JPS5917810B2 - 回路基板の製造方法 - Google Patents
回路基板の製造方法Info
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- JPS5917810B2 JPS5917810B2 JP50071186A JP7118675A JPS5917810B2 JP S5917810 B2 JPS5917810 B2 JP S5917810B2 JP 50071186 A JP50071186 A JP 50071186A JP 7118675 A JP7118675 A JP 7118675A JP S5917810 B2 JPS5917810 B2 JP S5917810B2
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- Japan
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- film
- conductor
- thick film
- thick
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Links
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Landscapes
- Electric Clocks (AREA)
- Liquid Crystal (AREA)
- Surface Treatment Of Glass (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は表示部分と電子回路とが不可分に一体化された
液晶表示パネル、特に前記電子回路を厚膜焼成回路とＩ
Ｃチップのパッドとをワイヤボンディングにより直接接
続して構成する液晶表示パネルに係り、前記厚膜回路の
うち必要な部分、例えばワイヤボンディングパッドある
いは外部接続端子等に金メッキを施した回路基板の製造
方法に関する。
液晶表示パネル、特に前記電子回路を厚膜焼成回路とＩ
Ｃチップのパッドとをワイヤボンディングにより直接接
続して構成する液晶表示パネルに係り、前記厚膜回路の
うち必要な部分、例えばワイヤボンディングパッドある
いは外部接続端子等に金メッキを施した回路基板の製造
方法に関する。
近年液晶をはじめとして、ガラス透明基板上に表示パネ
ルを形成する表示体の開発に伴い、ガラス透明基板上に
電子回路ＩＣチップをアセンブリする要求が生じている
。
ルを形成する表示体の開発に伴い、ガラス透明基板上に
電子回路ＩＣチップをアセンブリする要求が生じている
。
しかし現在ガラス基板上にワイヤボンディング可能な金
メッキ膜を能率よく形成する方法は開発されていない。
本発明の目的は、前記厚膜回路のワイヤボンディングパ
ッドを金メッキにより容易に形成することにある。
メッキ膜を能率よく形成する方法は開発されていない。
本発明の目的は、前記厚膜回路のワイヤボンディングパ
ッドを金メッキにより容易に形成することにある。
本発明の他の目的は、金メッキの為の電流導入部として
露出した導体厚膜を容易に保護コーティングすることに
ある。
露出した導体厚膜を容易に保護コーティングすることに
ある。
従来ガラス基板上に導体膜を形成する方法としてガラス
基板上にクロム、金を二層に蒸着あるいはスパッタする
ことが広く行われている。
基板上にクロム、金を二層に蒸着あるいはスパッタする
ことが広く行われている。
この方法により形成される導体膜は膜厚が薄い為、ワイ
ヤボンディング時にガラスの欠けあるいは導体膜の基板
からの剥離が生じ、作業性、信頼性が確保できない。ま
た、ガラス基板上に直接ワイヤボンディング可能な厚膜
導体を形成することが試みられている。
ヤボンディング時にガラスの欠けあるいは導体膜の基板
からの剥離が生じ、作業性、信頼性が確保できない。ま
た、ガラス基板上に直接ワイヤボンディング可能な厚膜
導体を形成することが試みられている。
しかしガラス基板を表示パネルと共通に使用する関係上
、厚膜焼成温度はガラスの軟化点を越えない範囲にある
ことが要求される。ガラスの軟化点はガラスの種類に依
つても異るが、５５０℃〜６００℃程度である。この様
な低温で焼成された厚膜に直接ワイヤボンディングする
ことは作業性、信頼性に問題があり、厚膜の基板との密
着性も満足のゆくものは得られない。本発明はガラス基
板上に導体厚膜を焼成し、該導体厚膜上に金メッキを施
してワイヤボンディングパッドを形成し、上記欠点を改
良する製造方法を提供するものである。
、厚膜焼成温度はガラスの軟化点を越えない範囲にある
ことが要求される。ガラスの軟化点はガラスの種類に依
つても異るが、５５０℃〜６００℃程度である。この様
な低温で焼成された厚膜に直接ワイヤボンディングする
ことは作業性、信頼性に問題があり、厚膜の基板との密
着性も満足のゆくものは得られない。本発明はガラス基
板上に導体厚膜を焼成し、該導体厚膜上に金メッキを施
してワイヤボンディングパッドを形成し、上記欠点を改
良する製造方法を提供するものである。
導体厚膜上に金メッキ層を形成する為に電流導入部を表
示パネルの透明導電膜に設ける方法も考えられるが、透
明導電膜は一般にｓｎｏ２あるいはＩｎ２ｏ３により形
成されており、金メッキ液により環元されて透明導電膜
は破壊されてしまう。
示パネルの透明導電膜に設ける方法も考えられるが、透
明導電膜は一般にｓｎｏ２あるいはＩｎ２ｏ３により形
成されており、金メッキ液により環元されて透明導電膜
は破壊されてしまう。
透明導電膜上に金メツキの為の電流導入部を設けつつ該
透明導電膜をメツキ液から保護しなければならないとい
うことは実際上困難である。また透明導電膜は抵抗が大
きい為、導体厚膜上に形成される金メツキ層は均一には
成り難い。さらに第１図でも明らかな様に全ての導体厚
膜が透明導電膜と接続しているとは限らないので、もし
全ての導体厚膜に対して透明導電膜を配置して金メツキ
が成される様に配慮したとすれば、それは透明導電膜お
よび導体厚膜のパターンをいたずらに複雑にするばかり
である。本発明による金メツキ方法は上記欠点を全て解
消している。
透明導電膜をメツキ液から保護しなければならないとい
うことは実際上困難である。また透明導電膜は抵抗が大
きい為、導体厚膜上に形成される金メツキ層は均一には
成り難い。さらに第１図でも明らかな様に全ての導体厚
膜が透明導電膜と接続しているとは限らないので、もし
全ての導体厚膜に対して透明導電膜を配置して金メツキ
が成される様に配慮したとすれば、それは透明導電膜お
よび導体厚膜のパターンをいたずらに複雑にするばかり
である。本発明による金メツキ方法は上記欠点を全て解
消している。
図面について本発明の具体例を示す。第１図は表示パネ
ルを構成する下部ガラス基板、第２図は液晶表示パネル
として完成して状態の第１図Ａ−Ｎにおける断面を示し
ている。ガラス基板１上に透明導電膜２と、下誘電体厚
膜３によりガラス基板１との密着性を確保された導体厚
膜４と、該導体厚膜４を保護コーテイングする上誘電体
厚膜５を形成する。下誘電体厚膜３は上記の様にガラス
基板１と導体厚膜４との密着性を良くる他、導体厚膜４
のパターン細部において印刷時にペーストが広がるのを
防ぐ働きもあるが、導体厚膜の基板との密着強度に問題
が生じない限り省くことができる。
ルを構成する下部ガラス基板、第２図は液晶表示パネル
として完成して状態の第１図Ａ−Ｎにおける断面を示し
ている。ガラス基板１上に透明導電膜２と、下誘電体厚
膜３によりガラス基板１との密着性を確保された導体厚
膜４と、該導体厚膜４を保護コーテイングする上誘電体
厚膜５を形成する。下誘電体厚膜３は上記の様にガラス
基板１と導体厚膜４との密着性を良くる他、導体厚膜４
のパターン細部において印刷時にペーストが広がるのを
防ぐ働きもあるが、導体厚膜の基板との密着強度に問題
が生じない限り省くことができる。
上誘電体厚膜５は金メツキ時に金メツキを必要としない
部分の導体厚膜４を被覆して金メツキを必要最小限に済
ませ、また表示パネル完成後は前記導体厚膜４を外的障
害から保護する働きもある。又第１図でわかる様に保護
コーテイング５の内周にはポツテイング枠１１が固着さ
れ、ＩＣチツプとの接続部６は金メツキされた状態でポ
ツテイング枠１１の内周に突出している。またポツテイ
ング枠１１を広くして保護コーテイングの代用をさせる
こともできる。以下に本発明の効果を記する。
部分の導体厚膜４を被覆して金メツキを必要最小限に済
ませ、また表示パネル完成後は前記導体厚膜４を外的障
害から保護する働きもある。又第１図でわかる様に保護
コーテイング５の内周にはポツテイング枠１１が固着さ
れ、ＩＣチツプとの接続部６は金メツキされた状態でポ
ツテイング枠１１の内周に突出している。またポツテイ
ング枠１１を広くして保護コーテイングの代用をさせる
こともできる。以下に本発明の効果を記する。
本発明の優れている点は第１に金メツキの為の電流導入
部６が透明導電膜２と離れているので、金メツキ時に透
明導電膜２を金メツキ液から物理的に保護することが容
易になることである。
部６が透明導電膜２と離れているので、金メツキ時に透
明導電膜２を金メツキ液から物理的に保護することが容
易になることである。
例えば金メツキ時に透明導電膜部全体にテープを貼り、
あるいは耐メツキ液性塗料を塗布し、メツキ終了後取り
去ればよいし、表示パネル形成後に金メツキを行うこと
もできる。また第２に厚膜導体の上面をカバーする絶縁
コーテイングが、金メツキ時のマスクとして作用すると
ともに、製品組込段階においては厚膜導体の保護シヨー
ト等の問題を解決するものであり、量産時に著しく寄与
するもである。
あるいは耐メツキ液性塗料を塗布し、メツキ終了後取り
去ればよいし、表示パネル形成後に金メツキを行うこと
もできる。また第２に厚膜導体の上面をカバーする絶縁
コーテイングが、金メツキ時のマスクとして作用すると
ともに、製品組込段階においては厚膜導体の保護シヨー
ト等の問題を解決するものであり、量産時に著しく寄与
するもである。
さらに他の本発明の優れている点は、導体厚膜４は外部
との接続及びワイヤボンデイングが金メツキ層を介して
行われるからそれ自体は安価なもので良く、導体厚膜に
直接ワイ一１・ボンデイングする為に金の厚膜を用いる
場合と比較して、メツキによるコスト増加を考慮しても
尚コスト低下を画る事ができることである。
との接続及びワイヤボンデイングが金メツキ層を介して
行われるからそれ自体は安価なもので良く、導体厚膜に
直接ワイ一１・ボンデイングする為に金の厚膜を用いる
場合と比較して、メツキによるコスト増加を考慮しても
尚コスト低下を画る事ができることである。
以上の様に本発明はガラス基板上に電子回路ＩＣチツプ
をアセンプリする際、生産性、信頼性の向上に寄与する
所大なるものがあり、表示パネルを使用する機器、電子
時計、電卓、計測器等全ての応用できる。
をアセンプリする際、生産性、信頼性の向上に寄与する
所大なるものがあり、表示パネルを使用する機器、電子
時計、電卓、計測器等全ての応用できる。
図面は本発明の実施例を簡略に示したもので、第１図は
表示パネルの下部ガラス基板を示し、第２図は液晶表示
パネルとして完成した状態の第１図におけるＡ−Ｎ断面
を示している。 図中の主な番号の名称を明記すると、１・・・・・・下
部ガラス基板、２・・・・・・透明導電膜、３・・・・
・・下誘電体厚膜、４・・・・・・導体厚膜、５・・・
・・・上誘電体厚膜、６・・・・・・電流導入部、７・
・・・・・ワイヤボンデイングパツド、８・・・・・・
外部接続端子、９・・・・・・Ｃチツプ、１０・・・・
・・ボンデイングワイヤ、１１・・・・・・ポツテイン
グ枠、１２・・・・・・ポツテイング材、１３・・・・
・・上部ガラス、１４・・・・・・液晶。
表示パネルの下部ガラス基板を示し、第２図は液晶表示
パネルとして完成した状態の第１図におけるＡ−Ｎ断面
を示している。 図中の主な番号の名称を明記すると、１・・・・・・下
部ガラス基板、２・・・・・・透明導電膜、３・・・・
・・下誘電体厚膜、４・・・・・・導体厚膜、５・・・
・・・上誘電体厚膜、６・・・・・・電流導入部、７・
・・・・・ワイヤボンデイングパツド、８・・・・・・
外部接続端子、９・・・・・・Ｃチツプ、１０・・・・
・・ボンデイングワイヤ、１１・・・・・・ポツテイン
グ枠、１２・・・・・・ポツテイング材、１３・・・・
・・上部ガラス、１４・・・・・・液晶。
Claims (1)
- １ 液晶表示パネルの一方を形成する透明基板の上面に
、表示用の透明導電膜を形成するとともに、一部分で前
記透明導電膜と接続し他の部分でＩＣチップと接続され
る厚膜導体を固着し、前記厚膜導体の上面には前記ＩＣ
チップとの接続部を除いて絶縁コーティングを行ない、
その後前記ＩＣチップとの接続部に金メッキを施し、前
記ＩＣチップと前記厚膜導体上の金メッキとをワイヤボ
ンディングにより接続したことを特徴とする回路基板の
製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP50071186A JPS5917810B2 (ja) | 1975-06-12 | 1975-06-12 | 回路基板の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP50071186A JPS5917810B2 (ja) | 1975-06-12 | 1975-06-12 | 回路基板の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS51147517A JPS51147517A (en) | 1976-12-17 |
| JPS5917810B2 true JPS5917810B2 (ja) | 1984-04-24 |
Family
ID=13453362
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP50071186A Expired JPS5917810B2 (ja) | 1975-06-12 | 1975-06-12 | 回路基板の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5917810B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008153608A (ja) * | 2006-12-13 | 2008-07-03 | Samsung Sdi Co Ltd | 有機電界発光表示装置及びその製造方法 |
| US8148719B2 (en) | 2006-11-30 | 2012-04-03 | Samsung Mobile Display Co., Ltd. | Organic light emitting display device and fabricating method thereof |
| US8536567B2 (en) | 2006-11-10 | 2013-09-17 | Samsung Display Co., Ltd. | Organic light emitting display and fabrication method thereof |
| US8598780B2 (en) | 2006-11-10 | 2013-12-03 | Samsung Display Co., Ltd. | Organic light emitting display and fabrication method thereof |
-
1975
- 1975-06-12 JP JP50071186A patent/JPS5917810B2/ja not_active Expired
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8536567B2 (en) | 2006-11-10 | 2013-09-17 | Samsung Display Co., Ltd. | Organic light emitting display and fabrication method thereof |
| US8598780B2 (en) | 2006-11-10 | 2013-12-03 | Samsung Display Co., Ltd. | Organic light emitting display and fabrication method thereof |
| US8148719B2 (en) | 2006-11-30 | 2012-04-03 | Samsung Mobile Display Co., Ltd. | Organic light emitting display device and fabricating method thereof |
| JP2008153608A (ja) * | 2006-12-13 | 2008-07-03 | Samsung Sdi Co Ltd | 有機電界発光表示装置及びその製造方法 |
| JP4684258B2 (ja) * | 2006-12-13 | 2011-05-18 | 三星モバイルディスプレイ株式會社 | 有機電界発光表示装置の製造方法 |
| US8916852B2 (en) | 2006-12-13 | 2014-12-23 | Samsung Display Co., Ltd. | Organic light emitting display having a substrate support structure and fabricating method thereof |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS51147517A (en) | 1976-12-17 |
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