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CN1797153A - 液晶显示器件及其制造方法 - Google Patents

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CN1797153A CNA2005100824286A CN200510082428A CN1797153A CN 1797153 A CN1797153 A CN 1797153A CN A2005100824286 A CNA2005100824286 A CN A2005100824286A CN 200510082428 A CN200510082428 A CN 200510082428A CN 1797153 A CN1797153 A CN 1797153A
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Abstract

公开了一种多晶硅液晶显示器及其简化了的制造方法。根据本发明的液晶显示器件包括：具有显示区和驱动器区域的第一和第二基板；与驱动器区域交叠的第一密封剂；以及在第一和第二基板之间的液晶层。

Description

液晶显示器件及其制造方法
技术领域
本发明涉及一种多晶硅显示器件，更具体地，涉及一种多晶硅液晶显示器及其简化的制造方法。
背景技术
通常，液晶显示(LCD)器件包括在液晶显示器件面板中排列为矩阵的多个液晶单元，液晶显示器件通过根据视频信号控制光的透射率来显示图像。在各液晶单元中，用薄膜晶体管(TFT)作为开关器件以独立地提供视频信号。这种TFT的有源层通常由非晶硅或者多晶硅(多硅(poly-silicon))构成。由于多晶硅的载流子迁移率大约比非晶硅的载流子迁移率快几百倍，可以用多晶硅技术将高速驱动电路一体地形成在LCD面板中。
图1是示出了根据现有技术的集成有驱动电路的多硅液晶显示面板的TFT基板的示意图。
参照图1，TFT基板包括：显示区7，其具有在由交叉的选通线2和数据线4限定的各像素区中的TFT 30和像素电极22；驱动数据线4的数据驱动器5；和驱动选通线2的选通驱动器3。
TFT 30响应来自选通线2的扫描信号将来自数据线4的视频信号充入像素电极22中。被视频信号充电的像素电极22相对于滤色器基板(该滤色器基板与TFT基板面对，二者之间有液晶)的公共电极产生电势差。由于液晶的介电各向异性，该电势差使液晶的分子旋转。光的透射率随液晶分子的旋转量而异，由此实现灰度级。
选通驱动器3顺序驱动选通线2，并且当一个选通线2被驱动时，数据驱动器5将视频信号施加给数据线4。
图2是图1中所示的包括在TFT基板的显示区7中的一个像素区的放大的平面图，而图3是沿着图2中的I-I’线的TFT基板的像素区的截面图。
参照图2和3，TFT基板包括与选通线2和数据线4相连的薄膜晶体管(TFT)30、以及与该TFT 30相连的像素电极22。尽管NMOS-TFT或PMOS-TFT都能用作TFT 30，但现在将描述采用NMOS-TFT的TFT 30。
TFT 30具有与选通线2相连的栅极6、与数据线4相连的源极、以及通过贯穿保护膜18的像素接触孔20与像素电极22相连的漏极10。栅极6与位于缓冲膜12上的有源层14的沟道区14C交叠，其间具有栅绝缘膜16。源极和漏极10以以下方式形成：它们与栅极6绝缘，与栅极6之间具有层间绝缘膜26。此外，源极和漏极10通过贯穿层间绝缘膜26和栅绝缘膜16的源接触孔24S和漏接触孔24D分别与掺杂n+杂质的有源层14中的源区14S和漏区14D相连。
根据现有技术的TFT基板的问题在于制造工艺复杂、制造成本高。
发明内容
因此，本发明旨在多硅液晶显示器件的薄膜晶体管基板及其制造方法，其基本避免了因现有技术的局限和缺点引起的一个或更多的问题。
本发明的一个优点是提供了一种多硅液晶显示器件的薄膜晶体管基板及其简化的制造方法。
本发明另外的优点和特征部分将在下面的说明书中阐述，部分对本领域普通技术人员来说在研究下面的内容后将变得显而易见，或者可以从实践本发明中获悉。本发明的这些和其他优点可以通过本文所撰写的说明书和权利要求以及附图所具体指出的结构实现和获得。
为了实现这些和其他优点并根据本发明的目的，如具体实施的和广义描述的，根据本发明的液晶显示器件包括具有显示区和驱动器区域的第一和第二基板；与驱动器区域交叠的第一密封剂；以及第一和第二基板之间的液晶层。
在本发明的另一方面，提供了一种制造液晶显示器件的方法，包括：提供具有显示区和驱动器区域的第一和第二基板；在第一和第二基板的至少一个上形成第一密封剂，该第一密封剂与驱动器区域交叠；以及在第一和第二基板之间形成液晶层。
应理解本发明前面的一般说明和后面的具体描述都是示例性的和解释性的，意在进一步解释本发明。
附图说明
所包括的附图用于进一步理解本发明，其并入且构成了本说明书的一部分，示出了本发明的实施例，并与说明书一起用来说明本发明的原理。
在附图中：
图1是示出了根据现有技术的集成了驱动电路的多晶硅液晶显示面板的TFT基板的示意图；
图2是图1所示的TFT基板的显示区7中包括的一个像素区的放大平面图；
图3是沿着图2中的线I-I’的TFT基板的像素区的截面图；
图4是示出了根据本发明的实施例的多晶硅显示器件的薄膜晶体管基板的一部分的平面图；
图5是沿着图4中的线III-III’、IV-IV’和V-V’的薄膜晶体管基板的截面图；
图6A至图6G是显示根据本发明的实施例的多晶硅显示器件的薄膜晶体管基板的制造方法的截面图；
图7是示出了根据本发明的实施例的多晶硅液晶显示面板的示意图；
图8是示出了图7中所示的多硅液晶显示面板中的驱动器区域的一部分的截面图；
图9是示出了根据本发明的另一个实施例的多硅液晶显示面板的示意图；
图10是示出了图9中所示的多硅显示面板的驱动器区域的一部分的截面图。
具体实施方式
现在将详细描述本发明的实施例，其示例在附图中示出。
图4是示出了根据本发明的一个实施例的多硅显示器件的薄膜晶体管基板的一部分的平面图，图5是沿着图4中的线III-III’、IV-IV’和V-V’的薄膜晶体管基板的截面图。
参照图4和图5，薄膜晶体管(TFT)基板包括显示区196、驱动显示区196的数据线104的数据驱动器192、以及驱动显示区196的选通线102的选通驱动器194。
显示区196包括与选通线102和数据线104相连的第一TFT 130、与TFT 130相连的像素电极122、以及存储电容器160。虽然第一TFT 130可以是NMOS-TFT或PMOS-TFT，但现在将说明采用NMOS-TFT的第一TFT130。
数据线104与选通线102及存储线152交叉，其间有层间绝缘膜118，以限定具有像素电极122的像素区。
第一NMOS-TFT 130响应来自选通线102的选通信号将数据线104上的视频信号施加给像素电极122。为此，第一NMOS TFT 130包括与选通线102连接的第一栅极106、与数据线104相连的第一源极、与像素电极122相连的第一漏极110、以及用于限定第一源极和第一漏极110之间的沟道的第一有源层114。
选通线102和第一栅极106连同存储线152都具有双层结构，其中在透明导电层101上形成金属层103。
第一有源层114形成在下基板100上，二者之间有缓冲膜112。第一有源层114具有：与栅极106交叠的沟道区114C(栅极106和沟道区114C之间有栅绝缘膜116)、以及n+杂质掺杂的源区114S和漏区114D。第一有源层114的源区114S和漏区114D通过贯穿层间绝缘膜118和栅绝缘膜116的第一源接触孔124S和第一漏接触孔124D，分别与第一源极和第一漏极110相连。第一有源层114可进一步包括位于沟道区114C与源极114S和漏极114D之间的n-杂质掺杂的轻掺杂漏极(LDD)区(未示出)，以降低第一NMOS-TFT 130的截止电流。
像素电极122包括位于像素区中的栅绝缘膜116上的透明导电层101、和位于透明导电层101上沿着透明导电层101周边的金属层103。换言之，像素电极122的透明导电层101通过贯穿层间绝缘膜118和金属层103的透射孔120露出。另选地，像素电极122可以只包括透明导电层101而没有金属层103。像素电极122与存储线152交叉并且与沿着透射孔120的侧面延伸的第一漏极110相连。更具体地，第一漏极110与通过透射孔120露出的像素电极122的金属层103和透明导电层101相连。
TFT 130将视频信号充入像素电极122以产生相对于滤色器基板(未示出)的公共电极的电势差。由于液晶的介电各向异性，该电势差使得位于TFT基板和滤色器基板之间的液晶旋转，从而控制从光源(未示出)通过像素电极向滤色器基板输入的透射光的量。
存储电容器160包括在存储线152和TFT 130之间并联的存储电容器Cst1和Cst2。存储线152与从有源层114延伸的下存储电极150相交叠，其间具有绝缘膜116，从而设置了第一存储电容器Cst1。使漏极110与存储线152交叉，其间具有层间绝缘膜118，从而设置了第二存储电容器Cst2。由于存储电容器160包括并联的第一存储电容器Cst1和第二存储电容器Cst2，所以它可以具有高的电容值。存储电容器160在预定的时段稳定地保持充入像素电极122的视频信号。
选通驱动器194和数据驱动器192具有包括第二NMOS-TFT 180和PMOS-TFT 190的CMOS结构。
第二NMOS-TFT 180包括：位于缓冲膜112上的第二有源层144；与第二有源层144的沟道区交叠的第二栅极136(有源层和栅极之间具有栅绝缘膜116)；以及第二源极138和第二漏极140，它们通过第二源接触孔154S和第二漏接触孔154D分别与第二有源层144的源区和漏区相连。第二有源层还包括沟道区、以及位于沟道区114C与源极和漏极之间用于降低截至电流的n-杂质掺杂的轻掺杂漏极(LDD)区(未示出)。第二NMOS-TFT 180具有与显示区196中的第一NMOS-TFT 130相同的结构。
PMOS-TFT 190包括：位于缓冲膜112上的第三有源层174；与第三有源层174的沟道区174C交叠的第三栅极166(其间具有栅绝缘膜116)，以及第三源极168和第三漏极170，它们通过第三源接触孔184S和第三漏接触孔184D分别与第三有源层174的源区174S和漏区174D相连。第三有源层174的源区174S和漏区174D为p型杂质掺杂。
如上所述，在根据本发明的实施例的多硅显示器件的TFT基板中，在栅绝缘膜116上形成像素电极122，连同双层结构的选通线102、第一至第三栅极106、136和166以及存储线152等，从而简化了制造工艺。结果，源/漏金属图案(包括具有第一源极的数据线104、第二和第三源极138和168、以及第一至第三漏极110、140和170)具有露出的结构。然而，根据本发明的原理，通过将源/漏图案设置在密封剂密封的区域内使得该源/漏图案可以被配向膜或液晶保护。
图6A至图6G是示出了根据本发明的实施例的多硅显示器件的TFT基板的制造方法的截面图。在图中，未示出选通驱动器194和数据驱动器192所包括的第二NMOS-TFT 180，因为其具有与显示区196的第一NMOS-TFT 130相同的结构，而可参照图4对其进行说明。
参照图6A，在下基板100上形成缓冲膜112，然后通过第一掩模工艺，在其上的显示区中形成第一有源层114和下存储电极150，并在驱动器区域中形成第二有源层144和第三有源层174。
在下基板100上全部淀积诸如SiO2之类的无机绝缘膜，形成缓冲膜112。接着，通过低压化学气相淀积(LPCVD)技术或等离子增强化学气相淀积(PECVD)技术等在缓冲膜112上形成非晶硅薄膜，然后使其结晶形成多硅薄膜。可在非晶硅薄膜结晶之前进行脱氢工艺以减少非晶硅薄膜中存在的氢原子。可以使用诸如顺序横向结晶(SLS)(晶粒在水平方向生长以增大晶粒的尺寸)的激光退火(ELA)工艺使非晶硅薄膜结晶。使用第一掩模通过光刻和刻蚀工艺对多硅薄膜构图，以在显示区中形成第一有源层114和下存储电极150，并在驱动器区域中形成第二有源层144和第三有源层174。
参照图6B，通过第二掩模工艺将n+杂质掺入下电极150中使其具有导电性。
更具体地，通过第二掩模使用光刻工艺形成露出下存储电极150的光刻胶图案，并将n+杂质掺入下电极150中，从而使得下电极150具有导电性。然后，通过剥离工艺去除该光刻胶图案。
参照图6C，在具有第一至第三有源层114、144和174以及下存储电极150的缓冲膜112上形成栅绝缘膜116，在其上通过第三掩模工艺形成像素电极122连同双层结构的选通线102、第一至第三栅极106、136和166以及存储线152。
通过在具有第一至第三有源层114、144和174以及下存储电极150的缓冲膜112上全部淀积诸如SiO2等的无机绝缘膜形成栅绝缘膜116。然后，通过溅射等在栅绝缘膜116上依次形成透明导电层101和金属层103。透明导电层101由铟锡氧化物(ITO)、锡氧化物(TO)或铟锌氧化物(IZO)等构成，而栅金属层103具有至少一层由诸如Mo、Cu、AlNd、Al、Ti、Cr、Mo合金、Cu合金、或Al合金等金属材料构成的单层。接着，使用第三掩模通过光刻和刻蚀工艺对金属层103和透明导电层101构图，形成像素电极122，连同双层结构的选通线102，第一至第三栅极106、136和166，以及存储线152。
参照图6D，通过第四掩模工艺限定第一和第二有源层114和144的源区114S和漏区114D以及LDD区。
更具体地，使用第一和第二栅极106和136作为掩模将n-杂质掺入第一和第二有源层114和144的露出部分以限定LDD区。随后，使用第四掩模通过光刻工艺形成露出第一和第二有源层114和144的源区114S和漏区114D的光刻胶图案，并且n+杂质被掺入源区114S和漏区114D。第一和第二有源层114和144的源区114S和漏区114D被设置在与栅极106和136交叠的沟道区114C和仅用n-杂质掺杂的LDD区之间。然后，通过剥离工艺去除该光刻胶图案。
参照图6E，通过第五掩模工艺将p+杂质掺入第三有源层174，形成第三有源层174的源区174S和漏区174D。
更具体地，使用第五掩模通过光刻工艺形成露出第三有源层174的源区174S和漏区174D的光刻胶图案。对露出的第三有源层174的每一侧区域掺入p+杂质，形成第三有源层174的源区174S和漏区174D。第三有源层174的源区174S和漏区174D彼此相对，其间有与第三栅极166交叠的沟道区174C。接着，通过剥离工艺去除该光刻胶图案。
参照图6F，通过第六掩模工艺在具有选通线102，栅极106、136和166，存储线152以及像素电极122的栅绝缘膜116上形成具有源漏接触孔124S、124D、154S、154D、184S和184D以及透射孔120的层间绝缘膜118。
通过在具有选通线102、栅极106，136和166、存储线152以及像素电极122的栅绝缘膜116上全部淀积诸如SiOx或SiNx等无机绝缘材料形成层间绝缘膜118。
然后，使用第六掩模通过光刻和刻蚀工艺形成贯通层间绝缘膜118和栅绝缘膜116的第一到第三源漏接触孔124S、154S和184S及第一到第三漏接触孔124D、154D和184D，以及贯通绝缘膜118的透射孔120。第一至第三源接触孔124S，154S，184S分别露出第一至第三有源层114、144、174的源区114S、144S和174S。第一至第三漏接触孔124D、154D、184D露出第一至第三有源层114、144和174的漏区114D、144D和174D。透射孔120露出栅金属层103，该金属层103是像素电极122的上层。
随后，刻蚀通过透射孔120露出的像素电极122的栅金属层103，以露出透明导电层101。与层间绝缘膜118交叠的栅极金属层103保留在透明导电层101的周边。
参照图6G，通过第七掩模工艺在层间绝缘膜118上形成源/漏金属图案，包括具有第一源极的数据线104，第二源极138和第三源极168，以及第一至第三漏极110、140和170。
该源/漏金属图案是通过在层间绝缘膜118上淀积源/漏金属，然后使用第七掩模通过光刻和刻蚀工艺构图源/漏金属层形成的。数据线104和第一漏极110通过第一源接触孔124S和漏接触孔124D与第一有源层114的源区114S和漏区114D相连。此外，第一漏极110通过透射孔120以与存储线152交叠的方式与像素电极122相连。第二源极138和第二漏极140通过第二源接触孔154S和第二漏接触孔154D分别与第二有源层144的源区和漏区相连。第三源极168和第三漏极170通过第三源极接触孔184S和第三漏极接触孔184D与第三有源层174的源区174S和漏区174D相连。
如上所述，根据本发明的实施例，多硅显示器件的TFT基板的制造方法是简化了的七掩模工艺。根据本发明的实施例的TFT基板不包括保护层，因此露出源/漏金属图案。然而，当所有的源/漏金属图案都设置在被密封剂密封的区域内时，它们能被其上形成的配向膜和该密封区域内的液晶充分地保护。
图7是示出了根据本发明的一实施例的多硅液晶显示器(LCD)面板的示意图。
该LCD面板包括：显示区210、驱动显示区210的数据线的数据驱动器230、和驱动显示区210的选通线的选通驱动器220。
显示区210包括由选通线和数据线的交叉限定的各像素区中的TFT和像素电极。该TFT响应来自选通线的扫描信号将来自数据线的视频信号充入像素电极。被视频信号充电的像素电极产生相对滤色器基板的公共电极的电势差，该滤色器基板与TFT基板相对，二者之间有液晶。由于液晶的介电各向异性，该电势差使得液晶的分子旋转。光的透射因液晶分子的旋转量而异，从而实现灰度级。
选通驱动器220依次驱动这些选通线，当选通线之一被驱动时，数据驱动器230将视频信号施加给数据线。
通过使用密封剂240将TFT基板和滤色器基板接合，并且在这两个经接合的基板中间的单元间隙中提供液晶来制造这种LCD面板。可以通过液晶滴注法或者真空注入法在两个基板间提供液晶，在液晶滴注法中，将液晶滴在两个基板的至少一个上然后将两个基板互相接合，在真空注入法中，将两个基板互相接合然后在两基板之间形成的单元间隙中注入液晶。
TFT基板具有选通驱动器220和数据驱动器230，连同包括在显示区210中的选通线、数据线、TFT和像素电极等等。滤色器基板具有滤色器、黑底和公共电极。沿着选通驱动器220和数据驱动器230的周边形成密封剂240，以将TFT基板和滤色器基板接合。于是，选通驱动器220和数据驱动器230位于被密封剂240密封的区域内。
更具体地，选通驱动器220或数据驱动器230中包括的TFT(例如图5中所示的PMOS-TFT 190)位于被密封剂240密封的区域内，如图8中所示，其形成形式为与密封剂240间隔开。为了增加粘附性，如图8中所示，密封剂240与有机绝缘膜构成的上下配向膜310和320间隔开，并且在TFT基板和滤色器基板300的每个上都不与它们接触。于是，位于TFT基板上的PMOS-TFT 190具有以下结构：它的一部分与下配向膜310交叠，而其他部分不与下配向膜310交叠。结果，PMOS-TFT 190的一些电极，例如源极168，具有露出的结构，这导致照明问题或者上下基板之间的短路等。
为了解决这些问题，根据本发明的另一实施例的多硅LCD面板进一步包括驱动器区域中的第二密封剂250。
在图9和10中，沿着选通驱动器220和数据驱动器230的周边形成第一密封剂240，而第二密封剂250在第一密封剂240的内部形成，形成形式为与选通驱动器220和数据驱动器230交叠。于是，以两条线形成第一密封剂240和第二密封剂250，将TFT基板与滤色器基板接合。第一密封剂240用于将TFT基板和滤色器基板接合，而第二密封剂250保护选通驱动器220和数据驱动器230中包括的TFT的电极。因此，第一密封剂240可包括玻璃纤维。
如图10所示，第二密封剂250与驱动器区中的PMOS-TFT 190的源极168交叠，从而保护该源极168。PMOS-TFT 190的漏极170被下配向膜310或者第二密封剂250保护。由于第二密封剂250与包括在选通驱动器220和数据驱动器230中的PMOS-TFT 190的源极168和/或漏极170交叠，它可以不包括可能导致电极损坏的玻璃纤维。
于是，选通驱动器220和数据驱动器230中包括的PMOS-TFT 190的源极168和漏极170可以被配向膜310和/或不包括玻璃纤维的第二密封剂250充分地保护，无需保护膜。
如上所述，根据本发明的与驱动电路集成的多硅显示器件可以通过简化的七掩模工艺制造，从而降低了制造成本，提高了生产率。此外，根据本发明的与驱动电路集成的多硅显示器件具有两个密封图案，一个图案包围驱动电路，而另一个图案与驱动电路交叠。具体地，与驱动电路交迭的密封图案保护驱动电路内的薄膜晶体管，并且为了防止或者使薄膜晶体管的损坏问题最小化，该密封图案可不含有玻璃纤维。
本发明的各种修改和变型对本领域技术人员来说将是显而易见的。因此，本发明意在涵盖落在所附的权利要求及其等同物的范围之内的各种修改和变型。
本申请要求2004年12月31日提交的韩国申请No.P2004-118561的优先权，该申请在此通过引用全文并入，如同在此进行了完全阐述一样。

Claims (31)

1.一种液晶显示器件，包括：
具有显示区和驱动器区域的第一和第二基板；
第一密封剂，其与所述驱动器区域交叠；以及
在所述第一和第二基板之间的液晶层。
2.根据权利要求1所述的器件，还包括包围所述驱动器区域周边的第二密封剂。
3.根据权利要求1所述的器件，其中所述第一密封剂保护所述驱动器区域中包括的薄膜晶体管。
4.根据权利要求3所述的器件，其中所述第一密封剂与所述驱动器区域中的TFT的一部分电极交叠。
5.根据权利要求1所述的器件，还包括在所述显示区中并延伸到所述驱动器区域的配向膜。
6.根据权利要求5所述的器件，其中所述配向膜是所述第一基板最上面的层。
7.根据权利要求5所述的器件，其中所述配向膜与所述第一密封剂隔开。
8.根据权利要求5所述的器件，其中所述配向膜与从所述驱动器区域露出的电极的一部分交叠。
9.根据权利要求1所述的器件，其中所述第一基板包括所述显示区和所述驱动器区域中的薄膜晶体管。
10.根据权利要求9所述的器件，其中所述薄膜晶体管包括：
在所述第一基板上的有源层；
具有双层结构的栅极，所述双层结构为在透明导电层上形成金属层；
位于所述有源层和所述栅极之间的第一绝缘膜；以及
与所述有源层的源区和漏区相连的源极和漏极。
11.根据权利要求10所述的器件，其中所述栅极与所述有源层相交。
12.根据权利要求10所述的器件，其中所述第一密封剂保护所述驱动器区域中的TFT的源极和漏极中的至少一个。
13.根据权利要求10所述的器件，其中所述第一基板还包括：
与所述薄膜晶体管的漏极相连的像素电极，该像素电极具有双层结构；以及
在该像素电极上的第二绝缘膜。
14.根据权利要求13所述的器件，其中所述像素电极的透明导电层通过贯穿所述第二绝缘膜和金属层的透射孔露出。
15.根据权利要求14所述的器件，其中所述金属层包围所述透射孔。
16.一种制造液晶显示器件的方法，包括：
提供具有显示区和驱动器区域的第一和第二基板；
在所述第一和第二基板的至少一个上形成第一密封剂，该第一密封剂与所述驱动器区域交叠；以及
在所述第一和第二基板之间形成液晶层。
17.根据权利要求16所述的方法，还包括形成包围所述驱动器区域周边的第二密封剂。
18.根据权利要求16所述的方法，其中所述第一密封剂保护从所述驱动器区域露出的电极。
19.根据权利要求18所述的方法，其中所述第一密封剂与从所述驱动器区域露出的一部分电极交叠。
20.根据权利要求16所述的方法，还包括形成在所述显示区中并延伸到所述驱动器区域的配向膜。
21.根据权利要求20所述的方法，其中所述配向膜是所述第一基板的最上面的层。
22.根据权利要求20所述的方法，其中所述配向膜与所述第一密封剂间隔开。
23.根据权利要求19所述的方法，其中所述配向膜与从驱动器区域中露出的那部分电极交叠。
24.根据权利要求16所述的方法，其中提供第一基板包括在所述显示区和驱动器区域中形成薄膜晶体管。
25.根据权利要求24所述的方法，其中形成所述薄膜晶体管包括：
在所述第一基板上形成有源层；
在该有源层上形成第一绝缘层；
在该第一绝缘层上形成栅极，该栅极具有双层结构，在该双层结构中金属层形成在透明导电层上；以及
形成与有源层的源区和漏区相连的源极和漏极。
26.根据权利要求25所述的方法，其中所述栅极与所述有源层相交。
27.根据权利要求25所述的方法，其中所述第一密封剂保护所述驱动器区域中的薄膜晶体管的源极和漏极中的至少一个。
28.根据权利要求25所述的方法，还包括形成与薄膜晶体管的漏极相连的像素电极。
29.根据权利要求28所述的方法，其中所述显示区中的像素电极具有双层结构。
30.根据权利要求28所述的方法，其中形成所述像素电极的步骤包括：
在第一绝缘膜上形成双层导电层；
在所述双层导电层上形成第二绝缘膜，并形成贯通所述第二绝缘膜的透射孔；以及
通过刻蚀所述双层导电层的金属层使所述透明导电层从所述透射孔露出。
31.根据权利要求30所述的方法，其中所述金属层包围所述透射孔。
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