KR100740793B1 - 표시 소자 - Google Patents
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- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims abstract description 102
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 claims abstract description 86
- 230000010363 phase shift Effects 0.000 claims abstract description 41
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 40
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 claims abstract description 33
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 37
- 238000000295 emission spectrum Methods 0.000 claims description 9
- 238000000605 extraction Methods 0.000 claims description 7
- 239000010410 layer Substances 0.000 abstract description 118
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 abstract description 46
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 abstract description 6
- 239000010408 film Substances 0.000 description 33
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 16
- 238000004088 simulation Methods 0.000 description 16
- 239000000872 buffer Substances 0.000 description 12
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 9
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 8
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 7
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 7
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 6
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 5
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 5
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 3
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 3
- 239000012466 permeate Substances 0.000 description 3
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 2
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 2
- IBHBKWKFFTZAHE-UHFFFAOYSA-N n-[4-[4-(n-naphthalen-1-ylanilino)phenyl]phenyl]-n-phenylnaphthalen-1-amine Chemical compound C1=CC=CC=C1N(C=1C2=CC=CC=C2C=CC=1)C1=CC=C(C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C3=CC=CC=C3C=CC=2)C=C1 IBHBKWKFFTZAHE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000012788 optical film Substances 0.000 description 2
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 2
- 230000035699 permeability Effects 0.000 description 2
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 2
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K tri(quinolin-8-yloxy)alumane Chemical compound [Al+3].C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1 TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 2
- DIVZFUBWFAOMCW-UHFFFAOYSA-N 4-n-(3-methylphenyl)-1-n,1-n-bis[4-(n-(3-methylphenyl)anilino)phenyl]-4-n-phenylbenzene-1,4-diamine Chemical compound CC1=CC=CC(N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=C(C)C=CC=2)C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=C(C)C=CC=2)=C1 DIVZFUBWFAOMCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000861 Mg alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910019015 Mg-Ag Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007983 Tris buffer Substances 0.000 description 1
- -1 Tris-quinolinol aluminum Chemical compound 0.000 description 1
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 1
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 1
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 1
- 239000000284 extract Substances 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 description 1
- SJCKRGFTWFGHGZ-UHFFFAOYSA-N magnesium silver Chemical compound [Mg].[Ag] SJCKRGFTWFGHGZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 1
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 238000000391 spectroscopic ellipsometry Methods 0.000 description 1
- 230000002194 synthesizing effect Effects 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- ODHXBMXNKOYIBV-UHFFFAOYSA-N triphenylamine Chemical compound C1=CC=CC=C1N(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 ODHXBMXNKOYIBV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B33/00—Electroluminescent light sources
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- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B33/00—Electroluminescent light sources
- H05B33/12—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces
- H05B33/22—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces characterised by the chemical or physical composition or the arrangement of auxiliary dielectric or reflective layers
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/30—Devices specially adapted for multicolour light emission
- H10K59/38—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising colour filters or colour changing media [CCM]
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/875—Arrangements for extracting light from the devices
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-
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
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- H10K2102/3023—Direction of light emission
- H10K2102/3026—Top emission
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Abstract
Description
Claims (37)
- 광 반사 재료로 이루어지는 제 1 전극과 투명 재료로 이루어지는 제 2 전극 사이에 발광층이 개재됨과 동시에, 상기 제 2 전극 및 상기 발광층 중 적어도 한쪽이 해당 발광층에서 발광한 광을 공진시키는 공진기 구조의 공진부가 되도록 구성된 표시 소자에 있어서,상기 발광층에서 발생한 광이 상기 공진부 양단에서 반사할 때에 생기는 위상 시프트를 Ф라디안, 상기 공진부의 광학적 거리를 L, 상기 광 중 추출될 광 스펙트럼의 피크 파장을 λ라 한 경우, 식(2L)/λ+Ф/(2π)=m(m은 정수)을 만족하는 범위에서 상기 광학적 거리 L이 양의 최소치가 되도록 구성된 것을 특징으로 하는, 표시 소자.
- 광 반사 재료로 이루어지는 제 1 전극과 투명 재료로 이루어지는 제 2 전극 사이에 발광층이 개재됨과 동시에, 상기 제 2 전극 및 상기 발광층 중 적어도 한쪽이 해당 발광층에서 발광한 광을 공진시키는 공진기 구조의 공진부가 되도록 구성된 표시 소자에 있어서,상기 발광층에서 발생한 광이 상기 공진부 양단에서 반사할 때에 생기는 위상 시프트를 Ф라디안, 상기 공진부의 광학적 거리를 L', 녹색의 광 스펙트럼의 피크 파장을 λ라 한 경우, 식(2L)/λ+Ф/(2π)=m(m은 정수)을 만족하는 정수 m중 L이 양의 최소치가 되는 정수 m1에 대해 4를 더한 식(2L')/λ+Ф/(2π)=m1+4를 만족하도록 해당 광학적 거리 L'이 설정된 것을 특징으로 하는, 표시 소자.
- 광 반사 재료로 이루어지는 제 1 전극과 투명 재료로 이루어지는 제 2 전극 사이에 발광층이 개재됨과 동시에, 상기 제 2 전극 및 상기 발광층 중 적어도 한쪽이 해당 발광층에서 발광한 광을 공진시키는 공진기 구조의 공진부가 되도록 구성된 표시 소자에 있어서,상기 발광층에서 발생한 광이 상기 공진부 양단에서 반사할 때에 생기는 위상 시프트를 Ф라디안, 상기 공진부의 광학적 거리를 L', 녹색의 광 스펙트럼의 피크 파장을 λ라 한 경우, 식(2L)/λ+Ф/(2π)=m(m은 정수)을 만족하는 정수 m중 L이 양의 최소치가 되는 정수 m1에 대해 10이상의 정수 q를 더한 식(2L')/λ+Ф/(2π)=m1+q를 만족하도록 해당 광학적 거리 L'이 설정된 것을 특징으로 하는, 표시 소자.
- 삭제
- 광 반사 재료로 이루어지는 제 1 전극과 투명 재료로 이루어지는 제 2 전극 사이에 발광층이 개재됨과 동시에, 상기 제 2 전극 및 상기 발광층 중 적어도 한쪽이 해당 발광층에서 발광한 광을 공진시키는 공진기 구조의 공진부가 되도록 구성된 표시 소자에 있어서,상기 제 2 전극 위쪽에 상기 공진부에서 공진하여 해당 제 2 전극 측으로부터 추출되는 광을 투과하는 컬러 필터가 설치됨과 동시에,상기 발광층에서 발생한 광이 상기 공진부 양단에서 반사할 때에 생기는 위상 시프트를 Ф라디안, 상기 공진부의 광학적 거리를 L, 상기 광 중 추출될 광 스펙트럼의 피크 파장을 λ라 한 경우, 식(2L)/λ+Ф/(2π)=m(m은 정수)을 만족하는 범위에서 상기 광학적 거리 L이 양의 최소치가 되도록 구성된 것을 특징으로 하는, 표시 소자.
- 광 반사 재료로 이루어지는 제 1 전극과 투명 재료로 이루어지는 제 2 전극 사이에 발광층이 개재됨과 동시에, 상기 제 2 전극 및 상기 발광층 중 적어도 한쪽이 해당 발광층에서 발광한 광을 공진시키는 공진기 구조의 공진부가 되도록 구성된 표시 소자에 있어서,상기 제 2 전극 위쪽에 상기 공진부에서 공진하여 해당 제 2 전극 측으로부터 추출되는 광을 투과하는 컬러 필터가 설치됨과 동시에,상기 발광층에서 발생한 광이 상기 공진부 양단에서 반사할 때에 생기는 위상 시프트를 Ф라디안, 상기 공진부의 광학적 거리를 L', 녹색의 광 스펙트럼의 피크 파장을 λ라 한 경우, 식(2L)/λ+Ф/(2π)=m(m은 정수)을 만족하는 정수 m중 L이 양의 최소치가 되는 정수 m1에 대해 4를 더한 식(2L')/λ+Ф/(2π)=m1+4를 만족하도록 해당 광학적 거리 L'이 설정된 것을 특징으로 하는, 표시 소자.
- 광 반사 재료로 이루어지는 제 1 전극과 투명 재료로 이루어지는 제 2 전극 사이에 발광층이 개재됨과 동시에, 상기 제 2 전극 및 상기 발광층 중 적어도 한쪽이 해당 발광층에서 발광한 광을 공진시키는 공진기 구조의 공진부가 되도록 구성된 표시 소자에 있어서,상기 제 2 전극 위쪽에 상기 공진부에서 공진하여 해당 제 2 전극 측으로부터 추출되는 광을 투과하는 컬러 필터가 설치됨과 동시에,상기 발광층에서 발생한 광이 상기 공진부 양단에서 반사할 때에 생기는 위상 시프트를 Ф라디안, 상기 공진부의 광학적 거리를 L', 녹색의 광 스펙트럼의 피크 파장을 λ라 한 경우, 식(2L)/λ+Ф/(2π)=m(m은 정수)을 만족하는 정수 m중 L이 양의 최소치가 되는 m1에 대해 10이상의 정수 q를 더한 식(2L')/λ+Ф/(2π)=m1+q를 만족하도록 해당 광학적 거리 L'이 설정된 것을 특징으로 하는, 표시 소자.
- 제 1 전극과 제 2 전극 사이에 발광층이 개재됨과 동시에, 상기 제 1 전극 및 상기 제 2 전극 중 광이 추출되는 쪽의 것 및 상기 발광층 중 적어도 한쪽이 해당 발광층에서 발광한 광을 공진시키는 공진기 구조의 공진부가 되도록 구성된 표시 소자에 있어서,상기 발광층에서 발생한 광이 상기 공진부 양단에서 반사할 때에 생기는 위상 시프트를 Ф라디안, 상기 공진부의 광학적 거리를 L, 상기 광 중 추출될 광 스펙트럼의 피크 파장을 λ라 한 경우, 식(2L)/λ+Ф/(2π)=m(m은 정수)을 만족하는 범위에서 상기 광학적 거리 L이 양의 최소치가 되도록 구성된 것을 특징으로 하는, 표시 소자.
- 제 1 전극과 제 2 전극 사이에 발광층이 개재됨과 동시에, 상기 제 1 전극 및 상기 제 2 전극 중 광이 추출되는 쪽의 것 및 상기 발광층 중 적어도 한쪽이 해당 발광층에서 발광한 광을 공진시키는 공진기 구조의 공진부가 되도록 구성된 표시 소자에 있어서,상기 발광층에서 발생한 광이 상기 공진부 양단에서 반사할 때에 생기는 위상 시프트를 Ф라디안, 상기 공진부의 광학적 거리를 L', 녹색의 광 스펙트럼의 피크 파장을 λ라 한 경우, 식(2L)/λ+Ф/(2π)=m(m은 정수)을 만족하는 정수 m중 L이 양의 최소치가 되는 정수 m1에 대해 4를 더한 식(2L')/λ+Ф/(2π)=m1+4를 만족하도록 해당 광학적 거리 L'이 설정된 것을 특징으로 하는, 표시 소자.
- 제 1 전극과 제 2 전극 사이에 발광층이 개재됨과 동시에, 상기 제 1 전극 및 상기 제 2 전극 중 광이 추출되는 쪽의 것 및 상기 발광층 중 적어도 한쪽이 해당 발광층에서 발광한 광을 공진시키는 공진기 구조의 공진부가 되도록 구성된 표시 소자에 있어서,상기 발광층에서 발생한 광이 상기 공진부 양단에서 반사할 때에 생기는 위상 시프트를 Ф라디안, 상기 공진부의 광학적 거리를 L', 녹색의 광 스펙트럼의 피크 파장을 λ라 한 경우, 식(2L)/λ+Ф/(2π)=m(m은 정수)를 만족하는 정수 m중 L이 양의 최소치가 되는 정수 m1에 대해 10이상의 정수 q를 더한 식(2L')/λ+Ф/(2π)=m1+q를 만족하도록 해당 광학적 거리 L'이 설정된 것을 특징으로 하는, 표시 소자.
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- 제 1 전극과 제 2 전극 사이에 발광층이 개재됨과 동시에, 상기 제 1 전극 및 상기 제 2 전극 중 광이 추출되는 쪽의 것 및 상기 발광층 중 적어도 한쪽이 해당 발광층에서 발광한 광을 공진시키는 공진기 구조의 공진부가 되도록 구성된 표시 소자에 있어서,상기 제 1 전극 및 상기 제 2 전극 중 광이 추출되는 쪽의 것의 위쪽에, 상기 공진부에서 공진하여 해당 전극 측으로부터 추출되는 광을 투과하는 컬러 필터가 설치됨과 동시에,상기 발광층에서 발생한 광이 상기 공진부 양단에서 반사할 때에 생기는 위상 시프트를 Ф라디안, 상기 공진부의 광학적 거리를 L, 상기 광 중 추출될 광 스펙트럼의 피크 파장을 λ라 한 경우, 식(2L)/λ+Ф/(2π)=m(m은 정수)을 만족하는 범위에서 상기 광학적 거리 L이 양의 최소치가 되도록 구성된 것을 특징으로 하는, 표시 소자.
- 제 1 전극과 제 2 전극 사이에 발광층이 개재됨과 동시에, 상기 제 1 전극 및 상기 제 2 전극 중 광이 추출되는 쪽의 것 및 상기 발광층 중 적어도 한쪽이 해당 발광층에서 발광한 광을 공진시키는 공진기 구조의 공진부가 되도록 구성된 표시 소자에 있어서,상기 제 1 전극 및 상기 제 2 전극 중 광이 추출되는 쪽의 것의 위쪽에, 상기 공진부에서 공진하여 해당 전극 측으로부터 추출되는 광을 투과하는 컬러 필터가 설치됨과 동시에,상기 발광층에서 발생한 광이 상기 공진부 양단에서 반사할 때에 생기는 위상 시프트를 Ф라디안, 상기 공진부의 광학적 거리를 L', 녹색의 광 스펙트럼의 피크 파장을 λ라 한 경우, 식(2L)/λ+Ф/(2π)=m(m은 정수)을 만족하는 정수 m중 L이 양의 최소치가 되는 정수 m1에 대해 4를 더한 식(2L')/λ+Ф/(2π)=m1+4를 만족하도록 해당 광학적 거리 L'이 설정된 것을 특징으로 하는, 표시 소자.
- 제 1 전극과 제 2 전극 사이에 발광층이 개재됨과 동시에, 상기 제 1 전극 및 상기 제 2 전극 중 광이 추출되는 쪽의 것 및 상기 발광층 중 적어도 한쪽이 해당 발광층에서 발광한 광을 공진시키는 공진기 구조의 공진부가 되도록 구성된 표시 소자에 있어서,상기 제 1 전극 및 상기 제 2 전극 중 광이 추출되는 쪽의 것의 위쪽에, 상기 공진부에서 공진하여 해당 전극 측으로부터 추출되는 광을 투과하는 컬러 필터가 설치됨과 동시에,상기 발광층에서 발생한 광이 상기 공진부 양단에서 반사할 때에 생기는 위상 시프트를 Ф라디안, 상기 공진부의 광학적 거리를 L', 녹색의 광 스펙트럼의 피크 파장을 λ라 한 경우, 식(2L)/λ+Ф/(2π)=m(m은 정수)을 만족하는 정수 m중 L이 양의 최소치가 되는 m1에 대해 10이상의 정수 q를 더한 식(2L')/λ+Ф/(2π)=m1+q를 만족하도록 해당 광학적 거리 L'이 설정된 것을 특징으로 하는, 표시 소자.
- 기판 상에 광 반사 재료로 이루어지는 제 1 전극, 발광층 및 투명 재료로 이루어지는 제 2 전극이 순차 적층됨과 동시에, 상기 제 2 전극 및 상기 발광층 중 적어도 한쪽이 해당 발광층에서 발광한 광을 공진시키는 공진기 구조의 공진부가 되도록 구성된 표시 소자에 있어서,상기 발광층에서 발생한 광이 상기 공진부 양단에서 반사할 때에 생기는 위상 시프트를 Ф라디안, 상기 공진부의 광학적 거리를 L, 상기 광 중 추출될 광 스펙트럼의 피크 파장을 λ라 한 경우, 식(2L)/λ+Ф/(2π)=m(m은 정수)을 만족하는 범위에서 상기 광학적 거리 L이 양의 최소치가 되도록 구성된 것을 특징으로 하는, 표시 소자.
- 기판 상에 광 반사 재료로 이루어지는 제 1 전극, 발광층 및 투명 재료로 이루어지는 제 2 전극이 순차 적층됨과 동시에, 상기 제 2 전극 및 상기 발광층 중 적어도 한쪽이 해당 발광층에서 발광한 광을 공진시키는 공진기 구조의 공진부가 되도록 구성된 표시 소자에 있어서,상기 발광층에서 발생한 광이 상기 공진부 양단에서 반사할 때에 생기는 위상 시프트를 Ф라디안, 상기 공진부의 광학적 거리를 L', 녹색의 광 스펙트럼의 피크 파장을 λ라 한 경우, 식(2L)/λ+Ф/(2π)=m(m은 정수)을 만족하는 정수 m중 L이 양의 최소치가 되는 정수 m1에 대해 4를 더한 식(2L')/λ+Ф/(2π)=m1+4를 만족하도록 해당 광학적 거리 L'이 설정된 것을 특징으로 하는, 표시 소자.
- 기판 상에 광 반사 재료로 이루어지는 제 1 전극, 발광층 및 투명 재료로 이루어지는 제 2 전극이 순차 적층됨과 동시에, 상기 제 2 전극 및 상기 발광층 중 적어도 한쪽이 해당 발광층에서 발광한 광을 공진시키는 공진기 구조의 공진부가 되도록 구성된 표시 소자에 있어서,상기 발광층에서 발생한 광이 상기 공진부 양단에서 반사할 때에 생기는 위상 시프트를 Ф라디안, 상기 공진부의 광학적 거리를 L', 녹색의 광 스펙트럼의 피크 파장을 λ라 한 경우, 식(2L)/λ+Ф/(2π)=m(m은 정수)을 만족하는 정수 m중 L이 양의 최소치가 되는 정수 m1에 대해 10이상의 정수 q를 더한 식(2L')/λ+Ф/(2π)=m1+q를 만족하도록 해당 광학적 거리 L'이 설정된 것을 특징으로 하는, 표시 소자.
- 삭제
- 기판 상에 광 반사 재료로 이루어지는 제 1 전극, 발광층 및 투명 재료로 이루어지는 제 2 전극이 순차 적층됨과 동시에, 상기 제 2 전극 및 상기 발광층 중 적어도 한쪽이 해당 발광층에서 발광한 광을 공진시키는 공진기 구조의 공진부가 되도록 구성된 표시 소자에 있어서,상기 제 2 전극 위쪽에 상기 공진부에서 공진하여 해당 제 2 전극 측으로부터 추출되는 광을 투과하는 컬러 필터가 설치됨과 동시에,상기 발광층에서 발생한 광이 상기 공진부 양단에서 반사할 때에 생기는 위상 시프트를 Ф라디안, 상기 공진부의 광학적 거리를 L, 상기 광 중 추출될 광 스펙트럼의 피크 파장을 λ라 한 경우, 식(2L)/λ+Ф/(2π)=m(m은 정수)을 만족하는 범위에서 상기 광학적 거리 L이 양의 최소치가 되도록 구성된 것을 특징으로 하는, 표시 소자.
- 기판 상에 광 반사 재료로 이루어지는 제 1 전극, 발광층 및 투명 재료로 이루어지는 제 2 전극이 순차 적층됨과 동시에, 상기 제 2 전극 및 상기 발광층 중 적어도 한쪽이 해당 발광층에서 발광한 광을 공진시키는 공진기 구조의 공진부가 되도록 구성된 표시 소자에 있어서,상기 제 2 전극 위쪽에, 상기 공진부에서 공진하여 해당 제 2 전극 측으로부터 추출되는 광을 투과하는 컬러 필터가 설치됨과 동시에,상기 발광층에서 발생한 광이 상기 공진부 양단에서 반사할 때에 생기는 위상 시프트를 Ф라디안, 상기 공진부의 광학적 거리를 L', 녹색의 광 스펙트럼의 피크 파장을 λ라 한 경우, 식(2L)/λ+Ф/(2π)=m(m은 정수)을 만족하는 정수 m중 L이 양의 최소치가 되는 정수 m1에 대해 4를 더한 식(2L')/λ+Ф/(2π)=m1+4를 만족하도록 해당 광학적 거리 L'이 설정된 것을 특징으로 하는, 표시 소자.
- 기판 상에 광 반사 재료로 이루어지는 제 1 전극, 발광층 및 투명 재료로 이루어지는 제 2 전극이 순차 적층됨과 동시에, 상기 제 2 전극 및 상기 발광층 중 적어도 한쪽이 해당 발광층에서 발광한 광을 공진시키는 공진기 구조의 공진부가 되도록 구성된 표시 소자에 있어서,상기 제 2 전극 위쪽에 상기 공진부에서 공진하여 해당 제 2 전극 측으로부터 추출되는 광을 투과하는 컬러 필터가 설치됨과 동시에,상기 발광층에서 발생한 광이 상기 공진부 양단에서 반사할 때에 생기는 위상 시프트를 Ф라디안, 상기 공진부의 광학적 거리를 L', 녹색의 광 스펙트럼의 피크 파장을 λ라 한 경우, 식(2L)/λ+Ф/(2π)=m(m은 정수)을 만족하는 정수 m중 L이 양의 최소치가 되는 m1에 대해 10이상의 정수 q를 더한 식(2L')/λ+Ф/(2π)=m1+q를 만족하도록 해당 광학적 거리 L'이 설정된 것을 특징으로 하는, 표시 소자.
- 기판 상에 광 반사 재료로 이루어지는 제 1 전극, 발광층 및 투명 재료로 이루어지는 제 2 전극이 순차 적층됨과 동시에, 상기 발광층이 해당 발광층에서 발광한 광을 공진시키는 공진기 구조의 공진부가 되도록 구성된 표시 소자에 있어서,상기 발광층에서 발생한 광이 상기 공진부 양단에서 반사할 때에 생기는 위상 시프트를 Ф라디안, 상기 공진부의 광학적 거리를 L, 상기 광 중 추출될 광 스펙트럼의 피크 파장을 λ라 한 경우, 식(2L)/λ+Ф/(2π)=m(m은 정수)을 만족하는 범위에서 상기 광학적 거리 L이 양의 최소치가 되도록 구성된 것을 특징으로 하는, 표시 소자.
- 기판 상에 광 반사 재료로 이루어지는 제 1 전극, 발광층 및 투명 재료로 이루어지는 제 2 전극이 순차 적층됨과 동시에, 상기 발광층이 해당 발광층에서 발광한 광을 공진시키는 공진기 구조의 공진부가 되도록 구성된 표시 소자에 있어서,상기 발광층에서 발생한 광이 상기 공진부 양단에서 반사할 때에 생기는 위상 시프트를 Ф라디안, 상기 공진부의 광학적 거리를 L', 녹색의 광 스펙트럼의 피크 파장을 λ라 한 경우, 식(2L)/λ+Ф/(2π)=m(m은 정수)을 만족하는 정수 m중 L이 양의 최소치가 되는 정수 m1에 대해 4를 더한 식(2L')/λ+Ф/(2π)=m1+4를 만족하도록 해당 광학적 거리 L'이 설정된 것을 특징으로 하는, 표시 소자.
- 기판 상에 광 반사 재료로 이루어지는 제 1 전극, 발광층 및 투명 재료로 이루어지는 제 2 전극이 순차 적층됨과 동시에, 상기 발광층이 해당 발광층에서 발광한 광을 공진시키는 공진기 구조의 공진부가 되도록 구성된 표시 소자에 있어서,상기 발광층에서 발생한 광이 상기 공진부 양단에서 반사할 때에 생기는 위상 시프트를 Ф라디안, 상기 공진부의 광학적 거리를 L', 녹색의 광 스펙트럼의 피크 파장을 λ라 한 경우, 식(2L)/λ+Ф/(2π)=m(m은 정수)을 만족하는 정수 m중 L이 양의 최소치가 되는 정수 m1에 대해 10이상의 정수 q를 더한 식(2L')/λ+Ф/(2π)=m1+q를 만족하도록 해당 광학적 거리 L'가 설정된 것을 특징으로 하는, 표시 소자.
- 삭제
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- 기판 상에 광 반사 재료로 이루어지는 제 1 전극, 발광층 및 투명 재료로 이루어지는 제 2 전극이 순차 적층됨과 동시에, 상기 발광층이 해당 발광층에서 발광한 광을 공진시키는 공진기 구조의 공진부가 되도록 구성된 표시 소자에 있어서,상기 제 2 전극 위쪽에, 상기 공진부에서 공진하여 해당 제 2 전극 측으로부터 추출되는 광을 투과하는 컬러 필터가 설치됨과 동시에,상기 발광층에서 발생한 광이 상기 공진부 양단에서 반사할 때에 생기는 위상 시프트를 Ф라디안, 상기 공진부의 광학적 거리를 L', 녹색의 광 스펙트럼의 피크 파장을 λ라 한 경우, 식(2L)/λ+Ф/(2π)=m(m은 정수)을 만족하는 정수 m중 L이 양의 최소치가 되는 정수 m1에 대해 4를 더한 식(2L')/λ+Ф/(2π)=m1+4를 만족하도록 해당 광학적 거리 L'이 설정된 것을 특징으로 하는, 표시 소자.
- 기판 상에 광 반사 재료로 이루어지는 제 1 전극, 발광층 및 투명 재료로 이루어지는 제 2 전극이 순차 적층됨과 동시에, 상기 발광층이 해당 발광층에서 발광한 광을 공진시키는 공진기 구조의 공진부가 되도록 구성된 표시 소자에 있어서,상기 제 2 전극 위쪽에, 상기 공진부에서 공진하여 해당 제 2 전극 측으로부터 추출되는 광을 투과하는 컬러 필터가 설치됨과 동시에,상기 발광층에서 발생한 광이 상기 공진부 양단에서 반사할 때에 생기는 위상 시프트를 Ф라디안, 상기 공진부의 광학적 거리를 L', 녹색의 광 스펙트럼의 피크 파장을 λ라 한 경우, 식(2L)/λ+Ф/(2π)=m(m은 정수)을 만족하는 정수 m중 L이 양의 최소치가 되는 m1에 대해 10이상의 정수 q를 더한 식(2L')/λ+Ф/(2π)=m1+q를 만족하도록 해당 광학적 거리 L'이 설정된 것을 특징으로 하는, 표시 소자.
- 기판 상에 광 반사 재료로 이루어지는 제 1 전극, 발광층 및 투명 재료로 이루어지는 제 2 전극이 순차 적층됨과 동시에, 상기 제 2 전극이 상기 발광층에서 발광한 광을 공진시키는 공진기 구조의 공진부가 되도록 구성된 표시 소자에 있어서,상기 발광층에서 발생한 광이 상기 공진부 양단에서 반사할 때에 생기는 위상 시프트를 Ф라디안, 상기 공진부의 광학적 거리를 L, 상기 광 중 추출될 광 스펙트럼의 피크 파장을 λ라 한 경우, 식(2L)/λ+Ф/(2π)=m(m은 정수)을 만족하는 범위에서 상기 광학적 거리 L이 양의 최소치가 되도록 구성된 것을 특징으로 하는, 표시 소자.
- 기판 상에 광 반사 재료로 이루어지는 제 1 전극, 발광층 및 투명 재료로 이루어지는 제 2 전극이 순차 적층됨과 동시에, 상기 제 2 전극이 상기 발광층에서 발광한 광을 공진시키는 공진기 구조의 공진부가 되도록 구성된 표시 소자에 있어서,상기 발광층에서 발생한 광이 상기 공진부 양단에서 반사할 때에 생기는 위상 시프트를 Ф라디안, 상기 공진부의 광학적 거리를 L', 녹색의 광 스펙트럼의 피크 파장을 λ라 한 경우, 식(2L)/λ+Ф/(2π)=m(m은 정수)을 만족하는 정수 m중 L이 양의 최소치가 되는 정수 m1에 대해 4를 더한 식(2L')/λ+Ф/(2π)=m1+4를 만족하도록 해당 광학적 거리 L'이 설정된 것을 특징으로 하는, 표시 소자.
- 기판 상에 광 반사 재료로 이루어지는 제 1 전극, 발광층 및 투명 재료로 이루어지는 제 2 전극이 순차 적층됨과 동시에, 상기 제 2 전극이 상기 발광층에서 발광한 광을 공진시키는 공진기 구조의 공진부가 되도록 구성된 표시 소자에 있어서,상기 발광층에서 발생한 광이 상기 공진부 양단에서 반사할 때에 생기는 위상 시프트를 Ф라디안, 상기 공진부의 광학적 거리를 L', 녹색의 광 스펙트럼의 피크 파장을 λ라 한 경우, 식(2L)/λ+Ф/(2π)=m(m은 정수)을 만족하는 정수 m중 L이 양의 최소치가 되는 정수 m1에 대해 10이상의 정수 q를 더한 식(2L')/λ+Ф/(2π)=m1+q를 만족하도록 해당 광학적 거리 L'이 설정된 것을 특징으로 하는, 표시 소자.
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- 기판 상에 광 반사 재료로 이루어지는 제 1 전극, 발광층 및 투명 재료로 이루어지는 제 2 전극이 순차 적층됨과 동시에, 상기 제 2 전극이 상기 발광층에서 발광한 광을 공진시키는 공진기 구조의 공진부가 되도록 구성된 표시 소자에 있어서,상기 제 2 전극 위쪽에, 상기 공진부에서 공진하여 해당 제 2 전극 측으로부터 추출되는 광을 투과하는 컬러 필터가 설치됨과 동시에,상기 발광층에서 발생한 광이 상기 공진부 양단에서 반사할 때에 생기는 위상 시프트를 Ф라디안, 상기 공진부의 광학적 거리를 L, 상기 광 중 추출될 광 스펙트럼의 피크 파장을 λ라 한 경우, 식(2L)/λ+Ф/(2π)=m(m은 정수)을 만족하는 범위에서 상기 광학적 거리 L이 양의 최소치가 되도록 구성된 것을 특징으로 하는, 표시 소자.
- 기판 상에 광 반사 재료로 이루어지는 제 1 전극, 발광층 및 투명 재료로 이루어지는 제 2 전극이 순차 적층됨과 동시에, 상기 제 2 전극이 상기 발광층에서 발광한 광을 공진시키는 공진기 구조의 공진부가 되도록 구성된 표시 소자에 있어서,상기 제 2 전극 위쪽에, 상기 공진부에서 공진하여 해당 제 2 전극 측으로부터 추출되는 광을 투과하는 컬러 필터가 설치됨과 동시에,상기 발광층에서 발생한 광이 상기 공진부 양단에서 반사할 때에 생기는 위상 시프트를 Ф라디안, 상기 공진부의 광학적 거리를 L', 녹색의 광 스펙트럼의 피크 파장을 λ라 한 경우, 식(2L)/λ+Ф/(2π)=m(m은 정수)을 만족하는 정수 m중 L이 양의 최소치가 되는 정수 m1에 대해 4를 더한 식(2L')/λ+Ф/(2π)=m1+4를 만족하도록 해당 광학적 거리 L'이 설정된 것을 특징으로 하는, 표시 소자.
- 기판 상에 광 반사 재료로 이루어지는 제 1 전극, 발광층 및 투명 재료로 이루어지는 제 2 전극이 순차 적층됨과 동시에, 상기 제 2 전극이 상기 발광층에서 발광한 광을 공진시키는 공진기 구조의 공진부가 되도록 구성된 표시 소자에 있어서,상기 제 2 전극 위쪽에 상기 공진부에서 공진하여 해당 제 2 전극 측으로부터 추출되는 광을 투과하는 컬러 필터가 설치됨과 동시에,상기 발광층에서 발생한 광이 상기 공진부 양단에서 반사할 때에 생기는 위상 시프트를 Ф라디안, 상기 공진부의 광학적 거리를 L', 녹색의 광 스펙트럼의 피크 파장을 λ라 한 경우, 식(2L)/λ+Ф/(2π)=m(m은 정수)을 만족하는 정수 m중 L이 양의 최소치가 되는 m1에 대해 10이상의 정수 q를 더한 식(2L')/λ+Ф/(2π)=m1+q를 만족하도록 해당 광학적 거리 L'이 설정된 것을 특징으로 하는, 표시 소자.
- 광 반사 재료로 이루어지는 제 1 전극과 투명 재료로 이루어지는 제 2 전극 사이에 발광층이 개재됨과 동시에, 상기 제 2 전극 및 상기 발광층 중 적어도 한쪽이 해당 발광층에서 발광한 광을 공진시키는 공진기 구조의 공진부가 되도록 구성된 표시 소자에 있어서,상기 공진부의 광학적 거리를 L로 한 경우, 시야각이 변화했을 때에 추출되는 광 스펙트럼의 피크 파장과 내부 발광 스펙트럼의 피크 파장과의 차이가, 내부 발광 스펙트럼의 반치폭의 반 이내이도록 해당 광학적 거리 L이 설정된 것을 특징으로 하는, 표시 소자.
- 광 반사 재료로 이루어지는 제 1 전극과 투명 재료로 이루어지는 제 2 전극 사이에 발광층이 개재됨과 동시에, 상기 제 2 전극 및 상기 발광층 중 적어도 한쪽이 해당 발광층에서 발광한 광을 공진시키는 공진기 구조의 공진부가 되도록 구성된 표시 소자에 있어서,상기 제 2 전극 위쪽에, 상기 공진부에서 공진하여 해당 제 2 전극 측으로부터 추출되는 광을 투과하는 컬러 필터가 설치됨과 동시에,상기 공진부의 광학적 거리를 L로 한 경우, 시야각이 변화했을 때에 추출되는 광 스펙트럼의 피크 파장과 내부 발광 스펙트럼의 피크 파장과의 차이가 내부 발광 스펙트럼의 반치폭의 반 이내이도록 해당 광학적 거리 L이 설정된 것을 특징으로 하는, 표시 소자.
Applications Claiming Priority (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP33080599 | 1999-11-22 | ||
JPJP-P-1999-00330805 | 1999-11-22 | ||
JP2000251996 | 2000-08-23 | ||
JPJP-P-2000-00251996 | 2000-08-23 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20010101640A KR20010101640A (ko) | 2001-11-14 |
KR100740793B1 true KR100740793B1 (ko) | 2007-07-20 |
Family
ID=26573638
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020017009233A Expired - Fee Related KR100740793B1 (ko) | 1999-11-22 | 2000-11-22 | 표시 소자 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (3) | US7102282B1 (ko) |
EP (3) | EP2154737A3 (ko) |
JP (2) | JP4174989B2 (ko) |
KR (1) | KR100740793B1 (ko) |
TW (1) | TW466889B (ko) |
WO (1) | WO2001039554A1 (ko) |
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---|---|---|---|---|
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JP3508741B2 (ja) * | 2001-06-05 | 2004-03-22 | ソニー株式会社 | 表示素子 |
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JP3804858B2 (ja) | 2001-08-31 | 2006-08-02 | ソニー株式会社 | 有機電界発光素子およびその製造方法 |
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JP2003109775A (ja) * | 2001-09-28 | 2003-04-11 | Sony Corp | 有機電界発光素子 |
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JP3724725B2 (ja) | 2001-11-01 | 2005-12-07 | ソニー株式会社 | 表示装置の製造方法 |
JP2003234186A (ja) * | 2001-12-06 | 2003-08-22 | Sony Corp | 表示装置およびその製造方法 |
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KR100875097B1 (ko) * | 2002-09-18 | 2008-12-19 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 광학 공진 효과를 이용한 유기 전계발광 소자 |
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JP3944906B2 (ja) * | 2002-11-11 | 2007-07-18 | ソニー株式会社 | 発光素子およびこれを用いた表示装置 |
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- 2000-11-22 EP EP09012631A patent/EP2154737A3/en not_active Withdrawn
- 2000-11-22 WO PCT/JP2000/008233 patent/WO2001039554A1/ja active Application Filing
- 2000-11-22 EP EP00977858A patent/EP1154676A4/en not_active Withdrawn
- 2000-11-22 US US09/889,532 patent/US7102282B1/en not_active Expired - Fee Related
- 2000-11-22 EP EP09012630A patent/EP2169738A3/en not_active Withdrawn
- 2000-11-22 TW TW089124786A patent/TW466889B/zh not_active IP Right Cessation
- 2000-11-22 JP JP2001540568A patent/JP4174989B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2000-11-22 KR KR1020017009233A patent/KR100740793B1/ko not_active Expired - Fee Related
-
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- 2006-04-19 US US11/379,323 patent/US7218049B2/en not_active Expired - Fee Related
-
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-
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JP2010212257A (ja) | 2010-09-24 |
EP1154676A4 (en) | 2008-08-20 |
WO2001039554A1 (fr) | 2001-05-31 |
US7710025B2 (en) | 2010-05-04 |
EP2154737A3 (en) | 2012-06-20 |
JP4730469B2 (ja) | 2011-07-20 |
EP2169738A2 (en) | 2010-03-31 |
US7218049B2 (en) | 2007-05-15 |
EP2154737A2 (en) | 2010-02-17 |
TW466889B (en) | 2001-12-01 |
US20060175966A1 (en) | 2006-08-10 |
US20070228943A1 (en) | 2007-10-04 |
EP1154676A1 (en) | 2001-11-14 |
KR20010101640A (ko) | 2001-11-14 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PA0105 | International application |
Patent event date: 20010723 Patent event code: PA01051R01D Comment text: International Patent Application |
|
PG1501 | Laying open of application | ||
A201 | Request for examination | ||
PA0201 | Request for examination |
Patent event code: PA02012R01D Patent event date: 20051122 Comment text: Request for Examination of Application |
|
E902 | Notification of reason for refusal | ||
PE0902 | Notice of grounds for rejection |
Comment text: Notification of reason for refusal Patent event date: 20061212 Patent event code: PE09021S01D |
|
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
PE0701 | Decision of registration |
Patent event code: PE07011S01D Comment text: Decision to Grant Registration Patent event date: 20070426 |
|
GRNT | Written decision to grant | ||
PR0701 | Registration of establishment |
Comment text: Registration of Establishment Patent event date: 20070712 Patent event code: PR07011E01D |
|
PR1002 | Payment of registration fee |
Payment date: 20070713 End annual number: 3 Start annual number: 1 |
|
PG1601 | Publication of registration | ||
G170 | Re-publication after modification of scope of protection [patent] | ||
PG1701 | Publication of correction | ||
PR1001 | Payment of annual fee |
Payment date: 20100709 Start annual number: 4 End annual number: 4 |
|
PR1001 | Payment of annual fee |
Payment date: 20110706 Start annual number: 5 End annual number: 5 |
|
PR1001 | Payment of annual fee |
Payment date: 20120702 Start annual number: 6 End annual number: 6 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20130705 Year of fee payment: 7 |
|
PR1001 | Payment of annual fee |
Payment date: 20130705 Start annual number: 7 End annual number: 7 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20140707 Year of fee payment: 8 |
|
PR1001 | Payment of annual fee |
Payment date: 20140707 Start annual number: 8 End annual number: 8 |
|
LAPS | Lapse due to unpaid annual fee | ||
PC1903 | Unpaid annual fee |
Termination category: Default of registration fee Termination date: 20160609 |