JP2015216113A - 発光装置、電子機器、及び照明装置 - Google Patents

Abstract

【課題】新規な発光装置を提供する。または生産性が高く、消費電力が低減された新規な発光装置を提供する。【解決手段】第１の画素乃至第３の画素を有し、第１の画素は、第１の発光素子と、第１の光学素子とを有し、第２の画素は、第２の発光素子と、第２の光学素子とを有し、第３の画素は、第３の発光素子を有し、第１の発光素子乃至第３の発光素子において、第１の発光層または第２の発光層を共通して用いる。また、第１の発光層は、５４０ｎｍ以上５８０ｎｍ以下の範囲にスペクトルピークを有する第１の発光材料を有し、第２の発光層は、４２０ｎｍ以上４８０ｎｍ以下の範囲にスペクトルピークを有する第２の発光材料を有する。【選択図】図１

Description

本発明の一態様は、電界を加えることにより発光が得られる発光層を一対の電極間に挟んでなる発光素子を有する発光装置、電子機器、及び照明装置に関する。

なお、本発明の一態様は、上記の技術分野に限定されない。本明細書等で開示する発明の一態様の技術分野は、物、方法、または、製造方法に関するものである。または、本発明の一態様は、プロセス、マシン、マニュファクチャ、または、組成物（コンポジション・オブ・マター）に関するものである。そのため、より具体的に本明細書で開示する本発明の一態様の技術分野としては、半導体装置、表示装置、液晶表示装置、発光装置、照明装置、蓄電装置、記憶装置、それらの駆動方法、または、それらの製造方法、を一例として挙げることができる。

薄型軽量、高速応答性、直流低電圧駆動などの特徴を有する有機化合物を発光層として用いた発光素子は、次世代のフラットパネルディスプレイへの応用が期待されている。特に、発光素子（例えば、有機ＥＬ素子）をマトリクス状に配置した発光装置は、従来の液晶表示装置と比較して、視野角が広く視認性が優れる点に優位性があると考えられている。

有機ＥＬ素子は電極間に発光層を挟んで電圧を印加することにより、電極から注入された電子およびホールが再結合して有機化合物である発光物質が励起状態となり、その励起状態が基底状態に戻る際に発光する。発光物質が発する光のスペクトルはその発光物質特有のものであり、異なる種類の有機化合物を発光物質として用いることによって、様々な色の発光を呈する発光素子を得ることができる。

画像を表示することを念頭においた発光装置の場合、フルカラーの映像を再現するためには、少なくとも赤、緑、青の３色の光を得ることが必要になる。さらに、色の再現性を良好なものとし画質を高めるために、マイクロキャビティ構造、またはカラーフィルタを用いることで発光の色純度を高める工夫もなされる。

また、フルカラー化の手法の一つとして、例えば、発光層を画素ごとに塗り分ける手法がある。該発光層は、シャドウマスクを用いて必要な画素のみに蒸着される。この場合、工程を減らしてコストを削減するために、発光層以外の層、例えば、正孔輸送層、電子輸送層、及び陰極を複数の画素で共通に形成する構成が開示されている（例えば、特許文献１参照）。

特開２００４−６３６２号公報

特許文献１に記載された構成の場合、画素ごとに発光層を塗り分ける必要があり、シャドウマスクの開口部を所望の位置に配置（アライメントともいう）する精度が高く要求される。発光装置の高精細化が進んだ場合に、さらに高いアライメント精度が要求されるため、発光装置の作製における歩留まりが低下するといった課題がある。

また、白色の発光を呈する発光素子と、該発光素子に重ねて設けられたカラーフィルタまたは色変換層を用いてフルカラー化する場合、カラーフィルタまたは色変換層によるエネルギー損失がある。該エネルギー損失を補うために、発光素子の電流密度を高めて駆動させると消費電力が高くなる、または発光素子の信頼性が低下してしまう。

上述した課題に鑑み、本発明の一態様では、新規な発光装置を提供することを課題の一つとする。または生産性が高く、消費電力が低減された新規な発光装置を提供することを課題の一つとする。または新規な発光装置の作製方法を提供することを課題の一つとする。

なお、上記の課題の記載は、他の課題の存在を妨げるものではない。なお、本発明の一態様は、必ずしも、これらの課題の全てを解決する必要はない。上記以外の課題は、明細書等の記載から自ずと明らかになるものであり、明細書等の記載から上記以外の課題を抽出することが可能である。

本発明の一態様は、第１の画素乃至第３の画素を有し、第１の画素は、第１の発光素子と、第１の光学素子とを有し、第２の画素は、第２の発光素子と、第２の光学素子とを有し、第３の画素は、第３の発光素子を有し、第１の発光素子乃至第３の発光素子において、第１の発光層または第２の発光層を共通して用いる。また、第１の発光層は、５４０ｎｍ以上５８０ｎｍ以下の範囲にスペクトルピークを有する第１の発光材料を有し、第２の発光層は、４２０ｎｍ以上４８０ｎｍ以下の範囲にスペクトルピークを有する第２の発光材料を有する発光装置である。より詳細には以下の通りである。

本発明の一態様は、複数の光を発する発光装置であって、発光装置は、第１の色を呈する光を発することができる機能を有する第１の画素と、第２の色を呈する光を発することができる機能を有する第２の画素と、第３の色を呈する光を発することができる機能を有する第３の画素と、を有し、第１の画素は、第１の発光素子と、第１の光学素子と、を有し、第１の発光素子と、第１の光学素子とは、互いに重なる領域を有し、第２の画素は、第２の発光素子と、第２の光学素子と、を有し、第２の発光素子と、第２の光学素子とは、互いに重なる領域を有し、第３の画素は、第３の発光素子を有し、第１の発光素子は、第１の電極と、第１の電極上の第１の発光層と、第１の発光層上の第２の発光層と、第２の発光層上の第２の電極と、を有し、第２の発光素子は、第３の電極と、第３の電極上の第１の発光層と、第１の発光層上の第２の発光層と、第２の発光層上の第２の電極と、を有し、第３の発光素子は、第４の電極と、第４の電極上の第２の発光層と、第２の発光層上の第２の電極と、を有し、第１の発光層は、５４０ｎｍ以上５８０ｎｍ以下の範囲にスペクトルピークを有する第１の発光材料を有し、第２の発光層は、４２０ｎｍ以上４８０ｎｍ以下の範囲にスペクトルピークを有する第２の発光材料を有することを特徴とする発光装置である。

また、本発明の他の一態様は、複数の光を発する発光装置であって、発光装置は、第１の色を呈する光を発することができる機能を有する第１の画素と、第２の色を呈する光を発することができる機能を有する第２の画素と、第３の色を呈する光を発することができる機能を有する第３の画素と、を有し、第１の画素は、第１の発光素子と、第１の光学素子と、を有し、第１の発光素子と、第１の光学素子とは、互いに重なる領域を有し、第２の画素は、第２の発光素子と、第２の光学素子と、を有し、第２の発光素子と、第２の光学素子とは、互いに重なる領域を有し、第３の画素は、第３の発光素子を有し、第１の発光素子は、第１の電極と、第１の電極上の第１の透明導電膜と、第１の透明導電膜上の第１の発光層と、第１の発光層上の第２の発光層と、第２の発光層上の第２の電極と、を有し、第２の発光素子は、第３の電極と、第３の電極上の第２の透明導電膜と、第２の透明導電膜上の第１の発光層と、第１の発光層上の第２の発光層と、第２の発光層上の第２の電極と、を有し、第３の発光素子は、第４の電極と、第４の電極上の第３の透明導電膜と、第３の透明導電膜上の第２の発光層と、第２の発光層上の第２の電極と、を有し、第１の発光層は、５４０ｎｍ以上５８０ｎｍ以下の範囲にスペクトルピークを有する第１の発光材料を有し、第２の発光層は、４２０ｎｍ以上４８０ｎｍ以下の範囲にスペクトルピークを有する第２の発光材料を有することを特徴とする発光装置である。

また、上記構成において、第１の透明導電膜は、第１の領域を有し、第１の領域は、第１の厚さを有し、第２の透明導電膜は、第２の領域を有し、第２の領域は、第２の厚さを有し、第３の透明導電膜は、第３の領域を有し、第３の領域は、第３の厚さを有し、第１の厚さは、第２の厚さよりも厚く、第２の厚さは、第３の厚さよりも厚いと好ましい。

また、本発明の他の一態様は、複数の光を発する発光装置であって、発光装置は、第１の色を呈する光を発することができる機能を有する第１の画素と、第２の色を呈する光を発することができる機能を有する第２の画素と、第３の色を呈する光を発することができる機能を有する第３の画素と、第４の色を呈する光を発することができる機能を有する第４の画素と、を有し、第１の画素は、第１の発光素子と、第１の光学素子と、を有し、第１の発光素子と、第１の光学素子とは、互いに重なる領域を有し、第２の画素は、第２の発光素子と、第２の光学素子と、を有し、第２の発光素子と、第２の光学素子とは、互いに重なる領域を有し、第３の画素は、第３の発光素子を有し、第４の画素は、第４の発光素子を有し、第１の発光素子は、第１の電極と、第１の電極上の第１の発光層と、第１の発光層上の第２の発光層と、第２の発光層上の第２の電極と、を有し、第２の発光素子は、第３の電極と、第３の電極上の第１の発光層と、第１の発光層上の第２の発光層と、第２の発光層上の第２の電極と、を有し、第３の発光素子は、第４の電極と、第４の電極上の第２の発光層と、第２の発光層上の第２の電極と、を有し、第４の発光素子は、第５の電極と、第５の電極上の第１の発光層と、第１の発光層上の第２の発光層と、第２の発光層上の第２の電極と、を有し、第１の発光層は、５４０ｎｍ以上５８０ｎｍ以下の範囲にスペクトルピークを有する第１の発光材料を有し、第２の発光層は、４２０ｎｍ以上４８０ｎｍ以下の範囲にスペクトルピークを有する第２の発光材料を有することを特徴とする発光装置である。

また、本発明の他の一態様は、複数の光を発する発光装置であって、発光装置は、第１の色を呈する光を発することができる機能を有する第１の画素と、第２の色を呈する光を発することができる機能を有する第２の画素と、第３の色を呈する光を発することができる機能を有する第３の画素と、第４の色を呈する光を発することができる機能を有する第４の画素と、を有し、第１の画素は、第１の発光素子と、第１の光学素子と、を有し、第１の発光素子と、第１の光学素子とは、互いに重なる領域を有し、第２の画素は、第２の発光素子と、第２の光学素子と、を有し、第２の発光素子と、第２の光学素子とは、互いに重なる領域を有し、第３の画素は、第３の発光素子を有し、第４の画素は、第４の発光素子を有し、第１の発光素子は、第１の電極と、第１の電極上の第１の透明導電膜と、第１の透明導電膜上の第１の発光層と、第１の発光層上の第２の発光層と、第２の発光層上の第２の電極と、を有し、第２の発光素子は、第３の電極と、第３の電極上の第２の透明導電膜と、第２の透明導電膜上の第１の発光層と、第１の発光層上の第２の発光層と、第２の発光層上の第２の電極と、を有し、第３の発光素子は、第４の電極と、第４の電極上の第３の透明導電膜と、第３の透明導電膜上の第２の発光層と、第２の発光層上の第２の電極と、を有し、第４の発光素子は、第５の電極と、第５の電極上の第４の透明導電膜と、第４の透明導電膜上の第２の発光層と、第２の発光層上の第２の電極と、を有し、第１の発光層は、５４０ｎｍ以上５８０ｎｍ以下の範囲にスペクトルピークを有する第１の発光材料を有し、第２の発光層は、４２０ｎｍ以上４８０ｎｍ以下の範囲にスペクトルピークを有する第２の発光材料を有することを特徴とする発光装置である。

また、上記構成において、第１の透明導電膜は、第１の領域を有し、第１の領域は、第１の厚さを有し、第２の透明導電膜は、第２の領域を有し、第２の領域は、第２の厚さを有し、第３の透明導電膜は、第３の領域を有し、第３の領域は、第３の厚さを有し、第４の透明導電膜は、第４の領域を有し、第４の領域は、第４の厚さを有し、第１の厚さは、第４の厚さよりも厚く、第４の厚さは、第２の厚さよりも厚く、第２の厚さは、第３の厚さよりも厚いと好ましい。

また、本発明の他の一態様は、複数の光を発する発光装置であって、発光装置は、第１の色を呈する光を発することができる機能を有する第１の画素と、第２の色を呈する光を発することができる機能を有する第２の画素と、第３の色を呈する光を発することができる機能を有する第３の画素と、第４の色を呈する光を発することができる機能を有する第４の画素と、を有し、第１の画素は、第１の発光素子と、第１の光学素子と、を有し、第１の発光素子と、第１の光学素子とは、互いに重なる領域を有し、第２の画素は、第２の発光素子と、第２の光学素子と、を有し、第２の発光素子と、第２の光学素子とは、互いに重なる領域を有し、第３の画素は、第３の発光素子を有し、第４の画素は、第４の発光素子を有し、第１の発光素子は、第１の電極と、第１の電極上の第１の発光層と、第１の発光層上の第２の電極と、を有し、第２の発光素子は、第３の電極と、第３の電極上の第１の発光層と、第１の発光層上の第２の電極と、を有し、第３の発光素子は、第４の電極と、第４の電極上の第２の発光層と、第２の発光層上の第１の発光層と、第１の発光層上の第２の電極と、を有し、第４の発光素子は、第５の電極と、第５の電極上の第１の発光層と、第１の発光層上の第２の電極と、を有し、第１の発光層は、５４０ｎｍ以上５８０ｎｍ以下の範囲にスペクトルピークを有する第１の発光材料を有し、第２の発光層は、４２０ｎｍ以上４８０ｎｍ以下の範囲にスペクトルピークを有する第２の発光材料を有することを特徴とする発光装置である。

なお、第１の発光材料は、黄緑色、黄色、または橙色発光を呈することが好ましい。また、第２の発光材料は、紫色発光、青色発光、または青緑色発光を呈することが好ましい。また、第１の発光層と第２の発光層の積層順を適宜入れ替えてもよい。

また、本発明の一態様は、上記各構成の発光装置と、タッチセンサ機能とを有する電子機器、または上記各構成の発光装置と、タッチセンサ機能とを有する照明装置も範疇に含めるものである。また、本明細書中における発光装置とは、画像表示デバイス、もしくは光源（照明装置含む）を指す。また、発光装置にコネクター、例えばＦＰＣ（Ｆｌｅｘｉｂｌｅ ｐｒｉｎｔｅｄ ｃｉｒｃｕｉｔ）もしくはＴＣＰ（Ｔａｐｅ Ｃａｒｒｉｅｒ Ｐａｃｋａｇｅ）が取り付けられたモジュール、ＴＣＰの先にプリント配線板が設けられたモジュール、または発光素子にＣＯＧ（Ｃｈｉｐ Ｏｎ Ｇｌａｓｓ）方式によりＩＣ（集積回路）が直接実装されたモジュールも全て発光装置に含むものとする。

本発明の一態様により、新規な発光装置を提供することができる。または、本発明の一態様により、生産性が高く、消費電力が低減された新規な発光装置を提供することができる。または、本発明の一態様により、新規な発光装置の作製方法を提供することができる。

なお、これらの効果の記載は、他の効果の存在を妨げるものではない。なお、本発明の一態様は、必ずしも、これらの効果の全てを有する必要はない。なお、これら以外の効果は、明細書、図面、請求項などの記載から、自ずと明らかとなるものであり、明細書、図面、請求項などの記載から、これら以外の効果を抽出することが可能である。

本発明の一態様の発光装置を説明する上面図及び断面図。 本発明の一態様の発光装置を説明する断面図。 本発明の一態様の発光装置を説明する上面図及び断面図。 本発明の一態様の発光装置を説明する断面図。 本発明の一態様の発光装置を説明する断面図。 本発明の一態様の発光装置を説明する断面図。 本発明の一態様の発光装置を説明する断面図。 本発明の一態様の発光装置を説明する断面図。 本発明の一態様の発光装置を説明する断面図。 本発明の一態様の発光装置を説明する上面図。 本発明の一態様の発光装置の作製方法を説明する断面図。 本発明の一態様の発光装置の作製方法を説明する断面図。 本発明の一態様の発光装置の作製方法を説明する断面図。 発光素子の素子構造を説明する断面図。 発光素子の素子構造を説明する断面図。 発光装置について説明する図。 電子機器について説明する図。 電子機器について説明する図。 照明装置について説明する図。

以下、本発明の実施の態様について図面を用いて詳細に説明する。但し、本発明は以下の説明に限定されず、本発明の趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及び詳細を様々に変更し得ることが可能である。従って、本発明は以下に示す実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。

なお、図面等において示す各構成の、位置、大きさ、範囲などは、理解の簡単のため、実際の位置、大きさ、範囲などを表していない場合がある。このため、開示する発明は、必ずしも、図面等に開示された位置、大きさ、範囲などに限定されない。

また、本明細書などにおいて、第１、第２等として付される序数詞は便宜上用いるものであり、工程順又は積層順を示すものではない。そのため、例えば、「第１の」を「第２の」又は「第３の」などと適宜置き換えて説明することができる。また、本明細書等に記載されている序数詞と、本発明の一態様を特定するために用いられる序数詞は一致しない場合がある。

また、本明細書等において、図面を用いて発明の構成を説明するにあたり、同じものを指す符号は異なる図面間でも共通して用いる。

（実施の形態１）
本実施の形態では、本発明の発光装置について、図１乃至図１３を用いて、以下説明する。

＜発光装置の構成例１＞
図１（Ａ）は、本発明の一態様の発光装置の一例を示す上面図であり、図１（Ｂ）は、図１（Ａ）に示す一点鎖線Ｘ１−Ｙ１間の切断面の断面図に相当する。図１（Ａ）（Ｂ）に示す発光装置１００は、第１の色を呈する光を発する第１の画素１０１Ｒと、第２の色を呈する光を発する第２の画素１０１Ｇと、第３の色を呈する光を発する第３の画素１０１Ｂと、を有する。また、第１の画素１０１Ｒは、第１の発光素子１２０Ｒと、第１の発光素子１２０Ｒと重畳する第１の光学素子１５６Ｒとを有し、第２の画素１０１Ｇは、第２の発光素子１２０Ｇと、第２の発光素子１２０Ｇと重畳する第２の光学素子１５６Ｇとを有し、第３の画素１０１Ｂは、第３の発光素子１２０Ｂを有する。

また、第１の発光素子１２０Ｒ及び第２の発光素子１２０Ｇは、基板１０２上の第１の電極１０４と、第１の電極１０４上の第１の発光層１１０と、第１の発光層１１０上の第２の発光層１１２と、第２の発光層１１２上の第２の電極１１４と、を有し、第３の発光素子１２０Ｂは、第１の電極１０４と、第１の電極１０４上の第２の発光層１１２と、第２の発光層１１２上の第２の電極１１４と、を有する。また、図１（Ｂ）に示すように、第１の電極１０４上に透明導電膜１０６を設ける構成としてもよい。

また、第１の光学素子１５６Ｒ及び第２の光学素子１５６Ｇは、基板１５２の下方に設けられ、基板１５２の下方には、隣接する発光素子からの光を遮光する遮光層１５４が設けられる。なお、遮光層１５４を、設けない構成としてもよい。

また、発光装置１００は、絶縁性の隔壁１０８を有する。隔壁１０８は、下部電極（第１の電極１０４及び透明導電膜１０６）の端部を覆い、下部電極（第１の電極１０４及び透明導電膜１０６）と重畳する開口部を有する。

また、第１の発光層１１０は、５４０ｎｍ以上５８０ｎｍ以下の範囲にスペクトルピークを有する第１の発光材料を有し、第２の発光層１１２は、４２０ｎｍ以上４８０ｎｍ以下の範囲にスペクトルピークを有する第２の発光材料を有する。別言すると、第１の発光層１１０は、黄色発光を呈する第１の発光材料を有し、第２の発光層１１２は、青色発光を呈する第２の発光材料を有する。なお、第１の発光材料及び第２の発光材料は、一重項励起エネルギーを発光に変える発光性物質（例えば、蛍光発光する物質）や三重項励起エネルギーを発光に変える発光性物質（例えば、燐光発光する物質）のいずれを用いてもよい。

このように、図１（Ａ）に示す発光装置１００においては、第１の発光層１１０を第１の発光素子１２０Ｒ及び第２の発光素子１２０Ｇで共通して用い、第２の発光層１１２を第１の発光素子１２０Ｒ、第２の発光素子１２０Ｇ、及び第３の発光素子１２０Ｂで共通して用いる。各発光素子において、第１の発光層１１０または第２の発光層１１２を共通して用いることで、発光素子形成時の生産性を高めることができる。具体的には、発光装置１００の各発光素子の作製時の塗り分け工程を、第１の発光層１１０の１回のみとすることができるため、生産性が高くなる。

また、第１の画素１０１Ｒからは、赤色（Ｒ）を呈する光が発せられ、第２の画素１０１Ｇからは、緑色（Ｇ）を呈する光が発せられ、第３の画素１０１Ｂからは、青色（Ｂ）を呈する光が発せられる。したがって、第１の画素１０１Ｒ、第２の画素１０１Ｇ、及び第３の画素１０１Ｂによって、フルカラー表示を行うことができる。

なお、第１の画素１０１Ｒが有する第１の発光素子１２０Ｒからは、黄色を呈する光が発せられ、該黄色を呈する光が第１の光学素子１５６Ｒを通過することで、赤色を呈する光となり外部に射出される。また、第２の画素１０１Ｇが有する第２の発光素子１２０Ｇからは、黄色を呈する光が発せられ、該黄色を呈する光が第２の光学素子１５６Ｇを通過することで、緑色を呈する光となり外部に射出される。なお、第１の発光素子１２０Ｒ、及び第２の発光素子１２０Ｇにおいて、第２の発光層１１２は、発光に寄与しない。また、第３の画素１０１Ｂが有する第３の発光素子１２０Ｂからは、青色を呈する光が発せられ、光学素子等を通過せずに、そのまま外部に射出される。すなわち、第３の画素１０１Ｂは、光学素子を有さない。

上述したように、第３の発光素子１２０Ｂから射出される光は、光学素子を介さずに外部に取り出される構成である。よって、第３の発光素子１２０Ｂから射出される光は、第１の発光素子１２０Ｒ及び第２の発光素子１２０Ｇから射出される光よりも損失が少なく射出される。

したがって、発光装置１００の消費電力を低減することができる。第３の発光素子１２０Ｂとして、青色の蛍光発光する物質を用いた場合に、消費電力低減の効果はより顕著である。なお、第３の発光素子１２０Ｂに光学素子が設けられていない場合、第３の発光素子における外光反射を防ぐため、用途によっては光学素子、または円偏光板を有する構成としてもよい。

また、図１（Ｂ）においては、外部に射出される、赤色を呈する光、緑色を呈する光、及び青色呈する光を、それぞれ破線の矢印で模式的に表し、後述する発光装置も同様である。このように、図１（Ａ）（Ｂ）に示す発光装置１００は、各発光素子が発する光を発光素子が形成される基板１０２とは反対側に取り出す上面射出型（トップエミッション型ともいう）である。ただし、本発明の一態様はこれに限定されず、各発光素子が発する光を発光素子が形成される基板側に取り出す下面射出型（ボトムエミッション型ともいう）、または各発光素子が発する光を発光素子が形成される基板１０２の上方及び下方の双方に取り出す両面射出型（デュアルエミッション型ともいう）であってもよい。

また、図１（Ａ）においては、本発明の一態様の発光装置の第１の画素１０１Ｒ、第２の画素１０１Ｇ、及び第３の画素１０１Ｂとしては、ストライプ配列の構成について例示したが、これに限定されない。例えば、本発明の一態様の発光装置の画素の構成としては、図１０（Ａ）に示すようなデルタ配列、または図１０（Ｂ）に示すようなペンタイル配列を適用してもよい。

ここで、図１（Ａ）（Ｂ）に示す発光装置１００のその他の構成要素について、以下詳細に説明を行う。

＜基板＞
基板１０２は、発光素子の支持体として用いられる。また、基板１５２は、光学素子の支持体として用いられる。基板１０２、１５２としては、例えばガラス、石英、又はプラスチックなどを用いることができる。また可撓性基板を用いてもよい。可撓性基板とは、曲げることができる（フレキシブル）基板のことであり、例えば、ポリカーボネート、ポリアリレート、ポリエーテルスルフォンからなるプラスチック基板等が挙げられる。また、フィルム（ポリプロピレン、ポリエステル、ポリフッ化ビニル、ポリ塩化ビニル等からなる）、無機蒸着フィルムなどを用いることもできる。なお、発光素子、及び光学素子の作製工程において支持体として機能するものであれば、これら以外のものでもよい。

＜第１の電極＞
第１の電極１０４は、各発光素子の下部電極または陽極としての機能を有する。なお、第１の電極１０４は、反射性を有する導電性材料により、形成されると好ましい。該導電性材料としては、可視光の反射率が４０％以上１００％以下、好ましくは７０％以上１００％以下であり、かつその抵抗率が１×１０^−２Ωｃｍ以下の導電性材料が挙げられる。具体的には、第１の電極１０４としては、銀、アルミニウム、銀またはアルミニウムを含む合金等を用いることができる。アルミニウムを含む合金としては、例えば、アルミニウムとニッケルとランタンを含む合金が挙げられる。また、銀を含む合金としては、例えば、銀とパラジウムと銅を含む合金が挙げられる。第１の電極１０４としては、スパッタリング法、蒸着法、印刷法または塗布法等を用いて形成することができる。なお、図１（Ｂ）において、第１の電極１０４は、各発光素子にそれぞれ島状に設けられている。よって、各発光素子において、第１の電極１０４を、それぞれ別々に識別するために、第３の電極、第４の電極、または第５の電極と呼称する場合がある。

＜透明導電膜＞
透明導電膜１０６は、各発光素子の下部電極または陽極としての機能を有する。または、透明導電膜１０６は、各発光層からの所望の光を共振させ、その波長の光を強めることができるように、所望の光の波長ごとに第１の電極１０４と第２の電極１１４との光学距離を調整する機能を有する。例えば、透明導電膜１０６の膜厚を変えることで、所望の光の波長λに対して、電極間の光学距離がｍλ／２（ただし、ｍは自然数）となるように調整する。なお、電極間の光学距離の具体的な構成については、後述する。

透明導電膜１０６としては、例えば、酸化インジウム−酸化スズ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ、以下ＩＴＯとして記載する）、シリコン若しくは酸化シリコンを含有した酸化インジウム−酸化スズ、酸化インジウム−酸化亜鉛（Ｉｎｄｉｕｍ Ｚｉｎｃ Ｏｘｉｄｅ）、酸化タングステン及び酸化亜鉛を含有した酸化インジウムなどを用いることができる。とくに、透明導電膜１０６としては、仕事関数の大きい（４．０ｅＶ以上）材料を用いることが好ましい。透明導電膜１０６としては、スパッタリング法、蒸着法、印刷法または塗布法等を用いて形成することができる。

＜第２の電極＞
第２の電極１１４は、各発光素子の上部電極または陰極としての機能を有する。なお、第２の電極１１４は、反射性を有する導電性材料と透光性を有する導電性材料とにより、形成されると好ましい。該導電性材料としては、可視光の反射率が２０％以上８０％以下、好ましくは４０％以上７０％以下であり、かつその抵抗率が１×１０^−２Ωｃｍ以下の導電性材料が挙げられる。第２の電極１１４としては、導電性を有する金属、合金、導電性化合物などを１種又は複数種用いて形成することができる。とくに、仕事関数が小さい（３．８ｅＶ以下）材料を用いることが好ましい。例えば、元素周期表の第１族又は第２族に属する元素（リチウム、セシウム等のアルカリ金属、カルシウム、ストロンチウム等のアルカリ土類金属、マグネシウム等）、これら元素を含む合金（例えば、Ｍｇ−Ａｇ、Ａｌ−Ｌｉ）、ユーロピウム、イッテルビウム等の希土類金属、これら希土類金属を含む合金、アルミニウム、銀等を用いることができる。第２の電極１１４としては、スパッタリング法、蒸着法、印刷法または塗布法等を用いて形成することができる。

＜隔壁＞
隔壁１０８は、絶縁性であればよく、無機材料または有機材料を用いて形成される。該無機材料としては、酸化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜、窒化酸化シリコン膜、窒化シリコン膜、酸化アルミニウム膜、窒化アルミニウム膜等が挙げられる。該有機材料としては、例えば、アクリル樹脂、またはポリイミド樹脂等の感光性の樹脂材料が挙げられる。

＜発光層＞
第１の発光層１１０は、５４０ｎｍ以上５８０ｎｍ以下の範囲にスペクトルピークを有する第１の発光材料を有し、第２の発光層１１２は、４２０ｎｍ以上４８０ｎｍ以下の範囲にスペクトルピークを有する第２の発光材料を有する。また、第１の発光層１１０は、第１の発光材料に加えて、電子輸送性材料または正孔輸送性材料の一方または双方を含んで構成される。また、第２の発光層１１２は、第２の発光材料に加えて、電子輸送性材料または正孔輸送性材料の一方または双方を含んで構成される。

また、第１の発光材料及び第２の発光材料としては、一重項励起エネルギーを発光に変える発光性物質や三重項励起エネルギーを発光に変える発光性物質を用いることができる。なお、上記発光性物質としては、例えば、以下のようなものが挙げられる。

一重項励起エネルギーを発光に変える発光性物質としては、蛍光を発する物質が挙げられ、例えば、Ｎ，Ｎ’−ビス［４−（９Ｈ−カルバゾール−９−イル）フェニル］−Ｎ，Ｎ’−ジフェニルスチルベン−４，４’−ジアミン（略称：ＹＧＡ２Ｓ）、４−（９Ｈ−カルバゾール−９−イル）−４’−（１０−フェニル−９−アントリル）トリフェニルアミン（略称：ＹＧＡＰＡ）、４−（９Ｈ−カルバゾール−９−イル）−４’−（９，１０−ジフェニル−２−アントリル）トリフェニルアミン（略称：２ＹＧＡＰＰＡ）、Ｎ，９−ジフェニル−Ｎ−［４−（１０−フェニル−９−アントリル）フェニル］−９Ｈ−カルバゾール−３−アミン（略称：ＰＣＡＰＡ）、４−（１０−フェニル−９−アントリル）−４’−（９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−イル）トリフェニルアミン（略称：ＰＣＢＡＰＡ）、４−［４−（１０−フェニル−９−アントリル）フェニル］−４’−（９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−イル）トリフェニルアミン（略称：ＰＣＢＡＰＢＡ）、ペリレン、２，５，８，１１−テトラ−ｔｅｒｔ−ブチルペリレン（略称：ＴＢＰ）、Ｎ，Ｎ’−ビス〔４−（９−フェニル−９Ｈ−フルオレン−９−イル）フェニル〕−Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−ピレン−１，６−ジアミン（略称：１，６ＦＬＰＡＰｒｎ）、Ｎ，Ｎ’−ビス（３−メチルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ビス［３−（９−フェニル−９Ｈ−フルオレン−９−イル）フェニル］−ピレン−１，６−ジアミン（略称：１，６ｍＭｅｍＦＬＰＡＰｒｎ）などの青色の発光（発光波長４００ｎｍ〜４８０ｎｍ）を呈する物質や、ルブレン、５，１２−ビス（１，１’−ビフェニル−４−イル）−６，１１−ジフェニルテトラセン（略称：ＢＰＴ）、２−（２−｛２−［４−（ジメチルアミノ）フェニル］エテニル｝−６−メチル−４Ｈ−ピラン−４−イリデン）プロパンジニトリル（略称：ＤＣＭ１）、２−｛２−メチル−６−［２−（２，３，６，７−テトラヒドロ−１Ｈ，５Ｈ−ベンゾ［ｉｊ］キノリジン−９−イル）エテニル］−４Ｈ−ピラン−４−イリデン｝プロパンジニトリル（略称：ＤＣＭ２）などの黄色の発光（発光波長５４０ｎｍ〜５８０ｎｍ）を呈する物質を用いることができる。

また、三重項励起エネルギーを発光に変える発光性物質としては、例えば、燐光を発する物質が挙げられ、例えば、ビス［２−（４’，６’−ジフルオロフェニル）ピリジナト−Ｎ，Ｃ^２’］イリジウム（ＩＩＩ）テトラキス（１−ピラゾリル）ボラート（略称：ＦＩｒ６）、ビス［２−（４’，６’−ジフルオロフェニル）ピリジナト−Ｎ，Ｃ^２’］イリジウム（ＩＩＩ）ピコリナート（略称：ＦＩｒｐｉｃ）、トリス｛２−［５−（２−メチルフェニル）−４−（２，６−ジメチルフェニル）−４Ｈ−１，２，４−トリアゾール−３−イル−κＮ２］フェニル−κＣ｝イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（ｍｐｐｔｚ−ｄｍｐ）_３）、トリス［３−（５−ビフェニル）−５−イソプロピル−４−フェニル−４Ｈ−１，２，４−トリアゾラト］イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（ｉＰｒ５ｂｔｚ）_３）、トリス［３−メチル−１−（２−メチルフェニル）−５−フェニル−１Ｈ−１，２，４−トリアゾラト］イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（Ｍｐｔｚ１−ｍｐ）_３）、トリス（１−メチル−５−フェニル−３−プロピル−１Ｈ−１，２，４−トリアゾラト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（Ｐｒｐｔｚ１−Ｍｅ）_３）、ｆａｃ−トリス［（１−２，６−ジイソプロピルフェニル）−２−フェニル−１Ｈ−イミダゾール］イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（ｉＰｒｐｍｉ）_３）、トリス［３−（２，６−ジメチルフェニル）−７−メチルイミダゾ［１，２−ｆ］フェナントリジナト］イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（ｄｍｐｉｍｐｔ−Ｍｅ）_３）などの青色の発光（発光波長４００ｎｍ〜４８０ｎｍ）を呈する物質や、（アセチルアセトナト）ビス（６−メチル−４−フェニルピリミジナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（ｍｐｐｍ）_２（ａｃａｃ））、（アセチルアセトナト）ビス（６−ｔｅｒｔ−ブチル−４−フェニルピリミジナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（ｔＢｕｐｐｍ）_２（ａｃａｃ））、（アセチルアセトナト）ビス［６−（２−ノルボルニル）−４−フェニルピリミジナト］イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（ｎｂｐｐｍ）_２（ａｃａｃ））、（アセチルアセトナト）ビス［５−メチル−６−（２−メチルフェニル）−４−フェニルピリミジナト］イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（ｍｐｍｐｐｍ）_２（ａｃａｃ））、（アセチルアセトナト）ビス｛４，６−ジメチル−２−［６−（２，６−ジメチルフェニル）−４−ピリミジニル−κＮ３］フェニル−κＣ｝イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（ｄｍｐｐｍ−ｄｍｐ）_２（ａｃａｃ））、（アセチルアセトナト）ビス（４，６−ジフェニルピリミジナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（ｄｐｐｍ）_２（ａｃａｃ））、（アセチルアセトナト）ビス（３，５−ジメチル−２−フェニルピラジナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（ｍｐｐｒ−Ｍｅ）_２（ａｃａｃ）、（アセチルアセトナト）ビス（５−イソプロピル−３−メチル−２−フェニルピラジナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（ｍｐｐｒ−ｉＰｒ）_２（ａｃａｃ）、トリス（２−フェニルキノリナト−Ｎ，Ｃ^２’）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（ｐｑ）_３）、ビス（２−フェニルキノリナト−Ｎ，Ｃ^２’）イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：Ｉｒ（ｐｑ）_２（ａｃａｃ））、ビス（ベンゾ［ｈ］キノリナト）イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：Ｉｒ（ｂｚｑ）_２（ａｃａｃ））、ビス（２，４−ジフェニル−１，３−オキサゾラト−Ｎ，Ｃ^２’）イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：Ｉｒ（ｄｐｏ）_２（ａｃａｃ））、ビス｛２−［４’−（パーフルオロフェニル）フェニル］ピリジナト−Ｎ，Ｃ^２’｝イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：Ｉｒ（ｐ−ＰＦ−ｐｈ）_２（ａｃａｃ））、ビス（２−フェニルベンゾチアゾラト−Ｎ，Ｃ^２’）イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：Ｉｒ（ｂｔ）_２（ａｃａｃ））などの黄色の発光（発光波長５４０ｎｍ〜５８０ｎｍ）を呈する物質を用いることができる。

また、第１の発光層１１０及び第２の発光層１１２に用いる電子輸送性材料としては、含窒素複素芳香族化合物のようなπ電子不足型複素芳香族化合物が好ましく、例えば、２−［３−（ジベンゾチオフェン−４−イル）フェニル］ジベンゾ［ｆ，ｈ］キノキサリン（略称：２ｍＤＢＴＰＤＢｑ−ＩＩ）、２−［３’−（ジベンゾチオフェン−４−イル）ビフェニル−３−イル］ジベンゾ［ｆ，ｈ］キノキサリン（略称：２ｍＤＢＴＢＰＤＢｑ−ＩＩ）、２−［４−（３，６−ジフェニル−９Ｈ−カルバゾール−９−イル）フェニル］ジベンゾ［ｆ，ｈ］キノキサリン（略称：２ＣｚＰＤＢｑ−ＩＩＩ）、７−［３−（ジベンゾチオフェン−４−イル）フェニル］ジベンゾ［ｆ，ｈ］キノキサリン（略称：７ｍＤＢＴＰＤＢｑ−ＩＩ）、及び、６−［３−（ジベンゾチオフェン−４−イル）フェニル］ジベンゾ［ｆ，ｈ］キノキサリン（略称：６ｍＤＢＴＰＤＢｑ−ＩＩ）等のキノキサリンないしはジベンゾキノキサリン誘導体が挙げられる。

また、第１の発光層１１０及び第２の発光層１１２に用いる正孔輸送性材料としては、π電子過剰型複素芳香族化合物（例えばカルバゾール誘導体やインドール誘導体）や芳香族アミン化合物が好ましく、例えば、４−フェニル−４’−（９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−イル）トリフェニルアミン（略称：ＰＣＢＡ１ＢＰ）、４，４’−ジ（１−ナフチル）−４’’−（９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−イル）トリフェニルアミン（略称：ＰＣＢＮＢＢ）、３−［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−（９−フェニルカルバゾール−３−イル）アミノ］−９−フェニルカルバゾール（略称：ＰＣｚＰＣＮ１）、４，４’，４’’−トリス［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニルアミノ］トリフェニルアミン（略称：１’−ＴＮＡＴＡ）、２，７−ビス［Ｎ−（４−ジフェニルアミノフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ］−スピロ−９，９’−ビフルオレン（略称：ＤＰＡ２ＳＦ）、Ｎ，Ｎ’−ビス（９−フェニルカルバゾール−３−イル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニルベンゼン−１，３−ジアミン（略称：ＰＣＡ２Ｂ）、Ｎ−（９，９−ジメチル−２−ジフェニルアミノ−９Ｈ−フルオレン−７−イル）ジフェニルアミン（略称：ＤＰＮＦ）、Ｎ，Ｎ’，Ｎ’’−トリフェニル−Ｎ，Ｎ’，Ｎ’’−トリス（９−フェニルカルバゾール−３−イル）ベンゼン−１，３，５−トリアミン（略称：ＰＣＡ３Ｂ）、２−［Ｎ−（９−フェニルカルバゾール−３−イル）−Ｎ−フェニルアミノ］スピロ−９，９’−ビフルオレン（略称：ＰＣＡＳＦ）、２−［Ｎ−（４−ジフェニルアミノフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ］スピロ−９，９’−ビフルオレン（略称：ＤＰＡＳＦ）、Ｎ，Ｎ’−ビス［４−（カルバゾール−９−イル）フェニル］−Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−９，９−ジメチルフルオレン−２，７−ジアミン（略称：ＹＧＡ２Ｆ）、４，４’−ビス［Ｎ−（３−メチルフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル（略称：ＴＰＤ）、４，４’−ビス［Ｎ−（４−ジフェニルアミノフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル（略称：ＤＰＡＢ）、Ｎ−（９，９−ジメチル−９Ｈ−フルオレン−２−イル）−Ｎ−｛９，９−ジメチル−２−［Ｎ’−フェニル−Ｎ’−（９，９−ジメチル−９Ｈ−フルオレン−２−イル）アミノ］−９Ｈ−フルオレン−７−イル｝フェニルアミン（略称：ＤＦＬＡＤＦＬ）、３−［Ｎ−（９−フェニルカルバゾール−３−イル）−Ｎ−フェニルアミノ］−９−フェニルカルバゾール（略称：ＰＣｚＰＣＡ１）、３−［Ｎ−（４−ジフェニルアミノフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ］−９−フェニルカルバゾール（略称：ＰＣｚＤＰＡ１）、３，６−ビス［Ｎ−（４−ジフェニルアミノフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ］−９−フェニルカルバゾール（略称：ＰＣｚＤＰＡ２）、４，４’−ビス（Ｎ−｛４−［Ｎ’−（３−メチルフェニル）−Ｎ’−フェニルアミノ］フェニル｝−Ｎ−フェニルアミノ）ビフェニル（略称：ＤＮＴＰＤ）、３，６−ビス［Ｎ−（４−ジフェニルアミノフェニル）−Ｎ−（１−ナフチル）アミノ］−９−フェニルカルバゾール（略称：ＰＣｚＴＰＮ２）、３，６−ビス［Ｎ−（９−フェニルカルバゾール−３−イル）−Ｎ−フェニルアミノ］−９−フェニルカルバゾール（略称：ＰＣｚＰＣＡ２）が挙げられる。

＜遮光層＞
遮光層１５４としては、外光の反射を抑制する機能を有する。または、遮光層１５４としては、隣接する発光素子から発せられる光の混色を防ぐ機能を有する。遮光層１５４としては、金属、黒色顔料を含んだ樹脂、カーボンブラック、金属酸化物、複数の金属酸化物の固溶体を含む複合酸化物等を用いることができる。

＜光学素子＞
第１の光学素子１５６Ｒと第２の光学素子１５６Ｇは、入射される光から特定の色を呈する光を選択的に透過するものである。例えば、カラーフィルタ、バンドパスフィルタ、多層膜フィルタなどを適用できる。なお、光学素子に色変換素子を適用することができる。色変換素子は、入射される光を、当該光の波長より長い波長の光に変換する光学素子である。色変換素子として、量子ドット方式を用いる素子であると好適である。量子ドット方式を用いることにより、発光装置の色再現性を高めることができる。

第１の光学素子１５６Ｒは、第１の発光素子１２０Ｒが発する光から赤色を呈する光を透過する。また、第２の光学素子１５６Ｇは、第２の発光素子１２０Ｇが発する光から緑糸を呈する光を透過する。

なお、光学素子を第３の発光素子１２０Ｂに重ねて設けてもよく、複数の光学素子を第１の発光素子１２０Ｒおよび／または第２の発光素子１２０Ｇに重ねて設けてもよい。他の光学素子としては、例えば円偏向板や反射防止膜などを設けることができる。円偏光板を、発光装置の発光素子が発する光が取り出される側に設けると、発光装置の外部から入射した光が、発光装置の内部で反射されて、外部に射出される現象を防ぐことができる。また、反射防止膜を設けると、発光装置の表面で反射される外光を弱めることができる。これにより、発光装置が発する発光を、鮮明に観察できる。

＜発光装置の構成例２＞
次に、図１（Ａ）（Ｂ）に示す発光装置１００と異なる構成例について、図２（Ａ）（Ｂ）を用いて、以下説明を行う。

図２（Ａ）（Ｂ）は、本発明の一態様の発光装置の一例を示す断面図である。なお、図２（Ａ）（Ｂ）に示す発光装置の上面図については、図１（Ａ）に示す発光装置１００の上面図と同様であるため、ここでの記載は省略する。

図２（Ａ）に示す発光装置１００Ａは、第１の色を呈する光を発する第１の画素１０１Ｒと、第２の色を呈する光を発する第２の画素１０１Ｇと、第３の色を呈する光を発する第３の画素１０１Ｂと、を有する。また、第１の画素１０１Ｒは、第１の発光素子１２１Ｒと、第１の発光素子１２１Ｒと重畳する第１の光学素子１５６Ｒとを有し、第２の画素１０１Ｇは、第２の発光素子１２１Ｇと、第２の発光素子１２１Ｇと重畳する第２の光学素子１５６Ｇとを有し、第３の画素１０１Ｂは、第３の発光素子１２１Ｂを有する。

また、第１の発光素子１２１Ｒは、第１の電極１０４と、第１の電極１０４上の第１の透明導電膜１０６Ｒと、第１の透明導電膜１０６Ｒ上の第１の発光層１１０と、第１の発光層１１０上の第２の発光層１１２と、第２の発光層１１２上の第２の電極１１４と、を有し、第２の発光素子１２１Ｇは、第１の電極１０４と、第１の電極１０４上の第２の透明導電膜１０６Ｇと、第２の透明導電膜１０６Ｇ上の第１の発光層１１０と、第１の発光層１１０上の第２の発光層１１２と、第２の発光層１１２上の第２の電極１１４と、を有し、第３の発光素子１２１Ｂは、第１の電極１０４と、第１の電極１０４上の第３の透明導電膜１０６Ｂと、第３の透明導電膜１０６Ｂ上の第２の発光層１１２と、第２の発光層１１２上の第２の電極１１４と、を有する。

図２（Ａ）に示す発光装置１００Ａは、図１（Ｂ）に示す発光装置１００と比較し、第１の発光素子１２１Ｒ、第２の発光素子１２１Ｇ、及び第３の発光素子１２１Ｂが設けられている点が相違する。なお、第１の発光素子１２１Ｒ、第２の発光素子１２１Ｇ、及び第３の発光素子１２１Ｂは、微小共振器構造（マイクロキャビティ構造ともいう）を有する構成である。微小共振器構造を各発光素子に組み合わせると、発光素子が発する光から、特定の波長を有する光を効率良く取り出すことができる。

第１の発光層１１０及び第２の発光層１１２から射出される光は、第１の電極１０４と第２の電極１１４との間で共振される。発光装置１００Ａにおいては、各発光素子で第１の透明導電膜１０６Ｒ、第２の透明導電膜１０６Ｇ、及び第３の透明導電膜１０６Ｂの厚さを調整することで、第１の発光層１１０及び第２の発光層１１２から射出される光の強度を強めることができる。

具体的には、第１の透明導電膜１０６Ｒ、第２の透明導電膜１０６Ｇ、及び第３の透明導電膜１０６Ｂの膜厚を調整し、所望の光の波長λに対して、第１の電極１０４と第２の電極１１４との間の光学距離が、ｍλ／２（ただし、ｍは自然数）となるように調整する。さらに、第１の透明導電膜１０６Ｒ、第２の透明導電膜１０６Ｇ、及び第３の透明導電膜１０６Ｂの膜厚を調整し、所望の光の波長λに対して、第１の電極１０４と発光層（第１の発光層１１０及び第２の発光層１１２）との間の光学距離が、（２ｍ’＋１）λ／４（ただし、ｍ’は自然数）となるように調節する。

なお、第１の電極１０４と第２の電極１１４との間の光学距離は、厳密には第１の電極１０４における反射領域から第２の電極１１４における反射領域までの膜厚と屈折率の積で表される。しかし、第１の電極１０４や第２の電極１１４における反射領域を厳密に決定することは困難であるため、第１の電極１０４と第２の電極１１４の任意の位置を反射領域と仮定することで充分に上述の効果を得ることができるものとする。

また、第１の電極１０４と、所望の光を射出する発光層との光学距離は、厳密には第１の電極１０４における反射領域と、所望の光を射出する発光層における発光領域との光学距離であるということができる。しかし、第１の電極１０４における反射領域や、所望の光を射出する発光層における発光領域を厳密に決定することは困難であるため、第１の電極１０４の任意の位置を反射領域、所望の光を射出する発光層の任意の位置を発光領域と仮定することで充分に上述の効果を得ることができるものとする。

第１の透明導電膜１０６Ｒ、第２の透明導電膜１０６Ｇ、及び第３の透明導電膜１０６Ｂの厚さとしては、「第１の透明導電膜１０６Ｒ＞第２の透明導電膜１０６Ｇ＞第３の透明導電膜１０６Ｂ」の関係を満たせばよい。別言すると、第１の透明導電膜１０６Ｒは、第１の領域を有し、第１の領域は第１の厚さを有し、第２の透明導電膜１０６Ｇは、第２の領域を有し、第２の領域は第２の厚さを有し、第３の透明導電膜１０６Ｂは、第３の領域を有し、第３の領域は第３の厚さを有し、第１の厚さは、第２の厚さよりも厚く、第２の厚さは、第３の厚さよりも厚い。例えば、第１の透明導電膜１０６Ｒとしては、膜厚１００ｎｍのＩＴＯ膜を、第２の透明導電膜１０６Ｇとしては、膜厚６０ｎｍのＩＴＯ膜を、第３の透明導電膜１０６Ｂとしては、膜厚２０ｎｍのＩＴＯ膜を、それぞれ用いればよい。第１の透明導電膜１０６Ｒ、第２の透明導電膜１０６Ｇ、及び第３の透明導電膜１０６Ｂの厚さが上記関係を満たすことで、各発光素子が発する光から、特定の波長を有する光を効率良く取り出すことができる。

図２（Ｂ）に示す発光装置１００Ｂは、第１の色を呈する光を発する第１の画素１０１Ｒと、第２の色を呈する光を発する第２の画素１０１Ｇと、第３の色を呈する光を発する第３の画素１０１Ｂと、を有する。また、第１の画素１０１Ｒは、第１の発光素子１２２Ｒと、第１の発光素子１２２Ｒと重畳する第１の光学素子１５６Ｒとを有し、第２の画素１０１Ｇは、第２の発光素子１２２Ｇと、第２の発光素子１２２Ｇと重畳する第２の光学素子１５６Ｇとを有し、第３の画素１０１Ｂは、第３の発光素子１２２Ｂを有する。

また、第１の発光素子１２２Ｒ及び第２の発光素子１２２Ｇは、第１の電極１０４と、第１の電極１０４上の第１の透明導電膜１０６と、第１の透明導電膜１０６上の正孔注入層１３１と、正孔注入層１３１上の正孔輸送層１３２と、正孔輸送層１３２上の第１の発光層１１０と、第１の発光層１１０上の第２の発光層１１２と、第２の発光層１１２上の電子輸送層１３３と、電子輸送層１３３上の電子注入層１３４と、電子注入層１３４上の第２の電極１１４と、を有する。また、第３の発光素子１２２Ｂは、第１の電極１０４と、第１の電極１０４上の第１の透明導電膜１０６と、第１の透明導電膜１０６上の正孔注入層１３１と、正孔注入層１３１上の正孔輸送層１３２と、正孔輸送層１３２上の第２の発光層１１２と、第２の発光層１１２上の電子輸送層１３３と、電子輸送層１３３上の電子注入層１３４と、電子注入層１３４上の第２の電極１１４と、を有する。

発光装置１００Ｂは、発光装置１００と比較し、第１の発光素子１２２Ｒ、第２の発光素子１２２Ｇ、及び第３の発光素子１２２Ｂが設けられている点が相違する。

このように、図２（Ｂ）に示す発光装置１００Ｂにおいては、第１の発光層１１０を第１の発光素子１２２Ｒ、及び第２の発光素子１２２Ｇで共通して用い、第２の発光層１１２を第１の発光素子１２２Ｒ、第２の発光素子１２２Ｇ、及び第３の発光素子１２２Ｂで共通して用いる。また、第１の発光素子１２２Ｒ、第２の発光素子１２２Ｇ、及び第３の発光素子１２２Ｂ、が有する、正孔注入層１３１、正孔輸送層１３２、電子輸送層１３３、及び電子注入層１３４は、それぞれ、各発光素子で共通して用いることができる。すなわち、正孔注入層１３１、正孔輸送層１３２、電子輸送層１３３、及び電子注入層１３４を、各発光素子で塗り分ける必要がない。したがって、発光装置１００Ｂの各発光素子の作製時の塗り分け工程としては、第１の発光層１１０の１回のみとすることができる。

ここで、発光装置１００Ｂが有する、正孔注入層１３１、正孔輸送層１３２、電子輸送層１３３、及び電子注入層１３４の詳細について記載する。

＜正孔注入層、正孔輸送層＞
正孔注入層１３１は、正孔輸送性の高い正孔輸送層１３２を介して第１の発光層１１０及び第２の発光層１１２に正孔を注入する層であり、正孔輸送性材料とアクセプター性材料とを含む層である。正孔輸送性材料とアクセプター性材料とを含むことで、アクセプター性材料により正孔輸送性材料から電子が引き抜かれて正孔（ホール）が発生し、正孔輸送層１３２を介して第１の発光層１１０及び第２の発光層１１２に正孔が注入される。または、正孔注入層１３１は、正孔輸送性材料と、アクセプター性材料とを、積層した構成としてもよい。なお、正孔輸送層１３２は、正孔輸送性材料を用いて形成される。

正孔注入層１３１及び正孔輸送層１３２に用いる正孔輸送性材料としては、例えば、４，４’−ビス［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル（略称：ＮＰＢまたはα−ＮＰＤ）やＮ，Ｎ’−ビス（３−メチルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−［１，１’−ビフェニル］−４，４’−ジアミン（略称：ＴＰＤ）、４，４’，４’’−トリス（カルバゾール−９−イル）トリフェニルアミン（略称：ＴＣＴＡ）、４，４’，４’’−トリス（Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミノ）トリフェニルアミン（略称：ＴＤＡＴＡ）、４，４’，４’’−トリス［Ｎ−（３−メチルフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ］トリフェニルアミン（略称：ＭＴＤＡＴＡ）、４，４’−ビス［Ｎ−（スピロ−９，９’−ビフルオレン−２−イル）−Ｎ―フェニルアミノ］ビフェニル（略称：ＢＳＰＢ）などの芳香族アミン化合物、３−［Ｎ−（９−フェニルカルバゾール−３−イル）−Ｎ−フェニルアミノ］−９−フェニルカルバゾール（略称：ＰＣｚＰＣＡ１）、３，６−ビス［Ｎ−（９−フェニルカルバゾール−３−イル）−Ｎ−フェニルアミノ］−９−フェニルカルバゾール（略称：ＰＣｚＰＣＡ２）、３−［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−（９−フェニルカルバゾール−３−イル）アミノ］−９−フェニルカルバゾール（略称：ＰＣｚＰＣＮ１）等が挙げられる。その他、４，４’−ジ（Ｎ−カルバゾリル）ビフェニル（略称：ＣＢＰ）、１，３，５−トリス［４−（Ｎ−カルバゾリル）フェニル］ベンゼン（略称：ＴＣＰＢ）、９−［４−（１０−フェニル−９−アントラセニル）フェニル］−９Ｈ−カルバゾール（略称：ＣｚＰＡ）等のカルバゾール誘導体、等を用いることができる。ここに述べた物質は、主に１０^−６ｃｍ^２／Ｖｓ以上の正孔移動度を有する物質である。但し、電子よりも正孔の輸送性の高い物質であれば、これら以外のものを用いてもよい。

さらに、ポリ（Ｎ−ビニルカルバゾール）（略称：ＰＶＫ）、ポリ（４−ビニルトリフェニルアミン）（略称：ＰＶＴＰＡ）、ポリ［Ｎ−（４−｛Ｎ’−［４−（４−ジフェニルアミノ）フェニル］フェニル−Ｎ’−フェニルアミノ｝フェニル）メタクリルアミド］（略称：ＰＴＰＤＭＡ）、ポリ［Ｎ，Ｎ’−ビス（４−ブチルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ビス（フェニル）ベンジジン］（略称：Ｐｏｌｙ−ＴＰＤ）などの高分子化合物を用いることもできる。

また、正孔注入層１３１に用いるアクセプター性材料としては、７，７，８，８−テトラシアノ−２，３，５，６−テトラフルオロキノジメタン（略称：Ｆ_４−ＴＣＮＱ）、クロラニル、２，３，６，７，１０，１１−ヘキサシアノ−１，４，５，８，９，１２−ヘキサアザトリフェニレン（ＨＡＴ−ＣＮ）等の電子吸引基（ハロゲン基やシアノ基）を有する化合物を挙げることができる。特に、ＨＡＴ−ＣＮのように複素原子を複数有する縮合芳香環に電子吸引基が結合している化合物が、熱的に安定であり好ましい。また、遷移金属酸化物を挙げることができる。また元素周期表における第４族乃至第８族に属する金属の酸化物を挙げることができる。具体的には、酸化バナジウム、酸化ニオブ、酸化タンタル、酸化クロム、酸化モリブデン、酸化タングステン、酸化マンガン、酸化レニウムは電子受容性が高いため好ましい。中でも特に、酸化モリブデンは大気中でも安定であり、吸湿性が低く、扱いやすいため好ましい。

なお、正孔注入層１３１は、上述したアクセプター性材料を単独または他の材料と混合して形成しても良い。この場合、アクセプター性材料が正孔輸送層から電子を引き抜き、正孔輸送層に正孔注入することができる。アクセプター性材料は引き抜いた電子を陽極へ輸送する。

＜電子輸送層＞
電子輸送層１３３は、電子輸送性の高い物質を含む層である。電子輸送層１３３には、Ａｌｑ_３、トリス（４−メチル−８−キノリノラト）アルミニウム（略称：Ａｌｍｑ_３）、ビス（１０−ヒドロキシベンゾ［ｈ］キノリナト）ベリリウム（略称：ＢｅＢｑ_２）、ＢＡｌｑ、Ｚｎ（ＢＯＸ）_２、ビス［２−（２−ヒドロキシフェニル）ベンゾチアゾラト］亜鉛（略称：Ｚｎ（ＢＴＺ）_２）などの金属錯体を用いることができる。また、２−（４−ビフェニリル）−５−（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール（略称：ＰＢＤ）、１，３−ビス［５−（ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール−２−イル］ベンゼン（略称：ＯＸＤ−７）、３−（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−４−フェニル−５−（４−ビフェニリル）−１，２，４−トリアゾール（略称：ＴＡＺ）、３−（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−４−（４−エチルフェニル）−５−（４−ビフェニリル）−１，２，４−トリアゾール（略称：ｐ−ＥｔＴＡＺ）、バソフェナントロリン（略称：Ｂｐｈｅｎ）、バソキュプロイン（略称：ＢＣＰ）、４，４’−ビス（５−メチルベンゾオキサゾール−２−イル）スチルベン（略称：ＢｚＯｓ）などの複素芳香族化合物も用いることができる。また、ポリ（２，５−ピリジンジイル）（略称：ＰＰｙ）、ポリ［（９，９−ジヘキシルフルオレン−２，７−ジイル）−ｃｏ−（ピリジン−３，５−ジイル）］（略称：ＰＦ−Ｐｙ）、ポリ［（９，９−ジオクチルフルオレン−２，７−ジイル）−ｃｏ−（２，２’−ビピリジン−６，６’−ジイル）］（略称：ＰＦ−ＢＰｙ）のような高分子化合物を用いることもできる。ここに述べた物質は、主に１×１０^−６ｃｍ^２／Ｖｓ以上の電子移動度を有する物質である。なお、正孔よりも電子の輸送性の高い物質であれば、上記以外の物質を電子輸送層１３３として用いてもよい。

また、電子輸送層１３３は、単層のものだけでなく、上記物質からなる層が２層以上積層したものとしてもよい。

＜電子注入層＞
電子注入層１３４は、電子注入性の高い物質を含む層である。電子注入層１３４には、フッ化リチウム（ＬｉＦ）、フッ化セシウム（ＣｓＦ）、フッ化カルシウム（ＣａＦ_２）、リチウム酸化物（ＬｉＯ_ｘ）等のようなアルカリ金属、アルカリ土類金属、またはそれらの化合物を用いることができる。また、フッ化エルビウム（ＥｒＦ_３）のような希土類金属化合物を用いることができる。また、電子注入層１３４にエレクトライドを用いてもよい。該エレクトライドとしては、例えば、カルシウムとアルミニウムの混合酸化物に電子を高濃度添加した物質等が挙げられる。

また、電子注入層１３４に、有機化合物と電子供与体（ドナー）とを混合してなる複合材料を用いてもよい。このような複合材料は、電子供与体によって有機化合物に電子が発生するため、電子注入性および電子輸送性に優れている。この場合、有機化合物としては、発生した電子の輸送に優れた材料であることが好ましく、具体的には、例えば上述した電子輸送層１３３を構成する物質（金属錯体や複素芳香族化合物等）を用いることができる。電子供与体としては、有機化合物に対し電子供与性を示す物質であればよい。具体的には、アルカリ金属やアルカリ土類金属や希土類金属が好ましく、リチウム、セシウム、マグネシウム、カルシウム、エルビウム、イッテルビウム等が挙げられる。また、アルカリ金属酸化物やアルカリ土類金属酸化物が好ましく、リチウム酸化物、カルシウム酸化物、バリウム酸化物等が挙げられる。また、酸化マグネシウムのようなルイス塩基を用いることもできる。また、テトラチアフルバレン（略称：ＴＴＦ）等の有機化合物を用いることもできる。

なお、上述した、発光層、正孔輸送層、正孔注入層、電子輸送層、及び電子注入層は、それぞれ、スパッタリング法、蒸着法（真空蒸着法を含む）、印刷法（例えば、凸版印刷法、凹版印刷法、グラビア印刷法、平版印刷法、孔版印刷法等）、インクジェット法、塗布法等の方法で形成することができる。

以上のように、発光装置１００Ｂにおいては、各発光素子に正孔輸送層、正孔注入層、電子輸送層、電子注入層が設けられた構造である。それ以外の構成については、図１（Ａ）（Ｂ）に示す発光装置１００と同様であり、同様の効果を奏する。

＜発光装置の構成例３＞
次に、図１（Ａ）（Ｂ）に示す発光装置１００と異なる構成例について、図３（Ａ）（Ｂ）を用いて、以下説明を行う。

図３（Ａ）は、本発明の一態様の発光装置の一例を示す上面図であり、図３（Ｂ）は、図３（Ａ）に示す一点鎖線Ｘ２−Ｙ２間の切断面の断面図に相当する。図３（Ａ）（Ｂ）に示す発光装置１４０は、第１の色を呈する光を発する第１の画素１０１Ｒと、第２の色を呈する光を発する第２の画素１０１Ｇと、第３の色を呈する光を発する第３の画素１０１Ｂと、第４の色を呈する光を発する第４の画素１０１Ｙとを有する。また、第１の画素１０１Ｒは、第１の発光素子１２０Ｒと、第１の発光素子１２０Ｒと重畳する第１の光学素子１５６Ｒとを有し、第２の画素１０１Ｇは、第２の発光素子１２０Ｇと、第２の発光素子１２０Ｇと重畳する第２の光学素子１５６Ｇとを有し、第３の画素１０１Ｂは、第３の発光素子１２０Ｂを有し、第４の画素１０１Ｙは、第４の発光素子１２０Ｙを有する。

また、第１の発光素子１２０Ｒ、第２の発光素子１２０Ｇ、及び第４の発光素子１２０Ｙは、第１の電極１０４と、第１の電極１０４上の第１の発光層１１０と、第１の発光層１１０上の第２の発光層１１２と、第２の発光層１１２上の第２の電極１１４と、を有し、第３の発光素子１２０Ｂは、第１の電極１０４と、第１の電極１０４上の第２の発光層１１２と、第２の発光層１１２上の第２の電極１１４と、を有する。また、図３（Ｂ）に示すように、第１の電極１０４上に透明導電膜１０６を設ける構成としてもよい。

このように、発光装置１４０においては、第１の発光層１１０を第１の発光素子１２０Ｒ、第２の発光素子１２０Ｇ、及び第４の発光素子１２０Ｙで共通して用い、第２の発光層１１２を第１の発光素子１２０Ｒ、第２の発光素子１２０Ｇ、第３の発光素子１２０Ｂ、及び第４の発光素子１２０Ｙで共通して用いる。各発光素子において、第１の発光層１１０または第２の発光層１１２を共通して用いることで、発光素子形成時の生産性を高めることができる。具体的には、発光装置１４０の各発光素子の作製時の塗り分け工程を、第１の発光層１１０の１回のみとすることができるため、生産性が高くなる。

また、第１の画素１０１Ｒからは、赤色（Ｒ）を呈する光が発せられ、第２の画素１０１Ｇからは、緑色（Ｇ）を呈する光が発せられ、第３の画素１０１Ｂからは、青色（Ｂ）を呈する光が発せられ、第４の画素１０１Ｙからは、黄色（Ｙ）を呈する光が発生られる。したがって、第１の画素１０１Ｒ、第２の画素１０１Ｇ、第３の画素１０１Ｂ、及び第４の画素１０１Ｙによって、フルカラー表示を行うことができる。

また、発光装置１４０は、第１の画素１０１Ｒ、第２の画素１０１Ｇ、及び第３の画素１０１Ｂに加え、第４の画素１０１Ｙを有する構成であるため、色再現性を高めることができる。また、発光装置１４０は、第４の画素１０１Ｙを有することで、消費電力を低減することができる。

なお、第１の画素１０１Ｒが有する第１の発光素子１２０Ｒからは、黄色を呈する光が発せられ、該黄色を呈する光が第１の光学素子１５６Ｒを通過することで、赤色を呈する光となり外部に射出される。また、第２の画素１０１Ｇが有する第２の発光素子１２０Ｇからは、黄色を呈する光が発せられ、該黄色を呈する光が第２の光学素子１５６Ｇを通過することで、緑色を呈する光となり外部に射出される。また、第４の画素１０１Ｙが有する発光素子１２０Ｙからは、黄色を呈する光が発せられ、光学素子等を通過せずに、そのまま外部に射出される。なお、第１の発光素子１２０Ｒ、第２の発光素子１２０Ｇ、及び第４の発光素子１２０Ｙにおいて、第２の発光層１１２は、発光に寄与しない。また、第３の画素１０１Ｂが有する第３の発光素子１２０Ｂからは、青色を呈する光が発せられ、光学素子等を通過せずに、そのまま外部に射出される。すなわち、第３の画素１０１Ｂ及び第４の画素１０１Ｙは、光学素子を有さない。したがって、第３の発光素子１２０Ｂ及び第４の発光素子１２０Ｙから射出される光は、光学素子を介さずに外部に取り出される構成である。別言すると、第３の発光素子１２０Ｂ及び第４の発光素子１２０Ｙから射出される光は、第１の発光素子１２０Ｒ及び第２の発光素子１２０Ｇから射出される光よりも損失が少なく射出される。

したがって、発光装置１４０の消費電力を低減することができる。第３の発光素子１２０Ｂとして、青色の蛍光発光する物質を用いた場合に、この消費電力低減の効果はより顕著である。なお、第３の発光素子１２０Ｂ及び第４の発光素子１２０Ｙに光学素子が設けられていない場合、第３の発光素子１２０Ｂ及び第４の発光素子１２０Ｙにおける外光反射を防ぐため、用途によっては光学素子、または円偏光板を有する構成としてもよい。

図３（Ａ）（Ｂ）に示す発光装置１４０のその他の構成は、図１（Ａ）（Ｂ）に示す発光装置１００と同様であり、同様の効果を奏する。

＜発光装置の構成例４＞
次に、図３（Ａ）（Ｂ）に示す発光装置１４０と異なる構成例について、図４（Ａ）（Ｂ）を用いて、以下説明を行う。

図４（Ａ）（Ｂ）は、本発明の一態様の発光装置の一例を示す断面図である。なお、図４（Ａ）（Ｂ）に示す発光装置の上面図については、図３（Ａ）に示す発光装置１４０の上面図と同様であるため、ここでの記載は省略する。

図４（Ａ）に示す発光装置１４０Ａは、第１の色を呈する光を発する第１の画素１０１Ｒと、第２の色を呈する光を発する第２の画素１０１Ｇと、第３の色を呈する光を発する第３の画素１０１Ｂと、第４の色を呈する光を発する第４の画素１０１Ｙと、を有する。また、第１の画素１０１Ｒは、第１の発光素子１２１Ｒと、第１の発光素子１２１Ｒと重畳する第１の光学素子１５６Ｒとを有し、第２の画素１０１Ｇは、第２の発光素子１２１Ｇと、第２の発光素子１２１Ｇと重畳する第２の光学素子１５６Ｇとを有し、第３の画素１０１Ｂは、第３の発光素子１２１Ｂを有し、第４の画素１０１Ｙは、第４の発光素子１２１Ｙを有する。

また、第１の発光素子１２１Ｒは、第１の電極１０４と、第１の電極１０４上の第１の透明導電膜１０６Ｒと、第１の透明導電膜１０６Ｒ上の第１の発光層１１０と、第１の発光層１１０上の第２の発光層１１２と、第２の発光層１１２上の第２の電極１１４と、を有し、第２の発光素子１２１Ｇは、第１の電極１０４と、第１の電極１０４上の第２の透明導電膜１０６Ｇと、第２の透明導電膜１０６Ｇ上の第１の発光層１１０と、第１の発光層１１０上の第２の発光層１１２と、第２の発光層１１２上の第２の電極１１４と、を有し、第３の発光素子１２１Ｂは、第１の電極１０４と、第１の電極１０４上の第３の透明導電膜１０６Ｂと、第３の透明導電膜１０６Ｂ上の第２の発光層１１２と、第２の発光層１１２上の第２の電極１１４と、を有し、第４の発光素子１２１Ｙは、第１の電極１０４と、第１の電極１０４上の第４の透明導電膜１０６Ｙと、第４の透明導電膜１０６Ｙ上の第１の発光層１１０と、第１の発光層１１０上の第２の発光層１１２と、第２の発光層１１２上の第２の電極１１４と、を有する。

図４（Ａ）に示す発光装置１４０Ａは、図３（Ｂ）に示す発光装置１４０と比較し、第１の発光素子１２１Ｒ、第２の発光素子１２１Ｇ、第３の発光素子１２１Ｂ、及び第４の発光素子１２１Ｙが設けられている点が相違する。なお、第１の発光素子１２１Ｒ、第２の発光素子１２１Ｇ、第３の発光素子１２１Ｂ、及び第４の発光素子１２１Ｙは、微小共振器構造を有する構成である。微小共振器構造を発光素子に組み合わせると、発光素子が発する光から、特定の波長を有する光を効率良く取り出すことができる。

第１の発光層１１０及び第２の発光層１１２から射出される光は、第１の電極１０４と第２の電極１１４との間で共振される。発光装置１４０Ａにおいては、各発光素子で第１の透明導電膜１０６Ｒ、第２の透明導電膜１０６Ｇ、第３の透明導電膜１０６Ｂ、及び第４の透明導電膜１０６Ｙの厚さを調整することで、第１の発光層１１０及び第２の発光層１１２から射出される光の強度を強めることができる。

具体的には、第１の透明導電膜１０６Ｒ、第２の透明導電膜１０６Ｇ、第３の透明導電膜１０６Ｂ、及び第４の透明導電膜１０６Ｙの膜厚を調整し、所望の光の波長λに対して、第１の電極１０４と第２の電極１１４との間の光学距離が、ｍλ／２（ただし、ｍは自然数）となるように調整する。さらに、第１の透明導電膜１０６Ｒ、第２の透明導電膜１０６Ｇ、第３の透明導電膜１０６Ｂ、及び第４の透明導電膜１０６Ｙの膜厚を調整し、所望の光の波長λに対して、第１の電極１０４と発光層（第１の発光層１１０及び第２の発光層１１２）との間の光学距離が、（２ｍ’＋１）λ／４（ただし、ｍ’は自然数）となるように調節する。

第１の透明導電膜１０６Ｒ、第２の透明導電膜１０６Ｇ、第３の透明導電膜１０６Ｂ、及び第４の透明導電膜１０６Ｙの厚さとしては、「第１の透明導電膜１０６Ｒ＞第４の透明導電膜１０６Ｙ＞第２の透明導電膜１０６Ｇ＞第３の透明導電膜１０６Ｂ」の関係を満たせばよい。別言すると、第１の透明導電膜１０６Ｒは、第１の領域を有し、第１の領域は、第１の厚さを有し、第２の透明導電膜１０６Ｇは、第２の領域を有し、第２の領域は、第２の厚さを有し、第３の透明導電膜１０６Ｂは、第３の領域を有し、第３の領域は、第３の厚さを有し、第４の透明導電膜１０６Ｙは、第４の領域を有し、第４の領域は、第４の厚さを有し、第１の厚さは、第４の厚さよりも厚く、第４の厚さは、第２の厚さよりも厚く、第２の厚さは、第３の厚さよりも厚い。例えば、第１の透明導電膜１０６Ｒとしては、膜厚１００ｎｍのＩＴＯ膜を、第２の透明導電膜１０６Ｇとしては、膜厚６０ｎｍのＩＴＯ膜を、第３の透明導電膜１０６Ｂとしては、膜厚２０ｎｍのＩＴＯ膜を、第４の透明導電膜１０６Ｙとしては、膜厚８０ｎｍのＩＴＯ膜を、それぞれ用いればよい。第１の透明導電膜１０６Ｒ、第２の透明導電膜１０６Ｇ、第３の透明導電膜１０６Ｂ、及び第４の透明導電膜１０６Ｙの厚さが上記関係を満たすことで、各発光素子が発する光から、特定の波長を有する光を効率良く取り出すことができる。

図４（Ｂ）に示す発光装置１４０Ｂは、第１の色を呈する光を発する第１の画素１０１Ｒと、第２の色を呈する光を発する第２の画素１０１Ｇと、第３の色を呈する光を発する第３の画素１０１Ｂと、第４の色を呈する光を発する第４の画素１０１Ｙとを有する。また、第１の画素１０１Ｒは、第１の発光素子１２２Ｒと、第１の発光素子１２２Ｒと重畳する第１の光学素子１５６Ｒとを有し、第２の画素１０１Ｇは、第２の発光素子１２２Ｇと、第２の発光素子１２２Ｇと重畳する第２の光学素子１５６Ｇとを有し、第３の画素１０１Ｂは、第３の発光素子１２２Ｂを有し、第４の画素１０１Ｙは、第４の発光素子１２２Ｙを有する。

また、第１の発光素子１２２Ｒ、第２の発光素子１２２Ｇ、及び第４の発光素子１２２Ｙは、第１の電極１０４と、第１の電極１０４上の第１の透明導電膜１０６と、第１の透明導電膜１０６上の正孔注入層１３１と、正孔注入層１３１上の正孔輸送層１３２と、正孔輸送層１３２上の第１の発光層１１０と、第１の発光層１１０上の第２の発光層１１２と、第２の発光層１１２上の電子輸送層１３３と、電子輸送層１３３上の電子注入層１３４と、電子注入層１３４上の第２の電極１１４と、を有する。また、第３の発光素子１２２Ｂは、第１の電極１０４と、第１の電極１０４上の第１の透明導電膜１０６と、第１の透明導電膜１０６上の正孔注入層１３１と、正孔注入層１３１上の正孔輸送層１３２と、正孔輸送層１３２上の第２の発光層１１２と、第２の発光層１１２上の電子輸送層１３３と、電子輸送層１３３上の電子注入層１３４と、電子注入層１３４上の第２の電極１１４と、を有する。

発光装置１４０Ｂは、図３（Ｂ）に示す発光装置１４０と比較し、第１の発光素子１２２Ｒ、第２の発光素子１２２Ｇ、及び第３の発光素子１２２Ｂが設けられている点が相違する。

なお、第１の発光素子１２２Ｒ、第２の発光素子１２２Ｇ、第３の発光素子１２２Ｂ、及び第４の発光素子１２２Ｙが有する、正孔注入層１３１、正孔輸送層１３２、電子輸送層１３３、及び電子注入層１３４は、それぞれ、各発光素子で共通して用いることができる。すなわち、正孔注入層１３１、正孔輸送層１３２、電子輸送層１３３、及び電子注入層１３４を、各発光素子で塗り分ける必要がない。したがって、発光装置１４０Ｂの各発光素子の作製時の塗り分け工程としては、第１の発光層１１０の１回のみとすることができる。

発光装置１４０Ｂが有する、正孔注入層１３１、正孔輸送層１３２、電子輸送層１３３、及び電子注入層１３４については、先に記載の発光装置１００Ｂの記載を援用することで形成することができる。

その他の構成については、図３（Ａ）（Ｂ）に示す発光装置１４０と同様であり、同様の効果を奏する。

＜発光装置の構成例５＞
次に、図１（Ａ）（Ｂ）に示す発光装置１００と異なる構成例について、図５（Ａ）（Ｂ）及び図６を用いて、以下説明を行う。

図５（Ａ）（Ｂ）、及び図６は、本発明の一態様の発光装置の一例を示す断面図である。なお、図５（Ａ）（Ｂ）、及び図６に示す発光装置の上面図については、図１（Ａ）に示す発光装置１００の上面図と同様であるため、ここでの記載は省略する。

図５（Ａ）に示す発光装置１６０は、第１の色を呈する光を発する第１の画素１０１Ｒと、第２の色を呈する光を発する第２の画素１０１Ｇと、第３の色を呈する光を発する第３の画素１０１Ｂと、を有する。また、第１の画素１０１Ｒは、第１の発光素子１２３Ｒと、第１の発光素子１２３Ｒと重畳する第１の光学素子１５６Ｒとを有し、第２の画素１０１Ｇは、第２の発光素子１２３Ｇと、第２の発光素子１２３Ｇと重畳する第２の光学素子１５６Ｇとを有し、第３の画素１０１Ｂは、第３の発光素子１２３Ｂを有する。

また、第１の発光素子１２３Ｒ及び第２の発光素子１２３Ｇは、第１の電極１０４と、第１の電極１０４上の第１の発光層１１０と、第１の発光層１１０上の第２の電極１１４と、有し、第３の発光素子１２３Ｂは、第１の電極１０４と、第１の電極１０４上の第２の発光層１１２と、第２の発光層１１２上の第１の発光層１１０と、第１の発光層１１０上の第２の電極１１４と、を有する。なお、図５（Ａ）に示すように、第１の電極１０４上に透明導電膜１０６を設ける構成としてもよい。

このように、図５（Ａ）に示す発光装置１６０においては、第１の発光層１１０を第１の発光素子１２３Ｒ、第２の発光素子１２３Ｇ、及び第３の発光素子１２３Ｂで共通して用い、第２の発光層１１２を第３の発光素子１２３Ｂで用いる。各発光素子において、第１の発光層１１０を共通して用いることで、発光素子形成時の生産性を高めることができる。具体的には、発光装置１６０の各発光素子の作製時の塗り分け工程を、第２の発光層１１２の１回のみとすることができるため、生産性を高めることができる。

また、第１の画素１０１Ｒからは、赤色（Ｒ）を呈する光が発せられ、第２の画素１０１Ｇからは、緑色（Ｇ）を呈する光が発せられ、第３の画素１０１Ｂからは、青色（Ｂ）を呈する光が発せられる。したがって、第１の画素１０１Ｒ、第２の画素１０１Ｇ、及び第３の画素１０１Ｂによって、フルカラー表示を行うことができる。

なお、第１の画素１０１Ｒが有する第１の発光素子１２３Ｒからは、黄色を呈する光が発せられ、該黄色を呈する光が第１の光学素子１５６Ｒを通過することで、赤色を呈する光となり外部に射出される。また、第２の画素１０１Ｇが有する第２の発光素子１２３Ｇからは、黄色を呈する光が発せられ、該黄色を呈する光が第２の光学素子１５６Ｇを通過することで、緑色を呈する光となり外部に射出される。また、第３の画素１０１Ｂが有する第３の発光素子１２３Ｂからは、青色を呈する光が発せられ、光学素子等を通過せずに、そのまま外部に射出される。すなわち、第３の画素１０１Ｂは、光学素子を有さない。したがって、第３の発光素子１２３Ｂから射出される光は、光学素子を介さずに外部に取り出される構成である。別言すると、第３の発光素子１２３Ｂから射出される光は、第１の発光素子１２３Ｒ及び第２の発光素子１２３Ｇから射出される光よりも損失が少なく射出される。したがって、発光装置１６０の消費電力を低減することができる。なお、第３の発光素子１２３Ｂにおいて、第１の発光層１１０は、発光に寄与しない。

図５（Ｂ）に示す発光装置１６０Ａは、第１の色を呈する光を発する第１の画素１０１Ｒと、第２の色を呈する光を発する第２の画素１０１Ｇと、第３の色を呈する光を発する第３の画素１０１Ｂと、を有する。また、第１の画素１０１Ｒは、第１の発光素子１２４Ｒと、第１の発光素子１２４Ｒと重畳する第１の光学素子１５６Ｒとを有し、第２の画素１０１Ｇは、第２の発光素子１２４Ｇと、第２の発光素子１２４Ｇと重畳する第２の光学素子１５６Ｇとを有し、第３の画素１０１Ｂは、第３の発光素子１２４Ｂを有する。

また、第１の発光素子１２４Ｒは、第１の電極１０４と、第１の電極１０４上の第１の透明導電膜１０６Ｒと、第１の透明導電膜１０６Ｒ上の第１の発光層１１０と、第１の発光層１１０上の第２の電極１１４と、を有し、第２の発光素子１２４Ｇは、第１の電極１０４と、第１の電極１０４上の第２の透明導電膜１０６Ｇと、第２の透明導電膜１０６Ｇ上の第１の発光層１１０と、第１の発光層１１０上の第２の電極１１４と、を有し、第３の発光素子１２４Ｂは、第１の電極１０４と、第１の電極１０４上の第３の透明導電膜１０６Ｂと、第３の透明導電膜１０６Ｂ上の第２の発光層１１２と、第２の発光層１１２上の第１の発光層１１０と、第１の発光層１１０上の第２の電極１１４と、を有する。

なお、第１の発光素子１２４Ｒ、第２の発光素子１２４Ｇ、及び第３の発光素子１２４Ｂは、微小共振器構造を有する構成である。

第１の発光素子１２４Ｒ、第２の発光素子１２４Ｇ、及び第３の発光素子１２４Ｂが有する第１の透明導電膜１０６Ｒ、第２の透明導電膜１０６Ｇ、及び第３の透明導電膜１０６Ｂの構成については、発光装置１００と同様の構成とすることができる。

その他の構成については、発光装置１６０と同様であり、同様の効果を奏する。

図６に示す発光装置１６０Ｂは、第１の色を呈する光を発する第１の画素１０１Ｒと、第２の色を呈する光を発する第２の画素１０１Ｇと、第３の色を呈する光を発する第３の画素１０１Ｂと、を有する。また、第１の画素１０１Ｒは、第１の発光素子１２５Ｒと、第１の発光素子１２５Ｒと重畳する第１の光学素子１５６Ｒとを有し、第２の画素１０１Ｇは、第２の発光素子１２５Ｇと、第２の発光素子１２５Ｇと重畳する第２の光学素子１５６Ｇとを有し、第３の画素１０１Ｂは、第３の発光素子１２５Ｂを有する。

また、第１の発光素子１２５Ｒ及び第２の発光素子１２５Ｇは、第１の電極１０４と、第１の電極１０４上の透明導電膜１０６と、透明導電膜１０６上の正孔注入層１３１と、正孔注入層１３１上の正孔輸送層１３２と、正孔輸送層１３２上の第１の発光層１１０と、第１の発光層１１０上の電子輸送層１３３と、電子輸送層１３３上の電子注入層１３４と、電子注入層１３４上の第２の電極１１４と、を有する。また、第３の発光素子１２５Ｂは、第１の電極１０４と、第１の電極１０４上の透明導電膜１０６と、透明導電膜１０６上の正孔注入層１３１と、正孔注入層１３１上の正孔輸送層１３２と、正孔輸送層１３２上の第２の発光層１１２と、第２の発光層１１２上の電子輸送層１３３と、電子輸送層１３３上の電子注入層１３４と、電子注入層１３４上の第２の電極１１４と、を有する。

図６に示す発光装置１６０Ｂが有する正孔注入層１３１、正孔輸送層１３２、電子輸送層１３３、及び電子注入層１３４としては、発光装置１００Ｂの記載を参照することで形成することができる。

なお、第１の発光素子１２５Ｒ、第２の発光素子１２５Ｇ、第３の発光素子１２５Ｂが有する、正孔注入層１３１、正孔輸送層１３２、電子輸送層１３３、及び電子注入層１３４は、それぞれ、各発光素子で共通して用いることができる。すなわち、正孔注入層１３１、正孔輸送層１３２、電子輸送層１３３、及び電子注入層１３４を、各発光素子で塗り分ける必要がない。したがって、発光装置１６０Ｂの各発光素子の作製時の塗り分け工程としては、第２の発光層１１２の１回のみとすることができる。

その他の構成については、発光装置１６０と同様であり、同様の効果を奏する。

＜発光装置の構成例６＞
次に、図３（Ａ）（Ｂ）に示す発光装置１４０と異なる構成例について、図７（Ａ）（Ｂ）、図８（Ａ）（Ｂ）、及び図９を用いて、以下説明を行う。

図７（Ａ）に示す発光装置１７０は、第１の色を呈する光を発する第１の画素１０１Ｒと、第２の色を呈する光を発する第２の画素１０１Ｇと、第３の色を呈する光を発する第３の画素１０１Ｂと、第４の色を呈する光を発する第４の画素１０１Ｙとを有する。また、第１の画素１０１Ｒは、第１の発光素子１２３Ｒと、第１の発光素子１２３Ｒと重畳する第１の光学素子１５６Ｒとを有し、第２の画素１０１Ｇは、第２の発光素子１２３Ｇと、第２の発光素子１２３Ｇと重畳する第２の光学素子１５６Ｇとを有し、第３の画素１０１Ｂは、第３の発光素子１２３Ｂを有し、第４の画素１０１Ｙは、第４の発光素子１２３Ｙを有する。

また、第１の発光素子１２３Ｒ、第２の発光素子１２３Ｇ、及び第４の発光素子１２３Ｙは、第１の電極１０４と、第１の電極１０４上の第１の発光層１１０と、第１の発光層１１０上の第２の電極１１４と、を有し、第３の発光素子１２３Ｂは、第１の電極１０４と、第１の電極１０４上の第２の発光層１１２と、第２の発光層１１２上の第１の発光層１１０と、第１の発光層１１０上の第２の電極１１４と、を有する。

このように、発光装置１７０においては、第１の発光層１１０を第１の発光素子１２３Ｒ、第２の発光素子１２３Ｇ、及び第３の発光素子１２３Ｂで共通して用い、第２の発光層１１２を第３の発光素子１２３Ｂで用いる。各発光素子において、第１の発光層１１０を共通して用いることで、発光素子形成時の生産性を高めることができる。具体的には、発光装置１７０の各発光素子の作製時の塗り分け工程としては、第２の発光層１１２の１回のみとすることができる。

また、第１の画素１０１Ｒからは、赤色（Ｒ）を呈する光が発せられ、第２の画素１０１Ｇからは、緑色（Ｇ）を呈する光が発せられ、第３の画素１０１Ｂからは、青色（Ｂ）を呈する光が発せられる。また、第４の画素１０１Ｙからは、黄色（Ｙ）を呈する光が発せられる。

また、発光装置１７０は、第１の画素１０１Ｒ、第２の画素１０１Ｇ、及び第３の画素１０１Ｂに加え、第４の画素１０１Ｙを有する構成であるため、色再現性を高めることができる。また、発光装置１７０は、第４の画素１０１Ｙを有することで、消費電力を低減することができる。

なお、第１の画素１０１Ｒが有する第１の発光素子１２３Ｒからは、黄色を呈する光が発せられ、該黄色を呈する光が第１の光学素子１５６Ｒを通過することで、赤色を呈する光となり外部に射出される。また、第２の画素１０１Ｇが有する第２の発光素子１２３Ｇからは、黄色を呈する光が発せられ、該黄色を呈する光が第２の光学素子１５６Ｇを通過することで、緑色を呈する光となり外部に射出される。また、第３の画素１０１Ｂが有する第３の発光素子１２３Ｂからは、青色を呈する光が発せられ、光学素子等を通過せずに、そのまま外部に射出される。また、第４の発光素子１２３Ｙからは、黄色を呈する光が発せられ、光学素子等を通過せずに、そのまま外部に射出される。すなわち、第３の画素１０１Ｂ及び第４の画素１０１Ｙは、光学素子を有さない。したがって、第３の発光素子１２３Ｂ及び第４の発光素子１２３Ｙから射出される光は、光学素子を介さずに外部に取り出される構成である。別言すると、第３の発光素子１２３Ｂ及び第４の発光素子１２３Ｙから射出される光は、第１の発光素子１２３Ｒ及び第２の発光素子１２３Ｇから射出される光よりも損失が少なく射出される。したがって、発光装置１７０の消費電力を低減することができる。なお、第３の発光素子１２３Ｂにおいて、第１の発光層１１０は、発光に寄与しない。

図７（Ｂ）に示す発光装置１７０Ａは、第１の色を呈する光を発する第１の画素１０１Ｒと、第２の色を呈する光を発する第２の画素１０１Ｇと、第３の色を呈する光を発する第３の画素１０１Ｂと、第４の色を呈する光を発する第４の画素１０１Ｙと、を有する。また、第１の画素１０１Ｒは、第１の発光素子１２４Ｒと、第１の発光素子１２４Ｒと重畳する第１の光学素子１５６Ｒとを有し、第２の画素１０１Ｇは、第２の発光素子１２４Ｇと、第２の発光素子１２４Ｇと重畳する第２の光学素子１５６Ｇとを有し、第３の画素１０１Ｂは、第３の発光素子１２４Ｂを有し、第４の画素１０１Ｙは、第４の発光素子１２４Ｙを有する。

また、第１の発光素子１２４Ｒは、第１の電極１０４と、第１の電極１０４上の第１の透明導電膜１０６Ｒと、第１の透明導電膜１０６Ｒ上の第１の発光層１１０と、第１の発光層１１０上の第２の電極１１４と、を有し、第２の発光素子１２４Ｇは、第１の電極１０４と、第１の電極１０４上の第２の透明導電膜１０６Ｇと、第２の透明導電膜１０６Ｇ上の第１の発光層１１０と、第１の発光層１１０上の第２の電極１１４と、を有し、第３の発光素子１２４Ｂは、第１の電極１０４と、第１の電極１０４上の第３の透明導電膜１０６Ｂと、第３の透明導電膜１０６Ｂ上の第２の発光層１１２と、第２の発光層１１２上の第１の発光層１１０と、第１の発光層１１０上の第２の電極１１４と、を有し、第４の発光素子１２４Ｙは、第１の電極１０４と、第１の電極１０４上の第４の透明導電膜１０６Ｙと、第４の透明導電膜１０６Ｙ上の第１の発光層１１０と、第１の発光層１１０上の第２の電極１１４と、を有する。

なお、第１の発光素子１２４Ｒ、第２の発光素子１２４Ｇ、第３の発光素子１２４Ｂ、及び第４の発光素子１２４Ｙは、微小共振器構造を有する構成である。微小共振器構造を発光素子に組み合わせると、発光素子が発する光から、特定の波長を有する光を効率良く取り出すことができる。

第１の発光素子１２４Ｒ、第２の発光素子１２４Ｇ、第３の発光素子１２４Ｂ、及び第４の発光素子１２４Ｙが有する第１の透明導電膜１０６Ｒ、第２の透明導電膜１０６Ｇ、第３の透明導電膜１０６Ｂ、第４の透明導電膜１０６Ｙの構成については、先の実施の形態に示す発光装置１４０と同様の構成とすることができる。

図８（Ａ）に示す発光装置１７０Ｂは、第１の色を呈する光を発する第１の画素１０１Ｒと、第２の色を呈する光を発する第２の画素１０１Ｇと、第３の色を呈する光を発する第３の画素１０１Ｂと、第４の色を呈する光を発する第４の画素１０１Ｙとを有する。また、第１の画素１０１Ｒは、第１の発光素子１２５Ｒと、第１の発光素子１２５Ｒと重畳する第１の光学素子１５６Ｒとを有し、第２の画素１０１Ｇは、第２の発光素子１２５Ｇと、第２の発光素子１２５Ｇと重畳する第２の光学素子１５６Ｇとを有し、第３の画素１０１Ｂは、第３の発光素子１２５Ｂを有し、第４の画素１０１Ｙは、第４の発光素子１２５Ｙを有する。

また、第１の発光素子１２５Ｒ、第２の発光素子１２５Ｇ、及び第４の発光素子１２５Ｙは、第１の電極１０４と、第１の電極１０４上の透明導電膜１０６と、透明導電膜１０６上の正孔注入層１３１と、正孔注入層１３１上の正孔輸送層１３２と、正孔輸送層１３２上の第１の発光層１１０と、第１の発光層１１０上の電子輸送層１３３と、電子輸送層１３３上の電子注入層１３４と、電子注入層１３４上の第２の電極１１４と、を有する。また、第３の発光素子１２５Ｂは、第１の電極１０４と、第１の電極１０４上の透明導電膜１０６と、透明導電膜１０６上の正孔注入層１３１と、正孔注入層１３１上の正孔輸送層１３２と、正孔輸送層１３２上の第２の発光層１１２と、第２の発光層１１２上の電子輸送層１３３と、電子輸送層１３３上の電子注入層１３４と、電子注入層１３４上の第２の電極１１４と、を有する。

図８（Ａ）に示す発光装置１７０Ｂが有する正孔注入層１３１、正孔輸送層１３２、電子輸送層１３３、及び電子注入層１３４としては、発光装置１４０Ｂを参照することで形成することができる。

その他の構成については、発光装置１７０と同様であり、同様の効果を奏する。

図８（Ｂ）に示す発光装置１７０Ｃは、図８（Ａ）に示す発光装置１７０Ｂの変形例であり、光学素子の構成が相違する。具体的には、発光装置１７０Ｃが有する第３の画素１０１Ｂ及び第４の画素１０１Ｙは、第３の光学素子１５６Ｂ及び第４の光学素子１５６Ｙを、それぞれ有する。

第３の光学素子１５６Ｂ及び第４の光学素子１５６Ｙとしては、先に示す第１の光学素子１５６Ｒ、第２の光学素子１５６Ｇと同様の構成とすることができる。なお、第３の光学素子１５６Ｂは、第３の発光素子１２５Ｂが発する光から青色を呈する光を透過する。また、第４の光学素子１５６Ｙは、第４の発光素子１２５Ｙが発する光から黄色を呈する光を透過する。

このように、各発光素子の上方に光学素子を設ける構成とすることで、色純度を向上させることが可能となる。また、外光反射を抑制することができる。

図９に示す発光装置１７０Ｄは、図８（Ａ）に示す発光装置１７０Ｂの変形例であり、光学素子の構成が相違する。具体的には、発光装置１７０Ｄが有する第１の画素１０１Ｒ、第２の画素１０１Ｇ、第３の画素１０１Ｂ、及び第４の画素１０１Ｙは、光学素子を有さない構成である。

このように、各発光素子の上方に光学素子を設けない構成とすることで、消費電力を低減することが可能となる。ただし、発光装置１７０Ｄに示すように、各発光素子が微小共振器構造を有する場合、発光素子が発する光から、特定の波長を有する光を効率良く取り出す構成としているため、観察する角度によって、発光素子からの発光スペクトルが異なって見える場合（視野角依存性ともいう）がある。該視野角依存性が大きい場合においては、発光装置１７０Ｃに示すように、各発光素子の上方に光学素子を設ける構成とすることで、視野角依存性を抑制することが可能となる。

なお、上記例示した発光装置の各構成については、適宜組み合わせて用いることができる。

＜発光装置の作製方法１＞
次に、本発明の一態様の発光装置の作製方法について、図１１及び図１２を用いて以下説明を行う。なお、ここでは、図３（Ａ）（Ｂ）に示す発光装置１４０の作製方法について説明する。

図１１及び図１２は、本発明の一態様の発光装置の作製方法を説明するための断面図である。

以下で説明する発光装置１４０の作製方法は、第１乃至第６の６つのステップを有する。

＜第１のステップ＞
第１のステップは、各発光素子の下部電極（具体的には、第１の電極１０４及び透明導電膜１０６）及び隔壁１０８を、有機化合物を含む発光層が形成されていない基板１０２上に形成する工程である（図１１（Ａ）参照）。

第１のステップにおいては、有機化合物を含む発光層を損傷するおそれがないため、さまざまな微細加工技術を適用できる。本実施の形態では、スパッタリング法を用いて第１の電極１０４及び透明導電膜１０６となる導電膜を形成し、フォトリソグラフィ法を用いて、該導電膜をパターニングし、その後ドライエッチング法及びウエットエッチング法を用いて、該導電膜を島状に加工して下部電極を形成する。その後、島状の下部電極の端部を覆うように隔壁１０８を形成する。

第１のステップにおいて、基板１０２上に、反射性の導電膜を形成し、その後透明導電膜を形成する。なお、本実施の形態においては、反射性の導電膜として、銀とパラジウムと銅の合金膜を用い、透明導電膜としてＩＴＯ膜を用いる。

なお、第１のステップの前に、基板１０２上にトランジスタを形成してもよい。また、該トランジスタと、第１の電極１０４を電気的に接続させてもよい。

また、透明導電膜は、複数回に分けて形成してもよい。該透明導電膜を複数回に分けて形成することで、各発光素子で微小共振器構造となる膜厚で透明導電膜を形成することができる。

隔壁１０８は、下部電極と重なるように開口部を有する。該開口部によって露出する透明導電膜が発光素子の下部電極として機能する。本実施の形態では、隔壁１０８として、アクリル樹脂を用いる。

＜第２のステップ＞
第２のステップは、シャドウマスク１９０を用いて、第１の発光層１１０を形成する工程である（図１１（Ｂ）参照）。

第２のステップにおいて、開口部１９１を有するシャドウマスク１９０を透明導電膜１０６及び隔壁１０８に重なるように配置して、シャドウマスク１９０が配置された側から、第１の発光材料を有する有機化合物１９２を蒸着することにより、第１の発光層１１０を形成する。

本実施の形態では、基板１０２を蒸着装置に供給し、シャドウマスク１９０を蒸着源（図示しない）側に配置する。その後、シャドウマスク１９０の開口部１９１を所望の位置に配置するためのアライメントを行う。なお、シャドウマスク１９０は、開口部１９１が設けられた、厚さが数十μｍ以上の金属等の箔または厚さが数百μｍ以下の金属等の板で形成された遮蔽板である。

第１の発光層１１０は、５４０ｎｍ以上５８０ｎｍ以下の範囲にスペクトルピークを有する第１の発光材料を有する。第１の発光材料としては、黄色を呈する光を発する燐光性の有機化合物を用いることができる。また、該燐光性の有機化合物は、単独で蒸着してもよいが、他の材料と混合して蒸着してもよい。例えば、燐光性の有機化合物をゲスト材料とし、ゲスト材料より励起エネルギーが大きなホスト材料に該ゲスト材料を分散して蒸着してもよい。

なお、第１の発光層１１０を形成する前に、第１の発光素子１２０Ｒ、第２の発光素子１２０Ｇ、第３の発光素子１２０Ｂ、及び第４の発光素子１２０Ｙに共通する有機化合物（例えば、正孔注入層及び／または正孔輸送層）を透明導電膜１０６上に形成してもよい。

＜第３のステップ＞
第３のステップは、下部電極（透明導電膜１０６）、隔壁１０８、及び第１の発光層１１０上に、第２の発光層１１２を形成する工程である（図１１（Ｃ）参照）。

第２の発光層１１２は、４２０ｎｍ以上４８０ｎｍ以下の範囲にスペクトルピークを有する第２の発光材料を有する。第２の発光材料としては、青色を呈する光を発する蛍光性の有機化合物を用いることができる。また、該蛍光性の有機化合物は、単独で蒸着してもよいが、他の材料と混合して蒸着してもよい。例えば、蛍光性の有機化合物をゲスト材料とし、ゲスト材料より励起エネルギーが大きなホスト材料に該ゲスト材料を分散して蒸着してもよい。

＜第４のステップ＞
第４のステップは、発光素子の上部電極として機能する第２の電極１１４を、第２の発光層１１２上に形成する工程である（図１１（Ｄ）参照）。

なお、第２の電極１１４を形成する前に、第１の発光素子１２０Ｒ、第２の発光素子１２０Ｇ、第３の発光素子１２０Ｂ、及び第４の発光素子１２０Ｙに共通する有機化合物（例えば、電子輸送層及び／または電子注入層）を第２の発光層１１２上に形成してもよい。

上記工程を経て、第１の発光素子１２０Ｒ、第２の発光素子１２０Ｇ、第３の発光素子１２０Ｂ、及び第４の発光素子１２０Ｙが基板１０２上に形成される。

＜第５のステップ＞
第５のステップは、基板１５２上に遮光層１５４、第１の光学素子１５６Ｒ、及び第２の光学素子１５６Ｇを形成する工程である（図１２（Ａ）参照）。

本実施の形態では、遮光層１５４として、黒色顔料の含んだ有機樹脂膜を所望の領域に形成する。その後、基板１５２及び遮光層１５４上に、第１の光学素子１５６Ｒ及び第２の光学素子１５６Ｇを形成する。第１の光学素子１５６Ｒとして、赤色顔料の含んだ有機樹脂膜を所望の領域に形成する。また、第２の光学素子１５６Ｇとして、緑色顔料の含んだ有機樹脂膜を所望の領域に形成する。

＜第６のステップ＞
第６のステップは、基板１０２上に形成された第１の発光素子１２０Ｒ、第２の発光素子１２０Ｇ、第３の発光素子１２０Ｂ、及び第４の発光素子１２０Ｙと、基板１５２上に形成された遮光層１５４、第１の光学素子１５６Ｒ、及び第２の光学素子１５６Ｇと、を貼り合わせ、封止材（図示しない）を用いて封止する工程である（図１２（Ｂ）参照）。

以上の工程により、図３（Ｂ）に示す発光装置１４０を形成することができる。なお、本実施の形態においては、発光素子の塗り分け工程が第１の発光層１１０の１回のみとすることで、生産性の高い発光装置の作製方法を提供できる。その結果、高精細化に伴う開口率の低下が抑制された、新規な発光装置の作製方法を提供できる。または、生産が容易な、新規な発光装置を提供できる。

＜発光装置の作製方法２＞
次に、本発明の一態様の発光装置の作製方法について、図１３を用いて以下説明を行う。なお、ここでは、図７（Ａ）に示す発光装置１７０の作製方法について説明する。

図１３は、本発明の一態様の発光装置の作製方法を説明するための断面図である。

以下で説明する発光装置１７０の作製方法は、第１乃至第６の６つのステップを有する。

＜第１のステップ＞
第１のステップは、各発光素子の下部電極（具体的には、第１の電極１０４及び透明導電膜１０６）及び隔壁１０８を、有機化合物を含む発光層が形成されていない基板１０２上に形成する工程である（図１３（Ａ）参照）。

第１のステップは、先に示す発光装置１４０の第１のステップと同様のステップのため、ここでの詳細な説明は省略する。

＜第２のステップ＞
第２のステップは、シャドウマスク１９０ａを用いて、第２の発光層１１２を形成する工程である（図１３（Ｂ）参照）。

第２のステップにおいて、開口部１９１を有するシャドウマスク１９０ａを透明導電膜１０６及び隔壁１０８に重なるように配置して、シャドウマスク１９０ａが配置された側から、第２の発光材料を有する有機化合物１９３を蒸着することにより、第２の発光層１１２を形成する。

本実施の形態では、基板１０２を蒸着装置に供給し、シャドウマスク１９０ａを蒸着源（図示しない）側に配置する。その後、シャドウマスク１９０ａの開口部１９１を所望の位置に配置するためのアライメントを行う。なお、シャドウマスク１９０ａは、開口部１９１が設けられた、厚さが数十μｍ以上の金属等の箔または厚さが数百μｍ以下の金属等の板で形成された遮蔽板である。

なお、先に記載のシャドウマスク１９０よりもシャドウマスク１９０ａの方が、開口部１９１の面積が小さい。開口部１９１の面積が小さくなることで、シャドウマスク１９０ａの機械的強度が高くなり、シャドウマスク１９０ａの撓み等が少なくなるためアライメント精度が向上するため好適である。

第２の発光層１１２は、４２０ｎｍ以上４８０ｎｍ以下の範囲にスペクトルピークを有する第２の発光材料を有する。第２の発光材料としては、青色を呈する光を発する蛍光性の有機化合物を用いることができる。また、該蛍光性の有機化合物は、単独で蒸着してもよいが、他の材料と混合して蒸着してもよい。例えば、蛍光性の有機化合物をゲスト材料とし、ゲスト材料より励起エネルギーが大きなホスト材料に該ゲスト材料を分散して蒸着してもよい。

なお、第２の発光層１１２を形成する前に、第１の発光素子１２３Ｒ、第２の発光素子１２３Ｇ、第３の発光素子１２３Ｂ、及び第４の発光素子１２３Ｙに共通する有機化合物（例えば、正孔注入層及び／または正孔輸送層）を透明導電膜１０６上に形成してもよい。

＜第３のステップ＞
第３のステップは、下部電極（透明導電膜１０６）、隔壁１０８、及び第２の発光層１１２上に、第１の発光層１１０を形成する工程である（図１３（Ｃ）参照）。

第１の発光層１１０は、５４０ｎｍ以上５８０ｎｍ以下の範囲にスペクトルピークを有する第１の発光材料を有する。第１の発光材料としては、黄色を呈する光を発する燐光性の有機化合物を用いることができる。また、該燐光性の有機化合物は、単独で蒸着してもよいが、他の材料と混合して蒸着してもよい。例えば、燐光性の有機化合物をゲスト材料とし、ゲスト材料より励起エネルギーが大きなホスト材料に該ゲスト材料を分散して蒸着してもよい。

＜第４のステップ＞
第４のステップは、発光素子の上部電極として機能する第２の電極１１４を、第１の発光層１１０上に形成する工程である（図１３（Ｄ）参照）。

なお、第２の電極１１４を形成する前に、第１の発光素子１２３Ｒ、第２の発光素子１２３Ｇ、第３の発光素子１２３Ｂ、及び第４の発光素子１２３Ｙに共通する有機化合物（例えば、電子輸送層及び／または電子注入層）を第１の発光層１１０上に形成してもよい。

上記工程を経て、第１の発光素子１２３Ｒ、第２の発光素子１２３Ｇ、第３の発光素子１２３Ｂ、及び第４の発光素子１２３Ｙが基板１０２上に形成される。

＜第５のステップ及び第６のステップ＞
第５のステップ及び第６のステップは、先に記載の発光装置１４０の第５のステップ及び第６のステップと同様である。したがって、ここでの説明は省略する。

以上の工程により、図７（Ａ）に示す発光装置１７０を形成することができる。なお、本実施の形態においては、発光素子の塗り分け工程が第２の発光層１１２の１回のみとすることで、生産性の高い発光装置の作製方法を提供できる。その結果、高精細化に伴う開口率の低下が抑制された、新規な発光装置の作製方法を提供できる。または、生産が容易な、新規な発光装置を提供できる。

以上、本実施の形態は、他の実施の形態と適宜組み合わせることができる。

（実施の形態２）
本実施の形態では、本発明の一態様の発光装置が有する、発光素子の構成について、図１４及び図１５（Ａ）（Ｂ）（Ｃ）（Ｄ）を用いて以下説明する。

本実施の形態で例示する発光素子は、下部電極と、下部電極上の有機化合物を含む層（以下、ＥＬ層とする）と、ＥＬ層上の上部電極と、を有する。下部電極または上部電極の一方は陽極、他方は陰極として機能する。

ＥＬ層は下部電極と上部電極の間に設けられ、該ＥＬ層の構成は下部電極と上部電極の極性および材質に合わせて適宜選択する。

以下に発光素子の構成を例示するが、発光素子の構成はこれに限定されない。

＜発光素子の構成例＞
発光素子の構成の一例を図１４に示す。図１４に示す発光素子は、陽極１１０１と陰極１１０２の間に発光ユニット１１０３が挟まれている。

発光ユニット１１０３は、電子と正孔が再結合する領域を少なくとも一つ有する。また、発光ユニット１１０３は、少なくとも発光物質を含む発光層を１つ以上備えていればよく、発光層以外の層と積層された構造であっても良い。発光層以外の層としては、例えば正孔注入性の高い物質、正孔輸送性の高い物質、正孔輸送性に乏しい（ブロッキングする）物質、電子輸送性の高い物質、電子注入性の高い物質、並びにバイポーラ性（電子及び正孔の輸送性の高い）の物質等を含む層が挙げられる。

陽極１１０１と陰極１１０２の間に、発光素子のしきい値電圧より高い電圧を印加すると、発光ユニット１１０３に陽極１１０１の側から正孔が注入され、陰極１１０２の側から電子が注入される。注入された電子と正孔は発光ユニット１１０３において再結合し、発光ユニット１１０３に含まれる発光物質が発光する。

＜発光ユニットの構成例１＞
発光ユニット１１０３の構成の一例を図１５（Ａ）に示す。図１５（Ａ）に示す発光ユニット１１０３は、正孔注入層１３１、正孔輸送層１３２、第１の発光層１１０、第２の発光層１１２、電子輸送層１３３、及び電子注入層１３４が陽極１１０１側からこの順に積層されている。

なお、図１５（Ａ）に示す発光ユニット１１０３は、図４（Ｂ）に示す第１の発光素子１２２Ｒ、第２の発光素子１２２Ｇ、及び第４の発光素子１２２Ｙの構成に相当する。

陽極１１０１側から注入される正孔と、陰極１１０２側から注入される電子は、第１の発光層１１０の近傍で再結合し、そのエネルギーにより第１の発光層１１０が有する第１の発光材料が発光する。

なお、第１の発光層１１０は、陽極側から注入された正孔を第２の発光層１１２に輸送しない構成が好ましい。例えば、電子輸送性に優れ正孔輸送性に劣る材料、またはＨＯＭＯ準位が第２の発光層１１２より深い材料を含む層を、第１の発光層１１０の第２の発光層１１２に接する側に設ける構成としてもよい。

第１の発光層１１０は、５４０ｎｍ以上５８０ｎｍ以下の範囲にスペクトルピークを有する第１の発光材料を有する。第１の発光材料としては、発光効率の高い燐光物質を用いることが好ましい。

なお、図１５（Ａ）に示す発光ユニット１１０３の構成において、第２の発光層１１２は、発光層として機能せず、電子輸送層として機能する。第２の発光層１１２は、陰極１１０２側から注入される電子を第１の発光層１１０に輸送する。

＜発光ユニットの構成例２＞
発光ユニット１１０３の構成の一例を図１５（Ｂ）に示す。図１５（Ｂ）に示す発光ユニット１１０３は、正孔注入層１３１、正孔輸送層１３２、第２の発光層１１２、電子輸送層１３３、及び電子注入層１３４が陽極１１０１側からこの順に積層されている。

なお、図１５（Ｂ）に示す発光ユニット１１０３は、図４（Ｂ）に示す第３の発光素子１２２Ｂの構成に相当する。

陽極１１０１側から注入される正孔と、陰極１１０２側から注入される電子は、第２の発光層１１２で再結合し、そのエネルギーにより第２の発光層１１２が有する第２の発光材料が発光する。

第２の発光層１１２は、４２０ｎｍ以上４８０ｎｍ以下の範囲にスペクトルピークを有する第２の発光材料を有する。第２の発光材料としては、信頼性の観点から蛍光物質を用いると好ましい。また、第２の発光層１１２に蛍光物質を用いる場合、該蛍光物質はアントラセン誘導体に分散させることが好ましい。アントラセン誘導体は電子輸送性が高いため、第２の発光層１１２に用いることで、図１５（Ａ）に示す発光ユニット１１０３において、第２の発光層１１２が発光してしまうのを抑制することができる。この時、該蛍光物質は芳香族アミン化合物が好ましい。芳香族アミン化合物は正孔トラップ性が高く（正孔が動きにくく）、相対的に第２の発光層１１２の電子輸送性を高めるためである。芳香族アミン化合物としては、特にピレン誘導体が好ましい。

なお、図１５（Ｂ）に示す発光ユニット１１０３の構成において、第２の発光層１１２は、発光層として機能する。

＜発光ユニットの構成例３＞
発光ユニット１１０３の構成の一例を図１５（Ｃ）に示す。図１５（Ｃ）に示す発光ユニット１１０３は、正孔注入層１３１、正孔輸送層１３２、第１の発光層１１０、電子輸送層１３３、及び電子注入層１３４が陽極１１０１側からこの順に積層されている。

なお、図１５（Ｃ）に示す発光ユニット１１０３は、図８（Ａ）に示す第１の発光素子１２５Ｒ、第２の発光素子１２５Ｇ、及び第４の発光素子１２５Ｙの構成に相当する。

陽極１１０１側から注入される正孔と、陰極１１０２側から注入される電子は、第１の発光層１１０の近傍で再結合し、そのエネルギーにより第１の発光層１１０が有する第１の発光材料が発光する。

第１の発光層１１０は、５４０ｎｍ以上５８０ｎｍ以下の範囲にスペクトルピークを有する第１の発光材料を有する。第１の発光材料としては、発光効率の高い燐光物質を用いることが好ましい。

＜発光ユニットの構成例４＞
発光ユニット１１０３の構成の一例を図１５（Ｄ）に示す。図１５（Ｄ）に示す発光ユニット１１０３は、正孔注入層１３１、正孔輸送層１３２、第２の発光層１１２、第１の発光層１１０、電子輸送層１３３、及び電子注入層１３４が陽極１１０１側からこの順に積層されている。

なお、図１５（Ｄ）に示す発光ユニット１１０３は、図８（Ａ）に示す第３の発光素子１２５Ｂの構成に相当する。

陽極１１０１側から注入される正孔と、陰極１１０２側から注入される電子は、第２の発光層１１２で再結合し、そのエネルギーにより第２の発光層１１２が有する第２の発光材料が発光する。

なお、第２の発光層１１２は、陽極側から注入された正孔を第１の発光層１１０に輸送しない構成が好ましい。例えば、電子輸送性に優れ正孔輸送性に劣る材料、またはＨＯＭＯ準位が第１の発光層１１２より深い材料を含む層を、第２の発光層１１２の第１の発光層１１０に接する側に設ける構成としてもよい。

第２の発光層１１２は、４２０ｎｍ以上４８０ｎｍ以下の範囲にスペクトルピークを有する第２の発光材料を有する。第２の発光材料としては、信頼性の観点から蛍光物質を用いると好ましい。

なお、図１５（Ｄ）に示す発光ユニット１１０３の構成において、第１の発光層１１０は、発光層として機能せず、電子輸送層として機能する。第１の発光層１１０は、陰極１１０２側から注入される電子を第２の発光層１１２に輸送する。

また、本実施の形態で説明した、ＥＬ層、上部電極、及び下部電極としては、それに用いる材料に応じて種々の方法（例えば、乾式法や湿式法等）を用いることができる。例えば、スパッタリング法、真空蒸着法、転写法、印刷法（凸版印刷法、凹版印刷法、グラビア印刷法、平版印刷法、孔版印刷法等）、インクジェット法、塗布法またはスピンコート法などを選んで用いればよい。また、各層で異なる方法を用いて形成してもよい。

なお、本実施の形態は、本明細書で示す他の実施の形態と適宜組み合わせることができる。

（実施の形態３）
本実施の形態では、本発明の一態様である発光装置の一例として、アクティブマトリクス型の発光装置について図１６を用いて説明する。

なお、図１６（Ａ）は発光装置を示す上面図であり、図１６（Ｂ）は図１６（Ａ）を一点鎖線Ａ−Ａ’で切断した断面図である。本実施の形態に係るアクティブマトリクス型の発光装置は、素子基板３０１上に設けられた画素部３０２と、駆動回路部（ソース線駆動回路）３０３と、駆動回路部（ゲート線駆動回路）３０４（３０４ａ及び３０４ｂ）と、を有する。画素部３０２、駆動回路部３０３、及び駆動回路部３０４は、シール材３０５によって、素子基板３０１と封止基板３０６との間に封止されている。

また、素子基板３０１上には、駆動回路部３０３、及び駆動回路部３０４に外部からの信号（例えば、ビデオ信号、クロック信号、スタート信号、又はリセット信号等）や電位を伝達する外部入力端子を接続するための引き回し配線３０７が設けられる。ここでは、外部入力端子としてＦＰＣ（フレキシブルプリントサーキット）３０８を設ける例を示している。なお、ここではＦＰＣしか図示されていないが、このＦＰＣにはプリント配線基板（ＰＷＢ）が取り付けられていても良い。本明細書における発光装置には、発光装置本体だけでなく、それにＦＰＣもしくはＰＷＢが取り付けられた状態をも含むものとする。

次に、断面構造について図１６（Ｂ）を用いて説明する。素子基板３０１上には駆動回路部及び画素部が形成されているが、ここでは、ソース線駆動回路である駆動回路部３０３と、画素部３０２が示されている。

駆動回路部３０３はＦＥＴ３０９とＦＥＴ３１０とを組み合わせた構成について例示している。なお、駆動回路部３０３が有するＦＥＴ３０９とＦＥＴ３１０は、単極性（Ｎ型またはＰ型のいずれか一方のみ）のトランジスタを含む回路で形成されても良いし、Ｎ型のトランジスタとＰ型のトランジスタを含むＣＭＯＳ回路で形成されても良い。また、本実施の形態では、基板上に駆動回路を形成したドライバー一体型を示すが、必ずしもその必要はなく、基板上ではなく外部に駆動回路を形成することもできる。

また、画素部３０２はスイッチング用ＦＥＴ（図示せず）と、電流制御用のＦＥＴ３１２とを有し、電流制御用のＦＥＴ３１２の配線（ソース電極又はドレイン電極）は、発光素子３１７ａおよび発光素子３１７ｂの第１の電極（陽極）（３１３ａ、３１３ｂ）と電気的に接続されている。また、本実施の形態においては、画素部３０２に２つのＦＥＴ（スイッチング用ＦＥＴ、電流制御用のＦＥＴ３１２）を用いて構成する例について示したが、これに限定されない。例えば、３つ以上のＦＥＴと、容量素子とを組み合わせる構成としてもよい。

ＦＥＴ３０９、３１０、３１２としては、例えば、スタガ型や逆スタガ型のトランジスタを適用することができる。ＦＥＴ３０９、３１０、３１２に用いることのできる半導体材料としては、例えば、第１３族（ガリウム等）半導体、第１４族（シリコン等）半導体、化合物半導体、酸化物半導体、有機半導体材料を用いることができる。また、該半導体材料の結晶性については、特に限定されず、例えば、非晶質半導体膜、または結晶性半導体膜を用いることができる。特に、ＦＥＴ３０９、３１０、３１２としては、酸化物半導体を用いると好ましい。該酸化物半導体としては、例えば、Ｉｎ−Ｇａ酸化物、Ｉｎ−Ｍ−Ｚｎ酸化物（Ｍは、Ａｌ、Ｇａ、Ｙ、Ｚｒ、Ｌａ、Ｃｅ、またはＮｄ）等が挙げられる。ＦＥＴ３０９、３１０、３１２として、例えば、エネルギーギャップが２ｅＶ以上、好ましくは２．５ｅＶ以上、さらに好ましくは３ｅＶ以上の酸化物半導体材料を用いることで、トランジスタのオフ電流を低減することができる。

また、第１の電極３１３には、光学調整のための導電膜３２０を積層した構造を含む。例えば、図１６（Ｂ）に示すように発光素子３１７ａと発光素子３１７ｂは、取り出す光の波長が異なるため、導電膜３２０ａと導電膜３２０ｂとは膜厚を変えて形成される。また、第１の電極（３１３ａ、３１３ｂ）の端部を覆うように絶縁物からなる隔壁３１４が形成される。ここでは、隔壁３１４として、ポジ型の感光性アクリル樹脂を用いて形成する。また、本実施の形態では、第１の電極（３１３ａ、３１３ｂ）を陽極として用いる。

また、隔壁３１４の上端部または下端部に曲率を有する曲面が形成されるようにするのが好ましい。隔壁３１４の形状を上記のように形成することで、隔壁３１４の上層に形成される膜の被覆性を良好なものとすることができる。例えば、隔壁３１４の材料として、ネガ型の感光性樹脂、或いはポジ型の感光性樹脂のいずれかを使用することができ、有機化合物に限らず無機化合物、例えば、酸化シリコン、酸化窒化シリコン、窒化シリコン等を使用することができる。

第１の電極（３１３ａ、３１３ｂ）上には、ＥＬ層３１５及び第２の電極３１６が積層形成されている。ＥＬ層３１５は、少なくとも発光層が設けられており、第１の電極（３１３ａ、３１３ｂ）、ＥＬ層３１５及び第２の電極３１６からなる発光素子（３１７ａ、３１７ｂ）が共有するＥＬ層３１５の端部が、第２の電極３１６で覆われた構造を有する。また、ＥＬ層３１５の構成については、実施の形態２と同様とする。

なお、第１の電極３１３、ＥＬ層３１５及び第２の電極３１６に用いる材料としては、実施の形態１に示す材料を用いることができる。また、発光素子（３１７ａ、３１７ｂ）の第１の電極（３１３ａ、３１３ｂ）は、領域３２１において、引き回し配線３０７と電気的に接続されＦＰＣ３０８を介して外部信号が入力される。さらに、発光素子（３１７ａ、３１７ｂ）の第２の電極３１６は、領域３２２において、引き回し配線３２３と電気的に接続され、ここでは図示しないが、ＦＰＣ３０８を介して外部信号が入力される。

また、図１６（Ｂ）に示す断面図では発光素子３１７を２つのみ図示しているが、画素部３０２においては、実施の形態１で示したように複数の発光素子がマトリクス状に配置されているものとする。すなわち、画素部３０２には、４種類（Ｒ、Ｇ、Ｂ、Ｙ）の発光が得られる発光素子をそれぞれ形成し、フルカラー表示可能な発光装置を形成することができる。

さらに、シール材３０５で封止基板３０６を素子基板３０１と貼り合わせることにより、素子基板３０１、封止基板３０６、およびシール材３０５で囲まれた空間３１８に発光素子３１７が備えられた構造になっている。

また、封止基板３０６には、光学素子３２４が設けられており、隣り合う光学素子の間には、遮光層３２５が設けられている。なお、発光素子３１７ａ、３１７ｂで得られた発光は、光学素子３２４を介して外部に取り出される。

なお、空間３１８は、不活性気体（窒素やアルゴン等）が充填される場合の他、シール材３０５等の固体で充填される構成も含むものとする。

また、シール材３０５にはエポキシ系樹脂やガラスフリットを用いるのが好ましい。また、これらの材料はできるだけ水分や酸素を透過しない材料であることが望ましい。また、封止基板３０６に用いる材料としてガラス基板や石英基板の他、ＦＲＰ（Ｆｉｂｅｒ−Ｒｅｉｎｆｏｒｃｅｄ Ｐｌａｓｔｉｃｓ）、ＰＶＦ（ポリビニルフロライド）、ポリエステルまたはアクリル等からなるプラスチック基板を用いることができる。シール材としてガラスフリットを用いる場合には、接着性の観点から素子基板３０１及び封止基板３０６はガラス基板であることが好ましい。

以上のようにして、アクティブマトリクス型の発光装置を得ることができる。なお、発光装置としては、実施の形態１に示す素子構造を有する発光素子を適用したパッシブマトリクス型の発光装置を作製することも可能である。

なお、本実施の形態に示す構成は、他の実施の形態に示した構成を適宜組み合わせて用いることができる。

（実施の形態４）
本実施の形態では、本発明の一態様である発光装置を用いて完成させた様々な電子機器の一例について、図１７を用いて説明する。

発光装置を適用した電子機器として、例えば、テレビジョン装置（テレビ、又はテレビジョン受信機ともいう）、コンピュータ用などのモニタ、デジタルカメラ、デジタルビデオカメラ、デジタルフォトフレーム、携帯電話機（携帯電話、携帯電話装置ともいう）、携帯型ゲーム機、携帯情報端末、音響再生装置、パチンコ機などの大型ゲーム機などが挙げられる。

図１７（Ａ）は、テレビジョン装置の一例を示している。テレビジョン装置７１００は、筐体７１０１に表示部７１０３が組み込まれている。表示部７１０３により、映像を表示することが可能であり、発光装置を表示部７１０３に用いることができる。また、ここでは、スタンド７１０５により筐体７１０１を支持した構成を示している。

テレビジョン装置７１００の操作は、筐体７１０１が備える操作スイッチや、別体のリモコン操作機７１１０により行うことができる。リモコン操作機７１１０が備える操作キー７１０９により、チャンネルや音量の操作を行うことができ、表示部７１０３に表示される映像を操作することができる。また、リモコン操作機７１１０に、当該リモコン操作機７１１０から出力する情報を表示する表示部７１０７を設ける構成としてもよい。

なお、テレビジョン装置７１００は、受信機やモデムなどを備えた構成とする。受信機により一般のテレビ放送の受信を行うことができ、さらにモデムを介して有線又は無線による通信ネットワークに接続することにより、一方向（送信者から受信者）又は双方向（送信者と受信者間、あるいは受信者間同士など）の情報通信を行うことも可能である。

図１７（Ｂ）はコンピュータであり、本体７２０１、筐体７２０２、表示部７２０３、キーボード７２０４、外部接続ポート７２０５、ポインティングデバイス７２０６等を含む。なお、コンピュータは、発光装置をその表示部７２０３に用いることにより作製することができる。

図１７（Ｃ）は、腕時計型情報端末であり、筐体７３０２、表示パネル７３０４、操作ボタン７３１１、７３１２、接続端子７３１３、バンド７３２１、留め金７３２２、等を有する。

ベゼル部分を兼ねる筐体７３０２に搭載された表示パネル７３０４は、非矩形状の表示領域を有している。表示パネル７３０４は、時刻を表すアイコン７３０５、その他のアイコン７３０６等を表示することができる。

なお、図１７（Ｃ）に示す腕時計型情報端末は、様々な機能を有することができる。例えば、様々な情報（静止画、動画、テキスト画像など）を表示部に表示する機能、タッチセンサ機能、カレンダー、日付又は時刻などを表示する機能、様々なソフトウェア（プログラム）によって処理を制御する機能、無線通信機能、無線通信機能を用いて様々なコンピュータネットワークに接続する機能、無線通信機能を用いて様々なデータの送信又は受信を行う機能、記録媒体に記録されているプログラム又はデータを読み出して表示部に表示する機能、等を有することができる。

また、筐体７３０２の内部に、スピーカ、センサ（力、変位、位置、速度、加速度、角速度、回転数、距離、光、液、磁気、温度、化学物質、音声、時間、硬度、電場、電流、電圧、電力、放射線、流量、湿度、傾度、振動、におい又は赤外線を測定する機能を含むもの）、マイクロフォン等を有することができる。なお、腕時計型情報端末は、発光装置をその表示パネル７３０４に用いることにより作製することができる。

図１７（Ｄ）は、携帯電話機（スマートフォンを含む）の一例を示している。携帯電話機７４００は、筐体７４０１に、表示部７４０２、マイク７４０６、スピーカ７４０５、カメラ７４０７、外部接続部７４０４、操作用ボタン７４０３などを備えている。また、本発明の一態様に係る発光素子を、可撓性を有する基板に形成して発光装置を作製した場合、図１７（Ｄ）に示すような曲面を有する表示部７４０２に適用することが可能である。

図１７（Ｄ）に示す携帯電話機７４００は、表示部７４０２を指などで触れることで、情報を入力することができる。また、電話を掛ける、或いはメールを作成するなどの操作は、表示部７４０２を指などで触れることにより行うことができる。

表示部７４０２の画面は主として３つのモードがある。第１は、画像の表示を主とする表示モードであり、第２は、文字等の情報の入力を主とする入力モードである。第３は表示モードと入力モードの２つのモードが混合した表示＋入力モードである。

例えば、電話を掛ける、或いはメールを作成する場合は、表示部７４０２を文字の入力を主とする文字入力モードとし、画面に表示させた文字の入力操作を行えばよい。この場合、表示部７４０２の画面のほとんどにキーボード又は番号ボタンを表示させることが好ましい。

また、携帯電話機７４００内部に、ジャイロセンサや加速度センサ等の検出装置を設けることで、携帯電話機７４００の向き（縦か横か）を判断して、表示部７４０２の画面表示を自動的に切り替えるようにすることができる。

また、画面モードの切り替えは、表示部７４０２を触れること、又は筐体７４０１の操作用ボタン７４０３の操作により行われる。また、表示部７４０２に表示される画像の種類によって切り替えるようにすることもできる。例えば、表示部に表示する画像信号が動画のデータであれば表示モード、テキストデータであれば入力モードに切り替える。

また、入力モードにおいて、表示部７４０２の光センサで検出される信号を検知し、表示部７４０２のタッチ操作による入力が一定期間ない場合には、画面のモードを入力モードから表示モードに切り替えるように制御してもよい。

表示部７４０２は、イメージセンサとして機能させることもできる。例えば、表示部７４０２に掌や指で触れ、掌紋、指紋等を撮像することで、本人認証を行うことができる。また、表示部に近赤外光を発光するバックライト又は近赤外光を発光するセンシング用光源を用いれば、指静脈、掌静脈などを撮像することもできる。

さらに、携帯電話機（スマートフォンを含む）の別の構成として、図１７（Ｄ’−１）や図１７（Ｄ’−２）のような構造を有する携帯電話機に適用することもできる。

なお、図１７（Ｄ’−１）や図１７（Ｄ’−２）のような構造を有する場合には、文字情報や画像情報などを筐体７５００（１）、７５００（２）の第１面７５０１（１）、７５０１（２）だけでなく、第２面７５０２（１）、７５０２（２）に表示させることができる。このような構造を有することにより、携帯電話機を胸ポケットに収納したままの状態で、第２面７５０２（１）、７５０２（２）などに表示された文字情報や画像情報などを使用者が容易に確認することができる。

また、図１８（Ａ）〜（Ｃ）に、折りたたみ可能な携帯情報端末９３１０を示す。図１８（Ａ）に展開した状態の携帯情報端末９３１０を示す。図１８（Ｂ）に展開した状態又は折りたたんだ状態の一方から他方に変化する途中の状態の携帯情報端末９３１０を示す。図１８（Ｃ）に折りたたんだ状態の携帯情報端末９３１０を示す。携帯情報端末９３１０は、折りたたんだ状態では可搬性に優れ、展開した状態では、継ぎ目のない広い表示領域により表示の一覧性に優れる。

表示パネル９３１１はヒンジ９３１３によって連結された３つの筐体９３１５に支持されている。ヒンジ９３１３を介して２つの筐体９３１５間を屈曲させることにより、携帯情報端末９３１０を展開した状態から折りたたんだ状態に可逆的に変形させることができる。本発明の一態様の発光装置を表示パネル９３１１に用いることができる。

以上のようにして、本発明の一態様である発光装置を適用して電子機器を得ることができる。なお、適用できる電子機器は、本実施の形態に示したものに限らず、あらゆる分野の電子機器に適用することが可能である。

なお、本実施の形態に示す構成は、他の実施の形態に示した構成と適宜組み合わせて用いることができる。

（実施の形態５）
本実施の形態では、本発明の一態様である発光装置を適用した照明装置の一例について、図１９を用いて説明する。

図１９は、発光装置を室内の照明装置８００１として用いた例である。なお、発光装置は大面積化も可能であるため、大面積の照明装置を形成することもできる。その他、曲面を有する筐体を用いることで、発光領域が曲面を有する照明装置８００２を形成することもできる。本実施の形態で示す発光装置に含まれる発光素子は薄膜状であり、筐体のデザインの自由度が高い。したがって、様々な意匠を凝らした照明装置を形成することができる。さらに、室内の壁面に大型の照明装置８００３を備えても良い。また、照明装置８００１、８００２、８００３に、タッチセンサを設けて、発光装置の電源のオンまたはオフを行ってもよい。

また、発光装置をテーブルの表面に用いることによりテーブルとしての機能を備えた照明装置８００４とすることができる。なお、その他の家具の一部に発光装置を用いることにより、家具としての機能を備えた照明装置とすることができる。

以上のように、発光装置を適用した様々な照明装置が得られる。なお、これらの照明装置は本発明の一態様に含まれるものとする。

また、本実施の形態に示す構成は、他の実施の形態に示した構成と適宜組み合わせて用いることができる。

１００ 発光装置
１００Ａ 発光装置
１００Ｂ 発光装置
１０１Ｂ 画素
１０１Ｇ 画素
１０１Ｒ 画素
１０１Ｙ 画素
１０２ 基板
１０４ 電極
１０６ 透明導電膜
１０６Ｂ 透明導電膜
１０６Ｇ 透明導電膜
１０６Ｒ 透明導電膜
１０６Ｙ 透明導電膜
１０８ 隔壁
１１０ 発光層
１１２ 発光層
１１４ 電極
１２０Ｂ 発光素子
１２０Ｇ 発光素子
１２０Ｒ 発光素子
１２０Ｙ 発光素子
１２１Ｂ 発光素子
１２１Ｇ 発光素子
１２１Ｒ 発光素子
１２１Ｙ 発光素子
１２２Ｂ 発光素子
１２２Ｇ 発光素子
１２２Ｒ 発光素子
１２２Ｙ 発光素子
１２３Ｂ 発光素子
１２３Ｇ 発光素子
１２３Ｒ 発光素子
１２３Ｙ 発光素子
１２４Ｂ 発光素子
１２４Ｇ 発光素子
１２４Ｒ 発光素子
１２４Ｙ 発光素子
１２５Ｂ 発光素子
１２５Ｇ 発光素子
１２５Ｒ 発光素子
１２５Ｙ 発光素子
１３１ 正孔注入層
１３２ 正孔輸送層
１３３ 電子輸送層
１３４ 電子注入層
１４０ 発光装置
１４０Ａ 発光装置
１４０Ｂ 発光装置
１５２ 基板
１５４ 遮光層
１５６Ｂ 光学素子
１５６Ｇ 光学素子
１５６Ｒ 光学素子
１５６Ｙ 光学素子
１６０ 発光装置
１６０Ａ 発光装置
１６０Ｂ 発光装置
１７０ 発光装置
１７０Ａ 発光装置
１７０Ｂ 発光装置
１７０Ｃ 発光装置
１７０Ｄ 発光装置
１９０ シャドウマスク
１９０ａ シャドウマスク
１９１ 開口部
１９２ 有機化合物
１９３ 有機化合物
３０１ 素子基板
３０２ 画素部
３０３ 駆動回路部
３０４ 駆動回路部
３０５ シール材
３０６ 封止基板
３０７ 配線
３０８ ＦＰＣ
３０９ ＦＥＴ
３１０ ＦＥＴ
３１２ ＦＥＴ
３１３ 電極
３１４ 隔壁
３１５ ＥＬ層
３１６ 電極
３１７ 発光素子
３１７ａ 発光素子
３１７ｂ 発光素子
３１８ 空間
３２０ 導電膜
３２０ａ 導電膜
３２０ｂ 導電膜
３２１ 領域
３２２ 領域
３２３ 配線
３２４ 光学素子
３２５ 遮光層
１１０１ 陽極
１１０２ 陰極
１１０３ 発光ユニット
７１００ テレビジョン装置
７１０１ 筐体
７１０３ 表示部
７１０５ スタンド
７１０７ 表示部
７１０９ 操作キー
７１１０ リモコン操作機
７２０１ 本体
７２０２ 筐体
７２０３ 表示部
７２０４ キーボード
７２０５ 外部接続ポート
７２０６ ポインティングデバイス
７３０２ 筐体
７３０４ 表示パネル
７３０５ アイコン
７３０６ アイコン
７３１１ 操作ボタン
７３１２ 操作ボタン
７３１３ 接続端子
７３２１ バンド
７３２２ 金
７４００ 携帯電話機
７４０１ 筐体
７４０２ 表示部
７４０３ 操作用ボタン
７４０４ 外部接続部
７４０５ スピーカ
７４０６ マイク
７４０７ カメラ
７５００ 筐体
７５０１ 面
７５０２ 面
８００１ 照明装置
８００２ 照明装置
８００３ 照明装置
８００４ 照明装置
９３１０ 携帯情報端末
９３１１ 表示パネル
９３１３ ヒンジ
９３１５ 筐体

Claims (9)

1. 複数の光を発する発光装置であって、
   前記発光装置は、
   第１の色を呈する光を発することができる機能を有する第１の画素と、
   第２の色を呈する光を発することができる機能を有する第２の画素と、
   第３の色を呈する光を発することができる機能を有する第３の画素と、を有し、
   前記第１の画素は、
   第１の発光素子と、第１の光学素子と、を有し、
   前記第１の発光素子と、前記第１の光学素子とは、互いに重なる領域を有し、
   前記第２の画素は、
   第２の発光素子と、第２の光学素子と、を有し、
   前記第２の発光素子と、前記第２の光学素子とは、互いに重なる領域を有し、
   前記第３の画素は、
   第３の発光素子を有し、
   前記第１の発光素子は、
   第１の電極と、
   前記第１の電極上の第１の発光層と、
   前記第１の発光層上の第２の発光層と、
   前記第２の発光層上の第２の電極と、を有し、
   前記第２の発光素子は、
   第３の電極と、
   前記第３の電極上の前記第１の発光層と、
   前記第１の発光層上の前記第２の発光層と、
   前記第２の発光層上の前記第２の電極と、を有し、
   前記第３の発光素子は、
   第４の電極と、
   前記第４の電極上の前記第２の発光層と、
   前記第２の発光層上の前記第２の電極と、を有し、
   前記第１の発光層は、５４０ｎｍ以上５８０ｎｍ以下の範囲にスペクトルピークを有する第１の発光材料を有し、
   前記第２の発光層は、４２０ｎｍ以上４８０ｎｍ以下の範囲にスペクトルピークを有する第２の発光材料を有する、
   ことを特徴とする発光装置。
2. 複数の光を発する発光装置であって、
   前記発光装置は、
   第１の色を呈する光を発することができる機能を有する第１の画素と、
   第２の色を呈する光を発することができる機能を有する第２の画素と、
   第３の色を呈する光を発することができる機能を有する第３の画素と、を有し、
   前記第１の画素は、
   第１の発光素子と、第１の光学素子と、を有し、
   前記第１の発光素子と、前記第１の光学素子とは、互いに重なる領域を有し、
   前記第２の画素は、
   第２の発光素子と、第２の光学素子と、を有し、
   前記第２の発光素子と、前記第２の光学素子とは、互いに重なる領域を有し、
   前記第３の画素は、
   第３の発光素子を有し、
   前記第１の発光素子は、
   第１の電極と、
   前記第１の電極上の第１の透明導電膜と、
   前記第１の透明導電膜上の第１の発光層と、
   前記第１の発光層上の第２の発光層と、
   前記第２の発光層上の第２の電極と、を有し、
   前記第２の発光素子は、
   第３の電極と、
   前記第３の電極上の第２の透明導電膜と、
   前記第２の透明導電膜上の前記第１の発光層と、
   前記第１の発光層上の前記第２の発光層と、
   前記第２の発光層上の前記第２の電極と、を有し、
   前記第３の発光素子は、
   第４の電極と、
   前記第４の電極上の第３の透明導電膜と、
   前記第３の透明導電膜上の前記第２の発光層と、
   前記第２の発光層上の前記第２の電極と、を有し、
   前記第１の発光層は、５４０ｎｍ以上５８０ｎｍ以下の範囲にスペクトルピークを有する第１の発光材料を有し、
   前記第２の発光層は、４２０ｎｍ以上４８０ｎｍ以下の範囲にスペクトルピークを有する第２の発光材料を有する、
   ことを特徴とする発光装置。
3. 請求項２において、
   前記第１の透明導電膜は、第１の領域を有し、
   前記第１の領域は、第１の厚さを有し、
   前記第２の透明導電膜は、第２の領域を有し、
   前記第２の領域は、第２の厚さを有し、
   前記第３の透明導電膜は、第３の領域を有し、
   前記第３の領域は、第３の厚さを有し、
   前記第１の厚さは、前記第２の厚さよりも厚く、
   前記第２の厚さは、前記第３の厚さよりも厚い、
   ことを特徴とする発光装置。
4. 複数の光を発する発光装置であって、
   前記発光装置は、
   第１の色を呈する光を発することができる機能を有する第１の画素と、
   第２の色を呈する光を発することができる機能を有する第２の画素と、
   第３の色を呈する光を発することができる機能を有する第３の画素と、
   第４の色を呈する光を発することができる機能を有する第４の画素と、を有し、
   前記第１の画素は、
   第１の発光素子と、第１の光学素子と、を有し、
   前記第１の発光素子と、前記第１の光学素子とは、互いに重なる領域を有し、
   前記第２の画素は、
   第２の発光素子と、第２の光学素子と、を有し、
   前記第２の発光素子と、前記第２の光学素子とは、互いに重なる領域を有し、
   前記第３の画素は、
   第３の発光素子を有し、
   前記第４の画素は、
   第４の発光素子を有し、
   前記第１の発光素子は、
   第１の電極と、
   前記第１の電極上の第１の発光層と、
   前記第１の発光層上の第２の発光層と、
   前記第２の発光層上の第２の電極と、を有し、
   前記第２の発光素子は、
   第３の電極と、
   前記第３の電極上の前記第１の発光層と、
   前記第１の発光層上の前記第２の発光層と、
   前記第２の発光層上の前記第２の電極と、を有し、
   前記第３の発光素子は、
   第４の電極と、
   前記第４の電極上の前記第２の発光層と、
   前記第２の発光層上の前記第２の電極と、を有し、
   前記第４の発光素子は、
   第５の電極と、
   前記第５の電極上の前記第１の発光層と、
   前記第１の発光層上の前記第２の発光層と、
   前記第２の発光層上の前記第２の電極と、を有し、
   前記第１の発光層は、５４０ｎｍ以上５８０ｎｍ以下の範囲にスペクトルピークを有する第１の発光材料を有し、
   前記第２の発光層は、４２０ｎｍ以上４８０ｎｍ以下の範囲にスペクトルピークを有する第２の発光材料を有する、
   ことを特徴とする発光装置。
5. 複数の光を発する発光装置であって、
   前記発光装置は、
   第１の色を呈する光を発することができる機能を有する第１の画素と、
   第２の色を呈する光を発することができる機能を有する第２の画素と、
   第３の色を呈する光を発することができる機能を有する第３の画素と、
   第４の色を呈する光を発することができる機能を有する第４の画素と、を有し、
   前記第１の画素は、
   第１の発光素子と、第１の光学素子と、を有し、
   前記第１の発光素子と、前記第１の光学素子とは、互いに重なる領域を有し、
   前記第２の画素は、
   第２の発光素子と、第２の光学素子と、を有し、
   前記第２の発光素子と、前記第２の光学素子とは、互いに重なる領域を有し、
   前記第３の画素は、
   第３の発光素子を有し、
   前記第４の画素は、
   第４の発光素子を有し、
   前記第１の発光素子は、
   第１の電極と、
   前記第１の電極上の第１の透明導電膜と、
   前記第１の透明導電膜上の第１の発光層と、
   前記第１の発光層上の第２の発光層と、
   前記第２の発光層上の第２の電極と、を有し、
   前記第２の発光素子は、
   第３の電極と、
   前記第３の電極上の第２の透明導電膜と、
   前記第２の透明導電膜上の前記第１の発光層と、
   前記第１の発光層上の前記第２の発光層と、
   前記第２の発光層上の前記第２の電極と、を有し、
   前記第３の発光素子は、
   第４の電極と、
   前記第４の電極上の第３の透明導電膜と、
   前記第３の透明導電膜上の前記第２の発光層と、
   前記第２の発光層上の前記第２の電極と、を有し、
   前記第４の発光素子は、
   第５の電極と、
   前記第５の電極上の第４の透明導電膜と、
   前記第４の透明導電膜上の前記第２の発光層と、
   前記第２の発光層上の前記第２の電極と、を有し、
   前記第１の発光層は、５４０ｎｍ以上５８０ｎｍ以下の範囲にスペクトルピークを有する第１の発光材料を有し、
   前記第２の発光層は、４２０ｎｍ以上４８０ｎｍ以下の範囲にスペクトルピークを有する第２の発光材料を有する、
   ことを特徴とする発光装置。
6. 請求項５において、
   前記第１の透明導電膜は、第１の領域を有し、
   前記第１の領域は、第１の厚さを有し、
   前記第２の透明導電膜は、第２の領域を有し、
   前記第２の領域は、第２の厚さを有し、
   前記第３の透明導電膜は、第３の領域を有し、
   前記第３の領域は、第３の厚さを有し、
   前記第４の透明導電膜は、第４の領域を有し、
   前記第４の領域は、第４の厚さを有し、
   前記第１の厚さは、前記第４の厚さよりも厚く、
   前記第４の厚さは、前記第２の厚さよりも厚く、
   前記第２の厚さは、前記第３の厚さよりも厚い、
   ことを特徴とする発光装置。
7. 複数の光を発する発光装置であって、
   前記発光装置は、
   第１の色を呈する光を発することができる機能を有する第１の画素と、
   第２の色を呈する光を発することができる機能を有する第２の画素と、
   第３の色を呈する光を発することができる機能を有する第３の画素と、
   第４の色を呈する光を発することができる機能を有する第４の画素と、を有し、
   前記第１の画素は、
   第１の発光素子と、第１の光学素子と、を有し、
   前記第１の発光素子と、前記第１の光学素子とは、互いに重なる領域を有し、
   前記第２の画素は、
   第２の発光素子と、第２の光学素子と、を有し、
   前記第２の発光素子と、前記第２の光学素子とは、互いに重なる領域を有し、
   前記第３の画素は、
   第３の発光素子を有し、
   前記第４の画素は、
   第４の発光素子を有し、
   前記第１の発光素子は、
   第１の電極と、
   前記第１の電極上の第１の発光層と、
   前記第１の発光層上の第２の電極と、を有し、
   前記第２の発光素子は、
   第３の電極と、
   前記第３の電極上の前記第１の発光層と、
   前記第１の発光層上の前記第２の電極と、を有し、
   前記第３の発光素子は、
   第４の電極と、
   前記第４の電極上の前記第２の発光層と、
   前記第２の発光層上の前記第１の発光層と、
   前記第１の発光層上の前記第２の電極と、を有し、
   前記第４の発光素子は、
   第５の電極と、
   前記第５の電極上の前記第１の発光層と、
   前記第１の発光層上の前記第２の電極と、を有し、
   前記第１の発光層は、５４０ｎｍ以上５８０ｎｍ以下の範囲にスペクトルピークを有する第１の発光材料を有し、
   前記第２の発光層は、４２０ｎｍ以上４８０ｎｍ以下の範囲にスペクトルピークを有する第２の発光材料を有する、
   ことを特徴とする発光装置。
8. 請求項１乃至請求項７のいずれか一つに記載の発光装置と、
   タッチセンサ機能と、
   を有する電子機器。
9. 請求項１乃至請求項７のいずれか一つに記載の発光装置と、
   タッチセンサ機能と、
   を有する照明装置。

Images