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KR101560233B1 - 유기전계발광 표시장치 및 그 제조방법 - Google Patents

유기전계발광 표시장치 및 그 제조방법 Download PDF

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KR101560233B1
KR101560233B1 KR1020090055613A KR20090055613A KR101560233B1 KR 101560233 B1 KR101560233 B1 KR 101560233B1 KR 1020090055613 A KR1020090055613 A KR 1020090055613A KR 20090055613 A KR20090055613 A KR 20090055613A KR 101560233 B1 KR101560233 B1 KR 101560233B1
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transistor
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엘지디스플레이 주식회사
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Abstract

본 발명은 수명 개선 및 소비 전력을 저감할 수 있는 유기전계발광 표시장치 및 그 제조방법에 관한 것으로, 유기전계발광 표시장치는 기판 상에 형성된 게이트 라인과 데이터 라인의 수직 교차로 정의되는 화소부 내에 형성된 트랜지스터와, 상기 트랜지스터 상에 형성된 유기전계 발광소자와, 상기 게이트 라인, 상기 데이터 라인 및 전원 라인을 포함하는 신호 배선과 상기 기판 사이에 형성된 반사 방지막 및 상기 트랜지스터가 형성된 기판의 일면과 반대인 기판의 타면에 형성된 편광필름을 포함하고, 상기 반사 방지막은 상기 트랜지스터를 구성하는 반도체층과 동일 물질로 형성되는 것을 특징으로 한다.
OLED, 외부광, 반사, 반도체층, 효율

Description

유기전계발광 표시장치 및 그 제조방법 {Organic Light Emitting Display Device and Method for fabricating the same}
본 발명은 유기전계발광 표시장치 및 그 제조방법에 관한 것으로, 특히 유기전계발광 표시장치의 수명 개선 및 소비 전력을 저감할 수 있는 유기전계발광 표시장치 및 그 제조방법에 관한 것이다.
다양한 정보를 화면으로 구현해 주는 영상 표시 장치는 정보 통신 시대의 핵심 기술로 더 얇고 더 가볍고 휴대가 가능하면서도 고성능의 방향으로 발전하고 있다. 근래 정보화 사회의 발전과 더불어, 표시장치에 대한 다양한 형태의 요구가 증대되면서, LCD(Liquid Crystalline Display), PDP(Plasma Display Panel), ELD(Electro Luminescent Display), FED(Field Emission Display) 등 평판표시장치에 대한 연구가 활발히 진행되고 있다. 그 중 음극선관(CRT)의 단점인 무게와 부피를 줄일 수 있는 평판 표시 장치로 유기 발광층의 발광량을 제어하여 영상을 표시하는 유기전계발광 표시장치 등이 각광받고 있다.
유기전계발광 표시장치는 전극 사이의 얇은 발광층을 이용한 자발광 소자로 종이와 같이 박막화가 가능하다는 장점이 있다. 액티브 매트릭스 유기전계발광 표 시장치(AMOLED)는 3색(R, G, B) 서브 화소로 구성된 화소들이 매트릭스 형태로 배열되어 화상을 표시하게 된다. 각 서브 화소는 게이트 라인과 데이터 라인의 교차에 의해 정의되며, 유기전계 발광소자와, 그 유기전계 발광소자를 독립적으로 구동하는 셀 구동부를 구비한다. 셀 구동부는 적어도 2개의 박막 트랜지스터와 스토리지 커패시터를 포함하여 데이터 신호에 따라 유기전계발광 표시장치로 공급되는 전류량을 제어하여 유기전계발광 표시장치의 밝기를 제어한다.
이러한 유기전계발광 표시장치를 구동하기 위한 게이트 라인, 데이터 라인 및 각종 신호 배선들은 금속으로 이루어지기 때문에 외부광에 의한 금속 배선들의 반사로 인하여 발생하는 반사 광들이 원래 출력되는 색과 혼합되어 외부 시인성이 매우 떨어지게 된다. 그 결과, 유기전계발광 표시장치의 광 효율을 떨어뜨리게 되고 수명 감소 및 소비전력의 증가를 가져온다.
본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위한 것으로, 유기전계발광 표시장치의 수명 개선 및 소비 전력을 저감할 수 있는 유기전계발광 표시장치 및 그 제조방법을 제공하는데 목적이 있다.
본 발명에 따른 유기전계발광 표시장치는 기판 상에 형성된 게이트 라인과 데이터 라인의 수직 교차로 정의되는 화소부 내에 형성된 트랜지스터와, 상기 트랜지스터 상에 형성된 유기전계 발광소자와, 상기 게이트 라인, 상기 데이터 라인 및 전원 라인을 포함하는 신호 배선과 상기 기판 사이에 형성된 반사 방지막 및 상기 트랜지스터가 형성된 기판의 일면과 반대인 기판의 타면에 형성된 편광필름을 포함하고, 상기 반사 방지막은 상기 트랜지스터를 구성하는 반도체층과 동일 물질로 형성된다.
여기서, 상기 반도체층은 다결정 실리콘 또는 비정질 실리콘으로 형성된다.
그리고, 상기 반사 방지막은 상기 반도체층과 동일 층에 동일 두께로 형성된다.
상기 반사 방지막은 상기 신호 배선과 중첩되고, 상기 반사 방지막의 폭은 상기 신호 배선의 폭보다 넓게 형성된다.
여기서, 상기 반사 방지막은 상기 반사 방지막 상부에 형성되는 상기 신호 배선의 양 끝단에서 각 0.5㎛ 연장되어 형성된다.
한편, 상기 유기전계 발광소자는 상기 기판을 향하여 빛을 방출한다.
본 발명에 따른 유기전계발광 표시장치의 제조방법은 화소부, 게이트 라인부, 데이터 라인부 및 전원 라인부로 정의되는 기판을 준비하는 단계와, 상기 화소부의 상기 기판 상에 반도체층을 형성하는 동시에 상기 게이트 라인부, 상기 데이터 라인부 및 상기 전원 라인부의 상기 기판 상에 반사 방지막을 형성하는 단계와, 게이트 절연막을 사이에 두고 상기 화소부의 상기 반도체층 상에 게이트 전극을 형성하고, 상기 게이트 라인부의 상기 반사 방지막 상에 게이트 전극을 형성하는 단계와, 층간 절연막을 사이에 두고 상기 화소부의 상기 게이트 전극 측부에 소스 전극 및 드레인 전극을 형성하여 트랜지스터를 형성하고, 상기 데이터 라인부의 상기 반사 방지막 상에 데이터 라인을 형성하고, 상기 전원 라인부의 상기 방사 방지막 상에 전원 라인을 형성하는 단계와, 상기 트랜지스터 상부에 유기전계 발광소자를 형성하는 단계 및 상기 유기전계 발광소자가 형성된 상기 기판의 일면과 반대 면인 상기 기판의 타면에 편광필름을 형성하는 단계를 포함한다.
여기서, 상기 유기전계 발광소자는 상기 트랜지스터 상에 형성되어 상기 트랜지스터와 연결되는 제 1 전극과, 유기 발광층을 사이에 두고 상기 제 1 전극 상에 형성되는 제 2 전극을 포함하고, 상기 제 1 전극은 ITO, TO, IZO, ITZO 또는 이들의 조합으로 형성되고, 상기 제 2 전극은 Cr, Al, AlNd, Mo, Cu, W, Au, Ni, Ag 또는 이들의 합금이나 산화물로 형성된다.
본 발명은 게이트 라인 및 데이터 라인 등 각종 신호 배선과 기판 사이에 반 사 방지막을 구비함으로써, 외부광에 의한 각종 신호 배선의 반사를 방지하여 외부 시인성을 향상시킬 수 있다.
아울러, 유기전계발광 표시장치의 수명을 개선하고 소비 전력을 저감시키는 등 광 효율을 향상시킬 수 있다.
더욱이, 트랜지스터에 이용되는 반도체층을 사용하여 반사 방지막을 형성함으로써, 별도로 반사 방지막 형성공정을 추가할 필요가 없어 공정 비용 및 시간을 줄일 수 있다.
이하, 첨부된 도면을 통해 본 발명에 따른 유기전계발광 표시장치 및 그 제조방법을 구체적으로 살펴보면 다음과 같다.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 유기전계발광 표시장치를 도시한 단면도이다.
본 발명에 따른 유기전계발광 표시장치는 화소부, 게이트 라인부, 데이터 라인부, 전원부로 정의된 기판(110) 상에 형성된 전원 라인(128b)의 신호에 의해 구동되는 게이트 라인(124b) 및 데이터 라인(128a)의 수직 교차로 정의되는 다수의 서브 화소들로 구성된다.
화소부의 기판(110) 상에는 서브 화소 구동부 및 유기전계 발광소자가 형성된다. 서브 화소 구동부는 주로 스위치용 트랜지스터(미도시)와, 구동용 트랜지스터 및 스토리지 커패시터를 포함한다.
스위치용 트랜지스터는 게이트 라인(124b)의 스캔 신호에 응답하여 데이터 라인(128a)으로부터의 데이터 신호를 공급하고, 구동용 트랜지스터는 스위치용 트랜지스터로부터의 데이터 신호에 응답하여 유기전계 발광소자에 흐르는 전류량을 제어한다. 스토리지 커패시터는 스위치용 트랜지스터가 턴-오프되더라도 구동용 트랜지스터를 통해 일정한 전류가 흐르게 하는 역할을 한다.
구동용 트랜지스터는 화소부 기판(110)의 버퍼층(112) 상에 형성된 반도체층(122)과, 게이트 절연막(114)을 사이에 두고 반도체층(122)의 채널부와 중첩되도록 형성된 게이트 전극(124a)을 포함한다. 그리고, 구동용 트랜지스터는 게이트 전극(124a) 양 측부의 반도체층(122) 내에 불순물 이온이 주입된 소오스 영역과 드레인 영역 각각에 층간 절연막(116) 및 게이트 절연막(114)에 형성된 콘택홀을 통해 콘택된 소스 전극(126) 및 드레인 전극(127)을 더 포함한다.
상술한 구동용 트랜지스터는 평탄화막(118)에 형성된 콘택홀을 통해 제 1 전극(132)과 전기적으로 접속되어 유기전계 발광소자에 전계를 인가한다.
유기전계 발광소자는 전류의 흐름에 따라 적, 녹, 청색의 빛을 발광하여 소정의 화상 정보를 표시하는 것으로, 제 1 전극(132)과, 대향 전극인 제 2 전극(136) 및 이들 사이에 배치되어 발광하는 유기 발광층(134)을 포함한다. 제 1 전극(132)과 제 2 전극(136)은 서로 절연되어 있으며, 유기 발광층(134)에 서로 다른 극성의 전압을 가해 발광이 이뤄지도록 한다.
제 1 전극(132)은 애노드 전극으로, 평탄화막(118)에 형성된 콘택홀을 통해 구동용 트랜지스터의 드레인 전극(127)과 전기적으로 연결되도록 평탄화막(118) 위에 형성된다. 이때, 제 1 전극(132)은 유기 발광층(134)으로부터 발광된 빛이 기 판(110)을 향하여 소자 밖으로 나올 수 있도록 투명 도전층으로 형성된다. 투명 도전층으로는 인듐주석산화물(Indium Tin Oxide: ITO), 주석산화물(Tin Oxide: TO), 인듐아연산화물(Indium Zinc Oxide: IZO), 인듐주석아연산화물(Indium Tin Zinc Oxide: ITZO) 또는 이들의 조합으로 형성된다. 제 1 전극(132)은 서브 화소의 경계에서 소정 거리가 이격되어 인접한 서브 화소의 제 1 전극(132)과 연결되지 않도록 형성된다.
유기 발광층(134)은 제 1 전극(132)과 제 2 전극(136)에서 각기 주입된 정공과 전자가 결합하여 형성된 액시톤이 기저상태로 떨어지면서 빛이 발광되는 층이다. 이러한 유기 발광층(134)은 정공 주입층(hole injection layer: HIL), 정공 수송층(hole transporting layer: HTL), 발광층(emission layer: EL), 전자 수송층(electron transporting layer: ETL), 전자 주입층(electron injection layer: EIL)을 포함한다. 이때, 유기 발광층(134)은 뱅크 절연층(138)에 의하여 서브 화소 단위로 분리되도록 제 1 전극(132) 상에 형성된다.
제 2 전극(136)은 캐소드 전극으로, 판형으로 기판(110) 상에 전면적으로 형성된다. 제 1 전극(132)은 Cr, Al, AlNd, Mo, Cu, W, Au, Ni, Ag 등으로 형성될 수 있고, 이들의 합금이나 산화물로도 형성 가능하다. 이와 같이 형성된 유기전계 발광소자는 서브 화소 단위로 적, 녹, 청색광을 기판(110) 방향으로 방출하여 영상을 표현할 수 있다.
게이트 라인부는 스위치용 트랜지스터에 스캔신호를 인가하는 게이트 라인(124b)이 형성되는 영역으로, 게이트 라인부의 기판(110) 상에는 버퍼층(112)과, 반사 방지막(172)과, 게이트 절연막(114)과, 게이트 라인(124b)과, 층간 절연막(116)과, 평탄화막(118)이 순차로 적층되어 있다. 이때, 화소부와 게이트 라인부의 동일 명칭은 동일 물질로 이루어지며, 게이트 라인(124b)은 게이트 전극과 동일한 금속 물질로 이루어진다.
데이터 라인부는 게이트 라인(124b)의 스캔 신호에 응답하여 데이터 신호를 공급하는 데이터 라인(128b)이 형성되는 영역으로, 데이터 라인부의 기판(110) 상에는 버퍼층(112)과, 반사 방지막(172)과, 게이트 절연막(114)과, 층간 절연막(116)과, 데이터 라인(128a)과, 평탄화막(118)이 순차로 적층되어 있다. 이때, 화소부와 데이터 라인부의 동일 명칭은 동일 물질로 이루어지며, 데이터 라인(128a)은 소스 전극 및 드레인 전극(126, 127)과 동일한 금속 물질로 이루어진다.
전원부는 게이트 라인(124b) 및 데이터 라인(128a)에 구동신호를 인가하는 전원 라인(128b)이 형성되는 영역으로, 전원부의 기판(110) 상에는 버퍼층(112)과, 반사 방지막(172)과, 게이트 절연막(114)과, 층간 절연막(116)과, 전원 라인(128b)과, 평탄화막(118)이 순차로 적층되어 있다. 이때, 화소부와 전원 라인부의 동일 명칭은 동일 물질로 이루어지며, 전원 라인(128b)은 소스 전극 및 드레인 전극(126, 127)과 동일한 금속 물질로 이루어진다.
게이트 라인부, 데이터 라인부 및 전원 라인부에 형성된 반사 방지막(172)은 금속으로 이루어진 게이트 라인(124b), 데이터 라인(128a) 및 전원 라인(128b) 등 금속 물질로 이루어진 신호 배선에 의해 외부 광이 반사되는 것을 차단하는 역할을 한다. 이를 위해, 반사 방지막(172)은 신호 배선인 게이트 라인(124b), 데이터 라인(128a), 전원 라인(128b)과 기판(110) 사이에 각 형성된다.
이때, 반사 방지막(172)은 게이트 라인(124b), 데이터 라인(128a), 전원 라인(128b) 등 신호 배선과 중첩되고, 신호 배선의 양 끝단에서 연장되어 형성된다. 구체적으로, 반사 방지막(172)의 폭은 반사 방지막(172)의 상부에 형성되는 게이트 라인(124b), 데이터 라인(128a), 전원 라인(128b) 등 각종 신호 배선의 양 끝단에서 각 0.5㎛ 연장되어 형성된다. 반사 방지막(172)의 폭을 게이트 라인(124b), 데이터 라인(128a), 전원 라인(128b) 등 신호 배선의 폭보다 넓게 설계함으로써, 신호 배선의 측면으로 입사되는 외부 광까지 반사 방지막(172)에 의하여 완전히 차단할 수 있다.
반사 방지막(172)은 화소부의 구동용 트랜지스터의 반도체층(122)과 동일한 층에 동일한 두께로, 동일한 물질로 형성된다. 예로는 비정질 실리콘 또는 다결정 실리콘으로 이루어지거나, 비정질 실리콘 및 다결정 실리콘에 이온이 도핑된 물질로 이루어질 수 있다.
일반적으로 반도체층의 투과율은 도 2a의 그래프에 나타나는 바와 같이 가시광선 영역에서 30% 정도이고, 반도체층의 반사율은 도 2b의 그래프에 나타나는 바와 같이 가시광선 영역에서 50% 미만이다. 이러한 반도체층을 게이트 라인(124b), 데이터 라인(128a), 전원 라인(128b) 등 신호 배선과 기판(110) 사이에 형성할 경우, 외부 광의 일부만 신호 배선에 전달하고, 전달된 일부 광 중 일부를 반사하며, 반사된 일부 광 중 일부를 투과한다. 즉, 외부 광을 2 내지 3단계로 차단하여 외 부 시인성을 향상시킬 수 있다. 아울러, 유기전계발광 표시장치의 광 효율을 향상시키고, 수명 개선 및 소비 전력을 저감할 수 있다.
한편, 반사 방지막(172)이 형성된 기판(110)의 일면과 반대인 기판(110)의 타면에는 유기전계발광 표시장치의 반사를 방지하기 위한 편광 필름(150)이 형성되어 있다. 편광 필름(150)은 기판(110)에 편광 물질을 코팅하여 형성할 수도 있고, 유연성을 가지는 편광 물질을 기판(110)에 부착하여 이루어질 수도 있다. 편광 필름(150)은 기판(110)의 표면이 외부의 충격이나 스크래치(scratch)에 의해 손상되는 것을 방지하는 역할도 한다.
이렇듯, 본 발명은 편광 필름(150)으로 외부 광을 1차로 차단하고, 입사된 외부 광을 반사 방지막(172)에 의해 2차 및 3차로 차단하고, 미량 반사된 외부 광을 편광 필름(150)에 의해 4차로 차단함으로써, 외부 광을 완전히 차단할 수 있다.
이하, 도 3a 내지 도 3i를 참조하여 도 1에 도시된 유기전계발광 표시장치의 제조방법을 설명하기로 한다.
도 3a를 참조하면, 본 발명에 따른 유기전계발광 표시장치의 제조방법은 우선, 화소부, 게이트 라인부, 데이터 라인부 및 전원 라인부로 정의되는 기판(110)을 준비한 후 기판(110) 상에 버퍼층(112)을 전면 형성한다.
도 3b를 참조하면, 비정질 실리콘 또는 다결정 실리콘 층을 기판(110) 전면에 형성한다. 이후, 포토 및 식각 공정으로 비정질 실리콘 또는 다결정 실리콘을 섬 형상으로 패터닝하여 화소부의 기판(110) 상에는 반도체층(122)을 형성하고, 동시에 게이트 라인부, 데이터 라인부 및 전원 라인부의 기판(110) 상에는 반사 방지 막(172)을 형성한다.
게이트 라인부, 데이터 라인부 및 전원 라인부의 반사 방지막(172)은 화소부의 구동용 트랜지스터의 반도체층(122)과 동일한 층에 동일한 두께 및 동일한 물질로 동일 공정에 의해 형성되므로, 별도로 반사 방지막 형성공정을 추가할 필요가 없어 공정 비용 및 시간을 줄일 수 있다.
도 3c를 참조하면, 반도체층(122)과 반사 방지막(172)을 포함한 기판(110) 전면에 게이트 절연막(114)과 제 1 금속막을 차례로 적층한다. 이후 포토 및 식각 공정으로 제 1 금속막을 패터닝하여 화소부의 반도체층(122)의 중앙 부분에 대응하여 중첩되는 위치에 게이트 전극(124a)을 형성하고, 동시에 게이트 라인부의 반사 방지막(172)의 중앙 부분에 대응하여 중첩되는 위치에 게이트 라인(124b)을 형성한다.
게이트 라인(124b) 형성시, 반사 방지막(172)의 끝단이 게이트 라인(124b)의 끝단에서 D1의 거리만큼 연장 형성되도록 게이트 라인(124b)의 폭은 게이트 라인부의 반사 방지막(172)의 폭보다 좁게 형성한다. 바람직하게는 반사 방지막(172)의 폭이 게이트 라인(124b)의 양 끝단에서 각 0.5㎛ 연장되도록 형성한다. 반사 방지막(172)의 폭을 게이트 라인(124b)의 폭보다 넓게 형성함으로써, 게이트 라인(124b)의 측면으로 입사되는 외부 광까지 반사 방지막(172)에 의하여 차단할 수 있다.
도 3d를 참조하면, 게이트 전극(124a)을 마스크로 이용해 반도체층(122)에 불순물 이온이 주입된 소스 영역(123a) 및 드레인 영역(123b)과, 불순물 이온이 주 입되지 않은 채널 영역(123c)을 형성한다. 이때, 게이트 라인부의 반사 방지막(172)에도 불순물 이온이 주입될 수도 있고 주입시키지 않을 수도 있다.
다음으로, 게이트 전극(124a) 및 게이트 라인(124b)이 형성된 기판(110) 상에 층간 절연막(116)을 형성한다.
도 3e를 참조하면, 층간 절연막(116) 상에 제 2 금속막을 형성하고, 포토 및 식각 공정으로 제 1 금속막을 패터닝하여 화소부에는 층간 절연막(116) 및 게이트 절연막(114)를 관통하여 소스 영역(123a) 및 드레인 영역(123b)에 각각 연결되는 소스 전극(126) 및 드레인 전극(127)을 형성한다. 동시에, 데이터 라인부의 층간 절연막(116) 상에는 데이터 라인(128a)을 형성하고, 전원 라인부의 층간 절연막(116) 상에는 전원 라인(128b)를 형성한다.
이때, 데이터 라인부의 반사 방지막(172)의 끝단이 데이터 라인(128a)의 끝단에서 D2의 거리만큼 연장 형성되고, 전원 라인부의 반사 방지막(172)의 끝단이 전원 라인(128b)의 끝단에서 D3의 거리만큼 연장 형성되도록 한다. 즉, 데이터 라인(128a)의 폭은 데이터 라인부의 반사 방지막(172)의 폭보다 좁게 형성하고, 전원 라인(128b)의 폭은 전원 라인부의 반사 방지막(172)의 폭보다 좁게 형성한다. 바람직하게는 반사 방지막(172)의 폭이 데이터 라인(128a) 및 전원 라인(128b)의 양 끝단에서 각 0.5㎛ 연장되도록 형성한다. 반사 방지막(172)의 폭을 데이터 라인(128a) 또는 전원 라인(128b)의 폭보다 넓게 형성함으로써, 데이터 라인(128a) 또는 전원 라인(128b)의 측면으로 입사되는 외부 광까지 반사 방지막(172)에 의하여 차단할 수 있다.
도 3f를 참조하면, 드레인 전극(127)을 노출시키는 콘택홀(119)을 갖는 평탄화막(118)을 기판(110) 상에 형성한다.
도 3g를 참조하면, 투명 도전층을 증착한 후 마스크를 이용한 포토리쏘그래피 공정 및 식각 공정으로 투명 도전층을 패터닝하여 콘택홀(119)을 통해 노출된 드레인 전극(127)과 연결되는 제 1 전극(132)을 화소부의 평탄화막(118) 상에 형성한다. 투명 도전층으로 인듐주석산화물(Indium Tin Oxide: ITO), 주석산화물(Tin Oxide: TO), 인듐아연산화물(Indium Zinc Oxide: IZO), 인듐주석아연산화물(Indium Tin Zinc Oxide: ITZO) 또는 이들의 조합이 이용된다.
다음으로, 제 1 전극(132)이 형성된 기판(110) 전면에 절연물질을 도포한 후 선택적으로 제거하여 유기전계 발광소자를 서브 화소 단위별로 분리시키는 뱅크 절연층(138)을 형성한다. 이때, 뱅크 절연층(138)은 게이트 라인부, 데이터 라인부, 전원 라인부 및 화소부의 구동용 트랜지스터 상의 평탄화막(118) 상에 형성된다.
도 3h를 참조하면, 뱅크 절연층(138)에 의해 노출된 제 1 전극(132) 상에 열증착 등의 증착 방법을 통해 유기물로 적층된 유기 발광층(134)을 형성한다. 이러한 유기 발광층(133)은 정공 주입층(hole injection layer: HIL), 정공 수송층(hole transporting layer: HTL), 발광층(emission layer: EL), 전자 수송층(electron transporting layer: ETL), 전자 주입층(electron injection layer: EIL)을 포함한다. 여기서, 유기 발광층(134)은 뱅크 절연층(138)에 의하여 서브 화소 단위로 분리되어, 서브 화소 단위로 적, 녹, 청색광을 방출하도록 형성된다.
이어서, 유기 발광층(134)이 형성된 기판(110) 전면에 도전 물질을 증착하여 제 2 전극(136)을 형성한다. 제 2 전극(136)은 Cr, Al, AlNd, Mo, Cu, W, Au, Ni, Ag 등이 스퍼터링 등의 증착방법으로 형성될 수 있고, 이들의 합금이나 산화물 또는 ITO/반사막/ITO의 다층(multilayer)으로도 형성될 수 있다.
도 3i를 참조하면, 제 2 전극(136)이 형성된 기판(110) 상에 보호막(130)을 형성하여 인캡슐레이션 공정을 진행한다. 이때, 보호막(130) 대신에 봉지기판 등이 이용될 수 있다.
이어서, 유기전계 발광소자가 형성된 기판(110)의 일면의 반대 면인 기판(110)의 타면에 편광 필름(150)을 형성한다. 편광 필름(150)은 유기전계발광 표시장치의 반사를 방지하고 기판(110)의 표면이 외부의 충격이나 스크래치(scratch)에 의해 손상되는 것을 방지하는 역할을 한다. 이러한, 편광 필름(150)은 기판(110)에 편광 물질을 코팅하여 형성할 수도 있고, 유연성을 가지는 편광 물질을 기판(110)에 부착하여 이루어질 수도 있다.
이와 같이 형성된 본 발명에 따른 유기전계발광 표시장치는 기판(110)을 향하여 발광빛이 발생하므로 기판(110) 상에 화면이 표시된다. 이때, 편광 필름(150)에 의해 외부 광이 1차로 차단하고, 입사된 외부 광을 반사 방지막(172)에 의해 2차 및 3차로 차단하고, 미량 반사된 외부 광을 편광 필름(150)에 의해 4차로 차단함으로써, 외부 광을 완전히 차단할 수 있다. 아울러, 외부 광의 시인성을 향상시킴으로써 유기전계발광 표시장치의 광 효율 및 수명을 향상시키고, 소비 전력을 저감할 수 있다.
이상에서 설명한 기술들은 현재 바람직한 실시예를 나타내는 것이고, 본 발명은 상술한 실시 예 및 첨부된 도면에 한정되는 것은 아니다. 실시예의 변경 및 다른 용도는 당업자들에게는 알 수 있을 것이며, 상기 변경 및 다른 용도는 본 발명의 취지 내에 포함되거나 또는 첨부된 청구범위의 범위에 의해 정의된다.
도 1은 본 발명에 따른 유기전계발광 표시장치를 도시한 단면도이다.
도 2a 및 2b는 반도체층의 투과율과 반사율을 나타내는 그래프이다.
도 3a 내지 3i는 도 1에 도시된 유기전계발광 표시장치의 제조방법을 나타내는 단면도이다.
<<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명>>
110: 기판 112: 버퍼층
114: 게이트 절연막 118: 평탄화막
122: 반도체층 124a: 게이트 전극
124b: 게이트 라인 126: 소스 전극
127: 드레인 전극 128a: 데이터 라인
128b: 전원 라인 132: 제 1 전극
134: 유기 발광층 136: 제 2 전극
138: 뱅크 절연층 150: 편광 필름
172: 반사 방지막

Claims (10)

  1. 투명 기판 상에 위치한 게이트 라인과 데이터 라인의 수직 교차로 정의되는 화소부 내에 구비된 트랜지스터;
    상기 트랜지스터 상의 유기전계 발광소자;
    상기 게이트 라인, 상기 데이터 라인 및 전원 라인을 포함하는 신호 배선들과 상기 기판 사이에, 상기 신호 배선들에 대응되도록 위치하는 반사 방지막; 및
    상기 트랜지스터가 구비된 기판의 일면과 반대인 기판의 타면에 위치한 편광필름을 포함하고,
    상기 반사 방지막은 상기 트랜지스터를 구성하는 반도체층과 동일 물질인 유기전계발광 표시장치.
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 반도체층은 다결정 실리콘 또는 비정질 실리콘인 유기전계발광 표시장치.
  3. 제 2 항에 있어서, 상기 반사 방지막은 상기 반도체층과 동일 층에 동일 두께로 위치하는 유기전계발광 표시장치.
  4. 제 1 항에 있어서, 상기 반사 방지막은 상기 신호 배선과 중첩되고, 상기 반사 방지막의 폭은 상기 신호 배선의 폭보다 넓은 유기전계발광 표시장치.
  5. 제 4 항에 있어서, 상기 반사 방지막은 상기 반사 방지막 상부에 위치하는 상기 신호 배선의 양 끝단에서 각 0.5㎛ 연장되어 구비된 유기전계발광 표시장치.
  6. 제 1 항에 있어서, 상기 유기전계 발광소자는 상기 기판을 향하여 빛을 방출하는 유기전계발광 표시장치.
  7. 화소부, 게이트 라인부, 데이터 라인부 및 전원 라인부로 정의되는 기판을 준비하는 단계;
    상기 화소부의 상기 기판 상에 반도체층을 형성하는 동시에 상기 게이트 라인부, 상기 데이터 라인부 및 상기 전원 라인부에 대응되는 위치의 상기 기판 상에 반사 방지막을 형성하는 단계;
    상기 반도체층과 반사 방지막을 포함한 기판 전면에 게이트 절연막을 적층하고, 상기 게이트 절연막 상의 상기 화소부의 상기 반도체층의 중앙 부분에 중첩하여 대응되는 위치에 게이트 전극을 형성하고, 상기 게이트 라인부의 상기 반사 방지막의 중앙 부분에 대응하여 중첩되는 위치에 게이트 라인을 형성하는 단계;
    층간 절연막을 사이에 두고 상기 화소부의 상기 게이트 전극 측부에 소스 전극 및 드레인 전극을 형성하여 트랜지스터를 형성하고, 상기 데이터 라인부의 상기 반사 방지막에 대응되는 위치에 데이터 라인을 형성하고, 상기 전원 라인부의 상기 반사 방지막에 대응되는 위치에 전원 라인을 형성하는 단계;
    상기 트랜지스터 상부에 유기전계 발광소자를 형성하는 단계; 및
    상기 유기전계 발광소자가 형성된 상기 기판의 일면과 반대 면인 상기 기판의 타면에 편광필름을 형성하는 단계를 포함하는 유기전계발광 표시장치의 제조방법.
  8. 제 7 항에 있어서, 상기 반사 방지막은 상기 게이트 라인, 상기 데이터 라인 및 상기 전원 라인과 각 중첩되고, 상기 반사 방지막의 폭은 상기 게이트 라인, 상기 데이터 라인 및 상기 전원 라인의 폭보다 넓게 형성되는 것을 유기전계발광 표시장치의 제조방법.
  9. 제 8 항에 있어서, 상기 반사 방지막은 상기 게이트 라인, 상기 데이터 라인 및 상기 전원 라인의 양 끝단에서 각 0.5㎛ 연장되어 형성되는 유기전계발광 표시장치의 제조방법.
  10. 제 7 항에 있어서, 상기 유기전계 발광소자는 상기 트랜지스터 상에 형성되어 상기 트랜지스터와 연결되는 제 1 전극과, 유기 발광층을 사이에 두고 상기 제 1 전극 상에 형성되는 제 2 전극을 포함하고,
    상기 제 1 전극은 ITO, TO, IZO, ITZO 또는 이들의 조합으로 형성되고,
    상기 제 2 전극은 Cr, Al, AlNd, Mo, Cu, W, Au, Ni, Ag 또는 이들의 합금이나 산화물로 형성되는 유기전계발광 표시장치의 제조방법.
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