KR100944274B1 - 연성 회로 기판 및 그 제조 방법, 상기 연성 회로 기판을 포함하는 반도체 패키지 및 그 제조 방법 - Google Patents
연성 회로 기판 및 그 제조 방법, 상기 연성 회로 기판을 포함하는 반도체 패키지 및 그 제조 방법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR100944274B1 KR100944274B1 KR1020090006321A KR20090006321A KR100944274B1 KR 100944274 B1 KR100944274 B1 KR 100944274B1 KR 1020090006321 A KR1020090006321 A KR 1020090006321A KR 20090006321 A KR20090006321 A KR 20090006321A KR 100944274 B1 KR100944274 B1 KR 100944274B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- heat dissipation
- base film
- circuit board
- reinforcing layer
- flexible circuit
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 19
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 40
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 claims abstract description 110
- 230000003014 reinforcing effect Effects 0.000 claims abstract description 81
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims abstract description 32
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 23
- 239000002041 carbon nanotube Substances 0.000 claims abstract description 23
- 229910021393 carbon nanotube Inorganic materials 0.000 claims abstract description 23
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 113
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 34
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 34
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 claims description 20
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 claims description 13
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 9
- -1 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 claims description 9
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 claims description 6
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 6
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 claims description 6
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 claims description 6
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 claims description 6
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 claims description 6
- 239000012779 reinforcing material Substances 0.000 claims description 6
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910001092 metal group alloy Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 238000000059 patterning Methods 0.000 claims description 5
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 claims description 5
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 claims description 5
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 claims description 5
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 claims description 4
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 4
- UFWIBTONFRDIAS-UHFFFAOYSA-N Naphthalene Chemical compound C1=CC=CC2=CC=CC=C21 UFWIBTONFRDIAS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 claims description 3
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 claims description 3
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 2
- 238000007639 printing Methods 0.000 claims description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 claims 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 claims 1
- 230000002787 reinforcement Effects 0.000 description 13
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 3
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 3
- 230000035699 permeability Effects 0.000 description 3
- 230000035882 stress Effects 0.000 description 3
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 239000011888 foil Substances 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 2
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 2
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 1
- 230000020169 heat generation Effects 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 238000001028 reflection method Methods 0.000 description 1
- 239000003566 sealing material Substances 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010944 silver (metal) Substances 0.000 description 1
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 1
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 1
- 230000002194 synthesizing effect Effects 0.000 description 1
- 230000008646 thermal stress Effects 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
- H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
- H01L2224/161—Disposition
- H01L2224/16151—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/16221—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/16225—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Structure Of Printed Boards (AREA)
Abstract
연성 회로 기판 및 그 제조 방법, 상기 연성 회로 기판을 포함하는 반도체 패키지 및 그 제조 방법이 제공된다. 상기 연성 회로 기판은 베이스 필름, 베이스 필름의 일면 상에 정의되고, 구동집적회로 칩이 실장되는 실장 영역, 베이스 필름의 일면 상에, 실장 영역을 중심으로 양측에 각각 배치된 제1 배선 패턴과 제2 배선 패턴, 및 베이스 필름의 타면 상에 형성된 탄소나노튜브를 포함하는 방열보강층을 포함한다.
방열보강층, 탄소나노튜브, 연성 회로 기판
Description
본 발명은 연성 회로 기판 및 그 제조 방법, 상기 연성 회로 기판을 포함하는 반도체 패키지 및 그 제조 방법에 관한 것이다.
최근 액정 표시 장치(Liquid Crystal Display; LCD), 플라즈마 디스플레이 패널(Plasma Display Panel; PDP) 등과 같은 평판 표시 장치(Flat Panel Display; FPD)가 각광받고 있다.
이러한 평판 표시 장치는 화상을 표시하는 화면 표시부와 화면 표시부에 전기적 신호를 전달하는 구동용 인쇄회로기판이 요구된다.
한편, 구동용 인쇄회로기판과 화면 표시부는 연성 회로 기판에 의해 연결될 수 있다. 한편, 연성 회로 기판은 구동집적회로(driver IC)와 배선 패턴을 포함할 수 있다.
구동집적회로는 구동용 인쇄회로기판으로부터 발생하는 다수의 신호를 화면 표시부에 전달하며, 이 과정에서 열이 발생한다. 최근 평판 표시 장치의 대형화 및 고속화에 따라 높은 구동 전압이 요구되고 있으며, 이에 따라 구동집적회로에서 발생하는 열의 양도 증가하는 경향이 있다.
이에, 연성 회로 기판을 냉각 장치를 설치하거나, 방열 수단을 설치하는 방법이 연구되고 있다.
그러나, 연성 회로 기판에 별도의 냉각 수단을 구비하는 것은 연성 회로 기판 및 그 주변 소자들의 부피를 증가시킬 수 있다.
또한, 방열 수단을 구비하는 것은 방열 수단이 구동집적회로에 정확하게 상응하는 위치에 위치하지 않는 경우 방열 효율이 저하될 수 있다. 방열 효율을 상승시키기 위해 양질의 재질을 이용하거나, 불필요하게 넓은 범위를 커버하는 방열 수단을 구비하는 경우 연성 회로 기판 제조 비용을 증가시킬 수 있다.
한편, 한국등록특허 제771890호(이하, '종래기술'이라 함)는 절연층의 타면에 금속박의 방열패드를 부착하고 있다. 그러나, 상기 종래기술에 의하면 금속박의 방열패드를 라미네이트 방식으로 부착하기 때문에 부착 정밀도가 부족하고 열적 스트레스가 가해질 경우 금속 특성상 열변형의 우려가 있기 때문에 신뢰성이 저하되는 문제가 있고, 특히, 배선 패턴의 치수 안정성에 전혀 도움을 주지 못하고 있다.
본 발명이 해결하고자 하는 과제는, 방열 효율의 향상 및 배선 패턴의 치수 안정성이 향상되고 제조 비용이 절감된 연성 회로 기판을 제공하는 것이다.
본 발명이 해결하고자 하는 다른 과제는, 상기 연성 회로 기판을 포함하는 반도체 패키지를 제공하는 것이다.
본 발명이 해결하고자 하는 또 다른 과제는, 상기 연성 회로 기판의 제조 방법을 제공하는 것이다.
본 발명이 해결하고자 하는 또 다른 과제는, 상기 반도체 패키지의 제조 방 법을 제공하는 것이다.
본 발명이 해결하고자 하는 과제들은 이상에서 언급한 과제들로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
상기 과제를 달성하기 위한 본 발명의 연성 회로 기판의 일 태양(aspect)은, 베이스 필름, 베이스 필름의 일면 상에 정의되고, 구동집적회로 칩이 실장되는 실장 영역, 베이스 필름의 일면 상에, 실장 영역을 중심으로 양측에 각각 배치된 제1 배선 패턴과 제2 배선 패턴, 및 베이스 필름의 타면 상에 형성된 탄소나노튜브를 포함하는 방열보강층을 포함한다.
상기 다른 과제를 달성하기 위한 본 발명의 반도체 패키지의 일 태양은 전술한 연성 회로 기판을 포함한다.
상기 또 다른 과제를 달성하기 위한 본 발명의 연성 회로 기판의 제조 방법의 일 태양은, 일면에 금속층이 형성된 베이스 필름을 준비하고, 베이스 필름의 타면에 탄소나노튜브를 포함하는 방열보강층을 형성하고, 방열보강층을 형성한 후, 금속층을 패터닝하여 배선 패턴을 형성하는 것을 포함한다.
상기 또 다른 과제를 달성하기 위한 본 발명의 연성 회로 기판의 제조 방법의 다른 태양은, 일면에 금속층이 형성된 베이스 필름을 준비하고, 금속층을 패터닝하여 배선 패턴을 형성하고, 배선 패턴을 형성한 후, 베이스 필름의 타면에 탄소나노튜브를 포함하는 방열보강층을 형성하는 것을 포함한다.
상기 또 다른 과제를 달성하기 위한 본 발명의 반도체 패키지의 제조 방법의 일 태양은, 전술한 방법에 의해 제조된 연성 회로 기판을 준비하고, 연성 회로 기판 상에 구동집적회로 칩을 실장한다.
본 발명의 기타 구체적인 사항들은 상세한 설명 및 도면들에 포함되어 있다.
본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다.
비록 제1, 제2 등이 다양한 소자, 구성요소 및/또는 섹션들을 서술하기 위해서 사용되나, 이들 소자, 구성요소 및/또는 섹션들은 이들 용어에 의해 제한되지 않음은 물론이다. 이들 용어들은 단지 하나의 소자, 구성요소 또는 섹션들을 다른 소자, 구성요소 또는 섹션들과 구별하기 위하여 사용하는 것이다. 따라서, 이하에서 언급되는 제1 소자, 제1 구성요소 또는 제1 섹션은 본 발명의 기술적 사상 내에서 제2 소자, 제2 구성요소 또는 제2 섹션일 수도 있음은 물론이다.
본 명세서에서 사용된 용어는 실시예들을 설명하기 위한 것이며 본 발명을 제한하고자 하는 것은 아니다. 본 명세서에서, 단수형은 문구에서 특별히 언급하지 않는 한 복수형도 포함한다. 명세서에서 사용되는 "포함한다(comprises)" 및/또는 "이루어지다(made of)"는 언급된 구성요소, 단계, 동작 및/또는 소자는 하나 이상의 다른 구성요소, 단계, 동작 및/또는 소자의 존재 또는 추가를 배제하지 않는다.
다른 정의가 없다면, 본 명세서에서 사용되는 모든 용어(기술 및 과학적 용어를 포함)는 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 공통적으로 이해될 수 있는 의미로 사용될 수 있을 것이다. 또 일반적으로 사용되는 사전에 정의되어 있는 용어들은 명백하게 특별히 정의되어 있지 않는 한 이상적으로 또는 과도하게 해석되지 않는다.
도 1은 본 발명의 제1 실시예에 따른 연성 회로 기판을 설명하기 위한 평면도이다. 도 2는 도 1의 II-II'를 따라 절단한 단면도이다. 도 3은 도 1에 기재된 실장 영역과 방열보강층을 비교설명하기 위한 도면이다. 도 4는 도 1의 연성 회로 기판을 이용하여 제조된 반도체 패키지를 설명하기 위한 도면이다. 도 1에 도시된 연성 회로 기판은 COF(Chip On Film)용 연성 회로 기판이지만, 이에 한정되는 것은 아니다.
우선, 도 1 및 도 2를 참조하면, 연성 회로 기판은 베이스 필름(100), 실장 영역(110), 제1 배선 패턴(150), 제2 배선 패턴(160), 제1 보호층(170), 방열보강층(210)을 포함한다.
베이스 필름(100)은 예를 들어 20~100㎛의 두께를 가지는 절연성 물질로 이루어질 수 있다. 베이스 필름(100)은 예를 들어 폴리이미드(PI; polyimide), 폴리에스테르(PE; polyester), 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET: Polyethylene Terephthalate), 및 폴리에틸렌나프탈렌 (PEN; poly ethylene napthalene), 폴리카보네이트(PC; poly carbonate) 등을 포함하는 고분자 그룹에서 선택된 물질로 이루어질 수 있다.
실장 영역(110)은 베이스 필름(100)의 일면 상에 정의되고, 구동집적회로 칩(300)이 실장되는 영역이다. 도 4에 도시된 것처럼 구동집적회로 칩(300)이 실장될 수 있다. 도 4에서는 구동집적회로 칩(300)은 플립칩(flip chip) 방식으로 실장된 것을 도시하였으나, 본 발명의 권리범위는 이에 한정되지 않는다.
베이스 필름(100)의 일면 상에, 실장 영역(110)을 중심으로 양측에 제1 배선 패턴(150) 및 제2 배선 패턴(160)이 형성되어 있다. 제1 배선 패턴(150) 및 제2 배선 패턴(160)은 전도성이 큰 물질, 예를 들어 금, 알루미늄, 구리와 같은 금속으로 이루어질 수 있다. 도시하지는 않았지만 제1 배선 패턴(150) 및 제2 배선 패턴(160)의 표면에는 주석(Sn), 니켈, 금 또는 땜납 등의 도금층을 형성할 수 있다.
여기서, 제1 배선 패턴(150)과 제2 배선 패턴(160)은 각각 다수의 입력 배선과 다수의 출력 배선을 의미할 수 있다. 예를 들어, 제1 배선 패턴(150)은 구동용 인쇄회로기판(미도시)과 구동집적회로 칩(300) 사이에 연결되어, 인쇄회로기판으로부터 입력되는 신호, 예를 들어 구동/제어 신호를 받아들이는 역할을 한다. 제2 배선 패턴(160)은 구동집적회로 칩(300)에서 처리된 신호를 외부로(예를 들어, 화면 표시부)로 전달하여, 화면 표시부가 화상을 표시할 수 있도록 할 수 있다.
제1 보호층(170)은 외부 충격이나 부식 물질로부터 제1 배선 패턴(150)과 제2 배선 패턴(160)을 보호하는 역할을 하고, 제1 보호층(170)으로 솔더 레지스 트(solder resist)를 예로 들수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
제1 보호층(170)은 제1 배선 패턴(150)과 제2 배선 패턴(160)을 덮도록 형성되되, 제1 보호층(170)은 제1 배선 패턴(150)의 양단과 제2 배선 패턴(160)의 양단이 외부로 돌출될 수 있도록 형성된다. 즉, 제1 배선 패턴(150)의 일단과 제2 배선 패턴(160)의 일단은 실장 영역(110)으로 돌출된다(오버랩된다.). 돌출된 제1 배선 패턴(150)의 일단과 제2 배선 패턴(160)의 일단에 구동집적회로 칩(300)의 범프가 접합되도록, 구동집적회로 칩(300)은 실장 영역에 실장되게 된다.
한편, 구동집적회로 칩(300)은 다수의 신호를 처리하는데, 이에 따라 구동집적회로 칩(300)에서는 열이 발생할 수 있다.
베이스 필름(100)의 타면에는 탄소나노튜브를 포함하는 방열보강층(210)이 형성되어 있다. 방열보강층(210)은 구동집적회로 칩(300)에 상응하는 위치에 배치되어 구동집적회로 칩(300)으로부터 발생한 열을 방출하는 역할을 한다. 특히, 탄소나노튜브는 금속에 비해서 열에 대한 변형이 적다. 연성 회로 기판을 제조하는 과정 중에는 열처리 공정이 있을 수 있는데, 금속은 일반적으로 열팽창계수가 높기 때문에 열처리 공정 중에 쉽게 늘어날 수 있다. 따라서, 금속은 연성 회로 기판에 스트레스를 줄 수 있다. 반면, 탄소나노튜브는 금속에 비해서 열팽창계수가 작기 때문에, 연성 회로 기판에 스트레스를 적게 주게 된다. 따라서, 열 방출을 위해서 금속보다 탄소나노튜브를 쓰는 것이 좋다.
또한, 방열보강층(210)은 탄소나노튜브와 고분자 물질의 화합물로 이루어질 수 있다.
여기서, 고분자 물질은 투명도가 높은 물질일 수 있다. 예를 들어, 고분자 물질은 폴리이미드(polyimide), 폴리에스테르(polyester), 폴리에틸렌테레프탈레이트(Polyethylene Terephthalate), 폴리에틸렌나프탈렌 (poly ethylene napthalene) 및 폴리카보네이트(poly carbonate) 등을 포함하는 고분자 그룹에서 선택된 적어도 하나를 포함할 수 있다.
따라서, 탄소나노튜브와 고분자 물질의 합성 방법(예를 들어, 합성 비율)에 따라서, 방열보강층(210)은 투명성을 확보할 수 있다.
방열보강층(210)이 어느 정도의 투명성을 갖게 되면, (반사 방식이 아닌) 투과 방식의 제품검사가 가능하다. 투과 방식의 제품검사는 제품의 일측에서 조명을 두고 제품의 타측에 카메라를 두고, 상기 조명에서 발생된 광이 제품을 투과하고 투과한 광을 카메라가 인식하여 제품의 불량여부를 판단하는 방식이다. 투과 방식의 제품검사에 사용되는 조명의 예로는, LED, 할로겐, 형광등, 백열등 등의 조명이 가능하고, 특히, LED를 투과 조명으로 사용할 때에는 제품을 투과한 광을 카메라가 인식할 수 있도록 방열보강층(210)이 적어도 30%의 투과율을 갖고 있는 것이 좋지만, 이에 한정되는 것은 아니다. 그런데, 방열보강층(210)으로 탄소나노튜브만을 사용할 경우에는 방열보강층(210)의 투과성이 매우 낮아지기 때문에, 투과 방식의 제품검사가 어려울 수 있다. 하지만, 방열보강층(210)으로 탄소나노튜브와 고분자 물질의 화합물을 사용함에 따라서, 방열보강층(210)의 투명성을 확보할 수 있어, 투과 방식의 제품검사가 가능하다.
뿐만 아니라, 방열 보강층(210)이 투명성을 확보하기 위해, 방열 보강 층(210)의 두께를 얇게 형성할 수도 있다. 두께를 두껍게 하면 방열 보강층(210)의 투명성은 떨어질 수 있다.
또한, 방열보강층(210) 내의 고분자 물질로 인해, 고분자 물질을 사용하는 베이스 필름(100)과 방열보강층(210)의 결착력이 높아진다. 또한, 방열보강층(210) 내의 고분자 물질로 인해서, 방열보강층(210)의 유연성 및 치수안정성이 우수해 진다.
한편, 방열보강층(210)은 금속, 금속 합금 및 세라믹 물질을 포함하는 그룹에서 선택된 적어도 하나를 더 포함할 수 있다.
이와 같이 방열보강층(210)이 금속, 금속 합금 및 세라믹 물질을 포함하면, 방열보강층(210) 내의 탄소나노튜브을 고르게 분산시킬 수 있고, 특히, 방열보강층(210)의 열전도성을 높일 수 있다(즉, 방열보강층(210)의 열을 더 효과적으로 방출할 수 있다.).
사용할 수 있는 금속, 금속 합금으로는, 열전도성이 높은 금속, 예를 들어, Ag, Cu, Au, Al, W, Pt, Cr 및 이들의 합금일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
또는, 사용할 수 있는 세라믹 물질로는 ZrO2, Al2O3 등을 예로 들수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
구동집적회로 칩(300)로부터 발생한 열을 효과적으로 방출하기 위하여 방열보강층(210)은 구동집적회로 칩(300)와 정확히 상응하는 위치에 배치되는 것이 바 람직하다. 예를 들어, 도 1 내지 도 3에 도시된 것처럼, 방열보강층(210)은 실장 영역(110)과 오버랩되도록 형성될 수 있다.
여기서, 도 3을 참고하여 방열보강층(210)과 실장 영역(110) 사이의 관계를 설명하면 다음과 같다. 방열보강층(210)의 면적은 실장 영역(110)의 면적보다 같거나 클 수 있다. 예를 들어, 도 3에 도시된 것과 같이, 실장 영역(110)의 제11 폭(w11)은 대응되는 방열보강층(210)의 제21 폭(w21)보다 같거나 작을 수 있고, 실장 영역(110)의 제12 폭(w12)은 대응되는 방열보강층(210)의 제22 폭(w22)보다 같거나 작을 수 있다. 방열보강층(210)의 면적은 베이스 필름(100) 상에 형성되기 때문에, 베이스 필름(100)의 면적보다 같거나 작을 수 있다.
방열보강층(210)이 이와 같은 면적을 같는 이유는 다음과 같다.
방열보강층(210)의 면적이 너무 작은 경우에는 충분한 방열 효과를 기대하기 어렵게 된다. 또한, 너무 큰 경우에는 방열 효과가 더 이상 향상되지 않고 방열보강층(210)을 구성하는 물질만 낭비될 수 있으며 방열보강층(210)에 균열이 생성될 수 있는 부위가 넓어져 베이스 필름(100)에 방열보강층(210)이 양호하게 접촉되지 않을 뿐만 아니라 유연성도 나빠질 수 있다. 한편, 상기 방열보강층의 면적을 상기 베이스 필름의 면적과 같도록 형성하면, 방열보강층이 보강재의 역할도 하기 때문에 제조공정에서 가해지는 스트레스에 대한 내성을 보강하여 베이스 필름의 변형이 예방되고, 그에 따라 배선 패턴도 안정화 되어 치수 변형이 예방되기 때문에, 치수 안정성도 향상될 수 있다.
또한, 방열보강층(210)의 두께는 0.01~100㎛일 수 있다.
방열보강층(210)이 0.01㎛보다 작을 경우에는, 충분한 방열 효과를 기대하기 어렵다. 또한, 방열보강층(210)이 100㎛보다 큰 경우에는 방열보강층(210)을 구성하는 물질만 낭비될 수 있고, 베이스 필름(100)의 유연성도 나빠질 수 있다. 또한, 방열보강층(210)의 투과성을 고려하여 두께는 조절될 수 있다. 방열보강층(210)의 투과성을 높이기 위해서는 방열보강층(210)의 두께는 얇을수록 좋다.
본 실시예와 같이 방열보강층(210)의 위치, 면적, 두께가 열 발생 정도에 따라 구동집적회로 칩(300)에 상응하도록 조절되는 경우 방열 효과가 상승될 수 있으며, 연성 회로 기판의 제조 비용이 절감될 수 있다.
도 5은 본 발명의 제2 실시예에 따른 연성 회로 기판을 설명하기 위한 단면도이다. 도 6는 본 발명의 제3 실시예에 따른 연성 회로 기판을 설명하기 위한 단면도이다.
도 5를 참조하면, 본 발명의 제2 실시예에 따른 연성 회로 기판이 제1 실시예와 다른 점은, 방열보강층(210)이 베이스 필름(100)의 타면 전체에 형성되어 있다는 점이다.
도 6를 참조하면, 본 발명의 제3 실시예에 따른 연성 회로 기판이 제2 실시예와 다른 점은, 방열보강층(210)을 보호하기 위한 제2 보호층(220)이 방열보강층(210) 상에 형성되어 있는 점이다. 제2 보호층(220)은 예를 들어, 폴리이미드(polyimide) 또는 PET(polyethylen terephthalate) 등의 고분자 물질일 수 있지만, 이에 한정되는 것은 아니다.
도시하지 않았으나, 제2 보호층(220)은 도 2에 도시된 방열보강층(210) 상에 형성되어 있어도 무방하다.
도 7은 본 발명의 제4 실시예에 따른 연성 회로 기판을 설명하기 위한 평면도이다. 도 8은 도 7의 VIII-VIII'를 따라 절단한 단면도이다. 도 7에 도시된 연성 회로 기판은 TAB(Tape Automated Bonding)용 연성 회로 기판이지만, 이에 한정되는 것은 아니다.
도 7 및 도 8을 참조하면, 본 발명의 제4 실시예에 따른 연성 회로 기판에서, 베이스 필름(100) 중에서 실장 영역(110)으로 정의된 부분의 적어도 일부에는 개구부(112)가 형성되어 있다. 도시되어 있는 것과 같이, 제1 배선 패턴(150)의 일단(끝단)과, 제2 배선 패턴(160)의 일단(끝단)은 개구부(112)와 오버랩될 수 있다.
개구부(112)가 형성되어 있기 때문에, 방열보강층(210)은 베이스 필름(100)의 타면 상에 개구부(112)를 제외한 영역에 형성되게 된다. 예를 들어, 방열보강층(210)은 개구부(112)를 둘러싸도록 형성될 수 있다. 물론, 칩이 실장된 이후에 상기 개구부(112)에 충진된 밀봉재 상에 방열보강층(21)을 형성할 수도 있다.
한편, 반도체 패키지는 본 발명의 제1 실시예에 따른 연성 회로 기판을 이용한 것만을 도시하였는데(도 4 참조), 당업자는 나머지 실시예에 따른 연성 회로 기판을 이용하여 반도체 패키지를 만들 수 있다.
이하에서, 도 9 내지 도 11, 도 2를 참조하여 본 발명의 제1 실시예에 따른 연성 회로 기판의 제조 방법을 설명한다. 도 9 내지 도 11은 본 발명의 제1 실시예에 따른 연성 회로 기판의 제조 방법을 설명하기 위한 중간단계도면들이다.
도 9를 참조하면, 일면에 금속층(149)이 형성된 베이스 필름(100)을 준비한 다.
예를 들어, 베이스 필름(100) 상에 금속층(149)을 형성하여도 무방하고, 금속층(149)이 형성되어 있는 베이스 필름(100)을 구매하여 사용하여도 무방하다.
이어서, 도 10을 참조하면, 금속층(149)을 패터닝하여 배선 패턴(150, 160)을 형성한다.
이어서, 도 11을 참조하면, 베이스 필름(100)의 타면에 방열보강층(210)을 형성한다.
예를 들어, 베이스 필름(100)의 타면에 스프레이 방식, 롤코팅 방식, 인쇄 방식 또는 방열보강층을 필름형태로 형성하여 라미네이트(Laminate) 방식으로 탄소나노튜브 물질을 포함하는 방열보강물질을 형성하고, 방열보강물질이 형성된 베이스 필름(100)을 열처리한다. 이어서, 열처리된 방열보강물질을 패터닝하여 방열보강층(210)을 형성할 수 있다.
여기서, 열처리하는 것은 상온-300℃에서 수행될 수 있다. 만약, 열처리가 상온다 낮을 경우 탄소나노튜브 물질이 적절한 특성을 갖지 못하고, 열처리가 300℃보다 높을 경우 베이스 필름(100)이 스트레스를 받게 될 수 있다.
또는, 스크린 인쇄 방식을 이용하여 방열보강층(210)을 형성할 수 있다. 구체적으로, 베이스 필름(100)의 타면에 스크린 인쇄용 마스크(즉, 방열보강층이 형성될 영역을 노출하는 마스크)를 형성하고, 방열보강층(210)을 용이하게 형성할 수도 있다.
이어서, 다시 도 2를 참조하면, 배선 패턴(150, 160) 상에 제1 보호층(170) 을 형성하여, 연성 회로 기판을 완성한다.
도면으로 설명하지 않았으나, 베이스 필름의 타면에 방열보강층(210)을 형성한 후, 상기 방열보강층 상에 제2 보호층(220)을 더 형성할 수도 있다.
이하에서, 도 9, 도 12, 도 13, 도 5를 참조하여 본 발명의 제2 실시예에 따른 연성 회로 기판의 제조 방법을 설명한다. 도 12 및 도 13은 본 발명의 제2 실시예에 따른 연성 회로 기판의 제조 방법을 설명하기 위한 중간단계도면들이다.
우선, 도 9에서와 같이, 일면에 금속층(149)이 형성된 베이스 필름(100)을 준비한다.
도 12를 참조하면, 베이스 필름(100)의 타면에 베이스 필름의 타면에 탄소나노튜브를 포함하는 방열보강층(210)을 형성한다.
도 13을 참조하면, 방열보강층(210)을 형성한 후, 금속층(149)을 패터닝하여 배선 패턴(150, 160)을 형성한다.
여기서, 도면에는 표시하지 않았으나, 도 10 단계와 도 11 단계 사이에, 방열보강층(210) 상에 제2 보호층(220)을 형성할 수 있다. 왜냐 하면, 금속층(149)을 패터닝할 때, 예를 들어, 식각액을 사용할 수 있는데, 식각액의 성분에 따라서 방열보강층(210)이 영향을 받을 수도 있기 때문이다. 물론, 상기 제2 보호층(220)은 제품이 완성된 후 제거할 수 있다.
이어서, 다시 도 5를 참조하면, 배선 패턴(150, 160) 상에 제1 보호층(170)을 형성하여, 연성 회로 기판을 완성한다.
전술한 본 발명의 제1 및 제2 실시예에 따른 연성 회로 기판의 제조 방법을 통해서, 당업자는 본 발명의 제3 및 제4 실시예에 따른 연성 회로 기판의 제조 방법을 유추할 수 있으므로 설명을 생략한다.
이와 같이 완성된 연성 회로 기판 상에 구동집적회로 칩을 실장하고, 패시베이션(passivation) 공정 등을 더 진행하면 반도체 패키지를 완성할 수 있다.
또한, 도면으로는 설명하지 않았으나, 일면에 금속층이 형성된 베이스 필름을 준비하고, 상기 금속층을 패터닝하여 배선 패턴을 형성하고, 상기 배선 패턴과 접속되도록 구동집적회로 칩을 실장한 후, 상기 베이스 필름의 타면에 방열보강층을 형성하여 반도체 패키지를 완성할 수 있다. 또한, 상기 베이스 필름의 타면에 방열보강층을 형성한 후에는. 상기 방열보강층 상에 보호층을 형성할 수 있다.
이상 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 설명하였지만, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명이 그 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다.
도 1은 본 발명의 제1 실시예에 따른 연성 회로 기판을 설명하기 위한 평면도이다.
도 2는 도 1의 II-II'를 따라 절단한 단면도이다.
도 3은 도 1에 기재된 실장 영역과 방열보강층을 비교설명하기 위한 도면이다.
도 4는 도 1의 연성 회로 기판을 이용하여 제조된 반도체 패키지를 설명하기 위한 도면이다.
도 5은 본 발명의 제2 실시예에 따른 연성 회로 기판을 설명하기 위한 단면도이다.
도 6는 본 발명의 제3 실시예에 따른 연성 회로 기판을 설명하기 위한 단면도이다.
도 7은 본 발명의 제4 실시예에 따른 연성 회로 기판을 설명하기 위한 평면도이다.
도 8은 도 7의 VIII-VIII'를 따라 절단한 단면도이다.
도 9 내지 도 11은 본 발명의 제1 실시예에 따른 연성 회로 기판의 제조 방법을 설명하기 위한 중간단계도면들이다.
도 12 및 도 13은 본 발명의 제2 실시예에 따른 연성 회로 기판의 제조 방법을 설명하기 위한 중간단계도면들이다.
(도면의 주요부분에 대한 부호의 설명)
100: 베이스 필름 110: 실장 영역
112: 개구부 150: 제1 배선 패턴
160: 제2 배선 패턴 170: 제1 보호층
210: 방열보강층 220: 제2 보호층
Claims (25)
- 베이스 필름;상기 베이스 필름의 일면 상에 정의되고, 구동집적회로 칩이 실장되는 실장 영역;상기 베이스 필름의 일면 상에, 상기 실장 영역을 중심으로 양측에 각각 배치된 제1 배선 패턴과 제2 배선 패턴; 및상기 베이스 필름의 타면 상에 상기 실장 영역과 대응되는 위치에 상기 실장 영역보다는 크고 상기 베이스 필름보다 작은 면적을 가지도록 형성되고 상기 칩에서 발생된 열을 외부로 방출하도록 열전도성을 가진 탄소나노튜브를 포함하고 두께가 0.01~100㎛인 방열보강층을 포함하는 연성 회로 기판.
- 삭제
- 삭제
- 삭제
- 제 1항에 있어서,상기 베이스 필름 중에서 상기 실장 영역으로 정의된 부분의 적어도 일부는 개구부를 포함하고,상기 제1 배선 패턴의 일단과, 상기 제2 배선 패턴의 일단은 상기 개구부에 연장하여 돌출되도록 오버랩되고,상기 방열보강층은 상기 베이스 필름의 타면 상에 상기 실장 영역과 대응되는 위치에 상기 실장 영역보다 크고 상기 베이스 필름보다 작은 면적을 가지도록 상기 개구부를 제외한 영역에 형성된 연성 회로 기판.
- 제 1항에 있어서,상기 방열보강층 상에 형성된 보호층을 더 포함하는 연성 회로 기판.
- 제 1항에 있어서,상기 방열 보강층은 상기 탄소나노튜브와 고분자 물질의 화합물로 이루어지는 연성 회로 기판.
- 제 7항에 있어서,상기 고분자 물질은 폴리이미드(polyimide), 폴리에스테르(polyester), 폴리에틸렌테레프탈레이트(Polyethylene Terephthalate), 폴리에틸렌나프탈렌 (poly ethylene napthalene) 및 폴리카보네이트(poly carbonate)을 포함하는 고분자 그룹에서 선택된 적어도 하나를 포함하는 연성 회로 기판.
- 제 7항에 있어서,상기 방열 보강층은 금속, 금속 합금 및 세라믹 물질을 포함하는 그룹에서 선택된 적어도 하나를 더 포함하는 연성 회로 기판.
- 제 1항, 제 5항 내지 제 9항 중 어느 한 항의 연성 회로 기판; 및상기 실장 영역에 실장된 구동집적회로 칩을 포함하는 반도체 패키지.
- 일면에 금속층이 형성된 베이스 필름을 준비하고,상기 베이스 필름의 타면 상에 실장 영역과 대응되는 위치에 상기 실장 영역보다는 크고 상기 베이스 필름보다 작은 면적을 가지도록 형성되고 열전도성을 가진 탄소나노튜브를 포함하고 두께가 0.01~100㎛인 방열보강층을 형성하고,상기 방열보강층을 형성한 후, 상기 금속층을 패터닝하여 배선 패턴을 형성하는 것을 포함하는 연성 회로 기판의 제조 방법.
- 일면에 금속층이 형성된 베이스 필름을 준비하고,상기 금속층을 패터닝하여 배선 패턴을 형성하고,상기 배선 패턴을 형성한 후, 상기 베이스 필름의 타면에 실장 영역과 대응되는 위치에 상기 실장 영역보다는 크고 상기 베이스 필름보다 작은 면적을 가지도록 형성되고 열전도성을 가진 탄소나노튜브를 포함하고 두께가 0.01~100㎛인 방열보강층을 형성하는 것을 포함하는 연성 회로 기판의 제조 방법.
- 삭제
- 제 11항 또는 제 12항에 있어서, 상기 방열보강층을 형성하는 것은상기 베이스 필름의 타면에 스프레이, 롤코팅, 인쇄 또는 라미네이트 방식으로 탄소나노튜브 물질을 포함하는 방열보강물질을 형성하고,상기 방열보강물질이 형성된 상기 베이스 필름을 열처리하는 것을 포함하는 연성 회로 기판의 제조 방법.
- 제 14항에 있어서,상기 열처리하는 것은 상온~300℃에서 수행하는 연성 회로 기판의 제조 방법.
- 제 11항에 있어서,상기 방열보강층을 형성하고 배선 패턴을 형성하기 전에,상기 방열보강층 상에 보호층을 형성하는 것을 더 포함하는 연성 회로 기판의 제조 방법.
- 제 12항에 있어서,상기 베이스 필름의 타면에 방열보강층을 형성한 후,상기 방열보강층 상에 보호층을 형성하는 것을 더 포함하는 연성 회로 기판의 제조 방법.
- 제 11항 또는 제 12항에 있어서,상기 방열 보강층은 상기 탄소나노튜브와 고분자 물질의 화합물로 이루어지는 연성 회로 기판.
- 제 18항에 있어서,상기 고분자 물질은 폴리이미드(polyimide), 폴리에스테르(polyester), 폴리에틸렌테레프탈레이트(Polyethylene Terephthalate), 폴리에틸렌나프탈렌 (poly ethylene napthalene) 및 폴리카보네이트(poly carbonate)을 포함하는 고분자 그룹에서 선택된 적어도 하나를 포함하는 연성 회로 기판.
- 제 11항 또는 제 12항에 있어서,상기 방열 보강층은 금속, 금속 합금 및 세라믹 물질을 포함하는 그룹에서 선택된 적어도 하나를 더 포함하는 연성 회로 기판.
- 제 11항 또는 제 12항의 방법에 의해서 제조된 연성 회로 기판을 준비하고,상기 연성 회로 기판 상에 구동집적회로 칩을 실장하는 것을 포함하는 반도 체 패키지의 제조 방법.
- 일면에 금속층이 형성된 베이스 필름을 준비하고,상기 금속층을 패터닝하여 배선 패턴을 형성하고,상기 배선 패턴과 접속되도록 구동집적회로 칩을 실장한 후,상기 베이스 필름의 타면 상에 상기 구동집적회로 칩의 실장 영역과 대응되는 위치에 상기 실장 영역보다는 크고 상기 베이스 필름보다 작은 면적을 가지도록 형성되고 상기 칩에서 발생된 열을 외부로 방출하도록 열전도성을 가진 탄소나노튜브를 포함하고 두께가 0.01~100㎛인 방열보강층을 형성하는 것을 포함하는 반도체 패키지의 제조 방법.
- 제 22항에 있어서,상기 베이스 필름의 타면에 방열보강층을 형성한 후,상기 방열보강층 상에 보호층을 형성하는 것을 더 포함하는 반도체 패키지의 제조 방법.
- 제 11항 또는 제 12항의 연성 회로 기판의 제조 방법에 의해서 제조된 연성 회로 기판.
- 제 22항 또는 제 23항의 반도체 패키지의 제조 방법에 의해서 제조된 반도체 패키지.
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR20080119764 | 2008-11-28 | ||
| KR1020080119764 | 2008-11-28 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR100944274B1 true KR100944274B1 (ko) | 2010-02-25 |
Family
ID=42083798
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020090006321A Expired - Fee Related KR100944274B1 (ko) | 2008-11-28 | 2009-01-23 | 연성 회로 기판 및 그 제조 방법, 상기 연성 회로 기판을 포함하는 반도체 패키지 및 그 제조 방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR100944274B1 (ko) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101386386B1 (ko) | 2012-03-22 | 2014-04-16 | 엘지디스플레이 주식회사 | 금속 인쇄회로기판의 제조방법 및 그의 구조 |
| KR20160056628A (ko) * | 2014-11-12 | 2016-05-20 | (주)노루페인트 | 방열 도료 및 이를 이용한 방열 코팅막 형성방법 |
| WO2019182330A1 (ko) * | 2018-03-22 | 2019-09-26 | 주식회사 아모그린텍 | 표시패널과 구동회로기판을 연결하는 칩온필름 패키지용 연성 인쇄회로기판 및 이에 구동칩을 본딩하는 방법 |
| KR20190111301A (ko) * | 2018-03-22 | 2019-10-02 | 주식회사 아모그린텍 | 표시패널과 구동회로기판을 연결하는 칩온필름 패키지용 연성 인쇄회로기판 및 이에 구동칩을 본딩하는 방법 |
| CN112071812A (zh) * | 2019-06-10 | 2020-12-11 | 硅工厂股份有限公司 | 散热膜上芯片封装 |
| JP2021111770A (ja) * | 2019-12-31 | 2021-08-02 | ▲き▼邦科技股▲分▼有限公司 | 補強フレキシブル回路基板 |
| JP2021129099A (ja) * | 2020-02-17 | 2021-09-02 | ▲き▼邦科技股▲分▼有限公司 | チップパッケージとその回路基板 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20050118302A (ko) * | 2003-04-08 | 2005-12-16 | 데이진 듀폰 필름 가부시키가이샤 | 반도체 웨이퍼 가공용 베이스 필름 |
| KR20070002305A (ko) * | 2005-06-30 | 2007-01-05 | 주식회사에스엘디 | 방열층 구조를 가진 회로 기판 |
| KR20070048849A (ko) * | 2005-11-07 | 2007-05-10 | 엘지전자 주식회사 | 집적회로 패키지 |
| KR100787268B1 (ko) * | 2005-06-30 | 2007-12-21 | 폴리마테크 컴퍼니 리미티드 | 방열 부재 및 이의 제조 방법 |
-
2009
- 2009-01-23 KR KR1020090006321A patent/KR100944274B1/ko not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20050118302A (ko) * | 2003-04-08 | 2005-12-16 | 데이진 듀폰 필름 가부시키가이샤 | 반도체 웨이퍼 가공용 베이스 필름 |
| KR20070002305A (ko) * | 2005-06-30 | 2007-01-05 | 주식회사에스엘디 | 방열층 구조를 가진 회로 기판 |
| KR100787268B1 (ko) * | 2005-06-30 | 2007-12-21 | 폴리마테크 컴퍼니 리미티드 | 방열 부재 및 이의 제조 방법 |
| KR20070048849A (ko) * | 2005-11-07 | 2007-05-10 | 엘지전자 주식회사 | 집적회로 패키지 |
Cited By (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101386386B1 (ko) | 2012-03-22 | 2014-04-16 | 엘지디스플레이 주식회사 | 금속 인쇄회로기판의 제조방법 및 그의 구조 |
| KR20160056628A (ko) * | 2014-11-12 | 2016-05-20 | (주)노루페인트 | 방열 도료 및 이를 이용한 방열 코팅막 형성방법 |
| KR101666053B1 (ko) * | 2014-11-12 | 2016-10-14 | (주)노루페인트 | 방열 도료 및 이를 이용한 방열 코팅막 형성방법 |
| WO2019182330A1 (ko) * | 2018-03-22 | 2019-09-26 | 주식회사 아모그린텍 | 표시패널과 구동회로기판을 연결하는 칩온필름 패키지용 연성 인쇄회로기판 및 이에 구동칩을 본딩하는 방법 |
| KR20190111301A (ko) * | 2018-03-22 | 2019-10-02 | 주식회사 아모그린텍 | 표시패널과 구동회로기판을 연결하는 칩온필름 패키지용 연성 인쇄회로기판 및 이에 구동칩을 본딩하는 방법 |
| KR102175747B1 (ko) | 2018-03-22 | 2020-11-06 | 주식회사 아모그린텍 | 표시패널과 구동회로기판을 연결하는 칩온필름 패키지용 연성 인쇄회로기판 및 이에 구동칩을 본딩하는 방법 |
| CN112071812A (zh) * | 2019-06-10 | 2020-12-11 | 硅工厂股份有限公司 | 散热膜上芯片封装 |
| KR20200141322A (ko) * | 2019-06-10 | 2020-12-18 | 주식회사 실리콘웍스 | 방열 칩 온 필름 패키지 |
| KR102644356B1 (ko) * | 2019-06-10 | 2024-03-06 | 주식회사 엘엑스세미콘 | 방열 칩 온 필름 패키지 |
| CN112071812B (zh) * | 2019-06-10 | 2025-01-21 | 硅工厂股份有限公司 | 散热膜上芯片封装 |
| TWI872080B (zh) * | 2019-06-10 | 2025-02-11 | 南韓商矽工廠股份有限公司 | 散熱薄膜覆晶封裝 |
| JP2021111770A (ja) * | 2019-12-31 | 2021-08-02 | ▲き▼邦科技股▲分▼有限公司 | 補強フレキシブル回路基板 |
| JP2021129099A (ja) * | 2020-02-17 | 2021-09-02 | ▲き▼邦科技股▲分▼有限公司 | チップパッケージとその回路基板 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR100944274B1 (ko) | 연성 회로 기판 및 그 제조 방법, 상기 연성 회로 기판을 포함하는 반도체 패키지 및 그 제조 방법 | |
| KR20230014803A (ko) | 연성 회로기판, cof 모듈 및 이를 포함하는 전자 디바이스 | |
| EP2741341B1 (en) | Semiconductor device and fabrication method thereof | |
| JP4109707B1 (ja) | 半導体装置およびその製造方法、ならびにディスプレイ装置およびその製造方法 | |
| US8017959B2 (en) | Light source and liquid crystal display device using the same | |
| EP2170024B1 (en) | Backlight unit equipped with light emitting diodes | |
| JP2009033088A (ja) | 半導体発光装置、その製造方法およびそれを用いたｌｅｄ照明装置 | |
| US20100244281A1 (en) | Flexible printed wiring board and semiconductor device employing the same | |
| US8624388B2 (en) | Package carrier and manufacturing method thereof | |
| KR20080077588A (ko) | 칩 온 필름용 배선기판과 그 제조방법, 및 반도체장치 | |
| KR101112175B1 (ko) | 연성 회로 기판 및 그 제조 방법, 상기 연성 회로 기판을 포함하는 반도체 패키지 및 그 제조 방법 | |
| CN111816752A (zh) | Mini LED制备方法及Mini LED | |
| KR101223701B1 (ko) | 연성 회로 기판 및 이를 포함하는 표시 장치, 연성 회로 기판의 제조 방법 | |
| KR101908498B1 (ko) | 신호 전송 필름 및 그 제조 방법과 그를 가지는 표시 장치 | |
| KR101121687B1 (ko) | 플렉서블 ｌｅｄ 패키지 | |
| JP2010206072A (ja) | 半導体装置用テープキャリアおよび半導体装置 | |
| KR101369300B1 (ko) | 방열성을 향상시킨 칩 온 필름 패키지 | |
| KR101040737B1 (ko) | 연성 회로 기판, 패키지, 및 평판 표시 장치 | |
| US20120300457A1 (en) | Light-emitting device | |
| KR101370445B1 (ko) | 방열성을 향상시킨 칩 온 필름 패키지 | |
| KR101751390B1 (ko) | 연성 회로 기판 및 그 제조 방법 | |
| TWI524480B (zh) | 具有改善散熱之薄膜覆晶封裝件 | |
| KR101369298B1 (ko) | 방열성을 향상시킨 칩 온 필름 패키지 | |
| KR20100100229A (ko) | 발광 다이오드 패키지 및 그의 제조 방법 | |
| KR20100015140A (ko) | 연성 인쇄 회로 기판의 제조 방법 및 이에 의해 제조된연성 인쇄 회로 기판 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| PA0109 | Patent application |
Patent event code: PA01091R01D Comment text: Patent Application Patent event date: 20090123 |
|
| PA0201 | Request for examination | ||
| A302 | Request for accelerated examination | ||
| PA0302 | Request for accelerated examination |
Patent event date: 20090209 Patent event code: PA03022R01D Comment text: Request for Accelerated Examination Patent event date: 20090123 Patent event code: PA03021R01I Comment text: Patent Application |
|
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| PE0902 | Notice of grounds for rejection |
Comment text: Notification of reason for refusal Patent event date: 20090417 Patent event code: PE09021S01D |
|
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| PE0902 | Notice of grounds for rejection |
Comment text: Notification of reason for refusal Patent event date: 20090812 Patent event code: PE09021S01D |
|
| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
| PE0701 | Decision of registration |
Patent event code: PE07011S01D Comment text: Decision to Grant Registration Patent event date: 20091130 |
|
| GRNT | Written decision to grant | ||
| PR0701 | Registration of establishment |
Comment text: Registration of Establishment Patent event date: 20100218 Patent event code: PR07011E01D |
|
| PR1002 | Payment of registration fee |
Payment date: 20100219 End annual number: 3 Start annual number: 1 |
|
| PG1601 | Publication of registration | ||
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20130218 Year of fee payment: 4 |
|
| PR1001 | Payment of annual fee |
Payment date: 20130218 Start annual number: 4 End annual number: 4 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20140218 Year of fee payment: 5 |
|
| PR1001 | Payment of annual fee |
Payment date: 20140218 Start annual number: 5 End annual number: 5 |
|
| LAPS | Lapse due to unpaid annual fee | ||
| PC1903 | Unpaid annual fee |
Termination category: Default of registration fee Termination date: 20160109 |