JP2001319776A - Ｅｌパネルの作製方法 - Google Patents
Ｅｌパネルの作製方法Info
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K50/846—Passivation; Containers; Encapsulations comprising getter material or desiccants
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 ＥＬ層の劣化を促進させることなく、ＥＬパ
ネルを封ずる方法を提供する。 【解決手段】 ＥＬ層を有する基板と、前記ＥＬ層を間
に挟んで前記基板と向かい合うカバー材との間に、前記
ＥＬ層を囲むように、紫外線硬化樹脂からなるシール材
を設ける工程と、前記カバー材の前記基板とは反対側の
面に接して形成された遮光性を有するマスクを間に介し
て、前記カバー材の前記基板とは反対側の面に紫外光を
照射する工程とを有するＥＬパネルの作製方法であっ
て、前記マスクは前記ＥＬ層を覆っており、前記マスク
が有する開口部は前記シール材全体と重なっていること
を特徴とするＥＬパネルの作製方法。
ネルを封ずる方法を提供する。 【解決手段】 ＥＬ層を有する基板と、前記ＥＬ層を間
に挟んで前記基板と向かい合うカバー材との間に、前記
ＥＬ層を囲むように、紫外線硬化樹脂からなるシール材
を設ける工程と、前記カバー材の前記基板とは反対側の
面に接して形成された遮光性を有するマスクを間に介し
て、前記カバー材の前記基板とは反対側の面に紫外光を
照射する工程とを有するＥＬパネルの作製方法であっ
て、前記マスクは前記ＥＬ層を覆っており、前記マスク
が有する開口部は前記シール材全体と重なっていること
を特徴とするＥＬパネルの作製方法。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はＥＬ（エレクトロル
ミネッセンス）素子を基板上に作り込んで形成された電
子ディスプレイ（ＥＬディスプレイ）の作製方法に関す
る。特に、ＥＬディスプレイが有するＥＬパネルのセル
組立技術に関する。
ミネッセンス）素子を基板上に作り込んで形成された電
子ディスプレイ（ＥＬディスプレイ）の作製方法に関す
る。特に、ＥＬディスプレイが有するＥＬパネルのセル
組立技術に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、基板上にＴＦＴを形成する技術が
大幅に進歩し、アクティブマトリクス型の電子ディスプ
レイへの応用開発が進められている。特に、ポリシリコ
ン膜を用いたＴＦＴは、従来のアモルファスシリコン膜
を用いたＴＦＴよりも電界効果移動度（モビリティとも
いう）が高いので、高速動作が可能である。そのため、
従来基板の外に設けられた駆動回路で行っていた画素の
制御を、画素と同一の基板上に形成した駆動回路で行う
ことが可能となっている。
大幅に進歩し、アクティブマトリクス型の電子ディスプ
レイへの応用開発が進められている。特に、ポリシリコ
ン膜を用いたＴＦＴは、従来のアモルファスシリコン膜
を用いたＴＦＴよりも電界効果移動度（モビリティとも
いう）が高いので、高速動作が可能である。そのため、
従来基板の外に設けられた駆動回路で行っていた画素の
制御を、画素と同一の基板上に形成した駆動回路で行う
ことが可能となっている。
【０００３】このようなアクティブマトリクス型の電子
ディスプレイは、同一基板上に様々な回路や素子を作り
込むことで製造コストの低減、電子ディスプレイの小型
化、歩留まりの上昇、スループットの低減など、様々な
利点が得られる。
ディスプレイは、同一基板上に様々な回路や素子を作り
込むことで製造コストの低減、電子ディスプレイの小型
化、歩留まりの上昇、スループットの低減など、様々な
利点が得られる。
【０００４】そしてさらに、自発光型素子としてＥＬ素
子を有したアクティブマトリクス型のＥＬディスプレイ
の研究が活発化している。ＥＬディスプレイは有機ＥＬ
ディスプレイ（ＯＥＬＤ：Organic EL Display）又は有
機ライトエミッティングダイオード（ＯＬＥＤ：Organi
c Light Emitting Diode）とも呼ばれている。
子を有したアクティブマトリクス型のＥＬディスプレイ
の研究が活発化している。ＥＬディスプレイは有機ＥＬ
ディスプレイ（ＯＥＬＤ：Organic EL Display）又は有
機ライトエミッティングダイオード（ＯＬＥＤ：Organi
c Light Emitting Diode）とも呼ばれている。
【０００５】ＥＬディスプレイは、液晶ディスプレイと
異なり自発光型である。ＥＬ素子は一対の電極（陽極と
陰極）間にＥＬ層が挟まれた構造となっているが、ＥＬ
層は通常、積層構造となっている。代表的には、コダッ
ク・イーストマン・カンパニーのTangらが提案した「正
孔輸送層／発光層／電子輸送層」という積層構造が挙げ
られる。この構造は非常に発光効率が高く、現在、研究
開発が進められているＥＬディスプレイは殆どこの構造
を採用している。
異なり自発光型である。ＥＬ素子は一対の電極（陽極と
陰極）間にＥＬ層が挟まれた構造となっているが、ＥＬ
層は通常、積層構造となっている。代表的には、コダッ
ク・イーストマン・カンパニーのTangらが提案した「正
孔輸送層／発光層／電子輸送層」という積層構造が挙げ
られる。この構造は非常に発光効率が高く、現在、研究
開発が進められているＥＬディスプレイは殆どこの構造
を採用している。
【０００６】また他にも、陽極上に正孔注入層／正孔輸
送層／発光層／電子輸送層、または正孔注入層／正孔輸
送層／発光層／電子輸送層／電子注入層の順に積層する
構造でも良い。発光層に対して蛍光性色素等をドーピン
グしても良い。
送層／発光層／電子輸送層、または正孔注入層／正孔輸
送層／発光層／電子輸送層／電子注入層の順に積層する
構造でも良い。発光層に対して蛍光性色素等をドーピン
グしても良い。
【０００７】本明細書において陰極と陽極の間に設けら
れる全ての層を総称してＥＬ層と呼ぶ。よって上述した
正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層、電子注
入層等は、全てＥＬ層に含まれる。
れる全ての層を総称してＥＬ層と呼ぶ。よって上述した
正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層、電子注
入層等は、全てＥＬ層に含まれる。
【０００８】そして、上記構造でなるＥＬ層に一対の電
極から所定の電圧をかけ、それにより発光層においてキ
ャリアの再結合が起こって発光する。なお本明細書にお
いてＥＬ素子が発光することを、ＥＬ素子が駆動すると
呼ぶ。また、本明細書中では、陽極、ＥＬ層及び陰極で
形成される発光素子をＥＬ素子と呼ぶ。
極から所定の電圧をかけ、それにより発光層においてキ
ャリアの再結合が起こって発光する。なお本明細書にお
いてＥＬ素子が発光することを、ＥＬ素子が駆動すると
呼ぶ。また、本明細書中では、陽極、ＥＬ層及び陰極で
形成される発光素子をＥＬ素子と呼ぶ。
【０００９】図６に一般的なＥＬパネルの構成を示す。
図６（Ａ）はＥＬパネルの上面図であり、図６（Ｂ）は
Ａ−Ａ’における断面図である。
図６（Ａ）はＥＬパネルの上面図であり、図６（Ｂ）は
Ａ−Ａ’における断面図である。
【００１０】図６（Ａ）、（Ｂ）において、４００１は
基板、４００２は画素部、４００３はソース信号線駆動
回路、４００４はゲート信号線駆動回路であり、それぞ
れの駆動回路は配線４００５を経てＦＰＣ（フレキシブ
ルプリントサーキット）４００６に至り、外部機器へと
接続される。
基板、４００２は画素部、４００３はソース信号線駆動
回路、４００４はゲート信号線駆動回路であり、それぞ
れの駆動回路は配線４００５を経てＦＰＣ（フレキシブ
ルプリントサーキット）４００６に至り、外部機器へと
接続される。
【００１１】基板４００１の上にソース信号線駆動回路
４００３に含まれる駆動ＴＦＴ（但し、ここではｎチャ
ネル型ＴＦＴとｐチャネル型ＴＦＴを図示している。）
４２０１及び画素部４００２に含まれる電流制御用ＴＦ
Ｔ（ＥＬ素子への電流を制御するＴＦＴ）４２０２が形
成されている。なおここでは画素部が有するＴＦＴとし
て電流制御用ＴＦＴ４２０２のみ示しているが、電流制
御用ＴＦＴ４２０２以外にＴＦＴを有していても良い。
４００３に含まれる駆動ＴＦＴ（但し、ここではｎチャ
ネル型ＴＦＴとｐチャネル型ＴＦＴを図示している。）
４２０１及び画素部４００２に含まれる電流制御用ＴＦ
Ｔ（ＥＬ素子への電流を制御するＴＦＴ）４２０２が形
成されている。なおここでは画素部が有するＴＦＴとし
て電流制御用ＴＦＴ４２０２のみ示しているが、電流制
御用ＴＦＴ４２０２以外にＴＦＴを有していても良い。
【００１２】駆動ＴＦＴ４２０１及び電流制御用ＴＦＴ
４２０２の上には樹脂材料でなる層間絶縁膜（平坦化
膜）４３０１が形成され、その上に電流制御用ＴＦＴ４
２０２のドレイン領域と電気的に接続する画素電極（陽
極）４３０２が形成される。画素電極４３０２としては
仕事関数が大きく、光を透過することが可能な透明導電
膜が用いられる。
４２０２の上には樹脂材料でなる層間絶縁膜（平坦化
膜）４３０１が形成され、その上に電流制御用ＴＦＴ４
２０２のドレイン領域と電気的に接続する画素電極（陽
極）４３０２が形成される。画素電極４３０２としては
仕事関数が大きく、光を透過することが可能な透明導電
膜が用いられる。
【００１３】そして、画素電極４３０２の上には絶縁膜
４３０３が形成され、絶縁膜４３０３は画素電極４３０
２の上に開口部が形成されている。この開口部におい
て、画素電極４３０２の上にはＥＬ（エレクトロルミネ
ッセンス）層４３０４が形成される。
４３０３が形成され、絶縁膜４３０３は画素電極４３０
２の上に開口部が形成されている。この開口部におい
て、画素電極４３０２の上にはＥＬ（エレクトロルミネ
ッセンス）層４３０４が形成される。
【００１４】ＥＬ層４３０４の上には遮光性を有する導
電膜からなる陰極４３０５が形成される。このように、
画素電極（陽極）４３０２、ＥＬ層４３０４及び陰極４
３０５からＥＬ素子が形成されている。そして陰極４３
０５は４３０６で示される領域において配線４００５に
電気的に接続される。配線４００５は陰極４３０５に所
定の電圧を与えるための配線であり、異方導電性フィル
ム４３０７を介してＦＰＣ４００６に電気的に接続され
る。
電膜からなる陰極４３０５が形成される。このように、
画素電極（陽極）４３０２、ＥＬ層４３０４及び陰極４
３０５からＥＬ素子が形成されている。そして陰極４３
０５は４３０６で示される領域において配線４００５に
電気的に接続される。配線４００５は陰極４３０５に所
定の電圧を与えるための配線であり、異方導電性フィル
ム４３０７を介してＦＰＣ４００６に電気的に接続され
る。
【００１５】画素部４００２、ソース信号線駆動回路４
００３及びゲート信号線駆動回路４００４を覆うように
してシール材４１０１が設けられている。そしてシール
材４１０１上にカバー材４１０２が設けられている。Ｅ
Ｌ素子からの光の放射方向がカバー材４１０２側に向か
う場合には、カバー材は透明でなければならない。また
ＥＬ素子からの光の放射方向が基板４００１側に向かう
場合には基板は透明でなければならない。
００３及びゲート信号線駆動回路４００４を覆うように
してシール材４１０１が設けられている。そしてシール
材４１０１上にカバー材４１０２が設けられている。Ｅ
Ｌ素子からの光の放射方向がカバー材４１０２側に向か
う場合には、カバー材は透明でなければならない。また
ＥＬ素子からの光の放射方向が基板４００１側に向かう
場合には基板は透明でなければならない。
【００１６】ＥＬディスプレイを実用化する上で問題と
なっているのが、水分や酸素によってＥＬ層の劣化が促
進されることである。しかしこのように、ＥＬ素子、特
にＥＬ層４３０４をシール材４１０１によって基板４０
０１とカバー材４１０２の間に封入することで、水分や
酸素によりＥＬ層の劣化が促進されるのを防ぐことがで
きる。
なっているのが、水分や酸素によってＥＬ層の劣化が促
進されることである。しかしこのように、ＥＬ素子、特
にＥＬ層４３０４をシール材４１０１によって基板４０
０１とカバー材４１０２の間に封入することで、水分や
酸素によりＥＬ層の劣化が促進されるのを防ぐことがで
きる。
【００１７】
【発明が解決しようとする課題】図６に示したＥＬパネ
ルに用いられるシール材４１０１として、一般的に熱硬
化樹脂または紫外線硬化樹脂が用いられている。熱硬化
樹脂は、熱を加えることによって硬化する樹脂であり、
紫外線硬化樹脂は紫外線を照射することによって硬化す
る樹脂である。
ルに用いられるシール材４１０１として、一般的に熱硬
化樹脂または紫外線硬化樹脂が用いられている。熱硬化
樹脂は、熱を加えることによって硬化する樹脂であり、
紫外線硬化樹脂は紫外線を照射することによって硬化す
る樹脂である。
【００１８】紫外線硬化樹脂は、熱硬化樹脂に比べて硬
化する時間が短く、保存安定性に優れている。
化する時間が短く、保存安定性に優れている。
【００１９】図６に示したＥＬパネルのシール材４１０
１として紫外線硬化樹脂を用い、シール材４１０１によ
って基板４００１とカバー材４１０２の間にＥＬ素子を
封入する工程について、詳しく説明する
１として紫外線硬化樹脂を用い、シール材４１０１によ
って基板４００１とカバー材４１０２の間にＥＬ素子を
封入する工程について、詳しく説明する
【００２０】図７（Ａ）に、シール材の硬化を行うチャ
ンバー内の断面図を簡単に示す。筐体７０１の内部に固
定台７０２が設けられており、固定台７０２の上にＥＬ
パネル７０４が設置される。固定台７０２の下方に紫外
光を発する光源７０５が設けられている。ＥＬパネル７
０４と光源７０５との間には、石英ガラス等の透過性を
有する透過窓７０３が設けられており、光源７０５から
発せられた紫外光は透過窓７０３を透過してから、ＥＬ
パネル７０４に照射される。
ンバー内の断面図を簡単に示す。筐体７０１の内部に固
定台７０２が設けられており、固定台７０２の上にＥＬ
パネル７０４が設置される。固定台７０２の下方に紫外
光を発する光源７０５が設けられている。ＥＬパネル７
０４と光源７０５との間には、石英ガラス等の透過性を
有する透過窓７０３が設けられており、光源７０５から
発せられた紫外光は透過窓７０３を透過してから、ＥＬ
パネル７０４に照射される。
【００２１】７０７はゲートであり、ここからチャンバ
ーにＥＬパネルを出し入れすることができる。
ーにＥＬパネルを出し入れすることができる。
【００２２】ＥＬパネルのＡで示した部分の拡大図を、
図７（Ｂ）に示す。基板４００１とカバー材４１０２の
間にＥＬ素子が設けられている。ＥＬ素子は、陽極（画
素電極）４３０２と、ＥＬ層４３０４と、陰極４３０５
とで形成されており、基板に近い方から陽極（画素電
極）４３０２、ＥＬ層４３０４、陰極４３０５の順にせ
きそうされている。電流制御用ＴＦＴ４２０２のドレイ
ン領域は陽極（画素電極）４３０２に接続されている。
図７（Ｂ）に示す。基板４００１とカバー材４１０２の
間にＥＬ素子が設けられている。ＥＬ素子は、陽極（画
素電極）４３０２と、ＥＬ層４３０４と、陰極４３０５
とで形成されており、基板に近い方から陽極（画素電
極）４３０２、ＥＬ層４３０４、陰極４３０５の順にせ
きそうされている。電流制御用ＴＦＴ４２０２のドレイ
ン領域は陽極（画素電極）４３０２に接続されている。
【００２３】陰極４３０５とカバー材４１０２との間に
は、ＥＬ層４３０４を完全に覆うようにシール材４１０
１が充填されている。光源７０５から発せられる紫外光
は、陰極４３０５に対してＥＬ層４３０４と反対の側か
らＥＬパネル７０４に照射され、シール材４１０１を硬
化させる。よって、ＥＬ層４３０４と陰極４３０５との
間には光を透過しない陰極４３０５が設けられているこ
とになるため、光源７０５から発せられる紫外光は、理
想的にはＥＬ層４３０４に照射されない。
は、ＥＬ層４３０４を完全に覆うようにシール材４１０
１が充填されている。光源７０５から発せられる紫外光
は、陰極４３０５に対してＥＬ層４３０４と反対の側か
らＥＬパネル７０４に照射され、シール材４１０１を硬
化させる。よって、ＥＬ層４３０４と陰極４３０５との
間には光を透過しない陰極４３０５が設けられているこ
とになるため、光源７０５から発せられる紫外光は、理
想的にはＥＬ層４３０４に照射されない。
【００２４】しかし陰極４３０５を形成する際に不本意
に形成されたピンホールなどが存在した場合、図７
（Ｂ）のＢ部に示すように、紫外光がＥＬ層に照射され
る。紫外光がＥＬ層４３０４に照射されるとＥＬ層４３
０４の劣化が促進されてしまう。
に形成されたピンホールなどが存在した場合、図７
（Ｂ）のＢ部に示すように、紫外光がＥＬ層に照射され
る。紫外光がＥＬ層４３０４に照射されるとＥＬ層４３
０４の劣化が促進されてしまう。
【００２５】またＥＬパネル７０４の陰極４３０５が形
成されていない部分においては、紫外光はＥＬパネルを
透過する。透過した紫外光は筐体内部で乱反射し、ＥＬ
パネル７０４に照射される。陽極４３０２は透光性を有
する材料で形成されているため、基板４００１側からＥ
Ｌパネル７０４に照射された紫外光は、ＥＬ層４３０４
に照射される。よって、ＥＬ層４３０４の劣化が促進さ
れてしまう。
成されていない部分においては、紫外光はＥＬパネルを
透過する。透過した紫外光は筐体内部で乱反射し、ＥＬ
パネル７０４に照射される。陽極４３０２は透光性を有
する材料で形成されているため、基板４００１側からＥ
Ｌパネル７０４に照射された紫外光は、ＥＬ層４３０４
に照射される。よって、ＥＬ層４３０４の劣化が促進さ
れてしまう。
【００２６】本発明は上述したことに鑑み、ＥＬ層の劣
化を促進させることなく、ＥＬパネルを封ずる方法を提
供する。
化を促進させることなく、ＥＬパネルを封ずる方法を提
供する。
【００２７】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、陰極にピ
ンホールが形成されることを前提とし、ＥＬ層が形成さ
れている部分に紫外光を照射しないでＥＬパネルを封ず
るために、紫外線硬化樹脂でなるシール材を、ＥＬ層が
形成されている部分を囲むように基板とカバー材との間
に設け、シール材の部分のみに紫外光が照射されるよう
にした。
ンホールが形成されることを前提とし、ＥＬ層が形成さ
れている部分に紫外光を照射しないでＥＬパネルを封ず
るために、紫外線硬化樹脂でなるシール材を、ＥＬ層が
形成されている部分を囲むように基板とカバー材との間
に設け、シール材の部分のみに紫外光が照射されるよう
にした。
【００２８】上述したように、ＥＬ層が形成されている
部分に紫外光を照射しないことで、紫外光を含む光によ
るＥＬ層の劣化を抑えることができ、なおかつＥＬパネ
ルを封ずることで、酸素や水分によるＥＬ層の劣化を抑
えることができる。
部分に紫外光を照射しないことで、紫外光を含む光によ
るＥＬ層の劣化を抑えることができ、なおかつＥＬパネ
ルを封ずることで、酸素や水分によるＥＬ層の劣化を抑
えることができる。
【００２９】以下に、本発明の構成を示す。
【００３０】本発明は、ＥＬ層を有する基板と、前記Ｅ
Ｌ層を間に挟んで前記基板と向かい合うカバー材との間
に、前記ＥＬ層を囲むように、紫外線硬化樹脂からなる
シール材を設ける工程と、前記カバー材の前記基板とは
反対側の面に接して形成された遮光性を有するマスクを
間に介して、前記カバー材の前記基板とは反対側の面に
紫外光を照射する工程と、を有するＥＬパネルの作製方
法であって、前記マスクは前記ＥＬ層を覆っており、前
記マスクが有する開口部は前記シール材全体と重なって
いることを特徴とするＥＬパネルの作製方法である。
Ｌ層を間に挟んで前記基板と向かい合うカバー材との間
に、前記ＥＬ層を囲むように、紫外線硬化樹脂からなる
シール材を設ける工程と、前記カバー材の前記基板とは
反対側の面に接して形成された遮光性を有するマスクを
間に介して、前記カバー材の前記基板とは反対側の面に
紫外光を照射する工程と、を有するＥＬパネルの作製方
法であって、前記マスクは前記ＥＬ層を覆っており、前
記マスクが有する開口部は前記シール材全体と重なって
いることを特徴とするＥＬパネルの作製方法である。
【００３１】本発明は、ＥＬ層を有する基板と、前記Ｅ
Ｌ層を間に挟んで前記基板と向かい合うカバー材との間
に、前記ＥＬ層を囲むように、紫外線硬化樹脂からなる
シール材を設ける工程と、前記カバー材の前記基板とは
反対側の面に接して形成された遮光性を有するマスクを
間に介して、前記カバー材の前記基板とは反対側の面に
紫外光を照射する工程と、を有するＥＬパネルの作製方
法であって、前記マスクは前記複数のＥＬ層の全てを覆
っており、前記マスクが有する開口部は前記シール材全
体と重なっていることを特徴とするＥＬパネルの作製方
法である。
Ｌ層を間に挟んで前記基板と向かい合うカバー材との間
に、前記ＥＬ層を囲むように、紫外線硬化樹脂からなる
シール材を設ける工程と、前記カバー材の前記基板とは
反対側の面に接して形成された遮光性を有するマスクを
間に介して、前記カバー材の前記基板とは反対側の面に
紫外光を照射する工程と、を有するＥＬパネルの作製方
法であって、前記マスクは前記複数のＥＬ層の全てを覆
っており、前記マスクが有する開口部は前記シール材全
体と重なっていることを特徴とするＥＬパネルの作製方
法である。
【００３２】本発明は、前記カバー材が透光性を有して
いることを特徴としていても良い。
いることを特徴としていても良い。
【００３３】本発明は、ＥＬ層を有する基板と、前記Ｅ
Ｌ層を間に挟んで前記基板と向かい合うカバー材との間
に、前記ＥＬ層を囲むように、紫外線硬化樹脂からなる
シール材を設ける工程と、前記基板の前記カバー材とは
反対側の面に接して形成された遮光性を有するマスクを
間に介して、前記基板の前記カバー材とは反対側の面に
紫外光を照射する工程と、を有するＥＬパネルの作製方
法であって、前記マスクは前記ＥＬ層を覆っており、前
記マスクが有する開口部は前記シール材全体と重なって
いることを特徴とするＥＬパネルの作製方法である。
Ｌ層を間に挟んで前記基板と向かい合うカバー材との間
に、前記ＥＬ層を囲むように、紫外線硬化樹脂からなる
シール材を設ける工程と、前記基板の前記カバー材とは
反対側の面に接して形成された遮光性を有するマスクを
間に介して、前記基板の前記カバー材とは反対側の面に
紫外光を照射する工程と、を有するＥＬパネルの作製方
法であって、前記マスクは前記ＥＬ層を覆っており、前
記マスクが有する開口部は前記シール材全体と重なって
いることを特徴とするＥＬパネルの作製方法である。
【００３４】本発明は、ＥＬ層を有する基板と、前記Ｅ
Ｌ層を間に挟んで前記基板と向かい合うカバー材との間
に、前記ＥＬ層を囲むように、紫外線硬化樹脂からなる
シール材を設ける工程と、前記基板の前記カバー材とは
反対側の面に接して形成された遮光性を有するマスクを
間に介して、前記基板の前記カバー材とは反対側の面に
紫外光を照射する工程と、を有するＥＬパネルの作製方
法であって、前記マスクは前記複数のＥＬ層の全てを覆
っており、前記マスクが有する開口部は前記シール材全
体と重なっていることを特徴とするＥＬパネルの作製方
法である。
Ｌ層を間に挟んで前記基板と向かい合うカバー材との間
に、前記ＥＬ層を囲むように、紫外線硬化樹脂からなる
シール材を設ける工程と、前記基板の前記カバー材とは
反対側の面に接して形成された遮光性を有するマスクを
間に介して、前記基板の前記カバー材とは反対側の面に
紫外光を照射する工程と、を有するＥＬパネルの作製方
法であって、前記マスクは前記複数のＥＬ層の全てを覆
っており、前記マスクが有する開口部は前記シール材全
体と重なっていることを特徴とするＥＬパネルの作製方
法である。
【００３５】本発明は、前記基板が透光性を有している
ことを特徴としていても良い。
ことを特徴としていても良い。
【００３６】本発明は、前記紫外線硬化樹脂は、アクリ
ル系紫外線硬化樹脂またはエポキシ系紫外線硬化樹脂で
あることを特徴としていても良い。
ル系紫外線硬化樹脂またはエポキシ系紫外線硬化樹脂で
あることを特徴としていても良い。
【００３７】
【発明の実施の形態】以下に、本発明のＥＬパネルを封
じる方法について説明する。図１（Ａ）に、本発明で用
いるＥＬパネルの上面図と、図１（Ｂ）にＣ−Ｃ’にお
けるその断面図を示す。
じる方法について説明する。図１（Ａ）に、本発明で用
いるＥＬパネルの上面図と、図１（Ｂ）にＣ−Ｃ’にお
けるその断面図を示す。
【００３８】図１（Ａ）、（Ｂ）において、１０１は基
板、１０２はカバー材であり、基板１０１とカバー材１
０２との間にＥＬ層１０４が設けられている。なお本発
明はアクティブ型のＥＬパネルだけではなく、パッシブ
型のＥＬパネルにも適用することが可能である。
板、１０２はカバー材であり、基板１０１とカバー材１
０２との間にＥＬ層１０４が設けられている。なお本発
明はアクティブ型のＥＬパネルだけではなく、パッシブ
型のＥＬパネルにも適用することが可能である。
【００３９】紫外線硬化樹脂からなるシール材１０３
は、基板１０１とカバー材１０２との間においてＥＬ層
１０４を完全に囲むように形成されている。そしてマス
ク１０５は、カバー材１０２の基板１０１とは反対の側
に、カバー材１０２に接して形成されている。なお本発
明はこの構成に限定されず、マスク１０５が基板１０１
のカバー材１０２とは反対の側に、基板１０１に接して
形成されていても良い。
は、基板１０１とカバー材１０２との間においてＥＬ層
１０４を完全に囲むように形成されている。そしてマス
ク１０５は、カバー材１０２の基板１０１とは反対の側
に、カバー材１０２に接して形成されている。なお本発
明はこの構成に限定されず、マスク１０５が基板１０１
のカバー材１０２とは反対の側に、基板１０１に接して
形成されていても良い。
【００４０】マスク１０５はＥＬ層１０４を完全に覆っ
ており、なおかつシール材１０３上に開口部１０６を有
している。そして、マスク１０５は紫外光を透過しずら
い材料で形成されている。なお矢印は、光源から発せら
れる紫外光が照射される方向を示している。
ており、なおかつシール材１０３上に開口部１０６を有
している。そして、マスク１０５は紫外光を透過しずら
い材料で形成されている。なお矢印は、光源から発せら
れる紫外光が照射される方向を示している。
【００４１】なお、基板１０１とカバー材１０２とシー
ル材１０３とで囲まれた部分に、窒素または希ガスなど
の不活性な気体を充填しても良いし、紫外線硬化樹脂以
外で透過性を有する樹脂を充填しても良い。
ル材１０３とで囲まれた部分に、窒素または希ガスなど
の不活性な気体を充填しても良いし、紫外線硬化樹脂以
外で透過性を有する樹脂を充填しても良い。
【００４２】なお図１ではＥＬパネルが１枚の場合につ
いて示したが、１枚の基板から複数のＥＬパネルを形成
する場合についても、本発明を適用することが可能であ
る。複数のＥＬパネルを、切断する前の状態においてシ
ール材で封じる場合について、図２を用いて説明する。
なお図２では、４枚のＥＬパネルを同時に形成する場合
について説明するが、ＥＬパネルの数はこれに限定され
ない。
いて示したが、１枚の基板から複数のＥＬパネルを形成
する場合についても、本発明を適用することが可能であ
る。複数のＥＬパネルを、切断する前の状態においてシ
ール材で封じる場合について、図２を用いて説明する。
なお図２では、４枚のＥＬパネルを同時に形成する場合
について説明するが、ＥＬパネルの数はこれに限定され
ない。
【００４３】図２（Ａ）に、本発明で用いる切断前のＥ
Ｌパネルの上面図と、図２（Ｂ）にＤ−Ｄ’におけるそ
の断面図を示す。
Ｌパネルの上面図と、図２（Ｂ）にＤ−Ｄ’におけるそ
の断面図を示す。
【００４４】図２（Ａ）、（Ｂ）において、２０１は基
板、２０２はカバー材であり、基板２０１とカバー材２
０２との間にＥＬ層２０４が複数設けられている。なお
本発明はアクティブ型のＥＬパネルだけではなく、パッ
シブ型のＥＬパネルにも適用することが可能である。
板、２０２はカバー材であり、基板２０１とカバー材２
０２との間にＥＬ層２０４が複数設けられている。なお
本発明はアクティブ型のＥＬパネルだけではなく、パッ
シブ型のＥＬパネルにも適用することが可能である。
【００４５】紫外線硬化樹脂からなるシール材２０３
は、基板２０１とカバー材２０２との間において各ＥＬ
層２０４を完全に囲むように形成されている。そしてマ
スク２０５は、カバー材２０２の基板２０１とは反対の
側に、カバー材２０２に接して形成されている。なお本
発明はこの構成に限定されず、マスク２０５が基板２０
１のカバー材２０２とは反対の側に、基板２０１に接し
て形成されていても良い。
は、基板２０１とカバー材２０２との間において各ＥＬ
層２０４を完全に囲むように形成されている。そしてマ
スク２０５は、カバー材２０２の基板２０１とは反対の
側に、カバー材２０２に接して形成されている。なお本
発明はこの構成に限定されず、マスク２０５が基板２０
１のカバー材２０２とは反対の側に、基板２０１に接し
て形成されていても良い。
【００４６】マスク２０５は全てのＥＬ層２０４を完全
に覆っており、なおかつシール材２０３上に開口部２０
６を有している。そして、マスク２０５は紫外光を透過
しずらい材料で形成されている。なお矢印は、光源から
発せられる紫外光が照射される方向を示している。
に覆っており、なおかつシール材２０３上に開口部２０
６を有している。そして、マスク２０５は紫外光を透過
しずらい材料で形成されている。なお矢印は、光源から
発せられる紫外光が照射される方向を示している。
【００４７】なお、基板２０１とカバー材２０２とシー
ル材２０３とで囲まれた部分に、窒素または希ガスなど
の不活性な気体を充填しても良いし、紫外線硬化樹脂以
外で透過性を有する樹脂を充填しても良い。
ル材２０３とで囲まれた部分に、窒素または希ガスなど
の不活性な気体を充填しても良いし、紫外線硬化樹脂以
外で透過性を有する樹脂を充填しても良い。
【００４８】次に、図２に示した切断前のＥＬパネル
を、チャンバー内で封じる工程について説明する。
を、チャンバー内で封じる工程について説明する。
【００４９】図３（Ａ）に、シール材の硬化を行うチャ
ンバー内の断面図を簡単に示す。筐体３０１の内部に固
定台３０２が設けられており、固定台３０２の上に切断
前のＥＬパネル３０４が設置される。固定台３０２の下
方に紫外光を発する光源３０５が設けられている。切断
前のＥＬパネル３０４と光源３０５との間には、石英ガ
ラス等の透過性を有する透過窓３０３が設けられてお
り、光源３０５から発せられた紫外光は透過窓３０３を
透過してから、切断前のＥＬパネル３０４に照射され
る。
ンバー内の断面図を簡単に示す。筐体３０１の内部に固
定台３０２が設けられており、固定台３０２の上に切断
前のＥＬパネル３０４が設置される。固定台３０２の下
方に紫外光を発する光源３０５が設けられている。切断
前のＥＬパネル３０４と光源３０５との間には、石英ガ
ラス等の透過性を有する透過窓３０３が設けられてお
り、光源３０５から発せられた紫外光は透過窓３０３を
透過してから、切断前のＥＬパネル３０４に照射され
る。
【００５０】３０７はゲートであり、ここからチャンバ
ーに切断前のＥＬパネルを出し入れすることができる。
ーに切断前のＥＬパネルを出し入れすることができる。
【００５１】切断前のＥＬパネル３０４のＥで示した部
分の拡大図を、図３（Ｂ）に示す。基板２０１とカバー
材２０２の間にＥＬ層２０４が設けられている。
分の拡大図を、図３（Ｂ）に示す。基板２０１とカバー
材２０２の間にＥＬ層２０４が設けられている。
【００５２】光源３０５から発せられる紫外光はマスク
２０５において吸収され、マスク２０５の開口部２０６
を通過した紫外光がシール材２０３に照射される。紫外
線の照射により、シール材４１０１は硬化され、る。
２０５において吸収され、マスク２０５の開口部２０６
を通過した紫外光がシール材２０３に照射される。紫外
線の照射により、シール材４１０１は硬化され、る。
【００５３】なおマスクは、切断前のＥＬパネルが封じ
られたあとに除去する。
られたあとに除去する。
【００５４】なお図３では、切断前のＥＬパネルを封じ
る工程について説明したが、図１に示したＥＬパネルを
同様に封じることは可能である。
る工程について説明したが、図１に示したＥＬパネルを
同様に封じることは可能である。
【００５５】本発明は上記構成によって、陰極にピンホ
ールが形成されていても、ＥＬ層に紫外光が照射される
ことを防ぐことができる。またチャンバー内の紫外光の
乱反射によって、紫外光が陽極側からＥＬ層に照射され
ることを防ぐことができる。
ールが形成されていても、ＥＬ層に紫外光が照射される
ことを防ぐことができる。またチャンバー内の紫外光の
乱反射によって、紫外光が陽極側からＥＬ層に照射され
ることを防ぐことができる。
【００５６】よって本発明は、ＥＬ層に紫外光が照射さ
れることを効果的に防ぐことができ、紫外光を含む光に
よるＥＬ層の劣化を抑えることがでる。そしてＥＬパネ
ルを封ずることによって、酸素や水分によるＥＬ層の劣
化を抑えることもできる。
れることを効果的に防ぐことができ、紫外光を含む光に
よるＥＬ層の劣化を抑えることがでる。そしてＥＬパネ
ルを封ずることによって、酸素や水分によるＥＬ層の劣
化を抑えることもできる。
【００５７】なお、従来においてＥＬ素子は、基板側か
ら陽極、ＥＬ層、陰極の順に積層し、なおかつカバー材
の基板とは反対の側から紫外光を照射しなくてはならな
かった。しかし本発明ではマスクの位置を制御すること
で、カバー材の基板とは反対の側からでも、基板のカバ
ー材とは反対の側からでも紫外光を照射することが可能
である。そしてなおかつ図１において示したＥＬパネル
と図２において示した切断前のＥＬパネルとが有するＥ
Ｌ素子は、陰極と陽極が互いに入れ替わっても良い。
ら陽極、ＥＬ層、陰極の順に積層し、なおかつカバー材
の基板とは反対の側から紫外光を照射しなくてはならな
かった。しかし本発明ではマスクの位置を制御すること
で、カバー材の基板とは反対の側からでも、基板のカバ
ー材とは反対の側からでも紫外光を照射することが可能
である。そしてなおかつ図１において示したＥＬパネル
と図２において示した切断前のＥＬパネルとが有するＥ
Ｌ素子は、陰極と陽極が互いに入れ替わっても良い。
【００５８】また、シール材１０３、２０３としては、
紫外線硬化樹脂を用いることが必要であり、アクリル系
紫外線硬化樹脂と、エポキシ系紫外線硬化樹脂を用いる
ことが可能である。
紫外線硬化樹脂を用いることが必要であり、アクリル系
紫外線硬化樹脂と、エポキシ系紫外線硬化樹脂を用いる
ことが可能である。
【００５９】図１で示したＥＬパネルと、図２で示した
切断前のＥＬパネルにおいて、ＥＬ層１０４、２０４の
形成方法は公知の蒸着技術もしくは塗布法技術を用いれ
ば良い。また、ＥＬ層１０４、２０４の構造は正孔注入
層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層または電子注入層
を自由に組み合わせて積層構造または単層構造とすれば
良い。
切断前のＥＬパネルにおいて、ＥＬ層１０４、２０４の
形成方法は公知の蒸着技術もしくは塗布法技術を用いれ
ば良い。また、ＥＬ層１０４、２０４の構造は正孔注入
層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層または電子注入層
を自由に組み合わせて積層構造または単層構造とすれば
良い。
【００６０】またＥＬ層１０４、２０４は公知の有機Ｅ
Ｌ材料または無機ＥＬ材料を用いることができる。ま
た、有機ＥＬ材料には低分子系（モノマー系）材料と高
分子系（ポリマー系）材料があるがどちらを用いても良
い。
Ｌ材料または無機ＥＬ材料を用いることができる。ま
た、有機ＥＬ材料には低分子系（モノマー系）材料と高
分子系（ポリマー系）材料があるがどちらを用いても良
い。
【００６１】またカバー材１０２、２０２としては、ガ
ラス材、金属材（代表的にはステンレス材）、セラミッ
クス材、プラスチック材（プラスチックフィルムも含
む）を用いることができる。プラスチック材としては、
ＦＲＰ（Ｆｉｂｅｒｇｌａｓｓ−Ｒｅｉｎｆｏｒｃｅｄ
Ｐｌａｓｔｉｃｓ）板、ＰＶＦ（ポリビニルフルオラ
イド）フィルム、マイラーフィルム、ポリエステルフィ
ルムまたはアクリル樹脂フィルムを用いることができ
る。また、アルミニウムホイルをＰＶＦフィルムやマイ
ラーフィルムで挟んだ構造のシートを用いることもでき
る。
ラス材、金属材（代表的にはステンレス材）、セラミッ
クス材、プラスチック材（プラスチックフィルムも含
む）を用いることができる。プラスチック材としては、
ＦＲＰ（Ｆｉｂｅｒｇｌａｓｓ−Ｒｅｉｎｆｏｒｃｅｄ
Ｐｌａｓｔｉｃｓ）板、ＰＶＦ（ポリビニルフルオラ
イド）フィルム、マイラーフィルム、ポリエステルフィ
ルムまたはアクリル樹脂フィルムを用いることができ
る。また、アルミニウムホイルをＰＶＦフィルムやマイ
ラーフィルムで挟んだ構造のシートを用いることもでき
る。
【００６２】但し、ＥＬ素子からの光の放射方向がカバ
ー材側に向かう場合と、光源からの紫外光がカバー材の
基板とは反対の側から照射される場合とにおいて、カバ
ー材は透明でなければならない。その場合には、ガラス
板、プラスチック板、ポリエステルフィルムまたはアク
リルフィルムのような透明な物質を用いる。
ー材側に向かう場合と、光源からの紫外光がカバー材の
基板とは反対の側から照射される場合とにおいて、カバ
ー材は透明でなければならない。その場合には、ガラス
板、プラスチック板、ポリエステルフィルムまたはアク
リルフィルムのような透明な物質を用いる。
【００６３】
【実施例】以下に、本発明の実施例について説明する。
【００６４】（実施例１）本実施例では、本発明によっ
て形成されるＥＬパネルの詳しい構成について説明す
る。
て形成されるＥＬパネルの詳しい構成について説明す
る。
【００６５】図４（Ａ）、（Ｂ）において、２００１は
基板、２００２は画素部、２００３はソース信号線駆動
回路、２００４はゲート信号線駆動回路であり、それぞ
れの駆動回路は配線２００５を経てＦＰＣ（フレキシブ
ルプリントサーキット）２００６に至り、外部機器へと
接続される。
基板、２００２は画素部、２００３はソース信号線駆動
回路、２００４はゲート信号線駆動回路であり、それぞ
れの駆動回路は配線２００５を経てＦＰＣ（フレキシブ
ルプリントサーキット）２００６に至り、外部機器へと
接続される。
【００６６】このとき、画素部２００２、ソース信号線
駆動回路２００３及びゲート信号線駆動回路２００４を
囲むようにしてシール材２１０１、カバー材２１０２、
充填材２１０３が設けられている。
駆動回路２００３及びゲート信号線駆動回路２００４を
囲むようにしてシール材２１０１、カバー材２１０２、
充填材２１０３が設けられている。
【００６７】図４（Ｂ）は図４（Ａ）をＦ−Ｆ’で切断
した断面図に相当し、基板２００１の上にソース信号線
駆動回路２００３に含まれる駆動ＴＦＴ（但し、ここで
はｎチャネル型ＴＦＴとｐチャネル型ＴＦＴを図示して
いる。）２２０１及び画素部２００２に含まれる電流制
御用ＴＦＴ（ＥＬ素子への電流を制御するＴＦＴ）２２
０２が形成されている。なお図４では、電流制御用ＴＦ
Ｔ２２０２のみ示しているが、画素部４００２が電流制
御用ＴＦＴ２２０２の他にＴＦＴを有していても良い。
した断面図に相当し、基板２００１の上にソース信号線
駆動回路２００３に含まれる駆動ＴＦＴ（但し、ここで
はｎチャネル型ＴＦＴとｐチャネル型ＴＦＴを図示して
いる。）２２０１及び画素部２００２に含まれる電流制
御用ＴＦＴ（ＥＬ素子への電流を制御するＴＦＴ）２２
０２が形成されている。なお図４では、電流制御用ＴＦ
Ｔ２２０２のみ示しているが、画素部４００２が電流制
御用ＴＦＴ２２０２の他にＴＦＴを有していても良い。
【００６８】本実施例では、駆動ＴＦＴ２２０１には公
知の方法で作製されたｐチャネル型ＴＦＴまたはｎチャ
ネル型ＴＦＴが用いられ、電流制御用ＴＦＴ２２０２に
は公知の方法で作製されたｐチャネル型ＴＦＴが用いら
れる。また、画素部２００２には電流制御用ＴＦＴ２２
０２のゲート電極に接続された保持容量（図示せず）が
設けられる。
知の方法で作製されたｐチャネル型ＴＦＴまたはｎチャ
ネル型ＴＦＴが用いられ、電流制御用ＴＦＴ２２０２に
は公知の方法で作製されたｐチャネル型ＴＦＴが用いら
れる。また、画素部２００２には電流制御用ＴＦＴ２２
０２のゲート電極に接続された保持容量（図示せず）が
設けられる。
【００６９】駆動ＴＦＴ２２０１及び電流制御用ＴＦＴ
２２０２の上には樹脂材料でなる層間絶縁膜（平坦化
膜）２３０１が形成され、その上に電流制御用ＴＦＴ２
２０２のドレイン領域と電気的に接続する画素電極（陽
極）２３０２が形成される。画素電極２３０２としては
仕事関数の大きい透明の導電膜が用いられる。透明の導
電膜としては、酸化インジウムと酸化スズとの化合物、
酸化インジウムと酸化亜鉛との化合物、酸化亜鉛、酸化
スズまたは酸化インジウムを用いることができる。ま
た、前記透明導電膜にガリウムを添加したものを用いて
も良い。
２２０２の上には樹脂材料でなる層間絶縁膜（平坦化
膜）２３０１が形成され、その上に電流制御用ＴＦＴ２
２０２のドレイン領域と電気的に接続する画素電極（陽
極）２３０２が形成される。画素電極２３０２としては
仕事関数の大きい透明の導電膜が用いられる。透明の導
電膜としては、酸化インジウムと酸化スズとの化合物、
酸化インジウムと酸化亜鉛との化合物、酸化亜鉛、酸化
スズまたは酸化インジウムを用いることができる。ま
た、前記透明導電膜にガリウムを添加したものを用いて
も良い。
【００７０】そして、画素電極２３０２の上には絶縁膜
２３０３が形成され、絶縁膜２３０３は画素電極２３０
２の上に開口部が形成されている。この開口部におい
て、画素電極２３０２の上にはＥＬ（エレクトロルミネ
ッセンス）層２３０４が形成される。ＥＬ層２３０４は
公知の有機ＥＬ材料または無機ＥＬ材料を用いることが
できる。また、有機ＥＬ材料には低分子系（モノマー
系）材料と高分子系（ポリマー系）材料があるがどちら
を用いても良い。
２３０３が形成され、絶縁膜２３０３は画素電極２３０
２の上に開口部が形成されている。この開口部におい
て、画素電極２３０２の上にはＥＬ（エレクトロルミネ
ッセンス）層２３０４が形成される。ＥＬ層２３０４は
公知の有機ＥＬ材料または無機ＥＬ材料を用いることが
できる。また、有機ＥＬ材料には低分子系（モノマー
系）材料と高分子系（ポリマー系）材料があるがどちら
を用いても良い。
【００７１】ＥＬ層２３０４の形成方法は公知の蒸着技
術もしくは塗布法技術を用いれば良い。また、ＥＬ層の
構造は正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層ま
たは電子注入層を自由に組み合わせて積層構造または単
層構造とすれば良い。
術もしくは塗布法技術を用いれば良い。また、ＥＬ層の
構造は正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層ま
たは電子注入層を自由に組み合わせて積層構造または単
層構造とすれば良い。
【００７２】ＥＬ層２３０４の上には遮光性を有する導
電膜（代表的にはアルミニウム、銅もしくは銀を主成分
とする導電膜またはそれらと他の導電膜との積層膜）か
らなる陰極２３０５が形成される。また、陰極２３０５
とＥＬ層２３０４の界面に存在する水分や酸素は極力排
除しておくことが望ましい。従って、真空中で両者を連
続成膜するか、ＥＬ層２３０４を窒素または希ガス雰囲
気で形成し、酸素や水分に触れさせないまま陰極２３０
５を形成するといった工夫が必要である。本実施例では
マルチチャンバー方式（クラスターツール方式）の成膜
装置を用いることで上述のような成膜を可能とする。
電膜（代表的にはアルミニウム、銅もしくは銀を主成分
とする導電膜またはそれらと他の導電膜との積層膜）か
らなる陰極２３０５が形成される。また、陰極２３０５
とＥＬ層２３０４の界面に存在する水分や酸素は極力排
除しておくことが望ましい。従って、真空中で両者を連
続成膜するか、ＥＬ層２３０４を窒素または希ガス雰囲
気で形成し、酸素や水分に触れさせないまま陰極２３０
５を形成するといった工夫が必要である。本実施例では
マルチチャンバー方式（クラスターツール方式）の成膜
装置を用いることで上述のような成膜を可能とする。
【００７３】そして陰極２３０５は２３０６で示される
領域において配線２００５に電気的に接続される。配線
２００５は陰極２３０５に所定の電圧を与えるための配
線であり、異方導電性フィルム２３０７を介してＦＰＣ
２００６に電気的に接続される。
領域において配線２００５に電気的に接続される。配線
２００５は陰極２３０５に所定の電圧を与えるための配
線であり、異方導電性フィルム２３０７を介してＦＰＣ
２００６に電気的に接続される。
【００７４】以上のようにして、画素電極（陽極）２３
０２、ＥＬ層２３０４及び陰極２３０５からなるＥＬ素
子が形成される。このＥＬ素子は、シール材２１０１に
よって基板２００１に貼り合わされたカバー材２１０２
で囲まれ、充填材２１０３により封入されている。本実
施例においてシール材２１０１としてノーランド製ＮＯ
Ａ０６５の紫外線硬化樹脂を用いた。
０２、ＥＬ層２３０４及び陰極２３０５からなるＥＬ素
子が形成される。このＥＬ素子は、シール材２１０１に
よって基板２００１に貼り合わされたカバー材２１０２
で囲まれ、充填材２１０３により封入されている。本実
施例においてシール材２１０１としてノーランド製ＮＯ
Ａ０６５の紫外線硬化樹脂を用いた。
【００７５】カバー材２１０２としては、ガラス材、金
属材（代表的にはステンレス材）、セラミックス材、プ
ラスチック材（プラスチックフィルムも含む）を用いる
ことができる。プラスチック材としては、ＦＲＰ（Ｆｉ
ｂｅｒｇｌａｓｓ−Ｒｅｉｎｆｏｒｃｅｄ Ｐｌａｓｔ
ｉｃｓ）板、ＰＶＦ（ポリビニルフルオライド）フィル
ム、マイラーフィルム、ポリエステルフィルムまたはア
クリル樹脂フィルムを用いることができる。また、アル
ミニウムホイルをＰＶＦフィルムやマイラーフィルムで
挟んだ構造のシートを用いることもできる。
属材（代表的にはステンレス材）、セラミックス材、プ
ラスチック材（プラスチックフィルムも含む）を用いる
ことができる。プラスチック材としては、ＦＲＰ（Ｆｉ
ｂｅｒｇｌａｓｓ−Ｒｅｉｎｆｏｒｃｅｄ Ｐｌａｓｔ
ｉｃｓ）板、ＰＶＦ（ポリビニルフルオライド）フィル
ム、マイラーフィルム、ポリエステルフィルムまたはア
クリル樹脂フィルムを用いることができる。また、アル
ミニウムホイルをＰＶＦフィルムやマイラーフィルムで
挟んだ構造のシートを用いることもできる。
【００７６】但し、ＥＬ素子からの光の放射方向がカバ
ー材側に向かう場合と、光源からの紫外光がカバー材の
基板とは反対の側から照射される場合とにおいて、カバ
ー材は透明でなければならない。その場合には、ガラス
板、プラスチック板、ポリエステルフィルムまたはアク
リルフィルムのような透明な物質を用いる。
ー材側に向かう場合と、光源からの紫外光がカバー材の
基板とは反対の側から照射される場合とにおいて、カバ
ー材は透明でなければならない。その場合には、ガラス
板、プラスチック板、ポリエステルフィルムまたはアク
リルフィルムのような透明な物質を用いる。
【００７７】また、充填材２１０３の内部に吸湿性物質
（好ましくは酸化バリウム）もしくは酸素を吸着しうる
物質を設けておくとＥＬ素子の劣化を抑制できる。
（好ましくは酸化バリウム）もしくは酸素を吸着しうる
物質を設けておくとＥＬ素子の劣化を抑制できる。
【００７８】また、充填材２１０３の中にスペーサを含
有させてもよい。このとき、スペーサを酸化バリウムで
形成すればスペーサ自体に吸湿性をもたせることが可能
である。また、スペーサを設けた場合、スペーサからの
圧力を緩和するバッファ層として陰極２３０５上に樹脂
膜を設けることも有効である。
有させてもよい。このとき、スペーサを酸化バリウムで
形成すればスペーサ自体に吸湿性をもたせることが可能
である。また、スペーサを設けた場合、スペーサからの
圧力を緩和するバッファ層として陰極２３０５上に樹脂
膜を設けることも有効である。
【００７９】また、シール材２１０１の露呈部及びＦＰ
Ｃ２００６の一部を覆うように第２シール材２１０４を
設け、ＥＬ素子を徹底的に外気から遮断する構造として
も良い。こうして図４（Ｂ）の断面構造を有するＥＬパ
ネルとなる。
Ｃ２００６の一部を覆うように第２シール材２１０４を
設け、ＥＬ素子を徹底的に外気から遮断する構造として
も良い。こうして図４（Ｂ）の断面構造を有するＥＬパ
ネルとなる。
【００８０】（実施例２）本実施例では、上記各実施例
において、ＥＬ層を形成する際に使用する成膜装置の例
を示す。
において、ＥＬ層を形成する際に使用する成膜装置の例
を示す。
【００８１】本実施例の成膜装置について図５を用いて
説明する。図５において、１１０１は搬送室（Ａ）であ
り、搬送室（Ａ）１１０１には搬送機構（Ａ）１１０２
が備えられ、基板１１０３の搬送が行われる。搬送室
（Ａ）１１０１は減圧雰囲気にされており、各処理室と
はゲートによって遮断されている。各処理室への基板の
受け渡しは、ゲートを開けた際に搬送機構（Ａ）によっ
て行われる。また、搬送室（Ａ）１１０１を減圧するに
は、油回転ポンプ、メカニカルブースターポンプ、ター
ボ分子ポンプ若しくはクライオポンプなどの排気ポンプ
を用いることが可能であるが、水分の除去に効果的なク
ライオポンプが好ましい。
説明する。図５において、１１０１は搬送室（Ａ）であ
り、搬送室（Ａ）１１０１には搬送機構（Ａ）１１０２
が備えられ、基板１１０３の搬送が行われる。搬送室
（Ａ）１１０１は減圧雰囲気にされており、各処理室と
はゲートによって遮断されている。各処理室への基板の
受け渡しは、ゲートを開けた際に搬送機構（Ａ）によっ
て行われる。また、搬送室（Ａ）１１０１を減圧するに
は、油回転ポンプ、メカニカルブースターポンプ、ター
ボ分子ポンプ若しくはクライオポンプなどの排気ポンプ
を用いることが可能であるが、水分の除去に効果的なク
ライオポンプが好ましい。
【００８２】図５の成膜装置では、搬送室（Ａ）１１０
１の側面に排気ポート１１０４が設けられ、その下に排
気ポンプが設置される。このような構造とすると排気ポ
ンプのメンテナンスが容易になるという利点がある。
１の側面に排気ポート１１０４が設けられ、その下に排
気ポンプが設置される。このような構造とすると排気ポ
ンプのメンテナンスが容易になるという利点がある。
【００８３】以下に、各処理室についての説明を行う。
なお、搬送室（Ａ）１１０１は減圧雰囲気となるので、
搬送室（Ａ）１１０１に直接的に連結された処理室には
全て排気ポンプ（図示せず）が備えられている。排気ポ
ンプとしては油回転ポンプ、メカニカルブースターポン
プ、ターボ分子ポンプ若しくはクライオポンプが用いら
れる。
なお、搬送室（Ａ）１１０１は減圧雰囲気となるので、
搬送室（Ａ）１１０１に直接的に連結された処理室には
全て排気ポンプ（図示せず）が備えられている。排気ポ
ンプとしては油回転ポンプ、メカニカルブースターポン
プ、ターボ分子ポンプ若しくはクライオポンプが用いら
れる。
【００８４】まず、１１０５は基板のセッティング（設
置）を行うストック室であり、ロードロック室とも呼ば
れる。ストック室１１０５はゲート１１００aにより搬
送室（Ａ）１１０１と遮断され、ここに基板１１０３を
セットしたキャリア（図示せず）が配置される。なお、
ストック室１１０５は基板搬入用と基板搬出用とで部屋
が区別されていても良い。また、ストック室１１０５は
上述の排気ポンプと高純度の窒素ガスまたは希ガスを導
入するためのパージラインを備えている。
置）を行うストック室であり、ロードロック室とも呼ば
れる。ストック室１１０５はゲート１１００aにより搬
送室（Ａ）１１０１と遮断され、ここに基板１１０３を
セットしたキャリア（図示せず）が配置される。なお、
ストック室１１０５は基板搬入用と基板搬出用とで部屋
が区別されていても良い。また、ストック室１１０５は
上述の排気ポンプと高純度の窒素ガスまたは希ガスを導
入するためのパージラインを備えている。
【００８５】また、本実施例では基板１１０３を、素子
形成面を下向きにしてキャリアにセットする。これは後
に気相成膜（スパッタまたは蒸着による成膜）を行う際
に、フェイスダウン方式（デポアップ方式ともいう）を
行いやすくするためである。フェイスダウン方式とは、
基板の素子形成面が下を向いた状態で成膜する方式をい
い、この方式によればゴミの付着などを抑えることがで
きる。
形成面を下向きにしてキャリアにセットする。これは後
に気相成膜（スパッタまたは蒸着による成膜）を行う際
に、フェイスダウン方式（デポアップ方式ともいう）を
行いやすくするためである。フェイスダウン方式とは、
基板の素子形成面が下を向いた状態で成膜する方式をい
い、この方式によればゴミの付着などを抑えることがで
きる。
【００８６】次に、１１０６は搬送室（Ｂ）であり、ス
トック室１１０５とはゲート１１００bを介して連結さ
れ、搬送機構（Ｂ）１１０７を備えている。また、１１
０８は焼成室（ベーク室）であり、ゲート１１００cを
介して搬送室（Ｂ）１１０６と連結している。なお、焼
成室１１０８は基板の面の上下を反転させる機構を有す
る。即ち、フェイスダウン方式で搬送されてきた基板は
ここで一旦フェイスアップ方式に切り替わる。これは次
のスピンコータ１１０９での処理がフェイスアップ方式
で行えるようにするためである。また逆に、スピンコー
タ１１０９で処理を終えた基板は再び焼成室１１０８に
戻ってきて焼成され、再び上下を反転させてフェイスダ
ウン方式に切り替わり、ストック室１１０５へ戻る。
トック室１１０５とはゲート１１００bを介して連結さ
れ、搬送機構（Ｂ）１１０７を備えている。また、１１
０８は焼成室（ベーク室）であり、ゲート１１００cを
介して搬送室（Ｂ）１１０６と連結している。なお、焼
成室１１０８は基板の面の上下を反転させる機構を有す
る。即ち、フェイスダウン方式で搬送されてきた基板は
ここで一旦フェイスアップ方式に切り替わる。これは次
のスピンコータ１１０９での処理がフェイスアップ方式
で行えるようにするためである。また逆に、スピンコー
タ１１０９で処理を終えた基板は再び焼成室１１０８に
戻ってきて焼成され、再び上下を反転させてフェイスダ
ウン方式に切り替わり、ストック室１１０５へ戻る。
【００８７】ところでスピンコータを備えた成膜室１１
０９はゲート１１００dを介して搬送室（Ｂ）１１０６
と連結している。スピンコータを備えた成膜室１１０９
はＥＬ材料を含む溶液を基板上に塗布することでＥＬ材
料を含む膜を形成する成膜室であり、本実施例ではスピ
ンコータを備えた成膜室１１０９で高分子系（ポリマー
系）有機ＥＬ材料を成膜する。なお、成膜されるＥＬ材
料は、発光層として用いるものだけでなく、電荷注入層
または電荷輸送層をも含む。また、公知のいかなる高分
子系有機ＥＬ材料を用いても良い。
０９はゲート１１００dを介して搬送室（Ｂ）１１０６
と連結している。スピンコータを備えた成膜室１１０９
はＥＬ材料を含む溶液を基板上に塗布することでＥＬ材
料を含む膜を形成する成膜室であり、本実施例ではスピ
ンコータを備えた成膜室１１０９で高分子系（ポリマー
系）有機ＥＬ材料を成膜する。なお、成膜されるＥＬ材
料は、発光層として用いるものだけでなく、電荷注入層
または電荷輸送層をも含む。また、公知のいかなる高分
子系有機ＥＬ材料を用いても良い。
【００８８】発光層となる代表的な有機ＥＬ材料として
は、ＰＰＶ（ポリパラフェニレンビニレン）誘導体、Ｐ
ＶＫ（ポリビニルカルバゾール）誘導体またはポリフル
オレン誘導体が挙げられる。これはπ共役ポリマーとも
呼ばれる。また、電荷注入層としては、ＰＥＤＯＴ（ポ
リチオフェン）またはＰＡｎｉ（ポリアニリン）が挙げ
られる。
は、ＰＰＶ（ポリパラフェニレンビニレン）誘導体、Ｐ
ＶＫ（ポリビニルカルバゾール）誘導体またはポリフル
オレン誘導体が挙げられる。これはπ共役ポリマーとも
呼ばれる。また、電荷注入層としては、ＰＥＤＯＴ（ポ
リチオフェン）またはＰＡｎｉ（ポリアニリン）が挙げ
られる。
【００８９】なお、本実施例ではスピンコータを用いた
成膜室を示したが、スピンコータに限定する必要はな
く、スピンコータに代えてディスペンサー、印刷または
インクジェットを用いた成膜室であっても構わない。
成膜室を示したが、スピンコータに限定する必要はな
く、スピンコータに代えてディスペンサー、印刷または
インクジェットを用いた成膜室であっても構わない。
【００９０】本発明は、封止室１１１２においてＥＬパ
ネルを封じるのに用いられる。手作業でシール材を塗布
し基板とカバー材を張り合わせた後、受渡室１１１４に
入れられたＥＬパネル（または切断前のＥＬパネル）
は、ゲート１１００ｈから封止室１１１２に搬入され
る。
ネルを封じるのに用いられる。手作業でシール材を塗布
し基板とカバー材を張り合わせた後、受渡室１１１４に
入れられたＥＬパネル（または切断前のＥＬパネル）
は、ゲート１１００ｈから封止室１１１２に搬入され
る。
【００９１】そして紫外光照射機構１１１３が有する光
源からの紫外光によって、ＥＬパネルが封じられる。
源からの紫外光によって、ＥＬパネルが封じられる。
【００９２】なおマスクはシール材を塗布する前に形成
されても良いし、シール材を塗布し受渡室１１１４に入
れる前に形成しても良い。
されても良いし、シール材を塗布し受渡室１１１４に入
れる前に形成しても良い。
【００９３】また、本実施例の成膜装置は、実施例１の
構成と組み合わせて実施することが可能である。
構成と組み合わせて実施することが可能である。
【００９４】
【００９５】本発明は上記構成によって、陰極にピンホ
ールが形成されていても、ＥＬ層に紫外光が照射される
ことを防ぐことができる。またチャンバー内の紫外光の
乱反射によって、紫外光が陽極側からＥＬ層に照射され
ることを防ぐことができる。
ールが形成されていても、ＥＬ層に紫外光が照射される
ことを防ぐことができる。またチャンバー内の紫外光の
乱反射によって、紫外光が陽極側からＥＬ層に照射され
ることを防ぐことができる。
【００９６】よって本発明は、ＥＬ層に紫外光が照射さ
れることを効果的に防ぐことができ、紫外光を含む光に
よるＥＬ層の劣化を抑えることがでる。そしてＥＬパネ
ルを封ずることによって、酸素や水分によるＥＬ層の劣
化を抑えることもできる。
れることを効果的に防ぐことができ、紫外光を含む光に
よるＥＬ層の劣化を抑えることがでる。そしてＥＬパネ
ルを封ずることによって、酸素や水分によるＥＬ層の劣
化を抑えることもできる。
【００９７】なお、従来においてＥＬ素子は、基板側か
ら陽極、ＥＬ層、陰極の順に積層し、なおかつカバー材
の基板とは反対の側から紫外光を照射しなくてはならな
かった。しかし本発明ではマスクの位置を制御すること
で、カバー材の基板とは反対の側からでも、基板のカバ
ー材とは反対の側からでも紫外光を照射することが可能
である。そしてなおかつＥＬ素子は、陰極と陽極が互い
に入れ替わっていても良い。
ら陽極、ＥＬ層、陰極の順に積層し、なおかつカバー材
の基板とは反対の側から紫外光を照射しなくてはならな
かった。しかし本発明ではマスクの位置を制御すること
で、カバー材の基板とは反対の側からでも、基板のカバ
ー材とは反対の側からでも紫外光を照射することが可能
である。そしてなおかつＥＬ素子は、陰極と陽極が互い
に入れ替わっていても良い。
【図１】 本発明で用いるＥＬパネルの上面図と断面
図。
図。
【図２】 本発明で用いるＥＬパネルの上面図と断面
図。
図。
【図３】 本発明で用いるチャンバーの断面図とＥＬパ
ネルの拡大図。
ネルの拡大図。
【図４】 本発明で用いるＥＬパネルの詳細な上面図と
断面図。
断面図。
【図５】 本発明で用いるスピンコータの図。
【図６】 従来のＥＬパネルの上面図と断面図。
【図７】 従来用いられていたチャンバーの断面図とＥ
Ｌパネルの拡大図。
Ｌパネルの拡大図。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 3K007 AB13 BA06 BB01 BB02 BB04 CB01 DB03 EB00 FA00 FA02 FA03
Claims (7)
- 【請求項１】ＥＬ層を有する基板と、前記ＥＬ層を間に
挟んで前記基板と向かい合うカバー材との間に、前記Ｅ
Ｌ層を囲むように、紫外線硬化樹脂からなるシール材を
設ける工程と、 前記カバー材の前記基板とは反対側の面に接して形成さ
れた遮光性を有するマスクを間に介して、前記カバー材
の前記基板とは反対側の面に紫外光を照射する工程と、
を有するＥＬパネルの作製方法であって、 前記マスクは前記ＥＬ層を覆っており、 前記マスクが有する開口部は前記シール材全体と重なっ
ていることを特徴とするＥＬパネルの作製方法。 - 【請求項２】ＥＬ層を有する基板と、前記ＥＬ層を間に
挟んで前記基板と向かい合うカバー材との間に、前記Ｅ
Ｌ層を囲むように、紫外線硬化樹脂からなるシール材を
設ける工程と、 前記カバー材の前記基板とは反対側の面に接して形成さ
れた遮光性を有するマスクを間に介して、前記カバー材
の前記基板とは反対側の面に紫外光を照射する工程と、
を有するＥＬパネルの作製方法であって、 前記マスクは前記複数のＥＬ層の全てを覆っており、 前記マスクが有する開口部は前記シール材全体と重なっ
ていることを特徴とするＥＬパネルの作製方法。 - 【請求項３】請求項１または請求項２において、前記カ
バー材が透光性を有していることを特徴とするＥＬパネ
ルの作製方法。 - 【請求項４】ＥＬ層を有する基板と、前記ＥＬ層を間に
挟んで前記基板と向かい合うカバー材との間に、前記Ｅ
Ｌ層を囲むように、紫外線硬化樹脂からなるシール材を
設ける工程と、 前記基板の前記カバー材とは反対側の面に接して形成さ
れた遮光性を有するマスクを間に介して、前記基板の前
記カバー材とは反対側の面に紫外光を照射する工程と、
を有するＥＬパネルの作製方法であって、 前記マスクは前記ＥＬ層を覆っており、 前記マスクが有する開口部は前記シール材全体と重なっ
ていることを特徴とするＥＬパネルの作製方法。 - 【請求項５】ＥＬ層を有する基板と、前記ＥＬ層を間に
挟んで前記基板と向かい合うカバー材との間に、前記Ｅ
Ｌ層を囲むように、紫外線硬化樹脂からなるシール材を
設ける工程と、 前記基板の前記カバー材とは反対側の面に接して形成さ
れた遮光性を有するマスクを間に介して、前記基板の前
記カバー材とは反対側の面に紫外光を照射する工程と、
を有するＥＬパネルの作製方法であって、 前記マスクは前記複数のＥＬ層の全てを覆っており、 前記マスクが有する開口部は前記シール材全体と重なっ
ていることを特徴とするＥＬパネルの作製方法。 - 【請求項６】請求項４または請求項５において、前記基
板が透光性を有していることを特徴とするＥＬパネルの
作製方法。 - 【請求項７】請求項１乃至請求項６のいずれか１項にお
いて、前記紫外線硬化樹脂は、アクリル系紫外線硬化樹
脂またはエポキシ系紫外線硬化樹脂であることを特徴と
するＥＬパネルの作製方法。
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|---|---|
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Cited By (19)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003217844A (ja) * | 2002-01-24 | 2003-07-31 | Seiko Epson Corp | 発光装置の製造装置、発光装置の製造方法、電子装置の製造装置、電気光学装置、並びに電子機器 |
| WO2004068910A1 (ja) * | 2003-01-24 | 2004-08-12 | Semiconductor Energy Laboratory Co. Ltd. | 発光装置及びその製造方法、並びに前記発光装置を用いた電気機器 |
| JP2006165497A (ja) * | 2004-12-07 | 2006-06-22 | Lg Electron Inc | ガラスキャップ接着方法及び封止剤硬化用マスク |
| KR100595309B1 (ko) * | 2002-02-22 | 2006-07-03 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 마스크 고정장치 및 그를 이용한 ｕｖ조사장치 |
| KR100682762B1 (ko) | 2004-12-15 | 2007-02-15 | 엘지전자 주식회사 | 실란트 경화용 마스크 |
| KR100705315B1 (ko) * | 2004-03-22 | 2007-04-10 | 엘지전자 주식회사 | 마스크장치와 이를 이용한 유기전계발광소자의 제조방법및 제조장치 |
| KR100717325B1 (ko) * | 2005-04-28 | 2007-05-15 | 엘지전자 주식회사 | 평판 표시소자의 제조장치 |
| KR100727613B1 (ko) | 2006-06-29 | 2007-06-14 | 주식회사 대우일렉트로닉스 | 유기 발광 소자 패널 |
| JP2008084599A (ja) * | 2006-09-26 | 2008-04-10 | Fujifilm Corp | 有機ｅｌ発光装置、及び有機ｅｌ発光装置の製造方法 |
| US7453426B2 (en) | 2004-01-14 | 2008-11-18 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and electronic apparatus |
| US7566902B2 (en) | 2003-05-16 | 2009-07-28 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting device and electronic device |
| JP2010272542A (ja) * | 2006-12-13 | 2010-12-02 | Samsung Mobile Display Co Ltd | 有機電界発光表示装置 |
| US20110159773A1 (en) * | 2009-12-28 | 2011-06-30 | Samsung Mobile Display Co., Ltd. | Method of encapsulating organic light emitting display device |
| US8536567B2 (en) | 2006-11-10 | 2013-09-17 | Samsung Display Co., Ltd. | Organic light emitting display and fabrication method thereof |
| KR101331878B1 (ko) | 2013-04-05 | 2013-11-21 | 유진디스컴 주식회사 | 터치 디스플레이 패널 합착용 접착재 경화 장치 |
| US8598780B2 (en) | 2006-11-10 | 2013-12-03 | Samsung Display Co., Ltd. | Organic light emitting display and fabrication method thereof |
| US8670092B2 (en) | 2011-06-13 | 2014-03-11 | Au Optronics Corp. | Display device and method for manufacturing the same |
| CN105098092A (zh) * | 2015-06-17 | 2015-11-25 | 京东方科技集团股份有限公司 | 封装方法、显示面板及显示装置 |
| US9236418B2 (en) | 2002-01-24 | 2016-01-12 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device |
Citations (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06310273A (ja) * | 1993-04-21 | 1994-11-04 | Seikosha Co Ltd | Ｅｌ素子の製造方法 |
| JPH10275682A (ja) * | 1997-02-03 | 1998-10-13 | Nec Corp | 有機ｅｌ素子 |
| JPH11185956A (ja) * | 1997-12-18 | 1999-07-09 | Tdk Corp | 有機ｅｌ素子の製造方法および有機ｅｌ素子 |
| JP2000150145A (ja) * | 1998-11-02 | 2000-05-30 | Toyota Motor Corp | Ｅｌ素子の密封方法 |
| JP2000164354A (ja) * | 1998-11-25 | 2000-06-16 | Toyota Motor Corp | Ｅｌ素子の密封方法及びｅｌ素子密封装置 |
| JP2000194290A (ja) * | 1998-12-28 | 2000-07-14 | Toyota Motor Corp | 表示パネル及びその製造方法 |
| JP2001155855A (ja) * | 1999-11-24 | 2001-06-08 | Toyota Motor Corp | 有機ｅｌ素子の封止方法 |
| JP2001185349A (ja) * | 1999-12-28 | 2001-07-06 | Nec Corp | 有機ｅｌ表示パネル及びその製造方法 |
-
2000
- 2000-05-12 JP JP2000140722A patent/JP2001319776A/ja not_active Withdrawn
Patent Citations (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06310273A (ja) * | 1993-04-21 | 1994-11-04 | Seikosha Co Ltd | Ｅｌ素子の製造方法 |
| JPH10275682A (ja) * | 1997-02-03 | 1998-10-13 | Nec Corp | 有機ｅｌ素子 |
| JPH11185956A (ja) * | 1997-12-18 | 1999-07-09 | Tdk Corp | 有機ｅｌ素子の製造方法および有機ｅｌ素子 |
| JP2000150145A (ja) * | 1998-11-02 | 2000-05-30 | Toyota Motor Corp | Ｅｌ素子の密封方法 |
| JP2000164354A (ja) * | 1998-11-25 | 2000-06-16 | Toyota Motor Corp | Ｅｌ素子の密封方法及びｅｌ素子密封装置 |
| JP2000194290A (ja) * | 1998-12-28 | 2000-07-14 | Toyota Motor Corp | 表示パネル及びその製造方法 |
| JP2001155855A (ja) * | 1999-11-24 | 2001-06-08 | Toyota Motor Corp | 有機ｅｌ素子の封止方法 |
| JP2001185349A (ja) * | 1999-12-28 | 2001-07-06 | Nec Corp | 有機ｅｌ表示パネル及びその製造方法 |
Cited By (32)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9653519B2 (en) | 2002-01-24 | 2017-05-16 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device, method of preparing the same and device for fabricating the same |
| US9236418B2 (en) | 2002-01-24 | 2016-01-12 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device |
| JP2003217844A (ja) * | 2002-01-24 | 2003-07-31 | Seiko Epson Corp | 発光装置の製造装置、発光装置の製造方法、電子装置の製造装置、電気光学装置、並びに電子機器 |
| KR100595309B1 (ko) * | 2002-02-22 | 2006-07-03 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 마스크 고정장치 및 그를 이용한 ｕｖ조사장치 |
| US8860011B2 (en) | 2003-01-24 | 2014-10-14 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device, and electronic book including double-sided light emitting display panel |
| US8084081B2 (en) | 2003-01-24 | 2011-12-27 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Lighting emitting device, manufacturing method of the same, electronic apparatus having the same |
| US7199520B2 (en) | 2003-01-24 | 2007-04-03 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Lighting emitting device and electronic apparatus having the same |
| WO2004068910A1 (ja) * | 2003-01-24 | 2004-08-12 | Semiconductor Energy Laboratory Co. Ltd. | 発光装置及びその製造方法、並びに前記発光装置を用いた電気機器 |
| US9324773B2 (en) | 2003-01-24 | 2016-04-26 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display panel including a plurality of lighting emitting elements |
| JPWO2004068910A1 (ja) * | 2003-01-24 | 2006-05-25 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光装置及びその製造方法、並びに前記発光装置を用いた電気機器 |
| US7566902B2 (en) | 2003-05-16 | 2009-07-28 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting device and electronic device |
| US7453426B2 (en) | 2004-01-14 | 2008-11-18 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and electronic apparatus |
| US8907868B2 (en) | 2004-01-14 | 2014-12-09 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and electronic apparatus |
| KR100705315B1 (ko) * | 2004-03-22 | 2007-04-10 | 엘지전자 주식회사 | 마스크장치와 이를 이용한 유기전계발광소자의 제조방법및 제조장치 |
| US8303756B2 (en) | 2004-12-07 | 2012-11-06 | Lg Display Co., Ltd. | Method for bonding a glass cap and mask for curing sealant |
| JP2006165497A (ja) * | 2004-12-07 | 2006-06-22 | Lg Electron Inc | ガラスキャップ接着方法及び封止剤硬化用マスク |
| KR100682762B1 (ko) | 2004-12-15 | 2007-02-15 | 엘지전자 주식회사 | 실란트 경화용 마스크 |
| KR100717325B1 (ko) * | 2005-04-28 | 2007-05-15 | 엘지전자 주식회사 | 평판 표시소자의 제조장치 |
| KR100727613B1 (ko) | 2006-06-29 | 2007-06-14 | 주식회사 대우일렉트로닉스 | 유기 발광 소자 패널 |
| JP2008084599A (ja) * | 2006-09-26 | 2008-04-10 | Fujifilm Corp | 有機ｅｌ発光装置、及び有機ｅｌ発光装置の製造方法 |
| US8030845B2 (en) * | 2006-09-26 | 2011-10-04 | Fujifilm Corporation | Organic electroluminescence device and method for manufacturing the same |
| US8536567B2 (en) | 2006-11-10 | 2013-09-17 | Samsung Display Co., Ltd. | Organic light emitting display and fabrication method thereof |
| US8598780B2 (en) | 2006-11-10 | 2013-12-03 | Samsung Display Co., Ltd. | Organic light emitting display and fabrication method thereof |
| JP2010272542A (ja) * | 2006-12-13 | 2010-12-02 | Samsung Mobile Display Co Ltd | 有機電界発光表示装置 |
| US8916852B2 (en) | 2006-12-13 | 2014-12-23 | Samsung Display Co., Ltd. | Organic light emitting display having a substrate support structure and fabricating method thereof |
| US20110159773A1 (en) * | 2009-12-28 | 2011-06-30 | Samsung Mobile Display Co., Ltd. | Method of encapsulating organic light emitting display device |
| US8439719B2 (en) * | 2009-12-28 | 2013-05-14 | Samsung Display Co., Ltd. | Method of encapsulating organic light emitting display device |
| US8797494B2 (en) | 2011-06-13 | 2014-08-05 | Au Optronics Corp. | Display device and method for manufacturing the same |
| US8670092B2 (en) | 2011-06-13 | 2014-03-11 | Au Optronics Corp. | Display device and method for manufacturing the same |
| KR101331878B1 (ko) | 2013-04-05 | 2013-11-21 | 유진디스컴 주식회사 | 터치 디스플레이 패널 합착용 접착재 경화 장치 |
| CN105098092A (zh) * | 2015-06-17 | 2015-11-25 | 京东方科技集团股份有限公司 | 封装方法、显示面板及显示装置 |
| US10008696B2 (en) | 2015-06-17 | 2018-06-26 | Boe Technology Group Co., Ltd. | Packaging method, display panel and display device |
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