JP6931827B2 - 結晶製造用圧力容器 - Google Patents
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- 239000013078 crystal Substances 0.000 title claims description 95
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 68
- 238000007747 plating Methods 0.000 claims description 39
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 claims description 35
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 claims description 35
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 31
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 28
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 claims description 24
- 230000001089 mineralizing effect Effects 0.000 claims description 22
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 19
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims description 17
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims description 17
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 claims description 15
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 claims description 14
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 claims description 13
- 238000003466 welding Methods 0.000 claims description 13
- 239000002994 raw material Substances 0.000 claims description 12
- 239000002904 solvent Substances 0.000 claims description 12
- 125000001153 fluoro group Chemical group F* 0.000 claims description 6
- 125000005843 halogen group Chemical group 0.000 claims description 6
- 229910000531 Co alloy Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910000640 Fe alloy Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 claims description 4
- 238000005065 mining Methods 0.000 claims description 2
- PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N Fluorine Chemical compound FF PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 239000010944 silver (metal) Substances 0.000 description 107
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Substances [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 18
- 238000000034 method Methods 0.000 description 11
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 9
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 7
- 239000002775 capsule Substances 0.000 description 6
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 6
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 5
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 5
- DDFHBQSCUXNBSA-UHFFFAOYSA-N 5-(5-carboxythiophen-2-yl)thiophene-2-carboxylic acid Chemical compound S1C(C(=O)O)=CC=C1C1=CC=C(C(O)=O)S1 DDFHBQSCUXNBSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 4
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 4
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M Fluoride anion Chemical compound [F-] KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 3
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 3
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 3
- 239000010948 rhodium Substances 0.000 description 3
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 3
- IRPGOXJVTQTAAN-UHFFFAOYSA-N 2,2,3,3,3-pentafluoropropanal Chemical compound FC(F)(F)C(F)(F)C=O IRPGOXJVTQTAAN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KLZUFWVZNOTSEM-UHFFFAOYSA-K Aluminum fluoride Inorganic materials F[Al](F)F KLZUFWVZNOTSEM-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 2
- KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N Ruthenium Chemical compound [Ru] KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005275 alloying Methods 0.000 description 2
- 229910052794 bromium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 2
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052740 iodine Inorganic materials 0.000 description 2
- GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N iridium atom Chemical compound [Ir] GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910000510 noble metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000002250 progressing effect Effects 0.000 description 2
- 229910052703 rhodium Inorganic materials 0.000 description 2
- MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N rhodium atom Chemical compound [Rh] MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 2
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 2
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910018487 Ni—Cr Inorganic materials 0.000 description 1
- 240000007594 Oryza sativa Species 0.000 description 1
- 235000007164 Oryza sativa Nutrition 0.000 description 1
- 229910002835 Pt–Ir Inorganic materials 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002378 acidificating effect Effects 0.000 description 1
- 150000001408 amides Chemical class 0.000 description 1
- -1 ammonium halide Chemical class 0.000 description 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- 229910052795 boron group element Inorganic materials 0.000 description 1
- OGSYQYXYGXIQFH-UHFFFAOYSA-N chromium molybdenum nickel Chemical compound [Cr].[Ni].[Mo] OGSYQYXYGXIQFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VNNRSPGTAMTISX-UHFFFAOYSA-N chromium nickel Chemical compound [Cr].[Ni] VNNRSPGTAMTISX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 230000003111 delayed effect Effects 0.000 description 1
- 238000004453 electron probe microanalysis Methods 0.000 description 1
- 230000003628 erosive effect Effects 0.000 description 1
- 239000012025 fluorinating agent Substances 0.000 description 1
- 150000002222 fluorine compounds Chemical class 0.000 description 1
- 235000013305 food Nutrition 0.000 description 1
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 1
- 229910000040 hydrogen fluoride Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005304 joining Methods 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- QKCGXXHCELUCKW-UHFFFAOYSA-N n-[4-[4-(dinaphthalen-2-ylamino)phenyl]phenyl]-n-naphthalen-2-ylnaphthalen-2-amine Chemical compound C1=CC=CC2=CC(N(C=3C=CC(=CC=3)C=3C=CC(=CC=3)N(C=3C=C4C=CC=CC4=CC=3)C=3C=C4C=CC=CC4=CC=3)C3=CC4=CC=CC=C4C=C3)=CC=C21 QKCGXXHCELUCKW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 1
- 239000010970 precious metal Substances 0.000 description 1
- 235000009566 rice Nutrition 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 1
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
- C30B29/10—Inorganic compounds or compositions
- C30B29/38—Nitrides
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
- C30B29/10—Inorganic compounds or compositions
- C30B29/40—AIIIBV compounds wherein A is B, Al, Ga, In or Tl and B is N, P, As, Sb or Bi
- C30B29/403—AIII-nitrides
- C30B29/406—Gallium nitride
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B35/00—Apparatus not otherwise provided for, specially adapted for the growth, production or after-treatment of single crystals or of a homogeneous polycrystalline material with defined structure
- C30B35/002—Crucibles or containers
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B7/00—Single-crystal growth from solutions using solvents which are liquid at normal temperature, e.g. aqueous solutions
- C30B7/10—Single-crystal growth from solutions using solvents which are liquid at normal temperature, e.g. aqueous solutions by application of pressure, e.g. hydrothermal processes
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- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B7/00—Single-crystal growth from solutions using solvents which are liquid at normal temperature, e.g. aqueous solutions
- C30B7/10—Single-crystal growth from solutions using solvents which are liquid at normal temperature, e.g. aqueous solutions by application of pressure, e.g. hydrothermal processes
- C30B7/105—Single-crystal growth from solutions using solvents which are liquid at normal temperature, e.g. aqueous solutions by application of pressure, e.g. hydrothermal processes using ammonia as solvent, i.e. ammonothermal processes
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Description
この方法による製造に際しては、溶媒、原料、種結晶を結晶製造圧力容器に入れて密封し、結晶製造圧力容器を加熱することにより高温域と低温域を形成させ、この温度差により溶媒中に溶解させた原料を種結晶上へ再結晶させる。例えば、原料であるGaN多結晶を超臨界アンモニア中に溶解させ、種結晶であるGaN単結晶上へ再結晶させることにより所望の結晶を製造することができる。GaNなどの原料は臨界状態または亜臨界状態のアンモニアに対する溶解度が極めて小さいため、溶解度を向上させて結晶成長を促進させるために鉱化剤を添加する。鉱化剤はハロゲン化アンモニウム(NH4X、 X=F、Cl、Br、I)を代表される酸性鉱化剤と、アルカリアミド(NH2X、 X=Li、Na、K)に代表される塩基性鉱化剤に分類される。鉱化剤を含む超臨界状態または亜臨界状態のアンモニア環境は極めて苛酷な腐食環境であり、容器構造材料の腐食による容器安全性の低下や製造結晶への金属不純物の混入などが課題として存在する。
例えば、特許文献1〜3ではNi基合金を耐食部の材料として用いている。
特許文献4ではフッ素含有皮膜を耐食部として用いている。
特許文献5ではAu、Ag、Cu、Ptなどの可鍛性金属のカプセルを耐食部として用いている。
特許文献6ではPt、Ir、Pt−Ir合金などを耐食部として用いている。
特許文献7ではPt、Ir、Au、Ti、V、Zr、Nb、Ta、W及びその合金などを耐食部として用いている。
特許文献8では、シールド部以外でアンモニアに触れる部分を、貴金属でライニング又はコーティングすることが好ましいとされ、貴金属としては、白金(Pt)、金(Au)、イリジウム(Ir)、ルテニウム(Ru)、ロジウム(Rh)、パラジウム(Pd)、レニウム(Re)、銀(Ag)、及びこれらの元素を主成分とする合金が挙げられている。中でも、耐侵食性に優れるという観点から、白金、イリジウム又はこれらの合金が好ましいとされている。
特許文献5のAu、Ag、Cu、Ptなどの可鍛性金属のカプセルを耐食部として用いた場合、上記金属は柔らかいためカプセルの形状変形などにより、長時間繰り返し使用できないという問題がある。
また、特許文献6〜8では、主にPtやIrのライナーを耐食材として用いており、鉱化剤を含むアンモニア環境の腐食を防止できるものの、Ptは高価であることから、容器製造コストの上昇につながる。また、PtはGaとの合金化により反応層が形成されることが明らかになっており、長期の使用では脆化し破壊する危険性がある。また、その他の貴金属については具体的な使用が示されていない。
他の形態の結晶製造用圧力容器は、前記形態の本発明において、前記Ag製ライナーで覆われていない前記圧力容器の露出している内面の一部または全部に、Agメッキが施されている。
図10はフッ素鉱化剤を用いたアモノサーマル法における一般的な結晶製造装置の概略を示すものであり、細部は省略している。
結晶製造用圧力容器200は縦に配置され、高さ方向中央にバッフル板201が配置されて内部空間が上方の原料充填領域202と下方の結晶成長領域203に区画されている。原料充填領域202に原料211が配置され、結晶成長領域203に種結晶213が配置されて結晶製造を行う。
結晶製造用圧力容器200は、熱電対204で温度を測定しつつ電気炉205で加熱する。内部空間は、高温・高圧の系として容器の上部と下部に温度差を設け、この温度差により溶媒への原料の結晶溶解度の差を利用して結晶製造を行う。
次に、本実施形態における結晶製造用圧力容器の詳細について図1〜図3に基づいて説明する。
結晶製造用圧力容器1は、有底筒状の圧力容器本体10と、圧力容器本体10の上部にある開口100を塞ぐカバー11とを有しており、開口100の口元部101上面とカバー11の内周側縁部下面との間に小円筒形状の金属ガスケット12を介在させている。ガスケット12は、強度やシール性を考慮してニッケル・クロム系合金やニッケル・クロム・モリブデン系合金で構成することができる。以下の説明では、結晶製造用圧力容器1の軸心を縦にした状態で構成を説明する。
またガスケット12は、小円筒形状の外周面側に外方に突出する環状突部12Aを有しており、環状突部12Aは、口元部101上面とカバー11の下面との間の隙間に挿入され、クランプ13の固定により、口元部10Bの内面および上面とカバー11の縁部内面および下面とにそれぞれ密着して上記隙間を封止する。
Agライナーは製作がしやすく、本体の口元に接合しやすさとコスト面を考慮すると望ましい形態である。
なお、Ag溶接の方法は特に限定されるものではないが、Agワイヤー用いたTIG溶接などによって行うことができる。
Agメッキは、メッキ層の厚みを10μm〜1000μmとするのが望ましく、さらに30μm〜200μmとするのが一層望ましい。Agメッキ層の長時間使用とAgメッキ層の品質を考慮して厚みを選定することができる。
なお、本発明としてはメッキの方法が特に限定されるものではなく、既知の方法を適宜採用することができる。
この形態では、圧力容器の大きさを考慮し、容器本体10の底部は止まり穴形状だけでなく貫通させブリッジマン様式にてシールにする構造にすることが可能である。具体的には圧力容器本体10の底部を開口させて開口にブリッジマンシール19を嵌入したものである。
ブリッジマンシール19の上方側には、Agライナー14の底部を囲む本体第2部材18A有しており、ブリッジマンシール19の上端部の外周側側面は本体第1部材10Aと接触している。また、その下方では、ブリッジマンシール19の外周側において、本体第1部材10Aとの間に、本体第2部材18Bが設けられている。
(a)圧力容器は本体、カバー、ガスケットで構成されている
(b)圧力容器の内面はAg製ライナーやAgワイヤーを用いたAg−TIG溶接、Agメッキの組み合わせによって被覆されている
(c)Ag製ライナーは圧力容器本体の口元部分まで実装され、厚みが0.5mm〜20mm、望ましくは1mm〜5mmであること
(d)Agワイヤーを用いたAg−TIG溶接は実装したAg製ライナーの口元と圧力容器本体とを封止していること
(e)Agメッキは圧力容器本体の内Ag製ライナー及びAgワイヤーを用いたAg−TIG溶接部以外の部分及びカバー、ガスケットの内面(Ag製ライナーを実装しにくい場所)に実施され、メッキ層の厚みが10μm〜1000μm望ましくは30μm〜200μmであること
容器本体10の溶媒に接する内面の耐食は、上記のような構成以外にも、内面すべてをAg溶接による被覆、Agメッキによる被覆及びその組み合わせという構成でも構わない。
結晶製造用圧力容器における材料は、Ni基合金、鉄合金、コバルト基合金のいずれか、またはこれらの組み合わせた合金で構成することができるが、これら材料は、超臨界(亜臨界)アンモニアによって相当程度腐食される。しかし、Agで被覆することで腐食を効果的に防止することができる。耐食部をNi基合金などで構成すると、結晶の育成中に不純物が結晶に入るなどの問題が生じる。 また、Ag溶接部、Agメッキでは、Ag製ライナーよりも損傷が生じやすいので、その外側にはそれぞれ第2部材を配置している。
また、圧力容器の内面において、その一部のみにAgを配置するのは望ましくない。結晶育成中は超臨界状態および/または亜臨界状態のアンモニアの溶媒は圧力容器(本体、ガスケット、カバー)の内面すべてに接触する。例えば圧力容器において本体のみにAgを配置し、ガスケット、カバーの内面にAgが存在しなかった場合は露出した部分から製造結晶への金属不純物の混入などが起こる。したがって、圧力容器内において、露出している内面が、全面においてAgが存在していることが必要である。
また、鉱化剤としてフッ素のみを含む場合にAgが優れた耐食性を示す。他のハロゲンを含むとAgは溶解してしまう。すなわち、鉱化剤としてフッ素以外のハロゲン原子を含まないことが重要である。
次に、他の実施形態2およびその変形例を図4、5に基づいて説明する。なお、上記実施形態と同様の構成については、同一の符号を付して説明を省略または簡略化する。
前記実施形態の圧力容器本体10では、本体第1部材10Aの内面の一部にのみAg製ライナーを配置したが、この実施形態の結晶製造用圧力容器2の圧力容器本体20では、有底筒状の本体第1部材20Aの内面の略全面(上端部を除いて)、すなわち内周面および底面において有底筒形状の本体第2部材20Bが設けられている。この実施形態では、Ag製ライナー14のいずれの箇所で損傷などを生じても、その外周側には本体第2部材20Bが位置しているので腐食の進展を抑制することができる。
図5は、圧力容器本体20の底部にブリッジマンシール19を設けた結晶製造用圧力容器2Aの構成を示すものである。
なお、実施形態1、2では、それぞれの第2部材は、一つの材料として説明したが、第2部材を、材料の異なる複数の層で構成することも可能である。
上記各実施形態では、Ag製ライナー14の外周側とカバー11の下面側にそれぞれ第2部材を配置するものとして説明したが、本発明としては、いずれかまたは両方の第2部材を配置しない構成にすることができる。
図6〜8は、圧力容器本体10の本体第1部材30の内側に直接Ag製ライナー14を配置し、カバー11を第1部材でのみ構成した形態の結晶製造用圧力容器3を示している。
Ag溶接部15は、Ag製ライナー14の上端面と、本体第1部材30の内面との間で溶接されている。
この実施形態では、Ag製ライナーやAgメッキに損傷などが生じた場合には、圧力容器本体10やカバー11の内面に損傷を与える可能性があるが、それまでにAg製ライナーやAgメッキなどによって耐食は図られているため、問題の発生を小さくすることができる。また、Ag製ライナーの厚さを、本体第2部材を用いる場合よりも相対的に厚くしたり、メッキの厚さを厚くしたりすることで、損傷の発生を遅らせることができる。また、結晶製造条件の相違などによっては、この実施形態3によっても課題を発生することなく使用することが可能になる。
図7は、圧力容器本体10の底部にブリッジマンシール19を設けた結晶製造用圧力容器3Aの構成を示すものであり、図8は、図6、7における口元部周辺の拡大断面図である。
その結果、図9の写真に示すように、Agで被覆した材料では、Agにおける損傷は見られなかったが、Ptを被覆した材料では、PtとGaが反応して合金化することが確認された。
10 圧力容器本体
10A 本体第1部材
10B 本体第2部材
11 カバー
11A カバー第1部材
11B カバー第2部材
12 ガスケット
14 Ag製ライナー
15 Ag溶接部
16A Agメッキ
16B Agメッキ
16C Agメッキ
20 圧力容器本体
20A 本体第1部材
20B 本体第2部材
30 本体第1部材
100 開口
101 口元部
Claims (14)
- 容器内部で、超臨界状態および/または亜臨界状態のアンモニアの溶媒と原料、鉱化剤および種結晶を用いて結晶を製造する圧力容器であって、
前記圧力容器が、開口を有する容器本体と、前記容器本体の開口を塞ぐカバーと、を有し、
前記圧力容器は、少なくとも露出している内面が、全面においてAgが存在していることを特徴とする結晶製造用圧力容器。 - 前記Agは、前記圧力容器の内面に被覆されていることを特徴とする請求項1記載の結晶製造用圧力容器。
- 前記結晶が窒化物結晶であることを特徴とする請求項1または2に記載の結晶製造用圧力容器。
- 前記鉱化剤がフッ素系鉱化剤であり、フッ素の他にハロゲン原子を含まないことを特徴とする請求項1〜3のいずれか1項に記載の結晶製造用圧力容器。
- 前記容器本体が筒形状からなり、その内面にAg製ライナーが配置されていることを特徴とする請求項1〜4のいずれか1項に記載の結晶製造用圧力容器。
- 前記容器本体と前記カバーとの間の隙間に配置されるガスケットを有することを特徴とする請求項1〜5のいずれか1項に記載の結晶製造用圧力容器。
- 前記容器本体と前記カバーの一方または両方は、それぞれの第1部材の内面側の一部または全部にそれぞれの第2部材が位置しており、各第2部材は、各第1部材よりも耐食性に優れた材料からなることを特徴とする請求項1〜6のいずれか1項に記載の結晶製造用圧力容器。
- 前記容器本体と前記カバーとが、Ni基合金、鉄合金、コバルト基合金のいずれか、またはこれらを組み合わせた合金で構成されていることを特徴とする請求項1〜7のいずれか1項に記載の結晶製造用圧力容器。
- 前記Agが、Ag製ライナー、Ag溶接、Agメッキの2以上の組み合わせによって配置されていることを特徴とする請求項1〜8のいずれか1項に記載の結晶製造用圧力容器。
- 前記Ag製ライナーは、開口を有する圧力容器本体の口元部分まで実装され、厚みが0.5mm〜20mmの範囲内であることを特徴とする請求項9記載の結晶製造用圧力容器。
- 前記Ag製ライナーで覆われていない前記圧力容器の露出している内面の一部または全部に、Agメッキが施されている請求項9または10に記載の面の結晶製造用圧力容器。
- 前記Ag溶接および前記Agメッキの外周側に請求項7に記載の各第2部材が位置し、前記各第2部材の外周側に請求項7に記載の各第1部材が位置していることを特徴とする請求項9〜11のいずれか1項に記載の結晶製造用圧力容器。
- 前記Ag溶接は、前記Ag製ライナーの口元と圧力容器本体とを接合してAg製ライナーと圧力容器本体間の隙間を封止していることを特徴とする請求項9〜12のいずれか1項に記載の結晶製造用圧力容器。
- 前記Agメッキは圧力容器本体の内、Ag製ライナー及びAg溶接部以外の部分及びカバー、ガスケットの内面に実施され、メッキ層の厚みが10μm〜1000μmであることを特徴とする請求項9〜13のいずれか1項に記載の結晶製造用圧力容器。
Priority Applications (7)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2017076804A JP6931827B2 (ja) | 2017-04-07 | 2017-04-07 | 結晶製造用圧力容器 |
KR1020197028284A KR20190132396A (ko) | 2017-04-07 | 2018-04-05 | 결정 제조용 압력 용기 |
KR1020237012144A KR102593081B1 (ko) | 2017-04-07 | 2018-04-05 | 결정 제조용 압력 용기 |
PCT/JP2018/014627 WO2018186475A1 (ja) | 2017-04-07 | 2018-04-05 | 結晶製造用圧力容器 |
US16/499,435 US11746439B2 (en) | 2017-04-07 | 2018-04-05 | Pressure container for crystal production |
CN201880023029.8A CN110475914B (zh) | 2017-04-07 | 2018-04-05 | 晶体制造用压力容器 |
EP18781452.0A EP3608451A4 (en) | 2017-04-07 | 2018-04-05 | Pressure container for crystal production |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2017076804A JP6931827B2 (ja) | 2017-04-07 | 2017-04-07 | 結晶製造用圧力容器 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2018177566A JP2018177566A (ja) | 2018-11-15 |
JP6931827B2 true JP6931827B2 (ja) | 2021-09-08 |
Family
ID=63712532
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2017076804A Active JP6931827B2 (ja) | 2017-04-07 | 2017-04-07 | 結晶製造用圧力容器 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US11746439B2 (ja) |
EP (1) | EP3608451A4 (ja) |
JP (1) | JP6931827B2 (ja) |
KR (2) | KR102593081B1 (ja) |
CN (1) | CN110475914B (ja) |
WO (1) | WO2018186475A1 (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN113477184B (zh) * | 2021-08-17 | 2024-11-19 | 中材人工晶体研究院有限公司 | 一种大容积人造石英晶体高压釜 |
Family Cites Families (34)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8545569B2 (en) | 2001-05-25 | 2013-10-01 | Conformis, Inc. | Patient selectable knee arthroplasty devices |
DE19937470A1 (de) * | 1999-08-07 | 2001-02-08 | Ralph Funck | Druckbehälter und Verfahren zu seiner Herstellung |
IL159165A0 (en) | 2001-06-06 | 2004-06-01 | Ammono Sp Zoo | Process and apparatus for obtaining bulk monocrystalline gallium containing nitride |
PL207400B1 (pl) | 2001-06-06 | 2010-12-31 | Ammono Społka Z Ograniczoną Odpowiedzialnością | Sposób i urządzenie do otrzymywania objętościowego monokryształu azotku zawierającego gal |
US7057211B2 (en) | 2001-10-26 | 2006-06-06 | Ammono Sp. Zo.O | Nitride semiconductor laser device and manufacturing method thereof |
KR100904501B1 (ko) | 2001-10-26 | 2009-06-25 | 암모노 에스피. 제트오. 오. | 에피택시용 기판 |
US20060138431A1 (en) | 2002-05-17 | 2006-06-29 | Robert Dwilinski | Light emitting device structure having nitride bulk single crystal layer |
WO2003098757A1 (en) | 2002-05-17 | 2003-11-27 | Ammono Sp.Zo.O. | Light emitting element structure having nitride bulk single crystal layer |
US7364619B2 (en) | 2002-06-26 | 2008-04-29 | Ammono. Sp. Zo.O. | Process for obtaining of bulk monocrystalline gallium-containing nitride |
WO2004004085A2 (en) | 2002-06-26 | 2004-01-08 | Ammono Sp.Zo.O. | Nitride semiconductor laser device and a method for improving its performance |
PL224993B1 (pl) | 2002-12-11 | 2017-02-28 | Ammono Spółka Z Ograniczoną Odpowiedzialnością | Sposób otrzymywania objętościowego monokrystalicznego azotku zawierającego gal |
US7098487B2 (en) | 2002-12-27 | 2006-08-29 | General Electric Company | Gallium nitride crystal and method of making same |
EP3211659A1 (en) | 2002-12-27 | 2017-08-30 | Soraa Inc. | Gallium nitride crystal |
US9279193B2 (en) | 2002-12-27 | 2016-03-08 | Momentive Performance Materials Inc. | Method of making a gallium nitride crystalline composition having a low dislocation density |
US7786503B2 (en) | 2002-12-27 | 2010-08-31 | Momentive Performance Materials Inc. | Gallium nitride crystals and wafers and method of making |
US8357945B2 (en) | 2002-12-27 | 2013-01-22 | Momentive Performance Materials Inc. | Gallium nitride crystal and method of making same |
US20060169996A1 (en) | 2002-12-27 | 2006-08-03 | General Electric Company | Crystalline composition, wafer, and semi-conductor structure |
US7638815B2 (en) | 2002-12-27 | 2009-12-29 | Momentive Performance Materials Inc. | Crystalline composition, wafer, and semi-conductor structure |
US7859008B2 (en) | 2002-12-27 | 2010-12-28 | Momentive Performance Materials Inc. | Crystalline composition, wafer, device, and associated method |
US8089097B2 (en) | 2002-12-27 | 2012-01-03 | Momentive Performance Materials Inc. | Homoepitaxial gallium-nitride-based electronic devices and method for producing same |
US20070040181A1 (en) | 2002-12-27 | 2007-02-22 | General Electric Company | Crystalline composition, wafer, and semi-conductor structure |
JP4276627B2 (ja) * | 2005-01-12 | 2009-06-10 | ソルボサーマル結晶成長技術研究組合 | 単結晶育成用圧力容器およびその製造方法 |
JP4773773B2 (ja) | 2005-08-25 | 2011-09-14 | 東京電波株式会社 | 超臨界アンモニア反応機器用耐食部材 |
US9051780B2 (en) | 2007-01-09 | 2015-06-09 | Schlumberger Technology Corporation | Progressive cavity hydraulic machine |
JP2012017212A (ja) | 2010-07-06 | 2012-01-26 | Tohoku Univ | 窒化物単結晶の製造方法、窒化物単結晶、基板およびデバイス |
JP2012171863A (ja) * | 2011-02-18 | 2012-09-10 | Mitsubishi Chemicals Corp | 窒化物結晶の製造方法および結晶製造装置 |
JP5953943B2 (ja) | 2011-05-31 | 2016-07-20 | 三菱化学株式会社 | 窒化物半導体結晶の製造方法、反応容器および部材 |
CA2839868A1 (en) * | 2011-06-23 | 2012-12-27 | Asahi Kasei Kabushiki Kaisha | Method for producing nitride single crystal and autoclave for use in the method |
JPWO2012176318A1 (ja) | 2011-06-23 | 2015-02-23 | 旭化成株式会社 | 窒化物単結晶の製造方法及びそれに用いるオートクレーブ |
JP6046514B2 (ja) | 2012-03-01 | 2016-12-14 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
JP2013203652A (ja) | 2012-03-29 | 2013-10-07 | Tohoku Univ | 窒化物単結晶の製造方法 |
US9976229B2 (en) | 2012-03-29 | 2018-05-22 | Mitsubishi Chemical Corporation | Method for producing nitride single crystal |
JP2015040170A (ja) * | 2013-08-23 | 2015-03-02 | 三菱化学株式会社 | 周期表第13族金属窒化物結晶の製造方法 |
JP6300543B2 (ja) | 2014-01-29 | 2018-03-28 | 三菱ケミカル株式会社 | 窒化物結晶成長用容器および窒化物結晶の製造方法 |
-
2017
- 2017-04-07 JP JP2017076804A patent/JP6931827B2/ja active Active
-
2018
- 2018-04-05 WO PCT/JP2018/014627 patent/WO2018186475A1/ja active Application Filing
- 2018-04-05 KR KR1020237012144A patent/KR102593081B1/ko active IP Right Grant
- 2018-04-05 CN CN201880023029.8A patent/CN110475914B/zh active Active
- 2018-04-05 KR KR1020197028284A patent/KR20190132396A/ko active Application Filing
- 2018-04-05 US US16/499,435 patent/US11746439B2/en active Active
- 2018-04-05 EP EP18781452.0A patent/EP3608451A4/en active Pending
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR102593081B1 (ko) | 2023-10-24 |
JP2018177566A (ja) | 2018-11-15 |
CN110475914B (zh) | 2022-07-29 |
CN110475914A (zh) | 2019-11-19 |
KR20230051634A (ko) | 2023-04-18 |
WO2018186475A1 (ja) | 2018-10-11 |
US11746439B2 (en) | 2023-09-05 |
EP3608451A1 (en) | 2020-02-12 |
EP3608451A4 (en) | 2020-11-18 |
US20200048791A1 (en) | 2020-02-13 |
KR20190132396A (ko) | 2019-11-27 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
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A621 | Written request for application examination |
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|
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A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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|
R250 | Receipt of annual fees |
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