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KR100600883B1 - 유기 전계 발광 소자 및 그 제조 방법 - Google Patents

유기 전계 발광 소자 및 그 제조 방법 Download PDF

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KR100600883B1
KR100600883B1 KR1020040092123A KR20040092123A KR100600883B1 KR 100600883 B1 KR100600883 B1 KR 100600883B1 KR 1020040092123 A KR1020040092123 A KR 1020040092123A KR 20040092123 A KR20040092123 A KR 20040092123A KR 100600883 B1 KR100600883 B1 KR 100600883B1
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reflective film
electrode
light
organic
forming
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강태욱
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삼성에스디아이 주식회사
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Abstract

본 발명은 제1전극의 하부 영역에 형성되는 반사막에 홀을 형성하거나, 반사막 자체를 패터닝하여 반사막 패턴을 형성함으로서, 제1전극의 하부 영역의 반사막에 개구부를 형성하여 유기막층에서 생성된 빛이 전면 방향뿐만 아니라 배면 방향으로도 투사될 수 있게 하고, 상기 개구부의 개구율을 조절하여 반사광 및 투사광의 양을 조절할 수 있는 유기 전계 발광 소자 및 그 제조 방법에 관한 것이다.
본 발명의 유기 전계 발광 소자 및 그 제조 방법은 절연 기판; 및 상기 절연 기판상에 형성된 제1전극, 적어도 유기 발광층을 포함하는 유기막층 및 제2전극을 포함하며, 상기 제1전극의 하부 영역에 하나 이상의 홀이 뚫여 있거나, 하나 이상의 섬형태의 패턴으로 형성되어 있는 반사막을 포함하여 이루어진 유기 전계 발광 소자 및 그 제조 방법에 기술적 특징이 있다.
따라서, 본 발명의 유기 전계 발광 소자 및 그 제조 방법은 반사막에 홀을 형성하거나, 상기 반사막을 섬형태의 패턴으로 형성하여 개구부를 형성하고, 상기 개구부의 개구율을 조절함으로서, 반사광 및 투사광을 조절할 수 있는 양면 발광 소자를 쉽게 형성할 수 있을 뿐만 아니라, 홀 또는 섬형태의 패턴으로 인한 요철에 의해 발광 표면적을 증가시키고 광진행 경로의 다양화로 광효율을 증가시킬 수 있는 효과가 있다.
반사막, 홀, 섬형태의 패턴, 양면발광

Description

유기 전계 발광 소자 및 그 제조 방법{Organic electroluminescence device and method for fabricating thereof}
도 1a 내지 도 1c는 종래의 유기 전계 발광 소자의 평면도 및 단면도.
도 2 내지 도 5b는 본 발명에 의한 유기 전계 발광 소자 제조 공정의 단면도.
도 6a 내지 도 7b는 본 발명에 의해 형성된 반사막 패턴으로 형성된 반사막과 홀을 갖는 반사막이 포함된 유기 전계 발광 소자의 평면도 및 단면도.
<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명>
212a : 반사막 패턴 213 : 홀
본 발명은 유기 전계 발광 소자 및 그 제조 방법에 관한 것으로, 보다 자세하게는 제1전극의 하부 영역에 형성되는 반사막에 홀을 형성하거나, 반사막 자체를 패터닝하여 반사막 패턴을 형성함으로서, 제1전극의 하부 영역의 반사막에 개구부를 형성하여 유기막층에서 생성된 빛이 전면 방향뿐만 아니라 배면 방향으로도 투사될 수 있게 하고, 상기 개구부의 개구율을 조절하여 반사광 및 투사광의 양을 조절할 수 있는 유기 전계 발광 소자 및 그 제조 방법에 관한 것이다.
최근에 음극선관(cathode ray tube)과 같이 무겁고, 크기가 크다는 종래의 표시 소자의 단점을 해결하는 액정 표시 소자(liquid crystal display device), 유기 전계 발광 소자(organic electroluminescence device) 또는 PDP(plasma display plane) 등과 같은 평판형 표시 소자(plat panel display device)가 주목 받고 있다.
이때, 상기 액정 표시 소자는 자체 발광 소자가 아니라 수광 소자이기 때문에 밝기, 콘트라스트, 시야각 및 대면적화 등에 한계가 있고, 상기 PDP는 자체 발광 소자이기는 하지만, 다른 평판형 표시 장치에 비해 무게가 무겁고, 소비 전력이 높을 뿐만 아니라 제조 방법이 복잡하다는 문제점이 있는 반면, 상기 유기 전계 발광 소자는 자체 발광 소자이기 때문에 시야각, 콘트라스트 등이 우수하고, 백라이트가 필요하지 않기 때문에 경량박형이 가능하고, 소비 전력 측면에서도 유리하다.
그리고, 직류 저전압 구동이 가능하고 응답속도가 빠르며 전부 고체이기 때문에 외부 충격에 강하고 사용 온도 범위도 넓을 뿐만 아니라 제조 방법이 단순하고 저렴하다는 장점을 가지고 있다.
도 1a 내지 도 1c는 종래의 유기 전계 발광 소자의 평면도 및 단면도이다.
먼저, 도 1a는 종래의 전면 발광형 유기 전계 발광 소자의 평면도이다. 도에 서 보는 바와 같이 플라스틱 또는 유리와 같은 절연 기판(101)상에 스캔 라인(102), 데이터 라인(103) 및 공통전원 라인(104)등과 같은 라인에 의해 정의되는 단위 화소(105)가 형성되고, 상기 단위 화소 내에는 스위칭(Switching) 박막트랜지스터(106) 및 구동(Driving) 박막트랜지스터(107)을 포함하는 박막트랜지스터, 하부 전극, 유전막 및 상부 전극을 포함하는 캐패시터(108) 및 하부에 반사막(109)이 형성된 제1전극(110), 적어도 유기 발광층을 포함하는 유기막층 및 제2전극을 포함하는 발광 영역으로 구성된다. 상기 반사막(109)과 제1전극(110)은 복층으로 일괄식각하여 형성될 수도 있다.
이때, 종래의 전면 발광형 유기 전계 발광 소자의 제1전극은 ITO 또는 IZO 등과 같은 투명하고, 일함수(Work function)가 제2전극 보다는 낮은 물질로 형성되어 있고, 상기 제1전극 하부에는 빛의 반사율이 높은 금속 물질로 반사막을 형성하고 있다.
다음, 도 1b는 종래의 전면 발광형 유기 전계 발광 소자의 단면도이다.(이때, 도 1b는 도 1a의 A-B선의 단면도이다.) 도에서 보는 바와 같이 절연 기판(101)상에 기판으로부터 상부의 소자를 보호하는 버퍼층(121), 반도체층(122), 게이트 절연막(123), 게이트 전극(124), 층간절연막(125) 및 소오스/드레인 전극(126)을 포함하는 박막트랜지스터, 하부의 박막트랜지스터를 보호하는 패시베이션층(127) 및 발광 영역의 평탄화를 위해 형성된 평탄화층(128)이 형성을 형성한다.
이어서, 발광 영역상에 빛을 반사할 수 있는 물질로 반사막(129)을 형성한 후, 빛을 투과할 수 있고, 일함수가 제2전극 보다는 낮은 물질로 제1전극(130)을 형성하고, 화소를 정의하는 화소 정의막(131)을 형성한 후, 적어도 유기 발광층을 포함하는 유기막층(132)을 형성하고, 빛이 투과할 수 있고, 일함수가 제1전극보다 낮은 물질로 제2전극(133)을 형성하여 전면 발광형 유기 전계 발광 소자를 형성한다.
이때, 상기 제1전극 하부에 형성된 반사막에 의해 상기 유기막층에서 생성된 빛이 전면 방향으로 집중될 수 있게 한다. 즉, 전면 방향으로 진행하는 빛(134)은 유기막층에서 발생하여 전면 방향으로 진행하는 투과광과 유기막층에서 발생하여 배면 방향으로 진행하다가 상기 반사막에 의해 전면 방향으로 반사된 반사광으로 구성된다.
다음, 도 1c는 배면 발광형 유기 전계 발광 소자의 단면도이다. 도에서 보는 바와 같이 절연 기판(101), 버퍼층(121), 반도체층(122), 게이트 절연막(123), 게이트 전극(124), 층간절연막(125), 소오스/드레인 전극(126), 패시베이션층(127), 제1전극(130), 화소 정의막(131) 및 유기막층(132)은 도 1b에서와 같은 방법으로 형성되나 상기 전면 발광형 유기 전계 발광 소자와 가장 큰 차이점은 제1전극 하부에 반사막이 형성되지 않은 것과 제2전극이 빛을 반사할 수 있는 물질로 이루어져 있어 유기막층에서 발생한 빛(136)이 배면 방향으로 진행한다는 것이다. 즉, 전면 발광형과는 달리 배면 발광은 유기막층에서 발생한 빛이 배면 방향으로 진행하면 투과광이 되지만 전면 방향으로 진행한 빛은 상기 제2전극에 반사되어 배면 방향으로 진행하는 반사광이 된다.
이때, 상기 전면 발광형 또는 배면 발광형 유기 전계 발광 소자를 이용하여 양면 발광형 유기 전계 발광 소자를 형성하기 위해서는 반사막 또는 제2전극의 투과도를 조절하여 형성하거나, 전면 발광형 단위 화소와 배면 발광형 단위 화소를 같은 기판위에 동시에 형성하여 양면 발광형 유기 전계 발광 소자를 형성하였으나, 투과도를 조절하여 양면 발광형 유기 전계 발광 소자를 형성하는 경우에는 공진 구조에 문제가 있고, 공정이 복잡해지는 문제점이 있다.
따라서, 본 발명은 상기와 같은 종래 기술의 제반 단점과 문제점을 해결하기 위한 것으로, 제1전극의 하부 영역에 형성되는 반사막에 홀을 형성하거나, 반사막 자체를 패터닝하여 반사막 패턴을 형성함으로서, 제1전극의 하부 영역에 반사막에 개구부를 형성하여 유기막층에서 생성된 빛이 전면 방향뿐만 아니라 배면 방향으로도 투사될 수 있게 하고, 상기 개구부의 개구율을 조절하여 반사광 및 투사광의 양을 조절할 수 있는 유기 전계 발광 소자 및 그 제조 방법을 제공함에 본 발명의 목적이 있다.
본 발명의 상기 목적은 절연 기판; 및 상기 절연 기판상에 형성된 제1전극, 적어도 유기 발광층을 포함하는 유기막층 및 제2전극을 포함하며, 상기 제1전극의 하부 영역에 하나 이상의 홀이 뚫여 있거나, 하나 이상의 섬형태의 패턴으로 형성되어 있는 반사막으로 이루어진 유기 전계 발광 소자에 의해 달성된다.
또한, 본 발명의 상기 목적은 절연 기판을 준비하는 단계; 상기 절연 기판상에 반사막 형성 물질을 형성하는 단계; 상기 반사막 형성 물질을 패터닝하여 홀을 갖는 반사막을 형성하거나, 섬형태의 패턴으로 반사막을 형성하는 단계; 상기 기판상에 제1전극을 형성하는 단계; 및 상기 기판상에 적어도 유기 발광층을 포함하는 유기막층 및 제2전극을 형성하는 단계로 이루어진 유기 전계 발광 소자 제조 방법에 의해 달성된다.
본 발명의 상기 목적과 기술적 구성 및 그에 따른 작용효과에 관한 자세한 사항은 본 발명의 바람직한 실시예를 도시하고 있는 도면을 참조한 이하 상세한 설명에 의해 보다 명확하게 이해될 것이다.
도 2 내지 도 5b는 본 발명에 의한 유기 전계 발광 소자 제조 공정의 단면도이다.
먼저, 도 2는 절연 기판상에 버퍼층, 반도체층, 게이트 절연막, 게이트 전극, 층간절연막, 소오스/드레인 전극 및 패시베이션층을 형성하는 공정의 단면도이다. 도에서 보는 바와 같이 플라스틱 또는 유리와 같은 절연 기판(201)상에 절연 기판에서 발생하는 수분 또는 가스와 같은 불순물이 상부의 소자들로 확산 또는 침투하지 못하게 하는 버퍼층(202)을 형성한다.
이어서, 상기 버퍼층상에 비정질 실리콘층을 형성한 후, 상기 비정질 실리콘층을 탈수소처리하고, 결정화 공정을 진행하여 다결정 실리콘층으로 결정화한 후, 패터닝하여 반도체층(203)을 형성한다.
이어서, 상기 기판상에 화학적 기상 증착법(Chemical Vapor Deposition)또는 물리적 기상 증착법(Physical Vapor Deposition)을 이용하여 실리콘 산화막 또는 실리콘 질화막의 단층 또는 복층으로 게이트 절연막(204)을 형성한다.
이어서, 상기 기판상에 게이트 전극 형성 물질을 형성하고, 상기 게이트 전극 형성 물질을 패터닝하여 게이트 전극(205)을 형성한다.
이어서, 상기 기판 전면에 실리콘 산화막 또는 실리콘 질화막의 단층 또는 복층으로 층간절연막(206)을 형성한 후, 상기 층간절연막 및 게이트 절연막의 소정 영역을 식각하여 상기 반도체층을 노출시키는 비아홀을 형성하고, 상기 기판상에 소오스/드레인 전극 형성 물질을 형성한 후, 패터닝하여 소오스/드레인 전극(207)을 형성하고, 상기 기판 전면에 하부 소자들을 보호하는 층간절연막(208)을 형성한다.
다음, 도 3은 상기 기판상에 평탄화층을 형성한 후, 소오스/드레인 전극을 노출시키는 비아홀을 형성하는 공정의 단면도이다. 도에서 보는 바와 같이 상기 형성된 층간절연막의 소정 영역을 식각하여 상기 소오스/드레인 전극의 일부를 노출시키고, 상기 기판 전면에 걸처 평탄화를 이루기 위한 평탄화층(209)을 형성한 후, 상기 평탄화층의 소정 영역을 식각하여 소오스/드레인 전극을 노출시키는 비아홀(210)을 완성한다.
다음, 도 4는 상기 기판상에 반사막 형성 물질을 증착하는 공정의 단면도이다. 도에서 보는 바와 같이 상기 기판 전면에 걸쳐 반사막 형성 물질(211)을 증착한다.
이때, 상기 반사막 형성 물질은 Ag, Al 또는 이들의 합금 중 어느 하나 이상 을 이용하여 형성한다. 이때, 상기 반사막 형성 물질은 반사율이 높은 물질로 형성하는 것이 바람직하다.
다음, 도 5a는 상기 형성된 반사막 형성 물질을 식각하여 반사막 패턴을 형성하여 반사막을 형성하는 공정의 일실시 예의 단면도이다. 도에서 보는 바와 같이 기판상의 발광 영역(A)에 상기 형성된 반사막 형성 물질을 패터닝하여 반사막 패턴(212a)을 형성한다.
이때, 상기 반사막 패턴은 발광 영역 내부에 섬(Island)형태로 형성되어지는데, 그 형상은 원, 삼각형 또는 사각형 등 다양하게 형성할 수 있다. 또한 하나의 단위 화소 내에서 섬형태의 반사막 패턴의 형상이 다양하게 형성될 수 있을 뿐만 아니라 크기 또한 다양하게 형성할 수 있다. 또한, 단위 화소들 간에 서로 다른 크기 및 모양으로 반사막 패턴을 형성할 수 있는데, 특히 R(빨간색), G(녹색) 및 B(파란색)별로 다르게 형성할 수 있다.
다음, 도 5b는 상기 형성된 반사막 형성 물질을 식각하여 홀을 갖는 반사막을 형성하는 공정의 다른 일실시 예의 단면도이다. 도에서 보는 바와 같이 상기 기판상에 형성된 반사막 형성 물질을 식각하여 홀(213)을 갖는 반사막(212b)을 형성한다.
이때, 상기 홀은 상기 반사막 패턴과 마찬가지로 다양한 형태 및 크기로 형성될 수 있고, 단위 화소 내에서 또는 단위 화소별로 각기 다른 형태 및 크기로 형성될 수 있다.
도 6a 내지 도 6b는 본 발명에 의해 형성된 반사막 패턴으로 형성된 반사막 과 홀을 갖는 반사막이 포함된 유기 전계 발광 소자의 평면도 및 단면도이다.
먼저, 도 6a 및 도 6b는 반사막 패턴으로 형성된 반사막이 포함된 유기 전계 발광 소자의 평면도 및 단면도이다. 도에서 보는 바와 같이 도 2에서 설명한 바와 같은 공정으로 절연 기판(201)상에 버퍼층(202), 반도체층(203), 게이트 절연막(204), 게이트 전극(205), 층간절연막(206), 소오스/드레인 전극(207) 및 층간절연막(208)을 형성함으로서, 도 6a에서 보는 바와 같이 하나의 단위 화소(301) 내에 스위칭 박막트랜지스터(302) 및 구동 박막트랜지스터(303), 도 2에서 설명하지는 않았지만 상기 박막트랜지스터를 형성할 때, 스캔 라인(304), 데이터 라인(305), 공통전원 라인(306) 및 캐패시터(307)을 동시에 형성할 수 있다.
이어서, 도 3, 도 4 및 도 5a에서 상술한 바와 같이 절연 기판상에 패시베이션층(208) 및 평탄화층(209)을 형성하고, 반사막 형성 물질을 증착한 후, 상기 반사막 형성 물질을 패터닝하여 발광 영역(A) 내에 반사막 패턴(212a)으로 형성된 반사막을 형성한다. 이때, 도 6a에서의 반사막 패턴의 형태는 원으로 형성하였으나 상기에서 상술한 바와 같이 다양한 형태로 형성될 수 있다.
이어서, 상기 기판상에 제1전극(214)을 형성하고, 화소를 정의하는 화소 정의막(215)을 형성한 후, 적어도 유기 발광층을 포함하는 유기막층(216)을 형성하고, 제2전극(217)을 형성함으로서 유기 전계 발광 소자를 완성한다.
이때, 도 6b에서 보는 바와 같이 상기 유기막층에서 발생한 빛 중, 제1전극의 하부 영역에 반사막이 있는 영역에서 발생한 모든 빛은 상기 반사막 패턴에 의해서 전면 방향으로 투사되고, 제1전극의 하부 영역에 반사막이 없는 영역에서는 발생한 빛 중 일부가 배면 방향으로 투사되어 양면 발광이 가능해진다.
이때, 상기 배면 방향으로 투사되는 빛의 양은 반사막 패턴이 발광 영역에서 차지하는 표면적에 반비례하게 되고, 전면 방향으로 투사되는 빛의 양은 반사막 패턴의 표면적에 비례하게 된다. 또한, 상기 전면 방향으로 투사되는 빛의 양과 배면 방향으로 투사되는 빛의 양은 상기 반사막 패턴이 있는 영역과 없는 영역이 동일한 넓이를 갖는다해도 다르다. 이는 전면 방향으로 투사되는 빛이 유기막층에서 발생한 빛 중 원래 전면 방향으로 진행하는 빛인 투과광과 배면 방향으로 진행하려던 빛이 상기 반사막 패턴에 의해 반사된 반사광과 합한 빛(218)에 상기 반사막 패턴이 없는 영역에서 발생한 빛 중, 전면 방향으로 투사되는 투과광(219)을 더 해야하는 반면 배면 방향으로 진행하는 빛은 배면 방향으로 진행하는 투과광(220)만이 존재하기 때문이다.
따라서, 상기 반사막 패턴의 총면적을 조절함으로서, 전면 방향으로 투사되는 빛의 양과 배면 방향으로 투사되는 빛의 양을 제어할 수 있는데, 총면적을 증가시킬 수록 전면 방향으로 투사되는 빛의 양은 많아지게 된다.
도 7a 및 도 7b는 홀이 형성된 반사막이 포함된 유기 전계 발광 소자의 평면도 및 단면도이다. 도 7a에서 보는 바와 같이 단위 화소(301) 내에 스위칭 박막트랜지스터(302), 구동 박막트랜지스터(303), 스캔 라인(304), 데이터 라인(305), 공통전원 라인(306) 및 캐패시터(307)이 형성되어 있는 것을 볼 수 있고, 발광 영역(A)에는 상기 도 4에서 형성한 반사막 형성 물질을 식각하여 소정 영역에 홀(213)을 갖는 반사막(212b)이 형성되어 있다.
이어서, 상기 기판상에 제1전극(214)을 형성하고, 화소를 정의하는 화소 정의막(215)을 형성한 후, 적어도 유기 발광층을 포함하는 유기막층(216)을 형성하고, 제2전극(217)을 형성함으로서 유기 전계 발광 소자를 완성한다.
이때, 도 7b에서 보는 바와 같이 상기 유기막층에서 발생한 빛 중, 제1전극의 하부 영역에 반사막이 있는 영역에서 발생한 모든 빛은 상기 반사막에 의해서 전면 방향으로 투사되고, 제1전극의 하부 영역에 홀이 형성되어 반사막이 없는 영역에서는 발생한 빛 중 일부가 배면 방향으로 투사되어 양면 발광이 가능해진다.
이때, 상기 유기막층에서 발생한 빛은 상기 도 6a 및 도 6b에서 설명한 바와 유사하게 전면 방향으로 진행하는 빛은 하부에 반사막이 있는 영역에서 발생한 빛(218)(상기 빛은 전면 방향으로 투사되는 투과광과 배면 방향으로 투사되었다가 반사막에 의해 전면 방향으로 투사되는 반사광임)과 홀이 형성되어 있는 영역에서 전면 방향으로 진행하는 투과광(219)의 합이 되고, 배면 방향으로 투사되는 빛(220)은 홀이 형성된 영역에서 발생된 빛 중에서 배면 방향으로 투사되는 투과광으로만 이루어진다.
또한, 상기 도 6b 및 도 7b에서 보는 바와 같이 반사막이 반사막 패턴 또는 홀을 갖고 있는 반사막으로 형성됨으로서, 반사막 상부의 제1전극, 유기막층 및 제2전극이 요철을 갖게 되고, 이로인해 발광 면적이 증가하게 된다. 또한 상기 반사막의 요철에 의한 유기막층의 요철로 인해 유기막층의 유기 발광층에서 발생한 빛의 경로가 다양해짐으로서 광효율이 증가하게 되어 유기 전계 발광 소자의 효율이 증가하게 된다.
본 발명은 이상에서 살펴본 바와 같이 바람직한 실시예를 들어 도시하고 설명하였으나, 상기한 실시 예에 한정되지 아니하며 본 발명의 정신을 벗어나지 않는 범위 내에서 당해 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 다양한 변경과 수정이 가능할 것이다.
따라서, 본 발명의 유기 전계 발광 소자 및 그 제조 방법은 반사막에 홀을 형성하거나, 상기 반사막을 섬형태의 패턴으로 형성하여 개구부를 형성하고, 상기 개구부의 개구율을 조절함으로서, 반사광 및 투사광을 조절할 수 있는 양면 발광 소자를 쉽게 형성할 수 있을 뿐만 아니라, 홀 또는 섬형태의 패턴으로 인한 요철에 의해 발광 표면적을 증가시키고 광진행 경로의 다양화로 광효율을 증가시킬 수 있는 효과가 있다.

Claims (11)

  1. 절연 기판; 및
    상기 절연 기판상에 형성된 제1전극, 적어도 유기 발광층을 포함하는 유기막층 및 제2전극을 포함하며,
    상기 제1전극의 하부 영역에 하나 이상의 홀이 뚫여 있거나, 하나 이상의 섬형태의 패턴으로 형성되어 있는 반사막
    을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 소자.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 절연 기판상에 소정 영역에 박막트랜지스터, 캐패시터, 스캔 라인, 데이터 라인 및 전원 공급라인이 더 형성되어 있음을 특징으로 하는 유기 전계 발광 소자.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 반사막은 Al, Ag 또는 이들의 합금 중 어느 하나 이상을 이용하여 형성함을 특징으로 하는 유기 전계 발광 소자.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 홀 또는 패턴의 수가 많아 질수록 발광 영역의 표면적이 증가함을 특징으로 하는 유기 전계 발광 소자.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 홀 또는 패턴의 형상은 원 또는 다각형임을 특징으로 하는 유기 전계 발광 소자.
  6. 제 1 항에 있어서,
    상기 홀 또는 패턴의 크기가 하나 단위 화소에서 서로 다름을 특징으로 하는 유기 전계 발광 소자.
  7. 제 1 항에 있어서,
    상기 홀 또는 패턴의 크기가 하나의 단위 화소 내에서는 서로 같으나 단위 화소별로는 다름을 특징으로 하는 유기 전계 발광 소자.
  8. 제 1 항에 있어서,
    상기 유기 전계 발광 소자의 R, G 및 B 중 적어도 하나 이상의 홀 또는 패턴의 크기가 같지 않음을 특징으로 하는 유기 전계 발광 소자.
  9. 절연 기판을 준비하는 단계;
    상기 절연 기판상에 반사막 형성 물질을 형성하는 단계;
    상기 반사막 형성 물질을 패터닝하여 홀을 갖는 반사막을 형성하거나, 섬형태의 패턴으로 반사막을 형성하는 단계;
    상기 기판상에 제1전극을 형성하는 단계; 및
    상기 기판상에 적어도 유기 발광층을 포함하는 유기막층 및 제2전극을 형성하는 단계;
    를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 소자 제조 방법.
  10. 제 9 항에 있어서,
    상기 반사막 형성 물질을 형성하는 단계 이전에,
    상기 절연 기판상에 박막트랜지스터, 캐패시터, 스캔 라인, 데이터 라인 및 공통전원라인을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 소자 제조 방법.
  11. 제 9 항에 있어서,
    상기 반사막 형성 물질은 Al, Ag 또는 이들의 합금 중 어느 하나 이상을 이용하여 형성함을 특징으로 하는 유기 전계 발광 소자 제조 방법.
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