CN108490700A - 电子装置及其制造方法 - Google Patents
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Abstract
一种电子装置,包括:第一基板、第二基板、夹设于第一基板与第二基板之间的介质层、设置于第一基板的内表面上的至少二子像素、至少二信号线、分别覆盖信号线的邻近于第一基板的至少一侧面的一部份,以形成至少二个重迭区的至少二导电图案、设置于第一基板与第二基板之间,并覆盖信号线的一部份与重迭区的黏胶,且黏胶的部份表面与重迭区的至少一部份形成多个容纳区、以及设置于第一基板的至少一侧面上的至少二侧电极。其中,侧电极的一部份分别延伸至容纳区并分别覆盖导电图案,且侧电极的另一部份与至少一电路元件电性连接。
Description
技术领域
本发明是有关于一种电子装置,且特别是有关于一种应用侧边接合技术的电子装置。
背景技术
随着技术的发展,显示面板的边框逐渐缩小,甚至出现无边框的设计。
而为了实现显示面板的窄边框,需要改变面板与其他电子元件的接合方式。然而,二者于接合时,所接触的导通面积较小,使得导通性较低。再者,在进行接合前与后的过程仍有可能产生走线损伤及/或接合不牢的情况发生。
发明内容
有鉴于此,本发明提供一种电子装置,其可能够解决于侧边接合工艺的导通面积过小、走线损伤、及/或接合不牢的问题。
本发明的电子装置包括:第一基板、第二基板、夹设于第一基板与第二基板之间的介质层、设置于第一基板的内表面上的至少二子像素、设置于第一基板的内表面上并与子像素电性连接,且延伸至邻近于第一基板的至少一侧面的至少二信号线、分别设置于信号在线,并分别覆盖信号线的邻近于第一基板的至少一侧面的一部份,以形成至少二个重迭区的至少二导电图案、设置于第一基板与第二基板之间,并覆盖信号线的一部份与重迭区的黏胶,且黏胶的部份表面与重迭区的至少一部份形成多个容纳区、以及设置于第一基板的至少一侧面上的至少二侧电极。其中,侧电极的一部份分别延伸至容纳区并分别覆盖导电图案,且侧电极的另一部份与至少一电路元件电性连接。
在本发明的一实施例中,上述的介质层为显示介质或绝缘层。
在本发明的一实施例中,上述的信号线包含数据线、扫描线、共享电极线及电源供应线其中至少一者。
在本发明的一实施例中,上述的导电图案的材料包含透明导电材料。
在本发明的一实施例中,上述的侧电极更设置于第二基板的至少一侧面上。
在本发明的一实施例中,上述的黏胶的部份表面为黏胶的部份下表面,且容纳区分别由黏胶的部份下表面与重迭区的至少一部份所形成。
在本发明的一实施例中,上述的黏胶的部份表面为黏胶的侧面,且容纳区分别由黏胶的部份侧面、第二基板的部份内表面与重迭区的至少一部份所形成。
在本发明的一实施例中,上述的黏胶包含第一部份与第二部份,且第一部份与第二部份分离设置。
本发明更提供一种电子装置的制造方法,包括下列步骤:
提供第一基板,第一基板的内表面具有:至少二子像素、至少二信号线、以及至少二导电图案,其中信号线与子像素电性连接,且延伸至与邻近于第一基板的至少一侧面,导电图案分别设置于信号在线,且分别覆盖信号线的邻近于第一基板的至少一侧面的一部份,以形成至少二个重迭区;
分别提供第二基板与黏胶,以黏合第一基板与第二基板,其中,黏胶位于第一基板与第二基板之间,且覆盖信号线的一部份与重迭区;以及
移除部份黏胶,以使黏胶的部份表面与重迭区的至少一部份形成多个容纳区。
在本发明的一实施例中,于移除部份黏胶时,移除部分第一基板的侧面以及部份第二基板的侧面的至少一者。
在本发明的一实施例中,上述的移除部份黏胶、部份第一基板的侧面与部分第二基板的侧面的方法包括研磨方法。
在本发明的一实施例中,上述的移除第一基板的侧面与第二基板的侧面的移除速率小于移除黏胶的移除速率。
在本发明的一实施例中,上述的移除部份黏胶的方法包括激光移除法。
在本发明的一实施例中,上述的移除部份黏胶的方法包括水解法。
在本发明的一实施例中,当提供黏胶以黏合第一基板与第二基板时,分别形成黏胶的第一部份与黏胶的第二部份于第一基板与第二基板之间,且第一部份与第二部份分离设置。
在本发明的一实施例中,移除部份黏胶时,移除黏胶的第一部份的至少一部份。
在本发明的一实施例中,上述的移除第一基板的侧面与第二基板的侧面的移除速率小于移除黏胶的第一部份的移除速率。
在本发明的一实施例中,上述的电子装置的制造方法更包括:于第一基板的至少一侧面上形成至少二侧电极,侧电极的一部份分别延伸至容纳区并分别覆盖导电图案,且侧电极的另一部份与至少一电路元件电性连接。
基于上述,本发明的电子装置能够解决侧边接合工艺的导通面积过小以及走线损伤的问题,而能进一步缩小面板的边框面积,同时也不影响其导通性。
为让本发明的上述特征和优点能更明显易懂,下文特举实施例,并配合所附图式作详细说明如下。
附图说明
图1A是本发明的实施例的电子装置的局部立体透视示意图。
图1B是图1A的电子装置的预定方向(例如:D3方向)侧视示意图。
图1C是图1A的电子装置的沿剖面线A-A’的剖面示意图。
图2A是本发明的变形例的电子装置的预定方向(例如:D3方向)侧视示意图。
图2B是本发明的变形例的电子装置的预定方向(例如:D3方向)侧视示意图。
图3A是本发明的变形例的电子装置的沿图1A的剖面线A-A’的剖面示意图。
图3B是本发明的变形例的电子装置的沿图1A的剖面线A-A’的剖面示意图。
图3C是本发明的变形例的电子装置的沿图1A的剖面线A-A’的剖面示意图。
图4A是本发明的电子装置的制造方法的示意图。
图4B是本发明的电子装置的制造方法的示意图。
其中,附图标记:
1:电子装置
100:第一基板
101、103、141、141’、201:侧面
102、204:内表面
110:数据线
111:扫描线
112:共享电极线
113:像素电极
114:子像素
120、202:导电图案
122:重迭区
140:黏胶
142:第一部份
143、143’:下表面
144:第二部分
146:空隙
148:容纳区
150:介质层
160:侧电极
162:延伸部
164:侧边部
180:移除部
200:第二基板
300:电路元件
SL:信号线
T:开关元件
D1、D2、D3:方向
具体实施方式
在附图中,为了清楚起见,放大了层、膜、面板、区域等的厚度。在整个说明书中,相同的附图标记表示相同的元件。应当理解,当诸如层、膜、区域或基板的元件被称为在另一元件”上”或”连接到”另一元件时,其可以直接在另一元件上或与另一元件连接,或者中间元件可以也存在。相反,当元件被称为”直接在另一元件上”或”直接连接到”另一元件时,不存在中间元件。如本文所使用的,”连接”可以指物理及/或电性连接。再者,”电性连接”或”耦接/耦合”系可为二元件间存在其它元件。
本文使用的”约”、”近似”、或”实质上”包括所述值和在本领域普通技术人员确定的特定值的可接受的偏差范围内的平均值,考虑到所讨论的测量和与测量相关的误差的特定数量(即,测量系统的限制)。例如,”约”可以表示在所述值的一个或多个标准偏差内,或±30%、±20%、±10%、±5%内。再者,本文使用的“约”、”近似”或“实质上”可依光学性质、蚀刻性质或其它性质,来选择较可接受的偏差范围或标准偏差,而可不用一个标准偏差适用全部性质。
除非另有定义,本文使用的所有术语(包括技术和科学术语)具有与本发明所属领域的普通技术人员通常理解的相同的含义。将进一步理解的是,诸如在通常使用的字典中定义的那些术语应当被解释为具有与它们在相关技术和本发明的上下文中的含义一致的含义,并且将不被解释为理想化的或过度正式的意义,除非本文中明确地这样定义。
本文参考作为理想化实施例的示意图的截面图来描述示例性实施例。因此,可以预期到作为例如制造技术及/或公差的结果的图示的形状变化。因此,本文所述的实施例不应被解释为限于如本文所示的区域的特定形状,而是包括例如由制造导致的形状偏差。例如,示出或描述为平坦的区域通常可以具有粗糙及/或非线性特征。此外,所示的锐角可以是圆的。因此,图中所示的区域本质上是示意性的,并且它们的形状不是旨在示出区域的精确形状,并且不是旨在限制权利要求的范围。
本文的示意图仅是用以示意本发明部分的实施例。因此,示意图中所示的各个元件的形状、数量及比例大小不应被用来限制本发明。举例来说,示意图中的侧电极以及容纳区的实际数量、大小以及形状仅是用来作为示意,并不代表本发明的侧电极以及容纳区的实际数量、大小以及形状一定要如图中所示。
首先,对本发明的电子装置进行说明。
图1A是本发明的一实施例的电子装置的局部立体透视示意图。图1B是图1A的电子装置的预定方向(例如:D3方向)侧视示意图。图1C是图1A的电子装置的沿剖面线A-A’的剖面示意图。
请同时参考图1A、图1B,电子装置1包括第一基板100、第二基板200、夹设于第一基板100与第二基板200之间的介质层150、设置于第一基板100与第二基板200之间的黏胶140以及设置于第一基板100的至少一侧面101上的侧电极160。第二基板200也具有至少一侧面201。举例而言,第一基板100的至少一侧面101与第二基板200的至少一侧面201为同一侧,也可视为电子装置1的同一侧。
在本实施例中,第一基板100例如为薄膜晶体管像素阵列(Thin Film TransistorArray,TFT array)基板,但不以此为限。在图1A中,第一基板100的内表面102上设置有至少二子像素114。
第一基板100的内表面102上设置有至少二信号线SL,并与对应的子像素114电性连接,且信号线SL可延伸至邻近于第一基板100的至少一侧面101。信号线SL包含数据线110、扫描线111、共享电极线112、电源供应线(未标示)及其它合适的线路其中至少一者。举例而言,信号线SL的种类可依当介质层150为显示介质150(例如:非自发光材料、自发光材料、或其它合适的材料)的类型,来改变且运用。在图1A中,信号线SL例如是数据线110、扫描线111以及/或共享电极线112,但不限于此。于其它实施例中,共享电极线112可与后述的像素电极113耦合而与对应的子像素114电性连接。
举例而言,子像素114至少包括至少一开关元件T、信号线SL(例如数据线110、扫描线111以及/或共享电极线112)以及至少一像素电极113。于其它实施例中,子像素114可选择性的不包含信号线SL中的共享电极线112。如图1A所示,开关元件T可以分别配置在第一基板100上,可位于多条信号线SL的交错处(interlace),例如:开关元件T可以配置在二条信号线SL(例如:数据线110以及扫描线111)的交错处,且分别与二条信号线SL(例如:数据线110以及扫描线111)电性连接,但不限于此。于其它实施例中,开关元件T可位于邻近交错处或非交错处,且分别与二条信号线SL(例如:数据线110以及扫描线111)电性连接。在本实施例中,开关元件T例如为薄膜晶体管(TFT),且其可包括底栅极式(bottom-gate)、顶栅极式(top-gate)、立体式的晶体管(vertical TFT)、或其它合适的晶体管,本发明并不特别限制。开关元件T可以以矩阵的形式配置在第一基板100上,并分别电性连接所对应的至少一条信号线SL(例如:数据线110及/或扫描线111)。
第一基板100的内表面102上设置有至少二导电图案120,分别设置于对应的信号线SL(例如:数据线110、扫描线111、共享电极线112、电源供应线(未标示)、或其它合适的线路其中至少一者、或是前述线路的至少二条)上,并分别覆盖信号线SL邻近于第一基板100的至少一侧面101的一部份,以形成至少二个重迭区122。在一实施例中,导电图案120可为单层或多层结构,且其材料包含透明导电材料,例如氧化铟锡(ITO)、铟锌氧化物(IZO)、铝锌氧化物(AZO)、纳米碳管或纳米碳杆、或其它合适的材料。借由导电图案120的设置,可使信号线SL与侧电极160之间电性连接,同时也可保护信号线SL,以避免在加工过程中因信号线SL氧化而产生的良率降低。
此处,所谓「覆盖信号线SL邻近于第一基板100的至少一侧面101的一部份」是指:导电图案120设置在第一基板100上,且其设置位置邻近于第一基板100的至少一侧面101,且导电图案120覆盖信号线SL的至少一部份。以图1A、图1B为例,导电图案120设置在邻近于第一基板100的侧面101处,且覆盖做为信号线SL(例如:扫描线111及/或共享电极线112),且在预定方向(例如:D3方向)上观测时,导电图案120可更覆盖信号线SL(例如:扫描线111及/或共享电极线112)之外的部份第一基板100,但是两相邻的导电图案120仍是相分隔开来。
或者,也可如图2A的变形例所示,导电图案120设置在邻近于第一基板100的侧面101处,且覆盖信号线SL(例如:扫描线111),并在预定方向(例如:D3方向)上观测时,导电图案120仅覆盖信号线SL(例如:扫描线111及/或共享电极线112)。于其它实施例中,为保护或其它设计需求,也可如图2A的变形例所示,于第二基板200的内表面204上选择性的设置导电图案202(或称为另一导电图案)。导电图案202可为单层或多层结构,且其材料包含透明导电材料,可选用前述导电图案120的材料,而导电图案202的材料可实质上相同或不同于导电图案120的材料。图2A所示的变形例中,导电图案202可仅设置于未设置有侧电极160的第二基板200的内表面204上,则导电图案202与导电图案120垂直投影于第一基板100内表面102上呈现交错排列(staggered arrangement,或者称为错位排列(alternatedarrangement)),但不限于此。于部份实施例中,导电图案202也可设置于设置有侧电极160的第二基板200的内表面204上。
或者,也可如图2B的变形例所示,导电图案120设置在邻近于第一基板100的侧面101处,且覆盖信号线SL(例如:扫描线111及/或共享电极线112),并在预定方向(例如:D3方向)上观测时,导电图案120仅覆盖信号线SL(例如:扫描线111及/或共享电极线112)的其中一部分。
第二基板200例如是色彩转换基板,其上具有色转换层(例如:彩色滤光层、量子点或量子杆膜、或其它合适的膜层,未标示),但不以此为限。在一实施例中,第二基板200也可为透明基板或者可选择性的设置其它膜层(例如:电极层、平坦层、或其它合适的膜层),且色彩转换层(未标示)也可设置于第一基板100上。
介质层150夹设于第一基板100与第二基板200之间。在一实施例中,介质层150可为显示介质或绝缘层。其中,显示介质的材料如前所述,而绝缘层的材料可为有机材料、无机材料、或其它合适的材料、或前述的组合。此处应说明的是,介质层150与第一基板100上的信号线SL之间通常可设置有另一绝缘层(未绘示),此处为进一步说明信号线SL与导电图案120的相对关系,而省略了该绝缘层的绘示。绝缘层的设置与否可依据需求而决定。
黏胶140设置于第一基板100与第二基板200之间,并覆盖信号线SL的一部份与重迭区122,且黏胶140的部份表面与重迭区122的至少一部份形成多个容纳区148。从另一方面观之,黏胶140可位于第一基板100与第二基板200之间,且黏胶140至少部分围绕介质层150,然而本发明不以此为限。举例而言,黏胶140可以将介质层150密封于第一基板100、第二基板200与黏胶140之间,可避免介质层150于侧面101及侧面201之间而暴露于电子装置1之外。再者,于图1A中仅绘示部份黏胶140而其它部份的黏胶140虽然未绘出,但对于在本领域人士而言,为了让电子装置1的介质层150(例如:显示介质层)不易损失且仍位于黏胶140所形成的区域内,电子装置1仍可存在其它部份的黏胶140。
在一实施例中,如图1B、图1C所示,上述的黏胶140的部份表面为黏胶140的侧面141(例如:远离介质层150的侧面),且容纳区148分别由黏胶140的部份侧面141、第二基板200的部份内表面204与重迭区122的至少一部份(例如:导电图案120的至少一部份表面)所形成。于其它实施例中,若第二基板200的部份内表面204上具有其它膜层(例如:前述的膜层,但不限于此),则容纳区148分别由黏胶140的部份侧面141、第二基板200的部份内表面204上的其它膜层与重迭区122的至少一部份(例如:导电图案120的至少一部份表面)所形成。
此外,也可如图3A的变形例所示,上述的黏胶140的部份表面为黏胶140的部份下表面143,且容纳区148分别由黏胶140的部份下表面143与重迭区122的至少一部份(例如:导电图案120的至少一部份表面)所形成。
此外,也可如图3B、图3C的变形例所示,将黏胶140分为第一部份142以及第二部分144。举例而言,黏胶140的第一部份142设置于第二部分144的外周部。因此,黏胶140的第一部份142较第二部分144远离介质层150(例如:显示介质层)。黏胶140的第一部份142以及第二部分144呈分离方式设置,因此,在设置过程中会有空隙146的产生,但也可以使空隙146不存在的方式设置黏胶140的第一部份142以及第二部分144。
在图3B的变形例中,上述的黏胶140的部份表面为第一部份142的侧面141’,且容纳区148分别由第一部份142的部份侧面141’、第二基板200的部份内表面204与重迭区122的至少一部份(例如:导电图案120的至少一部份表面)所形成。于其它实施例中,若第二基板200的部份内表面204上具有其它膜层(例如:前述的膜层,但不限于此),则容纳区148分别由黏胶140的部份侧面141’、第二基板200的部份内表面204上的其它膜层与重迭区122的至少一部份(例如:导电图案120的至少一部份表面)所形成。
在图3C的变形例中,上述的黏胶140的部份表面为第一部份142的部份下表面143’,且容纳区148分别由第一部份142的部份下表面143’与重迭区122的至少一部份(例如:导电图案120的至少一部份表面)所形成。
黏胶140的使用材料并无特别限制,例如可使用一般的框胶(例如:商品名:723K1,协立化学制)、封端胶(例如:商品名:784-180,积水化学制)、UV胶、或者水解胶(例如:商品名:FR156,永宽化学制)、或其它合适的材料。在黏胶140分为第一部份142以及第二部分144的实施例中,较佳地,第一部份142的材料物性及/或化性可不同于第二部分144的材料,例如:第一部份142可为萧氏硬度(Shore Durometer)低于第二部分144的材料、第一部份142可为接着能力较第二部分144差的材料、第一部份142可为流动性较第二部分144高的材料、或者第一部份142可为可经由水解、激光或其他蚀刻方式移除的材料。举例来说,当第二部分144较佳地使用框胶时,而第一部份142较佳地可使用UV胶、封端胶或者水解胶,但不限于此。于其它实施例中,第一部份142与第二部分144做用实质上相同的材料,但二者的物性及/或化性不同。
侧电极160可设置于第一基板100的至少一侧面101上。其中,侧电极160的一部份可延伸至容纳区148并覆盖导电图案120,且侧电极160的另一部份与至少一电路元件300电性连接。举例而言,侧电极160可包括延伸部162以及侧边部164。侧电极160的侧边部164设置于第一基板100的至少一侧面101上,延伸部162延伸至容纳区148并覆盖对应的导电图案120,且侧边部164与至少一电路元件300电性连接。
在图1A、图1B中,侧电极160可设置于第一基板100的一侧面101上,而通过导电图案120与信号线SL(例如:扫描线112或共享电极线111)连接,但本发明并不限制于此情形。于部份实施例中,侧电极160也可设置于第一基板100的另一侧面103上,而通过导电图案120与信号线SL(例如:数据线110)连接,而信号线SL(例如:数据线110)与其相关的描述亦可参阅前述来加以变动。于其它实施例中,图2A至图3C中的侧电极160也可设置于第一基板100的另一侧面103上,而通过导电图案120与信号线SL(例如:数据线110)连接,而信号线SL(例如:数据线110)与其相关的描述亦可参阅前述的说明来加以变动。侧面101与另一侧面103不为同一侧面,可视为二侧面位于电子装置1的不同侧面。
延伸部162以及侧边部164的设置方式并无特别限制。在一实施例中,如图1A、图1B所示,一个侧电极160具有一个延伸部162以及一个侧边部164,且延伸部162的宽度可小于侧边部164。
或者,也可如图2A的变形例所示,一个侧电极160具有一个延伸部162以及一个侧边部164,且延伸部162的宽度实质上等于侧边部164。
或者,也可如图2B的变形例所示,一个侧电极160具有两个以上的延伸部162以及一个侧边部164。
另外,在图1A至图3C中,侧电极160(例如:侧边部164)可选择性的更设置于第二基板200的至少一侧面201上,例如:侧电极160可更延伸设置于第二基板200的至少一侧面201上,但于其它实施例中,侧电极160也可设置于第一基板100的一侧面101上,但未延伸至第二基板200的至少一侧面201上。
前述实施例中的侧电极160的使用材料并无特别限制,例如可使用一般的聚合物掺有导电粒子(例如:导电胶)、导电聚合物、银、铜、铝、镍、锡等基底焊料、或其它合适的材料、或前述材料的组合或堆栈。
接着,对本发明的电子装置1的制造方法进行说明。在此必须说明的是,下述实施例的元件标号与部分内容,其中采用相同或近似的标号来表示相同或近似的元件,并且省略了相同技术内容的说明。关于省略部分的说明可参考前述实施例,下述实施例不再重复赘述。
首先,提供第一基板100。在第一基板100的内表面102上具有至少二信号线SL(例如数据线110、扫描线111以及/或共享电极线112、电源供应线(未绘示)、或其它合适的线路)、至少二子像素114以及至少二导电图案120。子像素114包括开关元件T、信号线SL(例如数据线110、扫描线111、共享电极线112、电源供应线(未绘示)、或其它合适的线路)以及像素电极113。信号线SL(例如:数据线110、扫描线111以及共享电极线112、电源供应线(未绘示)、或其它合适的线路)与对应的子像素114电性连接,且可延伸至邻近于第一基板100的至少一侧面101。导电图案120可设置于对应的信号线SL(例如数据线110、扫描线111、共享电极线112、电源供应线(未绘示)、或其它合适的线路)上,且分别覆盖信号线SL邻近于第一基板100的至少一侧面101的一部份,以形成至少二个重迭区122。
接着,分别提供第二基板200与黏胶140,以黏合第一基板100与第二基板200。其中,黏胶140位于第一基板100与第二基板200之间,且覆盖信号线SL的一部份与重迭区122。
在一实施例中,当提供黏胶140之前或之后,可提供介质层150,使黏胶140设置于介质层150的外周部或外表面。当介质层150为显示介质(材料可参阅前述描述),且其为非自发光材料时,提供介质层150可于黏胶140之后或之前,较佳地提供介质层150可于黏胶140之后;当介质层150为显示介质(材料可参阅前述描述),且其为自发光材料时,提供介质层150可于黏胶140之前;当介质层150(材料可参阅前述描述)为绝缘层时,提供介质层150可依设计需要于黏胶140之前或之后。
在另一实施例中,当提供黏胶140以黏合第一基板100与第二基板200时,可分别形成黏胶140的第一部份142与第二部份144于第一基板100与第二基板200之间。第一部份142设置于第二部份144的外周部或外表面,且第一部份142与第二部份144分离设置。
接着,移除部分黏胶140,以使黏胶140的部份表面与重迭区122的至少一部份形成多个容纳区148。于其它实施例中,与容纳区148相关的元件设置与描述可采用图1A至图3C所述的任一种实施例。
移除部分黏胶140的方法并无特别限制,例如可列举研磨法、蚀刻法、激光移除法、水解法、或其它合适的方法。
此外,也可如同图4A、图4B所示,对借由黏胶140的第二部分144而组装好的第一基板100与第二基板200进行部份移除,例如:可先对第一基板100与第二基板200其中至少一个的侧面移除(例如:切割、研磨、或其它合适的方式)部份基板(例如:图4A所示的移除区180),之后,可在第一基板100与第二基板200的侧面涂布黏胶140的第一部份142。举例而言:可选择性的施加压力F(例如:在第二基板200的外表面施加压力F及/或在第一基板100的外表面施加压力F),并在施加压力F的同时在第一基板100与第二基板200的侧面(例如:101、201)涂布黏胶140的第一部份142。如此,在移除压力F之后,黏胶140的第一部份142会因压力变化而被吸入第一基板100与第二基板200之间。在使用上述方法涂布第一部份142时,第一部份142的材料例如为光固化的树脂(例如:UV胶)、热固化的树脂、或其它合适的材料,然而本发明不限于此。其中,图4A、图4B仅绘示部份元件,而未绘示的元件可参阅前述实施例所述。
在一实施例中,使用研磨法移除部分黏胶140时,有时也会移除部分第一基板100的侧面101以及部份第二基板200的侧面201的至少一者。只要在移除第一基板100的侧面101与第二基板200的侧面201的移除速率小于移除黏胶140的移除速率的情况下,可较易使得容纳区148(例如:图4B所示)产生。
在研磨过程中,黏胶140会因研磨而发生剥落(peeling)现象,进而导致黏胶140的部分下表面(例如:图3A或图3C其中一者)与第一基板100的重迭区122(例如:导电图案120的表面)分离,而使第一基板100上的重迭区122露出。因此,此时的容纳区148由黏胶140的部份下表面(例如:图3A或图3C其中一者)与重迭区122的至少一部份所形成。
或者,在研磨过程中,黏胶140会因与第一基板100与第二基板200的移除速率的差异,而使黏胶140的外侧或侧面(例如:图1C或图3B其中一者)的移除程度大于第一基板100与第二基板200的移除程度,进而使得黏胶140的侧面向内凹陷,而使第一基板100上的重迭区122以及第二基板200的部份内表面204露出。因此,此时的容纳区148由黏胶140的部份侧面(例如:图1C或图3B其中一者)、第二基板200的部份内表面204与重迭区122的至少一部份(例如:导电图案120的表面)所形成。
在一实施例中,若将黏胶140设置为第一部份142与第二部份144时,「移除部分黏胶140」指的是移除黏胶140的第一部份142的至少一部份。举例而言,于进行上述研磨时,是对第一部份142(例如外侧部份,其邻近第一基板的侧面101)进行研磨,此时,容纳区148的产生方式与仅设置黏胶140的情形类似,可参阅前述实施例的描述,在此不另赘述。
在一实施例中,若将黏胶140设置为第一部份142与第二部份144时,可使第一部份142的萧氏硬度(Shore Durometer)低于第二部分144,或者使第一部份142的接着能力较第二部分144差,以利于研磨的进行,同时又不损及位于基板内部的第二部分144以及介质层150(例如:显示介质层)。若介质层150为绝缘层时,可依需求于部份移除第一部份142,将介质层150移除或保留,在此不另赘述。在使用上述方法移除部份第一部份142时,第一部份142的材料例如为UV胶、封端胶、或者其它合适的材料(例如:色转换层、黑矩阵、或其它合适的材料)。
在一实施例中,使用蚀刻法移除部分黏胶140时,可利用激光对特定区域的黏胶140进行移除。当使用激光移除法移除黏胶140时,可依据黏胶140、第一基板100与第二基板200的材料不同而适宜选择所使用的激光波长。在一实施例中,若使用玻璃基板做为第一基板100以及第二基板200,使用框胶做为黏胶140时,可使用波长例如:约为1μm的激光,则此激光对黏胶140(例如:树脂类)有最佳能量吸收率及最低玻璃和导电层(例如:铜或其合金,或其它合适的材料)的吸收率。
或者,在另一实施例中,也可利用水解法移除位于第一基板100与第二基板200的侧面的黏胶140。当使用水解法移除黏胶140时,较佳将黏胶140的设置分为第一部份142与第二部份144,此时第一部份142的材料例如为水解胶,第二部份144的材料例如为非水解胶(例如:框胶)等不会通过水解法而被移除的材料。
最后,前述实施例的电子装置1制造方法中,于第一基板100的至少一侧面101上形成至少二侧电极160,侧电极160的一部份延伸至容纳区148并覆盖导电图案120,且侧电极160的另一部份与至少一电路元件300电性连接。举例而言,侧电极160的延伸部162设置于容纳区148中,而侧边部164设置于第一基板100的至少一侧面101上,并与电路元件300电性连接。于部份实施例中,侧电极160(例如:侧边部164)可选择性的更设置于第二基板200的至少一侧面201上,但侧电极160也可仅设置于第一基板100的一侧面101上。侧电极160的形成可包含喷墨印刷方式、网版印刷方式、转印方式、涂布与部份移除方式、或其它合适的方式。再者,前述实施例的电子装置1制造方法中,对于信号线SL、容纳区148、电路元件300或其它相关元件的描述,可参阅前述实施例的图1A至图3C所述的内容。
此外,前述实施例的电子装置1可为已制造完成。然而,若需要对制造完成的电子装置1进行再调尺寸工艺时,则也可接着对电子装置1进行前述实施例的电子装置1制造方法,并可获得前述实施例所示的结构。再者,于图4A未进行再调整尺寸时,电子装置1的图标可包含实线(例如:左部份)与虚线部份(例如:右部份),当电子装置1进行再调整尺寸时,电子装置1的图标就只包含实线部份(例如:左部份),而虚线部份(例如:右部份)的图标就被当作电子装置1于切割后被移除的部份。于其它实施例中,可依需要保留的位置来确定电子装置1进行再调整尺寸时可移除的部份(虚线部份),例如:左部份、下部份、上部份、一部份的中间部份、或其它合适的部份、或前述至少二者的组合。于部份实施例中,若电子装置1于再调尺寸时,为部份移除(例如:电子装置1的一侧、二侧、或三侧),则电子装置1会存在原先的密封胶(未标示)于预定框胶区(未标示),而本实施例所述的黏胶140就称为新的密封胶或者是再调尺寸密封胶于另一预定框胶区(未标示),且预定框胶区(未标示)与另一预定框胶区(未标示)可为不同侧。因此,本实施例填入的黏胶140可较为避免显示介质层150(例如:液晶)于再调尺寸过程中减少(例如:流失)而影响电子装置1的显示质量。
综上所述,本发明的电子装置能够解决侧边接合工艺的导通面积过小以及走线损伤的问题,而能进一步缩小面板的边框面积,同时也不影响其导通性。
当然,本发明还可有其它多种实施例,在不背离本发明精神及其实质的情况下,熟悉本领域的技术人员可根据本发明作出各种相应的改变和变形,但这些相应的改变和变形都应属于本发明权利要求的保护范围。
Claims (18)
1.一种电子装置,其特征在于,包括:
一第一基板;
一第二基板;
一介质层,夹设于该第一基板与该第二基板之间;
至少二子像素,设置于该第一基板的内表面上;
至少二信号线,设置于该第一基板的内表面上,并与该些子像素电性连接,且该些信号线延伸至邻近于该第一基板的至少一侧面;
至少二导电图案,分别设置于该些信号在线,并分别覆盖该些信号线的邻近于该第一基板的该至少一侧面的一部份,以形成至少二个重迭区;
一黏胶,设置于该第一基板与该第二基板之间,并覆盖该些信号线的一部份与该些重迭区,且该黏胶的部份表面与该些重迭区的至少一部份形成多个容纳区;以及
至少二侧电极,设置于该第一基板的该至少一侧面上,其中,该些侧电极的一部份分别延伸至该些容纳区并分别覆盖该些导电图案,且该些侧电极的另一部份与至少一电路元件电性连接。
2.根据权利要求1所述的电子装置,其特征在于,该介质层为显示介质或绝缘层。
3.根据权利要求1所述的电子装置,其特征在于,该些信号线包含数据线、扫描线、共享电极线及电源供应线其中至少一者。
4.根据权利要求1所述的电子装置,其特征在于,该些导电图案的材料包含透明导电材料。
5.申请专利范围第1所述的电子装置,其特征在于,该些侧电极更设置于该第二基板的至少一侧面上。
6.根据权利要求1所述的电子装置,其特征在于,该黏胶的部份表面为该黏胶的部份下表面,且该些容纳区分别由该黏胶的部份该下表面与该些重迭区的至少一部份所形成。
7.根据权利要求1所述的电子装置,其特征在于,该黏胶的部份表面为该黏胶的侧面,且该些容纳区分别由该黏胶的部份该侧面、该第二基板的部份内表面与该些重迭区的至少一部份所形成。
8.根据权利要求6或7所述的电子装置,其特征在于,该黏胶包含一第一部份与一第二部份,且该第一部份与该第二部份分离设置。
9.一种电子装置的制造方法,其特征在于,包括下列步骤:
提供一第一基板,该第一基板的内表面具有:
至少二子像素;
至少二信号线;以及
至少二导电图案,其中
该些信号线与该些子像素电性连接,且延伸至邻近于该第一基板的至少一侧面,
该些导电图案分别设置于该些信号在线,且分别覆盖该些信号线的邻近于该第一基板的该至少一侧面的一部份,以形成至少二个重迭区;
分别提供一第二基板与一黏胶,以黏合该第一基板与该第二基板,其中,该黏胶位于该第一基板与该第二基板之间,且覆盖该些信号线的一部份与该些重迭区;以及
移除部份该黏胶,以使该黏胶的部份表面与该些重迭区的至少一部份形成多个容纳区。
10.根据权利要求9所述的电子装置的制造方法,其特征在于,于移除部份该黏胶时,移除部分该第一基板的该侧面以及部份该第二基板的一侧面的至少一者。
11.根据权利要求9或10所述的电子装置的制造方法,其特征在于,移除部份该黏胶、部份该第一基板的该侧面与部分该第二基板的该侧面的方法包括研磨方法。
12.根据权利要求10所述的电子装置的制造方法,其特征在于,移除该第一基板的该侧面与该第二基板的该侧面的移除速率小于移除该黏胶的移除速率。
13.根据权利要求9或10所述的电子装置的制造方法,其特征在于,移除部份该黏胶的方法包括激光移除法。
14.根据权利要求9或10所述的电子装置的制造方法,其特征在于,移除部份该黏胶的方法包括水解法。
15.根据权利要求9或10所述的电子装置的制造方法,其特征在于,当提供该黏胶以黏合该第一基板与该第二基板时,分别形成该黏胶的一第一部份与该黏胶的一第二部份于该第一基板与该第二基板之间,且该第一部份与该第二部份分离设置。
16.根据权利要求15所述的电子装置的制造方法,其特征在于,移除部份该黏胶时,移除该黏胶的该第一部份的至少一部份。
17.根据权利要求16所述的电子装置的制造方法,其特征在于,移除该第一基板的该侧面与该第二基板的该侧面的移除速率小于移除该黏胶的该第一部份的至少一部份的移除速率。
18.根据权利要求9所述的电子装置的制造方法,其特征在于,更包括:
于该第一基板的该至少一侧面上形成至少二侧电极,该些侧电极的一部份分别延伸至该些容纳区并分别覆盖该些导电图案,且该些侧电极的另一部份与至少一电路元件电性连接。
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
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SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
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GR01 | Patent grant | ||
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