[go: up one dir, main page]

KR102126276B1 - 유기 발광 표시 장치 - Google Patents

유기 발광 표시 장치 Download PDF

Info

Publication number
KR102126276B1
KR102126276B1 KR1020130104095A KR20130104095A KR102126276B1 KR 102126276 B1 KR102126276 B1 KR 102126276B1 KR 1020130104095 A KR1020130104095 A KR 1020130104095A KR 20130104095 A KR20130104095 A KR 20130104095A KR 102126276 B1 KR102126276 B1 KR 102126276B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
substrate
light emitting
area
organic light
encapsulation
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
KR1020130104095A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20150025916A (ko
Inventor
김현영
박지용
조성호
조일용
Original Assignee
삼성디스플레이 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 삼성디스플레이 주식회사 filed Critical 삼성디스플레이 주식회사
Priority to KR1020130104095A priority Critical patent/KR102126276B1/ko
Priority to US14/291,096 priority patent/US9543542B2/en
Publication of KR20150025916A publication Critical patent/KR20150025916A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR102126276B1 publication Critical patent/KR102126276B1/ko
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B33/00—Electroluminescent light sources
    • H05B33/02—Details
    • H05B33/04—Sealing arrangements, e.g. against humidity
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80—Constructional details
    • H10K59/87—Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K59/871—Self-supporting sealing arrangements
    • H10K59/8722—Peripheral sealing arrangements, e.g. adhesives, sealants
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K50/842—Containers
    • H10K50/8426—Peripheral sealing arrangements, e.g. adhesives, sealants
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80—Constructional details
    • H10K59/87—Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K59/873—Encapsulations
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80—Constructional details
    • H10K59/88—Dummy elements, i.e. elements having non-functional features
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
    • H10K2102/301—Details of OLEDs
    • H10K2102/302—Details of OLEDs of OLED structures
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80—Constructional details
    • H10K59/87—Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K59/871—Self-supporting sealing arrangements

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)

Abstract

유기 발광 표시 장치가 제공된다. 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치는 화소 영역 및 화소 영역을 둘러싸는 봉지 영역을 포함하는 제1 기판, 화소 영역 상에 위치하는 유기 발광 소자, 봉지 영역 상에 위치하는 봉지제, 및 제1 기판 및 봉지제 사이에 개재되는 더미 금속을 포함하되, 봉지 영역은 제1 봉지 영역 및 제1 봉지 영역과 인접한 제2 봉지 영역을 포함하며, 더미 금속은 제1 봉지 영역 상에 위치한다.

Description

유기 발광 표시 장치 {Organic light emitting display}
본 발명은 유기 발광 표시 장치에 관한 것이다.
유기 발광 표시 장치(organic light emitting display device, OLED)는 애노드(anode) 전극과 캐소드(cathode) 전극으로부터 각기 제공되는 정공들과 전자들이 애노드 전극과 캐소드 전극 사이에 위치하는 유기층에서 결합하여 생성되는 광을 이용하여 영상, 문자 등의 정보를 나타낼 수 있는 표시 장치를 말한다.
이러한 유기 발광 표시 장치는 그 내부로 산소 및 수분이 침투함에 따라 표시 특성이 민감하게 변하는 문제가 있다. 따라서, 유기 발광 표시 장치의 내부로 산소 및 수분이 침투하는 것을 방지할 수 있는 봉지 기술이 필요하다. 이러한 봉지 기술의 일 예로, 글라스 프릿 등의 봉지제를 유기 발광 표시 장치의 상부 기판 및 하부 기판 사이에 개재하여, 유기 발광 표시 장치의 테두리를 봉지할 수 있다. 이에 따라, 산소 및 수분 등이 유기 발광 표시 장치의 내부의 유기 발광 소자 및 박막 트랜지스터 등으로 침투하는 것을 효과적으로 방지할 수 있다.
다만, 유기 발광 표시 장치의 상부 기판 및 하부 기판 사이에 글라스 프릿과 같은 봉지제만 개재할 경우, 유기 발광 표시 장치의 기계적 강도에 한계가 있을 수 있다.
이에, 봉지제 및 하부 기판 사이에 더미 금속을 추가적으로 개재하여, 유기 발광 표시 장치의 기계적 강도를 향상시킬 수 있다. 그러나, 이러한 더미 금속 상에 유기 발광 표시 장치의 안테나부가 형성된다면, 안테나부의 송수신 기능이 저하될 수 있다. 예를 들어, 안테나부가 기지국으로 보내는 신호 또는 기지국이 안테나부로 보내는 신호가 더미 금속에 의하여 일부 차단되어, 안테나부의 신호 처리 감도가 저하될 수 있다.
이에, 본 발명이 해결하고자 하는 과제는 안테나부의 송수신 감도가 향상됨과 동시에 일정한 기계적 강도가 보장되는 유기 발광 표시 장치를 제공하고자 하는 것이다.
본 발명의 과제들은 이상에서 언급한 기술적 과제로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 기술적 과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
상기 과제를 달성하기 위한 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치는 화소 영역 및 화소 영역을 둘러싸는 봉지 영역을 포함하는 제1 기판, 화소 영역 상에 위치하는 유기 발광 소자, 봉지 영역 상에 위치하는 봉지제, 및 제1 기판 및 봉지제 사이에 개재되는 더미 금속을 포함하되, 봉지 영역은 제1 봉지 영역 및 제1 봉지 영역과 인접한 제2 봉지 영역을 포함하며, 더미 금속은 제1 봉지 영역 상에 위치한다.
상기 제1 기판의 일 영역에서 제1 봉지 영역의 폭은 제1 기판의 나머지 영역에서 제1 봉지 영역의 폭과 상이할 수 있다.
상기 제1 봉지 영역은 제1 기판의 내측에 위치하고, 제2 봉지 영역은 제1 기판의 외측에 위치할 수 있다.
상기 제1 봉지 영역의 일부는 화소 영역 및 제2 봉지 영역 사이에 개재될 수 있다.
상기 더미 금속은 제2 봉지 영역 상에는 위치하지 않을 수 있다.
상기 제1 기판 및 봉지제 사이에 개재되는 적어도 하나의 절연층을 더 포함하되, 절연층은 적어도 하나의 개구부를 포함할 수 있다.
여기에서, 상기 개구부는, 제1 봉지 영역 상에 위치하는 복수의 제1 개구부, 및 제2 봉지 영역 상에 위치하는 복수의 제2 개구부를 포함하고, 제1 개구부 각각의 크기는 제2 개구부 각각의 크기와 상이할 수 있다.
아울러, 상기 제2 봉지 영역의 면적에 대한 제2 개구부의 측면의 면적의 비율은 제1 봉지 영역의 면적에 대한 제1 개구부의 측면의 면적의 비율과 상이할 수 있다.
상기 제1 기판 상에 위치하는 안테나부를 더 포함하되, 유기 발광 소자 및 봉지제는 제1 기판의 일면 상에 위치하고, 안테나부는 일면과 대향하는 제1 기판의 타면 상에 위치하며, 안테나부의 적어도 일부는 제2 봉지 영역 상에 위치할 수 있다.
여기에서, 상기 제1 봉지 영역은 안테나부를 둘러쌀 수 있다.
아울러, 상기 제1 봉지 영역 및 제2 봉지 영역의 경계선의 적어도 일부는 계단 형상을 가질 수 있다.
상기 제1 기판 상에 위치하고, 화소 영역 및 제1 봉지 영역 상에 위치하며, 도전성 물질로 이루어지는 지지층을 더 포함하되, 유기 발광 소자 및 봉지제는 제1 기판의 일면 상에 위치하고, 지지층은 일면과 대향하는 제1 기판의 타면 상에 위치할 수 있다.
여기에서, 상기 지지층은 제2 봉지 영역 상에는 위치하지 않을 수 있다.
상기 유기 발광 소자는, 제1 전극, 제1 전극 상에 위치하는 제2 전극, 및 제1 전극 및 제2 전극 사이에 개재되는 유기 발광층을 포함하되, 더미 금속은 제1 전극 및 제2 전극 중 어느 하나와 동일한 물질로 이루어질 수 있다.
상기 제1 기판의 화소 영역 상에 위치하는 박막 트랜지스터를 더 포함하되, 박막 트랜지스터는 게이트 전극, 소스 전극, 및 드레인 전극을 포함하고, 더미 금속은 게이트 전극, 소스 전극, 및 드레인 전극 중 적어도 어느 하나와 동일한 물질로 이루어질 수 있다.
상기 제1 기판과 대향하고, 봉지제에 의하여 제1 기판과 결합되는 제2 기판을 더 포함할 수 있다.
상기 과제를 달성하기 위한 본 발명의 다른 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치는 화소 영역 및 화소 영역을 둘러싸는 봉지 영역을 포함하는 기판, 화소 영역 상에 위치하는 유기 발광 소자, 봉지 영역 상에 위치하는 봉지제, 및 기판 및 봉지제 사이에 개재되는 더미 금속을 포함하되, 기판의 일 영역에서 더미 금속이 개재되는 영역의 폭은 기판의 나머지 영역에서 더미 금속이 개재되는 영역의 폭보다 좁다.
상기 기판 상에 위치하는 안테나부를 더 포함하되, 유기 발광 소자 및 봉지제는 기판의 일면 상에 위치하고, 안테나부는 일면과 대향하는 기판의 타면 상에 위치하고, 더미 금속과 중첩하지 않을 수 있다.
상기 과제를 달성하기 위한 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치는 기판, 기판의 일면 상에 위치하는 유기 발광 소자, 기판의 일면 상에 위치하고, 유기 발광 소자를 둘러싸는 봉지제, 기판 및 봉지제 사이에 개재되는 더미 금속, 및 기판의 일면과 대향하는 기판의 타면 상에 위치하고, 더미 금속과 중첩하지 않는 안테나부를 포함한다.
상기 기판 및 봉지제 사이에 개재되는 적어도 하나의 절연층을 더 포함하되, 절연층은 적어도 하나의 개구부를 포함하고, 안테나부의 적어도 일부는 개구부와 중첩할 수 있다.
본 발명의 실시예들에 의하면 적어도 다음과 같은 효과가 있다.
즉, 유기 발광 표시 장치의 일정한 기계적 강도를 보장하면서, 안테나부의 송수신 감도를 향상시킬 수 있다.
본 발명에 따른 효과는 이상에서 예시된 내용에 의해 제한되지 않으며, 더욱 다양한 효과들이 본 명세서 내에 포함되어 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 평면도이다.
도 2는 도 1의 유기 발광 표시 장치의 부분 확대도이다.
도 3은 도 2의 Ⅲ-Ⅲ'선을 따라 절단한 단면도이다.
도 4는 도 2의 Ⅳ-Ⅳ'선을 따라 절단한 단면도이다.
도 5 및 도 6은 본 발명의 다른 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 단면도이다.
도 7 및 도 8은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 단면도이다.
도 9 내지 도 11은 각각 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 평면도이다.
본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다.
소자(elements) 또는 층이 다른 소자 또는 층"위(on)"로 지칭되는 것은 다른 소자 바로 위에 또는 중간에 다른 층 또는 다른 소자를 개재한 경우를 모두 포함한다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다.
비록 제1, 제2 등이 다양한 구성요소들을 서술하기 위해서 사용되나, 이들 구성요소들은 이들 용어에 의해 제한되지 않음은 물론이다. 이들 용어들은 단지 하나의 구성요소를 다른 구성요소와 구별하기 위하여 사용하는 것이다. 따라서, 이하에서 언급되는 제1 구성요소는 본 발명의 기술적 사상 내에서 제2 구성요소일 수도 있음은 물론이다.
이하, 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들에 대하여 설명한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 평면도이다. 도 2는 도 1의 유기 발광 표시 장치의 부분 확대도이다. 도 3은 도 2의 Ⅲ-Ⅲ'선을 따라 절단한 단면도이다. 도 4는 도 2의 Ⅳ-Ⅳ'선을 따라 절단한 단면도이다.
도 1 내지 도 4를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치는 제1 기판(100), 버퍼층(120), 반도체 패턴(140), 게이트 절연막(160), 게이트 전극(180), 층간 절연막(200), 콘택홀(220), 소스 전극(240), 드레인 전극(260), 중간막(280), 평탄화막(300), 비아홀(320), 제1 전극(340), 화소 정의막(360), 유기 발광층(380), 제2 전극(400), 덮개층(420), 제2 기판(440), 봉지제(460), 접착층(480), 윈도우(500), 지지층(520), 안테나부(540), 더미 금속(560), 및 개구부(580)를 포함할 수 있다.
본 명세서에서는 "유기 발광 표시 장치"를 예로 하여 설명하지만, 이에 한정되는 것은 아니다. 즉, 유기 발광 표시 장치 외에 액정 표시 장치(Liquid Crystal Display), 전기 영동 표시 장치(Electrophoretic Display), 유기 발광 표시 장치(Organic Light Emitting Display), FED 표시 장치(Field Emission Display), SED 표시 장치(Surface-conduction Electron-emitter Display), 플라즈마 표시 장치(Plasma Display), 음극선관 표시 장치(Cathode Ray Tube Display) 등이 사용될 수 있다.
제1 기판(100)은 직육면체의 플레이트 형상일 수 있다. 제1 기판(100)의 일면은 평평할 수 있고, 상기 평평한 일면 상에 표시 장치를 이루는 다양한 구조물들이 형성될 수 있다.
제1 기판(100)은 투명 절연 기판을 포함할 수 있다. 예를 들면, 제1 기판(100)은 유리 기판, 석영 기판, 투명 수지 기판 등으로 이루어질 수 있다. 또한, 제1 기판(100)은 고내열성을 갖는 고분자를 포함할 수 있다. 예컨대, 제1 기판(100)은, 폴리에테르술폰(PES, polyethersulphone), 폴리아크릴레이트(PAR, polyacrylate), 폴리에테르 이미드(PEI, polyetherimide), 폴리에틸렌 나프탈레이트(PEN, polyethyelenen napthalate), 폴리에틸렌 테레프탈레이드(PET, polyethyeleneterepthalate), 폴리페닐렌설파이드(polyphenylene sulfide: PPS), 폴리아릴레이트(polyallylate), 폴리이미드(polyimide: PI), 폴리카보네이트(PC), 셀룰로오스 트리 아세테이트(cellulose triacetate), 셀룰로오스 아세테이트 프로피오네이트(cellulose acetate propionate: CAP), 폴리아릴렌에테르 술폰(poly(aryleneether sulfone)) 및 이들의 조합으로 이루어진 그룹에서 선택된 어느 하나를 포함할 수 있다.
제1 기판(100)은 가요성을 가질 수 있다. 즉, 제1 기판(100)은 롤링(rolling), 폴딩(folding), 벤딩(bending) 등으로 형태 변형이 가능한 기판일 수 있다.
제1 기판(100)은 화소 영역(10) 및 봉지 영역(20)을 포함할 수 있다.
화소 영역(10)은 유기 발광 표시 장치를 실질적으로 구동하는 다양한 소자들, 예컨대, 유기 발광 소자 및 박막 트랜지스터 등이 위치한 영역일 수 있다. 또한, 화소 영역(10)은 화상이 표시되는 영역일 수 있다. 또한, 화소 영역(10)은 제1 기판(100)의 중심부에 위치한 영역일 수 있다.
봉지 영역(20)은 상기 유기 발광 표시 장치를 실질적으로 구동하는 다양한 소자들을 봉지하기 위한 봉지제(460)가 위치한 영역일 수 있다. 또한, 봉지 영역(20)은 제1 기판(100)의 에지와 인접한 영역일 수 있다. 즉, 봉지 영역(20)은 제1 기판(100)의 가장자리부에 위치한 영역일 수 있다. 또한, 봉지 영역(20)은 화소 영역(10)을 둘러쌀 수 있다. 예시적인 실시예에서, 봉지 영역(20)은 화소 영역(10)을 모두 둘러싸는 사각형 또는 원형의 도넛 형상일 수 있다.
봉지 영역(20)은 제1 봉지 영역(20a) 및 제2 봉지 영역(20b)을 포함할 수 있다.
제1 봉지 영역(20a)은 더미 금속(560)이 위치하는 영역일 수 있다. 또한, 제1 봉지 영역(20a)은 제1 기판(100)의 내측에 위치할 수 있다. 또한, 제1 봉지 영역(20a)의 일부는 화소 영역(10) 및 제2 봉지 영역(20b) 사이에 개재될 수 있다. 또한, 제1 봉지 영역(20a)의 폭은 가변적일 수 있다. 예시적인 실시예에서, 제1 기판(100)의 일 영역에서 제1 봉지 영역(20a)의 폭은 제1 기판(100)의 나머지 영역에서 제1 봉지 영역(20a)의 폭과 상이할 수 있다. 예를 들어, 제1 기판(100)의 일 영역에서 제1 봉지 영역(20a)의 폭은 제1 기판(100)의 나머지 영역에서 제1 봉지 영역(20a)의 폭보다 좁을 수 있다. 도 1에 도시된 예시적인 실시예에서, 제1 기판(100)의 일 변에 인접한 제1 봉지 영역(20a)의 폭은 제1 기판(100)의 나머지 변들에 인접한 제1 봉지 영역(20a)의 폭보다 좁을 수 있다. 여기에서, 폭이 좁은 제1 봉지 영역(20a)은 안테나부(540)와 인접하되, 안테나부(540)와 중첩하지는 않을 수 있다.
제2 봉지 영역(20b)은 제1 봉지 영역(20a)과 인접할 수 있다. 또한, 제2 봉지 영역(20b)은 더미 금속(560)이 위치하지 않는 영역일 수 있다. 또한, 제2 봉지 영역(20b)은 제1 기판(100)의 외측에 위치할 수 있다. 또한, 제2 봉지 영역(20b)은 제1 기판(100)의 내측에는 위치하지 않을 수 있다. 또한, 제2 봉지 영역(20b)은 안테나부(540)의 적어도 일부와 중첩할 수 있다.
이하, 도 2를 참조하여, 화소 영역(10) 및 봉지 영역(20)의 배치 관계에 대하여 설명하도록 한다. 후술하는 d100, d200, d210, d220, d221, d222, d300, d400, d410, d500은 모두 특정한 거리(distance)를 의미하는 것일 수 있다.
봉지 영역(20)의 폭은 제1 기판(100)의 에지와 봉지 영역(20) 사이의 이격 거리 및 화소 영역(10)과 봉지 영역(20) 사이의 이격 거리보다 클 수 있다. 도 2에서, 봉지 영역(20)의 폭은 d200이다. 이러한 봉지 영역(20)은 제1 기판(100)의 에지와 d100만큼 이격될 수 있고, 화소 영역(10)과 d300만큼 이격될 수 있다. 예시적인 실시예에서, d200은 d100의 약 3배일 수 있고, d300은 d100과 실질적으로 동일할 수 있다. 예를 들어, d200은 700㎛일 수 있고, d100 및 d300은 모두 250㎛일 수 있다.
안테나부(540)와 인접한 제1 봉지 영역(20a)의 폭은 안테나부(540)의 적어도 일부와 중첩하는 제2 봉지 영역(20b)의 폭보다 좁을 수 있다. 도 2에서, 제1 기판(100)의 내측에 위치하는 제1 봉지 영역(20a)의 폭은 d210이고, 제1 기판(100)의 외측에 위치하는 제2 봉지 영역(20b)의 폭은 d220이다. 예시적인 실시예에서, d210은 d200의 2/7일 수 있고, d220은 d200의 5/7일 수 있다. 예를 들어, d210은 200㎛일 수 있고, d220은 500㎛일 수 있다.
제1 봉지 영역(20a)과 안테나부(540) 사이의 이격 거리는 제2 봉지 영역(20b)과 중첩한 안테나부(540)의 폭보다 작을 수 있다. 도 2에서, 제1 봉지 영역(20a)과 안테나부(540) 사이의 이격 거리는 d221이고, 제2 봉지 영역(20b)과 중첩한 안테나부(540)의 폭은 d222이다. 예시적인 실시예에서, d221은 d222보다 작을 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니고, d221은 d222와 실질적으로 동일할 수도 있다.
세로 방향의 안테나부(540)의 폭은 안테나부(540)와 제1 기판(100)의 에지 사이의 이격 거리보다 클 수 있다. 도 2에서, 세로 방향의 안테나부(540)의 폭은 d400이고, 안테나부(540)와 제1 기판(100)의 에지 사이의 이격 거리는 d500이다. 예시적인 실시예에서, d400은 d500의 2배 내지 5배일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 예를 들어, d400은 500㎛일 수 있다. 다른 예시적인 실시예에서, d500은 0일 수 있다. 즉, 안테나부(540)의 에지는 제1 기판(100)의 에지와 동일 평면 상에 위치할 수 있다. 또한, 도 2에서 안테나부(540)가 제2 봉지 영역(20b)으로부터 돌출된 거리는 d410이고, d410은 예를 들어 250㎛일 수 있다.
버퍼층(120)은 제1 기판(100) 상에 위치할 수 있다. 또한, 버퍼층(120)은 제1 기판(100)의 화소 영역(10) 및 봉지 영역(20) 상에 위치할 수 있다. 화소 영역(10) 상에 위치하는 버퍼층(120)은 패터닝되지 않을 수 있지만, 봉지 영역(20) 상에 위치하는 버퍼층(120)은 패터닝될 수 있다. 예를 들어, 봉지 영역(20) 상에 위치하는 버퍼층(120)에는 후술하는 게이트 절연막(160) 및 층간 절연막(200)과 같이 홀이 형성될 수 있다. 버퍼층(120)은 제1 기판(100)으로부터 금속 원자들, 불순물들 등이 확산되는 현상을 방지하는 기능을 수행할 수 있다. 또한, 버퍼층(120)은 제1 기판(100)의 표면이 균일하지 않을 경우, 제1 기판(100)의 표면의 평탄도를 향상시키는 역할도 수행할 수 있다. 이러한 버퍼층(120)은 실리콘 화합물로 이루어질 수 있다. 예를 들면, 버퍼층(120)은 실리콘 산화물, 실리콘 질화물, 실리콘 산질화물, 실리콘 산탄화물, 실리콘 탄질화물 등을 포함할 수 있다. 이들은 단독으로 또는 서로 조합되어 사용될 수 있다. 다른 예시적인 실시예들에 있어서, 버퍼층(120)은 실리콘 화합물을 포함하는 단층 구조 또는 다층 구조를 가질 수 있다. 예를 들면, 버퍼층(120)은 실리콘 산화막, 실리콘 질화막, 실리콘 산질화막, 실리콘 산탄화막 및/또는 실리콘 탄질화막을 포함할 수 있다. 이러한 버퍼층(120)은 제1 기판(100)의 표면 평탄도, 구성 물질 등에 따라 생략될 수도 있다.
반도체 패턴(140)은 버퍼층(120) 상에 형성될 수 있다. 또한, 반도체 패턴(140)은 제1 기판(100)의 화소 영역(10) 상에 위치할 수 있다. 반도체 패턴(140)은 비정질 반도체, 미세결정 반도체, 또는 다결정 반도체로 이루어질 수 있으며, 바람직하게는 다결정 반도체로 이루어질 수 있다. 또한, 반도체 패턴(140)은 산화물 반도체로 이루어질 수도 있다. 또한, 반도체 패턴(140)은 불순물이 도핑되지 않은 채널부와, 채널부의 양 옆으로 p+ 도핑되어 형성된 소스부 및 드레인부를 포함할 수 있다. 이때, 도핑되는 이온 물질은 붕소(B)와 같은 P형 불순물로서, 예컨대 B2H6 등이 사용될 수 있다. 여기서, 이러한 불순물은 박막 트랜지스터의 종류에 따라 달라질 수 있다.
게이트 절연막(160)은 버퍼층(120) 상에 반도체 패턴(140)을 커버하도록 형성될 수 있다. 게이트 절연막(160)은 제1 기판(100)의 화소 영역(10) 및 봉지 영역(20) 상에 위치할 수 있다. 화소 영역(10) 상에 위치하는 게이트 절연막(160)은 패터닝되지 않을 수 있지만, 봉지 영역(20) 상에 위치하는 게이트 절연막(160)은 패터닝될 수 있다. 예를 들어, 봉지 영역(20) 상에 위치하는 게이트 절연막(160)에는 전술한 버퍼층(120) 및 후술하는 층간 절연막(200)과 같이 홀이 형성될 수 있다. 게이트 절연막(160)은 실리콘 산화물(SiOx), 실리콘 질화물(SiNx), 또는 금속 산화물 등으로 이루어질 수 있다. 게이트 절연막(160)에 사용될 수 있는 금속 산화물은, 하프늄 산화물(HfOx), 알루미늄 산화물(AlOx) 지르코늄 산화물(ZrOx), 티타늄 산화물(TiOx), 탄탈륨 산화물(TaOx) 등을 포함할 수 있다. 이들은 단독으로 또는 서로 조합되어 사용될 수 있다. 게이트 절연막(160)은 반도체 패턴(140)의 프로파일(profile)을 따라 버퍼층(120) 상에 실질적으로 균일하게 형성될 수 있다. 게이트 절연막(160)은 상대적으로 얇은 두께를 가질 수 있으며, 게이트 절연막(160)에는 반도체 패턴(140)에 인접하는 단차부가 생성될 수 있다. 다른 예시적인 실시예들에 따르면, 게이트 절연막(160)은 반도체 패턴(140)을 충분히 커버하면서 실질적으로 평탄한 상면을 가질 수 있다. 이 경우, 게이트 절연막(160)은 상대적으로 두꺼운 두께를 가질 수 있다.
게이트 전극(180)은 게이트 절연막(160) 상에 형성될 수 있다. 게이트 전극(180)은 제1 기판(100)의 화소 영역(10) 상에 위치할 수 있다. 게이트 전극(180)은 게이트 절연막(160) 중에서 아래에 반도체 패턴(140)이 위치하는 부분 상에 형성될 수 있다. 게이트 전극(180)은 금속, 합금, 금속 질화물, 도전성 금속 산화물, 투명 도전성 물질 등을 포함할 수 있다. 예를 들면, 게이트 전극(180)은 알루미늄(Al), 알루미늄을 함유하는 합금, 알루미늄 질화물(AlNx), 은(Ag), 은을 함유하는 합금, 텅스텐(W), 텅스텐 질화물(WNx), 구리(Cu), 구리를 함유하는 합금, 니켈(Ni), 크롬(Cr), 크롬 질화물(CrOx), 몰리브데늄(Mo), 몰리브데늄을 함유하는 합금, 티타늄(Ti), 티타늄 질화물(TiNx), 백금(Pt), 탄탈륨(Ta), 탄탈륨 질화물(TaNx), 네오디뮴(Nd), 스칸듐(Sc), 스트론튬 루테늄 산화물(SrRuxOy), 아연 산화물(ZnOx), 인듐 주석 산화물(ITO), 주석 산화물(SnOx), 인듐 산화물(InOx), 갈륨 산화물(GaOx), 인듐 아연 산화물(IZO) 등을 포함할 수 있다. 이들은 단독으로 또는 서로 조합되어 사용될 수 있다. 예시적인 실시예들에 따르면, 게이트 전극(180)은 상술한 금속, 합금, 금속 질화물, 도전성 금속 산화물 또는 투명 도전성 물질로 이루어진 단층 구조를 가질 수 있다. 이와는 달리, 게이트 전극(180)은 전술한 금속, 합금, 금속 질화물, 도전성 금속 산화물 및/또는 투명 도전성 물질로 구성된 다층 구조로 형성될 수도 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 게이트 전극(180)은 반도체 패턴(140)에 비하여 실질적으로 작은 폭을 가질 수 있다. 예를 들면, 게이트 전극(180)은 채널부와 실질적으로 동일하거나 실질적으로 유사한 폭을 가질 수 있다. 또한, 게이트 전극(180)과 채널부는 서로 중첩될 수 있다. 그러나, 게이트 전극(180)의 치수 및/또는 채널부의 치수는 이들을 포함하는 스위칭 소자에 요구되는 전기적인 특성에 따라 변화될 수 있다.
층간 절연막(200)은 게이트 절연막(160) 상에 게이트 전극(180)을 덮도록 형성될 수 있다. 층간 절연막(200)은 제1 기판(100)의 화소 영역(10) 및 봉지 영역(20) 상에 형성될 수 있다. 화소 영역(10) 상에 위치하는 층간 절연막(200)은 패터닝되지 않을 수 있지만, 봉지 영역(20) 상에 위치하는 층간 절연막(200)은 패터닝될 수 있다. 예를 들어, 봉지 영역(20) 상에 위치하는 층간 절연막(200)에는 전술한 버퍼층(120) 및 게이트 절연막(160)과 같이 홀이 형성될 수 있다. 여기에서, 버퍼층(120)에 형성된 홀, 게이트 절연막(160)에 형성된 홀, 및 층간 절연막(200)에 형성된 홀은 모두 중첩되어 개구부(580)를 형성할 수 있다. 층간 절연막(200)은 게이트 전극(180)의 프로파일을 따라 게이트 절연막(160) 상에 실질적으로 균일한 두께로 형성될 수 있다. 따라서, 층간 절연막(200)에는 게이트 전극(180)에 인접하는 단차부가 생성될 수 있다. 층간 절연막(200)은 실리콘 화합물로 이루어질 수 있다. 예를 들면, 층간 절연막(200)은 실리콘 산화물, 실리콘 질화물, 실리콘 산질화물, 실리콘 탄질화물, 실리콘 산탄화물 등을 포함할 수 있다. 이들은 단독으로 또는 서로 조합되어 사용될 수 있다. 또한, 층간 절연막(200)은 전술한 실리콘 산화물, 실리콘 질화물, 실리콘 산질화물, 실리콘 탄질화물, 실리콘 산탄화물 등을 포함하는 단층 구조 또는 다층 구조를 가질 수 있다. 또한, 층간 절연막(200)은 상술한 게이트 절연막(160)과 실질적으로 동일한 물질로 이루어질 수 있다. 이러한 층간 절연막(200)은 후속하여 형성되는 소스 전극(240)과 드레인 전극(260)으로부터 게이트 전극(180)을 절연시키는 역할을 수행할 수 있다.
층간 절연막(200)은 반도체 패턴(140)의 일부를 노출시키는 콘택홀(220)을 포함할 수 있다. 콘택홀(220)은 제1 기판(100)의 화소 영역(10) 상에 형성될 수 있다. 예시적인 실시예에서, 콘택홀(220)은 반도체 패턴(140)의 소스부 및 드레인부를 노출시킬 수 있다. 도 1에 도시된 예시적인 실시예와 같이, 반도체 패턴(140) 상에 게이트 절연막(160)이 위치할 경우, 콘택홀(220)은 게이트 절연막(160)을 관통하도록 형성될 수 있다. 콘택홀(220)은 기판의 일면에 수직인 방향으로 연장되어 형성될 수 있다. 또한, 이러한 콘택홀(220)은 개구부(580)와 동시에 형성될 수 있다.
소스 전극(240)과 드레인 전극(260)은 층간 절연막(200) 상에 형성될 수 있다. 구체적으로, 소스 전극(240)과 드레인 전극(260)은 콘택홀(220)에 삽입될 수 있다. 즉, 소스 전극(240)과 드레인 전극(260)은 제1 기판(100)의 화소 영역(10) 상에 형성될 수 있다. 소스 전극(240) 및 드레인 전극(260)은 게이트 전극(180)을 중심으로 소정의 간격으로 이격되며, 게이트 전극(180)에 인접하여 배치될 수 있다. 예를 들면, 소스 전극(240) 및 드레인 전극(260)은 층간 절연막(200) 및 게이트 절연막(160)을 관통하여 반도체 패턴(140)의 소스부 및 드레인부에 각기 접촉될 수 있다. 소스 전극(240) 및 드레인 전극(260)은 각기 금속, 합금, 금속 질화물, 도전성 금속 산화물, 투명 도전성 물질 등을 포함할 수 있다. 예를 들면, 소스 전극(240) 및 드레인 전극(260)은 각기 알루미늄, 알루미늄을 함유하는 합금, 알루미늄 질화물, 은, 은을 함유하는 합금, 텅스텐, 텅스텐 질화물, 구리, 구리를 함유하는 합금, 니켈, 크롬, 크롬 질화물, 몰리브데늄, 몰리브데늄을 함유하는 합금, 티타늄, 티타늄 질화물, 백금, 탄탈륨, 탄탈륨 질화물, 네오디뮴, 스칸듐, 스트론튬 루테늄 산화물, 아연 산화물, 인듐 주석 산화물, 주석 산화물, 인듐 산화물, 갈륨 산화물, 인듐 아연 산화물 등으로 이루어질 수 있다. 이들은 단독으로 또는 서로 조합되어 사용될 수 있다. 한편, 소스 전극(240) 및 드레인 전극(260)은 각기 전술한 금속, 합금, 금속 질화물, 도전성 금속 산화물, 투명 도전성 물질 등으로 이루어진 단층 구조 또는 다층 구조를 가질 수 있다. 층간 절연막(200) 상에 소스 전극(240) 및 드레인 전극(260)이 형성됨에 따라, 제1 기판(100) 상에는 유기 발광 표시 장치의 스위칭 소자로서 반도체 패턴(140), 게이트 절연막(160), 게이트 전극(180), 소스 전극(240), 및 드레인 전극(260)을 포함하는 박막 트랜지스터가 제공될 수 있다. 상술한 바와 같이, 박막 트랜지스터는 탑 게이트 방식의 박막 트랜지스터일 수 있지만, 이에 한정되는 것은 아니고, 바텀 게이트 방식의 박막 트랜지스터 등일 수도 있다.
중간막(280)은 소스 전극(240) 및 드레인 전극(260) 상에 형성될 수 있다. 즉, 중간막(280)은 층간 절연막(200) 상에 소스 전극(240) 및 드레인 전극(260)을 커버하도록 형성될 수 있다. 중간막(280)은 제1 기판(100)의 화소 영역(10) 상에 형성될 수 있다. 중간막(280)은 소스 전극(240) 및 드레인 전극(260)을 완전하게 덮을 수 있는 충분한 두께를 가질 수 있다. 중간막(280)은 유기 물질 또는 무기 물질 등을 사용하여 형성될 수 있다. 예를 들면, 중간막(280)은 포토레지스트, 아크릴계 폴리머, 폴리이미드계 폴리머, 폴리아미드계 폴리머, 실록산계 폴리머, 감광성 아크릴 카르복실기를 포함하는 폴리머, 노볼락 수지, 알칼리 가용성 수지, 실리콘 산화물, 실리콘 질화물, 실리콘 산질화물, 실리콘 산탄화물, 실리콘 탄질화물, 알루미늄, 마그네슘, 아연, 하프늄, 지르코늄, 티타늄, 탄탈륨, 알루미늄 산화물, 티타늄 산화물, 탄탈륨 산화물, 마그네슘 산화물, 아연 산화물, 하프늄 산화물, 지르코늄 산화물, 티타늄 산화물 등을 포함할 수 있다. 이들은 단독으로 또는 서로 조합되어 사용될 수 있다. 다른 예시적인 실시예들에 따르면, 후속하여 형성되는 평탄화막(300)의 구성 물질, 치수 등에 따라 박막 트랜지스터를 커버하는 중간막(280)이 제공되지 않을 수도 있다.
평탄화막(300)은 중간막(280) 상에 형성될 수 있다. 평탄화막(300)은 제1 기판(100)의 화소 영역(10) 상에 형성될 수 있다. 평탄화막(300)의 표면은 평평할 수 있다. 즉, 평탄화막(300)은 충분히 두껍게 형성되어, 화소가 위치하는 일면을 평탄하게 할 수 있다. 평탄화막(300)은 절연성 물질로 이루어질 수 있다. 또한, 평탄화막(300)은 유기 물질, 예컨대, 폴리 이미드로 이루어질 수 있다. 또한, 평탄화막(300)은 단층 구조로 형성될 수 있지만, 적어도 두 개 이상의 절연막들을 포함하는 다층 구조로 형성될 수도 있다.
평탄화막(300)은 드레인 전극(260)의 일부를 노출시키는 비아홀(320)을 포함할 수 있다. 예시적인 실시예에서, 비아홀(320)은 드레인 전극(260)의 중심부를 노출시킬 수 있다. 비아홀(320)은 기판의 일면에 수직인 방향으로 연장되어 형성될 수 있다.
제1 전극(340)은 평탄화막(300) 상에 위치할 수 있다. 제1 전극(340)은 제1 기판(100)의 화소 영역(10) 상에 형성될 수 있다. 제1 전극(340)은 비아홀(320)에 삽입되어 드레인 전극(260)과 전기적으로 연결될 수 있다. 제1 전극(340)은 애노드(anode) 전극 또는 캐소드(cathode) 전극일 수 있다. 제1 전극(340)이 애노드 전극일 경우, 제2 전극(400)은 캐소드 전극이 되며, 이하에서는 이와 같이 가정하고 실시예들이 예시적으로 설명된다. 다만, 제1 전극(340)이 캐소드 전극이고, 제2 전극(400)이 애노드 전극일 수도 있다.
제1 전극(340)이 애노드 전극으로 사용될 경우, 제1 전극(340)은 일함수가 높은 도전성 물질로 이루어질 수 있다. 유기 발광 표시 장치가 배면 발광형 표시 장치일 경우, 제1 전극(340)은 ITO, IZO, ZnO, 또는 In2O3 등의 물질이나, 이들의 적층막으로 형성될 수 있다. 유기 발광 표시 장치가 전면 발광형 표시 장치일 경우, 제1 전극(340)은 Ag, Mg, Al, Pt, Pd, Au, Ni, Nd, Ir, Cr, Li, 또는 Ca 등으로 형성된 반사막을 더 포함할 수 있다. 제1 전극(340)은 이들 중 서로 다른 2 이상의 물질을 이용하여 2층 이상의 구조를 가질 수 있는 등의 다양한 변형이 가능하다.
화소 정의막(360)은 제1 전극(340) 상에 형성될 수 있다. 화소 정의막(360)은 제1 기판(100)의 화소 영역(10) 상에 형성될 수 있다. 화소 정의막(360)은 제1 전극(340)의 일부 영역들을 노출시킬 수 있다. 화소 정의막(360)은 벤조사이클로부텐(Benzo Cyclo Butene, BCB), 폴리이미드(polyimide, PI), 폴리아마이드(poly amaide, PA), 아크릴 수지 및 페놀수지 등으로부터 선택된 적어도 하나의 유기 물질을 포함하여 이루어지거나, 실리콘 질화물 등과 같은 무기 물질을 포함하여 이루어질 수도 있다. 화소 정의막(360)은 또한 검정색 안료를 포함하는 감광제로 이루어질 수 있는데, 이 경우 화소 정의막(360)은 차광 부재의 역할을 할 수 있다.
유기 발광층(380)은 제1 전극(340) 상에 형성된다. 유기 발광층(380)은 제1 기판(100)의 화소 영역(10) 상에 형성될 수 있다. 유기 발광층(380)에 전류가 인가되면, 유기 발광층(380) 내의 전자와 정공이 재결합(recombination)하여 여기자(exciton)을 형성하고, 형성된 여기자로부터의 에너지에 의해 특정한 파장의 빛이 발생한다.
유기 발광층(380)은 저분자 유기물 또는 고분자 유기물로 이루어질 수 있다. 이러한 유기 발광층(380)은 정공 주입층(hole-injection layer, HIL), 정공 수송층(hole-transporting layer, HTL), 정공 저지층(hole blocking layer, HBL), 발광층(Emitting layer, EML), 전자 수송층(electron-transporting layer, ETL), 전자 주입층(electron-injection layer, EIL) 및 전자 저지층(electron blocking layer, EBL) 등을 포함할 수 있다.
제2 전극(400)은 유기 발광층(380) 상에 형성될 수 있다. 제2 전극(400)은 제1 기판(100)의 화소 영역(10) 상에 형성될 수 있다. 제2 전극(400)이 캐소드 전극으로 사용될 경우, 제2 전극(400)은 일함수가 낮은 도전성 물질로 이루어질 수 있다. 예시적인 실시예에서, 제2 전극(400)은 Ag, Mg, Al, Pt, Pd, Au, Ni, Nd, Ir, Cr, Li, 또는 Ca 등으로 형성될 수 있다. 유기 발광층(380) 상에 제2 전극(400)이 형성됨에 따라, 제1 기판(100) 상에는 유기 발광 표시 장치의 표시 소자로서 제1 전극(340), 유기 발광층(380), 및 제2 전극(400)을 포함하는 유기 발광 소자가 제공될 수 있다.
덮개층(420)은 제2 전극(400) 상에 형성될 수 있다. 덮개층(420)은 제1 기판(100)의 화소 영역(10) 상에 형성될 수 있다. 예시적인 실시예에서, 덮개층(420)은 제2 전극(400) 및 층간 절연막(200)의 상면과 제2 전극(400), 화소 정의막(360), 평탄화막(300), 및 중간막(280)의 측면과 직접적으로 접촉할 수 있다. 이러한 덮개층(420)은 외부의 수분이나 산소로부터 유기 발광 소자를 보호하여 유기 발광 소자의 열화를 방지하는 역할을 할 수 있다.
덮개층(420)은 유기막, 무기막 또는 이들의 다중층일 수 있다. 상기 무기막은 절연막인 실리콘 산화막(SiOx), 실리콘 질화막(SiNx) 또는 실리콘 산화질화막(SiOxNy)일 수 있으며, 또한, 상기 무기막은 LiF 막일 수 있다. 한편, 상기 유기막은 NPB(N,N'-Bis(naphthalen-1-yl)-N,N'-bis(phenyl)benzidine),TNATA, TCTA, TDAPB, TDATA, Alq3, Balq 또는 CBP를 함유하는 막일 수 있다. 덮개층(420)은 증발법, CVD 또는 스퍼터링법을 사용하여 형성할 수 있다.
제2 기판(440)은 덮개층(420) 상에 위치할 수 있다. 제2 기판(440)은 덮개층(420)과 일정 거리 이격되어 있을 수 있다. 제2 기판(440)과 덮개층(420) 사이에는 질소 등이 충진되어 있을 수 있다. 제2 기판(440)은 제1 기판(100)과 대향할 수 있다. 제2 기판(440)은 제1 기판(100)의 화소 영역(10) 및 봉지 영역(20)을 모두 커버하도록 위치할 수 있다. 제2 기판(440)은 봉지제(460)와 함께 유기 발광 소자 및 박막 트랜지스터 등을 봉지할 수 있다.
제2 기판(440)은 투명한 절연 유리 또는 플라스틱일 수 있지만, 이에 한정되는 것은 아니고, 외부 물질을 차단할 수 있는 다양한 물질로 이루어질 수 있다. 예시적인 실시예에서, 제2 기판(440)은 제1 기판(100)과 동일한 물질로 이루어질 수 있다.
봉지제(460)는 제1 기판(100) 및 제2 기판(440) 사이에 개재될 수 있다. 또한, 봉지제(460)는 제1 기판(100) 및 제2 기판(440)의 가장자리부에 위치할 수 있다. 예시적인 실시예에서, 봉지제(460)는 제1 기판(100)의 봉지 영역(20) 상에 위치할 수 있다. 또한, 봉지제(460)는 제1 기판(100)의 화소 영역(10) 상에는 존재하지 않을 수 있다. 이러한 봉지제(460)는 제1 기판(100), 버퍼층(120), 게이트 절연막(160), 및/또는 층간 절연막(200)과 접촉할 수 있지만, 이에 한정되는 것은 아니고, 더미 금속(560)과도 접촉할 수도 있다. 이와 같은 봉지제(460)는 유기 발광 소자 및 박막 트랜지스터 등을 봉지할 수 있다. 즉, 봉지제(460)는 산소 및 수분 등이 유기 발광 소자 및 박막 트랜지스터 등으로 침투하는 것을 효과적으로 방지할 수 있다.
접착층(480)은 제2 기판(440) 상에 위치할 수 있다. 구체적으로, 접착층(480)은 유기 발광 소자와 대향하지 않는 제2 기판(440)의 일면 상에 위치할 수 있다. 접착층(480)은 상기 제2 기판(440)의 일면을 모두 커버할 수 있다. 접착층(480)은 투명한 접착 물질로 이루어질 수 있다. 예시적인 실시예에서, 접착층(480)은 광 경화성 레진 및/또는 열 경화성 레진 등으로 이루어질 수 있다.
윈도우(500)는 접착층(480) 상에 위치할 수 있다. 윈도우(500)는 접착층(480)에 의하여 제2 기판(440)과 결합될 수 있다. 윈도우(500)는 제1 기판(100) 및 제2 기판(440)을 충분히 커버할 수 있을 정도로 크게 제작될 수 있다. 예시적인 실시예에서, 평면도 상에서, 윈도우(500)의 에지부는 제1 기판(100) 및 제2 기판(440)으로부터 돌출될 수 있다. 이러한 윈도우(500)는 투명한 물질로 이루어질 수 있다. 예를 들어, 윈도우(500)는 강화 유리 등으로 이루어질 수 있다.
지지층(520)은 제1 기판(100) 하부에 위치할 수 있다. 구체적으로, 지지층(520)은 유기 발광 소자와 대향하지 않는 제1 기판(100)의 일면 상에 위치할 수 있다. 즉, 지지층(520)과 유기 발광 소자 사이에 제1 기판(100)이 위치할 수 있다. 지지층(520)은 지지층(520) 상의 구조물들, 예를 들어, 제1 기판(100), 박막 트랜지스터, 유기 발광 소자, 및 제2 기판(440) 등을 지지함과 동시에 외부 충격으로부터 상기 구조물들을 보호하는 기능을 수행할 수 있다.
지지층(520)은 도전성 물질로 이루어질 수 있다. 예를 들어, 지지층(520)은 구리(Cu) 등의 금속으로 이루어질 수 있지만, 이에 한정되는 것은 아니고, 다양한 금속 물질 또는 고분자 물질 등이 사용될 수 있다. 지지층(520)은 화소 영역(10) 및 제1 봉지 영역(20a) 상에 형성될 수 있다. 또한, 지지층(520)은 제2 봉지 영역(20b) 상에는 형성되지 않을 수 있다. 즉, 지지층(520)의 가장자리부는 더미 금속(560)과 중첩하되, 안테나부(540)와는 중첩하지 않을 수 있다.
안테나부(540)는 제1 기판(100) 상에 형성될 수 있다. 안테나부(540)는 지지층(520)과 동일한 평면 상에 형성될 수 있다. 즉, 안테나부(540)는 유기 발광 소자와 대향하지 않는 제1 기판(100)의 일면 상에 위치할 수 있다. 또한, 안테나부(540)는 제1 기판(100) 상에 직접적으로 형성될 수 있다. 바꾸어 말하면, 안테나부(540)와 제1 기판(100) 사이에는 지지층(520)고 같은 다른 구성 요소가 개재되지 않을 수 있다. 또한, 안테나부(540)의 적어도 일부는 제2 봉지 영역(20b) 상에 형성될 수 있다. 또한, 안테나부(540)는 제1 봉지 영역(20a)과 중첩하지 않을 수 있다. 바꾸어 말하면, 안테나부(540)는 더미 금속(560)과 중첩하지 않을 수 있다.
더미 금속(560)은 제1 기판(100) 및 봉지제(460) 사이에 개재될 수 있다. 또한, 더미 금속(560)은 제1 봉지 영역(20a) 상에 위치할 수 있다. 예시적인 실시예에서, 더미 금속(560)은 게이트 절연막(160) 및 층간 절연막(200) 사이에 개재되어, 게이트 절연막(160) 및 층간 절연막(200)으로 둘러싸일 수 있지만, 이에 한정되는 것은 아니다. 또한, 더미 금속(560)은 지지층(520)과 중첩될 수 있다. 또한, 더미 금속(560)은 안테나부(540)와 중첩되지 않을 수 있다. 즉, 평면도 상에서 더미 금속(560) 및 안테나부(540)는 서로 일정 간격 이격되어 있을 수 있다.
더미 금속(560)은 제1 봉지 영역(20a)을 모두 커버하도록 형성될 수도 있으나, 도 2에 도시된 바와 같이, 제1 봉지 영역(20a) 상에서 패터닝되어 형성될 수 있다. 예시적인 실시예에서, 더미 금속(560)은 적어도 하나의 홀을 포함하고, 더미 금속(560)의 홀은 개구부(580)와 중첩될 수 있다. 바꾸어 말하면, 더미 금속(560)의 홀은 버퍼층(120)의 홀, 게이트 절연막(160)의 홀, 및 층간 절연막(200)의 홀과 중첩될 수 있다. 여기에서, 더미 금속(560)의 홀의 크기는 버퍼층(120)의 홀, 게이트 절연막(160)의 홀, 및 층간 절연막(200)의 홀의 크기보다 클 수 있다. 즉, 더미 금속(560)의 홀의 중심부만 버퍼층(120)의 홀, 게이트 절연막(160)의 홀, 및 층간 절연막(200)의 홀과 중첩될 수 있다.
더미 금속(560)은 금속, 합금, 금속 질화물, 도전성 금속 산화물, 투명 도전성 물질 등을 포함할 수 있다. 예를 들면, 더미 금속(560)은 알루미늄(Al), 알루미늄을 함유하는 합금, 알루미늄 질화물(AlNx), 은(Ag), 은을 함유하는 합금, 텅스텐(W), 텅스텐 질화물(WNx), 구리(Cu), 구리를 함유하는 합금, 니켈(Ni), 크롬(Cr), 크롬 질화물(CrOx), 몰리브데늄(Mo), 몰리브데늄을 함유하는 합금, 티타늄(Ti), 티타늄 질화물(TiNx), 백금(Pt), 탄탈륨(Ta), 탄탈륨 질화물(TaNx), 네오디뮴(Nd), 스칸듐(Sc), 스트론튬 루테늄 산화물(SrRuxOy), 아연 산화물(ZnOx), 인듐 주석 산화물(ITO), 주석 산화물(SnOx), 인듐 산화물(InOx), 갈륨 산화물(GaOx), 인듐 아연 산화물(IZO) 등을 포함할 수 있다. 이들은 단독으로 또는 서로 조합되어 사용될 수 있다. 예시적인 실시예들에 따르면, 더미 금속(560)은 상술한 금속, 합금, 금속 질화물, 도전성 금속 산화물 또는 투명 도전성 물질로 이루어진 단층 구조를 가질 수 있다. 이와는 달리, 더미 금속(560)은 전술한 금속, 합금, 금속 질화물, 도전성 금속 산화물 및/또는 투명 도전성 물질로 구성된 다층 구조로 형성될 수도 있다.
더미 금속(560)은 게이트 전극(180)과 동일한 물질로 이루어질 수 있다. 예시적인 실시예에서, 더미 금속(560)은 게이트 전극(180)과 동시에 패터닝되어 형성될 수 있다. 또한, 게이트 전극(180) 및 더미 금속(560)은 동일한 마스크를 이용하여 형성될 수 있다.
개구부(580)는 봉지 영역(20) 상에 형성될 수 있다. 구체적으로, 개구부(580)는 버퍼층(120), 게이트 절연막(160), 및 층간 절연막(200)을 관통하는 홀일 수 있다. 즉, 개구부(580)는 제1 기판(100)의 일부를 노출시킬 수 있다. 이러한 개구부(580)는 정육면체 형상을 가질 수 있지만, 이에 한정되는 것은 아니고, 다양한 형상을 가질 수 있다. 평면도 상에서, 개구부(580)는 직사각형 형상을 가질 수 있다. 또한, 개구부(580)는 복수일 수 있고, 복수의 개구부(580)는 봉지 영역(20) 상에서 매트릭스 형태로 배열될 수 있다.
개구부(580)는 제1 개구부(580a) 및 제2 개구부(580b)를 포함할 수 있다.
제1 개구부(580a)는 제1 봉지 영역(20a) 상에 위치할 수 있다. 제1 개구부(580a)는 복수일 수 있으며, 복수의 제1 개구부(580a)는 서로 일정 간격 이격되어 배치될 수 있다. 예시적인 실시예에서, 복수의 제1 개구부(580a)는 매트릭스 형태로 배열될 수 있지만, 이에 한정되는 것은 아니고, 다양한 배열 형태를 가질 수 있다. 또한, 제1 개구부(580a)는 상술한 더미 금속(560)의 홀과 중첩될 수 있다. 또한, 제1 개구부(580a)는 안테나부(540)와 중첩되지 않을 수 있다. 이러한 제1 개구부(580a)는 필요에 따라 생략될 수도 있다.
제2 개구부(580b)는 제2 봉지 영역(20b) 상에 위치할 수 있다. 제2 개구부(580b)는 복수일 수 있으며, 복수의 제2 개구부(580b)는 서로 일정 간격 이격되어 배치될 수 있다. 예시적인 실시예에서, 복수의 제2 개구부(580b)는 매트릭스 형태로 배열될 수 있지만, 이에 한정되는 것은 아니고, 다양한 배열 형태를 가질 수 있다. 또한, 제2 개구부(580b)는 상술한 더미 금속(560)의 홀과 중첩되지 않을 수 있다. 또한, 제2 개구부(580b)는 안테나부(540)의 적어도 일부와 중첩될 수 있다.
제1 개구부(580a)의 크기는 제2 개구부(580b)의 크기와 상이할 수 있다. 예시적인 실시예에서, 제1 개구부(580a)의 크기는 제2 개구부(580b)의 크기보다 클 수 있다. 예를 들어, 제1 개구부(580a)의 높이 및 제2 개구부(580b)의 높이는 실질적으로 동일할 수 있으나, 제1 개구부(580a)의 폭이 제2 개구부(580b)의 폭보다 클 수 있다. 바꾸어 말하면, 제1 개구부(580a)의 부피는 제2 개구부(580b)의 부피보다 클 수 있다. 여기에서, 제1 개구부(580a)의 부피 및 제2 개구부(580b)의 부피는 제1 기판(100) 및 절연층, 예를 들어, 버퍼층(120), 게이트 절연막(160), 및 층간 절연막(200)으로 둘러싸인 공간의 부피일 수 있다. 또한, 서로 인접한 제1 개구부(580a) 이격 거리는 서로 인접한 제2 개구부(580b)의 이격 거리보다 클 수 있다.
제2 개구부(580b)의 면적비를 제2 봉지 영역(20b)의 면적에 대한 제2 개구부(580b)의 측면(S2)의 면적의 비율이라고 정의하고, 제1 개구부(580a)의 면적비를 제1 봉지 영역(20a)의 면적에 대한 제1 개구부(580a)의 측면(S1)의 면적의 비율이라고 정의하면, 제2 개구부(580b)의 면적비는 제1 개구부(580a)의 면적비와 상이할 수 있다. 예시적인 실시예에서, 제2 개구부(580b)의 면적비는 제1 개구부(580a)의 면적비보다 클 수 있다. 예를 들어, 제2 개구부(580b)의 면적비는 3% 내지 80%일 수 있고, 제1 개구부(580a)의 면적비는 0% 내지 3%일 수 있다. 다른 예로, 제2 개구부(580b)의 면적비는 6% 내지 16%일 수 있고, 제1 개구부(580a)의 면적비는 0% 내지 6%일 수 있다. 또 다른 예로, 제2 개구부(580b)의 면적비는 10% 내지 15%일 수 있고, 제1 개구부(580a)의 면적비는 0% 내지 10%일 수 있다.
이와 같이, 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치는 일정한 기계적 강도가 보장됨과 동시에, 안테나부(540)의 송수신 감도가 향상될 수 있다. 이에 대하여 구체적으로 살펴보면 하기와 같다.
유기 발광 표시 장치의 제1 기판(100) 및 제2 기판(440) 사이에 봉지제(460)만 개재할 경우, 유기 발광 표시 장치의 기계적 강도에 한계가 있을 수 있다. 이에, 봉지제(460) 및 제1 기판(100) 사이에 더미 금속(560)을 추가적으로 개재하여, 유기 발광 표시 장치의 기계적 강도를 향상시킬 수 있다. 구체적으로, 봉지제(460) 및 제1 기판(100) 사이에 개재된 더미 금속(560)은 봉지제(460)에 레이저 빔을 조사하여 봉지제(460)를 융해시킬 때, 상기 레이저 빔의 에너지를 일부 전달받을 수 있다. 레이저 빔의 에너지의 일부를 전달받은 더미 금속(560)은 봉지제(460)에 그 에너지의 일부를 다시 전달할 수 있다. 따라서, 레이저 빔에서 봉지제(460)로 전달되는 에너지의 효율이 증가될 수 있다. 이와 같이, 열 에너지를 많이 전달 받은 봉지제(460)는 더 많이 팽창할 수 있다. 특히, 더미 금속(560)과 봉지제(460)의 접촉부에서 봉지제(460)가 많이 팽창할 수 있다. 이와 같이, 봉지제(460)가 많이 팽창한다면, 봉지제(460)가 제1 기판(100) 및 제2 기판(440)과 접촉하는 면적이 증가되기 때문에, 유기 발광 표시 장치의 기계적 강도가 향상될 수 있다. 또한, 더미 금속(560)은 봉지제(460)에 레이저 빔을 조사한 뒤, 봉지제(460)를 냉각시킬 때, 봉지제(460)의 냉각 속도를 저하시킬 수 있기 때문에, 봉지제(460)의 급속 냉각에 따른 불량 등을 방지할 수도 있다.
그러나, 이러한 더미 금속(560) 상에 유기 발광 표시 장치의 안테나부(540)가 형성된다면, 안테나부(540)의 송수신 기능이 저하될 수 있다. 즉, 더미 금속(560)은 유기 발광 표시 장치의 기계적 강도를 향상시킬 수 있으나, 안테나부(540)의 송수신 감도를 저하시킬 수 있다.
이에, 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치는 안테나부(540)와 중첩하는 영역에 더미 금속(560)을 형성하지 않음으로써, 안테나부(540)의 송수신 감도를 증가시킬 수 있다. 또한, 안테나부(540)와 중첩하는 영역에 지지층(520)도 형성하지 않음으로써, 안테나부(540)의 송수신 감도를 더욱 증가시킬 수 있다. 즉, 안테나부(540)는 제2 봉지 영역(20b)에서 제1 기판(100) 상에 직접적으로 형성됨으로써, 고유 기능을 보장받을 수 있다.
또한, 봉지제(460)의 내측 영역에는 더미 금속(560)을 잔존시켜, 유기 발광 표시 장치의 일정한 기계적 강도를 보장할 수 있다. 구체적으로, 유기 발광 표시 장치에 충격이 가해질 경우, 봉지제(460)의 내측 영역은 외측 영역보다 상대적으로 많은 스트레스를 전달받게 된다. 이는 봉지제(460)가 제1 기판(100) 및 제2 기판(440)의 테두리를 고정하고 있으므로, 외부 충격이 제1 기판(100) 또는 제2 기판(440)에 가해졌을 경우, 이에 따른 진동 에너지가 제1 기판(100) 또는 제2 기판(440)의 중심 부분에서 더 많이 발생하기 때문이다. 따라서, 제1 봉지 영역(20a)에만 더미 금속(560)을 잔존시키고, 제2 봉지 영역(20b)에는 더미 금속(560)을 배치하지 않음으로써, 사용자가 요구하는 유기 발광 표시 장치의 일정 기계적 강도를 보장할 수 있다.
또한, 더미 금속(560)이 위치하지 않는 봉지 영역(20), 즉, 제2 봉지 영역(20b)에는 제2 개구부(580b)의 면적비를 극대화하여, 봉지제(460)의 접촉 면적을 증가시킴으로써, 유기 발광 표시 장치의 기계적 강도를 더욱 향상시킬 수 있다. 즉, 제2 봉지 영역(20b)에 더미 금속(560)이 위치하지 않아 저하되는 유기 발광 표시 장치의 기계적 강도를 제2 개구부(580b)의 면적비를 극대화함으로써 보상할 수 있다.
이하, 본 발명의 다른 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치를 설명하기 위하여 도 5 및 도 6을 참조한다. 도 5 및 도 6은 본 발명의 다른 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 단면도이다. 설명의 편의 상, 도 3 및 도 4에 도시된 도면에 나타낸 각 엘리먼트와 실질적으로 동일한 엘리먼트는 동일 부호로 나타내고, 중복 설명을 생략한다.
도 5는 도 3에 대응되는 도면이고, 도 6은 도 4에 대응되는 도면이다. 도 5 및 도 6을 참조하면, 본 발명의 다른 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 더미 금속(561)은 층간 절연막(201) 및 중간막(281) 사이에 개재될 수 있다. 즉, 중간막(281)은 화소 영역(10)뿐만 아니라, 봉지 영역(20) 상에도 형성될 수 있고, 더미 금속(561)은 층간 절연막(201) 및 중간막(281)으로 둘러싸일 수 있다. 이에 따라, 덮개층(421)은 중간막(281)의 상면과 접촉할 수 있다.
더미 금속(561)은 금속, 합금, 금속 질화물, 도전성 금속 산화물, 투명 도전성 물질 등을 포함할 수 있다. 예를 들면, 더미 금속(561)은 알루미늄, 알루미늄을 함유하는 합금, 알루미늄 질화물, 은, 은을 함유하는 합금, 텅스텐, 텅스텐 질화물, 구리, 구리를 함유하는 합금, 니켈, 크롬, 크롬 질화물, 몰리브데늄, 몰리브데늄을 함유하는 합금, 티타늄, 티타늄 질화물, 백금, 탄탈륨, 탄탈륨 질화물, 네오디뮴, 스칸듐, 스트론튬 루테늄 산화물, 아연 산화물, 인듐 주석 산화물, 주석 산화물, 인듐 산화물, 갈륨 산화물, 인듐 아연 산화물 등으로 이루어질 수 있다. 이들은 단독으로 또는 서로 조합되어 사용될 수 있다. 한편, 더미 금속(561)은 각기 전술한 금속, 합금, 금속 질화물, 도전성 금속 산화물, 투명 도전성 물질 등으로 이루어진 단층 구조 또는 다층 구조를 가질 수 있다. 또한, 더미 금속(561)은 소스 전극(240) 및/또는 드레인 전극(260)과 동일한 물질로 이루어질 수 있다. 또한, 더미 금속(561)은 소스 전극(240) 및/또는 드레인 전극(260)과 동시에 형성될 수 있다.
개구부(581)는 제1 개구부(581a) 및 제2 개구부(581b)를 포함할 수 있고, 제1 개구부(581a) 및 제2 개구부(581b)는 버퍼층(120)의 홀, 게이트 절연막(160)의 홀, 층간 절연막(201)의 홀, 및 중간막(281)의 홀이 중첩되어 형성된 것일 수 있다. 이에 따라, 제1 개구부(581a) 및 제2 개구부(581b)의 높이가 증가될 수 있다. 따라서, 제1 개구부(581a)의 면적비 및 제2 개구부(581b)의 면적비도 증가될 수 있다. 즉, 봉지제(461)의 접촉 면적이 증가될 수 있다.
이하, 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치를 설명하기 위하여 도 7 및 도 8을 참조한다. 도 7 및 도 8은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 단면도이다. 설명의 편의 상, 도 3 내지 도 6에 도시된 도면에 나타낸 각 엘리먼트와 실질적으로 동일한 엘리먼트는 동일 부호로 나타내고, 중복 설명을 생략한다.
도 7은 도 3에 대응되는 도면이고, 도 8은 도 4에 대응되는 도면이다. 도 7 및 도 8을 참조하면, 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 더미 금속(562)은 평탄화막(302) 상에 형성될 수 있다. 즉, 평탄화막(302)은 화소 영역(10)뿐만 아니라, 봉지 영역(20) 상에도 형성될 수 있고, 더미 금속(562)은 평탄화막(302) 상에 형성될 수 있다. 이 경우, 더미 금속(562)은 절연층으로 둘러싸이지 않고, 봉지제(462)와 직접적으로 접촉할 수 있다. 이에 따라, 덮개층(422)은 평탄화막(302)의 상면과 접촉할 수 있다.
더미 금속(562)은 ITO, IZO, ZnO, 또는 In2O3 등의 물질이나, 이들의 적층막으로 형성될 수 있다. 또한, 더미 금속(562)은 Ag, Mg, Al, Pt, Pd, Au, Ni, Nd, Ir, Cr, Li, 또는 Ca 등으로 형성될 수도 있다. 또한, 더미 금속(562)은 이들 중 서로 다른 2 이상의 물질을 이용하여 2층 이상의 구조를 가질 수 있다. 또한, 더미 금속(562)은 제1 전극(340)과 동일한 물질로 이루어질 수 있다. 또한, 더미 금속(562)은 제1 전극(340)과 동시에 형성될 수 있다. 또한, 도면에 명시적으로 도시되지는 않았지만, 더미 금속(562)은 제2 금속과 동일한 물질로 이루어질 수도 있다.
개구부(582)는 제1 개구부(582a) 및 제2 개구부(582b)를 포함할 수 있고, 제1 개구부(582a) 및 제2 개구부(582b)는 버퍼층(120)의 홀, 게이트 절연막(160)의 홀, 층간 절연막(201)의 홀, 중간막(282)의 홀, 및 평탄화막(302)의 홀이 중첩되어 형성된 것일 수 있다. 이에 따라, 제1 개구부(582a) 및 제2 개구부(582b)의 높이가 증가될 수 있다. 따라서, 제1 개구부(582a)의 면적비 및 제2 개구부(582b)의 면적비도 증가될 수 있다. 즉, 봉지제(462)의 접촉 면적이 증가될 수 있다. 또한, 제1 개구부(582a) 및 제2 개구부(582b)는 비아홀(320)과 동시에 형성될 수 있다.
이하, 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치를 설명하기 위하여 도 9를 참조한다. 도 9는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 평면도이다. 설명의 편의 상, 도 1에 도시된 도면에 나타낸 각 엘리먼트와 실질적으로 동일한 엘리먼트는 동일 부호로 나타내고, 중복 설명을 생략한다.
도 9를 참조하면, 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 봉지 영역(21)은 제1 봉지 영역(21a) 및 제2 봉지 영역(21b)을 포함할 수 있고, 제1 봉지 영역(21a)은 안테나부(540)를 둘러쌀 수 있다. 바꾸어 말하면, 안테나부(540)와 중첩하는 영역 및 안테나부(540)와 인접한 영역에만 제2 봉지 영역(21b)이 형성될 수 있다.
이하, 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치를 설명하기 위하여 도 10을 참조한다. 도 10은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 평면도이다. 설명의 편의 상, 도 1에 도시된 도면에 나타낸 각 엘리먼트와 실질적으로 동일한 엘리먼트는 동일 부호로 나타내고, 중복 설명을 생략한다.
도 10을 참조하면, 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 봉지 영역(22)은 제1 봉지 영역(22a) 및 제2 봉지 영역(22b)을 포함할 수 있고, 제1 봉지 영역(22a)은 안테나부(540)를 둘러쌀 수 있다. 이때, 제1 봉지 영역(22a) 및 제2 봉지 영역(22b)의 경계선의 적어도 일부는 계단 형상(St)을 가질 수 있다. 예시적인 실시예에서, 안테나부(540)의 일 측부 및 상기 일 측부에 대향하는 안테나부(540)의 타 측부와 인접한 부분에 계단 형상(St)을 가지는 제1 봉지 영역(22a) 및 제2 봉지 영역(22b)의 경계선이 배치될 수 있다. 이와 같이, 안테나부(540)의 송수신 기능을 향상시키기 위하여, 제1 봉지 영역(22a) 및 제2 봉지 영역(22b)의 경계선을 조절할 수 있다.
이하, 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치를 설명하기 위하여 도 11을 참조한다. 도 11은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 평면도이다. 설명의 편의 상, 도 1에 도시된 도면에 나타낸 각 엘리먼트와 실질적으로 동일한 엘리먼트는 동일 부호로 나타내고, 중복 설명을 생략한다.
도 11을 참조하면, 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 봉지 영역(23)은 제1 봉지 영역(23a) 및 제2 봉지 영역(23b)을 포함할 수 있고, 제1 기판(100)의 세 변에 인접한 제1 봉지 영역(23a)의 폭은 제1 기판(100)의 나머지 한 변에 인접한 제1 봉지 영역(23a)의 폭보다 좁을 수 있다. 여기에서, 폭이 좁은 제1 봉지 영역(23a)은 안테나부(540)와 인접하되, 안테나부(540)와 중첩하지는 않을 수 있다.
이상에서 본 발명의 실시예를 중심으로 설명하였으나 이는 단지 예시일 뿐 본 발명을 한정하는 것이 아니며, 본 발명이 속하는 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 본 발명의 실시예의 본질적인 특성을 벗어나지 않는 범위에서 이상에 예시되지 않은 여러 가지의 변형과 응용이 가능함을 알 수 있을 것이다. 예를 들어, 본 발명의 실시예에 구체적으로 나타난 각 구성 요소는 변형하여 실시할 수 있다. 그리고 이러한 변형과 응용에 관계된 차이점들은 첨부된 청구 범위에서 규정하는 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
10: 화소 영역
20, 21, 22, 23: 봉지 영역
20a, 21a, 22a, 23a: 제1 봉지 영역
20b, 21b, 22b, 23b: 제2 봉지 영역
100: 제1 기판 120: 버퍼층
140: 반도체 패턴 160: 게이트 절연막
180: 게이트 전극 200, 201: 층간 절연막
220: 콘택홀 240: 소스 전극
260: 드레인 전극 280, 281, 282: 중간막
300, 302: 평탄화막 320: 비아홀
340: 제1 전극 360: 화소 정의막
380: 유기 발광층 400: 제2 전극
420, 421, 422: 덮개층 440: 제2 기판
460, 461, 462: 봉지제 480: 접착층
500: 윈도우 520: 지지층
540: 안테나부 560, 561, 562: 더미 금속
580, 581, 582: 개구부 580a, 581a, 582a: 제1 개구부
580b, 581b, 582b: 제2 개구부

Claims (20)

  1. 화소 영역 및 상기 화소 영역을 둘러싸는 봉지 영역을 포함하는 제1 기판;
    상기 화소 영역 상에 위치하는 유기 발광 소자;
    상기 봉지 영역 상에 위치하는 봉지제;
    상기 제1 기판 및 상기 봉지제 사이에 개재되는 더미 금속; 및
    상기 제1 기판 상에 위치하는 안테나부를 포함하되,
    상기 봉지 영역은 제1 봉지 영역 및 상기 제1 봉지 영역과 인접한 제2 봉지 영역을 포함하며,
    상기 더미 금속은 상기 제1 봉지 영역 상에 위치하고,
    상기 안테나부의 적어도 일부는 상기 제2 봉지 영역 상에 위치하는 유기 발광 표시 장치.
  2. 제 1항에 있어서,
    상기 제1 기판의 일 영역에서 상기 제1 봉지 영역의 폭은 상기 제1 기판의 나머지 영역에서 상기 제1 봉지 영역의 폭과 상이한 유기 발광 표시 장치.
  3. 제 1항에 있어서,
    상기 제1 봉지 영역은 상기 제1 기판의 내측에 위치하고,
    상기 제2 봉지 영역은 상기 제1 기판의 외측에 위치하는 유기 발광 표시 장치.
  4. 제 1항에 있어서,
    상기 제1 봉지 영역의 일부는 상기 화소 영역 및 상기 제2 봉지 영역 사이에 개재되는 유기 발광 표시 장치.
  5. 제 1항에 있어서,
    상기 더미 금속은 상기 제2 봉지 영역 상에는 위치하지 않는 유기 발광 표시 장치.
  6. 제 1항에 있어서,
    상기 제1 기판 및 상기 봉지제 사이에 개재되는 적어도 하나의 절연층을 더 포함하되,
    상기 절연층은 적어도 하나의 개구부를 포함하는 유기 발광 표시 장치.
  7. 제 6항에 있어서,
    상기 개구부는,
    상기 제1 봉지 영역 상에 위치하는 복수의 제1 개구부; 및
    상기 제2 봉지 영역 상에 위치하는 복수의 제2 개구부를 포함하고,
    상기 제1 개구부 각각의 크기는 상기 제2 개구부 각각의 크기와 상이한 유기 발광 표시 장치.
  8. 제 7항에 있어서,
    상기 제2 봉지 영역의 면적에 대한 상기 제2 개구부의 측면의 면적의 비율은 상기 제1 봉지 영역의 면적에 대한 상기 제1 개구부의 측면의 면적의 비율과 상이한 유기 발광 표시 장치.
  9. 제 1항에 있어서,
    상기 유기 발광 소자 및 상기 봉지제는 상기 제1 기판의 일면 상에 위치하고,
    상기 안테나부는 상기 일면과 대향하는 상기 제1 기판의 타면 상에 위치하는 유기 발광 표시 장치.
  10. 제 9항에 있어서,
    상기 제1 봉지 영역은 상기 안테나부를 둘러싸는 유기 발광 표시 장치.
  11. 제 10항에 있어서,
    상기 제1 봉지 영역 및 상기 제2 봉지 영역의 경계선의 적어도 일부는 계단 형상을 가지는 유기 발광 표시 장치.
  12. 제 1항에 있어서,
    상기 제1 기판 상에 위치하고, 상기 화소 영역 및 상기 제1 봉지 영역 상에 위치하며, 도전성 물질로 이루어지는 지지층을 더 포함하되,
    상기 유기 발광 소자 및 상기 봉지제는 상기 제1 기판의 일면 상에 위치하고,
    상기 지지층은 상기 일면과 대향하는 상기 제1 기판의 타면 상에 위치하는 유기 발광 표시 장치.
  13. 제 12항에 있어서,
    상기 지지층은 상기 제2 봉지 영역 상에는 위치하지 않는 유기 발광 표시 장치.
  14. 제 1항에 있어서,
    상기 유기 발광 소자는,
    제1 전극;
    상기 제1 전극 상에 위치하는 제2 전극; 및
    상기 제1 전극 및 상기 제2 전극 사이에 개재되는 유기 발광층을 포함하되,
    상기 더미 금속은 상기 제1 전극 및 상기 제2 전극 중 어느 하나와 동일한 물질로 이루어지는 유기 발광 표시 장치.
  15. 제 1항에 있어서,
    상기 제1 기판의 상기 화소 영역 상에 위치하는 박막 트랜지스터를 더 포함하되,
    상기 박막 트랜지스터는 게이트 전극, 소스 전극, 및 드레인 전극을 포함하고,
    상기 더미 금속은 상기 게이트 전극, 상기 소스 전극, 및 상기 드레인 전극 중 적어도 어느 하나와 동일한 물질로 이루어지는 유기 발광 표시 장치.
  16. 제 1항에 있어서,
    상기 제1 기판과 대향하고, 상기 봉지제에 의하여 상기 제1 기판과 결합되는 제2 기판을 더 포함하는 유기 발광 표시 장치.
  17. 화소 영역 및 상기 화소 영역을 둘러싸는 봉지 영역을 포함하는 기판;
    상기 화소 영역 상에 위치하는 유기 발광 소자;
    상기 봉지 영역 상에 위치하는 봉지제;
    상기 기판 및 상기 봉지제 사이에 개재되는 더미 금속; 및
    상기 기판 상에 위치하는 안테나부를 포함하되,
    상기 기판의 일 영역에서 상기 더미 금속이 개재되는 영역의 폭은 상기 기판의 나머지 영역에서 상기 더미 금속이 개재되는 영역의 폭보다 좁으며, 상기 안테나부의 적어도 일부는 상기 봉지 영역 상에 위치하는 유기 발광 표시 장치.
  18. 제 17항에 있어서,
    상기 유기 발광 소자 및 상기 봉지제는 상기 기판의 일면 상에 위치하고,
    상기 안테나부는 상기 일면과 대향하는 상기 기판의 타면 상에 위치하고, 상기 더미 금속과 중첩하지 않는 유기 발광 표시 장치.
  19. 기판;
    상기 기판의 일면 상에 위치하는 유기 발광 소자;
    상기 기판의 일면 상에 위치하고, 상기 유기 발광 소자를 둘러싸는 봉지제;
    상기 기판 및 상기 봉지제 사이에 개재되는 더미 금속; 및
    상기 기판의 일면과 대향하는 상기 기판의 타면 상에 위치하고, 상기 더미 금속과 중첩하지 않는 안테나부를 포함하는 유기 발광 표시 장치.
  20. 제 19항에 있어서,
    상기 기판 및 상기 봉지제 사이에 개재되는 적어도 하나의 절연층을 더 포함하되,
    상기 절연층은 적어도 하나의 개구부를 포함하고,
    상기 안테나부의 적어도 일부는 상기 개구부와 중첩하는 유기 발광 표시 장치.
KR1020130104095A 2013-08-30 2013-08-30 유기 발광 표시 장치 Active KR102126276B1 (ko)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020130104095A KR102126276B1 (ko) 2013-08-30 2013-08-30 유기 발광 표시 장치
US14/291,096 US9543542B2 (en) 2013-08-30 2014-05-30 Organic light-emitting display

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020130104095A KR102126276B1 (ko) 2013-08-30 2013-08-30 유기 발광 표시 장치

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20150025916A KR20150025916A (ko) 2015-03-11
KR102126276B1 true KR102126276B1 (ko) 2020-06-25

Family

ID=52581867

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020130104095A Active KR102126276B1 (ko) 2013-08-30 2013-08-30 유기 발광 표시 장치

Country Status (2)

Country Link
US (1) US9543542B2 (ko)
KR (1) KR102126276B1 (ko)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11916283B2 (en) 2020-12-16 2024-02-27 Samsung Display Co., Ltd. Compacted antenna module with improved performance for electronic device

Families Citing this family (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI552321B (zh) * 2014-09-30 2016-10-01 群創光電股份有限公司 顯示面板及顯示裝置
KR102403001B1 (ko) 2015-07-13 2022-05-30 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 디스플레이 장치 및 그 제조 방법
KR102450961B1 (ko) * 2015-09-30 2022-10-04 엘지디스플레이 주식회사 유기 발광 디스플레이 장치
KR102422279B1 (ko) * 2015-10-22 2022-07-19 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
KR102568631B1 (ko) 2016-04-15 2023-08-21 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
CN107452893B (zh) * 2016-05-31 2020-04-14 乐金显示有限公司 有机发光显示装置
JP2018022879A (ja) * 2016-07-20 2018-02-08 株式会社リコー 電界効果型トランジスタ、及びその製造方法、並びに表示素子、画像表示装置、及びシステム
KR102413716B1 (ko) 2017-09-25 2022-06-28 삼성디스플레이 주식회사 표시패널
KR102518832B1 (ko) * 2017-12-11 2023-04-05 엘지디스플레이 주식회사 안테나를 포함하는 유기발광 표시패널 및 그를 포함하는 전자기기
KR102532308B1 (ko) * 2018-07-26 2023-05-15 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이 장치
CN111370439A (zh) 2018-12-07 2020-07-03 京东方科技集团股份有限公司 显示面板及其制备方法、显示装置
KR20200139300A (ko) * 2019-06-03 2020-12-14 삼성디스플레이 주식회사 표시장치
KR102749833B1 (ko) * 2019-08-21 2025-01-06 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치의 제조 방법
KR20210052749A (ko) 2019-10-31 2021-05-11 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 이를 포함하는 전가 기기
KR20220000440A (ko) * 2020-06-25 2022-01-04 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 표시 장치의 제조 방법

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100824902B1 (ko) * 2006-12-13 2008-04-23 삼성에스디아이 주식회사 유기 전계 발광 표시 장치 및 그 제조 방법

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101003406B1 (ko) * 2002-10-09 2010-12-23 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광장치의 제조방법
JP2004362819A (ja) 2003-06-02 2004-12-24 Seiko Epson Corp エレクトロルミネッセンス装置、エレクトロルミネッセンス装置の製造方法及び電子機器
KR100508948B1 (ko) 2003-09-02 2005-08-17 삼성에스디아이 주식회사 유기 전계 발광 표시 장치
SG142140A1 (en) * 2003-06-27 2008-05-28 Semiconductor Energy Lab Display device and method of manufacturing thereof
KR100992141B1 (ko) 2003-11-19 2010-11-04 삼성전자주식회사 유기 발광 표시장치
TWI457835B (zh) * 2004-02-04 2014-10-21 Semiconductor Energy Lab 攜帶薄膜積體電路的物品
KR100623718B1 (ko) 2004-11-17 2006-09-19 삼성에스디아이 주식회사 유기전계발광표시장치의 제조방법
KR101182521B1 (ko) * 2005-10-28 2012-10-02 엘지디스플레이 주식회사 액정 표시 장치 및 이의 제조 방법
KR101316635B1 (ko) * 2006-07-27 2013-10-15 삼성디스플레이 주식회사 표시 기판의 제조 방법, 표시 기판 및 마스크
WO2008069219A1 (en) * 2006-12-05 2008-06-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Antireflective film and display device
KR20080074242A (ko) 2007-02-08 2008-08-13 삼성전자주식회사 액정표시패널
KR101350709B1 (ko) 2007-02-20 2014-01-14 삼성디스플레이 주식회사 표시패널 및 표시기판의 제조 방법
KR101296650B1 (ko) * 2007-05-31 2013-08-14 엘지디스플레이 주식회사 유기 발광 소자 및 이의 제조 방법
US20090167171A1 (en) * 2007-11-22 2009-07-02 Samsung Mobile Display Co., Ltd. Display device, organic light emitting diode display and manufacturing method of the same
US8823685B2 (en) * 2011-10-14 2014-09-02 Elo Touch Solutions, Inc. Acoustic touch apparatus
CN102819346B (zh) * 2012-04-06 2016-01-13 信利工业(汕尾)有限公司 一种集成nfc天线的触摸屏

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100824902B1 (ko) * 2006-12-13 2008-04-23 삼성에스디아이 주식회사 유기 전계 발광 표시 장치 및 그 제조 방법

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11916283B2 (en) 2020-12-16 2024-02-27 Samsung Display Co., Ltd. Compacted antenna module with improved performance for electronic device

Also Published As

Publication number Publication date
KR20150025916A (ko) 2015-03-11
US9543542B2 (en) 2017-01-10
US20150060790A1 (en) 2015-03-05

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102126276B1 (ko) 유기 발광 표시 장치
US10944071B2 (en) Organic light-emitting display apparatus and method of manufacturing the same
US20200321415A1 (en) Organic light-emitting display apparatus having protected emission layer
KR100846592B1 (ko) 유기 발광 디스플레이 장치
KR102242078B1 (ko) 유기 발광 표시 장치 및 이의 제조 방법
KR102369301B1 (ko) 유기 발광 디스플레이 장치와, 이의 제조 방법
KR102207914B1 (ko) 유기 발광 표시 장치
TWI545742B (zh) 有機發光顯示裝置及製造其之方法
KR101117737B1 (ko) 유기 발광 표시 장치
KR102214476B1 (ko) 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
KR102049369B1 (ko) 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
KR102082780B1 (ko) 유기발광표시장치 및 그 제조방법
KR101035356B1 (ko) 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
KR101223727B1 (ko) 유기 발광 표시 장치 및 그 제조방법
KR20180112171A (ko) 유기 발광 표시 장치
US9178180B2 (en) Display device and electronic apparatus
KR101937258B1 (ko) 유기 발광 표시 장치
KR102657718B1 (ko) 표시 장치 및 표시 장치의 제조방법
KR101234228B1 (ko) 유기 발광 표시 장치
KR20150016784A (ko) 유기발광 디스플레이 장치 및 그 제조방법
KR20150028055A (ko) 유기발광 다이오드 표시장치 및 그 제조 방법
KR20150059243A (ko) 유기 발광 표시장치 및 그의 제조방법
KR20140143635A (ko) 유기발광표시장치
KR102315824B1 (ko) 유기 발광 표시 장치 및 그의 제조 방법
KR102162085B1 (ko) 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법

Legal Events

Date Code Title Description
PA0109 Patent application

Patent event code: PA01091R01D

Comment text: Patent Application

Patent event date: 20130830

PG1501 Laying open of application
PA0201 Request for examination

Patent event code: PA02012R01D

Patent event date: 20180830

Comment text: Request for Examination of Application

Patent event code: PA02011R01I

Patent event date: 20130830

Comment text: Patent Application

E902 Notification of reason for refusal
PE0902 Notice of grounds for rejection

Comment text: Notification of reason for refusal

Patent event date: 20190819

Patent event code: PE09021S01D

E90F Notification of reason for final refusal
PE0902 Notice of grounds for rejection

Comment text: Final Notice of Reason for Refusal

Patent event date: 20200119

Patent event code: PE09021S02D

E701 Decision to grant or registration of patent right
PE0701 Decision of registration

Patent event code: PE07011S01D

Comment text: Decision to Grant Registration

Patent event date: 20200401

GRNT Written decision to grant
PR0701 Registration of establishment

Comment text: Registration of Establishment

Patent event date: 20200618

Patent event code: PR07011E01D

PR1002 Payment of registration fee

Payment date: 20200619

End annual number: 3

Start annual number: 1

PG1601 Publication of registration
PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20230524

Start annual number: 4

End annual number: 4

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20240523

Start annual number: 5

End annual number: 5