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CN101202329B - 有机发光显示器及其制造方法 - Google Patents

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CN101202329B
CN101202329B CN2007100978635A CN200710097863A CN101202329B CN 101202329 B CN101202329 B CN 101202329B CN 2007100978635 A CN2007100978635 A CN 2007100978635A CN 200710097863 A CN200710097863 A CN 200710097863A CN 101202329 B CN101202329 B CN 101202329B
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emitting display
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Abstract

本发明公开了一种有机发光显示器及其制造方法。该有机发光显示器包括：基底；半导体层，形成在基底上；有机发光二极管，形成在半导体层上；密封剂，形成在基底的形成有机发光二极管和半导体层的外周上；包封基底，附于密封剂。

Description

有机发光显示器及其制造方法
本申请参考之前于2006年12月13日在韩国知识产权局提交并由此分配的序号为10-2006-0127290、标题为“有机发光显示器及其制造方法”的申请，将该申请包含于此并要求该申请的所有权益。
技术领域
本发明涉及一种有机发光显示器及其制造方法，更具体地讲，本发明涉及一种缩短了制造工艺的时间并能够防止制造工艺期间基底被弯曲和损坏的薄的有机发光显示器。
背景技术
通常，有机发光显示器通过使电流流过荧光或者磷光有机化合物并使电子和空穴彼此复合而自发光。另外，有机发光显示器可以通过电压或者电流来驱动有机发光二极管(例如，n×m个有机发光二极管)来显示图像。
如图1中所示，有机发光二极管具有包括阳极(ITO)、有机薄层和阴极(金属)的基本结构。有机薄层由电子和空穴相遇从而形成激子时发光的发射层(EML)、用于控制电子的移动速度的电子传输层(ETL)、用于控制空穴的移动速度的空穴传输层(HTL)组成。在ETL中还形成电子注入层(EIL)，用于提高电子注入的效率；在空穴传输层中还形成空穴注入层(HIL)，用于提高空穴注入的效率。
因为有机发光显示器的可视范围宽、响应速度超快以及自发光，所以有机发光显示器决不比其它装置差；由于有机发光显示器的功耗低并且不需要背光，所以有机发光显示器可以制造为薄且重量轻的装置。由于有机发光显示器在低温下制造并且制造工艺简单，所以该装置制造成本低。随着有机薄层材料技术和工艺技术的迅速发展，有机发光显示器被认为是可能代替传统平板显示装置的技术。
同时，由于电子装置(例如，蜂窝电话、个人数字助理(PDA)、笔记本电脑、电脑监视器、电视等)已经变得越来越薄，所以需要厚度在大约1mm以下的有机发光显示器。然而，在当前的有机发光显示器中，由于没有有效地开发出可以代替包封技术的保护层技术，所以很难制造厚度在1mm以下的有机发光显示器。
为了制造厚度在1mm以下的有机发光显示器，第2005-340182号、2005-222930号和2005-222789号日本特开公布涉及这样一种有机发光显示器的制造方法，在该方法中，元件层(半导体层和有机发光二极管等)分别形成在两个玻璃基底上，然后将玻璃基底彼此结合，使得相应的元件层彼此面对，接着通过蚀刻或者研磨工艺去除其上没有形成元件层的表面。
然而，上述制造方法的问题在于，因为在各玻璃基底上形成半导体层或者有机发光二极管之后将玻璃基底彼此结合并进行蚀刻或者研磨，所以制造工艺的时间明显增加。另外，这种传统的制造方法的问题在于，因为半成品的玻璃基底彼此结合，在结合过程期间玻璃基底、半导体层和有机发光二极管被损坏，所以产品的良率低并且制造成本高。
可以想到的制造方法是在提供厚度在1mm以下的玻璃基底之后，在玻璃基底的表面上形成元件层。然而，这种制造方法的问题在于因为玻璃基底非常薄，所以在移动过程中玻璃基底弯曲或者与移动装置接触而损坏。
发明内容
构思本发明来解决上述问题，本发明的目的是提供一种薄型有机发光显示器。
本发明的另一目的是防止在制造工艺期间基底弯曲和损坏。
本发明的又一目的是缩短有机发光显示器的制造工艺的时间。
本发明的又一目的是防止在制造工艺期间用于曝光的紫外线不期望地照射到基底上。
为了实现上述目的，根据本发明的有机发光显示器包括：基底，具有布置在其上的支撑件；半导体层，形成在所述基底上；有机发光二极管，形成在所述半导体层上；密封剂，形成在所述基底的与所述发光二极管和所述半导体层的外围对应的外周上；包封基底，附于所述密封剂。
所述支撑件形成在与形成所述半导体层的侧面相同的侧面上。
所述支撑件形成在所述基底的至少一侧附近。
所述支撑件形成在所述有机发光二极管和所述半导体层的外周上。
所述支撑件由从绝缘材料和导电材料中选择的任何一种形成。
所述支撑件形成为比所述密封剂的厚度薄的厚度。
所述支撑件形成为比所述密封剂和所述包封基底的总厚度薄的厚度。
在所述基底中，在与形成有所述支撑件的侧面相对的侧面上形成粘合剂。
所述粘合剂形成在所述基底的至少一侧附近。
所述粘合剂形成在所述有机发光二极管和所述半导体层的外围上。
所述基底形成为面积比所述包封基底的面积大。
形成具有0.05mm～1mm范围内的厚度的所述基底。
所述基底由从玻璃、塑料、聚合物中选择的任何一种形成。
在所述基底中，在与形成有所述半导体层的侧面相对的侧面上还形成非透射层。
在所述基底中，在与形成有所述半导体层的侧面相对的侧面上还形成厚度在大约500
Figure S07197863520070425D00003143505QIETU
至大约3000
Figure S07197863520070425D00003143511QIETU
范围内的非透射层。
在所述基底中，在与形成有所述半导体层的侧面相对的侧面上，由从阻挡紫外线的金属、透明的紫外线防护剂和不透明的紫外线防护剂中选择的任何一种来形成非透射层。
在所述基底中，在与形成有所述半导体层的侧面相对的侧面上，由从Cr、Cr2O3、Al、Au、Ag、MgO和银合金中选择的任何一种来形成非透射层。
在所述基底中，所述非透射层和抗磨擦层进一步顺序形成在与形成有所述半导体层的侧面相对的侧面上。
形成具有大约10μm-100μm范围的厚度的所述抗磨擦层。
由从有机材料和无机材料中选择的至少一种来形成所述抗磨擦层。
缓冲层形成在所述半导体层的下表面上；栅极绝缘层形成在所述半导体层的顶部表面上；栅电极形成在所述栅极绝缘层的顶部表面上；层间介电层形成在所述栅电极的顶部表面上；源/漏电极形成在所述层间介电层的顶部表面上；绝缘膜形成在所述源/漏电极的顶部表面上；有机发光二极管形成在所述绝缘膜的顶部表面上。
在所述基底中，在所述半导体层的外周和所述密封剂的内周之间还形成驱动电路。
为了实现上述目的，根据本发明的制造有机发光显示器的方法包括的步骤为：准备基底，在基底上形成支撑件，用于防止弯曲；在所述基底中，在与形成有所述支撑件的侧面相对的侧面上形成非透射层；准备两个基底，利用粘合剂将两个准备的基底结合，同时两个准备的基底和所述非透射层彼此面对；在粘附的基底中，分别在与形成有所述支撑件的侧面相同的侧面上形成半导体层；在每个半导体层上形成有机发光二极管；通过在每个绝缘膜上将所述密封剂注入到所述有机发光二极管的外围中来结合包封基底；切割与所述每个基底的所述包封基底的外围对应的区域，同时将所述支撑件保留在基底上；单独地分离所述两个粘附的基底。
准备基底的步骤，所述支撑件形成在执行切割的一侧附近。
准备基底的步骤，所述支撑件形成在所述有机发光二极管和所述半导体层的外周上。
准备基底的步骤，由从绝缘材料和导电材料中选择的任何一种形成所述支撑件。
准备基底的步骤，所述支撑件形成为比所述密封剂的厚度薄的厚度。
准备基底的步骤，所述支撑件形成为比所述密封剂和所述包封基底的总厚度薄的厚度。
结合所述包封基底的步骤，将所述粘合剂涂敷到所述基底的与所述有机发光二极管和所述半导体层的外围区域对应的区域上。
结合所述包封基底的步骤，将所述粘合剂涂敷到所述基底的与所述密封剂的外围对应的区域上。
准备基底的步骤，形成厚度在0.05mm～1mm范围的基底。
准备基底的步骤，所述基底由从玻璃、塑料、聚合物中选择的任何一种形成。
形成非透射层的步骤，形成厚度在大约
Figure S07197863520070425D000041
至
Figure S07197863520070425D000042
范围内的非透射层。
用紫外线防护剂涂敷所述基底的下表面来形成非透射层。
形成非透射层的步骤，由从阻挡紫外线的金属、透明的紫外线防护剂和不透明的紫外线防护剂中选择的任何一种来形成非透射层。
形成非透射层的步骤，由从Cr、Cr2O3、Al、Au、Ag、MgO和银合金中选择的任何一种来形成非透射层。
形成非透射层的步骤，在所述基底的下表面上还形成抗磨擦层。
形成非透射层的步骤，在所述基底的下表面上形成具有10μm-100μm范围的厚度的抗磨擦层。
形成非透射层的步骤，在所述非透射层的下表面上进一步由从有机材料和无机材料中选择的任何一种来形成抗磨擦层。
结合两个准备的基底的步骤，形成在各个基底上的所述抗磨擦层彼此接触。
结合所述包封基底的步骤，所述包封基底的宽度小于所述基底的宽度。
利用激光束执行所述切割。
执行所述切割，使得所述粘合剂可以保留在各个基底上。
在分离所述基底之后，还包括去除非透射层的步骤。
形成半导体层的步骤还可以包括形成驱动电路的步骤。
如上所述，由于根据本发明的有机发光显示器形成在厚度为0.05mm～1mm的基底上，所以可以容易地将该有机发光显示器应用于越来越薄的各种显示电子产品(例如，蜂窝电话、PDA、笔记本电脑、电脑监视器以及电视等)。
如上所述，由于根据本发明的有机发光显示器具有在基底上形成的非透射层，所以在使用该产品时紫外线不影响半导体层或者有机发光显示元件。
如上所述，由于支撑件或者粘合剂保留在根据本发明的有机发光显示器的基底的一侧上，所以提高了产品的刚性，从而该装置能够不容易被外力损坏。
如上所述，在根据本发明的制造有机发光显示器的方法中，由于在结合两个厚度为0.05mm-1mm的薄型基底之后同时执行半导体工艺和有机薄层工艺(每个制造工艺中包括洗涤、蚀刻、曝光和热处理)，所以整个工艺时间缩短了50％，并且通过增强刚性来保护基底在基底的转移工艺期间不被弯曲或者损坏。
如上所述，在根据本发明的制造有机发光显示器的方法中，由于提前在基底的一侧上形成支撑件，所以防止了在制造工艺期间或者制造工艺之后基底弯曲和损坏。因此，在制造工艺期间形成优良的半导体层和有机薄层，而没有任何较差的质量。
如上所述，在根据本发明的制造有机发光显示器的方法中，由于在基底的下表面上形成非透射层，所以在制造工艺期间由曝光工艺产生的紫外线不影响另一个相对的基底。
如上所述，在根据本发明的制造有机发光显示器的方法中，由于在结合两个基底时在基底上形成抗磨擦层，所以通过防止与形成在基底或者基底的表面上的金属接触来防止基底的损坏。
附图说明
通过参照以下结合附图时的详细描述，因为本发明变得更好理解，所以本发明的更完整的理解和本发明的许多其它优点将变得清楚，附图中，相同的标号表示相同或相似的组件，其中：
图1是有机发光显示元件的示意图。
图2a和图2b是根据本发明实施例的有机发光显示器的剖视图。
图3a和图3b是在形成包封基底之前根据本发明实施例的有机发光显示器的剖视图。
图4是根据本发明实施例的制造有机发光显示器的方法的流程图。
图5a至图5i是根据本发明实施例的制造有机发光显示器的方法的过程的图。
图6a至图6d是形成在根据本发明实施例的有机发光显示器的基底上的支撑件的各种形状的平面图。
具体实施方式
以下，参照附图来详细解释本发明的示例性实施例，从而使本发明所属领域的普通技术人员得出本发明。
图2a和图2b是根据本发明实施例的有机发光显示器的剖视图。
如图2a中所示，根据本发明实施例的有机发光显示器101包括：基底110；半导体层130，形成在基底110上；驱动电路139，形成在半导体层130的一侧；有机发光二极管190，形成在半导体层130上；密封剂240，形成在基底110的上部外周，即，形成在有机发光二极管190、半导体层130和驱动电路139的外围；包封基底250，附于密封剂240。
在基底110上还形成具有恒定厚度的支撑件112，用于防止在制造工艺期间或者制造工艺之后基底110弯曲。具体地讲，由于防止了制造工艺期间基底110弯曲，所以精确地形成驱动电路139、半导体层130和有机发光二极管190，而没有较差的质量。即使在制造工艺完成之后，支撑件112仍留在基底110上，从而提高了产品的刚性。这种支撑件112形成在驱动电路139、半导体层130和密封剂240的外围，在基底110的至少一侧附近形成支撑件。如果基底110的平面形状是四边形，则支撑件112位于基底110的一侧、两侧、三侧或者四侧附近。支撑件112的厚度小于密封剂240的厚度，或者支撑件112的厚度小于密封剂和包封基底的总厚度，以提供薄的有机发光显示器。支撑件112是绝缘材料、导电材料或者它们的等效物。然而，所述材料不限于此。例如，支撑件112由增强塑料或者不锈钢形成。支撑件112通过粘结剂(未示出)附于基底110上。支撑件112由与基底110的材料相同的材料形成，在制造基底110的同时形成支撑件112。
驱动电路139形成在基底110的在半导体层130和密封剂240之间的表面上。例如，该驱动电路139是扫描驱动器、数据驱动器、发射驱动器或者功率控制驱动器。然而，驱动器的种类不限于此。在制造半导体层130的同时形成驱动电路139。
密封剂240是环氧胶粘剂、紫外线固化胶粘剂、玻璃料或者它们的等效物。然而，所述材料不限于此。如果玻璃料用作密封剂240，则因为必须将玻璃料加热到预定温度，所以利用激光束执行包封工艺。即，如果在将玻璃料设置在基底110和密封剂240之间之后，激光束从一侧照射玻璃料，则玻璃料开始熔化，于是基底110稳固地附着在包封基底250上。
包封基底250由透明玻璃、透明塑料、透明聚合物或者它们的等效物形成。然而，所述材料不限于此。
在基底110上，具有恒定厚度的粘合剂260形成在与形成支撑件112的侧面相对的侧面上。附图示出了粘合剂260以基底110为中心面向支撑件112形成。然而，本发明不限于这种位置。即，支撑件112和粘合剂260也可以分别地形成在它们不相互面对的位置上。在根据本发明实施例的有机发光显示器的制造工艺的过程中，不可避免地形成粘合剂260，而在产品完成之后，粘合剂260还起到加强基底的刚性的作用。粘合剂260形成在基底110的下表面的至少一侧附近。粘合剂260形成在基底110的下表面的所有侧附近。粘合剂260也可以形成在基底110的与有机发光二极管190和半导体130的外围对应的下表面上。粘合剂260也可以形成在基底110的与密封剂240和包封基底250的外围对应的下表面上。粘合剂260是环氧胶粘剂、紫外线固化胶粘剂或者它们的等效物。然而，粘合剂260的材料不限于此。形成厚度为大约10μm～100μm的粘合剂260。如果粘合剂260的厚度小于10μm，则在制造工艺期间两个基底110发生接触并且刚性差；如果粘合剂260的厚度大于100μm，则两个基底100变得太厚。基底110的范围必须大于密封剂的范围，使得粘合剂260设置在有机发光二极管190、半导体层130、密封剂240和包封基底250的外围。
相反，在基底110的下表面上还形成非透射层210，用于防止在制造工艺期间或者在制造工艺之后紫外线透射到半导体层130或者有机发光显示元件190上。
如图2b中所示，在根据本发明的有机发光显示器102中，在基底110的下表面上顺序形成非透射层210和抗磨擦层(anti-friction)230。
在图中没有描述，在包封基底250的下表面上还形成透明的潮气吸收层。由于有机发光二极管190易受潮气影响，所以可以在包封基底250的下表面上形成透明的潮气吸收层，所述透明的潮气吸收层可以吸收潮气，且不妨碍光的传播。如果在包封基底250的透明度有保障的情况下，透明的潮气吸收层变厚是非常有用的，优选地，形成厚度为0.1μm～300μm的膜，如果透明的潮气吸收层的厚度低于0.1μm，则透明的潮气吸收层没有足够的潮气吸收特性，如果透明的潮气吸收层的厚度在300μm以上，则透明的潮气吸收层有与有机发光二极管190接触的风险。透明的潮气吸收层由从下面的物质中选择的至少一种形成，但是不限于此，所述物质为碱金属氧化物、碱土金属氧化物、金属卤化物、金属硫酸盐和金属高氯酸盐、五氧化二磷(P2O5)以及它们的等效物，所述物质的平均颗粒直径在100nm以下，具体地，从20nm到100nm。
如上所述，根据本发明，在基底110和包封基底250之间填充从成层的无机物质、高聚物、硬化剂以及它们的等效物中选择的任何一种，从而代替在包封基底250上形成透明的潮气吸收层来吸收潮气。填充之后，执行热处理工艺来硬化材料。
本发明还可以通过在每个包封基底250的表面上附着偏振膜来防止外部光的光反射现象。
参照图3a和图3b，描述了在密封包封基底之前根据本发明的有机发光显示器的剖视图。
如图3a中所示，根据本发明的有机发光显示器101包括：基底110；缓冲层120，形成在基底110上；半导体层130，形成在缓冲层120上；栅极绝缘层140，形成在半导体层130上；栅电极150，形成在栅极绝缘层140上；层间介电层160，形成在栅电极150上；源/漏电极170，形成在层间介电层160上；绝缘膜180，形成在源/漏电极170上；有机发光二极管190，形成在绝缘膜180上；像素限定膜200，形成在有机发光二极管190的外围的绝缘膜180的上。
基底110的顶部表面和下表面近似平坦，形成厚度为大约0.05mm-1mm的基底110。如果基底110的厚度小于大约0.05mm，则在制造工艺期间由于洗涤、蚀刻和热处理使得基底110容易损坏，并且容易受外力而毁坏。如果基底110的厚度大于大约1mm，则很难将基底110应用到各种薄的显示装置上。基底110由玻璃、塑料、聚合物、不锈钢或者它们的等效物形成。然而，本发明不限于这些材料。
在基底110的顶部表面上形成具有恒定厚度的缓冲层120。缓冲层120防止潮气(H2O)、氢(H2)或者氧(O2)等经过基底110穿过并渗透到后面描述的半导体层130或者有机发光二极管190中。利用在半导体工艺期间容易制造的二氧化硅膜(SiO2)、氮化硅(Si3N4)膜或者它们的等效物来形成缓冲层120。然而，本发明不限于这些材料。如果必要，还可以省略该缓冲层120。
在缓冲层120的顶部表面上形成半导体层130。该半导体层130可以包括：源/漏区132，形成在两相对侧；沟道区134，形成在源/漏区132之间。作为示例，半导体层130是薄膜晶体管。该薄膜晶体管是非晶硅薄膜晶体管、多晶硅薄膜晶体管、有机薄层晶体管、微晶硅薄膜晶体管或者它们的等效物。然而，本发明不限于这些种类的薄膜晶体管。如果薄膜晶体管是多晶硅薄膜晶体管，则通过在低温下利用激光的结晶方法、通过利用金属的结晶方法、通过利用高压的结晶方法或者它们的等效方法来使多晶硅薄膜晶体管结晶。然而，本发明不限于这些结晶方法。受激准分子激光器退火(ELA)、连续横向结晶(SLS)和细光束方向性结晶(TDX)是利用激光的结晶方法的示例。然而，本发明不限于这些方法。固相结晶(SPC)、金属诱导结晶(MIC)、金属诱导横向结晶(MILC)和超微粒硅(SGS)是利用金属的结晶方法的示例。然而，本发明不限于这些结晶方法。薄膜晶体管是PMOS或者NMOS晶体管或者它们的等效物。然而，本发明不限于这些类型的薄膜晶体管。
栅极绝缘层140形成在半导体层130的顶部表面上。栅极绝缘层140形成在半导体层130的外围的缓冲层120上。栅极绝缘层140利用在半导体工艺期间容易得到的二氧化硅膜、氮化硅膜或者它们的等效物形成。然而，本发明不限于这些材料。
栅电极150形成在栅极绝缘层140的顶部表面上。更具体地讲，栅电极150形成在与半导体层130的沟道区134对应的栅极绝缘层140上。通过向栅极绝缘层140的下表面的沟道区提供电场，该栅电极150能够使空穴或者电子的沟道形成在沟道区134上。栅电极150由普通金属(Mo、MoW、Ti、Cu、Al、AlNd、Cr、Mo合金、Cu合金、Al合金等)或者掺杂的多晶硅或者它们的等效物形成。然而，本发明不限于这些材料。
层间介电层160形成在栅电极150的顶部表面上。层间介电层160还可以形成在栅电极150的外围的栅极绝缘层140上。层间介电层160由聚合物体系、塑料体系、玻璃体系或者等效体系来形成。然而，本发明不限于这些材料。
源/漏电极170形成在层间介电层160的顶部表面上。穿过层间介电层160的导电接触176形成在源/漏电极170和半导体层130之间。源/漏电极170和半导体层130通过导电接触176电连接在一起。源/漏电极170由与用来形成栅电极150的材料相同的材料形成。然而，本发明不限于该材料。半导体层130(即，薄膜晶体管)通常被限定为共面结构。然而，本发明的半导体层130不限于共面结构，半导体层130形成为从公知的薄膜晶体管的所有种类的结构中选择的至少一种结构，所述结构为例如，反共面结构、交错结构、反交错结构或者等效结构。然而，本发明不限于这些结构。
绝缘膜180形成在源/漏电极170的顶部表面上。绝缘膜180可以包括保护层182和形成在保护层182顶部表面上的平坦化层184。保护层182覆盖源/漏电极170和层间介电层160，保护源/漏电极170和层间介电层160。保护层182由无机膜或者其等效物形成。然而，本发明不限于这种材料。另外，平坦化层184覆盖保护层182。平坦化层184使元件的整个表面平坦，平坦化层184通过涂敷或者沉积苯并环丁烯(BCB)、丙烯(acryl)或者它们的等效物形成。然而，本发明不限于这些材料或者平坦化层184的形成方法。
有机发光二极管190形成在绝缘膜180的顶部表面上。有机发光二极管190包括阳极192、形成在阳极192的顶部表面上的有机薄层194以及形成在有机薄层194上的阴极196。阳极192由氧化铟锡(ITO)、氧化铟锡(ITO)/Ag、氧化铟锡(ITO)/Ag/IZO(IZO：氧化铟锌)或者它们的等效物形成。然而，本发明不限于这些材料或者阳极192的形成方法。ITO是透明的导电层，在ITO中，逸出功均匀并且到有机发光薄层194的空穴注入势垒小，Ag是将从有机发光薄层194发射的光反射到顶部发射系统中的顶部表面的层。有机发光薄层194包括：EML，通过将电子与空穴结合形成激子来发光；ETL，调整电子的移动速度；HTL，调整空穴的移动速度。另外，用于提高电子的注入效率的EIL形成在ETL上，用于提高空穴的注入效率的HIL形成在HTL上。另外，阴极196由Al、MgAg合金、MgCa合金或者它们的等效物形成。然而，本发明不限于此。如果在本发明中采用顶部发射系统，则Al的厚度必须非常薄。然而，在这种情况下，电阻变大，从而电子注入势垒变大。MgAg合金具有比Al的电子注入势垒小的电子注入势垒，MgCa合金具有比MgAg合金的电子注入势垒小的电子注入势垒。然而，因为MgAg合金和MgCa合金对周围环境敏感、会被氧化并且形成绝缘层，所以必须保护它们完全不受外部影响。另外，有机发光二极管190的阳极192和源/漏电极170通过穿过绝缘膜180(保护层182和平坦化层184)的导电孔198电互连。尽管已经基于在基底110的上部的方向上发射光的顶部发射系统描述了本发明，但是本发明还可以应用到在基底110的下部的方向上发光的底部发射系统或者在基底110的上部和下部的方向上同时发光的双发射系统中。
在磷光有机发光二极管的情况下，空穴阻挡层(HBL)选择性地形成在EML和ETL之间，EBL选择性地形成在EML和HTL之间。
有机薄层194也可以为通过将两种层混合来进一步减小厚度的薄OLED。例如，选择性地形成同时形成HIL和HTL的空穴注入传输层(HITL)结构以及同时形成EIL和ETL的电子注入传输层(EITL)结构。薄OLED用来增加发光效率。
缓冲层作为选择层形成在阳极和发射层之间。缓冲层被分为用于缓冲电子的电子缓冲层和用于缓冲空穴的空穴缓冲层。电子缓冲层选择性地形成在阴极和ETL之间，形成电子缓冲层来代替EIL的作用。有机薄层194的层叠结构可以包括EML/ETL/电子缓冲层/阴极。另外，空穴缓冲层选择性地形成在阳极和HTL之间，形成空穴缓冲层来代替HIL的功能。有机薄层194的层叠结构可以包括阳极/空穴缓冲层/空穴传输层/ETL/EML。
结合上述结构，得到的层叠结构如下。
a)普通的层叠结构
1)阳极/空穴注入层/空穴传输层/发光层/电子传输层/电子注入层/阴极。
2)阳极/空穴缓冲层/空穴注入层/空穴传输层/发光层/电子传输层/电子注入层/阴极。
3)阳极/空穴注入层/空穴传输层/发光层/电子传输层/电子注入层/电子缓冲层/阴极。
4)阳极/空穴缓冲层/空穴注入层/空穴传输层/发光层/电子传输层/电子注入层/电子缓冲层/阴极。
5)阳极/空穴注入层/空穴缓冲层/空穴传输层/发光层/电子传输层/电子注入层/阴极。
6)阳极/空穴注入层/空穴传输层/发光层/电子传输层/电子缓冲层/电子注入层/阴极。
b)普通的薄结构
1)阳极/空穴注入和传输层/发光层/电子传输层/电子注入层/阴极。
2)阳极/空穴缓冲层/空穴注入和传输层/发光层/电子传输层/电子注入层/阴极。
3)阳极/空穴注入层/空穴传输层/发光层/电子注入和传输层/电子缓冲层/阴极。
4)阳极/空穴缓冲层/空穴传输层/发光层/电子注入和传输层/电子缓冲层/阴极。
5)阳极/空穴注入和传输层/空穴缓冲层/发光层/电子传输层/电子注入层/阴极。
6)阳极/空穴注入层/空穴传输层/发光层/电子缓冲层/电子注入和传输层/阴极。
C)反向的层叠结构
1)阴极/电子注入层/电子传输层/发光层/空穴传输层/空穴注入层/阳极。
2)阴极/电子注入层/电子传输层/发光层/空穴传输层/空穴注入层/空穴缓冲层/阳极。
3)阴极/电子缓冲层/电子注入层/电子传输层/发光层/空穴传输层/空穴注入层/阳极。
4)阴极/电子缓冲层/电子注入层/电子传输层/发光层/空穴传输层/空穴注入层/空穴缓冲层/阳极。
5)阴极/电子注入层/电子传输层/发光层/空穴传输层/空穴缓冲层/空穴注入层/阳极。
6)阴极/电子注入层/电子缓冲层/电子传输层/发光层/空穴传输层/空穴注入层/阳极。
d)反向的薄结构
1)阴极/电子注入层/电子传输层/发光层/空穴注入和传输层/阳极。
2)阴极/电子注入层/电子传输层/发光层/空穴注入和传输层/空穴缓冲层/阳极。
3)阴极/电子缓冲层/电子注入和传输层/发光层/空穴传输层/空穴注入层/阳极。
4)阴极/电子缓冲层/电子注入和传输层/发光层/空穴传输层/空穴缓冲层/阳极。
5)阴极/电子注入层/电子传输层/发光层/空穴缓冲层/空穴注入和传输层/阳极。
6)阴极/电子注入和传输层/电子缓冲层/发光层/空穴传输层/空穴注入层/阳极。
像素限定层200是有机发光二极管190的外围，并形成在绝缘层180的顶部表面上。该像素限定层200清楚地限定红色有机发光二极管、绿色有机发光二极管和蓝色有机发光二极管之间的边界。该像素限定层200由聚酰亚胺或者其等效物形成。然而，像素限定层200的材料不限于此。
非透射层210还形成在基底110的顶部表面上。该非透射层210防止在通过附着两个基底来制造半导体层130或有机发光元件190的工艺期间紫外线碰撞另一相对基底。在基底110单独分离之后，非透射层210还防止外部的紫外线碰撞半导体层130或有机发光元件190上。随后，非透射层210由紫外线防护剂或者其等效物形成。非透射层210由紫外线不能透过的金属、透明的紫外线防护剂、不透明的紫外线防护剂或者它们的等效物形成。如果非透射层210是金属，则非透射层210由Cr、Cr2O3、Al、Au、Ag、MgO、银合金或者它们的等效物形成。然而，本发明不限于这些材料。优选地，形成厚度大约为500
Figure S07197863520070425D00014143724QIETU
至3000
Figure S07197863520070425D00014143729QIETU
的非透射层210。如果非透射层210的厚度小于500
Figure S07197863520070425D00014080156QIETU
，则紫外线的阻挡率下降，这样会在制造工艺期间或者制造工艺之后影响半导体层130或者有机发光元件190；如果非透射层210的厚度大于3000
Figure S07197863520070425D00014080201QIETU
，则虽然得到了足够的阻挡紫外线的效率，但是非透射层210变得太厚。
如图3b中所示，根据本发明的有机发光显示器102还可包括形成在非透射层210的下表面上的抗磨擦层230。通过结合两个基底110，该抗磨擦层230防止在形成半导体层130、有机发光二极管190等的工艺期间两个基底接触。该抗磨擦层230由有机材料、无机材料或者它们的等效物形成。然而，抗磨擦层230的材料不限于此。优选地，抗磨擦层230的厚度为10μm-100μm。如果抗磨擦层230的厚度小于10μm，则在制造工艺期间非透射层210会接触形成在另一基底110上的非透射层210；如果抗磨擦层230的厚度大于100μm，则基底110变得太厚。
图4是根据本发明实施例的制造有机发光显示器的方法的流程图。
如图4中所示，根据本发明实施例的制造有机发光显示器的方法包括以下步骤：步骤S1，准备基底；步骤S2，形成非透射层；步骤S3，将两个已经准备好的基底结合；步骤S4，形成半导体层；步骤S5，形成有机发光二极管；包封步骤S6；切开步骤S7和分离基底的步骤S8。在本发明中，还包括去除非透射层的步骤S9。
参照图5a-图5i，用剖视图示出了根据本发明实施例的制造有机发光显示器的方法。
如图5a中所示，在准备基底的步骤S1中，顶部表面和下表面几乎被平坦化，提供具有恒定厚度的基底110。
优选地，基底110具有大约0.05mm-1mm的厚度。如果基底110的厚度小于大约0.05mm，则在制造工艺期间由于洗涤、蚀刻和热处理使得基底110容易损坏，基底110变得难于处理，并且由于外力导致基底110容易受损。如果基底110的厚度大于大约1mm，则难以将基底110应用到越来越薄的各种显示装置上。基底110由玻璃、塑料、聚合物或者它们的等效物形成。然而，本发明不限于这些材料和基底110的种类。
为了防止在制造工艺期间或者制造工艺之后基底112弯曲，在基底110上进一步形成具有恒定厚度的支撑件112。具体地讲，由于通过支撑件112防止在制造工艺期间基底110弯曲，所以驱动电路139、半导体层130和有机发光元件190准确地形成而没有较差的质量。即使在制造工艺完成之后，支撑件112也保留在基底110上，从而改进产品的刚性。该支撑件112形成在驱动电路139、半导体层130和密封剂240的外围上，在基底110的至少一侧附近形成支撑件。如果基底110的平面形状是四边形，则支撑件112位于基底110的一侧、两侧、三侧或者四侧附近。支撑件112的厚度小于密封剂240的厚度，或者支撑件112的厚度小于密封剂240和包封基底250的总厚度，以提供薄的有机发光显示器。另外，支撑件112由绝缘材料、导电材料或者它们的等效物形成。然而，本发明不限于这些材料。例如，支撑件112可以由增强塑料或者不锈钢形成。支撑件112通过粘合剂(未示出)附于基底110上。支撑件112可以由与基底110的材料相同的材料形成，从而可以与基底110同时形成支撑件112。
如图5b中所示，在形成非透射层的步骤S2中，在基底110的下表面上形成具有预定厚度的非透射层210。
通过结合两个基底，该非透射层210防止在制造半导体层或有机发光元件的工艺期间紫外线碰撞另一相对基底。在基底110单独分离之后，非透射层210还防止外部的紫外线碰撞半导体层或有机发光元件。通过用紫外线防护剂或者其等效物涂敷基底的表面来形成非透射层210。通过用紫外线不能穿过的金属、透明的紫外线防护剂、不透明的紫外线防护剂或者它们的等效物涂敷基底的表面或者在基底的表面上沉积上述材料来形成非透射层210。如果非透射层210是金属，则通过用Cr、Cr2O3、Al、Au、Ag、MgO、银合金或者它们的等效物涂敷基底的表面或者在基底的表面上沉积上述材料来形成非透射层210。优选地，非透射层210具有大约为
Figure S07197863520070425D000151
至
Figure S07197863520070425D000152
的厚度。如果非透射层210的厚度小于
Figure S07197863520070425D000161
，则紫外线的阻挡率下降，从而在制造工艺期间或者制造工艺之后会影响半导体层130或者有机发光元件190；如果非透射层210的厚度大于
Figure S07197863520070425D000162
，则虽然得到了足够的阻挡紫外线的效率，但是非透射层210变得太厚。
在形成非透射层的步骤S2中，在非透射层210的下表面上还形成抗磨擦层230。通过结合基底110，抗磨擦层230防止在形成半导体层、有机发光二极管等的工艺期间两个基底接触。通过将非透射层210形成在两个基底110上以使两个基底110不相互接触来防止基底110的损坏。该抗磨擦层230由有机材料、无机材料或者它们的等效物形成。然而，抗磨擦层230的材料不限于此。优选地，抗磨擦层230的厚度为10μm-100μm，如果抗磨擦层230的厚度小于10μm，则在制造工艺期间非透射层210会接触形成在另一基底110上的非透射层210的可能性大；如果抗磨擦层230的厚度大于100μm，则基底110变得太厚。
如图5c中所示，在结合两个基底的步骤S3中，将两个相同的基底110结合在一起，基底110准备有非透射层210或者非透射层210/抗磨擦层230之一。在图5c中，示出了形成非透射层210/抗磨擦层230的连续流程。
在两个基底之间设置粘合剂260，从而使两个基底不会分离。环氧胶粘剂、紫外线固化胶粘剂或者它们的等效物用作粘合剂260。然而，本发明不限于粘合剂260的这些材料。粘合剂260以多条线形成在基底110的外周上，或者形成在两个基底110的内周上，用于更稳固地粘附基底110。在图5c中，示出了在两个基底100之间形成多个粘合剂260的结构。
在图中，粘合剂260以基底110为中心面向支撑件112形成。然而，本发明不限于这种相对位置。支撑件112和粘合剂260还可以分别地形成在它们彼此不面对的位置上。
在结合两个基底110的步骤S3和形成非透射层210的步骤S2中，还可以形成抗磨擦层230。如果在通过设置粘合剂260来结合两个基底110之后将液体形态的抗磨擦层230注入基底中，则由于毛细现象使得所有的液体形态的抗磨擦层230渗透到形成在两个基底110之间的间隙中。优选地，在形成液体形态的抗磨擦层230之后，通过在预定温度下对基底110进行热处理将抗磨擦层230硬化。优选地，形成在两个基底110上的抗磨擦层230彼此紧密接触，防止基底110的弯曲和磨擦。
如图5d中所示，在形成半导体层的步骤S4中，在两个结合的基底110上形成半导体层。还可以在半导体层130的一侧形成驱动电路139。更具体地讲，在两个结合的基底110的与形成抗磨擦层230的侧面相对的侧面的表面上形成半导体层130，用于驱动有机发光显示器。还可以在半导体层130的一侧形成驱动电路139。在形成驱动电路139或者半导体层130之前能够提前在基底110的表面上形成缓冲层(未示出)。在形成半导体层130之后，形成栅极绝缘层、栅电极、层间介电层、源/漏电极、绝缘层(未示出)等。已经在前面的部分充分地描述了这些元件的相关解释，于是省略了关于这些元件的解释。在形成绝缘层之后可以形成像素限定层。
在一个基底上形成驱动电路139和半导体层130之后，在另一个基底上形成驱动电路139和半导体层130。在一个基底上形成驱动电路139和半导体层130之后，可以在另一个基底上再次形成驱动电路139和半导体层130。根据工艺的顺序通过将一个基底和另一个基底翻转来形成半导体层130和驱动电路139。如果工艺设备允许，则在两个基底上同时形成半导体层130和驱动电路139。
如图5e中所示，在形成有机发光二极管的步骤S5中，在半导体层130的顶部表面上形成有机发光二极管190。更具体地讲，如上所述，在绝缘层(未示出)上形成阳极、有机薄层和阴极。已经解释了有机发光二极管190的结构和形成有机发光二极管190的方法，所以省略了这部分描述。
同样，在一个基底上形成有机发光二极管190之后，可以在另一基底上形成有机发光二极管190。可以在一个基底上形成有机发光二极管190，接着在另一个基底上形成有机发光二极管190。根据工艺的顺序通过将一侧的基底和另一侧的基底翻转来形成有机发光二极管190。如果工艺设备允许，则在两个基底上同时形成有机发光二极管190。
如图5f中所示，在结合包封基底的步骤S6中，利用密封剂240将包封基底250附于形成有有机发光二极管190和半导体层130的侧面上。包封基底250由透明玻璃、透明塑料、透明聚合物或者它们的等效物形成。然而，本发明不限于包封基底250的这些材料。优选地，使用面积比由粘合剂260形成的面积小的包封基底240。更具体地讲，通过在内侧方向上形成比粘合剂260小大约3mm-8mm的边缘可以容易地执行基底110的边缘的切割。然而，包封基底250和粘合剂260的长度不限于此。密封剂240是使环氧胶粘剂、紫外线固化胶粘剂、玻璃料或者它们的等效物。然而，密封剂的材料不限于此。如果玻璃料用作密封剂240，则由于必须在预定温度下加热玻璃料，所以利用激光束来执行包封工艺。
在图中，尽管利用包封基底250对形成有驱动电路139、有机发光二极管190和每个半导体层130的每个区域执行包封工艺，但是可以通过执行上述工艺降低工艺的复杂性。
虽然未示出，但是本发明还可以采用形成在包封基底250的下表面上的透明的潮气吸收层。由于有机发光二极管190容易受潮气影响，所以可以在包封基底250的下表面上形成透明的潮气吸收层，该潮气吸收层可以吸收潮气，且不妨碍光的传播。如果在包封基底250的透明度有保障的情况下，这种透明的潮气吸收层变厚是非常有用的，优选地，形成厚度为0.1μm～300μm的膜。如果透明的潮气吸收层的厚度低于0.1μm，则透明的潮气吸收层没有足够的潮气吸收特性；如果透明的潮气吸收层的厚度在300μm以上，则透明的潮气吸收层有与有机发光二极管190接触的风险。透明的潮气吸收层由平均颗粒直径为100nm的碱金属氧化物、碱土金属氧化物、金属卤化物、金属硫酸盐和金属高氯酸盐、五氧化磷(P2O5)以及它们的等效物形成。更具体地，平均颗粒直径为20nm-100nm。然而，本发明不限于这些材料。
另外，如上所述，根据本发明，通过将成层的无机物、高聚物、硬化剂或者它们的等效物填充在基底110和包封基底250之间来完成包封工艺，代替在包封基底250上形成透明的潮气吸收层。当然，在这种填充之后，执行热处理工艺，从而固化上述材料。
根据本发明，自然的是，通过在每个包封基底250的表面上附着偏振膜来改进外部光的反射现象。
如图5g中所示，在切割步骤S7中，对基底110使用切割工艺，从而基底110被分为单位有机发光显示器。可以将切割工艺应用到布置在半导体层130、驱动电路139和有机发光二极管190的外围上的基底110上。通过金刚石砂轮、激光束或者等效方法来执行切割工艺。然而，本发明不限于这些切割方法。在图中，没有解释的符号270是激光束发射装置。
执行切割工艺，使得在切割工艺期间支撑件112和粘合剂260可以保留在基底110的至少一侧上。在图5g中，执行切割工艺，使得支撑件112和粘合剂260保留在基底110的右端上。以这种方式，保留在基底110上的支撑件112和粘合剂260在许多工艺中起到保证基底110的刚性的作用。
如图5h中所示，在分离两个基底的步骤S8中，施加切割工艺的两个基底110被单独分离。非透射层210和非透射层210/抗磨擦层230以及支撑件112和粘合剂260保留在分离的基底110上。在图中，非透射层210/抗磨擦层230保留在基底110的下表面上。
如果在结合两个基底的步骤之前单独在每个基底110上形成抗磨擦层230，则容易执行每个基底110的分离。然而，如果在结合两个基底之后注入液体形态的抗磨擦层230，则不能容易执行每个基底110的分离。利用可以溶解抗磨擦层230的化学溶液来去除抗磨擦层230。为了这个目的，优选地，由在化学溶液中溶解的有机材料来形成抗磨擦层230。
根据本发明，该工艺以指定的分离两个基底110的步骤为最终步骤。在分离两个基底110的步骤之后，在经过单元测试(cell test)、柔性电路板(FPC)键合、模块测试和可靠性测试之后，显示装置作为产品投放市场。在切割步骤之前通过在基底上产生额外的区域来执行单元测试。
如上所述，如果分离两个基底110的步骤作为最终步骤，则非透射层210和非透射层210/抗磨擦层230以及支撑件112和粘合剂260可以保留在有机发光显示器上。
如图5i中所示，在去除非透射层210的步骤S9中，通过蚀刻或者研磨工艺去除非透射层210。更具体地讲，如果只有非透射层210保留在基底110的下表面上，则去除非透射层210。如果非透射层210/抗磨擦层230保留在基底110的下表面上，则只去除抗磨擦层230或者去除非透射层210/抗磨擦层230。即使在去除非透射层210等之后，由于支撑件112和粘合剂260保留在基底110的一侧上，所以提高了基底110的刚性。
图6a-图6d示出了形成在根据本发明的有机发光显示器的基底上的支撑件的各种类型的形状的平面图。
如图中所示，有机发光二极管190和驱动电路139按照矩阵布置在基底110上。有机发光二极管190和驱动电路139被限定为单元。图中布置了3×3个单元。然而，本发明不限于3×3个单元。为了防止在制造工艺期间或者制造工艺之后基底110弯曲，在基底110的顶部表面上形成支撑件112。
如图6a中所示，支撑件112形成为水平方向的线。如图6b中所示，支撑件112形成为竖直方向的线。如图6c中所示，支撑件112形成为竖直方向的线与水平方向的线的组合(即，方格形状)。如图6d中所示，支撑件112形成为沿着基底110的四个边的四边形的线的形状。
图中的点划线表示切割线。如图中所示，切割线形成为方格形状。支撑件112沿着切割线的一边形成在竖直方向、水平方向上或者同时形成在竖直方向和水平方向上。
因此，如上所述，如果沿着切割线执行切割工艺，则具有预定厚度的支撑件112保留在基底110的一侧的端部上。根据基底110的形成位置，保留在基底110上的支撑件112的位置将发生改变。在支撑件112的宽度形成为比各种切割线的宽度稍大一些时，如果沿着整个切割线形成支撑件112，则支撑件112可以保留在施加切割工艺的基底110的所有周边(四边形周边)上。
如上所述，支撑件112通过加强刚性来防止在有机发光显示器的剩余工艺期间或者在使用该装置时有机发光显示器被损坏或者毁坏。
由于如上形成的根据本发明实施例的有机发光显示器形成在具有厚度为0.05mm-1mm的基底上，所以该有机发光显示器可以应用到越来越薄的蜂窝电话、PDA、笔记本电脑、电脑监视器以及电视等上。
如上所述，在根据本发明实施例的有机发光显示器中，由于在基底上形成非透射层，所以在使用该产品时紫外线不影响半导体层或者有机发光显示元件。
如上所述，在根据本发明实施例的有机发光显示器中，由于支撑件或者粘合剂保留在基底的一侧上，所以提高了产品的刚性，从而该装置不容易被外力损坏。
如上所述，在根据本发明实施例的有机发光显示器中，由于在附着两个厚度为0.05mm-1mm的薄型基底之后同时执行半导体工艺和有机薄层工艺(每个制造工艺中包括洗涤、蚀刻、曝光和热处理)，所以整个工艺时间缩短了50％，并且通过增强刚性来保护基底在基底的转移工艺期间不被弯曲或者损坏。
如上所述，在根据本发明实施例的制造有机发光显示器的方法中，由于提前在基底的一侧上形成支撑件，所以防止了在制造工艺期间基底弯曲和损坏。在制造工艺期间极好地执行与半导体层和有机薄层有关的工艺，而没有任何较差的质量。
如上所述，在根据本发明实施例的制造有机发光显示器的方法中，由于在基底的下表面上形成非透射层，所以在制造工艺期间由曝光工艺产生的紫外线不影响另一个相对的基底。
如上所述，在根据本发明实施例的制造有机发光显示器的方法中，由于在结合两个基底时在基底上形成抗磨擦层，所以通过阻止与形成在基底或者基底的表面上的金属接触来防止基底的损坏。
上面解释的实施例仅是用于实现根据本发明的有机发光显示器及其方法的示例性实施例，应该注意，本发明不限于此，在不脱离本发明的范围的情况下，本发明所属领域技术人员可以实现各种修改，本发明的范围在本发明的精神范围内的权利要求中描述。

Claims (44)

1.一种有机发光显示器，包括：
基底，具有布置在其上的支撑件；
半导体层，布置在所述基底上；
有机发光二极管，布置在所述半导体层上；
密封剂，布置在所述基底的与所述有机发光二极管和所述半导体层的外围对应的外周上；
包封基底，附于所述密封剂；
非透射层，布置在所述基底的与其上布置有所述半导体层的侧面相对的侧面上。
2.如权利要求1所述的有机发光显示器，其中，所述支撑件和所述半导体层布置在所述基底的同一侧上。
3.如权利要求1所述的有机发光显示器，其中，所述支撑件布置在所述基底的至少一侧附近。
4.如权利要求1所述的有机发光显示器，其中，所述支撑件布置在所述有机发光二极管和所述半导体层的外周上。
5.如权利要求1所述的有机发光显示器，其中，所述支撑件包含绝缘材料和导电材料中的至少一种。
6.如权利要求1所述的有机发光显示器，其中，所述支撑件比所述密封剂薄。
7.如权利要求1所述的有机发光显示器，其中，所述支撑件比所述密封剂和所述包封基底加在一起薄。
8.如权利要求1所述的有机发光显示器，还包括形成在所述基底的与其上布置有所述支撑件的侧面相对的侧面上的粘合剂。
9.如权利要求8所述的有机发光显示器，其中，所述粘合剂布置在所述基底的至少一侧附近。
10.如权利要求8所述的有机发光显示器，其中，所述粘合剂布置在所述密封剂和所述包封基底的外周上。
11.如权利要求1所述的有机发光显示器，其中，所述基底比所述包封基底的范围大。
12.如权利要求1所述的有机发光显示器，其中，所述基底具有0.05mm～1mm范围内的厚度。
13.如权利要求1所述的有机发光显示器，其中，所述基底包含玻璃、塑料、聚合物或者钢中的一种。
14.如权利要求1所述的有机发光显示器，还包括厚度在
Figure FSB00000094732300021
至
Figure FSB00000094732300022
范围内的非透射层，所述非透射层布置在所述基底的与其上布置有所述半导体层的侧面相对的侧面上。
15.如权利要求1所述的有机发光显示器，还包括布置在所述基底的与其上布置有所述半导体层的侧面相对的侧面上的非透射层，所述非透射层是阻挡紫外线的金属、透明的紫外线防护剂和不透明的紫外线防护剂中的一种。
16.如权利要求1所述的有机发光显示器，还包括布置在所述基底的与其上布置有所述半导体层的侧面相对的侧面上的非透射层，所述非透射层是Cr、Cr2O3、Al、Au、Ag、MgO和银合金中的一种。
17.如权利要求1所述的有机发光显示器，还包括非透射层和抗磨擦层，所述非透射层和所述抗磨擦层顺序布置在所述基底的与其上布置有所述半导体层的侧面相对的侧面上。
18.如权利要求17所述的有机发光显示器，其中，所述抗磨擦层具有10μm-100μm范围的厚度。
19.如权利要求17所述的有机发光显示器，其中，所述抗磨擦层包含有机材料和无机材料中的至少一种。
20.如权利要求1所述的有机发光显示器，还包括：
缓冲层，布置在所述半导体层的下侧表面上；
栅极绝缘层，布置在所述半导体层的顶部表面上；
栅电极，布置在所述栅极绝缘层的顶部表面上；
层间介电层，布置在所述栅电极的顶部表面上；
源/漏电极，布置在所述层间介电层的顶部表面上；
绝缘层，布置在所述源/漏电极的顶部表面上；
有机发光二极管，布置在所述绝缘层的顶部表面上。
21.如权利要求1所述的有机发光显示器，还包括驱动电路，所述驱动电路进一步布置在所述半导体层的外周和所述密封剂的内周之间的所述基底上。
22.一种制造有机发光显示器的方法，所述方法包括的步骤为：
准备两个基底；
在两个基底的每个上形成支撑件，以防止弯曲；
在每个基底的与其上具有所述支撑件的侧面相对的侧面上形成非透射层；
利用粘合剂将所述两个基底结合在一起，使得每个基底的所述非透射层彼此面对；
在所述结合的基底的每个上形成半导体层，每个半导体层形成在所述结合的基底的形成有所述支撑件的各侧面上；
在每个半导体层上形成有机发光二极管；
通过在每个基底上将密封剂注入到所述有机发光二极管的外围中来结合包封基底；
切割与所述每个基底的所述包封基底的外围对应的区域，同时使所述支撑件保留在各基底上；
分离所述两个结合的基底。
23.如权利要求22所述的制造有机发光显示器的方法，其中，每个支撑件形成在各个基底的执行切割的一侧附近。
24.如权利要求22所述的制造有机发光显示器的方法，其中，每个支撑件形成在各个有机发光二极管和半导体层的外周上。
25.如权利要求22所述的制造有机发光显示器的方法，其中，每个支撑件由绝缘材料或者导电材料形成。
26.如权利要求22所述的制造有机发光显示器的方法，其中，每个支撑件形成为比所述密封剂薄。
27.如权利要求22所述的制造有机发光显示器的方法，其中，每个支撑件形成为比所述密封剂和所述包封基底薄。
28.如权利要求22所述的制造有机发光显示器的方法，其中，将所述粘合剂涂敷到每个基底的与所述有机发光二极管和所述半导体层的外围对应的区域上。
29.如权利要求22所述的制造有机发光显示器的方法，其中，所述粘合剂被涂敷到每个基底的与所述密封剂的外围对应的区域上。
30.如权利要求22所述的制造有机发光显示器的方法，其中，每个基底形成为具有0.05mm～1mm范围内的厚度。
31.如权利要求22所述的制造有机发光显示器的方法，其中，每个基底由玻璃、塑料、聚合物或者钢中的一种形成。
32.如权利要求22所述的制造有机发光显示器的方法，其中，每个非透射层形成在所述各个基底的下表面上，以具有
Figure FSB00000094732300041
至
Figure FSB00000094732300042
范围内的厚度。
33.如权利要求22所述的制造有机发光显示器的方法，其中，每个非透射层通过用紫外线防护剂涂敷各个基底的下表面来形成。
34.如权利要求22所述的制造有机发光显示器的方法，其中，每个非透射层由阻挡紫外线的金属、透明的紫外线防护剂和不透明的紫外线防护剂中的一种形成。
35.如权利要求22所述的制造有机发光显示器的方法，其中，每个非透射层形成在各个基底的下表面上，每个非透射层由Cr、Cr2O3、Al、Au、Ag、MgO和银合金中的一种形成。
36.如权利要求22所述的制造有机发光显示器的方法，其中，在形成各非透射层的过程中，在各个基底的下表面上还形成抗磨擦层。
37.如权利要求22所述的制造有机发光显示器的方法，其中，在形成各非透射层的过程中，在各个基底的下表面上还形成具有10μm-100μm范围内的厚度的抗磨擦层。
38.如权利要求22所述的制造有机发光显示器的方法，其中，在形成各非透射层的过程中，在各个非透射层的下表面上还由有机材料或者无机材料形成抗磨擦层。
39.如权利要求36所述的制造有机发光显示器的方法，其中，在结合各个基底的过程中，抗磨擦层形成在均相互接触的基底上。
40.如权利要求22所述的制造有机发光显示器的方法，其中，在结合各个包封基底的过程中，所述包封基底的宽度形成为比各个基底的宽度小。
41.如权利要求22所述的制造有机发光显示器的方法，其中，利用激光束执行所述切割步骤。
42.如权利要求22所述的制造有机发光显示器的方法，其中，执行所述切割步骤，使得所述粘合剂保留在各个基底上。
43.如权利要求22所述的制造有机发光显示器的方法，其中，在分离所述基底之后，去除各个非透射层。
44.如权利要求22所述的制造有机发光显示器的方法，其中，形成各半导体层的方法包括形成在所述半导体层一侧的驱动电路。
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