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CN100594748C - 发光装置及其制造方法以及使用了上述发光装置的电气设备 - Google Patents

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CN100594748C CN200480007898A CN200480007898A CN100594748C CN 100594748 C CN100594748 C CN 100594748C CN 200480007898 A CN200480007898 A CN 200480007898A CN 200480007898 A CN200480007898 A CN 200480007898A CN 100594748 C CN100594748 C CN 100594748C
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藤井照幸
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Abstract

将1个像素划分为具有第1发光元件的第1区域和具有第2发光元件的第2区域，将第1区域定为从一个方向射出的区域，将第2区域定为与第1区域的相反方向射出的区域。通过分别独立地驱动上述像素的第1发光元件和第2发光元件，可在表面上独立地显示图像。

Description

发光装置及其制造方法以及使用了上述发光装置的电气设备
技术领域
本发明涉及具有用在一对电极间介入了包含电致发光(ElectroLuminescence：EL)材料的发光层的发光元件形成的像素部的发光装置。
背景技术
近年来，使用EL元件作为自发光型的发光元件的发光装置的研究越来越活跃。将该发光装置称为有机EL显示器或有机发光二极管。由于这些发光装置具有适合于动画显示的快的响应速度、低电压、低功耗驱动等的特征，故作为以新一代的便携电话或便携信息终端(PDA)为代表的下一代显示器非常引人注目。
将有机化合物的层作为发光层的EL元件具有在基板上层叠在由一方具有透光性的一对阳极和阴极构成的电极间插入了包含至少一层的EL材料的层(以下，记为EL层)的结构的多层膜的结构，通过对阳极和阴极施加电场，从EL层发出电致发光的光。此外，从EL元件发出的光有电子从激励一阶状态转移到基态时的发光(荧光)和电子从激励三阶状态转移到基态时的发光(磷光)。
再有，在本说明书中，将被设置在阴极与阳极之间的全部的层总称为EL层。
上述的EL层具有以“空穴输送层/发光层/电子输送层”为代表的层叠结构。此外，形成EL层的EL材料大致分为低分子类(单体类)材料和高分子类(聚合物类)材料。
有机EL元件具有在对置的一对电极之间夹住有机物的层叠结构，为了将从EL层发出的光取出到外部，必须使用透光性的导电物质、例如铟锡氧化物(以下，记为ITO)等作为阳极或阴极的至少一方。典型的有机EL元件具有将在基板上用溅射法进行成膜的ITO作为阳极并在其上层叠了EL层和使用了铝等金属的阴极的结构。在该结构的有机EL元件中，从在基板上进行了成膜的阳极取出发光。在用有源矩阵驱动来显示以该结构的有机EL元件为像素的显示器的情况下，基板上的TFT遮住透过阳极的发光，使发光效率大为下降。因此，近年来，研究了在基板上对没有透光性的金属的电极进行成膜并在其上层叠了EL层和透光性的导电物质的结构的有机EL元件。在该结构的有机EL元件中，在用有源矩阵驱动来显示显示器的情况下，基板上的TFT不会遮住发光。
发明内容
(发明打算解决的课题)
上述的从基板两面取出发光的结构的有机EL元件的典型的元件是通过将在基板上用溅射法进行了成膜的ITO作为阳极并在其上层叠了有机EL层和金属薄膜或ITO作成的。由于该结构的现有的有机EL元件将从EL层发出的光分在基板两面，故发光亮度对于驱动电压的特性为从单面取出发光的结构的有机EL元件的约一半。
因而，作为第1课题，可举出难以在低的驱动电压下从阴极和阳极的双方的透明电极取出高亮度的发光的问题。
此外，在EL层上用溅射法对ITO进行成膜来作成阴极的情况下，由于EL层的离子化电位和ITO的功函数的间隙大，故从ITO至EL层的电子注入性低，需要高的驱动电压。为了解决该问题，用在EL层与ITO等之间插入金属薄膜或在EL层的一部分中添加电子给予性高的金属、例如碱金属或碱土类金属等的方法提高了从ITO至EL层的电子注入性。由于该金属薄膜或被添加了碱金属或碱土类金属使阴极的透射率下降，故成为使阴极侧的发光亮度大幅度地下降的原因。
因而，作为第2课题，可举出因电极的透射率的差别难以在阳极侧和阴极侧使亮度在相同的程度上一致、此外也不可能根据用途只使一个面发光的问题。
此外，在EL层上溅射ITO的工序中，如果在基板上至EL层进行了成膜的阶段中在将基板从蒸镀装置运送至溅射装置时EL层暴露于大气中，则EL层容易被大气中的水分或氧氧化。特别是以提高从阴极至EL层的电子注入性的目的添加的碱金属或碱土类金属容易被大气中的氧氧化而成为绝缘物。
因而，作为第3课题，可举出如果在基板上至EL层进行了成膜的阶段中EL层暴露于大气中则有机EL元件的特性大幅度地恶化的问越。
此外，在现有的技术中，如果驱动显示以从阴极侧和阳极侧的两面取出发光的结构的有机EL元件为像素的发光装置，则对于一个面的图像，在另一个面上显示其镜像。
因而，作为第4课题，可举出在某一个面上产生使文字反转等的问题的问题。
再者，在从基板两面取出发光的类型的发光装置中，不能如以往那样使用密封罐密封干燥剂。此外，在使2片玻璃对置来密封的情况下，也存在缺乏插入干燥剂的空间、不能使用充足量的干燥剂的难点。
因而，作为第5课题，可举出必须用少量的干燥剂来密封的方法或不使用干燥剂来密封的方法那样的问题。
因此，本发明鉴于上述课题，其目的在于提供以用低电压发光、独立地控制两面的亮度、独立地显示两面的图像为特征的发光装置。
此外，关于上述的发光装置的制造方法，提供在不将EL层暴露于大气中对ITO电极进行成膜的方法、不使用密封罐或干燥剂来密封的方法。
(解决课题用的方法)
本发明为了解决上述课题，是以下述为特征的发光装置：在基板上具有以矩阵状配置的像素部，上述像素具有层叠了在至少一方具有透光性的一对阳极与阴极间插入了至少一层的有机层的结构的多层膜结构的第1发光元件和第2发光元件，上述第1发光元件只在相对于上述基板的面为垂直且从上述基板起在形成了上述像素部的一侧的方向上发出光，上述第2发光元件只在相对于上述基板的面为垂直且在与上述第1发光元件相反的方向上发出光。
利用上述方法，由于避免在两面上使1个有机EL元件发光的方式的结构，故没有必要为了在像素的两面上实现高亮度而施加高的驱动电压，可提高发光装置整体的耐用性。
此外，由于分别独立地驱动两发光面，故使两发光面的亮度达到一致变得容易，也可根据用途只使一个面发光。
此外，在上述的发光装置的制造中，提供下述的方法：在1台真空蒸镀装置中设置蒸镀室和溅射室，通过经运送室将基板从蒸镀室运送到溅射室，在不使EL层暴露于大气中的情况下对ITO电极进行成膜。
此外，通过分别独立地驱动两发光面，解决了对于一个面的图像在另一个面上显示其镜像等难点。
再者，本发明的密封的特征在于：作成贴合设置了发光元件的基板与透明的对置基板的结构，在贴合2片基板时，用透明的密封材料覆盖像素区域的整个面，用包含保持2片基板间隔的间隙材料(充填剂、微粒子等)的另外的粘度高的密封材料包围外部，使用这2种密封材料进行密封以免混入气泡等。利用这样的密封方法，可不使用密封罐或干燥剂就得到可靠性高的发光装置。
(本发明的效果)
利用本发明，可提供能进行两面显示且薄型、轻量的发光装置。
特别是，可在以往因空间或成本的关系只能安装尺寸小的子画面的便携信息终端上安装大画面的子画面，实现便携信息终端的进一步的高附加值化。
此外，通过将本发明的显示装置安装在电子书或笔记本个人计算机中，可实现多用途且具有方便性的使用。
附图说明
图1是示出本发明的发光装置的剖面的图。
图2是示出本发明的发光的光学干涉的图。
图3是示出本发明的显示装置的电路结构例的图。
图4是示出本发明的显示装置的电路结构例的图。
图5是示出本发明的显示装置的电路结构例的图。
图6是示出本发明的实施例1的图。
图7是示出本发明的实施例1的图。
图8是示出本发明的实施例2的图。
图9是示出本发明的实施例3的图。
图10是示出本发明的实施例4的图。
图11是示出本发明的发光装置的剖面的图。
图12是示出本发明的实施例3的结构的图。
具体实施方式
以下，使用附图详细地说明本发明的实施方式。
(实施方式1)
以下说明本发明的像素和密封的结构和制造方法。在图1中示出本发明的像素的基本结构。在此，图示了有源矩阵方式的驱动用TFT，但驱动方式也可以是单纯矩阵方式。
本发明的发光装置的基本结构大致分为第1基板、第1发光元件及其驱动用TFT、第2发光元件及其驱动用TFT、透明保护膜、密封剂和第2基板。第1发光元件通过将第1阳极1009定为反射电极、将阴极1011定为透明电极，只在相对于基板的面为垂直且从基板起在形成了上述像素部的一侧的方向上发出光，第2发光元件通过将第2阳极1024定为透明电极、将第2阴极1023定为反射电极，只在相对于基板的面为垂直且与第1发光元件相反的方向上发出光。以后，将第1发光元件发出的光的方向记为上方，将其反方向记为下方。
第1基板1000的材料最好是在平滑性方面良好的、可视区域的透射率高的材料。例如，玻璃或塑料是合适的材料。基底膜1001对基板与TFT进行电绝缘，隔断从基板发生的污染物，使其不到达TFT或EL层，起到了降低基板表面的凹凸的作用。
在基底膜1001上形成了第1驱动用TFT1002和第2驱动用TFT1021。第1驱动用TFT1002具有有源层1003、栅电极1005和在有源层1003与栅电极1005之间被夹住的栅绝缘膜1004。
此外，第1驱动用TFT1002被第1层间绝缘膜1006覆盖，在第1层间绝缘膜1006上以层叠的方式形成了第2层间绝缘膜1007和第3层间绝缘膜1008。
再有，第1驱动用TFT1002和第2驱动用TFT1021成为相同的结构。
此外，第1阳极1009和第2阳极1024分别是第1发光元件的阳极和第2发光元件的阳极，1010是EL层，1011是阴极，第1阳极1009与EL层1010和阴极1011重叠的部分相当于第1发光元件1012，第2阳极1024与EL层1010和阴极1011重叠的部分相当于第2发光元件1022。第1驱动用TFT1002控制对第1发光元件1012供给的电流，与第1发光元件1012直接或经其它的元件电连接。此外，第2驱动用TFT1021控制对第2发光元件1022供给的电流，与第2发光元件1022直接或经其它的元件电连接。
第1阳极1009是在空穴注入性方面良好的物质，最好是功函数大的物质。例如，是Ti、Ti N、TiSiXNY、Ni、W、WSiX、WNX、WSiXNY、NbN、Mo、Cr、Pt、Se、Pd、Ir、Au等，也可以是这些金属的混合物或合金。此外，即使是上述以外的金属电极，通过在其上层叠ITO，也有能发挥充分的空穴注入性的情况。
第2阳极1024只要是起到透明电极的功能的材料即可，例如，ITO是合适的。
在溅射装置中成膜后，通过用干法刻蚀装置进行构图，可形成第1阳极1009和第2阳极1024。
有机树脂膜1013防止已被成膜的EL层1010或阴极1011因在第1阳极1009和第2阳极1024的端部上的台阶差而被断开。例如，丙烯酸树脂或聚酰亚胺等作为合适的材料用作有机树脂膜1013。特别是感光性丙烯酸树脂适合于微细加工。感光性丙烯酸树脂的硬化后的剖面形状带有圆角，具有在其上成膜的层即使是约1～10nm的极薄膜也难以断开这样的优点。使用旋转涂敷机、曝光机、显影机来形成感光性丙烯酸树脂，其膜厚由旋转涂敷机的旋转速度或旋转时间来调节。
EL层1010使用与基板的制造装置不同的装置来制造。如果用于EL层1010的有机物是低分子的，则使用真空蒸镀装置来成膜，如果用于EL层1010的有机物是高分子的，则使用旋转涂敷机或喷墨装置来成膜。例如，如果使用蒸镀装置，以20nm的CuPc、30nm的α-NPD、50nm的Alq3的结构来层叠，则可作成绿色发光的有机EL元件。再有，CuPc是电子注入层、α-NPD是电子输送层、Alq3是发光层。该工序中的蒸镀室的压力最好为约10-7Pa～10-4Pa。这是因为，如果压力高，则在蒸镀工序中因热的缘故有机物与残存氧发生氧化。此外，成膜速率最好为约0.1～0.2nm/s。这是因为，如果成膜速率高，则有机分子存在热分解的危险。
阴极1101，例如用溅射法对ITO进行成膜。此时，如果EL层的有机物暴露于大气中，则容易与水分与氧反应，导致作为EL元件的性能的恶化。因而，最好使用蒸镀室与溅射室经与外部气体隔离了的真空室连结的结构的装置。在使用了这样的装置的情况下，由于从蒸镀到溅射为止的一系列的工序(也包含基板的运送工序)全部可在真空中进行，故排除了大气中的水分或氧的影响。
此外，在有机物的EL层上直接对ITO进行成膜的情况下，由于从ITO至EL层的电子注入性低，故驱动电压变得非常高。因此，必须在提高从ITO至EL层的电子注入性方面下工夫。
例如，有在与ITO的界面附近的EL层中利用共同蒸镀添加电子注入性高的物质、例如碱金属或碱土类金属等的方法。特别是，在Alq3中添加Li的方法或在Alq3层上设置添加了Li的BCP或CuPc的层的方法是有效的。使用这样的方法，通过对EL层中的阴极附近的有机物赋予接近于N型半导体的物理性质，可飞跃性地提高从ITO至EL层的电子注入性。此外，由于碱金属或碱土类金属在大气中容易被氧化而成为绝缘体，故在上述的装置中最好避免暴露于大气中。
作为其它的方法，通过在EL层与ITO之间插入金属薄膜，可提高从ITO至EL层的电子注入性。例如，只要是Al-Li合金或Mg-Ag合金的约10nm的薄膜，就有透光性，提高从ITO至EL层的电子注入性的效果也很好。
此外，在溅射室中对ITO进行成膜的工序中，由于在溅射室内发生的等离子体对EL层造成损伤，故成为使有机EL元件的亮度特性下降的原因。为了将该损伤抑制为最低限度，有调整溅射的条件(压力、气体流量比、投入功率)以降低等离子体浓度的方法、在靶上覆盖网以免等离子体与基板接触的方法和在EL层上设置无机物的保护层的方法等。一般来说，如果降低溅射时的放电功率值来成膜，则可减少对EL层造成的损伤，但存在低功率下被成膜的ITO的电阻率变高的趋势，故在低功率成膜的情况下，必须调节压力和气体流量比，在ITO的电阻率为最低的条件下进行最佳化。例如，在用低于等于RF100W成膜的情况下，最好将气体流量比O2/Ar定为0，将全压力定为约1Pa。在通常的溅射装置中，在该条件下，可对电阻率为μΩcm的数量级的ITO进行成膜。此外，不仅进行成膜参数的最佳化，而且覆盖与靶对置的网，作成只在被靶和网夹住的区域中发生等离子体的结构，最好合并使用不使等离子体与基板接触的方法(遥控等离子体·溅射)或在EL层上设置无机物的保护层、例如金属或金属氮化物或金属硼化物等的薄膜的方法等。
上述ITO电极必须具有充分地起到作为电极的功能的低的薄层电阻值(10～100Ω/□)、高的光透射率(在可视区域中为大于等于80～90％)和不会因干涉而减弱可见光的全部的良好的光学特性。
特别是，由于光学特性较大地依赖于ITO电极的膜厚，故最佳化是不可缺少的。图2是图1中的第2发光元件的主要部分的放大图，示出了在层2000、空穴注入层2001、空穴输送层2002、发光层+添加物2003这样的结构的EL层上层叠了阴极(透明电极)2004和第2阴极(反射电极)2005的结构的发光元件的光学干涉。如果分别将发光层+添加物2003和阴极(透明电极)2004的折射率定为n4、n5，从发光层+添加物2003直接到达外部的光(直接光)与从发光层+添加物2003经由阴极(透明电极)2004在与第2阴极(反射电极)2005的界面上反射而到达外部的光(反射光)的光路差用2×(n4×d1+n5×d2)来表示。在此应注意的是，在n4＞n5的情况下，由于发光进行自由端反射，故没有在反射部中的相位的变化，但在n4＜n5的情况下，由于发光进行固定端反射，故在反射部中相位变化π。例如，在ITO与Al的层叠的情况下，发光进行自由端反射。因而，如果作成光路差2×(n4×d1+n5×d2)使其成为可见光波长λ的整数倍，则波长λ的光发生较强的干涉。
这样对图1的第2阴极1023进行成膜，使其完全覆盖第2发光元件1022且不完全覆盖第1发光元件1012。最好使用反射率高的金属、例如Al等作为第2阴极1023的材质。由于Al在约10nm的膜厚的情况下透过光，故最好作成约100nm的膜厚。蒸镀也好、溅射也好，都能容易地对Al进行成膜。
透明保护层1014的成膜的目的在于保护电极和EL层，使其不受水分和氧的影响。因而，最好使用在水中难溶的物质，以完全覆盖阴极的形状来成膜。合适的物质是CaF2、BaF2、MgF2等。利用蒸镀可容易地对这些物质进行成膜。由于膜厚越厚保护效果越大，故最好将膜厚定为大于等于100nm。
充填密封剂1025，使其完全填埋透明保护层1014与第2基板1026之间的空间。作成贴合设置了发光元件的第1基板1000与对置的第2基板1026的结构，在贴合2片基板时，用透明的密封材料覆盖像素区域的整个面，用包含保持2片基板间隔的间隙材料(充填剂、微粒子等)的另外的粘度高的密封材料包围外部，使用这2种密封材料进行密封以免混入气泡等。在密封剂的构图中使用分配器。再有，在贴合一对基板时，如果微量的水分混入，则对已作成的有机EL元件的耐久性显现出严重的影响，因此，希望使密封室的环境成为减压或氮的环境。贴合作业中的密封室的露点越低，就越是合适的条件，希望低于等于-80℃。
在使用紫外线硬化树脂作为上述的密封剂的情况下，在使其硬化时，由于也对像素部照射紫外线，故将透明保护膜1014作成2层，希望在上层形成只吸收或反射紫外线的层、例如ZnO等的层。
在本实施方式中，可在低于等于1×10-3Pa的压力下进行形成有机层、上述透明电极和上述透明保护膜为止的全部的工序。
(实施方式2)
在图11中示出本发明的像素的基本结构。在此，示出单纯矩阵方式的发光装置的结构。再有，对于本实施方式，使用相同的符号说明与实施方式1同样的构成要素。
对于与本实施方式有关的发光装置来说，在第1基板1000与第2基板1026之间形成第1发光元件1012和第2发光元件1022，用混入了衬垫的粘接剂1033在具有间隙的情况下对两基板进行了固定。将阳极1031和阴极1011定为透明电极，通过在第1发光元件1012中在阳极1031一侧、在第2发光元件1022中在阴极1011一侧分别设置遮光膜1030、1032，决定光的发射方向。
在单纯矩阵方式中，以条状形成阳极1031和阴极1011，在其交叉部中通过介入EL层形成以矩阵状排列的像素。在图11的结构中，在阳极1031和阴极1011之间形成了EL层1010，第1发光元件1012从第1基板1000一侧和第2发光元件1022从第2基板一侧发射各元件发射的光。
阳极1031可使用I TO或为了提高其平坦性而添加了1～10重量％、例如5重量％的SiO2的透明电极。对于阴极1011来说，作为在与ITO的界面附近的EL层中电子给予性高的物质，利用共同蒸镀，添加碱金属或碱土类金属等。作为其它的方法，通过在EL层与ITO之间插入金属薄膜，可提高从ITO至EL层的电子注入性。
用Al、Ti、Mo、其他的金属或包含颜料的非透光性的树脂材料形成遮光膜1030、1032即可。
透明保护层1014以完全覆盖阴极的形状来成膜。合适的物质是CaF2、BaF2、MgF2等。利用蒸镀可容易地对这些物质进行成膜。由于膜厚越厚保护效果越大，故最好将膜厚定为大于等于100nm。此外，也可使用由高频溅射法从硅靶形成的氮化硅膜。
将密封剂1025形成为充填透明保护膜1014与第2基板1026之间的空隙。密封剂1025最好使用光硬化型的树脂，使用第1发光元件1012发射的光的透射率高的透光性的材料。
此外，虽然在此未图示，但也可在第1发光元件1012与第2基板1026之间和第2发光元件1022与第1基板1000之间设置着色层，作成使各发光元件发射的光的特定的波长频带透过的结构。即，可提高发射的光的色纯度或可进行多色显示。
通过分别个别地形成并独立地控制阳极1031和阴极1011，即使采用单纯矩阵方式，也能得到以低电压发光、独立地控制两面的亮度、独立地显示两面的图像的发光装置。
(实施方式3)
其次，在以下的实施方式3中说明在实施方式1中示出的本发明的发光装置的驱动方法。
在图3中示出本发明的一实施方式。再有，在此使用了薄膜晶体管(TFT)作为开关元件或驱动元件，但不特别限定于此。例如，可举出MOS晶体管、有机晶体管、分子晶体管等，但都可同样地使用。此外，在TFT中，由于源区和漏区难以根据其结构或工作条件来区别，故将一方作为第1电极来标记，将另一方作为第2电极来标记。
在图3中，用点线框3000包围的区域是1个像素，具有源信号线3001、栅信号线3002、电流供给线3003、开关用TFT3004、第1驱动用TFT3005、第2驱动用TFT3006、第1发光元件3007和第2发光元件3008。在各像素中，可得到第1发光元件3007的射出光的区域是第1区域，可得到第2发光元件3008的射出光的区域是第2区域，都包含在1个像素中。
开关用TFT3004的栅电极与栅信号线3002电连接，第1电极与源信号线3001电连接，第2电极与第1、第2驱动用TFT3005、3006的栅电极电连接。第1驱动用TFT3005的第1电极与电流供给线3003电连接，第2电极与第1发光元件3007的第1电极电连接。第2驱动用TFT3006的第1电极与电流供给线3003电连接，第2电极与第2发光元件3008的第1电极电连接。第1发光元件3007的第2电极和第2发光元件3008的第2电极分别与对置电极3009、3010电连接，其中对置电极3009、3010与电流供给线彼此具有电位差。
对源信号线3001输出的影像信号在开关用TFT3004导通的时刻被输入到第1、第2驱动用TFT3005、3006的栅电极中，按照影像信号，对第1、第2发光元件3007、3008供给电流而发光。如上所述，对于第1区域、第2区域来说，分别从基板的表面背面可得到射出光。
按照该结构，第1发光元件3007和第2发光元件3008的发光、非发光的控制由第1、第2驱动用TFT3005、3006来进行，但例如如图4中所示，在电流供给线4003与第1和第2驱动用TFT4005、4006的第1电极之间分别设置以排他的方式工作的模拟开关4011、4012，通过利用显示面控制信号控制导通、关断，如果在某个期间内模拟开关4011导通，对第1发光元件4007供给电流，则在第1区域中显示影像。另一方面，如果与模拟开关4011以排他的方式工作的模拟开关4012在此时关断了，则隔断对第2发光元件4008的电流供给路径。于是，第2区域不发光。相反，在模拟开关4012导通、对第2发光元件4008供给电流、在第2区域中显示影像的期间中，模拟开关4012关断，隔断对第1发光元件4007的电流供给路径。于是，第1区域不发光。此时，可通过使用者进行某种操作输出显示面控制信号，进行显示面的转换，也可根据使用的状态(例如终端处于折叠的状态或打开的状态等)自动地进行转换工作。
此外，模拟开关4011、4012也可不以排他的方式工作，而是如图5中所示，使用显示面控制信号1、显示面控制信号2独立地控制。按照该结构，可任意地在第1区域、第2区域中转换显示、非显示。
作为使用图4、图5中示出的结构在第1区域、第2区域中互相显示不同的图像的方法，例如可举出在1帧期间中用奇数帧进行第1区域的显示、用偶数帧进行第2区域的显示等的方法。此时，按每1帧期间使显示面控制信号反转，模拟开关5011、5012按每1帧互相转换导通、关断即可。
对于用以上的结构构成的本发明，用以下示出的实施例进行更详细的说明。
(实施例)
〔实施例1〕
在本实施例中，记述以发光装置的作成为目的多反应室方式的制造装置和制造方法。该制造装置中，在投入预先设置了薄膜晶体管、阳极(第1电极)、覆盖该阳极的端部的绝缘物等的基板并连续地进行了成膜等的处理后，通过将基板与另外投入的对置基板一体化来进行密封处理，以完成面板。
图6是具有下述部分的多反应室方式的制造装置：入口6000a～6000w；运送室6001·6002·6003·6004·6005(在各运送室中设置了运送基板用的运送机械手)；装入室6011；交接室6012·6013·6014；盒室6020a·6020b；托盘安放台6021；成膜室6022；基板加热室6023；基板·掩模储存室6024；前处理室6025；基板加热室6026；蒸镀室6027Ha·6027Ra·6027Ga·6027Ba·6027Ga·6027Ea；设置蒸镀源的蒸镀前室6027Hb·6027Rb·6027Gb·6027Bb·6027Eb；蒸镀室6028·6029；溅射室6030·6031；对置玻璃用N2置换室6032·手套式操作箱(glove box)6033·准备室6034；基板·对置基板储存室6035；密封室6036；以及取出室6037。
说明对本制造装置的基板的投入方法。
在盒室6020a或6020b中投入容纳了基板的盒。本制造装置具有能处理2种大小的基板的特征。在所处理的基板是大型基板(在本实施例中，定为300mm×360mm)的情况下，在盒室6020b中最多可投入2个容纳了大型基板的大型盒(在本实施例中，定为12段)。在所处理的基板是小型基板(在本实施例中，定为126.6mm×126.6mm)的情况下，在盒室6020a中投入容纳了小型基板的小型盒(在本实施例中，定为20段，其中上部16段中容纳小型基板，下部4段作为插入运送室6001的运送机械手的臂的空间来使用)，同时在盒室6020b中投入容纳了安装并运送多片(在本实施例中，定为4片)小型基板用的基板托盘(在本实施例中，定为与大型基板相同的尺寸的300mm×360mm)的托盘盒(在本实施例中，定为4段)。这样，在盒室6020b中成为能设置大型盒和托盘盒这两者的形状。此外，大型基板、小型基板的投入时的方向都是面朝上(在后述工序中被成膜的面是上侧)。从上述可知，在本实施例中一次可投入的基板的最多数、即每1批次的最多基板数在大型基板的情况下是24片，在小型基板的情况下是32片。
说明对本制造装置的金属掩模的投入方法。
在基板·掩模储存室6024中合计放置10片在前处理室6025、蒸镀室6027Ha·6027Ra·6027Ba·6027Ga·6027Ea、蒸镀室6028·6029、溅射室6030·6031的合计10室中使用的金属掩模。在本实施例中，基板·掩模储存室6024成为11段的起卸器结构。在图7a中示出掩模放置后的状态。如果基板·掩模储存室6024的排气结束后，则对各处理室运送必要的金属掩模即可。在图7b中示出掩模运出后的状态。此外，各段兼用于掩模和基板。在将掩模运送到各室中后，该屋子的全部段成为空段，故如后述那样，可将基板·掩模储存室6024作为基板的暂时退避场所来使用。
将基板·掩模储存室6024的全部段数设定为比最多掩模片数多1段的原因是，由此，在某个批次A结束后，在回收该批次A中使用了的掩模之前，可如图7c那样预先准备应在下一个批次B中使用的不同种类的10片掩模。即，使用空闲的1段，由于可在每个使用掩模的处理室1中如图7d→图7e→图7f→图7g...那样连续地进行在批次A中使用的掩模的回收→在批次B中使用的掩模的运送这样的处理，故最终如图7h那样关于使用掩模的全部的屋子可交换掩模。其结果，可缩短掩模交换的作业时间。
说明对本制造装置的对置基板的投入方法。
在基板为大型基板(300mm×360mm)的情况下，将与基板相同尺寸的大型对置基板容纳在与在盒室6020b中使用了的为同一的大型盒(12段)中，在对置玻璃用N2置换室中最多放置2个大型对置基板(即，大型对置基板可投入的片数最多为24片)。在基板为小型基板(126.6mm×126.6mm)的情况下，将比基板小一圈的尺寸(在本实施例中，为122.6mm×122.6mm，与基板相比，外周小了2mm)的小型对置基板安装在可安装多片(在本实施例中，定为4片)的对置基板托盘(在本实施例中，定为300mm×360mm)上，将该对置基板托盘容纳在与盒室6020b使用的为同一的托盘盒中，在对置玻璃用N2置换室6032中最多放置2个托盘盒(即，小型对置基板可投入的片数最多为32片)。此外，大型对置基板、小型对置基板的投入时和其后的处理时的方向都是面朝上(在之后与基板贴合时，与基板接触的面是上侧)。
以下，首先按顺序说明基板的处理方法。
运送室6001一直成为N2环境大气压，在其中设置的运送机械手(具有基板吸附机构)进行基板的取出。在大型基板的情况下，从盒室6020b取出基板，运送到装入室6011中。在小型基板的情况下，从盒室6020b取出托盘运送到托盘安放台6021上后，从盒室6020a取出小型基板运送到托盘安放台6021上后，装在托盘上(在本实施例中，最多为4片)。其后，将放入大型基板或小型基板的托盘运入装入室6011中。在该时刻以后，基板的方向为面朝下(在后述工序中被成膜的面是下侧)。
这样，在本制造装置中，由于对小型基板进行4片的同时处理，故可以说对于小型基板的生产率非常高。以下，只要不特别指出，假定只记载对于大型基板的处理，将大型基板仅记为基板，但对于小型基板的处理也是完全相同的。
此外，由于装入室6011与一直保持为真空的运送室6002连结，故在运入了基板后在进行了排气之后将基板运出到运送室6002中。在基板运出后，具备将惰性气体导入到装入室6011中返回到大气压(充气)，其次从运送室6001过来的基板的运入即可。
作为可进行运送室6001等的真空排气的处理室的真空排气用的泵，准备了磁浮型的涡轮分子泵、低温泵或干泵，由此，可使到达真空度成为10-5～10-6Pa，进而，可控制来自泵侧和排气系统的杂质的反扩散。为了防止杂质导入到装置内部，使用氮或稀有气体等的惰性气体作为导入的气体。关于导入到装置内部的这些气体，使用在导入到装置内之前由气体精制机进行了高纯度化了的气体。因而，必须具备精制机，以便在对气体进行了高纯度化之后导入到蒸镀装置内。由此，由于可预先除去在气体中包含的氧或水等其他杂质，故可防止这些杂质导入到装置内部。
但是，在完成后的发光元件中有时可看到在显示像素内亮度从像素周边部起发生恶化这样的收缩现象。作为其防止对策的一个，可举出包含有机化合物的膜的蒸镀之前的真空加热。可用在被设置在前处理室6025或基板加热室6026中的加热器(护套加热器等)来进行该真空加热。为了彻底地除去在上述基板中包含的水分或其它的气体，在真空(低于等于5×10-3torr(0.665Pa)，最好为10-4～10-6Pa)下进行脱气用的退火。特别是在使用了有机树脂膜作为层间绝缘膜或间隔壁的材料的情况下，由于因有机树脂材料的缘故容易吸附水分，进而存在发生去气的危险，故在形成包含有机化合物的层之前，在进行了100℃～250℃、最好是150℃～200℃、例如大于等于30分钟的加热后，进行30分钟的自然冷却，再进行除去吸附水分的真空加热，这样做是有效的。
但是，由于必要的加热和冷却时间长，故在连续地传过基板的情况下，生产率显著地下降。因此，将基板加热室6026做成多段的。在本实施例中，由于在前处理室6025中的基板加热(为了使基板面内温度分布变得均匀，采用了护套加热器)最多同时为1片，而基板加热室6026成为了4段的起卸器结构，故最多同时可进行4片的基板加热，实现大幅度的处理时间的缩短。此外，在本实施例中，由于在基板加热室6026中护套加热器为5段、即设置成比基板的段数多1段，故将基板容纳在哪个段中都能以完全相同的方式从基板两面进行加热。加热后的基板运送到基板·掩模储存室6024中，在该处进行冷却即可。利用该处理，可在基板加热室6026的空闲段中迅速地运入下一个基板，作为结果，与处理时间的缩短产生关联。
其次，在进行了上述真空加热后，将基板从运送室6002运送到蒸镀室6027Ha，进行真空蒸镀，形成空穴注入层或空穴输送层。其次，从运送室6002经由一直保持为真空的交接室6012，将基板运送到一直保持为真空的运送室6003。
其后，将基板适当地运送到与运送室6003连结的蒸镀室6027Ra·6027Ga·6027Ba·6027Ea，利用真空蒸镀法形成红色发光层、绿色发光层、蓝色发光层、电子输送层或电子注入层等有机层。在此对蒸镀室6027Ha·6027Ra·6027Ga·6027Ba·6027Ea进行说明。
在蒸镀室6027Ha·6027Ra·6027Ga·6027Ba·6027Ea中设置了可安装多个蒸镀源(本实施例中定为4个源)的移动式的蒸镀源保持器。在蒸镀时一边移动蒸镀源、一边进行成膜，除此以外，也可容易地进行多源共同蒸镀。此外，在各蒸镀源中设置了蒸镀源挡板，通过该挡板的开闭，进行是否实际地使材料蒸发的控制。
最好使用以下示出的制造系统进行对这些蒸镀室的EL材料的设置。即，最好使用预先由厂家容纳了EL材料的容器(代表性地是坩埚)进行成膜。在进一步设置时最好不接触大气来进行，在从材料厂家运送时，最好将坩埚在密闭于第2容器中的原有状态下导入到成膜室中。希望使连结到蒸镀室6027Ha·6027Ra·6027Ga·6027Ba·6027Ea上的具有真空排气单元的蒸镀前室6027Hb·6027Rb·6027Gb·6027Bb·6027Eb成为真空或惰性气体环境，在其中从第2容器取出坩埚，将坩埚设置在蒸镀室的蒸镀源保持器上。由此，不仅可在不使各蒸镀室6027Ha·6027Ra·6027Ga·6027Ba·6027Ea开放于大气中的情况下在各蒸镀源设置EL材料，而且直至蒸镀之前可将坩埚和容纳于该坩埚中的EL材料保持为清洁的状态。
通过适当地选择在蒸镀室6027Ha·6027Ra·6027Ga·6027Ba·6027Ea中使用的EL材料，作为发光元件整体，可形成显示出单色(例如白色)或全彩色(红色·绿色·蓝色)的发光的发光元件。
此外，显示出白色的发光的有机化合物层在层叠具有不同的发光色的发光层的情况下，大致分为含有红色·绿色·蓝色的3原色的3波长类型和使用了蓝色/黄色或绿色/橙色的补色的关系的2波长类型。在通过只用一个蒸镀室进行全有机化合物层的形成来作成3波长类型的白色发光元件的情况下，分别准备形成白色发光层的芳香族二胺TPD(三苯基胺衍生物)作为第1蒸镀源，形成白色发光层的3-(4-叔-丁基苯基)-4-(4-乙基苯基)-5-(4-联苯基)-1，2，4-三唑，3-(4-tert-butylphenyl)-4-(4-ethylphenyl)-5-(4-biphenylyl)-1，2，4-triazole(以下，示出为p-EtTAZ)作为第2蒸镀源，形成白色发光层的Alq3作为第3蒸镀源，作为红色发光色素的NileRed作为第4蒸镀源。然后，按第1至第4的顺序实际地使材料蒸发来层叠各层即可。具体地说，首先，预先加热第1至第4蒸镀源。此时，关闭了在各蒸镀源中设置的蒸镀源挡板。其次，打开第1蒸镀源挡板，在基板上对TPD进行成膜后，关闭第1蒸镀源挡板。其后，打开第2蒸镀源挡板，在基板上对p-EtTAZ进行成膜后，关闭第2蒸镀源挡板。其次，打开第3蒸镀源挡板，在基板上对Alq3进行成膜后，关闭第3蒸镀源挡板。进而，打开第3·第4蒸镀源挡板，形成Alq3和NileRed的共同蒸镀层后，关闭第3·第4蒸镀源挡板。最后，再次打开第3蒸镀源挡板，在基板上对Alq3进行成膜后，关闭第3蒸镀源挡板。利用这样的一系列的手续，可在基板上顺序地对TPD、p-EtTAZ、Alq3、Alq3：NileRed、Alq3的层成膜。此外，在最初的Alq3层与Alq3：NileRed层的界面和Alq3：NileRed层与最后的Alq3层的界面中，可维持打开了第3蒸镀源挡板的原有状态。
在利用上述工序适当地层叠了包含有机化合物的层后，从运送室6003经由一直保持为真空的交接室6013，将基板运送到一直保持为真空的运送室6004。
可使用溅射法形成阴极(透明电极)。将基板适当地运送到溅射室6030、溅射室6031中，利用溅射法形成以ITO为代表的透明导电膜。
其次，形成阴极(反射电极)。可利用采用了电阻加热的真空蒸镀法在蒸镀室6028或蒸镀室6029中形成金属的阴极、例如Al，也可利用溅射法在溅射室6030或溅射室6031中形成。
最后，在蒸镀室6028或蒸镀室6029中形成CaF2或ZnO的透明保护膜。
利用以上的工序形成层叠结构的发光元件。
其次，在不使形成了发光元件的基板对大气开放的情况下，从运送室6004运送到交接室6014。进而，从交接室6014经由运送室6005运送到基板·对置基板储存室6035。基板·对置基板储存室6035是暂时储存基板和对置基板的屋子，经由多段起卸器结构。各段对于基板·对置基板是兼用的。在本实施例中成为24段的起卸器结构，在大型基板、对置大型基板的情况下，可容纳已投入的基板和对置基板的一部分，在小型基板、对置小型基板的情况下，可容纳已投入的基板(托盘)和对置基板(托盘)的全部。因此，如果基板·对置基板储存室6035不存在空段的情况下，直至存在空段为止使基板在交接室6014待机即可。此外，在基板·对置基板储存室6035与运送室6005之间未特别设置隔开用的入口等，作为空间，基板·对置基板储存室6035与运送室6005是一体的。
此外，运送室6005为了尽可能预先除去水分或氧等，必须在使批次运转之前预先充分地排气，但为了在开始使批次运转后常时地保持为N2大气压，必须在将基板运送到运送室6005时对交接室6014充气。在将基板运送到运送室6005后，再次对交接室6014排气，使之成为能从运送室6004运送下一个基板的状态。即，每当基板通过时，交接室6014重复地进行排气·充气。
以下，按顺序说明对置基板的处理方法。
在对对置玻璃用N2置换室6032进行了大于等于1次(本实施例中定为3次)的排气·充气处理后，将对置基板运送到手套式操作箱6033中。这样，通过进行大于等于1次的排气·充气处理将手套式操作箱内的水分浓度·氧浓度保持为尽可能低的浓度。
在手套式操作箱6033中进行关于对置基板的前处理(密封剂的准备)。将基板运送到密封剂分配器部分上，使用密封剂分配器在对置基板上涂敷与设置了发光元件的基板最终地贴合的密封剂(在本实施例中，定为UV硬化型树脂)。关于密封剂，使用覆盖像素区域的整个面的透明的密封材料和包含保持2片基板间隔的间隙材料(充填剂、微粒子等)的另外的粘度高的密封材料这2种。这样来进行涂敷构图，使得粘度低的密封剂覆盖像素部整体，而且使粘度高的密封剂包围像素部整体。在该密封剂分配器上预先设置了用手工作业进行密封剂分配器的各种各样的调整用的手套(未图示)。此外，通过对置玻璃用N2置换室6032，在使批次运转前预先从外部在手套式操作箱6033内准备密封剂即可。
在对准备室6034进行了大于等于1次(本实施例中定为2次)的排气·充气处理后，最后再对准备室6034进行1次充气。其后，从准备室6034通过运送室6005将对置基板运送到基板·对置基板储存室6035。但是，在基板·对置基板储存室6035不存在空段的情况下，直至存在空段为止使对置基板在准备室6034待机即可。
以下，说明贴合在基板·对置基板储存室6035中暂时储存的基板与对置基板的处理。
从基板·对置基板储存室6035经由运送室6005将基板和对置基板运送到密封室6036。其后，在进行了基板与对置基板的对准后，贴合基板与对置基板并进行加压。其后，使密封剂硬化，将基板与对置基板作成一体的面板。在本实施例中，密封剂是UV硬化树脂，在密封室6036中设置了UV照射机构，从对置基板一侧(下侧)进行UV照射。
将这样完成的面板经由运送室6005运送到取出室6037。在取出室中可放置在盒室6020b或对置玻璃用N2置换室6032中也使用的2个大型盒(24段)或4个托盘盒(4段)，根据取出室6037的段转换可选择放置两者中的哪一个。在投入的全部的基板和对置基板的处理结束后，从取出室取出在盒中容纳的面板即可。
通过以上述的程序使用本制造装置，可制作可靠性高的发光装置。
〔实施例2〕
在以下的实施例中，例示包含本发明的发光装置作为显示部的电气设备。
在本实施例中，示出将本发明的显示装置应用于在便携信息终端中代表性的便携电话机的例子。
如图8(A)中所示，如果使用本发明的显示装置，则由于可在一体的显示装置中进行两面显示，故即使在两面上设置了显示部的情况下，也可抑制壳体8000的厚度。
作为使用例，在打开了终端的情况下，主要将第1显示面8001作为显示面来使用。利用操作按钮8002进行画面操作。对于在关闭了终端的状态下主要使用的第2显示面8003来说，以往因空间的关系只能内置尺寸小的画面，但根据本发明，可使用具有与第1显示面8001为同等的显示尺寸的第2显示面8003，可进行邮件、Web页等的阅览。利用操作按钮8004进行在关闭状态下的操作。
此外，最近，安装数码相机的便携电话机等得到了普及，但是即使在使透镜8005朝向自己的面前的状态下摄影时，也可用显示区域宽的第2显示面8002一边进行监视、一边进行摄影。
图8(B)是从横向看图8(A)的便携电话机的图。如果同时显示第1显示面8001和第2显示面8003，则从摄影者一侧也好、从被摄影者一侧也好，都可看到监视器影像，在被摄影者确认了是否满足了摄影角度等的摄影意图之后，摄影者可按下快门。在这样的摄影中，摄影者和被摄影者的交流变得顺畅，具有减少摄影失败的效果。8006是摄影者，8007是被摄影者，8008是显示控制器，8009是主体驱动用模块，8010是电池，8011是第1基板。
这样的利用方法也可在数码相机或数码摄像机中实施。
〔实施例3〕
在本实施例中，示出将在膜基板上作成的本发明的两面发光装置应用于电子书的例子。
在电子书中，利用采用了本发明的膜方式的两面发光面板，可同时显示多个页。如图9中所示，使用通常的单面发光显示装置作为第1显示面9000和第4显示面9003，通过在中央部插入作为本发明的显示装置的第2显示面9001和第3显示面9002，可同时显示合计4页。
在本实施例的电子书中，图9中示出的第1显示面9000和第4显示面9003是固定在电子书主体上的通常的单面发光显示面板，基板没有必要是膜，可以是通常的玻璃基板。
此外，第1显示面9000和第4显示面9003可以是从基板一侧取出发光的下面射出(bottom emission)类型的，也可以是从成膜面一侧取出发光的上面射出(top emission)类型的。
另一方面，第2显示面9001和第3显示面9002是利用了本发明的膜方式的两面发光显示面板，在塑料等的材质的膜基板上对电极或EL层进行成膜来制作。关于密封，有用透明粘接剂贴合对置膜的方法或使用溅射法或CVD法用氮化硅等的保护膜覆盖基板整体的方法。
在图12中示出本实施例的电子书的结构。
在本实施例的电子书中内置了电源9012、电池9013、电源控制器9014、CPU9015、ROM9016、RAM9017、调制解调器9018、无线电话单元9019、调制解调器控制器9020、硬盘9021、CD-ROM9022、存储卡9023、声音信号处理电路9024、声音输出单元9025、处理从操作按钮9026输入的信号的输入控制器9027、视频信号处理电路9011、信号处理电路9010、影像信号控制电路9009和信号分割电路9004～9008等。
在本实施例的电子书中包含了硬盘9021、CD-ROM9022、存储卡9023等的记录媒体，可从这些记录媒体引出必要的信息，在显示面上显示。此外，也可从外部连接这些记录媒体。再者，本实施例的电子书通过用调制解调器控制器9020处理来自连接到外部的网络上的调制解调器9018、无线电话单元9019的信息，也可使其显示。
用视频信号处理电路9011处理这些记录媒体或来自外部的信号，经过信号处理电路9010、影像控制电路9009输入到与各显示面连接的信号分割电路9004～9008中。在同一基板上形成了第2显示面9001和第3显示面9002，但可从信号分割电路9005、9006输入各自独立的信号，可显示各自独立的图像。
再者，本实施例的电子书不仅可输出图像，也可用声音输出单元9025输出用声音信号处理电路9024处理的信号。
在具有这样的功能的电子书中，在一边参照图表、一边读另外的页的正文的情况下或一边参照辞典、一边读正文的情况等下是便利的。
〔实施例4〕
在图10中示出将本发明的显示装置应用于笔记本个人计算机的例子。
在笔记本个人计算机的显示装置中利用了本发明的情况下，如图10中所示，即使设置2面的显示面，也可抑制厚度。作为合适的制作例，是能分开使用作为通常的个人计算机显示装置使用的大面积的主显示器10000和在中断了使用的情况下等显示必要的最低限度的信息的小面积的子显示器1001的2个显示器的类型的笔记本个人计算机。
关于制作方法，用在本说明书中已叙述的次序就可以。主显示器10000和子显示器10001是独立驱动的，可显示完全不同的图像。
在个人计算机使用者注视主显示器10000进行工作的状态下，子显示器10001可关断，或者，也可朝向另外的人显示某种消息。
在个人计算机使用者中断作业、关闭显示器部分、只是子显示器10001对外部露出的状态下，主显示器10000可关闭。子显示器10001根据使用者的意图，也可关闭，也可只显示必要的最低限度的信息。
例如，有在作业中断中显示时刻、或显示起动中的应用程序的种类、或显示电子邮件的到达消息、或显示作业者的去向等的利用方法。

Claims (21)

1.一种发光装置，其特征在于：
具有以矩阵状配置了用在一对电极间介入了包含电致发光材料的有机层的发光元件形成的像素的像素部，
上述像素以上述有机层作为共同的层，并列地配置了：
在一对电极中，一个是透光性的第1电极、另一个是位于上述透光性的电极的下方的非透光性的第2电极的第1发光元件和
在一对电极中，另一个是透光性的第3电极、一个是位于上述透光性的电极的上方的非透光性的第4电极的第2发光元件，
在所述第2电极和所述第3电极之间，有机树脂膜覆盖所述第2电极和第3电极的端部且形成在所述有机层的下方。
2.如权利要求1中所述的发光装置，其特征在于：
上述第1发光元件中的第2电极与上述第2发光元件中的第3电极被互相绝缘分离，是分别连接到不同的开关元件上的不同的电极，上述第1电极及第4电极是对上述第1发光元件和第2发光元件赋予共同的电位的共同电极。
3.如权利要求1中所述的发光装置，其特征在于：
具有选择上述第1发光元件的发光状态或非发光状态的单元和选择上述第2发光元件的发光状态或非发光状态的单元。
4.如权利要求1中所述的发光装置，其特征在于：
通过分别驱动上述第1发光元件和上述第2发光元件，在设置于上述第1发光元件和上述第2发光元件的上方和下方的基板两面上独立地显示图像。
5.如权利要求1中所述的发光装置，其特征在于：
上述非透光性的电极是从Ti、TiN、TiSiXNY、Ni、W、WSiX、WNX、WSiXNY、NbN、Cr、Pt或Mo中选出的物质或以上述物质为主要成分的合金或混合物或化合物材料为主要成分的膜或这些膜的层叠膜。
6.如权利要求1中所述的发光装置，其特征在于：
上述透光性的电极是从In、Sn、Zn中选出的元素或以上述元素为主要成分的合金材料或化合物材料为主要成分的透明导电物质的膜或这些膜的层叠膜。
7.如权利要求6中所述的发光装置，其特征在于：
上述非透光性的电极是由金属或金属化合物和所述透明导电物质构成的至少2层的层叠膜。
8.如权利要求1中所述的发光装置，其特征在于：
上述透光性的电极是金属或金属化合物的薄膜。
9.如权利要求1中所述的发光装置，其特征在于：
所述非透光性的第4电极为所述透光性的第1电极和反射电极的层积结构。
10.如权利要求9中所述的发光装置，其特征在于：
设添加有添加物的上述有机层和上述第1电极的折射率分别为n4、n5，添加了上述添加物的上述有机层的发光位置和上述第1电极的表面之间的距离为d1、上述第1电极的膜厚为d2，则光路差2×(n4×d1+n5×d2)为可见光波长的整数倍。
11.如权利要求1中所述的发光装置，其特征在于：
为了提高从阴极至有机层的电子注入性，在有机层的一部分中添加了碱金属或碱土类金属。
12.如权利要求1中所述的发光装置，其特征在于：
上述第1～第4电极及上述有机层形成在基板上，
以覆盖上述第1～第4电极和上述有机层的整体的形状至少形成了一层由CaF2、BaF2、MgF2或ZnO构成的透明保护层。
13.如权利要求1中所述的发光装置，其特征在于：
上述第2发光元件由上述透光性的第3电极、上述有机层、上述有机层上方的上述非透光性的第4电极和上述非透光性的第4电极上方的透明保护膜构成。
14.如权利要求1中所述的发光装置，其特征在于：
具有上述第1～第4电极及上述有机层的像素部形成在基板上，
覆盖像素部整体的大小的第2基板与上述基板平行地对置，在2片基板间以像素部整体被覆盖的形状充填了密封剂。
15.如权利要求12中所述的发光装置，其特征在于：
在低于等于1×10-3Pa的压力下进行到上述有机层、上述透光性的第1电极、上述透明保护膜的形成为止的全部工序。
16.如权利要求14中所述的发光装置，其特征在于：
使用热硬化树脂或紫外线硬化树脂作为所述密封剂。
17.一种电气设备，其特征在于：
将权利要求1中所述的发光装置作为显示部来使用。
18.一种电气设备，其特征在于：
具有权利要求1中所述的发光装置。
19.一种发光装置的制造方法，其特征在于：
在绝缘表面上在同一层中形成透光性的电极和非透光性的电极，在低于等于1×10-3Pa的压力下在透光性的电极和非透光性的电极上形成有机层，
在低于等于1×10-3Pa的压力下在上述有机层上形成透明电极，
在低于等于1×10-3Pa的压力下在上述透明电极的上方形成透明保护膜。
20.如权利要求19中所述的发光装置的制造方法，其特征在于：
在上述有机层上形成透明电极后，在上述透光性的电极的上方而且以与上述透明电极相接的方式形成反射电极。
21.一种发光装置的制造方法，其特征在于：
在绝缘表面上形成透光性的电极、和在上述绝缘表面上且上述透光性的电极附近形成非透光性的电极，
形成有机树脂膜，使其覆盖上述透光性的电极的端部和上述非透光性的电极的端部，
在上述有机树脂膜、上述透光性的电极和上述非透光性的电极上形成有机层，
在上述有机层上形成透明电极，
在上述透光性的电极的上方而且以与上述透明电极相接的方式形成反射电极，
在上述透明电极的一部分上和上述反射电极上形成透明保护膜。
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