JP2812069B2 - 半導体レーザ - Google Patents
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- Semiconductor Lasers (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体レーザに関し、
特に、レーザチップ内に独立駆動構造の複数のレーザ共
振器を形成して成るマルチビーム半導体レーザに関す
る。
特に、レーザチップ内に独立駆動構造の複数のレーザ共
振器を形成して成るマルチビーム半導体レーザに関す
る。
【０００２】
【従来の技術】最近、レーザプリンタや光ディスク等の
高出力光源として、マルチビーム半導体レーザが用いら
れている。この種のマルチビーム半導体レーザは、高出
力化のために共通電極で複数のレーザ共振器を同時に駆
動する半導体レーザと異なり、レーザチップ内に独立駆
動構造の複数のレーザ共振器を有している。
高出力光源として、マルチビーム半導体レーザが用いら
れている。この種のマルチビーム半導体レーザは、高出
力化のために共通電極で複数のレーザ共振器を同時に駆
動する半導体レーザと異なり、レーザチップ内に独立駆
動構造の複数のレーザ共振器を有している。
【０００３】図６はこの種のマルチビーム半導体レーザ
のチップ断面構造図であり、半導体基板１０上に、第一
のバッファ層１１、第一のクラッド層１２、活性層１
３、第二のクラッド層１４、第二のバッファ層１５がこ
の順に形成され、第二のバッファ層１５及び第二のクラ
ッド層１４は、メサエッチングされて複数（図６では二
つ）のストライプ領域をなしている。これらストライプ
領域は電流ブロック層１６ａ〜１６ｃにて所定間隔で分
離され、更にこれら層の表面に、レジスト層１７で分離
されたコンタクト層１８ａ、１８ｂが形成されている。
また、コンタクト層１８ａ、１８ｂ上面にはｐ電極１９
ａ、１９ｂ、半導体基板１０下面には共通ｎ電極１９ｃ
が形成されている。なお、第一及び第二のバッファ層１
１、１５は、夫々半導体基板１０、第二のクラッド層１
４と一体となり、独立に存在しない構造のものもある。
のチップ断面構造図であり、半導体基板１０上に、第一
のバッファ層１１、第一のクラッド層１２、活性層１
３、第二のクラッド層１４、第二のバッファ層１５がこ
の順に形成され、第二のバッファ層１５及び第二のクラ
ッド層１４は、メサエッチングされて複数（図６では二
つ）のストライプ領域をなしている。これらストライプ
領域は電流ブロック層１６ａ〜１６ｃにて所定間隔で分
離され、更にこれら層の表面に、レジスト層１７で分離
されたコンタクト層１８ａ、１８ｂが形成されている。
また、コンタクト層１８ａ、１８ｂ上面にはｐ電極１９
ａ、１９ｂ、半導体基板１０下面には共通ｎ電極１９ｃ
が形成されている。なお、第一及び第二のバッファ層１
１、１５は、夫々半導体基板１０、第二のクラッド層１
４と一体となり、独立に存在しない構造のものもある。
【０００４】上記構造において、従来は、通常、半導体
基板１０にｎ型（第一導電型、以下同じ）ＧａＡｓ混
晶、第一のクラッド層１２にｎ型III-Ｖ原子の混晶、活
性層１３にアンドープのIII-Ｖ原子の混晶、第二のクラ
ッド層１４にｐ型（第二導電型、以下同じ）III-Ｖ原子
の混晶、電流ブロック層にＧａＡｓ混晶が用いられてい
る。
基板１０にｎ型（第一導電型、以下同じ）ＧａＡｓ混
晶、第一のクラッド層１２にｎ型III-Ｖ原子の混晶、活
性層１３にアンドープのIII-Ｖ原子の混晶、第二のクラ
ッド層１４にｐ型（第二導電型、以下同じ）III-Ｖ原子
の混晶、電流ブロック層にＧａＡｓ混晶が用いられてい
る。
【０００５】このような構造のマルチビーム半導体レー
ザでは、図７の縦方向に電流を流すと、ｐ電極１９ａ、
１９ｂからのキャリアは電流ブロック層１６ａ〜１６ｃ
でブロックされ、夫々ストライプ領域の上面を通って第
二のクラッド層１４を移動する。その際、キャリアは、
電界により第二のクラッド層１４から活性層１３、第一
のクラッド層１２を横切ってｎ共通電極１９ｃまでの間
をビーム状に分布する。従って、各ストライプ領域の上
面にその幅で電流が流れ、各電流幅に対応する活性層１
３の領域にて独立にレーザ発振が行われる。即ち、スト
ライプ領域毎に独立駆動可能のレーザ共振器が形成され
る。
ザでは、図７の縦方向に電流を流すと、ｐ電極１９ａ、
１９ｂからのキャリアは電流ブロック層１６ａ〜１６ｃ
でブロックされ、夫々ストライプ領域の上面を通って第
二のクラッド層１４を移動する。その際、キャリアは、
電界により第二のクラッド層１４から活性層１３、第一
のクラッド層１２を横切ってｎ共通電極１９ｃまでの間
をビーム状に分布する。従って、各ストライプ領域の上
面にその幅で電流が流れ、各電流幅に対応する活性層１
３の領域にて独立にレーザ発振が行われる。即ち、スト
ライプ領域毎に独立駆動可能のレーザ共振器が形成され
る。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】ところで、マルチビー
ム半導体を駆動する際の問題点の一つに熱クロストーク
がある。これは、例えば図６に示したような二つのレー
ザ共振器を有するマルチビーム半導体レーザでは、一方
のレーザ共振器を駆動してビームを出射させているとき
に、他方のレーザ共振器を駆動すると、通電により発生
した熱が一方のレーザ共振器側に伝導してそのビーム出
力レベルが低下するというものである。
ム半導体を駆動する際の問題点の一つに熱クロストーク
がある。これは、例えば図６に示したような二つのレー
ザ共振器を有するマルチビーム半導体レーザでは、一方
のレーザ共振器を駆動してビームを出射させているとき
に、他方のレーザ共振器を駆動すると、通電により発生
した熱が一方のレーザ共振器側に伝導してそのビーム出
力レベルが低下するというものである。
【０００７】従来のマルチビーム半導体レーザの場合
は、駆動電流が大きいことに加え、熱抵抗も比較的大き
いことから、レーザ共振器間で熱伝導が生じ易くなって
いる。そのために、各レーザ共振器から出射されるビー
ムの出力レベルが大幅に変動し、動作信頼性の低下を招
いていた。この熱クロストークの影響を回避するには、
レーザ共振器の形成間隔を大きくしたり、レーザ共振器
間に熱伝導を阻止する部材を配する等の工夫が必要とな
り、製造コストの低減に限界があった。
は、駆動電流が大きいことに加え、熱抵抗も比較的大き
いことから、レーザ共振器間で熱伝導が生じ易くなって
いる。そのために、各レーザ共振器から出射されるビー
ムの出力レベルが大幅に変動し、動作信頼性の低下を招
いていた。この熱クロストークの影響を回避するには、
レーザ共振器の形成間隔を大きくしたり、レーザ共振器
間に熱伝導を阻止する部材を配する等の工夫が必要とな
り、製造コストの低減に限界があった。
【０００８】本発明は、かかる背景の下になされたもの
で、その目的とするところは、熱クロストークを有効に
防止し得る構造の半導体レーザを提供することにある。
で、その目的とするところは、熱クロストークを有効に
防止し得る構造の半導体レーザを提供することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明は、従来構造の半
導体レーザにおいて、前記電流ブロック層を従来のＧａ
Ａｓ混晶に変えて、これよりも熱抵抗値が大きなＡｌＧ
ａＩｎＰ、ＡｌＩｎＰのいずれかより成る半導体混晶で
形成することを特徴とする。
導体レーザにおいて、前記電流ブロック層を従来のＧａ
Ａｓ混晶に変えて、これよりも熱抵抗値が大きなＡｌＧ
ａＩｎＰ、ＡｌＩｎＰのいずれかより成る半導体混晶で
形成することを特徴とする。
【００１０】
【作用】Ｓｉ3 Ｎ4 、ＳｉＯ2 などの誘電体結晶、ある
いはＡｌＩｎＰ、ＡｌＧａＩｎＰの各混晶は、ＧａＡｓ
混晶よりも熱抵抗が大きい。したがって、電流ブロック
層にこれらの材料を用いると、通電によりレーザ共振器
で発生した熱は、電流ブロック層を経由して隣接するレ
ーザ共振器へは伝導しにくくなる。その結果、レーザ内
において、活性層の電流ブロック層側を経由して隣の共
振器へ伝わる熱は抑制されるので、隣の共振器へ伝導す
る熱の総量は低減する。したがって、本発明の結晶構造
とすることで従来よりもレーザ共振器間の熱伝導率が小
さくなり、熱クロストークの影響が緩和される。
いはＡｌＩｎＰ、ＡｌＧａＩｎＰの各混晶は、ＧａＡｓ
混晶よりも熱抵抗が大きい。したがって、電流ブロック
層にこれらの材料を用いると、通電によりレーザ共振器
で発生した熱は、電流ブロック層を経由して隣接するレ
ーザ共振器へは伝導しにくくなる。その結果、レーザ内
において、活性層の電流ブロック層側を経由して隣の共
振器へ伝わる熱は抑制されるので、隣の共振器へ伝導す
る熱の総量は低減する。したがって、本発明の結晶構造
とすることで従来よりもレーザ共振器間の熱伝導率が小
さくなり、熱クロストークの影響が緩和される。
【００１１】
【実施例】以下、図面を参照して本発明の実施例を説明
する。なお、本発明は、従来のマルチビーム半導体レー
ザの層結晶の組成を代えたものなので、各層の名称、符
号についてはそのまま同一のものを用いて説明する。
する。なお、本発明は、従来のマルチビーム半導体レー
ザの層結晶の組成を代えたものなので、各層の名称、符
号についてはそのまま同一のものを用いて説明する。
【００１２】本発明の一実施例に係るマルチビーム半導
体レーザは、図６に示した従来の層構造において、電流
ブロック層１６をＡｌＧａＩｎＰ又はＡｌＩｎＰのいず
れかにて形成したものであるが、まず、電流ブロック層
１６をＳｉ3Ｎ4誘電体にて形成した例について説明す
る。
体レーザは、図６に示した従来の層構造において、電流
ブロック層１６をＡｌＧａＩｎＰ又はＡｌＩｎＰのいず
れかにて形成したものであるが、まず、電流ブロック層
１６をＳｉ3Ｎ4誘電体にて形成した例について説明す
る。
【００１３】マルチビーム半導体レーザの熱クロストー
クを抑制する一つの手段は、レーザチップからの放熱性
を良くして発熱による温度上昇を小さくすることであ
る。この考えによれば、従来のＧａＡｓ混晶よりも熱抵
抗が大きいＳｉ3 Ｎ4 誘電体を用いることは不利のよう
にも見える。しかしながら、本発明者らの考察により、
熱伝導の経路を考慮すると、むしろ電流ブロック層の熱
抵抗が大きいことが有利に働くことがわかった。即ち、
レーザ共振器の駆動時に活性層で発生する熱は、図１に
示すように、半導体レーザ内で活性層の電流ブロック層
側を経由する伝導が熱抵抗の大きな誘電体からなる電流
ブロック層で抑止される。従って、従来に比較して隣の
共振器に伝導する熱量は小さくなり、それだけ熱クロス
トークが少なくなる。
クを抑制する一つの手段は、レーザチップからの放熱性
を良くして発熱による温度上昇を小さくすることであ
る。この考えによれば、従来のＧａＡｓ混晶よりも熱抵
抗が大きいＳｉ3 Ｎ4 誘電体を用いることは不利のよう
にも見える。しかしながら、本発明者らの考察により、
熱伝導の経路を考慮すると、むしろ電流ブロック層の熱
抵抗が大きいことが有利に働くことがわかった。即ち、
レーザ共振器の駆動時に活性層で発生する熱は、図１に
示すように、半導体レーザ内で活性層の電流ブロック層
側を経由する伝導が熱抵抗の大きな誘電体からなる電流
ブロック層で抑止される。従って、従来に比較して隣の
共振器に伝導する熱量は小さくなり、それだけ熱クロス
トークが少なくなる。
【００１４】なお、以上は電流ブロック層１６をＳｉ3
Ｎ4 誘電体にて形成した場合であるが、その外にも、Ｓ
ｉＯ2 またはポリミイドなどの誘電体で形成した場合も
同様の効果が得られる。
Ｎ4 誘電体にて形成した場合であるが、その外にも、Ｓ
ｉＯ2 またはポリミイドなどの誘電体で形成した場合も
同様の効果が得られる。
【００１５】図２は上記本実施例のマルチビーム半導体
レーザの出発材料となるレーザ用エピの層構造断面図で
ある。図２を参照すると、半導体基板１０上面に、厚さ
０．２３［μｍ］の第一のバッファ層１１、厚さ１．１
［μｍ］の第一のクラッド層１２、歪量子井戸層１３ａ
〜１３ｇから成る活性層部１３、厚さ１．１［μｍ］の
第二のクラッド層１４、厚さ０．１４［μｍ］の第二の
バッファ層１５が、夫々ＯＭＶＰＥ（Organometallic v
apor phase epitaxy）法等の周知の結晶成長手段によっ
てこの順に形成されている。
レーザの出発材料となるレーザ用エピの層構造断面図で
ある。図２を参照すると、半導体基板１０上面に、厚さ
０．２３［μｍ］の第一のバッファ層１１、厚さ１．１
［μｍ］の第一のクラッド層１２、歪量子井戸層１３ａ
〜１３ｇから成る活性層部１３、厚さ１．１［μｍ］の
第二のクラッド層１４、厚さ０．１４［μｍ］の第二の
バッファ層１５が、夫々ＯＭＶＰＥ（Organometallic v
apor phase epitaxy）法等の周知の結晶成長手段によっ
てこの順に形成されている。
【００１６】これら半導体基板１０及び各層１１〜１５
のうち、半導体基板１０は電子濃度が２×１０18［ｃｍ
-3］のＳｉドープのＧａＡｓ混晶、第一のバッファ層１
１は電子濃度が１．５×１０18［ｃｍ-3］のＳｉドープ
のＧａＡｓ混晶、第一のクラッド層１２は電子濃度が２
×１０17［ｃｍ-3］のＳｅドープの（Ａｌ0.7 Ｇ
ａ0.3 ）Ｉｎ0.5 Ｐ混晶、活性層部１３は、１３ａ及び
１３ｇが厚さ０．０８［μｍ］のアンドープ（Ａｌ0.4
Ｇａ0.6 ）0.5 Ｉｎ0.5 Ｐ層、１３ｃ及び１３ｅが厚さ
０．００８［μｍ］のアンドープ（Ａｌ0.4 Ｇａ0.6 ）
0.5 Ｉｎ0.5 Ｐ層、１３ｂ，１３ｄ，１３ｆが厚さ０．
０１［μｍ］のＧａ0.43Ｉｎ0.57Ｐ層、第二のクラッド
層１４は正孔濃度が４×１０17［ｃｍ-3］のＺｎドープ
の（Ａｌ0.7 Ｇａ0.3 ）Ｉｎ0.5 Ｐ混晶、第二のバッフ
ァ層１５は正孔濃度が１×１０18［ｃｍ-3］のＺｎドー
プのＧａ0.5 Ｉｎ0.5 Ｐ混晶から夫々成る。
のうち、半導体基板１０は電子濃度が２×１０18［ｃｍ
-3］のＳｉドープのＧａＡｓ混晶、第一のバッファ層１
１は電子濃度が１．５×１０18［ｃｍ-3］のＳｉドープ
のＧａＡｓ混晶、第一のクラッド層１２は電子濃度が２
×１０17［ｃｍ-3］のＳｅドープの（Ａｌ0.7 Ｇ
ａ0.3 ）Ｉｎ0.5 Ｐ混晶、活性層部１３は、１３ａ及び
１３ｇが厚さ０．０８［μｍ］のアンドープ（Ａｌ0.4
Ｇａ0.6 ）0.5 Ｉｎ0.5 Ｐ層、１３ｃ及び１３ｅが厚さ
０．００８［μｍ］のアンドープ（Ａｌ0.4 Ｇａ0.6 ）
0.5 Ｉｎ0.5 Ｐ層、１３ｂ，１３ｄ，１３ｆが厚さ０．
０１［μｍ］のＧａ0.43Ｉｎ0.57Ｐ層、第二のクラッド
層１４は正孔濃度が４×１０17［ｃｍ-3］のＺｎドープ
の（Ａｌ0.7 Ｇａ0.3 ）Ｉｎ0.5 Ｐ混晶、第二のバッフ
ァ層１５は正孔濃度が１×１０18［ｃｍ-3］のＺｎドー
プのＧａ0.5 Ｉｎ0.5 Ｐ混晶から夫々成る。
【００１７】図３〜図５は本実施例のマルチビーム（ダ
ブルビーム）半導体レーザの製造工程図である。以下、
これらの図を参照して各工程を説明する。
ブルビーム）半導体レーザの製造工程図である。以下、
これらの図を参照して各工程を説明する。
【００１８】まず、上記レーザ用エピを出発材料とし
（図３（ａ）参照）、第二のバッファ層１５上面にレジ
スト膜２０を形成し、その後、レジスト２１でパターニ
ングを行う（同（ｂ）参照）。そして、レジスト２１で
覆われた部分以外のレジスト膜２０をエッチングし、そ
の後、レジスト２１を取り除く（同（ｃ）参照）。これ
を５０℃の混酸（硫酸：過酸化水素水：水＝３：１：
１）で６分間エッチングし、第二のクラッド層１４を約
０．２［μｍ］程残す（同（ｄ）参照）。これにより、
二つのストライプ領域が形成される。
（図３（ａ）参照）、第二のバッファ層１５上面にレジ
スト膜２０を形成し、その後、レジスト２１でパターニ
ングを行う（同（ｂ）参照）。そして、レジスト２１で
覆われた部分以外のレジスト膜２０をエッチングし、そ
の後、レジスト２１を取り除く（同（ｃ）参照）。これ
を５０℃の混酸（硫酸：過酸化水素水：水＝３：１：
１）で６分間エッチングし、第二のクラッド層１４を約
０．２［μｍ］程残す（同（ｄ）参照）。これにより、
二つのストライプ領域が形成される。
【００１９】次に、Ｓｉ3 Ｎ4 誘電体膜を０．３［μ
ｍ］成長させた後、残部のレジスト膜２０をエッチング
する。これにより電流ブロック層１６ａ〜１６ｃが形成
される（図４（ａ）参照）。その後、電流ブロック層１
６ａ〜１６ｃ及び各ストライプ領域の表面にレジスト膜
２２を形成し、その中央部にレジスト２３を置く（同
（ｂ）参照）。そしてレジスト２３を置いた部分以外の
レジスト膜２２をエッチングし（同（ｃ）参照）、その
上面にＺｎドープのＧａＡｓ（正孔濃度４×１０17［ｃ
ｍ-3］）を１［μｍ］成長させる。これにより、コンタ
クト層１８ａ、１８ｂが形成される（同（ｄ）参照）。
ｍ］成長させた後、残部のレジスト膜２０をエッチング
する。これにより電流ブロック層１６ａ〜１６ｃが形成
される（図４（ａ）参照）。その後、電流ブロック層１
６ａ〜１６ｃ及び各ストライプ領域の表面にレジスト膜
２２を形成し、その中央部にレジスト２３を置く（同
（ｂ）参照）。そしてレジスト２３を置いた部分以外の
レジスト膜２２をエッチングし（同（ｃ）参照）、その
上面にＺｎドープのＧａＡｓ（正孔濃度４×１０17［ｃ
ｍ-3］）を１［μｍ］成長させる。これにより、コンタ
クト層１８ａ、１８ｂが形成される（同（ｄ）参照）。
【００２０】中央部のレジスト膜２２を取り除き、コン
タクト層１８ａ、１８ｂ全面に新たに絶縁膜２４を形成
する。中央部にはレジスト２５をパターニングする（図
５（ａ）参照）。その後、コンタクト層１８ａ、１８ｂ
上面の絶縁膜２４をエッチングし（同（ｂ）参照）、全
面にｐ電極部材２６を蒸着する（同（ｃ）参照）。レジ
スト２５を取り除き、同時にその上面のｐ電極部材２６
も取り除く。これによりｐ電極１９ａ、１９ｂが形成さ
れる。更に、基板１０を裏からエッチングし、７０［μ
ｍ］程度にする。その後、基板１０裏面にｎ共通電極１
９ｃを蒸着し、窒素雰囲気中、４００℃／１分で合金化
する（同（ｄ）参照）。
タクト層１８ａ、１８ｂ全面に新たに絶縁膜２４を形成
する。中央部にはレジスト２５をパターニングする（図
５（ａ）参照）。その後、コンタクト層１８ａ、１８ｂ
上面の絶縁膜２４をエッチングし（同（ｂ）参照）、全
面にｐ電極部材２６を蒸着する（同（ｃ）参照）。レジ
スト２５を取り除き、同時にその上面のｐ電極部材２６
も取り除く。これによりｐ電極１９ａ、１９ｂが形成さ
れる。更に、基板１０を裏からエッチングし、７０［μ
ｍ］程度にする。その後、基板１０裏面にｎ共通電極１
９ｃを蒸着し、窒素雰囲気中、４００℃／１分で合金化
する（同（ｄ）参照）。
【００２１】次に、本発明の実施例に関して説明する。
この半導体レーザの構成は上記の一例とほぼ同様であ
り、電流ブロック層の組成のみが異なる。即ち、本実施
例では、図６の電流ブロックの１６ａ〜１６ｃをＡｌＩ
ｎＰまたはＡｌＧａＩｎＰの混晶にて形成した。このよ
うに電流ブロック層の材料を変更し、上記の一実施例と
同様に図３〜図５の各工程を経ることにより、熱クロス
トークの小さな、マルチビーム半導体レーザが得られ
る。
この半導体レーザの構成は上記の一例とほぼ同様であ
り、電流ブロック層の組成のみが異なる。即ち、本実施
例では、図６の電流ブロックの１６ａ〜１６ｃをＡｌＩ
ｎＰまたはＡｌＧａＩｎＰの混晶にて形成した。このよ
うに電流ブロック層の材料を変更し、上記の一実施例と
同様に図３〜図５の各工程を経ることにより、熱クロス
トークの小さな、マルチビーム半導体レーザが得られ
る。
【００２２】
【発明の効果】以上詳細に説明したように、本発明で
は、ＧａＡｓ基板を用いる半導体レーザにおいて、その
電流ブロック層を、熱抵抗の高いＡｌＩｎＰ、ＡｌＧａ
ＩｎＰの半導体混晶にて形成したので、レーザ共振器間
の熱伝導率が従来構造の半導体レーザよりも小さくな
り、熱クロストークが少なくなる効果がある。
は、ＧａＡｓ基板を用いる半導体レーザにおいて、その
電流ブロック層を、熱抵抗の高いＡｌＩｎＰ、ＡｌＧａ
ＩｎＰの半導体混晶にて形成したので、レーザ共振器間
の熱伝導率が従来構造の半導体レーザよりも小さくな
り、熱クロストークが少なくなる効果がある。
【図１】マルチビーム半導体レーザの熱伝達経路の説明
図。
図。
【図２】本発明の一実施例に係るレーザ用エピの層構造
断面図。
断面図。
【図３】本実施例のマルチビーム半導体レーザの製造工
程図。
程図。
【図４】本実施例のマルチビーム半導体レーザの製造工
程図（図３の続き）。
程図（図３の続き）。
【図５】本実施例のマルチビーム半導体レーザの製造工
程図（図４の続き）。
程図（図４の続き）。
【図６】本発明が適用される一般的なマルチビーム半導
体レーザの層構造断面図。
体レーザの層構造断面図。
１０…半導体基板、１２…第一のクラッド層、１３…活
性層、１４…第二のクラッド層、１６ａ〜１６ｃ…電流
ブロック層、１９ａ〜１９ｃ…電極。
性層、１４…第二のクラッド層、１６ａ〜１６ｃ…電流
ブロック層、１９ａ〜１９ｃ…電極。
フロントページの続き (56)参考文献 特開 平１−281786（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−257691（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−203283（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) H01S 3/18 H01S 3/25
Claims (1)
- 【請求項１】 第一導電型ＧａＡｓ基板上に、少なくと
も第一導電型半導体混晶の第一のクラッド層と、半導体
混晶の活性層と、第二導電型半導体混晶の第二のクラッ
ド層とが少なくともこの順に形成され、更に、前記第二
のクラッド層表面を電流ブロック層にて所定間隔に分離
された複数のストライプ領域となし、独立駆動構造の複
数のレーザ共振器が形成された半導体レーザにおいて、 前記電流ブロック層が、ＡｌＧａＩｎＰ、ＡｌＩｎＰの
いずれかの半導体混晶から形成されることを特徴とする
半導体レーザ。
Priority Applications (5)
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|---|---|---|---|
| JP4149493A JP2812069B2 (ja) | 1992-06-09 | 1992-06-09 | 半導体レーザ |
| CA002091302A CA2091302A1 (en) | 1992-03-11 | 1993-03-09 | Semiconductor laser and process for fabricating the same |
| EP93103939A EP0560358B1 (en) | 1992-03-11 | 1993-03-11 | Laser system |
| DE69312767T DE69312767T2 (de) | 1992-03-11 | 1993-03-11 | Lasersystem |
| US08/417,272 US5663975A (en) | 1992-03-11 | 1995-04-05 | Multi-beam semiconductor laser with separated contacts characterized by semiconductor mixed crystal and active layer |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4149493A JP2812069B2 (ja) | 1992-06-09 | 1992-06-09 | 半導体レーザ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05343810A JPH05343810A (ja) | 1993-12-24 |
| JP2812069B2 true JP2812069B2 (ja) | 1998-10-15 |
Family
ID=15476359
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4149493A Expired - Fee Related JP2812069B2 (ja) | 1992-03-11 | 1992-06-09 | 半導体レーザ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2812069B2 (ja) |
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|---|---|---|---|---|
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Family Cites Families (3)
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| JPH02257691A (ja) * | 1989-03-30 | 1990-10-18 | Seiko Epson Corp | 集積型半導体レーザ |
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-
1992
- 1992-06-09 JP JP4149493A patent/JP2812069B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
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| JPH05343810A (ja) | 1993-12-24 |
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