JP4686274B2 - 放熱部品及びその製造方法 - Google Patents
放熱部品及びその製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4686274B2 JP4686274B2 JP2005192436A JP2005192436A JP4686274B2 JP 4686274 B2 JP4686274 B2 JP 4686274B2 JP 2005192436 A JP2005192436 A JP 2005192436A JP 2005192436 A JP2005192436 A JP 2005192436A JP 4686274 B2 JP4686274 B2 JP 4686274B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- heat
- conductive polymer
- thermally conductive
- polymer layer
- diffusion sheet
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
- H01L23/36—Selection of materials, or shaping, to facilitate cooling or heating, e.g. heatsinks
- H01L23/373—Cooling facilitated by selection of materials for the device or materials for thermal expansion adaptation, e.g. carbon
- H01L23/3733—Cooling facilitated by selection of materials for the device or materials for thermal expansion adaptation, e.g. carbon having a heterogeneous or anisotropic structure, e.g. powder or fibres in a matrix, wire mesh, porous structures
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K7/00—Constructional details common to different types of electric apparatus
- H05K7/20—Modifications to facilitate cooling, ventilating, or heating
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
- H01L23/36—Selection of materials, or shaping, to facilitate cooling or heating, e.g. heatsinks
- H01L23/373—Cooling facilitated by selection of materials for the device or materials for thermal expansion adaptation, e.g. carbon
- H01L23/3735—Laminates or multilayers, e.g. direct bond copper ceramic substrates
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
- H01L23/36—Selection of materials, or shaping, to facilitate cooling or heating, e.g. heatsinks
- H01L23/373—Cooling facilitated by selection of materials for the device or materials for thermal expansion adaptation, e.g. carbon
- H01L23/3737—Organic materials with or without a thermoconductive filler
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
- H01L24/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
- H01L2224/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
- H01L2224/29001—Core members of the layer connector
- H01L2224/29099—Material
- H01L2224/29198—Material with a principal constituent of the material being a combination of two or more materials in the form of a matrix with a filler, i.e. being a hybrid material, e.g. segmented structures, foams
- H01L2224/29199—Material of the matrix
- H01L2224/2929—Material of the matrix with a principal constituent of the material being a polymer, e.g. polyester, phenolic based polymer, epoxy
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
- H01L2224/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
- H01L2224/29001—Core members of the layer connector
- H01L2224/29099—Material
- H01L2224/29198—Material with a principal constituent of the material being a combination of two or more materials in the form of a matrix with a filler, i.e. being a hybrid material, e.g. segmented structures, foams
- H01L2224/29298—Fillers
- H01L2224/29299—Base material
- H01L2224/29386—Base material with a principal constituent of the material being a non metallic, non metalloid inorganic material
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
- H01L2224/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
- H01L2224/29001—Core members of the layer connector
- H01L2224/29099—Material
- H01L2224/29198—Material with a principal constituent of the material being a combination of two or more materials in the form of a matrix with a filler, i.e. being a hybrid material, e.g. segmented structures, foams
- H01L2224/29298—Fillers
- H01L2224/29299—Base material
- H01L2224/29393—Base material with a principal constituent of the material being a solid not provided for in groups H01L2224/293 - H01L2224/29391, e.g. allotropes of carbon, fullerene, graphite, carbon-nanotubes, diamond
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
- H01L2224/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
- H01L2224/29001—Core members of the layer connector
- H01L2224/29099—Material
- H01L2224/29198—Material with a principal constituent of the material being a combination of two or more materials in the form of a matrix with a filler, i.e. being a hybrid material, e.g. segmented structures, foams
- H01L2224/29298—Fillers
- H01L2224/29499—Shape or distribution of the fillers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
- H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
- H01L2224/321—Disposition
- H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/32225—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
- H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
- H01L2224/321—Disposition
- H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/32245—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/11—Device type
- H01L2924/12—Passive devices, e.g. 2 terminal devices
- H01L2924/1204—Optical Diode
- H01L2924/12042—LASER
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/11—Device type
- H01L2924/12—Passive devices, e.g. 2 terminal devices
- H01L2924/1204—Optical Diode
- H01L2924/12044—OLED
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Thermal Sciences (AREA)
- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
- Laminated Bodies (AREA)
Description
(第1実施形態)
本発明の第1実施形態における放熱部品を図面に従って説明する。第1実施形態で説明する放熱部品は、参考例としての放熱部品である。図1は、第1実施形態の放熱部品10の斜視図を示す。放熱部品10は、熱拡散シート1と、熱拡散シート1の一部上面に積層された熱伝導性高分子層2とを備える。熱伝導性高分子層2は、熱拡散シート1上において、使用時に対象となる発熱部品に対応する位置に選択的に設けられていることが好ましい。本実施形態においては、熱拡散シート1は、好ましくは、グラファイトシートからなる。
も表面に平行な方向に熱を迅速に伝えて拡散させることができるため、熱伝導性高分子層2から伝えられた熱を効率よく放散することができる。
本発明の第2実施形態における放熱部品を図3乃至5に従って説明する。図3に示す放熱部品20は、熱拡散シート1と、熱拡散シート1上に積層された熱伝導性高分子層2とから構成されている。熱伝導性高分子層2は、熱拡散シート1上において、少なくとも使用時に対象となる発熱部品に対応する位置に選択的に設けられていることが好ましい。本実施形態においては、熱拡散シート1は、好ましくは、グラファイトシート1bの両面にアルミニウム箔1a,1cが積層された複合シートである。図4に熱伝導性高分子層2の断面図を示す。本実施形態においては、熱伝導性高分子層2は、基材として高分子材料5と、熱伝導性充填材として鱗片状の六方晶窒化ホウ素粉末4とを含有する。熱伝導性高分子層2において、鱗片状の六方晶窒化ホウ素粉末4は、図4に示すように、鱗片の表面に沿う方向が熱拡散シート1の表面にほぼ直交するように、配向されている。ここで、鱗片状の六方晶の窒化ホウ素粉末は、鱗片の厚さ方向よりも表面に平行な方向において高い熱伝導率を有する。より詳細には、一般に、鱗片状の六方晶窒化ホウ素粉末において、六方晶窒化ホウ素の結晶は一定方向に規則正しく配列されており、前記鱗片の表面に平行な方向は、六方晶構造を六角柱とみなした場合の該六角柱の横断面と平行な方向と一致する。六方晶窒化ホウ素の結晶は、前記六角柱の横断面と平行な方向において高い熱伝導性を有する。従って、熱伝導性高分子層2の熱伝導率は、その表面に平行な方向よりも厚み方向における方が大きくなるように設定されている。上記の六方晶窒化ホウ素粉末4の配向は、好ましくは磁場の印加によって行なわれる。
第2実施形態においては、熱伝導性充填材として鱗片状の六方晶窒化ホウ素粉末4を用いている。このような鱗片状の六方晶窒化ホウ素粉末4は、その磁気異方性に起因して磁場による配向制御が容易であるため、六方晶窒化ホウ素粉末4の鱗片の表面に平行な方向が熱伝導性高分子層2の厚み方向に一致するように高度に配向させることができる。それにより、熱伝導性高分子層2の厚み方向の熱伝導率をより高くすることができる。また、この場合、同一の六方晶窒化ホウ素4を配向させることなく用いた場合に比べ、同一材料を用いながら、上記のように熱伝導性高分子層2の熱特性を大きく改善することができるため、安価な材料コストでより優れた放熱部品を得ることができる。さらに、熱伝導性充填材として鱗片状の六方晶窒化ホウ素粉末4を用いることによって、熱伝導性高分子層2に電気絶縁性を付与することができる。従って、第2実施形態の放熱部品は、熱伝導性高分子層2が半導体素子などの発熱部品の端子に接触する可能性がある場合など熱伝導性高分子層2に電気絶縁性が要求される用途において、極めて有用である。
において表面に平行な方向に効率よく拡散させるとともに、グラファイトシート1bのもう一方の面に設けられたアルミニウム箔1cがグラファイトシート1bからの熱を、その表面から外部に、さらに効率よく放散させることができる。また、グラファイトシートにアルミニウム箔層を積層することによって、グラファイト単体のシートと比べて、シートの機械的強度および形状保持性を改善することができる。また、本実施形態においては、アルミニウム箔層がグラファイトシートの全面を被覆するように積層されているため、何らかの外力の作用などによってグラファイトシートの表面からグラファイト片が脱落することを防止することができる。
<熱拡散シート>
熱拡散シート1は、熱拡散シート1内において、その表面と平行な方向に熱を拡散し、さらにその辺縁および表面から熱を放散させる機能を有する。そのような熱拡散機能を確保するために、熱拡散シート1は、その表面に平行な方向において150〜900W/m・Kの熱伝導率を有することが好ましい。そのような熱拡散シート1としては、グラファイト、ダイヤモンド、アルミニウム、銅、銀などの金属や合金から形成されるシートを用いることができる。なかでも、グラファイトシートまたはアルミニウムシート、及びそれらのシートを2層以上積層した積層シートは、その表面に平行な方向の熱拡散率が大きいため、熱拡散シート1として好適である。
熱伝導性高分子層2は、厚さ方向の熱伝導率が表面に平行な方向の熱伝導率よりも大きくなるように設定されている。従来の同様の放熱部品の熱伝導性高分子層における熱伝導率は、厚さ方向、表面に平行な方向のいずれも同一であるか、もしくは表面に平行な方向の熱伝導率の方が、厚さ方向の熱伝導率よりも大きかった。そのため、放熱部品としての熱伝導性および熱拡散性が不十分であった。本発明の放熱部品においては、熱伝導性高分子層2の厚さ方向の熱伝導率が表面に平行な方向の熱伝導率よりも大きくなるように設定されているために、熱伝導性高分子層2は、熱拡散シート1へ効果的に伝熱することができる。また、熱伝導性高分子層2の厚さ方向における熱伝導率は、熱拡散シート1の厚さ方向における熱伝導率よりも大きくなるように設定されていることが好ましい。
熱伝導性高分子層2が未硬化または半硬化状態である場合、すなわち高分子材料5が接着性樹脂である場合については、硬度は特に規定されない。
熱伝導性高分子層2に含有される熱伝導性充填材としては、炭素繊維、炭素ナノチューブ、金属窒化物、金属酸化物、金属炭化物、金属水酸化物より選ばれる少なくとも1種であることが好ましい。これらの熱伝導性充填材は、その熱伝導性において異方性を有することが好ましい。例えば、炭素繊維は、繊維の直径方向よりも軸線方向において高い熱伝導率を有する。
は5〜20μm、より好ましくは5〜15μm、特に好ましくは8〜12μmである。繊維直径が5μmよりも小さいか、または20μmよりも大きいと、炭素繊維の生産性が低下するため好ましくない。炭素繊維の平均長さは、好ましくは5〜500μm、より好ましくは15〜100μm、特に好ましくは15〜45μmである。平均長さが5μmよりも小さいと、炭素繊維同士の接触が少なくなって熱の伝導経路が不十分になるために、熱伝導性高分子層2の熱伝導性が低下する。逆に、平均長さが500μmよりも大きいと、炭素繊維が嵩高くなるために高分子材料5中に高濃度で充填させることが困難となる。尚、炭素繊維の平均長さの値は、レーザー回折方式による粒度分布から算出することができる。
次に、熱伝導性高分子層2中の基材である高分子材料5について説明する。高分子材料5としては、例えば、固体の熱伝導性高分子層2を形成する熱可塑性エラストマー、架橋ゴム、および熱可塑性樹脂、並びに接着性(未硬化または半硬化状態)の熱伝導性高分子層2を形成する接着性樹脂等が挙げられる。
レート、ポリスチレン、ポリアクリロニトリル、スチレン−アクリロニトリル共重合体、ABS樹脂、ポリフェニレンエーテル(PPE)樹脂、変性PPE樹脂、脂肪族ポリアミド類、芳香族ポリアミド類、ポリイミド、ポリアミドイミド、ポリメタクリル酸類(ポリメタクリル酸メチル等のポリメタクリル酸エステル)、ポリアクリル酸類、ポリカーボネート、ポリフェニレンスルフィド、ポリサルホン、ポリエーテルサルホン、ポリエーテルニトリル、ポリエーテルケトン、ポリケトン、液晶ポリマー、アイオノマー等が挙げられる。
本発明の放熱部品を製造するための第1の方法は、熱拡散シート1の少なくとも一部に、予め別個に形成された熱伝導性高分子層2を積層すること特徴とする。前記熱伝導性高分子層2は、厚さ方向における熱伝導率が表面に平行な方向における熱伝導率よりも大きくなるように、予め一定方向に配向された熱伝導性充填材を含む。そのような熱伝導性高分子層2を製造するためには、まず、高分子材料5および熱伝導性充填材を含有する熱伝導性高分子組成物を調製する。該熱伝導性高分子組成物を単独でシート状に成形した後、得られる熱伝導性高分子層2の厚さ方向における熱伝導率が表面に平行な方向における熱伝導率よりも大きくなるように、前記熱伝導性充填材を一定方向に配向させる。その配向を維持した状態で、前記組成物を硬化させることによって、熱伝導性高分子層2を得ることができる。熱拡散シート1に熱伝導性高分子層2を積層する方法としては、圧着および融着などがあるが、それらに限定されるものではない。このような方法によれば、本発明の放熱部材を容易に製造することができる。
ロナ処理、紫外線処理、カップリング剤処理等)して接着性を向上させることもできる。
熱伝導性充填材として黒鉛化炭素繊維(日本グラファイトファイバー株式会社製)70重量部と酸化アルミニウム粉末(昭和電工株式会社製)150重量部とを、高分子材料5として液状シリコーンゴム(GE東芝シリコーン株式会社製)100重量部に混合し、真空脱泡して熱伝導性高分子組成物を調製した。続いて、その熱伝導性高分子組成物を所定のシートに対応する形状を有する金型のキャビティ内に注入し、磁力線の向きが熱伝導性高分子組成物の厚み方向に一致する磁場(磁束密度10テスラ)を印加して、前記黒鉛化炭素繊維をシート状に成形された熱伝導性高分子組成物の厚み方向に配向させた。この配向を維持した状態のまま、前記熱伝導性組成物を加熱硬化させて、厚み0.15mm×縦10mm×横10mmのシート状の熱伝導性高分子層2(硬度40)を得た。この熱伝導性高分子層2中の黒鉛化炭素繊維は、その繊維軸が厚み方向とほぼ平行になるように配向していた。熱伝導性高分子層2の厚み方向における熱伝導率及び表面に沿う方向における熱伝導率を、レーザーフラッシュ法による熱定数測定装置(理学電機株式会社製 LF/TCM−FA8510B)によって測定したところ、それぞれ、5.7W/m・K、及び2.2W/m・Kであった。このシート状の熱伝導性高分子層2を、厚さが0.13mm×縦30mm×横60mmのグラファイトシート(グラフテック株式会社製、厚み方向及び表面に平行な方向の熱伝導率がそれぞれ7W/m・K、及び240W/m・K)からなる熱拡散シート1に圧着により接合し、放熱部品10を作製した。
品は、柔軟で実装時の取扱い性が良好であり、またリペア性に優れていた。
熱伝導性充填材として黒鉛化炭素繊維(日本グラファイトファイバー株式会社製)120重量部と酸化アルミニウム粉末(昭和電工株式会社製)100重量部とを、高分子材料5として液状シリコーンゴム(GE東芝シリコーン株式会社製)100重量部に混合し、真空脱泡して、熱伝導性高分子組成物を調製した。続いて、その熱伝導性高分子組成物を所定のシートに対応する形状を有する金型のキャビティ内に注入し、磁力線の向きが熱伝導性高分子組成物の厚み方向に一致する磁場(磁束密度10テスラ)を印加して、前記黒鉛化炭素繊維がシート状に成形された熱伝導性高分子組成物の厚み方向に配向させた。この配向を維持した状態で、前記熱伝導性組成物を加熱硬化させて、厚み0.15mm×縦10mm×横10mmのシート状の熱伝導性高分子層2(硬度35)を得た。この熱伝導性高分子層2中の黒鉛化炭素繊維は、その繊維軸が厚み方向とほぼ平行になるように配向していた。熱伝導性高分子層2の厚み方向及び表面に平行な方向における熱伝導率を参考例1と同様に測定したところ、それぞれ11.2W/m・K、及び3.1W/m・Kであった。このシート状の熱伝導性高分子層2を、厚さが0.13mm×縦30mm×横60mmのグラファイトシート(グラフテック株式会社製、厚み方向及び表面に平行な方向の熱伝導率がそれぞれ7W/m・K、240W/m・K)からなる熱拡散シート1に圧着によって接合して、放熱部品10を作製した。
参考例2と同一の熱伝導性組成物を調製し、熱伝導性高分子組成物を硬化させる際に磁場を印加しないこと以外は参考例2と同様にしてシート状の熱伝導性高分子層を作製した。この熱伝導性高分子層中の黒鉛化炭素繊維は配向せず、厚み方向及び表面に平行な方向における熱伝導率を測定したところ、それぞれ2.4W/m・K、及び3.5W/m・Kであった。このシート状の熱伝導性高分子層を、厚さが0.13mm×縦30mm×横60mmのグラファイトシート(グラフテック株式会社製、厚み方向及び表面に平行な方向の熱伝導率がそれぞれ77W/m・K、240W/m・K)からなる熱拡散シートに圧着によって接合し、放熱部品を作製した。
熱伝導性充填材として鱗片状の六方晶の窒化ホウ素粉末(GEスペシャリティ・マテリアルズ・ジャパン株式会社製)140重量部と酸化アルミニウム粉末(昭和電工株式会社製)80重量部とを、高分子材料5として液状シリコーンゴム(GE東芝シリコーン株式会社製)100重量部に混合し、真空脱泡して、熱伝導性高分子組成物を調製した。続いて、熱拡散シート1として、両面を厚さ16μmのアルミニウム箔で被覆した厚さ0.13mm×縦30mm×横60mmのグラファイトシート(グラフテック株式会社、厚み方向及び表面に平行な方向の熱伝導率がそれぞれ7W/m・K、及び240W/m・K、表面に6μmのアクリル粘着剤層付き)の上に所望の熱伝導性高分子層の形状に対応するキャビティを有する枠状の金型を配置した。そのグラファイトシート上に配置されたキャビティ内に前記熱伝導性高分子組成物を注入し、磁力線の向きが厚み0.15mm×縦10mm×横10mmの板状シート状に成形された熱伝導性高分子組成物の厚み方向に一致する磁場(磁束密度10テスラ)を印加して、熱伝導性高分子組成物中の六方晶の窒化ホウ素粉末をシートの厚み方向に配向させた。その配向を維持した状態で前記熱伝導性組成物を加熱硬化させて、前記グラファイトシート上に厚み0.15mm×縦10mm×横10mmの熱伝導性高分子層2(JISタイプA硬度36)が積層された放熱部品20を得た。この熱伝導性高分子層2中の六方晶の窒化ホウ素粉末は、鱗片状粒子の表表面に平行な方向がシートの厚み方向に揃って配向していた。熱伝導性高分子層2の厚み方向及び表面に平行な方向における熱伝導率を測定したところ、それぞれ、2.7W/m・K、及び1.6W/m・Kであった。
参考例3と同一の熱伝導性高分子組成物を調製し、熱伝導性高分子組成物を硬化させる際に磁場を印加しなかったこと以外は、参考例3と同様の方法で放熱部品を作製した。この熱伝導性高分子層中の六方晶の窒化ホウ素粉末は配向しておらず、熱伝導性高分子層2の厚み方向及び表面に平行な方向における熱伝導率を測定したところ、それぞれ1.8W/m・K、2.4W/m・Kであった。
熱伝導性充填材として、黒鉛化炭素繊維(日本グラファイトファイバー株式会社製)40重量部と酸化アルミニウム粉末(昭和電工株式会社製)80重量部と酸化アルミニウム粉末(昭和電工株式会社製)20重量部とを、接着性樹脂としてエポキシ樹脂(スリーボンド株式会社製)100重量部に混合し真空脱泡して熱伝導性高分子組成物を調製した。続いて、全体を厚さ16μmのアルミニウム箔で覆った厚さ0.13mm×縦30mm×横60mmのグラファイトシート(グラフテック株式会社製、厚み方向及び表面に平行な方向の熱伝導率がそれぞれ7W/m・K、240W/m・K、表面に6μmのアクリル粘着剤層付き)からなる熱拡散シート1の上に所望の熱伝導性高分子層の形状に対応するキャビティを有する枠状の金型を配置した。そのグラファイトシート上に配置されたキャビティ内に前記熱伝導性高分子組成物を注入した。
参考例4と同一の熱伝導性高分子組成物を調製した。該熱伝導性高分子組成物を硬化させる際に磁場を印加しなかったこと以外は参考例4と同様の方法で放熱部品を作製した。この熱伝導性高分子層中の黒鉛化炭素繊維は配向されておらず、熱伝導性高分子層の厚み方向及び表面に平行な方向における熱伝導率を測定したところ、それぞれ1.9W/m・K、及び2.5W/m・Kであった。
上記放熱部品において、前記高分子材料が完全に硬化されていることを特徴とする放熱部品。
上記放熱部品において、熱伝導性充填材が炭素繊維であることを特徴とする放熱部品。
Claims (7)
- 熱拡散シートと、該熱拡散シートの一部に積層された熱伝導性高分子層とからなる放熱部品であって、前記熱伝導性高分子層の厚さ方向における熱伝導率が、同熱伝導性高分子層の表面に平行な方向における熱伝導率よりも大きくなるように設定されるとともに前記熱拡散シートの厚さ方向における熱伝導率よりも大きくなるように設定されてなり、前記熱拡散シートは、グラファイトシートの表面にアルミニウム箔層が積層された複合シートであり、そのアルミニウム箔層に前記熱伝導性高分子層が積層されてなり、
前記アルミニウム箔層の表面に対して前記熱伝導性高分子層の外形が小さく形成されてなり、前記アルミニウム箔層の外縁よりも内側に前記熱伝導性高分子層が積層されていることを特徴とする放熱部品。 - 前記熱伝導性高分子層は高分子材料および熱伝導性充填材を含有し、該熱伝導性充填材は、炭素繊維、炭素ナノチューブ、金属窒化物、金属酸化物、金属炭化物、および金属水酸化物より選ばれる少なくとも1種であり、その熱伝導性充填材は、一定方向に配向していることを特徴とする請求項1に記載の放熱部品。
- 熱伝導性高分子層の硬度(JIS K6253に準拠してタイプAデュロメータで測定)が60以下であることを特徴とする請求項1または2に記載の放熱部品。
- 熱伝導性高分子層の高分子材料が接着性樹脂であることを特徴とする請求項1または2に記載の放熱部品。
- 請求項1乃至4のいずれか1項に記載の放熱部品の製造方法であって、厚さ方向における熱伝導率が表面に平行な方向における熱伝導率よりも大きくなるように、予め一定方向に配向された熱伝導性充填材を含む熱伝導性高分子層を、熱拡散シートの一部に積層することを特徴とする製造方法。
- 請求項1乃至4のいずれか1項に記載の放熱部品の製造方法であって、熱拡散シートの一部に、熱伝導性充填材を含有する熱伝導性高分子組成物を積層し、熱伝導性充填材を一定方向に配向させ、その配向を維持した状態で、前記熱伝導性高分子組成物を硬化させることによって、厚さ方向における熱伝導率が表面に平行な方向における熱伝導率よりも大きくなるように設定された熱伝導性高分子層を形成することを特徴とする製造方法。
- 前記熱伝導性充填材が、炭素繊維、炭素ナノチューブ、金属窒化物、金属酸化物、金属炭化物、金属水酸化物より選ばれる少なくとも1種であり、前記熱伝導性充填材の配向が、電場および磁場のいずれかの印加によって行われることを特徴とする、請求項5または6に記載の製造方法。
Priority Applications (6)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005192436A JP4686274B2 (ja) | 2005-06-30 | 2005-06-30 | 放熱部品及びその製造方法 |
US11/474,235 US20070001292A1 (en) | 2005-06-30 | 2006-06-23 | Heat radiation member and production method for the same |
TW095123125A TW200708241A (en) | 2005-06-30 | 2006-06-27 | Heat radiation member and production method for the same |
EP06253356A EP1739744A3 (en) | 2005-06-30 | 2006-06-28 | Heat radiation member and production method for the same |
KR1020060059459A KR100787268B1 (ko) | 2005-06-30 | 2006-06-29 | 방열 부재 및 이의 제조 방법 |
CNA2006100943453A CN1893803A (zh) | 2005-06-30 | 2006-06-30 | 散热部件及其制造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005192436A JP4686274B2 (ja) | 2005-06-30 | 2005-06-30 | 放熱部品及びその製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2007012911A JP2007012911A (ja) | 2007-01-18 |
JP4686274B2 true JP4686274B2 (ja) | 2011-05-25 |
Family
ID=37110180
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005192436A Expired - Fee Related JP4686274B2 (ja) | 2005-06-30 | 2005-06-30 | 放熱部品及びその製造方法 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20070001292A1 (ja) |
EP (1) | EP1739744A3 (ja) |
JP (1) | JP4686274B2 (ja) |
KR (1) | KR100787268B1 (ja) |
CN (1) | CN1893803A (ja) |
TW (1) | TW200708241A (ja) |
Families Citing this family (81)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100608533B1 (ko) * | 2005-05-13 | 2006-08-08 | 쓰리엠 이노베이티브 프로퍼티즈 캄파니 | 전기 전도성이 우수한 고분자 수지 및 그 제조방법 |
KR20080004021A (ko) * | 2006-07-04 | 2008-01-09 | 쓰리엠 이노베이티브 프로퍼티즈 캄파니 | 양면의 접착력이 서로 다른 전도성 점착 테이프 및 그제조방법 |
KR101269741B1 (ko) * | 2006-07-04 | 2013-05-30 | 쓰리엠 이노베이티브 프로퍼티즈 캄파니 | 탄성 및 접착성을 갖는 전자기파 차단용 가스켓 |
KR100826603B1 (ko) * | 2007-01-08 | 2008-04-30 | 삼성전자주식회사 | 공기조화기 |
US20080169609A1 (en) * | 2007-01-17 | 2008-07-17 | Jonathan Mark Hetland | Thermal signature target form |
JP5140302B2 (ja) * | 2007-03-29 | 2013-02-06 | ポリマテック株式会社 | 熱伝導性シート |
JP2008291220A (ja) * | 2007-04-24 | 2008-12-04 | Hitachi Chem Co Ltd | 熱伝導性フィルム |
JP4504401B2 (ja) | 2007-08-07 | 2010-07-14 | 株式会社東芝 | 半導体パッケージ |
CN101372614B (zh) | 2007-08-24 | 2011-06-08 | 清华大学 | 碳纳米管阵列复合导热片及其制备方法 |
KR101465255B1 (ko) * | 2007-11-06 | 2014-11-26 | 엘지전자 주식회사 | 공기 조화기 |
KR20090067964A (ko) * | 2007-12-21 | 2009-06-25 | 쓰리엠 이노베이티브 프로퍼티즈 캄파니 | 점착 테이프 및 그 제조방법 |
US20090321922A1 (en) * | 2008-06-30 | 2009-12-31 | Ravi Shankar | Self-healing thermal interface materials for semiconductor packages |
US20100012354A1 (en) * | 2008-07-14 | 2010-01-21 | Logan Brook Hedin | Thermally conductive polymer based printed circuit board |
JP2010073843A (ja) * | 2008-09-18 | 2010-04-02 | Nitto Denko Corp | マイクロプロセッサ構造 |
JP2010073842A (ja) * | 2008-09-18 | 2010-04-02 | Nitto Denko Corp | マイクロプロセッサ構造 |
KR100944274B1 (ko) * | 2008-11-28 | 2010-02-25 | 스템코 주식회사 | 연성 회로 기판 및 그 제조 방법, 상기 연성 회로 기판을 포함하는 반도체 패키지 및 그 제조 방법 |
US20100186806A1 (en) * | 2009-01-26 | 2010-07-29 | Mitsubishi Electric Corporation | Photovoltaic module |
KR100958444B1 (ko) | 2009-12-16 | 2010-05-18 | 주식회사 배스팀 | 팽창흑연시트에 혼합분산용액을 코팅한 혼합카본시트의 제조방법 |
WO2011055961A2 (ko) * | 2009-11-03 | 2011-05-12 | Yu Jong-Sam | 팽창흑연시트에 혼합분산용액을 코팅한 혼합카본시트의 제조방법 |
KR100975885B1 (ko) * | 2009-11-03 | 2010-08-16 | 주식회사 배스팀 | 팽창흑연시트에 혼합분산용액을 코팅한 혼합카본시트의 제조방법 |
CN102054806B (zh) * | 2009-11-11 | 2013-01-02 | 台虹科技股份有限公司 | 一种导热基板及其制造方法 |
US8287996B2 (en) * | 2009-12-21 | 2012-10-16 | Intel Corporation | Coating for a microelectronic device, treatment comprising same, and method of managing a thermal profile of a microelectronic die |
JP5759192B2 (ja) * | 2010-01-29 | 2015-08-05 | 日東電工株式会社 | バックライトおよび液晶表示装置 |
KR101125266B1 (ko) * | 2010-02-17 | 2012-03-21 | 그린스타 주식회사 | 열전도성이 우수한 점착제를 포함하는 방열시트 |
CN102192669B (zh) * | 2010-03-05 | 2014-05-07 | 厦门格绿能光电股份有限公司 | 纳米碳纤维真空超导热管及其加工方法 |
JP5487010B2 (ja) * | 2010-05-27 | 2014-05-07 | 日本発條株式会社 | 回路基板用積層板及び金属ベース回路基板 |
US8431048B2 (en) * | 2010-07-23 | 2013-04-30 | International Business Machines Corporation | Method and system for alignment of graphite nanofibers for enhanced thermal interface material performance |
US9096784B2 (en) | 2010-07-23 | 2015-08-04 | International Business Machines Corporation | Method and system for allignment of graphite nanofibers for enhanced thermal interface material performance |
KR101026867B1 (ko) | 2010-09-10 | 2011-04-06 | 진현정 | 열확산 혼합카본시트 및 그 제조방법 |
EP2434619B1 (en) * | 2010-09-22 | 2018-11-14 | General Electric Technology GmbH | Arrangement of conducting bar ends |
CN102453325A (zh) * | 2010-10-22 | 2012-05-16 | 东丽纤维研究所(中国)有限公司 | 一种高导热系数聚酰亚胺复合材料的制备方法 |
TWI411658B (zh) * | 2010-11-25 | 2013-10-11 | Zhen Ding Technology Co Ltd | 複合膠黏片、膠片及膠片之製作方法 |
KR101223858B1 (ko) * | 2011-02-16 | 2013-01-17 | 이무균 | 방열시트 |
EP2727445A4 (en) * | 2011-06-28 | 2015-04-15 | Ericsson Telefon Ab L M | ELECTRONIC DEVICE HAVING A HEAT DISSIPATION STRUCTURE |
US9257359B2 (en) | 2011-07-22 | 2016-02-09 | International Business Machines Corporation | System and method to process horizontally aligned graphite nanofibers in a thermal interface material used in 3D chip stacks |
DE102011109578B4 (de) * | 2011-08-05 | 2015-05-28 | Heraeus Noblelight Gmbh | Verfahren zur Herstellung eines elektrisch leitenden Materials, elektrisch leitendes Material sowie Strahler mit elektrisch leitendem Material |
JP5788760B2 (ja) | 2011-10-19 | 2015-10-07 | 日東電工株式会社 | 熱伝導性シート、led実装用基板およびledモジュール |
CN102700230A (zh) * | 2012-06-13 | 2012-10-03 | 天诺光电材料股份有限公司 | 一种导热纤维增强的高导热石墨散热片的制备方法 |
US9434870B2 (en) | 2012-09-19 | 2016-09-06 | Momentive Performance Materials Inc. | Thermally conductive plastic compositions, extrusion apparatus and methods for making thermally conductive plastics |
US8946333B2 (en) | 2012-09-19 | 2015-02-03 | Momentive Performance Materials Inc. | Thermally conductive plastic compositions, extrusion apparatus and methods for making thermally conductive plastics |
KR101419740B1 (ko) * | 2012-11-23 | 2014-07-17 | 채기웅 | 이중구조로 이루어진 세라믹 방열부재 및 그 제조방법 |
JP2014105297A (ja) * | 2012-11-28 | 2014-06-09 | Tokuyama Corp | シート状成形体 |
KR102068493B1 (ko) * | 2012-12-11 | 2020-02-11 | 도레이첨단소재 주식회사 | 열확산 시트 및 그 제조방법 |
KR102075360B1 (ko) * | 2013-01-07 | 2020-02-10 | 도레이첨단소재 주식회사 | 열확산 시트 및 그 제조방법 |
JP6043188B2 (ja) * | 2013-01-08 | 2016-12-14 | 株式会社カネカ | 層間熱接続部材および層間熱接続方法 |
US10102939B2 (en) * | 2013-01-28 | 2018-10-16 | The Boeing Company | Conductive fiber reinforced polymer composition |
US9245813B2 (en) | 2013-01-30 | 2016-01-26 | International Business Machines Corporation | Horizontally aligned graphite nanofibers in etched silicon wafer troughs for enhanced thermal performance |
US9090004B2 (en) | 2013-02-06 | 2015-07-28 | International Business Machines Corporation | Composites comprised of aligned carbon fibers in chain-aligned polymer binder |
US9082744B2 (en) | 2013-07-08 | 2015-07-14 | International Business Machines Corporation | Method for aligning carbon nanotubes containing magnetic nanoparticles in a thermosetting polymer using a magnetic field |
JP6215002B2 (ja) | 2013-10-25 | 2017-10-18 | 東京エレクトロン株式会社 | フォーカスリングの製造方法及びプラズマ処理装置の製造方法 |
US10510707B2 (en) * | 2013-11-11 | 2019-12-17 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Thermally conductive molding compound structure for heat dissipation in semiconductor packages |
CN104853561A (zh) * | 2014-02-18 | 2015-08-19 | 联想(北京)有限公司 | 散热装置、其制造方法、和电子设备 |
CN105098064B (zh) * | 2014-04-30 | 2018-03-02 | 中国石油化工股份有限公司 | 一种负载氧化锌纳米管阵列薄膜型相变材料及其制备方法和应用 |
KR101885664B1 (ko) * | 2014-07-04 | 2018-08-06 | 주식회사 모다이노칩 | 방열 시트의 제조 방법 |
KR101940567B1 (ko) * | 2014-08-26 | 2019-01-21 | 반도 카가쿠 가부시키가이샤 | 열전도성 수지 성형품 |
JP2016082155A (ja) * | 2014-10-21 | 2016-05-16 | 信越化学工業株式会社 | 放熱シート |
EP3096351B1 (en) * | 2015-05-22 | 2017-12-13 | ABB Technology Oy | Thermal interface foil |
CN104830044B (zh) * | 2015-05-29 | 2016-08-17 | 上海中镭新材料科技有限公司 | 高导热抗静电pc/abs合金及其制备方法 |
CN104918468B (zh) * | 2015-06-29 | 2018-06-19 | 华为技术有限公司 | 导热片和电子设备 |
US10123460B2 (en) * | 2015-11-13 | 2018-11-06 | Covidien LLP | System and method for thermal management of electronic devices |
WO2017145954A1 (ja) * | 2016-02-25 | 2017-08-31 | 日本ゼオン株式会社 | 熱伝導シートおよびその製造方法、ならびに放熱装置 |
CN105778510A (zh) * | 2016-05-09 | 2016-07-20 | 中国科学院合肥物质科学研究院 | 一种具有方向性导热复合材料的制备方法 |
CN206963261U (zh) * | 2016-09-23 | 2018-02-02 | 天津莱尔德电子材料有限公司 | 热系统 |
US10256188B2 (en) | 2016-11-26 | 2019-04-09 | Texas Instruments Incorporated | Interconnect via with grown graphitic material |
US10529641B2 (en) | 2016-11-26 | 2020-01-07 | Texas Instruments Incorporated | Integrated circuit nanoparticle thermal routing structure over interconnect region |
US10811334B2 (en) | 2016-11-26 | 2020-10-20 | Texas Instruments Incorporated | Integrated circuit nanoparticle thermal routing structure in interconnect region |
US10861763B2 (en) | 2016-11-26 | 2020-12-08 | Texas Instruments Incorporated | Thermal routing trench by additive processing |
US11676880B2 (en) | 2016-11-26 | 2023-06-13 | Texas Instruments Incorporated | High thermal conductivity vias by additive processing |
US11004680B2 (en) | 2016-11-26 | 2021-05-11 | Texas Instruments Incorporated | Semiconductor device package thermal conduit |
US11024449B2 (en) | 2017-06-06 | 2021-06-01 | Apple Inc. | Multipole elastomeric magnet with magnetic-field shunt |
US10872840B2 (en) * | 2018-01-19 | 2020-12-22 | Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co., Ltd. | Thermal conductive sheet |
FR3083957B1 (fr) * | 2018-07-12 | 2020-06-12 | Continental Automotive France | Dissipateur thermique a conductivite thermique amelioree |
CN113316621A (zh) * | 2018-12-27 | 2021-08-27 | 3M创新有限公司 | 导热片 |
CN113365813A (zh) * | 2019-02-08 | 2021-09-07 | 松下知识产权经营株式会社 | 导热片以及使用了该导热片的电子设备 |
WO2020230060A1 (en) * | 2019-05-14 | 2020-11-19 | 3M Innovative Properties Company | Thermally-conductive adhesive films with enhanced through-plane thermal conductivity, and method of making the same |
US10790164B1 (en) * | 2019-06-13 | 2020-09-29 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Method for forming package structure |
JP2022064582A (ja) * | 2020-10-14 | 2022-04-26 | 矢崎総業株式会社 | 熱伝導シート、電子機器及び車載装置 |
CN113035988A (zh) * | 2021-05-13 | 2021-06-25 | 中山市武汉理工大学先进工程技术研究院 | 一种有效缓解热斑效应的钙钛矿太阳能电池组件 |
KR102600194B1 (ko) * | 2022-02-09 | 2023-11-09 | 주식회사 에프엔디컴퍼니 | 열흡수 패드를 구비하는 방열장치 |
KR102445961B1 (ko) * | 2022-02-09 | 2022-09-22 | 주식회사 에프엔디컴퍼니 | 열흡수 패드를 구비하는 방열장치의 제조방법 |
KR102721707B1 (ko) * | 2023-01-31 | 2024-10-23 | 한양대학교 에리카산학협력단 | 그라파이트 및 금속 산화물계 필러를 포함하는 방열성 페이스트 조성물 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000281995A (ja) * | 1999-03-30 | 2000-10-10 | Polymatech Co Ltd | 熱伝導性接着フィルムおよび半導体装置 |
JP2002009213A (ja) * | 2000-04-17 | 2002-01-11 | Suzuki Sogyo Co Ltd | 熱伝導性シート |
JP2002088257A (ja) * | 2000-09-18 | 2002-03-27 | Polymatech Co Ltd | 熱伝導性成形体及びその製造方法 |
JP2005159318A (ja) * | 2003-11-04 | 2005-06-16 | Otsuka Denki Kk | 熱伝導体 |
Family Cites Families (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4867235A (en) * | 1986-10-20 | 1989-09-19 | Westinghouse Electric Corp. | Composite heat transfer means |
US5741579A (en) * | 1995-04-28 | 1998-04-21 | Shin-Etsu Polymer Co., Ltd. | Heat-conductive sheet |
JP4121152B2 (ja) * | 1996-04-29 | 2008-07-23 | パーカー−ハニフイン・コーポレーシヨン | 電子部品用の適合性熱境界面材料 |
TW398163B (en) * | 1996-10-09 | 2000-07-11 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | The plate for heat transfer substrate and manufacturing method thereof, the heat-transfer substrate using such plate and manufacturing method thereof |
EP1025586B1 (en) * | 1997-09-19 | 2006-06-14 | The General Electric Company | Flexible heat transfer device and method |
US6131651A (en) * | 1998-09-16 | 2000-10-17 | Advanced Ceramics Corporation | Flexible heat transfer device and method |
JP2000281802A (ja) * | 1999-03-30 | 2000-10-10 | Polymatech Co Ltd | 熱伝導性成形体およびその製造方法ならびに半導体装置 |
US6517744B1 (en) * | 1999-11-16 | 2003-02-11 | Jsr Corporation | Curing composition for forming a heat-conductive sheet, heat-conductive sheet, production thereof and heat sink structure |
JP4528397B2 (ja) * | 1999-12-17 | 2010-08-18 | ポリマテック株式会社 | 接着方法および電子部品 |
JP2003060134A (ja) * | 2001-08-17 | 2003-02-28 | Polymatech Co Ltd | 熱伝導性シート |
JP3938681B2 (ja) | 2001-11-21 | 2007-06-27 | 信越化学工業株式会社 | 放熱構造体 |
JP2003168882A (ja) * | 2001-11-30 | 2003-06-13 | Sony Corp | 熱伝導性シート |
JP2003301048A (ja) * | 2002-04-10 | 2003-10-21 | Polymatech Co Ltd | 熱伝導性成形体 |
JP4068983B2 (ja) * | 2003-02-13 | 2008-03-26 | 株式会社タイカ | 熱伝導性シート |
US20050056365A1 (en) * | 2003-09-15 | 2005-03-17 | Albert Chan | Thermal interface adhesive |
-
2005
- 2005-06-30 JP JP2005192436A patent/JP4686274B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2006
- 2006-06-23 US US11/474,235 patent/US20070001292A1/en not_active Abandoned
- 2006-06-27 TW TW095123125A patent/TW200708241A/zh unknown
- 2006-06-28 EP EP06253356A patent/EP1739744A3/en not_active Withdrawn
- 2006-06-29 KR KR1020060059459A patent/KR100787268B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2006-06-30 CN CNA2006100943453A patent/CN1893803A/zh active Pending
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000281995A (ja) * | 1999-03-30 | 2000-10-10 | Polymatech Co Ltd | 熱伝導性接着フィルムおよび半導体装置 |
JP2002009213A (ja) * | 2000-04-17 | 2002-01-11 | Suzuki Sogyo Co Ltd | 熱伝導性シート |
JP2002088257A (ja) * | 2000-09-18 | 2002-03-27 | Polymatech Co Ltd | 熱伝導性成形体及びその製造方法 |
JP2005159318A (ja) * | 2003-11-04 | 2005-06-16 | Otsuka Denki Kk | 熱伝導体 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN1893803A (zh) | 2007-01-10 |
JP2007012911A (ja) | 2007-01-18 |
EP1739744A2 (en) | 2007-01-03 |
KR100787268B1 (ko) | 2007-12-21 |
TW200708241A (en) | 2007-02-16 |
EP1739744A3 (en) | 2010-10-06 |
KR20070003626A (ko) | 2007-01-05 |
US20070001292A1 (en) | 2007-01-04 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4686274B2 (ja) | 放熱部品及びその製造方法 | |
US9961809B1 (en) | Heat radiation sheet and method for manufacturing of the same | |
CN110662347B (zh) | 电磁波屏蔽膜、柔性印刷布线板以及它们的制造方法 | |
KR100998286B1 (ko) | 열전도성 성형체 및 그 제조방법 | |
US7297399B2 (en) | Thermal transport structure and associated method | |
TWI513592B (zh) | 異向性熱傳導元件及製造方法 | |
US20080019097A1 (en) | Thermal transport structure | |
JP2011023670A (ja) | 異方性熱伝導素子及びその製造方法 | |
JP2007012912A (ja) | 熱伝導性部材および該熱伝導性部材を用いた冷却構造 | |
JP4814680B2 (ja) | 熱伝導性シート及び熱伝導性シート包装体 | |
US11459443B2 (en) | Resin material, method for producing resin material, and laminate | |
KR20190110535A (ko) | 방열 시트 | |
CN108368418B (zh) | 二维热传导材料及其用途 | |
US7797808B2 (en) | Thermal management system and associated method | |
US20200216659A1 (en) | Resin material, method for producing resin material, and laminate | |
JP2017092345A (ja) | 熱伝導シート、及びその製造方法、並びに半導体装置 | |
KR101989077B1 (ko) | 열제어능을 구비한 방열부재, 방열시트 및 이의 제조방법 | |
JP4791146B2 (ja) | 熱伝導性部材およびその製造方法 | |
JP2020109791A (ja) | 熱伝導構造体、熱拡散装置 | |
CN112805825A (zh) | 带剥离片的绝缘散热片 | |
KR102570875B1 (ko) | 필러·수지 복합체, 필러·수지 복합체의 제조방법, 필러·수지 복합층 및 필러·수지 복합체의 사용방법 | |
KR101991919B1 (ko) | 방열테이프 | |
TWM312189U (en) | Multi-layer composite heat conduction structure | |
TWI300802B (en) | Thermal interface material and semiconductor device | |
KR20200076874A (ko) | 방열 구조물 및 이를 포함하는 유도 가열 장치 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20080609 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20100813 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100817 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20101018 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20101109 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110105 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20110125 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20110214 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140218 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4686274 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |