JP5217791B2 - 発光装置及び電子機器 - Google Patents

Description

本発明は、エレクトロルミネセンスにより発光する発光装置及び電子機器に関する。

薄型で軽量な発光源として、ＯＬＥＤ（Organic Light Emitting Diode）、つまり有機ＥＬ（Electro Luminescent）素子が注目を集めており、多数の有機ＥＬ素子を備える画像表示装置が開発されている。有機ＥＬ素子は、有機材料で形成された少なくとも一層の有機薄膜を画素電極と対向電極とで挟んだ構造を有する。

有機ＥＬ素子の分野において、増幅的干渉すなわち共振を利用して、発光した光のうち特定の波長の光を強める技術が知られている（例えば、特許文献１）。この技術では、発光色の色純度を高めたり、発光に対する放出される光の効率を高めたりすることができる。

有機ＥＬ素子には、表示面の外光反射によって表示画像の品質が劣化する問題がある。これを解決するため、例えば表示面側に円偏光板を配置することが提案されている。しかし、円偏光板は、発光層で発生した光を半分以下に減衰させるので、輝度が低下してしまう。

また、カラーフィルタを有機ＥＬ素子に重ねることによって、外光反射を低減する方法も提案されている。この方法は、透過させる目的の波長以外の波長の光をカラーフィルタに吸収させる方法である。しかし、単にカラーフィルタを用いる方法では、有機ＥＬ素子の放出する光と異なる色の光の反射が低減されるが、有機ＥＬ素子の放出する光と同じ色又は類似の色の光の反射率がそれほど低減しない。

さらに、特許文献２には、有機発光素子の半透過性反射性の電極での外光の反射光の位相と、反射性の電極での外光の反射光の位相とが反転するように調整する技術が開示されている。

国際公開第０１／３９５５４号パンフレット 特許第３９４４９０６号公報

特許文献２に記載のように、ある面での反射光の位相と他の面での反射光の位相を逆にした場合には、減衰的干渉によって反射光が低減するかもしれない。しかし、この条件の下では、有機発光素子の発光のうち放出される光の効率を高めることに限界がある。特許文献２では、有機発光素子は、半透過性反射性の電極と反射性の電極を備え、これらの電極の間で光が往復するようになっており、光を共振させる共振器構造を有すると記載されているが、たとえ電極の間で光が往復する構造であっても、光学的距離などの光学的要因が不適切では、光は共振せず光の利用効率を高めることはできない。

そこで、本発明は、上述の課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態又は適用例として実現することが可能である。

本発明に係る発光装置は、上述した課題を解決するため、第１の電極層と、第２の電極層と、前記第１の電極及び前記第２の電極の間に配置された発光機能層とを有する発光素子と、前記発光機能層で発せられた光を前記発光機能層に向けて反射する反射層と、前記発光機能層を挟んで前記反射層の反対側に配置され、前記発光機能層で発せられた光の一部を前記発光機能層に向けて反射し、他の一部を透過させる半透明半反射層と、を備え、前記半透明半反射層は、屈折率が１以上である。

本発明によれば、当該発光装置に入射する外光の反射による画質低下等の弊害を抑制することができる。これは以下の事情による。
本発明に係る発光装置は、発光素子、反射層及び半透明半反射層からなる共振器構造を備えるが、半透明半反射層が屈折率１以上であることから、当該半透明半反射層から入射してこようとする外光は、全反射条件からより遠い条件下、当該層内で屈折することになる。一方、仮に、屈折率が１を下回る場合を考えると、この場合、外光は、全反射条件からより近い条件下、当該層内で屈折することになる。
これら両者の場合を比べると、外光反射の絶対量自体が、後者に比べて前者の方が相対的に小さくなると考えられる。よって、本発明によれば、外光反射低減効果が得られることになるのである。

この発明の発光装置では、前記半透明反射層を挟んで前記発光機能層の反対側に配置され、前記半透明半反射層を透過した光を透過させるカラーフィルタを更に備え、前記反射層から、前記半透明半反射層における前記反射層に対向しない界面までの光学的距離が、式（１）で算出される光学的距離ｄ₂に基づいて定められるように構成してもよい。
ｄ₂＝（ｐ＋１／２）・λ／２−（φ₁−φ₂）・λ／４π … 式（１）
ここで、λは前記カラーフィルタの透過率のピークに相当する波長であり、φ₁は、前記発光機能層とは反対側から前記半透明半反射層に進行する波長λの光が、前記半透明半反射層の前記発光機能層とは反対側の界面で反射するときの位相変化であり、φ₂は、前記発光機能層側から前記反射層に進行する波長λの光が、前記反射層で反射するときの位相変化であり、ｐは、正の整数である。
この態様によれば、前記共振器構造が、減衰的干渉を生じさせるための光学的距離を基準に構成されていることから、前述の効果がより実効的に奏される。これを満たす、より具体的な構成ないし構造については、実施の形態において説明される。

また、本発明の発光装置では、前記半透明反射層を挟んで前記発光機能層の反対側に配置され、前記半透明半反射層を透過した光を透過させるカラーフィルタを更に備え、前記半透明半反射層は所定の物理的な厚さｔ_zをもち、かつ、前記反射層から、前記半透明半反射層における前記反射層に対向する界面までの光学的距離が、式（２）で算出される光学的距離ｄ₁に基づいて定められるように構成してもよい。
ｄ₁＝（ｐ＋１／２）・λ／２−（φ₁−φ₂）・λ／４π−ｎ_z・ｔ_z … 式（２）
ここで、λは前記カラーフィルタの透過率のピークに相当する波長であり、φ₁は、前記発光機能層とは反対側から前記半透明半反射層に進行する波長λの光が、前記半透明半反射層の前記発光機能層とは反対側の界面で反射するときの位相変化であり、φ₂は、前記発光機能層側から前記反射層に進行する波長λの光が、前記反射層で反射するときの位相変化であり、ｐは、正の整数であり、ｎ_zは前記半透明半反射層の波長λに関する屈折率である。
この態様によれば、前記共振器構造が、減衰的干渉を生じさせるための光学的距離を基準に構成されていることから、前述の効果がより実効的に奏される。これを満たす、より具体的な構成ないし構造については、実施の形態において説明される。
なお、半透明半反射層の物理的な厚さｔ_zの変化（製造プロセス上利用される各種パラメータの調整、あるいはそれらの誤差等による。）は、通常、屈折率の変化をもたらす。したがって、好ましくは、この物理的な厚さｔ_zを積極的に調整することを通じて、屈折率が１以上である、という条件が満たされるような屈折率に係る調整が行われるとよい。

また、本発明の発光装置では、前記半透明半反射層は、少なくとも２種以上の単位元素からなる合金を含み、そのうちの１種の単位元素の組成比率の変化、及び、当該半透明半反射層の物理的厚さの変化に応じて、前記屈折率が変化する場合において、当該半透明半反射層の合金組成は、前記物理的厚さに応じ、又は、当該半透明半反射層の前記物理的厚さは、前記合金組成に応じて定められる、ように構成してもよい。
この態様によれば、まず、物理的厚さ及び合金組成比率の調整を通じて、半透明半反射層の屈折率の好適に調整を行うことができる。
また、本態様によれば、半透明半反射層の材料設計に関する設計自由度が高められる。例えば、前記１種の単位元素の組成比率が増大すれば屈折率は減少し、かつ、前記物理的厚さが増大すれば屈折率は増大する、等といった関係がある場合には、物理的厚さを相対的に大きくするなら、前記１種の単位元素の組成比率を上げる、などといった材料設計が可能になる。逆に、合金組成を予め所望のものに定めた後に、物理的厚さを定めることもできる。
ここで、一般に、合金組成比率の変化に伴っては、透明度等の光学的特性や、強度、温度変化に対する感応度（熱膨張率等）等の機械的・力学的・物理的特性、各種化学物質等に対する耐性等の化学的特性等々もまた変化し得るのが通常である。したがって、実際上の装置に、どのような合金組成比率をもつ材料を利用するかは、様々な事情が勘案された上で決定されるのが好ましい。
このような事情を鑑みるに、例えば上述のように、最初に好ましい合金組成比率を定めた後にも、厚さを調整することで、屈折率を調整可能である、等という本態様は、極めて有利である。これにより、全般的な観点からみて諸々の要求を満たした半透明半反射層を提供することができるからである。

また、本発明の発光装置では、前記半透明半反射層は、ＭｇＡｇを含む、ように構成してもよい。
この態様によれば、半透明半反射層が、好適に「屈折率が１以上である」ということが満たされる。なお、半透明半反射層を構成する材料として、このＭｇＡｇを利用する場合には、その膜厚は、１２．５ｎｍ以上とすることが好ましく、また、ＭｇＡｇの組成比率は、Ｍｇを１０とした場合のＡｇの比率が１０以下であることが好ましい。その限界的な意義は、後の実施の形態における説明を参照されたい。

また、本発明の電子機器は、上記課題を解決するために、上述した各種の発光装置を備える。
本発明によれば、上述した各種の発光装置を備えてなるので、外光反射低減効果が実効的に享受される。したがって、より高品質の画像を表示することが可能である。

以下では、本発明に係る実施の形態について図面を参照しながら説明する。なお、図面においては、各部の寸法の比率は実際のものとは適宜に異ならせてある。

＜有機ＥＬ装置の断面構造＞
図１は、本発明の実施の形態に係る発光装置としての有機ＥＬ装置１の概略を示す断面図である。有機ＥＬ装置１は、発光パネル３とカラーフィルタパネル３０とを備える。

発光パネル３は、図示のように複数の画素としての発光素子２（２Ｒ，２Ｇ，２Ｂ）を有する。本実施形態の有機ＥＬ装置１は、フルカラーの画像表示装置として使用される。発光素子２Ｒは放出光の色が赤色である発光素子であり、発光素子２Ｇは放出光の色が緑色である発光素子であり、発光素子２Ｂは放出光の色が青色である発光素子である。図１では、３つの発光素子２しか示されていないが、実際には、図示よりも多数の発光素子が設けられている。以下、構成要素の添字のＲ、Ｇ、Ｂは、発光素子２Ｒ，２Ｇ，２Ｂに対応する。

図示の発光パネル３はトップエミッションタイプである。発光パネル３は、基板１０を有する。基板１０は、例えばガラスのような透明材料で形成してもよいし、例えばセラミック又は金属のような不透明材料で形成してもよい。

基板１０上の少なくとも発光素子２と重なる位置には、一様な厚さの反射層１２が形成されている。反射層１２は、例えばアルミニウム又は銀などの反射率の高い材料から形成されており、発光素子２から進行してくる光（発光素子２での発光を含む）を図１の上方に向けて反射する。

反射層１２を覆うように基板１０上には、絶縁体透明層１４が形成されている。絶縁体透明層１４は、例えばＳｉＮ等の絶縁体で透光性が高い材料から形成されている。図示しないが、絶縁体透明層１４には、各発光素子２に給電するためのＴＦＴ（薄膜トランジスタ）及び配線が埋設されている。反射層１２上の絶縁体透明層１４の厚さは、重なっている発光素子２の発光色にかかわらず一様である。

絶縁体透明層１４の上には、発光素子２を区分するセパレータとしての隔壁１６が形成されている。隔壁１６は、例えばアクリル、エポキシ又はポリイミドなどの絶縁性の樹脂材料で形成されている。

各発光素子２は、第１の電極層１８と、半透明半反射層としての第２の電極層２２と、第１の電極層１８及び第２の電極層２２の間に配置された発光機能層２０とを有する。
本実施形態では、第１の電極層１８（１８Ｒ，１８Ｇ，１８Ｂ）は、画素（発光素子２）にそれぞれ設けられる画素電極であり、例えば陽極である。第１の電極層１８は、例えばＩＴＯ（Indium Tin Oxide）又はＺｎＯ₂のような透明材料から形成されている。第１の電極層１８の厚さは、発光色に応じて異なっている。つまり、第１の電極層１８Ｒ，１８Ｇ，１８Ｂは、互いに異なる厚さを有する。

本実施形態では、発光機能層２０は、複数の発光素子２に共通に形成されており、発光素子２の発光色にかかわらず一様な厚さを有する。発光機能層２０は、少なくとも有機発光層を有する。この有機発光層は電流が流れると白色で発光する。つまり赤色、緑色及び青色の光成分を有する光を発する。有機発光層は、単層でもよいし、複数の層（例えば電流が流れると主に青色で発光する青色発光層と、電流が流れると赤色と緑色を含む光を発する黄色発光層）で構成されていてもよい。

図示しないが、発光機能層２０は、有機発光層のほかに、正孔輸送層、正孔注入層、電子ブロック層、正孔ブロック層、電子輸送層、電子注入層などの層を有していてもよい。発光機能層２０が複数の層から構成される場合、個々の層も、発光素子２の発光色にかかわらず一様な厚さを有する。

半透明半反射層としての第２の電極層２２は、例えばＭｇＡｌ、ＭｇＣｕ、ＭｇＡｕ、ＭｇＡｇのような半透明半反射性の合金又は金属材料から形成されている。第２の電極層２２は本実施形態では、複数の画素（発光素子）に共通に設けられる共通電極であり、例えば陰極である。第２の電極層２２は、発光素子２の発光色にかかわらず一様な厚さを有する。第２の電極層２２は、発光機能層２０から進行してきた光（発光機能層２０からの光を含む）の一部を図の上方に透過し、これらの光の他の一部を図の下方つまり第１の電極層１８に向けて反射する。
この第２の電極層２２は、上述のうちでは特にＭｇＡｇ等の屈折率が１以上の材料から作られるのが好ましいが、この点については、後の作用効果の説明の際に、より具体的なデータ等についての説明も交えながら、改めて説明することとする。

複数の隔壁１６間に形成された開口（画素開口）の内部において、発光機能層２０は、第１の電極層１８と接触しており、ある発光素子２において、第１の電極層１８と第２の電極層２２の間に電流を流すと、その発光素子２における発光機能層２０には第１の電極層１８から正孔が供給され、第２の電極層２２から電子が供給され、正孔と電子が結合して発光する。従って、隔壁１６間に形成された画素開口で発光素子２の発光領域がおおよそ画定される。つまり隔壁１６の画素開口は発光素子２を区分する。

図２にのみ示すが、第２の電極層２２の図の上面には、極めて薄いパッシベーション層２７が形成されている。パッシベーション層２７は、例えばＳｉＯＮのような透明な無機材料で形成されており、発光素子２の特に発光機能層２０を水分又は酸素による劣化から防止する。このようにして発光パネル３が形成されている。

発光機能層２０は白色発光するが、反射層１２と第２の電極層２２との間で光が往復することにより、個々の発光素子２は特定の波長の光が増幅された光を放出する。つまり、発光素子２Ｒでは赤色の波長の光が増幅されて放出され、発光素子２Ｇでは緑色の波長の光が増幅されて放出され、発光素子２Ｂでは青色の波長の光が増幅されて放出される。この目的のため、発光素子２Ｒ，２Ｇ，２Ｂでは、反射層１２と第２の電極層２２との間の光学的距離ｄ₁（ｄ_1R，ｄ_1G，ｄ_1B）が異なっている。なお、図中の光学的距離ｄ₁（ｄ_1R，ｄ_1G，ｄ_1B）及び光学的距離ｄ₂（ｄ_2R，ｄ_2G，ｄ_2B）は、光学的距離を示しており、実際の距離を示しているのではない。

発光パネル３には、透明な接着剤２８によってカラーフィルタパネル３０が接合されている。カラーフィルタパネル３０は、例えばガラスのような透明材料で形成された基板３２と、基板３２に形成されたブラックマトリクス３４と、ブラックマトリクス３４に形成された開口に配置されたカラーフィルタ３６（３６Ｒ，３６Ｇ，３６Ｂ）を備える。
接着剤２８は、カラーフィルタパネル３０のカラーフィルタ３６と発光パネル３のパッシベーション層２７（図２参照）の間に配置され、カラーフィルタパネル３０における基板３２とカラーフィルタ３６を発光パネル３の各層に対して平行に支持する。

カラーフィルタ３６はそれぞれ、発光素子２、特に第１の電極層１８に重なる位置に配置されている。カラーフィルタ３６は、半透明半反射性の第２の電極層２２を挟んで発光機能層２０の反対側に配置され、重なった発光素子２の第２の電極層２２を透過した光を透過させる。
以下に、より具体的に説明する。

カラーフィルタ３６Ｒは発光素子２Ｒに重なっており、一つのカラーフィルタ３６Ｒと一つの発光素子２Ｒとで一つのセットを構成する。カラーフィルタ３６Ｒは赤色の光を透過させる機能を有し、その透過率のピークは６１０ｎｍの波長にある。カラーフィルタ３６Ｒは、重なった発光素子２Ｒの第２の電極層２２を透過した赤色が増幅された光のうち、赤色の光を透過させ、赤色の純度を高める。また、カラーフィルタ３６Ｒは、緑色及び青色の光の多くを吸収する。

カラーフィルタ３６Ｇは発光素子２Ｇに重なっており、一つのカラーフィルタ３６Ｇと一つの発光素子２Ｇとで一つのセットを構成する。カラーフィルタ３６Ｇは緑色の光を透過させる機能を有し、その透過率のピークは５５０ｎｍの波長にある。カラーフィルタ３６Ｇは、重なった発光素子２Ｇの第２の電極層２２を透過した緑色が増幅された光のうち、緑色の光を透過させ、緑色の純度を高める。また、カラーフィルタ３６Ｇは、赤色及び青色の光の多くを吸収する。

カラーフィルタ３６Ｂは発光素子２Ｂに重なっており、一つのカラーフィルタ３６Ｂと一つの発光素子２Ｂとで一つのセットを構成する。カラーフィルタ３６Ｂは青色の光を透過させる機能を有し、その透過率のピークは４７０ｎｍの波長にある。カラーフィルタ３６Ｂは、発光素子２Ｂに重なっており、発光素子２Ｂの第２の電極層２２を透過した青色が増幅された光のうち、青色の光を透過させ、青色の純度を高める。また、カラーフィルタ３６Ｂは、赤色及び緑色の光の多くを吸収する。

＜光反射及び透過モデル＞
図２は、カラーフィルタ３６を通じて発光パネル３の発光素子２に向けて外光が到来したときの光の軌跡を簡略的に示す模式図である。カラーフィルタ３６を透過した外光は、透明な接着剤２８を通って、さらにパッシベーション層２７を透過し、半透明半反射性の第２の電極層２２に到達する。外光の一部は、パッシベーション層２７と第２の電極層２２の界面（第２の電極層２２の発光機能層２０とは反対側の界面）で反射する。この反射のときの位相変化をφ₁とする。

また外光の他の一部は、半透明半反射性の第２の電極層２２を透過し、さらに発光機能層２０、第１の電極層１８及び絶縁体透明層１４を透過し、反射層１２の発光機能層２０側の面で反射する。この反射のときの位相変化をφ₂とする。
反射層１２での反射光は、絶縁体透明層１４、第１の電極層１８、発光機能層２０を透過し、その一部が半透明半反射性の第２の電極層２２を透過して発光素子２から接着剤２８へと進行し、上述したパッシベーション層２７と第２の電極層２２の界面での反射光と干渉する。なお、図２において各界面での光の屈折による光路変化の図示は省略して、光路は直線で示している。

以上のような別個の界面での反射光を減衰的干渉により低減するには、式（３）を充足することが好適である。
２・ｄ₂＝（ｐ＋１／２）・λ−（φ₁−φ₂）・λ／２π … 式（３）
ここで、ｄ₂は、反射層１２の発光機能層２０側の界面と、第２の電極層２２の発光機能層２０とは反対側の界面との間の光学的距離（ｎｍ）である。光学的距離ｄ₂は、絶縁体透明層１４、第２の電極層２２及びこれらの間の層の屈折率と厚さの積の総和である。

式（３）の「波長λ」は、減衰させたい光成分の波長（ｎｍ）である。問題にしている外光は、カラーフィルタ３６を透過して発光パネル３に向けて進行してくる光であるから、カラーフィルタ３６の透過波長領域の光である。従って、式（３）の「波長λ」としては、カラーフィルタの透過率のピークに相当する波長をとることが適切である。

式（３）のφ₁は、発光機能層２０とは反対側から第２の電極層２２に進行する波長λの光が、半透明半反射性の第２の電極層２２の発光機能層２０とは反対側の界面で反射するときの位相変化（ｒａｄ）であり、φ₂は、発光機能層２０側から反射層１２に進行する波長λの光が、反射層１２で反射するときの位相変化（ｒａｄ）である。またｐは正の整数であり、好ましくは１である。

このような式（３）は、実際上は、赤、緑及び青の発光素子２Ｒ，２Ｇ，２Ｂ各々に関する個別の式に書き下され得る。すなわち、
ｄ_2R＝（ｐ＋１／２）・λ_R／２−（φ_1R−φ_2R）・λ_R／４π … 式（４）
ｄ_2G＝（ｐ＋１／２）・λ_G／２−（φ_1G−φ_2G）・λ_G／４π … 式（５）
ｄ_2B＝（ｐ＋１／２）・λ_B／２−（φ_1B−φ_2B）・λ_B／４π … 式（６）
ここで、ｄ_2Rは、発光素子２Ｒについての光学的距離ｄ₂、λ_Rはカラーフィルタ３６Ｒの透過率のピークに相当する波長６１０ｎｍ、φ_1Rは波長λ_Rでの位相変化φ₁、φ_2Rは波長λ_Rでの位相変化φ₂である。
また、ｄ_2Gは、発光素子２Ｇについての光学的距離ｄ₂、λ_Gはカラーフィルタ３６Ｇの透過率のピークに相当する波長５５０ｎｍ、φ_1Gは波長λ_Gでの位相変化φ₁、φ_2Gは波長λ_Gでの位相変化φ₂であり、ｄ_2Bは、発光素子２Ｂについての光学的距離ｄ₂、λ_Bはカラーフィルタ３６Ｂの透過率のピークに相当する波長４７０ｎｍ、φ_1Bは波長λ_Bでの位相変化φ₁、φ_2Bは波長λ_Bでの位相変化φ₂である。

反射層１２と第２の電極層２２との間の光学的距離ｄ₁（ｎｍ）と、反射層１２の発光機能層２０側の界面と第２の電極層２２の発光機能層２０とは反対側の界面との間の光学的距離ｄ₂の間には、式（７）に示す関係がある。
ｄ₁＝ｄ₂−ｎ_z・ｔ_z
ゆえに ｄ₁＝（ｐ＋１／２）・λ／２−（φ₁−φ₂）・λ／４π−ｎ_z・ｔ_z … 式（７）
ここで、ｎ_zは波長λの光に関する第２の電極層２２の屈折率であり、ｔ_zは第２の電極層２２の厚さである。

従って、各発光素子２Ｒ，２Ｇ，２Ｂについては、式（７）は式（８）〜式（１０）のように書き換えることができる。
ｄ_1R＝（ｐ＋１／２）・λ_R／２−（φ_1R−φ_2R）・λ_R／４π−ｎ_zR・ｔ_z … 式（８）
ｄ_1G＝（ｐ＋１／２）・λ_G／２−（φ_1G−φ_2G）・λ_G／４π−ｎ_zG・ｔ_z … 式（９）
ｄ_1B＝（ｐ＋１／２）・λ_B／２−（φ_1B−φ_2B）・λ_B／４π−ｎ_zB・ｔ_z … 式（１０）
ここで、ｄ_1Rは、発光素子２Ｒについての光学的距離ｄ₁、ｎ_zRは波長λ_Rの光に関する第２の電極層２２の屈折率ｎ_zである。
また、ｄ_1Gは、発光素子２Ｇについての光学的距離ｄ₁、ｎ_zGは波長λ_Gの光に関する第２の電極層２２の屈折率ｎ_zであり、ｄ_1Bは、発光素子２Ｂについての光学的距離ｄ₁、ｎ_zBは波長λ_Bの光に関する第２の電極層２２の屈折率ｎ_zである。
以上、別個の界面での反射光を減衰的干渉により低減するために好適な条件を説明した。

＜有機ＥＬ装置の作用効果＞
以下では、以上のような構成を備える有機ＥＬ装置の作用効果について、既に参照した図１及び図２に加えて、図３乃至図９を参照しながら説明する。
これらの図３乃至図９は、上に説明した構造をもつ有機ＥＬ装置に基づき、光学シミュレーションを実行した結果を示している。なお、このシミュレーション結果は、株式会社豊田中央研究所が製作した光学シミュレーションプログラムである商品名「Opt Designer」を使用して得られている。なお、この点については、後に参照する図１０乃至図１４についても同様である。

＜膜厚と屈折率＞
まず、本実施形態の有機ＥＬ装置の作用効果の説明に入る前提として、前記第２の電極層２２に関する、その厚さとその屈折率との関係について説明する。
図３の上方には、かかる関係についてのグラフが示されている。
この図に示すように、まず、第２の電極層２２の厚さの相違にかかわらず、波長が大きくなるにつれて、その屈折率はほぼ比例的に増大していくことが確認される。
これに加え、この図からは、第２の電極層２２の厚さが増大していくにつれて、その屈折率は大きくなっていくことが確認される。すなわち、図３では、膜厚がＴ１＝１１ｎｍ、Ｔ２＝１２．５ｎｍ、Ｔ３＝２０ｎｍのそれぞれの場合の屈折率が示されているが、膜厚Ｔ１の場合は、波長が６００ｎｍ半ばあたりまで、屈折率は１に届かない。これに対して、膜厚Ｔ２及び膜厚Ｔ３の場合は、全波長領域にわたって屈折率は１以上となる。特に、この図から、全波長領域において屈折率が１以上となるための限界的な値が、膜厚Ｔ２であることがわかる。

なお、この図３の上方の結果は、複素屈折率ｎ_c＝ｎ−ｊｋを求める過程を経て得られたものであり、同図の縦軸の「屈折率」とは、その実数部ｎの値を意味している。消衰係数ｋも求められているが、図３では図示されていない。また、図３の左上部においては、このようなことを表現する意図を持って、「屈折率実数部」という表現を用いている。以上の事項は、後に参照する図１０及び図１１においても同様である。
また、この図３の上方の結果は、第２の電極層２２が、ＭｇとＡｇを含む合金であり、かつ、前者が１０に対して後者が１の重量比の関係にある合金から作られている場合に基づいている。かかる事情は、後に参照する図４乃至図９においても前提とされている。

図３には、上記の各膜厚Ｔ１，Ｔ２，Ｔ３の変化と屈折率との関係のほか、これら各膜厚Ｔ１，Ｔ２，Ｔ３の変化と外光反射率との関係が、図中下方に示されている。なお、この図は、緑色光についての外光反射率に関するものである。また、この反射率は、等エネルギ白色光がカラーフィルタ３６を透過して発光パネル３に到達したと仮定し、その反射光がカラーフィルタ３６を透過した結果の光の強度と元の等エネルギ白色光の強度の比に基づいて求められる。かかる事情は、後に参照する図６乃至図９、図１２乃至図１４においても同様である。

この結果は、前述した式（５）、及び、式（９）により得られる結果に基づく。すなわち、前者の式（５）からは反射光の減衰的干渉を生じさせるための光学的距離ｄ_2Gが求められ、後者の式（９）からは同じく反射光の減衰的干渉を生じさせるための光学的距離ｄ_1Gが求められるが、後者の光学的距離ｄ_1Gについては、式（９）における第２の電極層２２の厚さｔ_zについて、前記の膜厚Ｔ１，Ｔ２，Ｔ３の各々が代入される。同図の結果は、このようにして求められる３種の光学的距離ｄ_1G、及び光学的距離ｄ_2Gに基づき、あるいはこれがほぼ満たされるように、有機ＥＬ装置の発光素子２Ｒに関する断面構造が、シミュレーション上設定されることによって求められている。
なお、前述の光学的距離ｄ_1G、及び光学的距離ｄ_2Gを求めるための、式（５）及び式（９）に代入すべき値としては、例えば図４に示されるような値（今の場合、緑色光が問題となっているので、同図の「発光素子２Ｇ」の列にある値）を用いることができる。このような値を用いながら、ｐ＝１とし、かつ、ｎ_zG＝１．２４、ｔ_z＝１２．５ｎｍとした場合における、光学的距離ｄ_1G及び光学的距離ｄ_2Gはそれぞれ、ｄ_1G＝約４０６．２ｎｍ、ｄ_2G＝約４２２．０ｎｍとなる。
また、上記シミュレーションを実行する場合において、絶縁体透明層１４の厚さ、発光機能層２０の厚さは発光素子２Ｒ，２Ｇ，２Ｂで共通にし、第１の電極層１８の厚さが発光素子２Ｒ，２Ｇ，２Ｂに応じて異なることを条件とした。
さらに、シミュレーションの実際において、各層の材料、厚さ及び屈折率は、図５の通りに設定される。ちなみに、ここに示される数値に従って、光学的距離ｄ_1G相当の値である光学的距離ｄ_1G’値を算出すると、ｄ_1G’＝約４２６．３ｎｍとなる。この光学的距離ｄ_1G’と前記の光学的距離ｄ_1Gとの間に相違があるのは、後者の算出根拠たる式（５）及び式（９）では積層構築物を構成する各層間の他の界面による反射が考慮されていないこと等による。このように光学的距離ｄ_1G’及び光学的距離ｄ_1Gは必ずしも一致するとは限らないが、光学的距離ｄ_1G’が光学的距離ｄ_1Gに基づいていることに変わりはない。
なお、前記の図４及び図５においては、後述する図６及び図７に示す青色光及び赤色光に関する同様の数値についても、併せ掲載している。

さて、図３の下方に示すように、反射率は、波長に対して、一定の周期をもって低減し、又は、増大することがわかるが、膜厚Ｔ１，Ｔ２，Ｔ３のいずれにおいても、緑色光に関するピーク波長５５０ｎｍ付近の反射率は低減していることがわかる。ただ、これら膜厚Ｔ１，Ｔ２，Ｔ３間の相違に基づく、反射率低減の様子の相違も確認される。すなわち、前記ピーク波長５５０ｎｍでの反射率低減効果が最も弱いのが、膜厚Ｔ１についての結果である。続いて、膜厚Ｔ３で改善され、膜厚Ｔ２で最も良好な結果が得られている。ただし、膜厚Ｔ２及び膜厚Ｔ３の結果は、殆ど同じと言い得る範囲である。

このようなことから結局、反射率低減の効果と、図３の上方を参照して説明した屈折率との間には一定の相関関係があることがわかる。すなわち、屈折率が１以上である場合に、より実効的な反射率低減効果が得られる、といえるのである。

このような屈折率と反射率低減効果との間の相関関係は、次に述べることからも確認される。
すなわち、まず、図３の下方に示す、波長に従って変化する反射率を示す曲線の各々において、その最小値に着目する。これらの最小値は、同図に示すように、膜厚Ｔ１，Ｔ２，Ｔ３に関する曲線のそれぞれに関し、ｍ１，ｍ２，ｍ３である。

次に、これら最小値ｍ１，ｍ２，ｍ３に対応する波長において、第２の電極層２２の屈折率がどうなっているかを確認する。図３では、これが視覚的に把握され得る。例えば、最小値ｍ１の地点を一端点とする線分Ｒ１は、図中上方に延び、図３の上方に示す波長−屈折率曲線に交わる。ここで着目すべきは、膜厚Ｔ１に関する波長−屈折率曲線であるから、当該最小値ｍ１に対応する屈折率は１以下であることがわかる。
残る線分Ｒ２及び線分Ｒ３についても、同様である。ただし、これら線分Ｒ２及び線分Ｒ３の図３中上方の端点をみれば、いずれにおいても、屈折率は１以上であることがわかる。

以上のことから、次のことが推量される。
すなわち、前記の式（５）及び式（９）は、上述のように減衰的干渉を生じさせるための光学的距離ｄ_1G及び光学的距離ｄ_2Gを求めるための式ではあるが、波長λ_G及びその付近の波長において反射率が最小となるべき光学的距離ｄ_1G及び光学的距離ｄ_2Gを求めるための式であるということも不可能ではない。シミュレーションは、これら光学的距離ｄ_1G及び光学的距離ｄ_2Gにほぼ一致する条件で行われているから、その結果たる図３の下方における最小値ｍ１，ｍ２，ｍ３もまた、当然、その反射率が最小となるべき光学的距離ｄ_1G及び光学的距離ｄ_2Gを反映しているといえる。特に、光学的距離ｄ_1Gは、上述の式（９）に示すように、第２の電極層２２の屈折率ｎ_zG（及び物理的な厚さｔ_zG）に応じて変化する。
以上をまとめると、屈折率ｎ_zGの変化が、光学的距離ｄ_1Gに影響を与え、更にそのことが反射率低減効果、具体的には前記最小値ｍ１，ｍ２，ｍ３に影響を及ぼす、という一連の関係をみてとることができる。

ここで改めて、最小値ｍ１，ｍ２，ｍ３を眺めてみると、最小値ｍ１と、最小値ｍ２及び最小値ｍ３との間には顕著な差Ｗがあることがわかる。そして、この両者の間には、前述のように、前者は屈折率ｎ_zGが１を下回り、後者は１以上となる、という関係がある。とするなら、屈折率ｎ_zGの値が１を下回るか１以上となるかということと、前記の顕著な差Ｗが生じるかどうかということとの間に、何らかの相関関係があるとみることが可能である。

以上のような相関関係があり得ることは図３から読み取り得るが、その原因については必ずしも明瞭ではない。ただ、屈折率ｎ_zGが１を下回る場合とは、一般に、入射角に対して屈折角が増大することを意味するから、その程度が過ぎれば過ぎる程、全反射条件への接近が帰結される。とすれば、これに伴い、反射光量は、一般的には増大するだろうことが推測される。そうすると、前記の式（５）及び式（９）によって、減衰的干渉を生じさせる光学的距離ｄ_1G及び光学的距離ｄ_2Gを求めたとしても、屈折率ｎ_zGが１を下回る場合にあっては、干渉の効果が、屈折率ｎ_zGが１以上である場合に比べて、相対的にみて、あるいは実質的にみて、弱められるということが生じるものと考えられる。

いずれにせよ、以上述べたように、前記屈折率ｎ_zGが１以上であれば、反射率低減効果がよりよく得られるのである。

図６及び図７は、図３の下方と同趣旨の図であり、各膜厚Ｔ１，Ｔ２，Ｔ３の変化と外光反射率との関係を示すものであるが、前者は青色光、後者は赤色光に関するものである。これらの図は、それぞれ、図６に関しては前述した式（６）及び式（１０）が、図７に関しては式（４）及び式（８）が、前記の緑色光に関して述べたのと同様の意義において関係する。

これらの図のうち、図６（青色光）では、図３の場合と同様、あるいは、それよりもよりはっきりと、第２の電極層２２の膜厚が大きくなるにつれて反射率低減効果がよりよく達成されることが示されているといえる。また、図７（赤色光）では、波長の小さな領域では、各膜厚Ｔ１，Ｔ２，Ｔ３間にあまり大きな差異はないといえるが、問題となるべき波長６１０ｎｍ周囲では、図３と同様の傾向を読み取ることができる。すなわち、波長６００ｎｍからその半ば過ぎあたりまでの領域（図７の破線囲み線参照）をみるとわかるように、膜厚Ｔ１の場合、即ち屈折率ｎ_zRが１を下回る場合と、膜厚Ｔ２及び膜厚Ｔ３の場合、即ち屈折率ｎ_zRが１以上である場合との間には、顕著な差が生じているのであり、前者が後者に比べて、反射率がより大きくなってしまっているのである。このようなことは、程度の差こそあれ、図６の場合の波長４７０ｎｍ及びその付近においてもみられる。

図８は、以上述べた、図３の下方、図６及び図７のシミュレーション結果を、第２の電極層２２の膜厚が１２．５ｎｍである場合（即ち、図３、図６及び図７における膜厚Ｔ２）に限って、まとめて示したものである。膜厚Ｔ２＝１２．５ｎｍが選ばれている理由は、上述のように、全波長領域において屈折率が１以上となるための限界的な値が、当該膜厚Ｔ２だからである（図３参照）。
この図に示すように、曲線Ｇｒｅｆはピーク波長５５０ｎｍ付近で極めて低い反射率値をとり、曲線Ｂｒｅｆはピーク波長４７０ｎｍ付近で極めて低い反射率値をとり、曲線Ｒｒｅｆはピーク波長６１０ｎｍで極めて低い反射率値をとる。

そして、全色に関する反射率がこのような結果となることから、図９に示すように、視感度特性としての反射率は、いずれの色についても１０％以下という極めて優れた成績がマークされる。この図９において、それぞれの色のピーク波長付近における反射率の低減は、前記の図３の下方、図６及び図７の結果が反映されていることの帰結である。一方、その他の波長の領域で、反射率が低減されているのは、カラーフィルタ３６による吸収効果の反映である。例えば、図９の曲線Ｇｓｆは、ピーク波長５５０ｎｍ付近以外の波長領域において、カラーフィルタ３６Ｇによる光吸収が生じるために、反射率値が低くなっているのである（その他の曲線Ｂｓｆ及び曲線Ｒｓｆについても同様である。）。
なお、上記で「視感度特性としての反射率」とは、多数の発光素子２をカラーフィルタ３６越しに総合的に見た場合の反射率を意味する。具体的には、図８のグラフを積分した結果得られるものである。

以上のように、本実施形態の有機ＥＬ装置では、第２の電極層２２の屈折率が１以上である場合に、よりよい反射率低減効果が得られる。
なお、上記の説明及び図３等から明らかなように、可視光領域（４００ｎｍ〜８００ｎｍ）で波長４００ｎｍにおける第２の電極層２２の屈折率は１以上であることが望ましい。一方、屈折率の実質的な上限値としては、波長８００ｎｍにおける屈折率で規定することが望ましく、第２の電極層２２の屈折率の上限値は３以下であればよく、また、図３より上限値は２．５以下としてもよい。

＜合金組成と屈折率＞
次に、第２の電極層２２の組成が、当該第２の電極層２２の屈折率に及ぼす影響について説明する。
図１０は、第２の電極層２２の膜厚を、前記図８及び図９と同様、１２．５ｎｍ（＝膜厚Ｔ２）に固定したまま、その組成成分たるＭｇとＡｇとの組成比率を変化させた場合に、屈折率がどうなるかを示すグラフである。
この図１０に示すように、ＭｇとＡｇとの組成比率が１０：１である場合（図中符号「Ｃ１」参照）を基準として、Ａｇの比率が高まっていくと、屈折率は次第に小さくなっていくことが確認される。図１０では、Ｍｇ：Ａｇ＝１０：３の場合が「Ｃ２」として、同じく１０：５の場合が「Ｃ３」として、それぞれ示されている。また、Ａｇが含まれていない場合、即ちＭｇ単体の場合が「Ｃ０」として示されている。

続いて図１１は、前記の図１０を基に、第２の電極層２２の物理的厚さを増大させると屈折率がどうなるかを示している。具体的には、この図１１では、第２の電極層２２の膜厚が２０ｎｍとされていて、前記の図１０の場合における１２．５ｎｍに比べて、膜厚が大きくなっている。
この図１１により、まず、膜厚が大きくなればなるほど、屈折率は大きくなることがわかる。例えば、図１１の符号「Ｃ１」が付された曲線と、図１０の符号「Ｃ１」が付された曲線（いずれも、Ｍｇ：Ａｇ＝１０：１の場合の曲線である。）とを比較するとわかるように、膜厚が大きい方が、全体的に底上げされるかの如く、屈折率の値が全波長領域で大きくなっていることがわかる。
一方、図１１によれば、ＭｇＡｇにおけるＡｇの組成比率が増大すればするほど、屈折率は減少していくこともわかる。この傾向は、図１０を参照して説明した傾向と同じである。なお、図１１では、Ｍｇ：Ａｇ＝１０：１０の場合が「Ｃ４」として示されている。また、符号「Ｃ０」、「Ｃ３」の意味合いは、図１０の場合と同じである。

以上の図１０及び図１１から結局、ＭｇＡｇ合金中のＡｇの組成比率が上昇するほど、屈折率は小さくなっていく一方、第２の電極層２２の膜厚が大きくなるほど、屈折率は大きくなっていくことがわかる。
ここで、前述した、屈折率が１以上であることが望ましいという観点に配慮しながら、図１０及び図１１を再見する。すると、図１０では符号「Ｃ３」が付された曲線の場合、波長の小さい領域で、屈折率が１以下となる部分が存在する。ところが、同じ組成比率でも、図１１における符号「Ｃ３」が付された曲線の場合、全波長領域で屈折率が１以上となっていることがわかる。これは、前述のように、図１１の場合、膜厚が２０ｎｍとされていて、図１０の１２．５ｎｍの場合よりも、膜厚が大きくされていることによる。
要するに、これら図１０及び図１１からは、第２の電極層２２の膜厚を大きくすれば、上述のような屈折率に関する「全体的な底上げ」を実現することができることから、その場合には、Ａｇの比率を一定程度高めることができる、という一定の関係を読み取ることができる。図１１をみると、膜厚が２０ｎｍであれば、限界的な組成比率は、その波長が４００ｎｍ近傍で屈折率が若干「１」を下回る部分をもつものの、Ｍｇ：Ａｇ＝１０：１０と設定しうると考えられる。

図１２は、図３の下方、図６及び図７と同趣旨の図である。ただし、この図１２では、図６等において膜厚Ｔ１，Ｔ２，Ｔ３がパラメータとして変化していたのに代えて、第２の電極層２２の組成比率がパラメータとして変化している。すなわち、図１２は、前述した各組成比率としての曲線Ｃ１，Ｃ３，Ｃ４の変化と外光反射率との関係を示している。
なお、この図１２は、以下の各前提を置いた上での結果である。（i）図１２中の各組成比率としての曲線Ｃ１，Ｃ３，Ｃ４の意味合いは図１１の場合と同様である、（ii）膜厚も図１１と同様、２０ｎｍである、（iii）図１２は、緑色光に関する反射率のシミュレーションである。

この図１２に示すように、反射率は、図３の下方と同様に、波長に対して、一定の周期をもって低減し、又は、増大することがわかるが、組成比率としての曲線Ｃ１，Ｃ３，Ｃ４のいずれにおいても、緑色光に関するピーク波長５５０ｎｍ付近の反射率は低減していることがわかる。ただ、これら組成比率としての曲線Ｃ１，Ｃ３，Ｃ４の相違に基づく、反射率低減の様子の相違も確認される。すなわち、前記ピーク波長５５０ｎｍでの反射率低減効果が最も弱いのが、組成比率としての曲線Ｃ１についての結果である。続いて、組成比率としての曲線Ｃ４で改善され、組成比率としての曲線Ｃ３で最も良好な結果が得られている。ただし、組成比率としての曲線Ｃ３及び組成比率としての曲線Ｃ４の結果は、殆ど同じと言い得る範囲である。

この結果は、組成比率変更を通じて、反射率低減効果が更に実効的に享受され得ることを示唆している。というのも、図１２における符号「Ｃ１」を付した曲線は、図３の下方における符号「Ｔ３」を付した曲線と実質的に同じだからである。つまり、両者はともに、膜厚が２０ｎｍで、Ｍｇ：Ａｇ＝１０：１の組成比率をもつ第２の電極層２２を想定した場合の反射率である。したがって、図１２の残る曲線Ｃ３及び曲線Ｃ４は、図３の下方に示した膜厚Ｔ２を示す曲線「Ｔ２」及び膜厚Ｔ３を示す曲線「Ｔ３」に比べて、いずれも改善されているのである（なお、図１２と図３の下方とでは、縦軸の目盛りの振り方が異なっていることに注意。）。

以上のことから結局、膜厚が十分に大きいのならば、ＭｇＡｇ中のＡｇの組成比率を大きくしても、屈折率は主要な波長領域で１以上となることから、更に実効的な反射率低減効果が得られる、といえるのである。

図１３は、以上述べた、図１２のシミュレーション結果、及び、図示しない青色光及び赤色光に関する図１２と同様のシミュレーション結果（前記の図６及び図７に相当するもの）を、第２の電極層２２の膜厚が２０ｎｍである場合（即ち、図１２における曲線Ｃ１）に限って、示したものである。膜厚２０ｎｍが選ばれている理由は、この図１３に基づく、すぐ後に述べる図１４と、前述の図９との比較のためである（この点については、すぐ後に述べる。）。
この図１３に示すように、曲線Ｇｒｅｆはピーク波長５５０ｎｍ付近で極めて低い反射率値をとり、曲線Ｂｒｅｆはピーク波長４７０ｎｍ付近で極めて低い反射率値をとり、曲線Ｒｒｅｆはピーク波長６１０ｎｍで極めて低い反射率値をとる。

そして、全色に関する反射率がこのような結果となることから、図１４に示すように、視感度特性としての反射率は、いずれの色についても５％程度以下という極めて優れた成績がマークされる。この図１４において、それぞれの色のピーク波長付近における反射率の低減は、前記の図１２の結果等が反映されていることの帰結である。一方、その他の波長の領域で、反射率が低減されているのは、カラーフィルタ３６による吸収効果の反映である。例えば、図１４の曲線Ｇｓｆは、ピーク波長５５０ｎｍ付近以外の波長領域において、カラーフィルタ３６Ｇによる光吸収が生じるために、反射率値が低くなっているのである（その他の曲線Ｂｓｆ及び曲線Ｒｓｆについても同様である。）。なお、上記で「視感度特性としての反射率」ということの意義は、図９に関して述べたのと同様である。

この図１４と、前述の図９とを見比べてわかるように、図１４の方が、視感度特性としての反射率はより改善されていることがわかる。これは、一応、屈折率の増大に伴って生じた変化と見ることも可能である（図１０の曲線Ｃ１と図１１の曲線Ｃ１とを対比参照。）。なお、図１４及び図９の両者はともに、Ｍｇ：Ａｇ＝１０：１で同一であり、ただ、膜厚に関し、図１４の方が２０ｎｍ、図９の方が１２．５ｎｍと異なっている。したがって、両者の相違は、膜厚相違に基づく効果である、ということは少なくとも言える。
このように、本実施形態の有機ＥＬ装置では、第２の電極層２２の屈折率が１以上であるのみならず、その合金組成比率を適当に調整することにより、よりよい反射率低減効果が得られる。

以上、本発明に係る実施の形態について説明したが、本発明に係る発光装置は、上述した形態に限定されることはなく、各種の変形が可能である。
（１） 上述した実施の形態では、透明な第１の電極層１８が陽極、半透明半反射性の第２の電極層２２が陰極であるが、第１の電極層１８が陰極で第２の電極層２２が陽極であってもよい。
（２） 上述した実施の形態では、第１の電極層１８と反射層１２が別個の層であるが、第１の電極層１８を反射層と兼用してもよい。

（３） 上述した実施の形態に係る発光装置は、トップエミッションタイプであるが、本発明に係る発光装置は、ボトムエミッションタイプであってもよい。つまり反射層を発光機能層より基板から遠い層に配置し、半透明反射層を発光機能層より基板に近い層に配置してもよい。
（４） 上述した実施の形態に係る発光装置は、有機ＥＬ装置であるが、本発明に係る発光装置は、無機ＥＬ装置であってもよい。

（５） 上述の実施形態では、発光機能層２０が白色で発光するが、本発明は、かかる形態に限定されない。例えば、図１５に示すように、発光素子２Ｒ，２Ｇ，２Ｂにそれぞれ専用の発光機能層２０Ｒ，２０Ｇ，２０Ｂが設けられてもよい。これら発光機能層２０Ｒ，２０Ｇ，２０Ｂの各々は、隔壁１６の画素開口内に配置されている。発光機能層２０Ｒは赤色で発光し、発光機能層２０Ｇは緑色で発光し、発光機能層２０Ｂは青色で発光する。
そして、この形態でも、発光素子２Ｒ，２Ｇ，２Ｂに応じて、第１の電極層１８の厚さが異なっている。これは、上述の実施形態と同様、前述の式（４）乃至式（６）から算出される光学的距離ｄ₂、及び、式（８）乃至式（１０）により算出される光学的距離ｄ₁、を満たそうとするためである。

（６） 上述の実施形態では、前述の光学的距離ｄ₁及び光学的距離ｄ₂に満たすようにするため、実際上の積層構築物の厚さの調整は、第１の電極層１８の厚さの調整を通じて行われることが前提とされているが、本発明は、かかる形態に限定されない。
例えば、図１６に示すように、発光素子２Ｒ，２Ｇ，２Ｂの別に応じて、発光機能層２０Ｒ，２０Ｇ，２０Ｂの厚さを異ならせてもよい。あるいは、図１７に示すように、発光素子２Ｒ，２Ｇ，２Ｂの別に応じて、絶縁体透明層１４の厚さを異ならせてもよい。

＜応用＞
次に、本発明に係る有機ＥＬ装置を適用した電子機器について説明する。図１８は、上記実施形態に係る発光装置を画像表示装置に利用したモバイル型のパーソナルコンピュータの構成を示す斜視図である。パーソナルコンピュータ２０００は、画像表示装置としての有機ＥＬ装置１と本体部２０１０とを備える。本体部２０１０には、電源スイッチ２００１およびキーボード２００２が設けられている。
図１９に、上記実施形態に係る発光装置を適用した携帯電話機を示す。携帯電話機３０００は、複数の操作ボタン３００１およびスクロールボタン３００２、ならびに画像表示装置としての有機ＥＬ装置１を備える。スクロールボタン３００２を操作することによって、有機ＥＬ装置１に表示される画面がスクロールされる。
図２０に、上記実施形態に係る発光装置を適用した情報携帯端末（ＰＤＡ：Personal Digital Assistant）を示す。情報携帯端末４０００は、複数の操作ボタン４００１および電源スイッチ４００２、ならびに画像表示装置としての有機ＥＬ装置１を備える。電源スイッチ４００２を操作すると、住所録やスケジュール帳といった各種の情報が有機ＥＬ装置１に表示される。

本発明に係る有機ＥＬ装置が適用される電子機器としては、図１８から図２０に示したもののほか、デジタルスチルカメラ、テレビ、ビデオカメラ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳、電子ペーパー、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、ビデオプレーヤ、タッチパネルを備えた機器等が挙げられる。

本発明の実施の形態に係る発光装置の概略を示す断面図。 図１の発光装置において、カラーフィルタを通じて発光パネルの発光素子に向けて外光が到来したときの光の軌跡を簡略的に示す模式図。 その上方は、図１に示す第２の電極層の膜厚をパラメータとした場合における、当該電極層の屈折率と入射光波長との関係を示すグラフであり、その下方は、第２の電極層の膜厚をパラメータとした場合における、図１の発光装置における緑色光に関する反射率のシミュレーション結果を示すグラフ。 明細書において説明される式（４）乃至式（６）、式（８）乃至式（１０）に代入すべき値の一例を示す図。 図３、図６、図７に示す反射率算出シミュレーションの前提となるべき、図１に示す各層の厚さの組の一例を示す図。 第２の電極層の膜厚をパラメータとした場合における、図１の発光装置における青色光に関する反射率のシミュレーション結果を示すグラフ。 第２の電極層の膜厚をパラメータとした場合における、図１の発光装置における赤色光に関する反射率のシミュレーション結果を示すグラフ。 図３の下方（緑色光）、図６（青色光）及び図７（赤色光）のシミュレーション結果のうち、第２の電極層の膜厚がＴ２＝１２．５ｎｍである場合をまとめて示すグラフ。 図８に基づき求められる視感度特性としての反射率のシミュレーション結果を示すグラフ。 ＭｇＡｇの組成比率をパラメータとした場合における、第２電極層の屈折率と入射光波長との関係を示すグラフであって、当該層の膜厚が１２．５ｎｍである場合のグラフ。 ＭｇＡｇの組成比率をパラメータとした場合における、第２電極層の屈折率と入射光波長との関係を示すグラフであって、当該層の膜厚が２０ｎｍである場合のグラフ。 第２の電極層の合金組成比率をパラメータとした場合における、図１の発光装置における緑色光に関する反射率のシミュレーション結果を示すグラフ。 図１２の緑色光の場合のシミュレーション結果に加え、青色光及び赤色光のシミュレーション結果のうち、第２の電極層の膜厚が２０ｎｍである場合をまとめて示すグラフ。 図１３に基づき求められる視感度特性としての反射率のシミュレーション結果を示すグラフ。 本発明の実施の形態に係る発光装置の変形例（その１）の概略を示す断面図。 本発明の実施の形態に係る発光装置の変形例（その２）の概略を示す断面図。 本発明の実施の形態に係る発光装置の変形例（その３）の概略を示す断面図。 本発明に係る有機ＥＬ装置を適用した電子機器を示す斜視図。 本発明に係る有機ＥＬ装置を適用した他の電子機器を示す斜視図。 本発明に係る有機ＥＬ装置を適用したさらに他の電子機器を示す斜視図。

符号の説明

１…発光装置又は画像表示装置としての有機ＥＬ装置、２（２Ｒ，２Ｇ，２Ｂ）…発光素子、３…発光パネル、１０…基板、１２…反射層、１４…絶縁体透明層、１８（１８Ｒ，１８Ｇ，１８Ｂ）…第１の電極層、２０，２０Ｒ，２０Ｇ，２０Ｂ…発光機能層、２２…半透明半反射層としての第２の電極層、３０…カラーフィルタパネル、３６（３６Ｒ，３６Ｇ，３６Ｂ）…カラーフィルタ。

Claims (6)

1. 第１の電極層と、第２の電極層と、前記第１の電極及び前記第２の電極の間に配置された発光機能層とを有する発光素子と、
   前記発光機能層で発せられた光を前記発光機能層に向けて反射する反射層と、
   前記発光機能層を挟んで前記反射層の反対側に配置され、前記発光機能層で発せられた光の一部を前記発光機能層に向けて反射し、他の一部を透過させる半透明半反射層と、
   前記半透明反射層を挟んで前記発光機能層の反対側に配置され、前記半透明半反射層を透過した光を透過させるカラーフィルタと、
   を備え、
   前記半透明半反射層は、屈折率が１以上であり、
   前記半透明半反射層は所定の物理的な厚さｔ _z をもち、かつ、
   前記反射層の前記発光機能層側の界面から、前記半透明半反射層における前記反射層に対向する界面までの光学的距離が、式（２）で算出される光学的距離ｄ ₁ に基づいて定められることを特徴とする記載の発光装置。
   ｄ ₁ ＝（ｐ＋１／２）・λ／２−（φ ₁ −φ ₂ ）・λ／４π−ｎ _z ・ｔ _z … 式（２）
   ここで、λは前記カラーフィルタの透過率のピークに相当する波長であり、
   φ ₁ は、前記発光機能層とは反対側から前記半透明半反射層に進行する波長λの光が、
   前記半透明半反射層の前記発光機能層とは反対側の界面で反射するときの位相変化であり、
   φ ₂ は、前記発光機能層側から前記反射層に進行する波長λの光が、前記反射層で反射するときの位相変化であり、
   ｐは、正の整数であり、
   ｎ _z は前記半透明半反射層の波長λに関する屈折率である。
2. 前記半透明半反射層の屈折率は３以下であることを特徴とする、請求項１に記載の発光装置。
3. 前記半透明反射層の屈折率は２．５以下であることを特徴とする、請求項２に記載の発光装置。
4. 前記半透明半反射層は、少なくとも２種以上の単位元素からなる合金を含み、
   そのうちの１種の単位元素の組成比率の変化、及び、当該半透明半反射層の物理的厚さの変化に応じて、前記屈折率が変化する場合において、
   当該半透明半反射層の合金組成は、前記物理的厚さに応じ、又は、
   当該半透明半反射層の前記物理的厚さは、前記合金組成に応じて定められる、
   ことを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれか一項に記載の発光装置。
5. 前記半透明半反射層は、ＭｇＡｇを含む、
   ことを特徴とする請求項１乃至請求項４のいずれか一項に記載の発光装置。
6. 請求項１乃至請求項５のいずれか一項に記載の発光装置を備える、
   ことを特徴とする電子機器。

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