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KR102676590B1 - 전자 장치 - Google Patents

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KR102676590B1
KR102676590B1 KR1020190133468A KR20190133468A KR102676590B1 KR 102676590 B1 KR102676590 B1 KR 102676590B1 KR 1020190133468 A KR1020190133468 A KR 1020190133468A KR 20190133468 A KR20190133468 A KR 20190133468A KR 102676590 B1 KR102676590 B1 KR 102676590B1
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KR
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light
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electrode
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전주희
홍성진
김상훈
양태훈
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삼성디스플레이 주식회사
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Abstract

전자 장치는, 트랜지스터들 각각에 연결된 제1 전극들, 상기 제1 전극들 상에 배치된 제2 전극, 대응되는 제1 전극 상에 배치된 복수의 발광 패턴들, 및 상기 제1 전극들과 이격된 반사 보상 전극을 포함하는 표시 패널, 및 상기 표시 패널 하부에 배치된 전자 모듈을 포함하고, 상기 표시 패널은, 상기 발광 패턴들이 배치된 발광 영역들, 상기 발광 패턴들과 이격되고 상기 회로 소자층 및 상기 표시 소자층 중 적어도 일부가 관통되어 정의된 투과 개구부들이 배치되는 광 투과 영역들, 및 상기 반사 보상 전극이 배치된 반사 보상 영역들로 구분되고, 상기 전자 모듈은, 상기 광 투과 영역들과 중첩하고 상기 반사 보상 영역들과 이격 된다.

Description

전자 장치{ELECTRONIC APPARATUS}
본 발명은 전자 장치에 관한 것으로, 신뢰성이 향상된 전자 장치에 관한 것이다.
전자 장치는 전기적 신호에 따라 활성화된다. 전자 장치는 표시 모듈 및 전자 모듈과 같은 다양한 전자 부품들로 구성된다. 표시 모듈은 영상을 표시하는 표시 패널이나, 외부 입력을 감지하는 입력 감지층을 포함할 수 있다. 전자 부품들은 다양하게 배열된 신호 라인들에 의해 전기적으로 서로 연결될 수 있다.
표시 패널은 영상을 생성하는 발광 소자를 포함한다. 입력 감지층은 외부 입력을 감지하기 위한 감지 전극들을 포함할 수 있다.
따라서, 본 발명은 신뢰성이 향상된 전자 장치를 제공하는 데 그 목적이 있다.
본 발명에 따른 전자 장치는, 복수의 트랜지스터들을 포함하는 회로 소자층, 및 상기 트랜지스터들 각각에 연결된 제1 전극들, 상기 제1 전극들 상에 배치된 제2 전극, 상기 제1 전극들 중 대응되는 제1 전극 상에 배치된 복수의 발광 패턴들, 및 상기 제1 전극들과 이격된 반사 보상 전극을 포함하는 표시 소자층을 포함하는 표시 패널, 및 상기 표시 패널 하부에 배치된 전자 모듈을 포함하고, 상기 표시 패널은, 상기 발광 패턴들 및 상기 제1 전극들이 배치된 발광 영역들, 상기 발광 패턴들과 이격되고 상기 회로 소자층 및 상기 표시 소자층 중 일부가 관통되어 정의된 투과 개구부들이 배치되는 광 투과 영역들, 및 상기 반사 보상 전극이 배치된 반사 보상 영역들로 구분되고, 상기 전자 모듈은, 상기 광 투과 영역들과 중첩하고 상기 반사 보상 영역들과 이격된다. 상기 전자 모듈은, 평면 상에서 상기 반사 보상 영역들과 비-중첩한다.
상기 표시 패널은, 상기 발광 영역들이, 서로 교차하는 제1 방향 및 제2 방향으로 배열된 제1 표시 영역, 및 상기 발광 영역들과 상기 광 투과 영역들을 포함하는 제1 투과부, 및 상기 발광 영역들과 상기 반사 보상 영역들을 포함하는 제2 투과부를 포함하는 제2 표시 영역으로 정의되고, 상기 전자 모듈은, 상기 제1 투과부와 중첩하는 것을 특징으로 할 수 있다.
단위 면적당 상기 발광 패턴들은, 상기 제1 표시 영역보다 상기 제2 표시 영역이 적게 배치되는 것을 특징으로 할 수 있다.
단위 면적당 상기 발광 패턴들은, 상기 제1 투과부와 상기 제2 투과부에 동일하게 배치되는 것을 특징으로 할 수 있다.
상기 제2 투과부는 상기 제1 방향을 따라 연장되고, 상기 제1 표시 영역 및 상기 제2 표시 영역은 상기 제2 방향을 따라 배열된 것을 특징으로 할 수 있다.
상기 회로 소자층은, 복수의 절연층들을 포함하고, 상기 제1 전극들 및 상기 반사 보상 전극은, 상기 절연층들 중 상기 표시 소자층과 가장 인접한 절연층 상에 배치되는 것을 특징으로 할 수 있다.
상기 표시 소자층은, 복수의 개구부들이 정의된 화소 정의막을 포함하고, 상기 제1 전극들 및 상기 반사 보상 전극은, 상기 개구부들에 의해 상기 화소 정의막으로부터 노출되는 것을 특징으로 할 수 있다.
제1 항에 있어서, 상기 반사 보상 전극은, 상기 제1 전극들과 동일 물질을 포함하는 것을 특징으로 할 수 있다.
상기 트랜지스터들 각각은, 반도체층, 상기 반도체층 상에 절연되어 배치된 제어 전극, 상기 제어 전극과 절연되고 서로 이격되어 상기 반도체층 각각에 연결된 입력 전극 및 출력 전극을 포함하고, 상기 반사 보상 전극은, 상기 제어 전극, 입력 전극, 및 출력 전극 중 어느 하나와 동일 전압을 인가 받는 것을 특징으로 할 수 있다.
상기 제2 투과부는 상기 제1 투과부에 비해 큰 면적을 갖는 것을 특징으로 할 수 있다.
상기 전자 모듈은, 음향출력 모듈, 발광 모듈, 수광 모듈, 및 카메라 모듈 중 적어도 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 할 수 있다.
본 발명에 따른 전자 장치는, 각각이 제1 전극, 상기 제1 전극 상에 배치된 제2 전극, 및 상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이에 배치된 발광 패턴을 포함하는 복수의 발광 소자들을 포함하는 표시 패널, 및 상기 표시 패널 하부에 배치된 전자 모듈을 포함하고, 상기 표시 패널은, 상기 발광 패턴들 및 상기 제1 전극들이 기준 배열로 배치된 발광 영역들을 포함하는 제1 표시 영역, 및 상기 전자 모듈과 중첩하는 제1 투과부와 상기 제1 투과부를 에워 싸는 제2 투과부를 포함하는 제2 표시 영역으로 정의되고, 상기 제1 투과부는, 상기 발광 영역들, 및 상기 발광 패턴들과 상기 제1 전극들이 미 배치된 광 투과 영역들을 포함하고, 상기 제2 투과부는, 상기 발광 영역들, 및 상기 발광 패턴들이 미 배치 되고 상기 제1 전극들이 배열된 반사 보상 영역들을 포함하고, 상기 전자 모듈은, 상기 제1 투과부와 중첩한다. 상기 반사 보상 영역들 내에 배치된 상기 제1 전극들은 상기 발광 영역들 내에 배치된 상기 제1 전극들과 평면 상에서 동일한 배열 형상을 갖는다.
단위 면적당 상기 발광 패턴들은, 상기 제1 표시 영역보다 상기 제2 표시 영역이 적게 배치되는 것을 특징으로 할 수 있다.
단위 면적당 상기 발광 패턴들은, 상기 제1 투과부와 상기 제2 투과부에 동일하게 배치되는 것을 특징으로 할 수 있다.
상기 발광 영역들 각각은, 각각이 서로 다른 광을 생성하는 제1 발광 영역, 제2 발광 영역, 및 제3 발광 영역 중 적어도 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 할 수 있다.
상기 제1 내지 제3 발광 영역들 중 적어도 두 개의 발광 영역들은 소정의 일 방향을 따라 배열된 것을 특징으로 할 수 있다.
상기 제1 내지 제3 발광 영역들 중 적어도 두 개의 발광 영역들은 서로 상이한 면적을 갖는 것을 특징으로 할 수 있다.
상기 발광 영역들 중 적어도 어느 하나는, 상기 제1 내지 제3 발광 영역들과 동일 광을 생성하는 발광 영역이 중복되어 배치되는 것을 특징으로 할 수 있다.
상기 제2 투과부는 상기 제1 투과부에 비해 큰 면적을 갖는 것을 특징으로 할 수 있다.
상기 전자 모듈은, 음향출력 모듈, 발광 모듈, 수광 모듈, 및 카메라 모듈 중 적어도 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 할 수 있다.
본 발명에 따르면, 전자 모듈은 표시 패널의 하부에 배치된다. 이때, 표시 패널 중 전자 모듈과 중첩하는 영역은 인접한 표시 패널의 영역에 비해 상대적으로 투과율이 높은 특징을 가짐에 따라, 성능이 개선된 전자 모듈을 제공할 수 있다.
또한, 투과율이 높은 영역이 인접한 영역과의 반사율 차이로 인해 외부로 시인됨을 방지하기 위한 반사 보상 전극을 포함함으로써, 시인성이 개선된 전자 장치를 제공할 수 있다.
도 1a는 본 발명의 일 실시예에 따른 전자 장치의 결합 사시도이다.
도 1b는 본 발명의 일 실시예에 따른 전자 장치의 분해 사시도이다.
도 1c는 본 발명의 일 실시예에 따른 전자 장치의 블록도이다.
도 2a는 본 발명의 일 실시예에 따른 전자 장치의 단면도이다.
도 2b는 본 발명의 일 실시예에 따른 전자 장치의 단면도이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 화소의 등가 회로도이다.
도 4a는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 패널의 평면도이다.
도 4b는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 패널의 평면도이다.
도 5a는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 패널의 일 영역을 확대한 평면도이다.
도 5b는 도 5a에 도시된 표시 패널의 일 영역을 절단한 단면도이다.
도 6a는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 패널의 일 영역을 확대한 평면도이다.
도 6b는 도 6a에 도시된 표시 패널의 일 영역을 절단한 단면도이다.
도 7은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 패널의 일 영역을 확대한 평면도이다.
도 8a 내지 도 8f는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 패널의 일부 영역을 확대한 확대도들이다.
본 명세서에서, 어떤 구성요소(또는 영역, 층, 부분 등)가 다른 구성요소 "상에 있다", "연결 된다", 또는 "결합 된다"고 언급되는 경우에 그것은 다른 구성요소 상에 직접 배치/연결/결합될 수 있거나 또는 그들 사이에 제3의 구성요소가 배치될 수도 있다는 것을 의미한다.
동일한 도면부호는 동일한 구성요소를 지칭한다. 또한, 도면들에 있어서, 구성요소들의 두께, 비율, 및 치수는 기술적 내용의 효과적인 설명을 위해 과장된 것이다.
"및/또는"은 연관된 구성들이 정의할 수 있는 하나 이상의 조합을 모두 포함한다.
제1, 제2 등의 용어는 다양한 구성요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성요소들은 상기 용어들에 의해 한정되어서는 안 된다. 상기 용어들은 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다. 예를 들어, 본 발명의 권리 범위를 벗어나지 않으면서 제1 구성요소는 제2 구성요소로 명명될 수 있고, 유사하게 제2 구성요소도 제1 구성요소로 명명될 수 있다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다.
또한, "아래에", "하측에", "위에", "상측에" 등의 용어는 도면에 도시된 구성들의 연관관계를 설명하기 위해 사용된다. 상기 용어들은 상대적인 개념으로, 도면에 표시된 방향을 기준으로 설명된다.
다르게 정의되지 않는 한, 본 명세서에서 사용된 모든 용어 (기술 용어 및 과학 용어 포함)는 본 발명이 속하는 기술 분야의 당업자에 의해 일반적으로 이해되는 것과 동일한 의미를 갖는다. 또한, 일반적으로 사용되는 사전에서 정의된 용어와 같은 용어는 관련 기술의 맥락에서 의미와 일치하는 의미를 갖는 것으로 해석되어야 하고, 이상적인 또는 지나치게 형식적인 의미로 해석되지 않는 한, 명시적으로 여기에서 정의된다.
"포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서 상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다. 이하, 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들을 설명한다.
도 1a는 본 발명의 일 실시예에 따른 전자 장치의 결합 사시도이다. 도 1b는 본 발명의 일 실시예에 따른 전자 장치의 분해 사시도이다. 도 1c는 본 발명의 일 실시예에 따른 전자 장치의 블록도이다. 도 2a는 본 발명의 일 실시예에 따른 전자 장치의 단면도이다. 도 2b는 본 발명의 일 실시예에 따른 전자 장치의 단면도이다. 도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 화소의 등가 회로도이다.
도 1a 및 도 1b를 참조하면, 전자 장치(EA)는 전기적 신호에 따라 활성화되는 장치일 수 있다. 전자 장치(EA)는 다양한 실시예들을 포함할 수 있다. 예를 들어, 전자 장치(EA)는 텔레비전, 모니터, 또는 외부 광고판과 같은 대형 전자장치를 비롯하여, 퍼스널 컴퓨터, 노트북 컴퓨터, 개인 디지털 단말기, 자동차 내비게이션 유닛, 게임기, 휴대용 전자 기기, 및 카메라와 같은 중소형 전자 장치 등에 사용될 수도 있다. 또한, 이것들은 단지 실시예로서 제시된 것들로서, 본 발명의 개념에서 벗어나지 않은 이상 다른 전자 기기에도 채용될 수 있음은 물론이다. 본 실시예에서, 전자 장치(EA)는 스마트 폰으로 예시적으로 도시되었다.
전자 장치(EA)는 제1 방향(DR1) 및 제2 방향(DR2) 각각에 평행한 표시면(FS)에 제3 방향(DR3)을 향해 영상(IM)을 표시할 수 있다. 영상(IM)은 동적인 영상은 물론 정지 영상을 포함할 수 있다. 도 1a에서 영상(IM)의 일 예로 시계 창 및 아이콘들이 도시되었다. 영상(IM)이 표시되는 표시면(FS)은 전자 장치(EA)의 전면(front surface)과 대응될 수 있으며, 윈도우 패널(WP)의 전면과 대응될 수 있다.
본 실시예에서는 영상(IM)이 표시되는 방향을 기준으로 각 부재들의 전면(또는 전면)과 배면(또는 하면)이 정의된다. 전면과 배면은 제3 방향(DR3)에서 서로 대향되고, 전면과 배면 각각의 법선 방향은 제3 방향(DR3)과 평행할 수 있다. 한편, 제1 내지 제3 방향들(DR1, DR3, DR3)이 지시하는 방향은 상대적인 개념으로서 다른 방향으로 변환될 수 있다. 이하, 제1 내지 제3 방향들은 제1 내지 제3 방향들(DR1, DR2, DR3)이 각각 지시하는 방향으로 동일한 도면 부호를 참조한다.
본 발명의 일 실시예에 따른 전자 장치(EA)는 외부에서 인가되는 사용자의 입력을 감지할 수 있다. 외부 입력은 전자 장치(EA)의 외부에서 제공되는 다양한 형태의 입력들을 포함할 수 있다. 외부 입력은 외부에서 인가되는 입력은 다양한 형태로 제공될 수 있다. 예를 들어, 외부 입력은 사용자의 손 등 신체의 일부에 의한 접촉은 물론 전자 장치(EA)와 근접하거나, 소정의 거리로 인접하여 인가되는 외부 입력(예를 들어, 호버링)을 포함할 수 있다. 또한, 힘, 압력, 광 등 다양한 형태를 가질 수 있으며, 어느 하나의 실시예로 한정되지 않는다. 또한, 전자 장치(EA)는 전자 장치(EA)의 구조에 따라 전자 장치(EA)의 측면이나 배면에 인가되는 사용자의 입력을 감지할 수도 있으며, 어느 하나의 실시예로 한정되지 않는다.
전자 장치(EA)는 윈도우 패널(WP), 반사 방지 패널(RPP), 표시 모듈(DM), 전자 모듈(SS), 및 하우징(HU)을 포함할 수 있다. 본 실시예에서, 윈도우 패널(WP)와 하우징(HU)은 결합되어 전자 장치(EA)의 외관을 구성한다.
윈도우 패널(WP)는 절연 패널을 포함할 수 있다. 예를 들어, 윈도우 패널(WP)는 유리, 플라스틱, 또는 이들의 조합으로 구성될 수 있다.
윈도우 패널(WP)의 전면(FS)은 상술한 바와 같이, 전자 장치(EA)의 전면을 정의한다. 투과 영역(TA)은 광학적으로 투명한 영역일 수 있다. 예를 들어, 투과 영역(TA)은 약 90% 이상의 가시광선 투과율을 가진 영역일 수 있다.
베젤 영역(BZA)은 투과 영역(TA)에 비해 상대적으로 광 투과율이 낮은 영역일 수 있다. 베젤 영역(BZA)은 투과 영역(TA)의 형상을 정의한다. 베젤 영역(BZA)은 투과 영역(TA)에 인접하며, 투과 영역(TA)을 에워쌀 수 있다.
베젤 영역(BZA)은 소정의 컬러를 가질 수 있다. 베젤 영역(BZA)은 표시 모듈(DM)의 주변 영역(NAA)을 커버하여 주변 영역(NAA)이 외부에서 시인되는 것을 차단할 수 있다. 한편, 이는 예시적으로 도시된 것이고, 본 발명의 일 실시예에 따른 윈도우 패널(WP)에 있어서, 베젤 영역(BZA)은 생략될 수도 있다.
반사 방지 패널(RPP)은 윈도우 패널(WP)의 하부에 배치될 수 있다. 반사 방지 패널(RPP)은 윈도우 패널(WP)로 입사되는 외부광의 반사율을 감소시킨다.
표시 모듈(DM)은 영상(IM)을 표시하는 표시 패널(DP) 및 외부 입력을 감지하는 입력 감지층(ISL)을 포함할 수 있다. 표시 모듈(DM)은 액티브 영역(AA) 및 주변 영역(NAA)을 포함하는 전면(IS)을 포함한다. 액티브 영역(AA)은 전기적 신호에 따라 활성화되는 영역일 수 있다.
본 실시예에서, 액티브 영역(AA)은 영상(IM)이 표시되는 영역이며, 동시에 외부 입력이 감지되는 영역일 수 있다. 투과 영역(TA)은 적어도 액티브 영역(AA)과 중첩한다. 예를 들어, 투과 영역(TA)은 액티브 영역(AA)의 전면 또는 적어도 일부와 중첩한다. 이에 따라, 사용자는 투과 영역(TA)을 통해 영상(IM)을 시인하거나, 외부 입력을 제공할 수 있다. 다만, 이는 예시적으로 도시한 것이고, 액티브 영역(AA) 내에서 영상(IM)이 표시되는 영역과 외부 입력이 감지되는 영역이 서로 분리될 수도 있으며, 어느 하나의 실시예로 한정되지 않는다.
주변 영역(NAA)은 베젤 영역(BZA)에 의해 커버되는 영역일 수 있다. 주변 영역(NAA)은 액티브 영역(AA)에 인접한다. 주변 영역(NAA)은 액티브 영역(AA)을 에워쌀 수 있다. 주변 영역(NAA)에는 액티브 영역(AA)을 구동하기 위한 구동 회로나 구동 배선 등이 배치될 수 있다.
본 실시예에서, 표시 모듈(DM)은 액티브 영역(AA) 및 주변 영역(NAA)이 윈도우 패널(WP)를 향하는 평탄한 상태로 조립된다. 다만 이는 예시적으로 도시한 것이고, 표시 모듈(DM)의 주변 영역(NAA)의 일부분은 휘어질 수 있다. 이 때, 주변 영역(NAA) 중 일부는 전자 장치(EA)의 배면을 향하게 되어, 전자 장치(EA) 전면에서의 베젤 영역(BZA)이 감소될 수 있다. 또는, 표시 모듈(DM)은 액티브 영역(AA)의 일부도 휘어진 상태로 조립될 수도 있다. 또는, 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 모듈(DM)에 있어서 주변 영역(NAA)은 생략될 수도 있다.
표시 모듈(DM)은 표시 패널(DP), 입력 감지층(ISL), 및 구동 회로(DC)를 포함한다.
표시 패널(DP)은 실질적으로 영상(IM)을 생성하는 구성일 수 있다. 표시 패널(DP)이 생성하는 영상(IM)은 투과 영역(TA)을 통해 외부에서 사용자에게 시인된다.
입력 감지층(ISL)은 외부에서 인가되는 외부 입력을 감지한다. 상술한 바와 같이, 입력 감지층(ISL)은 윈도우 패널(WP)을 통해 제공되는 외부 입력을 감지할 수 있다.
구동 회로(DC)는 표시 패널(DP) 및 입력 감지층(ISL)과 전기적으로 연결된다. 구동 회로(DC)는 메인 회로 기판(MB), 제1 회로 기판(CF1), 및 제2 회로 기판(CF2)을 포함한다.
제1 회로 기판(CF1)은 표시 패널(DP)과 전기적으로 연결된다. 제1 회로 기판(CF1)은 표시 패널(DP)과 메인 회로 기판(MB)을 연결할 수 있다. 본 실시예에서, 제1 회로 기판(CF1)은 연성 회로 필름으로 도시되었다. 다만, 이는 예시적으로 도시한 것이고, 제1 회로 기판(CF1)은 메인 회로 기판(MB)과 연결되지 않을 수도 있고, 제1 회로 기판(CF1)은 리지드한 기판일 수도 있다.
제1 회로 기판(CF1)은 주변 영역(NAA)에 배치된 표시 패널(DP)의 패드들(표시 패드들)에 접속될 수 있다. 제1 회로 기판(CF1)은 표시 패널(DP)을 구동하기 위한 전기적 신호를 표시 패널(DP)에 제공한다. 전기적 신호는 제1 회로 기판(CF1)에서 생성되거나 메인 회로 기판(MB)에서 생성된 것일 수 있다.
제2 회로 기판(CF2)은 입력 감지층(ISL)과 전기적으로 연결된다. 제2 회로 기판(CF2)은 입력 감지층(ISL)과 메인 회로 기판(MB)을 연결할 수 있다. 본 실시예에서, 제2 회로 기판(CF2)은 연성 회로 필름으로 도시되었다. 다만, 이는 예시적으로 도시한 것이고, 제2 회로 기판(CF2)은 메인 회로 기판(MB)과 연결되지 않을 수도 있고, 제2 회로 기판(CF2)은 리지드한 기판일 수도 있다.
제2 회로 기판(CF2)은 주변 영역(NAA)에 배치된 입력 감지층(ISL)의 패드들(감지 패드들)에 접속될 수 있다. 제2 회로 기판(CF2)은 입력 감지층(ISL)을 구동하기 위한 전기적 신호를 입력 감지층(ISL)에 제공한다. 전기적 신호는 제2 회로 기판(CF2)에서 생성되거나 메인 회로 기판(MB)에서 생성된 것일 수 있다.
메인 회로 기판(MB)은 표시 모듈(DM)을 구동하기 위한 각종 구동 회로나 전원 공급을 위한 커넥터 등을 포함할 수 있다. 제1 회로 기판(CF1)과 제2 회로 기판(CF2)은 각각 메인 회로 기판(MB)에 접속될 수 있다. 본 발명에 따르면, 하나의 메인 회로 기판(MB)을 통해 표시 모듈(DM)을 용이하게 제어할 수 있다. 다만, 이는 예시적으로 도시한 것이고, 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 모듈(DM)에 있어서, 표시 패널(DP)과 입력 감지층(ISL)은 서로 다른 메인 회로 기판에 연결될 수도 있고, 제1 회로 기판(CF1)과 제2 회로 기판(CF2) 중 어느 하나는 메인 회로 기판(MB)에 연결되지 않을 수도 있으며, 어느 하나의 실시예로 한정되지 않는다.
전자 모듈(SS)은 표시 모듈(DM)의 하부에 배치될 수 있다. 예를 들어, 전자 모듈(SS)은 표시 패널(DP)의 하부에 배치될 수 있다. 평면 상에서 전자 모듈(SS)은 액티브 영역(AA)과 중첩하여 배치될 수 있다. 따라서, 베젤 영역(BZA)에 전자 모듈(SS)이 배치될 공간이 생략될 수 있고, 베젤 영역(BZA)의 면적의 증가가 방지될 수 있다. 전자 모듈(SS)은 투과 영역(TA)을 통해 전달되는 외부 입력을 수신하거나, 투과 영역(TA)을 통해 출력을 제공할 수 있다. 도 1b에는 하우징(HU)의 상단에 배치된 하나의 전자 모듈(SS)을 도시하였으나, 이에 한정되는 것은 아니며, 액티브 영역(AA)과 중첩하는 영역에 배치되는 것이면, 개수 및 위치는 어느 하나에 한정되지 않는다.
본 발명에 따르면 전자 모듈(SS)은 표시 패널(DP)의 하부에 배치됨에 따라, 표시 패널(DP)의 일 영역은 인접한 영역에 비해 상대적으로 광 투과율이 높은 영역을 포함할 수 있다. 상세한 설명은 후술한다.
하우징(HU)은 윈도우 패널(WP)과 결합된다. 하우징(HU)은 윈도우 패널(WP)과 결합되어 소정의 내부 공간을 제공한다. 표시 모듈(DM) 및 전자 모듈(SS)은 내부 공간에 수용될 수 있다.
하우징(HU)은 상대적으로 높은 강성을 가진 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 하우징(HU)은 유리, 플라스틱, 또는 금속을 포함하거나, 이들의 조합으로 구성된 복수 개의 프레임 및/또는 플레이트를 포함할 수 있다. 하우징(HU)은 내부 공간에 수용된 전자 장치(EA)의 구성들을 외부 충격으로부터 안정적으로 보호할 수 있다.
도 1c를 참조하면, 전자 장치(EA)는 표시 모듈(DM), 전원공급 모듈(PM), 제1 전자 모듈(EM1), 및 제2 전자 모듈(EM2)을 포함할 수 있다. 표시 모듈(DM), 전원 공급 모듈(PM), 제1 전자 모듈(EM1), 및 제2 전자 모듈(EM2)은 서로 전기적으로 연결될 수 있다. 도 1c에는 표시 모듈(DM)의 구성 중 표시 패널(DP) 및 입력 감지층(ISL)이 예시적으로 도시되었다.
제1 전자 모듈(EM1) 및 제2 전자 모듈(EM2)은 전자 장치(EA)를 동작시키기 위한 다양한 기능성 모듈을 포함한다. 제1 전자모듈(EM1)은 표시 패널(DP)과 전기적으로 연결된 마더보드에 직접 실장 되거나 별도의 기판에 실장 되어 커넥터(미 도시) 등을 통해 마더보드에 전기적으로 연결될 수 있다.
제1 전자모듈(EM1)은 제어 모듈(CM), 무선통신 모듈(TM), 영상입력 모듈(IIM), 음향입력 모듈(AIM), 메모리(MM), 및 외부 인터페이스(IF)를 포함할 수 있다. 상기 모듈들 중 일부는 마더보드에 실장 되지 않고, 연성회로기판을 통해 마더보드에 전기적으로 연결될 수도 있다.
제어 모듈(CM)은 전자 장치(EA)의 전반적인 동작을 제어한다. 제어 모듈(CM)은 마이크로프로세서일 수 있다. 예를 들어, 제어 모듈(CM)은 표시 패널(DP)을 활성화 시키거나, 비활성화 시킨다. 제어 모듈(CM)은 표시 패널(DP)로부터 수신된 터치 신호에 근거하여 영상입력 모듈(IIM)이나 음향입력 모듈(AIM) 등의 다른 모듈들을 제어할 수 있다.
무선통신 모듈(TM)은 블루투스 또는 와이파이 회선을 이용하여 다른 단말기와 무선 신호를 송/수신할 수 있다. 무선통신 모듈(TM)은 일반 통신회선을 이용하여 음성신호를 송/수신할 수 있다. 무선통신 모듈(TM)은 송신할 신호를 변조하여 송신하는 송신부(TM1)와, 수신되는 신호를 복조하는 수신부(TM2)를 포함한다.
영상입력 모듈(IIM)은 영상 신호를 처리하여 표시 모듈(DM)에 표시 가능한 영상 데이터로 변환한다. 음향입력 모듈(AIM)은 녹음 모드, 음성인식 모드 등에서 마이크로폰(Microphone)에 의해 외부의 음향 신호를 입력 받아 전기적인 음성 데이터로 변환한다.
외부 인터페이스(IF)는 외부 충전기, 유/무선 데이터 포트, 카드 소켓(예를 들어, 메모리 카드(Memory card), SIM/UIM card) 등에 연결되는 인터페이스 역할을 한다.
제2 전자 모듈(EM2)은 음향출력 모듈(AOM), 발광 모듈(LM), 수광 모듈(LRM), 및 카메라 모듈(CMM) 등을 포함할 수 있다. 상기 구성들은 마더보드에 직접 실장되거나, 별도의 기판에 실장되어 커넥터(미 도시) 등을 통해 표시 모듈(DM)과 전기적으로 연결되거나, 제1 전자 모듈(EM1)과 전기적으로 연결될 수 있다.
음향출력 모듈(AOM)은 무선통신 모듈(TM)로부터 수신된 음향 데이터 또는 메모리(MM)에 저장된 음향 데이터를 변환하여 외부로 출력한다.
발광 모듈(LM)은 광을 생성하여 출력한다. 발광 모듈(LM)은 적외선을 출력할 수 있다. 예를 들어, 발광 모듈(LM)은 LED 소자를 포함할 수 있다. 예를 들어, 수광 모듈(LRM)은 적외선을 감지할 수 있다. 수광 모듈(LRM)은 소정 레벨 이상의 적외선이 감지된 때 활성화될 수 있다. 수광 모듈(LRM)은 CMOS 센서를 포함할 수 있다. 발광 모듈(LM)에서 생성된 적외광이 출력된 후, 외부 피사체(예컨대 사용자 손가락 또는 얼굴)에 의해 반사되고, 반사된 적외광이 수광 모듈(LRM)에 입사될 수 있다. 카메라 모듈(CMM)은 외부의 이미지를 촬영한다.
본 발명의 일 실시예에 따른 전자 모듈(SS)은 제1 전자 모듈(EM1) 및 제2 전자 모듈(EM2)의 구성들 중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다. 예를 들어, 전자 모듈(SS)은 카메라, 스피커, 광 감지 센서, 및 열 감지 센서 중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다. 전자 모듈(SS)은 전면(IS)을 통해 수신되는 외부 피사체를 감지하거나 전면(IS)을 통해 음성 등의 소리 신호를 외부에 제공할 수 있다. 또한, 전자 모듈(SS)은 복수의 구성들을 포함할 수도 있으며, 어느 하나의 실시예로 한정되지 않는다.
본 발명에 따르면, 전자 모듈(SS)은 평면상에서 투과 영역(TA)과 중첩하도록 조립될 수 있다. 이에 따라, 전자 모듈(SS)의 수용에 따른 베젤 영역(BZA)의 증가가 방지되어 전자 장치(EA)의 미감이 개선될 수 있다.
도 2a 및 도 2b는 전자 장치(EA)를 구성하는 기능성 부재들의 적층 관계를 설명하기 위해 단순하게 도시되었다. 본 발명의 일 실시예에 따른 전자 장치(EA)는 표시 패널(DP), 입력 감지층(ISL), 반사 방지 부재(RPP), 및 윈도우 패널(WP)을 포함할 수 있다. 표시 패널, 입력 감지층(ISL), 반사 방지 부재(RPP), 및 윈도우 패널(WP) 중 적어도 일부의 구성들은 연속공정에 의해 형성되거나, 적어도 일부의 구성들은 접착부재를 통해 서로 결합될 수 있다.
도 2a 및 도 2b에는 접착부재로써 광학 투명 접착부재(OCA)가 예시적으로 도시되었다. 이하에서 설명되는 접착부재는 통상의 접착제 또는 점착제를 포함할 수 있다. 본 발명의 일 실시예에서 반사 방지 부재(RPP) 및 윈도우 패널(WP)은 다른 구성으로 대체되거나 생략될 수 있다.
도 2a 및 도 2b에 있어서, 입력 감지층(ISL)이 표시 패널(DP)과 연속공정을 통해 형성된 해당 구성은 "층"으로 표현된다. 입력 감지부(ISP)가 표시 패널(DP)과 접착부재를 통해 결합된 구성은 "부"로 표현된다. "부"는 기저층으로서 베이스면을 제공하는 베이스층, 예컨대 합성수지 필름, 복합재료 필름, 유리 기판 등을 포함하지만, "층"은 상기 베이스층이 생략될 수 있다. 다시 말해, "층"으로 표현되는 입력 감지층(ISL)은 다른 유닛이 제공하는 베이스면 상에 배치된다.
도 2a에 도시된 것과 같이, 전자 장치(EA)는 표시 패널(DP), 입력 감지층(ISL), 반사 방지 패널(RPP), 및 윈도우 패널(WP)을 포함할 수 있다. 입력 감지층(ISL)은 표시 패널(DP)에 직접 배치된다. 본 명세서에서 "B의 구성이 A의 구성 상에 직접 배치된다"는 것은 A의 구성과 B의 구성 사이에 별도의 접착층/접착부재가 배치되지 않는 것을 의미한다. B 구성은 A 구성이 형성된 이후에 A구성이 제공하는 베이스면 상에 연속공정을 통해 형성된다.
또한, 도 2b에 도시된 것과 같이, 전자 장치(EA)는 표시 패널(DP), 입력 감지부(ISP), 반사 방지 패널(RPP), 및 윈도우 패널(WP)을 포함할 수 있다. 입력 감지부(ISP)는 접착부재(OCA)를 통해 반사 방지 패널(RPP)과 결합될 수 있다. 다만, 이에 한정되는 것은 아니며, 입력 감지부(ISP)와 반사 방지 패널(RPP)의 적층 순서는 변경될 수 있다. 따라서, 입력 감지부(ISP)는 접착부재(OCA)를 통해 표시 패널(DP)과 결합될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 윈도우 패널(WP)은 베이스층(WP-BS)및 차광패턴(WP-BZ)을 포함한다. 베이스층(WP-BS)는 유리 기판 및/또는 합성수지 필름 등을 포함할 수 있다. 베이스층(WP-BS)은 단층으로 제한되지 않는다. 베이스층(WP-BS)은 접착부재로 결합된 2 이상의 필름들을 포함할 수 있다.
차광패턴(WP-BZ)은 베이스층(WP-BS)에 부분적으로 중첩한다. 차광패턴(WP-BZ)은 베이스층(WP-BS)의 배면에 배치되고, 차광패턴(WP-BZ)은 실질적으로 전자 장치(EA)의 베젤 영역(BZA)을 정의할 수 있다. 차광패턴(WP-BZ)이 미배치된 영역은 전자 장치(EA)의 투과 영역(TA)을 정의할 수 있다.
반사 방지 패널(RPP)은 윈도우 패널(WP)의 상측으로부터 입사되는 외부광의 반사율을 감소시킨다. 본 발명의 일 실시예에 따른 반사 방지 패널(RPP)은 위상지연자(retarder) 및 편광자(polarizer)를 포함할 수 있다.
도 3을 참조하면, 표시 패널(DP)에 포함된 일 화소(PX)의 등가회로도를 예시적으로 도시하였다. 화소(PX)는 복수의 트랜지스터들(T1~T7), 스토리지 커패시터(Cst), 및 발광 소자(organic light emitting diode, OD)를 포함할 수 있다.
한편, 본 발명에서, 화소(PX)의 구성들 중 발광 소자(OD)를 제외한 나머지 구성들, 복수의 트랜지스터들(T1~T7) 및 스토리지 커패시터(Cst)는 구동 소자로 정의될 수 있다.
박막트랜지스터들(T1~T7)은 구동 트랜지스터(T1), 스위칭 트랜 지스터(T2), 보상 트랜지스터(T3), 초기화 트랜지스터(T4), 제1 발광 제어 트랜지스터(T5), 제2 발광 제어 트랜지스터(T6), 및 바이패스 트랜지스터(T7)를 포함한다.
화소(PX)는 스위칭 트랜지스터(T2) 및 보상 트랜지스터(T3)에 n번째 주사 신호(Sn)를 전달하는 제1 게이트 라인(14), 초기화 트랜지스터(T4)에 n-1번째 주사 신호(Sn-1)를 전달하는 제2 게이트 라인(24), 바이패스 트랜지스터(T7)에 n+1번째 주사 신호(Sn+1)를 전달하는 제3 게이트 라인(34), 제1 발광 제어 트랜지스터(T5) 및 제2 발광 제어 트랜지스터(T6)에 발광 제어 신호(En)를 전달하는 발광 라인(15), 데이터 신호(Dm)를 전달하는 데이터 라인(16), 전원전압(ELVDD)을 전달하는 전원 라인(26), 구동 트랜지스터(T1)를 초기화 하는 초기화 전압(Vint)을 전달하는 초기화 전압 라인(22)을 포함한다.
구동 트랜지스터(T1)의 게이트 전극(G1)은 스토리지 커패시터(Cst)의 제1 전극(C1)과 연결된다. 구동 트랜지스터(T1)의 소스 전극(S1)은 제1 발광 제어 트랜지스터(T5)를 경유하여 전원 라인(26)과 연결된다. 구동 트랜지스터(T1)의 드레인 전극(D1)은 제2 발광 제어 트랜지스터(T6)를 경유하여 발광 소자(OLED)의 애노드와 전기적으로 연결되어 있다. 구동 트랜지스터(T1)는 스위칭 트랜지스터(T2)의 스위칭 동작에 따라 데이터 신호(Dm)를 전달받아 발광 소자(OD)에 구동 전류(Id)를 공급한다.
스위칭 트랜지스터(T2)의 게이트 전극(G2)은 제1 게이트 라인(14)과 연결된다. 스위칭 트랜지스터(T2)의 소스 전극(S2)은 데이터 라인(16)과 연결된다. 스위칭 트랜지스터(T2)의 드레인 전극(D2)은 구동 트랜지스터(T1)의 소스 전극(S1)과 연결되고, 제1 발광 제어 트랜지스터(T5)를 경유하여 전원 라인(26)과 연결된다. 스위칭 트랜지스터(T2)는 제1 게이트 라인(14)을 통해 전달받은 제1 주사 신호(Sn)에 따라 턴 온 되어 데이터 라인(16)으로 전달된 데이터 신호(Dm)를 구동 트랜지스터(T1)의 소스 전극(S1)으로 전달하는 스위칭 동작을 수행한다.
보상 트랜지스터(T3)의 게이트 전극(G3)은 제1 게이트 라인(14)에 연결되어 있다. 보상 트랜지스터(T3)의 소스 전극(S3)은 구동 트랜지스터(T1)의 드레인 전극(D1)과 연결되고, 제2 발광 제어 트랜지스터(T6)를 경유하여 발광 소자(OLED)의 애노드와 연결된다. 보상 트랜지스터(T3)의 드레인 전극(D3)은 스토리지 커패시터(Cst)의 제1 전극(C1), 초기화 트랜지스터(T4)의 소스 전극(S4) 및 구동 트랜지스터(T1)의 게이트 전극(G1)과 연결되어 있다. 보상 트랜지스터(T3)는 제1 게이트 라인(14)을 통해 전달받은 n번째 주사 신호(Sn)에 따라 턴 온되어 구동 트랜지스터(T1)의 게이트 전극(G1)과 드레인 전극(D1)을 서로 연결하여 구동 트랜지스터(T1)를 다이오드 연결(diode connection)시킨다.
초기화 트랜지스터(T4)의 게이트 전극(G4)은 제2 게이트 라인(24)과 연결된다. 초기화 트랜지스터(T4)의 드레인 전극(D4)은 초기화 전압 라인(22)에 연결된다. 초기화 트랜지스터(T4)의 소스 전극(S4)은 스토리지 커패시터(Cst)의 제1 전극(C1), 보상 트랜지스터(T3)의 드레인 전극(D3) 및 구동 트랜지스터(T1)의 게이트 전극(G1)에 연결된다. 초기화 트랜지스터(T4)는 제2 게이트 라인(24)을 통해 전달받은 n-1번째 주사 신호(Sn-1)에 따라 턴 온되어 초기화 전압(Vint)을 구동 트랜지스터(T1)의 게이트 전극(G1)에 전달하여 구동 트랜지스터(T1)의 게이트 전극(G1)의 전압을 초기화시킨다.
제1 발광 제어 트랜지스터(T5)의 게이트 전극(G5)은 발광 라인(15)과 연결된다. 제1 발광 제어 트랜지스터(T5)는 전원 라인(26)과 구동 트랜지스터(T1) 사이에 연결될 수 있다. 제1 발광 제어 트랜지스터(T5)의 소스 전극(S5)은 전원 라인(26)과 연결된다. 제1 발광 제어 트랜지스터(T5)의 드레인 전극(D5)은 구동 트랜지스터(T1)의 소스 전극(S1) 및 스위칭 트랜지스터(T2)의 드레인 전극(D2)과 연결된다. 제1 발광 제어 트랜지스터(T5)의 게이트 전극(G5)에 발광 제어 신호(En)이 인가됨에 따라 제1 발광 제어 트랜지스터(T5)는 턴 온되어 발광 소자(OD)에 구동 전류(Id)가 흐른다. 제1 발광 제어 트랜지스터(T5)는 발광 소자(OD)에 구동 전류(Id)가 흐르는 타이밍을 결정할 수 있다.
제2 발광 제어 트랜지스터(T6)의 게이트 전극(G6)은 발광 라인(15)과 연결된다. 제2 발광 제어 트랜지스터(T6)는 구동 트랜지스터(T1)와 발광 소자(OD) 사이에 연결될 수 있다. 제2 발광 제어 트랜지스터(T6)의 소스 전극(S6)은 구동 트랜지스터(T1)의 드레인 전극(D1) 및 보상 트랜지스터(T3)의 소스 전극(S3)과 연결된다. 제2 발광 제어 트랜지스터(T6)의 드레인 전극(D6)은 발광 소자(OD)의 애노드와 전기적으로 연결된다. 제1 발광 제어 트랜지스터(T5) 및 제2 발광 제어 트랜지스터(T6)는 발광 라인(15)을 통해 전달받은 발광 제어 신호(En)에 따라 턴 온된다. 제2 발광 제어 트랜지스터(T6)의 게이트 전극(G6)에 발광 제어 신호(En)이 인가됨에 따라 제2 발광 제어 트랜지스터(T6)는 턴 온되어 발광 소자(OD)에 구동 전류(Id)가 흐른다. 제2 발광 제어 트랜지스터(T6)는 발광 소자(OD)에 구동 전류(Id)가 흐르는 타이밍을 결정할 수 있다.
바이패스 트랜지스터(T7)의 게이트 전극(G7)은 제3 게이트 라인(34)에 연결된다. 바이패스 트랜지스터(T7)의 소스 전극(S7)은 발광 소자(OD)의 애노드에 연결된다. 바이패스 트랜지스터(T7)의 드레인 전극(D7)은 초기화 전압 라인(22)에 연결된다. 바이패스 트랜지스터(T7)는 제3 게이트 라인(34)을 통해 전달받은 n+1번째 주사 신호(Sn+1)에 따라 턴 온되어 발광 소자(OD)의 애노드를 초기화시킨다. 일 실시예에 따르면, N+1번째 주사 신호는 N번째 주사신호와 동일한 신호일 수 있다.
스토리지 커패시터(Cst)의 제2 전극(C2)은 전원 라인(26)에 연결된다. 스토리지 커패시터(Cst)의 제1 전극(C1)은 구동 트랜지스터(T1)의 게이트 전극(G1), 보상 트랜지스터(T3)의 드레인 전극(D3) 및 초기화 트랜지스터(T4)의 소스 전극(S4)에 연결된다.
발광 소자(OD)의 캐소드는 기준 전압(ELVSS)을 수신한다. 발광 소자(OD)는 구동 트랜지스터(T1)로부터 구동 전류(Id)를 전달받아 발광한다. 발광 소자(OD)는 발광 물질을 포함한다. 발광 소자(OD)는 발광 물질에 대응하는 컬러의 광을 생성할 수 있다. 발광 소자(OD)에서 생성된 광의 컬러는 적색, 녹색, 청색, 백색 중 어느 하나일 수 있다.
본 발명의 다른 실시예에서, 화소(PX)를 구성하는 트랜지스터들(T1~T7)의 개수와 연결관계는 다양하게 변경될 수 있다.
도 4a는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 패널의 평면도이다. 도 4b는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 패널의 평면도이다. 도 5a는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 패널의 일 영역을 확대한 평면도이다. 도 5b는 도 5a에 도시된 표시 패널의 일 영역을 절단한 단면도이다. 도 6a는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 패널의 일 영역을 확대한 평면도이다.
도 6b는 도 6a에 도시된 표시 패널의 일 영역을 절단한 단면도이다. 도 7은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 패널의 일 영역을 확대한 평면도이다. 도 1 내지 도 3과 동일/유사한 구성에 대해 동일/유사한 참조 부호를 사용하며, 중복된 설명은 생략한다.
도 4a 및 도 4b는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 패널(DP)의 일 영역들을 간단하게 도시한 평면도들이다.
도 4a를 참조하면, 일 실시예에 따른 표시 패널(DP)은 제1 표시 영역(RA1) 및 제2 표시 영역(RA2)으로 정의될 수 있다. 제1 표시 영역(RA1)은 제2 표시 영역(RA2)의 적어도 일부를 에워 쌀 수 있다. 도 4a에는 표시 패널(DP)의 상단에 배치된 하나의 제2 표시 영역(RA2) 및 이를 에워 싸는 제1 표시 영역(RA1)을 예시적으로 도시하였으나, 전자 모듈(SS, 도 1b 참조)의 개수에 대응되어 제2 표시 영역(RA2)은 복수로 제공 될 수 있으며, 어느 하나의 실시예로 한정되지 않는다.
제2 표시 영역(RA2)은 제1 투과부(LT1) 및 제2 투과부(LT2)를 포함할 수 있다. 본 발명에 따른 제1 투과부(LT1)는 표시 패널(DP) 중 전자 모듈(SS)과 중첩되는 영역으로 정의될 수 있다. 제2 투과부(LT2)는 제1 투과부(LT1)을 에워 쌀 수 있다. 제2 투과부(LT2)는 제1 표시 영역(RA1)과의 경계를 형성할 수 있다.
본 발명에 따르면, 전자 모듈(SS)은 표시 패널(DP)의 하부에 배치된다. 전자 모듈(SS)이 수광 모듈(LRM) 및 카메라 모듈(CMM) 중 어느 하나를 포함할 경우, 외부에서 유입되는 광은 표시 패널(DP)을 투과하여 전자 모듈(SS)에 전달되게 된다. 이때, 전자 모듈(SS)과 중첩하는 표시 패널(DP)의 일 구성들은 외부에서 유입되는 광을 차단하는 역할을 하는 바, 표시 패널(DP) 중 전자 모듈(SS)과 중첩하는 영역은 상대적으로 전자 모듈(SS)과 비 중첩하는 영역 대비 광 투과율이 높을수록 신뢰성이 향상된 전자 모듈(SS)을 제공할 수 있다.
따라서, 본 발명에 따르면, 표시 패널(DP) 중 전자 모듈(SS)과 중첩하는 제1 투과부(LT1)는 상대적으로 제2 투과부(LT2)보다 광 투과율이 높은 영역으로 정의될 수 있다. 따라서, 제1 투과부(LT1)는 표시 패널(DP)의 일 구성이 생략된 영역들을 포함할 수 있다.
제2 투과부(LT2)는 제1 투과부(LT1)가 표시 패널(DP)의 일 구성이 생략된 영역들을 포함에 따라, 제1 표시 영역(RA1)과의 반사율 차이를 줄이기 위한 반사 보상 영역일 수 있다.
따라서, 제1 표시 영역(RA1)의 반사율과 제2 투과부(LT2)의 반사율의 차이는, 제1 표시 영역(RA1)의 반사율과 제1 투과부(LT1)의 반사율의 차이보다 작을 수 있다. 따라서, 제1 투과부(LT1)를 제2 투과부(LT2)가 에워 싸는 형상을 가짐에 따라, 제1 투과부(LT1)가 외부로 시인됨을 방지할 수 있다.
본 발명에 따르면, 표시 패널(DP) 중 전자 모듈(SS)과 중첩하는 제1 투과부(LT1)의 광 투과율이 인접한 영역 대비 상대적으로 높음에 따라, 전자 모듈(SS)의 성능이 개선될 수 있다. 또한, 제1 투과부(LT1)를 에워 싸는 제2 투과부(LT2)를 배치시킴에 따라, 표시 패널(DP)의 블랙(black) 상태에서도 제1 투과부(LT1)가 외부로 시인됨을 방지할 수 있다. 따라서, 시인성이 개선된 전자 장치를 제공할 수 있다.
도 4b를 참조하면, 일 실시예에 따른 표시 패널(DP-A)은 제1 표시 영역(RA1-A) 및 제2 표시 영역(RA2-A)으로 정의될 수 있다. 제2 표시 영역(RA2-A)은 제1 투과부(LT1-A) 및 제2 투과부(LT2-A)를 포함할 수 있다. 제1 투과부(LT1-A)는 제1 부분(SA1) 및 제2 부분(SA2)을 포함할 수 있다. 제1 투과부(LT1-A)에 포함된 제1 부분(SA1) 및 제2 부분(SA2)의 개수는 표시 패널(DP-A) 하부에 배치되는 전자 모듈(SS)의 개수에 대응되어 변경될 수 있다. 제1 부분(SA1) 및 제2 부분(SA2)은 서로 다른 크기의 원형으로 도시되었으나, 이에 한정되는 것은 아니며, 다각형, 타원 등 어느 하나에 한정되지 않는다.
본 실시예에 따른 제1 표시 영역(RA1-A) 및 제2 표시 영역(RA2-A)은 제2 방향(DR2)을 따라 배열될 수 있다. 또한, 제2 표시 영역(RA2-A)은 제1 방향(DR1)을 따라 연장된 바(bar) 형상을 가질 수 있다.
도 5a는 도 4a에 도시된 제1 투과부(LT1)를 인접한 화소 그룹별로 도시한 확대도이다. 후술하는 설명은 도 4b에 도시된 제1 투과부(LT1-A)에도 동일하게 적용될 수 있다.
도 5a를 참조하면, 본 실시예서 제1 투과부(LT1)는 발광 영역들(PA) 및 광 투과 영역들(TR1)을 포함할 수 있다. 발광 영역들(PA) 및 광 투과 영역들(TR1)은 서로 교번하여 배열될 수 있다. 본 실시예에서, 발광 영역들(PA)과 투과 영역들(TR1)은 서로 동일한 크기의 면적으로 도시하였으나, 이에 한정되는 것은 아니며, 표시 패널(DP, 도 4a 참조)의 종류에 따라 요구되는 제1 투과부(LT1)의 투과율은 상이하며 이에 따라, 발광 영역들(PA)과 투과 영역들(TR1)의 단위 면적당 비율이 결정될 수 있다.
발광 영역들(PA) 각각은 후술하는 화소(PX)의 발광 패턴(EL) 및 제1 전극(E1)이 배치되는 영역으로 정의될 수 있으며, 광 투과 영역들(TR1) 각각은 발광 패턴(EL) 및 제1 전극(E1)이 미 배치되는 영역으로 정의될 수 있다.
도 5b를 참조하면, 서로 인접한 하나의 발과 영역(PA)과 하나의 광 투과 영역(TR1)의 단면도를 도시하였다.
본 실시예에 따른 표시 모듈(DM)은 표시 패널(DP) 및 입력 감지층(ISL)을 포함한다. 입력 감지층(ISL)은 표시 패널(DP) 상에 배치된다.
표시 패널(DP)은 베이스 기판(BL), 회로 소자층(DP-CL), 및 표시 소자층(DP-OL)을 포함한다. 회로 소자층(DP-CL)은 표시 소자층(DP-OL)에 포함된 발광 소자(OD)를 구동하기 위한 신호를 제공할 수 있다. 화소(PX) 각각은 트랜지스터(T1) 및 발광 소자(OD)를 포함할 수 있다.
베이스 기판(BL)은 절연 기판일 수 있다. 예를 들어, 베이스 기판(BS)은 플라스틱 기판 또는 유리 기판을 포함할 수 있다.
제1 절연층(10)은 베이스 기판(BS) 상에 배치되어 베이스 기판(BS)의 전면을 커버한다. 제1 절연층(10)은 무기물을 포함한다. 제1 절연층(10)은 배리어층(barrier layer) 및/또는 버퍼층(buffer layer)을 포함할 수 있다. 이에 따라, 제1 절연층(10)은 베이스 기판(BS)을 통해 유입되는 산소나 수분이 화소에 침투되는 것을 방지하거나, 화소(PX)의 구성들이 베이스 기판(BS) 상에 안정적으로 형성되도록 베이스 기판(BS)의 표면 에너지를 감소시킬 수 있다.
본 실시예에서, 도 3에 도시된 화소(PX)의 등가 회로도의 구성들 중 구동 트랜지스터(T1)와 대응되는 트랜지스터와 발광 소자(OD)를 예시적으로 도시하였다.
제1 절연층(10) 위에는 트랜지스터(T1)가 배치될 수 있다. 트랜지스터(T1)는 반도체 패턴(SL), 제어 전극(CE), 입력 전극(OE), 및 출력 전극(IE)을 포함한다. 반도체 패턴(SL)은 제1 절연층(10) 위에 배치된다. 반도체 패턴(SL)은 반도체 물질을 포함할 수 있다. 제어 전극(CE)은 제2 절연층(20)을 사이에 두고 반도체 패턴(SL)으로부터 이격된다.
입력 전극(OE) 및 출력 전극(IE)은 제2 절연층(20) 및 제3 절연층(30)을 관통하여 반도체 패턴(SL)의 일 측 및 타 측에 각각 접속된다.
다만, 이에 한정되는 것은 아니며, 입력 전극(OE) 및 출력 전극(IE)은 반도체 패턴(SL)과 동일 층 상에 배치되어 반도체 패턴(SL)과 일체 형상을 가질 수 있다. 예를 들어, 입력 전극(OE)은 반도체 패턴(SL)의 일 단에서 연장되고, 출력 전극(IE)은 반도체 패턴(SL)의 타 단에서 연장될 수 있다. 이때, 출력 전극(IE) 영역과 입력 전극(OE) 영역 사이는 채널 영역으로 정의될 수 있다. 본 발명의 일 실시예에 따른 트랜지스터(T1)는 다양한 적층 구조들로 형성될 수 있으며, 어느 하나의 실시예로 한정되지 않는다.
제4 절연층(40)은 제3 절연층(30) 상에 배치되어 입력 전극(OE) 및 출력 전극(IE)을 커버한다. 제4 절연층(40)은 유기물 및/또는 무기물을 포함할 수 있으며, 단층 또는 적층 구조를 가질 수 있다.
제1 전극(E1)은 제4 절연층(40) 상에 배치된다. 제1 전극(E1)은 제4 절연층(40)을 관통하여 트랜지스터(T1)에 전기적으로 연결될 수 있다. 도 5b에서는 제1 전극(E1)이 트랜지스터(T1)에 직접 연결된 것으로 도시되었으나, 제1 전극(E1)은 도 3에 도시된 제6 트랜지스터(T6)를 경유하여 트랜지스터(T1)에 전기적으로 연결될 수 있다.
제5 절연층(50)은 제4 절연층(40) 상에 배치될 수 있다. 제5 절연층(50)에는 표시 개구부(D-OP)가 정의되고, 표시 개구부(D-OP)는 제1 전극(E1)의 적어도 일부를 노출시킬 수 있다. 제5 절연층(50)은 화소 정의막일 수 있다.
표시 개구부(D-OP)는 화소(PX) 각각의 발광 영역에 대응될 수 있다. 도 5b에는 예시적으로 2개의 화소들 각각에 대응되는 제1 발광 영역(PXA11) 및 제2 발광 영역(PXA22)을 도시하였다. 본 실시예에서 제1 발광 영역(PXA11)과 제2 발광 영역(PXA22)의 그룹은 도 5a에 도시된 발광 영역들(PA) 중 하나의 발광 영역(PA)에 대응되는 영역일 수 있다.
제1 발광 영역(PXA11)과 제2 발광 영역(PXA22) 사이는 비발광 영역(NPXA)으로 정의될 수 있다. 비발광 영역(NPXA)은 화소 정의막(50) 중 표시 개구부(D-OP)가 형성되지 않은 영역과 중첩할 수 있다.
발광 패턴(EL)은 표시 개구부(D-OP)에 의해 노출된 제1 전극(E1) 상에 배치될 수 있다. 발광 패턴(EL)은 발광 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 발광 패턴(EL)은 적색, 녹색, 또는 청색을 발광하는 물질들 중 적어도 어느 하나의 물질로 구성될 수 있다. 발광 패턴(EL)은 형광 물질 또는 인광 물질을 포함할 수 있다. 발광 패턴(EL)은 유기 발광 물질 또는 무기 발광 물질을 포함할 수 있다. 발광 패턴(EL)은 제1 전극(E1) 및 제2 전극(E2) 사이의 전위 차이에 응답하여 광을 발광할 수 있다.
제2 전극(E2)은 발광 패턴(EL) 상에 배치될 수 있다. 제2 전극(E2)은 투과형 도전 물질 또는 반 투과형 도전 물질을 포함할 수 있다. 이에 따라, 발광 패턴(EL)에서 생성된 광은 제2 전극(E2)을 통해 제3 방향(DR3)을 향해 용이하게 출사될 수 있다. 제2 전극(E2)은 복수의 화소들에 공통적으로 제공될 수 있다.
다만, 이는 예시적으로 도시한 것이고, 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 소자(OD)는 설계에 따라, 제1 전극(E1)이 투과형 또는 반 투과형 물질을 포함하는 배면 발광 방식으로 구동되거나, 전면과 배면 모두를 향해 발광하는 양면 발광 방식으로 구동될 수도 있으며, 어느 하나의 실시예로 한정되지 않는다.
도 5b에는 제2 전극(E2)이 발광 영역(PA)과 중첩하고 제1 투과부(TR1)와 비 중첩한 형상으로 도시하였으나, 이에 한정되는 것은 아니며, 제2 전극(E2) 액티브 영역(AA, 도 1b 참조)으로부터 주변 영역(NAA, 도 1b 참조)까지 연장된 일체의 형상을 가질 수 있다.
봉지층(ECL)은 발광 소자(OD) 상에 배치되어 발광 소자(OD)를 봉지한다. 한편, 도시되지 않았으나, 제2 전극(E2)과 봉지층(ECL) 사이에는 제2 전극(E2)을 커버하는 캡핑층(capping layer)이 더 배치될 수도 있다.
봉지층(ECL)은 제3 방향(DR3)을 따라 순차적으로 적층된 제1 무기층(LIL), 유기층(OEL), 및 제2 무기층(UIL)을 포함할 수 있다. 다만 이에 한정되지 않고, 봉지층(ECL)은 복수의 무기층들 및 유기층들을 더 포함할 수 있다.
제1 무기층(LIL)은 제2 전극(E2)을 커버할 수 있다. 제1 무기층(LIL)은 외부 수분이나 산소가 발광 소자(OD)에 침투하는 것을 방지할 수 있다. 예를 들어, 제1 무기층(LIL)은 실리콘 질화물, 실리콘 산화물, 또는 이들이 조합된 화합물을 포함할 수 있다. 제1 무기층(LIL)은 화학 기상 증착 공정을 통해 형성될 수 있다.
유기층(OEL)은 제1 무기층(LIL) 상에 배치되어 제1 무기층(LIL)에 접촉할 수 있다. 유기층(OEL)은 제1 무기층(LIL) 상에 평탄면을 제공할 수 있다. 제1 무기층(LIL) 상면에 형성된 굴곡이나 제1 무기층(LIL) 상에 존재하는 파티클(particle) 등은 유기층(OEL)에 의해 커버되어, 제1 무기층(LIL)의 상면의 표면 상태가 유기층(OEL) 상에 형성되는 구성들에 미치는 영향을 차단할 수 있다. 또한, 유기층(OEL)은 접촉하는 층들 사이의 응력을 완화시킬 수 있다. 유기층(OEL)은 유기물을 포함할 수 있고, 스핀 코팅, 슬릿 코팅, 잉크젯 공정과 같은 용액 공정을 통해 형성될 수 있다.
제2 무기층(UIL)은 유기층(OEL) 상에 배치되어 유기층(OEL)을 커버한다. 제2 무기층(UIL)은 제1 무기층(LIL) 상에 배치되는 것보다 상대적으로 평탄한 면에 안정적으로 형성될 수 있다. 제2 무기층(UIL)은 유기층(OEL)으로부터 방출되는 수분 등을 봉지하여 외부로 유입되는 것을 방지한다. 제2 무기층(UIL)은 실리콘 질화물, 실리콘 산화물, 또는 이들이 조합된 화합물을 포함할 수 있다. 제2 무기층(UIL)은 화학 기상 증착 공정을 통해 형성될 수 있다.
입력 감지층(ISL)은 표시 패널(DP) 상에 배치된다. 입력 감지층(ISL)은 복수의 도전 패턴들(CL1, CL2) 및 복수의 감지 절연층들(TIL1, TIL2)을 포함할 수 있다. 제1 도전 패턴(CL1)은 봉지층(ECL) 상에 배치될 수 있다. 제1 감지 절연층(TIL1)은 제1 도전 패턴(CL1)을 커버한다. 다만, 이에 한정되는 것은 아니며, 제1 도전 패턴(CL1)과 봉지층(ECL) 사이에 배치되는 추가 절연층(미도시)을 더 포함할 수 있으며, 이때, 제1 도전 패턴(CL1)은 봉지층(ECL) 상에 배치된 추가 절연층(미도시) 상에 배치될 수 있다.
제1 감지 절연층(TIL1)은 무기물 및/또는 유기물을 포함할 수 있다. 제2 도전 패턴(CL2)은 제1 감지 절연층(TIL1) 상에 배치될 수 있다. 제2 감지 절연층(TIL2)은 제2 도전 패턴(CL2)을 커버한다. 제2 감지 절연층(TIL2)은 제1 감지 절연층(TIL1)과 동일 물질을 포함할 수 있다.
제1 도전 패턴(CL1)과 제2 도전 패턴(CL2)은 입력 감지층(ISL)의 감지 전극을 형성할 수 있다. 일 제1 도전 패턴(CL1)과 일 제2 도전 패턴(CL2)은 제1 감지 절연층(TIL1)을 관통하여 서로 연결될 수 있다.
입력 감지층(ISL)은 예를 들어, 자기 정전 용량식(self-capacitance type) 또는 상호 정전 용량식(mutual capacitance type) 중 어느 한 방식에 의해 외부 입력을 감지할 수 있다. 제1 도전 패턴(CL1)과 제2 도전 패턴(CL2)은 방식에 부합하게 다양하게 변형되어 배치 및 연결될 수 있다.
본 발명에 따르면, 도전 패턴들(CL1, CL2)을 비발광 영역(NPXA)과 중첩되어 배치되고, 발광 영역들(PXA11, PXA22)과 이격되어 배치된다. 따라서, 도전 패턴들(CL1, CL2)이 표시 패널(DP) 상에 배치 되더라도 화소(PX)에서 생성된 광과의 간섭을 최소화 할 수 있다.
본 발명에 따르면, 광 투과 영역(TR1)은 복수의 투과 영역들(TZ1, TZ2)을 포함할 수 있다. 도 5b에는 예시적으로 2개의 투과 영역들(TZ1, TZ2)을 도시하였다. 광 투과 영역(TR1)은 화소(PX)의 구성들 중 제1 전극(E1) 및 발광 패턴(EL)이 미 배치되는 영역으로 정의될 수 있다.
투과 영역들(TZ1, TZ2)은 회로 소자층(DP-CL) 및 표시 소자층(DP-OL) 각각에 포함된 절연층들 중 일부가 관통되어 정의된 투과 개구부(T-OP)와 중첩할 수 있다.
예를 들어, 투과 개구부(T-OP)는 제1 투과 개구부(TO1) 및 제2 투과 개구부(TO2)를 포함할 수 있다. 제1 투과 개구부(TO1) 및 제2 투과 개구부(TO2)는 제3 방향(DR3)을 따라 정렬되어 형성될 수 있다.
제1 투과 개구부(TO1)는 제4 절연층(40)이 관통되어 정의될 수 있으며, 제2 투과 개구부(TO2)는 화소 정의막(50)이 관통되어 정의될 수 있다. 투과 영역들(TZ1, TZ2) 사이는 비발광 영역(NPXA)으로 정의될 수 있다. 투과 개구부(T-OP)는 봉지층(ECL)의 제1 무기층(LIL)에 의해 커버될 수 있다.
광 투과 영역(TR1)은 화소(PX)의 구성들 중 제1 전극(E1) 및 발광 패턴(EL)이 미 배치됨에 따라, 인접한 발광 영역(PA)에 비해 상대적으로 광 투과율이 높을 수 있다. 따라서, 본 발명에 따른 전자 모듈(SS)는 광 투과 영역(TR1)과 중첩할 수 있다.
도 6a는 도 4a에 도시된 제2 투과부(LT2)를 인접한 화소 그룹별로 도시한 확대도이다. 후술하는 설명은 도 4b에 도시된 제2 투과부(LT2-A)에도 동일하게 적용될 수 있다. 도 6b에 도시된 회로 소자층(DP-CL) 및 표시 소자층(DP-OL)은 도 5b의 회로 소자층(DP-CL) 및 표시 소자층(DP-OL)과 동일한 구성일 수 있다.
도 6a를 참조하면, 본 실시예서 제2 투과부(LT2)는 발광 영역들(PA) 및 반사 보상 영역들(TR2)을 포함할 수 있다. 발광 영역들(PA) 및 반사 보상 영역들(TR2)은 서로 교번하여 배열될 수 있다.
발광 영역들(PA) 각각은 대응되는 화소(PX)의 발광 패턴(EL) 및 제1 전극(E1)이 배치되는 영역으로 정의될 수 있으며, 반사 보상 영역들(TR2) 각각은 발광 패턴(EL)이 미 배치 되고 반사 보상 전극(ES)이 배치되는 영역으로 정의될 수 있다.
도 6b에는 예시적으로 2개의 화소들 각각에 대응되는 제3 발광 영역(PXA33) 및 제4 발광 영역(PXA44)을 도시하였다. 본 실시예에서 제3 발광 영역(PXA33)과 제4 발광 영역(PXA44)의 그룹은 도 6a에 도시된 발광 영역들(PA) 중 하나의 발광 영역(PA)에 대응되는 영역일 수 있다.
제2 투과부(LT2)는 제1 투과부(LT1)가 광 투과 영역(TR1)을 포함함에 따라, 인접한 영역들과의 반사율 차이로 인해 외부로 시인되는 문제를 방지하기 위한 것으로써, 제2 투과부(LT2)는 제1 투과부(LT1)보다 상대적으로 광 투과율이 낮으나, 제2 투과부(LT2)와 제1 표시 영역(RA1)의 반사율 차이는 제1 투과부(LT1)와 제1 표시 영역(RA1)의 반사율 차이 보다 작을 수 있다.
본 발명에 따르면, 반사 보상 영역(TR2)은 복수의 보상 영역들(EZ1, EZ2)을 포함할 수 있다. 도 6b에는 예시적으로 2개의 보상 영역들(EZ1, EZ2)을 도시하였다.
반사 보상 전극(ES)은 제4 절연층(40) 상에 배치되고, 표시 개구부(D-OP)에 의해 화소 정의막(50)으로부터 노출될 수 있다. 반사 보상 전극(ES)은 제1 무기층(LIL)에 의해 커버될 수 있다. 도시되지 않았으나, 제2 전극(E2)이 베이스 기판(BL)의 전 면상에 배치되는 경우, 반사 보상 전극(ES) 상에는 제2 전극(E2)이 배치될 수 있다.
반사 보상 전극(ES)은 제1 전극(E1)과 동일 공정에 의해 형성될 수 있다. 즉, 도전 물질 또는 금속을 제4 절연층(40) 상에 형성하고 제1 전극(E1)을 패터닝 하는 공정에서 반사 보상 전극(ES)이 형성될 수 있다. 따라서, 반사 보상 전극(ES)과 제1 전극(E1)은 동일층 상에 형성될 수 있으며, 동일 물질을 포함할 수 있다.
본 발명에서 설명의 편의를 위해 발광 영역(PA) 및 반사 보상 영역(TR2) 각각에 배치된 전극을 제1 전극(E1) 및 반사 보상 전극(ES)로 구분하여 설명하였으며, 반사 보상 영역(TR2)에 배치된 반사 보상 전극(ES)은 실질적으로 제1 전극(E1)과 동일한 구성일 수 있다.
다만, 반사 보상 영역(TR2)에 배치된 제1 전극(E1)은 발광 영역(PA)에 배치된 제1 전극(E1)과 달리, 트랜지스터(T1)과 연결되지 않는다. 따라서, 트랜지스터(T1)로부터 전달되는 신호는 반사 보상 영역(TR2)에 배치된 제1 전극(E1)에는 전달되지 않을 수 있다.
일 실시예에 따르면, 반사 보상 영역(TR2)에 배치된 제1 전극(E1) 즉, 반사 보상 전극(ES)은 플로팅된 제1 반사 보상 전극(ES1) 및 일정한 전압을 인가 받는 제2 반사 보상 전극(ES2) 중 어느 하나를 포함할 수 있다.
플로팅된 제1 반사 보상 전극(ES1)은 절연층들에 의해 인접한 도전층들과 전기적으로 절연된 패턴일 수 있다. 제2 반사 보상 전극(ES2)은 게이트 라인, 데이터 라인, 및 초기화 전압(Vint) 중 어느 하나와 동일한 전압을 인가 받을 수 있다.
본 발명에 따르면, 제2 투과부(LT2)는 발광 영역(PA)에 포함된 제1 전극(E1)과 동일 물질을 포함하는 반사 보상 전극(ES)을 포함함으로써, 표시 패널(DP) 중 발광 영역들(PA)로만 이루어진 영역과의 반사율 차이를 보상할 수 있다.
제2 투과부(LT2)는 제1 투과부(LT1)을 에워쌀 수 있다. 또한, 제2 투과부(LT2)는 제1 투과부(LT1)보다 큰 면적을 가질 수 있다. 따라서, 제2 투과부(LT2)는 제1 투과부(LT1)와 제1 표시 영역(RA1)의 반사율 차이를 보상함으로써, 제1 투과부(LT1)가 외부로 시인되는 문제를 방지할 수 있다.
도 7은 도 4a에 도시된 제1 표시 영역(RA1)을 인접한 화소 그룹별로 도시한 확대도이다. 후술하는 설명은 도 4b에 도시된 제1 표시 영역(RA1-A)을 에도 동일하게 적용될 수 있다.
본 발명에 따른 제1 표시 영역(RA1)은 발광 영역들(PA) 만으로 정의되는 영역일 수 있다. 발광 영역들(PA) 각각은 화소(PX)에 포함된 제1 전극(E1) 및 발광 패턴(EL)이 배치되는 영역으로 정의될 수 있다. 발광 영역들(PA)은 도 5b 및 도 6b에 도시된 발광 영역들(PA)과 동일한 구성을 포함할 수 있다.
본 발명에 따르면, 전자 모듈(SS)은 광 투과 영역들(TR1)과 중첩하고, 반사 보상 영역(TR2)과 비 중첩 할 수 있다.
본 발명에 따르면, 단위 면적당 발광 패턴들(EL)은 제1 표시 영역(RA1)보다 상기 제2 표시 영역(RA2)에 적게 배치되고, 단위 면적당 발광 패턴들(EL)은 제1 투과부(LT1)와 제2 투과부(LT2)에 동일하게 배치될 수 있다.
본 발명에 따르면, 표시 패널(DP) 중 전자 모듈(SS)과 중첩하는 영역은 발광 영역들(PA)과 광 투과 영역들(TR1)을 포함하는 제1 투과부(LT1)을 포함함에 따라, 전자 모듈(SS)의 성능이 향상될 수 있다. 또한, 제1 투과부(LT1)를 에워싸고, 발광 영역들(PA)과 반사 보상 영역들(TR2)을 포함하는 제2 투과부(LT2)을 포함함에 따라, 발광 영역들(PA)로만 이루어진 제1 표시 영역(RA1)과 제1 투과부(LT1)의 반사율 차이를 보상함으로써, 시인성이 개선된 전자 장치를 제공할 수 있다.
도 8a 내지 도 8f는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 패널의 일부 영역을 확대한 확대도들이다. 도 1 내지 도 7과 동일/유사한 구성에 대해 동일/유사한 참조 부호를 사용하며, 중복된 설명은 생략한다.
본 발명에 따르면, 발광 영역들(PA, 도 5a, 6a, 7)에 배치된 발광 패턴들(EL) 및 제1 전극(E1)은 기준 배열로 배치될 수 있다. 발광 영역들(PA)에 제1 전극(E1)의 기준 배열 형상은 반사 보상 영역들(TR2)에 배치된 반사 보상 전극(ES)의 배열 형상과 동일할 수 있다. 따라서, 발광 영역들(PA)과 반사 보상 영역들(TR2)에 배치된 전극은 동일한 배열을 가짐으로써, 시인성이 개선될 수 있다.
이하, 도 8a 내지 도 8f에 도시된 표시 영역들의 배열에 관한 형상은, 반사 보상 영역들 각각에 배치된 반사 보상 전극의 형상과 대응될 수 있다.
도 8a를 참조하면, 단위 면적을 정의하는 일 발광 영역(PA-1)은 제1 발광 영역(PXA1), 제2 발광 영역(PXA2), 및 제3 발광 영역(PXA3)을 포함할 수 있다.
각각의 발광 영역(PXA1, PXA2, PXA3)은 서로 다른 광을 생성할 수 있다.
제1 발광 영역(PXA1), 제2 발광 영역(PXA2), 및 제3 발광 영역(PXA3)은 소정의 방향을 따라 일렬로 배열될 수 있다. 제1 발광 영역(PXA1), 제2 발광 영역(PXA2), 및 제3 발광 영역(PXA3)의 면적은 서로 동일할 수도 있으며, 사각 형상 예를 들어, 직 사각 형상을 가질 수 있다.
도 8b를 참조하면, 단위 면적을 정의하는 일 발광 영역(PA-2)은 제1 발광 영역(PXA1), 제2 발광 영역(PXA2), 및 제3 발광 영역(PXA3)을 포함할 수 있다. 제1 발광 영역(PXA1), 제2 발광 영역(PXA2), 및 제3 발광 영역(PXA3) 각각은 직사각 형상을 가질 수 있다. 제1 발광 영역(PXA1) 및 제2 발광 영역(PXA2)은 가로 방향으로 연장되고, 제3 발광 영역(PXA3)은 세로 연장될 수 있다. 제1 발광 영역(PXA1) 및 제2 발광 영역(PXA2)은 세로 방향을 따라 배열되고, 제3 발광 영역(PXA3)은 제1 발광 영역(PXA1) 및 제2 발광 영역(PXA2)과 사로 방향을 따라 배열될 수 있다.
도 8a 및 도 8b 각각에서는 하나의 발광 영역(PA-1, PA-2)이 3 개의 발광 영역들을 포함한 것을 예로 들어 도시하였으나, 본 발명이 이에 제한되는 것은 아니다. 예를 들어, 하나의 발광 영역(PA-1, PA-2)은 하나의 발광 영역, 두 개의 발광 영역들, 또는 4 개 이상의 발광 영역들을 포함할 수도 있다.
도 8c를 참조하면, 단위 면적을 정의하는 일 발광 영역(PA-3)은 제1 발광 영역(PXA1p), 제2 발광 영역(PXA2p), 및 제3 발광 영역(PXA3p)을 포함할 수 있다. 제1 발광 영역(PXA1p), 제2 발광 영역(PXA2p), 및 제3 발광 영역(PXA3p) 각각은 마름모 형상을 가질 수 있다. 제1 발광 영역(PXA1p), 제2 발광 영역(PXA2p), 및 제3 발광 영역(PXA3p)은 서로 다른 면적을 가질 수 있다. 제1 발광 영역(PXA1p)은 제1 면적을 갖고, 제2 발광 영역(PXA2p)은 제2 면적을 갖고, 및 제3 발광 영역(PXA3p)은 제3 면적을 가질 수 있다. 상기 제1 면적은 상기 제1 면적보다 크고, 상기 제3 면적은 상기 제2 면적보다 클 수 있다. 도 8c와 같은 배열 형태는 펜-타일(Pen-Tile) 형태로 지칭될 수 있다.
도 8d를 참조하면, 단위 면적을 정의하는 일 발광 영역(PA-4)은 도 8c와 비교하였을 때 제3 발광 영역(PXA3p)을 하나 더 포함할 수 있다.
도 8e를 참조하면, 단위 면적을 정의하는 일 발광 영역(PA-5)은 제3 발광 영역(PXA3p)을 포함하지 않을 수 있다.
도 8f를 참조하면, 단위 면적을 정의하는 일 발광 영역(PA-6)은 제1 발광 영역(PXA1p)을 포함하지 않을 수 있다.
본 발명에 따르면, 도 5b에 도시된 하나의 발광 영역(PA)은 상술한 일 발광 영역들(PA-1 내지 PA-6) 중 어느 하나가 제공되는 영역으로 정의될 수 있다. 다만, 이에 한정되는 것은 아니며, 발광 영역(PA)은 일 발광 영역들(PA-1 내지 PA-6) 중 어느 하나가 복수로 제공되는 영역으로 정의될 수 있으며, 어느 하나로 한정되지 않는다.
이상에서는 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자 또는 해당 기술 분야에 통상의 지식을 갖는 자라면, 후술될 특허청구범위에 기재된 본 발명의 사상 및 기술 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.
따라서, 본 발명의 기술적 범위는 명세서의 상세한 설명에 기재된 내용으로 한정되는 것이 아니라 특허청구범위에 의해 정하여져야만 할 것이다.
EA: 전자 장치
WP: 윈도우 패널
HU: 하우징
RPP: 반사 방지 패널
DM: 표시 모듈
SS: 전자 모듈
DP: 표시 패널
ISL: 입력 감지층
PX: 화소
RA1: 제1 표시 영역
RA2: 제2 표시 영역
LT1: 제1 투과부
LT2: 제2 투과부
TR1: 광 투과 영역
TR2: 반사 보상 영역
PA: 발광 영역
ES: 반사 보상 전극

Claims (20)

  1. 복수의 트랜지스터들을 포함하는 회로 소자층, 및 상기 트랜지스터들 각각에 연결된 제1 전극들, 상기 제1 전극들 상에 배치된 제2 전극, 상기 제1 전극들 중 대응되는 제1 전극 상에 배치된 복수의 발광 패턴들, 및 상기 제1 전극들과 이격된 반사 보상 전극을 포함하는 표시 소자층을 포함하는 표시 패널; 및
    상기 표시 패널 하부에 배치된 전자 모듈을 포함하고,
    상기 표시 패널은,
    상기 발광 패턴들 및 상기 제1 전극들이 배치된 발광 영역들, 상기 발광 패턴들과 이격되고 상기 회로 소자층 및 상기 표시 소자층 중 일부가 관통되어 정의된 투과 개구부들이 배치되는 광 투과 영역들, 및 상기 반사 보상 전극이 배치된 반사 보상 영역들로 구분되고,
    상기 전자 모듈은,
    평면 상에서 상기 광 투과 영역들과 중첩하고 상기 반사 보상 영역들과 비-중첩하는 전자 장치.
  2. 제1 항에 있어서,
    상기 표시 패널은,
    상기 발광 영역들이, 서로 교차하는 제1 방향 및 제2 방향으로 배열된 제1 표시 영역; 및
    상기 발광 영역들과 상기 광 투과 영역들을 포함하는 제1 투과부, 및 상기 발광 영역들과 상기 반사 보상 영역들을 포함하는 제2 투과부를 포함하는 제2 표시 영역으로 정의되고,
    상기 전자 모듈은,
    상기 제1 투과부와 중첩하는 것을 특징으로 하는 전자 장치.
  3. 제2 항에 있어서,
    단위 면적당 상기 발광 패턴들은, 상기 제1 표시 영역보다 상기 제2 표시 영역이 적게 배치되는 것을 특징으로 하는 전자 장치.
  4. 제2 항에 있어서,
    단위 면적당 상기 발광 패턴들은, 상기 제1 투과부와 상기 제2 투과부에 동일하게 배치되는 것을 특징으로 하는 전자 장치.
  5. 제2 항에 있어서,
    상기 제2 투과부는 상기 제1 방향을 따라 연장되고, 상기 제1 표시 영역 및 상기 제2 표시 영역은 상기 제2 방향을 따라 배열된 것을 특징으로 하는 전자 장치.
  6. 제1 항에 있어서,
    상기 회로 소자층은,
    복수의 절연층들을 포함하고,
    상기 제1 전극들 및 상기 반사 보상 전극은,
    상기 절연층들 중 상기 표시 소자층과 가장 인접한 절연층 상에 배치되는 것을 특징으로 하는 전자 장치.
  7. 제1 항에 있어서,
    상기 표시 소자층은,
    복수의 개구부들이 정의된 화소 정의막을 포함하고,
    상기 제1 전극들 및 상기 반사 보상 전극은,
    상기 개구부들에 의해 상기 화소 정의막으로부터 노출되는 것을 특징으로 하는 전자 장치.
  8. 제1 항에 있어서,
    상기 반사 보상 전극은,
    상기 제1 전극들과 동일 물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 전자 장치.
  9. 제1 항에 있어서,
    상기 트랜지스터들 각각은,
    반도체층, 상기 반도체층 상에 절연되어 배치된 제어 전극, 상기 제어 전극과 절연되고 서로 이격되어 상기 반도체층 각각에 연결된 입력 전극 및 출력 전극을 포함하고,
    상기 반사 보상 전극은,
    상기 제어 전극, 입력 전극, 및 출력 전극 중 어느 하나와 동일 전압을 인가 받는 것을 특징으로 하는 전자 장치.
  10. 제2 항에 있어서,
    상기 제2 투과부는 상기 제1 투과부에 비해 큰 면적을 갖는 것을 특징으로 하는 전자 장치.
  11. 제1 항에 있어서,
    상기 전자 모듈은,
    음향출력 모듈, 발광 모듈, 수광 모듈, 및 카메라 모듈 중 적어도 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 전자 장치.
  12. 각각이 제1 전극, 상기 제1 전극 상에 배치된 제2 전극, 및 상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이에 배치된 발광 패턴을 포함하는 복수의 발광 소자들을 포함하는 표시 패널; 및
    상기 표시 패널 하부에 배치된 전자 모듈을 포함하고,
    상기 표시 패널은,
    상기 발광 패턴들 및 상기 제1 전극들이 기준 배열로 배치된 발광 영역들을 포함하는 제1 표시 영역, 및 상기 전자 모듈과 중첩하는 제1 투과부와 상기 제1 투과부를 에워 싸는 제2 투과부를 포함하는 제2 표시 영역으로 정의되고,
    상기 제1 투과부는,
    상기 발광 영역들, 및 상기 발광 패턴들과 상기 제1 전극들이 미 배치된 광 투과 영역들을 포함하고,
    상기 제2 투과부는,
    상기 발광 영역들, 및 상기 발광 패턴들이 미 배치 되고 상기 제1 전극들이 배열된 반사 보상 영역들을 포함하고,
    상기 전자 모듈은,
    상기 제1 투과부와 중첩하고,
    상기 반사 보상 영역들 내에 배치된 상기 제1 전극들은 상기 발광 영역들 내에 배치된 상기 제1 전극들과 평면 상에서 동일한 배열 형상을 갖는 전자 장치.
  13. 제12 항에 있어서,
    단위 면적당 상기 발광 패턴들은, 상기 제1 표시 영역보다 상기 제2 표시 영역이 적게 배치되는 것을 특징으로 하는 전자 장치.
  14. 제13 항에 있어서,
    단위 면적당 상기 발광 패턴들은, 상기 제1 투과부와 상기 제2 투과부에 동일하게 배치되는 것을 특징으로 하는 전자 장치.
  15. 제14 항에 있어서,
    상기 발광 영역들 각각은,
    각각이 서로 다른 광을 생성하는 제1 발광 영역, 제2 발광 영역, 및 제3 발광 영역 중 적어도 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 전자 장치.
  16. 제15 항에 있어서,
    상기 제1 내지 제3 발광 영역들 중 적어도 두 개의 발광 영역들은 소정의 일 방향을 따라 배열된 것을 특징으로 하는 전자 장치.
  17. 제15 항에 있어서,
    상기 제1 내지 제3 발광 영역들 중 적어도 두 개의 발광 영역들은 서로 상이한 면적을 갖는 것을 특징으로 하는 전자 장치.
  18. 제15 항에 있어서,
    상기 발광 영역들 중 적어도 어느 하나는,
    상기 제1 내지 제3 발광 영역들과 동일 광을 생성하는 발광 영역이 중복되어 배치되는 것을 특징으로 하는 전자 장치.
  19. 제12 항에 있어서,
    상기 제2 투과부는 상기 제1 투과부에 비해 큰 면적을 갖는 것을 특징으로 하는 전자 장치.
  20. 제12 항에 있어서,
    상기 전자 모듈은,
    음향출력 모듈, 발광 모듈, 수광 모듈, 및 카메라 모듈 중 적어도 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 전자 장치.

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