JPH1084161A

JPH1084161A - 半導体レーザ及びその製造方法

Info

Publication number: JPH1084161A
Application number: JP8237023A
Authority: JP
Inventors: Junichi Hashimoto; 順一橋本; Michio Murata; 道夫村田; Nobuyuki Ikoma; 暢之生駒; Jiro Fukui; 二郎福井
Original assignee: Sumitomo Electric Industries Ltd
Current assignee: Sumitomo Electric Industries Ltd
Priority date: 1996-09-06
Filing date: 1996-09-06
Publication date: 1998-03-31
Also published as: US6067310A

Abstract

(57)【要約】【課題】優れた特性の半導体レーザ及びその製造方法
を提供する。【解決手段】本方法は、活性層４の端面４ｆから、活
性層４内に、活性層４に含まれない元素Ｎを導入し、活
性層４の端面４ｆ近傍の領域を、この元素Ｎを含み、活
性層４よりも広いエネルギーバンドギャップを有し、且
つ、その中を通じて活性層４内部で発生したレーザ光が
出射される化合物材料１００ｆに置換する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、光通信、光記録及
び光情報処理等の分野で用いられる半導体レーザ及びそ
の製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来の半導体レーザは、高出力で長時間
の連続発光を行うことが困難であった。特に、長距離光
通信においては、このような特性を満たす半導体レーザ
があれば、当該半導体レーザを内部に有する光中継器の
数を低減することができるとともに、この半導体レーザ
を交換する必要がなくなる。半導体レーザが高出力で長
時間連続発光できない原因の１つは、高出力時における
光出射端面の溶融破壊にあると考えられている。この故
障は、半導体レーザの高出力連続発光動作中に突然生じ
るため、ＣＯＤ（Catastrophic Optical Damage）と呼
称されている。特に、１．１μｍ以下の発振波長の半導
体レーザにおいては、ＣＯＤは頻発する。ＥＤＦＡ（エ
ルビウム添加ファイバ増幅器）に代表される光ファイバ
増幅器用の光源として、発振波長約０．９８μｍの半導
体レーザが期待されるが、現在の波長１．１μｍ以下の
半導体レーザでは、上述のように高出力長時間の連続発
光を行うことが困難なため、このような光ファイバ増幅
器を用いた長距離光通信の実用化が阻まれている。

【０００３】ＣＯＤを抑制する手段として、半導体レー
ザ活性層端面と反射膜との間の非発光再結合中心の密度
を低下させたり、或いは、その増殖を抑制することが考
えられる。発振波長の光に対して透明なワイドエネルギ
ーバンドギャップの半導体層をこの端面に形成する所謂
ウインドウ構造は、ワイドエネルギーバンドギャップの
半導体層が端面近傍において非吸収領域として機能する
ため、非発光再結合中心の増殖が抑えられ、端面劣化が
生じにくくなる。また、活性層の端面近傍に電流非注入
領域を設けることで端面へのリーク電流を低減させる構
造も考えれ、このリーク電流の低減により端面における
非発光センターの増殖を防止する。さらに、米国特許第
５１４４６３４号に記載されるような厚さ数ｎｍの超薄
膜で端面をコーティングした構造の半導体レーザが考え
られている。

【０００４】また、特開平６−５９８６号公報には、活
性層に含まれる元素と同一の元素を当該端面から導入す
ることにより、活性層の端面を高抵抗化する方法が開示
されている。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、いずれ
の構造の半導体レーザにおいても、真空中での劈開を必
要としたり、新たな半導体層を端面に設けたりする必要
があり、その製造装置が複雑である。また、このような
方法を用いて製造された半導体レーザの再現性も高くな
いと思われる。そして、活性層に含まれる元素と同一の
元素を当該端面から導入する場合は、活性層の端面近傍
が高抵抗化するものの、製造された半導体レーザの高出
力長時間の連続発光特性は十分とは言えない。

【０００６】本発明は、このような課題を解決するため
になされたものであり、高出力長時間の連続発光を行う
ことが可能な半導体レーザ及びその製造方法を提供する
ことを目的とする。

【０００７】

【課題を解決するための手段】本発明に係る半導体レー
ザの製造方法は、化合物半導体層の端面から、元素を導
入し、化合物半導体層の端面近傍の領域を、化合物半導
体層よりも広いエネルギーバンドギャップを有する化合
物材料に置換する工程を備える。本方法によれば、元素
を当該端面から導入し、端面近傍の化合物半導体層を、
この化合物半導体層よりも広いエネルギーバンドギャプ
を有する化合物材料で置換するので、化合物半導体層の
端面近傍が発振波長に対して透明な所謂ウインドウ領域
として機能し、端面劣化を防止することができる。ま
た、この化合物半導体層は、ＧａＩｎＡｓ、ＧａＩｎＡ
ｓＰ又はＧａＩｎＡｓＮであり、前記元素は、窒素又は
隣であることが好ましい。これらの元素との置換によっ
て、ＧａＩｎＡｓ、ＧａＩｎＡｓＰ又はＧａＩｎＡｓＮ
の一部は、上記化合物半導体層よりもエネルギーバンド
ギャップの広いＧａＮ系化合物半導体、ＧａＩｎＡｓＰ
系化合物半導体又はＧａＰ系化合物半導体に置換され
る。さらに、この導入は、磁場とマイクロ波の相互作用
を利用して、前記元素をプラズマ化することにより行う
ことが好ましく、この場合、良質の化合物層が形成され
る。そして、このような方法により製造された半導体レ
ーザは、レーザ光をその端面から出射するための化合物
半導体層と、この端面に設けられ、前記化合物半導体層
よりも広いエネルギーバンドギャップを有する層とを備
える。

【０００８】

【発明の実施の形態】以下、本発明に係る半導体レーザ
及びその製造方法の一実施の形態について、添付の図面
を用いて説明する。なお、同一要素には同一符号を用
い、重複する説明は省略する。

【０００９】図１は、本実施の形態に係る半導体レーザ
の斜視図である。まず、本半導体レ−ザの構造について
説明する。本半導体レーザは、基板１上に順次積層され
た下部クラッド層２、下部光閉じ込め層３、活性層（化
合物半導体層）４、上部光閉じ込め層５、第１上部クラ
ッド層６、ガイド層８、第２上部クラッド層９及びコン
タクト層１０を備え、好ましくは０．９〜１．１μｍ、
具体的には０．９８μｍの波長のレーザ光を出射するこ
とが可能である。また、本半導体レーザは、その長手方
向に延びる溝によって分割された電流ブロック層７を、
第１上部クラッド層６とコンタクト層１０との間に有す
る。ガイド層８及び第２上部クラッド層９は、電流ブロ
ック層７を分割する溝（以下、分割溝）内に埋設されて
いる。コンタクト層１０上面及び基板１下面には、それ
ぞれ、オーミック電極１１及び１２が形成されている。

【００１０】化合物半導体層２〜６の分割溝直下の領
域、及び溝内の層８，９は、共振器を構成し、分割溝長
手方向の両端を含むこれらの層の端面は、共振器両端の
反射端面（結晶劈開面）を構成する。レーザ光の出射さ
れる側の反射端面（以下、出射面）上には、活性層４よ
りも広いエネルギーバンドギャップを有する化合物材料
１００ｆが形成されている。また、化合物材料１００ｆ
の表面上には、ＳｉＮ反射低減膜（以下、反射膜）２０
が形成されている。出射面に対向する反射端面（以下、
高反射面）には、活性層４よりも広いエネルギーバンド
ギャップを有する化合物材料１００ｂが形成されてい
る。この化合物材料１００ｂの表面上は、多層反射膜３
０が形成されている。多層反射膜３０は、誘電体薄膜３
１、アモルファスＳｉ膜３２、誘電体薄膜３３、アモル
ファスＳｉ膜３４、誘電体薄膜３５、アモルファスＳｉ
膜３６及び誘電体薄膜３７から構成されている。

【００１１】次に、各構成要素の材料等について説明す
る。基板１は、ｎ型ＧａＡｓからなり、１００μｍ程度
の厚みを有する。下部クラッド層２は、ｎ型ＧａＩｎＰ
からなり、好ましくは１〜２μｍ、具体的には１．５μ
ｍの厚みを有する。下部光閉じ込め層３は、アンドープ
ＧａＩｎＡｓＰからなり、好ましくは数十ｎｍ、具体的
には４７ｎｍの厚みを有する。活性層４は、アンドープ
ＧａＩｎＡｓからなり、好ましくは数ｎｍ、具体的には
８ｎｍの厚みを有する。上部光閉じ込め層５は、アンド
ープＧａＩｎＡｓＰからなり、好ましくは数十ｎｍ、具
体的には４７ｎｍの厚みを有する。第１上部クラッド層
６は、ｐ型ＧａＩｎＰからなり、好ましくは０．３〜
０．５μｍ、具体的には０．４μｍの厚みを有する。ガ
イド層８は、ｐ型ＧａＡｓからなり、好ましくは１０〜
３０ｎｍ、具体的には１５ｎｍの厚みを有する。第２上
部クラッド層９は、ｐ型ＧａＩｎＰからなり、好ましく
は１〜２μｍ、具体的には１．１μｍの厚みを有する。
コンタクト層１０は、ｐ型ＧａＡｓからなる。電流ブロ
ック層７は、ｎ型ＡｌＧａＩｎＰかなり、クラッド層９
と略同等の厚みを有する。誘電体薄膜３１，３３，３
５，３７は、ＳｉＮからなる。なお、誘電体薄膜２０，
３１，３３，３５，３７の材料として、ＳｉＮの代わり
に、ＳｉＯ₂又はＡｌ₂Ｏ₃を用いてもよい。化合物材料
１００ｆ及び１００ｂは、共に、ＧａＮ系化合物半導体
であり、Ｇａ、Ｉｎ、Ａｓ及びＮを含む。なお、各化合
物半導体層のエネルギーバンドギャップの大きさは、そ
れぞれの層の材料によって規定される値である。

【００１２】次に、本半導体レーザの動作について説明
する。上下の電極１１及び１２間に電圧を印加し、電流
を供給すると、活性層４の分割溝直下の領域（活性領
域）に、活性層４上部のｐ型半導体層６側から正孔が、
活性層４下部のｎ型半導体層２側から電子が注入され
る。これらの注入キャリア密度が反転分布を作るのに必
要な最小値を越えると、誘導放出作用による光利得と共
振器の光損失とが均衡し、レーザ動作が開始される。活
性層４内部で発生したレーザ光は、共振器の反射端面間
を往復しながら増幅され、低反射膜２０の形成された側
の出射端面から出射する。

【００１３】以上、説明したように、本半導体レーザ
は、レーザ光をその端面から出射するための化合物半導
体層４と、前記端面近傍に設けられ、元素Ｎを含み、化
合物半導体層４よりも広いエネルギーバンドギャップを
有し、発振光に対して透明なウインドウ領域として機能
する薄層を有する。

【００１４】次に、本半導体レーザの製造方法について
説明する。図２は、基板１を構成するウエハＷの平面図
である。このウエハＷは、（１００）ＧａＡｓウエハ
（ＪＵＳＴ基板）であり、オリエンテーションフラット
ＯＦに垂直な線分Ｌ１及びＬ２、平行な線分Ｌ３及びＬ
８によって囲まれる素子形成領域を有する。本ウエハＷ
の素子形成領域には、複数の半導体レーザが製造され
る。まず、このウエハＷから、縦列した複数の半導体レ
ーザ中間体から構成されるチップバーを製造する。以
下、この素子形成領域内の１つの半導体レーザの形成さ
れる領域のウエハＷの断面を用いて、このチップバーの
製造方法について説明する。なお、以下の説明におい
て、図２のウエハＷ上に複数の素子が形成されたものも
ウエハＷとして説明を行う。

【００１５】図３乃至図５は、図２のウエハＷのＸ−Ｘ
矢印断面によって示される半導体レーザ中間体を示す。
上記チップバーの製造は、以下の方法を用いて行う。ま
ず、図３に示すように、基板１（ＧａＡｓウエハＷ）上
に、下部クラッド層２、下部光閉じ込め層３、活性層
４、上部光閉じ込め層５、第１上部クラッド層６、ガイ
ド層８及び第２上部クラッド層９を順次積層する。この
積層は、有機金属気相成長（ＯＭＶＰＥ）法を用いて行
う。

【００１６】次に、図４に示すように、第２上部クラッ
ド層９及びガイド層８上の所定領域にマスクを形成し、
これらの層９及び８を順次エッチングする。すなわち、
まず、第２上部クラッド層９の露出領域をエッチング液
を用いて逆メサ型にウエットエッチングする。なお、逆
メサが形成されるのは、クラッド層９の結晶面方位に対
するエッチング速度が異なっているためであり、エッチ
ング液の濃度は、このようなエッチングが行われるよう
に、適宜設定すればよい。なお、このエッチング時に、
ガイド層８はエッチングブロック層として機能するの
で、ガイド層８の上側に位置する第２上部クラッド層９
の露出領域のみが選択的にエッチングされる。しかる
後、エッチング液を変えて、ガイド層８の露出領域をエ
ッチングする。このエッチング時には、ガイド層８直下
の第１上部クラッド層６がエッチングブロック層として
機能するので、ガイド層８の露出領域のみが選択的にエ
ッチングされる。

【００１７】次に、図５に示すように、エッチングによ
り露出したガイド層８及び第２上部クラッド層９の露出
表面を覆うように、電流ブロック層７を第１上部クラッ
ド層６の上に形成する。電流ブロック層７の堆積は、そ
の上面が、第２上部クラッド層９の上面と一致する程度
まで行う。電流ブロック層７の形成後、第２上部クラッ
ド層９上に形成されたマスクを除去し、コンタクト層１
０を第２上部クラッド層９及び電流ブロック層７上に形
成する。この後、コンタクト層１０及び基板１の露出表
面にそれぞれ電極１１及び１２を蒸着する。最後に、図
２に示したウエハＷを、結晶方位に一致する線分Ｌ１〜
Ｌ８に沿って劈開し、チップバーを製造する。

【００１８】図６は、このチップバーの正面図である。
本チップバーは、図２の劈開面Ｌ１，、Ｌ２、Ｌ３、Ｌ
４によって囲まれた領域から取り出されたものである。
同図に示すように、このチップバーは、同一構造の半導
体レーザ中間体ＬＤ１〜ＬＤ５を備えている。

【００１９】次に、化合物材料１００ｆ，１００ｂ及び
反射膜２０，３０の形成について説明する。図７は、図
６に示したチップバーのＹ−Ｙ矢印断面である。まず、
出射面４ｆから、活性層４及び共通の端面を有する半導
体層内に窒素原子を導入する。すなわち、図７に示すチ
ップバーをＥＣＲ（電子サイクロトロン共鳴）ＣＶＤ装
置内に導入し、ＥＣＲ装置内で発生する窒素プラズマイ
オンが照射されるように配置する。この窒素原子の導入
により、出射面４ｆ近傍の活性層４が、化合物半導体材
料１００ｆに置換される。この化合物半導体材料１００
ｆは、Ａｓを若干含むものの、活性層４内に当初存在し
たＡｓ原子が、Ｎ原子と置換することにより、その主成
分はＧａＩｎＮからなる。なお。このとき、ＥＣＲプラ
ズマＣＶＤ装置のチャンバ内において、高密度のプラズ
マが発生しない場合は、窒素ガスに加え、Ａｒガスを当
該チャンバ内に導入する。この場合、Ａｒガスによって
窒素ガスの電離が促進され、窒素プラズマの密度が高く
なり、端面の窒化が促進される。

【００２０】窒素ガスは、古くからプロセスガスとして
電子産業の分野で極めて広範に用いられており、高純度
のものを安く、容易に入手することができるという利点
がある。従って、窒素ガスを用いることで、低処理コス
トで且つ高純度の端面窒化処理を行うことができる。こ
こでは、プラズマ照射の手法としてＥＣＲ方式を用いる
が、高純度プラズマの照射が可能であって、且つ、半導
体表面に対して損傷を与えないイオンを照射できる方式
であれば、ヘリコン波方式を用いてもよい。これらの磁
場及びマイクロ波の相互作用を利用した方式は、端面近
傍へのダメージを導入することがなく、窒素ガス等を端
面から半導体層内へ導入することができる。さらに、こ
れらの方式は、低温（数十°Ｃ）においても行うことが
できるため、製造時に、半導体層内へ熱的なダメージが
導入されない。

【００２１】本方式による活性層４の窒化においては、
主として、活性層４内のＧａとＮとが結合し、１０〜２
０ｎｍの厚みを有するＧａＮ系化合物半導体層が形成さ
れていると考えられる。この化合物半導体層は、上記方
式を用いているため、低表面準位密度の良質な高抵抗層
である。このような良質のＧａＮ系化合物半導体層１０
０ｆは、その端面１４ｆへのリーク電流を低減し、反射
膜２０との界面における非発光再結合中心の低減、ＣＯ
Ｄ劣化の防止が期待できる。さらに、この半導体層１０
０ｆは、エネルギーバンドギャップが活性層４よりも広
いため、出射されるレーザ光の波長に対しては透明なウ
インドウ領域として機能する。そして、これらの相乗効
果により、ＣＯＤ劣化を劇的に抑制することが可能とな
る。

【００２２】図８は、化合物材料１００ｆの形成された
チップバーのＹ−Ｙ矢印断面図である。化合物材料１０
０ｆの形成後、活性層４の出射面４ｆに対向する端面４
ｂ側から、活性層４内に窒素原子を導入する。この導入
工程は、化合物材料１００ｆを形成する工程と同一であ
るので、説明を省略する。

【００２３】図９は、双方の端面にそれぞれ化合物材料
１００ｆ及び１００ｂの形成されたチップバーのＹ−Ｙ
矢印断面図である。これらの材料１００ｆ及び１００ｂ
の形成後、このＥＣＲプラズマＣＶＤ装置を用いて、反
射膜２０を化合物材料１００ｆの出射面１４ｆ上に形成
する。すなわち、厚み１００ｎｍ以上のＳｉＮ反射膜２
０を出射面１４ｆ上に形成する。

【００２４】図１０は、反射膜２０の形成されたチップ
バーのＹ−Ｙ矢印断面図である。形成された反射膜２０
の波長０．９８μｍのレーザ光に対する反射率は、好ま
しくは１０％以下、具体的には３％である。次に、この
ＥＣＲ装置を用いて、反射膜３０を化合物材料１００ｂ
の高反射面１４ｂ上に形成する。すなわち、高反射面１
４ｂ上に、ＳｉＮ膜を４層、アモルファスＳｉ膜を３
層、互いに交互に積層する。この工程により、複数の半
導体レーザからなるチップバーが形成される。なお、図
１１は、完成した半導体レーザを備えたチップバーのＹ
−Ｙ矢印断面図である。形成された反射膜３０の波長
０．９８μｍのレーザ光に対する反射率は、好ましくは
９０％以上、具体的には９３％である。

【００２５】最後に、図６に示した劈開面Ｌ９〜Ｌ１２
に沿って各半導体レーザＬＤ１〜ＬＤ５を分離すること
により、図１に示した半導体レーザが製造される。

【００２６】次に、別の実施の態様に係る半導体レーザ
及びその製造方法について、説明する。本半導体レーザ
の構造は、図１に示したものと同一であり、化合物材料
１００ｆ及び１００ｂの材料のみが異なる。本実施の態
様における化合物材料１００ｆ及び１００ｂの材料は、
ＧａＩｎＡｓＰである。なお、説明においては、上記化
合物半導体において、構成元素の比率が異なる場合、例
えば、ＧａＩｎＡｓ_xＰ_1-x（０≦ｘ＜１）においても、
単に、ＧａＩｎＡｓＰと記載する。ＧａＩｎＡｓＰもＧ
ａＩｎＡｓより、そのエネルギーバンドギャップが広
く、出射レーザ光の波長に対してウインドウとして機能
する。

【００２７】次に、本半導体レーザの製造方法について
説明する。本方法は、上述の実施の態様に係る製造方法
と比較して、端面４ｆ及び４ｂを介して活性層４内に導
入する元素の種類のみが異なる。本方法において、活性
層４及び共通の端面を有する半導体層内に隣原子を導入
する。導入においては、上記と同一のＣＶＤ装置を用
い、ＰＨ₃ガス、若しくはＰＨ₃ガスとＡｒガスの混合ガ
スを、窒素ガスの代わりに用いる。この導入により、活
性層４の端面４ｆ及び４ｂ近傍の領域中のＡｓ原子の一
部又は全部はＰ原子と置換され、ＧａＩｎＡｓＰからな
る化合物材料１００ｆ及び１００ｂが形成される。この
ＧａＩｎＡｓＰ層は、活性層４よりもエネルギーバンド
ギャップの広い、所謂ウインドウ領域として機能し、そ
のため、端面における光吸収が抑制され、ＣＯＤ耐性が
劇的に向上する。さらに、本方法によれば、これらの端
面４ｆ及び４ｂが、Ｐ及びＨによってパッシベートされ
ることにより、端面の表面準位が大幅に低減され、これ
もＣＯＤ劣化防止に有効に寄与する。また、ＰＨ₃ガス
は、高純度を要求される有機金属気相成長（ＯＭＶＰ
Ｅ）法用の原料ガスとして、古くからその精製技術が発
達しており、高純度のものを低価格で容易に入手するこ
とができ、且つ、パッシベートに有効なＰ及びＨを同時
に発生することができる。したがって、ＰＨ₃ガスを用
いることにより、低処理コストで高純度且つ高効率の端
面隣、水素処理を行うことができる。さらに、本プラズ
マ照射により、Ａｓ空格子等の表面欠陥がＰ原子により
充填され、Ｐ原子の添加により、表面準位形成の要因と
なるＡｓ自由原子の形成が抑制されるとともに、水素プ
ラズマにより端面が清浄化され、パッシベーションされ
て表面欠陥がさらに減少する。また、本プラズマ処理の
際に発生するＰの空格子に起因する欠陥がＰプラズマに
よってパッシベーションされ、表面準位をさらに低減さ
せることができる。また、Ｐ及びＨのプラズマを併せて
照射することにより、プラズマ照射後、高温アニールを
行っても、深い準位の欠陥の発生が抑制される。なお、
反射膜２０及び３０は、通常のＣＶＤ法又はスパッタ法
等を用いて形成してもよい。

【００２８】以上、説明したように、本製造方法は、化
合物半導体層４の端面４ｆから、化合物半導体層４内に
化合物半導体層４に含まれない元素を導入し、化合物半
導体層４の端面４ｆ近傍の領域を、この元素を含み、化
合物半導体層４よりも広いエネルギーバンドギャップを
有し、且つ、その中を通じて化合物半導体層４内部で発
生したレーザ光が出射される化合物材料１００ｆに置換
する。なお、本発明に係る半導体レーザにおいては、活
性層４の材料として、ＧａＩｎＡｓを用いたが、これ
は、ＧａＡｓ、ＧａＩｎＰ、ＡｌＧａＩｎＰ、ＧａＩｎ
ＡｓＰ又はＧａＩｎＡｓＮ等を代わりに用いてもよい。
また、本発明に係る半導体レーザにおいては、クラッド
層２、６の材料として、ＧａＩｎＰを用いたが、ＡｌＧ
ａＩｎＰ又はＡｌＧａＡｓ等を代わりに用いてもよい。
さらに、上記元素の導入は、磁場とマイクロ波の相互作
用を利用して、前記元素をプラズマ化することにより行
うことが好ましい。なお、活性層４としては、端面近傍
に形成されるＧａＩｎＡｓＰよりも狭いエネルギーバン
ドギャップを有するＧａＩｎＡｓＰを採用することも可
能である。

【００２９】

【発明の効果】本発明の製造方法を用いることにより、
ＣＯＤ耐性を向上させ、高出力長時間の連続発光を行う
ことが可能な半導体レーザを製造することができる。ま
た、本方法は、反射膜形成の前処理の一環として簡単に
実施することができるので、通常の半導体レーザプロセ
スとの整合性が高く、生産性、製造コストを損なうこと
がない。

【図面の簡単な説明】

【図１】半導体レーザの斜視図。

【図２】ウエハの平面図。

【図３】半導体レーザ中間体の断面図。

【図４】半導体レーザ中間体の断面図。

【図５】半導体レーザ中間体の断面図。

【図６】チップバーの正面図。

【図７】チップバーの断面図。

【図８】チップバーの断面図。

【図９】チップバーの断面図。

【図１０】チップバーの断面図。

【図１１】チップバーの断面図。

【符号の説明】４…化合物半導体層、４ｆ，１４ｆ…端面、１００ｆ…
化合物材料。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者福井二郎神奈川県横浜市栄区田谷町１番地住友電気工業株式会社横浜製作所内

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】化合物半導体層の端面から、元素を導入
し、前記化合物半導体層の前記端面近傍の領域を、前記
化合物半導体層よりも広いエネルギーバンドギャップを
有する化合物材料に置換する工程を備えることを特徴と
する半導体レーザの製造方法。
【請求項２】前記導入は、磁場とマイクロ波の相互作
用を利用して、前記元素をプラズマ化することにより行
うことを特徴とする請求項１に記載の半導体レーザの製
造方法。
【請求項３】レーザ光をその端面から出射するための
化合物半導体層と、前記端面近傍に設けられ、前記化合
物半導体層よりも広いエネルギーバンドギャップを有す
る層と、を備えることを特徴とする半導体レーザ。