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KR100735320B1 - 형광체막 형성방법 및 이를 이용한 발광다이오드 패키지제조방법 - Google Patents

형광체막 형성방법 및 이를 이용한 발광다이오드 패키지제조방법 Download PDF

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KR100735320B1
KR100735320B1 KR1020050130153A KR20050130153A KR100735320B1 KR 100735320 B1 KR100735320 B1 KR 100735320B1 KR 1020050130153 A KR1020050130153 A KR 1020050130153A KR 20050130153 A KR20050130153 A KR 20050130153A KR 100735320 B1 KR100735320 B1 KR 100735320B1
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KR
South Korea
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phosphor
light
light emitting
nanobeads
emitting diode
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추호성
장명훈
박윤곤
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삼성전기주식회사
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Abstract

본 발명은 형광체막 형성방법 및 이를 이용한 발광다이오드 패키지 제조방법에 관한 것으로서, 제1 극성의 전하를 갖는 형광체 입자의 표면에 제2 극성의 전하를 갖는 나노사이즈의 광투과성 비즈(beads)가 흡착되도록 상기 형광체와 상기 광투과성 비즈를 수계용매에서 혼합하는 단계와, 상기 혼합과정으로부터 얻어진 형광체 혼합용액을 형광체막이 형성될 영역에 코팅하는 단계와, 상기 코팅된 형광체 혼합용액을 건조시킴으로써 형광체막을 형성하는 단계를 포함하는 형광체막 형성방법을 제공한다. 또한, 본 발명은 상기한 형광체막 형성공정을 이용한 발광다이오드 패키지 제조방법을 제공한다.
나노크기 비즈(nano-sized beads), 폴리스틸렌(polystyrene), 형광체(phosphor)

Description

형광체막 형성방법 및 이를 이용한 발광다이오드 패키지 제조방법{FORMATION METHOD OF PHOSPHOR FILM AND FABRICATION METHOD OF LIGHT EMITTING DIODE PACKAGE USING THE SAME}
도1은 본 발명에 따른 형광체막 형성방법을 설명하기 위한 공정흐름도이다.
도2는 본 발명에 따라 형성된 형광체막에서 나노비즈의 작용을 설명하기 위한 개략도이다.
도3는 본 발명에 따라 형광체막이 형성된 발광소자패키지를 도시한 개략도이다.
도4는 본 발명의 일 실시예에 채용되는 폴리스틸렌 나노비즈를 촬영한 SEM사진이다.
도5a 및 도5b는 각각 본 발명의 일 실시예에서 건조 전후(형광체혼합용액과 형광체막)의 나노비즈가 흡착된 형광체입자를 촬영한 주사현미경(SEM)사진이다.
도6은 본 발명의 일 실시예에 따라 형성된 발광소자 패키지의 휘도향상효과를 설명하기 위한 그래프이다.
<도면의 주요부분에 대한 부호설명>
41: 패키지 기판 C: 칩 실장영역
45: 발광다이오드 칩 48: 형광체막
49: 포장수지
본 발명은 형광체막 형성방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 형광체입자에 의해 산란되는 광자방향을 개선하여 광추출효율을 향상시킨 파장변환형 발광다이오드 패키지에 관한 것이다.
일반적으로, 광여기용 형광체는 발광다이오드와 같은 광원에서 방출되는 광의 고유 파장을 백색광과 같은 다른 원하는 색의 광으로 변환하는데 널리 사용되고 있다. 예를 들어, 파장변환형 발광소자 패키지는 발광다이오드 칩의 주위에 형광체를 분산된 수지포장부를 형성하거나, 직접 발광다이오드 칩 표면에 형광체막을 형성하는 방법을 이용하여 제조될 수 있다.
형광체가 분산된 수지포장부를 채용한 발광소자 패키지에서는 여기파장광이 수지포장부 내의 형광체를 많은 횟수로 지나가므로, 형광체에 의한 굴절 및 반사로 인해 효율이 저하된다. 이에 비해, 칩 표면에 직접 형성된 형광체막을 채용한 발광소자 패키지에서는 칩에서 방출되는 여기파장광이 형광체에 직접 흡수되므로, 반사 또는 굴절로 인한 효율 저하를 감소시킬 수 있다는 장점이 있다.
하지만, 형광체막을 칩 표면에 형성한 구조에서도, 형광체막이 조밀한 구조를 가지므로, 원활한 광경로를 보장하기 곤란하며, 실제 형광체 입자에서 반사된 일부 광은 다시 발광다이오드 칩으로 흡수될 수 있으므로, 높은 광효율을 기대하기 어렵다.
본 발명은 상기한 종래 기술의 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 그 목적은 광투과성 나노비즈를 이용하여 원활한 광추출 경로가 보장되고, 나아가 막 내부의 국부적인 굴절률이 조정된 형광체막 형성방법을 제공하는데 있다.
본 발명의 다른 목적은 상기한 형광체막의 형성공정을 사용하여 광효율이 향상된 발광소자 패키지 제조방법을 제공하는데 있다.
상기한 기술적 과제를 해결하기 위해서, 본 발명의 일측면은,
제1 극성의 전하를 갖는 형광체 입자의 표면에 제2 극성의 전하를 갖는 나노사이즈의 광투과성 비즈(beads)가 흡착되도록 상기 형광체와 상기 광투과성 비즈를 수계용매에서 혼합하는 단계와, 상기 혼합과정으로부터 얻어진 형광체 혼합용액을 형광체막이 형성될 영역에 코팅하는 단계와, 상기 코팅된 형광체 혼합용액을 건조 시킴으로써 형광체막을 형성하는 단계를 포함하는 형광체막 형성방법을 제공한다.
바람직하게는, 상기 형광체와 상기 광투과성 비즈를 혼합하는 단계는, 제2 극성을 갖는 분산제를 추가적으로 첨가하여 혼합한다.
본 발명에 채용되는 광투과성 나노비즈의 바람직한 조건은 입경, 열적 특성 및 광학적 특성과 같은 측면에서 정의될 수 있다. 상기 광투과성 나노비즈의 평균 입경은 50∼500㎚일 수 있다. 상기 광투과성 나노비즈는 유리전이온도(Tg)가 적어도 200℃인 것이 바람직하다.
이에 한정되지 않으나, 본 발명에 채용가능한 광투과성 비즈로는 상기 광투과성 나노비즈는, 폴리에틸렌(PE), 폴리프로필렌(PP), 폴리스틸렌(PS), 폴리에틸렌 테레프탈레이트(PET), 폴리에틸렌 테레나프탈레이트(PEN), 폴리부틸렌 테레프탈레이트(PBT), 폴리에테르술폰(PES), 폴리에테르에테르케톤(PEEK), 폴리카보네이트(PC), 폴리이미드(PI), 폴리에테르이미드, 폴리아크릴레이트 또는 그 조합일 수 있다.
본 발명의 일 실시형태에서는, 상기 형광체 입자는 (+)극성을 가지며, 상기 광투과성 나노비즈는 그 표면에 술폰네이트기, 포스페이트기 및 카르복실레이트기로 구성된 그룹에서 선택된 (-)극성을 띠는 기능기를 가질 수 있다.
본 발명에서 사용되는 형광체 혼합용액에서, 상기 형광체는 상기 수계 용매에 대해서 약 2 ∼ 10wt%의 범위로 혼합되는 것이 바람직하며, 상기 광투광성 나노비즈는 상기 혼합되는 형광체의 중량에 대해서 약 5 ∼ 10wt%의 범위로 혼합되는 것이 바람직하다. 본 발명에서 사용가능한 수계 용매는 탈이온수일 수 있다.
본 발명의 다른 측면은, 상기한 형광체막 형성방법을 채용한 파장변환형 발광소자 패키지 제조방법을 제공한다. 상기 제조방법은, 제1 극성의 전하를 갖는 형광체 입자의 표면에 제2 극성의 전하를 갖는 나노사이즈의 광투과성 비즈가 흡착되도록 상기 형광체와 상기 광투과성 비즈를 수계용매에서 혼합하는 단계와, 상기 혼합과정으로부터 얻어진 형광체 혼합용액을 적어도 발광다이오드 칩의 광방출면에 코팅하는 단계와, 상기 코팅된 형광체 혼합용액을 건조시킴으로써 형광체막을 형성하는 단계와, 상기 형광체막이 형성된 발광다이오드 칩 주위에 수지포장부를 형성하는 단계를 포함한다.
여기서, 상기 광투과성 나노비즈는 상기 발광다이오드의 구성물질의 굴절률보다 높고 상기 수지포장부의 굴절률보다 낮은 굴절률을 갖는 것이 바람직하다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여, 본 발명을 보다 상세히 설명한다.
도1은 본 발명에 따른 형광체막 형성방법을 설명하기 위한 공정흐름도이다.
본 발명에 따른 형광체막 형성방법은, 형광체와 나노사이즈의 광투과성 비즈를 수계용매에서 혼합하는 공정(S11)으로 시작된다. 본 공정(S11)에서는, 상기 나노비즈는 형광체 입자 표면에 흡착될 수 있도록 상기 형광체의 극성에 반대되는 극성의 전하를 갖는 비즈가 사용된다. 예를 들어, TAG 또는 YAG와 같은 형광체 입자는 (+)극성을 가지며, 상기 광투과성 나노비즈는 그 표면에 술폰네이트기, 포스페이트기 및 카르복실레이트기로 구성된 그룹에서 선택된 (-)극성을 띠는 기능기를 가질 수 있다. 수계용매로는 나노비즈 및 형광체와 불이익한 화학적 반응이 없으면서도 혼합이 용이하도록 점성이 낮은 탈이온수와 같은 용매가 사용될 수 있다. 바람직하게는, 상기 형광체와 상기 광투과성 비즈의 균일한 혼합을 위해서, 제2 극성을 갖는 분산제를 적정량 첨가할 수 있다.
상기 나노비즈는 투명한 구형 입자로서 형광체입자 사이에서 광학적 경로를 제공할 뿐 아니라, 빛의 진행방향을 조절할 수 있다. 나노비즈의 기능기는 혼합과정에서 다수의 나노비즈를 형광체 입자표면에 댕글링본딩(dangling)으로 결합됨으로써 형광체의 광변환효율 저하를 방지할 수 있다.
또한, 이에 한정되지는 않으나, 본 발명에서 사용되는 형광체 혼합용액에서, 효과적인 혼합과 균일한 막의 형성을 위해서 상기 형광체는 상기 수계 용매에 대해서 약 2 ∼ 10wt%의 범위로 혼합되는 것이 바람직하며, 상기 광투광성 나노비즈는 형광체입자의 적정한 흡착을 위해서, 상기 혼합되는 형광체의 중량에 대해서 약 5 ∼ 10wt%의 범위로 혼합되는 것이 바람직하다.
이어, 단계(S15)에서는, 상기 혼합과정(S11)으로부터 얻어진 형광체 혼합용액을 형광체막이 형성될 영역에 코팅한다. 상기 형광체 함유 혼합용액은 비교적 점성이 낮으므로, 발광다이오드 칩 표면과 같이 특정영역에 한하여 코팅하는 경우에는 액적을 드로핑(dropping)하는 방식으로 실시될 수 있으나, 다른 디스플레이 장치와 같이 넓은 면적을 코팅할 때에는 인쇄공정 또는 스프레이공정과 같은 적절한 다른 공지의 공정을 이용할 수 있다.
최종적으로, 단계(S17)에서는, 상기 코팅된 형광체 혼합용액을 건조시킴으로써 형광체막을 형성한다. 건조과정에서, 상기 형광체 함유 혼합용액 중 용매가 증발시켜 형광체막을 제공한다. 상기 혼합용액은 점성이 낮으므로, 균일한 두께의 막을 형성할 수 있다. 이와 같이, 얻어진 형광체막은 형광체입자의 표면에 다수의 광투과성 나노비즈가 흡착된 구조를 갖는다.
도2는 본 발명에 따라 형성된 형광체막에서 나노비즈의 작용을 설명하기 위한 개략도이다.
도2를 참조하면, 본 발명에 따라 LED 칩(45) 표면에 형성된 형광체막(48)이 도시되어 있다. 형광체 입자의 표면에는 광투과성 나노비즈가 댕글링본딩에 의해 흡착되므로, 화살표로 표시된 바와 같이 투명한 나노비즈에 의해 광경로가 보장될 수 있다.
본 발명에서 사용되는 광투과성 나노비즈는, 광학적 효과와 형광체 입자의 원활한 흡착을 위해서 50∼500㎚의 평균입도를 갖는 것이 바람직하며, 광원이 대개 열원으로서 작용하므로, 유리전이온도(Tg)가 적어도 200℃인 것이 바람직하다.
본 발명에 채용가능한 광투과성 비즈로는, 이에 한정되지 않으나, 상기 광투과성 나노비즈는, 폴리에틸렌(PE), 폴리프로필렌(PP), 폴리스틸렌(PS), 폴리에틸렌 테레프탈레이트(PET), 폴리에틸렌 테레나프탈레이트(PEN), 폴리부틸렌 테레프탈레이트(PBT), 폴리에테르술폰(PES), 폴리에테르에테르케톤(PEEK), 폴리카보네이트(PC), 폴리이미드(PI), 폴리에테르이미드, 폴리아크릴레이트 또는 그 조합이 사용될 수 있다.
도3는 본 발명에 따라 형광체막이 형성된 발광다이오드 패키지를 도시한 개략도이다.
도3에 도시된 발광다이오드 패키지(41)는 본 발명의 방법에 따라 형광체막(48)을 구비한다. 발광다이오드 칩(45)은 패키지 기판(41)의 실장부(C)에 탑재되며, 적어도 칩(45)의 광방출면 상에 형광체막(48)이 형성된다. 상기 형광체막(48)이 형성된 후에, 에폭시 수지 또는 실리콘 폴리머 수지와 같은 물질을 이용하여 수지포장부(49)가 형성된다.
이 경우에, 형광체입자 표면에 흡착된 광투과성 나노비즈는 상기 발광다이오 드의 구성물질의 굴절률보다 높고 상기 수지포장부의 굴절률보다 낮은 굴절률을 갖는 굴절률을 갖는 물질로 제공함으로써 형광체막 내부에서 국부적으로 굴절률을 조정하여 광추출효율을 보다 향상시킬 수 있다.
이하, 본 발명의 구체적인 실시예를 참조하여 본 발명의 효과를 보다 상세히 설명하기로 한다.
( 실시예1 )
본 실시예에서는, 본 발명에 따른 방법으로 형광체 함유 혼합용액을 마련하였다. 형광체로는 (+) 전하를 띤 TAG 형광체를 사용하였으며, 광투과성 나노비즈로는 Sigma Aldrich사에서 제조된 평균입도 300㎚인 술포네이티드 폴리스틸렌 나노비즈(sulfonated-polysstyrene beads, 10wt% 용액)를 사용하였다(도3 참조). 또한, 추가적으로 분산제로는 (-) 전하를 띤 폴리(아크릴아미드-코-아크릭산) 부분 나트륨염(poly(arylamide-co-acrylic acid) partial sodium salt)을 사용하였다.
우선, TAG 형광체를 함유한 형광체용액(TAG:물=1:17)을 마련하고, 폴리스틸렌 나노비즈용액을 100㎕ 추출하여 10배 희석시킨 후에 나노비즈용액을 마련하였다. 3㎖의 형광체용액과 100㎕의 나노비즈용액을 탈이온수에 소량의 분산제와 함께 혼합하고, 이러한 혼합과정은 볼텍스 믹서(vortex mixer)를 이용하여 실시되었다.
도5a을 참조하면, 혼합과정 후에 형광체혼합용액 중에서 형광체 입자들의 표 면에 나노비즈가 흡착된 것을 확인할 수 있다.
본 실시예에 따라 제조된 상기 형광체 혼합용액 중 10∼15㎕정도를 마이크로 피펫으로 추출한 후에 패키지 기판에 실장된 발광다이오드 칩 표면에 액적 상태로 드롭시킨 후에, 약 50∼60℃에서 7∼8분간 건조시켜 형광체막을 형성하였다. 도5b는 본 실시예에서 건조 후의 형광체막을 촬영한 SEM사진이다. 도5b에 나타난 바와 같이, 형광체 입자들의 표면에 다수의 구형 나노비즈가 흡착된 상태가 유지되어 있는 것을 확인할 수 있다.
이어, 도4에 도시된 바와 같이, 실리콘 폴리머 수지를 이용하여 수지포장부를 형성하였다.
( 실시예2 )
본 실시예에서는, 상기한 제1 실시예와 동일한 조건과 공정으로 형광체막과 수지포장부를 갖는 발광다이오드 패키지를 형성하되, 형광체막을 형성할 때에 나노비즈용액은 상기한 제1 실시예에서 사용된 양(100㎕)의 절반인 50㎕만을 사용하였다.
( 비교예1 )
본 실험에서는, 상기한 제1 실시예와 동일한 조건과 공정으로 형광체막과 수지포장부를 갖는 발광다이오드 패키지를 형성하되, 형광체 혼합용액의 조건을 앞서 두 실시예에서는 중성(pH=7)인 나노비즈용액이 포함된 형광체 혼합용액의 pH를 약 9.5정도의 조건에서 혼합시켰다.
( 비교예2 )
광투과성 나노비즈를 첨가한 것을 제외하고, 실시예 조건과 동일하게 TAG 형광체와 분산제를 혼합한 후에 종래 방식에 따른 형광체 혼합 용액을 마련하고, 상기 형광체 혼합용액 중 10∼15㎕정도를 마이크로 피펫으로 추출한 후에 패키지 기판에 실장된 발광다이오드 칩 표면에 액적 상태로 드롭시킨 후에, 약 50∼60℃에서 7∼8분간 건조시켜 형광체막을 형성하였다. 최종적으로 실리콘 폴리머 수지를 이용하여 수지포장부를 형성하였다.
본 발명에 따른 제1 및 제2 실시예와 종래 방식에 따른 비교예로부터 각각 얻어진 발광다이오드 패키지의 휘도를 측정하였다. 도6은 본 발명의 제1 및 제2 실시예(C1,C2)와 제1 및 제2 비교예(C3,C4)에 따라 형성된 발광다이오드 패키지의 휘도향상효과를 설명하기 위한 그래프이다.
도6을 참조하면, 제1 비교예(C3)에서는 앞선 제2 실시예와 동일하게 술포네이티드 폴리스틸렌비즈를 사용하였으나, 혼합용액의 pH조건을 술포네이트기에서 H이온이 떨어져 원하는 (-) 전하를 갖기 어려운 높은 조건으로 형성하였기 때문에 실질적으로 폴리스틸렌비즈가 형광체 표면에 거의 흡착되지 않았다고 볼 수 있다. 따라서, 제2 비교예와 거의 유사한 휘도를 나타내었다.
이에 반해, 제1 및 제2 실시예(C1,C2)로부터 얻어진 발광다이오드 패키지가 제1 및 제2 비교예(C3,C4)의 발광다이오드 패키지에 비해 약 9 ∼11 lm정도 증가하여 약 30%의 휘도 증가효과를 나타내는 것을 확인할 수 있다. 이와 같이, 형광체와 반대극성을 띤 나노비즈를 형광체 표면에 흡착시킴으로써 발광다이오드 휘도를 크게 향상시킬 수 있었다.
또한, 제1 비교예에서 확인된 바와 같이, 본 발명에서는 나노비즈의 단순혼합형태가 아니라, 형광체 입자 표면에 나노비즈를 흡착시키는 것이 중요하므로, 나노비즈가 술포네이트기, 카르복실기와 같은 특정 전하를 띤 작용기를 포함할 수 있는 조건(pH 등)이 고려되어야 한다. 이러한 조건은 사용되는 물질에 따라 달리 설정될 수 있다.
이는 앞서 설명한 바와 같이, 형광체입자 표면에 흡착된 광투과성 나노비즈가 발광다이오드 칩으로부터 추출된 광의 경로를 제공하기 때문인 것으로 이해할 수 있다. 또한, 실리콘 폴리머 수지의 굴절률은 약 1.5이며, 본 발명에서 채용된 폴리스틸렌 나노비즈가 1.59의 굴절률을 가지므로 형광체막의 내부에서 국부적인 굴절률을 높혀 광추출효과를 보다 높아졌다고 볼 수 있다.
이와 같이, 본 발명은 상술한 실시형태 및 첨부된 도면에 의해 한정되는 것이 아니고, 첨부된 청구범위에 의해 한정된다. 따라서, 청구범위에 기재된 본 발명 의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 다양한 형태의 치환, 변형 및 변경이 가능하다는 것은 당 기술분야의 통상의 지식을 가진 자에게는 명백할 것이다.
상술한 바와 같이, 본 발명에 따르면, 형광체와 다른 극성인 기능기를 갖는 광투과성 나노비즈를 형광체 입자의 표면에 흡착시킴으로써 조밀한 형광체막에서 원활한 광경로를 제공하여 광효율을 높힐 뿐만 아니라, 적절한 굴절률을 갖는 나노비즈를 이용하여 형광체막 내부의 국부적인 굴절률을 높혀 광추출효율을 개선시킬 수 있다.

Claims (19)

  1. 제1 극성의 전하를 갖는 형광체 입자의 표면에 제2 극성의 전하를 갖는 나노사이즈의 광투과성 비즈(beads)가 흡착되도록 상기 형광체와 상기 광투과성 비즈를 수계용매에서 혼합하는 단계;
    상기 혼합과정으로부터 얻어진 형광체 혼합용액을 형광체막이 형성될 영역에 코팅하는 단계; 및
    상기 코팅된 형광체 혼합용액을 건조시킴으로써 형광체막을 형성하는 단계를 포함하는 형광체막 형성방법.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 형광체와 상기 광투과성 비즈를 혼합하는 단계는, 제2 극성을 갖는 분산제를 추가적으로 첨가하여 혼합하는 단계인 것을 특징으로 하는 형광체막 형성방법.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 광투과성 나노비즈의 평균 입경은 50∼500㎚인 것을 특징으로 하는 형광체막 형성방법.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 광투과성 나노비즈는 유리전이온도(Tg)가 적어도 200℃인 것을 특징으로 하는 형광체막 형성방법.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 형광체 입자는 (+)극성을 가지며, 상기 광투과성 나노비즈는 그 표면에 술폰네이트기, 포스페이트기 및 카르복실레이트기로 구성된 그룹에서 선택된 (-)극성을 띠는 기능기를 갖는 것을 특징으로 하는 형광체막 형성방법.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 광투과성 나노비즈는, 폴리에틸렌(PE), 폴리프로필렌(PP), 폴리스틸렌(PS), 폴리에틸렌 테레프탈레이트(PET), 폴리에틸렌 테레나프탈레이트(PEN), 폴리부틸렌 테레프탈레이트(PBT), 폴리에테르술폰(PES), 폴리에테르에테르케톤(PEEK), 폴리카보네이트(PC), 폴리이미드(PI), 폴리에테르이미드 및 폴리아크릴레이트로 구성된 그룹에서 선택된 적어도 하나인 것을 특징으로 하는 형광체막 형성방법.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 형광체는 상기 수계 용매에 대해서 2 ∼ 10wt%의 범위로 혼합되는 것을 특징으로 하는 형광체막 형성방법.
  8. 제1항 또는 제7항에 있어서,
    상기 광투광성 나노비즈는 상기 혼합되는 형광체의 중량에 대해서 5 ∼ 10wt%의 범위로 혼합되는 것을 특징으로 하는 형광체막 형성방법.
  9. 제1항에 있어서,
    상기 수계 용매는 탈이온수인 것을 특징으로 하는 형광체 형성방법.
  10. 제1 극성의 전하를 갖는 형광체 입자의 표면에 제2 극성의 전하를 갖는 나노사이즈의 광투과성 비즈가 흡착되도록 상기 형광체와 상기 광투과성 비즈를 수계용매에서 혼합하는 단계;
    상기 혼합과정으로부터 얻어진 형광체 혼합용액을 적어도 발광다이오드 칩의 광방출면에 코팅하는 단계;
    상기 코팅된 형광체 혼합용액을 건조시킴으로써 형광체막을 형성하는 단계; 및
    상기 형광체막이 형성된 발광다이오드 칩 주위에 수지포장부를 형성하는 단계를 포함하는 발광다이오드 패키지 제조방법.
  11. 제10항에 있어서,
    상기 형광체와 상기 광투과성 비즈를 혼합하는 단계는, 제2 극성을 갖는 분 산제를 추가적으로 첨가하여 혼합하는 단계인 것을 특징으로 하는 발광다이오드 패키지 제조방법.
  12. 제10항에 있어서,
    상기 광투과성 나노비즈의 평균 입경은 50∼500㎚인 것을 특징으로 하는 발광다이오드 패키지 제조방법.
  13. 제10항에 있어서,
    상기 광투과성 나노비즈는 유리전이온도(Tg)가 적어도 200℃인 것을 특징으로 하는 발광다이오드 패키지 제조방법.
  14. 제10항에 있어서,
    상기 광투과성 나노비즈는 상기 발광다이오드의 구성물질의 굴절률보다 높고 상기 수지포장부의 굴절률보다 낮은 굴절률을 갖는 것을 특징으로 하는 발광다이오드 패키지 제조방법.
  15. 제10항에 있어서,
    상기 형광체 입자는 (+)극성을 가지며, 상기 광투과성 나노비즈는 그 표면에 술폰네이트기, 포스페이트기 및 카르복실레이트기로 구성된 그룹에서 선택된 (-)극 성을 띠는 기능기를 갖는 것을 특징으로 하는 발광다이오드 패키지 제조방법.
  16. 제10항에 있어서,
    상기 광투과성 나노비즈는, 폴리에틸렌(PE), 폴리프로필렌(PP), 폴리스틸렌(PS), 폴리에틸렌 테레프탈레이트(PET), 폴리에틸렌 테레나프탈레이트(PEN), 폴리부틸렌 테레프탈레이트(PBT), 폴리에테르술폰(PES), 폴리에테르에테르케톤(PEEK), 폴리카보네이트(PC), 폴리이미드(PI), 폴리에테르이미드 및 폴리아크릴레이트로 구성된 그룹에서 선택된 적어도 하나인 것을 특징으로 하는 발광다이오드 패키지 제조방법.
  17. 제10항에 있어서,
    상기 형광체는 상기 수계 용매에 대해서 2 ∼ 10wt%의 범위로 혼합되는 것을 특징으로 하는 발광다이오드 패키지 제조방법.
  18. 제10항 또는 제17항에 있어서,
    상기 광투광성 나노비즈는 상기 혼합되는 형광체의 중량에 대해서 5 ∼ 10wt%의 범위로 혼합되는 것을 특징으로 하는 발광다이오드 패키지 제조방법.
  19. 제10항에 있어서,
    상기 수계 용매는 탈이온수인 것을 특징으로 하는 발광다이오드 패키지 제조방법.
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