JP5167571B2 - 表示素子 - Google Patents
表示素子 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5167571B2 JP5167571B2 JP2005008548A JP2005008548A JP5167571B2 JP 5167571 B2 JP5167571 B2 JP 5167571B2 JP 2005008548 A JP2005008548 A JP 2005008548A JP 2005008548 A JP2005008548 A JP 2005008548A JP 5167571 B2 JP5167571 B2 JP 5167571B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- display element
- charge generation
- generation layer
- light emitting
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
- 229910052783 alkali metal Inorganic materials 0.000 claims description 41
- 150000001340 alkali metals Chemical class 0.000 claims description 41
- 229910052784 alkaline earth metal Inorganic materials 0.000 claims description 41
- 150000001342 alkaline earth metals Chemical class 0.000 claims description 41
- 239000011368 organic material Substances 0.000 claims description 25
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M Fluoride anion Chemical compound [F-] KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 24
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 claims description 20
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 claims description 18
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 17
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 claims description 13
- 239000002131 composite material Substances 0.000 claims description 10
- IEQIEDJGQAUEQZ-UHFFFAOYSA-N phthalocyanine Chemical group N1C(N=C2C3=CC=CC=C3C(N=C3C4=CC=CC=C4C(=N4)N3)=N2)=C(C=CC=C2)C2=C1N=C1C2=CC=CC=C2C4=N1 IEQIEDJGQAUEQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 125000002915 carbonyl group Chemical group [*:2]C([*:1])=O 0.000 claims description 6
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 claims description 5
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 5
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 125000004122 cyclic group Chemical group 0.000 claims description 4
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims description 4
- 125000003342 alkenyl group Chemical group 0.000 claims description 3
- 125000003545 alkoxy group Chemical group 0.000 claims description 3
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 claims description 3
- 125000003277 amino group Chemical group 0.000 claims description 3
- 125000001769 aryl amino group Chemical group 0.000 claims description 3
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 claims description 3
- 125000004093 cyano group Chemical group *C#N 0.000 claims description 3
- 125000004185 ester group Chemical group 0.000 claims description 3
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 claims description 3
- 125000000623 heterocyclic group Chemical group 0.000 claims description 3
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims description 3
- 125000004435 hydrogen atom Chemical class [H]* 0.000 claims description 3
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 claims description 3
- 125000002560 nitrile group Chemical group 0.000 claims description 3
- 125000000449 nitro group Chemical group [O-][N+](*)=O 0.000 claims description 3
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 125000004433 nitrogen atom Chemical group N* 0.000 claims description 3
- 125000003808 silyl group Chemical group [H][Si]([H])([H])[*] 0.000 claims description 3
- 125000001424 substituent group Chemical group 0.000 claims description 3
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 427
- 239000010408 film Substances 0.000 description 70
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 61
- 239000000463 material Substances 0.000 description 56
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 44
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 44
- 238000000034 method Methods 0.000 description 39
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 39
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 37
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 36
- PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M lithium fluoride Chemical compound [Li+].[F-] PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 22
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 16
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 14
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 description 14
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 11
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 11
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 10
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 9
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 9
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 8
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 8
- 239000000284 extract Substances 0.000 description 8
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 8
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 7
- TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K tri(quinolin-8-yloxy)alumane Chemical compound [Al+3].C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1 TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 7
- 229910052792 caesium Inorganic materials 0.000 description 6
- XJHCXCQVJFPJIK-UHFFFAOYSA-M caesium fluoride Chemical compound [F-].[Cs+] XJHCXCQVJFPJIK-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 6
- XCJYREBRNVKWGJ-UHFFFAOYSA-N copper(II) phthalocyanine Chemical compound [Cu+2].C12=CC=CC=C2C(N=C2[N-]C(C3=CC=CC=C32)=N2)=NC1=NC([C]1C=CC=CC1=1)=NC=1N=C1[C]3C=CC=CC3=C2[N-]1 XCJYREBRNVKWGJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 6
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 6
- WGLPBDUCMAPZCE-UHFFFAOYSA-N Trioxochromium Chemical compound O=[Cr](=O)=O WGLPBDUCMAPZCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 230000008859 change Effects 0.000 description 5
- 229910000423 chromium oxide Inorganic materials 0.000 description 5
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 5
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 5
- RBTKNAXYKSUFRK-UHFFFAOYSA-N heliogen blue Chemical compound [Cu].[N-]1C2=C(C=CC=C3)C3=C1N=C([N-]1)C3=CC=CC=C3C1=NC([N-]1)=C(C=CC=C3)C3=C1N=C([N-]1)C3=CC=CC=C3C1=N2 RBTKNAXYKSUFRK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 5
- STTGYIUESPWXOW-UHFFFAOYSA-N 2,9-dimethyl-4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline Chemical compound C=12C=CC3=C(C=4C=CC=CC=4)C=C(C)N=C3C2=NC(C)=CC=1C1=CC=CC=C1 STTGYIUESPWXOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- BVKZGUZCCUSVTD-UHFFFAOYSA-L Carbonate Chemical compound [O-]C([O-])=O BVKZGUZCCUSVTD-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 4
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 4
- TVFDJXOCXUVLDH-UHFFFAOYSA-N caesium atom Chemical compound [Cs] TVFDJXOCXUVLDH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 4
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 4
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 4
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 4
- JPJALAQPGMAKDF-UHFFFAOYSA-N selenium dioxide Chemical compound O=[Se]=O JPJALAQPGMAKDF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052714 tellurium Inorganic materials 0.000 description 4
- PORWMNRCUJJQNO-UHFFFAOYSA-N tellurium atom Chemical compound [Te] PORWMNRCUJJQNO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- GDTSJMKGXGJFGQ-UHFFFAOYSA-N 3,7-dioxido-2,4,6,8,9-pentaoxa-1,3,5,7-tetraborabicyclo[3.3.1]nonane Chemical compound O1B([O-])OB2OB([O-])OB1O2 GDTSJMKGXGJFGQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910001316 Ag alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000007983 Tris buffer Substances 0.000 description 3
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 3
- 238000011065 in-situ storage Methods 0.000 description 3
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 3
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 3
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 3
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 description 3
- 125000001637 1-naphthyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C2C(*)=C([H])C([H])=C([H])C2=C1[H] 0.000 description 2
- 229910004261 CaF 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N Orthosilicate Chemical compound [O-][Si]([O-])([O-])[O-] BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XHCLAFWTIXFWPH-UHFFFAOYSA-N [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[V+5].[V+5] Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[V+5].[V+5] XHCLAFWTIXFWPH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- REDXJYDRNCIFBQ-UHFFFAOYSA-N aluminium(3+) Chemical compound [Al+3] REDXJYDRNCIFBQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000004982 aromatic amines Chemical class 0.000 description 2
- DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N barium atom Chemical compound [Ba] DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 2
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 2
- 150000002222 fluorine compounds Chemical class 0.000 description 2
- 229910000078 germane Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- NJWNEWQMQCGRDO-UHFFFAOYSA-N indium zinc Chemical compound [Zn].[In] NJWNEWQMQCGRDO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YWXYYJSYQOXTPL-SLPGGIOYSA-N isosorbide mononitrate Chemical compound [O-][N+](=O)O[C@@H]1CO[C@@H]2[C@@H](O)CO[C@@H]21 YWXYYJSYQOXTPL-SLPGGIOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 2
- 229910000476 molybdenum oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- IBHBKWKFFTZAHE-UHFFFAOYSA-N n-[4-[4-(n-naphthalen-1-ylanilino)phenyl]phenyl]-n-phenylnaphthalen-1-amine Chemical compound C1=CC=CC=C1N(C=1C2=CC=CC=C2C=CC=1)C1=CC=C(C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C3=CC=CC=C3C=CC=2)C=C1 IBHBKWKFFTZAHE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910000484 niobium oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- URLJKFSTXLNXLG-UHFFFAOYSA-N niobium(5+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Nb+5].[Nb+5] URLJKFSTXLNXLG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QGLKJKCYBOYXKC-UHFFFAOYSA-N nonaoxidotritungsten Chemical compound O=[W]1(=O)O[W](=O)(=O)O[W](=O)(=O)O1 QGLKJKCYBOYXKC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PQQKPALAQIIWST-UHFFFAOYSA-N oxomolybdenum Chemical compound [Mo]=O PQQKPALAQIIWST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);tantalum(5+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ta+5].[Ta+5] BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052700 potassium Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000008569 process Effects 0.000 description 2
- 229910052701 rubidium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052712 strontium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 229910001936 tantalum oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000036962 time dependent Effects 0.000 description 2
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 2
- LENZDBCJOHFCAS-UHFFFAOYSA-N tris Chemical compound OCC(N)(CO)CO LENZDBCJOHFCAS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001930 tungsten oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910001935 vanadium oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 2
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 2
- 229910052845 zircon Inorganic materials 0.000 description 2
- GFQYVLUOOAAOGM-UHFFFAOYSA-N zirconium(iv) silicate Chemical compound [Zr+4].[O-][Si]([O-])([O-])[O-] GFQYVLUOOAAOGM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910000859 α-Fe Inorganic materials 0.000 description 2
- UWRZIZXBOLBCON-VOTSOKGWSA-N (e)-2-phenylethenamine Chemical class N\C=C\C1=CC=CC=C1 UWRZIZXBOLBCON-VOTSOKGWSA-N 0.000 description 1
- MGADZUXDNSDTHW-UHFFFAOYSA-N 2H-pyran Chemical compound C1OC=CC=C1 MGADZUXDNSDTHW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CFNMUZCFSDMZPQ-GHXNOFRVSA-N 7-[(z)-3-methyl-4-(4-methyl-5-oxo-2h-furan-2-yl)but-2-enoxy]chromen-2-one Chemical compound C=1C=C2C=CC(=O)OC2=CC=1OC/C=C(/C)CC1OC(=O)C(C)=C1 CFNMUZCFSDMZPQ-GHXNOFRVSA-N 0.000 description 1
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical compound C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 description 1
- 229910018068 Li 2 O Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910019015 Mg-Ag Inorganic materials 0.000 description 1
- ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N Potassium Chemical compound [K] ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001128 Sn alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910006404 SnO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- -1 V 2 O 5 or Re 2 O 7 Chemical class 0.000 description 1
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001297 Zn alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001515 alkali metal fluoride Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000272 alkali metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001618 alkaline earth metal fluoride Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000287 alkaline earth metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 description 1
- WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N antimony atom Chemical compound [Sb] WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HFACYLZERDEVSX-UHFFFAOYSA-N benzidine Chemical class C1=CC(N)=CC=C1C1=CC=C(N)C=C1 HFACYLZERDEVSX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052790 beryllium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 description 1
- JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N bismuth atom Chemical compound [Bi] JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 description 1
- 238000010549 co-Evaporation Methods 0.000 description 1
- 230000000536 complexating effect Effects 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- TXKMVPPZCYKFAC-UHFFFAOYSA-N disulfur monoxide Inorganic materials O=S=S TXKMVPPZCYKFAC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GNTDGMZSJNCJKK-UHFFFAOYSA-N divanadium pentaoxide Chemical compound O=[V](=O)O[V](=O)=O GNTDGMZSJNCJKK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000001495 ethyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 1
- 229910052730 francium Inorganic materials 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000007857 hydrazones Chemical class 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052747 lanthanoid Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002602 lanthanoids Chemical class 0.000 description 1
- FQHFBFXXYOQXMN-UHFFFAOYSA-M lithium;quinolin-8-olate Chemical compound [Li+].C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1 FQHFBFXXYOQXMN-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 238000001579 optical reflectometry Methods 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- CJJMLLCUQDSZIZ-UHFFFAOYSA-N oxobismuth Chemical class [Bi]=O CJJMLLCUQDSZIZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 230000035699 permeability Effects 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 239000011591 potassium Substances 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 239000000047 product Substances 0.000 description 1
- 238000006862 quantum yield reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052705 radium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 1
- 229910052702 rhenium Inorganic materials 0.000 description 1
- WUAPFZMCVAUBPE-UHFFFAOYSA-N rhenium atom Chemical compound [Re] WUAPFZMCVAUBPE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IGLNJRXAVVLDKE-UHFFFAOYSA-N rubidium atom Chemical compound [Rb] IGLNJRXAVVLDKE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 239000004071 soot Substances 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- CIOAGBVUUVVLOB-UHFFFAOYSA-N strontium atom Chemical compound [Sr] CIOAGBVUUVVLOB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XTQHKBHJIVJGKJ-UHFFFAOYSA-N sulfur monoxide Chemical compound S=O XTQHKBHJIVJGKJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- ODHXBMXNKOYIBV-UHFFFAOYSA-N triphenylamine Chemical compound C1=CC=CC=C1N(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 ODHXBMXNKOYIBV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000006617 triphenylamine group Chemical group 0.000 description 1
- 150000004961 triphenylmethanes Chemical class 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
- C09K11/06—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing organic luminescent materials
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
- H10K85/649—Aromatic compounds comprising a hetero atom
- H10K85/657—Polycyclic condensed heteroaromatic hydrocarbons
- H10K85/6572—Polycyclic condensed heteroaromatic hydrocarbons comprising only nitrogen in the heteroaromatic polycondensed ring system, e.g. phenanthroline or carbazole
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B33/00—Electroluminescent light sources
- H05B33/12—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/19—Tandem OLEDs
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
- H10K2102/301—Details of OLEDs
- H10K2102/302—Details of OLEDs of OLED structures
- H10K2102/3023—Direction of light emission
- H10K2102/3026—Top emission
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/805—Electrodes
- H10K50/82—Cathodes
- H10K50/828—Transparent cathodes, e.g. comprising thin metal layers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/30—Devices specially adapted for multicolour light emission
- H10K59/38—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising colour filters or colour changing media [CCM]
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/805—Electrodes
- H10K59/8052—Cathodes
- H10K59/80524—Transparent cathodes, e.g. comprising thin metal layers
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Description
(化1)
ただし、一般式(1)中において、R 1 〜R 6 は、それぞれ独立に、水素、ハロゲン、ヒドロキシル基、アミノ基、アリールアミノ基、炭素数20以下の置換あるいは無置換のカルボニル基、炭素数20以下の置換あるいは無置換のカルボニルエステル基、炭素数20以下の置換あるいは無置換のアルキル基、炭素数20以下の置換あるいは無置換のアルケニル基、炭素数20以下の置換あるいは無置換のアルコキシル基、炭素数30以下の置換あるいは無置換のアリール基、炭素数30以下の置換あるいは無置換の複素環基、ニトリル基、ニトロ基、シアノ基、またはシリル基から選ばれる置換基であり、隣接するR m (m=1〜6)は環状構造を通じて互いに結合してもよい。またX 1 〜X 6 は、それぞれ独立に炭素もしくは窒素原子である。
図1は、第1実施形態の表示素子の一構成例を示す断面図である。この図に示す表示素子10は、発光ユニットを積層してなるスタック型の表示素子10であり、基板12上に設けられた陽極13、この陽極13上に重ねて設けられた複数の発光ユニット14-1、14-2、…(ここでは2個)、これらの発光ユニット14-1,14-2間に設けられた電荷発生層15-0、そして最上層の発光ユニット14-2上に設けられた陰極16を備えている。
層)としてアルカリ金属およびアルカリ土類金属の少なくとも一方(少なくとも1種類の元素)を含むフッ化物を用いた層を設けることが好ましい。またさらには、電荷発生層15-0における陽極13側の界面に、中間陰極層として、導電性材料層を介して、アルカリ金属およびアルカリ土類金属の少なくとも一方を含むフッ化物を用いた層を設けることが好ましい。
図2は、第2実施形態の表示素子の一構成例を示す断面図である。この図に示す表示素子11と、図1を用いて説明した表示素子10との異なるところは、電荷発生層15の構成にあり、その他の構成は同様であることとする。以下、電荷発生層15を中心に、第2実施形態の表示素子11の構成を詳細に説明する。
図3は、第3実施形態の表示素子の一構成例を示す断面図である。この図に示す表示素子11’と、図1を用いて説明した表示素子10との異なるところは、電荷発生層15’の構成にあり、その他の構成は同様であることとする。以下、電荷発生層15’を中心に、第3実施形態の表示素子11’の構成を詳細に説明する。
図4は、第4実施形態の表示素子の一構成例を示す断面図である。この図に示す表示素子11”と、図1を用いて説明した表示素子10との異なるところは、電荷発生層15”の構成にあり、その他の構成は同様であることとする。以下、電荷発生層15”を中心に、第4実施形態の表示素子11”の構成を詳細に説明する。
<他の実施形態>
以上説明した第1〜第4実施形態の表示素子は、色変換膜と組み合わせることもできる。以下、第1実施形態で説明した図1の表示素子を例に取り、色変換膜を用いた表示素子の構成を説明するが、第2〜第4実施形態の表示素子についても同様に適用可能である。
各実施例1〜4では、図1を用いて説明した第1実施形態の表示素子10の構成において、電荷発生層15-0をそれぞれの材料及び積層構造とした各表示素子10を作製した。以下に先ず、実施例1〜4の表示素子10の製造手順を説明する。
図1を用いて説明した表示素子の構成において、電荷発生層15-0の構成を上記表8に示す構成とした表示素子を作製した。作製手順は、上述した実施例の作製手順において、電荷発生層15-0の形成工程のみを変更した手順とした。そして、各比較例1〜4の電荷発生層15-0の形成工程では、先ず、Li2SiO3からなる膜厚15Åの第1層を形成し、この上部にV2O5からなる各膜厚の第2層を形成した。
図1を用いて説明した表示素子の構成において、陽極13上に発光ユニット14-1を設け、さらに電荷発生層15-0を介することなく発光ユニット14-2を直接積層し、この上部に陰極16を設けた表示素子を作製した。作製手順は、上述した実施例の作製手順において電荷発生層15-0の形成のみを省いた手順とした。
図1を用いて説明した表示素子の構成において、陽極13上に発光ユニット14-1を設け、この発光ユニット14-1上に直接陰極16を設けたモノユニットの表示素子を作製した。作製手順は、上述した実施例の作製手順において、陽極13、発光ユニット14-1、陰極16aのみを同様の手順で形成した。
上記表8には、上述のようにして作製した実施例1〜4および比較例1〜6の表示素子の発光効率(Quantum Yield:Q/Y)を合わせて示した。この結果が示すように、比較例6のモノユニット構造に対して、実施例1〜4のどの表示素子においても発光効率が向上し、スタック型を形成している本発明における電荷発生層15-0の効果が確認できた。
各実施例5〜16では、図2を用いて説明した第2実施形態の表示素子11の構成において、電荷発生層15をそれぞれの材料及び積層構造とした各表示素子11を作製した。以下に先ず、実施例5〜16の表示素子11の製造手順を説明する。
実施例17,18では、実施例15の構成おいて、第1層目の発光ユニット14-1における正孔注入層14aとして、HI−406に換えてを表1の構造式(1)-10に示す有機化合物を15nmの膜厚で形成した。そして、第2層目の発光ユニット14-2における正孔注入層14aを形成せず、表1の構造式(1)-10からなる真性電荷発生層15bと共通化した構成の表示素子を作製した。ただし、電荷発生層15の構成は、表9に示す各膜厚とした。
実施例19,20では、図2を用いて説明した第1実施形態の表示素子11の構成において、基板12と反対側から発光光を取り出す上面発光型の表示素子を作製した。ここでは、上述した実施例5〜16の作製手順において、陽極13としてITOに換えて銀合金(膜厚約100nm)を形成し、さらに陰極16の第3層16cとしてAlに換えてIZO(インジウム亜鉛複合酸化物)を200nm形成した。そして、各電荷発生層15は、上記表9に示したように、実施例19は実施例5と同様、実施例20は実施例13と同様に形成した。
実施例21,22では、図3を用いて説明した第3実施形態の表示素子11’の構成において、電荷発生層15’をそれぞれの材料及び積層構造とした各表示素子11’を作製した。これらの実施例21,22では、上述した実施例5〜16の作製手順において、電荷発生層15’の構成を下記表10に示す構成に変更したこと以外は、実施例5〜16と同様の手順で透過型の表示素子11’を作製した。すなわち、実施例21,22においては、電荷発生層15’を3層構造とし、LiFからなるフッ化物層15a-1上に、MgAg(組成比10:1)膜からなる導電性材料層15a-2を積層させ、さらにV2O5からなる真性電荷発生層15bを積層させた。各層の膜厚は、表10に示したとおりである。
実施例23,24では、図3を用いて説明した第3実施形態の表示素子11’の構成において、基板12と反対側から発光光を取り出す上面発光型の表示素子を作製した。ここでは、上述した実施例21,22の作製手順において、陽極13としてITOに換えて銀合金(膜厚約100nm)を形成し、さらに陰極16の第3層16cとしてAlに換えてIZO(インジウム亜鉛複合酸化物)を200nm形成した。そして、各電荷発生層15’は、上記表10に示したように、実施例23は実施例21と同様、実施例24は実施例22と同様に形成した。
図3を用いて説明した表示素子の構成において、陽極13上に発光ユニット14-1を設け、この発光ユニット14-1上に直接陰極16を設けたモノユニットの表示素子を作製した。作製手順は、上述した実施例5〜16の作製手順において、陽極13、発光ユニット14-1、陰極16のみを同様の手順で形成した。
図3を用いて説明した表示素子の構成において、陽極13上に発光ユニット14-1を設け、さらに電荷発生層15’を介することなく発光ユニット14-2を直接積層し、この上部に陰極16を設けた表示素子を作製した。作製手順は、上述した実施例5〜16の作製手順において電荷発生層15の形成のみを省いた手順とした。
図3を用いて説明した表示素子の構成において、電荷発生層15’の構成を上記表10に示す構成とした表示素子を作製した。作製手順は、上述した実施例5〜16の作製手順と同様とした。ただし、比較例9では、電荷発生層15’の形成において、真性電荷発生層15bのみをV2O5を120Åの膜厚で蒸着した。また比較例10,11では、電荷発生層15’の形成において、中間陰極層15a’としてLiFをそれぞれの膜厚で形成し、次いで真性電荷発生層15bとしてV2O5を120Åの膜厚で蒸着した。
比較例7で作製したモノユニット型の表示素子の構成において、基板12と反対側から発光光を取り出す上面発光型の表示素子を作製した。ここでは、比較例7で説明した表示素子の作製手順において、陽極13としてAg合金(膜厚約100nm)を形成したことと、陰極16の第3層16cとしてIZO(インジウム亜鉛複合酸化物)を200nm形成したこと以外は、比較例7と同様の手順で表示素子を作製した。
図9には、上述のようにして作製した実施例5および実施例14、比較例7〜11の表示素子の発光効率を示した。このグラフに示すように、比較例7のモノユニット型の発光素子の発光効率に対して、実施例5,14の表示素子では、その発光効率が2倍になった。また、他の実施例6〜13,15〜24においても、透過型、上面発光型、特に実施例15,16のような構造式(1)-10の有機化合物を用いたことで一部の正孔注入層14aを省略した構成であっても、比較例7のモノニット型の発光素子の発光効率に対して、その発光効率が2倍になった。これにより、スタック型を形成している本発明における電荷発生層15,15’の効果が確認できた。
図10には、以上のようにして作製した実施例19と比較例12の表示素子について、初期輝度を3000cd/m2として寿命測定を行った結果を示した。この結果から、上面発光型の素子構成においても、比較例12のモノユニット型の表示素子に対して、実施例19で作製したスタック型の表示素子における半減寿命が大きく改善され、長期信頼性の向上に効果的であることが確認された。
図11には、以上のようにして作製した実施例15と比較例7の表示素子について、初期輝度を1500cd/m2、Duty50、室温保持として寿命測定を行った結果を示した。この結果から、構造式(1)-10に代表される有機化合物を用いて真性電荷発生層15bを形成した表示素子であっても、比較例7のモノユニット型の表示素子に対して、実施例15で作製したスタック型の表示素子における半減寿命が2倍以上改善され、長期信頼性の向上に効果的であることが確認された。その理由は、それぞれの素子に対しての加速定数によるものであり、加速定数は一般的に1以上を示すことから、効率が2倍に改善されれば、寿命は2倍以上の改善が期待でき、本結果もその様に得られている。
実施例25〜36では、図4を用いて説明した第4実施形態の表示素子11”の構成において、電荷発生層15”をそれぞれの材料及び積層構造とした各表示素子11’を作製した。これらの実施例25〜36では、上述した実施例5〜16の作製手順において、電荷発生層15”の構成を下記表11に示す構成に変更したこと以外は、実施例5〜16と同様の手順で透過型の表示素子11’を作製した。
比較例13では、比較例7と同様に、陽極13、発光ユニット14-1、陰極16のみを形成したモノユニット型の表示素子を作製した。ただし、陰極16は、実施例27の電荷発生層15”と同様の構成とした。すなわち、陰極16の構成は、第1層16a/第2層16b/第3層16c=LiF(約0.3nm)/Alq3+Mg(5%)(5nm)/Al(20nm)とした。これにより、基板12側から光を取り出す透過型の表示素子11”を得た。
比較例14では、比較例13の構成において、陰極16を、実施例28の電荷発生層15”と同様の構成とした。すなわち、陰極16の構成は、第1層16a/第2層16b/第3層16c=LiF(約0.3nm)/Alq3+Ca(5%)(5nm)/Al(20nm)とした。これにより、基板12側から光を取り出す透過型の表示素子11”を得た。
図12には、以上のようにして作製した実施例27と比較例13の表示素子について、電流密度を125mA/cm2とした時の、Duty50、室温測定時における寿命特性を行った結果を示す。尚、この場合、初期輝度は比較例13に対して実施例27は約2倍であった。そして、図12に示すように、実施例27の表示素子の初期輝度に対する半減寿命が、比較例13の表示素子の初期輝度に対する半減寿命と同程度以上であることから、実施例27の構成は比較例13よりも、2倍以上の効率改善の効果が得られていることになる。したがって、実施例27のように、陽極13側から順に、アルカリ金属およびアルカリ土類金属の少なくとも一方(Mg)と有機材料(Alq3)との混合層と、構造式(1)-10に代表される有機化合物からなる真性電荷発生層15bとを積層してなる電荷発生層15”を設けたスタック構造の表示素子における寿命及び効率の改善が確認された。
実施例37〜58では、図7を用いて説明した透過型の各表示素子11c,11c’,11c”を作製した。これらの実施例37〜58の作製においては、先ず、30mm×30mmのガラス板からなる基板12上に、青色波長の励起光源を赤色波長へ変換する色変換膜18a、青色波長の励起光源を緑色へと変換する色変換膜18b、をパターニングしてなる色変換層18を、公知の技術であるフォトリソグラフィ技術を用いて形成した。
図7を用いて説明した表示素子の構成において、基板12と陽極13との間に色変換層18を設け、この陽極13上に発光ユニット14-1を設け、この発光ユニット14-1上に直接陰極16を設けたモノユニットの表示素子を作製した。作製手順は、実施例37〜58の作製手順において、色変換層18、陽極13、発光ユニット14-1、陰極16のみを同様の手順で形成した。
図13には、上述のようにして作製した実施例50および比較例15の表示素子の発光効率を示した。このグラフに示すように、比較例15のモノユニット型の発光素子の発光効率に対して、実施例50の表示素子では、その発光効率が2倍になった。また、他の実施例45〜58においても、比較例15のモノニット型の発光素子の発光効率に対して、その発光効率が2倍になった。これにより、色変換層18を用いた場合であっても、スタック型を形成している本発明における電荷発生層15〜15”の効果が確認できた。
実施例59では、図5を用いて説明した上面発光型の各表示素子11c”を作製した。こでは、上述した実施例50の作製手順において、陽極13としてITOに換えてクロム(Cr:膜厚約100nm)を形成し、さらに陰極16の第3層16cとしてAlに換えてIZO(インジウム亜鉛複合酸化物)を200nm形成し、陰極16側から光を取り出す構成として。また、色変換層18は、陰極16上に形成した。
実施例59に対応するモノユニット型の表示素子を作製した。
図14には、以上のようにして作製した実施例59と比較例16の表示素子について、初期輝度を3000cd/m2として寿命測定を行った結果を示した。この結果から、上面発光型の素子構成においても、比較例16のモノユニット型の表示素子に対して、実施例59で作製したスタック型の表示素子における半減寿命が大きく改善され、長期信頼性の向上に効果的であることが確認された。
Claims (9)
- 陰極と陽極との間に、少なくとも有機発光層を含む発光ユニットが複数個積層され、当該各発光ユニット間に複数層からなる電荷発生層が挟持された表示素子において、
前記電荷発生層は、
下記一般式(1)で示される有機化合物を含む真性電荷発生層と、
前記真性電荷発生層に接すると共に前記陽極側の界面に設けられ、アルカリ金属およびアルカリ土類金属の少なくとも一方を含むフッ化物を用いた中間陰極層と
を備えた表示素子。
- 請求項1記載の表示素子において、
前記中間陰極層は、導電性材料層と、当該導電性材料層における前記陽極側に配置されたアルカリ金属およびアルカリ土類金属の少なくとも一方を含むフッ化物からなる層とで構成されている、表示素子。 - 請求項2記載の表示素子において、
前記導電性材料層がマグネシウム、銀、およびアルミニウムの少なくとも1つを含む、表示素子。 - 請求項1記載の表示素子において
前記中間陰極層は、絶縁性材料層と、当該絶縁性材料層における前記陽極側に配置されたアルカリ金属およびアルカリ土類金属の少なくとも一方を含むフッ化物からなる層とで構成されている、表示素子。 - 請求項4記載の表示素子において、
前記絶縁性材料層がアルカリ金属およびアルカリ土類金属の少なくとも一方の少なくとも一方を含む酸化物を含む、表示素子。 - 請求項1記載の表示素子において、
前記中間陰極層は、アルカリ金属およびアルカリ土類金属のうちの少なくとも1つの元素および電子輸送性を備えた有機材料を混合した混合層と、アルカリ金属およびアルカリ土類金属の少なくとも一方を含むフッ化物からなる層とが前記陽極側から順に配置されている、表示素子。 - 請求項1記載の表示素子において、
前記電荷発生層における前記陰極側の界面にはフタロシアニン骨格を有する有機材料を用いて構成される中間陽極層が設けられている、表示素子。 - 請求項1記載の表示素子において、
前記中間陰極層に接する前記電荷発生層部分は絶縁性である、表示素子。 - 請求項8記載の表示素子において、
前記中間陰極層に接する前記電荷発生層部分は、アルカリ金属およびアルカリ土類金属の少なくとも一方を含む酸化物または複合酸化物を含む、表示素子。
Priority Applications (9)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005008548A JP5167571B2 (ja) | 2004-02-18 | 2005-01-17 | 表示素子 |
US10/597,981 US7736754B2 (en) | 2004-02-18 | 2005-02-18 | Display device |
CNB2005800116736A CN100482019C (zh) | 2004-02-18 | 2005-02-18 | 显示元件 |
KR1020127000027A KR101212848B1 (ko) | 2004-02-18 | 2005-02-18 | 표시 소자 |
KR1020127000026A KR101212851B1 (ko) | 2004-02-18 | 2005-02-18 | 표시 소자 |
EP05710680.9A EP1718120B1 (en) | 2004-02-18 | 2005-02-18 | Display element |
TW094104936A TWI268118B (en) | 2004-02-18 | 2005-02-18 | Display element |
PCT/JP2005/003080 WO2005076753A2 (ja) | 2004-02-18 | 2005-02-18 | 表示素子 |
KR1020067016534A KR101174530B1 (ko) | 2004-02-18 | 2006-08-17 | 표시 소자 |
Applications Claiming Priority (9)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004040927 | 2004-02-18 | ||
JP2004040927 | 2004-02-18 | ||
JP2004040928 | 2004-02-18 | ||
JP2004040928 | 2004-02-18 | ||
JP2004153204 | 2004-05-24 | ||
JP2004153204 | 2004-05-24 | ||
JP2004334193 | 2004-11-18 | ||
JP2004334193 | 2004-11-18 | ||
JP2005008548A JP5167571B2 (ja) | 2004-02-18 | 2005-01-17 | 表示素子 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011198691A Division JP2011249349A (ja) | 2004-02-18 | 2011-09-12 | 表示素子 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2006173550A JP2006173550A (ja) | 2006-06-29 |
JP5167571B2 true JP5167571B2 (ja) | 2013-03-21 |
Family
ID=34865459
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005008548A Expired - Lifetime JP5167571B2 (ja) | 2004-02-18 | 2005-01-17 | 表示素子 |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7736754B2 (ja) |
EP (1) | EP1718120B1 (ja) |
JP (1) | JP5167571B2 (ja) |
KR (3) | KR101212848B1 (ja) |
CN (1) | CN100482019C (ja) |
TW (1) | TWI268118B (ja) |
WO (1) | WO2005076753A2 (ja) |
Families Citing this family (92)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8951645B2 (en) | 2004-04-09 | 2015-02-10 | Lg Chem, Ltd. | Stacked organic light emitting device having high efficiency and high brightness |
JP4461367B2 (ja) * | 2004-05-24 | 2010-05-12 | ソニー株式会社 | 表示素子 |
JP4565921B2 (ja) * | 2004-07-30 | 2010-10-20 | 三洋電機株式会社 | 有機エレクトロルミネッセント素子及び有機エレクトロルミネッセント表示装置 |
JP4565922B2 (ja) * | 2004-07-30 | 2010-10-20 | 三洋電機株式会社 | 有機エレクトロルミネッセント素子及び有機エレクトロルミネッセント表示装置 |
TWI382079B (zh) * | 2004-07-30 | 2013-01-11 | Sanyo Electric Co | 有機電場發光元件及有機電場發光顯示裝置 |
JP2006066379A (ja) * | 2004-07-30 | 2006-03-09 | Sanyo Electric Co Ltd | 有機エレクトロルミネッセント素子及び有機エレクトロルミネッセント表示装置 |
JP4785386B2 (ja) * | 2005-01-31 | 2011-10-05 | 三洋電機株式会社 | 有機エレクトロルミネッセント素子及び有機エレクトロルミネッセント表示装置 |
JP4578215B2 (ja) * | 2004-11-30 | 2010-11-10 | 三洋電機株式会社 | 有機エレクトロルミネッセント素子及び有機エレクトロルミネッセント表示装置 |
JP4434872B2 (ja) * | 2004-07-30 | 2010-03-17 | 三洋電機株式会社 | 有機エレクトロルミネッセント素子及び有機エレクトロルミネッセント表示装置 |
EP1653529B1 (en) * | 2004-10-11 | 2007-11-21 | Samsung SDI Co., Ltd. | Organic electroluminescent device and method of manufacturing the same |
US7494722B2 (en) * | 2005-02-23 | 2009-02-24 | Eastman Kodak Company | Tandem OLED having an organic intermediate connector |
US8487527B2 (en) | 2005-05-04 | 2013-07-16 | Lg Display Co., Ltd. | Organic light emitting devices |
US7777407B2 (en) | 2005-05-04 | 2010-08-17 | Lg Display Co., Ltd. | Organic light emitting devices comprising a doped triazine electron transport layer |
US7750561B2 (en) | 2005-05-20 | 2010-07-06 | Lg Display Co., Ltd. | Stacked OLED structure |
US7811679B2 (en) | 2005-05-20 | 2010-10-12 | Lg Display Co., Ltd. | Display devices with light absorbing metal nanoparticle layers |
JP4596976B2 (ja) * | 2005-05-20 | 2010-12-15 | 株式会社 日立ディスプレイズ | 有機発光表示装置 |
US7728517B2 (en) * | 2005-05-20 | 2010-06-01 | Lg Display Co., Ltd. | Intermediate electrodes for stacked OLEDs |
US7795806B2 (en) | 2005-05-20 | 2010-09-14 | Lg Display Co., Ltd. | Reduced reflectance display devices containing a thin-layer metal-organic mixed layer (MOML) |
US7943244B2 (en) | 2005-05-20 | 2011-05-17 | Lg Display Co., Ltd. | Display device with metal-organic mixed layer anodes |
EP1724852A3 (en) | 2005-05-20 | 2010-01-27 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting element, light emitting device, and electronic device |
US20070001590A1 (en) * | 2005-06-29 | 2007-01-04 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Light source using organic electroluminescent device |
JP4785509B2 (ja) * | 2005-11-30 | 2011-10-05 | 三洋電機株式会社 | 有機エレクトロルミネッセント素子及び有機エレクトロルミネッセント表示装置 |
JP2007123611A (ja) * | 2005-10-28 | 2007-05-17 | Sanyo Electric Co Ltd | 有機エレクトロルミネッセント素子及び有機エレクトロルミネッセント表示装置 |
US20070103066A1 (en) * | 2005-11-04 | 2007-05-10 | D Andrade Brian W | Stacked OLEDs with a reflective conductive layer |
JP4673279B2 (ja) * | 2005-12-20 | 2011-04-20 | 三星モバイルディスプレイ株式會社 | 有機発光表示素子及びその製造方法 |
KR100730190B1 (ko) * | 2005-12-20 | 2007-06-19 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기 발광 표시 소자 및 이의 제조방법 |
KR20080095244A (ko) | 2006-02-07 | 2008-10-28 | 스미또모 가가꾸 가부시키가이샤 | 유기 전계 발광 소자 |
KR100774200B1 (ko) * | 2006-04-13 | 2007-11-08 | 엘지전자 주식회사 | 유기 el 소자 및 그 제조방법 |
CN101931056B (zh) | 2006-06-01 | 2014-07-09 | 株式会社半导体能源研究所 | 发光元件、发光器件和电子器件 |
JP2007329054A (ja) * | 2006-06-08 | 2007-12-20 | Toppoly Optoelectronics Corp | 画像表示装置 |
KR100881455B1 (ko) * | 2006-08-14 | 2009-02-06 | 주식회사 잉크테크 | 유기전계발광소자 및 이의 제조방법 |
JP5237541B2 (ja) * | 2006-09-21 | 2013-07-17 | パナソニック株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
DE102006051745B4 (de) * | 2006-09-28 | 2024-02-08 | OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung | LED-Halbleiterkörper und Verwendung eines LED-Halbleiterkörpers |
US9397308B2 (en) * | 2006-12-04 | 2016-07-19 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting element, light emitting device, and electronic device |
KR101407574B1 (ko) | 2007-01-12 | 2014-06-17 | 삼성디스플레이 주식회사 | 백색 유기 발광 소자 |
US9000419B2 (en) * | 2007-02-19 | 2015-04-07 | Dai Nippon Printing Co., Ltd | Organic electroluminescence element |
KR20080082134A (ko) * | 2007-03-07 | 2008-09-11 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기전계발광표시장치 및 그 제조방법 |
KR20080083881A (ko) * | 2007-03-13 | 2008-09-19 | 삼성전자주식회사 | 색 조절층을 구비한 백색 유기발광소자 |
KR101316752B1 (ko) * | 2007-05-31 | 2013-10-08 | 삼성디스플레이 주식회사 | 백색 유기발광소자 |
US8080937B2 (en) * | 2007-11-12 | 2011-12-20 | Universal Display Corporation | OLED having a charge transport enhancement layer |
KR20090092051A (ko) | 2008-02-26 | 2009-08-31 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 유기전계발광소자 및 그의 제조방법 |
EP2299786B1 (en) * | 2008-05-16 | 2014-03-26 | LG Chem, Ltd. | Stacked organic light-emitting diode |
JP5476061B2 (ja) | 2008-07-30 | 2014-04-23 | パナソニック株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子及びその製造方法 |
KR101352290B1 (ko) * | 2008-09-30 | 2014-01-16 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기발광다이오드 표시소자 |
JP2010092741A (ja) * | 2008-10-08 | 2010-04-22 | Panasonic Electric Works Co Ltd | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
KR101097454B1 (ko) * | 2009-02-16 | 2011-12-23 | 네오뷰코오롱 주식회사 | Oled 패널의 화소 회로, 이를 이용한 표시 장치 및 oled 패널의 구동 방법 |
JP2010192719A (ja) * | 2009-02-19 | 2010-09-02 | Yamagata Promotional Organization For Industrial Technology | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
JP5434159B2 (ja) * | 2009-03-12 | 2014-03-05 | セイコーエプソン株式会社 | 発光素子、発光装置、表示装置および電子機器 |
JP5229026B2 (ja) * | 2009-03-16 | 2013-07-03 | セイコーエプソン株式会社 | 発光素子、発光装置、表示装置および電子機器 |
US8836337B2 (en) | 2009-06-05 | 2014-09-16 | Beijing Visionox Technology Co., Ltd. | Organic electroluminescence device and testing method thereof |
JP2010287484A (ja) | 2009-06-12 | 2010-12-24 | Sony Corp | 有機発光素子、並びにこれを備えた表示装置および照明装置 |
US8987726B2 (en) | 2009-07-23 | 2015-03-24 | Kaneka Corporation | Organic electroluminescent element |
CN102484921A (zh) * | 2009-07-23 | 2012-05-30 | 株式会社钟化 | 有机电致发光元件 |
JP5054737B2 (ja) * | 2009-08-05 | 2012-10-24 | 財団法人山形県産業技術振興機構 | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
WO2011046166A1 (ja) * | 2009-10-14 | 2011-04-21 | コニカミノルタホールディングス株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子およびこれを用いた照明装置 |
WO2011057461A1 (zh) * | 2009-11-13 | 2011-05-19 | 北京维信诺科技有限公司 | 有机材料及采用该材料的有机电致发光器件 |
KR101094282B1 (ko) * | 2009-12-04 | 2011-12-19 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 유기 발광 장치 |
JP5407907B2 (ja) | 2010-01-29 | 2014-02-05 | ソニー株式会社 | 発光素子、照明装置および表示装置 |
JP5407909B2 (ja) | 2010-01-29 | 2014-02-05 | ソニー株式会社 | 発光素子、照明装置および表示装置 |
TWI506121B (zh) * | 2010-03-31 | 2015-11-01 | Semiconductor Energy Lab | 發光元件,發光裝置,電子裝置以及照明裝置 |
US9184414B2 (en) | 2010-04-22 | 2015-11-10 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | Organic electroluminescent element and lighting device |
US8633475B2 (en) | 2010-07-16 | 2014-01-21 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | Organic electroluminescence device and a method for producing the device |
CN103222073B (zh) * | 2010-08-03 | 2017-03-29 | 财团法人工业技术研究院 | 发光二极管芯片、发光二极管封装结构、及用以形成上述的方法 |
KR101871289B1 (ko) * | 2010-11-09 | 2018-08-02 | 코닌클리케 필립스 엔.브이. | 유기 전계발광 소자 |
JP2012195054A (ja) * | 2011-03-14 | 2012-10-11 | Idemitsu Kosan Co Ltd | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
JP2012204110A (ja) * | 2011-03-24 | 2012-10-22 | Sony Corp | 表示素子および表示装置ならびに電子機器 |
JP2012204256A (ja) | 2011-03-28 | 2012-10-22 | Sony Corp | 発光素子、照明装置および表示装置 |
CN103460805B (zh) | 2011-03-31 | 2016-02-24 | 松下电器产业株式会社 | 有机电致发光元件 |
KR101764450B1 (ko) * | 2011-07-05 | 2017-08-02 | 가부시키가이샤 제이올레드 | 유기 el소자 및 그 제조 방법 |
US10411212B2 (en) | 2011-10-04 | 2019-09-10 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | Organic electroluminescent element |
CN102542926B (zh) * | 2011-12-23 | 2013-11-06 | 彩虹集团公司 | 有机光伏电致发光联用的显示器件及其制备方法 |
DE102012203466B4 (de) * | 2012-03-06 | 2021-10-28 | Pictiva Displays International Limited | Organisches licht emittierendes bauelement |
DE102012204327A1 (de) | 2012-03-19 | 2013-09-19 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements |
EP2833429B1 (en) | 2012-03-29 | 2019-09-18 | JOLED, Inc. | Organic electroluminescence element |
EP2833700A4 (en) | 2012-03-29 | 2015-11-18 | Sony Corp | ORGANIC ELECTROLUMINESCENCE ELEMENT |
CN103855317B (zh) * | 2012-11-30 | 2016-01-27 | 海洋王照明科技股份有限公司 | 一种有机电致发光器件及其制备方法 |
CN104037326A (zh) * | 2013-03-06 | 2014-09-10 | 海洋王照明科技股份有限公司 | 一种叠层有机电致发光器件及其制备方法 |
CN104183755A (zh) * | 2013-05-22 | 2014-12-03 | 海洋王照明科技股份有限公司 | 白光有机电致发光器件及其制备方法 |
CN104183724A (zh) * | 2013-05-22 | 2014-12-03 | 海洋王照明科技股份有限公司 | 有机电致发光器件及其制作方法 |
CN104183768A (zh) * | 2013-05-22 | 2014-12-03 | 海洋王照明科技股份有限公司 | 有机电致发光器件及其制作方法 |
KR102317991B1 (ko) * | 2014-11-28 | 2021-10-27 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기발광 표시장치 |
CN104466023B (zh) * | 2014-12-24 | 2017-10-17 | 京东方科技集团股份有限公司 | 层叠式有机发光二极体及其制备方法和显示装置 |
KR102382025B1 (ko) * | 2015-03-04 | 2022-04-04 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
KR102410499B1 (ko) * | 2015-11-30 | 2022-06-16 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기발광 표시장치 |
KR102480088B1 (ko) | 2016-03-17 | 2022-12-23 | 삼성디스플레이 주식회사 | 양자점 발광 소자 |
CN107946343A (zh) * | 2017-11-15 | 2018-04-20 | 江苏集萃有机光电技术研究所有限公司 | 像素结构及oled面板 |
US10892297B2 (en) | 2017-11-27 | 2021-01-12 | Seoul Viosys Co., Ltd. | Light emitting diode (LED) stack for a display |
US10892296B2 (en) | 2017-11-27 | 2021-01-12 | Seoul Viosys Co., Ltd. | Light emitting device having commonly connected LED sub-units |
US11552057B2 (en) | 2017-12-20 | 2023-01-10 | Seoul Viosys Co., Ltd. | LED unit for display and display apparatus having the same |
US11476236B2 (en) * | 2018-11-07 | 2022-10-18 | Seoul Viosys Co., Ltd. | Display apparatus |
US11587914B2 (en) | 2019-05-14 | 2023-02-21 | Seoul Viosys Co., Ltd. | LED chip and manufacturing method of the same |
KR102331370B1 (ko) | 2020-01-08 | 2021-11-26 | 삼성디스플레이 주식회사 | 발광 소자, 이의 제조 방법 및 이를 포함한 장치 |
Family Cites Families (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3229079B2 (ja) | 1992-08-14 | 2001-11-12 | 旭化成株式会社 | 有機膜素子 |
JP3529543B2 (ja) * | 1995-04-27 | 2004-05-24 | パイオニア株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
JPH10321376A (ja) * | 1997-03-19 | 1998-12-04 | Minolta Co Ltd | 有機エレクトロルミネセンス素子 |
JP3874134B2 (ja) | 1997-12-15 | 2007-01-31 | ソニー株式会社 | 有機電界発光素子及びテトラアミン誘導体 |
US6492041B2 (en) * | 1997-12-25 | 2002-12-10 | Nec Corporation | Organic electroluminescent device having high efficient luminance |
US6656608B1 (en) * | 1998-12-25 | 2003-12-02 | Konica Corporation | Electroluminescent material, electroluminescent element and color conversion filter |
JP2000223273A (ja) * | 1999-01-27 | 2000-08-11 | Tdk Corp | 有機el素子 |
US6278236B1 (en) | 1999-09-02 | 2001-08-21 | Eastman Kodak Company | Organic electroluminescent devices with electron-injecting layer having aluminum and alkali halide |
US6245471B1 (en) * | 2000-04-12 | 2001-06-12 | Lexmark International, Inc. | Charge generation layers comprising at least one titanate and photoconductors including the same |
JP4611578B2 (ja) * | 2001-07-26 | 2011-01-12 | 淳二 城戸 | 有機エレクトロルミネッセント素子 |
AU2002366136A1 (en) * | 2001-11-22 | 2003-06-10 | Canon Kabushiki Kaisha | Light-emitting element, production method thereof, and light-emitting apparatus |
JP2003264085A (ja) * | 2001-12-05 | 2003-09-19 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 有機半導体素子、有機エレクトロルミネッセンス素子及び有機太陽電池 |
JP4394331B2 (ja) * | 2002-02-05 | 2010-01-06 | シャープ株式会社 | 有機el素子 |
JP3837344B2 (ja) * | 2002-03-11 | 2006-10-25 | 三洋電機株式会社 | 光学素子およびその製造方法 |
JP3933591B2 (ja) * | 2002-03-26 | 2007-06-20 | 淳二 城戸 | 有機エレクトロルミネッセント素子 |
TWI272874B (en) * | 2002-08-09 | 2007-02-01 | Semiconductor Energy Lab | Organic electroluminescent device |
-
2005
- 2005-01-17 JP JP2005008548A patent/JP5167571B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 2005-02-18 TW TW094104936A patent/TWI268118B/zh active
- 2005-02-18 US US10/597,981 patent/US7736754B2/en active Active
- 2005-02-18 WO PCT/JP2005/003080 patent/WO2005076753A2/ja active Application Filing
- 2005-02-18 CN CNB2005800116736A patent/CN100482019C/zh not_active Expired - Lifetime
- 2005-02-18 KR KR1020127000027A patent/KR101212848B1/ko active IP Right Grant
- 2005-02-18 KR KR1020127000026A patent/KR101212851B1/ko active IP Right Grant
- 2005-02-18 EP EP05710680.9A patent/EP1718120B1/en not_active Expired - Lifetime
-
2006
- 2006-08-17 KR KR1020067016534A patent/KR101174530B1/ko active IP Right Grant
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR101212851B1 (ko) | 2012-12-14 |
US7736754B2 (en) | 2010-06-15 |
KR20120013463A (ko) | 2012-02-14 |
KR101174530B1 (ko) | 2012-08-16 |
EP1718120B1 (en) | 2019-04-17 |
KR20120014230A (ko) | 2012-02-16 |
TWI268118B (en) | 2006-12-01 |
EP1718120A2 (en) | 2006-11-02 |
WO2005076753A3 (ja) | 2005-10-06 |
EP1718120A4 (en) | 2011-05-18 |
JP2006173550A (ja) | 2006-06-29 |
KR20070004630A (ko) | 2007-01-09 |
WO2005076753A2 (ja) | 2005-08-25 |
CN100482019C (zh) | 2009-04-22 |
US20070181887A1 (en) | 2007-08-09 |
CN1943277A (zh) | 2007-04-04 |
TW200539733A (en) | 2005-12-01 |
KR101212848B1 (ko) | 2012-12-14 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5167571B2 (ja) | 表示素子 | |
JP4461367B2 (ja) | 表示素子 | |
JP4898560B2 (ja) | 有機発光装置 | |
TWI480358B (zh) | 有機電場發光元件 | |
JP4792828B2 (ja) | 表示素子 | |
JP5258166B2 (ja) | 発光素子、その発光素子を備えた発光装置及びその製造方法 | |
JP2006135146A (ja) | 表示素子用有機材料および表示素子 | |
KR100903542B1 (ko) | 유기 el 소자 | |
JP2007123865A (ja) | 有機電界発光素子 | |
JP2006302879A (ja) | 発光素子、その発光素子を備えた発光装置及びその製造方法 | |
JP2012049088A (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス素子、及び有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法 | |
JP2006273737A (ja) | アミノスチリル化合物、有機電界発光素子、および表示装置 | |
JP2006041395A (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス素子 | |
JP2010027885A (ja) | 有機電界発光素子 | |
JP2006294895A (ja) | 有機電界発光素子 | |
JP2005011734A (ja) | 表示素子および表示装置 | |
JP4954623B2 (ja) | 発光装置 | |
JP5791129B2 (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス素子及び有機エレクトロルミネッセンス照明装置 | |
JP2005294188A (ja) | 表示素子 | |
JP2011249349A (ja) | 表示素子 | |
JP4815786B2 (ja) | 表示素子用有機材料および表示素子 | |
JP2005294187A (ja) | 表示素子 | |
JP2006135147A (ja) | 表示素子用有機材料および表示素子 | |
KR20210012482A (ko) | 유기 화합물과 이를 포함하는 유기발광다이오드 및 유기발광 표시장치 | |
JP2008066499A (ja) | 有機電界発光素子および表示装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20080110 |
|
RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422 Effective date: 20091021 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20091026 |
|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20091105 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20110714 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110912 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20120327 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20120528 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20121127 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20121210 |
|
R151 | Written notification of patent or utility model registration |
Ref document number: 5167571 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20160111 Year of fee payment: 3 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
S303 | Written request for registration of pledge or change of pledge |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R316303 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
S803 | Written request for registration of cancellation of provisional registration |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R316803 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |