CN101751832B

CN101751832B - 有机发光二极管显示器

Info

Publication number: CN101751832B
Application number: CN200910258027.XA
Authority: CN
Inventors: 郑又硕; 郭鲁敏; 金恩雅; 朴顺龙; 李柱华; 田熙喆; 郑哲宇; 丁喜星
Original assignee: Samsung Display Co Ltd
Current assignee: Samsung Display Co Ltd
Priority date: 2008-12-10
Filing date: 2009-12-09
Publication date: 2014-05-07
Anticipated expiration: 2029-12-09
Also published as: EP2197061A3; US20100141566A1; CN101751832A; KR20100066885A; EP2197061A2; JP5119536B2; JP2010141292A; KR100965250B1; EP2197061B1

Abstract

本发明公开了一种有机发光二极管(OLED)显示器。在一个实施例中，OLED显示器包括：i)第一显示面板，包括多个有机发光二极管(OLED)，其中，对于每个OLED形成有发射区域和非发射区域，发射区域被构造为发射光，非发射区域被构造为不发射光；ii)第二显示面板，面对第一显示面板，其中，第二显示面板包括将每个OLED的发射区域划分为多个子发射区域的光吸收图案。

Description

有机发光二极管显示器

技术领域

本发明涉及一种有机发光二极管显示器，更具体地讲，本发明涉及一种可视性改善的有机发光二极管显示器。

背景技术

有机发光二极管(OLED)显示器具有多个有机发光二极管，每个有机发光二极管包括空穴注入电极、有机发射层和电子注入电极。在有机发射层中电子和空穴彼此结合从而产生激子。当激子从激发态转变到基态时，产生能量，并且通过能量的方式发射光。有机发光二极管显示器基于该发射的光显示图像。

在背景技术部分中公开的上述信息只是为了加强对本发明背景的理解，因此，其可能包含并未构成对于本领域的普通技术人员来说在本国内已知的现有技术的信息。

发明内容

本发明的一方面为一种具有提高可视性优点的有机发光二极管显示器。

本发明的另一方面为一种包括彼此面对的第一显示面板和第二显示面板的有机发光二极管显示器。第一显示面板具有多个有机发光二极管，每个有机发光二极管具有发射区域，并且第二显示面板具有用于将有机发光二极管的发射区域划分为多个子发射区域的光吸收图案。

光吸收图案可以形成为条纹图案，该条纹图案与有机发光二极管的发射区域的纵向方向交叉。

光吸收图案可以形成为格子图案以划分有机发光二极管的发射区域。

光吸收图案可以包含选自于二氧化钛(TiO₂)、氧化铁、铬(Cr)和银(Ag)的一种或多种材料。

光吸收图案可以由黑色无机材料形成。

光吸收图案可以由含有黑色颗粒的有机材料形成。

黑色颗粒可以包含选自于平均直径在1nm到300nm范围内的碳黑、锡和锡合金的一种或多种材料。

光吸收图案可以通过光刻形成。

光吸收图案可以将有机发光二极管的发射区域划分为四个到十个子发射区域。

光吸收图案可以具有几微米(μm)单位的宽度。

本发明的另一方面为一种有机发光二极管显示器，包括：第一显示面板，包括多个有机发光二极管(OLED)，其中，对于每个OLED形成有发射区域和非发射区域，其中，发射区域被构造为发光，其中，非发射区域构造为不发射光；第二显示面板，面对第一显示面板，其中，第二显示面板包括将每个OLED的发射区域划分为多个子发射区域的光吸收图案。

在上面的OLED显示器中，光吸收图案为包括多个条纹的条纹图案，其中，多个条纹彼此基本地平行且与OLED的发射区域交叉。在上面的OLED显示器中，光吸收图案为格子图案，其中，格子图案包括i)多个第一条纹和ii)与多个第一条纹交叉的多个第二条纹，其中，多个第一条纹和多个第二条纹与OLED的发射区域交叉。在上面的OLED中，光吸收图案包含从二氧化钛(TiO₂)、氧化铁、铬(Cr)和银(Ag)组成的组中选择的一种或多种材料。在上面的OLED显示器中，光吸收图案包含黑色无机材料。

在上面的OLED显示器中，光吸收图案包含含有黑色颗粒的有机材料。在上面的OLED显示器中，黑色颗粒包含平均直径在1nm到300nm范围内的碳黑、锡和锡合金组成的组选择的一种或多种材料。在上面的OLED显示器中，显示器不需要单独的抗反射构件。在上面的OLED显示器中，光吸收图案将OLED的发射区域划分为四个到十个子发射区域。在上面的OLED显示器中，光吸收图案具有几微米(μm)的单位宽度。

本发明的另一方面为一种有机发光二极管显示器，包括：彼此面对的第一基底和第二基底；有机发光二极管(OLED)单元，被构造为发射光，其中，OLED单元形成在第一基底和第二基底之间；驱动薄膜晶体管(TFT)，形成在两个基底之间并且被构造为驱动OLED单元；光吸收图案，形成在两个基底之一上。

在上面的OLED显示器中，光吸收图案还被构造为将OLED单元的发光区域划分为平行的条纹。在上面的OLED显示器中，光吸收图案还被构造为将OLED单元的发光区域划分为多边形的形状。在上面的OLED显示器中，发射区域和非发射区域形成在OLED中，其中，发射区域被构造为发射光，其中，非发射区域被构造为不发射光，其中，光吸收图案被构造为将OLED的发射区域划分为多个子发射区域。

在上面的OLED显示器中，光吸收图案包括多个条纹，其中，多个条纹彼此基本地平行并且与OLED的发射区域交叉。在上面的OLED显示器中，光吸收图案为格子图案，其中，格子图案包括i)多个第一条纹和ii)与多个第一条纹交叉的多个第二条纹，其中，多个第一条纹和多个第二条纹与OLED的发射区域交叉。在上面的OLED显示器中，光吸收图案形成在第二基底上并且不与OLED单元接触。光吸收图案形成在第一基底上并且不与OLED单元接触。

本发明的又一方面为一种有机发光二极管显示器，包括：第一基底；驱动薄膜晶体管(TFT)，形成在第一基底上方；有机发光二极管(OLED)单元，被构造为发射光并且电连接到驱动TFT；第二基底，面对第一基底并且形成在OLED单元和驱动TFT上方；用于划分OLED单元的发射区域的器件。

在上面的OLED显示器中，用于划分的器件形成在第二基底上，其中，用于划分的器件包括条纹图案和格子图案的至少一种。

附图说明

图1为根据本发明示例性实施例的有机发光二极管显示器的布局图。

图2为沿图1的线II-II截取的有机发光二极管显示器的剖视图。

图3为具有光吸收图案的第二显示面板的透视图。

图4为根据本发明另一个示例性实施例的具有光吸收图案的第二显示面板的透视图。

图5为示出作为每个像素的子发射区域的数量的函数的外部光反射率和内部光透射率的曲线图。

具体实施方式

通常，有机发光二极管显示器具有发射特性，并且与液晶显示器(LCD)的不同之处在于它不需要单独的光源，使得它具有相对减小了的厚度和重量。此外，因为有机发光二极管显示器具有诸如功耗低、亮度高和响应时间短的高质量的特性，所以它已被广泛地认为是为用于便携式电子电器的下一代显示装置。

有机发光二极管显示器的空穴注入电极或电子注入电极以及其各种其他金属布线反射从外部入射的外部光。当有机发光二极管显示器用在明亮的区域中时，由于外部光的反射，导致黑色表现和其对比不足，使得可视性劣化。

在下文中，将参照附图更充分地描述本发明的实施例，在附图中示出了本发明的示例性实施例。如本领域的技术人员将认识到的，在全不脱离本发明的精神或范围的情况下，可以以各种不同方式修改描述的实施例。

此外，由于在附图中示出的各个结构组件的尺寸和厚度是为了说明的方便而随意性示出，所以本发明不必局限于此。

为了清楚地描述本发明，省略了与描述不相关的部分，在整个说明书中相同的标号代表相同的元件。

在附图中，为了清晰起见，夸大了层、膜、面板、区域等的厚度或其一些部分的厚度。应该理解，当诸如层、膜、区域或基底的元件被称作“在”另一个元件“上”时，它可以直接在另一个元件上或也可以存在中间元件。相反，当元件被指出“直接在”另一个元件“上”时，不存在中间元件。

此外，虽然在附图中示出的是具有在每个像素处有两个薄膜晶体管(TFT)和一个电容器的2Tr-1Cap结构的有源矩阵(AM)有机发光二极管(OLED)显示器，但是本发明不局限于此。有机发光二极管显示器在每个像素处可以具有三个或更多的薄膜晶体管以及两个或更多的电容器，并且可以是具有单独布线的各种结构。像素是用于图像显示的最小单位，有机发光二极管显示器通过多个像素来显示图像。

现在将参照图1和图2描述本发明的示例性实施例。

如图1和图2中所示，有机发光二极管显示器100包括第一显示面板110和第二显示面板210。图1为在第一显示面板110周围的像素结构的布局图。图2为沿图1的线II-II截取的第一显示面板110和第二显示面板210的剖视图。

第一显示面板110包括在每个像素处在第一基底111上形成的开关薄膜晶体管10、驱动薄膜晶体管20、电容器80和有机发光二极管70。第一显示面板110还包括沿一个方向布置的栅极线151、以绝缘的方式与栅极线151交叉的数据线171以及共电源线172。这里，通过以栅极线151、数据线171和共电源线172为边界限定像素，但是不局限于此。

有机发光二极管70包括第一电极710、形成在第一电极710上的有机发射层720和形成在有机发射层720上的第二电极730。第一电极710为作为空穴注入电极的正(+)电极或阳极，第二半透明电极730为作为电子注入电极的负(-)电极或阴极。然而，本发明不必局限于此，根据有机发光二极管显示器100的驱动方法，第一电极710可以为阴极，第二电极730可以为阳极。空穴和电子从第一电极710和第二电极730注入到有机发射层720中。当作为注入的空穴和电子结合的激子从激发态转变到基态时，发射光。

此外，对于根据本发明示例性实施例的有机发光二极管显示器，有机发光二极管70从有机发射层720沿与第一电极710相对的方向(即，沿第二电极730的方向)发射光，从而显示图像。即，在该实施例中，有机发光显示器100为前发射类型。

电容器80包括第一电容器电极板158和第二电容器电极板178以及设置在两个电容器电极板158和178之间的栅极绝缘层140。栅极绝缘层140用作电介质。通过在电容器80处充有的电荷以及施加到两个电容器电极板158和178的电压来确定电容量。

开关薄膜晶体管10包括开关半导体层131、开关栅电极152、开关源电极173和开关漏电极174，驱动薄膜晶体管20包括驱动半导体层132、驱动栅电极155、驱动源电极176和驱动漏电极177。

开关薄膜晶体管10用作用于选择像素发光的开关。开关栅电极152连接到栅极线151。开关源电极173连接到数据线171。开关漏电极174与开关源电极173隔开一定距离，并且连接到第一电容器电极板158。

驱动薄膜晶体管20将驱动电压施加给第一电极710，以激发在所选像素中的有机发光二极管70的有机发射层720。驱动栅电极155连接到第一电容器电极板158。驱动源电极176和第二电容器电极板178连接到共电源线172。驱动漏电极177通过接触孔182连接到有机发光二极管70的第一电极710。

具有上述的结构，开关薄膜晶体管10通过施加给栅极线151的栅电压而被驱动，并且将施加给数据线171的数据电压传输给驱动薄膜晶体管20。具有与由共电源线172施加给驱动薄膜晶体管20的共电压和从开关薄膜晶体管10传输的数据电压之差对应的值的电压储存在电容器80，并且与储存在电容器80的电压对应的电流通过驱动薄膜晶体管20流到有机发光二极管70，从而激发有机发光二极管70。

此外，有机发光二极管70包括(发射光的)发射区域EA和围绕发射区域EA的(不发射光的)非发射区域NEA，在发射区域EA中，有机发射层720设置在第一电极710和第二电极720之间以充分地发射光。

第二显示面板210面对第一显示面板110，以覆盖薄膜晶体管10、薄膜晶体管20、电容器80以及有机发光二极管70，并且来从外部将它们密封。虽然未在附图中示出，但是第一显示面板110和第二显示面板210通过沿着它们的边缘设置密封剂的方式来彼此密封。

第二显示面板210包括第二基底211和光吸收图案251(用于划分发射区域)，光吸收图案251形成在第二基底211的面对第一显示面板110的表面上。在本发明的示例性实施例中，光吸收图案251形成在第二基底211的面对第一显示面板110的表面上，但不局限于此。光吸收图案251可以形成在第二基底211的与面对第一显示面板110的表面相对的表面上。当光吸收图案251形成在第二基底211时，光吸收图案251不与有机发光二极管70接触。可选择地，光吸收图案251可以形成在第一基底111上，此时，光吸收图案不与有机发光二极管70接触。

如图3中所示，在一个实施例中，光吸收图案251形成为条纹图案。光吸收图案251可以为包括多个条纹的条纹图案，多个条纹彼此基本地平行且与有机发光二极管70的发射区域EA交叉。该条纹图案化的光吸收图案251形成为沿与有机发光二极管70的发射区域EA的纵向方向交叉的方向。因此，光吸收图案251将有机发光二极管70的发射区域EA划分为多个子发射区域SEA。

如图1中所示，光吸收图案251将有机发光二极管70的一个发射区域EA划分为四个子发射区域SEA。在一个实施例中，光吸收图案251形成为使得四个子发射区域SEA设置在每个像素处。然而，本发明的示例性实施例不局限于此。根据需要，光吸收图案251可以多样化地将一个发射区域EA划分为两个或更多个子发射区域SEA。在另一个实施例中，光吸收图案251将有机发光二极管70的一个发射区域EA划分为四到十个子发射区域SEA。在该实施例中，在未明显地降低从有机发光二极管发射的光的透射率的情况下，可以基本上减少或消除外部光的反射。然而，根据实施例，划分的数量可以少于四个或多于十个。在一些实施例中，应注意的是，如果光吸收图案251形成三个或更少的子发射区域SEA，则提高从有机发光二极管70发射的光的透射率，但是难以有效地防止外部光的反射。还应注意的是，如果光吸收图案251形成十一个或更多的子发射区域SEA，则有效地防止光的反射，但是从有机发光二极管70发射的光的透射率急剧地降低。

此外，在一个实施例中，光吸收图案251具有几微米(μm)的单位宽度。在该实施例中，在未明显地降低有机发光二极管显示器的发光效率的情况下，可以基本上减少或消除外部光的反射。然而，光吸收图案251的单位宽度可以小于几微米(μm)或大于几微米(μm)。在一些实施例中，应注意的是，如果光吸收图案251的宽度小于几微米，则防止外部光反射的效果劣化。还应注意的是，如果光吸收图案251的宽度超过几十个微米，则有机发光二极管显示器100的发光效率劣化。

此外，光吸收图案251可以由选自于金属材料、无机材料和有机材料的至少一种材料形成。具体地讲，光吸收图案251可以由很好地适应第二基底211的材料形成，或者以将第一显示面板110和第二显示面板210彼此密封的方式来形成。例如，如果第二基底211由玻璃形成，或如玻璃料的玻璃类材料用作用于密封第一显示面板110和第二显示面板210的密封剂(未示出)，则光吸收图案251由能够耐高烘烧温度的金属材料或黑色无机材料形成。金属材料可以为从二氧化钛(TiO₂)、氧化铁(iron oxide)、铬(Cr)和银(Ag)组成的组中选择的一种或一种以上的材料。此外，黑色无机材料可以从各种公知的无机材料中选择。如果有机材料用作密封剂，或有机薄膜用作第二基底211，则光吸收图案251可以由包含黑色颗粒的有机材料形成。黑色颗粒包含平均直径在1nm到300nm范围内的碳黑、锡和锡合金组成的组中选择的一种或一种以上的材料。

此外，光吸收图案251可以通过如下的光刻形成。首先，将光吸收层涂覆到第二基底211上，并通过利用掩模的光刻在光吸收层上形成光致抗蚀剂图案。利用光致抗蚀剂图案蚀刻光吸收层，从而形成光吸收图案251。

如上所述，具有第二显示面板210的光吸收图案251的有机发光二极管显示器100防止由于外部光的反射造成的可视性的劣化，并且同时将从有机发光二极管70产生的光的损失最小化从而将光发射到外部。

现在将根据沉积的顺序具体地描述根据本发明示例性实施例的有机发光二极管显示器100的结构。此外，将基于驱动薄膜晶体管20来描述薄膜晶体管的结构。将针对开关薄膜晶体管10与驱动薄膜晶体管的不同之处简单地描述开关薄膜晶体管10。

首先，将详细地描述第一显示面板110。第一基底111由绝缘材料形成，如玻璃、石英、陶瓷或塑料。然而，本发明不局限于此。第一基底构件111可以由金属材料形成，如不锈钢。

缓冲层120形成在第一基底111上。缓冲层120用于防止杂质元素进入并使表面平坦化，缓冲层120可以由适合于该用途的材料形成。例如，缓冲层120可以由选自于氮化硅(SiN_x)、氧化硅(SiO_x)和氮氧化硅(SiO_xN_y)的至少一种材料形成。然而，缓冲层120并非必需的，因此可以根据第一基底111的种类和工艺条件而省略。

驱动半导体层132形成在缓冲层120上。驱动半导体层132由多晶硅形成。驱动半导体层132具有不掺杂任何杂质的沟道区域135以及形成在沟道区域135两侧上的p+掺杂源区136和p+掺杂漏区137。掺杂离子材料为p型杂质，如硼(B)，并且可以主要由B₂H₆形成。杂质根据薄膜晶体管的种类而不同。

在本发明的示例性实施例的情况下，具有利用p型杂质的PMOS结构的薄膜晶体管用作驱动薄膜晶体管20，但是驱动薄膜晶体管20不局限于此。具有NMOS结构或CMOS结构的薄膜晶体管也可用作驱动薄膜晶体管20。

此外，虽然图2中示出的薄膜晶体管20为包含多晶硅的多晶薄膜晶体管，但是图2中未示出的开关薄膜晶体管10可以为多晶薄膜晶体管或包含非晶硅的非晶薄膜晶体管。

栅极绝缘层140利用氮化硅(SiN_x)或氧化硅(SiO_x)形成在驱动半导体层132上。包括栅电极155的栅极布线形成在栅极绝缘层140上。此外，栅极布线包括栅极线151、第一电容器电极板158和其他布线。驱动栅电极155与驱动半导体层132的至少一部分叠置，具体地讲与驱动半导体层132的沟道区域135叠置。

层间绝缘层160形成在栅极绝缘层140上，从而层间绝缘层160覆盖驱动栅电极155。栅极绝缘层140和层间绝缘层160一般地具有暴露驱动半导体层132的源区136和漏区137的通孔。层间绝缘层160和栅极绝缘层140由氮化硅(SiN_x)或氧化硅(SiO_x)形成。

包括驱动源电极176和驱动漏电极177的数据布线形成在层间绝缘层160上。此外，数据布线包括数据线171、共电源线172、第二电容器电极板178和其他布线。驱动源电极176和驱动漏电极177分别地通过形成在层间绝缘层160和栅极绝缘层140处的通孔连接到驱动半导体层132的源区136和漏区137。

这样，驱动薄膜晶体管20由驱动半导体层132、驱动栅电极155、驱动源电极176和驱动漏电极177形成。驱动薄膜晶体管20的结构不局限于上述的结构，且可以用对于本领域的技术人员可用的结构以各种方式进行改变。

平坦化层180形成在层间绝缘层160上，从而平坦化层180覆盖数据布线172、176、177和178。为了提高将要形成在平坦化层180上的有机发光二极管70的发光效率，平坦化层180去除了台阶式的差异(stepped difference)并且使表面平坦化。此外，平坦化层180具有至少部分地暴露漏电极177的接触孔182。

平坦化层180可以由选自于丙烯酸(acrylic)树脂、环氧树脂、酚醛树脂、聚酰胺树脂、聚酰亚胺树脂、不饱和聚酯树脂、聚苯醚树脂(polyphenylenether resin)、聚苯硫醚树脂和苯并环丁烯(BCB)的至少一种材料形成。

此外，本发明的示例性实施例不局限于上述的结构，可以省略平坦化层180和层间绝缘层160中的任何一个。

有机发光二极管70的第一电极710形成在平坦化层180上。即，有机发光二极管显示器100具有分别地设置在多个像素处的多个第一电极710。多个第一电极710以一定距离彼此间隔开。第一电极710通过平坦化层180的接触孔182连接到漏电极177。

具有暴露第一电极710的开口的像素限定层190形成在平坦化层180上。即，像素限定层190具有形成在各个像素处的多个开口。第一电极710设置为与像素限定层190的开口对应。然而，第一电极710不是必需只设置在像素限定层190的开口处，而是可以设置在像素限定层190下方，从而第一电极710与像素限定层190至少部分地叠置。像素限定层190可以由如聚丙烯酸酯(polyacrylate)树脂和聚酰亚胺树脂的树脂或硅基无机材料形成。

有机发射层720形成在第一电极710上，第二电极730形成在有机发射层720上。这样，有机发光二极管70由第一电极710、有机发射层720和第二电极730形成。

有机发射层720由低分子有机材料或高分子有机材料形成。有机发射层720可以为具有发射层、空穴注入层(HIL)、空穴传输层(HTL)、电子传输层(ETL)和电子注入层(EIL)中的一些或全部的多层结构。如果有机发射层720由所有的所述层形成，则空穴注入层(HIL)形成在作为阳极的第一电极710上，并且依次地覆盖有空穴传输层(HTL)、发射层、电子传输层(ETL)和电子注入层(EIL)。

在一个实施例中，如图2中所示，有机发射层720只设置在像素限定层190的开口内，但是本发明的示例性实施例不局限于此。有机发射层720可以形成在像素限定层190的开口内的第一电极710上，或可以位于在像素限定层190和第二电极730之间。具体地讲，有机发射层720的空穴注入层(HIL)、空穴传输层(HTL)、电子传输层(ETL)和电子注入层(EIL)以及发射层与第二电极730可以利用开口掩模形成在像素限定层190上及第一电极710上。即，有机发射层720的一层或多层组件可以设置在像素限定层190和第二电极730之间。

第一电极710和第二电极730可以分别由透明材料或者半透明材料或反射导电材料形成。根据形成第一电极710和第二电极730的材料的种类，有机发光二极管显示器100可以为前发射类型、后发射类型或两侧发射类型。

根据本发明示例性实施例的有机发光二极管显示器100形成为前发射类型。即，有机发光二极管70向第二基底210发射光从而显示图像。

透明半导体材料可以为氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌(ZnO)或氧化铟(In₂O₃)。反射材料和半透明材料可以为锂(Li)、钙(Ca)、氟化锂/钙(LiF/Ca)、氟化锂/铝(LiF/Al)、铝(Al)、银(Ag)、镁(Mg)或金(Au)。

第二显示面板210面对第二电极730。第二显示面板210的第二基底211由诸如玻璃和塑料的透明材料形成。光吸收图案251形成在第二基底211的面对第一显示面板110的表面上。光吸收图案251为条纹图案化的，并且将有机发光二极管70的发射区域EA划分为多个子发射区域。

此外，虽然未在附图中示出，但是密封剂可以设置为沿第一显示面板110和第二显示面板210的边缘以将它们彼此密封。

在上述的结构的情况下。有机发光二极管显示器100具有提高的可视性。即，具有第二基底210的光吸收图案251的有机发光二极管显示器100防止由于外部光的反射造成的可视性的劣化。此外，由于第二基底210的光吸收图案251，有机发光二极管显示器100可以包括用于防止外部光反射的共偏振构件。因此，在使用偏振构件的情况下能够提高有机发光二极管100的相对差的发光效率。即，能够提高有机发光二极管显示器100的亮度和寿命。

图4示出了根据本发明另一个示例性实施例的第二显示面板210的光吸收图案252。如图4中所示，第二基底211的光吸收图案252形成为格子图案。格子图案包括i)多个第一条纹和ii)与多个第一条纹交叉的多个第二条纹，多个第一条纹和多个第二条纹与有机发光二极管70的发射区域EA交叉。格子图案化的光吸收图案252可以将有机发光二极管70的发射区域EA划分成多个子发射区域SEA。在另一个实施例中，OLED显示器包括具有条纹图案和格子图案(例如，组合图案)的光吸收图案。在另一个实施例中，OLED显示器包括不同于如图4中所示的矩形或正方形的格子构造的光吸收图案，例如圆形、五边形或其他的多边形。其中，光吸收图案252可以包括条纹图案和格子图案中的至少一种。在另一个实施例中，由于光吸收图案可以用作抗反射构件，所以OLED显示器可以不需要单独的抗反射构件。

现在，将参照图5描述作为每个像素的子发射区域SEA的数量的函数的外部光的反射效率和从有机发光二极管70发射的光的透射效率。

图5为示出作为通过宽度为大约2μm的光吸收图案251划分的子发射区域SEA的数量的函数的外部光反射率和内部光透射率的曲线图。内部光透射表示从有机发光二极管70发射的光的透射。

如图5中所示，通过光吸收图案251划分的子发射区域SEA的数量越多，外部光的反射率越小，并且内部光的透射下降。

在一个实施例中，考虑到适当防止外部光反射以及从有机发光二极管70发射的光的透射，通过光吸收图案251划分的子发射区域SEA的数量为四个到十个。然而，如上面所讨论的，根据实施例，划分的数量可以小于四个或大于十个。在另一个实施例中，确定通过光吸收图案251划分的子发射区域SEA的数量，使得外部光反射率为大约0.45或更小，内部光透射为大约0.55或更大。然而，根据实施例，外部光反射率可以大于大约0.45，内部光透射可以小于大约0.55。

虽然已经结合当前被认为是可实施的示例性实施例描述了本发明，但是应该理解，本发明不局限于公开的实施例，而是相反，意图覆盖包括在权利要求的精神和范围内的各种修改和等同布置。

Claims

1.一种有机发光二极管显示器，包括：

第一显示面板，包括多个有机发光二极管，其中，对于每个有机发光二极管形成有发射区域和非发射区域，所述发射区域被构造为发射光并对应于发射层，所述非发射区域构造为不发射光；

第二显示面板，面对所述第一显示面板，其中，所述第二显示面板包括将每个有机发光二极管的发射区域划分为多个子发射区域的光吸收图案。

2.如权利要求1所述的有机发光二极管显示器，其中，所述光吸收图案为包括多个条纹的条纹图案，所述多个条纹彼此基本地平行且与所述有机发光二极管的所述发射区域交叉。

3.如权利要求1所述的有机发光二极管显示器，其中，所述光吸收图案为格子图案，所述格子图案包括i)多个第一条纹和ii)与所述多个第一条纹交叉的多个第二条纹，所述多个第一条纹和所述多个第二条纹与所述有机发光二极管的所述发射区域交叉。

4.如权利要求1所述的有机发光二极管显示器，其中，所述光吸收图案包含从二氧化钛、氧化铁、铬和银组成的组中选择的一种或一种以上的材料。

5.如权利要求1所述的有机发光二极管显示器，其中，所述光吸收图案包含黑色无机材料。

6.如权利要求1所述的有机发光二极管显示器，其中，所述光吸收图案包含含有黑色颗粒的有机材料。

7.如权利要求6所述的有机发光二极管显示器，其中，所述黑色颗粒包含平均直径在1nm到300nm范围内的碳黑、锡和锡合金组成的组中选择的一种或一种以上的材料。

8.如权利要求1所述的有机发光二极管显示器，其中，所述有机发光二极管显示器不需要单独的抗反射构件。

9.如权利要求1所述的有机发光二极管显示器，其中，所述光吸收图案将所述有机发光二极管的所述发射区域划分为四个到十个子发射区域。

10.如权利要求9所述的有机发光二极管显示器，其中，所述光吸收图案具有几微米的单位宽度。

11.一种有机发光二极管显示器，包括：

第一基底和第二基底，彼此面对；

有机发光二极管单元，被构造为发射光，其中，所述有机发光二极管单元形成在所述第一基底和所述第二基底之间；

驱动薄膜晶体管，形成在所述两个基底之间并且被构造为驱动所述有机发光二极管单元；

光吸收图案，形成在所述两个基底之一上，

其中，发射区域和非发射区域形成在所述有机发光二极管单元中，所述发射区域被构造为发射光并对应于发射层，所述非发射区域被构造为不发射光，所述光吸收图案被构造为将所述有机发光二极管单元的所述发射区域划分为多个子发射区域。

12.如权利要求11所述的有机发光二极管显示器，其中，所述光吸收图案还被构造为将所述有机发光二极管单元的发光区域划分为平行的条纹。

13.如权利要求11所述的有机发光二极管显示器，其中，所述光吸收图案还被构造为将所述有机发光二极管单元的发光区域划分为多边形的形状。

14.如权利要求11所述的有机发光二极管显示器，其中，所述光吸收图案包括多个条纹，所述多个条纹彼此基本地平行并且与所述有机发光二极管单元的发射区域交叉。

15.如权利要求11所述的有机发光二极管显示器，其中，所述光吸收图案为格子图案，所述格子图案包括i)多个第一条纹和ii)与所述多个第一条纹交叉的多个第二条纹，所述多个第一条纹和所述多个第二条纹与所述有机发光二极管单元的发射区域交叉。

16.如权利要求11所述的有机发光二极管显示器，其中，所述光吸收图案形成在所述第二基底上并且不与所述有机发光二极管单元接触。

17.如权利要求11所述的有机发光二极管显示器，其中，所述光吸收图案形成在所述第一基底上并且不与所述有机发光二极管单元接触。

18.一种有机发光二极管显示器，包括：

第一基底；

驱动薄膜晶体管，形成在所述第一基底上方；

有机发光二极管单元，被构造为发射光并且电连接到所述驱动薄膜晶体管；

第二基底，面对所述第一基底并且形成在所述有机发光二极管单元和所述驱动薄膜晶体管上方；

用于划分所述有机发光二极管单元的发射区域的器件。

19.如权利要求18所述的有机发光二极管显示器，其中，所述用于划分的器件形成在所述第二基底上，所述用于划分的器件包括条纹图案和格子图案中的至少一种。