JP5435260B2 - 表示装置およびその製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、有機層を含む自発光型の発光素子を備えた表示装置およびその製造方法に関する。

近年、液晶ディスプレイに代わる表示装置として、有機層を含む自発光型の有機ＥＬ（Electro Luminescence）素子を用いた有機ＥＬ表示装置が実用化されている。有機ＥＬ表示装置は、自発光型であるので、液晶などに比較して視野角が広く、また、高精細度の高速ビデオ信号に対しても十分な応答性を有するものである。

これまで有機ＥＬ素子については、共振器構造を導入し、発光色の色純度を向上させたり発光効率を高めたりするなどして発光層において発生する光を制御することにより、表示性能を向上させる試みがなされている（例えば、特許文献１参照）。例えば、基板と反対側の面（上面）から光を取り出すトップエミッション方式（上面発光方式）においては、基板の上に、駆動トランジスタを介してアノード電極と有機層とカソード電極とを順に積層し、アノード電極とカソード電極との間で有機層からの光を多重反射させている。

トップエミッション方式の有機ＥＬ表示装置では、高い開口率を確保するため、封止パネル側に位置するカソード電極が、各有機ＥＬ素子に共通に設けられた一体の電極層となっている。さらに、カソード電極は、上面から光を取り出すために、例えばＩＴＯ（Indium Tin Oxide；酸化インジウムスズ）などの光透過性の導電材料により構成されている。ところが、このような光透過性の導電材料は、通常の金属材料などと比べて抵抗率が２〜３桁程度高くなっている。よって、カソード電極へ印加された電圧が面内で不均一となりやすいので、各有機ＥＬ素子間の発光輝度の、面内位置によるばらつきが生じ、十分な表示品質が得られにくいという問題があった。

そこで、この問題を解決するべく、カソード電極と接続される補助配線を、例えば駆動パネル側に位置するアノード電極と同一層に形成し、カソード電極の面内方向での電圧降下を抑制するようにした有機ＥＬ表示装置が提案されている（例えば特許文献２参照）。補助配線は、例えば各有機ＥＬ素子の表示領域外においてカソード電極と接続される。 このように、補助配線を、面内方向に広がるカソード電極に沿って網目状に張り巡らせると共にカソード電極と接続することにより、上述した面内位置による有機ＥＬ素子間の発光輝度のばらつきがある程度緩和される。

ところで、上記のような補助配線を有する有機ＥＬ表示装置を作製する場合には、製造工程の簡略化を図るため、例えばアノード電極と補助配線とを同一の材料によって一括形成することが望ましい。アノード電極の構成材料としては反射率の高いアルミニウムの単体やその化合物が最も好ましい。ところが、そのような材料を補助電極にも採用した場合、製造工程中における補助電極の表面の酸化が問題となる。すなわち、補助電極の表面が酸化されると、補助電極とカソード電極との接続抵抗が増大し、その接続部分での大きな電圧降下を招いてしまう。したがって、表示画面内での発光輝度分布の不均一性の緩和が十分になされない可能性がある。

このような問題に対し、本出願人は、導電性のコンタクト部を予め形成したのち、そのコンタクト部と接するようにアノード電極および補助配線とカソード電極とを順次形成するようにした有機ＥＬ表示装置を既に提案している（例えば特許文献３参照）。

国際公開第０１／３９５５４号パンフレット 特開２００４−２０７２１７号公報 国際公開第２００７／１４８５４０号パンフレット

上記特許文献３によれば、アノード電極および補助配線を、アルミニウムなどの酸化が進行しやすい材料によって形成した場合であっても、コンタクト部を介して良好な導電性が得られる。

しかしながら、上記特許文献３の場合、コンタクト部を配置するためのスペースを十分に確保する必要がある。上記特許文献３では、有機ＥＬ素子の表示駆動を行う駆動素子と同じ階層にコンタクト部を設けるようにしているが、画素密度を向上させようとすると、コンタクト部と、駆動素子における電極層などの他の導電層との意図しない短絡が生じるおそれがある。

本発明はかかる問題点に鑑みてなされたもので、その目的は、より高い信頼性を有しつつ、より良好な表示性能を発揮し得る表示装置およびその製造方法を提供することにある。

本発明の表示装置は、基体上に、第１電極層、発光層を含む有機層、および第２電極層が順に積層されてなる発光素子と、有機層を取り囲むように配置され、第２電極層と電気的に接続された補助配線層とを備える。ここで、補助配線層は、モリブデン合金からなる第１導電層とアルミニウムネオジム合金を含む第２導電層との２層構造を含み、この第１導電層は、第２電極層との接触抵抗が第２導電層よりも低いものである。また、補助配線層における２層構造は、第２導電層の端面が第１導電層の端面よりも内側に後退することにより、第１導電層の上面の一部が第２電極層と接するように形成されている。

本発明の表示装置の製造方法は、上記本発明の表示装置の製造方法であって、基体上に、モリブデン合金からなる第１導電層と、第２電極層との接触抵抗が第１導電層よりも高くアルミニウムネオジム合金を含む第２導電層とを順に積層することにより、積層膜を形成する工程と、第１導電層よりも第２導電層に対して高い溶解性を示すエッチング溶液を用いて積層膜パターンのエッチング処理を行い、第２導電層の端面を後退させて第１導電層の上面を一部露出させることにより補助配線層を形成する工程とを含むものである。

本発明の表示装置およびその製造方法では、補助配線層における２層構造の端部が階段状であることから、第２電極層との接触抵抗が第２導電層よりも低い第１導電層の膜面（上面）の一部が第２電極層と接するようになっている。このため、第２導電層を、アルミニウムなどの表面酸化が発生しやすい材料によって形成した場合であっても、それに影響されることなく補助配線層と第２電極層との良好なコンタクトが確保される。

本発明の表示装置およびその製造方法によれば、発光素子における第２電極層と電気的に接続された補助配線層を第１導電層と第２導電層との２層構造とすると共に、第２電極層との接触抵抗が第２導電層よりも低い第１導電層の上面の一部を第２電極層と接触させるようにしたので、第２導電層の構成材料に影響されることなく補助配線層と第２電極層との良好なコンタクトを実現することができる。その結果、表示画面内での発光輝度分布の均一性を向上させ、より高い表示性能を得ることができる。

本発明の一実施の形態に係る表示装置の構成を表す図である。 図１に示した画素駆動回路の一例を表す図である。 図１に示した表示領域の構成を表す平面図である。 図１に示した表示領域の構成を表す断面図である。 図３に示した有機発光素子の構成を表す断面図である。 図５の要部を拡大して表す断面図である。 図３に示した有機発光素子の構成を表す他の断面図である。 図５，図７に示した画素駆動回路形成層の構成を表す平面図である。 図５に示した有機層を拡大して表す断面図である。 図３に示した接続部の断面を拡大して表す断面図である。 図１に示した表示装置の製造方法を説明するための一工程を表す断面図である。 図１１に続く一工程を表す断面図である。 図１２に続く一工程を表す断面図である。

以下、本発明を実施するための形態（以下、実施の形態という。）について、図面を参照して詳細に説明する。

図１は、本発明における一実施の形態に係る有機発光素子を用いた表示装置の構成を表すものである。この表示装置は、極薄型の有機発光カラーディスプレイ装置などとして用いられる。この表示装置は、基板１１１の上に表示領域１１０が形成されたものである。基板１１１上の表示領域１１０の周辺には、例えば映像表示用のドライバである信号線駆動回路１２０、走査線駆動回路１３０および電源供給線駆動回路１４０が形成されている。

表示領域１１０には、マトリクス状に二次元配置された複数の有機発光素子１０（１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂ）と、それらを駆動するための画素駆動回路１５０とが形成されている。画素駆動回路１５０において、列方向には複数の信号線１２０Ａ（１２０Ａ１，１２０Ａ２，・・・，１２０Ａｍ，・・・）が配置され、行方向には複数の走査線１３０Ａ（１３０Ａ１，・・・，１３０Ａｎ，・・・）および複数の電源供給線１４０Ａ（１４０Ａ１，・・・，１４０Ａｎ，・・・）が配置されている。各信号線１２０Ａと各走査線１３０Ａとの各交差点に、有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂのいずれか一つが対応して設けられている。各信号線１２０Ａは信号線駆動回路１２０に接続され、各走査線１３０Ａは走査線駆動回路１３０に接続され、各電源供給線１４０Ａは電源供給線駆動回路１４０に接続されている。

信号線駆動回路１２０は、信号供給源（図示せず）から供給される輝度情報に応じた映像信号の信号電圧を、信号線１２０Ａを介して選択された有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂに供給するものである。

走査線駆動回路１３０は、入力されるクロックパルスに同期してスタートパルスを順にシフト（転送）するシフトレジスタなどによって構成されている。走査線駆動回路１３０は、各有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂへの映像信号の書き込みに際し行単位でそれらを走査し、各走査線１３０Ａに走査信号を順次供給するものである。

電源供給線駆動回路１４０は、入力されるクロックパルスに同期してスタートパルスを順にシフト（転送）するシフトレジスタなどによって構成されている。電源供給線駆動回路１４０は、走査線駆動回路１３０による行単位の走査と同期して、各電源供給線１４０Ａに対し互いに異なる第１電位および第２電位のいずれかを適宜供給する。これにより、後述する駆動トランジスタＴｒ１の導通状態または非導通状態の選択が行われる。

画素駆動回路１５０は、基板１１１と有機発光素子１０との間の階層（後述の画素駆動回路形成層１１２）に設けられている。図２に、画素駆動回路１５０の一構成例を表す。図２に示したように、画素駆動回路１５０は、駆動トランジスタＴｒ１および書込トランジスタＴｒ２と、その間のキャパシタ（保持容量）Ｃｓと、有機発光素子１０とを有するアクティブ型の駆動回路である。有機発光素子１０は、電源供給線１４０Ａおよび共通電源供給線（ＧＮＤ）の間において駆動トランジスタＴｒ１と直列に接続されている。駆動トランジスタＴｒ１および書込トランジスタＴｒ２は、一般的な薄膜トランジスタ（ＴＦＴ（Thin Film Transistor））により構成され、その構成は例えば逆スタガー構造（いわゆるボトムゲート型）でもよいしスタガー構造（トップゲート型）でもよく特に限定されない。

書込トランジスタＴｒ２は、例えばドレイン電極が信号線１２０Ａと接続されており、信号線駆動回路１２０からの映像信号が供給されるようになっている。また、書込トランジスタＴｒ２のゲート電極は走査線１３０Ａと接続されており、走査線駆動回路１３０からの走査信号が供給されるようになっている。さらに、書込トランジスタＴｒ２のソース電極は、駆動トランジスタＴｒ１のゲート電極と接続されている。

駆動トランジスタＴｒ１は、例えばドレイン電極が電源供給線１４０Ａと接続されており、電源供給線駆動回路１４０による第１電位または第２電位のいずれかに設定される。駆動トランジスタＴｒ１のソース電極は、有機発光素子１０と接続されている。

保持容量Ｃｓは、駆動トランジスタＴｒ１のゲート電極（書込トランジスタＴｒ２のソース電極）と、駆動トランジスタＴｒ１のソース電極との間に形成されるものである。

図３に、ＸＹ平面に広がる表示領域１１０の一構成例を表す。ここでは、第２電極層１６、保護膜１８および封止基板１９（いずれも後出）を取り去った状態の表示領域１１０を、上方から眺めた平面構成を表す。表示領域１１０には、複数の有機発光素子１０が、全体としてマトリックス状に順に配列されている。より詳細には、補助配線層としての金属層１７が格子状に設けられており、それによって区画された各領域に、開口規定絶縁膜２４によって輪郭が規定された発光領域２０を含む有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂが１つずつ配置されている。有機発光素子１０Ｒは赤色光を発し、有機発光素子１０Ｇは緑色光を発し、有機発光素子１０Ｂは青色光を発する。ここでは、同色光を発する有機発光素子１０をＹ方向に一列に並べ、それをＸ方向に順に繰り返し配置するようにしている。したがって、Ｘ方向において隣り合う有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂの組み合わせが一つの画素（ピクセル）を構成している。図３において、金属層１７によって区画された各領域のうち、破線で示した矩形の領域は、有機発光素子１０に含まれる第１電極層１３（後出）である。また、金属層１７の交差点のうちのいくつかには、開口規定絶縁膜２４に開口２４Ｋが設けられている。この開口２４Ｋに含まれる領域には、金属層１７と有機発光素子１０の第２電極層１６との接続を図るための接続部２１（破線で囲んだ部分）が設けられている。なお、図３では、２行×５列の計１０個の有機発光素子１０を示したが、Ｘ方向およびＹ方向に並ぶ有機発光素子１０の数はこれに限定されるものではない。

図４は、表示領域１１０における、図３に示したＩＶ−ＩＶ線に沿ったＸＺ断面の概略構成を示すものである。図４に示したように、表示領域１１０では、基板１１１に画素駆動回路形成層１１２が設けられてなる基体１１の上に、有機発光素子１０を含む発光素子形成層１２が形成されている。有機発光素子１０の上には、保護膜１８と封止基板１９とが順に設けられている。有機発光素子１０は、基板１１１の側から、アノード電極としての第１電極層１３、発光層１４Ｃ（後出）を含む有機層１４、およびカソード電極としての第２電極層１６が各々順に積層されたものである。有機層１４および第１電極層１３は、開口規定絶縁膜２４によって有機発光素子１０ごとに分離されている。一方、第２電極層１６は、全ての有機発光素子１０に共通して設けられている。金属層１７は、開口２４Ｋに対応した領域を除き、開口規定絶縁膜２４によって埋設されている。なお、図４では、画素駆動回路形成層１１２における駆動トランジスタＴｒ１および書込トランジスタＴｒ２などの詳細な構成については図示を省略した。

開口規定絶縁膜２４は、隣り合う有機発光素子１０における第１電極層１３および有機層１４同士の隙間を埋めるように設けられている。開口規定絶縁膜２４は、例えばポリイミドなどの有機材料からなり、第１電極層１３と、第２電極層１６および金属層１７との絶縁性を確保すると共に、有機発光素子１０の発光領域２０を正確に所望の形状とするものでもある。

有機発光素子１０を覆う保護膜１８は、窒化ケイ素（ＳｉＮx ）などの絶縁材料からなる。また、その上に設けられた封止基板１９は、保護膜１８や接着層（図示せず）などと共に有機発光素子１０を封止するものであり、発光層１４Ｃにおいて発生した光を透過する透明なガラスなどの材料により構成されている。

次に、図５〜図１０を参照して、基体１１および有機発光素子１０の詳細な構成について説明する。なお、有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂは、互いに有機層１４の構成が一部異なることを除き、他は共通の構成であるので、以下では、まとめて説明する。

図５は、図３に示した表示領域１１０の、Ｖ−Ｖ線に沿った断面図であり、図６は、図５に示した接続孔１２４の近傍を拡大して表す断面図である。また、図７は図３に示したＶＩＩ−ＶＩＩ線に沿った断面図である。また、図８は、一の有機発光素子１０における、画素駆動回路形成層１１２に設けられた画素駆動回路１５０の平面構成を表す概略図である。なお、図５は、図８に示したＶ−Ｖ線に沿った断面に相当し、図７は、図８に示したＶＩＩ−ＶＩＩ線に沿った断面に相当している。また、図９は、図４，図５，図７に示した有機層１４の断面の一部を拡大して表したものである。さらに、図１０は、図３に示したＸ−Ｘ線に沿った接続部２１の近傍におけるＸＺ断面の構成を拡大して示すものである。

基体１１は、ガラス，シリコン（Ｓｉ）ウェハあるいは樹脂などよりなる基板１１１に、画素駆動回路１５０を含む画素駆動回路形成層１１２が設けられたものである。基板１１１の表面には、第１階層の金属層として、駆動トランジスタＴｒ１のゲート電極である金属層２１１Ｇと、書込トランジスタＴｒ２のゲート電極である金属層２２１Ｇと、信号線１２０Ａ（図７，図８）とがそれぞれ設けられている。これら金属層２１１Ｇ，２２１Ｇおよび信号線１２０Ａは、窒化ケイ素や酸化ケイ素などからなるゲート絶縁膜２１２によって覆われている。ゲート絶縁膜２１２上の、金属層２１１Ｇ，２２１Ｇに対応する領域には、アモルファスシリコンなどの半導体薄膜からなるチャネル層２１３，２２３が設けられている。チャネル層２１３，２２３上には、その中心領域であるチャネル領域２１３Ｒ，２２３Ｒを占めるように絶縁性のチャネル保護膜２１４，２２４が設けられており、その両側の領域には、ｎ型アモルファスシリコンなどのｎ型半導体薄膜からなるドレイン電極２１５Ｄ，２２５Ｄおよびソース電極２１５Ｓ，２２５Ｓが設けられている。これらドレイン電極２１５Ｄ，２２５Ｄおよびソース電極２１５Ｓ，２２５Ｓは、チャネル保護膜２１４，２２４によって互いに分離されており、それらの端面がチャネル領域２１３Ｒ，２２３Ｒを挟んで互いに離間している。さらに、ドレイン電極２１５Ｄ，２２５Ｄおよびソース電極２１５Ｓ，２２５Ｓをそれぞれ覆うように、第２階層の金属層として、ドレイン配線としての金属層２１６Ｄ，２２６Ｄおよびソース配線としての金属層２１６Ｓ，２２６Ｓが設けられている。金属層２１６Ｄ，２２６Ｄおよび金属層２１６Ｓ，２２６Ｓは、例えばチタン（Ｔｉ）層、アルミニウム（Ａｌ）層、およびチタン層を順に積層した構造を有するものである。第２階層の金属層としては、上記の金属層２１６Ｄ，２２６Ｄおよび金属層２１６Ｓ，２２６Ｓのほか、走査線１３０Ａおよび電源供給線１４０Ａ（図５，図８）が設けられている。なお、ここでは、逆スタガー構造（いわゆるボトムゲート型）の駆動トランジスタＴｒ１および書き込みトランジスタＴｒ２について説明したが、スタガー構造（いわゆるトップゲート型）のものであってもよい。また、信号線１２０Ａについては、走査線１３０Ａおよび電源供給線１４０Ａとの交差点以外の領域では第２階層に設けるようにしてもよい。

第２階層の金属層は、例えば図６に示した金属層２１６Ｓのように、有機発光素子１０（第１電極層１３）の側から順に積層された第１〜第３の薄層３１〜３３からなる３層構造を有しているとよい。第１の薄層３１は、例えばモリブデン（Ｍｏ）やその化合物（金属）からなり、有機層１４から放出される光に対する吸収率が第２の薄層よりも高いものである。一方、第２の薄層３２は、第１の薄層３１よりも高い導電率を有するものであり、例えばアルミニウム（Ａｌ）や銅（Ｃｕ）などの単体もしくはその化合物が挙げられる。第２階層の金属層が、反射率の高いアルミニウムなどからなる第２の薄層３２よりも上（第１電極層１３の側）の階層に光吸収率の高い第１の薄層３１を有することにより、外光や有機発光素子１０から洩れた光などの不要光を吸収することができる。そのうえ、特に金属層２１６Ｓにおける第１の薄層３１を、第１電極層１３の第１導電層１３１（後出）と同種の材料によって構成すると、接続孔１２４における第１電極層１３と金属層２１６Ｓとの接続抵抗を低減する効果も得られるので好ましい。第３の薄層３３は、第２の薄層３２の構成元素が、その下層に位置する駆動トランジスタＴｒ１や書込トランジスタＴｒ２へ拡散（移動）するのを遮断するように機能する。例えば第２の薄層３２がアルミニウム元素を含む場合、第２階層の金属層を形成したのちの工程において熱が加わると、その熱エネルギーによってアルミニウム元素がその下層の半導体薄膜（例えばアモルファスシリコンからなる薄膜）の内部へ拡散し、ＡｌＳｉを形成する可能性がある。そうした場合にはスパイクが発生するおそれがあるので、それを防止するため、第３の薄層３３を例えばチタン（Ｔｉ）によって構成するとよい。なお、第２の薄層３２を熱拡散しにくい元素によって形成した場合には、第２階層の金属層を、（第３の薄層３３を設けることなく）第１の薄層３１と第２の薄層３２との２層構造によって構成してもよい。

画素駆動回路１５０は、窒化ケイ素などからなる保護膜（パッシベーション膜）２１７によって全体的に覆われており、その上には、さらに絶縁性の平坦化膜２１８が設けられている。平坦化膜２１８は、その表面が極めて高い平坦性を有するものであることが望まれる。また、平坦化膜２１８および保護膜２１７の一部領域には、微細な接続孔１２４が設けられている（図５，図８参照）。平坦化膜２１８は、特に保護膜２１７に比べて厚みが大きいので、例えばポリイミド等の有機材料など、パターン精度が良い材料により構成されていることが好ましい。接続孔１２４には第１電極層１３が充填されており、駆動トランジスタＴｒ１のソース電極を構成する金属層２１６Ｓとの導通がなされている。

平坦化膜２１８の上に形成された第１電極層１３は、反射層としての機能も兼ねており、できるだけ高い反射率を有する材料によって構成することが発光効率を高める上で望ましい。そのため、第１電極層１３は、図６に示したように第１導電層１３１と第２導電層１３２との２層構造を有し、そのうち、第２電極層１６と対向する側に位置する第２導電層１３２をアルミニウム（Ａｌ）やアルミニウムネオジウム合金（ＡｌＮｄ）などの高反射率材料によって構成している。なお、アルミニウムは、開口規定絶縁膜２４の開口２４Ｋを形成する際の現像処理に用いる現像液に対し、耐性が低く腐食しやすい。これに対し、ＡｌＮｄは、現像液に対して耐性が高く腐食しにくい。このため、第２導電層１３２は、ＡｌＮｄからなる単層構造、もしくは、アルミニウム層とＡｌＮｄとの２層構造「Ａｌ層（下層）＼ＡｌＮｄ層（上層）」とするとよい。特に、Ａｌ層（下層）＼ＡｌＮｄ層（上層）の２層構造の場合、単層のＡｌＮｄ層と比べて低抵抗となるので好ましい。一方、第１導電層１３１については、モリブデン（Ｍｏ）やその化合物（合金）などの、低反射率材料によって構成するとよい。駆動トランジスタＴｒ１や書込トランジスタＴｒ２が設けられた画素駆動回路形成層１１２の側を光吸収率の高い層とすることにより、外光や有機発光素子１０から洩れた光などの不要光を吸収するためである。また、第１電極層１３は、全体の厚みが例えば１００ｎｍ以上１０００ｎｍ以下であり、そのうち、第１導電層１３１の厚みは例えば単体のモリブデンの場合には４０ｎｍ以上であり、第２導電層１３２の厚みは例えばＡｌＮｄの場合には３００〜５００ｎｍである。なお、第１電極層１３は、上述したように、平坦化膜２１８の表面を覆うと共に接続孔１２４を充填するように形成されている。

有機層１４は、開口規定絶縁膜２４によって画定された発光領域２０に全面に亘って隙間無く形成されている。有機層１４は、例えば図９に示したように、第１電極層１３の側から正孔注入層１４Ａ、正孔輸送層１４Ｂ、発光層１４Ｃ、電子輸送層１４Ｄが順に積層された構成を有する。但し、発光層１４Ｃ以外の層は、必要に応じて設ければよい。

正孔注入層１４Ａは、正孔注入効率を高めるためのものであると共に、リークを防止するためのバッファ層である。正孔輸送層１４Ｂは、発光層１４Ｃへの正孔輸送効率を高めるためのものである。発光層１４Ｃは、電界をかけることにより電子と正孔との再結合が起こり、光を発生するものである。電子輸送層１４Ｄは、発光層１４Ｃへの電子輸送効率を高めるためのものである。なお、電子輸送層１４Ｄと第２電極層１６との間には、ＬｉＦ，Ｌｉ₂ Ｏなどよりなる電子注入層（図示せず）を設けてもよい。

また、有機層１４は、有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂの発光色によってそれぞれ構成が異なっている。有機発光素子１０Ｒの正孔注入層１４Ａは、例えば、厚みが５ｎｍ以上３００ｎｍ以下であり、４，４’，４”−トリス（３−メチルフェニルフェニルアミノ）トリフェニルアミン（ｍ−ＭＴＤＡＴＡ）あるいは４，４’，４”−トリス（２−ナフチルフェニルアミノ）トリフェニルアミン（２−ＴＮＡＴＡ）により構成されている。有機発光素子１０Ｒの正孔輸送層１４Ｂは、例えば、厚みが５ｎｍ以上３００ｎｍ以下であり、ビス［（Ｎ−ナフチル）−Ｎ−フェニル］ベンジジン（α−ＮＰＤ）により構成されている。有機発光素子１０Ｒの発光層１４Ｃは、例えば、厚みが１０ｎｍ以上１００ｎｍ以下であり、８−キノリノールアルミニウム錯体（Ａｌｑ₃ ）に２，６−ビス［４−［Ｎ−（４−メトキシフェニル）−Ｎ−フェニル］アミノスチリル］ナフタレン−１，５−ジカルボニトリル（ＢＳＮ−ＢＣＮ）を４０体積％混合したものにより構成されている。有機発光素子１０Ｒの電子輸送層１４Ｄは、例えば、厚みが５ｎｍ以上３００ｎｍ以下であり、Ａｌｑ₃ により構成されている。

有機発光素子１０Ｇの正孔注入層１４Ａは、例えば、厚みが５ｎｍ以上３００ｎｍ以下であり、ｍ−ＭＴＤＡＴＡあるいは２−ＴＮＡＴＡにより構成されている。有機発光素子１０Ｇの正孔輸送層１４Ｂは、例えば、厚みが５ｎｍ以上３００ｎｍ以下であり、α−ＮＰＤにより構成されている。有機発光素子１０Ｇの発光層１４Ｃは、例えば、厚みが１０ｎｍ以上１００ｎｍ以下であり、Ａｌｑ₃ にクマリン６（Ｃｏｕｍａｒｉｎ６）を３体積％混合したものにより構成されている。有機発光素子１０Ｇの電子輸送層１４Ｄは、例えば、厚みが５ｎｍ以上３００ｎｍ以下であり、Ａｌｑ₃ により構成されている。

有機発光素子１０Ｂの正孔注入層１４Ａは、例えば、厚みが５ｎｍ以上３００ｎｍ以下であり、ｍ−ＭＴＤＡＴＡあるいは２−ＴＮＡＴＡにより構成されている。有機発光素子１０Ｂの正孔輸送層１４Ｂは、例えば、厚みが５ｎｍ以上３００ｎｍ以下であり、α−ＮＰＤにより構成されている。有機発光素子１０Ｂの発光層１４Ｃは、例えば、厚みが１０ｎｍ以上１００ｎｍ以下であり、スピロ６Φ（ｓｐｉｒｏ６Φ）により構成されている。有機発光素子１０Ｂの電子輸送層１４Ｄは、例えば、厚みが５ｎｍ以上３００ｎｍ以下であり、Ａｌｑ₃ により構成されている。

第２電極層１６は、例えば、厚みが５ｎｍ以上５０ｎｍ以下であり、アルミニウム（Ａｌ），マグネシウム（Ｍｇ），カルシウム（Ｃａ），ナトリウム（Ｎａ）などの金属元素の単体または合金により構成されている。中でも、マグネシウムと銀との合金（ＭｇＡｇ合金）、またはアルミニウム（Ａｌ）とリチウム（Ｌｉ）との合金（ＡｌＬｉ合金）が好ましい。第２電極層１６は、例えば全ての有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂに共通に設けられており、各有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂの第１電極層１３と対向配置されている。さらに第２電極層１６は、有機層１４のみならず、開口規定絶縁膜２４をも覆うように形成されている。

金属層１７は、第１電極層１３と同様に平坦化膜２１８の表面に形成されており、主たる電極としての第２電極層１６における電圧降下を補うように機能するものである。金属層１７は、図１０に示したように、第１導電層１７１と第２導電層１７２との２層構造となっている。すでに述べたように、金属層１７は、開口２４Ｋの領域内の接続部２１において第２電極層１６によって覆われており、第２電極層１６と電気的に接続された状態となっている。接続部２１における金属層１７は、第２導電層１７２の端面１７２Ｔが第１導電層１７１の端面１７１Ｔよりも内側に後退することにより、第１導電層１７１の上面１７１Ｓの一部が第２導電層１７２と接するように形成されている。すなわち、 第２電極層１６は、第１導電層１７１の端面１７１Ｔおよび上面１７１Ｓの一部、ならびに第２導電層１７２の端面１７２Ｔおよび上面１７２Ｓと接している。

第１導電層１７１および第２導電層１７２は、いずれも、第２電極層１６よりも高い導電率を有する材料によって構成することが望ましい。また、第１導電層１７１については、有機層１４から放出される光に対する吸収率が高い低反射率材料によって構成することが望ましい。第１電極層１３と同様に、駆動トランジスタＴｒ１や書込トランジスタＴｒ２が設けられた画素駆動回路形成層１１２の側を光吸収率の高い層とすることにより、外光や有機発光素子１０から洩れた光などの不要光を吸収するためである。また、第１導電層１７１および第２導電層１７２のいずれかは、表面酸化などの変質が生じにくく、第２電極層１６との接触抵抗が良好な材料によって構成されることが望ましい。さらに、第１導電層１７１および第２導電層１７２は、製造工程の簡略化のため、それぞれ第１電極層１３を構成する第１導電層１３１および第２導電層１３２と同一材料によって構成されることが望ましい。以上の観点から、第１導電層１７１の構成材料としては、モリブデンの単体もしくは化合物（合金）が適しており、第２導電層１７２の構成材料としては、アルミニウム（Ａｌ）の単体もしくは化合物（合金）が適している。特に、第１導電層１７１の構成材料としてモリブデンを採用すると共に、第２導電層１７２の構成材料として、モリブデンよりもウェットエッチング処理におけるエッチングレートの高い材料であるＡｌＮｄを採用するとよい。図１０に示したような、金属層１７における端部が階段状の２層構造を比較的容易に作製することができるからである。なお、金属層１７は、開口率向上の観点においては、可能な限り幅を狭く（占有面積を小さく）することが望ましい。

この金属層１７が存在しない場合、電源（図示せず）から個々の有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂまでの距離に応じた電圧降下により、共通電源供給線ＧＮＤ（図２参照）と接続された第２電極層１６の電位が各有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂ間で一定とならず、顕著なばらつきを生じ易い。このような第２電極層１６の電位のばらつきは、表示領域１１０における輝度むらの原因となるので好ましくない。金属層１７は、表示装置が大画面化した場合であっても電源から第２電極層１６に至るまでの電圧降下を最小限度に抑え、このような輝度むらの発生を抑制するように機能する。

有機発光素子１０では、第１電極層１３は反射層としての機能を発揮する一方、第２電極層１６が半透過性反射層としての機能を発揮する。これら第１電極層１３および第２電極層１６により、有機層１４に含まれる発光層１４Ｃにおいて発生した光を多重反射させるようになっている。すなわち、有機発光素子１０は、第１電極層１３の有機層１４側の端面を第１端部Ｐ１とし、第２電極層１６の有機層１４側の端面を第２端部Ｐ２とし、有機層１４を共振部として、発光層１４Ｃで発生した光を共振させて第２端部Ｐ２の側から取り出す共振器構造を有している。このような共振器構造を有することで、発光層１４Ｃで発生した光が多重反射を起こし、一種の狭帯域フィルタとして作用することによって、取り出される光のスペクトルの半値幅が減少し色純度を高めることができる。また、封止基板１９の側から入射した外光についても多重反射により減衰させることができ、さらに位相差板や偏光板（図示せず）との組み合わせにより有機発光素子１０における外光の反射率を極めて小さくすることができる。

この表示装置は、例えば次のようにして製造することができる。以下、図４〜図１０に加え、図１１〜図１３を参照して、本実施の形態の表示装置の製造方法について説明する。

まず、上述した材料よりなる基板１１１の上に、駆動トランジスタＴｒ１および書き込みトランジスタＴｒ２を含む画素駆動回路１５０を形成する。具体的には、まず、基板１１１上に例えばスパッタリングにより金属膜を形成する。そののち、例えばフォトリソグラフィ法やドライエッチング、あるいはウェットエッチングによりその金属膜をパターニングすることで、基板１１１上に金属層２１１Ｇ，２２１Ｇおよび信号線１２０Ａを形成する。次いで、全面をゲート絶縁膜２１２によって覆う。さらに、ゲート絶縁膜２１２の上に、チャネル層２１３，２２３、チャネル保護膜２１４，２２４、ドレイン電極２１５Ｄ，２２５Ｄおよびソース電極２１５Ｓ，２２５Ｓ、ならびに、金属層２１６Ｄ，２２６Ｄおよび金属層２１６Ｓ，２２６Ｓを順に、所定形状に形成する。ここで、金属層２１６Ｄ，２２６Ｄおよび金属層２１６Ｓ，２２６Ｓの形成と併せて、走査線１３０Ａおよび電源供給線１４０Ａを第２の金属層として各々形成する。その際、金属層２２１Ｇと走査線１３０Ａとを接続する接続部、金属層２２６Ｄと信号線１２０Ａとを接続する接続部、金属層２２６Ｓと金属層２１１Ｇとを接続する接続部を予め形成しておく。そののち、全体を保護膜２１７で覆うことにより、画素駆動回路１５０を完成させる。その際、保護膜２１７における金属層２１６Ｓ上の所定位置に、ドライエッチングなどにより開口を形成しておく。

画素駆動回路１５０を形成したのち、スピンコート法などにより、例えばポリイミドを主成分とする感光性樹脂を全面に亘って塗布する。次に、その感光性樹脂に対しフォトリソグラフィ処理を施すことにより、接続孔１２４を有する平坦化膜２１８を形成する。具体的には、例えば所定位置に開口を有するマスクを用いた選択的な露光および現像により、保護膜２１７に設けられた開口と連通する接続孔１２４を形成する。そののち、平坦化膜２１８を必要に応じて焼成してもよい。これにより画素駆動回路形成層１１２を得る。

さらに、上述した所定の材料よりなる第１電極層１３および金属層１７を形成する。具体的には、例えばスパッタリングによって上述の材料からなる第１導電層１３１，１７１と第１導電層１３２，１７２とを全面成膜して２層の積層膜を形成したのち、その積層膜上に所定のマスクを用いて所定形状のレジストパターン（図示せず）を形成する。さらにそのレジストパターンをマスクとして用い、積層膜の選択的なエッチングを行うことにより、図１１に示したように積層膜パターン１７Ｚを形成する。その際、第１電極層１３については、平坦化膜２１８の表面を覆うと共に接続孔１２４を充填するように形成する。また、のちに金属層１７となる積層膜パターン１７Ｚについては、平坦化膜２１８の表面に、第１電極層１３の周囲を取り囲むように形成する。積層膜パターン１７Ｚは、第１電極層１３と同種の材料を用いて、第１電極層１３と共に一括して形成することが望ましい。

次いで、図１２に示したように、積層膜パターン１７Ｚに対し、所定のエッチング溶液を用いてウェットエッチング処理を行うことにより、比較的エッチングレートの高い第２導電層１７２の端面１７２Ｔを後退させ、第１導電層１７１の上面１７１Ｓを露出させる。これにより、金属層１７が得られる。あるいは、第１導電層１７１がモリブデンからなる場合には、第１導電層１７１および第２導電層に対してハーフトーンマスクを用いた露光を行ったのち、ウェットエッチングもしくはドライエッチングを施すようにしてもよい。これにより、端部が階段状の金属層１７が得られる。さらに、隣り合う有機発光素子１０の第１電極層１３同士の隙間を充填するように開口規定絶縁膜２４を形成する。その際、図１３に示したように、格子状にパターニングされた金属層１７の交差点のいくつかの箇所に対応する位置に、開口２４Ｋを形成するようにする。

次いで、第１電極層１３のうち、露出している部分を完全に覆うように上述した所定の材料および厚みの正孔注入層１４Ａ、正孔輸送層１４Ｂ、発光層１４Ｃ、電子輸送層１４Ｄを、例えば蒸着法によって順に積層することで有機層１４を形成する。さらに、有機層１４を挟んで第１電極層１３と対向するように覆い、かつ、接続部２１において金属層１７を覆うように全面に亘って第２電極層１６を形成することで有機発光素子１０を完成させる。

こののち、全体を覆うように、上述した材料よりなる保護膜１８を形成する。最後に、保護膜１８の上に、接着層を形成し、この接着層を間にして封止基板１９を貼り合わせる。以上により、表示装置が完成する。

このようにして得られた表示装置では、各画素に対して走査線駆動回路１３０から書込トランジスタＴｒ２のゲート電極（金属層２２１Ｇ）を介して走査信号が供給されると共に、信号線駆動回路１２０から画像信号が書き込みトランジスタＴｒ２を介して保持容量Ｃｓに保持される。その一方で、電源供給線駆動回路１４０が、走査線駆動回路１３０による行単位の走査と同期して、各電源供給線１４０Ａに対し第２電位よりも高い第１電位を供給する。これにより駆動トランジスタＴｒ１の導通状態が選択され、各有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂに駆動電流Ｉｄが注入されることにより、正孔と電子とが再結合して発光が起こる。この光は、第１電極層１３と第２電極層１６との間で多重反射し、第２電極層１６、保護膜１８および封止基板１９を透過して取り出される。

以上、説明したように、本実施の形態では、補助配線層としての金属層１７が、第２電極層１６との接続部２１において端部が階段状となった２層構造を有しており、第１導電層１７１の膜面（上面）の一部が第２電極層１６と接するようになっている。ここで、第１導電層１７１は、表面酸化などの変質が生じにくく、第２電極層１６との接触抵抗が良好な材料によって構成される。このため、第２導電層１７２を、アルミニウムなどの表面酸化が発生しやすい材料によって形成した場合であっても、それに影響されることなく補助配線層と第２電極層との良好なコンタクトが確保される。その結果、表示画面内での発光輝度分布の均一性を向上させ、より高い表示性能を得ることができる。

また、第１電極層１３および金属層１７における第１導電層１３１，１７１や第２階層の金属層における第１の薄層３１を、モリブデンなどの光吸収率の高い材料によって構成するようにしたので、外光や有機発光素子１０から洩れた光などの不要光を吸収することができる。仮に、これらの第１導電層１３１，１７１や第１の薄層３１がアルミニウムなどの反射率の高い材料からなる場合には、上記の不要光が有機発光素子１０と金属層１７との隙間から基体１１へ入射してしまう。その場合、不要光は、駆動トランジスタＴｒ１や書込トランジスタＴｒ２のチャネル領域２１３Ｒ，２２３Ｒへ、直接的に、あるいは第１導電層１３１，１７１の裏面（基体１１側の面）や第１の薄層３１の表面において反射を繰り返したのちに間接的に入射する。ところが本実施の形態では、上記の理由により、そのような不要光が駆動トランジスタＴｒ１や書込トランジスタＴｒ２のチャネル領域２１３Ｒ，２２３Ｒなどに入射するのを防ぐことができる。この結果、駆動トランジスタＴｒ１や書込トランジスタＴｒ２における誤動作による画素駆動回路１５０へのリーク電流の発生を確実に防ぎ、画質向上を図ることができる。また、駆動トランジスタＴｒ１や書込トランジスタＴｒ２の寿命劣化を防ぎ、動作信頼性を高めることもできる。特に、第１導電層１３１と第１導電層１７１とを同一材料によって一括形成し、第２導電層１３１と第２導電層１７２とを同一材料によって一括形成すれば、製造工程の簡略化を図ることができる。その際、第２導電層１３２として好適なアルミニウムやその合金を用いて第２導電層１３２，１７２を形成する場合であっても、上述した理由により、補助配線層（金属層１７）と第２電極層との良好なコンタクトを確保することができるので、表示性能を損なうことがない。

以上、実施の形態を挙げて本発明を説明したが、本発明は上記実施の形態に限定されるものではなく、種々変形が可能である。例えば、上記実施の形態では、金属層１７が、開口２４Ｋにおける接続部２１においてのみ階段状の端部を有すると共に第２電極層１６との接続を図るようにしたが、これに限定されるものではない。例えば、全面に亘って金属層１７が階段状の２層構造を有し、その全面に亘って第２電極層１６と接するように構成してもよい。また、補助配線層（金属層１７）は、２層構造に限らず、３層以上の多層構造であってもよい。３層構造としては、例えば基体の側からモリブデン層、アルミニウム層、ＡｌＮｄ層が順に積層されたものが挙げられる。また、金属層１７の平面形状は、格子状のものに限定されるものではない。例えば、図３において、Ｘ方向またはＹ方向の一方向のみに延在するものであってもよい。

また、本発明は、上記実施の形態において説明した各層の材料や積層順序、あるいは成膜方法などに限定されるものではない。例えば、上記実施の形態においては、第１電極層１３をアノード、第２電極層１６をカソードとする場合について説明したが、第１電極層１３をカソード、第２電極層１６をアノードとしてもよい。さらに、上記実施の形態では、有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂの構成を具体的に挙げて説明したが、全ての層を備える必要はなく、また、他の層をさらに備えていてもよい。例えば、第１電極層１３と有機層１４との間に、酸化クロム（ＩＩＩ）（Ｃｒ₂ Ｏ₃ ），ＩＴＯ（Indium-Tin Oxide：インジウム（Ｉｎ）およびスズ（Ｓｎ）の酸化物混合膜）などからなる正孔注入用薄膜層を備えていてもよい。

加えてまた、上記実施の形態では、第２電極層１６が半透過性反射層により構成されている場合について説明したが、第２電極層１６は、半透過性反射層と透明電極とが第１電極層１３の側から順に積層された構造としてもよい。この透明電極は、半透過性反射層の電気抵抗を下げるためのものであり、発光層で発生した光に対して十分な透光性を有する導電性材料により構成されている。透明電極を構成する材料としては、例えば、ＩＴＯまたはインジウムと亜鉛（Ｚｎ）と酸素とを含む化合物が好ましい。室温で成膜しても良好な導電性を得ることができるからである。透明電極の厚みは、例えば３０ｎｍ以上１０００ｎｍ以下とすることができる。また、この場合、半透過性反射層を一方の端部とし、透明電極を挟んで半透過性電極に対向する位置に他方の端部を設け、透明電極を共振部とする共振器構造を形成するようにしてもよい。さらに、そのような共振器構造を設けた上で、有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂを保護膜１８で覆うようにし、この保護膜１８を、透明電極を構成する材料と同程度の屈折率を有する材料により構成すれば、保護膜１８を共振部の一部とすることができ、好ましい。

加えてまた、上記各実施の形態では、アクティブマトリクス型の表示装置の場合について説明したが、本発明はパッシブマトリクス型の表示装置への適用も可能である。更にまた、アクティブマトリクス駆動のための画素駆動回路の構成は、上記各実施の形態で説明したものに限られず、必要に応じて容量素子やトランジスタを追加してもよい。その場合、画素駆動回路の変更に応じて、上述した信号線駆動回路１２０や走査線駆動回路１３０のほかに、必要な駆動回路を追加してもよい。

さらに、本発明では、補助配線層において、下層の第１導電層をチタン（Ｔｉ）によって形成すると共に、上層の第２導電層をＡｌＮｄによって形成するようにしてもよい。その場合、ＡｌＮｄからなる第２導電層を燐硝酢酸をウェットエッチングしたのち、チタンからなる第１導電層を塩素系ガスでドライエッチングすることにより、図１０に示したような階段状構造、すなわち、第１導電層の幅が第２導電層よりも広い構造とすることができる。

１０（１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂ）…有機発光素子、１１…基体、１１１…基板、１１２…画素駆動回路形成層、１２…発光素子形成層、１３…第１電極層、１３１…第１導電層、１３２…第２導電層、１４…有機層、１４Ａ…正孔注入層、１４Ｂ…正孔輸送層、１４Ｃ…発光層、１４Ｄ…電子輸送層、１６…第２電極層、１７…金属層、１７１…第１導電層、１７２…第２導電層、１８…保護膜、１９…封止基板、２０…発光領域、２１…接続部、３１〜３３…第１〜第３の薄層、２４…開口規定絶縁膜、２４Ｋ…開口、１２４…接続孔、１１０…表示領域、１２０…信号線駆動回路、１２０Ａ…信号線、１３０…走査線駆動回路、１３０Ａ…走査線、１４０…電源供給線駆動回路、１４０Ａ…電源供給線、１５０…画素駆動回路、２１７…保護膜（パッシベーション膜）、２１８…平坦化膜、Ｃｓ…キャパシタ（保持容量）、Ｐ１…第１端部、Ｐ２…第２端部、Ｔｒ１…駆動トランジスタ、Ｔｒ２…書込トランジスタ。

Claims (25)

1. 基体上に、第１電極層、発光層を含む有機層、および第２電極層が順に積層されてなる発光素子と、
   前記有機層を取り囲むように配置され、前記第２電極層と電気的に接続された補助配線層と
   を備え、
   前記補助配線層は、モリブデン（Ｍｏ）合金からなる第１導電層とアルミニウムネオジム合金（ＡｌＮｄ）を含む第２導電層との２層構造を含み、
   前記第１導電層は、前記第２電極層との接触抵抗が前記第２導電層よりも低いものであり、
   前記補助配線層における２層構造は、前記第２導電層の端面が前記第１導電層の端面よりも内側に後退することにより、前記第１導電層の上面の一部が前記第２電極層と接するように形成されている
   表示装置。
2. 前記第２導電層は、アルミニウムネオジム合金からなる単層構造、またはアルミニウム層とアルミニウムネオジム合金層との２層構造を有する
   請求項１記載の表示装置。
3. 前記第１電極層もまた、前記第１導電層と同じ材料からなる第３導電層と、前記第２導電層と同じ材料からなる第４導電層との２層構造を含み、
   前記第４導電層は、前記有機層からの光に対する反射率が前記第３導電層よりも高いものである
   請求項１記載の表示装置。
4. 前記第２電極層は、前記補助配線層の２層構造における前記第１導電層の端面ならびに前記第２導電層の上面および端面とも接している
   請求項１記載の表示装置。
5. 前記第１導電層および第２導電層は、前記第２電極層よりも高い導電率を有する
   請求項１記載の表示装置。
6. 前記第２導電層は、前記第１導電層よりも高い導電率を有する
   請求項５記載の表示装置。
7. 前記基体上に配列された複数の前記発光素子を備え、
   前記第１電極層および有機層は、前記発光素子ごとに絶縁膜によって分離されており、
   前記第２電極層は、前記複数の発光素子に共通して設けられている
   請求項１記載の表示装置。
8. 前記補助配線層は、前記複数の発光素子の第１電極層および有機層を積層面内においてそれぞれ取り囲むように設けられている
   請求項7記載の表示装置。
9. 前記基体は、映像信号に基づいて前記発光素子の表示駆動を行う駆動素子を有する
   請求項３記載の表示装置。
10. 前記駆動素子は、前記第１電極層における第３導電層と導通する電極を有し、
    前記電極は、前記第１電極層の側から順に、前記第３導電層と同一の材料からなる第１の層と、前記第１の層よりも高い導電率を有する第２の層とを含む
    請求項９記載の表示装置。
11. 前記第１の層は、前記有機層からの光に対する反射率が前記第２の層よりも低いものである
    請求項１０記載の表示装置。
12. 前記第２の層は、アルミニウム（Ａｌ）の単体もしくは化合物からなる
    請求項１１記載の表示装置。
13. 前記電極は、前記第２の層の、前記第１の層とは反対側に、前記第２の層の構成元素の移動を遮断する第３の層をさらに含む
    請求項１２記載の表示装置。
14. 前記基体は、前記駆動素子を含む画素駆動回路を有し、
    前記画素駆動回路は、窒化ケイ素からなる保護膜と、絶縁性の平坦化膜とによって覆われている
    請求項９記載の表示装置。
15. 前記平坦化膜は、ポリイミドを含む有機材料からなる
    請求項１４記載の表示装置。
16. 前記平坦化膜および前記保護膜の一部領域には接続孔が設けられており、
    前記接続孔を通じて前記第１電極層と前記駆動素子とが接続されている
    請求項１４記載の表示装置。
17. 前記平坦化膜は、前記保護膜よりも大きな厚みを有する
    請求項１４記載の表示装置。
18. 前記第２電極層は、アルミニウム（Ａｌ），マグネシウム（Ｍｇ），カルシウム（Ｃａ）およびナトリウム（Ｎａ）の単体またはそれらの合金からなる
    請求項１４記載の表示装置。
19. 前記第２電極層は、ＭｇＡｇ合金またはＡｌＬｉ合金からなる
    請求項１４記載の表示装置。
20. 前記第１導電層は前記第２電極層と接している
    請求項１記載の表示装置。
21. 前記第２導電層は前記第２電極層と接している
    請求項１記載の表示装置。
22. 前記第１電極層と前記有機層との間に、酸化クロム（ＩＩＩ）（Ｃｒ₂ Ｏ₃ ）またはＩＴＯを含む正孔注入用薄膜層を含む
    請求項１記載の表示装置。
23. 前記第２電極層は、半透過性反射層と透明電極とが前記第１電極層の側から順に積層された構造からなり、
    前記透明電極の構成材料がＩＴＯまたはインジウムと亜鉛（Ｚｎ）と酸素とを含む化合物である
    請求項１記載の表示装置。
24. 基体上に、第１電極層、発光層を含む有機層、および第２電極層が順に積層されてなる発光素子と、前記有機層を取り囲むように配置されると共に前記第２電極層と電気的に接続される補助配線層とを備えた表示装置の製造方法であって、
    前記基体上に、モリブデン（Ｍｏ）合金からなる第１導電層と、前記第２電極層との接触抵抗が前記第１導電層よりも高くアルミニウムネオジム合金（ＡｌＮｄ）を含む第２導電層とを順に積層することにより、積層膜を形成する工程と、
    前記積層膜を所定形状にパターニングすることにより、積層膜パターンを形成する工程と、
    前記第１導電層よりも前記第２導電層に対して高い溶解性を示すエッチング溶液を用いて前記積層膜パターンのエッチング処理を行い、前記第２導電層の端面を後退させて前記第１導電層の上面を一部露出させることにより前記補助配線層を形成する工程と
    を含む表示装置の製造方法。
25. 前記第１電極層を、前記積層膜パターンの一部に含まれるように形成する
    請求項２４記載の表示装置の製造方法。

Images