JP2022031152A - 表示パネル及び表示装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】光共振器構造とカラーフィルタとの組み合わせを用いて、色純度を向上させる表示パネルを提供する。【解決手段】自発光素子と、前記自発光素子に対向するカラーフィルタとを含む画素を複数備える表示パネルであって、前記複数の自発光素子の少なくとも１つは緑色発光素子であり、前記緑色発光素子は、前記カラーフィルタに近い順に、光透過性の金属薄膜電極と、緑色発光層と、光反射性電極とが積層されて、第１の波長の光強度を強める光共振器構造をなしており、前記緑色発光素子に対向するカラーフィルタは、前記第１の波長より長波長であって、前記第１の波長より緑色として視感度特性の高い前記第２の波長の光に対し、光の透過率が５０％以下である。【選択図】図５
Description
本開示は、電界発光現象や量子ドット効果を利用した発光素子を含む表示パネル及び当該表示パネルを用いた表示装置に関する。
近年、有機材料の電界発光現象を利用した有機ＥＬ素子、量子ドット効果を利用したＱＬＥＤなどの発光素子を利用した表示装置が普及しつつある。発光素子は、一対の電極の間に発光層が配された基本構造を有し、電極間に電圧を印加することにより、正孔と電子が再結合して発光層が発光する。
基板の上方に光を出射する、いわゆる、トップエミッション型の発光素子では、基板側に光反射性の電極を有し、対向側に光半透過性の電極を有する。発光層で生じた光の一部は、光半透過性の電極を透過して直接出射し、一部は、光反射性の電極や光半透過性の電極に反射されて発光素子内を伝搬してから出射する。光取り出し効率を向上させる技術として、これらの光が干渉によって強め合うように発光素子内の光路長を設計する、いわゆる共振器構造が用いられている。
カラー表示用の表示パネルにおいては、このような発光素子が、ＲＧＢ各色の副画素を形成し、隣り合うＲＧＢの副画素が合わさってカラー表示における単位画素が形成されている。そして、一般に、発光素子を用いた表示パネルでは、各画素に設けられた反射電極による外光の照り返しによる視認性の低下を抑止するために、外光の反射を抑止する構成が用いられている（例えば、特許文献１－３参照）。また、色純度を向上させるための手法として、例えば、共振器構造とカラーフィルタとの組み合わせによる構成が用いられている（例えば、特許文献４参照）。
特許文献４に記載の構造では、発光素子から取り出す光のピーク波長およびその近傍の波長における光強度の制御を行い色純度の向上を図っている。しかしながら、特許文献４に記載の構造では、発光素子から取り出す光のピーク波長の近傍でない波長域において人の視感度特性の高い領域が存在する場合、色純度が低下する場合があるという課題がある。
本開示は、上記課題に鑑みてなされたものであり、開口率や発光効率に悪影響を与えない光共振器構造とカラーフィルタとの組み合わせを用いて、色純度を向上させる表示パネルを提供することを目的とする。
本開示の一態様に係る表示パネルは、自発光素子と、前記自発光素子に対向するカラーフィルタとを含む画素を複数備える表示パネルであって、前記複数の自発光素子の少なくとも１つは緑色発光素子であり、前記緑色発光素子は、前記カラーフィルタに近い順に、光透過性の金属薄膜電極と、緑色発光層と、光反射性電極とが積層されて、第１の波長の光強度を強める光共振器構造をなしており、前記緑色発光素子に対向するカラーフィルタは、前記第１の波長より長波長であって、前記第１の波長より緑色として視感度特性の高い前記第２の波長の光に対し、光の透過率が５０％以下である。
上記態様の表示パネルによれば、緑色発光層を備える画素について、第２の波長の光に対する反射率を抑制することができる。したがって、緑色発光層を備える画素について、所望の光である第１の波長の光を効率よく出射させるとともに、視感度特性の高い第２の波長の光が外光反射の光に含まれることに起因する色純度の低下を抑止することができる。
≪本開示の一態様に至った経緯≫
発光素子を備えた表示パネルでは、外光が電極によって反射されることに起因して、コントラストや映り込みが生じる課題が知られている。そこで、例えば、円偏光板を用いた外光反射の抑止技術や、特許文献４に記載のように、ブラックマトリクスを備えるカラーフィルタ層を用いて電極による外光反射を抑止する技術が存在する。しかしながら、円偏光板は光吸収特性を有しており、また、ブラックマトリクスは表示パネルの開口率を低下させるため、いずれの場合においても、発光効率が低下し消費電力の増加やパネル寿命の低下の原因となり得る。
発光素子を備えた表示パネルでは、外光が電極によって反射されることに起因して、コントラストや映り込みが生じる課題が知られている。そこで、例えば、円偏光板を用いた外光反射の抑止技術や、特許文献４に記載のように、ブラックマトリクスを備えるカラーフィルタ層を用いて電極による外光反射を抑止する技術が存在する。しかしながら、円偏光板は光吸収特性を有しており、また、ブラックマトリクスは表示パネルの開口率を低下させるため、いずれの場合においても、発光効率が低下し消費電力の増加やパネル寿命の低下の原因となり得る。
一方、特許文献４に記載のように、光共振器構造を用いた外光反射の抑止技術も知られている。光共振器構造は、図２の模式断面図に示すように、例えば、発光中心から直接的に放出される経路Ｃ1を経由する光と、発光中心から光半透過性電極、光反射性電極の順に反射されて放出される経路Ｃ2を経由する光が互いに強め合うように光学距離を調整した構造である。光共振器構造は、外光に対して、取り出す光と同波長の光の透過率を高めたフィルタとして機能するので、取り出す光と同波長の光の反射率が低く、外光に対するコントラスト低下を抑止する構成としても機能する。したがって、この構成によれば、取り出す光の波長およびその近傍の波長帯において、コントラストを改善し光純度を高めることができる。しかしながら、光共振器構造は、取り出す光の波長およびその近傍の波長帯から外れた波長帯については効果を奏さない。したがって、取り出す光の波長近傍から外れた波長帯に、人の視感度特性の高い波長が存在する場合、当該波長については外光反射の抑止構成としては機能しないため色純度が十分に高くならない課題がありうる。特に、ＲＧＢ３色を用いるカラーパネルにおいては、緑色（Ｇ）発光素子のピーク波長は５３０ｎｍ前後であるところ、Ｍ錐体細胞の感度（ＣＩＥ等色関数におけるＹ値）のピーク波長５５５ｎｍ前後であるため、緑色発光素子について色純度の低下が発生しやすい。
発明者は、上記課題を鑑み、開口率や発光効率に悪影響を与えない光共振器構造とカラーフィルタとの組み合わせを用いて、色純度を向上させる構成を検討し、本開示に至ったものである。
≪開示の態様≫
本開示の一態様に係る表示パネルは、自発光素子と、前記自発光素子に対向するカラーフィルタとを含む画素を複数備える表示パネルであって、前記複数の自発光素子の少なくとも１つは緑色発光素子であり、前記緑色発光素子は、前記カラーフィルタに近い順に、光透過性の金属薄膜電極と、緑色発光層と、光反射性電極とが積層されて、第１の波長の光強度を強める光共振器構造をなしており、前記緑色発光素子に対向するカラーフィルタは、前記第１の波長より長波長であって、前記第１の波長より緑色として視感度特性の高い前記第２の波長の光に対し、光の透過率が５０％以下である。
本開示の一態様に係る表示パネルは、自発光素子と、前記自発光素子に対向するカラーフィルタとを含む画素を複数備える表示パネルであって、前記複数の自発光素子の少なくとも１つは緑色発光素子であり、前記緑色発光素子は、前記カラーフィルタに近い順に、光透過性の金属薄膜電極と、緑色発光層と、光反射性電極とが積層されて、第１の波長の光強度を強める光共振器構造をなしており、前記緑色発光素子に対向するカラーフィルタは、前記第１の波長より長波長であって、前記第１の波長より緑色として視感度特性の高い前記第２の波長の光に対し、光の透過率が５０％以下である。
上記態様の表示パネルによれば、緑色発光層を備える画素について、第２の波長の光に対する反射率を抑制することができる。したがって、緑色発光層を備える画素について、所望の光である第１の波長の光を効率よく出射させるとともに、視感度特性の高い第２の波長の光が外光反射の光に含まれることに起因する色純度の低下を抑止することができる。
また、上記態様に係る表示パネルにおいて、以下のようにしてもよい。
ＣＩＥ等色関数において、前記第２の波長に対応するＹ値は、前記第１の波長に対応するＹ値より大きい、としてもよい。
上記態様により、第１の波長の光より見えやすいが色純度の低い第２の波長の光が外光反射することによる影響を抑止することができる。また、前記第１の波長は５３０ｎｍ以下であり、前記第２の波長は５４５ｎｍ～５６５ｎｍの範囲の波長である、としてもよい。また、第２の波長は、５４５ｎｍ～５６５ｎｍの範囲の波長から選択される波長としてもよい。したがって、例えば、前記第１の波長は５３０ｎｍ以下であり、前記第２の波長は５６５ｎｍである構成としてもよい。あるいは、前記第１の波長は５３０ｎｍ以下であり、前記第２の波長は５５５ｎｍである構成としてもよい。また、前記第１の波長は５３０ｎｍ以下であり、前記第２の波長は５４５ｎｍである構成としてもよい。
上記態様により、第１の波長として色純度の高い緑色の光を用いるとともに、見えやすいが色純度の低い第２の波長の光が外光反射することを抑止することで、画素のコントラストを向上し色純度を高めることができる。
また、前記自発光素子に対向するカラーフィルタは、前記第１の波長における光の透過率が７０％以上である、としてもよい。
上記態様により、第１の波長の光の輝度を低下させることなく光取り出し効率を向上させることができ、色純度についても高めることができる。
また、前記表示パネルにおいて、前記緑色発光素子を含む画素の開口率は５０％以上である、としてもよい。
上記態様により、表示パネルの長寿命化を図ることができる。
また、本開示の一態様に係る表示パネルは、自発光素子と、前記自発光素子に対向するカラーフィルタとを含む画素を複数備える表示パネルであって、前記複数の自発光素子の少なくとも１つは緑色発光素子であり、前記緑色発光素子は、前記カラーフィルタに近い順に、光透過性の金属薄膜電極と、緑色発光層と、光反射性電極とが積層されて、第１の波長の光強度を強める光共振器構造をなしており、前記緑色発光素子を含む画素は、前記第１の波長より長波長であって、前記第１の波長より緑色として視感度特性の高い前記第２の波長の光に対し、光の透過率が５０％以下である第２のフィルタをさらに備える。
上記態様の表示パネルにおいても、緑色発光層を備える画素について、第２の波長の光に対する反射率を抑制することができる。したがって、緑色発光層を備える画素について、所望の光である第１の波長の光を効率よく出射させるとともに、視感度特性の高い第２の波長の光が外光反射の光に含まれることに起因する色純度の低下を抑止することができる。
また、本開示の一態様に係る表示装置は、本開示の一態様に係る表示パネルを含む表示パネルである。
上記態様により、本開示の一態様に係る表示パネルと同一の効果を奏する表示装置を実現できる。
また、本開示の一態様に係る表示パネルの製造方法は、基板上に複数の光反射性電極を形成し、前記複数の光反射性電極のそれぞれの上方に発光層を形成し、複数の前記発光層の上方に光透過性の金属薄膜電極を形成して光共振器構造を形成し、前記金属薄膜電極の上方であって複数の前記発光層のそれぞれの上方にカラーフィルタを形成し、前記発光層の形成において、少なくとも１つの発光層は緑色発光層であり、前記カラーフィルタの形成において、前記緑色発光層の上方のカラーフィルタの透過特性を、前記光共振器構造のピーク波長を第１の波長としたとき、前記第１の波長より長波長であって、前記第１の波長より緑色として視感度特性の高い前記第２の波長の光に対して光の透過率を５０％以下とする。
上記態様の表示パネルの製造方法により製造された表示パネルにおいても、緑色発光層を備える画素について、第２の波長の光に対する反射率を抑制することができる。したがって、緑色発光層を備える画素について、所望の光である第１の波長の光を効率よく出射させるとともに、視感度特性の高い第２の波長の光が外光反射の光に含まれることに起因する色純度の低下を抑止することができる。
≪実施の形態≫
以下、本開示に係る表示パネルの実施形態について説明する。なお、以下の説明は、本開示の一態様に係る構成及び作用・効果を説明するための例示であって、本開示の本質的部分以外は以下の形態に限定されない。また、以下の説明を含め、本明細書、特許請求の範囲における上下とは光の出射方向を基準として相対的な位置関係を示すものであり、必ずしも絶対的な（鉛直方向における）上下の位置関係とは一致しない。また、本明細書、特許請求の範囲において、数値範囲を示す際に用いる符号「～」は、その両端の数値を含む。
以下、本開示に係る表示パネルの実施形態について説明する。なお、以下の説明は、本開示の一態様に係る構成及び作用・効果を説明するための例示であって、本開示の本質的部分以外は以下の形態に限定されない。また、以下の説明を含め、本明細書、特許請求の範囲における上下とは光の出射方向を基準として相対的な位置関係を示すものであり、必ずしも絶対的な（鉛直方向における）上下の位置関係とは一致しない。また、本明細書、特許請求の範囲において、数値範囲を示す際に用いる符号「～」は、その両端の数値を含む。
１．表示パネルの概略構成
図１は、実施の形態に係る表示パネルとしての有機ＥＬ表示パネル１００（図１１参照）の部分断面図である。有機ＥＬ表示パネル１００は、３つの色（赤色、緑色、青色）を発光する副画素２（Ｒ）、２（Ｇ）、２（Ｂ）で構成される画素を複数備えている。有機ＥＬ表示パネル１００は、発光素子としての有機ＥＬ素子１（Ｒ）、１（Ｇ）、１（Ｂ）を備える発光素子基板３０と、カラーフィルタおよびブラックマトリクスを備えるカラーフィルタ基板４０とを備え、有機ＥＬ素子１（Ｒ）とカラーフィルタ４３（Ｒ）との組み合わせが副画素２（Ｒ）を、有機ＥＬ素子１（Ｇ）とカラーフィルタ４３（Ｇ）との組み合わせが副画素２（Ｇ）を、有機ＥＬ素子１（Ｂ）とカラーフィルタ４３（Ｂ）との組み合わせが副画素２（Ｂ）を、それぞれ構成する。図１は、副画素２（Ｒ）、２（Ｇ）、２（Ｂ）各１つずつで構成される１つの画素の断面を示している。
図１は、実施の形態に係る表示パネルとしての有機ＥＬ表示パネル１００（図１１参照）の部分断面図である。有機ＥＬ表示パネル１００は、３つの色（赤色、緑色、青色）を発光する副画素２（Ｒ）、２（Ｇ）、２（Ｂ）で構成される画素を複数備えている。有機ＥＬ表示パネル１００は、発光素子としての有機ＥＬ素子１（Ｒ）、１（Ｇ）、１（Ｂ）を備える発光素子基板３０と、カラーフィルタおよびブラックマトリクスを備えるカラーフィルタ基板４０とを備え、有機ＥＬ素子１（Ｒ）とカラーフィルタ４３（Ｒ）との組み合わせが副画素２（Ｒ）を、有機ＥＬ素子１（Ｇ）とカラーフィルタ４３（Ｇ）との組み合わせが副画素２（Ｇ）を、有機ＥＬ素子１（Ｂ）とカラーフィルタ４３（Ｂ）との組み合わせが副画素２（Ｂ）を、それぞれ構成する。図１は、副画素２（Ｒ）、２（Ｇ）、２（Ｂ）各１つずつで構成される１つの画素の断面を示している。
有機ＥＬ表示パネル１００において、各有機ＥＬ素子１は、前方（図１におけるｚ方向上方）に光を出射するいわゆるトップエミッション型である。
有機ＥＬ素子１（Ｒ）と、有機ＥＬ素子１（Ｇ）と、有機ＥＬ素子１（Ｂ）は、ほぼ同様の構成を有するので、区別しないときは、有機ＥＬ素子１として説明する。
２．表示パネルの詳細構成
（２．１）発光素子基板３０の構成
図１に示すように、有機ＥＬ素子１は、基板１１、層間絶縁層１２、画素電極１３、隔壁１４、正孔注入層１５、正孔輸送層１６、発光層１７、中間層１８、電子注入輸送層１９、対向電極２０、封止層２１を備える。画素電極１３、対向電極２０は、それぞれ、本開示の光反射性電極、光半透過性電極に相当する。
（２．１）発光素子基板３０の構成
図１に示すように、有機ＥＬ素子１は、基板１１、層間絶縁層１２、画素電極１３、隔壁１４、正孔注入層１５、正孔輸送層１６、発光層１７、中間層１８、電子注入輸送層１９、対向電極２０、封止層２１を備える。画素電極１３、対向電極２０は、それぞれ、本開示の光反射性電極、光半透過性電極に相当する。
なお、基板１１、層間絶縁層１２、中間層１８、電子注入輸送層１９、対向電極２０、封止層２１は、画素ごとに形成されているのではなく、発光素子基板３０が備える複数の有機ＥＬ素子１に共通して形成されている。
＜基板＞
基板１１は、絶縁材料である基材１１１と、ＴＦＴ（Thin Film Transistor）層１１２とを含む。ＴＦＴ層１１２には、サブ画素ごとに駆動回路が形成されている。基材１１１は、例えば、ガラス基板、石英基板、プラスチック基板等を採用することができる。プラスチック材料としては、熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂いずれの樹脂を用いてもよい。例えば、ポリイミド（PI）、ポリエーテルイミド（PEI）、ポリサルホン（PSu）、ポリカーボネート（PC）、ポリエチレンテレフタレート（PET）、ポリエチレンナフタレート（PEN）
、ポリブチレンテレフタレート、スチレン系、ポリオレフィン系、ポリウレタン系、等の各種熱可塑性エラストマー、エポキシ樹脂、不飽和ポリエステル、シリコーン樹脂、ポリウレタン等、またはこれらを主とする共重合体、ブレンド体、ポリマーアロイ等が挙げられる。これらよりプロセス温度に対して耐久性を有するように選択し、１種、または２種以上を積層した積層体を用いることができる。
基板１１は、絶縁材料である基材１１１と、ＴＦＴ（Thin Film Transistor）層１１２とを含む。ＴＦＴ層１１２には、サブ画素ごとに駆動回路が形成されている。基材１１１は、例えば、ガラス基板、石英基板、プラスチック基板等を採用することができる。プラスチック材料としては、熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂いずれの樹脂を用いてもよい。例えば、ポリイミド（PI）、ポリエーテルイミド（PEI）、ポリサルホン（PSu）、ポリカーボネート（PC）、ポリエチレンテレフタレート（PET）、ポリエチレンナフタレート（PEN）
、ポリブチレンテレフタレート、スチレン系、ポリオレフィン系、ポリウレタン系、等の各種熱可塑性エラストマー、エポキシ樹脂、不飽和ポリエステル、シリコーン樹脂、ポリウレタン等、またはこれらを主とする共重合体、ブレンド体、ポリマーアロイ等が挙げられる。これらよりプロセス温度に対して耐久性を有するように選択し、１種、または２種以上を積層した積層体を用いることができる。
＜層間絶縁層＞
層間絶縁層１２は、基板１１上に形成されている。層間絶縁層１２は、樹脂材料からなり、ＴＦＴ層１１２の上面の段差を平坦化するためのものである。樹脂材料としては、例えば、ポジ型の感光性材料が挙げられる。また、このような感光性材料として、アクリル系樹脂、ポリイミド系樹脂、シロキサン系樹脂、フェノール系樹脂等が挙げられる。また、図１の断面図には示されていないが、層間絶縁層１２には、サブ画素ごとにコンタクトホールが形成されている。
層間絶縁層１２は、基板１１上に形成されている。層間絶縁層１２は、樹脂材料からなり、ＴＦＴ層１１２の上面の段差を平坦化するためのものである。樹脂材料としては、例えば、ポジ型の感光性材料が挙げられる。また、このような感光性材料として、アクリル系樹脂、ポリイミド系樹脂、シロキサン系樹脂、フェノール系樹脂等が挙げられる。また、図１の断面図には示されていないが、層間絶縁層１２には、サブ画素ごとにコンタクトホールが形成されている。
＜画素電極＞
画素電極１３は層間絶縁層１２上に形成されている。画素電極１３は、画素ごとに設けられ、層間絶縁層１２に設けられたコンタクトホールを通じてＴＦＴ層１１２と電気的に接続されている。
画素電極１３は層間絶縁層１２上に形成されている。画素電極１３は、画素ごとに設けられ、層間絶縁層１２に設けられたコンタクトホールを通じてＴＦＴ層１１２と電気的に接続されている。
本実施形態においては、画素電極１３は、光反射性の陽極として機能する。
光反射性を具備する金属材料の具体例としては、Ａｇ（銀）、Ａｌ（アルミニウム）、アルミニウム合金、Ｍｏ（モリブデン）、ＡＰＣ（銀、パラジウム、銅の合金）、ＡＲＡ（銀、ルビジウム、金の合金）、ＭｏＣｒ（モリブデンとクロムの合金）、ＭｏＷ（モリブデンとタングステンの合金）、ＮｉＣｒ（ニッケルとクロムの合金）などが挙げられる。
画素電極１３は、金属層単独で構成してもよいが、金属層の上に、ＩＴＯ（酸化インジウム錫）やＩＺＯ（酸化インジウム亜鉛）のような金属酸化物からなる層を積層した積層構造としてもよい。
＜隔壁＞
隔壁１４は、画素電極１３の上面の一部の領域を露出させ、その周辺の領域を被覆した状態で画素電極１３上に形成されている。画素電極１３上面において隔壁１４で被覆されていない領域（以下、「開口部」という）は、サブピクセルに対応している。すなわち、隔壁１４は、サブピクセルごとに設けられた開口部１４ａを有する。
隔壁１４は、画素電極１３の上面の一部の領域を露出させ、その周辺の領域を被覆した状態で画素電極１３上に形成されている。画素電極１３上面において隔壁１４で被覆されていない領域（以下、「開口部」という）は、サブピクセルに対応している。すなわち、隔壁１４は、サブピクセルごとに設けられた開口部１４ａを有する。
本実施の形態においては、隔壁１４は、画素電極１３が形成されていない部分においては、層間絶縁層１２上に形成されている。すなわち、画素電極１３が形成されていない部分においては、隔壁１４の底面は層間絶縁層１２の上面と接している。
隔壁１４は、例えば、絶縁性の有機材料（例えば、アクリル系樹脂、ポリイミド系樹脂、ノボラック樹脂、フェノール樹脂等）からなる。隔壁１４は、発光層１７を塗布法で形成する場合には塗布されたインクがあふれ出ないようにするための構造物として機能し、発光層１７を蒸着法で形成する場合には蒸着マスクを載置するための構造物として機能する。本実施の形態では、隔壁１４は、樹脂材料からなり、隔壁１４の材料としては、アクリル系樹脂、ポリイミド系樹脂、シロキサン系樹脂、フェノール系樹脂が挙げられる。本実施の形態においては、フェノール系樹脂が用いられている。
＜正孔注入層＞
正孔注入層１５は、画素電極１３から発光層１７への正孔（ホール）の注入を促進させる目的で、画素電極１３上に設けられている。正孔注入層１５の材料の具体例としては、例えば、ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ（ポリチオフェンとポリスチレンスルホン酸との混合物）などの導電性ポリマー材料が挙げられる。
正孔注入層１５は、画素電極１３から発光層１７への正孔（ホール）の注入を促進させる目的で、画素電極１３上に設けられている。正孔注入層１５の材料の具体例としては、例えば、ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ（ポリチオフェンとポリスチレンスルホン酸との混合物）などの導電性ポリマー材料が挙げられる。
なお、正孔注入層１５は、遷移金属の酸化物で形成してもよい。遷移金属の具体例としては、Ａｇ（銀）、Ｍｏ（モリブデン）、Ｃｒ（クロム）、Ｖ（バナジウム）、Ｗ（タングステン）、Ｎｉ（ニッケル）、Ｉｒ（イリジウム）などである。遷移金属は複数の酸化数を取るため、複数の準位を取ることができ、その結果、正孔注入が容易になり、駆動電圧の低減に寄与するからである。この場合、正孔注入層１５は、大きな仕事関数を有することが好ましい。
なお、正孔注入層１５は、遷移金属の酸化物上に導電性ポリマー材料を積層した積層構造であってもよい。
＜正孔輸送層＞
正孔輸送層１６は、正孔注入層１５から注入された正孔を発光層１７へ輸送する機能を有し、正孔を正孔注入層１５から発光層１７へと効率よく輸送するため、正孔移動度の高い有機材料で形成されている。正孔輸送層１６の形成は、有機材料溶液の塗布および乾燥により行われる。正孔輸送層１６を形成する有機材料としては、ポリフルオレンやその誘導体、あるいはポリアリールアミンやその誘導体等の高分子化合物を用いることができる。
正孔輸送層１６は、正孔注入層１５から注入された正孔を発光層１７へ輸送する機能を有し、正孔を正孔注入層１５から発光層１７へと効率よく輸送するため、正孔移動度の高い有機材料で形成されている。正孔輸送層１６の形成は、有機材料溶液の塗布および乾燥により行われる。正孔輸送層１６を形成する有機材料としては、ポリフルオレンやその誘導体、あるいはポリアリールアミンやその誘導体等の高分子化合物を用いることができる。
また、正孔輸送層１６はトリアゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、ポリアリールアルカン誘導体、ピラゾリン誘導体及びピラゾロン誘導体、フェニレンジアミン誘導体、アリールアミン誘導体、アミノ置換カルコン誘導体、オキサゾール誘導体、スチリルアントラセン誘導体、フルオレノン誘導体、ヒドラゾン誘導体、スチルベン誘導体、ポルフィリン化合物、芳香族第三級アミン化合物及びスチリルアミン化合物、ブタジエン化合物、ポリスチレン誘導体、ヒドラゾン誘導体、トリフェニルメタン誘導体、テトラフェニルベンゼン誘導体を用いて形成されてもよい。特に好ましくは、ポリフィリン化合物、芳香族第三級アミン化合物及びスチリルアミン化合物等を用いてもよい。この場合、正孔輸送層１６は、真空蒸着法により形成される。なお、正孔輸送層１６の材料および製造方法は上述のものに限られず、正孔輸送機能を有する任意の材料を用いてよく、正孔輸送層１６の製造に用いることのできる任意の製造方法で形成されてよい。
＜発光層＞
発光層１７は、開口部１４ａ内に形成されている。発光層１７は、正孔と電子の再結合によりＲ、Ｇ、Ｂの各色の光を出射する機能を有する。発光層１７の材料としては、公知の材料を利用することができる。
発光層１７は、開口部１４ａ内に形成されている。発光層１７は、正孔と電子の再結合によりＲ、Ｇ、Ｂの各色の光を出射する機能を有する。発光層１７の材料としては、公知の材料を利用することができる。
発光素子１が有機ＥＬ素子である場合、発光層１７に含まれる有機発光材料としては、例えば、オキシノイド化合物、ペリレン化合物、クマリン化合物、アザクマリン化合物、オキサゾール化合物、オキサジアゾール化合物、ペリノン化合物、ピロロピロール化合物、ナフタレン化合物、アントラセン化合物、フルオレン化合物、フルオランテン化合物、テトラセン化合物、ピレン化合物、コロネン化合物、キノロン化合物およびアザキノロン化合物、ピラゾリン誘導体およびピラゾロン誘導体、ローダミン化合物、クリセン化合物、フェナントレン化合物、シクロペンタジエン化合物、スチルベン化合物、ジフェニルキノン化合物、スチリル化合物、ブタジエン化合物、ジシアノメチレンピラン化合物、ジシアノメチレンチオピラン化合物、フルオレセイン化合物、ピリリウム化合物、チアピリリウム化合物、セレナピリリウム化合物、テルロピリリウム化合物、芳香族アルダジエン化合物、オリゴフェニレン化合物、チオキサンテン化合物、シアニン化合物、アクリジン化合物、８－ヒドロキシキノリン化合物の金属錯体、２－ビピリジン化合物の金属錯体、シッフ塩とＩＩＩ族金属との錯体、オキシン金属錯体、希土類錯体等の蛍光物質を用いることができる。また、トリス（２－フェニルピリジン）イリジウムなどの燐光を発光する金属錯体等の公知の燐光物質を用いることができる。また、発光層１７は、ポリフルオレンやその誘導体、ポリフェニレンやその誘導体、あるいはポリアリールアミンやその誘導体等の高分子化合物等、もしくは前記低分子化合物と前記高分子化合物の混合物を用いて形成されてもよい。なお、発光素子１は無機ＥＬ素子であってもよく、発光層１７の材料として無機発光材料を用いることができる。また、発光素子１は量子ドット発光素子（ＱＬＥＤ；Quantum-dot Light Emitting Diode）であってもよく、発光層１７の材料として量子ドット効果を有する材料を使用することができる。
＜中間層＞
中間層１８は、発光層１７上に形成されており、電子注入性を有する金属材料のフッ化物またはキノリニウム錯体を含む。金属材料としては、アルカリ金属、または、アルカリ土類金属から選択される。アルカリ金属は、具体的には、Ｌｉ（リチウム）、Ｎａ（ナトリウム）、Ｋ（カリウム）、Ｒｂ（ルビジウム）、Ｃｓ（セシウム）、Ｆｒ（フランシウム）である。また、アルカリ土類金属は、具体的には、Ｃａ（カルシウム）、Ｓｒ（ストロンチウム）、Ｂａ（バリウム）、Ｒａ（ラジウム）である。本実施の形態では、ＮａＦ（フッ化ナトリウム）を含む。
中間層１８は、発光層１７上に形成されており、電子注入性を有する金属材料のフッ化物またはキノリニウム錯体を含む。金属材料としては、アルカリ金属、または、アルカリ土類金属から選択される。アルカリ金属は、具体的には、Ｌｉ（リチウム）、Ｎａ（ナトリウム）、Ｋ（カリウム）、Ｒｂ（ルビジウム）、Ｃｓ（セシウム）、Ｆｒ（フランシウム）である。また、アルカリ土類金属は、具体的には、Ｃａ（カルシウム）、Ｓｒ（ストロンチウム）、Ｂａ（バリウム）、Ｒａ（ラジウム）である。本実施の形態では、ＮａＦ（フッ化ナトリウム）を含む。
＜電子注入輸送層＞
電子注入輸送層１９は、中間層１８上に形成されており、電子輸送性を有する有機材料に、電子注入性を向上させる金属材料がドープされてなる。ここで、ドープとは、金属材料の金属原子または金属イオンを有機材料中に略均等に分散させることを指し、具体的には、有機材料と微量の金属材料を含む単一の相を形成することを指す。なお、それ以外の相、特に、金属片や金属膜など、金属材料のみからなる相、または、金属材料を主成分とする相は、存在していないことが好ましい。また、有機材料と微量の金属材料を含む単一の相において、金属原子または金属イオンの濃度は均一であることが好ましく、金属原子または金属イオンは凝集していないことが好ましい。金属材料としては、希土類金属から選択されることが好ましく、Ｙｂ（イッテルビウム）がより好ましい。本実施の形態では、Ｙｂが選択される。また、電子注入輸送層１９における金属材料のドープ量は３～６０ｗｔ％が好ましい。本実施の形態では、２０ｗｔ％である。
電子注入輸送層１９は、中間層１８上に形成されており、電子輸送性を有する有機材料に、電子注入性を向上させる金属材料がドープされてなる。ここで、ドープとは、金属材料の金属原子または金属イオンを有機材料中に略均等に分散させることを指し、具体的には、有機材料と微量の金属材料を含む単一の相を形成することを指す。なお、それ以外の相、特に、金属片や金属膜など、金属材料のみからなる相、または、金属材料を主成分とする相は、存在していないことが好ましい。また、有機材料と微量の金属材料を含む単一の相において、金属原子または金属イオンの濃度は均一であることが好ましく、金属原子または金属イオンは凝集していないことが好ましい。金属材料としては、希土類金属から選択されることが好ましく、Ｙｂ（イッテルビウム）がより好ましい。本実施の形態では、Ｙｂが選択される。また、電子注入輸送層１９における金属材料のドープ量は３～６０ｗｔ％が好ましい。本実施の形態では、２０ｗｔ％である。
電子輸送性を有する有機材料としては、例えば、オキサジアゾール誘導体（ＯＸＤ）、トリアゾール誘導体（ＴＡＺ）、フェナンスロリン誘導体（ＢＣＰ、Ｂｐｈｅｎ）などのπ電子系低分子有機材料が挙げられる。
＜対向電極＞
対向電極２０は、光半透過性の導電性材料からなり、電子注入輸送層１９上に形成されている。本実施の形態においては、対向電極２０は、陰極として機能する。
対向電極２０は、光半透過性の導電性材料からなり、電子注入輸送層１９上に形成されている。本実施の形態においては、対向電極２０は、陰極として機能する。
対向電極２０の電子注入輸送層１９との界面の光反射面は、画素電極１３の正孔注入層１５との界面の光反射面と対となって共振器構造を形成する。したがって、発光層１７から出射された光が、電子注入輸送層１９から対向電極２０へと入射する際にその一部が電子注入輸送層１９へと反射される必要がある。したがって、対向電極２０と電子注入輸送層１９との間で、屈折率が異なっていることが好ましい。したがって、対向電極２０は、金属薄膜が好ましい。光半透過性を確保するため、金属層の膜厚は１ｎｍ～５０ｎｍ程度である。
対向電極２０の材料としては、例えば、Ａｇ、Ａｇを主成分とする銀合金、Ａｌ、Ａｌを主成分とするＡｌ合金が挙げられる。Ａｇ合金としては、マグネシウム－銀合金（ＭｇＡｇ）、インジウム－銀合金が挙げられる。Ａｇは、基本的に低抵抗率を有し、Ａｇ合金は、耐熱性、耐腐食性に優れ、長期にわたって良好な電気伝導性を維持できる点で好ましい。Ａｌ合金としては、マグネシウム－アルミニウム合金（ＭｇＡｌ）、リチウム－アルミニウム合金（ＬｉＡｌ）が挙げられる。その他の合金として、リチウム－マグネシウム合金、リチウム－インジウム合金が挙げられる。本実施の形態では、対向電極２０はＡｇの薄膜である。
＜封止層＞
封止層２１は、透光性の材料からなり、対向電極２０上に形成されている。
封止層２１は、透光性の材料からなり、対向電極２０上に形成されている。
封止層２１は、発光層１７や中間層１８等を水分等から保護する封止層として機能する。また、対向電極２０と封止層２１との界面が、画素電極１３の正孔注入層１５との界面の光反射面と対となって共振器構造を形成してもよい。封止層２１の材料としては、例えば、酸窒化シリコン（ＳｉＯＮ）、窒化シリコン（ＳｉＮ）などが挙げられる。なお、封止層２１は、アクリル樹脂、シリコーン樹脂などの樹脂材料をさらに含んでもよい。
（２．２）カラーフィルタ基板４０の構成
図１に示すように、カラーフィルタ基板４０は、上部基板４１、遮光膜４２、カラーフィルタ４３を備える。
図１に示すように、カラーフィルタ基板４０は、上部基板４１、遮光膜４２、カラーフィルタ４３を備える。
＜上部基板＞
上部基板４１は、遮光膜４２とカラーフィルタ４３を担持する透光性の基板である。また、上部基板４１は、有機ＥＬ表示パネル１００の剛性向上や、封止層２１とともに水分や空気等の侵入防止の機能を有してもよい。上部基板４１は、例えば、ガラス基板、石英基板、プラスチック基板等を採用することができる。
上部基板４１は、遮光膜４２とカラーフィルタ４３を担持する透光性の基板である。また、上部基板４１は、有機ＥＬ表示パネル１００の剛性向上や、封止層２１とともに水分や空気等の侵入防止の機能を有してもよい。上部基板４１は、例えば、ガラス基板、石英基板、プラスチック基板等を採用することができる。
＜遮光膜＞
遮光膜４２は、図１に示すように、各有機ＥＬ素子１に対向する位置に開口が開設されており、隣接する２つの有機ＥＬ素子１間に対応する位置を遮光する。遮光膜４２は、Ｒ、Ｇ、Ｂに対応する波長の可視光を透過させないための黒色樹脂層であり、例えば、黒色顔料を含む樹脂材料からなる。樹脂材料としては、例えば、アクリル系樹脂、ポリイミド系樹脂、ノボラック樹脂、フェノール樹脂等を使用することができる。黒色顔料としては、例えば、カーボンブラック顔料、チタンブラック顔料、金属酸化物顔料等を使用することができる。
遮光膜４２は、図１に示すように、各有機ＥＬ素子１に対向する位置に開口が開設されており、隣接する２つの有機ＥＬ素子１間に対応する位置を遮光する。遮光膜４２は、Ｒ、Ｇ、Ｂに対応する波長の可視光を透過させないための黒色樹脂層であり、例えば、黒色顔料を含む樹脂材料からなる。樹脂材料としては、例えば、アクリル系樹脂、ポリイミド系樹脂、ノボラック樹脂、フェノール樹脂等を使用することができる。黒色顔料としては、例えば、カーボンブラック顔料、チタンブラック顔料、金属酸化物顔料等を使用することができる。
＜カラーフィルタ＞
カラーフィルタ４３は、図１に示すように、有機ＥＬ素子１のそれぞれに対向するように、遮光膜４２の開口部に設けられる。カラーフィルタ４３は、Ｒ、Ｇ、Ｂに対応する波長の可視光を透過させるために用いられる透明層でありカラー、フィルタ４３（Ｒ）は有機ＥＬ素子１（Ｒ）から出射された光を、カラーフィルタ４３（Ｇ）は有機ＥＬ素子１（Ｇ）から出射された光を、カラーフィルタ４３（Ｂ）は有機ＥＬ素子１（Ｂ）から出射された光を、それぞれ矯正してコントラストや色純度を向上させる機能を有する。カラーフィルタ４３は、例えば、染料を含む樹脂材料からなる。
カラーフィルタ４３は、図１に示すように、有機ＥＬ素子１のそれぞれに対向するように、遮光膜４２の開口部に設けられる。カラーフィルタ４３は、Ｒ、Ｇ、Ｂに対応する波長の可視光を透過させるために用いられる透明層でありカラー、フィルタ４３（Ｒ）は有機ＥＬ素子１（Ｒ）から出射された光を、カラーフィルタ４３（Ｇ）は有機ＥＬ素子１（Ｇ）から出射された光を、カラーフィルタ４３（Ｂ）は有機ＥＬ素子１（Ｂ）から出射された光を、それぞれ矯正してコントラストや色純度を向上させる機能を有する。カラーフィルタ４３は、例えば、染料を含む樹脂材料からなる。
カラーフィルタ４３（Ｇ）は、有機ＥＬ素子１（Ｇ）の共振器構造において増幅するピーク波長（波長５２０ｎｍ付近）において７０％以上の透過率を有する。また、波長５４５ｎｍ～５６５ｎｍの範囲において、５０％以下の透過率となる波長が存在する。すなわち、この５０％以下の透過率となる波長は、５４５ｎｍ～５６５ｎｍの範囲の波長から選択される波長であって、例えば、５６５ｎｍ、５５５ｎｍ、又は５４５ｎｍとしてもよい。詳細は後述する。
（２．３）接合層
接合層５０は、発光素子基板３０とカラーフィルタ基板４０とを対向させて貼付するための接合層であるとともに、水分や空気から発光素子基板３０とカラーフィルタ基板４０とを保護する機能を有する。接合層５０は、例えば、アクリル樹脂、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂などの透光性樹脂材料からなる。
接合層５０は、発光素子基板３０とカラーフィルタ基板４０とを対向させて貼付するための接合層であるとともに、水分や空気から発光素子基板３０とカラーフィルタ基板４０とを保護する機能を有する。接合層５０は、例えば、アクリル樹脂、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂などの透光性樹脂材料からなる。
３．外光反射の抑止構成
（３．１）光共振器構造
図２は、本実施の形態に係る有機ＥＬ素子１の光共振器構造における光の干渉を説明する図である。光共振器構造は、画素電極１３の正孔注入層１５側の面と、対向電極２０の電子注入輸送層１９側の面との間に構成される。また、第２の光共振器構造は、画素電極１３の正孔注入層１５側の面と、第２光学調整層２１２の第１光学調整層２１１側の面との間に構成される。発光層１７は、第１の共振器構造の内側、かつ、第２の共振器構造の内側に存在することとなる。
（３．１）光共振器構造
図２は、本実施の形態に係る有機ＥＬ素子１の光共振器構造における光の干渉を説明する図である。光共振器構造は、画素電極１３の正孔注入層１５側の面と、対向電極２０の電子注入輸送層１９側の面との間に構成される。また、第２の光共振器構造は、画素電極１３の正孔注入層１５側の面と、第２光学調整層２１２の第１光学調整層２１１側の面との間に構成される。発光層１７は、第１の共振器構造の内側、かつ、第２の共振器構造の内側に存在することとなる。
図２には、発光層１７から出射される光の主な経路を示している。経路Ｃ1は、発光層
１７から対向電極２０側に出射された光が、反射されることなく対向電極２０を透過する経路である。経路Ｃ2は、発光層１７から対向電極２０側に出射された光が、対向電極２０の電子注入輸送層１９側の面で反射され、さらに画素電極１３の正孔注入層１５側の面で反射され、発光層１７と対向電極２０を透過する経路である。共振器構造では、経路Ｃ1により出射した光と経路Ｃ2により出射した光との間で干渉が生じ、発光素子１からの出射光となる。
１７から対向電極２０側に出射された光が、反射されることなく対向電極２０を透過する経路である。経路Ｃ2は、発光層１７から対向電極２０側に出射された光が、対向電極２０の電子注入輸送層１９側の面で反射され、さらに画素電極１３の正孔注入層１５側の面で反射され、発光層１７と対向電極２０を透過する経路である。共振器構造では、経路Ｃ1により出射した光と経路Ｃ2により出射した光との間で干渉が生じ、発光素子１からの出射光となる。
経路Ｃ1と経路Ｃ2との光学距離の差は、図２に示す光学膜厚Ｌ0と光学膜厚Ｌ1との和である光学膜厚Ｌ1tに対応する。ここで、光学膜厚とは、膜の屈折率を膜厚で積分した値であり、より具体的には、光学膜厚Ｌ1tは、正孔注入層１５の屈折率×正孔注入層１５の膜厚、正孔輸送層１６の屈折率×正孔輸送層１６の膜厚、発光層１７の屈折率×発光層１７の膜厚、中間層１８の屈折率×中間層１８の膜厚、電子注入輸送層１９の屈折率×電子注入輸送層１９の膜厚をすべて加算した値である。同様に、経路Ｃ1と経路Ｃ3との光学距離の差は、図２に示す光学膜厚Ｌ0と光学膜厚Ｌ2の和である光学膜厚Ｌ2tに対応する。
共振器構造では、経路Ｃ1により出射した光と経路Ｃ2により出射した光が強め合うように、光学膜厚Ｌ1tを設定する。
有機ＥＬ素子１（Ｇ）では、例えば、波長５２０ｎｍの光を強め合うように、光学膜厚Ｌ1tが設定されている。また、同様に、有機ＥＬ素子１（Ｒ）、有機ＥＬ素子１（Ｂ）のそれぞれにおいても、所望の波長の光を強め合うように、光学膜厚Ｌ1tが設定されている。この共振器構造は所望の波長の光の透過率を向上させたフィルタであると言えるので、外光に対しては、所望の波長の光の透過率が高い、すなわち、所望の波長の光の反射率が低いフィルタとして機能する。
（３．２）外光反射と視感度特性
図３（ａ）は、有機ＥＬ素子１（Ｇ）の発光スペクトルと、比較例（従来型）のカラーフィルタ（Ｇ）の透過スペクトルを示すグラフである。
図３（ａ）は、有機ＥＬ素子１（Ｇ）の発光スペクトルと、比較例（従来型）のカラーフィルタ（Ｇ）の透過スペクトルを示すグラフである。
ピーク波長を強めるよう共振器構造を有する有機ＥＬ素子１（Ｇ）の発光スペクトルは、図３（ａ）の発光スペクトル１０１に示すように、波長５２０ｎｍ付近（約５２０～５３０ｎｍ）をピークとした特性を有する。これに対し、比較例のカラーフィルタ（Ｇ）の透過スペクトル１０２は、色純度を高めるため、波長４６０ｎｍ付近より短波長の光と波長６５０ｎｍ付近より長波長側の光を透過しないように設計されている。
一方、人の視感度特性、特に、Ｍ錐体細胞の感度を示す、ＣＩＥ等色関数におけるＹ値のプロファイルは、図３（ｂ）に示すように、波長５５５ｎｍ付近で最大となる。色純度の高いＧのピーク波長は約５２０～５３０ｎｍであるため、波長が５４０ｎｍ以上の反射光、特に、波長５５５ｎｍ付近の反射光は、副画素の色純度を低下させる原因となる。ここで、反射光の強度Ｙは、入射光源からの光の強度Ｉと、副画素の開口率Ａと、副画素の反射率Ｒを用いて、以下のように示される。
Ｙ＝Ｉ×Ａ×Ｒ …（式１）
ここで、入射光源からの光の強度Ｉは表示パネルの構造に依存するものではなく、また、副画素２の開口率Ａを低下させると、有機ＥＬ素子１への電流密度が上昇するため素子寿命への悪影響が発生する。したがって、有機ＥＬ素子１の発光効率を低下させずに外光反射を抑止するためには、外光反射を抑止したい波長について、副画素の反射率Ｒを低下させることが好ましい。
ここで、入射光源からの光の強度Ｉは表示パネルの構造に依存するものではなく、また、副画素２の開口率Ａを低下させると、有機ＥＬ素子１への電流密度が上昇するため素子寿命への悪影響が発生する。したがって、有機ＥＬ素子１の発光効率を低下させずに外光反射を抑止するためには、外光反射を抑止したい波長について、副画素の反射率Ｒを低下させることが好ましい。
表示パネルの副画素の反射率Ｒは、当該副画素のカラーフィルタの光透過率をＴF、共振器構造を備える有機ＥＬ素子の光反射率をＲAとすると、以下のように示される。
Ｒ＝ＲA×ＴF
2 …（式２）
上述したように、共振器構造は波長５２０ｎｍ付近を出射ピークとするよう設計されているので、反射率ＲAは、図３（ｃ）に示すように、５２０～５３０ｎｍ付近の反射率が低い特性となる。したがって、入射光源をＣ光源であるとした場合、図４（ａ）に示すように、カラーフィルタがない状態の反射光スペクトル１１５は、入射光スペクトル１１３と反射率スペクトル１１４との積算で示され、波長５５０～５７０ｎｍ付近でピークとなる。図３（ｂ）に示すように、波長５５０～５７０ｎｍ付近の光は波長５２０ｎｍ付近の光より視感度特性が高いため、波長５５０～５７０ｎｍ付近の反射光は副画素２（Ｇ）の色純度を低下させる原因となる。すなわち、カラーフィルタが存在しない場合、発光状態の副画素２（Ｇ）に外光が入射すると、副画素２（Ｇ）の色純度が低下する。
上述したように、共振器構造は波長５２０ｎｍ付近を出射ピークとするよう設計されているので、反射率ＲAは、図３（ｃ）に示すように、５２０～５３０ｎｍ付近の反射率が低い特性となる。したがって、入射光源をＣ光源であるとした場合、図４（ａ）に示すように、カラーフィルタがない状態の反射光スペクトル１１５は、入射光スペクトル１１３と反射率スペクトル１１４との積算で示され、波長５５０～５７０ｎｍ付近でピークとなる。図３（ｂ）に示すように、波長５５０～５７０ｎｍ付近の光は波長５２０ｎｍ付近の光より視感度特性が高いため、波長５５０～５７０ｎｍ付近の反射光は副画素２（Ｇ）の色純度を低下させる原因となる。すなわち、カラーフィルタが存在しない場合、発光状態の副画素２（Ｇ）に外光が入射すると、副画素２（Ｇ）の色純度が低下する。
（３．３）カラーフィルタの特性
以下、カラーフィルタが存在する場合の反射光のスペクトルについて、本開示の一態様に係るカラーフィルタ（実施例１、実施例２）と、従来のカラーフィルタ（比較例）とを対比して説明する。
以下、カラーフィルタが存在する場合の反射光のスペクトルについて、本開示の一態様に係るカラーフィルタ（実施例１、実施例２）と、従来のカラーフィルタ（比較例）とを対比して説明する。
図４（ｂ）は、カラーフィルタの実施例１、２、比較例のそれぞれについて、透過スペクトルを示したものである。いずれのカラーフィルタにおいても、有機ＥＬ素子１（Ｇ）の共振器構造の取り出し波長（５２０ｎｍ～５３０ｎｍ付近）における透過率は、約９０％である。一方、ＣＩＥ等色関数におけるＹ値のピーク波長である５６５ｎｍ付近における透過率は、比較例のスペクトル１２１では６３％であるのに対し、実施例１のスペクトル１２２では５０％、実施例２のスペクトル１２３では３４％である。上述したように、反射光の伝搬パスにおいてカラーフィルタを２度通過するから、カラーフィルタが存在する場合の反射スペクトルは、式２に示したように、カラーフィルタが存在しない場合の反射スペクトル１１５に対してカラーフィルタの透過率の２乗を積算した値となる。
図５（ａ）は、反射光の反射スペクトルを示したものであり、比較例はスペクトル１３１に、実施例１はスペクトル１３２に、実施例２はスペクトル１３３に、それぞれ対応する。なお、スペクトル１１３は上述したようにＣＩＥ等色関数におけるＹ等色関数を示し、スペクトル１１５はカラーフィルタが存在しない場合の反射光を示す。図５（ａ）に示すように、比較例１３１では、有機ＥＬ素子１（Ｇ）の共振器の取り出し波長である５２０ｎｍ付近とＣＩＥ等色関数におけるＹ値のピーク波長である５５５ｎｍ付近の２か所にピークが存在する。すなわち、波長５５０～５７０ｎｍをピークとする光が反射光に含まれるため、反射光によって副画素２（Ｇ）の色純度が低下する。一方、実施例１（１３２）および実施例２（１３３）では、有機ＥＬ素子１（Ｇ）の共振器の取り出し波長である５２０ｎｍ付近にピークが存在するが、ＣＩＥ等色関数におけるＹ値のピーク波長である５５５ｎｍ付近にピークが確認できない。すなわち、反射光における波長５５０～５７０ｎｍの成分を抑止することができるため、反射光により副画素２（Ｇ）の色純度が低下する事態を抑止することができる。なお、副画素２（Ｇ）の輝度を十分に高くするため、有機ＥＬ素子１（Ｇ）の共振器の取り出し波長である５２０ｎｍ付近におけるカラーフィルタの透過率は、少なくとも７０％であることが好ましい。
（３．４）反射率と開口率との関係
図５（ｂ）は、カラーフィルタ４３（Ｇ）の反射率と副画素２（Ｇ）の光反射率との関係を示したものである。図５（ｂ）に示すように、カラーフィルタ４３（Ｇ）における波長５６５ｎｍの光の透過率が５０％のとき、副画素２（Ｇ）の光反射率は約１７％となる。このとき、他の副画素２（Ｒ）、２（Ｂ）の反射率も同様であるとしたとき、副画素２（Ｇ）の開口率が５０％であれば、有機ＥＬ表示パネル１００の反射率としては３％となる。表示パネルとしての品質を考慮したとき、反射率が３％以下であれば十分な画質が得られるため、開口率が５０％であれば、カラーフィルタ４３（Ｇ）における波長５６５ｎｍの光の透過率が５０％以下であることが好ましい。なお、副画素の開口率が８０％である場合、副画素２（Ｇ）の反射率が約１２％以下である必要があるため、カラーフィルタ４３（Ｇ）における波長５６５ｎｍの光の透過率が２４％以下であることが好ましい。
図５（ｂ）は、カラーフィルタ４３（Ｇ）の反射率と副画素２（Ｇ）の光反射率との関係を示したものである。図５（ｂ）に示すように、カラーフィルタ４３（Ｇ）における波長５６５ｎｍの光の透過率が５０％のとき、副画素２（Ｇ）の光反射率は約１７％となる。このとき、他の副画素２（Ｒ）、２（Ｂ）の反射率も同様であるとしたとき、副画素２（Ｇ）の開口率が５０％であれば、有機ＥＬ表示パネル１００の反射率としては３％となる。表示パネルとしての品質を考慮したとき、反射率が３％以下であれば十分な画質が得られるため、開口率が５０％であれば、カラーフィルタ４３（Ｇ）における波長５６５ｎｍの光の透過率が５０％以下であることが好ましい。なお、副画素の開口率が８０％である場合、副画素２（Ｇ）の反射率が約１２％以下である必要があるため、カラーフィルタ４３（Ｇ）における波長５６５ｎｍの光の透過率が２４％以下であることが好ましい。
４．小括
以上説明したように、本開示の一態様に係る表示パネルによれば、緑色発光素子において、画素電極と対向電極との間に形成される共振器構造によって所望の波長の光の取り出し効率を向上し発光強度と色純度の向上を同時に図ることができる。さらに、カラーフィルター（Ｇ）において、波長５４５ｎｍ～５６５ｎｍの範囲において、５０％以下の透過率となる波長が存在する構成とする。すなわち、カラーフィルター（Ｇ）において波長５５５ｎｍ付近の光の透過率を５０％以下とすることにより、波長５５５ｎｍ付近の光の反射率を十分に低下させることで、反射光に起因する色純度の低下を抑止することができる。したがって、光取り出し効率の向上や駆動電圧の低下による発光素子の高効率化、長寿命化を図るとともに、色純度を向上させることができる。さらに、ブラックマトリクスによらずとも反射率を低減させることができるため、開口率の向上が容易となり、駆動電圧の低減による発光素子の高効率化、長寿命化をさらに図ることができる。
以上説明したように、本開示の一態様に係る表示パネルによれば、緑色発光素子において、画素電極と対向電極との間に形成される共振器構造によって所望の波長の光の取り出し効率を向上し発光強度と色純度の向上を同時に図ることができる。さらに、カラーフィルター（Ｇ）において、波長５４５ｎｍ～５６５ｎｍの範囲において、５０％以下の透過率となる波長が存在する構成とする。すなわち、カラーフィルター（Ｇ）において波長５５５ｎｍ付近の光の透過率を５０％以下とすることにより、波長５５５ｎｍ付近の光の反射率を十分に低下させることで、反射光に起因する色純度の低下を抑止することができる。したがって、光取り出し効率の向上や駆動電圧の低下による発光素子の高効率化、長寿命化を図るとともに、色純度を向上させることができる。さらに、ブラックマトリクスによらずとも反射率を低減させることができるため、開口率の向上が容易となり、駆動電圧の低減による発光素子の高効率化、長寿命化をさらに図ることができる。
５．表示パネルの製造方法
表示パネルの製造方法について、図面を用いて説明する。図６は、表示パネルの製造工程を示すフローチャートである。図７（ａ）～（ｅ）、図８（ａ）～（ｄ）、図９（ａ）～（ｄ）、図１０（ａ）～（ｄ）は、表示パネルの製造における各過程での状態を示す模式断面図である。
表示パネルの製造方法について、図面を用いて説明する。図６は、表示パネルの製造工程を示すフローチャートである。図７（ａ）～（ｅ）、図８（ａ）～（ｄ）、図９（ａ）～（ｄ）、図１０（ａ）～（ｄ）は、表示パネルの製造における各過程での状態を示す模式断面図である。
（１）基板１１の準備
まず、図７（ａ）に示すように、基材１１１上にＴＦＴ層１１２を成膜して基板１１を形成し、（ステップＳ１０）。ＴＦＴ層１１２は、公知のＴＦＴの製造方法により成膜することができる。
まず、図７（ａ）に示すように、基材１１１上にＴＦＴ層１１２を成膜して基板１１を形成し、（ステップＳ１０）。ＴＦＴ層１１２は、公知のＴＦＴの製造方法により成膜することができる。
（２）層間絶縁層１２の形成
次に、図７（ｂ）に示すように、基板１１上に層間絶縁層１２を形成する（ステップＳ２０）。層間絶縁層１２は、例えば、プラズマＣＶＤ法、スパッタリング法などを用いて積層形成することができる。
次に、図７（ｂ）に示すように、基板１１上に層間絶縁層１２を形成する（ステップＳ２０）。層間絶縁層１２は、例えば、プラズマＣＶＤ法、スパッタリング法などを用いて積層形成することができる。
次に、層間絶縁層１２における、ＴＦＴ層のソース電極上の個所にドライエッチング法を行い、コンタクトホールを形成する。コンタクトホールは、その底部にソース電極の表面が露出するように形成される。
次に、コンタクトホールの内壁に沿って接続電極層を形成する。接続電極層の上部は、その一部が層間絶縁層１２上に配される。接続電極層の形成は、例えば、スパッタリング法を用いることができ、金属膜を成膜した後、フォトリソグラフィ法およびウェットエッチング法を用いパターニングすることがなされる。
（３）画素電極１３の形成
次に、図７（ｃ）に示すように、層間絶縁層１２上に画素電極材料層１３０を形成する。画素電極材料層１３０は、例えば、真空蒸着法、スパッタリング法などを用いて形成することができる。
次に、図７（ｃ）に示すように、層間絶縁層１２上に画素電極材料層１３０を形成する。画素電極材料層１３０は、例えば、真空蒸着法、スパッタリング法などを用いて形成することができる。
次に、図７（ｄ）に示すように、画素電極材料層１３０をエッチングによりパターニングして、サブピクセルごとに区画された複数の画素電極１３を形成する（ステップＳ３０）。
（４）隔壁１４の形成
次に、図７（ｅ）に示すように、画素電極１３および層間絶縁層１２上に、隔壁１４の材料である隔壁層用樹脂を塗布し、隔壁材料層１４０を形成する。隔壁材料層１４０は、隔壁層用樹脂であるフェノール樹脂を溶媒（例えば、乳酸エチルとＧＢＬの混合溶媒）に溶解させた溶液を画素電極１３上および層間絶縁層１２上にスピンコート法などを用いて一様に塗布することにより形成される。そして、隔壁材料層１４０にパターン露光と現像を行うことで隔壁１４を形成し（図８（ａ））、隔壁１４を焼成する（ステップＳ４０）。これにより、発光層１７の形成領域となる開口部１４ａが規定される。隔壁１４の焼成は、例えば、１５０℃以上２１０℃以下の温度で６０分間行う。
次に、図７（ｅ）に示すように、画素電極１３および層間絶縁層１２上に、隔壁１４の材料である隔壁層用樹脂を塗布し、隔壁材料層１４０を形成する。隔壁材料層１４０は、隔壁層用樹脂であるフェノール樹脂を溶媒（例えば、乳酸エチルとＧＢＬの混合溶媒）に溶解させた溶液を画素電極１３上および層間絶縁層１２上にスピンコート法などを用いて一様に塗布することにより形成される。そして、隔壁材料層１４０にパターン露光と現像を行うことで隔壁１４を形成し（図８（ａ））、隔壁１４を焼成する（ステップＳ４０）。これにより、発光層１７の形成領域となる開口部１４ａが規定される。隔壁１４の焼成は、例えば、１５０℃以上２１０℃以下の温度で６０分間行う。
また、隔壁１４の形成工程においては、さらに、隔壁１４の表面を所定のアルカリ性溶液や水、有機溶媒等によって表面処理するか、プラズマ処理を施すこととしてもよい。これは、開口部１４ａに塗布するインク（溶液）に対する隔壁１４の接触角を調節する目的で、もしくは、表面に撥水性を付与する目的で行われる。
（５）正孔注入層１５の形成
次に、図８（ｂ）に示すように、隔壁１４が規定する開口部１４ａに対し、正孔注入層１５の構成材料を含むインクを、インクジェットヘッド４１０のノズル４０１から吐出して開口部１４ａ内の画素電極１３上に塗布し、焼成（乾燥）を行って、正孔注入層１５を形成する（ステップＳ５０）。
次に、図８（ｂ）に示すように、隔壁１４が規定する開口部１４ａに対し、正孔注入層１５の構成材料を含むインクを、インクジェットヘッド４１０のノズル４０１から吐出して開口部１４ａ内の画素電極１３上に塗布し、焼成（乾燥）を行って、正孔注入層１５を形成する（ステップＳ５０）。
なお、正孔注入層１５の成膜は塗布方式に限られず、蒸着等の方法により形成してもよい。さらに、正孔注入層１５の成膜を蒸着やスパッタリングで行う場合には、ステップ３０における画素電極材料層１３０の形成後、画素電極材料層１３０上に正孔注入層１５の材料からなる正孔注入材料層を形成し、画素電極材料層１３０と正孔注入材料層とを同一のパターニング工程でパターニングして画素電極１３と正孔注入層１５の積層構造を形成する、としてもよい。
（６）正孔輸送層１６の形成
次に、図８（ｃ）に示すように、隔壁１４が規定する開口部１４ａに対し、正孔輸送層１６の構成材料を含むインクを、インクジェットヘッド４２０のノズル４０２から吐出して開口部１４ａ内の正孔注入層１５上に塗布し、焼成（乾燥）を行って、正孔輸送層１６を形成する（ステップＳ６０）。
次に、図８（ｃ）に示すように、隔壁１４が規定する開口部１４ａに対し、正孔輸送層１６の構成材料を含むインクを、インクジェットヘッド４２０のノズル４０２から吐出して開口部１４ａ内の正孔注入層１５上に塗布し、焼成（乾燥）を行って、正孔輸送層１６を形成する（ステップＳ６０）。
なお、正孔輸送層１６の成膜は塗布方式に限られず、蒸着等の方法により形成してもよい。さらに、画素電極１３、正孔注入層１５、正孔輸送層１６の全ての成膜を蒸着やスパッタリングで行う場合には、上述したように、各層を同一のパターニング工程でパターニングしてもよい。
（７）発光層１７の形成
次に、図８（ｄ）に示すように、発光層１７の構成材料を含むインクを、インクジェットヘッド４３０Ｒのノズル４０３Ｒ、インクジェットヘッド４３０Ｇのノズル４０３Ｇ、インクジェットヘッド４３０Ｂのノズル４０３Ｂのそれぞれから吐出して開口部１４ａ内の正孔輸送層１６上に塗布し、焼成（乾燥）を行って発光層１７を形成する（ステップＳ７０）。
次に、図８（ｄ）に示すように、発光層１７の構成材料を含むインクを、インクジェットヘッド４３０Ｒのノズル４０３Ｒ、インクジェットヘッド４３０Ｇのノズル４０３Ｇ、インクジェットヘッド４３０Ｂのノズル４０３Ｂのそれぞれから吐出して開口部１４ａ内の正孔輸送層１６上に塗布し、焼成（乾燥）を行って発光層１７を形成する（ステップＳ７０）。
（８）中間層１８の形成
次に、図９（ａ）に示すように、発光層１７および隔壁１４上に、中間層１８を形成する（ステップＳ８０）。中間層１８は、例えば、アルカリ金属のフッ化物であるＮａＦを真空蒸着法により各サブピクセルに共通して成膜することにより形成される。
次に、図９（ａ）に示すように、発光層１７および隔壁１４上に、中間層１８を形成する（ステップＳ８０）。中間層１８は、例えば、アルカリ金属のフッ化物であるＮａＦを真空蒸着法により各サブピクセルに共通して成膜することにより形成される。
（９）電子注入輸送層１９の形成
次に、図９（ｂ）に示すように、中間層１８上に、電子注入輸送層１９を形成する（ステップＳ９０）。電子注入輸送層１９は、例えば、電子輸送性の有機材料とドープ金属であるイッテルビウムとを共蒸着法により各サブピクセルに共通して成膜することにより形成される。
次に、図９（ｂ）に示すように、中間層１８上に、電子注入輸送層１９を形成する（ステップＳ９０）。電子注入輸送層１９は、例えば、電子輸送性の有機材料とドープ金属であるイッテルビウムとを共蒸着法により各サブピクセルに共通して成膜することにより形成される。
（１０）対向電極２０の形成
次に、図９（ｃ）に示すように、電子注入輸送層１９上に、対向電極２０を形成する（ステップＳ１００）。対向電極２０は、例えば、Ａｇ、Ａｌ等の金属材料を、スパッタリング法、真空蒸着法により成膜することにより形成される。
次に、図９（ｃ）に示すように、電子注入輸送層１９上に、対向電極２０を形成する（ステップＳ１００）。対向電極２０は、例えば、Ａｇ、Ａｌ等の金属材料を、スパッタリング法、真空蒸着法により成膜することにより形成される。
（１１）封止層２１の形成
次に、図９（ｄ）に示すように、封止層２１を形成する（ステップＳ１１０）。封止層２１は、例えば、ＳｉＯＮ、ＳｉＮを用いて、スパッタリング法、ＣＶＤ法により形成することができる。
次に、図９（ｄ）に示すように、封止層２１を形成する（ステップＳ１１０）。封止層２１は、例えば、ＳｉＯＮ、ＳｉＮを用いて、スパッタリング法、ＣＶＤ法により形成することができる。
本工程の完了により、発光素子基板３０が完成する。
（１２）遮光膜４２の形成
次に、図１０（ａ）に示すように、上部基板４１上に遮光膜４２の材料を塗布し、遮光材料膜４２を形成する。そして、遮光材料膜４２にパターン露光と現像を行うことで遮光膜４２を形成し、焼成する（図１０（ｂ）、ステップＳ１２０）。
次に、図１０（ａ）に示すように、上部基板４１上に遮光膜４２の材料を塗布し、遮光材料膜４２を形成する。そして、遮光材料膜４２にパターン露光と現像を行うことで遮光膜４２を形成し、焼成する（図１０（ｂ）、ステップＳ１２０）。
（１３）カラーフィルタ４３の形成
次に、図１０（ｃ）に示すように、遮光膜４２の間隙にカラーフィルタ４３の材料を塗り分けして焼成し、カラーフィルタ４３を形成する。なお、カラーフィルタ４３の成膜は塗布方式に限られず、例えば、カラーフィルタ材料層をべた膜として形成しパターン露光と現像によってカラーフィルタ４３を形成してもよい。
次に、図１０（ｃ）に示すように、遮光膜４２の間隙にカラーフィルタ４３の材料を塗り分けして焼成し、カラーフィルタ４３を形成する。なお、カラーフィルタ４３の成膜は塗布方式に限られず、例えば、カラーフィルタ材料層をべた膜として形成しパターン露光と現像によってカラーフィルタ４３を形成してもよい。
（１４）基板の貼付
最後に、図１０（ｄ）に示すように、発光素子基板３０の封止層２１上に接合層５０の材料を塗布し、上部基板を貼付する。
最後に、図１０（ｄ）に示すように、発光素子基板３０の封止層２１上に接合層５０の材料を塗布し、上部基板を貼付する。
６．表示装置の全体構成
図１１は、表示パネル１００を備えた表示装置１０００の構成を示す模式ブロック図である。図１１に示すように、表示装置１０００は、表示パネル１００と、これに接続された駆動制御部２００とを含む構成である。駆動制御部２００は、４つの駆動回路２１０～２４０と、制御回路２５０とから構成されている。
図１１は、表示パネル１００を備えた表示装置１０００の構成を示す模式ブロック図である。図１１に示すように、表示装置１０００は、表示パネル１００と、これに接続された駆動制御部２００とを含む構成である。駆動制御部２００は、４つの駆動回路２１０～２４０と、制御回路２５０とから構成されている。
なお、実際の表示装置１０００では、表示パネル１００に対する駆動制御部２００の配置については、これに限られない。
≪実施の形態に係るその他の変形例≫
（１）上記実施の形態においては、発光素子である有機ＥＬ素子１が正孔注入層１５、正孔輸送層１６、中間層１８、電子注入輸送層１９を備えるとしたが、必ずしも上記実施の形態の構成である必要はない。いずれか１以上を備えないとしてもよいし、さらにほかの機能層を備えていてもよい。例えば、中間層１８を備えないとしてもよいし、中間層１８に替えて、あるいは、中間層１８と発光層１７との間に、電子輸送層を備える、としてもよい。
（１）上記実施の形態においては、発光素子である有機ＥＬ素子１が正孔注入層１５、正孔輸送層１６、中間層１８、電子注入輸送層１９を備えるとしたが、必ずしも上記実施の形態の構成である必要はない。いずれか１以上を備えないとしてもよいし、さらにほかの機能層を備えていてもよい。例えば、中間層１８を備えないとしてもよいし、中間層１８に替えて、あるいは、中間層１８と発光層１７との間に、電子輸送層を備える、としてもよい。
また、各機能層の製造方法は単なる例示であり、例えば、発光層１７が蒸着法で形成されてもよいし、カラーフィルタ４３が印刷法で形成されてもよい。
（２）上記実施の形態においては、表示パネルはＲ、Ｇ、Ｂのそれぞれに発光する３種類の発光素子を備えるとしたが、少なくとも１種類の発光素子が緑色発光素子であればよく、他の種類の発光素子は１種類であってもよいし、３種類以上であってもよい。ここで、発光素子の種類とは発光素子を構成する各要素のバリエーションを指すものであり、同一の発光色であっても発光層や機能層の膜厚が異なる場合は、種類が異なる発光素子と考えることができる。また、発光素子の配置についても、ＲＧＢＲＧＢ…の配置に限られず、ＲＧＢＢＧＲＲＧＢ…の配置であってもよいし、発光素子間に補助電極層やその他の非発光領域を設けてもよい。
また、実施の形態では中間層１８、電子注入輸送層１９、対向電極２０は共通膜として形成されるとしたが、発光素子ごとに膜厚を変えてもよい。
（３）実施の形態においては、有機ＥＬ素子１において画素電極１３と正孔注入層１５との界面と、対向電極２０と電子注入輸送層１９との界面とが光共振器構造を構成するとした。しかしながら、光共振器構造のカラーフィルタ４３側の面は対向電極２０と電子注入輸送層１９との界面に限られず、例えば、対向電極２０と封止層２１との界面であってもよい。または、例えば、対向電極２０と封止層２１との間に光学調整層を有し、対向電極２０と光学調整層との界面であってもよいし、光学調整層を複数有し、隣接する２つの光学調整層の界面であってもよい。
（４）実施の形態においては、波長５５５ｎｍ付近の光（５４５ｎｍ～５６５ｎｍの範囲の波長から選択される波長の光）の透過率を５０％以下とするようにカラーフィルタ４３（Ｇ）の透過特性を設定するとしたが、副画素２は、有機ＥＬ素子１（Ｇ）と、従来型のカラーフィルタと、波長５５５ｎｍ付近の光の透過率を５０％以下とした反射抑止フィルタの３つを備えるとしてもよい。この時、反射抑止フィルタとしては、例えば、波長５５５ｎｍ以上の光を通さないエッジフィルタを用いてもよい。反射抑止フィルタは、例えば、カラーフィルタ基板４０において、カラーフィルタ４３（Ｇ）に積層して設けられてもよいし、発光素子基板３０において、有機ＥＬ素子１（Ｇ）の対向電極２０上に設けられてもよい。
（５）実施の形態においては、画素電極が陽極、対向電極が陰極であるとしたが、画素電極が陰極、対向電極が陽極であってもよい。
（６）以上、本開示に係る表示パネルおよび表示装置について、実施の形態および変形例に基づいて説明したが、本発明は、上記の実施の形態および変形例に限定されるものではない。上記実施の形態および変形例に対して当業者が思いつく各種変形を施して得られる形態や、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で実施の形態および変形例における構成要素及び機能を任意に組み合わせることで実現される形態も本発明に含まれる。
本発明は、光共振器構造を備える発光素子を用いた表示パネルにおいて、外光反射による色純度の低下を抑止しつつ開口率を向上させた、色純度と発光効率の高い表示パネルを製造するのに有用である。
１００ 有機ＥＬ表示パネル
１ 有機ＥＬ素子
２ 副画素
１１ 基板
１２ 層間絶縁層
１３ 画素電極
１４ 隔壁
１５ 正孔注入層
１６ 正孔輸送層
１７ 発光層
１８ 中間層
１９ 電子注入輸送層
２０ 対向電極
２１ 封止層
３０ 発光素子基板
４０ カラーフィルタ基板
４１ 上部基板
４２ 遮光膜
４３ カラーフィルタ
１ 有機ＥＬ素子
２ 副画素
１１ 基板
１２ 層間絶縁層
１３ 画素電極
１４ 隔壁
１５ 正孔注入層
１６ 正孔輸送層
１７ 発光層
１８ 中間層
１９ 電子注入輸送層
２０ 対向電極
２１ 封止層
３０ 発光素子基板
４０ カラーフィルタ基板
４１ 上部基板
４２ 遮光膜
４３ カラーフィルタ
Claims (10)
- 自発光素子と、前記自発光素子に対向するカラーフィルタとを含む画素を複数備える表示パネルであって、
前記複数の自発光素子の少なくとも１つは緑色発光素子であり、
前記緑色発光素子は、前記カラーフィルタに近い順に、光透過性の金属薄膜電極と、緑色発光層と、光反射性電極とが積層されて、第１の波長の光強度を強める光共振器構造をなしており、
前記緑色発光素子に対向するカラーフィルタは、前記第１の波長より長波長であって、前記第１の波長より緑色として視感度特性の高い前記第２の波長の光に対し、光の透過率が５０％以下である
表示パネル。 - ＣＩＥ等色関数において、前記第２の波長に対応するＹ値は、前記第１の波長に対応するＹ値より大きい
請求項１に記載の表示パネル。 - 前記第１の波長は５３０ｎｍ以下であり、前記第２の波長は５６５ｎｍである
請求項１または２に記載の表示パネル。 - 前記第１の波長は５３０ｎｍ以下であり、前記第２の波長は５５５ｎｍである
請求項１または２に記載の表示パネル。 - 前記第１の波長は５３０ｎｍ以下であり、前記第２の波長は５４５ｎｍである
請求項１または２に記載の表示パネル。 - 前記自発光素子に対向するカラーフィルタは、前記第１の波長における光の透過率が７０％以上である
請求項１から５のいずれか１項に記載の表示パネル。 - 前記表示パネルにおいて、前記緑色発光素子を含む画素の開口率は５０％以上である
請求項１から６のいずれか１項に記載の表示パネル。 - 自発光素子と、前記自発光素子に対向するカラーフィルタとを含む画素を複数備える表示パネルであって、
前記複数の自発光素子の少なくとも１つは緑色発光素子であり、
前記緑色発光素子は、前記カラーフィルタに近い順に、光透過性の金属薄膜電極と、緑色発光層と、光反射性電極とが積層されて、第１の波長の光強度を強める光共振器構造をなしており、
前記緑色発光素子を含む画素は、前記第１の波長より長波長であって、前記第１の波長より緑色として視感度特性の高い前記第２の波長の光に対し、光の透過率が５０％以下である第２のフィルタをさらに備える
表示パネル。 - 請求項１から８のいずれか１項に記載の表示パネルを含む表示装置。
- 基板上に複数の光反射性電極を形成し、
前記複数の光反射性電極のそれぞれの上方に発光層を形成し、
複数の前記発光層の上方に光透過性の金属薄膜電極を形成して光共振器構造を形成し、
前記金属薄膜電極の上方であって複数の前記発光層のそれぞれの上方にカラーフィルタを形成し、
前記発光層の形成において、少なくとも１つの発光層は緑色発光層であり、
前記カラーフィルタの形成において、前記緑色発光層の上方のカラーフィルタの透過特性を、前記光共振器構造のピーク波長を第１の波長としたとき、前記第１の波長より長波長であって、前記第１の波長より緑色として視感度特性の高い前記第２の波長の光に対して光の透過率を５０％以下とする
表示パネルの製造方法。
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