KR102240894B1 - 표시 장치 및 표시 장치의 제조 방법 - Google Patents
표시 장치 및 표시 장치의 제조 방법 Download PDFInfo
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 13
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 113
- 239000000565 sealant Substances 0.000 claims abstract description 74
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims abstract description 59
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 178
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 178
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 16
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims description 5
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 4
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 claims 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 476
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 32
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 32
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 22
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 22
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 22
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 19
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 19
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 18
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 17
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 16
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 16
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 16
- 239000000463 material Substances 0.000 description 13
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 13
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 13
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 13
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 12
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 12
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 11
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 11
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 11
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 10
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 10
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 10
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 10
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 10
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 10
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 10
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 10
- -1 tungsten nitride Chemical class 0.000 description 10
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 8
- KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N disiloxane Chemical class [SiH3]O[SiH3] KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 8
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 8
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 8
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 7
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 7
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 7
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 7
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 7
- 229920006122 polyamide resin Polymers 0.000 description 7
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 7
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 6
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 6
- AJNVQOSZGJRYEI-UHFFFAOYSA-N digallium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Ga+3].[Ga+3] AJNVQOSZGJRYEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910001195 gallium oxide Inorganic materials 0.000 description 6
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 6
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 6
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 6
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052779 Neodymium Inorganic materials 0.000 description 5
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N Titanium nitride Chemical compound [Ti]#N NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- JFWLFXVBLPDVDZ-UHFFFAOYSA-N [Ru]=O.[Sr] Chemical compound [Ru]=O.[Sr] JFWLFXVBLPDVDZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 230000008859 change Effects 0.000 description 5
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 5
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N neodymium atom Chemical compound [Nd] QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 5
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 5
- 229910052706 scandium Inorganic materials 0.000 description 5
- SIXSYDAISGFNSX-UHFFFAOYSA-N scandium atom Chemical compound [Sc] SIXSYDAISGFNSX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000003566 sealing material Substances 0.000 description 5
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 5
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N tantalum nitride Chemical compound [Ta]#N MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 5
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 5
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M Acrylate Chemical compound [O-]C(=O)C=C NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 4
- SJKRCWUQJZIWQB-UHFFFAOYSA-N azane;chromium Chemical compound N.[Cr] SJKRCWUQJZIWQB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 4
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 4
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 4
- 230000008569 process Effects 0.000 description 4
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 3
- UEXCJVNBTNXOEH-UHFFFAOYSA-N Ethynylbenzene Chemical group C#CC1=CC=CC=C1 UEXCJVNBTNXOEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 229920002457 flexible plastic Polymers 0.000 description 2
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 2
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 2
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 description 2
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 2
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 2
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 2
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 2
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 2
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 1
- 239000004743 Polypropylene Substances 0.000 description 1
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910020776 SixNy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910006854 SnOx Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910004156 TaNx Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910010421 TiNx Inorganic materials 0.000 description 1
- GTDPSWPPOUPBNX-UHFFFAOYSA-N ac1mqpva Chemical compound CC12C(=O)OC(=O)C1(C)C1(C)C2(C)C(=O)OC1=O GTDPSWPPOUPBNX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 150000001336 alkenes Chemical class 0.000 description 1
- 125000005250 alkyl acrylate group Chemical group 0.000 description 1
- CXOWYMLTGOFURZ-UHFFFAOYSA-N azanylidynechromium Chemical compound [Cr]#N CXOWYMLTGOFURZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 150000004985 diamines Chemical class 0.000 description 1
- UHESRSKEBRADOO-UHFFFAOYSA-N ethyl carbamate;prop-2-enoic acid Chemical compound OC(=O)C=C.CCOC(N)=O UHESRSKEBRADOO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 239000000178 monomer Substances 0.000 description 1
- JRZJOMJEPLMPRA-UHFFFAOYSA-N olefin Natural products CCCCCCCC=C JRZJOMJEPLMPRA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 1
- 229920000052 poly(p-xylylene) Polymers 0.000 description 1
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 1
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 229920001155 polypropylene Polymers 0.000 description 1
- KCTAWXVAICEBSD-UHFFFAOYSA-N prop-2-enoyloxy prop-2-eneperoxoate Chemical compound C=CC(=O)OOOC(=O)C=C KCTAWXVAICEBSD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000006641 stabilisation Effects 0.000 description 1
- 238000011105 stabilization Methods 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/124—Insulating layers formed between TFT elements and OLED elements
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- G09F—DISPLAYING; ADVERTISING; SIGNS; LABELS OR NAME-PLATES; SEALS
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- G09F—DISPLAYING; ADVERTISING; SIGNS; LABELS OR NAME-PLATES; SEALS
- G09F9/00—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements
- G09F9/30—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements in which the desired character or characters are formed by combining individual elements
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- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K50/842—Containers
- H10K50/8426—Peripheral sealing arrangements, e.g. adhesives, sealants
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/87—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K59/871—Self-supporting sealing arrangements
- H10K59/8722—Peripheral sealing arrangements, e.g. adhesives, sealants
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- H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
- H10D86/00—Integrated devices formed in or on insulating or conducting substrates, e.g. formed in silicon-on-insulator [SOI] substrates or on stainless steel or glass substrates
- H10D86/40—Integrated devices formed in or on insulating or conducting substrates, e.g. formed in silicon-on-insulator [SOI] substrates or on stainless steel or glass substrates characterised by multiple TFTs
- H10D86/411—Integrated devices formed in or on insulating or conducting substrates, e.g. formed in silicon-on-insulator [SOI] substrates or on stainless steel or glass substrates characterised by multiple TFTs characterised by materials, geometry or structure of the substrates
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
- H10D86/00—Integrated devices formed in or on insulating or conducting substrates, e.g. formed in silicon-on-insulator [SOI] substrates or on stainless steel or glass substrates
- H10D86/40—Integrated devices formed in or on insulating or conducting substrates, e.g. formed in silicon-on-insulator [SOI] substrates or on stainless steel or glass substrates characterised by multiple TFTs
- H10D86/60—Integrated devices formed in or on insulating or conducting substrates, e.g. formed in silicon-on-insulator [SOI] substrates or on stainless steel or glass substrates characterised by multiple TFTs wherein the TFTs are in active matrices
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Abstract
표시 장치는 표시 영역과 주변 영역을 포함하는 제1 기판, 제1 기판 상에 배치되는 적어도 하나의 절연층, 표시 영역의 적어도 하나의 절연층 상에 배치되는 적어도 하나의 트랜지스터, 적어도 하나의 트랜지스터 상에 배치되는 발광 구조, 주변 영역의 적어도 하나의 절연층 상에 배치되는 요철 구조물, 요철 구조물 상에 배치되는 실런트 및 발광 구조 및 실런트 상에 배치되는 제2 기판을 포함할 수 있다.
Description
본 발명은 표시 장치 및 표시 장치의 제조 방법에 관한 것이다. 보다 상세하게는, 본 발명은 요철 구조물과 실런트를 포함하는 표시 장치 및 이러한 표시 장치의 제조 방법에 관한 것이다.
일반적으로 표시 장치의 상부 기판과 하부 기판은 실링 물질에 의해 결합된다. 상기 상부 기판과 하부 기판을 결합하는 과정에서, 레이저 조사 장치로부터 상기 표시 장치의 주변 영역에 해당되는 실링 영역에 레이저를 조사한다. 상기 레이저가 실링 영역에 조사되는 경우, 상기 실링 물질이 고체 상태에서 액체 상태로 변화되고, 일정한 시간이 지나면 실링 물질이 다시 고체 상태로 변화되며, 이러한 실링 물질의 상태 변화에 의해 상부 기판과 하부 기판이 결합될 수 있다. 상기 실링 영역에서 향상된 결합력을 얻기 위해, 종래의 표시 장치는 상기 실링 영역에 배치되는 실링 물질과 추가적인 절연층이나 금속층을 포함할 수 있다. 그러나, 종래의 표시 장치에서는, 절연층 또는 금속층의 평탄한 표면 상에 실링 물질이 부착되기 때문에 상부 기판과 하부 기판이 외부 충격에 의해 쉽게 분리는 문제점이 있다.
본 발명의 일 목적은 주변 영역에 요철 구조물과 실런트를 구비하여 기판들 사이의 밀봉 결합력을 향상시킬 수 있는 표시 장치를 제공하는 것이다.
본 발명의 다른 목적은 요철 구조물과 실런트를 통해 기판들 사이의 밀봉 결합력을 향상시킬 수 있는 표시 장치의 제조 방법을 제공하는 것이다.
그러나, 본 발명의 목적은 상술한 목적들로 한정되는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위에서 다양하게 확장될 수 있을 것이다.
전술한 본 발명의 일 목적을 달성하기 위하여, 본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 표시 장치는 표시 영역과 주변 영역을 포함하는 제1 기판, 상기 제1 기판 상에 배치되는 적어도 하나의 절연층, 상기 표시 영역의 상기 적어도 하나의 절연층 상에 배치되는 적어도 하나의 트랜지스터, 상기 적어도 하나의 트랜지스터 상에 배치되는 발광 구조, 상기 주변 영역의 상기 적어도 하나의 절연층 상에 배치되는 요철 구조물, 상기 요철 구조물 상에 배치되는 실런트 및 상기 발광 구조 및 상기 실런트 상에 배치되는 제2 기판을 포함할 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 요철 구조물은 적어도 하나의 절연층 패턴 및 적어도 하나의 금속층 패턴을 포함할 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 요철 구조물은 상기 적어도 하나의 절연층 상에 배치되는 제1 금속층 패턴, 상기 제1 금속층 상에 배치되는 제1 절연층 패턴들 및 제2 절연층 패턴들 및 상기 제1 금속층 패턴 상에 배치되고, 상기 제1 및 제2 절연층 패턴들을 커버하는 제2 금속층 패턴을 포함할 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 제1 금속층 패턴은 복수의 제1 개구들을 포함할 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 제1 절연층 패턴들은 인접하는 제1 개구들 사이에 열 방향 또는 행 방향을 따라 배열되고, 상기 제2 절연층 패턴들은 인접하는 제1 개구들 사이에 행 방향 또는 열 방향을 따라 배열될 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 제1 절연층 패턴들과 상기 제2 절연층 패턴들은 행 방향 또는 열 방향을 따라 서로 교대로 배열될 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 제2 금속층 패턴은 복수의 제2 개구들을 포함할 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 복수의 제2 개구들은 각기 상기 복수의 제1 개구들과 동일한 치수들을 가질 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 적어도 하나의 절연층은 상기 제1 기판 상에 배치되는 제1 절연층, 상기 제1 절연층 상에 배치되는 제2 절연층 및 상기 제2 절연층 상에 배치되는 제3 절연층을 포함할 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 제1 금속층 패턴은 상기 제2 절연층 상에 배치될 수 있고, 상기 제3 절연층은 상기 제1 개구들을 채울 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 요철 구조물은 상기 제2 금속층 상에 배치되는 제4 절연층을 더 포함할 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 요철 구조물은 상기 제4 절연층, 상기 제3 절연층, 상기 제3 절연층 및 상기 제1 절연층을 관통하여 상기 기판을 부분적으로 노출시키는 제3 개구들을 더 포함할 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 실런트는 상기 제3 개구들을 통해 상기 제1 기판에 접촉될 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 제3 개구들은 각기 상기 제1 개구들 내에 위치할 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 적어도 하나의 트랜지스터는 상기 표시 영역의 상기 적어도 하나의 절연층 상에 배치되는 스위칭 트랜지스터 및 드라이빙 트랜지스터를 포함할 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 드라이빙 트랜지스터 상에 배치되는 커패시터를 더 포함할 수 있다.
전술한 본 발명의 다른 목적을 달성하기 위하여, 본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 표시 장치의 제조 방법은 표시 영역과 주변 영역을 포함하는 제1 기판을 제공하는 단계, 상기 제1 기판 상에 적어도 하나의 절연층을 형성하는 단계, 상기 표시 영역의 상기 적어도 하나의 절연층 상에 적어도 하나의 트랜지스터를 형성하는 단계, 상기 적어도 하나의 트랜지스터 상에 발광 구조를 형성하는 단계, 상기 주변 영역의 상기 적어도 하나의 절연층 상에 요철 구조물을 형성하는 단계, 상기 요철 구조물 상에 실런트를 형성하는 단계 및 상기 발광 구조 및 상기 실런트 상에 제2 기판을 형성하는 단계를 포함할 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 요철 구조물을 형성하는 단계는 상기 적어도 하나의 절연층 상에 복수의 제1 개구들을 갖는 제1 금속층 패턴을 형성하는 단계, 상기 제1 금속층 패턴 상에 제1 절연층 패턴들 및 제2 절연층 패턴들을 형성하는 단계 및 상기 제1 금속층 패턴 상에 상기 제1 및 제2 절연층 패턴들을 덮으며, 복수의 제2 개구들을 갖는 제2 금속층 패턴을 형성하는 단계를 포함할 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 적어도 하나의 절연층을 형성하는 단계는 상기 제1 기판 상에 제1 절연층을 형성하는 단계, 상기 제1 절연층 상에 제2 절연층을 형성하는 단계 및 상기 제2 절연층 상에 제3 절연층을 형성하는 단계를 포함할 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 제1 및 제2 절연층 패턴들과 상기 제3 절연층은 동시에 형성될 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 제1 금속층 패턴은 상기 제2 절연층 상에 형성되며, 상기 제3 절연층은 상기 제1 개구들을 채울 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 요철 구조물을 형성하는 단계는 상기 제2 금속층 패턴 상에 제4 절연층을 형성하는 단계를 더 포함할 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 요철 구조물을 형성하는 단계는 상기 제4 절연층, 상기 제3 절연층, 상기 제2 절연층 및 상기 제2 절연층을 부분적으로 식각하여 상기 제1 기판을 부분적으로 노출시키는 제3 개구들을 형성하는 단계를 더 포함할 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 제3 개구들은 각기 상기 제1 개구들 내에 형성될 수 있다.
본 발명의 예시적인 실시예들에 따르면, 표시 장치는 적어도 하나의 금속층 패턴과 적어도 하나의 절연층 패턴들을 구비하는 요철 구조물을 포함할 수 있다. 이러한 요철 구조물 상에 실런트를 배치하여, 제1 기판과 제2 기판 사이의 밀봉 결합력을 향상시킬 수 있다.
다만, 본 발명의 효과가 상술한 효과로 한정되는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위에서 다양하게 확장될 수 있을 것이다.
도 1은 본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 표시 장치를 설명하기 위한 단면도이다.
도 2 내지 도 5는 본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 표시 장치의 요철 구조물을 설명하기 위한 사시도들이다.
도 6은 도 2에 예시한 구조를 I-I'선을 따라 절단한 단면도이다.
도 7은 도 2에 예시한 구조를 II-II'선을 따라 절단한 단면도이다.
도 8a 내지 도 8i는 본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 표시 장치의 제조 방법을 설명하기 위한 단면도들이다.
도 9는 본 발명의 다른 예시적인 실시예들에 따른 표시 장치를 나타내는 단면도이다.
도 10a 내지 도 10c는 본 발명의 다른 예시적인 실시예들에 따른 표시 장치의 제조 방법을 설명하기 위한 단면도들이다.
도 2 내지 도 5는 본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 표시 장치의 요철 구조물을 설명하기 위한 사시도들이다.
도 6은 도 2에 예시한 구조를 I-I'선을 따라 절단한 단면도이다.
도 7은 도 2에 예시한 구조를 II-II'선을 따라 절단한 단면도이다.
도 8a 내지 도 8i는 본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 표시 장치의 제조 방법을 설명하기 위한 단면도들이다.
도 9는 본 발명의 다른 예시적인 실시예들에 따른 표시 장치를 나타내는 단면도이다.
도 10a 내지 도 10c는 본 발명의 다른 예시적인 실시예들에 따른 표시 장치의 제조 방법을 설명하기 위한 단면도들이다.
이하, 첨부한 도면들을 참조하여, 본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 표시 장치들 및 표시 장치들의 제조 방법들에 대하여 보다 상세하게 설명한다. 첨부한 도면들에 있어서, 동일한 구성 요소들에 대해서는 동일하거나 유사한 참조 부호들을 사용한다.
도 1은 본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 표시 장치를 설명하기 위한 단면도이고, 도 2 내지 도 5는 본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 표시 장치의 요철 구조물을 설명하기 위한 사시도들이다. 도 6은 도 2에 예시한 표시 장치를 I-I'선을 따라 절단한 단면도이고, 도 7은 도 2에 예시한 표시 장치를 II-II'선을 따라 절단한 단면도이다.
도 1을 참조하면, 예시적인 실시예들에 따른 표시 장치는 제1 기판(10), 제1 절연층(15), 제1 액티브 패턴(20), 제2 액티브 패턴(25), 제2 절연층(30), 제1 전극(35), 제2 전극(40), 제1 금속층 패턴(45), 제3 절연층(55), 제1 절연층 패턴들(60), 제2 절연층 패턴들(65)(도 4 참조), 제3 전극(70), 제2 금속층 패턴(75), 제4 절연층(85), 소스 전극(90), 드레인 전극(95), 제5 절연층(105), 화소 정의막(110), 하부 전극(115), 발광층(120), 상부 전극(125), 보호층(130), 실런트(135), 제2 기판(140) 등으로 구성될 수 있다. 여기서, 하부 전극(115), 발광층(120) 및 상부 전극(125)은 상기 표시 장치의 발광 구조를 구성할 수 있다. 또한, 제1 금속층 패턴(45), 제1 절연층 패턴들(60), 제2 절연층 패턴들(65), 제2 금속층 패턴(75) 및 제4 절연층(85)은 상기 표시 장치의 요철 구조물을 구성할 수 있다.
제1 기판(10)은 표시 영역(I) 및 주변 영역(II)을 포함할 수 있다. 제1 기판(10)은 투명 무기 물질 또는 플렉서블 플라스틱으로 구성될 수 있다. 예를 들어, 제1 기판(10)은 경질의 유리(glass) 기판, 석영(quartz) 기판 등으로 구성될 수 있지만, 연성을 갖는 투명 수지 기판으로 이루어질 수도 있다. 제1 기판(10)으로 이용될 수 있는 투명 수지 기판의 예로는 폴리이미드 기판을 들 수 있다. 이 경우, 상기 폴리이미드 기판은 제1 폴리이미드층, 배리어 필름층, 제2 폴리이미드층 등으로 구성될 수 있다. 다른 예시적인 실시예들에 있어서, 제1 기판(10)은, 유리 기판 상에 제1 폴리이미드층, 배리어 필름층 및 제2 폴리이미드층이 적층된 구조를 가질 수 있다. 여기서, 상기 제2 폴리이미드층 상에 제1 절연층(15)을 배치한 후, 제1 절연층(15) 상에 상부 구조물들을 형성할 수 있다. 상기 상부 구조물들의 형성 후에, 상기 유리 기판은 제거될 수 있다. 이러한 폴리이미드 기판은 얇으면서 가요성을 가지기 때문에, 상기 폴리이미드 기판 상에 상기 상부 구조물들을 직접 형성하기 어려울 수 있다. 이에 따라, 경질의 상기 유리 기판을 이용하여 상기 상부 구조물들을 형성한 다음, 상기 유리 기판을 제거함으로써, 상기 폴리이미드 기판이 제1 기판(10)으로 이용될 수 있다.
제1 절연층(15)은 제1 기판(10) 상에 배치될 수 있다. 제1 절연층(15)은 표시 영역(I)으로부터 주변 영역(II)까지 연장될 수 있다. 제1 절연층(15)은 무기 물질로 구성될 수 있다. 예를 들어, 제1 절연층(15)은 실리콘 산화물(SiOx), 실리콘 질화물(SiNx), 실리콘 산질화물(SiOxNy), 실리콘 산탄화물(SiOxCy), 실리콘 탄질화물(SiCxNy) 등으로 이루어질 수 있다. 이들은 단독으로 또는 서로 조합되어 사용될 수 있다. 다른 예시적인 실시예들에 있어서, 제1 절연층(15)이 유기 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 제1 절연층(15)은 폴리이미드(polyimide)계 수지, 포토레지스트(photoresist), 아크릴(acrylic)계 수지, 폴리아미드(polyamide)계 수지, 실록산(siloxane)계 수지 등을 포함할 수 있다. 이들은 단독으로 또는 서로 조합되어 사용될 수 있다.
도 1에 예시한 바와 같이, 제1 액티브 패턴(20) 및 제2 액티브 패턴(25)은 표시 영역(I)의 제1 절연층(15) 상에 배치될 수 있다. 제1 액티브 패턴(20) 및 제2 액티브 패턴(25)은 표시 영역(I)의 제1 절연층(15) 상에서 소정의 간격으로 이격될 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 제1 액티브 패턴(20) 및 제2 액티브 패턴(25)은 각기 산화물 반도체, 무기 반도체(예를 들어, 아몰퍼스 실리콘, 폴리 실리콘 등), 유기 반도체 등을 포함할 수 있다.
제2 절연층(30)은 제1 절연층(15) 상에 배치될 수 있고, 표시 영역(I)에서 제1 액티브 패턴(20) 및 제2 액티브 패턴(25)을 커버할 수 있다. 주변 영역(II)에 있어서, 제2 절연층(30)은 제1 절연층(15) 상에 직접 배치될 수 있다. 제2 절연층(30)은 무기 물질로 구성될 수 있다. 예를 들어, 제2 절연층(30)은 실리콘 산화물, 실리콘 질화물, 실리콘 산질화물, 실리콘 산탄화물, 실리콘 탄질화물 등을 포함할 수 있다. 이들은 단독으로 또는 서로 조합되어 사용될 수 있다. 선택적으로는, 제2 절연층(30)은 유기 물질로 이루어질 수 있다. 예를 들어, 제2 절연층(30)은 폴리이미드계 수지, 포토레지스트, 아크릴계 수지, 폴리아미드계 수지, 실록산계 수지 등을 포함할 수 있다. 이들은 단독으로 또는 서로 조합되어 사용될 수 있다.
제1 전극(35), 제2 전극(40) 및 제1 금속층 패턴(45)은 제2 절연층(30) 상에 위치할 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 제1 전극(35) 및 제2 전극(40)은 표시 영역(I)에 배치될 수 있고, 제1 금속층 패턴(45)은 주변 영역(II)에 위치할 수 있다. 표시 영역(I)에 있어서, 제1 전극(35) 및 제2 전극(40)은 각기 아래에 제1 액티브 패턴(20) 및 제2 액티브 패턴(25)이 위치하는 제2 절연층(30)의 부분들 상에 위치할 수 있다. 예시적인 실시예들에 따르면, 도 3에 도시된 바와 같이, 제1 금속층 패턴(45)은 소정의 간격들로 이격되는 복수의 제1 개구(OP1)들을 포함할 수 있다. 이 경우, 제1 개구들(OP1)은 열(row) 방향 또는 행(column) 방향으로 규칙적으로 배열될 수 있다. 예를 들어, 제1 금속층 패턴(45)은 실질적으로 메쉬 구조(mesh structure)를 가질 수 있다.
제1 전극(35), 제2 전극(40) 및 제1 금속층 패턴(45)은 각기 금속, 합금, 금속 질화물, 도전성 금속 산화물, 투명 도전성 물질 등을 포함할 수 있다. 예를 들어, 제1 전극(35), 제2 전극(40) 및 제1 금속층 패턴(45)은 각기 알루미늄(Al), 알루미늄을 함유하는 합금, 알루미늄 질화물(AlNx), 은(Ag), 은을 함유하는 합금, 텅스텐(W), 텅스텐 질화물(WNx), 구리(Cu), 구리를 함유하는 합금, 니켈(Ni), 크롬(Cr), 크롬 질화물(CrNx), 몰리브데늄(Mo), 몰리브데늄을 함유하는 합금, 티타늄(Ti), 티타늄 질화물(TiNx), 백금(Pt), 탄탈륨(Ta), 탄탈륨 질화물(TaNx), 네오디뮴(Nd), 스칸듐(Sc), 스트론튬 루테늄 산화물(SRO), 아연 산화물(ZnOx), 인듐 주석 산화물(ITO), 주석 산화물(SnOx), 인듐 산화물(InOx), 갈륨 산화물(GaOx), 인듐 아연 산화물(IZO) 등을 포함할 수 있다. 이들은 단독으로 또는 서로 조합되어 사용될 수 있다. 예시적인 실시예들에 따르면, 제1 전극(35), 제2 전극(40) 및 제1 금속층 패턴(45)은 동시에 형성될 수 있다.
다시 도 1을 참조하면, 제3 절연층(55)은 제2 절연층(30) 상에 배치될 수 있다. 표시 영역(I)에 있어서, 제3 절연층(55)은 제1 전극(35) 및 제2 전극(40)을 덮으면서 제2 절연층(30) 상에 위치할 수 있다. 주변 영역(II)에 있어서, 제3 절연층(55)은 제1 금속층 패턴(45)의 제1 개구들(OP1)을 채우면서 제2 절연층(30) 상에 배치될 수 있다. 이 경우, 복수의 제1 절연층 패턴들(60) 및 복수의 제2 절연층 패턴들(65)이 제1 금속층 패턴(45) 상에 배치될 수 있다.
예시적인 실시예들에 따르면, 도 4에 도시된 바와 같이, 주변 영역(II)에서 제3 절연층(55)은 제1 금속층 패턴(45)의 제1 개구(OP1)들을 실질적으로 채울 수 있다. 여기서, 제1 절연층 패턴들(60)은 제1 개구들(OP1) 사이의 제1 금속층 패턴(45) 상에 배열될 수 있으며, 제2 절연층 패턴들(65)은 제1 절연층 패턴들(65)로부터 소정의 간격들을 개재하여 제1 금속층 패턴(45) 상에 배열될 수 있다. 제1 절연층 패턴들(60)과 제2 절연층 패턴들(65)은 열 방향 또는 행 방향을 따라 실질적으로 교대로 배열될 수 있다. 예를 들면, 제1 절연층 패턴들(60)은 행 방향을 따라 인접하는 제1 개구들(OP1) 사이의 제1 금속층 패턴(45) 상에 배치될 수 있고, 제2 절연층 패턴들(65)은 열 방향을 따라 인접하는 제1 개구들(OP1) 사이의 제1 금속층 패턴(45) 상에 배치될 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 제3 절연층(55)을 표시 영역(I) 및 주변 영역(II) 상에 전체적으로 형성한 후, 주변 영역(II)에서 제1 금속층 패턴(45) 상에 위치하는 제3 절연층(55)을 패터닝하여 제1 절연층 패턴들(60) 및 제2 절연층 패턴들(65)을 수득할 수 있다.
제3 절연층(55), 제1 절연층 패턴들(60) 및 제2 절연층 패턴들(65)은 각기 무기 물질로 구성될 수 있다. 예를 들어, 제3 절연층(55), 제1 절연층 패턴들(60) 및 제2 절연층 패턴들(65)은 실리콘 산화물, 실리콘 질화물, 실리콘 산질화물, 실리콘 산탄화물, 실리콘 탄질화물 등의 실리콘 화합물로 이루어질 수 있다. 이들은 단독으로 또는 서로 조합되어 사용될 수 있다. 이와는 달리, 제3 절연층(55), 제1 절연층 패턴들(60) 및 제2 절연층 패턴들(65)은 각기 유기 물질로 이루어질 수도 있다. 예를 들어, 제3 절연층(55), 제1 절연층 패턴들(60) 및 제2 절연층 패턴들(65)은 폴리이미드계 수지, 포토레지스트, 아크릴계 수지, 폴리아미드계 수지, 실록산계 수지 등을 포함할 수 있다. 이들은 단독으로 또는 서로 조합되어 사용될 수 있다.
도 1에 예시한 바와 같이, 제3 전극(70)은 표시 영역(I)에서 아래에 제2 전극(40)이 위치하는 제3 절연층(55)의 일부 상에 배치될 수 있다. 또한, 주변 영역(II)에서 제1 금속층 패턴(45) 상에는 제1 절연층 패턴들(60) 및 제2 절연층 패턴들(65)을 덮는 제2 금속층 패턴(75)이 배치될 수 있다. 여기서, 제2 금속층 패턴(75)은 제1 및 제2 절연층 패턴들(60, 65)의 프로파일들을 따라 실질적으로 요철 형상을 가질 수 있다. 제2 금속층 패턴(75)의 전체적인 치수는 제1 금속층 패턴(45)의 치수와 실질적으로 동일하거나 유사할 수 있다.
예시적인 실시예들에 따르면, 도 5에 도시된 바와 같이, 제2 금속층 패턴(75)은 복수의 제2 개구(OP2)들을 포함할 수 있다. 제2 금속층 패턴(75)의 제2 개구(OP2)들은 제1 금속층 패턴(45)의 제1 개구들(OP1)과 실질적으로 동일하거나 유사한 치수들을 가질 수 있다. 이에 따라, 제2 금속층 패턴(75)은 제1 금속층 패턴(45)과 적어도 부분적으로 접촉될 수 있다.
제2 금속층 패턴(75)의 형상에 따라, 주변 영역(II)에는 요철 구조물이 배치될 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 상기 요철 구조물은 제1 금속층 패턴(45), 제1 절연층 패턴들(60), 제2 절연층 패턴들(65) 및 제2 금속층 패턴(75)으로 구성될 수 있다. 예를 들면, 제1 개구들(OP1)을 갖는 제1 금속층 패턴(45) 상에 제1 및 제2 절연층 패턴들(60, 65)이 배치되고, 그 상부에 제2 개구들(OP2)을 갖는 제2 금속층 패턴(75)이 배치됨에 따라, 상기 요철 구조물이 제2 절연층(30) 상에 위치할 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 표시 영역(I)의 제3 전극(70)과 주변 영역(II)의 제2 금속층 패턴(75)은 동시에 형성될 수 있다. 제3 전극(70)과 제2 금속층 패턴(75)은 각기 금속, 합금, 금속 질화물, 도전성 금속 산화물, 투명 도전성 물질 등을 포함할 수 있다. 예를 들어, 제3 전극(70)과 제2 금속층 패턴(75)은 알루미늄, 알루미늄을 함유하는 합금, 알루미늄 질화물, 은, 은을 함유하는 합금, 텅스텐, 텅스텐 질화물, 구리, 구리를 함유하는 합금, 니켈, 크롬, 크롬 질화물, 몰리브데늄, 몰리브데늄을 함유하는 합금, 티타늄, 티타늄 질화물, 백금, 탄탈륨, 탄탈륨 질화물, 네오디뮴, 스칸듐, 스트론튬 루테늄 산화물, 아연 산화물, 인듐 주석 산화물, 주석 산화물, 인듐 산화물, 갈륨 산화물, 인듐 아연 산화물 등을 포함할 수 있다. 이들은 단독으로 또는 서로 조합되어 사용될 수 있다.
도 1에 예시한 바와 같이, 표시 영역(I)에 있어서, 제1 액티브 패턴(20), 제2 절연층(30), 제1 전극(35), 소스 전극(90) 및 드레인 전극(95)은 스위칭 트랜지스터와 같은 스위칭 소자를 구성할 수 있다. 또한, 제2 액티브 패턴(25), 제2 절연층(30) 및 제2 전극(40)은 드라이빙 트랜지스터와 같은 드라이빙 소자를 구성할 수 있다. 한편, 제2 전극(40), 제3 절연층(55) 및 제3 전극(70)은 커패시터를 구성할 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 상기 커패시터가 상기 드라이빙 소자 상에 배치될 수 있으므로, 상기 표시 장치의 치수를 감소시킬 수 있다.
제4 절연층(85)은 표시 영역(I) 및 주변 영역(II)에 전체적으로 배치될 수 있다. 제4 절연층(85)은 상기 요철 구조물, 상기 스위칭 소자, 상기 드라이빙 소자 및 상기 커패시터와 같은 하부 구조물들을 충분히 덮을 수 있는 두께를 가질 수 있다. 표시 영역(I)에 있어서, 제4 절연층(85)은 제3 전극(70)을 커버하면서 제3 절연층(55) 상에 위치될 수 있다. 주변 영역(II)에 있어서, 제4 절연층(85)은 상기 요철 구조물을 실질적으로 완전히 덮으면서 제3 절연층(55) 상에 배치될 수 있다. 상술한 요철 구조물의 프로파일에 따라 제4 절연층(85)도 실질적으로 요철 형상을 가질 수 있다. 제4 절연층(85)은 무기 물질로 이루어질 수 있다. 예를 들어, 제4 절연층(85) 은 실리콘 산화물, 실리콘 질화물, 실리콘 산질화물, 실리콘 산탄화물, 실리콘 탄질화물 등을 포함할 수 있다. 이들은 단독으로 또는 서로 조합되어 사용될 수 있다. 선택적으로는, 제4 절연층(85)은 유기 물질로 이루어질 수 있다. 예를 들어, 제4 절연층(85)은 폴리이미드계 수지, 포토레지스트, 아크릴계 수지, 폴리아미드계 수지, 실록산계 수지 등을 포함할 수 있다. 이들은 단독으로 또는 서로 조합되어 사용될 수 있다.
다시 도 1을 참조하면, 표시 영역(I)에서 제4 절연층(85), 제3 절연층(55) 및 제2 절연층(30)을 관통하여 제1 액티브 패턴(20)을 노출시키는 콘택 홀들이 형성될 수 있다. 이러한 콘택 홀들을 채우면서 제4 절연층(85) 상에 제1 액티브 패턴(20)의 소스 영역 및 드레인 영역에 각기 접촉되는 소스 전극(90) 및 드레인 전극(95)이 배치될 수 있다. 소스 전극(90) 및 드레인 전극(95)은 각기 금속, 합금, 금속 질화물, 도전성 금속 산화물, 투명 도전성 물질 등으로 구성될 수 있다. 예를 들어, 소스 전극(90) 및 드레인 전극(95)은 각기 알루미늄, 알루미늄을 함유하는 합금, 알루미늄 질화물, 은, 은을 함유하는 합금, 텅스텐, 텅스텐 질화물, 구리, 구리를 함유하는 합금, 니켈, 크롬, 크롬 질화물, 몰리브데늄, 몰리브데늄을 함유하는 합금, 티타늄, 티타늄 질화물, 백금, 탄탈륨, 탄탈륨 질화물, 네오디뮴, 스칸듐, 스트론튬 루테늄 산화물, 아연 산화물, 인듐 주석 산화물, 주석 산화물, 인듐 산화물, 갈륨 산화물, 인듐 아연 산화물 등을 포함할 수 있다. 이들은 단독으로 또는 서로 조합되어 사용될 수 있다.
표시 영역(I)에 있어서, 제4 절연층(85) 상에는 제5 절연층(105)이 배치될 수 있다. 제5 절연층(105)은 무기 물질로 구성될 수 있다. 예를 들어, 제5 절연층(105)은 실리콘 산화물, 실리콘 질화물, 실리콘 산질화물, 실리콘 산탄화물, 실리콘 탄질화물 등으로 이루어질 수 있다. 이들은 단독으로 또는 서로 조합되어 사용될 수 있다. 다른 예시적인 실시예들에 있어서, 제5 절연층(105)이 유기 물질로 이루어질 수 있다. 예를 들어, 제5 절연층(105)은 폴리이미드계 수지, 포토레지스트, 아크릴계 수지, 폴리아미드계 수지, 실록산계 수지 등을 포함할 수 있다. 이들은 단독으로 또는 서로 조합되어 사용될 수 있다.
제5 절연층(105)에는 드레인 전극(95)을 부분적으로 노출시키는 홀이 형성될 수 있으며, 하부 전극(115)은 상기 홀을 채우면서 제5 절연층(105) 상에 배치될 수 있다. 따라서, 하부 전극(115)은 드레인 전극(95)에 전기적으로 접촉될 수 있다. 하부 전극(115)은 금속, 합금, 금속 질화물, 도전성 금속 산화물, 투명 도전성 물질 등을 포함할 수 있다. 예를 들어, 하부 전극(115)은 알루미늄, 알루미늄을 함유하는 합금, 알루미늄 질화물, 은, 은을 함유하는 합금, 텅스텐, 텅스텐 질화물, 구리, 구리를 함유하는 합금, 니켈, 크롬, 크롬 질화물, 몰리브데늄, 몰리브데늄을 함유하는 합금, 티타늄, 티타늄 질화물, 백금, 탄탈륨, 탄탈륨 질화물, 네오디뮴, 스칸듐, 스트론튬 루테늄 산화물, 아연 산화물, 인듐 주석 산화물, 주석 산화물, 인듐 산화물, 갈륨 산화물, 인듐 아연 산화물 등을 포함할 수 있다. 이들은 단독으로 또는 서로 조합되어 사용될 수 있다.
화소 정의막(110)은 제5 절연층(105) 상에 하부 전극(115)을 한정하도록 배치될 수 있다. 화소 정의막(110)은 무기 물질로 구성될 수 있다. 예를 들어, 화소 정의막(110)은 실리콘 산화물, 실리콘 질화물, 실리콘 산질화물, 실리콘 산탄화물, 실리콘 탄질화물 등으로 이루어질 수 있다. 이들은 단독으로 또는 서로 조합되어 사용될 수 있다. 다른 예시적인 실시예들에 있어서, 화소 정의막(110)은 유기 물질로 이루어질 수 있다. 예를 들어, 화소 정의막(110)은 폴리이미드계 수지, 포토레지스트, 아크릴계 수지, 폴리아미드계 수지, 실록산계 수지 등을 포함할 수 있다. 이들은 단독으로 또는 서로 조합되어 사용될 수 있다.
화소 정의막(110)에 의해 한정되는 하부 전극(115) 상에는 발광층(120)이 위치할 수 있다. 발광층(120)은 유기 발광층(EL), 정공 주입층(HIL), 정공 수송층(HTL), 전자 수송층(ETL), 전자 주입층(EIL) 등으로 구성될 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 발광층(120)의 유기 발광층은 화소들의 종류에 따라 적색광, 녹색광, 청색광 등과 같은 서로 상이한 색광들을 발생시킬 수 있는 발광 물질들을 적층하여 형성될 수 있다. 다른 예시적인 실시예들에 따르면, 발광층(120)의 유기 발광층은 적색광, 녹색광, 청색광 등의 다른 색광들을 발생시킬 수 있는 복수의 발광 물질들을 적층하여 전체적으로 백색광을 방출하도록 형성될 수 있다.
발광층(120) 상에는 상부 전극(125)이 배치될 수 있다. 상부 전극(125)은 금속, 합금, 금속 질화물, 도전성 금속 산화물, 투명 도전성 물질 등으로 구성될 수 있다. 예를 들어, 상부 전극(125)은 알루미늄, 알루미늄을 함유하는 합금, 알루미늄 질화물, 은, 은을 함유하는 합금, 텅스텐, 텅스텐 질화물, 구리, 구리를 함유하는 합금, 니켈, 크롬, 크롬 질화물, 몰리브데늄, 몰리브데늄을 함유하는 합금, 티타늄, 티타늄 질화물, 백금, 탄탈륨, 탄탈륨 질화물, 네오디뮴, 스칸듐, 스트론튬 루테늄 산화물, 아연 산화물, 인듐 주석 산화물, 주석 산화물, 인듐 산화물, 갈륨 산화물, 인듐 아연 산화물 등을 포함할 수 있다. 이들은 단독으로 또는 서로 조합되어 사용될 수 있다.
표시 영역(I)에서는 화소 정의막(110) 및 상부 전극(125) 상에는 보호층(130)이 배치될 수 있으며, 주변 영역(II)에서는 제4 절연층(85) 상에 실런트(135)가 배치될 수 있다. 보호층(130)은 무기 물질로 구성될 수 있다. 예를 들어, 보호층(130)은 실리콘 산화물, 실리콘 질화물, 실리콘 산질화물, 실리콘 산탄화물, 실리콘 탄질화물 등으로 이루어질 수 있다. 이들은 단독으로 또는 서로 조합되어 사용될 수 있다. 선택적으로는, 보호층(130)이 유기 물질로 이루어질 수도 있다. 예를 들어, 보호층(130)은 폴리이미드계 수지, 포토레지스트, 아크릴계 수지, 폴리아미드계 수지, 실록산계 수지 등을 포함할 수 있다. 이들은 단독으로 또는 서로 조합되어 사용될 수 있다.
예시적인 실시예들에 따르면, 실런트(135)는 주변 영역(II)에서 상기 요철 구조물을 커버하는 제4 절연층(85) 상에서 실질적으로 평탄한 표면을 가질 수 있다. 상기 요철 구조물의 형상에 따라 제4 절연층(85)이 실질적으로 증가된 표면적을 가질 수 있기 때문에, 실런트(135)와 제4 절연층(85) 사이의 접촉 면적이 증가될 수 있다. 이에 따라, 실런트(135)의 접합력을 보다 향상시킬 수 있다. 예를 들면, 실런트(135)는 프릿(frit) 등으로 구성될 수 있다. 다른 예시적인 실시예들에 있어서, 실런트(135)는 광 경화성 물질을 추가적으로 포함할 수 있다. 예를 들면, 실런트(135)는 유기 물질 및 광 경화성 물질의 혼합물을 포함할 수 있으며, 자외선(UV), 레이저 광, 가시광선 등을 조사하여 경화시켜 수득할 수 있다.실런트(135)에 포함되는 상기 광 경화성 물질의 예들은, 에폭시 아크릴레이트(epoxy acrylate)계 수지, 폴리에스테르 아크릴레이트(polyester acrylate)계 수지, 우레탄 아크릴레이트(urethane acrylate)계 수지, 폴리부타디엔 아크릴레이트(polybutadine acrylate)계 수지, 실리콘 아크릴레이트(silicon acrylate)계 수지, 알킬 아크릴레이트(alkyl acrylate)계 수지 등을 포함할 수 있다.
제2 기판(140)은 보호층(130) 및 실런트(135) 상에 배치될 수 있다. 제2 기판(140)은 투명 무기 물질 또는 플렉서블 플라스틱으로 구성될 수 있다. 예를 들어, 제2 기판(140)은 경질의 유리 기판, 석영 기판 등을 포함할 수 있자. 또한, 제2 기판(140)은 연성을 갖는 투명 수지 기판을 포함할 수도 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 상기 표시 장치의 가요성을 향상시키기 위하여, 제2 기판(140)은 적어도 하나의 유기층 및 적어도 하나의 무기층이 교대로 적층되는 구조를 가질 수 있다. 여기서, 상기 무기층은 실리콘 산화물(SiOx), 실리콘 질화물(SixNy), 실리콘 산질화물(SiOxNy), 알루미늄 산화물(AlOx), 알루미늄 질화물(AlNx), 티타늄 산화물(TiOx), 아연 산화물(ZnOx) 등을 포함할 수 있다. 한편, 상기 유기층은 아크릴레이트 모노머(acrylate monomer), 페닐아세틸렌(phenylacetylene), 디아민(diamine), 디안하이드라이드(dianhydride), 실록산(siloxane), 실란(silane), 파릴렌(parylene), 올레핀계 고분자(polyethylene, polypropylene), 폴리에틸렌테레프탈레이트(polyethylene terephthalate: PET), 플루오르수지(fluororesin), 폴리실록산(polysiloxane) 등을 포함할 수 있다.
예시적인 실시예들에 따르면, 제1 기판(10)과 제2 기판(140)을 결합하기 위하여, 상기 요철 구조물과 실런트(135)가 배치되는 주변 영역(II)에 레이저가 조사될 수 있다. 이러한 레이저의 조사에 따라, 실런트(135)가 고체 상태에서 액체 상태로 변화될 수 있고, 소정의 시간이 후에 액체 상태의 실런트(135)는 다시 고체 상태로 경화될 수 있다. 전술한 실런트(135)의 상태 변화에 따라 제2 기판(140)이 제1 기판(10)에 대해 밀폐되면서 결합될 수 있다. 상기 레이저가 조사되는 동안, 주변 영역(II)의 제1 금속층 패턴(45) 및 제2 금속층 패턴(75)이 상기 레이저의 에너지를 흡수 및 반사할 수 있다. 제1 금속층 패턴(45) 및 제2 금속층 패턴(75)에 의해 반사 및 흡수되는 에너지는 실런트(135)에 전달되어 실런트(135)의 상태 변화에 기여할 수 있다. 또한, 제4 절연층(85)이 상기 요철 구조물 상에 배치됨으로써, 실런트(135)와 제4 절연층(85)의 접촉 면적을 증가시킬 수 있으며, 이에 따라 제1 기판(10)과 제2 기판(140)의 결합력을 보다 향상시킬 수 있다.
이하, 본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 표시 장치의 요철 구조물을 보다 상세하게 설명한다.
도 6은 도 2에 예시한 구조를 I-I'선을 따라 절단한 단면도이며, 도 7은 도 2에 예시한 구조를 II-II'선을 따라 절단한 단면도이다.
도 6 및 도 7을 참조하면, 제1 기판(10) 상에 제1 절연층(15)이 배치될 수 있고, 제1 절연층(15) 상에는 제2 절연층(30)이 위치할 수 있다. 도 2 및 도 3에 예시한 바와 같이, 제1 금속층 패턴(45)은 복수의 제1 개구(OP1)들을 포함할 수 있고, 예를 들면, 전체적으로 실질적으로 메쉬 형상을 가질 수 있다.
제1 금속층 패턴(45)은 제2 절연층(30) 상에 위치할 수 있으며, 제1 금속층 패턴(45) 상에 제1 절연층 패턴들(60) 및 제2 절연층 패턴들(65)이 배치될 수 있다. 제1 절연층 패턴들(60)은 열 방향 또는 행 방향을 따라 상기 제1 개구들(OP1) 사이의 제1 금속층 패턴(45) 상에 배열될 수 있다. 제2 절연층 패턴들(65)도 열 방향 또는 행 방향을 따라 상기 제1 절연층 패턴들(60)과 이격되어 제1 금속층 패턴(45) 상에 배열될 수 있다. 이 경우, 제1 절연층 패턴들(60)과 제2 절연층 패턴들(65)은 열 방향 또는 행 방향을 따라 교대로 배열될 수 있다. 예를 들면, 제1 절연층 패턴들(60)이 열 방향을 따라 제1 개구들(OP1) 사이에 배열되는 경우, 제2 절연층 패턴들(65)은 행 방향을 따라 제2 개구들(OP1) 사이에 배열될 수 있다. 이와는 달리, 제2 절연층 패턴들(65)이 열 방향을 따라 인접하는 제1 개구들(OP1) 사이에 배열되는 경우, 제1 절연층 패턴들(60)은 행 방향을 따라 인접하는 제1 개구들(OP1) 사이에 배열될 수 있다.
예시적인 실시예들에 따르면, 인접하는 제1 절연층 패턴들(60)과 인접하는 제2 절연층 패턴들(65)은 서로 소정의 간격들로 이격될 수 있다. 예를 들면, 인접하는 제1 절연층 패턴들(60)은 제1 간격으로 이격될 수 있으며, 인접하는 제2 절연층 패턴들(65)은 제2 간격으로 이격될 수 있다. 이 경우, 인접하는 제2 절연층 패턴들(65) 사이의 상기 제2 간격이 인접하는 제1 절연층 패턴들(60) 사이의 상기 제1 간격 보다 실질적으로 클 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 제3 절연층(55)을 표시 영역(I)으로부터 주변 영역(II)까지 형성한 다음, 주변 영역(II)에서 제1 금속층 패턴(45) 상에 위치하는 제3 절연층(55)을 패터닝하여 제1 및 제2 절연층 패턴들(60, 65)을 수득할 수 있다.
도 7에 예시한 바와 같이, 제2 금속층 패턴(75)은 제1 및 제2 절연층 패턴들(60, 65)을 커버하면서 제1 금속층 패턴(45) 상에 배치될 수 있다. 제2 금속층 패턴(75)은 제1 금속층 패턴(45)과 실질적으로 동일하거나 유사한 치수를 가질 수 있다. 또한, 제2 금속층 패턴(75)은 복수의 제2 개구들(OP2)을 포함할 수 있다. 여기서, 제2 금속층 패턴(75)의 제2 개구들(OP2)은 제1 금속층 패턴(45)의 제1 개구들(OP1)과 실질적으로 동일한 치수들을 가질 수 있다. 이에 따라, 제2 금속층 패턴(75)은 제1 금속층 패턴(45)과 적어도 부분적으로 접촉될 수 있다. 도 7에 도시한 바와 같이, 제2 금속층 패턴(75)은 제1 및 제2 절연층 패턴들(60, 65)을 개재하여 제1 금속층 패턴(45)과 접촉될 수 있다. 이와 같은 제2 금속층 패턴(75)의 배치에 따라, 상기 표시 장치의 주변 영역(II)에는 예비적인 요철 구조물이 제공될 수 있다.
도 6 및 도 7에 예시한 바와 같이, 제4 절연층(85)은 제2 금속층 패턴(75) 상에 배치될 수 있으며, 제4 절연층(85) 상에는 실런트(135)가 배치될 수 있다. 실런트(135)를 개재하여 제1 기판(10) 상부에는 제2 기판(140)이 위치할 수 있다. 제2 금속층 패턴(75) 상에 제4 절연층(85)을 배치함으로써, 주변 영역(II)에는 요철 구조물이 제공될 수 있다. 이와 같은 요철 구조물은 적어도 하나의 금속층 패턴과 적어도 하나의 절연층 패턴들로 이루어질 수 있다. 예시적인 실시예들에 따르면, 상기 요철 구조물은 상술한 바와 같이 제1 및 제2 금속층 패턴(45, 75)과 제1 및 제2 절연층 패턴들(60, 65)을 포함할 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 제1 기판(10)과 제2 기판(140)을 결합하기 위하여, 상기 요철 구조물과 실런트(135)가 배치된 주변 영역(II)에 레이저가 조사될 수 있다. 이와 같은 레이저의 조사에 따라, 실런트(135)가 고체 상태에서 액체 상태로 용융될 수 있고, 소정의 시간이 후에 액체 상태의 실런트(135)는 다시 고체 상태로 경화될 수 있다. 실런트(135)의 상태 변화에 따라 제2 기판(140)이 제1 기판(10)과 밀봉 결합될 수 있다. 상기 레이저의 조사 공정 동안, 주변 영역(II)의 제1 금속층 패턴(45) 및 제2 금속층 패턴(75)이 상기 레이저의 에너지를 흡수 및 반사할 수 있고, 제1 금속층 패턴(45) 및 제2 금속층 패턴(75)은 각기 반사 및 흡수된 에너지를 실런트(135)에 전달할 수 있으며, 실런트(135)의 상태 변화에 기여할 수 있다. 예를 들면, 제1 및 제2 금속층 패턴(45, 75)에 의해 실런트(135)가 보다 균일하게 용융되어 실런트(135)의 접착력이 전체적으로 향상될 수 있다. 또한, 상기 요철 구조물 상에 실런트(135)가 위치하기 때문에, 실런트(135)와 상기 요철 구조물 사이의 접합 계면이 증가될 수 있다. 이에 따라, 실런트(135)의 접착력을 보다 증가시켜, 제1 기판(10)과 제2 기판(140) 사이에 보다 향상된 밀봉 결합을 확보할 수 있다.
도 8a 내지 도 8i는 본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 표시 장치의 제조 방법을 설명하기 위한 단면도들이다.
도 8a를 참조하면, 제1 기판(200) 상에 제1 절연층(205)을 형성할 수 있다. 제1 기판(200)은 투명 절연 물질이나 연성을 갖는 물질을 사용하여 형성될 수 있고, 제1 절연층(205)은 무기 물질 또는 유기 물질을 사용하여 형성될 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 제1 기판(200)은 표시 영역(I)과 주변 영역(II)을 구비할 수 있다. 이 경우, 제1 절연층(205)은 표시 영역(I) 및 주변 영역(II) 모두에 형성될 수 있다.
표시 영역(I)의 제1 절연층(205) 상에는 제1 액티브 패턴(210) 및 제2 액티브 패턴(215)이 형성될 수 있다. 예를 들면, 제1 액티브 패턴(210) 및 제2 액티브 패턴(215)은 각기 표시 영역(I)의 제1 절연층(205)의 제1 부분 및 제2 부분 상에 소정의 간격으로 이격되어 위치할 수 있다. 제1 및 제2 액티브 패턴들(210, 215)은 각기 산화물 반도체, 무기물 반도체(예를 들어, 아몰퍼스 실리콘, 폴리 실리콘 등) 또는 유기물 반도체 등을 사용하여 형성될 수 있다.
도 8b를 참조하면, 제1 절연층(205)과 제1 및 제2 액티브 패턴들(210, 215) 상에 제2 절연층(220)을 형성할 수 있다. 예시적인 실시예들에 따르면, 제2 절연층(220)은 표시 영역(I)의 제1 및 제2 액티브 패턴들(210, 215)을 덮으면서 제1 절연층(205) 상에 형성될 수 있다. 한편, 주변 영역(II)에서는 제1 절연층(205) 상에 직접 제2 절연층(220)이 형성될 수 있다. 제2 절연층(220)은 무기 물질 또는 유기 물질을 사용하여 형성될 수 있다.
도 8c를 참조하면, 제2 절연층(220) 상에 제1 전극(225), 제2 전극(230) 및 제1 금속층 패턴(235)을 형성할 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 제1 및 제2 전극들(225, 230)은 표시 영역(I)에 형성될 수 있으며, 제1 금속층 패턴(235)은 주변 영역(II)에 형성될 수 있다. 표시 영역(I)에 있어서, 제1 및 제2 전극들(225, 230)은 각기 아래에 제1 및 제2 액티브 패턴들(210, 215)이 위치하는 제2 절연층(220)의 부분들 상에 위치할 수 있다. 주변 영역(II)에서는 제1 금속층 패턴(235)이 제2 절연층(220) 상에 직접 형성될 수 있다.
예시적인 실시예들에 따르면, 제1 금속층 패턴(235)에는 복수의 제1 개구(OP1)들이 형성될 수 있다. 예를 들면, 이러한 제1 개구들(OP1)을 구비하는 제1 금속층 패턴(235)은 실질적으로 메쉬 구조를 가질 수 있다.
제1 및 제2 전극들(225, 230)과 제1 금속층 패턴(235)은 각기 금속, 합금, 금속 질화물, 도전성 금속 산화물, 투명 도전성 물질 등을 사용하여 형성될 수 있다. 여기서, 제1 및 제2 전극들(225, 230)과 제1 금속층 패턴(235)은 동시에 형성될 수 있다.
도 8d를 참조하면, 제2 절연층(220) 상에 제3 절연층(245)과 제1 절연층 패턴들(250)을 형성할 수 있다. 예시적인 실시예들에 따르면, 표시 영역(I)에서 제3 절연층(245)은 제1 및 제2 전극(225, 230)을 덮으면서 제2 절연층(220) 상에 형성될 수 있다. 주변 영역(II)에 있어서, 제3 절연층(245)은 제1 금속층 패턴(235)의 제1 개구들(OP1)을 매립하면서 제2 절연층(220) 상에 형성될 수 있다. 이 경우, 제1 금속층 패턴(235) 상에는 제1 절연층 패턴들(250) 및 제2 절연층 패턴들(도시되지 않음)이 형성될 수 있다.
예시적인 실시예들에 따르면, 주변 영역(II)에서 제3 절연층(245)은 제1 금속층 패턴(235)의 제1 개구(OP1)들을 실질적으로 채울 수 있다. 예를 들면, 주변 영역(II)에서 제2 절연층(220)과 제1 금속층 패턴(235) 상에 제3 절연층(245)을 형성한 다음, 제1 금속층 패턴(235) 상의 제3 절연층(245)을 패터닝하여 제1 금속층 패턴(235) 상에 제1 절연층 패턴들(250)과 상기 제2 절연층 패턴들을 형성할 수 있다. 제3 절연층(245), 제1 절연층 패턴들(250) 및 상기 제2 절연층 패턴들은 각기 무기 물질 또는 유기 물질을 사용하여 형성될 수 있다.
도 8e를 참조하면, 표시 영역(I)에서 아래에 제2 전극(230)이 위치하는 제3 절연층(245)의 일부 상에는 제3 전극(260)이 형성될 수 있다. 또한, 주변 영역(II)에서 제1 금속층 패턴(235) 상에는 제1 절연층 패턴들(250) 및 상기 제2 절연층 패턴들을 덮는 제2 금속층 패턴(265)이 형성될 수 있다. 여기서, 제2 금속층 패턴(265)은 제1 금속층 패턴(235)과 실질적으로 동일하거나 유사한 치수를 가질 수 있다.
예시적인 실시예들에 따르면, 제2 금속층 패턴(265)에는 복수의 제2 개구들(OP2)이 형성될 수 있다. 제2 금속층 패턴(265)의 제2 개구들(OP2)은 제1 금속층 패턴(235)의 제1 개구들(OP1)과 실질적으로 동일한 크기들을 가질 수 있고, 실질적으로 동일한 위치들에 형성될 수 있다. 이 경우, 제2 금속층 패턴(265)은 제1 금속층 패턴(235)과 적어도 부분적으로 접촉될 수 있다.
제2 금속층 패턴(265)의 형성에 따라, 주변 영역(II)에는 예비 요철 구조물이 형성될 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 상기 예비 요철 구조물은 제1 금속층 패턴(235), 제1 절연층 패턴들(250), 상기 제2 절연층 패턴들 그리고 제2 금속층 패턴(265)으로 구성될 수 있다.
제3 전극(260)과 제2 금속층 패턴(265)은 동시에 형성될 수 있다. 예를 들면, 제3 전극(260)과 제2 금속층 패턴(265)은 각기 금속, 합금, 금속 질화물, 도전성 금속 산화물, 투명 도전성 물질 등을 사용하여 형성될 수 있다.
도 8f를 참조하면, 제1 기판(200)의 표시 영역(I) 및 주변 영역(II)에 전체적으로 제4 절연층(275)을 형성할 수 있다. 제4 절연층(275)은 하부 구조물들을 충분히 커버할 수 있는 두께로 형성될 수 있다. 예를 들면, 제4 절연층(275)은 무기 물질 또는 유기 물질을 사용하여 형성될 수 있다. 예시적인 실시예들에 따르면, 표시 영역(I)에서 제4 절연층(275)은 제3 전극(260)을 커버하면서 제3 절연층(245) 상에 형성될 수 있다. 주변 영역(II)에 있어서, 제4 절연층(275)은 상기 예비 요철 구조물을 덮으며 제3 절연층(245) 상에 형성될 수 있다. 이러한 예비 요철 구조물의 프로파일에 따라, 제4 절연층(275)도 실질적으로 요철 형상을 가질 수 있다. 이에 따라 주변 영역(II)에는 요철 구조물이 형성될 수 있다. 상기 요철 구조물은 제1 금속층 패턴(235), 제1 절연층 패턴들(250), 상기 제2 절연층 패턴들, 제2 금속층 패턴(265) 그리고 제4 절연층(275)을 포함할 수 있다.
도 8g를 참조하면, 표시 영역(I)의 제4 절연층(275), 제3 절연층(245) 및 제2 절연층(220)을 관통하여 제1 액티브 패턴(210)을 노출시키는 콘택 홀들을 형성할 수 있다. 이러한 콘택 홀들을 채우면서 제4 절연층(275) 상에 소스 전극(280) 및 드레인 전극(285)을 형성할 수 있다. 예를 들면, 소스 및 드레인 전극들(280, 285)은 각기 금속, 합금, 금속 질화물, 도전성 금속 산화물, 투명 도전성 물질 등을 사용하여 형성될 수 있다.
표시 영역(I)에 있어서, 제4 절연층(275) 상에는 제5 절연층(290)이 형성될 수 있다. 예를 들면, 제5 절연층(290)은 무기 물질 또는 유기 물질을 사용하여 형성될 수 있다.
제5 절연층(290)에는 드레인 전극(285)을 부분적으로 노출시키는 홀이 형성될 수 있으며, 상기 홀을 채우면서 제5 절연층(290) 상에 하부 전극(300)이 형성될 수 있다. 하부 전극(300)은 드레인 전극(285)에 전기적으로 접촉될 수 있다. 예를 들면, 하부 전극(300)은 금속, 합금, 금속 질화물, 도전성 금속 산화물, 투명 도전성 물질 등을 사용하여 형성될 수 있다.
표시 영역(I)의 제5 절연층(290) 상에는 하부 전극(300)을 한정하는 화소 정의막(295)이 형성될 수 있다. 예를 들면, 화소 정의막(295)은 유기 물질 또는 무기 물질을 사용하여 형성될 수 있다.
화소 정의막(295)에 의해 한정되는 하부 전극(300) 상에는 발광층(305)이 형성될 수 있다. 발광층(305)은 유기 발광층(EL), 정공 주입층(HIL), 정공 수송층(HTL), 전자 수송층(ETL), 전자 주입층(EIL) 등으로 구성될 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 발광층(305)의 유기 발광층은 화소들의 종류에 따라 적색광, 녹색광, 청색광 등과 같은 서로 상이한 색광들을 발생시킬 수 있는 발광 물질들을 적층하여 형성될 수 있다. 다른 예시적인 실시예들에 따르면, 발광층(305)의 유기 발광층은 적색광, 녹색광, 청색광 등의 다른 색광들을 발생시킬 수 있는 복수의 발광 물질들을 적층하여 전체적으로 백색광을 방출하도록 형성될 수 있다.
발광층(305) 상에는 상부 전극(310)이 형성될 수 있다. 상부 전극(310)은 금속, 합금, 금속 질화물, 도전성 금속 산화물, 투명 도전성 물질 등을 사용하여 형성될 수 있다.
도 8h를 참조하면, 표시 영역(I)에는 보호층(315)이 형성될 수 있고, 주변 영역(II)에는 실런트(320)가 형성될 수 있다. 보호층(315)은 화소 정의막(295)과 상부 전극(310) 상에 형성될 수 있다. 예를 들면, 보호층(315)은 실리콘 산화물, 금속 산화물 등을 사용하여 형성될 수 있다.
실런트(320)는 상기 요철 구조물을 덮으면서 실질적으로 평탄한 표면을 가지도록 형성될 수 있다. 예시적인 실시예들에 따르면, 상기 요철 구조물이 증가된 표면적을 가질 수 있기 때문에, 실런트(320)와 상기 요철 구조물 사이의 접촉 면적을 증가시킬 수 있다. 이에 따라, 상기 요철 구조물에 대한 실런트(320)의 접합력을 보다 향상시킬 수 있다. 예를 들면, 실런트(320)는 프릿(frit) 등으로 구성될 수 있다.
도 8i를 참조하면, 보호층(315) 및 실런트(320) 상에 제2 기판(325)이 형성될 수 있다. 제2 기판(325)은 투명 절연 물질, 유연성을 갖는 물질 등을 사용하여 형성될 수 있다.
제1 기판(200)과 제2 기판(325)을 결합하기 위하여, 주변 영역(II)에 레이저가 조사될 수 있다. 레이저 조사 공정 동안, 실런트(320)가 고체 상태에서 액체 상태로 용융될 수 있고, 소정의 시간이 후에 액체 상태의 실런트(320)는 고체 상태로 경화될 수 있다. 이와 같은 실런트(320)의 상태 변화에 따라 제2 기판(325)이 제1 기판(200)에 대해 밀봉 결합될 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 상기 레이저가 조사되는 경우, 주변 영역(II)의 제1 금속층 패턴(235) 및 상기 제2 금속층 패턴(265)은 상기 레이저의 에너지를 흡수 및 반사할 수 있고, 제1 및 제2 금속층 패턴들(235, 265)은 각각에 반사 및 흡수된 에너지를 실런트(320)에 전달할 수 있다. 따라서, 실런트(320)가 주변 영역(II)에서 실질적으로 균일하게 용융되고 경화될 수 있으므로, 실런트(320)의 접합력을 향상시킬 수 있다. 또한, 상기 요철 구조물과 실런트(320) 사이의 접촉 면적이 증가될 수 있으므로, 제1 기판(200)과 제2 기판(325) 사이의 결합력을 보다 향상시킬 수 있다.
도 9는 본 발명의 다른 예시적인 실시예들에 따른 표시 장치를 나타내는 단면도이다. 도 9에 예시한 표시 장치는, 요철 구조물이 제3 개구들(OP3)을 추가적으로 포함하는 점을 제외하면, 도 1을 참조하여 설명한 표시 장치와 실질적으로 동일하거나 유사한 구성을 가질 수 있다. 도 9에 있어서, 도 1을 참조하여 설명한 구성 요소들과 실질적으로 동일하거나 유사한 구성 요소들에 대한 설명은 생략한다.
도 9를 참조하면, 상기 표시 장치의 요철 구조물은 제1 금속층 패턴(45)의 제1 개구들(OP1) 내에 각기 형성되는 제3 개구들(OP3)을 추가적으로 포함할 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 제2 개구들(OP3)은 제4 절연층(85)으로부터 제3 절연층(55) 및 제2 절연층(15)을 관통하여 제1 기판(10)의 부분들을 노출시킬 수 있다. 제3 개구들(OP3)은 각기 제1 개구들(OP1) 보다 실질적으로 작은 치수를 가질 수 있다. 상기 요철 구조물이 제1 개구들(OP1) 내에 위치하는 제3 개구들(OP3)을 구비하는 경우, 제1 개구들(OP1)의 내벽들과 제3 개구들(OP3)의 내벽들 사이의 단차들로 인하여 상기 요철 구조물의 표면적을 보다 증가시킬 수 있다. 따라서, 실런트(135)와 상기 요철 구조물의 접촉 면적이 보다 증가되어 실런트(135)의 접착력을 더욱 향상시킬 수 있다. 또한, 제3 개구들(OP3)이 제1 기판(10)을 노출시킬 수 있기 때문에, 실런트(135)와 제1 기판(10)이 실질적으로 동일한 물질일 함유하는 경우에 제1 기판(10)에 대한 실런트(135)의 접착력을 크게 향상시킬 수 있다. 예를 들면, 제1 기판(10)이 유리 기판을 포함하고 실런트(135)가 프릿을 포함할 때, 제1 기판(10)에 대한 실런트(135)의 접착력이 크게 향상됨으로써, 제1 기판(10)과 제2 기판(140) 사이에 크게 향상된 밀봉 결합을 제공할 수 있다.
도 10a 내지 도 10c는 본 발명의 다른 예시적인 실시예들에 따른 표시 장치의 제조 방법을 설명하기 위한 단면도들이다. 도 10a 내지 도 10c에 예시한 표시 장치의 제조 방법은, 제3 개구들(OP3)을 형성하는 과정을 제외하면, 도 8a 내지 도 8i를 참조하여 설명한 표시 장치의 제조 방법과 실질적으로 동일하거나 유사할 수 있다. 도 10a 내지 도 10c에 있어서, 도 8a 내지 8i를 참조하여 설명한 구성 요소들과 실질적으로 동일하거나 유사한 구성 요소들에 대한 설명은 생략한다.
도 10a를 참조하면, 표시 영역(I) 및 주변 영역(II)을 갖는 제1 기판(10) 상에 제1 절연층(15)을 형성할 수 있다. 제1 기판(10)은 투명 절연 물질이나 연성을 갖는 물질을 사용하여 형성될 수 있고, 제1 절연층(15)은 무기 물질 또는 유기 물질을 사용하여 형성될 수 있다. 제1 절연층(15) 상에는 제2 절연층(30)이 형성될 수 있다. 제2 절연층(30)은 무기 물질 또는 유기 물질을 사용하여 형성될 수 있다.
주변 영역(II)의 제2 절연층(30) 상에는 제1 금속층 패턴(45)이 형성될 수 있다. 제1 금속층 패턴(45)에는 복수의 제1 개구(OP1)들이 형성될 수 있다. 제1 금속층 패턴(45)은 금속, 합금, 금속 질화물, 도전성 금속 산화물, 투명 도전성 물질 등을 사용하여 형성될 수 있다.
제2 절연층(30) 상에는 제3 절연층(55)이 형성될 수 있고, 제1 금속층 패턴(45) 상에는 제1 절연층 패턴들(60) 및 제2 절연층 패턴들(도시되지 않음)이 형성될 수 있다. 주변 영역(II)에 있어서, 제3 절연층(55)은 제1 금속층 패턴(45)의 제1 개구들(OP1)을 채우면서 제2 절연층(30) 상에 형성될 수 있다. 제3 절연층(55), 제1 절연층 패턴들(60) 및 상기 제2 절연층 패턴들은 각기 무기 물질 또는 유기 물질을 사용하여 형성될 수 있다.
주변 영역(II)에 있어서, 제1 금속층 패턴(45) 상에는 제1 절연층 패턴들(60) 및 상기 제2 절연층 패턴들을 커버하는 제2 금속층 패턴(75)이 형성될 수 있다. 제2 금속층 패턴(75)은 제1 금속층 패턴(45)과 실질적으로 동일하거나 유사한 치수를 가질 수 있다. 제2 금속층 패턴(75)에는 복수의 제2 개구들(도시되지 않음)이 형성될 수 있다. 여기서, 제2 금속층 패턴(75)의 상기 제2 개구들은 제1 금속층 패턴(45)의 제1 개구들(OP1)과 실질적으로 동일한 치수들을 가질 수 있다. 상기 제1 개구들을 갖는 제2 금속층 패턴(75)과 상기 제1 개구들(OP1)을 갖는 제1 금속층 패턴(45)은 적어도 부분적으로 접촉될 수 있다. 제2 금속층 패턴(75)은 금속, 합금, 금속 질화물, 도전성 금속 산화물, 투명 도전성 물질 등을 사용하여 형성될 수 있다.
제4 절연층(85)은 표시 영역(I) 및 주변 영역(II)에 형성된 하부 구조물들을 충분히 커버하도록 제3 절연층(55) 상에 형성될 수 있다. 제4 절연층(85)은 무기 물질 또는 유기 물질을 사용하여 형성될 수 있다. 주변 영역(II)에 있어서, 제4 절연층(85)은 제2 금속층 패턴(75)을 덮으며 제3 절연층(55) 상에 형성될 수 있다. 이에 따라, 제1 금속층 패턴(45), 제1 절연층 패턴들(60), 상기 제2 절연층 패턴들, 제2 금속층 패턴(75) 및 제4 절연층(85)을 포함하는 상기 요철 구조가 주변 영역(II)에 형성될 수 있다.
도 10b를 참조하면, 제1 개구들(OP1)의 내에 제1 기판(10)을 부분적으로 노출시키는 제3 개구들(OP3)을 각기 형성할 수 있다. 예시적인 실시예들에 따르면, 주변 영역(II)의 제4 절연층(85) 상에 식각 마스크(도시되지 않음)를 배치한 후, 상기 식각 마스크를 이용하여 제4 절연층(85), 제3 절연층(55), 제2 절연층(30) 및 제1 절연층(15)을 부분적으로 식각함으로써, 제1 기판(10)의 부분들을 각기 노출시키는 제3 개구들(OP3)을 형성할 수 있다. 제3 개구들(OP3)이 제1 개구들(OP3) 내에 형성됨에 따라, 제1 개구들(OP1)의 내벽들과 제3 개구들(OP3)의 내벽들 사이에는 단차들이 생성될 수 있다. 이에 따라, 제1 개구들(OP3)을 포함하는 상기 요철 구조물은 더욱 증가된 표면적을 확보할 수 있다.
도 10c를 참조하면, 제3 개구들(OP3)을 채우면서 상기 요철 구조물 상에 실런트(135)를 형성할 수 있다. 여기서, 실런트(135)는 상기 요철 구조물을 커버하는 실질적으로 평탄한 표면을 가질 수 있다. 예시적인 실시예들에 따르면, 제3 개구들(OP3)을 포함하는 상기 요철 구조물이 더욱 증가된 표면적을 가질 수 있기 때문에, 실런트(135)와 상기 요철 구조물 사이의 접촉 면적을 보다 증가시킬 수 있다. 또한, 실런트(135)가 제3 개구들(OP3)에 의해 노출되는 제1 기판(10)에 접촉될 수 있다. 따라서, 상기 요철 구조물에 대한 실런트(135)의 접합력을 더욱 향상시킬 수 있는 동시에, 제1 기판(10)에 대한 실런트(135)의 접착력을 확보할 수 있다. 특히, 제1 기판(10)과 실런트(135)가 실질적으로 동일하거나 유사한 물질을 포함할 경우, 제1 기판(10)에 대한 실런트(135)의 접착력을 크게 증가시킬 수 있으므로, 제1 기판(10)과 제2 기판(140) 사이의 밀봉 결합을 보다 안정적으로 제공할 수 있다.
상술한 바와 같이 제1 기판(10) 및 상기 요철 구조물에 접촉되는 실런트(135) 상에는 제2 기판(140)이 배치될 수 있다. 제2 기판(140)은 투명 절연 물질, 유연성을 갖는 물질 등을 사용하여 형성될 수 있다.
상술한 바에서는, 본 발명의 예시적인 실시예들을 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 하기의 특허청구범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 것이다.
본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 요철 구조물을 구비하는 표시 장치에 폭넓게 적용될 수 있다. 예를 들어, 본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 표시 장치는, 컴퓨터, 노트북, 디지털 카메라, 비디오 캠코더, 휴대폰, 스마트폰, 스마트패드, 피엠피(PMP), 피디에이(PDA), MP3 플레이어, 차량용 네비게이션, 비디오폰, 감시 시스템, 추적 시스템, 동작 감지 시스템, 이미지 안정화 시스템 등에 적용될 수 있다.
10, 200: 제1 기판 15, 205: 제1 절연층
20, 210: 제1 액티브 패턴 25, 215: 제2 액티브 패턴
30, 220: 제2 절연층 35, 225: 제1 전극
40, 230: 제2 전극 45, 235: 제1 금속층 패턴
55, 245: 제3 절연층 60, 250: 제1 절연층 패턴
65: 제2 절연층 패턴 70, 260: 제3 전극
75, 265: 제2 금속층 패턴 85, 275: 제4 절연층
90, 280: 소스 전극 95, 285: 드레인 전극
105, 290: 제5 절연층 110, 295: 화소 정의막
115, 300: 하부 전극 120, 305: 발광층
125, 310: 상부 전극 130, 315: 보호층
135, 320: 실런트 140, 325: 제2 기판
OP1: 제1 개구 OP2: 제2 개구
OP3: 제3 개구
20, 210: 제1 액티브 패턴 25, 215: 제2 액티브 패턴
30, 220: 제2 절연층 35, 225: 제1 전극
40, 230: 제2 전극 45, 235: 제1 금속층 패턴
55, 245: 제3 절연층 60, 250: 제1 절연층 패턴
65: 제2 절연층 패턴 70, 260: 제3 전극
75, 265: 제2 금속층 패턴 85, 275: 제4 절연층
90, 280: 소스 전극 95, 285: 드레인 전극
105, 290: 제5 절연층 110, 295: 화소 정의막
115, 300: 하부 전극 120, 305: 발광층
125, 310: 상부 전극 130, 315: 보호층
135, 320: 실런트 140, 325: 제2 기판
OP1: 제1 개구 OP2: 제2 개구
OP3: 제3 개구
Claims (24)
- 표시 영역과 주변 영역을 포함하는 제1 기판;
상기 제1 기판 상에 배치되는 제1 절연층;
상기 제1 절연층 상에 배치되는 제2 절연층;
상기 표시 영역의 상기 제1 절연층 상에 배치되는 적어도 하나의 트랜지스터;
상기 적어도 하나의 트랜지스터 상에 배치되는 발광 구조;
상기 주변 영역의 상기 제2 절연층 상에 배치되는 요철 구조물;
상기 요철 구조물 상에 배치되는 실런트; 및
상기 발광 구조 및 상기 실런트 상에 배치되는 제2 기판을 포함하고,
상기 요철 구조물은,
상기 제2 절연층 상에 배치되는 제1 금속층 패턴;
상기 제1 금속층 패턴 상에 배치되는 제1 절연층 패턴들 및 제2 절연층 패턴들; 및
상기 제1 금속층 패턴 상에 배치되고, 상기 제1 및 제2 절연층 패턴들을 커버하는 제2 금속층 패턴을 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
- 삭제
- 삭제
- 제 1 항에 있어서, 상기 제1 금속층 패턴은 복수의 제1 개구들을 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
- 제 4 항에 있어서, 상기 제1 절연층 패턴들은 인접하는 제1 개구들 사이에 열 방향 또는 행 방향을 따라 배열되고, 상기 제2 절연층 패턴들은 인접하는 제1 개구들 사이에 행 방향 또는 열 방향을 따라 배열되는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
- 제 5 항에 있어서, 상기 제1 절연층 패턴들과 상기 제2 절연층 패턴들은 행 방향 또는 열 방향을 따라 서로 교대로 배열되는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
- 제 4 항에 있어서, 상기 제2 금속층 패턴은 복수의 제2 개구들을 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
- 제 7 항에 있어서, 상기 복수의 제2 개구들은 각기 상기 복수의 제1 개구들과 동일한 치수들을 가지는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
- 제 4 항에 있어서,
상기 제2 절연층 상에 배치되는 제3 절연층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 장치. - 제 9 항에 있어서, 상기 제1 금속층 패턴은 상기 제2 절연층 상에 배치되며, 상기 제3 절연층은 상기 제1 개구들을 채우는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
- 제 9 항에 있어서, 상기 요철 구조물은,
상기 제2 금속층 상에 배치되는 제4 절연층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 장치. - 제 11 항에 있어서, 상기 요철 구조물은,
상기 제4 절연층, 상기 제3 절연층, 상기 제2 절연층 및 상기 제1 절연층을 관통하여 상기 제1 기판을 부분적으로 노출시키는 제3 개구들을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 장치. - 제 12 항에 있어서, 상기 실런트는 상기 제3 개구들을 통해 상기 제1 기판에 접촉되는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
- 제 12 항에 있어서, 상기 제3 개구들은 각기 상기 제1 개구들 내에 위치하는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
- 제 1 항에 있어서, 상기 적어도 하나의 트랜지스터는 상기 표시 영역의 상기 적어도 하나의 절연층 상에 배치되는 스위칭 트랜지스터 및 드라이빙 트랜지스터를 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
- 제 15 항에 있어서,
상기 드라이빙 트랜지스터 상에 배치되는 커패시터를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 장치. - 표시 영역과 주변 영역을 포함하는 제1 기판을 제공하는 단계;
상기 제1 기판 상에 제1 절연층을 형성하는 단계;
상기 제1 절연층 상에 제2 절연층을 형성하는 단계;
상기 표시 영역의 상기 제1 절연층 상에 적어도 하나의 트랜지스터를 형성하는 단계;
상기 적어도 하나의 트랜지스터 상에 발광 구조를 형성하는 단계;
상기 주변 영역의 상기 제2 절연층 상에 요철 구조물을 형성하는 단계;
상기 요철 구조물 상에 실런트를 형성하는 단계; 및
상기 발광 구조 및 상기 실런트 상에 제2 기판을 형성하는 단계를 포함하고,
상기 요철 구조물을 형성하는 단계는,
상기 제2 절연층 상에 복수의 제1 개구들을 갖는 제1 금속층 패턴을 형성하는 단계;
상기 제1 금속층 패턴 상에 제1 절연층 패턴들 및 제2 절연층 패턴들을 형성하는 단계; 및
상기 제1 금속층 패턴 상에 상기 제1 및 제2 절연층 패턴들을 덮으며, 복수의 제2 개구들을 갖는 제2 금속층 패턴을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 장치의 제조 방법.
- 삭제
- 제 17 항에 있어서,
상기 제2 절연층 상에 제3 절연층을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 장치의 제조 방법. - 제 19 항에 있어서, 상기 제1 및 제2 절연층 패턴들과 상기 제3 절연층은 동시에 형성되는 것을 특징으로 하는 표시 장치의 제조 방법.
- 제 19 항에 있어서, 상기 제1 금속층 패턴은 상기 제2 절연층 상에 형성되며, 상기 제3 절연층은 상기 제1 개구들을 채우는 것을 특징으로 하는 표시 장치의 제조 방법.
- 제 19 항에 있어서, 상기 요철 구조물을 형성하는 단계는,
상기 제2 금속층 패턴 상에 제4 절연층을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 장치의 제조 방법. - 제 22 항에 있어서, 상기 요철 구조물을 형성하는 단계는,
상기 제4 절연층, 상기 제3 절연층, 상기 제2 절연층 및 상기 제1 절연층을 부분적으로 식각하여 상기 제1 기판을 부분적으로 노출시키는 제3 개구들을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 장치의 제조 방법. - 제 23 항에 있어서, 상기 제3 개구들은 각기 상기 제1 개구들 내에 형성되는 것을 특징으로 하는 표시 장치의 제조 방법.
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020140022469A KR102240894B1 (ko) | 2014-02-26 | 2014-02-26 | 표시 장치 및 표시 장치의 제조 방법 |
| US14/534,023 US9966420B2 (en) | 2014-02-26 | 2014-11-05 | Display devices and methods of manufacturing display devices |
| TW103139677A TWI676284B (zh) | 2014-02-26 | 2014-11-14 | 顯示裝置 |
| CN201510006893.5A CN104867405B (zh) | 2014-02-26 | 2015-01-07 | 显示装置和制造显示装置的方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
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Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20150101500A KR20150101500A (ko) | 2015-09-04 |
| KR102240894B1 true KR102240894B1 (ko) | 2021-04-16 |
Family
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|---|---|---|---|
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Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US9966420B2 (ko) |
| KR (1) | KR102240894B1 (ko) |
| CN (1) | CN104867405B (ko) |
| TW (1) | TWI676284B (ko) |
Families Citing this family (19)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR102403001B1 (ko) | 2015-07-13 | 2022-05-30 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 디스플레이 장치 및 그 제조 방법 |
| KR102439506B1 (ko) | 2015-10-16 | 2022-09-02 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
| KR102438886B1 (ko) * | 2015-10-22 | 2022-09-01 | 삼성디스플레이 주식회사 | 어레이 기판 및 이를 포함하는 표시 장치 |
| KR102574483B1 (ko) * | 2016-04-11 | 2023-09-04 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
| US10303315B2 (en) | 2016-04-22 | 2019-05-28 | Samsung Display Co., Ltd. | Flexible display device |
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| TWI740484B (zh) | 2020-05-04 | 2021-09-21 | 宏碁股份有限公司 | 顯示裝置與其製造方法 |
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| KR102002959B1 (ko) * | 2012-11-20 | 2019-07-24 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치의 제조 방법 |
| KR101993331B1 (ko) * | 2013-01-03 | 2019-06-27 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기발광표시장치 및 그 제조방법 |
| KR102162794B1 (ko) * | 2013-05-30 | 2020-10-08 | 삼성디스플레이 주식회사 | 평판표시장치용 백플레인 및 그의 제조 방법 |
| US9713274B2 (en) * | 2013-09-18 | 2017-07-18 | Sony Corporation | Electronic apparatus |
| KR102117109B1 (ko) * | 2013-10-22 | 2020-06-01 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
| KR102112649B1 (ko) * | 2013-11-25 | 2020-05-19 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기전계 발광소자 및 이의 리페어 방법 |
| KR102107008B1 (ko) * | 2013-12-16 | 2020-05-29 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시장치 및 그의 제조방법 |
| CN105793942B (zh) * | 2014-01-30 | 2018-09-18 | 株式会社藤仓 | 光电转换元件 |
| KR102253870B1 (ko) * | 2014-08-11 | 2021-05-21 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
| KR20160053001A (ko) * | 2014-10-30 | 2016-05-13 | 삼성디스플레이 주식회사 | 투명 표시 기판, 투명 표시 장치 및 투명 표시 장치의 제조 방법 |
| KR102370035B1 (ko) * | 2015-02-05 | 2022-03-07 | 삼성디스플레이 주식회사 | 투명 표시 기판, 투명 표시 장치 및 투명 표시 장치의 제조 방법 |
| KR102375894B1 (ko) * | 2015-03-27 | 2022-03-17 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 및 그 제조 방법 |
| KR102447828B1 (ko) * | 2015-12-22 | 2022-09-28 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
-
2014
- 2014-02-26 KR KR1020140022469A patent/KR102240894B1/ko active Active
- 2014-11-05 US US14/534,023 patent/US9966420B2/en active Active
- 2014-11-14 TW TW103139677A patent/TWI676284B/zh active
-
2015
- 2015-01-07 CN CN201510006893.5A patent/CN104867405B/zh active Active
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US9966420B2 (en) | 2018-05-08 |
| US20150243705A1 (en) | 2015-08-27 |
| TWI676284B (zh) | 2019-11-01 |
| KR20150101500A (ko) | 2015-09-04 |
| CN104867405A (zh) | 2015-08-26 |
| CN104867405B (zh) | 2019-06-14 |
| TW201532841A (zh) | 2015-09-01 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PA0109 | Patent application |
Patent event code: PA01091R01D Comment text: Patent Application Patent event date: 20140226 |
|
| PG1501 | Laying open of application | ||
| A201 | Request for examination | ||
| PA0201 | Request for examination |
Patent event code: PA02012R01D Patent event date: 20190225 Comment text: Request for Examination of Application Patent event code: PA02011R01I Patent event date: 20140226 Comment text: Patent Application |
|
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| PE0902 | Notice of grounds for rejection |
Comment text: Notification of reason for refusal Patent event date: 20200730 Patent event code: PE09021S01D |
|
| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
| PE0701 | Decision of registration |
Patent event code: PE07011S01D Comment text: Decision to Grant Registration Patent event date: 20210129 |
|
| PR0701 | Registration of establishment |
Comment text: Registration of Establishment Patent event date: 20210409 Patent event code: PR07011E01D |
|
| PR1002 | Payment of registration fee |
Payment date: 20210412 End annual number: 3 Start annual number: 1 |
|
| PG1601 | Publication of registration | ||
| PR1001 | Payment of annual fee |
Payment date: 20240321 Start annual number: 4 End annual number: 4 |