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CN1249501C - 电光装置以及电子设备 - Google Patents

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CN1249501C CNB031600891A CN03160089A CN1249501C CN 1249501 C CN1249501 C CN 1249501C CN B031600891 A CNB031600891 A CN B031600891A CN 03160089 A CN03160089 A CN 03160089A CN 1249501 C CN1249501 C CN 1249501C
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Abstract

本发明提供一种有效利用了防止或者抑制对半导体元件的光入射的遮光层的电光装置。本发明的液晶显示装置，在具备像素电极(9)的元件基板(10)和与元件基板相对的对置基板(20)之间夹持电光材料(50)而构成，其特征在于：在元件基板(10)上，形成有驱动像素电极(9)的半导体元件(30)、覆盖该半导体元件(30)的绝缘膜(17、18)、被形成在该绝缘膜(17、18)上的反射板(14)，反射板(14)具备开口部(14a)而构成，另一方面，在半导体元件(30)的元件基板(10)一侧，形成有遮蔽对该半导体元件(30)的光入射的遮光层(13)，该遮光层(13)，在和反射板(14)的开口部(14a)大致相同的区域上具备开口部(13a)。

Description

电光装置以及电子设备
技术领域
本发明涉及电光装置，以及具备该电光装置的电子设备，特别涉及在基板内面具备反射板的半透过(透射)反射型的电光装置。
背景技术
作为以往已知的液晶装置等的电光装置，有在一对基板间夹持(夹置)液晶等的电光材料，同时通过在基板上形成矩阵状的像素电极，用TFT元件对该像素电极进行通电控制，从而可以进行开关显示的有源矩阵型的显示装置。在使用这种TFT元件的显示装置中，当光对TFT元件的沟道区域入射时会产生光泄漏电流，有时会引起对比度下降、画面闪烁等显示不良的现象。因而，例如在特开平2000-298290等中记载有例如在TFT元件的光入射一侧形成遮光膜，来防止或者抑制对TFT元件沟道部的光入射的技术。
另一方面，在有源矩阵型显示装置中，已知有在形成有TFT元件的元件基板上形成具备开口部的反射板、通过以该反射板反射从对置基板一侧入射的光、可以进行反射显示、另一方面可以使来自被设置在元件基板的外面一侧的光源的光经由开口部进行透过显示的半透过反射型显示装置。即使在这种半透过反射型显示装置中，因为当光入射到TFT元件的沟道部分时，会产生光泄漏电流，成为显示不良的原因之一，所以在该TFT元件的光入射一侧形成遮光膜。
如上所述，在为了防止TFT元件的光泄漏电流而在元件基板上形成遮光膜的技术中，该遮光膜具备有对TFT元件的光遮蔽功能，而为了最大限度地有效利用该遮光膜，希望使其具有其它功能。如专利文献1所述，如果只与TFT元件的形成区域对应形成遮光膜，则在元件基板上会因为该形成区域和非形成区域产生阶差，基板间隔在各区域中变得不均匀，存在延迟值不均匀的问题。另外，如专利文献2所述，在TFT元件基板的液晶侧的大致前面上设置遮光层的构成，不能应用于反射半透过型面板中。另外，如专利文献3所述，在源(极)线上设置遮光层的构成，不能应用于反射半透过型面板。
专利文献1
特开平09-127497号公报
专利文献2
特开平2000-298290号公报
专利文献3
特开平07-128658号公报
发明内容
本发明就是鉴于上述问题而提出的，其目的在于，在半透过反射型的电光装置中，有效地利用防止乃至抑制对TFT元件等半导体元件的光入射的遮光层，并且其目在于提供一种可以根据该遮光层的形成防止乃至抑制各种不良现象产生的电光装置，以及具备该电光装置的电子设备。
为了解决上述问题，本发明的电光装置，是在具备像素电极的元件基板和与该元件基板相对的对置基板之间夹持电光材料的电光装置，其特征在于：在上述元件基板上，形成有驱动上述像素电极的半导体元件、覆盖该半导体元件的绝缘膜、被形成在该绝缘膜上的反射板，上述反射板具备开口部，另一方面，在上述半导体元件的下层侧，形成有遮蔽向该半导体元件入射的光的遮光层，该遮光层，在和上述反射板的开口部大致相同的区域上具备开口部；上述遮光层侧的开口部以1μm以内的范围大于上述反射板侧的开口部。
如果采用这样的电光装置，因为，遮蔽对半导体元件的光入射的遮光层具备开口部，该开口部被形成在和反射板的开口部大致相同的区域上。所以可以将形成有该开口部的区域作为透过区域，将未形成有开口部的区域作为反射区域，这种情况下，与只在半导体元件的形成区域上形成遮光层的情况相比，不易发生因遮光层的形成引起的基板间隔的不均匀化。即，不会在光学性能不同的各区域内局部地形成遮光层，不易产生因该遮光层的形成而引起的基板间隔的不均匀化，在各区域内可以实现例如延迟(リタデ一シヨソ)值的面内均匀化。
另外，在半导体元件的制造时，在基板上形成具备开口部的遮光层后，在该遮光层上以绝缘层介于中间形成半导体层，在对该半导体层通过激光光等的光照射进行退火的情况下，通过从和形成有遮光层一侧不同的一侧对该半导体层进行光照射，未被半导体层吸收而达到遮光层的光被遮光层反射，光照射效率提高，例如具有促进结晶化效率等的效果。另外，还起到使相对于照射能量的容限(マ一ジン)变宽的效果。
进而，与只在半导体元件的形成区域形成遮光层的情况相比，因为能够比较粗略地完成开口部的对位，所以遮光层形成时的图案形成(パタ一ニング)简便，例如在该遮光层的形成工序中还可以使用一括曝光机，可以实现制造工序的简化。进而，遮光层一侧的开口部和反射板一侧的开口部的对位，误差可以被设在±1μm以内，具体地说，最好是以1μm以内的范围略大地构成遮光层一侧的开口部。
另外，为了解决上述问题，本发明的电光装置，作为其不同的形态，是在具备像素电极的元件基板和与该像素基板相对的对置基板之间夹持着电光材料构成的电光装置，其特征在于：在上述元件基板上，形成有具备开口部的遮光层、在该遮光层上以绝缘膜介于中间形成的半导体层、覆盖该半导体元件的绝缘膜、被形成在该绝缘膜上的反射板，上述反射板在和上述遮光层的开口部大致相同区域上具备开口部，与此同时，形成有上述各开口部的区域作为使来自在上述元件基板的与上述对置基板相反一侧形成的光源的光透过的透过区域，其它区域作为反射区域，另一方面，上述遮光层，防止乃至抑制上述光源光对上述半导体元件的入射；上述遮光层侧的开口部以1μm以内的范围大于上述反射板侧的开口部。
这种情况下也同样，因为在反射区域上形成遮光层，在透过区域上不形成遮光层，所以不会在各区域内部局部地形成遮光层，不易产生由该遮光层的形成而引起的基板间隔的不均匀化。另外，在半导体元件的制造时，当在基板上形成具备开口部的遮光层后，在该遮光层上以绝缘层介于中间形成半导体，在对该半导体层通过激光光等的光照射进行退火的情况下，由于对该半导体层从和形成有遮光层的一侧不同一侧进行光照射，因而光被遮光层反射，光照射效率提高，例如可以促进结晶化效率。进而，与只在半导体元件的形成区域上形成遮光层的情况相比，因为开口部的对位可比较粗略地进行所以简便，例如在该遮光层的形成工序中也可以使用一括曝光机，可以实现制造工序的简化。
在上述电光装置中，遮光层可以以金属材料为主体构成，例如可以适用以Ti、Ta、W、Mo、Cr的任意一种为主体的遮光层。在本发明的电光装置中，至少与只在半导体元件的形成区域上构成遮光层的情况不同，因为该遮光层在基板面内以较大的区域形成，所以如果以金属材料作为主体构成遮光层，则与只对应半导体元件的形成区域形成遮光层的情况相比，例如静电的带电防止效果高。因而，例如不易发生因静电产生而引起的电光材料的配向不良等，进而可以确保该电光装置的进一步良好的动作。此外，在这种情况下，所谓“主体”是指在构成要素(成分)中，含量最多的意思。
另外，在上述半导体元件中连接源极线以及栅极线，上述源极线可被形成为被上述像素电极覆盖并且避开上述遮光层的开口部。这种情况下，源极线多由Al等的光反射性金属膜构成，但通过被形成为由像素电极将其覆盖并且避开遮光层的开口部，因为在源极线上的不必要的光反射消失，所以在该源极线形成区域上例如没有必要形成黑底(黑矩阵)。
以下，本发明的电子设备的特征在于：具备上述那样的电光装置作为例如显示装置。这样由于具备本发明的液晶装置，因而可以提供不良现象少、可靠性高的电子设备。
附图说明
图1是表示本发明的一实施方式的液晶显示装置的平面图。
图2是沿着图1的H-H’线的剖面图。
图3是图1的液晶显示装置的等效电路图。
图4是放大表示图1的液晶显示装置的像素部分的平面图。
图5是沿着图4的A-A’线的剖面图。
图6是表示有关液晶显示装置一变形例的构成的平面图。
图7是表示本发明的电子设备一例的立体图。
图8是表示电子设备的另一例的立体图。
图9是表示电子设备的再另一例的立体图。
符号说明
9 像素电极、10 TFT阵列基板(元件基板)、13 遮光层  13a 开口部(遮光层侧开口部)、14 反射板、14a 反射板侧开口部、20 对置基板、30 TFT(半导体素子)、50 液晶(电光材料)、100 液晶表示装置(电光装置)
具体实施方式
以下，参照附图说明本发明的实施方式。
电光装置
图1是本发明的电光装置的一实施方式，是对于使用液晶作为电光材料的液晶显示装置，与各构成要素一起显示的从对置基板一侧看的平面图，
图2是沿着图1的H-H’线的剖面图。
图3是在液晶显示装置的图像显示区域中形成为矩阵状的多个像素中的各种元件、配线(布线)等的等效电路图，图4是表示液晶显示装置的各像素的构成的局部放大平面图，图5是图4的A-A’的断面图。
进而，在以下说明中使用的各图中，为了使各层、各部件成为在图面上可辨认的大小，对各层、各部件每一个使比例尺不相同。
如图1以及图2所示，本实施方式的液晶显示装置100，TFT阵列基板10和对置基板20由密封材料52粘合，在由该密封材料52所划分的区域内封入并保持有液晶50。在密封材料52上，在制造时形成有用于在将TFT阵列基板10和对置基板20粘合后注入液晶的液晶注入口55，该液晶注入口55在液晶注入后用密封材料54密封。
在密封材料52的形成区域的内侧区域，形成有由遮光性材料构成的周边隔断53。在密封材料52的外侧区域，沿着TFT阵列基板10的一边形成有数据线驱动电路201以及安装端子202，沿着与该一边相邻的2边形成有扫描线驱动电路204。在TFT阵列基板10剩下的一边上，设置有用于使设置在图像显示区域两侧的扫描线驱动电路204之间连接的多条配线205。另外，在对置基板20的角部的至少1处，配设有用于在TFT阵列基板10和对置基板20之间实现电性导通的基板间导通材料206。
进而，代替将数据线驱动电路201以及扫描线驱动电路204形成于TFT阵列基板10之上，例如，也可以使安装有驱动用LSI的TAB(TapeAutomated Bonding，带式自动键合)基板和形成于TFT基板周边部上的端子群经由各向异性导电膜电气地以及机械地连接。另外，在液晶显示装置100中，根据所使用的液晶50的种类，即，TN(Twisted Nematic，扭曲向列)模式、STN(Super Twisted Nematic，超扭曲向列)模式等的动作模式、或常白模式/常黑模式的不同，在规定的方向上配置相位差板、偏振光板等，但在此省略图示。另外，当把液晶显示装置100作为彩色显示用构成的情况下，在对置基板20中，在与TFT阵列基板10的后述的各像素电极相对的区域上，例如，形成红(R)、绿(G)、蓝(B)的彩色滤光器及其保护膜。
在具有这种构造的液晶显示装置100的图像显示区域中，如图3所示，在多个像素100a被构成为矩阵形状的同时，在这些像素100a的每个上，形成有像素开关用半导体元件，在此为TFT(Thin Film Transistor，薄膜晶体管)30，提供像素信号S1、S2、......、Sn的数据线6a与TFT30的源极电气连接。写入数据线6a的像素信号S1、S2、...Sn，可以按照该顺序依线顺次供给，也可以对彼此相邻的多条数据线6a，每组地供给。另外，在TFT30的栅极上电气地连接有扫描线3a，其被构成为以规定的定时(タイミング)，脉冲式地将扫描信号G1、G2、...Gm按照该顺序依线顺次供给给扫描线3a。
像素电极9，与TFT30的漏极电气地连接，由于将作为开关元件的TFT30只在一定期间设置成导通(ON)状态，因而使从数据线6a供给的像素信号S1、S2、...、Sn以规定的定时写入各像素。这样通过像素电极9写入到液晶的规定电平的像素信号S1、S2、...Sn，在和图2所示的对置基板20的对置电极21之间保持一定期间。另外，为了防止所保持的像素信号S1、S2、...、Sn泄漏，和形成于像素电极9和对置电极之间的液晶电容并联地附加有存储电容60。例如，像素电极9的电压，由存储电容60保持比施加源极电压的时间长3个数量级的时间。
由此，电荷的保持特性被改善，可以实现对比度(反差比)高的液晶显示装置100。
以下，图4是示意地表示包含液晶显示装置100中的像素电极9而构成的像素区域的构成的平面图，像素电极9如虚线所示，被形成在被数据线6a以及扫描线3a所包围的像素区域内的整个面上，从而与四边的数据线6a以及扫描线3a重叠构成。另外，在一像素内在像素电极9的下侧(玻璃基板10’一侧，参照图5)的区域上形成反射板14，该反射板14具备规定的开口部14a，该开口部14a的形成区域作为透过显示区域，非形成区域作为反射显示区域。
以下，图5是图4的A-A’剖面的放大示意图，本实施方式的液晶显示装置100，形成为在TFT阵列基板10和对置基板20之间夹持液晶50的结构。另外，其被形成为在TFT阵列基板10的与液晶50相反一侧上设置有未图示的光源、利用来自该光源的光进行透过显示、另一方面利用从对置基板20的与液晶50相反一侧入射的阳光或照明光等的自然光进行反射显示的结构。
在以玻璃基板10’为主体构成的TFT阵列基板10上，形成有由以Al为主体的金属反射膜所构成的反射板14，和由以ITO(铟锡氧化物)为主体的透明电极所构成、平面看呈矩阵状的像素电极9(参照图4)；对这些各个像素电极9分别电气地连接有像素开关用的TFT30(参照图4)。另外，还如图4所示，大致沿着形成有像素电极9的区域的纵横边界，形成有数据线6a、扫描线3a以及电容线3b，TFT30被相对于数据线6a以及扫描线3a连接。即，数据线6a经由接触孔8电气地连接到TFT30的高浓度源区域，像素电极9经由接触孔15以及漏电极6b电气地连接到TFT30的高浓度漏极区域。
进而，反射板14被形成在比像素电极9更下侧(玻璃基板10’一侧)，在该漏电极6b的形成区域上不形成该反射板14使得像素电极9和漏电极6b可以连接。另一方面，还可以把反射板14形成在像素电极9上。这时，当用Al(或者Al合金)形成反射板14时，通过在和像素电极9之间形成阻挡金属(バリアメタル)(例如Mo)，可靠地取得像素电极9和反射板14之间的接触。进而，在像素电极9的表层上形成有对以聚酰亚胺为主体构成的膜进行摩擦(テビング)处理后的配向膜(图示省略)。
另一方面，在对置基板20中，在玻璃基板20’上，在与TFT阵列基板10上的像素电极9的纵横边界区域相对的区域，形成黑底(黑矩阵)23，在其上层一侧形成有由ITO膜构成的对置电极21。另外，在对置电极21的上层一侧，形成对以聚酰亚胺为主体构成的膜进行摩擦处理后的配向膜(省略图示)。而后，用密封材料52(参照图1)粘合TFT阵列基板10和对置基板20，在由该密封材料52所划分的区域内封入液晶50。
以下，对TFT阵列基板10的构成进行说明。TFT阵列基板10，在玻璃基板10’上，将以SiO2为主体的绝缘膜19介于中间，具备以Ti、Ta、W、Mo、Cr的任意一种为主体构成的遮光层13，在该遮光层13上与上述的反射板14的开口部14a对应地形成开口部13a。即，与透过显示区域对应地形成开口部13a，该遮光层13的形成区域被作为反射显示区域。进而，如图4所示，遮光层13侧的开口部13a(用双点划线表示)、和反射板14侧的开口部14a(用虚线表示)的对位，误差被设计在±1μm或以内，具体地说，将遮光层13侧的开口部13a，以1μm以内的范围，构成得比反射板14侧的开口部14a大。另外，形成于遮光层13的玻璃基板10’侧的绝缘膜19，具备降低在用光刻工序对遮光层13进行图案形成时对玻璃基板10’的损伤、或者抑制再沉淀物的附着的功能。
在这样构成的遮光层13上，以将膜厚度约500nm的绝缘膜16介于中间形成有TFT30。这种情况下，因为在遮光层13上形成TFT30，所以防止乃至抑制来自被设置在上述的玻璃基板10’侧的光源的光向TFT30内入射，例如可防止或者抑制在TFT30的沟道区域中的光泄漏电流的发生。另外，在TFT30上以将绝缘膜17和具备凹凸部的绝缘膜18介于中间地形成反射板14、像素电极9，根据绝缘膜18的凹凸形状还在反射板14上形成凹凸部。因而，由反射板14反射的光被散射，在反射显示中视角宽，提高显示特性。
在本实施方式的液晶显示装置100中，TFT30例如可以用低温工艺形成，而这种情况下，在玻璃基板10’上形成非晶(无定形)半导体层，通过对其进行激光照射进行结晶化。在这样的激光照射进行的结晶化工序中，如果从和玻璃基板10’不同的一侧向非晶半导体层进行激光照射，则未被该无定形半导体层吸收的激光光，在本实施方式中被遮光层13反射，再次被照射在无定形半导体层上，因此结晶化效率提高。这种情况下，遮光层13，不只是TFT30的形成区域，还对应反射显示区域形成得较大，因此激光光的反射效率也进一步提高。
另外，遮光层13以Ti等为主体构成，在反射显示区域中被形成在大致整个面上，因此与只被形成在TFT30的形成区域上的情况相比，例如静电的带电防止效果高。因而，例如伴随着静电的发生的液晶50定向不好等的问题难以发生，进而可以确保该液晶显示装置100的更好的动作。
下面，参照图5对液晶显示装置100的制造方法进行说明。在此，特别对在制造工序中的TFT30的形成工序进行说明。首先，在玻璃基板10’上形成绝缘膜19(第1绝缘膜形成工序)，其后，在遍及整个面地形成使以Ti等作为主体的遮光层13的同时，用光刻法对应该遮光层13的规定区域，在此为透过显示区域形成开口部13a(遮光层形成工序)。
以下，在遮光层13上以将绝缘膜16介于中间地形成非晶半导体膜(非晶半导体膜形成工序)。进而，对形成后的非晶半导体膜，从和遮光层13不同的一侧进行激光照射使非晶半导体结晶化(激光照射工序)。这种情况下，如上所述，未被非晶半导体膜吸收的激光光，被遮光层13反射，激光照射效率提高。
对这样结晶化的半导体膜，根据由光刻法形成的有源(激活)层的形状进行图案形成，进而在形成栅绝缘膜41后，以规定图案形成栅电极3a(栅绝缘膜形成工序，以及栅电极形成工序)。进而，以栅电极3a作为掩模，掺入低浓度的杂质离子(磷离子)，对栅电极3a自对准式地形成低浓度源区域、低浓度漏区域。在此，位于栅电极3a的正下方，未被导入杂质离子的部分成为沟道区域。
另外，形成比栅电极3a宽的抗蚀剂掩模(图示省略)并掺入高浓度的杂质离子(磷离子)，形成高浓度源区域，以及高浓度漏区域。以下，在栅电极3a的表面侧用CVD法等形成由硅氧化膜等构成的层间绝缘膜42，进而在层间绝缘膜42上分别在与高浓度源区域以及高浓度漏区域对应的部分形成接触口8、15。
以下，在层间绝缘膜42的整个面上，在将以铝、钛、氮化钛、钽、钼，或者以这些金属的任意一种为主要成分的合金等导电性材料由溅镀法等进行成膜后，用光刻法进行图案形成，形成400～800nm厚度的源电极6a以及漏电极6b。如以上所述地制造n沟道型的多结晶硅TFT(半导体元件)30(p沟道型TFT，可以通过把硼离子作为杂质离子进行掺入来制造)。
接着，形成绝缘膜17以及具备凹凸部的绝缘膜18(例如采用压花加工等)，在该绝缘膜18上，形成具备规定图案的开口部14a的反射板14。进而，在绝缘膜17、18上形成与漏电极6b连接的通孔，根据规定的像素图案形成经该通孔和漏电极6b连接的像素电极9。
另一方面，准备在玻璃基板20’上具备有黑底(黑矩阵)23、对置电极21等的对置基板20，用密封材料52(参照图1)粘合该对置基板20和形成有反射板14以及像素电极9等的TFT阵列基板10，在由该密封材料52划分的区域内封入液晶50得到液晶面板。而后，通过在该液晶板的外面侧形成规定的偏振板等，可以得到本实施方式的液晶显示装置100。
进而，在作为彩色显示用构成液晶显示装置100的情况下，在对置基板20中，在与TFT阵列基板10的各像素电极相对的区域上，例如可以通过形成红(R)、绿(G)、兰(B)的彩色滤光器来实现。这种情况下，彩色滤光器被设置在对置电极21和玻璃基板20’之间，或者对置电极21的玻璃基板20’的相反侧。当设置在对置电极21和玻璃基板20’之间的情况下，还可以根据需要设置保护膜。
以下，对液晶显示装置的变形例进行说明。
图6是表示变形例的液晶显示装置的构成的平面示意图，是与图4相对应的图。这种情况下，在被连接到TFT30上的数据线6a以及扫描线3a内，将由Al等的金属导电膜构成的数据线6a形成为在像素电极9的下方，即以被像素电极9覆盖，并且避开遮光层13的开口部13a(或者反射板14的开口部14a)。
由此，由Al等的金属导电膜构成的数据线6a被形成在反射板14的下方(玻璃基板10’一侧)，光不会被该数据线6a反射，在该数据线6a的形成区域中例如不需要形成黑底23。进而，即使在具备图6所示的平面结构的液晶显示装置中，遮光膜13的构成因为和上述的液晶显示装置100一样，因此能起到与上述同样的效果。
进而即使在本实施例中，也和上述的实施方式一样，可通过在对置基板20上设置彩色滤光器，将液晶显示装置100设置成彩色显示用的结构。
电子设备
以下，对具备在上述实施方式中所示的液晶显示装置的电子设备的具体例子进行说明。
图7是表示便携电话的一例的立体图。在图7中，符号1000表示便携电话主体，符号1001表示具备上述实施方式的液晶显示装置的液晶显示部。
图8是表示手表型电子设备的一例的立体图。在图8中，符号1100表示表主体，符号1101表示具备上述实施方式的液晶显示装置的液晶显示部。
图9是表示文字处理机、个人计算机等的便携型信息处理装置一例的立体图。在图9中，符号1200表示信息处理装置，符号1202表示键盘等的输入部，符号1204是信息处理主体，符号1206是展示具备上述实施方式的液晶显示装置的液晶显示部。
这样，因为图7～图9所示的各种电子设备，是具备上述实施方式的液晶显示装置的任何一个的电子设备，所以成为显示特性优异、可靠性高的电子设备。
如上所述，如果采用本发明的电光装置，则因为遮蔽对半导体元件的光入射的遮光层具备开口部，该开口部被形成在和反射板的开口部大致相同的区域上，所以可以把形成有该开口部的区域作为透过区域，把未形成有开口部的区域作为反射区域，与只在半导体元件的形成区域上形成遮光层的情况相比，基于遮光层的形成的基板间隔的不均匀化难以发生。

Claims (4)

1.一种电光装置，是在具备像素电极的元件基板、和与该元件基板相对的对置基板之间夹持电光材料构成的电光装置，其特征在于：
在上述元件基板上，形成有驱动上述像素电极的半导体元件、覆盖该半导体元件的绝缘膜、被形成在该绝缘膜上的反射板，上述反射板具备开口部；
另一方面，在上述半导体元件的下层侧上，形成有遮蔽向该半导体元件入射的光的遮光层，该遮光层，在和上述反射板的开口部大致相同的区域上具备开口部；
上述遮光层侧的开口部以1μm以内的范围大于上述反射板侧的开口部。
2.一种电光装置，是在具备像素电极的元件基板、和与该元件基板相对的对置基板之间夹持电光材料构成的电光装置，其特征在于：
在上述元件基板上，形成有具备开口部的遮光层、在该遮光层上以绝缘膜介于中间形成的半导体元件、覆盖该半导体元件的绝缘膜、被形成在该绝缘膜上的反射板，上述反射板在和上述遮光层的开口部大致相同的区域上具备开口部；
与此同时，形成有上述各开口部的区域作为使来自在与上述元件基板的上述对置基板相反一侧形成的光源的光透过的透过区域，其它的区域作为反射区域；
另一方面，上述遮光层，防止或者抑制上述光源光对上述半导体元件的入射；
上述遮光层侧的开口部以1μm以内的范围大于上述反射板侧的开口部。
3.根据权利要求1或者2所述的电光装置，其特征在于：在上述半导体元件上连接有源极线和栅极线，上述源极线被形成为被上述像素电极覆盖并且避开上述遮光层的开口部。
4.一种电子机器，其特征在于：具备权利要求1至3的任意一项所述的电光装置。
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