 발광 소자
125Y: 발광 소자
131: 정공 주입층
132: 정공 수송층
133: 전자 수송층
134: 전자 주입층
140: 발광 장치
140A: 발광 장치
140B: 발광 장치
152: 기판
154: 차광층
156B: 광학 소자
156G: 광학 소자
156R: 광학 소자
156Y: 광학 소자
160: 발광 장치
160A: 발광 장치
160B: 발광 장치
170: 발광 장치
170A: 발광 장치
170B: 발광 장치
170C: 발광 장치
170D: 발광 장치
190: 섀도우 마스크
190a: 섀도우 마스크
191: 개구부
192: 유기 화합물
193: 유기 화합물
301: 소자 기판
302: 화소부
303: 구동 회로부
304: 구동 회로부
305: 시일재
306: 밀봉 기판
307: 배선
308: FPC
309: FET
310: FET
312: FET
313: 전극
314: 격벽
315: EL층
316: 전극
317: 발광 소자
317a: 발광 소자
317b: 발광 소자
318: 공간
320: 도전막
320a: 도전막
320b: 도전막
321: 영역
322: 영역
323: 배선
324: 광학 소자
325: 차광층
1101: 양극
1102: 음극
1103: 발광 유닛
1104: 발광 유닛
7100: 텔레비전 장치
7101: 하우징
7103: 표시부
7105: 스탠드
7107: 표시부
7109: 조작 키
7110: 리모콘 조작기
7201: 본체
7202: 하우징
7203: 표시부
7204: 키보드
7205: 외부 접속 포트
7206: 포인팅 디바이스
7302: 하우징
7304: 표시 패널
7305: 아이콘
7306: 아이콘
7311: 조작 버튼
7312: 조작 버튼
7313: 접속 단자
7321: 밴드
7322: 금
7400: 휴대 전화기
7401: 하우징
7402: 표시부
7403: 조작용 버튼
7404: 외부 접속부
7405: 스피커
7406: 마이크
7407: 카메라
7500: 하우징
7501: 면
7502: 면
8001: 조명 장치
8002: 조명 장치
8003: 조명 장치
8004: 조명 장치
9310: 휴대 정보 단말기
9311: 표시 패널
9313: 힌지
9315: 하우징
100A: 발광 장치
100B: 발광 장치
101B: 화소
101G: 화소
101R: 화소
101Y: 화소
102: 기판
104: 전극
106: 투명 도전막
106B: 투명 도전막
106G: 투명 도전막
106R: 투명 도전막
106Y: 투명 도전막
108: 격벽
110: 발광층
112: 발광층
114: 전극
120B: 발광 소자
120G: 발광 소자
120R: 발광 소자
120Y: 발광 소자
121B: 발광 소자
121G: 발광 소자
121R: 발광 소자
121Y: 발광 소자
122B: 발광 소자
122G: 발광 소자
122R: 발광 소자
122Y: 발광 소자
123B: 발광 소자
123G: 발광 소자
123R: 발광 소자
123Y: 발광 소자
124B: 발광 소자
124G: 발광 소자
124R: 발광 소자
124Y: 발광 소자
125B: 발광 소자
125G: 발광 소자
125R: 발광 소자
125Y: 발광 소자
131: 정공 주입층
132: 정공 수송층
133: 전자 수송층
134: 전자 주입층
140: 발광 장치
140A: 발광 장치
140B: 발광 장치
152: 기판
154: 차광층
156B: 광학 소자
156G: 광학 소자
156R: 광학 소자
156Y: 광학 소자
160: 발광 장치
160A: 발광 장치
160B: 발광 장치
170: 발광 장치
170A: 발광 장치
170B: 발광 장치
170C: 발광 장치
170D: 발광 장치
190: 섀도우 마스크
190a: 섀도우 마스크
191: 개구부
192: 유기 화합물
193: 유기 화합물
301: 소자 기판
302: 화소부
303: 구동 회로부
304: 구동 회로부
305: 시일재
306: 밀봉 기판
307: 배선
308: FPC
309: FET
310: FET
312: FET
313: 전극
314: 격벽
315: EL층
316: 전극
317: 발광 소자
317a: 발광 소자
317b: 발광 소자
318: 공간
320: 도전막
320a: 도전막
320b: 도전막
321: 영역
322: 영역
323: 배선
324: 광학 소자
325: 차광층
1101: 양극
1102: 음극
1103: 발광 유닛
1104: 발광 유닛
7100: 텔레비전 장치
7101: 하우징
7103: 표시부
7105: 스탠드
7107: 표시부
7109: 조작 키
7110: 리모콘 조작기
7201: 본체
7202: 하우징
7203: 표시부
7204: 키보드
7205: 외부 접속 포트
7206: 포인팅 디바이스
7302: 하우징
7304: 표시 패널
7305: 아이콘
7306: 아이콘
7311: 조작 버튼
7312: 조작 버튼
7313: 접속 단자
7321: 밴드
7322: 금
7400: 휴대 전화기
7401: 하우징
7402: 표시부
7403: 조작용 버튼
7404: 외부 접속부
7405: 스피커
7406: 마이크
7407: 카메라
7500: 하우징
7501: 면
7502: 면
8001: 조명 장치
8002: 조명 장치
8003: 조명 장치
8004: 조명 장치
9310: 휴대 정보 단말기
9311: 표시 패널
9313: 힌지
9315: 하우징
Claims (28)
- 발광 장치로서,
제1 발광 소자, 및 상기 제1 발광 소자와 중첩하는 제1 광학 소자를 포함하는 제1 화소;
제2 발광 소자, 및 상기 제2 발광 소자와 중첩하는 제2 광학 소자를 포함하는 제2 화소; 및
제3 발광 소자를 포함하는 제3 화소
를 포함하고,
제1 색의 제1 광은 상기 제1 화소로부터 발해지고,
제2 색의 제2 광은 상기 제2 화소로부터 발해지고,
제3 색의 제3 광은 상기 제3 화소로부터 발해지고,
상기 제1 발광 소자는,
제1 전극;
상기 제1 전극 위의 제1 발광층;
상기 제1 발광층 위의 제2 발광층; 및
상기 제2 발광층 위의 제2 전극
을 포함하고,
상기 제2 발광 소자는,
제3 전극;
상기 제3 전극 위의 상기 제1 발광층;
상기 제1 발광층 위의 상기 제2 발광층; 및
상기 제2 발광층 위의 상기 제2 전극
을 포함하고,
상기 제3 발광 소자는,
제4 전극;
상기 제4 전극 위의 상기 제2 발광층; 및
상기 제2 발광층 위의 상기 제2 전극
을 포함하고,
상기 제1 발광층은 상기 제4 전극과 중첩하지 않고,
상기 제1 발광층은, 540nm 이상 580 nm 이하의 범위에 스펙트럼 피크를 갖는 제1 발광 재료를 포함하고,
상기 제2 발광층은, 420nm 이상 480nm 이하의 범위에 스펙트럼 피크를 갖는 제2 발광 재료를 포함하는, 발광 장치. - 삭제
- 삭제
- 삭제
- 삭제
- 발광 장치로서,
제1 발광 소자, 및 상기 제1 발광 소자와 중첩하는 제1 광학 소자를 포함하는 제1 화소;
제2 발광 소자, 및 상기 제2 발광 소자와 중첩하는 제2 광학 소자를 포함하는 제2 화소; 및
제3 발광 소자를 포함하는 제3 화소
를 포함하고,
제1 색의 제1 광은 상기 제1 화소로부터 발해지고,
제2 색의 제2 광은 상기 제2 화소로부터 발해지고,
제3 색의 제3 광은 상기 제3 화소로부터 발해지고,
상기 제1 발광 소자는,
제1 전극;
상기 제1 전극 위의 제1 발광층; 및
상기 제1 발광층 위의 제2 전극
을 포함하고,
상기 제2 발광 소자는,
제3 전극;
상기 제3 전극 위의 상기 제1 발광층; 및
상기 제1 발광층 위의 상기 제2 전극
을 포함하고,
상기 제3 발광 소자는,
제4 전극;
상기 제4 전극 위의 제2 발광층;
상기 제2 발광층 위의 상기 제1 발광층; 및
상기 제1 발광층 위의 상기 제2 전극
을 포함하고,
상기 제2 발광층은 상기 제1 전극 및 상기 제3 전극과 중첩하지 않고,
상기 제1 발광층은, 540nm 이상 580 nm 이하의 범위에 스펙트럼 피크를 갖는 제1 발광 재료를 포함하고,
상기 제2 발광층은, 420nm 이상 480nm 이하의 범위에 스펙트럼 피크를 갖는 제2 발광 재료를 포함하는, 발광 장치. - 제1항 또는 제6항에 있어서,
상기 제1 전극과 상기 제1 발광층 사이의 제1 투명 도전막;
상기 제3 전극과 상기 제1 발광층 사이의 제2 투명 도전막; 및
상기 제4 전극과 상기 제2 발광층 사이의 제3 투명 도전막
을 더 포함하는, 발광 장치. - 제7항에 있어서,
상기 제1 투명 도전막은 제1 두께를 갖고,
상기 제2 투명 도전막은 제2 두께를 갖고,
상기 제3 투명 도전막은 제3 두께를 갖고,
상기 제1 두께는 상기 제2 두께보다 두껍고,
상기 제2 두께는 상기 제3 두께보다 두꺼운, 발광 장치. - 삭제
- 삭제
- 발광 장치로서,
제1 발광 소자, 및 상기 제1 발광 소자와 중첩하는 제1 광학 소자를 포함하는 제1 화소;
제2 발광 소자, 및 상기 제2 발광 소자와 중첩하는 제2 광학 소자를 포함하는 제2 화소;
제3 발광 소자를 포함하는 제3 화소; 및
제4 발광 소자를 포함하는 제4 화소
를 포함하고,
제1 색의 제1 광은 상기 제1 화소로부터 발해지고,
제2 색의 제2 광은 상기 제2 화소로부터 발해지고,
제3 색의 제3 광은 상기 제3 화소로부터 발해지고,
제4 색의 제4 광은 상기 제4 화소로부터 발해지고,
상기 제1 발광 소자는,
제1 전극;
상기 제1 전극 위의 제1 발광층;
상기 제1 발광층 위의 제2 발광층; 및
상기 제2 발광층 위의 제2 전극
을 포함하고,
상기 제2 발광 소자는,
제3 전극;
상기 제3 전극 위의 상기 제1 발광층;
상기 제1 발광층 위의 상기 제2 발광층; 및
상기 제2 발광층 위의 상기 제2 전극
을 포함하고,
상기 제3 발광 소자는,
제4 전극;
상기 제4 전극 위의 상기 제2 발광층; 및
상기 제2 발광층 위의 상기 제2 전극
을 포함하고,
상기 제4 발광 소자는,
제5 전극;
상기 제5 전극 위의 상기 제1 발광층;
상기 제1 발광층 위의 상기 제2 발광층; 및
상기 제2 발광층 위의 상기 제2 전극
을 포함하고,
상기 제1 발광층은 상기 제4 전극과 중첩하지 않고,
상기 제1 발광층은, 540nm 이상 580 nm 이하의 범위에 스펙트럼 피크를 갖는 제1 발광 재료를 포함하고,
상기 제2 발광층은, 420nm 이상 480nm 이하의 범위에 스펙트럼 피크를 갖는 제2 발광 재료를 포함하는, 발광 장치. - 삭제
- 삭제
- 삭제
- 삭제
- 발광 장치로서,
제1 발광 소자, 및 상기 제1 발광 소자와 중첩하는 제1 광학 소자를 포함하는 제1 화소;
제2 발광 소자, 및 상기 제2 발광 소자와 중첩하는 제2 광학 소자를 포함하는 제2 화소;
제3 발광 소자를 포함하는 제3 화소; 및
제4 발광 소자를 포함하는 제4 화소
를 포함하고,
제1 색의 제1 광은 상기 제1 화소로부터 발해지고,
제2 색의 제2 광은 상기 제2 화소로부터 발해지고,
제3 색의 제3 광은 상기 제3 화소로부터 발해지고,
제4 색의 제4 광은 상기 제4 화소로부터 발해지고,
상기 제1 발광 소자는,
제1 전극;
상기 제1 전극 위의 제1 발광층; 및
상기 제1 발광층 위의 제2 전극
을 포함하고,
상기 제2 발광 소자는,
제3 전극;
상기 제3 전극 위의 상기 제1 발광층; 및
상기 제1 발광층 위의 상기 제2 전극
을 포함하고,
상기 제3 발광 소자는,
제4 전극;
상기 제4 전극 위의 제2 발광층;
상기 제2 발광층 위의 상기 제1 발광층; 및
상기 제1 발광층 위의 상기 제2 전극
을 포함하고,
상기 제4 발광 소자는,
제5 전극;
상기 제5 전극 위의 상기 제1 발광층; 및
상기 제1 발광층 위의 상기 제2 전극
을 포함하고,
상기 제2 발광층은 상기 제1 전극, 상기 제3 전극 및 상기 제5 전극과 중첩하지 않고,
상기 제1 발광층은, 540nm 이상 580 nm 이하의 범위에 스펙트럼 피크를 갖는 제1 발광 재료를 포함하고,
상기 제2 발광층은, 420nm 이상 480nm 이하의 범위에 스펙트럼 피크를 갖는 제2 발광 재료를 포함하는, 발광 장치. - 제11항 또는 제16항에 있어서,
상기 제1 전극과 상기 제1 발광층 사이의 제1 투명 도전막;
상기 제3 전극과 상기 제1 발광층 사이의 제2 투명 도전막;
상기 제4 전극과 상기 제2 발광층 사이의 제3 투명 도전막; 및
상기 제5 전극과 상기 제1 발광층 사이의 제4 투명 도전막
을 더 포함하는, 발광 장치. - 제17항에 있어서,
상기 제1 투명 도전막은 제1 두께를 갖고,
상기 제2 투명 도전막은 제2 두께를 갖고,
상기 제3 투명 도전막은 제3 두께를 갖고,
상기 제4 투명 도전막은 제4 두께를 갖고,
상기 제1 두께는 상기 제4 두께보다 두껍고,
상기 제4 두께는 상기 제2 두께보다 두껍고,
상기 제2 두께는 상기 제3 두께보다 두꺼운, 발광 장치. - 삭제
- 삭제
- 발광 장치로서,
제1 발광 소자를 포함하는 제1 화소; 및
제2 발광 소자를 포함하는 제2 화소
를 포함하고,
제3 색의 제1 광은 상기 제1 화소로부터 발해지고,
제4 색의 제2 광은 상기 제2 화소로부터 발해지고,
상기 제1 발광 소자는,
제1 전극;
상기 제1 전극 위의 제2 발광층; 및
상기 제2 발광층 위의 제2 전극
을 포함하고,
상기 제2 발광 소자는,
제3 전극;
상기 제3 전극 위의 제1 발광층;
상기 제1 발광층 위의 상기 제2 발광층; 및
상기 제2 발광층 위의 상기 제2 전극
을 포함하고,
상기 제1 발광층은 상기 제1 전극과 중첩하지 않고,
상기 제1 발광층은, 540nm 이상 580 nm 이하의 범위에 스펙트럼 피크를 갖는 제1 발광 재료를 포함하고,
상기 제2 발광층은, 420nm 이상 480nm 이하의 범위에 스펙트럼 피크를 갖는 제2 발광 재료를 포함하는, 발광 장치. - 발광 장치로서,
제1 발광 소자를 포함하는 제1 화소; 및
제2 발광 소자를 포함하는 제2 화소
를 포함하고,
제3 색의 제1 광은 상기 제1 화소로부터 발해지고,
제4 색의 제2 광은 상기 제2 화소로부터 발해지고,
상기 제1 발광 소자는,
제1 전극;
상기 제1 전극 위의 제2 발광층;
상기 제2 발광층 위의 제1 발광층; 및
상기 제1 발광층 위의 제2 전극
을 포함하고,
상기 제2 발광 소자는,
제3 전극;
상기 제3 전극 위의 상기 제1 발광층; 및
상기 제1 발광층 위의 상기 제2 전극
을 포함하고,
상기 제2 발광층은 상기 제3 전극과 중첩하지 않고,
상기 제1 발광층은, 540nm 이상 580 nm 이하의 범위에 스펙트럼 피크를 갖는 제1 발광 재료를 포함하고,
상기 제2 발광층은, 420nm 이상 480nm 이하의 범위에 스펙트럼 피크를 갖는 제2 발광 재료를 포함하는, 발광 장치. - 제21항 또는 제22항에 있어서,
화소 배열은 델타 배열인, 발광 장치. - 제21항 또는 제22항에 있어서,
화소 배열은 펜타일(Pen-tile) 배열인, 발광 장치. - 제21항 또는 제22항에 있어서,
상기 제1 전극과 상기 제2 발광층 사이의 제1 투명 도전막; 및
상기 제3 전극과 상기 제1 발광층 사이의 제2 투명 도전막
을 더 포함하는, 발광 장치. - 제25항에 있어서,
상기 제1 투명 도전막은 제1 두께를 갖고,
상기 제2 투명 도전막은 제2 두께를 갖고,
상기 제2 두께는 상기 제1 두께보다 두꺼운, 발광 장치. - 전자 기기로서,
제1항, 제6항, 제11항, 제16항, 제21항, 및 제22항 중 어느 한 항에 따른 발광 장치; 및
터치 센서 기능
을 포함하는, 전자 기기. - 조명 장치로서,
제1항, 제6항, 제11항, 제16항, 제21항, 및 제22항 중 어느 한 항에 따른 발광 장치; 및
터치 센서 기능
을 포함하는, 조명 장치.
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| WO2018021196A1 (ja) | 2016-07-28 | 2018-02-01 | シャープ株式会社 | 表示装置の製造方法および表示装置 |
| WO2018100458A1 (en) | 2016-11-30 | 2018-06-07 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and electronic device |
| US10312228B2 (en) * | 2017-01-25 | 2019-06-04 | Innolux Corporation | Display device |
| US11362306B2 (en) * | 2018-03-06 | 2022-06-14 | Sony Semiconductor Solutions Corporation | Light emitting element unit |
| KR20200129210A (ko) * | 2019-05-07 | 2020-11-18 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
| JP2022106458A (ja) * | 2021-01-07 | 2022-07-20 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 生体認証装置 |
| CN116762478A (zh) * | 2021-02-12 | 2023-09-15 | 索尼半导体解决方案公司 | 显示装置及电子装置 |
| WO2023057855A1 (ja) * | 2021-10-07 | 2023-04-13 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置、表示モジュール、及び、電子機器 |
| WO2024127605A1 (ja) * | 2022-12-15 | 2024-06-20 | シャープディスプレイテクノロジー株式会社 | 表示装置および表示装置の製造方法 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008539554A (ja) * | 2005-04-25 | 2008-11-13 | イーストマン コダック カンパニー | マルチカラーｏｌｅｄディスプレイ |
Family Cites Families (40)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3143350B2 (ja) * | 1995-02-06 | 2001-03-07 | 三洋電機株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
| JP2000228284A (ja) | 1998-12-01 | 2000-08-15 | Sanyo Electric Co Ltd | カラーｅｌ表示装置 |
| JP2004006362A (ja) | 1998-12-01 | 2004-01-08 | Sanyo Electric Co Ltd | カラーｅｌ表示装置 |
| JP2000227770A (ja) | 1998-12-01 | 2000-08-15 | Sanyo Electric Co Ltd | カラーｅｌ表示装置 |
| JP2000227771A (ja) | 1998-12-01 | 2000-08-15 | Sanyo Electric Co Ltd | カラーｅｌ表示装置 |
| JP4339000B2 (ja) * | 2002-03-26 | 2009-10-07 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置およびその作製方法 |
| JP2004071558A (ja) * | 2002-07-25 | 2004-03-04 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光装置の作製方法 |
| JP4403399B2 (ja) * | 2003-09-19 | 2010-01-27 | ソニー株式会社 | 表示装置および表示装置の製造方法 |
| KR100721554B1 (ko) * | 2004-07-22 | 2007-05-23 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기 전계 발광 소자 및 그의 제조 방법 |
| US8633473B2 (en) | 2004-12-28 | 2014-01-21 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | High contrast light emitting device and method for manufacturing the same |
| JP4742639B2 (ja) * | 2005-03-25 | 2011-08-10 | セイコーエプソン株式会社 | 発光装置 |
| TWI282249B (en) * | 2005-07-05 | 2007-06-01 | Univision Technology Inc | Color OLED device and fabrication method thereof |
| KR20070019495A (ko) | 2005-08-12 | 2007-02-15 | 삼성에스디아이 주식회사 | 백색 유기 발광 소자 및 그의 제조방법 |
| KR100721953B1 (ko) * | 2005-11-30 | 2007-05-25 | 삼성에스디아이 주식회사 | 풀칼라 유기전계발광표시장치 및 그 제조방법 |
| US7741770B2 (en) | 2007-10-05 | 2010-06-22 | Global Oled Technology Llc | LED device having improved light output |
| JP4450051B2 (ja) * | 2007-11-13 | 2010-04-14 | ソニー株式会社 | 表示装置 |
| JP2010192366A (ja) * | 2009-02-20 | 2010-09-02 | Sony Corp | 有機電界発光素子および有機電界発光素子の製造方法 |
| JP2011054461A (ja) * | 2009-09-03 | 2011-03-17 | Seiko Epson Corp | 照明装置およびこれを備えた表示装置、電子機器 |
| KR101108167B1 (ko) * | 2010-02-12 | 2012-02-06 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 유기 발광 디스플레이 장치 |
| KR101894898B1 (ko) * | 2011-02-11 | 2018-09-04 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 발광 장치 및 발광 장치를 사용한 전자 기기 |
| JP2012199231A (ja) * | 2011-03-04 | 2012-10-18 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 表示装置 |
| JP2012194256A (ja) * | 2011-03-15 | 2012-10-11 | Sony Corp | 表示装置および電子機器 |
| JP5837316B2 (ja) * | 2011-03-25 | 2015-12-24 | 株式会社Ｊｏｌｅｄ | 有機ｅｌ表示装置およびその製造方法 |
| KR101960759B1 (ko) * | 2011-04-08 | 2019-03-21 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 발광 장치, 전자 기기, 및 조명 장치 |
| KR101858636B1 (ko) * | 2011-06-14 | 2018-05-17 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
| JP2013030467A (ja) * | 2011-06-24 | 2013-02-07 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光装置および発光装置の作製方法 |
| US9711110B2 (en) | 2012-04-06 | 2017-07-18 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device comprising grayscale conversion portion and display portion |
| US9793444B2 (en) | 2012-04-06 | 2017-10-17 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and electronic device |
| TWI611215B (zh) * | 2012-05-09 | 2018-01-11 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 顯示裝置及電子裝置 |
| CN102856350B (zh) * | 2012-08-28 | 2016-01-06 | 江苏三月光电科技有限公司 | 全色oled显示器 |
| JP2013012493A (ja) * | 2012-09-10 | 2013-01-17 | Fujifilm Corp | カラー表示装置及びその製造方法 |
| KR20210068609A (ko) | 2012-10-30 | 2021-06-09 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 발광 패널, 디스플레이 장치, 및 발광 패널을 제작하는 방법 |
| CN102931213A (zh) * | 2012-11-26 | 2013-02-13 | 李崇 | 顶发光全色oled显示器 |
| JP6099420B2 (ja) | 2013-02-08 | 2017-03-22 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光装置 |
| JP6104649B2 (ja) * | 2013-03-08 | 2017-03-29 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光装置 |
| JP6114592B2 (ja) | 2013-03-21 | 2017-04-12 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置およびその製造方法、電子機器 |
| JP6174877B2 (ja) | 2013-03-21 | 2017-08-02 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置及び電子機器 |
| US9246133B2 (en) * | 2013-04-12 | 2016-01-26 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting module, light-emitting panel, and light-emitting device |
| WO2015132693A1 (en) | 2014-03-07 | 2015-09-11 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element, light-emitting device, electronic device, and lighting device |
| JP2015187982A (ja) | 2014-03-13 | 2015-10-29 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光素子、発光装置、電子機器、および照明装置 |
-
2015
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-
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-
2020
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-
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-
2024
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Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008539554A (ja) * | 2005-04-25 | 2008-11-13 | イーストマン コダック カンパニー | マルチカラーｏｌｅｄディスプレイ |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
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