[go: up one dir, main page]

RU2312176C2 - Подложка для эпитаксии (варианты) - Google Patents

Подложка для эпитаксии (варианты) Download PDF

Info

Publication number
RU2312176C2
RU2312176C2 RU2004116073/15A RU2004116073A RU2312176C2 RU 2312176 C2 RU2312176 C2 RU 2312176C2 RU 2004116073/15 A RU2004116073/15 A RU 2004116073/15A RU 2004116073 A RU2004116073 A RU 2004116073A RU 2312176 C2 RU2312176 C2 RU 2312176C2
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
nitride
single crystal
gallium
crystal
bulk
Prior art date
Application number
RU2004116073/15A
Other languages
English (en)
Other versions
RU2004116073A (ru
Inventor
Роберт ДВИЛИНСКИ (PL)
Роберт Двилински
Роман ДОРАДЗИНСКИ (PL)
Роман Дорадзински
Ежи ГАРШИНСКИ (PL)
Ежи Гаршински
Лешек П. СЕШПУТОВСКИ (PL)
Лешек П. Сешпутовски
Ясуо КАНБАРА (JP)
Ясуо Канбара
Original Assignee
АММОНО Сп. з о.о
Нития Корпорейшн
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority claimed from PL35037501A external-priority patent/PL350375A1/xx
Priority claimed from PL354740A external-priority patent/PL205838B1/pl
Application filed by АММОНО Сп. з о.о, Нития Корпорейшн filed Critical АММОНО Сп. з о.о
Publication of RU2004116073A publication Critical patent/RU2004116073A/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU2312176C2 publication Critical patent/RU2312176C2/ru

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
    • C30B29/10—Inorganic compounds or compositions
    • C30B29/38—Nitrides
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
    • C30B29/10—Inorganic compounds or compositions
    • C30B29/40—AIIIBV compounds wherein A is B, Al, Ga, In or Tl and B is N, P, As, Sb or Bi
    • C30B29/403—AIII-nitrides
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
    • C30B29/10—Inorganic compounds or compositions
    • C30B29/40—AIIIBV compounds wherein A is B, Al, Ga, In or Tl and B is N, P, As, Sb or Bi
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
    • C30B29/10—Inorganic compounds or compositions
    • C30B29/40—AIIIBV compounds wherein A is B, Al, Ga, In or Tl and B is N, P, As, Sb or Bi
    • C30B29/403—AIII-nitrides
    • C30B29/406—Gallium nitride
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B7/00—Single-crystal growth from solutions using solvents which are liquid at normal temperature, e.g. aqueous solutions
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B7/00—Single-crystal growth from solutions using solvents which are liquid at normal temperature, e.g. aqueous solutions
    • C30B7/10—Single-crystal growth from solutions using solvents which are liquid at normal temperature, e.g. aqueous solutions by application of pressure, e.g. hydrothermal processes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/028—Coatings ; Treatment of the laser facets, e.g. etching, passivation layers or reflecting layers
    • H01S5/0281—Coatings made of semiconductor materials
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/30—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region
    • H01S5/32—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising PN junctions, e.g. hetero- or double- heterostructures
    • H01S5/323—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising PN junctions, e.g. hetero- or double- heterostructures in AIIIBV compounds, e.g. AlGaAs-laser, InP-based laser
    • H01S5/32308—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising PN junctions, e.g. hetero- or double- heterostructures in AIIIBV compounds, e.g. AlGaAs-laser, InP-based laser emitting light at a wavelength less than 900 nm
    • H01S5/32341—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising PN junctions, e.g. hetero- or double- heterostructures in AIIIBV compounds, e.g. AlGaAs-laser, InP-based laser emitting light at a wavelength less than 900 nm blue laser based on GaN or GaP

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
  • Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
  • Recrystallisation Techniques (AREA)
  • Semiconductor Lasers (AREA)

Abstract

Изобретение относится к объемному монокристаллу нитрида, в частности предназначенному для использования в качестве подложки для эпитаксии, пригодной для использования в оптоэлектронике для производства оптоэлектронных полупроводниковых устройств на основе нитридов, в частности для изготовления полупроводниковых лазерных диодов и лазерных устройств. В изобретении раскрыт объемный монокристалл нитрида, который представляет собой монокристалл нитрида галлия, и его поперечное сечение в плоскости, перпендикулярной с-оси гексагональной кристаллической решетки нитрида галлия, имеет площадь поверхности больше 100 мм2, его толщина больше 1,0 мкм и его плотность поверхностных дислокаций в плоскости С меньше 106 /см2, в то время как его объем достаточен для получения, по меньшей мере, одной, пригодной для дальнейшей обработки пластины с плоскостью А или плоскостью М, имеющей площадь поверхности, по меньшей мере, 100 мм2. В более общем случае изобретение раскрывает объемный монокристалл нитрида, который представляет собой монокристалл нитрида, содержащего галлий, и его поперечное сечение в плоскости, перпендикулярной с-оси гексагональной кристаллической решетки нитрида, содержащего галлий, имеет площадь поверхности больше 100 мм2, его толщина больше 1,0 мкм и его плотность поверхностных дислокаций меньше 106 /см2. Вышеуказанные объемные монокристаллы нитрида, содержащего галлий, кристаллизуются с использованием способа, включающего растворение исходного материала, содержащего галлий, в сверхкритическом растворителе и кристаллизацию нитрида галлия на поверхности затравочного кристалла, при температуре выше и/или давлении ниже, чем используют в процессе растворения. Полученные объемные монокристаллы имеют плотность дислокации менее 106 /см2, что говорит об их высоком качестве. 5 н. и 43 з.п. ф-лы, 20 ил.

Description

Текст описания приведен в факсимильном виде.
Figure 00000001
Figure 00000002
Figure 00000004
Figure 00000005
Figure 00000006
Figure 00000007
Figure 00000008
Figure 00000009
Figure 00000010
Figure 00000011
Figure 00000012
Figure 00000013
Figure 00000014
Figure 00000015
Figure 00000016
Figure 00000017
Figure 00000018
Figure 00000019
Figure 00000020
Figure 00000021
Figure 00000022
Figure 00000023
Figure 00000024
Figure 00000025
Figure 00000026
Figure 00000027
Figure 00000028
Figure 00000029
Figure 00000030
Figure 00000031
Figure 00000032

Claims (48)

1. Объемный монокристалл нитрида галлия в качестве подложки для эпитаксии, отличающийся тем, что его поперечное сечение в плоскости, перпендикулярной с-оси гексагональной кристаллической решетки нитрида галлия, имеет площадь поверхности больше 100 мм2, его толщина больше 1,0 мкм и его плотность поверхностных дислокации плоскости С меньше 106 /см2, в то время как его объем достаточен для получения, по меньшей мере, одной пригодной для дальнейшей обработки пластины с плоскостью А или плоскостью М, имеющей площадь поверхности, предпочтительно, по меньшей мере, 100 мм2.
2. Объемный монокристалл нитрида галлия по п.1, отличающийся тем, что он также содержит любой из элементов группы 1 согласно ИЮПАК, 1989.
3. Объемный монокристалл нитрида галлия по п.1, отличающийся тем, что он также содержит такие элементы, как Ti, Fe, Co, Cr и Ni.
4. Объемный монокристалл нитрида галлия по п.1, отличающийся тем, что он дополнительно содержит донорные и/или акцепторные и/или магнитные легирующие примеси в концентрациях от 1017 до 1021 /см3.
5. Объемный монокристалл нитрида галлия по п.1, отличающийся тем, что он кристаллизуется на поверхности затравочного кристалла.
6. Объемный монокристалл нитрида галлия по п.5, отличающийся тем, что затравочный кристалл является затравочным кристаллом нитрида галлия.
7. Объемный монокристалл нитрида галлия по п.1, отличающийся тем, что значение его плотности поверхностных дислокации на стороне, завершающейся азотом, близко к 104 /см2, и одновременно значение полной ширины на уровне полумаксимума (ПШПМ) кривой качания рентгеновских лучей близко к 60 угловым с.
8. Объемный монокристалл нитрида галлия по п.1, отличающийся тем, что выращен на затравочном кристалле, не имеющем существенного наклона оси кристалла, с использованием сверхкритического растворителя NH3, содержащего комплексные соединения галлия.
9. Объемный монокристалл нитрида галлия по п.1, отличающийся тем, что он пригоден для эпитаксиального выращивания слоев нитридного полупроводника.
10. Объемный монокристалл нитрида галлия по п.8, отличающийся тем, что затравочный кристалл имеет форму плоской пластины с двумя параллельными сторонами, перпендикулярными с-оси гексагональной кристаллической решетки нитрида галлия, в то время как объемный монокристалл нитрида галлия кристаллизуется только на стороне (0010), завершающейся азотом, затравочного кристалла, при этом сторона (0001), завершающаяся галлием, блокирована для предотвращения на ней роста монокристалла нитрида галлия.
11. Объемный монокристалл нитрида галлия по п.5, отличающийся тем, что затравочный кристалл представляет собой гетерозатравочный кристалл, сформированный из сапфира, карбида кремния или подобного материала, с верхним буферным слоем из нитрида, по меньшей мере, на его с-плоскости, состоящей, по существу, из нитрида галлия, и объемный монокристалл нитрида галлия кристаллизуется на буферном слое, в то время как, по меньшей мере, одна, предпочтительно, все остальные поверхности гетерозатравочного кристалла покрыты защитным маскирующим слоем.
12. Объемный монокристалл нитрида галлия по п.5, отличающийся тем, что он кристаллизуется на множестве поверхностей, пригодных для поперечного роста нитрида галлия, причем эти поверхности разнесены друг от друга, и остальные поверхности затравочного кристалла покрыты защитным маскирующим слоем.
13. Объемный монокристалл нитрида галлия по пп.1 и 2, отличающийся тем, что его получают путем растворения соответствующего исходного галлий содержащего материала в сверхкритическом растворителе, а также элементов - металлов группы XIII согласно ИЮПАК, 1989 с перенасыщением сверхкритического раствора по отношению к требуемому нитриду, содержащему галлий, которое достигается с помощью градиента температуры и/или изменения давления, и кристаллизации требуемого нитрида галлия, на поверхности затравочного кристалла при температуре выше и/или давлении ниже, чем используют в процессе растворения.
14. Объемный монокристалл нитрида галлия по п.8, отличающийся тем, что сверхкритический растворитель содержит NH3 и/или его производные, и содержит ионы элементов группы I согласно ИЮПАК, 1989, по меньшей мере, ионы калия или натрия, исходный материал состоит, по существу из нитрида, содержащего галлий, и/или его предшественников, выбранных из группы, состоящей из азидов, имидов, амидо-имидов, амидов, гидридов, соединений и сплавов металлов, содержащих галлий, а также элементов - металлов из группы XIII согласно ИЮПАК, 1989, в частности, металлического галлия.
15. Объемный монокристалл нитрида галлия по п.13, отличающийся тем, что в процессе его получения происходит кристаллизация нитрида галлия в автоклаве при температурах от 100 до 800°С и под давлением в диапазоне от 10 до 1000 МПа, и при молярном соотношении ионов элементов группы I согласно ИЮПАК, 1989, к остальным компонентам сверхкритического растворителя в диапазоне от 1:200 до 1:2.
16. Объемный монокристалл нитрида галлия по п.14, отличающийся тем, что в качестве источника ионов элементов группы I согласно ИЮПАК, 1989 используют щелочные металлы или соединения щелочных металлов, за исключением тех, которые содержат галогены.
17. Объемный монокристалл нитрида галлия по п.8, отличающийся тем, что его кристаллизацией управляют путем регулирования температуры и давления на этапе растворения и температуры и давления на этапе кристаллизации.
18. Объемный монокристалл нитрида галлия по п.13, отличающийся тем, что он кристаллизуется при температуре в диапазоне от 400 до 600°С.
19. Объемный монокристалл нитрида галлия по п.10, отличающийся тем, что он кристаллизуется в автоклаве с двумя разделенными зонами, зоной растворения и зоной кристаллизации, и разность температур между этими двумя зонами в ходе кристаллизации не превышает 150°С, предпочтительно, не больше, чем 100°С.
20. Объемный монокристалл нитрида галлия по п.19, отличающийся тем, что он кристаллизуется в условиях управления перенасыщением сверхкритического раствора в зоне кристаллизации автоклава с двумя разделенными зонами, и при поддержании заданной разности температур между этими двумя зонами путем использования перегородки или перегородок, разделяющих эти две зоны, для управления массовым переносом между этими двумя зонами.
21. Объемный монокристалл нитрида галлия по п.19 или 20, отличающийся тем, что управление перенасыщением сверхкритического раствора в зоне кристаллизации автоклава с двумя разделенными зонами и заданной разностью температур между этими двумя зонами обеспечивают путем использования исходного материала, содержащего галлий, в виде соответствующих кристаллов нитрида, имеющих большую общую площадь поверхности, чем общая площадь поверхности используемых затравочных кристаллов.
22. Объемный монокристалл нитрида, содержащего галлий, отличающийся тем, что его поперечное сечение в плоскости, перпендикулярной с-оси гексагональной кристаллической решетки нитрида, содержащего галлий, имеет площадь поверхности больше 100 мм2, его толщина больше 1,0 мкм, и его плотность поверхностных дислокации меньше 106 /см2.
23. Объемный монокристалл нитрида по п.22, отличающийся тем, что он является практически плоским и имеет кривизну меньше 20 мкм.
24. Объемный монокристалл нитрида по п.22, отличающийся тем, что он имеет высокое значение, больше, чем 105 Ом/см2 удельного поверхностного сопротивления.
25. Объемный монокристалл нитрида по любому из предыдущих пп.22-24, отличающийся тем, что его толщина составляет, по меньшей мере, 100 мкм.
26. Объемный монокристалл нитрида по п.25, отличающийся тем, что его объем достаточен для получения, по меньшей мере, одной пригодной для дальнейшей обработки пластины с плоскостью А или плоскостью М, имеющей площадь поверхности, по меньшей мере, 100 мм2.
27. Объемный монокристалл нитрида по любому из предыдущих пп.22-24, отличающийся тем, что он имеет площадь поверхности больше, чем 2 см2, предпочтительно больше, чем 5 см2, в виде плоской пластины, перпендикулярной с-оси его гексагональной кристаллической решетки.
28. Объемный монокристалл нитрида по любому из предыдущих пп.22-24, отличающийся тем, что он также содержит элементы группы I согласно ИЮПАК, 1989.
29. Объемный монокристалл нитрида по любому из предыдущих пп.22-24, отличающийся тем, что он также содержит такие элементы, как Ti, Fe, Co, Cr и Ni.
30. Объемный монокристалл нитрида по любому из предыдущих пп.22-24, отличающийся тем, что он дополнительно содержит донорные и/или акцепторные и/или магнитные легирующие примеси в концентрациях от 1017 до 1021 /см3.
31. Объемный монокристалл нитрида по п.22, отличающийся тем, что он кристаллизуется на поверхности затравочного кристалла.
32. Объемный монокристалл нитрида по п.31, отличающийся тем, что затравочный кристалл является затравочным кристаллом нитрида, содержащего галлий.
33. Объемный монокристалл нитрида по п.32, отличающийся тем, что затравочный кристалл имеет такой же состав, что и объемный монокристалл нитрида и является гомозатравочным кристаллом.
34. Объемный монокристалл нитрида по п.33, отличающийся тем, что, как затравочный кристалл, так и объемный монокристалл нитрида состоят, по существу, из нитрида галлия.
35. Объемный монокристалл нитрида по п.31, отличающийся тем, что затравочный кристалл представляет собой гетерозатравочный кристалл, приготовленный из сапфира, карбида кремния или подобного материала, с верхним буферным слоем из нитрида, по меньшей мере, на одной его стороне, и объемный монокристалл нитрида кристаллизуется на буферном слое, в то время как, по меньшей мере, одна, предпочтительно, все остальные поверхности гетеро-затравочного кристалла покрыты защитным маскирующим слоем.
36. Объемный монокристалл нитрида по п.35, отличающийся тем, что верхний буферный слой из нитрида и объемный монокристалл нитрида, кристаллизующийся на буферном слое, по существу, состоят из нитрида галлия.
37. Объемный монокристалл нитрида по п.31, отличающийся тем, что он кристаллизуется на множестве поверхностей, пригодных для поперечного выращивания нитрида, причем эти поверхности отделены друг от друга, и остальные поверхности затравочного кристалла покрыты защитным маскирующим слоем.
38. Объемный монокристалл нитрида по п.37, отличающийся тем, что он кристаллизуется на гомозатравочном кристалле в виде пластины с двумя параллельными плоскостями, по существу, перпендикулярными с-оси его гексагональной кристаллической решетки, и объемный монокристалл кристаллизуются на всех поверхностях затравочного кристалла.
39. Объемный монокристалл нитрида по п.38, отличающийся тем, что, затравочный кристалл и объемный монокристалл нитрида состоят, по существу, из нитрида галлия, и затравочный кристалл имеет форму плоской пластины с двумя параллельными сторонами (0001) и (0010), перпендикулярными с-оси гексагональной кристаллической решетки нитрида, содержащего галлий, в то время как два объемных монокристалла нитрида галлия кристаллизуются на обеих таких сторонах затравочного кристалла.
40. Объемный монокристалл нитрида по п.39, отличающийся тем, что он кристаллизуется на затравочном кристалле, одна из сторон (0001) или (0010) которого, перпендикулярная с-оси гексагональной кристаллической решетки нитрида, содержащего галлий, закрыта металлической пластиной, изготовленной, предпочтительно, из серебра.
41. Объемный монокристалл нитрида по п.39, отличающийся тем, что он кристаллизуется на затравочном кристалле, одна из сторон (0001) или (0010) которого, перпендикулярная с-оси гексагональной кристаллической решетки нитрида, содержащего галлий, покрыта слоем металла, предпочтительно, серебра.
42. Объемный монокристалл нитрида по п.39, отличающийся тем, что он кристаллизуется на затравочном кристалле, одна из сторон (0001) или (0010) которого, перпендикулярная с-оси гексагональной кристаллической решетки нитрида, содержащего галлий, блокирована путем установки на этой плоскости второго затравочного кристалла такого же размера, так, что у него та же сторона (0001) или (0010), обращена к соответствующей блокируемой стороне первого затравочного кристалла.
43. Объемный монокристалл нитрида по п.40, отличающийся тем, что он кристаллизуется только на стороне (0010), завершающейся азотом, затравочного кристалла.
44. Объемный монокристалл нитрида по п.43, отличающийся тем, что значение его плотности поверхностных дислокации на стороне, завершающейся азотом, близко к 104 /см2, и одновременно значение ПШПМ кривой качания рентгеновских лучей близко к 60 угловым секундам.
45. Объемный монокристалл нитрида, выращенный в направлении, параллельном с-оси гексагональной кристаллической решетки затравочного кристалла нитрида галлия в сверхкритическом NH3, содержащем комплексные соединения галлия, при молярном соотношении Ga:NH3 большем 1:50, для получения толщины, достаточной для формирования, по меньшей мере, одной, пригодной для дальнейшей обработки подложки из нитрида галлия с плоскостью А или плоскостью М.
46. Подложка для эпитаксии на основе объемного монокристалла нитрида, отличающаяся тем, что она получена из объемного монокристалла нитрида галлия по пп.1-21 или объемного монокристалла нитрида по пп.22-44 и имеет форму с-ориентированного объемного монокристалла GaN диаметром 5,08 см.
47. Подложка для эпитаксии по п.46, отличающаяся тем, что она имеет форму пластины из монокристалла нитрида, содержащего галлий, с плоскостью А или плоскостью М, имеющей площадь поверхности, пригодной для дальнейшей обработки, по меньшей мере, 100 мм2.
48. Подложка для эпитаксии по п.46, отличающаяся тем, что она имеет форму пластины из монокристалла GaN с плоскостью А или плоскостью М, имеющей площадь поверхности, пригодной для дальнейшей обработки, по меньшей мере, 100 мм.
RU2004116073/15A 2001-10-26 2002-10-25 Подложка для эпитаксии (варианты) RU2312176C2 (ru)

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PLP-350375 2001-10-26
PL35037501A PL350375A1 (en) 2001-10-26 2001-10-26 Epitaxial layer substrate
PLP-354740 2002-06-26
PL354740A PL205838B1 (pl) 2002-06-26 2002-06-26 Podłoże do epitaksji

Publications (2)

Publication Number Publication Date
RU2004116073A RU2004116073A (ru) 2005-04-10
RU2312176C2 true RU2312176C2 (ru) 2007-12-10

Family

ID=26653409

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2004116073/15A RU2312176C2 (ru) 2001-10-26 2002-10-25 Подложка для эпитаксии (варианты)

Country Status (17)

Country Link
US (2) US7132730B2 (ru)
EP (1) EP1442162B1 (ru)
JP (2) JP4693351B2 (ru)
KR (1) KR100904501B1 (ru)
CN (1) CN1316070C (ru)
AT (1) ATE452999T1 (ru)
AU (1) AU2002347692C1 (ru)
CA (1) CA2464083C (ru)
DE (1) DE60234856D1 (ru)
HU (1) HUP0401882A3 (ru)
IL (2) IL161420A0 (ru)
NO (1) NO20042119L (ru)
PL (1) PL225235B1 (ru)
RU (1) RU2312176C2 (ru)
TW (1) TWI231321B (ru)
UA (1) UA82180C2 (ru)
WO (1) WO2003035945A2 (ru)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2485221C2 (ru) * 2008-12-24 2013-06-20 Сэн-Гобэн Кристо & Детектёр Монокристалл нитрида, способ его изготовления и используемая в нем подложка

Families Citing this family (184)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6677619B1 (en) * 1997-01-09 2004-01-13 Nichia Chemical Industries, Ltd. Nitride semiconductor device
EP1770189B1 (en) * 2001-06-06 2013-07-10 Ammono S.A. Apparatus for obtaining bulk monocrystalline gallium-containing nitride
WO2003036771A1 (fr) * 2001-10-26 2003-05-01 Ammono Sp.Zo.O. Laser a semi-conducteurs a base de nitrure et procede de production de ce laser
CA2464083C (en) * 2001-10-26 2011-08-02 Ammono Sp. Z O.O. Substrate for epitaxy
AU2003230876A1 (en) * 2002-04-15 2003-11-03 The Regents Of The University Of California Dislocation reduction in non-polar gallium nitride thin films
US20070128844A1 (en) 2003-04-15 2007-06-07 Craven Michael D Non-polar (a1,b,in,ga)n quantum wells
US8809867B2 (en) * 2002-04-15 2014-08-19 The Regents Of The University Of California Dislocation reduction in non-polar III-nitride thin films
US20060138431A1 (en) * 2002-05-17 2006-06-29 Robert Dwilinski Light emitting device structure having nitride bulk single crystal layer
WO2003098757A1 (en) * 2002-05-17 2003-11-27 Ammono Sp.Zo.O. Light emitting element structure having nitride bulk single crystal layer
AU2003285769A1 (en) * 2002-12-11 2004-06-30 Ammono Sp. Z O.O. A substrate for epitaxy and a method of preparing the same
US7314517B2 (en) 2002-12-11 2008-01-01 Ammono Sp. Z.O.O. Process for obtaining bulk mono-crystalline gallium-containing nitride
JP4824313B2 (ja) 2002-12-11 2011-11-30 アンモノ・スプウカ・ジ・オグラニチョノン・オドポヴィエドニアウノシツィオン ガリウム含有窒化物バルク単結晶を得るためのプロセス、得られた結晶から不純物を排除するためのプロセス、及びガリウム含有窒化物バルク単結晶からなる基板を製造するためのプロセス
AU2003259125A1 (en) * 2002-12-16 2004-07-29 The Regents Of The University Of California Growth of reduced dislocation density non-polar gallium nitride by hydride vapor phase epitaxy
US7186302B2 (en) * 2002-12-16 2007-03-06 The Regents Of The University Of California Fabrication of nonpolar indium gallium nitride thin films, heterostructures and devices by metalorganic chemical vapor deposition
US7427555B2 (en) * 2002-12-16 2008-09-23 The Regents Of The University Of California Growth of planar, non-polar gallium nitride by hydride vapor phase epitaxy
WO2004061923A1 (en) 2002-12-27 2004-07-22 General Electric Company Gallium nitride crystal, homoepitaxial gallium-nitride-based devices and method for producing same
JP4920875B2 (ja) * 2003-05-29 2012-04-18 パナソニック株式会社 Ｉｉｉ族窒化物結晶の製造方法、およびｉｉｉ族窒化物基板の製造方法
JP3841092B2 (ja) * 2003-08-26 2006-11-01 住友電気工業株式会社 発光装置
JP3909605B2 (ja) * 2003-09-25 2007-04-25 松下電器産業株式会社 窒化物半導体素子およびその製造方法
JP2005191530A (ja) * 2003-12-03 2005-07-14 Sumitomo Electric Ind Ltd 発光装置
US7504274B2 (en) * 2004-05-10 2009-03-17 The Regents Of The University Of California Fabrication of nonpolar indium gallium nitride thin films, heterostructures and devices by metalorganic chemical vapor deposition
KR101365604B1 (ko) * 2004-05-10 2014-02-20 더 리전트 오브 더 유니버시티 오브 캘리포니아 유기금속 화학기상증착법을 이용한 비극성 질화인듐갈륨 박막들, 이중 구조들 및 소자들의 제조
US20080163814A1 (en) * 2006-12-12 2008-07-10 The Regents Of The University Of California CRYSTAL GROWTH OF M-PLANE AND SEMIPOLAR PLANES OF (Al, In, Ga, B)N ON VARIOUS SUBSTRATES
US7956360B2 (en) * 2004-06-03 2011-06-07 The Regents Of The University Of California Growth of planar reduced dislocation density M-plane gallium nitride by hydride vapor phase epitaxy
US6987063B2 (en) * 2004-06-10 2006-01-17 Freescale Semiconductor, Inc. Method to reduce impurity elements during semiconductor film deposition
WO2005122232A1 (en) * 2004-06-11 2005-12-22 Ammono Sp. Z O.O. High electron mobility transistor (hemt) made of layers of group xiii element nitrides and manufacturing method thereof.
WO2005121415A1 (en) * 2004-06-11 2005-12-22 Ammono Sp. Z O.O. Bulk mono-crystalline gallium-containing nitride and its application
TWI408263B (zh) * 2004-07-01 2013-09-11 Sumitomo Electric Industries ＡｌｘＧａｙＩｎ１-ｘ-ｙＮ基板、ＡｌｘＧａｙＩｎ１-ｘ-ｙＮ基板之清潔方法、ＡｌＮ基板及ＡｌＮ基板之清潔方法
JP4206086B2 (ja) * 2004-08-03 2009-01-07 住友電気工業株式会社 窒化物半導体発光素子および窒化物半導体発光素子を製造する方法
DE102004048453A1 (de) 2004-10-05 2006-04-20 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Verfahren zur Erhöhung des Umsatzes von Gruppe-III-Metall zu Gruppe-III-Nitrid in einer Gruppe-III-haltigen Metallschmelze
DE102004048454B4 (de) * 2004-10-05 2008-02-07 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Verfahren zur Herstellung von Gruppe-III-Nitrid-Volumenkristallen oder-Kristallschichten aus Metallschmelzen
PL371405A1 (pl) 2004-11-26 2006-05-29 Ammono Sp.Z O.O. Sposób wytwarzania objętościowych monokryształów metodą wzrostu na zarodku
JP4140606B2 (ja) * 2005-01-11 2008-08-27 ソニー株式会社 ＧａＮ系半導体発光素子の製造方法
ES2287827T3 (es) * 2005-03-10 2007-12-16 Nanogate Advanced Materials Gmbh Pantalla plana.
EP2315253A1 (en) * 2005-03-10 2011-04-27 The Regents of the University of California Technique for the growth of planar semi-polar gallium nitride
KR100673873B1 (ko) * 2005-05-12 2007-01-25 삼성코닝 주식회사 열전도도가 우수한 질화갈륨 단결정 기판
TWI377602B (en) * 2005-05-31 2012-11-21 Japan Science & Tech Agency Growth of planar non-polar {1-100} m-plane gallium nitride with metalorganic chemical vapor deposition (mocvd)
TW200703463A (en) * 2005-05-31 2007-01-16 Univ California Defect reduction of non-polar and semi-polar III-nitrides with sidewall lateral epitaxial overgrowth (SLEO)
KR100691176B1 (ko) * 2005-05-31 2007-03-09 삼성전기주식회사 질화물 반도체 단결정 성장방법
JP5743127B2 (ja) 2005-06-01 2015-07-01 ザ リージェンツ オブ ザ ユニバーシティ オブ カリフォルニア 半極性（Ｇａ，Ａｌ，Ｉｎ，Ｂ）Ｎ薄膜、ヘテロ構造およびデバイスの成長と作製のための方法及び装置
JP4277826B2 (ja) * 2005-06-23 2009-06-10 住友電気工業株式会社 窒化物結晶、窒化物結晶基板、エピ層付窒化物結晶基板、ならびに半導体デバイスおよびその製造方法
JP4913375B2 (ja) 2005-08-08 2012-04-11 昭和電工株式会社 半導体素子の製造方法
US8425858B2 (en) * 2005-10-14 2013-04-23 Morpho Detection, Inc. Detection apparatus and associated method
JP4807081B2 (ja) * 2006-01-16 2011-11-02 ソニー株式会社 ＧａＮ系化合物半導体から成る下地層の形成方法、並びに、ＧａＮ系半導体発光素子の製造方法
EP1982351A4 (en) 2006-01-20 2010-10-20 Univ California PROCESS FOR IMPROVED GROWTH OF SEMIPOLARM (AL, IN, GA, B) N
US20120161287A1 (en) * 2006-01-20 2012-06-28 Japan Science And Technology Agency METHOD FOR ENHANCING GROWTH OF SEMI-POLAR (Al,In,Ga,B)N VIA METALORGANIC CHEMICAL VAPOR DEPOSITION
JP4905125B2 (ja) * 2006-01-26 2012-03-28 日亜化学工業株式会社 窒化物半導体レーザ素子及びその製造方法
US9406505B2 (en) * 2006-02-23 2016-08-02 Allos Semiconductors Gmbh Nitride semiconductor component and process for its production
EP1997126A2 (en) * 2006-03-13 2008-12-03 Nanogram Corporation Thin silicon or germanium sheets and photovoltaics formed from thin sheets
US7803344B2 (en) * 2006-10-25 2010-09-28 The Regents Of The University Of California Method for growing group III-nitride crystals in a mixture of supercritical ammonia and nitrogen, and group III-nitride crystals grown thereby
US9822465B2 (en) 2006-04-07 2017-11-21 Sixpoint Materials, Inc. Method of fabricating group III nitride with gradually degraded crystal structure
US9783910B2 (en) 2006-04-07 2017-10-10 Sixpoint Materials, Inc. High pressure reactor and method of growing group III nitride crystals in supercritical ammonia
US9909230B2 (en) 2006-04-07 2018-03-06 Sixpoint Materials, Inc. Seed selection and growth methods for reduced-crack group III nitride bulk crystals
US9754782B2 (en) 2006-04-07 2017-09-05 Sixpoint Materials, Inc. Group III nitride substrates and their fabrication method
US8764903B2 (en) * 2009-05-05 2014-07-01 Sixpoint Materials, Inc. Growth reactor for gallium-nitride crystals using ammonia and hydrogen chloride
EP2004882A2 (en) * 2006-04-07 2008-12-24 The Regents of the University of California Growing large surface area gallium nitride crystals
US9803293B2 (en) 2008-02-25 2017-10-31 Sixpoint Materials, Inc. Method for producing group III-nitride wafers and group III-nitride wafers
US8728234B2 (en) * 2008-06-04 2014-05-20 Sixpoint Materials, Inc. Methods for producing improved crystallinity group III-nitride crystals from initial group III-nitride seed by ammonothermal growth
US9834863B2 (en) 2006-04-07 2017-12-05 Sixpoint Materials, Inc. Group III nitride bulk crystals and fabrication method
US9466481B2 (en) 2006-04-07 2016-10-11 Sixpoint Materials, Inc. Electronic device and epitaxial multilayer wafer of group III nitride semiconductor having specified dislocation density, oxygen/electron concentration, and active layer thickness
US9518340B2 (en) 2006-04-07 2016-12-13 Sixpoint Materials, Inc. Method of growing group III nitride crystals
US9790617B2 (en) 2006-04-07 2017-10-17 Sixpoint Materials, Inc. Group III nitride bulk crystals and their fabrication method
WO2007149487A2 (en) * 2006-06-21 2007-12-27 The Regents Of The University Of California Opto-electronic and electronic devices using n-face or m-plane gan substrate prepared with ammonothermal growth
JP4884866B2 (ja) * 2006-07-25 2012-02-29 三菱電機株式会社 窒化物半導体装置の製造方法
US7585772B2 (en) 2006-07-26 2009-09-08 Freiberger Compound Materials Gmbh Process for smoothening III-N substrates
WO2008017320A1 (de) * 2006-08-09 2008-02-14 Freiberger Compound Materials Gmbh Verfahren zur herstellung eines dotierten iii-n-massivkristalls sowie eines freistehenden dotierten iii-n-substrates und dotierter iii-n-massivkristall sowie freistehendes dotiertes iii-n-substrat
US8778078B2 (en) * 2006-08-09 2014-07-15 Freiberger Compound Materials Gmbh Process for the manufacture of a doped III-N bulk crystal and a free-standing III-N substrate, and doped III-N bulk crystal and free-standing III-N substrate as such
JP5129527B2 (ja) * 2006-10-02 2013-01-30 株式会社リコー 結晶製造方法及び基板製造方法
JP5066639B2 (ja) * 2006-10-16 2012-11-07 三菱化学株式会社 窒化物半導体の製造方法、窒化物単結晶、ウエハ及びデバイス
KR20090064379A (ko) 2006-10-16 2009-06-18 미쓰비시 가가꾸 가부시키가이샤 질화물 반도체의 제조 방법, 결정 성장 속도 증가제, 질화물 단결정, 웨이퍼 및 디바이스
EP2087507A4 (en) * 2006-11-15 2010-07-07 Univ California METHOD FOR THE HETEROEPITAXIAL GROWTH OF QUALITATIVELY HIGH-QUALITY N-SIDE-GAN, INN AND AIN AND THEIR ALLOYS THROUGH METALLORGANIC CHEMICAL IMMUNE
US8193020B2 (en) 2006-11-15 2012-06-05 The Regents Of The University Of California Method for heteroepitaxial growth of high-quality N-face GaN, InN, and AlN and their alloys by metal organic chemical vapor deposition
US7834367B2 (en) 2007-01-19 2010-11-16 Cree, Inc. Low voltage diode with reduced parasitic resistance and method for fabricating
US20080197378A1 (en) * 2007-02-20 2008-08-21 Hua-Shuang Kong Group III Nitride Diodes on Low Index Carrier Substrates
JP4739255B2 (ja) * 2007-03-02 2011-08-03 豊田合成株式会社 半導体結晶の製造方法
EP2154272A4 (en) * 2007-05-17 2011-04-27 Mitsubishi Chem Corp METHOD FOR PRODUCING A SEMICONDUCTOR CRYSTAL FROM A NITRIDE OF A GROUP III ELEMENT, A SEMICONDUCTOR SUBSTRATE MADE FROM A NITRIDE OF AN ELEMENT OF GROUP III, AND A LIGHT EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICE
JP5118392B2 (ja) * 2007-06-08 2013-01-16 ローム株式会社 半導体発光素子およびその製造方法
JP4992616B2 (ja) * 2007-09-03 2012-08-08 日立電線株式会社 Ｉｉｉ族窒化物単結晶の製造方法及びｉｉｉ族窒化物単結晶基板の製造方法
US9012937B2 (en) 2007-10-10 2015-04-21 Cree, Inc. Multiple conversion material light emitting diode package and method of fabricating same
KR20100134577A (ko) * 2008-03-03 2010-12-23 미쓰비시 가가꾸 가부시키가이샤 질화물 반도체 결정과 그 제조 방법
JP2011523931A (ja) * 2008-05-28 2011-08-25 ザ リージェンツ オブ ザ ユニバーシティ オブ カリフォルニア 低濃度アルカリ金属保有の六方晶系ウルツ鉱型エピタキシャル層およびその生成方法
WO2009149300A1 (en) 2008-06-04 2009-12-10 Sixpoint Materials High-pressure vessel for growing group iii nitride crystals and method of growing group iii nitride crystals using high-pressure vessel and group iii nitride crystal
US8097081B2 (en) 2008-06-05 2012-01-17 Soraa, Inc. High pressure apparatus and method for nitride crystal growth
US9157167B1 (en) 2008-06-05 2015-10-13 Soraa, Inc. High pressure apparatus and method for nitride crystal growth
US8871024B2 (en) 2008-06-05 2014-10-28 Soraa, Inc. High pressure apparatus and method for nitride crystal growth
EP2286007B1 (en) 2008-06-12 2018-04-04 SixPoint Materials, Inc. Method for testing gallium nitride wafers and method for producing gallium nitride wafers
US9404197B2 (en) 2008-07-07 2016-08-02 Soraa, Inc. Large area, low-defect gallium-containing nitride crystals, method of making, and method of use
US8673074B2 (en) * 2008-07-16 2014-03-18 Ostendo Technologies, Inc. Growth of planar non-polar {1 -1 0 0} M-plane and semi-polar {1 1 -2 2} gallium nitride with hydride vapor phase epitaxy (HVPE)
JP2011530471A (ja) * 2008-08-07 2011-12-22 ソラア インコーポレーテッド 大規模アンモノサーマル法による窒化ガリウムボウルの製造方法
US8430958B2 (en) 2008-08-07 2013-04-30 Soraa, Inc. Apparatus and method for seed crystal utilization in large-scale manufacturing of gallium nitride
US10036099B2 (en) 2008-08-07 2018-07-31 Slt Technologies, Inc. Process for large-scale ammonothermal manufacturing of gallium nitride boules
US8979999B2 (en) 2008-08-07 2015-03-17 Soraa, Inc. Process for large-scale ammonothermal manufacturing of gallium nitride boules
US8323405B2 (en) * 2008-08-07 2012-12-04 Soraa, Inc. Process and apparatus for growing a crystalline gallium-containing nitride using an azide mineralizer
US8021481B2 (en) 2008-08-07 2011-09-20 Soraa, Inc. Process and apparatus for large-scale manufacturing of bulk monocrystalline gallium-containing nitride
JP2010105903A (ja) * 2008-08-21 2010-05-13 Mitsubishi Chemicals Corp 第１３族金属窒化物結晶の製造方法および半導体デバイスの製造方法
US7976630B2 (en) 2008-09-11 2011-07-12 Soraa, Inc. Large-area seed for ammonothermal growth of bulk gallium nitride and method of manufacture
US8354679B1 (en) 2008-10-02 2013-01-15 Soraa, Inc. Microcavity light emitting diode method of manufacture
WO2010045567A1 (en) * 2008-10-16 2010-04-22 Sixpoint Materials, Inc. Reactor design for growing group iii nitride crystals and method of growing group iii nitride crystals
US8455894B1 (en) 2008-10-17 2013-06-04 Soraa, Inc. Photonic-crystal light emitting diode and method of manufacture
KR20110097813A (ko) * 2008-11-07 2011-08-31 더 리전츠 오브 더 유니버시티 오브 캘리포니아 Ⅲ족 질화물 결정들의 암모노열 성장을 위한 신규한 용기 설계 및 소스 물질과 씨드 결정들의 상기 용기에 대한 상대적인 배치
US8852341B2 (en) * 2008-11-24 2014-10-07 Sixpoint Materials, Inc. Methods for producing GaN nutrient for ammonothermal growth
US8878230B2 (en) 2010-03-11 2014-11-04 Soraa, Inc. Semi-insulating group III metal nitride and method of manufacture
US9543392B1 (en) 2008-12-12 2017-01-10 Soraa, Inc. Transparent group III metal nitride and method of manufacture
US9589792B2 (en) * 2012-11-26 2017-03-07 Soraa, Inc. High quality group-III metal nitride crystals, methods of making, and methods of use
USRE47114E1 (en) 2008-12-12 2018-11-06 Slt Technologies, Inc. Polycrystalline group III metal nitride with getter and method of making
US8987156B2 (en) 2008-12-12 2015-03-24 Soraa, Inc. Polycrystalline group III metal nitride with getter and method of making
US8461071B2 (en) 2008-12-12 2013-06-11 Soraa, Inc. Polycrystalline group III metal nitride with getter and method of making
US7953134B2 (en) * 2008-12-31 2011-05-31 Epistar Corporation Semiconductor light-emitting device
US8299473B1 (en) 2009-04-07 2012-10-30 Soraa, Inc. Polarized white light devices using non-polar or semipolar gallium containing materials and transparent phosphors
JP5383313B2 (ja) 2009-05-20 2014-01-08 パナソニック株式会社 窒化物半導体発光装置
US9250044B1 (en) 2009-05-29 2016-02-02 Soraa Laser Diode, Inc. Gallium and nitrogen containing laser diode dazzling devices and methods of use
US9800017B1 (en) 2009-05-29 2017-10-24 Soraa Laser Diode, Inc. Laser device and method for a vehicle
US8509275B1 (en) 2009-05-29 2013-08-13 Soraa, Inc. Gallium nitride based laser dazzling device and method
EP2267197A1 (en) * 2009-06-25 2010-12-29 AMMONO Sp.z o.o. Method of obtaining bulk mono-crystalline gallium-containing nitride, bulk mono-crystalline gallium-containing nitride, substrates manufactured thereof and devices manufactured on such substrates
US8435347B2 (en) 2009-09-29 2013-05-07 Soraa, Inc. High pressure apparatus with stackable rings
US9175418B2 (en) 2009-10-09 2015-11-03 Soraa, Inc. Method for synthesis of high quality large area bulk gallium based crystals
US8629065B2 (en) * 2009-11-06 2014-01-14 Ostendo Technologies, Inc. Growth of planar non-polar {10-10} M-plane gallium nitride with hydride vapor phase epitaxy (HVPE)
US20110217505A1 (en) * 2010-02-05 2011-09-08 Teleolux Inc. Low-Defect nitride boules and associated methods
JP5887697B2 (ja) * 2010-03-15 2016-03-16 株式会社リコー 窒化ガリウム結晶、１３族窒化物結晶、結晶基板、およびそれらの製造方法
US9564320B2 (en) 2010-06-18 2017-02-07 Soraa, Inc. Large area nitride crystal and method for making it
US8729559B2 (en) 2010-10-13 2014-05-20 Soraa, Inc. Method of making bulk InGaN substrates and devices thereon
CN102146585A (zh) * 2011-01-04 2011-08-10 武汉华炬光电有限公司 非极性面GaN外延片及其制备方法
US8786053B2 (en) 2011-01-24 2014-07-22 Soraa, Inc. Gallium-nitride-on-handle substrate materials and devices and method of manufacture
CN102214557A (zh) * 2011-04-28 2011-10-12 中山大学 一种半极性、非极性GaN自支撑衬底的制备方法
KR20140053100A (ko) 2011-06-27 2014-05-07 식스포인트 머터리얼즈 인코퍼레이티드 전이금속 질화물의 합성 방법 및 전이금속 질화물
US8492185B1 (en) 2011-07-14 2013-07-23 Soraa, Inc. Large area nonpolar or semipolar gallium and nitrogen containing substrate and resulting devices
US9694158B2 (en) 2011-10-21 2017-07-04 Ahmad Mohamad Slim Torque for incrementally advancing a catheter during right heart catheterization
US10029955B1 (en) 2011-10-24 2018-07-24 Slt Technologies, Inc. Capsule for high pressure, high temperature processing of materials and methods of use
US8569153B2 (en) 2011-11-30 2013-10-29 Avogy, Inc. Method and system for carbon doping control in gallium nitride based devices
US8482104B2 (en) 2012-01-09 2013-07-09 Soraa, Inc. Method for growth of indium-containing nitride films
WO2013158210A2 (en) * 2012-02-17 2013-10-24 Yale University Heterogeneous material integration through guided lateral growth
JP6015053B2 (ja) * 2012-03-26 2016-10-26 富士通株式会社 半導体装置の製造方法及び窒化物半導体結晶の製造方法
US9976229B2 (en) 2012-03-29 2018-05-22 Mitsubishi Chemical Corporation Method for producing nitride single crystal
US10145026B2 (en) 2012-06-04 2018-12-04 Slt Technologies, Inc. Process for large-scale ammonothermal manufacturing of semipolar gallium nitride boules
WO2014031153A1 (en) 2012-08-23 2014-02-27 Sixpoint Materials, Inc. Composite substrate of gallium nitride and metal oxide
CN104781456B (zh) 2012-08-24 2018-01-12 希波特公司 掺杂铋的半绝缘第iii族氮化物晶片和其制造方法
WO2014035481A1 (en) * 2012-08-28 2014-03-06 Sixpoint Materials, Inc. Group iii nitride wafer and its production method
US9275912B1 (en) 2012-08-30 2016-03-01 Soraa, Inc. Method for quantification of extended defects in gallium-containing nitride crystals
JP6002508B2 (ja) * 2012-09-03 2016-10-05 住友化学株式会社 窒化物半導体ウェハ
KR102096421B1 (ko) 2012-09-25 2020-04-02 식스포인트 머터리얼즈 인코퍼레이티드 Iii 족 질화물 결정의 성장 방법
JP6140291B2 (ja) 2012-09-26 2017-05-31 シックスポイント マテリアルズ， インコーポレイテッド Ｉｉｉ族窒化物ウエハおよび製作方法および試験方法
US9299555B1 (en) 2012-09-28 2016-03-29 Soraa, Inc. Ultrapure mineralizers and methods for nitride crystal growth
TWI535055B (zh) 2012-11-19 2016-05-21 新世紀光電股份有限公司 氮化物半導體結構及半導體發光元件
TWI499080B (zh) 2012-11-19 2015-09-01 Genesis Photonics Inc 氮化物半導體結構及半導體發光元件
TWI524551B (zh) 2012-11-19 2016-03-01 新世紀光電股份有限公司 氮化物半導體結構及半導體發光元件
CN107104174A (zh) * 2013-01-25 2017-08-29 新世纪光电股份有限公司 氮化物半导体结构及半导体发光元件
WO2014129544A1 (ja) 2013-02-22 2014-08-28 三菱化学株式会社 周期表第１３族金属窒化物結晶およびその製造方法
JP5629340B2 (ja) * 2013-03-04 2014-11-19 フライベルガー・コンパウンド・マテリアルズ・ゲゼルシャフト・ミット・ベシュレンクテル・ハフツングＦｒｅｉｂｅｒｇｅｒ Ｃｏｍｐｏｕｎｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ Ｇｍｂｈ ドープｉｉｉ−ｎバルク結晶及び自立型ドープｉｉｉ−ｎ基板
WO2014144698A2 (en) 2013-03-15 2014-09-18 Yale University Large-area, laterally-grown epitaxial semiconductor layers
US9650723B1 (en) 2013-04-11 2017-05-16 Soraa, Inc. Large area seed crystal for ammonothermal crystal growth and method of making
JP6516738B2 (ja) 2013-07-11 2019-05-22 シックスポイント マテリアルズ， インコーポレイテッド Ｉｉｉ族窒化物半導体を用いた電子デバイスおよびその製造方法、および該電子デバイスを製作するためのエピタキシャル多層ウエハ
CN105378158B (zh) 2013-08-22 2018-02-16 日本碍子株式会社 13族元素氮化物的制备方法以及熔液组合物
JP5828993B1 (ja) 2013-12-18 2015-12-09 日本碍子株式会社 複合基板および機能素子
KR20150072066A (ko) * 2013-12-19 2015-06-29 서울바이오시스 주식회사 반도체 성장용 템플릿, 성장 기판 분리 방법 및 이를 이용한 발광소자 제조 방법
EP3094766B1 (en) 2014-01-17 2021-09-29 SixPoint Materials, Inc. Group iii nitride bulk crystals and fabrication method
US9978589B2 (en) 2014-04-16 2018-05-22 Yale University Nitrogen-polar semipolar and gallium-polar semipolar GaN layers and devices on sapphire substrates
CN106233429B (zh) 2014-04-16 2019-06-18 耶鲁大学 获得平坦的半极性氮化镓表面的方法
WO2015179852A1 (en) 2014-05-23 2015-11-26 Sixpoint Materials, Inc. Group iii nitride bulk crystals and their fabrication method
DE102014116999A1 (de) * 2014-11-20 2016-05-25 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterchips und optoelektronischer Halbleiterchip
JP6526811B2 (ja) * 2014-12-02 2019-06-05 シックスポイント マテリアルズ， インコーポレイテッド Ｉｉｉ族窒化物結晶を加工する方法
JP6456502B2 (ja) * 2014-12-04 2019-01-23 シックスポイント マテリアルズ， インコーポレイテッド Ｉｉｉ族窒化物基板およびそれらの製造方法
EP3314044B1 (en) 2015-06-25 2019-04-17 SixPoint Materials, Inc. High pressure reactor and method of growing group iii nitride crystals in supercritical ammonia
US11437774B2 (en) 2015-08-19 2022-09-06 Kyocera Sld Laser, Inc. High-luminous flux laser-based white light source
WO2018031876A1 (en) 2016-08-12 2018-02-15 Yale University Stacking fault-free semipolar and nonpolar gan grown on foreign substrates by eliminating the nitrogen polar facets during the growth
WO2018118220A1 (en) 2016-12-23 2018-06-28 Sixpoint Materials, Inc. Electronic device using group iii nitride semiconductor and its fabrication method
US10174438B2 (en) 2017-03-30 2019-01-08 Slt Technologies, Inc. Apparatus for high pressure reaction
JP6931827B2 (ja) 2017-04-07 2021-09-08 日本製鋼所Ｍ＆Ｅ株式会社 結晶製造用圧力容器
US10242868B1 (en) 2017-09-26 2019-03-26 Sixpoint Materials, Inc. Seed crystal for growth of gallium nitride bulk crystal in supercritical ammonia and fabrication method
US10354863B2 (en) 2017-09-26 2019-07-16 Sixpoint Materials, Inc. Seed crystal for growth of gallium nitride bulk crystal in supercritical ammonia and fabrication method
WO2019066787A1 (en) 2017-09-26 2019-04-04 Sixpoint Materials, Inc. CRYSTALLINE GERM FOR THE GROWTH OF A SOLID GALLIUM NITRIDE CRYSTAL IN SUPERCRITICAL AMMONIA AND METHOD OF MANUFACTURE
US10287709B2 (en) 2017-09-26 2019-05-14 Sixpoint Materials, Inc. Seed crystal for growth of gallium nitride bulk crystal in supercritical ammonia and fabrication method
US11767609B2 (en) 2018-02-09 2023-09-26 Sixpoint Materials, Inc. Low-dislocation bulk GaN crystal and method of fabricating same
JP2021512838A (ja) 2018-02-09 2021-05-20 シックスポイント マテリアルズ， インコーポレイテッド 低転位バルクＧａＮ結晶およびこれを製作する方法
KR102544296B1 (ko) * 2018-09-13 2023-06-16 쑤저우 레킨 세미컨덕터 컴퍼니 리미티드 표면발광레이저 소자 및 이를 구비한 표면발광레이저 장치
US11239637B2 (en) 2018-12-21 2022-02-01 Kyocera Sld Laser, Inc. Fiber delivered laser induced white light system
US11421843B2 (en) 2018-12-21 2022-08-23 Kyocera Sld Laser, Inc. Fiber-delivered laser-induced dynamic light system
US11466384B2 (en) 2019-01-08 2022-10-11 Slt Technologies, Inc. Method of forming a high quality group-III metal nitride boule or wafer using a patterned substrate
US11884202B2 (en) 2019-01-18 2024-01-30 Kyocera Sld Laser, Inc. Laser-based fiber-coupled white light system
US12152742B2 (en) 2019-01-18 2024-11-26 Kyocera Sld Laser, Inc. Laser-based light guide-coupled wide-spectrum light system
US12000552B2 (en) 2019-01-18 2024-06-04 Kyocera Sld Laser, Inc. Laser-based fiber-coupled white light system for a vehicle
US11721549B2 (en) 2020-02-11 2023-08-08 Slt Technologies, Inc. Large area group III nitride crystals and substrates, methods of making, and methods of use
WO2021162727A1 (en) 2020-02-11 2021-08-19 SLT Technologies, Inc Improved group iii nitride substrate, method of making, and method of use
US12091771B2 (en) 2020-02-11 2024-09-17 Slt Technologies, Inc. Large area group III nitride crystals and substrates, methods of making, and methods of use
JP7483669B2 (ja) 2020-11-02 2024-05-15 エスエルティー テクノロジーズ インコーポレイテッド 窒化物結晶成長のための超高純度鉱化剤及び改良された方法

Family Cites Families (88)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8656A (en) * 1852-01-13 Loom foe
US22154A (en) * 1858-11-30 Tackle-block
JPH0722692B2 (ja) 1988-08-05 1995-03-15 株式会社日本製鋼所 水熱合成用容器
JPH02137287A (ja) 1988-11-17 1990-05-25 Sanyo Electric Co Ltd 半導体レーザ装置
CN1014535B (zh) 1988-12-30 1991-10-30 中国科学院物理研究所 利用改进的矿化剂生长磷酸钛氧钾单晶的方法
US5456204A (en) 1993-05-28 1995-10-10 Alfa Quartz, C.A. Filtering flow guide for hydrothermal crystal growth
JP3184717B2 (ja) 1993-10-08 2001-07-09 三菱電線工業株式会社 ＧａＮ単結晶およびその製造方法
US5679152A (en) 1994-01-27 1997-10-21 Advanced Technology Materials, Inc. Method of making a single crystals Ga*N article
JPH07249830A (ja) 1994-03-10 1995-09-26 Hitachi Ltd 半導体発光素子の製造方法
DE69511995T2 (de) 1994-04-08 2000-04-20 Japan Energy Corp. Verfahren zum züchten von galliumnitridhalbleiterkristallen und vorrichtung
US5777350A (en) 1994-12-02 1998-07-07 Nichia Chemical Industries, Ltd. Nitride semiconductor light-emitting device
JPH08250802A (ja) 1995-03-09 1996-09-27 Fujitsu Ltd 半導体レーザ及びその製造方法
US5679965A (en) * 1995-03-29 1997-10-21 North Carolina State University Integrated heterostructures of Group III-V nitride semiconductor materials including epitaxial ohmic contact, non-nitride buffer layer and methods of fabricating same
US5670798A (en) * 1995-03-29 1997-09-23 North Carolina State University Integrated heterostructures of Group III-V nitride semiconductor materials including epitaxial ohmic contact non-nitride buffer layer and methods of fabricating same
JP3728332B2 (ja) 1995-04-24 2005-12-21 シャープ株式会社 化合物半導体発光素子
JP3830051B2 (ja) * 1995-09-18 2006-10-04 株式会社 日立製作所 窒化物半導体基板の製造方法、窒化物半導体基板、光半導体装置の製造方法および光半導体装置
JPH09134878A (ja) * 1995-11-10 1997-05-20 Matsushita Electron Corp 窒化ガリウム系化合物半導体の製造方法
JP3778609B2 (ja) 1996-04-26 2006-05-24 三洋電機株式会社 半導体素子の製造方法
JPH107496A (ja) * 1996-06-25 1998-01-13 Hitachi Cable Ltd 窒化物結晶の製造方法およびその装置
JP3179346B2 (ja) 1996-08-27 2001-06-25 松下電子工業株式会社 窒化ガリウム結晶の製造方法
JPH1084161A (ja) 1996-09-06 1998-03-31 Sumitomo Electric Ind Ltd 半導体レーザ及びその製造方法
US6031858A (en) 1996-09-09 2000-02-29 Kabushiki Kaisha Toshiba Semiconductor laser and method of fabricating same
WO1998019375A1 (fr) * 1996-10-30 1998-05-07 Hitachi, Ltd. Machine de traitement optique de l'information et dispositif a semi-conducteur emetteur de lumiere afferent
US6677619B1 (en) 1997-01-09 2004-01-13 Nichia Chemical Industries, Ltd. Nitride semiconductor device
AU738480C (en) 1997-01-09 2002-08-22 Nichia Chemical Industries, Ltd. Nitride semiconductor device
US5868837A (en) 1997-01-17 1999-02-09 Cornell Research Foundation, Inc. Low temperature method of preparing GaN single crystals
PL184902B1 (pl) * 1997-04-04 2003-01-31 Centrum Badan Wysokocisnieniowych Pan Sposób usuwania nierówności i obszarów silnie zdefektowanych z powierzchni kryształów i warstw epitaksjalnych GaN i Ga AL In N
JP3491492B2 (ja) 1997-04-09 2004-01-26 松下電器産業株式会社 窒化ガリウム結晶の製造方法
US5888389A (en) 1997-04-24 1999-03-30 Hydroprocessing, L.L.C. Apparatus for oxidizing undigested wastewater sludges
PL186905B1 (pl) * 1997-06-05 2004-03-31 Cantrum Badan Wysokocisnieniow Sposób wytwarzania wysokooporowych kryształów objętościowych GaN
PL183687B1 (pl) * 1997-06-06 2002-06-28 Ct Badan Sposób wytwarzania półprzewodnikowych związków grupy A-B o przewodnictwie elektrycznym typu p i typu n
US6270569B1 (en) * 1997-06-11 2001-08-07 Hitachi Cable Ltd. Method of fabricating nitride crystal, mixture, liquid phase growth method, nitride crystal, nitride crystal powders, and vapor phase growth method
GB2333521B (en) 1997-06-11 2000-04-26 Hitachi Cable Nitride crystal growth method
TW519551B (en) * 1997-06-11 2003-02-01 Hitachi Cable Methods of fabricating nitride crystals and nitride crystals obtained therefrom
JP3239812B2 (ja) 1997-08-07 2001-12-17 日本電気株式会社 ＩｎＧａＮ層を含む窒化ガリウム系半導体層の結晶成長方法および窒化ガリウム系発光素子およびその製造方法
JP3234799B2 (ja) 1997-08-07 2001-12-04 シャープ株式会社 半導体レーザ素子の製造方法
US6593589B1 (en) * 1998-01-30 2003-07-15 The University Of New Mexico Semiconductor nitride structures
JPH11224856A (ja) * 1998-02-05 1999-08-17 Sony Corp ＧａＮ系半導体の成長方法およびＧａＮ系半導体成長用基板
JPH11307813A (ja) 1998-04-03 1999-11-05 Hewlett Packard Co <Hp> 発光装置、その製造方法およびディスプレイ
US6249534B1 (en) 1998-04-06 2001-06-19 Matsushita Electronics Corporation Nitride semiconductor laser device
JPH11340576A (ja) * 1998-05-28 1999-12-10 Sumitomo Electric Ind Ltd 窒化ガリウム系半導体デバイス
JP3727187B2 (ja) 1998-07-03 2005-12-14 日亜化学工業株式会社 窒化物半導体レーザ素子の製造方法
JP2000031533A (ja) 1998-07-14 2000-01-28 Toshiba Corp 半導体発光素子
JP2000044399A (ja) * 1998-07-24 2000-02-15 Sharp Corp 窒化ガリウム系化合物半導体のバルク結晶製造方法
TW413956B (en) * 1998-07-28 2000-12-01 Sumitomo Electric Industries Fluorescent substrate LED
JP2000082863A (ja) 1998-09-04 2000-03-21 Sony Corp 半導体発光素子の製造方法
US6423984B1 (en) 1998-09-10 2002-07-23 Toyoda Gosei Co., Ltd. Light-emitting semiconductor device using gallium nitride compound semiconductor
US6252261B1 (en) * 1998-09-30 2001-06-26 Nec Corporation GaN crystal film, a group III element nitride semiconductor wafer and a manufacturing process therefor
TW498102B (en) 1998-12-28 2002-08-11 Futaba Denshi Kogyo Kk A process for preparing GaN fluorescent substance
US6372041B1 (en) 1999-01-08 2002-04-16 Gan Semiconductor Inc. Method and apparatus for single crystal gallium nitride (GaN) bulk synthesis
JP2000216494A (ja) 1999-01-20 2000-08-04 Sanyo Electric Co Ltd 半導体発光素子およびその製造方法
US6177057B1 (en) 1999-02-09 2001-01-23 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy Process for preparing bulk cubic gallium nitride
US6711191B1 (en) 1999-03-04 2004-03-23 Nichia Corporation Nitride semiconductor laser device
FR2796657B1 (fr) * 1999-07-20 2001-10-26 Thomson Csf Procede de synthese de materiaux massifs monocristallins en nitrures d'elements de la colonne iii du tableau de la classification periodique
JP3968920B2 (ja) 1999-08-10 2007-08-29 双葉電子工業株式会社 蛍光体
JP2001085737A (ja) 1999-09-10 2001-03-30 Sharp Corp 窒化物半導体発光素子
US6265322B1 (en) 1999-09-21 2001-07-24 Agere Systems Guardian Corp. Selective growth process for group III-nitride-based semiconductors
AU7617800A (en) 1999-09-27 2001-04-30 Lumileds Lighting U.S., Llc A light emitting diode device that produces white light by performing complete phosphor conversion
JP4145437B2 (ja) 1999-09-28 2008-09-03 住友電気工業株式会社 単結晶ＧａＮの結晶成長方法及び単結晶ＧａＮ基板の製造方法と単結晶ＧａＮ基板
US6398867B1 (en) 1999-10-06 2002-06-04 General Electric Company Crystalline gallium nitride and method for forming crystalline gallium nitride
EP1104031B1 (en) 1999-11-15 2012-04-11 Panasonic Corporation Nitride semiconductor laser diode and method of fabricating the same
JP4899241B2 (ja) * 1999-12-06 2012-03-21 ソニー株式会社 不揮発性半導体記憶装置およびその動作方法
US6653663B2 (en) 1999-12-06 2003-11-25 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Nitride semiconductor device
US6447604B1 (en) * 2000-03-13 2002-09-10 Advanced Technology Materials, Inc. Method for achieving improved epitaxy quality (surface texture and defect density) on free-standing (aluminum, indium, gallium) nitride ((al,in,ga)n) substrates for opto-electronic and electronic devices
JP3946427B2 (ja) 2000-03-29 2007-07-18 株式会社東芝 エピタキシャル成長用基板の製造方法及びこのエピタキシャル成長用基板を用いた半導体装置の製造方法
JP2001339121A (ja) 2000-05-29 2001-12-07 Sharp Corp 窒化物半導体発光素子とそれを含む光学装置
JP2002016285A (ja) * 2000-06-27 2002-01-18 National Institute Of Advanced Industrial & Technology 半導体発光素子
US6586762B2 (en) 2000-07-07 2003-07-01 Nichia Corporation Nitride semiconductor device with improved lifetime and high output power
JP3968968B2 (ja) * 2000-07-10 2007-08-29 住友電気工業株式会社 単結晶ＧａＮ基板の製造方法
JP4154558B2 (ja) * 2000-09-01 2008-09-24 日本電気株式会社 半導体装置
WO2002021604A1 (en) 2000-09-08 2002-03-14 Sharp Kabushiki Kaisha Nitride semiconductor light-emitting device and optical device including the same
JP4416297B2 (ja) 2000-09-08 2010-02-17 シャープ株式会社 窒化物半導体発光素子、ならびにそれを使用した発光装置および光ピックアップ装置
JP2002094189A (ja) 2000-09-14 2002-03-29 Sharp Corp 窒化物半導体レーザ素子およびそれを用いた光学装置
US6936488B2 (en) 2000-10-23 2005-08-30 General Electric Company Homoepitaxial gallium-nitride-based light emitting device and method for producing
JP4063520B2 (ja) 2000-11-30 2008-03-19 日本碍子株式会社 半導体発光素子
WO2002044443A1 (en) * 2000-11-30 2002-06-06 North Carolina State University Methods and apparatus for producing m'n based materials
US6806508B2 (en) 2001-04-20 2004-10-19 General Electic Company Homoepitaxial gallium nitride based photodetector and method of producing
PL207400B1 (pl) * 2001-06-06 2010-12-31 Ammono Społka Z Ograniczoną Odpowiedzialnością Sposób i urządzenie do otrzymywania objętościowego monokryształu azotku zawierającego gal
EP1770189B1 (en) 2001-06-06 2013-07-10 Ammono S.A. Apparatus for obtaining bulk monocrystalline gallium-containing nitride
US6488767B1 (en) * 2001-06-08 2002-12-03 Advanced Technology Materials, Inc. High surface quality GaN wafer and method of fabricating same
CA2464083C (en) * 2001-10-26 2011-08-02 Ammono Sp. Z O.O. Substrate for epitaxy
WO2003036771A1 (fr) 2001-10-26 2003-05-01 Ammono Sp.Zo.O. Laser a semi-conducteurs a base de nitrure et procede de production de ce laser
US7097707B2 (en) 2001-12-31 2006-08-29 Cree, Inc. GaN boule grown from liquid melt using GaN seed wafers
US20030209191A1 (en) 2002-05-13 2003-11-13 Purdy Andrew P. Ammonothermal process for bulk synthesis and growth of cubic GaN
WO2003098757A1 (en) * 2002-05-17 2003-11-27 Ammono Sp.Zo.O. Light emitting element structure having nitride bulk single crystal layer
WO2003097906A1 (fr) * 2002-05-17 2003-11-27 Ammono Sp.Zo.O. Installation de production de monocristal en vrac utilisant de l'ammoniaque supercritique
PL225422B1 (pl) 2002-06-26 2017-04-28 Ammono Spółka Z Ograniczoną Odpowiedzialnością Sposób otrzymywania objętościowych monokryształów azotku zawierającego gal
JP4824313B2 (ja) * 2002-12-11 2011-11-30 アンモノ・スプウカ・ジ・オグラニチョノン・オドポヴィエドニアウノシツィオン ガリウム含有窒化物バルク単結晶を得るためのプロセス、得られた結晶から不純物を排除するためのプロセス、及びガリウム含有窒化物バルク単結晶からなる基板を製造するためのプロセス

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
DWILINSKI R. et al. Ammono method of GaN and AlN production. "Diamond and Related Materials", v.7, Issue 9, September 1998, p.1348-1350. DOUGLAS R. KETCHUM et al. Crystal growth of gallium nitride in supercritical ammonia. "Journal of Crystal Growth", v.222, Issue 3, January 2001, p.431-434. *

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2485221C2 (ru) * 2008-12-24 2013-06-20 Сэн-Гобэн Кристо & Детектёр Монокристалл нитрида, способ его изготовления и используемая в нем подложка

Also Published As

Publication number Publication date
CN1575357A (zh) 2005-02-02
TWI231321B (en) 2005-04-21
DE60234856D1 (de) 2010-02-04
JP2005506271A (ja) 2005-03-03
PL373986A1 (en) 2005-09-19
JP2010222247A (ja) 2010-10-07
AU2002347692C1 (en) 2008-03-06
US7420261B2 (en) 2008-09-02
CA2464083C (en) 2011-08-02
WO2003035945A2 (en) 2003-05-01
NO20042119D0 (no) 2004-05-24
CN1316070C (zh) 2007-05-16
IL161420A (en) 2007-10-31
AU2002347692B2 (en) 2007-08-02
KR20040049324A (ko) 2004-06-11
US7132730B2 (en) 2006-11-07
UA82180C2 (ru) 2008-03-25
ATE452999T1 (de) 2010-01-15
JP5123984B2 (ja) 2013-01-23
PL225235B1 (pl) 2017-03-31
US20070040240A1 (en) 2007-02-22
JP4693351B2 (ja) 2011-06-01
IL161420A0 (en) 2004-09-27
RU2004116073A (ru) 2005-04-10
CA2464083A1 (en) 2003-05-01
HUP0401882A3 (en) 2005-11-28
EP1442162A2 (en) 2004-08-04
WO2003035945A3 (en) 2003-10-16
KR100904501B1 (ko) 2009-06-25
NO20042119L (no) 2004-05-24
EP1442162B1 (en) 2009-12-23
US20040261692A1 (en) 2004-12-30
HUP0401882A1 (hu) 2004-12-28

Similar Documents

Publication Publication Date Title
RU2312176C2 (ru) Подложка для эпитаксии (варианты)
US8110848B2 (en) Substrate for epitaxy and method of preparing the same
US8398767B2 (en) Bulk mono-crystalline gallium-containing nitride and its application
US7364619B2 (en) Process for obtaining of bulk monocrystalline gallium-containing nitride
KR101088991B1 (ko) 벌크 단결정 갈륨-함유 질화물의 제조공정
US20040255840A1 (en) Method for forming gallium-containing nitride bulk single crystal on heterogenous substrate
US7314517B2 (en) Process for obtaining bulk mono-crystalline gallium-containing nitride
CN100415946C (zh) 外延衬底及其制造方法
PL225424B1 (pl) Sposób wytwarzania podłoża typu template z objętościowego monokrystalicznego azotku zawierającego gal