[go: up one dir, main page]

JP4686274B2 - 放熱部品及びその製造方法 - Google Patents

放熱部品及びその製造方法 Download PDF

Info

Publication number
JP4686274B2
JP4686274B2 JP2005192436A JP2005192436A JP4686274B2 JP 4686274 B2 JP4686274 B2 JP 4686274B2 JP 2005192436 A JP2005192436 A JP 2005192436A JP 2005192436 A JP2005192436 A JP 2005192436A JP 4686274 B2 JP4686274 B2 JP 4686274B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
heat
conductive polymer
thermally conductive
polymer layer
diffusion sheet
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP2005192436A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2007012911A (ja
Inventor
充 太田
潤 山▲崎▼
雅之 飛田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Polymatech Co Ltd
Original Assignee
Polymatech Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Polymatech Co Ltd filed Critical Polymatech Co Ltd
Priority to JP2005192436A priority Critical patent/JP4686274B2/ja
Priority to US11/474,235 priority patent/US20070001292A1/en
Priority to TW095123125A priority patent/TW200708241A/zh
Priority to EP06253356A priority patent/EP1739744A3/en
Priority to KR1020060059459A priority patent/KR100787268B1/ko
Priority to CNA2006100943453A priority patent/CN1893803A/zh
Publication of JP2007012911A publication Critical patent/JP2007012911A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP4686274B2 publication Critical patent/JP4686274B2/ja
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/34Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
    • H01L23/36Selection of materials, or shaping, to facilitate cooling or heating, e.g. heatsinks
    • H01L23/373Cooling facilitated by selection of materials for the device or materials for thermal expansion adaptation, e.g. carbon
    • H01L23/3733Cooling facilitated by selection of materials for the device or materials for thermal expansion adaptation, e.g. carbon having a heterogeneous or anisotropic structure, e.g. powder or fibres in a matrix, wire mesh, porous structures
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K7/00Constructional details common to different types of electric apparatus
    • H05K7/20Modifications to facilitate cooling, ventilating, or heating
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/34Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
    • H01L23/36Selection of materials, or shaping, to facilitate cooling or heating, e.g. heatsinks
    • H01L23/373Cooling facilitated by selection of materials for the device or materials for thermal expansion adaptation, e.g. carbon
    • H01L23/3735Laminates or multilayers, e.g. direct bond copper ceramic substrates
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/34Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
    • H01L23/36Selection of materials, or shaping, to facilitate cooling or heating, e.g. heatsinks
    • H01L23/373Cooling facilitated by selection of materials for the device or materials for thermal expansion adaptation, e.g. carbon
    • H01L23/3737Organic materials with or without a thermoconductive filler
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/26Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/28Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L24/29Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/28Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/29Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/29001Core members of the layer connector
    • H01L2224/29099Material
    • H01L2224/29198Material with a principal constituent of the material being a combination of two or more materials in the form of a matrix with a filler, i.e. being a hybrid material, e.g. segmented structures, foams
    • H01L2224/29199Material of the matrix
    • H01L2224/2929Material of the matrix with a principal constituent of the material being a polymer, e.g. polyester, phenolic based polymer, epoxy
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/28Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/29Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/29001Core members of the layer connector
    • H01L2224/29099Material
    • H01L2224/29198Material with a principal constituent of the material being a combination of two or more materials in the form of a matrix with a filler, i.e. being a hybrid material, e.g. segmented structures, foams
    • H01L2224/29298Fillers
    • H01L2224/29299Base material
    • H01L2224/29386Base material with a principal constituent of the material being a non metallic, non metalloid inorganic material
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/28Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/29Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/29001Core members of the layer connector
    • H01L2224/29099Material
    • H01L2224/29198Material with a principal constituent of the material being a combination of two or more materials in the form of a matrix with a filler, i.e. being a hybrid material, e.g. segmented structures, foams
    • H01L2224/29298Fillers
    • H01L2224/29299Base material
    • H01L2224/29393Base material with a principal constituent of the material being a solid not provided for in groups H01L2224/293 - H01L2224/29391, e.g. allotropes of carbon, fullerene, graphite, carbon-nanotubes, diamond
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/28Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/29Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/29001Core members of the layer connector
    • H01L2224/29099Material
    • H01L2224/29198Material with a principal constituent of the material being a combination of two or more materials in the form of a matrix with a filler, i.e. being a hybrid material, e.g. segmented structures, foams
    • H01L2224/29298Fillers
    • H01L2224/29499Shape or distribution of the fillers
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/31Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L2224/32Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/321Disposition
    • H01L2224/32151Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/32221Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/32225Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/31Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L2224/32Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/321Disposition
    • H01L2224/32151Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/32221Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/32245Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11Device type
    • H01L2924/12Passive devices, e.g. 2 terminal devices
    • H01L2924/1204Optical Diode
    • H01L2924/12042LASER
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11Device type
    • H01L2924/12Passive devices, e.g. 2 terminal devices
    • H01L2924/1204Optical Diode
    • H01L2924/12044OLED

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Thermal Sciences (AREA)
  • Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
  • Laminated Bodies (AREA)

Description

本発明は、半導体素子および各種電子部品から発生する熱を放散させるための放熱部品およびその製造方法に関する。
従来より、電子機器の回路基板に実装される半導体素子や電子部品などの発熱部品から発生する熱を放散させる目的で、それら発熱部品と、ヒートシンクや冷却ファンなどの冷却部材との界面に、熱伝導性充填材が配合された柔軟な熱伝導性シートや熱伝導性グリス、熱伝導性接着剤、熱伝導性の相変化材料などが使用されてきた。また、最終製品が高機能および高性能化、並びに小型化・薄型化するにともなって、発熱部品を実装する基板などを装置内に配置する空間がさらに狭くなる傾向にある。そのため、最近では、熱対策として、発生する熱を限られた狭い空間内において効果的に拡散させるために、グラファイトや金属から形成される熱拡散シートを用いて、熱をそれらのシートの表面に沿って拡散させる方法が主流となりつつある。
しかしながら、グラファイトや金属からなる熱拡散シートを直接発熱部品に接触させた場合、グラファイトシートや金属シートの剛性が大きく、発熱部品に対する追従性が劣るため、発熱部品との十分な密着が得られず、想定される良好な熱伝導が得られない場合が多かった。そこで、特許文献1〜特許文献3は、剛性が大きいグラファイトシートや金属シート等の熱拡散シートの少なくとも片面に柔軟な熱伝導性高分子材料からなるシートを重ねて構成される放熱部品を提案している。
特許文献1及び特許文献2には、グラファイトシート等の少なくとも片面に柔軟な熱伝導性層を形成した2層あるいは3層から構成される熱伝導性シートが開示されている。特許文献3には、タック性や密着性、リペア性を改良する目的で、クラファイトシートに特定の高分子層を介して熱伝導性シリコーンエラストマー層を設けた熱伝導性シートが開示されている。特許文献4には、電磁波シールド性が付与された同様の熱伝導性電磁波シールドシートが開示されている。
一方、発熱量が増大し続ける最近の電子機器製品の用途においては、これらの構成の放熱部品を使用しても接触熱抵抗の低減が不十分であった。そこで、特許文献5には、グラファイトシートに高温時に軟化又は溶融する特定の相変化型の熱伝導性材料層を形成した放熱構造体が提案されている。ところが、このような相変化材料を用いた熱伝導性材料層は、従来のエラストマー系材料による固体の熱伝導性層に比べ、実際に使用する際の取扱い性が劣る。さらに、相変化材料による熱伝導性材料層は、高温に晒されると軟化又は溶融するために、収縮して発熱部品に対して位置ずれを生じて熱伝導性能が低下するおそれがある。また、熱伝導性材料層が軟化又は溶融するため、上記のような位置ずれを修正するために発熱部品から一旦、取り外して再配置することが可能なことを示す性質、すなわち、リペア性に劣る。そのため、使用できる用途分野が狭い範囲に限定されていた。したがって、発熱量が増大する半導体素子や電子部品からの熱を効果的に熱拡散シートに伝えることができるとともに、実装時の取扱い性が良好であり、リペア性に優れる放熱部品、並びに発熱部品などに対する位置ずれを生じない密着性を有する放熱部品が強く望まれている。
特開2003−168882号公報 特開2005−57088号公報 特開2004−243650号公報 特開平11−340673号公報 特開2003−158393号公報
本発明は、上記のような問題点に着目してなされたものである。その目的とするところは、電子機器に実装される発熱部品からの熱を効果的に伝えて拡散させる放熱部品とその製造方法を提供することにある。
上記問題点を解決するために、請求項1に記載の発明は、熱拡散シートと、該熱拡散シートの一部に積層された熱伝導性高分子層とからなる放熱部品であって、前記熱伝導性高分子層の厚さ方向における熱伝導率が同熱伝導性高分子層の表面に平行な方向における熱伝導率よりも大きくなるように設定されるとともに前記熱拡散シートの厚さ方向における熱伝導率よりも大きくなるように設定されてなり、前記熱拡散シートは、グラファイトシートの表面にアルミニウム箔層が積層された複合シートであり、そのアルミニウム箔層に前記熱伝導性高分子層が積層されてなり、前記アルミニウム箔層の表面に対して前記熱伝導性高分子層の外形が小さく形成されてなり、前記アルミニウム箔層の外縁よりも内側に前記熱伝導性高分子層が積層されていることを要旨とする。
請求項に記載の発明は、請求項1に記載の放熱部品において、前記熱伝導性高分子層は高分子材料および熱伝導性充填材を含有し、該熱伝導性充填材は、炭素繊維、炭素ナノチューブ、金属窒化物、金属酸化物、金属炭化物、および金属水酸化物より選ばれる少なくとも1種であり、その熱伝導性充填材は、一定方向に配向していることを要旨とする。
請求項に記載の発明は、請求項1または2に記載の放熱部品において、熱伝導性高分子層の硬度(JISK6253に準拠してタイプAデュロメータで測定)が60以下であることを要旨とする。
請求項に記載の発明は、請求項1または2に記載の放熱部品において、熱伝導性高分子層の高分子材料が接着性樹脂であることを要旨とする
請求項に記載の発明は、請求項1乃至のいずれか1項に記載の放熱部品の製造方法であって、厚さ方向における熱伝導率が表面に平行な方向における熱伝導率よりも大きくなるように、予め一定方向に配向された熱伝導性充填材を含む熱伝導性高分子層を、熱拡散シートの一部に積層することを要旨とする。
請求項に記載の発明は、請求項1乃至のいずれか1項に記載の放熱部品の製造方法であって、熱拡散シートの一部に、熱伝導性充填材を含有する熱伝導性高分子組成物を積層し、熱伝導性充填材を一定方向に配向させ、その配向を維持した状態で、前記熱伝導性高分子組成物を硬化させることによって、厚さ方向における熱伝導率が表面に平行な方向における熱伝導率よりも大きくなるように設定された熱伝導性高分子層を形成することを要旨とする。
請求項に記載の発明は、請求項またはに記載の製造方法において、前記熱伝導性充填材が、炭素繊維、炭素ナノチューブ、金属窒化物、金属酸化物、金属炭化物、金属水酸化物より選ばれる少なくとも1種であり、前記熱伝導性充填材の配向が、電場および磁場のいずれかの印加によって行われることを要旨とする。
本発明の放熱部品によれば、発熱部品からの熱を熱伝導性層が効果的に熱拡散シートに伝え、その熱を熱拡散シートが該シート内においてその表面に平行な方向に拡散させることによって、効果的に熱を放散させることができる。さらに本発明の放熱部品の製造方法によれば、上記のような放熱部品を容易に得ることができる。
以下、本発明を実施する最良の形態について詳細に説明する。
(第1実施形態)
本発明の第1実施形態における放熱部品を図面に従って説明する。第1実施形態で説明する放熱部品は、参考例としての放熱部品である。図1は、第1実施形態の放熱部品10の斜視図を示す。放熱部品10は、熱拡散シート1と、熱拡散シート1の一部上面に積層された熱伝導性高分子層2とを備える。熱伝導性高分子層2は、熱拡散シート1上において、使用時に対象となる発熱部品に対応する位置に選択的に設けられていることが好ましい。本実施形態においては、熱拡散シート1は、好ましくは、グラファイトシートからなる。
図2は、熱伝導性高分子層2の断面図を示す。熱伝導性高分子層2は、基材として高分子材料5と熱伝導性充填材として炭素繊維3とを含有する。熱伝導性高分子層2において、炭素繊維3は、該繊維の長手軸線方向が、熱拡散シート1の表面にほぼ直交するように、すなわち図2のZ軸方向に配向されている。ここで、炭素繊維3は、繊維の径方向よりも長手軸線方向において高い熱伝導率を有する。従って、熱伝導性高分子層2の熱伝導率は、その表面に平行な方向における熱伝導率よりも厚さ方向における熱伝導率が大きくなるように設定されている。上記炭素繊維3の配向は、好ましくは、磁場の印加によって行なわれる。
図5は、放熱部品10が、半導体パッケージなどの発熱部品7を有するプリント配線基板6上に配置されている様子を示す。放熱部品10は、熱伝導性高分子層2が発熱部品7と密着するように、プリント配線基板6上に配置される。これにより、発熱部品7から発生する熱は、熱伝導性高分子層2によって、熱拡散シート1に伝えられ、その熱は熱拡散シート1内においてその表面に平行な方向に効果的に拡散され、さらに熱拡散シート1の周縁および表面から該シートの外部に放散される。
第1実施形態においては、熱伝導性高分子層2の熱伝導率は、その表面に平行な方向における熱伝導率よりも厚さ方向における熱伝導率が大きくなるように設定されている。そのため、使用時に、熱伝導性高分子層2が発熱部品7と接するように配置されると、熱伝導性高分子層2は発熱部品7からの熱を熱拡散シート1に、迅速にかつ効率よく伝えることができる。
第1実施形態においては、熱伝導性充填材として繊維の径方向よりも長手軸線方向において高い熱伝導率を有する炭素繊維3を用いている。このような炭素繊維3は、その磁気異方性に起因して磁場による配向制御が容易であるため、炭素繊維3の長手軸線方向を熱伝導性高分子層2の厚み方向に高度に配向させることができる。それにより、熱伝導性高分子層2の厚み方向の熱伝導率をより高くすることができる。また、この場合、同一の炭素繊維3を配向させることなく用いた場合に比べ、同一材料を用いながら、上記のように熱伝導性高分子層2の熱特性を大きく改善することができるため、安価な材料コストでより優れた放熱部品を得ることができる。
第1実施形態において、熱拡散シート1としてグラファイトシートを用いた場合、グラファイトシートは、厚み方向と比較して、表面に平行な方向に極めて高い熱伝導率(100〜800W/m・K)有する。そのため、そのような熱拡散シート1は、厚み方向より
も表面に平行な方向に熱を迅速に伝えて拡散させることができるため、熱伝導性高分子層2から伝えられた熱を効率よく放散することができる。
(第2実施形態)
本発明の第2実施形態における放熱部品を図3乃至5に従って説明する。図3に示す放熱部品20は、熱拡散シート1と、熱拡散シート1上に積層された熱伝導性高分子層2とから構成されている。熱伝導性高分子層2は、熱拡散シート1上において、少なくとも使用時に対象となる発熱部品に対応する位置に選択的に設けられていることが好ましい。本実施形態においては、熱拡散シート1は、好ましくは、グラファイトシート1の両面にアルミニウム箔1,1cが積層された複合シートである。図4に熱伝導性高分子層2の断面図を示す。本実施形態においては、熱伝導性高分子層2は、基材として高分子材料5と、熱伝導性充填材として鱗片状の六方晶窒化ホウ素粉末4とを含有する。熱伝導性高分子層2において、鱗片状の六方晶窒化ホウ素粉末4は、図4に示すように、鱗片の表面に沿う方向が熱拡散シート1の表面にほぼ直交するように、配向されている。ここで、鱗片状の六方晶の窒化ホウ素粉末は、鱗片の厚さ方向よりも表面に平行な方向において高い熱伝導率を有する。より詳細には、一般に、鱗片状の六方晶窒化ホウ素粉末において、六方晶窒化ホウ素の結晶は一定方向に規則正しく配列されており、前記鱗片の表面に平行な方向は、六方晶構造を六角柱とみなした場合の該六角柱の横断面と平行な方向と一致する。六方晶窒化ホウ素の結晶は、前記六角柱の横断面と平行な方向において高い熱伝導性を有する。従って、熱伝導性高分子層2の熱伝導率は、その表面に平行な方向よりも厚み方向における方が大きくなるように設定されている。上記の六方晶窒化ホウ素粉末4の配向は、好ましくは磁場の印加によって行なわれる。
使用時、第2実施形態の放熱部品20は、図5に示すように、第1実施形態の場合と同様、熱伝導性高分子層2が、発熱部品7と密着するように、プリント配線基板6上に配置される。これにより、発熱部品7から発生する熱が、熱伝導性高分子層2によって、熱拡散シート1に伝えられ、その熱は熱拡散シート1内においてその表面に平行な方向に効果的に拡散される。
第2実施形態の放熱部品20によれば、上述した第1実施形態の作用効果に加え、以下の作用効果を奏する。
第2実施形態においては、熱伝導性充填材として鱗片状の六方晶窒化ホウ素粉末4を用いている。このような鱗片状の六方晶窒化ホウ素粉末4は、その磁気異方性に起因して磁場による配向制御が容易であるため、六方晶窒化ホウ素粉末4の鱗片の表面に平行な方向が熱伝導性高分子層2の厚み方向に一致するように高度に配向させることができる。それにより、熱伝導性高分子層2の厚み方向の熱伝導率をより高くすることができる。また、この場合、同一の六方晶窒化ホウ素4を配向させることなく用いた場合に比べ、同一材料を用いながら、上記のように熱伝導性高分子層2の熱特性を大きく改善することができるため、安価な材料コストでより優れた放熱部品を得ることができる。さらに、熱伝導性充填材として鱗片状の六方晶窒化ホウ素粉末4を用いることによって、熱伝導性高分子層2に電気絶縁性を付与することができる。従って、第2実施形態の放熱部品は、熱伝導性高分子層2が半導体素子などの発熱部品の端子に接触する可能性がある場合など熱伝導性高分子層2に電気絶縁性が要求される用途において、極めて有用である。
第2実施形態においては、熱拡散シート1としてグラファイトシート1の両面にアルミニウム箔1,1cが積層され複合シートを用いている。アルミニウム箔1,1cは、等方的に、すなわち、その表面に平行な方向だけでなく、その厚み方向においても良好な熱伝導性を有する。そのため、熱伝導性高分子層2に接しているアルミニウム箔1が、熱伝導性高分子層2からグラファイトシート1への熱をより効果的に伝導し、グラファイトシート1は、熱伝導性高分子層2から伝えられた熱をグラファイトシート1
において表面に平行な方向に効率よく拡散させるとともに、グラファイトシート1もう一方の面に設けられたアルミニウム箔1cがグラファイトシート1からの熱を、その表面から外部に、さらに効率よく放散させることができる。また、グラファイトシートにアルミニウム箔層を積層することによって、グラファイト単体のシートと比べて、シートの機械的強度および形状保持性を改善することができる。また、本実施形態においては、アルミニウム箔層がグラファイトシートの全面を被覆するように積層されているため、何らかの外力の作用などによってグラファイトシートの表面からグラファイト片が脱落することを防止することができる。
以下、本発明の放熱部品の各構成要素について詳述する。
<熱拡散シート>
熱拡散シート1は、熱拡散シート1内において、その表面と平行な方向に熱を拡散し、さらにその辺縁および表面から熱を放散させる機能を有する。そのような熱拡散機能を確保するために、熱拡散シート1は、その表面に平行な方向において150〜900W/m・Kの熱伝導率を有することが好ましい。そのような熱拡散シート1としては、グラファイト、ダイヤモンド、アルミニウム、銅、銀などの金属や合金から形成されるシートを用いることができる。なかでも、グラファイトシートまたはアルミニウムシート、及びそれらのシートを2層以上積層した積層シートは、その表面に平行な方向の熱拡散率が大きいため、熱拡散シート1として好適である。
銅やアルミニウムなどの金属単体からなるシートは比較的高い熱伝導率(銅:400W/m・K程度、アルミニウム:180〜200W/m・K)を有するが、その熱伝導性は等方的である。そのような金属製の熱拡散シートを用いた放熱部品を、例えば、図5に示したような発熱部品7に対向して配置して使用する場合、前記熱拡散シートは発熱部品7に対向する部分において、その熱を表面に平行な方向に拡散させるだけでなく、厚み方向にも効率よく伝えてしまう。その結果、前記対向する部分の温度が局所的に上昇してしまい、いわゆるヒートスポットを生じてしまうことがある。
これに対して、グラファイトシートは、一般に、厚み方向と比較して、表面に平行な方向に極めて高い熱伝導率(100〜800W/m・K)有する。そのため、グラファイトシートは、厚み方向よりも表面に平行な方向に熱を迅速に伝えて拡散させ、上記のようなヒートスポットを生じ難いことから、熱拡散シート1として特に好ましい。また、熱拡散シート1として、表面に平行な方向に高い熱伝導性を有するグラファイトシートと、等方的に優れた熱伝導性を有するアルミニウム箔層とを積層した複合シートを用いることも有効である。その場合、アルミニウム箔層は、グラファイトシートの片面上に積層されていてもよいし、両面上に積層されていてもよい。また、アルミニウム箔層は、グラファイトシートの表面の全面に積層されていてもよいし、一部分上に積層されていてもよい。また、図3に示したように、グラファイトシート1と熱伝導性高分子層2との間にアルミニウム箔1を設けた場合には、アルミニウム箔1は熱伝導性高分子層2からグラファイトシートへの熱の伝導を助ける働きをする。また、グラファイトシート1において熱伝導性高分子層2とは反対側にアルミニウム箔1cを設けた場合には、アルミニウム箔1cはグラファイトシート1の熱をその表面から外部に放散させることができる。
熱拡散シート1の厚さは、特に限定するものではないが5〜500μmの範囲にあることが好ましい。熱拡散シート1厚さが5μmよりも小さいと、脆くて破壊しやすく、熱容量も小さいので好ましくない。熱拡散シート1の厚さが500μmよりも大きくなると、該シートの剛性が大きなるため作業性に劣り、さらに経済的にも好ましくない。熱拡散シート1の厚さは、より好ましくは10〜400μm、さらに好ましくは25〜200μmの範囲である。
<熱伝導性高分子層>
熱伝導性高分子層2は、厚さ方向の熱伝導率が表面に平行な方向の熱伝導率よりも大きくなるように設定されている。従来の同様の放熱部品の熱伝導性高分子層における熱伝導率は、厚さ方向、表面に平行な方向のいずれも同一であるか、もしくは表面に平行な方向の熱伝導率の方が、厚さ方向の熱伝導率よりも大きかった。そのため、放熱部品としての熱伝導性および熱拡散性が不十分であった。本発明の放熱部品においては、熱伝導性高分子層2の厚さ方向の熱伝導率が表面に平行な方向の熱伝導率よりも大きくなるように設定されているために、熱伝導性高分子層2は、熱拡散シート1へ効果的に伝熱することができる。また、熱伝導性高分子層2の厚さ方向における熱伝導率は、熱拡散シート1の厚さ方向における熱伝導率よりも大きくなるように設定されていることが好ましい。
熱伝導性高分子層2は、基材として用いられる高分子材料5が完全に固化または硬化した固体であってもよいし、前記高分子材料5が未硬化または半硬化した状態(「Bステージ状態」とも称される)であってもよい。
熱伝導性高分子層2が、未硬化または半硬化状態である場合、前記高分子材料5は接着性樹脂であることが好ましい。ここで、接着性樹脂とは、未硬化または半硬化状態において、対象となる発熱部品に対して接着性を有する樹脂を意味する。熱伝導性高分子層2が高分子材料5として接着性樹脂を含む場合、熱伝導性高分子層2は、対象となる発熱部品上に配置されると、発熱部材と接合し、その後、完全に硬化される。よって、そのような熱伝導性高分子層2は、実装時に位置ずれを生じることなく、発熱部品と密着され、それにより優れた熱伝導性を提供することができる。
熱伝導性高分子層2が固体である場合には、熱伝導性高分子層2の硬度が60以下であることが好ましい。本願においては、「硬度」とはJIS K6253に準拠してタイプAデュロメータで測定した値を指すものとする。熱伝導性高分子層2の硬度が上記範囲であることにより、熱伝導性高分子層2は十分な柔軟性を有する。そのような熱伝導性高分子層2は、実装時の取扱い性が良好であり、発熱部材に対する再配置が可能なリペア性を備えると同時に、発熱部材との密着性が良好となるため、優れた熱伝導性を有する。熱伝導性高分子層2の硬度が60よりも大きいと、発熱部材との密着性が劣るので好ましくない。より好ましい熱伝導性高分子層2の硬度は40以下、さらに好ましくは25以下である。
熱伝導性高分子層2が未硬化または半硬化状態である場合、すなわち高分子材料5が接着性樹脂である場合については、硬度は特に規定されない。
<熱伝導性高分子層中の熱伝導性充填材>
熱伝導性高分子層2に含有される熱伝導性充填材としては、炭素繊維、炭素ナノチューブ、金属窒化物、金属酸化物、金属炭化物、金属水酸化物より選ばれる少なくとも1種であることが好ましい。これらの熱伝導性充填材は、その熱伝導性において異方性を有することが好ましい。例えば、炭素繊維は、繊維の直径方向よりも軸線方向において高い熱伝導率を有する。
炭素繊維の原料としては、例えば、ナフタレンやフェナントレン等の縮合多環炭化水素化合物、石油系ピッチや石炭系ピッチ等の縮合複素環化合物が挙げられる。その中でも、石油系ピッチ又は石炭系ピッチが好ましく、特に光学的異方性ピッチ、すなわちメソフェーズピッチが好ましい。これらは、一種を単独で用いても、二種以上を適宜組み合わせて用いてもよいが、メソフェーズピッチを単独で用いること、すなわちメソフェーズピッチの含有量が100%である炭素繊維が最も好ましい。炭素繊維の形態としては、繊維状(繊維状の形態が維持された粉砕品や切断品も含む)、ウィスカー状、コイル状、ナノチューブ状等が挙げられるが、特にこれらに限定されない。炭素繊維の繊維直径は、好ましく
は5〜20μm、より好ましくは5〜15μm、特に好ましくは8〜12μmである。繊維直径が5μmよりも小さいか、または20μmよりも大きいと、炭素繊維の生産性が低下するため好ましくない。炭素繊維の平均長さは、好ましくは5〜500μm、より好ましくは15〜100μm、特に好ましくは15〜45μmである。平均長さが5μmよりも小さいと、炭素繊維同士の接触が少なくなって熱の伝導経路が不十分になるために、熱伝導性高分子層2の熱伝導性が低下する。逆に、平均長さが500μmよりも大きいと、炭素繊維が嵩高くなるために高分子材料5中に高濃度で充填させることが困難となる。尚、炭素繊維の平均長さの値は、レーザー回折方式による粒度分布から算出することができる。
炭素繊維の熱伝導率については特に限定されないが、繊維の長さ方向における熱伝導率は400W/m・K以上であることが好ましく、より好ましくは、800W/m・K以上、特に好ましくは1000W/m・K以上である。炭素繊維は、電解酸化などによる酸化処理によって、あるいはカップリング剤やサイジング剤で処理することによって、表面が改質されていてもよい。そのような表面改質によって、高分子材料5に対する濡れ性や充填性を向上させたり、高分子材料5との界面の剥離強度を改良したりすることができる。また、無電解メッキ法、電解メッキ法、真空蒸着、スパッタリング、イオンプレーティングなどの物理的蒸着法、化学的蒸着法、塗装、浸漬、微細粒子を機械的に固着させるメカノケミカル法などの方法によって、金属やセラミックスにより表面を被覆した炭素繊維を用いることもできる。
金属窒化物の例としては、窒化ケイ素、窒化アルミニウム、窒化ケイ素等が挙げられ、金属酸化物の例としては、酸化アルミニウム、酸化ケイ素、酸化亜鉛、酸化マグネシウム等が挙げられる。また、金属炭化物の例としては、炭化ケイ素が挙げられ、金属水酸化物の例としては、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム等が挙げられる。鱗片状の六方晶の窒化ホウ素は、鱗片の厚さ方向よりも表面に平行な方向において高い熱伝導率を有するので、特に好ましい。
<熱伝導性高分子層中の高分子材料>
次に、熱伝導性高分子層2中の基材である高分子材料5について説明する。高分子材料5としては、例えば、固体の熱伝導性高分子層2を形成する熱可塑性エラストマー、架橋ゴム、および熱可塑性樹脂、並びに接着性(未硬化または半硬化状態)の熱伝導性高分子層2を形成する接着性樹脂等が挙げられる。
熱可塑性エラストマーとしては、スチレン−ブタジエン共重合体及びスチレン−イソプレンブロック共重合体とそれらの水添物、スチレン系熱可塑性エラストマー、オレフィン系熱可塑性エラストマー、塩化ビニル系熱可塑性エラストマー、ポリエステル系熱可塑性エラストマー、ポリウレタン系熱可塑性エラストマー、ポリアミド系熱可塑性エラストマー等が挙げられる。
架橋ゴムとしては、天然ゴム、ブタジエンゴム、イソプレンゴム、スチレン−ブタジエン共重合ゴム、ニトリルゴム、水添ニトリルゴム、クロロプレンゴム、エチレン−プロピレン共重合ゴム、塩素化ポリエチレン、クロロスルホン化ポリエチレン、ブチルゴム、ハロゲン化ブチルゴム、フッ素ゴム、ウレタンゴム、シリコーンゴム等が挙げられる。
熱可塑性樹脂としては、ポリエチレン、ポリプロピレン、エチレン−プロピレン共重合体等のエチレン−α−オレフィン共重合体、ポリメチルペンテン、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ポリ酢酸ビニル、エチレン−酢酸ビニル共重合体、ポリビニルアルコール、ポリアセタール、フッ素樹脂(ポリフッ化ビニリデン、ポリテトラフルオロエチレン等)、ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタ
レート、ポリスチレン、ポリアクリロニトリル、スチレン−アクリロニトリル共重合体、ABS樹脂、ポリフェニレンエーテル(PPE)樹脂、変性PPE樹脂、脂肪族ポリアミド類、芳香族ポリアミド類、ポリイミド、ポリアミドイミド、ポリメタクリル酸類(ポリメタクリル酸メチル等のポリメタクリル酸エステル)、ポリアクリル酸類、ポリカーボネート、ポリフェニレンスルフィド、ポリサルホン、ポリエーテルサルホン、ポリエーテルニトリル、ポリエーテルケトン、ポリケトン、液晶ポリマー、アイオノマー等が挙げられる。
接着性樹脂としては、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、アクリル樹脂、ビスマレイミド、ベンゾシクロブテン、フェノール樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、ジアリルフタレート、シリコーン樹脂、ポリウレタン樹脂、ポリイミドシリコーン樹脂、熱硬化型PPE樹脂、熱硬化型変性PPE樹脂等が挙げられる。
これらの高分子材料の中でも、固体の熱伝導性高分子層2を形成するためには、硬化時に硬度が60以下となるような柔軟性を有することや、耐熱性などの基本的性質、温度特性及び電気的信頼性の点から、シリコーンゴム、アクリルゴム、ポリイソブチレンなどのオレフィン系ゴム、ポリウレタンより選ばれる少なくとも一種が好ましい。また、接着性の熱伝導性高分子層2を形成するためには、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、アクリル樹脂、シリコーン樹脂、ポリウレタン樹脂より選ばれる少なくとも一種が好ましい。これらの高分子材料は一種を単独で用いても二種以上を適宜組み合わせて用いてもよく、二種以上の高分子材料からなるポリマーアロイを使用してもよい。また、高分子材料5の架橋構造の有無ついては特に限定されず、熱硬化、光硬化、湿気硬化等、公知の架橋方法を採用することができる。
<放熱部品の製造方法>
本発明の放熱部品を製造するための第1の方法は、熱拡散シート1の少なくとも一部に、予め別個に形成された熱伝導性高分子層2を積層すること特徴とする。前記熱伝導性高分子層2は、厚さ方向における熱伝導率が表面に平行な方向における熱伝導率よりも大きくなるように、予め一定方向に配向された熱伝導性充填材を含む。そのような熱伝導性高分子層2を製造するためには、まず、高分子材料5および熱伝導性充填材を含有する熱伝導性高分子組成物を調製する。該熱伝導性高分子組成物を単独でシート状に成形した後、得られる熱伝導性高分子層2の厚さ方向における熱伝導率が表面に平行な方向における熱伝導率よりも大きくなるように、前記熱伝導性充填材を一定方向に配向させる。その配向を維持した状態で、前記組成物を硬化させることによって、熱伝導性高分子層2を得ることができる。熱拡散シート1に熱伝導性高分子層2を積層する方法としては、圧着および融着などがあるが、それらに限定されるものではない。このような方法によれば、本発明の放熱部材を容易に製造することができる。
本発明の放熱部品を製造するための第2の方法は、熱拡散シート1の少なくとも一部に、熱伝導性充填材を含有する熱伝導性高分子組成物を積層し、前記熱伝導性充填材を一定方向に配向させ、その配向を維持した状態で、前記熱伝導性高分子組成物を硬化させることによって、厚さ方向における熱伝導率が表面に平行な方向における熱伝導率よりも大きくなるように設定された熱伝導性高分子層2を形成する。
第2の方法によれば、固体の熱伝導性高分子層2を有する放熱部品に加えて、未硬化または半硬化状態(Bステージ状態)の熱伝導性高分子層2を有する放熱部品をも容易に製造することができる。また、第2の方法によれば、熱拡散シート1と熱伝導性高分子層2との接着は、圧着および融着に加えて、未硬化または半硬化状態の熱伝導性高分子層を完全硬化させることによる加硫接着も可能となる。
上記第1および第2の方法において、熱伝導性高分子層2の熱伝導性充填材を一定方向に配向させる方法としては、流動場又はせん断場を利用する方法、磁場を利用する方法、電場を利用する方法等が挙げられる。その中でも、熱伝導性充填材が炭素繊維、炭素ナノチューブ、金属窒化物、金属酸化物、金属炭化物、金属水酸化物より選ばれる少なくとも1種から選ばれる場合には、それらの熱伝導性充填材に固有な磁気異方性を利用し、前記熱伝導性高分子組成物に外部から磁場或いは電場を印加して熱伝導性充填材を磁力線と平行方向或いは垂直方向に配向させる方法が、効率的で、かつ配向方向を任意に制御できることから好ましい。
上記製造方法において、熱伝導性高分子層2の熱伝導性充填材を一定方向に配向させる方法として、磁場または電場を使用すると、熱伝導性充填材をより容易かつ高度に配向させることができるとともに、その配向方向を自由に制御することができる。
上記実施形態を以下のように変更することも可能である
第1実施形態および第2実施形態において、熱伝導性高分子層2と熱拡散シート1との間に接着層または粘着層を設けてもよい。また、あらかじめ熱拡散シートを表面処理(コ
ロナ処理、紫外線処理、カップリング剤処理等)して接着性を向上させることもできる。
参考例1)
熱伝導性充填材として黒鉛化炭素繊維(日本グラファイトファイバー株式会社製)70重量部と酸化アルミニウム粉末(昭和電工株式会社製)150重量部とを、高分子材料5として液状シリコーンゴム(GE東芝シリコーン株式会社製)100重量部に混合し、真空脱泡して熱伝導性高分子組成物を調製した。続いて、その熱伝導性高分子組成物を所定のシートに対応する形状を有する金型のキャビティ内に注入し、磁力線の向きが熱伝導性高分子組成物の厚み方向に一致する磁場(磁束密度10テスラ)を印加して、前記黒鉛化炭素繊維をシート状に成形された熱伝導性高分子組成物の厚み方向に配向させた。この配向を維持した状態のまま、前記熱伝導性組成物を加熱硬化させて、厚み0.15mm×縦10mm×横10mmのシート状の熱伝導性高分子層2(硬度40)を得た。この熱伝導性高分子層2中の黒鉛化炭素繊維は、その繊維軸が厚み方向とほぼ平行になるように配向していた。熱伝導性高分子層2の厚み方向における熱伝導率及び表面に沿う方向における熱伝導率を、レーザーフラッシュ法による熱定数測定装置(理学電機株式会社製 LF/TCM−FA8510B)によって測定したところ、それぞれ、5.7W/m・K、及び2.2W/m・Kであった。このシート状の熱伝導性高分子層2を、厚さが0.13mm×縦30mm×横60mmのグラファイトシート(グラフテック株式会社製、厚み方向及び表面に平行な方向の熱伝導率がそれぞれ7W/m・K、及び240W/m・K)からなる熱拡散シート1に圧着により接合し、放熱部品10を作製した。
得られた放熱部品10を、発熱部品としてセラミックヒータ(マイクロセラミックヒータ MS−3 坂口電熱株式会社製、発熱量:9W)の上に、熱伝導性高分子層2が該セラミックヒータに当接するように載置した。前記セラミックヒータに通電し、10分後、前記セラミックヒータの上面(10mm×10mm)の中心部の温度t1と、放熱部品の熱拡散シート1の周縁部における温度t2(温度t1,t2の測定位置間の距離:40mm)を測定したところ、t1は65.2℃、t2は35.1℃であった。得られた放熱部
品は、柔軟で実装時の取扱い性が良好であり、またリペア性に優れていた。
参考例2)
熱伝導性充填材として黒鉛化炭素繊維(日本グラファイトファイバー株式会社製)120重量部と酸化アルミニウム粉末(昭和電工株式会社製)100重量部とを、高分子材料5として液状シリコーンゴム(GE東芝シリコーン株式会社製)100重量部に混合し、真空脱泡して、熱伝導性高分子組成物を調製した。続いて、その熱伝導性高分子組成物を所定のシートに対応する形状を有する金型のキャビティ内に注入し、磁力線の向きが熱伝導性高分子組成物の厚み方向に一致する磁場(磁束密度10テスラ)を印加して、前記黒鉛化炭素繊維がシート状に成形された熱伝導性高分子組成物の厚み方向に配向させた。この配向を維持した状態で、前記熱伝導性組成物を加熱硬化させて、厚み0.15mm×縦10mm×横10mmのシート状の熱伝導性高分子層2(硬度35)を得た。この熱伝導性高分子層2中の黒鉛化炭素繊維は、その繊維軸が厚み方向とほぼ平行になるように配向していた。熱伝導性高分子層2の厚み方向及び表面に平行な方向における熱伝導率を参考例1と同様に測定したところ、それぞれ11.2W/m・K、及び3.1W/m・Kであった。このシート状の熱伝導性高分子層2を、厚さが0.13mm×縦30mm×横60mmのグラファイトシート(グラフテック株式会社製、厚み方向及び表面に平行な方向の熱伝導率がそれぞれ7W/m・K、240W/m・K)からなる熱拡散シート1に圧着によって接合して、放熱部品10を作製した。
参考例1と同様に、得られた放熱部品10を、発熱部品としてセラミックヒータ(マイクロセラミックヒータ MS−3 坂口電熱株式会社製、発熱量:9W)の上に、熱伝導性高分子層2が該セラミックヒータに当接するように載置した。前記セラミックヒータに通電し、10分後、前記セラミックヒータの上面(10mm×10mm)の中心部の温度t1と、放熱部品の熱拡散シート1の周縁部における温度t2(温度t1,t2の測定位置間の距離:40mm)を測定したところ、t1は51.4℃、t2は48.1℃であった。得られた放熱部品は、柔軟で実装時の取扱い性が良好であり、リペア性に優れていた。
(比較例1)
参考例2と同一の熱伝導性組成物を調製し、熱伝導性高分子組成物を硬化させる際に磁場を印加しないこと以外は参考例2と同様にしてシート状の熱伝導性高分子層を作製した。この熱伝導性高分子層中の黒鉛化炭素繊維は配向せず、厚み方向及び表面に平行な方向における熱伝導率を測定したところ、それぞれ2.4W/m・K、及び3.5W/m・Kであった。このシート状の熱伝導性高分子層を、厚さが0.13mm×縦30mm×横60mmのグラファイトシート(グラフテック株式会社製、厚み方向及び表面に平行な方向の熱伝導率がそれぞれ77W/m・K、240W/m・K)からなる熱拡散シートに圧着によって接合し、放熱部品を作製した。
参考例1と同様に、得られた放熱部品を、発熱部品としてセラミックヒータ(マイクロセラミックヒータ MS−3 坂口電熱株式会社製、発熱量:9W)の上に、前記熱伝導性高分子層が該セラミックヒータに当接するように載置した。前記セラミックヒータに通電し、10分後、前記セラミックヒータの上面(10mm×10mm)の中心部の温度t1と、放熱部品の熱拡散シートの周縁部における温度t2(温度t1,t2の測定位置間の距離:40mm)を測定したところ、t1は77.5℃、t2は28.7℃であった。
参考例3)
熱伝導性充填材として鱗片状の六方晶の窒化ホウ素粉末(GEスペシャリティ・マテリアルズ・ジャパン株式会社製)140重量部と酸化アルミニウム粉末(昭和電工株式会社製)80重量部とを、高分子材料5として液状シリコーンゴム(GE東芝シリコーン株式会社製)100重量部に混合し、真空脱泡して、熱伝導性高分子組成物を調製した。続いて、熱拡散シート1として、両面を厚さ16μmのアルミニウム箔で被覆した厚さ0.13mm×縦30mm×横60mmのグラファイトシート(グラフテック株式会社、厚み方向及び表面に平行な方向の熱伝導率がそれぞれ7W/m・K、及び240W/m・K、表面に6μmのアクリル粘着剤層付き)の上に所望の熱伝導性高分子層の形状に対応するキャビティを有する枠状の金型を配置した。そのグラファイトシート上に配置されたキャビティ内に前記熱伝導性高分子組成物を注入し、磁力線の向きが厚み0.15mm×縦10mm×横10mmの板状シート状に成形された熱伝導性高分子組成物の厚み方向に一致する磁場(磁束密度10テスラ)を印加して、熱伝導性高分子組成物中の六方晶の窒化ホウ素粉末をシートの厚み方向に配向させた。その配向を維持した状態で前記熱伝導性組成物を加熱硬化させて、前記グラファイトシート上に厚み0.15mm×縦10mm×横10mmの熱伝導性高分子層2(JISタイプA硬度36)が積層された放熱部品20を得た。この熱伝導性高分子層2中の六方晶の窒化ホウ素粉末は、鱗片状粒子の表表面に平行な方向がシートの厚み方向に揃って配向していた。熱伝導性高分子層2の厚み方向及び表面に平行な方向における熱伝導率を測定したところ、それぞれ、2.7W/m・K、及び1.6W/m・Kであった。
参考例1と同様に、得られた放熱部品10を、発熱部品としてセラミックヒータ(マイクロセラミックヒータ MS−3 坂口電熱株式会社製、発熱量:9W)の上に、熱伝導性高分子層2が該セラミックヒータに当接するように載置した。前記セラミックヒータに通電し、10分後、前記セラミックヒータの上面(10mm×10mm)の中心部の温度t1と、放熱部品の熱拡散シート1の周縁部における温度t2(温度t1,t2の測定位置間の距離:40mm)を測定したところ、t1は70.5℃、t2は29.6℃であった。得られた放熱部品は、柔軟で実装時の取扱い性が良くリペア性が優れていた。
(比較例2)
参考例3と同一の熱伝導性高分子組成物を調製し、熱伝導性高分子組成物を硬化させる際に磁場を印加しなかったこと以外は、参考例3と同様の方法で放熱部品を作製した。この熱伝導性高分子層中の六方晶の窒化ホウ素粉末は配向しておらず、熱伝導性高分子層2の厚み方向及び表面に平行な方向における熱伝導率を測定したところ、それぞれ1.8W/m・K、2.4W/m・Kであった。
参考例3と同様に、得られた放熱部品を、発熱部品としてセラミックヒータ(マイクロセラミックヒータ MS−3 坂口電熱株式会社製、発熱量:9W)の上に、前記熱伝導性高分子層が該セラミックヒータに当接するように載置した。前記セラミックヒータに通電し、10分後、前記セラミックヒータの上面(10mm×10mm)の中心部の温度t1と、放熱部品の熱拡散シートの周縁部における温度t2(温度t1,t2の測定位置間の距離:40mm)を測定したところ、t1は81.7℃、t2は24.3℃であった。
参考例4)
熱伝導性充填材として、黒鉛化炭素繊維(日本グラファイトファイバー株式会社製)40重量部と酸化アルミニウム粉末(昭和電工株式会社製)80重量部と酸化アルミニウム粉末(昭和電工株式会社製)20重量部とを、接着性樹脂としてエポキシ樹脂(スリーボンド株式会社製)100重量部に混合し真空脱泡して熱伝導性高分子組成物を調製した。続いて、全体を厚さ16μmのアルミニウム箔で覆った厚さ0.13mm×縦30mm×横60mmのグラファイトシート(グラフテック株式会社製、厚み方向及び表面に平行な方向の熱伝導率がそれぞれ7W/m・K、240W/m・K、表面に6μmのアクリル粘着剤層付き)からなる熱拡散シート1の上に所望の熱伝導性高分子層の形状に対応するキャビティを有する枠状の金型を配置した。そのグラファイトシート上に配置されたキャビティ内に前記熱伝導性高分子組成物を注入した。
磁力線の向きが厚み0.15mm×縦10mm×横10mmのシート状に成形された熱伝導性高分子組成物の厚み方向に一致する磁場(磁束密度10テスラ)を印加して、熱伝導性高分子組成物中の黒鉛化炭素繊維の繊維軸線方向がシートの厚み方向とほぼ平行になるように配向させた。その配向を維持した状態で、前記熱伝導性組成物を加熱してBステージ状態に半硬化させて、グラファイトシート上に接着性の熱伝導性高分子層2が積層された放熱部品を得た。この熱伝導性高分子層2中の黒鉛化炭素繊維は厚み方向に揃って配向していた。熱伝導性高分子層2の厚み方向及び表面に平行な方向における熱伝導率を測定したところ、それぞれ6.5W/m・K、2.3W/m・Kであった。
得られた放熱部品10を、発熱部品としてセラミックヒータ(マイクロセラミックヒータ MS−3 坂口電熱株式会社製、発熱量:9W)の上に、熱伝導性高分子層2が該セラミックヒータに当接するように載置し、前記熱伝導性高分子層2を加熱によって完全に硬化させた。その後、前記セラミックヒータに通電し、10分後、前記セラミックヒータの上面(10mm×10mm)の中心部の温度t1と、放熱部品の熱拡散シート1の周縁部における温度t2(温度t1,t2の測定位置間の距離:40mm)を測定したところ、t1は63.7℃、t2は31.3℃であった。得られた放熱部品は、発熱部品に載置して熱伝導性高分子層2を硬化させる際に、発熱部品に対して位置ずれを生じなかった。さらに、完全硬化後の熱伝導性高分子層2はグラファイトシートに対して良好な密着性を有していた。
(比較例3)
参考例4と同一の熱伝導性高分子組成物を調製した。該熱伝導性高分子組成物を硬化させる際に磁場を印加しなかったこと以外は参考例4と同様の方法で放熱部品を作製した。この熱伝導性高分子層中の黒鉛化炭素繊維は配向されておらず、熱伝導性高分子層の厚み方向及び表面に平行な方向における熱伝導率を測定したところ、それぞれ1.9W/m・K、及び2.5W/m・Kであった。
得られた放熱部品を、発熱部品としてセラミックヒータ(マイクロセラミックヒータ MS−3 坂口電熱株式会社製、発熱量:9W)の上に、熱伝導性高分子層が該セラミックヒータに当接するように載置し、前記熱伝導性高分子層を加熱によって完全に硬化させた。その後、前記セラミックヒータに通電し、10分後、前記セラミックヒータの上面(10mm×10mm)の中心部の温度t1と、放熱部品の熱拡散シートの周縁部における温度t2(温度t1,t2の測定位置間の距離:40mm)を測定したところ、t1は81.2℃、t2は24.5℃であった。
上記実施形態より把握される技術思想を以下に記載する。
上記放熱部品において、前記高分子材料が完全に硬化されていることを特徴とする放熱部品。
上記放熱部品において、前記高分子材料が半硬化状態であることを特徴とする放熱部品。
上記放熱部品において、熱伝導性充填材が炭素繊維であることを特徴とする放熱部品。
上記放熱部品において、熱伝導性充填材が六方晶窒化ホウ素粉末であることを特徴とする放熱部品。
第1実施形態の放熱部品を示す斜視図。 第1実施形態の放熱部品の熱伝導性高分子層2の断面図。 第2実施形態の放熱部品を示す斜視図。 第2実施形態の放熱部品の熱伝導性高分子層2の断面図。 プリント配線基板上に実装された発熱部品の放熱を目的に使用された本発明の放熱部品を示す概略図。
符号の説明
1…熱拡散シート、2…熱伝導性高分子層、3…炭素繊維、4…窒化ホウ素粉末、5…高分子材料、6…プリント配線基板、10,20…放熱部品。

Claims (7)

  1. 熱拡散シートと、該熱拡散シートの一部に積層された熱伝導性高分子層とからなる放熱部品であって、前記熱伝導性高分子層の厚さ方向における熱伝導率が同熱伝導性高分子層の表面に平行な方向における熱伝導率よりも大きくなるように設定されるとともに前記熱拡散シートの厚さ方向における熱伝導率よりも大きくなるように設定されてなり、前記熱拡散シートは、グラファイトシートの表面にアルミニウム箔層が積層された複合シートであり、そのアルミニウム箔層に前記熱伝導性高分子層が積層されてなり、
    前記アルミニウム箔層の表面に対して前記熱伝導性高分子層の外形が小さく形成されてなり、前記アルミニウム箔層の外縁よりも内側に前記熱伝導性高分子層が積層されていることを特徴とする放熱部品。
  2. 前記熱伝導性高分子層は高分子材料および熱伝導性充填材を含有し、該熱伝導性充填材は、炭素繊維、炭素ナノチューブ、金属窒化物、金属酸化物、金属炭化物、および金属水酸化物より選ばれる少なくとも1種であり、その熱伝導性充填材は、一定方向に配向していることを特徴とする請求項1に記載の放熱部品。
  3. 熱伝導性高分子層の硬度(JIS K6253に準拠してタイプAデュロメータで測定)が60以下であることを特徴とする請求項1または2に記載の放熱部品。
  4. 熱伝導性高分子層の高分子材料が接着性樹脂であることを特徴とする請求項1または2に記載の放熱部品。
  5. 請求項1乃至のいずれか1項に記載の放熱部品の製造方法であって、厚さ方向における熱伝導率が表面に平行な方向における熱伝導率よりも大きくなるように、予め一定方向に配向された熱伝導性充填材を含む熱伝導性高分子層を、熱拡散シートの一部に積層することを特徴とする製造方法。
  6. 請求項1乃至のいずれか1項に記載の放熱部品の製造方法であって、熱拡散シートの一部に、熱伝導性充填材を含有する熱伝導性高分子組成物を積層し、熱伝導性充填材を一定方向に配向させ、その配向を維持した状態で、前記熱伝導性高分子組成物を硬化させることによって、厚さ方向における熱伝導率が表面に平行な方向における熱伝導率よりも大きくなるように設定された熱伝導性高分子層を形成することを特徴とする製造方法。
  7. 前記熱伝導性充填材が、炭素繊維、炭素ナノチューブ、金属窒化物、金属酸化物、金属炭化物、金属水酸化物より選ばれる少なくとも1種であり、前記熱伝導性充填材の配向が、電場および磁場のいずれかの印加によって行われることを特徴とする、請求項またはに記載の製造方法。
JP2005192436A 2005-06-30 2005-06-30 放熱部品及びその製造方法 Expired - Fee Related JP4686274B2 (ja)

Priority Applications (6)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2005192436A JP4686274B2 (ja) 2005-06-30 2005-06-30 放熱部品及びその製造方法
US11/474,235 US20070001292A1 (en) 2005-06-30 2006-06-23 Heat radiation member and production method for the same
TW095123125A TW200708241A (en) 2005-06-30 2006-06-27 Heat radiation member and production method for the same
EP06253356A EP1739744A3 (en) 2005-06-30 2006-06-28 Heat radiation member and production method for the same
KR1020060059459A KR100787268B1 (ko) 2005-06-30 2006-06-29 방열 부재 및 이의 제조 방법
CNA2006100943453A CN1893803A (zh) 2005-06-30 2006-06-30 散热部件及其制造方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2005192436A JP4686274B2 (ja) 2005-06-30 2005-06-30 放熱部品及びその製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2007012911A JP2007012911A (ja) 2007-01-18
JP4686274B2 true JP4686274B2 (ja) 2011-05-25

Family

ID=37110180

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2005192436A Expired - Fee Related JP4686274B2 (ja) 2005-06-30 2005-06-30 放熱部品及びその製造方法

Country Status (6)

Country Link
US (1) US20070001292A1 (ja)
EP (1) EP1739744A3 (ja)
JP (1) JP4686274B2 (ja)
KR (1) KR100787268B1 (ja)
CN (1) CN1893803A (ja)
TW (1) TW200708241A (ja)

Families Citing this family (81)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100608533B1 (ko) * 2005-05-13 2006-08-08 쓰리엠 이노베이티브 프로퍼티즈 캄파니 전기 전도성이 우수한 고분자 수지 및 그 제조방법
KR20080004021A (ko) * 2006-07-04 2008-01-09 쓰리엠 이노베이티브 프로퍼티즈 캄파니 양면의 접착력이 서로 다른 전도성 점착 테이프 및 그제조방법
KR101269741B1 (ko) * 2006-07-04 2013-05-30 쓰리엠 이노베이티브 프로퍼티즈 캄파니 탄성 및 접착성을 갖는 전자기파 차단용 가스켓
KR100826603B1 (ko) * 2007-01-08 2008-04-30 삼성전자주식회사 공기조화기
US20080169609A1 (en) * 2007-01-17 2008-07-17 Jonathan Mark Hetland Thermal signature target form
JP5140302B2 (ja) * 2007-03-29 2013-02-06 ポリマテック株式会社 熱伝導性シート
JP2008291220A (ja) * 2007-04-24 2008-12-04 Hitachi Chem Co Ltd 熱伝導性フィルム
JP4504401B2 (ja) 2007-08-07 2010-07-14 株式会社東芝 半導体パッケージ
CN101372614B (zh) 2007-08-24 2011-06-08 清华大学 碳纳米管阵列复合导热片及其制备方法
KR101465255B1 (ko) * 2007-11-06 2014-11-26 엘지전자 주식회사 공기 조화기
KR20090067964A (ko) * 2007-12-21 2009-06-25 쓰리엠 이노베이티브 프로퍼티즈 캄파니 점착 테이프 및 그 제조방법
US20090321922A1 (en) * 2008-06-30 2009-12-31 Ravi Shankar Self-healing thermal interface materials for semiconductor packages
US20100012354A1 (en) * 2008-07-14 2010-01-21 Logan Brook Hedin Thermally conductive polymer based printed circuit board
JP2010073843A (ja) * 2008-09-18 2010-04-02 Nitto Denko Corp マイクロプロセッサ構造
JP2010073842A (ja) * 2008-09-18 2010-04-02 Nitto Denko Corp マイクロプロセッサ構造
KR100944274B1 (ko) * 2008-11-28 2010-02-25 스템코 주식회사 연성 회로 기판 및 그 제조 방법, 상기 연성 회로 기판을 포함하는 반도체 패키지 및 그 제조 방법
US20100186806A1 (en) * 2009-01-26 2010-07-29 Mitsubishi Electric Corporation Photovoltaic module
KR100958444B1 (ko) 2009-12-16 2010-05-18 주식회사 배스팀 팽창흑연시트에 혼합분산용액을 코팅한 혼합카본시트의 제조방법
WO2011055961A2 (ko) * 2009-11-03 2011-05-12 Yu Jong-Sam 팽창흑연시트에 혼합분산용액을 코팅한 혼합카본시트의 제조방법
KR100975885B1 (ko) * 2009-11-03 2010-08-16 주식회사 배스팀 팽창흑연시트에 혼합분산용액을 코팅한 혼합카본시트의 제조방법
CN102054806B (zh) * 2009-11-11 2013-01-02 台虹科技股份有限公司 一种导热基板及其制造方法
US8287996B2 (en) * 2009-12-21 2012-10-16 Intel Corporation Coating for a microelectronic device, treatment comprising same, and method of managing a thermal profile of a microelectronic die
JP5759192B2 (ja) * 2010-01-29 2015-08-05 日東電工株式会社 バックライトおよび液晶表示装置
KR101125266B1 (ko) * 2010-02-17 2012-03-21 그린스타 주식회사 열전도성이 우수한 점착제를 포함하는 방열시트
CN102192669B (zh) * 2010-03-05 2014-05-07 厦门格绿能光电股份有限公司 纳米碳纤维真空超导热管及其加工方法
JP5487010B2 (ja) * 2010-05-27 2014-05-07 日本発條株式会社 回路基板用積層板及び金属ベース回路基板
US8431048B2 (en) * 2010-07-23 2013-04-30 International Business Machines Corporation Method and system for alignment of graphite nanofibers for enhanced thermal interface material performance
US9096784B2 (en) 2010-07-23 2015-08-04 International Business Machines Corporation Method and system for allignment of graphite nanofibers for enhanced thermal interface material performance
KR101026867B1 (ko) 2010-09-10 2011-04-06 진현정 열확산 혼합카본시트 및 그 제조방법
EP2434619B1 (en) * 2010-09-22 2018-11-14 General Electric Technology GmbH Arrangement of conducting bar ends
CN102453325A (zh) * 2010-10-22 2012-05-16 东丽纤维研究所(中国)有限公司 一种高导热系数聚酰亚胺复合材料的制备方法
TWI411658B (zh) * 2010-11-25 2013-10-11 Zhen Ding Technology Co Ltd 複合膠黏片、膠片及膠片之製作方法
KR101223858B1 (ko) * 2011-02-16 2013-01-17 이무균 방열시트
EP2727445A4 (en) * 2011-06-28 2015-04-15 Ericsson Telefon Ab L M ELECTRONIC DEVICE HAVING A HEAT DISSIPATION STRUCTURE
US9257359B2 (en) 2011-07-22 2016-02-09 International Business Machines Corporation System and method to process horizontally aligned graphite nanofibers in a thermal interface material used in 3D chip stacks
DE102011109578B4 (de) * 2011-08-05 2015-05-28 Heraeus Noblelight Gmbh Verfahren zur Herstellung eines elektrisch leitenden Materials, elektrisch leitendes Material sowie Strahler mit elektrisch leitendem Material
JP5788760B2 (ja) 2011-10-19 2015-10-07 日東電工株式会社 熱伝導性シート、led実装用基板およびledモジュール
CN102700230A (zh) * 2012-06-13 2012-10-03 天诺光电材料股份有限公司 一种导热纤维增强的高导热石墨散热片的制备方法
US9434870B2 (en) 2012-09-19 2016-09-06 Momentive Performance Materials Inc. Thermally conductive plastic compositions, extrusion apparatus and methods for making thermally conductive plastics
US8946333B2 (en) 2012-09-19 2015-02-03 Momentive Performance Materials Inc. Thermally conductive plastic compositions, extrusion apparatus and methods for making thermally conductive plastics
KR101419740B1 (ko) * 2012-11-23 2014-07-17 채기웅 이중구조로 이루어진 세라믹 방열부재 및 그 제조방법
JP2014105297A (ja) * 2012-11-28 2014-06-09 Tokuyama Corp シート状成形体
KR102068493B1 (ko) * 2012-12-11 2020-02-11 도레이첨단소재 주식회사 열확산 시트 및 그 제조방법
KR102075360B1 (ko) * 2013-01-07 2020-02-10 도레이첨단소재 주식회사 열확산 시트 및 그 제조방법
JP6043188B2 (ja) * 2013-01-08 2016-12-14 株式会社カネカ 層間熱接続部材および層間熱接続方法
US10102939B2 (en) * 2013-01-28 2018-10-16 The Boeing Company Conductive fiber reinforced polymer composition
US9245813B2 (en) 2013-01-30 2016-01-26 International Business Machines Corporation Horizontally aligned graphite nanofibers in etched silicon wafer troughs for enhanced thermal performance
US9090004B2 (en) 2013-02-06 2015-07-28 International Business Machines Corporation Composites comprised of aligned carbon fibers in chain-aligned polymer binder
US9082744B2 (en) 2013-07-08 2015-07-14 International Business Machines Corporation Method for aligning carbon nanotubes containing magnetic nanoparticles in a thermosetting polymer using a magnetic field
JP6215002B2 (ja) 2013-10-25 2017-10-18 東京エレクトロン株式会社 フォーカスリングの製造方法及びプラズマ処理装置の製造方法
US10510707B2 (en) * 2013-11-11 2019-12-17 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Thermally conductive molding compound structure for heat dissipation in semiconductor packages
CN104853561A (zh) * 2014-02-18 2015-08-19 联想(北京)有限公司 散热装置、其制造方法、和电子设备
CN105098064B (zh) * 2014-04-30 2018-03-02 中国石油化工股份有限公司 一种负载氧化锌纳米管阵列薄膜型相变材料及其制备方法和应用
KR101885664B1 (ko) * 2014-07-04 2018-08-06 주식회사 모다이노칩 방열 시트의 제조 방법
KR101940567B1 (ko) * 2014-08-26 2019-01-21 반도 카가쿠 가부시키가이샤 열전도성 수지 성형품
JP2016082155A (ja) * 2014-10-21 2016-05-16 信越化学工業株式会社 放熱シート
EP3096351B1 (en) * 2015-05-22 2017-12-13 ABB Technology Oy Thermal interface foil
CN104830044B (zh) * 2015-05-29 2016-08-17 上海中镭新材料科技有限公司 高导热抗静电pc/abs合金及其制备方法
CN104918468B (zh) * 2015-06-29 2018-06-19 华为技术有限公司 导热片和电子设备
US10123460B2 (en) * 2015-11-13 2018-11-06 Covidien LLP System and method for thermal management of electronic devices
WO2017145954A1 (ja) * 2016-02-25 2017-08-31 日本ゼオン株式会社 熱伝導シートおよびその製造方法、ならびに放熱装置
CN105778510A (zh) * 2016-05-09 2016-07-20 中国科学院合肥物质科学研究院 一种具有方向性导热复合材料的制备方法
CN206963261U (zh) * 2016-09-23 2018-02-02 天津莱尔德电子材料有限公司 热系统
US10256188B2 (en) 2016-11-26 2019-04-09 Texas Instruments Incorporated Interconnect via with grown graphitic material
US10529641B2 (en) 2016-11-26 2020-01-07 Texas Instruments Incorporated Integrated circuit nanoparticle thermal routing structure over interconnect region
US10811334B2 (en) 2016-11-26 2020-10-20 Texas Instruments Incorporated Integrated circuit nanoparticle thermal routing structure in interconnect region
US10861763B2 (en) 2016-11-26 2020-12-08 Texas Instruments Incorporated Thermal routing trench by additive processing
US11676880B2 (en) 2016-11-26 2023-06-13 Texas Instruments Incorporated High thermal conductivity vias by additive processing
US11004680B2 (en) 2016-11-26 2021-05-11 Texas Instruments Incorporated Semiconductor device package thermal conduit
US11024449B2 (en) 2017-06-06 2021-06-01 Apple Inc. Multipole elastomeric magnet with magnetic-field shunt
US10872840B2 (en) * 2018-01-19 2020-12-22 Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co., Ltd. Thermal conductive sheet
FR3083957B1 (fr) * 2018-07-12 2020-06-12 Continental Automotive France Dissipateur thermique a conductivite thermique amelioree
CN113316621A (zh) * 2018-12-27 2021-08-27 3M创新有限公司 导热片
CN113365813A (zh) * 2019-02-08 2021-09-07 松下知识产权经营株式会社 导热片以及使用了该导热片的电子设备
WO2020230060A1 (en) * 2019-05-14 2020-11-19 3M Innovative Properties Company Thermally-conductive adhesive films with enhanced through-plane thermal conductivity, and method of making the same
US10790164B1 (en) * 2019-06-13 2020-09-29 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Method for forming package structure
JP2022064582A (ja) * 2020-10-14 2022-04-26 矢崎総業株式会社 熱伝導シート、電子機器及び車載装置
CN113035988A (zh) * 2021-05-13 2021-06-25 中山市武汉理工大学先进工程技术研究院 一种有效缓解热斑效应的钙钛矿太阳能电池组件
KR102600194B1 (ko) * 2022-02-09 2023-11-09 주식회사 에프엔디컴퍼니 열흡수 패드를 구비하는 방열장치
KR102445961B1 (ko) * 2022-02-09 2022-09-22 주식회사 에프엔디컴퍼니 열흡수 패드를 구비하는 방열장치의 제조방법
KR102721707B1 (ko) * 2023-01-31 2024-10-23 한양대학교 에리카산학협력단 그라파이트 및 금속 산화물계 필러를 포함하는 방열성 페이스트 조성물

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000281995A (ja) * 1999-03-30 2000-10-10 Polymatech Co Ltd 熱伝導性接着フィルムおよび半導体装置
JP2002009213A (ja) * 2000-04-17 2002-01-11 Suzuki Sogyo Co Ltd 熱伝導性シート
JP2002088257A (ja) * 2000-09-18 2002-03-27 Polymatech Co Ltd 熱伝導性成形体及びその製造方法
JP2005159318A (ja) * 2003-11-04 2005-06-16 Otsuka Denki Kk 熱伝導体

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4867235A (en) * 1986-10-20 1989-09-19 Westinghouse Electric Corp. Composite heat transfer means
US5741579A (en) * 1995-04-28 1998-04-21 Shin-Etsu Polymer Co., Ltd. Heat-conductive sheet
JP4121152B2 (ja) * 1996-04-29 2008-07-23 パーカー−ハニフイン・コーポレーシヨン 電子部品用の適合性熱境界面材料
TW398163B (en) * 1996-10-09 2000-07-11 Matsushita Electric Ind Co Ltd The plate for heat transfer substrate and manufacturing method thereof, the heat-transfer substrate using such plate and manufacturing method thereof
EP1025586B1 (en) * 1997-09-19 2006-06-14 The General Electric Company Flexible heat transfer device and method
US6131651A (en) * 1998-09-16 2000-10-17 Advanced Ceramics Corporation Flexible heat transfer device and method
JP2000281802A (ja) * 1999-03-30 2000-10-10 Polymatech Co Ltd 熱伝導性成形体およびその製造方法ならびに半導体装置
US6517744B1 (en) * 1999-11-16 2003-02-11 Jsr Corporation Curing composition for forming a heat-conductive sheet, heat-conductive sheet, production thereof and heat sink structure
JP4528397B2 (ja) * 1999-12-17 2010-08-18 ポリマテック株式会社 接着方法および電子部品
JP2003060134A (ja) * 2001-08-17 2003-02-28 Polymatech Co Ltd 熱伝導性シート
JP3938681B2 (ja) 2001-11-21 2007-06-27 信越化学工業株式会社 放熱構造体
JP2003168882A (ja) * 2001-11-30 2003-06-13 Sony Corp 熱伝導性シート
JP2003301048A (ja) * 2002-04-10 2003-10-21 Polymatech Co Ltd 熱伝導性成形体
JP4068983B2 (ja) * 2003-02-13 2008-03-26 株式会社タイカ 熱伝導性シート
US20050056365A1 (en) * 2003-09-15 2005-03-17 Albert Chan Thermal interface adhesive

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000281995A (ja) * 1999-03-30 2000-10-10 Polymatech Co Ltd 熱伝導性接着フィルムおよび半導体装置
JP2002009213A (ja) * 2000-04-17 2002-01-11 Suzuki Sogyo Co Ltd 熱伝導性シート
JP2002088257A (ja) * 2000-09-18 2002-03-27 Polymatech Co Ltd 熱伝導性成形体及びその製造方法
JP2005159318A (ja) * 2003-11-04 2005-06-16 Otsuka Denki Kk 熱伝導体

Also Published As

Publication number Publication date
CN1893803A (zh) 2007-01-10
JP2007012911A (ja) 2007-01-18
EP1739744A2 (en) 2007-01-03
KR100787268B1 (ko) 2007-12-21
TW200708241A (en) 2007-02-16
EP1739744A3 (en) 2010-10-06
KR20070003626A (ko) 2007-01-05
US20070001292A1 (en) 2007-01-04

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4686274B2 (ja) 放熱部品及びその製造方法
US9961809B1 (en) Heat radiation sheet and method for manufacturing of the same
CN110662347B (zh) 电磁波屏蔽膜、柔性印刷布线板以及它们的制造方法
KR100998286B1 (ko) 열전도성 성형체 및 그 제조방법
US7297399B2 (en) Thermal transport structure and associated method
TWI513592B (zh) 異向性熱傳導元件及製造方法
US20080019097A1 (en) Thermal transport structure
JP2011023670A (ja) 異方性熱伝導素子及びその製造方法
JP2007012912A (ja) 熱伝導性部材および該熱伝導性部材を用いた冷却構造
JP4814680B2 (ja) 熱伝導性シート及び熱伝導性シート包装体
US11459443B2 (en) Resin material, method for producing resin material, and laminate
KR20190110535A (ko) 방열 시트
CN108368418B (zh) 二维热传导材料及其用途
US7797808B2 (en) Thermal management system and associated method
US20200216659A1 (en) Resin material, method for producing resin material, and laminate
JP2017092345A (ja) 熱伝導シート、及びその製造方法、並びに半導体装置
KR101989077B1 (ko) 열제어능을 구비한 방열부재, 방열시트 및 이의 제조방법
JP4791146B2 (ja) 熱伝導性部材およびその製造方法
JP2020109791A (ja) 熱伝導構造体、熱拡散装置
CN112805825A (zh) 带剥离片的绝缘散热片
KR102570875B1 (ko) 필러·수지 복합체, 필러·수지 복합체의 제조방법, 필러·수지 복합층 및 필러·수지 복합체의 사용방법
KR101991919B1 (ko) 방열테이프
TWM312189U (en) Multi-layer composite heat conduction structure
TWI300802B (en) Thermal interface material and semiconductor device
KR20200076874A (ko) 방열 구조물 및 이를 포함하는 유도 가열 장치

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20080609

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20100813

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20100817

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20101018

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20101109

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20110105

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20110125

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20110214

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140218

Year of fee payment: 3

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 4686274

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

S111 Request for change of ownership or part of ownership

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

S533 Written request for registration of change of name

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees