JP2002072925A

JP2002072925A - 電気光学装置

Info

Publication number: JP2002072925A
Application number: JP2000263561A
Authority: JP
Inventors: Takashi Sato; 尚佐藤
Original assignee: Seiko Epson Corp
Current assignee: Seiko Epson Corp
Priority date: 2000-08-31
Filing date: 2000-08-31
Publication date: 2002-03-12
Anticipated expiration: 2020-08-31
Also published as: JP3731460B2

Abstract

(57)【要約】【課題】液晶装置等の電気光学装置において、画素電
極を電気的に接続するためのコンタクトホール及びその
付近でも耐光性を高め、高品位の画像を表示する。【解決手段】電気光学装置は、ＴＦＴアレイ基板（１
０）上に、透明な画素電極（９ａ）と、これにコンタク
トホール（８５）を介して接続されたＴＦＴ（３０）
と、画素電極とＴＦＴとの間に積層されておりＴＦＴの
チャネル領域を上方から覆うと共に平面的に見てコンタ
クトホールを避けるように切り欠かれている容量線（３
００）とを備える。更に、この切り欠かれている領域を
覆う部分遮光膜（４０１）を備える。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、アクティブマトリ
クス駆動方式の電気光学装置の技術分野に属し、特に画
素スイッチング用の薄膜トランジスタ（Thin Film Tran
sistor:以下適宜、ＴＦＴと称す）を、基板上の積層構
造中に備えた形式の電気光学装置の技術分野に属する。

【０００２】

【従来の技術】ＴＦＴアクティブマトリクス駆動形式の
電気光学装置では、各画素に設けられた画素スイッチン
グ用ＴＦＴのチャネル領域に入射光が照射されると光に
よる励起で光リーク電流が発生してＴＦＴの特性が変化
する。特に、プロジェクタのライトバルブ用の電気光学
装置の場合には、入射光の強度が高いため、ＴＦＴのチ
ャネル領域やその周辺領域に対する入射光の遮光を行う
ことは重要となる。そこで従来は、対向基板に設けられ
た各画素の開口領域を規定する遮光膜により係るチャネ
ル領域やその周辺領域を遮光するように構成されてい
る。

【０００３】特に最近では、画素の高開口率化（即ち、
各画素における開口領域の比率を高めること）を図るた
めに、対向基板側ではなく、ＴＦＴアレイ基板上に設け
られた内蔵遮光膜により、或いはＴＦＴ上を通過すると
共にＡｌ（アルミニウム）等の金属膜からなるデータ線
により、係るチャネル領域やその周辺領域を遮光する技
術も開発されている。この技術によれば、対向基板側で
遮光する場合と比べて、ＴＦＴに近接して遮光を行なう
ことができ、更に両基板の貼り合わせ時のずれを考慮し
てマージンを大きく採る必要もなく、加えて、基板面に
斜めに入射する光に対する遮光性能も高められる。この
ため、遮光膜の形成領域を小さく抑えることができ、遮
光性能を落とすことなく画素の高開口率化を図ることが
可能とされている。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、画素ス
イッチング用ＴＦＴと画素電極とは、直接あるいは中継
層を介してコンタクトホールにより接続する必要があ
る。従って、基板上の積層構造におけるＴＦＴと画素電
極との間に積層される内蔵遮光膜は、係るコンタクトホ
ールを避けるように切り欠かれる必要がある。すると、
特に透明な画素電極を備えた電気光学装置においては、
このコンタクトホール及びその付近における内蔵遮光膜
の切り欠かれた領域では、光抜けが生じしてしまい、コ
ントラスト比も低下してしまう。

【０００５】更に、このような内蔵遮光膜の切り欠かれ
た領域を介してＴＦＴのチャネル領域に光が到達してし
まうので、上述の如き光リーク電流の発生によるトラン
ジスタ特性の変化が生じて、画像品位が低下してしま
う。特に、近年の表示画像の高品位化という一般的要請
に沿うべく電気光学装置の高精細化或いは画素ピッチの
微細化を図るに連れて、例えば１０００ルクス程度の僅
かな光に起因する光リーク電流の発生により、画像品位
の劣化が視認可能な程度まで顕在化しまう。

【０００６】このようにコンタクトホールとの関係で切
り欠かざるを得ない内蔵遮光膜では十分な遮光ができな
いという問題点がある。

【０００７】本発明は上述の問題点に鑑みなされたもの
であり、画素電極を電気的に接続するためのコンタクト
ホール及びその付近においても耐光性に優れており、高
品位の画像表示が可能な電気光学装置を提供することを
課題とする。

【０００８】

【課題を解決するための手段】本発明の電気光学装置は
上記課題を解決するために、基板上に、透明な画素電極
と、該画素電極にコンタクトホールを介して接続された
薄膜トランジスタと、前記画素電極と前記薄膜トランジ
スタとの間に層間絶縁膜を介して積層されており前記薄
膜トランジスタの少なくともチャネル領域を上方から覆
うと共に平面的に見て前記コンタクトホールを避けるよ
うに切り欠かれている内蔵遮光膜と、平面的に見て前記
内蔵遮光膜が切り欠かれている領域を覆う部分遮光膜と
を具備し、前記内蔵遮光膜は、少なくとも遮光層と光吸
収層とからなり、前記光吸収層は前記薄膜トランジスタ
に対向する側に設けられている。

【０００９】本発明の電気光学装置によれば、内蔵遮光
膜は、画素電極と薄膜トランジスタとの間に層間絶縁膜
を介して積層されており、薄膜トランジスタの少なくと
もチャネル領域を上方から覆う。そして、内蔵遮光膜の
切り欠かれた領域を利用して開孔されたコンタクトホー
ルにより、画素電極と薄膜トランジスタとは接続されて
いる。ここで特に、内蔵遮光膜の切り欠かれた領域は、
部分遮光膜により覆われているので、例えばＩＴＯ（In
dium Tin Oxide）膜からなる透明な画素電極及び当該切
り欠かれた領域を通過しようとする光を部分遮光膜によ
り遮光できる。即ち、内蔵遮光膜及び部分遮光膜が配置
された基板側を、入射光（例えば、プロジェクタ用途の
場合の投射光など）が入射する側として当該電気光学装
置を用いれば、コンタクトホール及びその付近を通過し
ようとする光を遮光することにより全体として極めて高
い遮光性が得られる。従って、このようなコンタクトホ
ール及びその付近を通過する光による薄膜トランジスタ
における光リーク電流の発生や表示画像の光抜けを効果
的に防止できる。

【００１０】また、内臓遮光膜は、遮光層で入射光を反
射し、光吸収層で散乱光を吸収して薄膜トランジスタに
光が入射するのを防ぐことができる。遮光層は、例え
ば、Ｔｉ（チタン）、Ｃｒ（クロム）、Ｗ（タングステ
ン）、Ｔａ（タンタル）、Ｍｏ（モリブデン）、Ｐｂ
（鉛）等の高融点金属が望ましく、光吸収層は、ポリシ
リサイド等が望ましい。

【００１１】尚、このような内蔵遮光膜及び部分遮光膜
は、例えば、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｗ、Ｔａ、Ｍｏ（モリブデ
ン）、Ｐｂ（鉛）等の高融点金属のうち少なくとも一つ
を含む、金属単体、合金、金属シリサイド、ポリシリサ
イド、これらを積層したもの等から構成される。或い
は、Ａｌ等の他の金属を含有する膜から構成される。

【００１２】本発明の電気光学装置の一態様では、前記
内蔵遮光膜は少なくとも部分的に、前記画素電極に蓄積
容量を付加するための容量線と同一膜からなる。

【００１３】この態様によれば、内蔵遮光膜と容量線と
は、少なくとも部分的に同一膜からなるので、専ら遮光
のための内蔵遮光膜を積層構造内に作りこむ場合と比べ
て、積層構造及び製造工程の簡略化を図ることが可能と
なる。例えば、高融点金属、Ａｌ等の金属やシリサイド
等の遮光性の導電材料を含んでなる容量線の少なくとも
一部が、内蔵遮光膜を兼ねてよい。或いは、このような
容量線から延設或いは切り離された、当該容量線と同一
膜から内蔵遮光膜が構成されてもよい。

【００１４】本発明の電気光学装置の他の態様では、前
記内蔵遮光膜は少なくとも部分的に、前記薄膜トランジ
スタに接続されたデータ線と同一膜からなる。

【００１５】この態様によれば、内蔵遮光膜とデータ線
とは、少なくとも部分的に同一膜からなるので、専ら遮
光のための内蔵遮光膜を積層構造内に作りこむ場合と比
べて、積層構造及び製造工程の簡略化を図ることが可能
となる。例えば、高融点金属、Ａｌ等の金属やシリサイ
ド等の遮光性の導電材料を含んでなるデータ線の少なく
とも一部が、内蔵遮光膜を兼ねてよい。或いは、このよ
うなデータ線から延設或いは切り離された、当該データ
線と同一膜から内蔵遮光膜が構成されてもよい。

【００１６】本発明の電気光学装置の他の態様では、前
記部分遮光膜は、導電性の遮光膜からなると共に前記画
素電極の直下に積層されており、前記画素電極は、前記
部分遮光膜を介して前記コンタクトホールにより接続さ
れている。

【００１７】この態様によれば、部分遮光膜は、画素電
極の直下に積層されており、コンタクトホール内には、
導電性の部分遮光膜と画素電極を構成する導電膜とが二
重に配線されることになる。従って、アスペクト比が高
いコンタクトホールを開孔した場合にも、コンタクトホ
ール内部に導電膜が二重に配線されることにより切断さ
れ難い構造が得られる。

【００１８】この態様では、前記部分遮光膜は、前記画
素電極により上方から覆われていてもよい。

【００１９】このように構成すれば、部分遮光膜が基板
上の積層構造の最上層に露出することは殆ど或いは全く
ないので、例えば当該基板と対向基板との間に液晶等の
電気光学物質を挟持する場合にも、部分遮光膜を構成す
る金属膜等から金属イオン等が液晶等内に溶け出して液
晶等を劣化させる事態を未然防止できる。

【００２０】本発明の電気光学装置の他の態様では、前
記部分遮光膜は、平面的に見て前記内蔵遮光膜が切り欠
かれている領域に加えてその周囲に広がる所定範囲を覆
う。

【００２１】この態様によれば、部分遮光膜は、内蔵遮
光膜が切り欠かれている領域の周囲（即ち、コンタクト
ホールの周囲）に広がる所定範囲を覆うので、より確実
に遮光を行なえる。

【００２２】本発明の電気光学装置の他の態様では、前
記画素電極と前記薄膜トランジスタとを中継接続する中
間導電層を更に備えており、前記コンタクトホールは、
前記画素電極と前記中間導電層とを接続する。

【００２３】この態様によれば、中間導電層を中継する
ことにより、薄膜トランジスタと画素電極との間が長く
ても、両者間を一つのコンタクトホールで接続する技術
的困難性を回避しつつ比較的小径の二つ以上の直列なコ
ンタクトホールで両者間を良好に接続できる。例えば、
中間導電層は、導電性シリコン、高融点金属、Ａｌ等の
金属やシリサイド等の導電材料を含んでなる。

【００２４】この中間導電層を備えた態様では、前記中
間導電層の一部及び前記内蔵遮光膜の一部が、夫々画素
電位側容量電極及び固定電位側容量電極として誘電体膜
を介して対向配置されることにより、前記画素電極に接
続された蓄積容量が構築されてもよい。

【００２５】このように構成すれば、中間導電層及び内
蔵遮光膜を利用して、蓄積容量を構築できるので、専ら
遮光のための内蔵遮光膜や、専ら中継のための中間導電
層を積層構造内に作りこむ場合と比べて、積層構造及び
製造工程の簡略化を図ることが可能となる。

【００２６】この中間導電層を備えた態様では、前記部
分遮光膜は、前記中間導電層の直下に積層されてもよ
い。

【００２７】このように構成すれば、中間導電層の直下
に積層された部分遮光膜により、薄膜トランジスタに比
較的近い積層位置において、透明な画素電極及び当該切
り欠かれた領域を通過しようとする光を遮光できる。

【００２８】この中間導電層を備えた態様では、前記中
間導電層は、導電性の遮光膜からなり、前記部分遮光膜
を兼ねてもよい。

【００２９】このように構成すれば、中間導電層からな
る部分遮光膜により、薄膜トランジスタに比較的近い積
層位置において、透明な画素電極及び当該切り欠かれた
領域を通過しようとする光を遮光できる。更に、専ら遮
光のための部分遮光膜や、専ら中継のための中間導電層
を積層構造内に作りこむ場合と比べて、積層構造及び製
造工程の簡略化を図ることが可能となる。

【００３０】この中間導電層を備えた態様では、前記中
間導電層は、遮光膜を含む多層構造を有し、前記部分遮
光膜は、前記多層構造中の遮光膜からなってよい。

【００３１】このように構成すれば、多層構造を有する
中間導電層に含まれる部分遮光膜により、薄膜トランジ
スタに比較的近い積層位置において、透明な画素電極及
び当該切り欠かれた領域を通過しようとする光を遮光で
きる。更に、専ら遮光のための部分遮光膜や、専ら中継
のための中間導電層を積層構造内に作りこむ場合と比べ
て、積層構造及び製造工程の簡略化を図ることが可能と
なる。

【００３２】上述したように中間導電層を画素電位側容
量電極として蓄積容量を構築する場合には、前記中間導
電層は、金属性の遮光膜及び導電性シリコン膜を含む多
層構造を有し、前記部分遮光膜は、前記多層構造中の遮
光膜からなり、前記導電性シリコン膜は、前記誘電体膜
の直近に配置されることが好ましい。

【００３３】このように構成すれば、多層構造を有する
中間導電層のうち導電性シリコン膜が誘電体膜の直近に
配置されるので、多層構造を有する中間導電層のうち金
属性の遮光膜から金属イオン等が、酸化シリコン膜、窒
化シリコン膜等からなる誘電体膜に侵入する（そして、
誘電体膜を劣化させる）のを効果的に未然防止できる。

【００３４】この場合には更に、前記部分遮光膜の前記
誘電体膜側に向く表面及び端面が前記誘電体膜に接触し
ないように前記導電性シリコン膜が前記部分遮光膜を前
記誘電体膜側から覆うのが望ましい。

【００３５】このように構成すれば、多層構造を有する
中間導電層のうち金属性の遮光膜から金属イオン等が、
誘電体膜に侵入するのをより確実に防止できる。

【００３６】本発明の電気光学装置の他の態様では、前
記薄膜トランジスタに接続されたデータ線を更に備えて
おり、前記内蔵遮光膜は、前記データ線に交差して伸び
る本線部を含み、前記内蔵遮光膜、前記部分遮光膜及び
前記データ線により各画素の非開口領域が規定される。

【００３７】この態様によれば、一の方向に伸びるデー
タ線と、これに交差して伸びる本線部を含む内蔵遮光膜
と、これが切り欠かれた領域を覆う部分遮光膜とから、
各画素の非開口領域が規定される。従って、基板上の積
層構造内における比較的簡単な構成により、各画素の開
口領域を規定できる。

【００３８】この態様では、前記基板上における前記薄
膜トランジスタの下側に配置されており前記薄膜トラン
ジスタの少なくともチャネル領域を覆う他の遮光層を更
に備えており、平面的に見て前記部分遮光膜が前記非開
口領域を規定する個所における前記他の遮光膜の輪郭
は、前記部分遮光膜の輪郭よりも前記非開口領域の内側
に後退しているように構成してもよい。

【００３９】このように構成すれば、当該他の遮光膜に
より、薄膜トランジスタの下側から来る戻り光に対する
遮光を行うことができ、薄膜トランジスタの上下から遮
光を行うことができる。そして特に、他の遮光膜の輪郭
は、部分遮光膜の輪郭よりも非開口領域の内側に後退し
ているので、上方から多少斜めに入射する入射光が部分
遮光膜の脇及び薄膜トランジスタの脇を抜けて他の遮光
膜の上面に至って、当該電気光学装置内に内面反射光や
更にこれがデータ線等と反射して多重反射光が発生する
のを効果的に防止できる。

【００４０】本発明の電気光学装置の他の態様では、基
板上に、透明な画素電極と、該画素電極にコンタクトホ
ールを介して接続された薄膜トランジスタと、前記コン
タクトホールに形成された遮光部材とを備えたことを特
徴とする。

【００４１】この態様では、コンタクトホール領域から
光が薄膜トランジスタに入射されるのを防ぐことがで
き、薄膜トランジスタの光リーク電流の発生を抑えるこ
とができる。

【００４２】この電気光学装置の一態様として、前記遮
光部材は、前記薄膜トランジスタと前記画素電極とを電
気的に接続する導電性の遮光部材で構成されてもよい。

【００４３】この態様によれば、遮光部材は、薄膜トラ
ンジスタと画素電極との電気的接続のための中継部材と
して機能することができる。

【００４４】また、この電気光学装置の他の態様とし
て、前記遮光部材は、前記コンタクトホールの開口部か
ら平面的に延びる縁部を備えても良い。

【００４５】この態様によれば、遮光部材の縁部で、入
射光を遮光する領域を広げることが可能になる。

【００４６】尚、本発明に係る薄膜トランジスタとして
は、ゲート電極がチャネル領域の上側に位置する所謂ト
ップゲート型でもよいし、ゲート電極がチャネル領域の
下側に位置する所謂ボトムゲート型でもよい。

【００４７】本発明のこのような作用及び他の利得は次
に説明する実施の形態から明らかにされる。

【００４８】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態を図面に
基づいて説明する。以下の実施形態は、本発明の電気光
学装置を液晶装置に適用したものである。

【００４９】（第１実施形態）先ず本発明の第１実施形
態における電気光学装置の構成について、図１から図３
を参照して説明する。図１は、電気光学装置の画像表示
領域を構成するマトリクス状に形成された複数の画素に
おける各種素子、配線等の等価回路である。図２は、デ
ータ線、走査線、画素電極等が形成されたＴＦＴアレイ
基板の相隣接する複数の画素群の平面図である。図３
は、図２のＡ−Ａ’断面図である。尚、図３において
は、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさと
するため、各層や各部材毎に縮尺を異ならしめてある。

【００５０】図１において、本実施形態における電気光
学装置の画像表示領域を構成するマトリクス状に形成さ
れた複数の画素には夫々、画素電極９ａと当該画素電極
９aをスイッチング制御するためのＴＦＴ３０とが形成
されており、画像信号が供給されるデータ線６ａが当該
ＴＦＴ３０のソースに電気的に接続されている。データ
線６ａに書き込む画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎは、こ
の順に線順次に供給しても構わないし、相隣接する複数
のデータ線６ａ同士に対して、グループ毎に供給するよ
うにしても良い。また、ＴＦＴ３０のゲートに走査線３
ａが電気的に接続されており、所定のタイミングで、走
査線３ａにパルス的に走査信号Ｇ１、Ｇ２、…、Ｇｍ
を、この順に線順次で印加するように構成されている。
画素電極９ａは、ＴＦＴ３０のドレインに電気的に接続
されており、スイッチング素子であるＴＦＴ３０を一定
期間だけそのスイッチを閉じることにより、データ線６
ａから供給される画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎを所定
のタイミングで書き込む。画素電極９ａを介して電気光
学物質の一例としての液晶に書き込まれた所定レベルの
画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎは、対向基板（後述す
る）に形成された対向電極（後述する）との間で一定期
間保持される。液晶は、印加される電圧レベルにより分
子集合の配向や秩序が変化することにより、光を変調
し、階調表示を可能にする。ノーマリーホワイトモード
であれば、各画素の単位で印加された電圧に応じて入射
光に対する透過率が減少し、ノーマリーブラックモード
であれば、各画素の単位で印加された電圧に応じて入射
光に対する透過率が増加され、全体として電気光学装置
からは画像信号に応じたコントラストを持つ光が出射す
る。ここで、保持された画像信号がリークするのを防ぐ
ために、画素電極９ａと対向電極との間に形成される液
晶容量と並列に蓄積容量７０を付加する。

【００５１】図２において、電気光学装置のＴＦＴアレ
イ基板上には、マトリクス状に複数の透明な画素電極９
ａ（点線部９ａ’により輪郭が示されている）が設けら
れており、画素電極９ａの縦横の境界に各々沿ってデー
タ線６ａ及び走査線３ａが設けられている。

【００５２】また、半導体層１ａのうち図中右上がりの
斜線領域で示したチャネル領域１ａ’に対向するように
走査線３ａが配置されており、走査線３ａはゲート電極
として機能する（特に、本実施形態では、走査線３ａ
は、当該ゲート電極となる部分において幅広に形成され
ている）。このように、走査線３ａとデータ線６ａとの
交差する個所には夫々、チャネル領域１ａ’に走査線３
ａがゲート電極として対向配置された画素スイッチング
用のＴＦＴ３０が設けられている。

【００５３】図２及び図３に示すように、容量線３００
は、導電性のポリシリコン膜等からなる第１膜７２と高
融点金属を含む金属シリサイド膜等からなる第２膜７３
とが積層された多層構造を持つ。このうち第２膜７３
は、容量線３００或いは蓄積容量７０の固定電位側容量
電極としての機能の他、ＴＦＴ３０の上側において入射
光からＴＦＴ３０を遮光する遮光層としての機能を持
つ。

【００５４】また容量線３００の第１膜７２は、容量線
３００或いは蓄積容量７０の固定電位側容量電極として
の機能の他、遮光層としての第２膜７３とＴＦＴ３０と
の間に配置された光吸収層としての機能を持つ。他方、
容量線３００に対して、誘電体膜７５を介して対向配置
される中継層７１ａは、蓄積容量７０の画素電位側容量
電極としての機能の他、遮光層としての第２膜７３とＴ
ＦＴ３０との間に配置される光吸収層としての機能を持
ち、更に、画素電極９ａとＴＦＴ３０の高濃度ドレイン
領域１ｅとを中継接続する機能を持つ。尚、これらの光
吸収層としての第１膜７２及び中継層７１ａは、ポリシ
リコン膜等の、遮光層としての第２膜７３と比較して光
吸収率が高い材質からなる。

【００５５】本実施形態では、蓄積容量７０は、ＴＦＴ
３０の高濃度ドレイン領域１ｅ（及び画素電極９ａ）に
接続された画素電位側容量電極としての中継層７１ａ
と、固定電位側容量電極としての容量線３００の一部と
が、誘電体膜７５を介して対向配置されることにより形
成されている。

【００５６】容量線３００は平面的に見て、走査線３ａ
に沿ってストライプ状に伸びる本線部分を含み、この本
線部分からＴＦＴ３０に重なる個所が図２中上下に突出
している。

【００５７】本実施形態では特に、このように図２中横
方向にストライプ状に伸びる本線部を含むと共に前述の
如く第１膜７２及び第２膜７３からなり遮光性を有する
容量線３００と、図２中縦方向に伸びると共にＡｌ膜等
からなり遮光性を有するデータ線６ａとから、ＴＦＴア
レイ基板１０における遮光膜の一例が構成されている。

【００５８】図２に示すように、画素電極９ａと中継層
７１ａとをコンタクトホール８５で接続可能なように、
両者間に積層された容量線３００は、コンタクトホール
８５を避けるように切り欠かれている。従って、このま
までは、コンタクトホール８５及びその周囲における容
量線３００（或いは内蔵遮光膜）が存在しない領域で光
抜けが発生したり、ここを通過した光がＴＦＴ３０のチ
ャネル領域１ａ’に至る可能性がある。しかるに本実施
形態では、図２及び図３に示すように、このように容量
線３００が切り欠かれた領域には、島状の部分遮光膜４
０１が画素電極９ａの直下に積層されている。すなわ
ち、部分遮光膜４０１は、コンタクトホール８５の開口
部から平面的に延びる縁部を備え、その縁部が島状に形
成されている。従って、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）膜
等からなる透明な画素電極９ａ及び容量線３００が切り
欠かれた領域を通過しようとする光は、この部分遮光膜
４０１により遮光される。

【００５９】本実施形態では特に、部分遮光膜４０１
は、画素電極９ａの直下に積層されており、画素電極９
ａは、部分遮光膜４０１を介してコンタクトホール８５
により中継層７１ａに接続されている。このため、コン
タクトホール８５内には、導電性の部分遮光膜４０１と
画素電極９ａを構成する導電膜とが二重に配線されるこ
とになる（図３参照）。従って、アスペクト比が高い
（例えば１以上である）コンタクトホール８５を開孔し
た場合にも、コンタクトホール８５内に、切断され難く
信頼性の高い二重配線が構築される。

【００６０】しかも、本実施形態では特に、部分遮光膜
４０１は、画素電極９ａによって上方から完全に覆われ
ている（図３参照）。従って、部分遮光膜４０１が液晶
層５０中に露出することはないので、部分遮光膜４０１
から金属イオン等が液晶層５０等内に溶け出して液晶等
を劣化させる（画面の焼き付き等を起こす）ことはな
い。

【００６１】このような部分遮光膜４０１は夫々、例え
ば、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｗ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｐｂ等の高融点金属
のうち少なくとも一つを含む、金属単体、合金、金属シ
リサイド、ポリシリサイド、これらを積層したもの等か
ら構成される。或いは、Ａｌ等の他の金属を含有する膜
から構成される。

【００６２】そして、図２に示すようにコンタクトホー
ル８５及びその周囲に島状に形成された部分遮光膜４０
１と、前述の如く内蔵遮光膜の一例を構成するデータ線
６ａ及び容量線３００とにより、平面的に見て格子状の
遮光層が構成されており、各画素の開口領域を規定して
いる。

【００６３】他方、ＴＦＴアレイ基板１０上におけるＴ
ＦＴ３０の下側には、下側遮光膜１１ａが格子状に設け
られている。そして、ＴＦＴ３０のチャネル領域１ａ
は、その低濃度ソース領域１ｂ及び低濃度ドレイン領域
１ｃ（即ち、ＬＤＤ領域）との接合部を含めて、このよ
うな格子状の下側遮光膜１１ａの交差領域内に（従っ
て、上述したＴＦＴ３０の上側にある格子状の内蔵遮光
膜の交差領域内に）位置する。

【００６４】これらの遮光層の一例を構成する第２膜７
３及び下側遮光膜１１ａは夫々、前述した部分遮光膜４
０１と同様に、例えば、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｗ、Ｔａ、Ｍｏ、
Ｐｂ等の高融点金属のうちの少なくとも一つを含む、金
属単体、合金、金属シリサイド、ポリシリサイド、これ
らを積層したもの等からなる。また、このような第２膜
７３を含んでなる内蔵遮光膜の一例たる容量線３００
は、多層構造を有し、その第１膜７２が導電性のポリシ
リコン膜であるため、係る第２膜７３については、導電
性材料から形成する必要はないが、第１膜７２だけでな
く第２膜７３をも導電膜から形成すれば、容量線３００
をより低抵抗化できる。

【００６５】また図３において、容量電極としての中継
層７１ａと容量線３００との間に配置される誘電体膜７
５は、例えば膜厚５〜２００ｎｍ程度の比較的薄いＨＴ
Ｏ膜、ＬＴＯ膜等の酸化シリコン膜、あるいは窒化シリ
コン膜等から構成される。蓄積容量７０を増大させる観
点からは、膜の信頼性が十分に得られる限りにおいて、
誘電体膜７５は薄い程良い。

【００６６】光吸収層として機能するのみならず容量線
３００の一部を構成する第１膜７２は、例えば膜厚１５
０ｎｍ程度のポリシリコン膜からなる。また、遮光層と
して機能するのみならず容量線３００の他の一部を構成
する第２膜７３は、例えば膜厚１５０ｎｍ程度のタング
ステンシリサイド膜からなる。このように誘電体膜７５
に接する側に配置される第１膜７２をポリシリコン膜か
ら構成し、誘電体膜７５に接する中継層７１ａをポリシ
リコン膜から構成することにより、誘電体膜７５の劣化
を阻止できる。例えば、仮に金属シリサイド膜を誘電体
膜７５に接触させる構成を採ると、誘電体膜７５に重金
属等の金属が入り込んで、誘電体膜７５の性能を劣化さ
せてしまう。更に、このような容量線３００を誘電体膜
７５上に形成する際に、誘電体膜７５の形成後にフォト
レジスト工程を入れることなく、連続で容量線３００を
形成すれば、誘電体膜７５の品質を高められるので、当
該誘電体膜７５を薄く成膜することが可能となり、最終
的に蓄積容量７０を増大できる。

【００６７】図２及び図３に示すように、データ線６ａ
は、コンタクトホール８１を介して中継接続用の中継層
７１ｂに接続されており、更に中継層７１ｂは、コンタ
クトホール８２を介して、例えばポリシリコン膜からな
る半導体層１ａのうち高濃度ソース領域１ｄに電気的に
接続されている。尚、中継層７１ｂは、前述した諸機能
を持つ中継層７１ａと同一膜から同時形成される。

【００６８】また容量線３００は、画素電極９ａが配置
された画像表示領域からその周囲に延設され、定電位源
と電気的に接続されて、固定電位とされる。係る定電位
源としては、ＴＦＴ３０を駆動するための走査信号を走
査線３ａに供給するための走査線駆動回路（後述する）
や画像信号をデータ線６ａに供給するサンプリング回路
を制御するデータ線駆動回路（後述する）に供給される
正電源や負電源の定電位源でもよいし、対向基板２０の
対向電極２１に供給される定電位でも構わない。更に、
下側遮光膜１１ａについても、その電位変動がＴＦＴ３
０に対して悪影響を及ぼすことを避けるために、容量線
３００と同様に、画像表示領域からその周囲に延設して
定電位源に接続するとよい。

【００６９】画素電極９ａは、中継層７１ａを中継する
ことにより、コンタクトホール８３及び８５を介して半
導体層１ａのうち高濃度ドレイン領域１ｅに電気的に接
続されている。即ち、本実施形態では、中継層７１ａ
は、蓄積容量７０の画素電位側容量電極としての機能及
び光吸収層としての機能に加えて、画素電極９ａをＴＦ
Ｔ３０へ中継接続する機能を果たす。このように中継層
７１ａ及び７１ｂを中継層として利用すれば、層間距離
が例えば２０００ｎｍ程度に長くても、両者間を一つの
コンタクトホールで接続する技術的困難性を回避しつつ
比較的小径の二つ以上の直列なコンタクトホールで両者
間を良好に接続でき、画素開口率を高めること可能とな
り、コンタクトホール開孔時におけるエッチングの突き
抜け防止にも役立つ。

【００７０】図２及び図３において、電気光学装置は、
透明なＴＦＴアレイ基板１０と、これに対向配置される
透明な対向基板２０とを備えている。ＴＦＴアレイ基板
１０は、例えば石英基板、ガラス基板、シリコン基板か
らなり、対向基板２０は、例えばガラス基板や石英基板
からなる。

【００７１】ＴＦＴアレイ基板１０には、平面的に見て
格子状の溝１０ｃｖが掘られている（図２中右下がりの
斜線領域で示されている）。走査線３ａ、データ線６
ａ、ＴＦＴ３０等の配線や素子等は、この溝１０ｃｖ内
に埋め込まれている。これにより、配線、素子等が存在
する領域と存在しない領域との間における段差が緩和さ
れており、最終的には段差に起因した液晶の配向不良等
の画像不良を低減できる。

【００７２】図３に示すように、ＴＦＴアレイ基板１０
には、画素電極９ａが設けられており、その上側には、
ラビング処理等の所定の配向処理が施された配向膜１６
が設けられている。画素電極９ａは例えば、ＩＴＯ（In
dium Tin Oxide）膜などの透明導電性膜からなる。また
配向膜１６は例えば、ポリイミド膜などの有機膜からな
る。

【００７３】他方、対向基板２０には、その全面に渡っ
て対向電極２１が設けられており、その下側には、ラビ
ング処理等の所定の配向処理が施された配向膜２２が設
けられている。対向電極２１は例えば、ＩＴＯ膜などの
透明導電性膜からなる。また配向膜２２は、ポリイミド
膜などの有機膜からなる。

【００７４】対向基板２０には、格子状又はストライプ
状の遮光膜を設けるようにしてもよい。このような構成
を採ることで、前述の如く遮光層を構成する容量線３０
０及びデータ線６ａと共に当該対向基板２０上の遮光膜
により、対向基板２０側からの入射光がチャネル領域１
ａ’や低濃度ソース領域１ｂ及び低濃度ドレイン領域１
ｃに侵入するのを、より確実に阻止できる。更に、この
ような対向基板２０上の遮光膜は、少なくとも入射光が
照射される面を高反射な膜で形成することにより、電気
光学装置の温度上昇を防ぐ働きをする。尚、このように
対向基板２０上の遮光膜は好ましくは、平面的に見て容
量線３００とデータ線６ａとからなる遮光層の内側に位
置するように形成する。これにより、対向基板２０上の
遮光膜により、各画素の開口率を低めることなく、この
ような遮光及び温度上昇防止の効果が得られる。

【００７５】このように構成された、画素電極９ａと対
向電極２１とが対面するように配置されたＴＦＴアレイ
基板１０と対向基板２０との間には、後述のシール材に
より囲まれた空間に電気光学物質の一例である液晶が封
入され、液晶層５０が形成される。液晶層５０は、画素
電極９ａからの電界が印加されていない状態で配向膜１
６及び２２により所定の配向状態をとる。液晶層５０
は、例えば一種又は数種類のネマティック液晶を混合し
た液晶からなる。シール材は、ＴＦＴアレイ基板１０及
び対向基板２０をそれらの周辺で貼り合わせるための、
例えば光硬化性樹脂や熱硬化性樹脂からなる接着剤であ
り、両基板間の距離を所定値とするためのグラスファイ
バー或いはガラスビーズ等のギャップ材が混入されてい
る。

【００７６】更に、画素スイッチング用ＴＦＴ３０の下
には、下地絶縁膜１２が設けられている。下地絶縁膜１
２は、下側遮光膜１１ａからＴＦＴ３０を層間絶縁する
機能の他、ＴＦＴアレイ基板１０の全面に形成されるこ
とにより、ＴＦＴアレイ基板１０の表面の研磨時におけ
る荒れや、洗浄後に残る汚れ等で画素スイッチング用Ｔ
ＦＴ３０の特性の変化を防止する機能を有する。

【００７７】図３において、画素スイッチング用ＴＦＴ
３０は、ＬＤＤ（Lightly Doped Drain）構造を有して
おり、走査線３ａ、当該走査線３ａからの電界によりチ
ャネルが形成される半導体層１ａのチャネル領域１
ａ’、走査線３ａと半導体層１ａとを絶縁するゲート絶
縁膜を含む絶縁薄膜２、半導体層１ａの低濃度ソース領
域１ｂ及び低濃度ドレイン領域１ｃ、半導体層１ａの高
濃度ソース領域１ｄ並びに高濃度ドレイン領域１ｅを備
えている。

【００７８】走査線３ａ上には、高濃度ソース領域１ｄ
へ通じるコンタクトホール８２及び高濃度ドレイン領域
１ｅへ通じるコンタクトホール８３が各々開孔された第
１層間絶縁膜４１が形成されている。

【００７９】第１層間絶縁膜４１上には中継層７１ａ及
び７１ｂ並びに容量線３００が形成されており、これら
の上には、中継層７１ａ及び７１ｂへ夫々通じるコンタ
クトホール８１及びコンタクトホール８５が各々開孔さ
れた第２層間絶縁膜４２が形成されている。

【００８０】第２層間絶縁膜４２上にはデータ線６ａが
形成されており、これらの上には、中継層７１ａへ通じ
るコンタクトホール８５が形成された第３層間絶縁膜４
３が形成されている。画素電極９ａは、このように構成
された第３層間絶縁膜４３の上面に設けられている。

【００８１】以上のように構成された本実施形態によれ
ば、対向基板２０側からＴＦＴ３０のチャネル領域１
ａ’及びその付近に入射光が入射しようとすると、内蔵
遮光膜の一例を構成する容量線３００（特に、その第２
膜７３）及びデータ線６ａで遮光を行う。そして特にコ
ンタクトホール８５に対応して容量線３００の切り欠か
れた領域は、部分遮光膜４０１により覆われているの
で、この領域を通過しようとする光を部分遮光膜４０１
により遮光できる。従って、プロジェクタ用途の場合の
投射光など強力な入射光が入射しても、極めて高い遮光
性（例えば、０．００００１〜０．０００００１％程度
の透過率）が得られる。従って、この領域を通過する光
によるＴＦＴ３０における光リーク電流の発生や表示画
像の光抜けを防止できる。他方、ＴＦＴアレイ基板１０
側から、ＴＦＴ３０のチャネル領域１ａ’及びその付近
に戻り光が入射しようとすると、下側遮光膜１１ａで遮
光を行う（特に、複板式のカラー表示用のプロジェクタ
等で複数の電気光学装置をプリズム等を介して組み合わ
せて一つの光学系を構成する場合には、他の電気光学装
置からプリズム等を突き抜けて来る投射光部分からなる
戻り光は強力であるので、有効である。）。

【００８２】更に本実施形態では特に、部分遮光膜４０
１は、図２に示したように、容量線３００が切り欠かれ
ている領域よりもかなり広い範囲を覆っているので、こ
のような遮光をより確実に行なえる。特に、容量線３０
０と部分遮光膜４０１との間の層間距離が大きい場合に
は、基板に垂直方向の両者間の間隙から斜めの光が進入
しないようにするため、このような部分遮光膜４０１に
より覆う範囲は、装置仕様及び要求される遮光性に鑑
み、実験的、経験的、理論的に或いはシミュレーション
により個別具体的に設定すればよい。

【００８３】次に、図４から図６を参照して、本実施形
態における遮光について更に説明を加える。図４は、容
量線３００、データ線６ａ、部分遮光膜４０１及び下側
遮光膜１１ａを抽出し且つ拡大して示す図式的な平面図
であり、図５は、図４のＢ−Ｂ’断面における、遮光の
様子を示す図式的な断面図である。また、図６は、比較
例における図４のＢ−Ｂ’断面に対応する個所の図式的
な断面図である。

【００８４】図４では、ＴＦＴ３０を上方から遮光する
容量線３００及びデータ線６ａからなる格子状の内蔵遮
光膜と、部分遮光膜４０１により規定される非画素開口
領域がハッチングで示されている。他方、単独で格子状
の下側遮光膜１１ａは破線で示されている。

【００８５】図４に示すように、容量線３００、データ
線６ａ及び部分遮光膜４０１から格子状の各画素の非開
口領域が規定されている。従って、ＴＦＴアレイ基板１
０上の積層構造内における比較的簡単な構成により、各
画素の開口領域を規定できる。

【００８６】そして、格子状の下側遮光膜１１ａの形成
領域は、同じく格子状の上側の遮光層（即ち、容量電極
３００、データ線６ａ及び部分遮光膜４０１）の形成領
域内に位置する（即ち、一回り小さく形成され、下側遮
光膜１１ａは、容量線３００及びデータ線６ａの幅より
狭く形成されている）。特に、部分遮光膜４０１が非開
口領域を規定する個所における下側遮光膜１１ａの輪郭
は、部分遮光膜４０１の輪郭よりも非開口領域の内側に
後退している。従って、図５に示すように、基板面に対
して多少斜めに入射する成分を入射光Ｌ１が含んでいて
も、部分遮光膜４０１の脇を抜けた入射光Ｌ１が下側遮
光膜１１ａの内面で反射されて、内面反射光やそれが更
に部分遮光膜４０１の内面で反射されて多重反射光とな
る事態を効果的に防止できる。

【００８７】これに対して、図６に示した比較例の如
く、仮に下側遮光膜１１ａの輪郭が、下側遮光膜１１ｃ
として示すように、部分遮光膜４０１の輪郭よりも非開
口領域の内側に後退していなかったとすれば、基板面に
対して斜めに入射する成分を入射光Ｌ１が含んでいる
と、部分遮光膜４０１の脇を抜けた入射光Ｌ１が下側遮
光膜１１ａの内面で反射されて内面反射光Ｌ２が発生
し、更にそれが部分遮光膜４０１の内面で反射されて多
重反射光Ｌ３が発生する。そして、このような内面反射
光や多重反射光は、表示画像のコントラスト比を低下さ
せると共にＴＦＴ３０のチャネル領域に至ってトランジ
スタ特性を劣化させ得る。

【００８８】このように図６の比較例と比較して明らか
なように、本実施形態によれば、下地遮光膜１１ａによ
り、ＴＦＴ３０の下側から来る戻り光に対する遮光を行
うことができ、同時に下地遮光膜１１ａと部分遮光膜４
０１や容量線３００或いはデータ線６ａの内面との間
で、内面反射光や多重反射光が発生するのを効果的に防
止できる。加えて本実施形態では、容量線３００の第１
膜７２及び中継層７１ａが前述のように光吸収層から構
成されている。従って、斜めの入射光Ｌ１や前述の戻り
光により多少なりとも内面反射光や多重反射光が生じる
と、これらの光吸収層により吸収除去可能である。

【００８９】以上の詳細に説明したように、本実施形態
により、コンタクトホール８５やその付近を通過しよう
とする光を部分遮光膜４０１で遮光すること等で、耐光
性を高めることにより、画素スイッチング用ＴＦＴ３０
の光リーク電流による特性劣化を低減でき、最終的にコ
ントラスト比が高く且つ明るく高品位の画像表示が可能
となる。

【００９０】以上説明した実施形態では、蓄積容量７０
の固定電位側電極を含む容量線３００を、内蔵遮光膜と
する構成を採用しているが、蓄積容量７０の画素電位側
電極を内蔵遮光膜として構成することも可能であり、或
いは画素電極９ａとＴＦＴ３０とを中継接続する中継層
を内蔵遮光膜として構成することも可能である。いずれ
の場合にも、高融点金属膜等の導電性の遮光膜から画素
電位側容量電極或いは中継層を形成すればよい。

【００９１】以上説明した実施形態では、図３に示した
ように多数の導電層を積層することにより、画素電極９
ａの下地面（即ち、第３層間絶縁膜４３の表面）におけ
るデータ線６ａや走査線３ａに沿った領域に段差が生じ
るのを、ＴＦＴアレイ基板１０に溝１０ｃｖを掘ること
で緩和しているが、これに変えて又は加えて、下地絶縁
膜１２、第１層間絶縁膜４１、第２層間絶縁膜４２、第
３層間絶縁膜４３に溝を掘って、データ線６ａ等の配線
やＴＦＴ３０等を埋め込むことにより平坦化処理を行っ
てもよいし、第３層間絶縁膜４３や第２層間絶縁膜４２
の上面の段差をＣＭＰ（Chemical Mechanical Polishin
g）処理等で研磨することにより、或いは有機ＳＯＧを
用いて平らに形成することにより、当該平坦化処理を行
ってもよい。

【００９２】更に以上説明した実施形態では、画素スイ
ッチング用ＴＦＴ３０は、好ましくは図３に示したよう
にＬＤＤ構造を持つが、低濃度ソース領域１ｂ及び低濃
度ドレイン領域１ｃに不純物の打ち込みを行わないオフ
セット構造を持ってよいし、走査線３ａの一部からなる
ゲート電極をマスクとして高濃度で不純物を打ち込み、
自己整合的に高濃度ソース及びドレイン領域を形成する
セルフアライン型のＴＦＴであってもよい。また本実施
形態では、画素スイッチング用ＴＦＴ３０のゲート電極
を高濃度ソース領域１ｄ及び高濃度ドレイン領域１ｅ間
に１個のみ配置したシングルゲート構造としたが、これ
らの間に２個以上のゲート電極を配置してもよい。この
ようにデュアルゲート或いはトリプルゲート以上でＴＦ
Ｔを構成すれば、チャネルとソース及びドレイン領域と
の接合部の光リーク電流を防止でき、オフ時の電流を低
減することができる。

【００９３】（第２実施形態）次に、本発明の第２実施
形態について図７を参照して説明する。ここに図７は、
第２実施形態における、図２のＡ−Ａ’断面に対応する
個所の断面図である。また、図７に示す第２実施形態で
は、図３に示した第１実施形態と同様の構成要素には同
様の参照符号を付し、その説明は省略する。

【００９４】図７において、第２実施形態の電気光学装
置では、部分遮光膜４０２が画素電極９ａの上側に配置
されている。この場合、部分遮光膜４０２は導電性であ
る必要はない。但し、部分遮光膜４０２の位置が配向膜
１６のみを隔てて液晶層５０に近接しているので、この
実施形態では、液晶層５０に接触してもこれを劣化させ
ない液晶に対して化学的に安定した材料から部分遮光膜
４０２を形成するのが望ましい。その他の構成について
は、図１から図３を参照して説明した第１実施形態と同
様である。

【００９５】このように部分遮光膜４０２を画素電極９
ａの上側に配置しても、コンタクトホール８５やその付
近を通過しようとする光を遮光でき、高い遮光性能が得
られる。

【００９６】（第３実施形態）次に、本発明の第３実施
形態について図８を参照して説明する。ここに図８は、
第３実施形態における、図２のＡ−Ａ’断面に対応する
個所の断面図である。また、図８に示す第３実施形態で
は、図３に示した第１実施形態と同様の構成要素には同
様の参照符号を付し、その説明は省略する。

【００９７】図８において、第３実施形態の電気光学装
置では、コンタクトホール８５及びその付近には、画素
電極９ａが形成されておらず、部分遮光膜４０３が単独
で形成されている。そして、部分遮光膜４０３の縁部分
が画素電極９ａに重ねられることで両者間における電気
的接続がとられている。この場合、部分遮光膜４０３の
みがコンタクトホール８５内に配線されるので、部分遮
光膜４０３は導電性の高い材料からなることが望まし
い。更に、この実施形態でも第２実施形態の場合と同様
に、液晶層５０に接触してもこれを劣化させない材料か
ら部分遮光膜４０３を形成するのが望ましい。その他の
構成については、図１から図３を参照して説明した第１
実施形態と同様である。

【００９８】このように、コンタクトホール８５及びそ
の付近における画素電極９部分を、部分遮光膜４０３で
置き換えることによっても、コンタクトホール８５やそ
の付近を通過しようとする光を遮光でき、高い遮光性能
が得られる。

【００９９】（第４実施形態）次に、本発明の第４実施
形態について図９を参照して説明する。ここに図９は、
第４実施形態における、図２のＡ−Ａ’断面に対応する
個所の断面図である。また、図９に示す第４実施形態で
は、図３に示した第１実施形態と同様の構成要素には同
様の参照符号を付し、その説明は省略する。

【０１００】図９において、第４実施形態の電気光学装
置では、部分遮光膜４０４が中継層７１ａの下側に配置
されている。この場合、部分遮光膜４０４は、導電性が
あってもなくてもよい。その他の構成については、図１
から図３を参照して説明した第１実施形態と同様であ
る。

【０１０１】このように部分遮光膜４０４を中継層７１
ａの下側に配置しても、コンタクトホール８５やその付
近を通過しようとする光を遮光でき、特にＴＦＴ３０に
近接した積層位置において遮光を行なうことにより、よ
り高い遮光性能が得られる。

【０１０２】（第５実施形態）次に、本発明の第５実施
形態について図１０及び図１１を参照して説明する。こ
こに図１０は、第５実施形態における、図２のＡ−Ａ’
断面に対応する個所の断面図であり、図１１は、図１０
のＣ部分の拡大断面図である。また、図１０に示す第５
実施形態では、図３に示した第１実施形態と同様の構成
要素には同様の参照符号を付し、その説明は省略する。

【０１０３】図１０において、第５実施形態の電気光学
装置では、中継層７１ａ’が部分遮光膜４０５及び導電
層４０６を含む多層膜から構成されている。ここで、部
分遮光膜４０５は、第１実施形態の部分遮光膜４０１と
同様に金属膜からなり、導電層４０６は、第１実施形態
における中継層７１ａと同様に導電性シリコン膜からな
る。その他の構成については、図１から図３を参照して
説明した第１実施形態と同様である。

【０１０４】このように中継層７１ａ’の多層構造中に
部分遮光膜４０５を含む構成としても、コンタクトホー
ル８５やその付近を通過しようとする光を遮光でき、特
にＴＦＴ３０に近接した積層位置において遮光を行なう
ことにより、より高い遮光性能が得られる。

【０１０５】第５実施形態では特に、中継層７１ａ’の
多層構造中で部分遮光膜４０５を下側に配置するのが好
ましい。このように構成すれば、導電性シリコン膜から
なる導電膜４０６が誘電体膜７５の直近に配置されるの
で、金属膜からなる部分遮光膜４０５から金属イオン等
が、誘電体膜７５に侵入するのを防止できる。

【０１０６】この観点からは更に図１１に示すように、
部分遮光膜４０５の誘電体膜７５側に向く表面及び端面
が誘電体膜７５に接触しないように導電性シリコン膜か
らなる導電膜４０６が部分遮光膜４０５を誘電体膜７５
側から覆うのがより好ましい。即ち、図１１で、導電膜
４０６を部分遮光膜４０５よりも、長さΔｄだけ左側
に、長く形成するとよい。これにより、部分遮光膜４０
５から金属イオン等が、誘電体膜７５に侵入するのをよ
り確実に防止できる。

【０１０７】尚、第５実施形態では、中継層７１ａ’を
部分遮光膜４０５を含む多層膜から構成したが、中継層
自体を導電性の遮光膜から形成して、部分遮光膜を兼ね
るようにしてもよい。この場合には、中継層と誘電体膜
７５との接触を避けるために、蓄積容量７０の画素電位
側容量電極を中継層と別個に形成してもよい。

【０１０８】（電気光学装置の全体構成）以上のように
構成された各実施形態における電気光学装置の全体構成
を図１２及び図１３を参照して説明する。尚、図１２
は、ＴＦＴアレイ基板１０をその上に形成された各構成
要素と共に対向基板２０の側から見た平面図であり、図
１３は、図１２のＨ−Ｈ’断面図である。

【０１０９】図１３において、ＴＦＴアレイ基板１０の
上には、シール材５２がその縁に沿って設けられてお
り、その内側に並行して、画像表示領域１０ａの周辺を
規定する額縁としての遮光膜５３が設けられている。シ
ール材５２の外側の領域には、データ線６ａに画像信号
を所定タイミングで供給することによりデータ線６ａを
駆動するデータ線駆動回路１０１及び外部回路接続端子
１０２がＴＦＴアレイ基板１０の一辺に沿って設けられ
ており、走査線３ａに走査信号を所定タイミングで供給
することにより走査線３ａを駆動する走査線駆動回路１
０４が、この一辺に隣接する２辺に沿って設けられてい
る。走査線３ａに供給される走査信号遅延が問題になら
ないのならば、走査線駆動回路１０４は片側だけでも良
いことは言うまでもない。また、データ線駆動回路１０
１を画像表示領域１０ａの辺に沿って両側に配列しても
よい。更にＴＦＴアレイ基板１０の残る一辺には、画像
表示領域１０ａの両側に設けられた走査線駆動回路１０
４間をつなぐための複数の配線１０５が設けられてい
る。また、対向基板２０のコーナー部の少なくとも１箇
所においては、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０と
の間で電気的に導通をとるための導通材１０６が設けら
れている。そして、図１３に示すように、図１２に示し
たシール材５２とほぼ同じ輪郭を持つ対向基板２０が当
該シール材５２によりＴＦＴアレイ基板１０に固着され
ている。

【０１１０】尚、ＴＦＴアレイ基板１０上には、これら
のデータ線駆動回路１０１、走査線駆動回路１０４等に
加えて、複数のデータ線６ａに画像信号を所定のタイミ
ングで印加するサンプリング回路、複数のデータ線６ａ
に所定電圧レベルのプリチャージ信号を画像信号に先行
して各々供給するプリチャージ回路、製造途中や出荷時
の当該電気光学装置の品質、欠陥等を検査するための検
査回路等を形成してもよい。

【０１１１】以上図１から図１３を参照して説明した実
施形態では、データ線駆動回路１０１及び走査線駆動回
路１０４をＴＦＴアレイ基板１０の上に設ける代わり
に、例えばＴＡＢ（Tape Automated bonding)基板上に
実装された駆動用ＬＳＩに、ＴＦＴアレイ基板１０の周
辺部に設けられた異方性導電フィルムを介して電気的及
び機械的に接続するようにしてもよい。また、対向基板
２０の投射光が入射する側及びＴＦＴアレイ基板１０の
出射光が出射する側には各々、例えば、ＴＮモード、Ｖ
Ａ（Vertically Aligned）モード、ＰＤＬＣ(Polymer D
ispersed LiquidCrystal)モード等の動作モードや、ノ
ーマリーホワイトモード／ノーマリーブラックモードの
別に応じて、偏光フィルム、位相差フィルム、偏光板な
どが所定の方向で配置される。

【０１１２】以上説明した実施形態における電気光学装
置は、プロジェクタに適用されるため、３枚の電気光学
装置がＲＧＢ用のライトバルブとして各々用いられ、各
ライトバルブには各々ＲＧＢ色分解用のダイクロイック
ミラーを介して分解された各色の光が投射光として各々
入射されることになる。従って、各実施形態では、対向
基板２０に、カラーフィルタは設けられていない。しか
しながら、画素電極９ａに対向する所定領域にＲＧＢの
カラーフィルタをその保護膜と共に、対向基板２０上に
形成してもよい。このようにすれば、プロジェクタ以外
の直視型や反射型のカラー電気光学装置について、各実
施形態における電気光学装置を適用できる。また、対向
基板２０上に１画素１個対応するようにマイクロレンズ
を形成してもよい。あるいは、ＴＦＴアレイ基板１０上
のＲＧＢに対向する画素電極９ａ下にカラーレジスト等
でカラーフィルタ層を形成することも可能である。この
ようにすれば、入射光の集光効率を向上することで、明
るい電気光学装置が実現できる。更にまた、対向基板２
０上に、何層もの屈折率の相違する干渉層を堆積するこ
とで、光の干渉を利用して、ＲＧＢ色を作り出すダイク
ロイックフィルタを形成してもよい。このダイクロイッ
クフィルタ付き対向基板によれば、より明るいカラー電
気光学装置が実現できる。

【０１１３】本発明は、上述した実施形態に限られるも
のではなく、請求の範囲及び明細書全体から読み取れる
発明の要旨或いは思想に反しない範囲で適宜変更可能で
あり、そのような変更を伴なう電気光学装置もまた本発
明の技術的範囲に含まれるものである。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１実施形態の電気光学装置における
画像表示領域を構成するマトリクス状の複数の画素に設
けられた各種素子、配線等の等価回路である。

【図２】第１実施形態の電気光学装置におけるデータ
線、走査線、画素電極等が形成されたＴＦＴアレイ基板
の相隣接する複数の画素群の平面図である。

【図３】図２のＡ−Ａ’断面図である。

【図４】第１実施形態における容量線、データ線、部分
遮光膜及び下側遮光膜を抽出し且つ拡大して示す図式的
な平面図である。

【図５】図４のＢ−Ｂ’断面における、遮光の様子を示
す図式的な断面図である。

【図６】比較例における図４のＢ−Ｂ’断面に対応する
個所の図式的な断面図である。

【図７】第２実施形態における図２のＡ−Ａ’断面に対
応する個所の断面図である。

【図８】第３実施形態における図２のＡ−Ａ’断面に対
応する個所の断面図である。

【図９】第４実施形態における図２のＡ−Ａ’断面に対
応する個所の断面図である。

【図１０】第５実施形態における図２のＡ−Ａ’断面に
対応する個所の断面図である。

【図１１】図１０のＣ部分の拡大断面図である。

【図１２】実施形態の電気光学装置におけるＴＦＴアレ
イ基板をその上に形成された各構成要素と共に対向基板
の側から見た平面図である。

【図１３】図１２のＨ−Ｈ’断面図である。

【符号の説明】

１ａ…半導体層１ａ’…チャネル領域１ｂ…低濃度ソース領域１ｃ…低濃度ドレイン領域１ｄ…高濃度ソース領域１ｅ…高濃度ドレイン領域２…絶縁薄膜３ａ…走査線６ａ…データ線９ａ…画素電極１０…ＴＦＴアレイ基板１０ｃｖ…溝１１ａ…下側遮光膜１２…下地絶縁膜１６…配向膜２０…対向基板２１…対向電極２２…配向膜３０…ＴＦＴ５０…液晶層７０…蓄積容量７１ａ…中継層７１ｂ…中継層７２…容量線の第１膜７３…容量線の第２膜７５…誘電体膜８１、８２、８３、８５…コンタクトホール３００…容量線４０１〜４０５…部分遮光膜

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続きＦターム(参考） 2H092 JA25 JA26 JA46 JB22 JB31 JB51 JB56 JB68 JB69 KB11 PA03 PA06 PA07 PA08 QA07 5C094 AA02 AA31 AA60 BA03 BA43 CA19 EA04 EA05 EB02 ED15 5F110 AA06 BB01 BB02 CC02 DD02 DD03 DD05 EE28 HL02 HL03 HL04 HL05 HL06 HL08 HL11 HM14 HM15 NN03 NN22 NN42 NN44 NN45 NN46 NN47 NN48 NN72 NN73 QQ11 QQ19

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】基板上に、透明な画素電極と、該画素電極にコンタクトホールを介して接続された薄膜
トランジスタと、前記画素電極と前記薄膜トランジスタとの間に層間絶縁
膜を介して積層されており前記薄膜トランジスタの少な
くともチャネル領域を上方から覆うと共に平面的に見て
前記コンタクトホールを避けるように切り欠かれている
内蔵遮光膜と、平面的に見て前記内蔵遮光膜が切り欠かれている領域を
覆う部分遮光膜とを具備し、前記内蔵遮光膜は、少なくとも遮光層と光吸収層とから
なり、前記光吸収層は前記薄膜トランジスタに対向する
側に設けられていることを特徴とする電気光学装置。
【請求項２】前記内蔵遮光膜は少なくとも部分的に、
前記画素電極に蓄積容量を付加するための容量線と同一
膜からなることを特徴とする請求項１に記載の電気光学
装置。
【請求項３】前記内蔵遮光膜は少なくとも部分的に、
前記薄膜トランジスタに接続されたデータ線と同一膜か
らなることを特徴とする請求項１又は２に記載の電気光
学装置。
【請求項４】前記部分遮光膜は、導電性の遮光膜から
なると共に前記画素電極の直下に積層されており、前記
画素電極は、前記部分遮光膜を介して前記コンタクトホ
ールにより接続されていることを特徴とする請求項１又
は２のいずれか一項に記載の電気光学装置。
【請求項５】前記部分遮光膜は、前記画素電極により
上方から覆われていることを特徴とする請求項４に記載
の電気光学装置。
【請求項６】前記部分遮光膜は、平面的に見て前記内
蔵遮光膜が切り欠かれている領域に加えてその周囲に広
がる所定範囲を覆うことを特徴とする請求項１から５の
いずれか一項に記載の電気光学装置。
【請求項７】前記画素電極と前記薄膜トランジスタと
を中継接続する中間導電層を更に備えており、前記コンタクトホールは、前記画素電極と前記中間導電
層とを接続することを特徴とする請求項１から６のいず
れか一項に記載の電気光学装置。
【請求項８】前記中間導電層の一部及び前記内蔵遮光
膜の一部が、夫々画素電位側容量電極及び固定電位側容
量電極として誘電体膜を介して対向配置されることによ
り、前記画素電極に接続された蓄積容量が構築されてい
ることを特徴とする請求項７に記載の電気光学装置。
【請求項９】前記部分遮光膜は、前記中間導電層の直
下に積層されていることを特徴とする請求項７又は８に
記載の電気光学装置。
【請求項１０】前記中間導電層は、導電性の遮光膜か
らなり、前記部分遮光膜を兼ねることを特徴とする請求
項７又は８に記載の電気光学装置。
【請求項１１】前記中間導電層は、遮光膜を含む多層
構造を有し、前記部分遮光膜は、前記多層構造中の遮光膜からなるこ
とを特徴とする請求項７又は８に記載の電気光学装置。
【請求項１２】前記中間導電層は、金属性の遮光膜及
び導電性シリコン膜を含む多層構造を有し、前記部分遮光膜は、前記多層構造中の遮光膜からなり、前記導電性シリコン膜は、前記誘電体膜の直近に配置さ
れることを特徴とする請求項８に記載の電気光学装置。
【請求項１３】前記部分遮光膜の前記誘電体膜側に向
く表面及び端面が前記誘電体膜に接触しないように前記
導電性シリコン膜が前記部分遮光膜を前記誘電体膜側か
ら覆うことを特徴とする請求項１２に記載の電気光学装
置。
【請求項１４】前記薄膜トランジスタに接続されたデ
ータ線を更に備えており、前記内蔵遮光膜は、前記データ線に交差して伸びる本線
部を含み、前記内蔵遮光膜、前記部分遮光膜及び前記データ線によ
り各画素の非開口領域が規定されることを特徴とする請
求項１から１３のいずれか一項に記載の電気光学装置。
【請求項１５】前記基板上における前記薄膜トランジ
スタの下側に配置されており前記薄膜トランジスタの少
なくともチャネル領域を覆う他の遮光層を更に備えてお
り、平面的に見て前記部分遮光膜が前記非開口領域を規定す
る個所における前記他の遮光膜の輪郭は、前記部分遮光
膜の輪郭よりも前記非開口領域の内側に後退しているこ
とを特徴とする請求項１４に記載の電気光学装置。
【請求項１６】基板上に、透明な画素電極と、該画素電極にコンタクトホールを介して接続された薄膜
トランジスタと、前記コンタクトホールに形成された遮光部材とを備えた
ことを特徴とする電気光学装置。
【請求項１７】前記遮光部材は、前記薄膜トランジス
タと前記画素電極とを電気的に接続する導電性の遮光部
材からなることを特徴とする請求項１６に記載の電気光
学装置。
【請求項１８】前記遮光部材は、前記コンタクトホー
ルの開口部から平面的に延びる縁部を備えることを特徴
とする請求項１６又は１７に記載の電気光学装置。