JP2008270540A - 半導体装置の製造方法および表示装置 - Google Patents

Abstract

【課題】複数の照射光学系を用いる場合であっても、各照射光学系におけるレーザビームの強度ばらつきの影響を抑えることを可能にする。
【解決手段】複数の照射光学系を用いてエネルギービームを照射するアニール工程において、前記エネルギービームの照射領域を、各照射光学系が単独でビーム照射する単一ビーム照射領域１１Ａ，１１Ｂと、隣り合う二つの照射光学系の両方がビーム照射する境界領域１２ＡＢとに分け、前記境界領域１２ＡＢを、一方の照射光学系によるビーム照射部分である第一照射部ＰＡと、他方の照射光学系によるビーム照射部分である第二照射部ＰＢとに分け、前記第一照射部ＰＡによりビーム照射される薄膜トランジスタ形成領域と、前記第二照射部ＰＢによりビーム照射される薄膜トランジスタ形成領域とが、前記境界領域１２ＡＢ上における二次元方向のそれぞれで混在させるようにする。
【選択図】図８

Description

本発明は、例えば液晶表示装置または有機電界発光表示装置に用いられる薄膜トランジスタ（Thin Film Transistor、以下「ＴＦＴ」と略す）基板の製造に好適な半導体装置の製造方法およびその方法により製造された半導体膜を備えた表示装置に関する。

システム液晶と呼ばれるような高付加価値のアクティブマトリクス型液晶表示装置や有機電界発光素子（以下「有機ＥＬ素子」という）を用いた有機電界発光表示装置（以下「有機ＥＬ表示装置」という）等を構成する場合には、結晶性シリコンを用いたＴＦＴ基板を用いることが一般的である。このＴＦＴ基板は、基板に非晶質または比較的粒径の小さな多結晶の半導体膜を形成し、その半導体膜にレーザビームを照射してアニール処理をした後に、駆動素子としてのＴＦＴを形成したものが一般的である。

レーザアニール装置の光源としては、低コストで安定性の高い半導体レーザが用いられる場合がある（例えば、特許文献１参照）。ただし、半導体レーザを用いた場合には、ビームスポットの大きさが非常に小さいので、単位面積あたりの走査時間が増加し、生産性の低下や製造コストの増大等を招く。そこで、アニール処理の高スループット化のために、複数のレーザを互いに近接して配置し、複数のレーザビームを非晶質半導体膜の複数の部分を同時に照射し、走査時間を短縮して生産性を上げるようにすることが提案されている（例えば、特許文献２参照）。

図１４は、複数、例えば三本のレーザビームＬＢを基板３１０に照射するパターンの一例を表したものである。基板３１０には例えば半導体膜３２０が形成されていると共に、三つの照射領域３１１Ａ，３１１Ｂ，３１１Ｃが設定されており、各レーザビームＬＢはこれら三つの照射領域３１１Ａ〜３１１Ｃのうちの一つにそれぞれ割り当てられ、対応する照射領域３１１Ａ〜３１１Ｃにおいて連続的にライン状走査しながら照射するようになっている。

特開２００３−３３２２３５号公報 特開２００４−１５３１５０号公報

しかしながら、複数のレーザビームを用いる場合、照射光学系の調整誤差等により、例えば図１５（Ａ）に示すように、照射光学系間でレーザの出力にばらつきが生じてしまうことが考えられる。照射光学系間でのレーザ出力のばらつきは、アニール処理後の半導体膜における各照射領域３１１Ａ，３１１Ｂ，３１１Ｃの結晶粒径の相違を招き、各照射領域３１１Ａ〜３１１Ｃに作製されたＴＦＴの特性に差がつく要因となる。よって、このようなＴＦＴ基板を用いて構成した表示装置では、例えば図１５（Ｂ）に示すように、各照射領域３１１Ａ〜３１１Ｃの輝度に差が生じ、その境界線Ｍが表示むらとして視認されてしまうおそれがある。また、各照射光学系間のビーム形状のばらつきがある場合にも、各照射領域間の結晶粒径が異なってしまい、上記と同様な表示むらが視認されてしまうおそれがある。これら照射光学系間のばらつきは完全に取りきるのが困難なことが多い。

本発明はかかる問題点に鑑みてなされたもので、その目的は、複数の照射光学系を用いて生産性を高める場合であっても、各照射光学系におけるレーザビームの強度ばらつきの影響を抑えることができる半導体装置の製造方法、およびその製造方法により製造された半導体装置を用いて構成することで、表示むらを抑え、表示品質を高めることができる表示装置を提供することにある。

本発明に係る半導体装置の製造方法は、薄膜トランジスタ形成領域を含む素子形成領域が二次元パターン配置される半導体膜に対し複数の照射光学系を用いてエネルギービームを照射するアニール工程を行う半導体装置の製造方法であって、前記アニール工程では、前記エネルギービームの照射領域を、前記複数の照射光学系のそれぞれが単独でエネルギービームを照射する単一ビーム照射領域と、隣り合う単一ビーム照射領域の間に位置し当該単一ビーム照射領域へのビーム照射を行う二つの照射光学系の両方がエネルギービームを照射する境界領域とに分け、前記境界領域を、前記二つの照射光学系の一方によるビーム照射部分である第一照射部と、前記二つの照射光学系の他方によるビーム照射部分である第二照射部とに分け、前記第一照射部によりビーム照射される薄膜トランジスタ形成領域と、前記第二照射部によりビーム照射される薄膜トランジスタ形成領域とが、前記境界領域上における二次元方向のそれぞれで混在する箇所を有するように、前記第一照射部、前記第二照射部および前記薄膜トランジスタ形成領域を配することを特徴とする。

また、本発明に係る表示装置は、基板上に半導体膜が成膜されるとともに当該半導体膜に薄膜トランジスタが形成されてなる駆動用基板と、当該駆動用基板上に形成される表示素子とを備え、前記駆動用基板における前記半導体膜には前記薄膜トランジスタの形成領域を含む前記表示素子の形成領域が二次元パターン配置される表示装置であって、前記半導体膜は、複数の照射光学系を用いてエネルギービームを照射するアニール工程を経て形成されるものであり、前記アニール工程にて、前記エネルギービームの照射領域を、前記複数の照射光学系のそれぞれが単独でエネルギービームを照射する単一ビーム照射領域と、隣り合う単一ビーム照射領域の間に位置し当該単一ビーム照射領域へのビーム照射を行う二つの照射光学系の両方がエネルギービームを照射する境界領域とに分け、前記境界領域を、前記二つの照射光学系の一方によるビーム照射部分である第一照射部と、前記二つの照射光学系の他方によるビーム照射部分である第二照射部とに分け、前記第一照射部によりビーム照射される薄膜トランジスタ形成領域と、前記第二照射部によりビーム照射される薄膜トランジスタ形成領域とが、前記境界領域上における二次元方向のそれぞれで混在する箇所を有するように、前記第一照射部、前記第二照射部および前記薄膜トランジスタ形成領域を配して、前記複数の照射光学系を用いたビーム照射が行われて前記半導体膜が形成されることを特徴とする。

上記手順の半導体装置の製造方法および上記構成の表示装置によれば、境界領域には、その両隣りの単一ビーム照射領域へのビーム照射を行うそれぞれの照射光学系によりエネルギービームが照射される。しかも、各照射光学系の一方によりビーム照射される薄膜トランジスタ形成領域と、他方によりビーム照射される薄膜トランジスタ形成領域とが、二次元方向のそれぞれで混在する箇所を有するように、各照射光学系からのビーム照射が行われる。したがって、各照射光学系の間でエネルギービームの強度ばらつきがある場合にも、単一ビーム照射領域間に生じる結晶粒径の差による表示輝度の差が単一境界線上ではなく、二次元方向のそれぞれで混在するような二次元パターン（例えば、市松状パターンやグラデーション状パターン）を描いて散在することになり、エネルギー強度の違いに起因する境界が視認し難くなる。

本発明によれば、半導体膜に対するアニール処理を、複数の照射光学系を用いて行い、これにより半導体装置の生産性を高める場合であっても、各照射光学系の間でのエネルギービームの強度ばらつきによる悪影響を抑制することができル。したがって、例えば当該アニール処理を経て得られた半導体膜にＴＦＴを形成して表示装置を構成すれば、輝度差に起因する表示むらの発生を抑えて、高い表示品質を実現することができる。このことは、特に、ＴＦＴの特性差により発光性能に影響を受けやすい有機電界発光表示装置に適用した場合に非常に有効である。

以下、図面に基づき本発明に係る半導体装置の製造方法および表示装置について説明する。

〔表示装置の概略構成〕
先ず、はじめに、表示装置の概略構成について、有機ＥＬ表示装置を例に挙げて説明する。

図１は、有機ＥＬ表示装置の概略構成例を示す説明図である。
図例の表示装置は、例えばＴＦＴにより駆動されるアクティブまたはパッシブ型の極薄型有機ＥＬ表示装置として用いられるものであり、駆動パネル２１０と封止パネル２２０とが対向配置され、これらが熱硬化型樹脂または紫外線硬化型樹脂からなる接着層２３０を間にして貼り合わされて構成されている。

駆動パネル２１０は、駆動用基板２４０上に、赤色の光を発生する有機ＥＬ素子２５０Ｒと、緑色の光を発生する有機ＥＬ素子２５０Ｇと、青色の光を発生する有機ＥＬ素子２５０Ｂとが、それぞれマトリクス状に二次元パターン配置されてなるものである。

駆動用基板２４０は、基板１０上に半導体膜２０が形成されてなり、さらにその半導体膜２０にＴＦＴ２４１が形成されてなるのものである。すなわち、いわゆるＴＦＴ基板として機能するものである。
ＴＦＴ２４１は、有機ＥＬ素子２５０Ｒ，２５０Ｇ，２５０Ｂの各々に対応する能動素子である。ＴＦＴ２４１のゲート電極（図示せず）は、図示しない走査回路に接続され、ソースおよびドレイン（いずれも図示せず）は、例えば酸化シリコン、窒化シリコン、ＰＳＧ（Phospho-Silicate Glass）等からなる層間絶縁膜を介して設けられた信号線としての配線（いずれも図示せず）に接続されている。なお、ＴＦＴ２４１の構成は、特に限定されず、例えば、ボトムゲート型でもトップゲート型でもよい。

駆動用基板２４０上に形成される有機ＥＬ素子２５０Ｒ，２５０Ｇ，２５０Ｂは、駆動用基板２４０の側から、被覆層２６０を間にして、陽極としての第１電極２５１と、発光層を含む有機層２５２と、陰極としての第２電極２５３とが、順に積層されてなるものである。また、有機ＥＬ素子２５０Ｒ，２５０Ｇ，２５０Ｂは、大気遮断のため、必要に応じて、窒化シリコン、酸化シリコン、樹脂等からなる保護膜２７０で覆われている。
被覆層２６０は、例えば、厚みが０．２μｍ〜５０μｍ程度であり、ポリイミド、ポリアミド、アクリル、ＢＣＢ（ベンゾシクロブテン）、ポリイミドアミド等の有機感光性材料により構成されている。
第１電極２５１は、反射層としての機能も兼ねており、例えば、白金（Ｐｔ）、金（Ａｕ）、クロム（Ｃｒ）、銀（Ａｇ）、アルミニウム（Ａｌ）、タングステン（Ｗ）等の金属または合金により構成されている。なお、第１電極２５１は、被覆層２６０に設けられたコンタクトホール（図示せず）を介してＴＦＴ２４１に接続されている。
有機層２５２は、有機ＥＬ素子の発光色によって構成が異なっている。有機ＥＬ素子２５０Ｒ，２５０Ｂは、正孔輸送層、発光層および電子輸送層が第１電極２５１の側からこの順に積層された構造を有しており、有機発光素子２５０Ｇは、正孔輸送層および発光層が第１電極２５１の側からこの順に積層された構造を有している。正孔輸送層は発光層への正孔注入効率を高めるためのものであり、発光層は電流の注入により光を発生するものであり、電子輸送層は発光層への電子注入効率を高めるためのものである。有機ＥＬ素子２５０Ｒについては、正孔輸送層の構成材料として例えばビス［（Ｎ−ナフチル）−Ｎ−フェニル］ベンジジン（α−ＮＰＤ）が挙げられ、発光層の構成材料として例えば２，５−ビス［４−［Ｎ−（４−メトキシフェニル）―Ｎ−フェニルアミノ］］スチリルベンゼン―１，４−ジカーボニトリル（ＢＳＢ）が挙げられ、電子輸送層の構成材料として例えば８−キノリノールアルミニウム錯体（Ａｌｑ３）が挙げられる。また、有機ＥＬ素子２５０Ｂについては、正孔輸送層の構成材料として例えばα−ＮＰＤが挙げられ、発光層の構成材料として例えば４，４−ビス（２，２−ジフェニルビニン）ビフェニル（ＤＰＶＢｉ）が挙げられ、電子輸送層の構成材料として例えばＡｌｑ３が挙げられる。また、有機発光素子２５０Ｇについては、正孔輸送層の構成材料として例えばα−ＮＰＤが挙げられ、発光層の構成材料として例えばＡｌｑ３にクマリン６（Ｃ６；Coumarin６）を１体積％混合したものが挙げられる。
第２電極２５３は、半透過性電極により構成されており、発光層で発生した光は第２電極２５３の側から取り出されるようになっている。第２電極２５３は、例えば、Ａｇ、Ａｌ、マグネシウム（Ｍｇ）、カルシウム（Ｃａ）、ナトリウム（Ｎａ）等の金属または合金により構成されている。

このような構成の駆動パネル２１０と接着層２３０を挟んで対向する封止パネル２２０は、駆動パネル２１０の有機ＥＬ素子２５０Ｒ，２５０Ｇ，２５０Ｂ側に位置しており、接着層２３０と共に有機ＥＬ素子２５０Ｒ，２５０Ｇ，２５０Ｂを封止するようになっている。ただし、封止パネル２２０は、有機ＥＬ素子２５０Ｒ，２５０Ｇ，２５０Ｂで発生した光を透過させる透明ガラス等の光透過材料によって構成されている。また、封止パネル２２０には、例えばカラーフィルタ（図示せず）が設けられており、有機ＥＬ素子２５０Ｒ，２５０Ｇ，２５０Ｂで発生した光を取り出すと共に、有機ＥＬ素子２５０Ｒ，２５０Ｇ，２５０Ｂ並びにその間の配線において反射された外光を吸収し、コントラストを改善するようになっている。

以上のような構成の有機ＥＬ表示装置では、第１電極２５１と第２電極２５３との間に所定の電圧が印加されると、有機層２５２の発光層に電流が注入され、正孔と電子とが再結合することにより発光が起こる。この光は、第２電極２５３，保護膜２７０および封止パネル２２０を透過して取り出されることになる。
つまり、有機ＥＬ表示装置では、マトリクス状に二次元パターン配置された各有機ＥＬ素子２５０Ｒ，２５０Ｇ，２５０Ｂで発生した光を外部に取り出すことによって、有機ＥＬ素子２５０Ｒ，２５０Ｇ，２５０Ｂのそれぞれが一つの画素として機能することになり、これによって画像の表示出力を行うようになっている。

〔表示装置における各画素領域〕
ところで、有機ＥＬ表示装置では、上述したように、画像の表示出力を行うために、赤色（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の各色に対応した有機ＥＬ素子２５０Ｒ，２５０Ｇ，２５０Ｂがマトリクス状に二次元パターン配置されており、さらに各有機ＥＬ素子２５０Ｒ，２５０Ｇ，２５０Ｂの能動素子としてＴＦＴ２４１が設けられている。したがって、駆動用基板２４０上においては、各有機ＥＬ素子２５０Ｒ，２５０Ｇ，２５０Ｂの配置に対応するように、ＴＦＴ２４１もマトリクス状に二次元パターン配置されていることになる。つまり、各色の有機ＥＬ素子２５０Ｒ，２５０Ｇ，２５０Ｂのいずれかが配される一つの画素領域（＝素子形成領域）あたりに、一つのＴＦＴ２４１が配されるのである。

図２は、素子形成領域の一具体例を示す平面図である。
図例のように、駆動用基板２４０上、さらに詳しくは基板１０に形成された半導体膜２０上では、一つの画素領域に相当する素子形成領域４００内に、ＴＦＴ形成領域４０１が存在している。ＴＦＴ形成領域４０１は、ＴＦＴ２４１が形成される領域である。
ただし、一つの素子形成領域４００内には、ＴＦＴ形成領域４０１の他に、容量形成領域４０２も存在している。容量形成領域４０２は、有機ＥＬ素子２５０Ｒ，２５０Ｇ，２５０Ｂの駆動のために必要となる容量（ただし不図示）等の回路構成部品が形成される領域である。なお、この容量形成領域４０２に形成される容量をはじめとした回路構成部品については、公知技術を用いて構成すればよいため、ここではその詳細な説明を省略する。

〔表示装置の製造手順〕
次に、以上のような構成の有機ＥＬ表示装置の製造手順を説明する。有機ＥＬ表示装置は、例えば、以下に述べる手順で製造することが考えられる。
先ず、基板１０上に成膜された半導体膜２０を利用して、ＴＦＴ２４１を形成するとともに、当該ＴＦＴ２４１に電気的に接続する配線等を形成することにより、駆動用基板２４０を構成する。
次いで、例えばスピンコート法により、例えば上述した材料を塗布、露光、現像することにより、上述した厚みの被覆層２６０を形成する。
続いて、被覆層２６０の上に、例えばスパッタリング法により、上述した材料よりなる第１電極２５１を成膜し、例えばリソグラフィ技術を用いて選択的にエッチングし、所定の形状にパターニングする。その後、例えば蒸着法により、上述した材料よりなる有機層２５２および第２電極２５３を順次成膜し、有機ＥＬ素子２５０Ｒ，２５０Ｇ，２５０Ｂを形成する。これにより、駆動パネル２１０が構成される。
その後、有機ＥＬ素子２５０Ｒ，２５０Ｇ，２５０Ｂを上述した材料よりなる保護膜２７０で覆い、さらに保護膜２７０の上に接着層２３０を形成する。そして、必要に応じてカラーフィルタが設けられた封止パネル２２０を用意し、駆動パネル２１０と封止パネル２２０とを接着層２３０を間にして貼り合わせる。
以上の手順により、図１に示した有機ＥＬ表示装置が完成する。

〔半導体装置の製造方法〕
ここで、有機ＥＬ表示装置の製造手順のうち、駆動用基板２４０の製造手順について、さらに詳しく説明する。以下に説明する駆動用基板２４０の製造手順は、本発明に係る半導体装置の製造方法の一具体例に相当するものである。

図３は、本発明に係る半導体装置の製造方法の一具体例である駆動用基板製造手順の概略的な流れを表すフローチャートである。
図例のように、駆動用基板２４０の製造手順は、基板１０に半導体膜２０を形成する成膜工程（ステップ１０１、以下ステップを「Ｓ」と略す）と、半導体膜２０にエネルギービームとして例えばレーザビームを照射して当該半導体膜２０を改質するアニール工程（Ｓ１０２）と、を含んでいる。

図４は、成膜工程を説明するための平面図である。
図例のように、成膜工程では、ガラス等の絶縁材料からなる矩形状（例えば、長方形状）の基板１０上に、厚みが５０ｎｍであり、非晶質または比較的粒径の小さい多結晶のシリコン（Ｓｉ）からなる半導体膜２０を形成する。半導体膜２０の平面形状は特に限定されないが、例えば表示装置用の駆動用基板２４０の場合、基板１０の中央部に形成された画素部形成予定領域２０Ａと、その周囲に帯状に形成された駆動回路、静電破壊保護回路、引き出し配線および引き出しパッド部形成予定領域２０Ｂとを含んでいるものとする。

そして、基板１０上に半導体膜２０を形成した後は、アニール工程において、その半導体膜２０にレーザビームＬＢを照射し、その半導体膜２０を結晶化させる。
図５は、アニール工程に用いるレーザアニール装置の一例を表す説明図である。図例のレーザアニール装置は、複数、例えば三つの照射光学系１１０Ａ，１１０Ｂ，１１０Ｃを有しており、これらの照射光学系１１０Ａ〜１１０ＣからのレーザビームＬＢを基板１０上の半導体膜２０の異なる三箇所に同時に照射することができるようになっている。照射光学系１１０Ａ〜１１０Ｃは、各々、例えば、レーザビームＬＢを発生するレーザ発生源１１１と、このレーザ発生源１１１からのレーザビームＬＢの進行方向を基板１０に向けて変更させるミラー１１２と、を有して構成されている。
図６は、図５のレーザアニール装置によるレーザビームの走査パターンの一例を表す平面図である。図例のように、各照射光学系１１０Ａ〜１１０ＣからのレーザビームＬＢは、アニール幅（レーザビームＬＢのスポット最大径）ｄ、ピッチｐの多数の密接した平行線パターンＰで、通常は基板１０の長辺に平行な方向に走査しながら照射される。なお、平行線パターンＰのピッチｐは画素ピッチに合わせることが望ましく、またアニール幅ｄはｐ／２以下になっているものとする。

図７は、図５のレーザアニール装置によるレーザビームの照射領域の一例を表す平面図である。図例のように、アニール工程では、基板１０を、平行線パターンＰに対して平行な境界線Ｍで、複数、例えば三つの単一ビーム照射領域（以下、単に「単一領域」という。）１１Ａ，１１Ｂ，１１Ｃと、それらのうち前二者間の境界領域１２ＡＢおよび後二者間の境界領域１２ＢＣとに分ける。単一領域１１Ａには照射光学系１１０Ａにより、単一領域１１Ｂには照射光学系１１０Ｂにより、単一領域１１Ｃには照射光学系１１０Ｃにより、それぞれレーザビームＬＢを照射する。また、境界領域１２ＡＢには、照射光学系１１０Ａ，１１０ＢによりレーザビームＬＢを照射し、境界領域１２ＢＣには、照射光学系１１０Ｂ，１１０ＣによりレーザビームＬＢを照射する。つまり、レーザビームＬＢの照射領域を、各照射光学系１１０Ａ〜１１０Ｃのそれぞれが単独でビーム照射を行う単一領域１１Ａ，１１Ｂ，１１Ｃと、二つの照射光学系１１０Ａ，１１０Ｂまたは照射光学系１１０Ｂ，１１０ＣによってレーザービームＬＢの照射ライン毎に一定の規則を持たせて混合させながらビーム照射を行う境界領域１２ＡＢ，１２ＢＣとに分けるのである。

これにより、このアニール工程では、三つの照射光学系１１０Ａ〜１１０Ｃの利用により、走査時間を短縮して生産性を高めることが可能となる。
しかも、各単一領域１１Ａ，１１Ｂ，１１Ｃの間には、各照射光学系１１０Ａ〜１１０Ｃのいずれか二つによってビーム照射が行われる境界領域１２ＡＢ，１２ＢＣが配されているため、各照射光学系１１０Ａ〜１１０ＣによるレーザビームＬＢの強度ばらつきがあっても、その強度ばらつきによる結晶粒径の差から生じる表示輝度の差の視認性を緩和することができる。

ところが、有機ＥＬ表示装置を構成する場合においては、各画素領域の間隔が例えば０．３ｍｍ以上になることもある。その場合に、境界領域１２ＡＢ，１２ＢＣにおいて、レーザビームＬＢの照射ライン毎に一定の規則を持たせて混合させるのでは、線状の輝度差を視認できてしまうということが考えられる。

そこで、境界領域１２ＡＢ，１２ＢＣに対するレーザビームＬＢの照射の際には、当該照射を以下に述べるようにして行うものとする。
例えば、境界領域１２ＡＢに着目すると、当該境界領域１２ＡＢには二つの照射光学系１１０Ａ，１１０Ｂを用いてレーザビームＬＢを照射するが、その照射の際に、当該境界領域１２ＡＢを、一方の照射光学系１１０Ａによるビーム照射部分である第一照射部と、他方の照射光学系１１０Ｂによるビーム照射部分である第二照射部とに分ける。そして、第一照射部によりビーム照射される半導体膜２０のＴＦＴ形成領域４０１と、第二照射部によりビーム照射される半導体膜２０のＴＦＴ形成領域４０１とが、境界領域１２ＡＢ上における二次元方向のそれぞれで混在する箇所を有するように、ＴＦＴ形成領域４０１との位置関係を考慮しつつ第一照射部および第二照射部をパターン配置する。
このことは、境界領域１２ＢＣについても、全く同様である。

このようにすることで、各境界領域１２ＡＢ，１２ＢＣでは、各照射光学系１１０Ａ〜１１０ＣによるレーザビームＬＢの強度ばらつきがあっても、結晶粒径の差による表示輝度の差が単一境界線上ではなく、二次元方向のそれぞれで混在するような二次元パターン（例えば、市松状パターンやグラデーション状パターン）を描いて散在することになる。したがって、エネルギー強度の違いに起因する境界が視認し難くなり、特に各画素領域の間隔が例えば０．３ｍｍ以上になる場合に非常に有効である。

〔パターン分けの第一具体例〕
ここで、第一照射部および第二照射部のパターン配置（パターン分け）について、単一領域１１Ａ，１１Ｂの間に挟まれる境界領域１２ＡＢを例に挙げて、具体的に説明する。

図８は、第一照射部および第二照射部のパターン分けの第一具体例を示す説明図である。図例のように、境界領域１２ＡＢでは、照射光学系１１０ＡによりレーザビームＬＢを照射する第一照射部ＰＡと、照射光学系１１０ＢによりレーザビームＬＢを照射する第二照射部ＰＢとを、単一領域１１Ａ，１１Ｂおよび境界領域１２ＡＢの間の境界線Ｍに沿った方向に延びる単一の走査ライン内で交互に混合させて配置する。さらには、当該走査ラインと直交する方向においても、同一ライン内で第一照射部ＰＡと第二照射部ＰＢとを交互に混合させて配置する。つまり、二次元方向のそれぞれで混在する箇所を有するように、第一照射部ＰＡと第二照射部ＰＢとを、市松模様を描くパターン状に混在させて配置するのである。

このようなパターン配置は、照射光学系１１０Ａ，１１０Ｂのオン／オフを切り替え制御することによって実現可能である。すなわち、第一照射部ＰＡおよび第二照射部ＰＢの各ビーム照射のオン／オフを、走査ライン上における主走査位置および副走査位置に依存して切り替えることによって、第一照射部ＰＡとしてビーム照射される半導体膜２０のＴＦＴ形成領域４０１と、第二照射部ＰＢとしてビーム照射される半導体膜２０のＴＦＴ形成領域４０１とを、境界領域１２ＡＢ上にて市松パターン状に混在させる。なお、ビーム照射のオン／オフ切り替え制御は、公知技術を利用して行えばよいため、ここではその説明を省略する。

また、上述したパターン配置は、照射光学系１１０Ａ，１１０Ｂからの各レーザビームＬＢに対する遮蔽／非遮蔽の切り替え制御によっても実現可能である。すなわち、例えば、各照射光学系１１０Ａ，１１０Ｂとビーム照射される半導体膜２０との間にマスクを配置するとともに、そのマスクを用いて各照射光学系１１０Ａ，１１０ＢからのレーザビームＬＢを遮蔽したり透過させたりするのを切り替えることによって、第一照射部ＰＡとしてビーム照射される半導体膜２０のＴＦＴ形成領域４０１と、第二照射部ＰＢとしてビーム照射される半導体膜２０のＴＦＴ形成領域４０１とを、境界領域１２ＡＢ上にて市松パターン状に混在させる。なお、ビーム照射の遮蔽／非遮蔽の切り替え制御は、マスクを利用する場合の他に、公知のシャッタ機構を利用しても実現可能である。また、他にも反射や屈折を利用して対象物にエネルギーが照射されないようにする方法がある。すなわち、ビーム照射の遮蔽／非遮蔽の切り替え制御は、その手法が特に限定されるものではない。

図９は、図８のパターン分けによるレーザビームのエネルギー強度の例を示す説明図である。
第一照射部ＰＡと第二照射部ＰＢとを市松パターン状に混在させた場合には、図例のように、境界領域１２ＡＢに照射されるレーザビームＬＢの平均強度は、単一領域１１Ａ，１１Ｂそれぞれにおける強度の中間程度に近似される。このことは、単一領域１１Ａ，１１ＢのレーザビームＬＢの強度差が、境界領域１２ＡＢにより半分程度に緩和されることを意味する。つまり、境界領域１２ＡＢによる単一領域１１Ａ，１１Ｂの間の強度差の緩和を通じて、単一領域１１Ａ，１１Ｂと境界領域１２ＡＢとのそれぞれの間の境界が視認し難くなる。したがって、上述したパターン分けを経て得られた半導体膜２０にＴＦＴ２４１を形成し駆動用基板２４０を構成すれば、輝度差に起因する表示むらの発生を抑えて高い表示品質を実現する有機ＥＬ表示装置を製造することができる。

なお、境界領域１２ＡＢの幅Ｄ１２は、単一領域１１Ａ，１１Ｂの幅Ｄ１１およびレーザビームＬＢの強度差ΔＩに応じて設定することが考えられる。具体的には、強度差ΔＩが大きければ、境界領域１２ＡＢの幅Ｄ１２も大きく確保する、といった具合である。

また、半導体膜２０の画素部形成予定領域２０Ａ内において境界領域１２ＡＢ，１２ＢＣを作成する場合に、各画素がＲ，Ｇ，Ｂの各色が順に並ぶ一定の繰り返し構造を持つときには、この繰り返し構造を一つの単位として扱い、その単位内ではパターン分けを行わないようにすることが考えられる。これは、通常の表示素子においては、Ｒ,Ｇ,Ｂの３色からなるサブピクセルにより１つのピクセル（画素）が構成されており、この３サブピクセルからの輝度により色度を規定しているためである。さらに詳しくは、仮に、同じピクセル内で、Ｒに強度の強い方のレーザビーム、ＧおよびＢに強度の低い方のレーザビームを使用すると、白を表示しようとした場合に、赤味がかった白色が表示されることになるが、同じ画素内で同じ強度のレーザビームを使用していれば、隣接画素と輝度が変わることはあっても、色度が変わることは無いからである。

〔パターン分けの第二具体例〕
次に、第一照射部および第二照射部のパターン配置（パターン分け）の第二具体例を説明する。ここでも、境界領域１２ＡＢを例に挙げて具体的な説明を行う。

境界領域１２ＡＢにおける第一照射部ＰＡと第二照射部ＰＢとパターン分けは、上述した第一具体例のように一様なものであってもよいが、単一領域１１Ａ，１１Ｂの間のビーム強度差の緩和を確実かつ効果的なものとすべく、単一領域１１Ａ，１１Ｂと境界領域１２ＡＢとの境界線と直交する方向にて、第一照射部ＰＡと第二照射部ＰＢとの分布密度を可変させるようにすることが考えられる。

図１０は、第一照射部および第二照射部のパターン分けの第二具体例を示す説明図である。図１０（ａ），（ｂ）に示すパターン分けは、いずれも、境界領域１２ＡＢにおいて、一方の側の単一領域１１Ａから他方の側の単一領域１１Ｂに向けて、第一照射部ＰＡおよび第二照射部ＰＢそれぞれの分布密度が徐々に変化して行くように、さらに詳しくは第一照射部ＰＡまたは第二照射部ＰＢのいずれか一方の分布密度が徐々に高くなり、かつ、他方の分布密度が徐々に低くなる、いわゆるグラデーション状に、第一照射部ＰＡと第二照射部ＰＢとを混在させて配置している。これにより、境界領域１２ＡＢにおける二次元方向のそれぞれで第一照射部ＰＡと第二照射部ＰＢと混在する箇所を有するように、これら第一照射部ＰＡと第二照射部ＰＢとがパターン分けされることになる。ただし、混在する箇所を有していればよく、例えば図１０（ｂ）に示すように、第一照射部ＰＡと第二照射部ＰＢとが混在していないライン（第一照射部ＰＡまたは第二照射部ＰＢのいずれか一方のみからなるライン）が存在していても構わない。

このようなパターン配置も、上述した第一具体例の場合と同様に、照射光学系１１０Ａ，１１０Ｂのオン／オフを切り替え制御、または、照射光学系１１０Ａ，１１０Ｂからの各レーザビームＬＢに対する遮蔽／非遮蔽の切り替え制御によって、実現することが可能である。

図１１は、図１０のパターン分けによるレーザビームのエネルギー強度の例を示す説明図である。
第一照射部ＰＡと第二照射部ＰＢとをグラデーション状に混在させた場合には、図例のように、境界領域１２ＡＢに照射されるレーザビームＬＢの強度は、単一領域１１Ａ，１１Ｂそれぞれにおける強度を結ぶ曲線によって近似される。このことは、単一領域１１Ａ，１１ＢのレーザビームＬＢの強度が、境界領域１２ＡＢにおいて徐々に遷移して、それぞれの連続性が維持されることを意味する。つまり、境界領域１２ＡＢによる単一領域１１Ａ，１１Ｂの間の強度の連続性を維持したまま、その強度差が二次元的に緩和されることになり、その結果、単一領域１１Ａ，１１Ｂと境界領域１２ＡＢとのそれぞれの間の境界が視認し難くなる。したがって、上述したグラデーション状のパターン分けを経て得られた半導体膜２０にＴＦＴ２４１を形成し駆動用基板２４０を構成すれば、市松パターン状の場合よりもさらに輝度差に起因する表示むらの発生を抑えることができ、より一層高い表示品質を実現する有機ＥＬ表示装置を製造することができる。

なお、グラデーション状のパターン分けは、人間工学的に輝度差に起因する表示むらが視認し難くなる態様であれば、特に限定されるものではない。
また、グラデーション状のパターン分けを行う場合においても、強度差ΔＩに応じた境界領域１２ＡＢの幅Ｄ１２の設定や、Ｒ，Ｇ，Ｂの各色の繰り返し構造を一つの単位として扱うこと等については、上述した第一具体例の場合と全く同様である。

〔パターン分けの第三具体例〕
次に、第一照射部および第二照射部のパターン配置（パターン分け）の第三具体例を説明する。ここでも、境界領域１２ＡＢを例に挙げて具体的な説明を行う。

上述したパターン分けの第一具体例および第二具体例では、第一照射部ＰＡと第二照射部ＰＢとが二次元方向のそれぞれで混在するような二次元パターンを描いて散在させるために、極めて短時間に正確な光学的あるいは電気的な照射光学系１１０Ａ〜１１０Ｃのオン／オフ切り替え制御を可能とし、あるいは照射光学系１１０Ａ〜１１０Ｃと照射対象である半導体膜２０との間にマスク等の光遮蔽物を設置する、といった構成の実現が必要である。つまり、レーザビームＬＢの照射装置の機構またはこれに付設される機構の複雑化を招いてしまうことが考えられる。

そこで、第三具体例においては、素子形成領域４００中におけるＴＦＴ形成領域４０１の配置を変更することで、レーザビームＬＢのオン／オフ切り替え制御や遮蔽／非遮蔽の切り替え制御等を要することなく、第一照射部ＰＡと第二照射部ＰＢとのパターン分けを実現するのである。

図１２は、第一照射部および第二照射部のパターン分けの第三具体例を示す説明図である。図例のパターン分けを行う場合には、上述した第一具体例または第二具体例のようなレーザビームＬＢのオン／オフ切り替え制御や遮蔽／非遮蔽の切り替え制御等は行わない。ただし、境界領域１２ＡＢに隣接する二つの単一領域１１Ａ，１１Ｂで使用する二つの照射光学系１１０Ａ，１１０Ｂからビーム照射を並行して行うようにする。詳しくは、素子形成領域４００を単一領域１１Ａの側と単一領域１１Ｂの側とに分割し、一方の側（例えば単一領域１１Ｂの側）を単一領域１１Ａへのビーム照射を行う照射光学系１１０Ａによるビーム照射領域４０４とし、他方の側（例えば単一領域１１Ａの側）を単一領域１１Ｂへのビーム照射を行う照射光学系１１０Ｂによるビーム照射領域４０５とし、それぞれが並行してレーザビームＬＢの照射を行い、ライン状のビーム照射領域４０４，４０５が並んで配置されるようにする。

各照射光学系１１０Ａ，１１０Ｂから並行してビーム照射される素子形成領域４００内には、ＴＦＴ形成領域４０１と容量形成領域４０２とが存在している。これらのうち、ＴＦＴ形成領域４０１はレーザビームＬＢの照射による半導体膜２０の改質が必要であるが、容量形成領域４０２についてはレーザビームＬＢの照射による半導体膜２０の改質を特に必要としない。つまり、レーザビームＬＢの照射によるアニール処理は、少なくとも素子形成領域４００内のうちのＴＦＴ形成領域４０１に対して行えばよい。

このことから、照射光学系１１０Ａからのビーム照射と照射光学系１１０Ｂからビーム照射とが並行して行われる場合には、素子形成領域４００中におけるＴＦＴ形成領域４０１の配置を変更することで、当該ＴＦＴ形成領域４０１に対する選択的なビーム照射を行うことが可能となる。例えば、ある素子形成領域４００については、単一領域１１Ｂの側にＴＦＴ形成領域４０１が位置するように当該ＴＦＴ形成領域４０１および容量形成領域４０２を配置し、当該ＴＦＴ形成領域４０１に対して照射光学系１１０Ａがビーム照射を行うようにする。これにより、当該ＴＦＴ形成領域４０１は、照射光学系１１０Ａによるビーム照射部分である第一照射部ＰＡに属することになる。また、これとは別の素子形成領域４００については、単一領域１１Ａの側にＴＦＴ形成領域４０１が位置するように当該ＴＦＴ形成領域４０１および容量形成領域４０２を配置し、当該ＴＦＴ形成領域４０１に対して照射光学系１１０Ｂがビーム照射を行うようにする。これにより、当該ＴＦＴ形成領域４０１は、照射光学系１１０Ｂによるビーム照射部分である第二照射部ＰＢに属することになる。つまり、各素子形成領域４００において、当該素子形成領域４００内におけるＴＦＴ形成領域４０１の位置を相違させることで、境界領域１２ＡＢを第一照射部ＰＡと第二照射部ＰＢとに分けるのである。

このとき、各画素がＲ，Ｇ，Ｂの各色が順に並ぶ一定の繰り返し構造を持つときには、その繰り返し構造を一つの単位としつつ、ＴＦＴ形成領域４０１の配置の変更を、一定の規則を持たせつつ行うようにする。一定の規則としては、第一具体例で説明したような市松パターン状や、第二具体例で説明したようなグラデーションパターン状等が挙げられる。つまり、各素子形成領域４００におけるＴＦＴ形成領域４０１の配置を各単位で一定の規則を持たせつつ変更することで、第一照射部ＰＡによりビーム照射されるＴＦＴ形成領域４０１と第二照射部ＰＢによりビーム照射されるＴＦＴ形成領域４０１とを、市松パターン状やグラデーションパターン状等に混在配置させるのである。

図１３は、パターン分けの第三具体例をさらに詳細に示す説明図である。図例では、マトリクス状に配置された各素子形成領域４００に対し、照射光学系１１０Ａからのビーム照射を各素子形成領域４００の一方の側に寄って、また照射光学系１１０Ｂからのビーム照射を各素子形成領域４００の他方の側に寄って、それぞれへ両方を並行して行うようにするとともに、Ｒ，Ｇ，Ｂの三色繰り返し構造を構成する三つの素子形成領域４００を一つの単位とし、ある単位については照射光学系１１０Ｂからビーム照射される位置にＴＦＴ形成領域４０１を配置し、別の単位については照射光学系１１０Ａからビーム照射される位置にＴＦＴ形成領域４０１を配置し、その配置切り替えが各単位で交互に繰り返されるようにパターン分けされている場合を示している。

このようなＴＦＴ形成領域４０１の配置の変更態様は、画素設計段階で予め定めておくものとする。画素設計段階で定めておけば、ＴＦＴ形成領域４０１の配置の変更に伴って必要となる配線構造の変更修正にも容易に対応することができる。なお、ＴＦＴ形成領域４０１の配置の変更、すなわち単一領域１１Ａの側に配置するか、あるいは単一領域１１Ｂの側に配置するかについては、公知技術を利用して実現すればよいため、ここではその説明を省略する。

このようなパターン分けを行った場合にも、境界領域１２ＡＢの存在によって、単一領域１１Ａ，１１ＢのレーザビームＬＢの強度差が緩和されることになる。したがって、単一領域１１Ａ，１１Ｂと境界領域１２ＡＢとのそれぞれの間の境界が視認し難くなるので、輝度差に起因する表示むらの発生を抑えることができ、高い表示品質を実現する有機ＥＬ表示装置を製造することができるのである。しかも、そのために、レーザビームＬＢのオン／オフ切り替え制御や遮蔽／非遮蔽の切り替え制御等を必要とすることもない。

ここでは、境界領域１２ＡＢにおける各ビーム照射を１ラインおき（例えばＡＢＡＢＡＢ・・）に行う場合を例に挙げたが、複数ラインおき（例えば、ＡＢＢＡＡＢ・・といった二ライン置き）に行うようにしても構わない。
また、ここでは、各素子形成領域４００をＴＦＴ形成領域４０１と容量形成領域４０２と分けて説明したが、画素回路内において特性がばらついて構わないＴＦＴが存在する場合に、そのＴＦＴについては、容量形成領域４０２に配置しても構わない。
さらに、ここでは、素子形成領域４００の一方の側に寄ってＴＦＴ形成領域４０１が配置された単位と、他方の側に寄ってＴＦＴ形成領域４０１が配置された単位とが、ビームスキャン方向の軸に対して線対称である場合を例に挙げたが、必ずしもその必要はない。さらに詳しくは、ＴＦＴのチャネル部のみは線対称配置であることが望ましいが、エネルギービーム照射幅の中にＴＦＴのチャネル部が含まれていれば、その他の素子およびパターンは、線対称配置である必要はない。

以上、実施の形態を挙げて本発明を説明したが、本発明は上記実施の形態に限定されるものではなく、種々変形が可能である。
例えば、上記実施の形態では、照射光学系１１０Ａ〜１１０Ｃと単一領域１１Ａ〜１１Ｃとが同数である場合について説明したが、これらは必ずしも同数である必要はない。ただし、これらが同数でない場合にも、一つの境界領域を間にして隣り合う二つの単一領域には、互いに異なる照射光学系からのレーザビームを照射するようにすることが望ましい。
また、上記実施の形態では、素子形成領域４００をＴＦＴ形成領域４０１と容量形成領域４０２とに二分割した例を挙げたが、特性均一性が要求される少なくとも画素内１つのＴＦＴ形成領域が画素内上下に分割されていれば、それ以外の素子はどのような配置でも構わない。
また、本発明は、アニール工程において、電子ビーム，赤外線または各種ランプなど、レーザビーム以外の他のエネルギービームを用いる場合にも適用可能である。

さらに、例えば、上記実施の形態において説明した各層の材料および厚み、または成膜方法および成膜条件などは限定されるものではなく、他の材料および厚みとしてもよく、または他の成膜方法および成膜条件としてもよい。

加えて、上記実施の形態では、有機ＥＬ素子２５０Ｒ，２５０Ｂ，２５０Ｇの構成を具体的に挙げて説明したが、全ての層を備える必要はなく、また、他の層を更に備えていてもよい。

さらにまた、上記実施の形態では、駆動パネル２１０と封止パネル２２０とが接着層２３０を間にして全面にわたって貼り合わせられている場合について説明したが、本発明は、例えば駆動パネル２１０の周縁部のみに接着層を形成して封止パネル２２０などを貼り合わせた場合など、駆動パネル２１０と封止パネル２２０の一部分にのみ接着層２３０が形成された場合についても適用することができる。

加えてまた、本発明は、有機ＥＬ素子のほか、無機エレクトロルミネッセンス素子、液晶表示素子、またはエレクトロデポジション型もしくエレクトロクロミック型の表示素子等の他の表示素子を用いた表示装置にも適用可能である。

有機ＥＬ表示装置の概略構成例を示す説明図である。 素子形成領域の一具体例を示す平面図である。 本発明に係る半導体装置の製造方法の一具体例である駆動用基板製造手順の概略的な流れを表すフローチャートである。 成膜工程を説明するための平面図である。 アニール工程に用いるレーザアニール装置の一例を表す説明図である。 図５のレーザアニール装置によるレーザビームの走査パターンの一例を表す平面図である。 図５のレーザアニール装置によるレーザビームの照射領域の一例を表す平面図である。 第一照射部および第二照射部のパターン分けの第一具体例を示す説明図である。 図８のパターン分けによるレーザビームのエネルギー強度の例を示す説明図である。 第一照射部および第二照射部のパターン分けの第二具体例を示す説明図である。 図１０のパターン分けによるレーザビームのエネルギー強度の例を示す説明図である。 第一照射部および第二照射部のパターン分けの第三具体例を示す説明図である。 パターン分けの第三具体例をさらに詳細に示す説明図である。 従来のレーザアニール方法を説明するための説明図である。 図１４に示したレーザアニール方法の問題点の説明図である。

符号の説明

１０…基板、１１Ａ，１１Ｂ，１１Ｃ…単一領域、１２ＡＢ，１２ＢＣ…境界領域、２０…半導体膜、１００…レーザアニール装置、１１０Ａ，１１０Ｂ，１１０Ｃ…照射光学系、２１０…駆動パネル、２２０…封止パネル、２２１…封止用基板、２３０…接着層、２４０…駆動用基板、２４１…ＴＦＴ、２５０Ｒ，２５０Ｇ，２５０Ｂ…有機ＥＬ素子、４００…素子形成領域、４０１…ＴＦＴ形成領域、４０２…容量形成領域、４０４，４０５…ビーム照射領域、ＰＡ…第一照射部、ＰＢ…第二照射部

Claims (6)

1. 薄膜トランジスタ形成領域を含む素子形成領域が二次元パターン配置される半導体膜に対し複数の照射光学系を用いてエネルギービームを照射するアニール工程を行う半導体装置の製造方法であって、
   前記アニール工程では、
   前記エネルギービームの照射領域を、前記複数の照射光学系のそれぞれが単独でエネルギービームを照射する単一ビーム照射領域と、隣り合う単一ビーム照射領域の間に位置し当該単一ビーム照射領域へのビーム照射を行う二つの照射光学系の両方がエネルギービームを照射する境界領域とに分け、
   前記境界領域を、前記二つの照射光学系の一方によるビーム照射部分である第一照射部と、前記二つの照射光学系の他方によるビーム照射部分である第二照射部とに分け、
   前記第一照射部によりビーム照射される薄膜トランジスタ形成領域と、前記第二照射部によりビーム照射される薄膜トランジスタ形成領域とが、前記境界領域上における二次元方向のそれぞれで混在する箇所を有するように、前記第一照射部、前記第二照射部および前記薄膜トランジスタ形成領域を配する
   ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
2. 前記二次元方向のうち前記単一ビーム照射領域と前記境界領域との境界線と直交する方向にて前記第一照射部および前記第二照射部によりビーム照射される各薄膜トランジスタ形成領域の分布密度が可変するように、前記第一照射部、前記第二照射部および前記薄膜トランジスタ形成領域を配する
   ことを特徴とする請求項１記載の半導体装置の製造方法。
3. 前記第一照射部および前記第二照射部の各ビーム照射のオン／オフ切り替えによって、前記第一照射部によりビーム照射される薄膜トランジスタ形成領域と前記第二照射部によりビーム照射される薄膜トランジスタ形成領域とを混在させる
   ことを特徴とする請求項１記載の半導体装置の製造方法。
4. 前記第一照射部および前記第二照射部として照射される各エネルギービームに対する遮蔽／非遮蔽の切り替えによって、前記第一照射部によりビーム照射される薄膜トランジスタ形成領域と前記第二照射部によりビーム照射される薄膜トランジスタ形成領域とを混在させる
   ことを特徴とする請求項１記載の半導体装置の製造方法。
5. 前記素子形成領域中における前記薄膜トランジスタ形成領域の配置を変更することで、前記第一照射部によりビーム照射される薄膜トランジスタ形成領域と前記第二照射部によりビーム照射される薄膜トランジスタ形成領域とを混在させる
   ことを特徴とする請求項１記載の半導体装置の製造方法。
6. 基板上に半導体膜が成膜されるとともに当該半導体膜に薄膜トランジスタが形成されてなる駆動用基板と、当該駆動用基板上に形成される表示素子とを備え、前記駆動用基板における前記半導体膜には前記薄膜トランジスタの形成領域を含む前記表示素子の形成領域が二次元パターン配置される表示装置であって、
   前記半導体膜は、複数の照射光学系を用いてエネルギービームを照射するアニール工程を経て形成されるものであり、
   前記アニール工程にて、
   前記エネルギービームの照射領域を、前記複数の照射光学系のそれぞれが単独でエネルギービームを照射する単一ビーム照射領域と、隣り合う単一ビーム照射領域の間に位置し当該単一ビーム照射領域へのビーム照射を行う二つの照射光学系の両方がエネルギービームを照射する境界領域とに分け、
   前記境界領域を、前記二つの照射光学系の一方によるビーム照射部分である第一照射部と、前記二つの照射光学系の他方によるビーム照射部分である第二照射部とに分け、
   前記第一照射部によりビーム照射される薄膜トランジスタ形成領域と、前記第二照射部によりビーム照射される薄膜トランジスタ形成領域とが、前記境界領域上における二次元方向のそれぞれで混在する箇所を有するように、前記第一照射部、前記第二照射部および前記薄膜トランジスタ形成領域を配して、
   前記複数の照射光学系を用いたビーム照射が行われて前記半導体膜が形成されることを特徴とする表示装置。

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