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JP2001267578A - 薄膜半導体装置及びその製造方法 - Google Patents

薄膜半導体装置及びその製造方法

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Publication number
JP2001267578A
JP2001267578A JP2000075755A JP2000075755A JP2001267578A JP 2001267578 A JP2001267578 A JP 2001267578A JP 2000075755 A JP2000075755 A JP 2000075755A JP 2000075755 A JP2000075755 A JP 2000075755A JP 2001267578 A JP2001267578 A JP 2001267578A
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JP
Japan
Prior art keywords
substrate
thin film
product substrate
manufacturing
film transistor
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Abandoned
Application number
JP2000075755A
Other languages
English (en)
Inventor
Hisao Hayashi
久雄 林
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sony Corp
Original Assignee
Sony Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sony Corp filed Critical Sony Corp
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Priority to TW090101984A priority patent/TW486826B/zh
Priority to KR1020010012703A priority patent/KR100709305B1/ko
Priority to US09/808,957 priority patent/US6943369B2/en
Publication of JP2001267578A publication Critical patent/JP2001267578A/ja
Priority to US10/259,454 priority patent/US6815240B2/en
Priority to US10/642,131 priority patent/US6821803B2/en
Abandoned legal-status Critical Current

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Abstract

(57)【要約】 【課題】 薄膜半導体装置の製造用及び製品用に適した
基板を提供する。 【解決手段】 先ず、準備工程で、薄膜トランジスタ３
を形成するプロセスに耐え得る特性を有する製造用基板
２０及び薄膜トランジスタ３を直接搭載するに適した特
性を有する製品用基板１を準備する。次に接着工程を行
ない、製品用基板１を裏から支持するために製造用基板
２０を製品用基板１に接着する。続いて形成工程を行な
い、製造用基板２０によって補強された状態で製品用基
板１の表面に少なくとも薄膜トランジスタ３を形成す
る。最後に、分離工程を行ない、使用済みとなった製造
用基板２０を製品用基板１から分離する。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は薄膜半導体装置及び
その製造方法に関する。より詳しくは、薄膜トランジス
タを集積形成する基板の構成に関する。
【０００２】
【従来の技術】一般に、薄膜半導体装置はガラスなどか
らなる絶縁基板上に薄膜トランジスタを集積形成したも
のである。薄膜トランジスタを形成する為には、ＣＶＤ
（化学気相成長）、洗浄、熱処理などの工程を経なけれ
ばならない。異なった工程を順次行なっていく為、基板
を各プロセスのステージ間で搬送する必要がある。基板
に反りなどの変形があるとロボットを用いた自動搬送が
できなくなってしまう。この為、薄膜半導体装置用の基
板としては、薄膜トランジスタの形成温度に耐え得る耐
熱性が必要である。又、運搬時に反り変形などが生じな
い様に規定以上の厚みが必要である。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】一方、薄膜半導体装置
を部品に使った製品としては、例えばアクティブマトリ
クス型の液晶ディスプレイが挙げられる。液晶ディスプ
レイを携帯用機器に用いる場合には、薄膜半導体装置と
して軽量で且つ破損しにくい構成が要求される。この
為、基板に要求される製造条件と製品条件とが一致しな
い場合が多く、製品に対して市場からの不満があった。
前述した様に、耐熱性等の製造条件から見ると、基板は
ガラスを用いることが適している。しかし、製品条件と
して見ると、ガラス基板は重く割れ易いという欠点があ
る。パームトップコンピュータや携帯電話器などの携帯
用電子機器に使用する液晶ディスプレイでは、可能な限
り安価で、軽く且つ多少の変形にも耐え、落としても割
れにくい材質が望ましい。現実には、ガラス基板は重
く、変形に弱く、且つ落下による破壊の恐れがある。つ
まり、製造条件から来る制約と製品に要求される好まし
い特性との間に溝があり、これら双方の条件や特性を満
足させることは困難であり、解決すべき課題となってい
る。
【０００４】従来から、この課題を解決する為に種々の
方策が提案されている。例えば、薄膜トランジスタのプ
ロセス温度を可能な限り下げて、プラスチック基板を用
いる試みが成されている。しかし、プラスチック基板は
ガラス基板に比べ変形が大きく、現在のところ満足のい
く製品は得られていない（Ｎ．Ｄ．Ｙｏｕｎｇ，ｅｔａ
ｌ．，Ｅｕｒｏ Ｄｉｓｐｌａｙ’９６ Ｄｉｇｅｓ
ｔ，５５５，１９９６）。又、仮の基板に一旦薄膜トラ
ンジスタを形成した後、これを別の基板に転写する対策
も提案されており、例えば特開平１１−２４３２０９号
公報に開示されている。しかしながら、この方法は転写
工程が複雑であり生産性に問題がある。又、薄膜トラン
ジスタを形成する時に用いる仮基板と、製品として薄膜
トランジスタを搭載する基板が異なる為、応力などの問
題で薄膜トランジスタの特性変動が生じ易い。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上述した従来の技術の課
題を解決する為に以下の手段を講じた。即ち、本発明
は、薄膜半導体装置を製造する為に、薄膜トランジスタ
を形成するプロセスに耐え得る特性を有する製造用基板
及び薄膜トランジスタを直接搭載するに適した特性を有
する製品用基板を準備する準備工程と、該製品用基板を
裏から支持するために該製造用基板を該製品用基板に接
着する接着工程と、該製造用基板によって補強された状
態で該製品用基板の表面に少なくとも薄膜トランジスタ
を形成する形成工程と、使用済みとなった該製造用基板
を該製品用基板から分離する分離工程とを行なう。好ま
しくは、前記準備工程は、無機材料からなる製造用基板
と有機材料からなる製品用基板を準備する。場合によっ
ては、前記形成工程は、有機材料からなる製品用基板の
表面に防湿性の膜を形成した後、その上に薄膜トランジ
スタを形成する。又、前記接着工程は、剥離可能な状態
で塗布された接着剤を用いて該製造用基板を該製品用基
板に接着する。
【０００６】又本発明は、液晶表示装置を製造する為
に、薄膜トランジスタを形成するプロセスに耐え得る特
性を有する製造用基板及び薄膜トランジスタを直接搭載
するに適した特性を有する製品用基板を準備する準備工
程と、該製品用基板を裏から支持するために該製造用基
板を該製品用基板に接着する接着工程と、該製造用基板
によって補強された状態で該製品用基板の表面に薄膜ト
ランジスタ及び画素電極を形成する形成工程と、使用済
みとなった該製造用基板を該製品用基板から分離する分
離工程と、該分離工程の前又は後で、あらかじめ対向電
極が形成された対向基板を所定の間隙で該画素電極が形
成された製品用基板に接合し且つ該間隙に液晶を注入す
る組立工程とを行なう。
【０００７】更に本発明は、エレクトロルミネッセンス
表示装置を製造する為に、薄膜トランジスタを形成する
プロセスに耐え得る特性を有する製造用基板及び薄膜ト
ランジスタを直接搭載するに適した特性を有する製品用
基板を準備する準備工程と、該製品用基板を裏から支持
するために該製造用基板を該製品用基板に接着する接着
工程と、該製造用基板によって補強された状態で該製品
用基板の表面に薄膜トランジスタ及びエレクトロルミネ
ッセンス素子を形成する形成工程と、使用済みとなった
該製造用基板を該製品用基板から分離する分離工程とを
行なう。
【０００８】本発明によれば、薄膜トランジスタを形成
する前の準備段階で、予めプラスチックなどからなる製
品用基板にガラスなどからなる製造用基板を貼り合わ
せ、補強しておく。しかる後に、プラスチックなどから
なる製品用基板の上に薄膜トランジスタを集積形成す
る。この際、プラスチックなどからなる製品用基板はガ
ラスなどからなる製造用基板で裏打ちされているので、
全体としてロボット搬送に耐え得る剛性を備えている。
しかる後、薄膜トランジスタの製造プロセスを完了した
時点で、使用済みとなった製造用基板を製品用基板から
切り離す。最終的に、薄膜トランジスタは薄く軽量の製
品用基板のみで支持されることになる。プラスチック基
板を用いたアクティブマトリクス型の液晶ディスプレイ
などは携帯用機器への応用に好適である。
【０００９】
【発明の実施の形態】以下図面を参照して本発明の実施
の形態を詳細に説明する。図１は本発明に係る薄膜半導
体装置の製造方法を示す模式的な工程図の一例である。
まず、（Ａ）に示す様に、薄膜トランジスタを形成する
プロセスに耐え得る特性を有する製造用基板２０及び薄
膜トランジスタを直接搭載するに適した特性を有する製
品用基板１を準備する。この準備工程では、例えばガラ
スなどの無機材料からなる製造用基板２０とプラスチッ
クなどの有機材料からなる製品用基板１を準備する。本
実施形態では、製造用基板２０として無アルカリガラス
を使用する。無アルカリガラスの耐熱性は５００℃程度
である。製造用基板２０の厚みは、例えば０．７ｍｍが
標準的である。０．５ｍｍまで薄型化しても、製造プロ
セス上特に問題はない。尚、本実施形態では無アルカリ
ガラスを用いているが、これに代えてステンレススチー
ルなどの金属板、プラスチック板、石英などを用いるこ
ともできる。一方、製品用基板１としては、薄膜トラン
ジスタのプロセス温度に耐える程度の耐熱性が必要であ
り、製造用基板２０よりも薄くて軽いことが条件とな
る。本実施形態では、プラスチック材料を用いており、
その厚みは０．１ｍｍから０．５ｍｍ程度である。特
に、耐熱性に優れたポリエーテルスルホン樹脂（ＰＥ
Ｓ）、ポリエチレンテレフタレート樹脂、アートン樹脂
などが用いられる。ポリエーテルスルホン樹脂はその耐
熱性が２５０℃程度に達する。尚、製品用基板１に用い
るプラスチックフィルムは単層でもよく、場合によって
は積層ラミネート構造であってもよい。特に透過型のデ
ィスプレイではなく反射型のディスプレイに用いる場合
には、プラスチックに代えて金属板を用いることもでき
る。但し、金属板を使う時には、表面は絶縁状態になっ
ている必要がある。例えば、アルミニウムの板を製品用
基板１に用いる場合は、予めその表面を酸化してアルミ
ナで被覆しておくことが必要である。
【００１０】引き続き（Ａ）に示す様に、製品用基板１
を裏から支持する為に製造用基板２０を製品用基板１に
接着する。この接着工程は、例えば剥離可能な状態で塗
布された接着剤２１を用いて製造用基板２０を製品用基
板１に接着する。本実施形態では、接着剤２１として耐
熱性の樹脂を塗布する。この樹脂は薄膜トランジスタ形
成時の熱に耐え得る必要がある為、ポリイミド系、シリ
コン系又はテフロン（登録商標）系の樹脂を用いる。但
し、薄膜トランジスタのプロセス温度を下げることによ
り、種々の接着剤を用いることが可能である。塗布は、
液状の材料をスピンコートや印刷などの方法で行なう。
これに代えて、フィルム状の接着剤を一方の基板の表面
に貼り合わせ、熱で溶かして塗布するなどの方法があ
る。この接着剤２１は、有機材料に限られることはな
く、シリコンやゲルマニウム更には金属（鉛、アルミニ
ウム、モリブデン、ニッケル、錫など）でもよい。これ
らの材料を用いた場合は、スパッタ法などで一方の基板
に成膜し、レーザ照射などで溶かしながら他方の基板と
接着することになる。尚、製品用基板１としてアルミニ
ウムの板を採用した場合は、特に接着剤２１を用いなく
ても、アルミニウムからなる製品用基板１とガラスから
なる製造用基板２０を直接レーザなどの光エネルギーを
使って接合することも可能である。
【００１１】続いて（Ｂ）に示す様に、製造用基板２０
によって補強された状態で製品用基板１の表面に薄膜ト
ランジスタ３などの薄膜デバイスを集積形成する。具体
的には、まずタンタルやモリブデンなどの金属をスパッ
タ法などで成膜した後、等方性のドライエッチングでパ
タニングし、ゲート電極５に加工する。続いて、例えば
プラズマＣＶＤ法（ＰＥ−ＣＶＤ法）でＳｉＯ2 を例え
ば１００〜２００ｎｍの厚みで堆積し、ゲート電極５を
被覆するゲート絶縁膜４とする。更にその上に、非晶質
シリコンを例えば２０〜６０ｎｍの厚みで堆積して半導
体薄膜２を設ける。同一の成膜チャンバで真空を破らず
に絶縁膜４及び半導体薄膜２を連続成長させることがで
きる。この後、例えば波長３０８ｎｍのＸｅＣｌエキシ
マレーザ光を極短時間照射して半導体薄膜２の結晶化を
図る。レーザ光のエネルギーによって非晶質シリコンが
溶融し、固まる時に多結晶シリコンとなる。レーザ光の
照射時間は極めて短い為、製品用基板１にダメージを与
えることはない。この後、半導体薄膜２の上にレジスト
を塗布し、遮光性を有するゲート電極５をマスクとして
裏面露光を行なうことにより、セルフアライメントでゲ
ート電極５に整合したマスクを得ることができる。ここ
で、このマスクを介してイオンドーピング法により不純
物（例えば燐）を比較的低濃度で半導体薄膜２に注入す
る。更に、マスクとその周辺を別のフォトレジストで被
覆した後、比較的高濃度で不純物（例えば燐）をイオン
ドーピング法により半導体薄膜２に注入する。これによ
り、ソース領域Ｓ及びドレイン領域Ｄが形成される。
又、ゲート電極５の直上には予め閾値調整用のＰ型不純
物（例えばボロン）が注入されたチャネル領域Ｃｈが残
される。チャネル領域Ｃｈとソース領域Ｓ及びドレイン
領域Ｄとの間には燐などのＮ型不純物が比較的低濃度で
注入されたＬＤＤ領域が残される。この後、不要になっ
たフォトレジストは除去される。イオンドーピング法は
プラズマ状態のイオンを一気に電界加速して半導体薄膜
２にドーピングするものであり、短時間で処理できる。
続いて、ドーピングされた原子を活性化する為に再度レ
ーザ光を照射する。結晶化と同一方法であるが、結晶を
大きくする必要がない為弱いエネルギーで十分である。
この後、配線間の絶縁の為に例えばＳｉＯ2 を堆積して
層間膜９とする。この層間膜９にコンタクトホールを開
口した後、金属アルミニウムなどをスパッタで堆積し、
所定の形状にパタニングして配線１０に加工する。以
下、アクティブマトリクス型液晶ディスプレイ用の薄膜
半導体装置を製造する場合には、必要に応じて保護膜１
２や画素電極１４を形成する。更には、予め対向電極が
形成された対向基板を所定の間隙で、画素電極１４が形
成された製品用基板１に接合し、且つ間隙に液晶を注入
する組立工程を行なう。一方、アクティブマトリクス型
の有機エレクトロルミネッセンスディスプレイにこの薄
膜半導体装置を用いる場合には、画素電極１４の上に予
め有機エレクトロルミネッセンス素子を形成しておく。
【００１２】最後に図２に示す様に、使用済みとなった
製造用基板２０を製品用基板１から分離する分離工程を
行なう。具体的には、製造用基板２０と製品用基板１の
間に介在する接着剤を溶剤中において溶解することによ
り、両基板の分離が可能になる。用いる溶剤は接着剤の
材質によって異なる。一般に、この接着剤の層は非常に
薄く溶剤が浸入するまで時間がかかる。そこで、超音波
やレーザ光などのエネルギーを用いて、接着剤の溶解を
促進することが効果的である。尚、先の接着工程で、接
着剤を基板の全面に均一に塗布する必要はない。むし
ろ、離散的に接着剤を塗布することで、溶剤を用いた溶
解が容易になる。この様にして、最終的な製品にはプラ
スチックなどからなる製品用基板１のみが残される為、
軽量で薄型のディスプレイなどが実現できる。尚、液晶
ディスプレイを作成する場合は、前述した組立工程を製
造用基板２０の分離後に行なってもよい。
【００１３】上述した実施形態は、基板１の上にボトム
ゲート構造の薄膜トランジスタを形成した。これに代え
て、トップゲート構造の薄膜トランジスタを集積形成す
ることもできる。この実施形態を図３に示す。尚、理解
を容易にする為、図１及び図２に示した先の実施形態と
対応する部分には対応する参照番号を付してある。図示
する様に、トップゲート構造の薄膜トランジスタは、多
結晶シリコンなどからなる半導体薄膜２の上にゲート絶
縁膜４を介してゲート電極５が形成されている。尚、本
実施形態では、製品用基板１と薄膜トランジスタとの間
に予め防湿性のバッファ膜３０が形成されている。この
バッファ膜３０はＣＶＤ又はスパッタ法で成膜されたシ
リコン酸化膜或いはシリコン窒化膜から成り、製品用基
板１を通過する水分の遮断を行なうと共に、基板からの
不純物の侵入を抑制する。製品用基板１としてプラスチ
ックを用いた場合には、特に防湿対策としてバッファ膜
を形成することが好ましい場合がある。
【００１４】図４は、本発明に係る薄膜半導体装置を駆
動基板として組み立てられたアクティブマトリクス型液
晶表示装置の一例を示す模式的な斜視図である。この液
晶表示装置は製品用基板１と対向基板６０との間に液晶
５０を保持したパネル構造となっている。製品用基板１
には画素アレイ部と周辺回路部とが上記と同様の薄膜ト
ランジスタにより集積形成されている。周辺回路部は垂
直走査回路４１と水平走査回路４２とに分かれている。
又、製品用基板１の上端側には外部接続用の端子電極４
７も形成されている。各端子電極４７は配線４８を介し
て垂直走査回路４１及び水平走査回路４２に接続してい
る。画素アレイ部には互いに交差するゲート配線４３と
信号配線１０が形成されている。ゲート配線４３は垂直
走査回路４１に接続し、信号配線１０は水平走査回路４
２に接続している。両配線４３，１０の交差部には画素
電極１４とこれを駆動する薄膜トランジスタ３とが形成
されている。一方、対向基板６０の内表面には図示しな
いが対向電極が形成されている。製品用基板１としてプ
ラスチックを用い、対向基板６０として同じくプラスチ
ック材料を用いれば、極めて軽量で破損に強いパネルが
得られる。
【００１５】図５は、本発明に係る薄膜半導体装置を駆
動基板として組み立てられたアクティブマトリクス型の
エレクトロルミネッセンス表示装置を示す模式的な部分
断面図である。本実施形態は、画素として有機エレクト
ロルミネッセンス素子ＯＬＥＤを用いている。ＯＬＥＤ
は陽極Ａ、有機層１１０及び陰極Ｋを順に重ねたもので
ある。陽極Ａは画素毎に分離しており、例えばクロムか
らなり基本的に光反射性である。陰極Ｋは画素間で共通
接続されており、例えば金属層１１１と透明導電層１１
２の積層構造であり、基本的に光透過性である。係る構
成を有するＯＬＥＤの陽極Ａ／陰極Ｋ間に順方向の電圧
（１０Ｖ程度）を印加すると、電子や正孔などのキャリ
アの注入が起こり、発光が観測される。ＯＬＥＤの動作
は、陽極Ａから注入された正孔と陰極Ｋから注入された
電子により形成された励起子による発光と考えられる。
【００１６】一方、ＯＬＥＤを駆動する薄膜トランジス
タ３は、プラスチックなどからなる製品用基板１の上に
形成されたゲート電極５と、その上に重ねられたゲート
絶縁膜４と、このゲート絶縁膜４を介してゲート電極５
の上方に重ねられた半導体薄膜２とからなる。この半導
体薄膜２は例えばレーザアニールにより結晶化されたシ
リコン薄膜からなる。薄膜トランジスタ３はＯＬＥＤに
供給される電流の通路となるソース領域Ｓ、チャネル領
域Ｃｈ及びドレイン領域Ｄを備えている。チャネル領域
Ｃｈは丁度ゲート電極５の直上に位置する。このボトム
ゲート構造を有する薄膜トランジスタ３は層間膜９によ
り被覆されており、その上には配線１０が形成されてい
る。これらの上には別の層間膜１１を介して前述したＯ
ＬＥＤが成膜されている。このＯＬＥＤの陽極Ａは配線
１０を介して薄膜トランジスタ３に電気接続されてい
る。
【００１７】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
薄膜トランジスタを形成するプロセスに耐え得る特性を
有する製造用基板及び薄膜トランジスタを直接搭載する
に適した特性を有する製品用基板を用い、製品用基板を
裏から支持する為に製造用基板を製品用基板に接着し、
製造用基板によって補強された状態で製品用基板の表面
に少なくとも薄膜トランジスタを形成し、且つ使用済み
となった製造用基板を製品用基板から切り離した構造と
している。製造段階では、接着により補強された基板の
上に薄膜トランジスタを集積形成するので、基板のハン
ドリングなどが容易となり、プロセスの安定化に寄与で
きる。一方、製品が完成した段階では、使用済みとなっ
た製造用基板を切り離す為、製品自体は軽量且つ薄型化
される。又、切り離された製造用基板は再度薄膜トラン
ジスタ製造プロセスに投入でき、資源のリサイクルが可
能になる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係る薄膜半導体装置の製造方法を示す
工程図である。
【図２】本発明に係る薄膜半導体装置の製造方法を示す
工程図である。
【図３】本発明に係る薄膜半導体装置の他の実施形態を
示す部分断面図である。
【図４】本発明に係る液晶表示装置を示す斜視図であ
る。
【図５】本発明に係るエレクトロルミネッセンス表示装
置を示す模式的な断面図である。
【符号の説明】
１・・・製品用基板、２・・・半導体薄膜、３・・・薄
膜トランジスタ、４・・・ゲート絶縁膜、５・・・ゲー
ト電極、１４・・・画素電極、２０・・・製造用基板、
２１・・・接着剤
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０１Ｌ 29/78 ６２７Ｚ Ｆターム(参考） 2H092 JA26 KA05 MA05 MA07 MA30 MA42 NA18 NA25 PA01 5C094 AA15 AA43 BA03 BA27 BA43 CA19 DA12 DA13 DB04 EA04 EB10 FA02 FB01 FB02 FB15 GB10 5F110 AA16 AA30 BB02 CC02 DD01 DD12 EE04 EE44 FF02 FF30 GG02 GG13 GG25 GG45 HJ01 HJ12 HJ18 HJ23 HL03 HL23 HM15 NN02 NN23 PP03 PP04 QQ12 QQ17 QQ30

Claims (21)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 薄膜トランジスタを形成するプロセスに
    耐え得る特性を有する製造用基板及び薄膜トランジスタ
    を直接搭載するに適した特性を有する製品用基板を準備
    する準備工程と、 該製品用基板を裏から支持するために該製造用基板を該
    製品用基板に接着する接着工程と、 該製造用基板によって補強された状態で該製品用基板の
    表面に少なくとも薄膜トランジスタを形成する形成工程
    と、 使用済みとなった該製造用基板を該製品用基板から分離
    する分離工程とを行う薄膜半導体装置の製造方法。
  2. 【請求項２】 前記準備工程は、無機材料からなる製造
    用基板と有機材料からなる製品用基板を準備する請求項
    １記載の薄膜半導体装置の製造方法。
  3. 【請求項３】 前記形成工程は、有機材料からなる製品
    用基板の表面に防湿性の膜を形成した後、その上に薄膜
    トランジスタを形成する請求項２記載の薄膜半導体装置
    の製造方法。
  4. 【請求項４】 前記接着工程は、剥離可能な状態で塗布
    された接着剤を用いて該製造用基板を該製品用基板に接
    着する請求項１記載の薄膜半導体装置の製造方法。
  5. 【請求項５】 薄膜トランジスタを形成するプロセスに
    耐え得る特性を有す る製造用基板及び薄膜トランジスタを直接搭載するに適
    した特性を有する製品用基板を準備する準備工程と、 該製品用基板を裏から支持するために該製造用基板を該
    製品用基板に接着する接着工程と、 該製造用基板によって補強された状態で該製品用基板の
    表面に薄膜トランジス タ及び画素電極を形成する形成工程と、 使用済みとなった該製造用基板を該製品用基板から分離
    する分離工程と、 該分離工程の前又は後で、あらかじめ対向電極が形成さ
    れた対向基板を所定の間隙で該画素電極が形成された製
    品用基板に接合し、且つ該間隙に液晶を注入する組立工
    程とを行う液晶表示装置の製造方法。
  6. 【請求項６】 前記準備工程は、無機材料からなる製造
    用基板と有機材料からなる製品用基板を準備する請求項
    ５記載の液晶表示装置の製造方法。
  7. 【請求項７】 前記形成工程は、有機材料からなる製品
    用基板の表面に防湿性の膜を形成した後、その上に薄膜
    トランジスタを形成する請求項６記載の液晶表示装置の
    製造方法。
  8. 【請求項８】 前記接着工程は、剥離可能な状態で塗布
    された接着剤を用いて該製造用基板を該製品用基板に接
    着する請求項５記載の液晶表示装置の製造方法。
  9. 【請求項９】 薄膜トランジスタを形成するプロセスに
    耐え得る特性を有する製造用基板及び薄膜トランジスタ
    を直接搭載するに適した特性を有する製品用基板を準備
    する準備工程と、 該製品用基板を裏から支持するために該製造用基板を該
    製品用基板に接着する接着工程と、 該製造用基板によって補強された状態で該製品用基板の
    表面に薄膜トランジスタ及びエレクトロルミネッセンス
    素子を形成する形成工程と、 使用済みとなった該製造用基板を該製品用基板から分離
    する分離工程とを行うエレクトロルミネッセンス表示装
    置の製造方法。
  10. 【請求項１０】 前記準備工程は、無機材料からなる製
    造用基板と有機材料からなる製品用基板を準備する請求
    項９記載のエレクトロルミネッセンス表示装置の製造方
    法。
  11. 【請求項１１】 前記形成工程は、有機材料からなる製
    品用基板の表面に防湿性の膜を形成した後、その上に薄
    膜トランジスタ及びエレクトロルミネッセンス素子を形
    成する請求項１０記載のエレクトロルミネッセンス表示
    装置の製造方法。
  12. 【請求項１２】 前記接着工程は、剥離可能な状態で塗
    布された接着剤を用いて該製造用基板を該製品用基板に
    接着する請求項９記載のエレクトロルミネッセンス表示
    装置の製造方法。
  13. 【請求項１３】 薄膜トランジスタを形成するプロセス
    に耐え得る特性を有する製造用基板及び薄膜トランジス
    タを直接搭載するに適した特性を有する製品用基板を用
    い、該製品用基板を裏から支持するために該製造用基板
    を該製品用基板に接着し、該製造用基板によって補強さ
    れた状態で該製品用基板の表面に少なくとも薄膜トラン
    ジスタを形成し、且つ使用済みとなった該製造用基板を
    該製品用基板から切り離した構造を有する薄膜半導体装
    置。
  14. 【請求項１４】 無機材料からなる製造用基板と有機材
    料からなる製品用基板を用いた請求項１３記載の薄膜半
    導体装置。
  15. 【請求項１５】 有機材料からなる製品用基板の表面に
    防湿性の膜を形成した後、その上に薄膜トランジスタを
    形成した請求項１４記載の薄膜半導体装置。
  16. 【請求項１６】 薄膜トランジスタを形成するプロセス
    に耐え得る特性を有する製造用基板及び薄膜トランジス
    タを直接搭載するに適した特性を有する製品用基板を用
    い、該製品用基板を裏から支持するために該製造用基板
    を該製品用基板に接着し、該製造用基板によって補強さ
    れた状態で該製品用基板の表面に薄膜トランジスタ及び
    画素電極を形成し、あらかじめ対向電極が形成された対
    向基板を所定の間隙で該画素電極が形成された製品用基
    板に接合し、且つ該間隙に液晶を保持すると共に、使用
    済みとなった該製造用基板を該製品用基板から切り離し
    た構造を有する液晶表示装置。
  17. 【請求項１７】 無機材料からなる製造用基板と有機材
    料からなる製品用基板を用いる請求項１６記載の液晶表
    示装置。
  18. 【請求項１８】 有機材料からなる製品用基板の表面に
    防湿性の膜を形成した後、その上に薄膜トランジスタを
    形成する請求項１７記載の液晶表示装置。
  19. 【請求項１９】 薄膜トランジスタを形成するプロセス
    に耐え得る特性を有する製造用基板及び薄膜トランジス
    タを直接搭載するに適した特性を有する製品用基板を用
    い、該製品用基板を裏から支持するために該製造用基板
    を該製品用基板に接着し、該製造用基板によって補強さ
    れた状態で該製品用基板の表面に薄膜トランジスタ及び
    エレクトロルミネッセンス素子を形成すると共に、使用
    済みとなった該製造用基板を該製品用基板から切り離し
    た構造を有するエレクトロルミネッセンス表示装置。
  20. 【請求項２０】 無機材料からなる製造用基板と有機材
    料からなる製品用基板を用いる請求項１９記載のエレク
    トロルミネッセンス表示装置。
  21. 【請求項２１】 有機材料からなる製品用基板の表面に
    防湿性の膜を形成した後、その上に薄膜トランジスタ及
    びエレクトロルミネッセンス素子を形成した請求項２０
    記載のエレクトロルミネッセンス表示装置。
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US09/808,957 US6943369B2 (en) 2000-03-17 2001-03-16 Substrate for integrating and forming a thin film semiconductor device thereon
US10/259,454 US6815240B2 (en) 2000-03-17 2002-09-30 Thin film semiconductor device and manufacturing method thereof
US10/642,131 US6821803B2 (en) 2000-03-17 2003-08-18 Method of manufacturing an electroluminescence display device

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Cited By (40)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002033464A (ja) * 2000-07-17 2002-01-31 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置の作製方法
JP2002031818A (ja) * 2000-07-17 2002-01-31 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置の作製方法
JP2003208105A (ja) * 2002-01-10 2003-07-25 Matsushita Electric Ind Co Ltd 表示装置およびその製造方法
JP2004341557A (ja) * 2004-08-23 2004-12-02 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置の作製方法
JP2005123290A (ja) * 2003-10-15 2005-05-12 Toppan Printing Co Ltd 薄膜トランジスタおよびその製造方法
JP2006049800A (ja) * 2004-03-10 2006-02-16 Seiko Epson Corp 薄膜デバイスの供給体、薄膜デバイスの供給体の製造方法、転写方法、半導体装置の製造方法及び電子機器
US7045438B2 (en) 2001-07-27 2006-05-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device, semiconductor device, and method of fabricating the devices
JP2006522475A (ja) * 2003-04-02 2006-09-28 コーニンクレッカ　フィリップス　エレクトロニクス　エヌ　ヴィ 可撓性電子装置及び可撓性装置を製造する方法
US7180091B2 (en) 2001-08-01 2007-02-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
US7189631B2 (en) 2002-10-30 2007-03-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
JP2007251080A (ja) * 2006-03-20 2007-09-27 Fujifilm Corp プラスチック基板の固定方法、回路基板およびその製造方法
US7332381B2 (en) 2001-10-30 2008-02-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method of manufacturing the same
US7335573B2 (en) 2001-11-30 2008-02-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Vehicle, display device and manufacturing method for a semiconductor device
US7351300B2 (en) 2001-08-22 2008-04-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Peeling method and method of manufacturing semiconductor device
US7361573B2 (en) 2001-08-10 2008-04-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of peeling off and method of manufacturing semiconductor device
US7483275B2 (en) 2001-10-18 2009-01-27 Polyic Gmbh & Co. Kg Electronic unit, circuit design for the same, and production method
JP2009260387A (ja) * 2009-08-04 2009-11-05 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 表示装置の作製方法及び電子書籍の作製方法
JP2009258758A (ja) * 2009-08-04 2009-11-05 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置の作製方法及び電子書籍の作製方法
JP2009271236A (ja) * 2008-05-02 2009-11-19 Rohm Co Ltd 有機半導体装置の製造方法及び素子基板
US7655948B2 (en) 2005-09-05 2010-02-02 Lg Display Co., Ltd. Light emitting display
US7812343B2 (en) 2005-04-15 2010-10-12 Polyic Gmbh & Co. Kg Multilayer composite body having an electronic function
US7846838B2 (en) 2005-07-29 2010-12-07 Polyic Gmbh & Co. Kg Method for producing an electronic component
JP2011014911A (ja) * 2009-07-03 2011-01-20 Qinghua Univ フレキシブル半導体素子の製造方法
US7940340B2 (en) 2005-07-04 2011-05-10 Polyic Gmbh & Co. Kg Multilayer body with electrically controllable optically active systems of layers
JP2012128450A (ja) * 2012-03-02 2012-07-05 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置の作製方法
WO2012132953A1 (ja) * 2011-03-25 2012-10-04 シャープ株式会社 表示装置
US8315061B2 (en) 2005-09-16 2012-11-20 Polyic Gmbh & Co. Kg Electronic circuit with elongated strip layer and method for the manufacture of the same
US8367440B2 (en) 2001-07-16 2013-02-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and peeling off method and method of manufacturing semiconductor device
JP2013051430A (ja) * 2012-10-24 2013-03-14 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 装置の作製方法
JP2013235276A (ja) * 2013-06-10 2013-11-21 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置の作製方法
JP2014071231A (ja) * 2012-09-28 2014-04-21 Toshiba Corp 表示装置の製造方法
JP2014211638A (ja) * 2014-05-22 2014-11-13 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
JP2015026079A (ja) * 2014-09-08 2015-02-05 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置の作製方法
JP2016058740A (ja) * 2015-10-26 2016-04-21 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
JP2017010943A (ja) * 2016-10-03 2017-01-12 株式会社半導体エネルギー研究所 電子機器の作製方法
JP2017108147A (ja) * 2017-01-17 2017-06-15 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
JP2018064100A (ja) * 2017-11-09 2018-04-19 株式会社半導体エネルギー研究所 電子機器の作製方法
JP2018142721A (ja) * 2018-04-27 2018-09-13 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
JP2019035986A (ja) * 2018-11-22 2019-03-07 株式会社半導体エネルギー研究所 電子機器の作製方法
JP2020502796A (ja) * 2016-12-16 2020-01-23 オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツングＯｓｒａｍ Ｏｐｔｏ Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒｓ ＧｍｂＨ 半導体構成素子を製造する方法

Families Citing this family (24)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5814529A (en) 1995-01-17 1998-09-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for producing a semiconductor integrated circuit including a thin film transistor and a capacitor
US6878968B1 (en) * 1999-05-10 2005-04-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
KR100496420B1 (ko) * 2001-03-02 2005-06-17 삼성에스디아이 주식회사 2층구조의 소오스/드레인 전극을 갖는 박막 트랜지스터 및그의 제조방법과 이를 이용한 액티브 매트릭스형 표시소자및 그의 제조방법
JP4166455B2 (ja) * 2001-10-01 2008-10-15 株式会社半導体エネルギー研究所 偏光フィルム及び発光装置
US7038239B2 (en) 2002-04-09 2006-05-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor element and display device using the same
JP3989761B2 (ja) 2002-04-09 2007-10-10 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体表示装置
TWI270919B (en) 2002-04-15 2007-01-11 Semiconductor Energy Lab Display device and method of fabricating the same
JP3989763B2 (ja) 2002-04-15 2007-10-10 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体表示装置
US7256421B2 (en) 2002-05-17 2007-08-14 Semiconductor Energy Laboratory, Co., Ltd. Display device having a structure for preventing the deterioration of a light emitting device
KR20040021758A (ko) * 2002-09-04 2004-03-11 엘지.필립스 엘시디 주식회사 다결정 실리콘 박막트랜지스터 제조방법
TWI313062B (en) * 2002-09-13 2009-08-01 Ind Tech Res Inst Method for producing active plastic panel displayers
JP2004119016A (ja) * 2002-09-20 2004-04-15 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 発光装置
JP2004119015A (ja) * 2002-09-20 2004-04-15 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 発光装置およびその作製方法
EP1434282A3 (en) * 2002-12-26 2007-06-27 Konica Minolta Holdings, Inc. Protective layer for an organic thin-film transistor
KR100824881B1 (ko) * 2006-11-10 2008-04-23 삼성에스디아이 주식회사 유기 전계 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
KR100824880B1 (ko) * 2006-11-10 2008-04-23 삼성에스디아이 주식회사 유기 전계 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
KR100833738B1 (ko) 2006-11-30 2008-05-29 삼성에스디아이 주식회사 유기 전계 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
KR100824902B1 (ko) * 2006-12-13 2008-04-23 삼성에스디아이 주식회사 유기 전계 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
JP4340982B2 (ja) * 2007-05-18 2009-10-07 ソニー株式会社 表示装置の製造方法
CN101903974B (zh) * 2008-02-28 2012-07-25 夏普株式会社 薄膜层叠器件的制造方法和显示装置的制造方法
US20110297215A1 (en) * 2010-06-04 2011-12-08 Roger J. Malik Manufacturing method and apparatus for a copper indium gallium diselenide solar cell
WO2014129519A1 (en) 2013-02-20 2014-08-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Peeling method, semiconductor device, and peeling apparatus
CN105793957B (zh) 2013-12-12 2019-05-03 株式会社半导体能源研究所 剥离方法及剥离装置
KR102557962B1 (ko) 2016-06-28 2023-07-24 삼성디스플레이 주식회사 터치스크린을 구비하는 평판표시장치 및 그의 제조방법

Family Cites Families (38)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US164535A (en) * 1875-06-15 Improvement in stands for barrel-churns
US4476810A (en) * 1983-05-31 1984-10-16 Heras Roberto F Dog training device
EP0292244B1 (en) * 1987-05-18 1993-08-11 Canon Kabushiki Kaisha Polymeric liquid crystal composition and liquid crystal device
US5189549A (en) * 1990-02-26 1993-02-23 Molecular Displays, Inc. Electrochromic, electroluminescent and electrochemiluminescent displays
JPH06208132A (ja) * 1990-03-24 1994-07-26 Sony Corp 液晶表示装置
DE69125097T2 (de) * 1990-11-09 1997-09-18 Canon Kk Flüssigkristallvorrichtung, Anzeigegerät und Anzeigemethode
US5347154A (en) * 1990-11-15 1994-09-13 Seiko Instruments Inc. Light valve device using semiconductive composite substrate
US5376561A (en) * 1990-12-31 1994-12-27 Kopin Corporation High density electronic circuit modules
US5256562A (en) * 1990-12-31 1993-10-26 Kopin Corporation Method for manufacturing a semiconductor device using a circuit transfer film
JPH05303086A (ja) * 1991-05-01 1993-11-16 Canon Inc 液晶素子および表示装置、それを用いた表示方法
JPH0549972A (ja) * 1991-08-09 1993-03-02 Nippondenso Co Ltd サイクロン分離装置
FR2684801B1 (fr) * 1991-12-06 1997-01-24 Picogiga Sa Procede de realisation de composants semiconducteurs, notamment sur gaas ou inp, avec recuperation du substrat par voie chimique.
JP2832924B2 (ja) * 1992-04-06 1998-12-09 富士写真フイルム株式会社 写真撮影サイズ確認用スケール及びカッター刃
JP2821830B2 (ja) * 1992-05-14 1998-11-05 セイコーインスツルメンツ株式会社 半導体薄膜素子その応用装置および半導体薄膜素子の製造方法
EP0603866B1 (en) * 1992-12-25 2002-07-24 Sony Corporation Active matrix substrate
GB9401770D0 (en) * 1994-01-31 1994-03-23 Philips Electronics Uk Ltd Manufacture of electronic devices comprising thin-film circuits
US6198464B1 (en) * 1995-01-13 2001-03-06 Hitachi, Ltd. Active matrix type liquid crystal display system and driving method therefor
US5757456A (en) * 1995-03-10 1998-05-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and method of fabricating involving peeling circuits from one substrate and mounting on other
EP0770267B1 (en) * 1995-05-10 2002-07-17 Koninklijke Philips Electronics N.V. Method of manufacturing a device, by which method a substrate with semiconductor element and conductor tracks is glued to a support body with metallization
JP3907726B2 (ja) * 1995-12-09 2007-04-18 株式会社半導体エネルギー研究所 微結晶シリコン膜の作製方法、半導体装置の作製方法及び光電変換装置の作製方法
KR100218986B1 (ko) * 1995-12-27 1999-09-01 니시무로 타이죠 액정표시장치 및 그 제조방법
US6057234A (en) * 1996-04-29 2000-05-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for fabricating semiconductor device
US5900011A (en) * 1996-07-01 1999-05-04 Sun Microsystems, Inc. Integrated processor/memory device with victim data cache
US6027958A (en) * 1996-07-11 2000-02-22 Kopin Corporation Transferred flexible integrated circuit
JPH1082986A (ja) * 1996-07-15 1998-03-31 Sony Corp 反射型ゲストホスト液晶表示装置
JP3043638B2 (ja) * 1996-11-05 2000-05-22 日本電気株式会社 反射型液晶表示装置およびその製造方法
TW477907B (en) * 1997-03-07 2002-03-01 Toshiba Corp Array substrate, liquid crystal display device and their manufacturing method
JP3541625B2 (ja) * 1997-07-02 2004-07-14 セイコーエプソン株式会社 表示装置及びアクティブマトリクス基板
JPH11102867A (ja) * 1997-07-16 1999-04-13 Sony Corp 半導体薄膜の形成方法およびプラスチック基板
KR100277024B1 (ko) * 1997-10-31 2001-01-15 구본준 선택적 식각기술을 이용한 액정표시장치 제조방법
US6157426A (en) * 1998-02-13 2000-12-05 Ois Optical Imaging Systems, Inc. Liquid crystal display with SiOx Ny inclusive multilayer black matrix
JPH11243209A (ja) 1998-02-25 1999-09-07 Seiko Epson Corp 薄膜デバイスの転写方法、薄膜デバイス、薄膜集積回路装置、アクティブマトリクス基板、液晶表示装置および電子機器
JPH11265155A (ja) * 1998-03-18 1999-09-28 Toshiba Corp 平面型表示装置用基板
TW410478B (en) * 1998-05-29 2000-11-01 Lucent Technologies Inc Thin-film transistor monolithically integrated with an organic light-emitting diode
US6049106A (en) * 1999-01-14 2000-04-11 Micron Technology, Inc. Large grain single crystal vertical thin film polysilicon MOSFETs
US6228555B1 (en) * 1999-12-28 2001-05-08 3M Innovative Properties Company Thermal mass transfer donor element
KR100489873B1 (ko) * 1999-12-31 2005-05-17 엘지.필립스 엘시디 주식회사 액정표시장치 및 그의 제조방법
US20020115263A1 (en) * 2001-02-16 2002-08-22 Worth Thomas Michael Method and related apparatus of processing a substrate

Cited By (76)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002033464A (ja) * 2000-07-17 2002-01-31 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置の作製方法
JP2002031818A (ja) * 2000-07-17 2002-01-31 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置の作製方法
US10586816B2 (en) 2001-07-16 2020-03-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and peeling off method and method of manufacturing semiconductor device
US9608004B2 (en) 2001-07-16 2017-03-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and peeling off method and method of manufacturing semiconductor device
US8415208B2 (en) 2001-07-16 2013-04-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and peeling off method and method of manufacturing semiconductor device
US9202987B2 (en) 2001-07-16 2015-12-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and peeling off method and method of manufacturing semiconductor device
US8367440B2 (en) 2001-07-16 2013-02-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and peeling off method and method of manufacturing semiconductor device
US8390019B2 (en) 2001-07-27 2013-03-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device, semiconductor device, and method of fabricating the devices
US7045438B2 (en) 2001-07-27 2006-05-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device, semiconductor device, and method of fabricating the devices
US7534700B2 (en) 2001-07-27 2009-05-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of fabricating a semiconductor device having a film in contact with a debonded layer
US7180091B2 (en) 2001-08-01 2007-02-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
US7777409B2 (en) 2001-08-01 2010-08-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device including a flexible support
US7442957B2 (en) 2001-08-01 2008-10-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
US7361573B2 (en) 2001-08-10 2008-04-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of peeling off and method of manufacturing semiconductor device
US8674364B2 (en) 2001-08-22 2014-03-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Peeling method and method of manufacturing semiconductor device
US7351300B2 (en) 2001-08-22 2008-04-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Peeling method and method of manufacturing semiconductor device
US9281403B2 (en) 2001-08-22 2016-03-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Peeling method and method of manufacturing semiconductor device
US8338198B2 (en) 2001-08-22 2012-12-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of peeling thin film device and method of manufacturing semiconductor device using peeled thin film device
US9842994B2 (en) 2001-08-22 2017-12-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Peeling method and method of manufacturing semiconductor device
US9755148B2 (en) 2001-08-22 2017-09-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Peeling method and method of manufacturing semiconductor device
US7825002B2 (en) 2001-08-22 2010-11-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of peeling thin film device and method of manufacturing semiconductor device using peeled thin film device
US10529748B2 (en) 2001-08-22 2020-01-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Peeling method and method of manufacturing semiconductor device
US11296131B2 (en) 2001-08-22 2022-04-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Peeling method and method of manufacturing semiconductor device
US7483275B2 (en) 2001-10-18 2009-01-27 Polyic Gmbh & Co. Kg Electronic unit, circuit design for the same, and production method
US10607883B2 (en) 2001-10-30 2020-03-31 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method of manufacturing the same
US7648862B2 (en) 2001-10-30 2010-01-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method of manufacturing the same
US9620408B2 (en) 2001-10-30 2017-04-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method of manufacturing the same
US7994506B2 (en) 2001-10-30 2011-08-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method of manufacturing the same
US7332381B2 (en) 2001-10-30 2008-02-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method of manufacturing the same
US8980700B2 (en) 2001-10-30 2015-03-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method of manufacturing the same
US10325940B2 (en) 2001-11-30 2019-06-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Vehicle, display device and manufacturing method for a semiconductor device
US9493119B2 (en) 2001-11-30 2016-11-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Vehicle, display device and manufacturing method for a semiconductor device
US7335573B2 (en) 2001-11-30 2008-02-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Vehicle, display device and manufacturing method for a semiconductor device
US10629637B2 (en) 2001-11-30 2020-04-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Vehicle, display device and manufacturing method for a semiconductor device
US10957723B2 (en) 2001-11-30 2021-03-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Vehicle, display device and manufacturing method for a semiconductor device
JP2003208105A (ja) * 2002-01-10 2003-07-25 Matsushita Electric Ind Co Ltd 表示装置およびその製造方法
US9508620B2 (en) 2002-10-30 2016-11-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
US7547612B2 (en) 2002-10-30 2009-06-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
US9224667B2 (en) 2002-10-30 2015-12-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
US7923348B2 (en) 2002-10-30 2011-04-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
US9929190B2 (en) 2002-10-30 2018-03-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
US8415679B2 (en) 2002-10-30 2013-04-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
US8173520B2 (en) 2002-10-30 2012-05-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
US8012854B2 (en) 2002-10-30 2011-09-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
US7189631B2 (en) 2002-10-30 2007-03-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
JP2006522475A (ja) * 2003-04-02 2006-09-28 コーニンクレッカ　フィリップス　エレクトロニクス　エヌ　ヴィ 可撓性電子装置及び可撓性装置を製造する方法
US9362511B2 (en) 2003-04-02 2016-06-07 Samsung Electronics Co., Ltd. Method of manufacturing a flexible electronic device and flexible device
JP2005123290A (ja) * 2003-10-15 2005-05-12 Toppan Printing Co Ltd 薄膜トランジスタおよびその製造方法
JP2006049800A (ja) * 2004-03-10 2006-02-16 Seiko Epson Corp 薄膜デバイスの供給体、薄膜デバイスの供給体の製造方法、転写方法、半導体装置の製造方法及び電子機器
JP2004341557A (ja) * 2004-08-23 2004-12-02 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置の作製方法
US7812343B2 (en) 2005-04-15 2010-10-12 Polyic Gmbh & Co. Kg Multilayer composite body having an electronic function
US7940340B2 (en) 2005-07-04 2011-05-10 Polyic Gmbh & Co. Kg Multilayer body with electrically controllable optically active systems of layers
US7846838B2 (en) 2005-07-29 2010-12-07 Polyic Gmbh & Co. Kg Method for producing an electronic component
US7655948B2 (en) 2005-09-05 2010-02-02 Lg Display Co., Ltd. Light emitting display
US8315061B2 (en) 2005-09-16 2012-11-20 Polyic Gmbh & Co. Kg Electronic circuit with elongated strip layer and method for the manufacture of the same
JP2007251080A (ja) * 2006-03-20 2007-09-27 Fujifilm Corp プラスチック基板の固定方法、回路基板およびその製造方法
JP2009271236A (ja) * 2008-05-02 2009-11-19 Rohm Co Ltd 有機半導体装置の製造方法及び素子基板
JP2011014911A (ja) * 2009-07-03 2011-01-20 Qinghua Univ フレキシブル半導体素子の製造方法
JP2009260387A (ja) * 2009-08-04 2009-11-05 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 表示装置の作製方法及び電子書籍の作製方法
JP2009258758A (ja) * 2009-08-04 2009-11-05 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置の作製方法及び電子書籍の作製方法
US9377644B2 (en) 2011-03-25 2016-06-28 Sharp Kabushiki Kaisha Display device
WO2012132953A1 (ja) * 2011-03-25 2012-10-04 シャープ株式会社 表示装置
JP5318302B2 (ja) * 2011-03-25 2013-10-16 シャープ株式会社 表示装置
JP2012128450A (ja) * 2012-03-02 2012-07-05 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置の作製方法
JP2014071231A (ja) * 2012-09-28 2014-04-21 Toshiba Corp 表示装置の製造方法
JP2013051430A (ja) * 2012-10-24 2013-03-14 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 装置の作製方法
JP2013235276A (ja) * 2013-06-10 2013-11-21 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置の作製方法
JP2014211638A (ja) * 2014-05-22 2014-11-13 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
JP2015026079A (ja) * 2014-09-08 2015-02-05 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置の作製方法
JP2016058740A (ja) * 2015-10-26 2016-04-21 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
JP2017010943A (ja) * 2016-10-03 2017-01-12 株式会社半導体エネルギー研究所 電子機器の作製方法
JP2020502796A (ja) * 2016-12-16 2020-01-23 オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツングＯｓｒａｍ Ｏｐｔｏ Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒｓ ＧｍｂＨ 半導体構成素子を製造する方法
JP2017108147A (ja) * 2017-01-17 2017-06-15 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
JP2018064100A (ja) * 2017-11-09 2018-04-19 株式会社半導体エネルギー研究所 電子機器の作製方法
JP2018142721A (ja) * 2018-04-27 2018-09-13 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
JP2019035986A (ja) * 2018-11-22 2019-03-07 株式会社半導体エネルギー研究所 電子機器の作製方法

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Publication number Publication date
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