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KR102253870B1 - 유기 발광 표시 장치 - Google Patents

유기 발광 표시 장치 Download PDF

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KR102253870B1
KR102253870B1 KR1020140103221A KR20140103221A KR102253870B1 KR 102253870 B1 KR102253870 B1 KR 102253870B1 KR 1020140103221 A KR1020140103221 A KR 1020140103221A KR 20140103221 A KR20140103221 A KR 20140103221A KR 102253870 B1 KR102253870 B1 KR 102253870B1
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organic light
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nanowires
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이승민
문정우
송영우
윤주선
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삼성디스플레이 주식회사
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Abstract

유기 발광 표시 장치는 화소 영역 및 주변 영역을 포함하는 기판, 기판 상부에 배치되는 발광 구조물 및 기판과 발광 구조물 사이에 배치되고, 복수의 나노선들 및 상기 복수의 나노선들 사이의 복수의 개구들을 구비하는 반사 금속층을 포함할 수 있다.

Description

유기 발광 표시 장치{ORGANIC LIGHT EMITTING DISPLAY DEVICE}
본 발명은 유기 발광 표시 장치에 관한 것이다. 보다 상세하게는, 본 발명은 복수의 나노선들을 포함하는 반사 금속층을 구비한 유기 발광 표시 장치에 관한 것이다.
평판 표시 장치(Flat Panel Display Device)는 경량 및 박형 등의 특성으로 인하여, 음극선관 표시 장치(Cathode-ray Tube Display Device)를 대체하는 표시 장치로서 사용되고 있다. 이러한 평판 표시 장치의 대표적인 예로서 액정 표시(Liquid Crystal Display; LCD) 장치와 유기 발광 표시 (Organic Light Emitting Display; OLED) 장치가 있다. 이 중, 유기 발광 표시 장치는 액정 표시 장치에 비하여 휘도 특성 및 시야각 특성이 우수하고 백라이트(Back Light)를 필요로 하지 않아 초박형으로 구현할 수 있다는 장점이 있다. 이러한 유기 발광 표시 장치는 유기 박막에 음극(Cathode)과 양극(Anode)을 통하여 주입된 전자(Electron)와 정공(Hole)이 재결합하여 여기자를 형성하고, 상기 형성된 여기자로부터의 에너지에 의해 특정한 파장의 빛이 발생되는 현상을 이용한다.
최근 유기 발광 표시 장치에 거울 기능을 하는 금속을 구비하여, 유기 발광 표시 장치의 앞면에 위치하는 사물의 이미지를 표시할 수 있는 미러 유기 발광 표시 장치가 개발되고 있다. 이러한 경우, 상기 금속은 메쉬 구조로 형성되고, 상기 메쉬 구조에 의해 유기 발광 표시 장치의 앞면에 위치하는 사물의 이미지를 표시할 수 있다. 그러나, 종래의 미러 유기 발광 표시 장치에서 상기 메쉬 구조의 선(예를 들어, 와이어, 전극 등)의 크기(또는 폭)는 수 마이크로미터의 크기를 가질 수 있고, 이러한 메쉬 구조는 상기 미러 유기 발광 표시 장치의 전면에 위치한 사용자에 의해 인지되어 영상 이미지의 시인성이 감소하는 문제점이 있다.
본 발명의 목적은 복수의 나노선들을 포함하는 반사 금속층을 구비한 유기 발광 표시 장치를 제공하는 것이다.
그러나, 본 발명이 상술한 목적에 의해 한정되는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위에서 다양하게 확장될 수 있을 것이다.
전술한 본 발명의 목적을 달성하기 위하여, 본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 유기 발광 표시 장치는 화소 영역 및 주변 영역을 포함하는 기판, 상기 기판 상부에 배치되는 발광 구조물 및 상기 기판과 상기 발광 구조물 사이에 배치되고, 복수의 나노선들 및 상기 복수의 나노선들 사이의 복수의 개구들을 구비하는 반사 금속층을 포함할 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 반사 금속층의 상기 나노선들은 각기 제1 두께 및 제1 폭을 가지고, 제1 방향을 따라 연장되며, 제1 간격으로 서로 이격되는 복수의 제1 나노선들 및 각기 제2 두께 및 제2 폭을 가지고, 상기 제1 방향에 직교하는 제2 방향을 따라 연장되며, 제2 간격으로 서로 이격되는 복수의 제2 나노선들을 포함할 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 제1 나노선들과 상기 제2 나노선들은 상기 기판 상의 동일한 레벨에서 서로 교차될 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 제2 나노선들은 상기 제1 나노선들 상에 배치될 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 제1 두께, 상기 제1 폭, 상기 제1 간격, 상기 제2 나노선들의 상기 제2 두께, 상기 제2 폭 및 상기 제2 간격에 따라 유기 발광 표시 장치의 반사율 및 투과율이 조절될 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 제1 간격 및 상기 제2 간격에 따라 상기 개구들의 크기가 조절될 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 반사 금속층은 메쉬 구조를 가질 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 반사 금속층의 개구들은 각기 직사각형의 평면 형상 또는 정사각형의 평면 형상을 가질 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 반사 금속층은 나노-임프린팅 공정을 통해 수득될 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 반사 금속층과 상기 발광 구조물 사이에 배치되는 버퍼층을 더 포함할 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 반사 금속층은 상기 기판과 접촉되는 제1 면 및 상기 제1 면에 대향하는 제2 면을 가질 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 제1 면은 외부에서 상기 기판을 통해 입사된 광을 반사시키며, 상기 제2 면은 상기 버퍼층에 접촉될 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 기판은 투명 물질을 포함할 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 발광 구조물은 상기 버퍼층 상에 배치되는 평탄화층, 상기 화소 영역의 상기 평탄화층 상에 배치되고, 제1 방향으로 연장되는 제1 전극, 상기 주변 영역의 평탄화층 상에 배치되고, 상기 제1 방향과 다른 제2 방향으로 연장되며, 상기 제1 전극의 상기 주변 영역에서 접촉되는 전원 전극, 상기 화소 영역의 상기 제1 전극 상에 배치되는 발광층, 상기 발광층 상에 배치되는 제2 전극 및 상기 제2 전극 상에 배치되는 봉지층을 포함할 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 화소 영역의 상기 반사 금속층의 개구들을 통해 상기 발광층으로부터 발생되는 광이 방출될 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 주변 영역의 상기 버퍼층 상에 배치되는 적어도 하나의 반도체 소자 및 상기 주변 영역의 상기 버퍼층 상에 상기 적어도 하나의 반도체 소자와 이격되어 배치되는 커패시터를 더 포함할 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 적어도 하나의 반도체 소자는, 상기 버퍼층 상에 배치되는 제1 액티브 패턴, 상기 제1 액티브 패턴 상에 배치되는 제1 절연층, 상기 제1 절연층 상에 배치되는 제1 게이트 전극, 상기 제1 액티브 패턴의 일측에 접속되는 상기 전원 전극 그리고 상기 제1 액티브 패턴의 타측에 접속되는 제1 드레인 전극을 포함하는 제1 반도체 소자를 구비할 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 커패시터는 상기 제1 절연층 상에 배치되는 제1 커패시터 전극, 상기 전원 전극의 연장되는 부분에 접속되고 상기 하부 전극 상에 배치되는 제2 커패시터 전극, 그리고 상기 하부 전극과 상기 상부 전극 사이에 배치되는 제2 절연층을 포함할 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 적어도 하나의 반도체 소자는 상기 버퍼층 상에 배치되는 제2 액티브 패턴, 상기 제2 액티브 패턴 상에 배치되는 상기 제1 절연층, 상기 제1 절연층 상에 배치되는 제2 게이트 전극, 그리고 상기 제2 액티브 패턴에 각기 접속되는 제2 소스 및 드레인 전극들을 포함하는 제2 반도체 소자를 구비할 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 버퍼층, 상기 제1 절연층, 상기 제2 절연층, 상기 평탄화층은 투명 물질을 포함하고, 상기 유기 발광 표시 장치는 배면 발광 방식을 가질 수 있다.
본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 유기 발광 표시 장치는 복수의 나노선들을 포함하는 반사 금속층을 구비하여 영상 이미지의 시인성을 증가시킬 수 있다.
다만, 본 발명의 효과가 상술한 효과로 한정되는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위에서 다양하게 확장될 수 있을 것이다.
도 1은 본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 유기 발광 표시 장치를 나타내는 단면도이다.
도 2는 도 1의 유기 발광 표시 장치에 포함되는 반사 금속층의 일 예를 설명하기 위한 단면도이다.
도 3은 도 2의 반사 금속층을 설명하기 위한 사시도이다.
도 4는 도 1의 유기 발광 표시 장치에 포함되는 반사 금속층의 다른 예를 설명하기 위한 단면도이다.
도 5는 도 4의 반사 금속층을 설명하기 위한 사시도이다.
도 6은 본 발명의 다른 예시적인 실시예들에 따른 유기 발광 표시 장치를 나타내는 단면도이다.
도 7a 내지 도 7i는 본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 유기 발광 표시 장치의 제조 방법을 나타내는 단면도들이다.
이하, 첨부한 도면들을 참조하여, 본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 유기 발광 표시 장치들과 이러한 유기 발광 표시 장치들의 제조 방법들에 대하여 보다 상세하게 설명한다. 첨부한 도면들에 있어서, 동일하거나 유사한 구성 요소들에 대해서는 동일하거나 유사한 참조 부호들을 사용한다.
도 1은 본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 유기 발광 표시 장치를 나타내는 단면도이고, 도 2는 도 1의 유기 발광 표시 장치에 포함되는 반사 금속층의 일 예를 설명하기 위한 단면도이며, 도 3은 도 2의 반사 금속층을 설명하기 위한 사시도이다.
도 1 내지 도 3을 참조하면, 유기 발광 표시 장치(100)는 기판(110), 반사 금속층(140), 베이스층(120), 버퍼층(130), 구동 트랜지스터(320) (또는 제1 반도체 소자), 스위칭 트랜지스터(340) (또는 제2 반도체 소자), 스토리지 커패시터(240), 제1 절연층(170), 제2 절연층(210), 제3 절연층(330), 발광 구조물 등을 포함할 수 있다. 여기서, 상기 발광 구조물은 평탄화층(250), 전원 전극(280), , 제1 전극(350), 발광층(390), 화소 정의막(370), 제2 전극(410), 봉지층(430) 등을 포함할 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 유기 발광 표시 장치(100)는 화소 영역(I)과 화소 영역(I)을 둘러싸는 주변 영역(II)을 포함할 수 있다. 이 경우, 제1 전극(350), 발광층(390) 및 제2 전극(410)은 화소 영역(I)에 배치될 수 있고, 구동 트랜지스터(320), 스위칭 트랜지스터(340), 스토리지 커패시터(240), 전원 전극(280), 제3 절연층(330) 및 화소 정의막(370)은 주변 영역(II)에 배치될 수 있다. 예를 들면, 유기 발광 표시 장치(100)는 배면 발광 형태가 될 수 있다. 반사 금속층(140)은 화소 영역(I)과 주변 영역(II) 모두에 배치될 수 있다. 예를 들어, 반사 금속층(140)은 화소 영역(I) 및 주변 영역(II)에서 유기 발광 표시 장치(100)의 전면에 위치하는 사물의 이미지를 반사시킬 수 있고, 이에 따라 유기 발광 표시 장치(100)는 거울 기능을 갖는 미러(mirror) 디스플레이 장치로 기능할 수 있다.
기판(110)은 투명 무기 물질 또는 플렉서블 플라스틱으로 구성될 수 있다. 유기 발광 표시 장치(100)가 화소 영역(I) 및 주변 영역(II)을 포함함에 따라, 기판(110)도 화소 영역(I)과 주변 영역(II)으로 구분될 수 있다. 예를 들어, 기판(110)은 유리 기판, 석영(quartz) 기판 등으로 구성될 수 있지만, 연성을 갖는 투명 수지 기판으로 이루어질 수도 있다. 기판(110)으로 이용될 수 있는 투명 수지 기판의 예로는 폴리이미드 기판을 들 수 있다. 예를 들면, 상기 폴리이미드 기판은 제1 폴리이미드층, 배리어 필름층, 제2 폴리이미드층 등으로 구성될 수 있다. 선택적으로는, 기판(110)은 유리 기판 상에 제1 폴리이미드층, 배리어 필름층 및 제2 폴리이미드층이 적층된 구성을 가질 수도 있다. 예를 들면, 상기 제2 폴리이미드층 상에 절연층을 배치한 후, 상기 절연층 상에 발광 구조물(예를 들어, 구동 트랜지스터(320), 스위칭 트랜지스터(340), 스토리지 커패시터(240), 전원 전극(280), 제1 전극(350), 발광층(390), 제2 전극(410) 등)을 배치할 수 있다. 이러한 발광 구조물의 형성 후, 상기 유리 기판은 제거될 수 있다. 상기 폴리이미드 기판은 얇으면서 가요성을 가지기 때문에, 상기 폴리이미드 기판 상에 상기 발광 구조물을 직접 형성하기 어려울 수 있다. 이러한 점을 고려하여, 경질의 유리 기판을 이용하여 상기 발광 구조물을 형성한 다음, 상기 유리 기판을 제거함으로써, 상기 폴리이미드 기판을 기판(110)으로 이용할 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 반사 금속층(140)은 기판(110) 상에 배치될 수 있다. 반사 금속층(140)은 화소 영역(I)으로부터 주변 영역(II)까지 위치할 수 있다. 반사 금속층(140)은 제1 면 및 제2 면을 포함할 수 있다. 반사 금속층(140)의 제1 면(예를 들면, 저면)은 기판(110)에 접촉될 수 있고, 반사 금속층(140)의 상기 제1 면에 대향하는 제2 면(예를 들면, 상면)은 버퍼층(130)에 접촉될 수 있다. 다른 예시적인 실시예들에 따르면, 기판(110) 상에 추가 절연층을 배치하고, 상기 추가 절연층 상에 반사 금속층(140)을 배치할 수 있다. 상기 절연층은 기판(110)의 구성 물질 및/또는 반사 금속층(140)의 구성 물질에 따라 무기 물질 또는 유기 물질을 포함할 수 있다.
도 2 및 도 3에 예시한 실시예에 있어서, 반사 금속층(140)은 복수의 나노선들을 포함할 수 있다. 상기 나노선들은 복수의 개구들(145)을 한정할 수 있다. 다시 말하면, 반사 금속층(140)은 인접하는 두 나노선들 사이에 하나의 개구(145)가 배치되는 구성을 가질 수 있다. 상기 복수의 나노선들은 복수의 제1 나노선들(140a) 및 복수의 제2 나노선들(140b)을 포함할 수 있다. 제1 나노선들(140a)은 각기 제1 두께 및 제1 폭을 가질 수 있으며, 제1 방향(예를 들면, 열(column) 방향)을 따라 연장될 수 있다. 인접하는 제1 나노선들(140a)은 제1 간격으로 이격될 수 있으며, 실질적으로 서로 평행하게 배열될 수 있다. 제2 나노선들(140b)은 각기 제2 두께 및 제2 폭을 가질 수 있고, 상기 제1 방향에 실질적으로 직교하는 제2 방향(예를 들면, 행(row) 방향)을 따라 연장될 수 있다. 인접하는 제2 나노선들(140b)은 제2 간격으로 이격될 수 있고, 실질적으로 서로 평행하게 배열될 수 있다.
제1 나노선들(140a) 및 제2 나노선들(140b)은 실질적으로 동일한 레벨에 배치될 수 있다. 또한, 제1 나노선들(140a)과 제2 나노선들(140b)은 서로 교차되게 배열될 수 있다. 이에 따라, 제1 나노선들(140a)과 제2 나노선들(140b)을 포함하는 반사 금속층(140)은 실질적으로 메쉬 구조(mesh structure)를 가질 수 있다. 반사 금속층(140)은 상대적으로 큰 반사율을 가지는 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 반사 금속층(140)은 금(Au), 은(Ag), 알루미늄(Al), 백금(Pt), 니켈(Ni), 티타늄(Ti) 등을 포함할 수 있다. 이와는 달리, 반사 금속층(140)은 합금, 금속 질화물, 도전성 금속 산화물, 투명 도전성 물질 등을 포함할 수 있다. 예를 들어, 반사 금속층(140) 알루미늄을 함유하는 합금, 알루미늄 질화물(AlNx), 은을 함유하는 합금, 텅스텐 질화물(WNx), 구리를 함유하는 합금, 크롬 질화물(CrNx), 몰리브데늄을 함유하는 합금, 티타늄 질화물(TiNx), 탄탈륨 질화물(TaNx), 스트론튬 루테늄 산화물(SRO), 아연 산화물(ZnOx), 인듐 주석 산화물(ITO), 주석 산화물(SnOx), 인듐 산화물(InOx), 갈륨 산화물(GaOx), 인듐 아연 산화물(IZO) 등을 포함할 수 있다. 이들은 단독으로 또는 서로 조합되어 사용될 수 있다.
제1 나노선들(140a) 및 제2 나노선들(140b)이 각기 나노 규모의 크기(또는, 나노 스케일)를 가지기 때문에, 나노-임프린팅(Nano-imprinting) 공정을 통해 수득될 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 반사 금속층(140)의 두께(T1)는 각각의 제1 나노선(140a)의 제1 두께 및 각각의 제2 나노선(140b)의 제2 두께에 해당될 수 있다. 즉, 제1 나노선(140a)의 제1 두께와 제2 나노선(140b)의 제2 두께는 실질적으로 동일할 수 있다. 또한, 반사 금속층(140)의 폭(T2)은 각각의 제1 나노선(140a)의 제1 폭 및 각각의 제2 나노선(140b)의 제2 폭에 해당될 수 있다. 즉, 제1 나노선(140a)의 제1 폭과 제2 나노선(140b)의 제2 폭은 실질적으로 동일할 수 있다. 더욱이, 반사 금속층(140)의 간격(T3)은 인접하는 제1 나노선들(140a) 사이의 제1 간격 및 인접하는 제2 나노선들(140b) 사이의 제2 간격에 해당될 수 있다. 즉, 인접하는 제1 나노선들(140a) 사이의 제1 간격과 인접하는 제2 나노선들(140b) 사이의 제2 간격은 실질적으로 동일할 수 있다.
인접하는 제1 나노선들(140a) 사이의 제1 간격 및 인접하는 제2 나노선들(140b) 사이의 제2 간격에 따라 반사 금속층(140)의 개구들(145)의 크기가 조절될 수 있다(예를 들어, 개구(145)의 형상이 변화될 수 있다). 예를 들면, 상기 제1 간격이 상기 제2 간격과 실질적으로 동일한 경우, 개구(145)는 실질적으로 정사각형의 평면 형상을 가질 수 있다. 다른 예시적인 실시예들에 있어서, 제1 나노선들(140a) 사이의 제1 간격과 제2 나노선들(140b) 사이의 제2 간격이 다를 경우, 개구(145)는 실질적으로 직사각형의 평면 형상을 가질 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 제1 나노선(140a)의 제1 두께와 제1 폭, 상기 제1 간격, 제2 나노선(140b)의 제2 두께와 제2 폭, 그리고 상기 제2 간격에 따라 유기 발광 표시 장치(100)의 반사율 및 투과율이 조절될 수 있다. 예를 들어, 상기 나노-임프린팅 공정에 있어서, 반사 금속층(140)의 두께(T1)를 대략 150 나노미터 정도로 형성하고, 반사 금속층(140)의 간격(T3)을 대략 100 나노미터로 형성하며, 반사 금속층(140)의 폭(T2)을 대략 40 나노미터로 형성하는 경우, 유기 발광 표시 장치(100) 반사율 및 투과율이 약 40 퍼센트 이상이 된다. 반사 금속층(140)의 제1 면으로부터 외부에서 기판(110)을 통해 입사되는 광(light)이 반사될 수 있고(예를 들어, 유기 발광 표시 장치(100)의 전면에 위치하는 사물의 이미지가 반사 금속층(140)의 제1 면 상에 표시될 수 있다), 화소 영역(I)에 배치되는 반사 금속층(140)의 개구들(145)을 통해 유기 발광 표시 장치(100)의 발광층(390)으로부터 발생되는 광이 통과될 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 반사 금속층(140)이 전술한 메쉬(예를 들어, 격자) 구조를 가질 경우, 상기 나노-임프린팅 공정을 통해 수득되는 반사 금속층(140)의 탄성을 증가시킬 수 있다.
기판(110)이 투명한 플렉서블 물질을 포함할 경우, 나노 크기의 격자들을 갖는 반사 금속층(140)을 구비하는 유기 발광 표시 장치(100)는 플렉서블 미러 디스플레이 장치로 기능을 할 수 있다. 또한, 반사 금속층(140)에 포함된 격자들의 크기가 실질적으로 나노 크기로 형성되기 때문에 유기 발광 표시 장치(100)의 전면을 통해 사용자가 반사 금속층(140)의 격자들을 실질적으로 인지할 수 없게 되어, 나노 크기의 격자들을 갖는 반사 금속층(140)을 구비하는 유기 발광 표시 장치(100)의 영상의 시인성이 향상될 수 있다.
도 1을 다시 참조하면, 기판(110) 및 반사 금속층(140) 상에 베이스층(120)이 배치될 수 있다. 베이스층(120)은 무기 물질로 구성될 수 있다. 예를 들어, 베이스층(120)은 실리콘 산화물(SiOx), 실리콘 질화물(SiNx), 실리콘 산질화물(SiOxNy), 실리콘 산탄화물(SiOxCy), 실리콘 탄질화물(SiCxNy) 등으로 이루어질 수 있다. 선택적으로는, 베이스층(120)은 유기 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 베이스층(120)은 폴리이미드(polyimide)계 수지, 포토레지스트(photoresist), 아크릴(acrylic)계 수지, 폴리아미드(polyamide)계 수지, 실록산(siloxane)계 수지 등을 포함할 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 베이스층(120)은 반사 금속층(140)의 개구들(145)을 실질적으로 채우면서 반사 금속층(140)의 제2 면을 노출시킬 수 있다. 다른 예시적인 실시예들에 따르면, 베이스층(120)은 반사 금속층(140)의 개구들(145)을 채우면서 반사금속층(140)을 커버할 수 있다. 또 다른 예시적인 실시예들에 있어서, 베이스층(120)을 생략하고, 기판(110) 및 반사 금속층(140) 상에 버퍼층(130)을 배치할 수도 있다.
베이스층(120) 상에는 버퍼층(130)이 배치될 수 있다. 버퍼층(130)은 기판(110)으로부터 금속 원자들이나 불순물들이 확산(예를 들면, 아웃 개싱)되는 현상을 방지할 수 있으며, 제1 액티브 패턴(150) 및 제2 액티브 패턴(160)을 형성하기 위한 결정화 공정 동안 열의 전달 속도를 조절하여 실질적으로 균일한 제1 및 제2 액티브 패턴들(150, 160)을 수득하게 할 수 있다. 예를 들어, 버퍼층(130)은 실리콘 질화물, 실리콘 산화물 등으로 구성될 수 있다. 다른 예시적인 실시예들에 있어서, 기판(110)의 구성 물질이나 타입에 따라 둘 이상의 버퍼층들이 제공될 수 있거나, 버퍼층이 배치되지 않을 수도 있다.
구동 트랜지스터(320)는 버퍼층(130) 상에 배치될 수 있다. 구동 트랜지스터(320)는 제1 액티브 패턴(150), 제1 절연층(170), 제1 게이트 전극(180), 제2 절연층(210), 평탄화층(250), 제1 소스 전극, 제1 드레인 전극(290) 등을 포함할 수 있다. 여기서, 상기 제1 소스 전극은 전원 전극(280)과 연결될 수 있고, 고전원 전압(ELVDD)이 인가될 수 있다. 예를 들어, 유기 발광 표시 장치(100)는 전원 전극(280) 및 저전원 전극(도시되지 않음)을 포함할 수 있고, 전원 전극(280)을 통해 고전원 전압(ELVDD)이 제공되고, 상기 저전원 전극을 통해 저전원 전압(ELVSS)이 제공될 수 있다.
스위칭 트랜지스터(340)는 버퍼층(130) 상에 배치될 수 있다. 스위칭 트랜지스터(340)는 제2 액티브 패턴(160), 제1 절연층(170), 제2 게이트 전극(190), 제2 절연층(210), 평탄화층(250), 제2 소스 전극(300), 제2 드레인 전극(310) 등을 포함할 수 있다.
스토리지 커패시터(240)는 제1 절연층(170) 상에 배치될 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 스토리지 커패시터(240)는 제1 커패시터 전극(200), 제2 절연층(210), 제2 커패시터 전극(230) 등을 포함할 수 있다. 여기서, 제2 커패시터 전극(230)은 전원 전극(280)과 연결될 수 있고, 고전원 전압(ELVDD)이 인가될 수 있다.
상기 구동 트랜지스터(320) 및 스위칭 트랜지스터(340)는 주변 영역(II)에 위치할 수 있다. 이러한 구동 트랜지스터(320) 및 스위칭 트랜지스터(340)에 있어서, 제1 및 제2 액티브 패턴들(150, 160)은 서로 소정의 간격으로 이격되어 버퍼층(130)의 주변 영역(II) 상에 배치될 수 있다. 예를 들어, 제1 및 제2 액티브 패턴들(150, 160)은 각기 산화물 반도체, 무기물 반도체(예를 들어, 아몰퍼스 실리콘(amorphous silicon), 폴리 실리콘(poly silicon)) 또는 유기물 반도체 등을 포함할 수 있다.
제1 절연층(170)은 버퍼층(130) 상에 배치될 수 있고, 제1 절연층(170)은 제1 및 제2 액티브 패턴들(150, 160)을 커버하며 화소 영역(I)까지 연장될 수 있다. 예를 들어, 제1 절연층(170)은 실리콘 화합물, 금속 산화물 등을 포함할 수 있다. 제1 절연층(170)은 실리콘 산화물로 이루어질 수 있다. 선택적으로는, 제1 절연층(170)과 버퍼층(130)은 실질적으로 동일한 물질로 구성될 수 있다.
제1 게이트 전극(180)은 제1 절연층(170) 중에서 하부에 제1 액티브 패턴(150)이 위치하는 부분 상에 배치될 수 있고, 제2 게이트 전극(190)은 제1 절연층(170) 중에서 하부에 제2 액티브 패턴(160)이 위치하는 부분 상에 배치될 수 있다. 제1 게이트 전극(180) 및 제2 게이트 전극(190)은 각기 금속, 합금, 금속 질화물, 도전성 금속 산화물, 투명 도전성 물질 등으로 구성될 수 있다.
제1 커패시터 전극(200)은 제1 절연층(170) 상에서 제1 게이트 전극(180)과 소정의 간격으로 이격되어 배치될 수 있다. 제1 커패시터 전극(200)은 제1 게이트 전극(180) 및 제2 게이트 전극(190)과 실질적으로 동일한 물질을 포함할 수 있다. 선택적으로는, 제1 커패시터 전극(200)은 제1 게이트 전극(180) 및 제2 게이트 전극(190)과 다른 물질을 포함할 수 있다.
제2 절연층(210)은 제1 절연층(170), 제1 커패시터 전극(200), 제1 게이트 전극(180) 및 제2 게이트 전극(190) 상에 배치되고, 제2 절연층(210)은 제1 커패시터 전극(200), 제1 게이트 전극(180)및 제2 게이트 전극(190)을 커버하며, 화소 영역(I)까지 연장될 수 있다. 예를 들어, 제2 절연층(210)은 실리콘 화합물, 금속 산화물 등을 포함할 수 있다. 제2 절연층(210)은 실리콘 산화물로 이루어질 수 있다. 선택적으로는, 제2 절연층(210), 버퍼층(130) 및 제1 절연층(170)은 실질적으로 동일한 물질로 구성될 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 화소 영역(I)에서 제2 절연층(210), 버퍼층(130) 및 제1 절연층(170)이 동일한 물질을 포함할 경우, 유기 발광 표시 장치(100)는 배면 발광 방식을 가질 수 있다.
제2 커패시터 전극(230)은 제2 절연층(210) 중에서 하부에 제1 커패시터 전극(200)이 위치하는 부분 상에 배치될 수 있다. 제2 커패시터 전극(230)은 제1 게이트 전극(180), 제2 게이트 전극(190) 및 제1 커패시터 전극(200)과 실질적으로 동일한 물질을 포함할 수 있다. 선택적으로는, 제2 커패시터 전극(230)은 제1 게이트 전극(180), 제2 게이트 전극(190) 및 제1 커패시터 전극(200)과 다른 물질을 포함할 수 있다.
평탄화층(250)은 제2 절연층(210) 및 제2 커패시터 전극(230) 상에 배치되고, 평탄화층(250)은 제2 커패시터 전극(230)을 커버하며, 화소 영역(I)까지 연장될 수 있다. 예를 들어, 평탄화층(250)은 실리콘 화합물, 금속 산화물 등을 포함할 수 있다. 평탄화층(250)은 실리콘 산화물로 이루어질 수 있다. 선택적으로는, 평탄화층(250), 제2 절연층(210), 버퍼층(130) 및 제1 절연층(170)은 실질적으로 동일한 물질로 구성될 수 있다. 예시적인 실시예들에 따르면, 화소 영역(I)에서 평탄화층(250), 제2 절연층(210), 버퍼층(130) 및 제1 절연층(170)이 동일한 물질을 포함하는 경우, 유기 발광 표시 장치(100)가 배면 발광 방식을 가질 수 있다. 또한, 평탄화층(250)의 두께는 제2 절연층(210)의 두께보다 실질적으로 클 수 있다. 예를 들면, 평탄화층(250)은 버퍼층(130), 제1 절연층(170) 및 제2 절연층(210) 보다 실질적으로 큰 두께를 가질 수 있다. 따라서, 전원 전극(280)과 제2 커패시터 전극(230) 사이에 발생될 수 있는 커플링 현상을 완화시킬 수 있다.
평탄화층(250)의 화소 영역(II) 상에는 제1 전극(350)의 일부, 발광층(390), 제2 전극(410)의 일부, 화소 정의막(370)의 일부, 봉지층(430)의 일부가 배치될 수 있고, 주변 영역(II) 상에는 전원 전극(280), 구동 트랜지스터(320)의 상기 제1 소스 전극, 구동 트랜지스터(320)의 제1 드레인 전극(290), 스위칭 트랜지스터(340)의 제1 소스 전극(300), 스위칭 트랜지스터(340)의 제2 드레인 전극(310), 제3 절연층(330), 화소 정의막(370)의 일부, 제1 전극(350)의 일부, 제2 전극(410)의 일부, 봉지층(430)의 일부가 배치될 수 있다.
구동 트랜지스터(320)의 상기 제1 소스 전극 및 구동 트랜지스터(320)의 제1 드레인 전극(290)은 평탄화층(250), 제2 절연층(210) 및 제1 절연층(170)의 일부들을 관통하여 제1 액티브 패턴(150)에 접속될 수 있다. 구동 트랜지스터(320)의 상기 제1 소스 전극 및 구동 트랜지스터(320)의 제1 드레인 전극(290)은 각기 금속, 합금, 금속 질화물, 도전성 금속 산화물, 투명 도전성 물질 등을 포함할 수 있다. 이들은 단독으로 또는 서로 조합되어 사용될 수 있다.
스위칭 트랜지스터(340)의 제2 소스 전극(300) 및 스위칭 트랜지스터(340)의 제2 드레인 전극(310)은 평탄화층(250), 제2 절연층(210) 및 제1 절연층(170)의 일부들을 관통하여 제2 액티브 패턴(160)에 접속될 수 있다. 스위칭 트랜지스터(340)의 제2 소스 전극(300) 및 스위칭 트랜지스터(340)의 제2 드레인 전극(310)은 각기 구동 트랜지스터(320)의 상기 제1 소스 전극 및 구동 트랜지스터(320)의 제1 드레인 전극(290)과 실질적으로 동일한 물질을 포함할 수 있다.
전원 전극(280)은 콘택 홀을 통해 제2 커패시터 전극(230) 및 제1 액티브 패턴(150)과 전기적으로 연결될 수 있고, 전원 전극(280)에 인가된 고 전원 전압(ELVDD)이 상기 제2 커패시터 전극(230) 및 제1 액티브 패턴(150)으로 제공될 수 있다. 전원 전극(280)은 제1 드레인 전극(290), 제2 소스 전극(300) 및 제2 드레인 전극(310)과 실질적으로 동일한 물질을 포함할 수 있다.
제3 절연층(330)은 상기 제1 소스 전극, 제1 드레인 전극(290), 제2 소스 전극(300) 및 제2 드레인 전극(310)을 커버할 수 있고, 제3 절연층(330)은 제1 개구(380) 및 제2 개구(450)를 포함할 수 있다. 제3 절연층(330)의 제1 개구(380)는 화소 영역(I)에 배치될 수 있고, 제3 절연층(330)의 제2 개구(450)는 주변 영역(II)에 배치될 수 있다. 제3 절연층(330)의 제1 개구(380) 상에는 제1 전극(350)의 일부가 배치될 수 있고, 제1 개구(380)에 배치된 제1 전극(350)은 주변 영역(II)으로 연장되며, 제3 절연층(330)의 제2 개구(450) 상에 배치되고, 전원 전극(280)의 일부와 제2 개구(450)를 통해 접속될 수 있다. 제3 절연층(330)은 무기 물질 또는 유기 물질을 포함할 수 있다.
제1 전극(350)은 화소 영역(I)에서 제3 절연층(330)의 제1 개구(380) 상에 배치되고, 주변 영역(II)으로 연장되며, 제3 절연층(330)의 제2 개구(450) 상에 배치될 수 있다. 제1 전극(350)은 금속, 합금, 금속 질화물, 도전성 금속 산화물, 투명 도전성 물질 등을 포함할 수 있다.
발광층(390)은 제1 전극(350) 상에 배치될 수 있다. 발광층(390)은 상이한 색광들(즉, 적색광, 녹색광, 청색광 등)을 방출시킬 수 있는 발광 물질들을 사용하여 형성될 수 있다. 선택적으로는, 발광층(390)은 적색광, 녹색광, 청색광 등과 같은 상이한 색광들을 발생시킬 수 있는 발광 물질들이 적층되어 백색광을 발광할 수도 있다.
화소 정의막(370)은 발광층(390)의 일부, 제1 전극(350)의 일부, 제3 절연층(330)의 일부 상에 배치될 수 있다. 화소 영역(I)에서 제1 전극(350)과 제2 전극(410) 사이에 개재된 화소 정의막(370)은 제1 전극(350)과 제2 전극(410)을 전기적으로 절연시키는 역할을 할 수 있다. 화소 정의막(370)은 유기 물질 또는 무기 물질로 이루어질 수 있다. 선택적으로는, 화소 정의막(370)과 제3 절연층(330)은 실질적으로 동일한 물질로 구성될 수 있다.
제2 전극(410)은 화소 정의막(370) 및 발광층(390) 상에 배치될 수 있다. 예를 들어, 제2 전극(410)이 화소 정의막(370) 및 발광층(390)의 프로파일을 따라 실질적으로 균일한 두께로 배치될 수 있다. 즉, 제2 전극(410)은 화소 영역(I) 및 주변 영역(II)에 전체적으로 배치될 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 제2 전극(410)은 금속, 합금, 금속 질화물, 도전성 금속 산화물, 투명 도전성 물질 등을 포함할 수 있다.
봉지층(430)은 제2 전극(410) 상에 배치될 수 있다. 봉지층(430)은 제2 전극(410)의 프로파일을 따라 형성될 수 있다. 봉지층(430)은 투명 무기 물질 또는 플렉서블 플라스틱으로 구성될 수 있다. 예를 들어, 봉지층(430)은 경질의 유리 기판, 석영 기판 등을 포함할 수 있자. 또한, 봉지층(430)은 연성을 갖는 투명 수지 기판을 포함할 수도 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 유기 발광 표시 장치(100)의 가요성을 향상시키기 위하여, 봉지층(430)은 적어도 하나의 유기층 및 적어도 하나의 무기층이 교대로 적층되는 구조를 가질 수 있다. 여기서, 상기 무기층은 실리콘 산화물, 실리콘 질화물, 실리콘 산질화물, 알루미늄 산화물(AlOx), 알루미늄 질화물(AlNx), 티타늄 산화물(TiOx), 아연 산화물(ZnOx) 등을 포함할 수 있다. 한편, 상기 유기층은 아크릴레이트 모노머(acrylate monomer), 페닐아세틸렌(phenylacetylene), 디아민(diamine), 디안하이드라이드(dianhydride), 실록산(siloxane), 실란(silane), 파릴렌(parylene), 올레핀계 고분자(polyethylene, polypropylene), 폴리에틸렌테레프탈레이트(polyethylene terephthalate: PET), 플루오르수지(fluororesin), 폴리실록산(polysiloxane) 등을 포함할 수 있다.
본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 유기 발광 표시 장치(100)는 투명한 플렉서블 기판(110), 가요성을 갖는 봉지층(430) 및 나노 크기의 격자들을 갖는 반사 금속층(140)을 포함할 수 있다. 이에 따라, 상기 나노 크기의 격자들을 갖는 반사 금속층(140)의 탄성이 증가될 수 있으며, 유기 발광 표시 장치(100)는 플렉서블 미러 디스플레이 장치로 기능을 할 수 있다. 또한, 반사 금속층(140)의 상기 격자들이 나노 사이즈를 가지기 때문에 유기 발광 표시 장치(100)의 전면에 위치한 사용자는 반사 금속층(140)의 상기 격자들을 인지할 수 없고, 나노 크기의 반사 금속층(140)을 구비한 유기 발광 표시 장치(100)의 영상 이미지의 시인성이 향상될 수 있다.
도 4는 도 1의 유기 발광 표시 장치에 포함되는 반사 금속층의 다른 예를 설명하기 위한 단면도이고, 도 5는 도 4의 반사 금속층을 설명하기 위한 사시도이다. 도 4에 예시한 반사 금속층(440)은 제1 나노선(440a)과 제2 나노선(440b)의 위치를 제외하면, 도 1 내지 도 3을 참조하여 설명한 반사 금속층(140)과 실질적으로 동일하거나 실질적으로 유사한 구성을 가질 수 있다. 도 4에 있어서, 도 1 내지 도 3을 참조하여 설명한 구성 요소들과 실질적으로 동일하거나 실질적으로 유사한 구성 요소들에 대해 중복되는 설명은 생략한다.
도 4 및 도 5를 참조하면, 기판(110) 상에는 반사 금속층(440)이 배치될 수 있다. 반사 금속층(440)은 화소 영역(I)으로부터 주변 영역(II)까지 위치할 수 있다. 반사 금속층(440)은 복수의 나노선들을 포함할 수 있다. 상기 나노선들은 복수의 개구들(445)을 한정할 수 있다. 다시 말하면, 반사 금속층(440)은 인접하는 두 나노선들 사이에 하나의 개구(445)가 배치되는 구성을 가질 수 있다. 상기 복수의 나노선들은 복수의 제1 나노선들(440a) 및 복수의 제2 나노선들(440b)을 포함할 수 있다. 제1 나노선들(440a)은 각기 제1 두께 및 제1 폭을 가질 수 있으며, 제1 방향(예를 들어, 열 방향을 따라 연장될 수 있다. 인접하는 제1 나노선들(440a)은 제1 간격으로 이격될 수 있으며, 실질적으로 서로 평행하게 배열될 수 있다. 제2 나노선들(440b)은 각기 제2 두께 및 제2 폭을 가질 수 있고, 상기 제1 방향에 실질적으로 직교하는 제2 방향(예를 들어, 행 방향을 따라 연장될 수 있다. 인접하는 제2 나노선들(440b)은 제2 간격으로 이격될 수 있고, 실질적으로 서로 평행하게 배열될 수 있다. 제1 나노선들(440a)이 제2 나노선들(440b) 상에 배치될 수 있다. 따라서, 제1 나노선들(440a)과 제2 나노선들(440b)을 포함하는 반사 금속층(440)은 메쉬 구조를 가질 수 있다. 반사 금속층(440)은 상대적으로 큰 반사율을 가지는 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 반사 금속층(440)은 금, 은, 알루미늄, 백금, 니켈, 티타늄 등을 포함할 수 있다. 제1 나노선들(440a) 및 제2 나노선들(440b)은 나노 크기를 가지기 때문에, 나노-임프린팅 공정을 통해 수득될 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 제1 나노선(440a)의 제1 두께 및 제2 나노선(440b)의 제2 두께는 실질적으로 동일할 수 있다. 또한, 제1 나노선(440a)의 상기 제1 폭과 제2 나노선(440b)의 상기 제2 폭은 실질적으로 동일할 수 있다. 더욱이, 인접하는 제1 나노선들(440a) 사이의 제1 간격과 인접하는 제2 나노선들(440b) 사이의 제2 간격은 실질적으로 동일할 수 있다. 여기서, 인접하는 제1 나노선들(440a) 사이의 제1 간격 및 인접하는 제2 나노선들(440b) 사이의 제2 간격에 따라 반사 금속층(440)의 개구들(445)의 크기가 조절될 수 있다(예를 들어, 개구(445)의 형상이 변화될 수 있다). 예를 들어, 상기 제1 간격이 상기 제2 간격과 실질적으로 동일한 경우, 개구(445)는 정사각형의 평면 형상을 가질 수 있다. 상기 제1 간격이 상기 제2 간격과 다를 경우, 개구(445)는 실질적으로 직사각형의 평면 형상을 가질 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 제1 나노선(440a)의 제1 두께와 제1 폭. 상기 제1 간격, 제2 나노선(440b)의 제2 두께와 제2 폭, 그리고 상기 제2 간격에 따라 유기 발광 표시 장치의 반사율 및 투과율이 조절될 수 있고, 화소 영역(I)에 배치되는 반사 금속층(440)의 개구들(445)을 통해 상기 유기 발광 표시 장치의 발광층으로부터 발생되는 광이 통과될 수 있다. 이에 따라, 상기 유기 발광 표시 장치의 전면에 위치하는 사물의 이미지가 반사 금속층(440)의 상기 저면 상에 표시될 수 있고, 제2 나노선(440b) 상에 제1 나노선(440a)이 배치됨으로써, 상기 나노 크기의 폭, 두께 및 간격을 갖는 반사 금속층(440)의 탄성을 증가시킬 수 있으며, 상기 유기 발광 표시 장치는 플렉서블 미러 디스플레이 장치로 기능을 할 수 있다.
도 6은 본 발명의 다른 예시적인 실시예들에 따른 유기 발광 표시 장치를 나타내는 단면도이다. 도 6에 예시한 유기 발광 표시 장치(500)는 반사 금속층(570)의 위치를 제외하면, 도 1 내지 도 3을 참조하여 설명한 유기 발광 표시 장치(100)와 실질적으로 동일하거나 실질적으로 유사한 구성을 가질 수 있다. 도 6에 있어서, 도 1 내지 도 3을 참조하여 설명한 구성 요소들과 실질적으로 동일하거나 실질적으로 유사한 구성 요소들에 대해 중복되는 설명은 생략한다.
도 6을 참조하면, 유기 발광 표시 장치(500)는 기판(510), 발광 구조물(530), 실런트(630), 베이스층(590), 반사 금속층(570) 및 봉지층(580)을 포함할 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 유기 발광 표시 장치(500)는 화소 영역(I)과 주변 영역(II)을 포함할 수 있다.
기판(510)은 투명 무기 물질 또는 플렉서블 플라스틱으로 구성될 수 있다. 예를 들어, 기판(510)은 유리 기판, 석영 기판 등으로 구성될 수 있다. 또는, 연성을 갖는 투명 수지 기판으로 이루어질 수도 있다. 유기 발광 표시 장치(500)가 화소 영역(I) 및 주변 영역(II)을 구비함에 따라, 기판(510)도 화소 영역(I)과 주변 영역(II)으로 구분될 수 있다.
발광 구조물(530)이 기판(510)의 화소 영역(I) 상에 배치될 수 있다. 예를 들어, 발광 구조물(530)은 구동 트랜지스터, 스위칭 트랜지스터, 스토리지 커패시터, 제1 전극, 발광층, 제2 전극 등을 포함할 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 발광 구조물(530)은 전면 발광 방식으로 구성될 수 있다.
실런트(630)는 기판(510)의 주변 영역(II) 상에 배치될 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 실런트(270)는 프릿(frit) 등으로 구성될 수 있다. 다른 예시적인 실시예들에 있어서, 실런트(630)는 광 경화성 물질을 추가적으로 포함할 수 있다.예를 들어, 실런트(630)가 배치되는 주변 영역(II)에 레이저가 조사될 수 있다. 이러한 레이저의 조사에 따라, 실런트(630)가 고체 상태에서 액체 상태로 변화될 수 있고, 소정의 시간이 후에 액체 상태의 실런트(630)는 다시 고체 상태로 경화될 수 있다. 전술한 실런트(630)의 상태 변화에 따라 봉지층(580)이 기판(510)에 대해 밀폐되면서 결합될 수 있다.
봉지층(580)이 발광 구조물(530) 및 실런트(630) 상에 배치될 수 있다. 봉지층(580)은 투명 무기 물질 또는 플렉서블 플라스틱으로 구성되거나, 연성을 갖는 투명 수지 기판을 포함할 수도 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 봉지층(580) 적어도 하나의 유기층(560) 및 적어도 하나의 무기층(550)이 교대로 적층되는 구조를 가질 수 있다. 예를 들어, 무기층(550) 상에 유기층(560)이 배치될 수 있다. 여기서, 무기층(550)은 실리콘 산화물, 실리콘 질화물, 실리콘 산질화물, 알루미늄 산화물, 알루미늄 질화물, 티타늄 산화물, 아연 산화물 등을 포함할 수 있다. 한편, 유기층(560)은 아크릴레이트 모노머, 페닐아세틸렌, 디아민, 디안하이드라이드, 실록산, 실란, 파릴렌, 올레핀계 고분자, 폴리에틸렌테레프탈레이트, 플루오르수지, 폴리실록산 등을 포함할 수 있다.
반사 금속층(570)은 무기층(550)과 유기층(560) 사이에 배치될 수 있다. 반사 금속층(570)은 화소 영역(I)으로부터 주변 영역(II)까지 위치할 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 반사 금속층(570)의 제1 면(예를 들어, 저면)은 무기층(550)에 접촉될 수 있고, 반사 금속층(570)의 상기 제1 면에 대향하는 제2 면(예를 들어, 상면)은 유기층(560)에 접촉될 수 있다. 반사 금속층(570)은 복수의 나노선들을 포함할 수 있고(도 2 및 도 3 참조), 상기 나노선들은 복수의 개구들을 한정할 수 있다. 다시 말하면, 반사 금속층(570)은 인접하는 두 나노선들 사이에 하나의 개구가 배치되는 구성을 가질 수 있다. 상기 복수의 나노선들은 복수의 제1 나노선들 및 복수의 제2 나노선들로 구성될 수 있다. 상기 제1 나노선들은 열 방향을 따라 연장될 수 있고, 인접하는 제1 나노선들은 제1 간격으로 서로 이격될 수 있으며, 실질적으로 서로 평행하게 배열될 수 있다. 상기 제2 나노선들은 상기 열 방향과 직교하는 행 방향을 따라 연장될 수 있고, 인접하는 제2 나노선들은 제2 간격으로 서로 이격될 수 있으며, 실질적으로 서로 평행하게 배열될 수 있다. 상기 제1 나노선들 및 상기 제2 나노선들은 실질적으로 동일한 레벨(또는 층)에 배치될 수 있다. 또한, 상기 제1 나노선들과 상기 제2 나노선들은 서로 교차되게 배열될 수 있다. 이에 따라, 상기 제1 나노선들과 상기 제2 나노선들을 포함하는 반사 금속층(570)은 실질적으로 메쉬 구조를 가질 수 있다. 반사 금속층(570)은 상대적으로 큰 반사율을 가지는 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 반사 금속층(570)은 금, 은, 알루미늄, 백금, 니켈, 티타늄 등을 포함할 수 있다. 상기 제1 나노선들 및 상기 제2 나노선들이 각기 나노 규모의 크기를 가지기 때문에, 나노-임프린팅 공정을 통해 수득될 수 있다. 상기 제1 나노선의 상기 제1 간격과 상기 제2 나노선의 상기 제2 간격은 실질적으로 동일할 수 있다. 여기서, 인접하는 상기 제1 나노선들 사이의 제1 간격 및 상기 제2 나노선들 사이의 제2 간격에 따라 반사 금속층(570)의 상기 개구들의 크기가 조절될 수 있다(예를 들어, 상기 개구의 형상이 변화될 수 있다). 예시적인 실시예들에 있어서, 상기 제1 간격이 상기 제2 간격과 실질적으로 동일하면 상기 개구들은 정사각형의 평면 형상을 가질 수 있다. 반사 금속층(570)의 제2 면으로부터 외부에서 유기층(560)을 통해 입사되는 광이 반사될 수 있고(예를 들어, 유기 발광 표시 장치(500)의 전면에 위치하는 사물의 이미지가 반사 금속층(570)의 상기 제2 면 상에 표시될 수 있다), 화소 영역(I)에 배치되는 반사 금속층(570)의 상기 개구들을 통해 유기 발광 표시 장치(500)의 상기 발광층으로부터 발생되는 광이 통과될 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 반사 금속층(570)이 상기 메쉬(예를 들어, 격자) 구조를 포함하기 때문에, 상기 나노-임프린팅 공정을 통해 형성된 상기 메쉬 구조를 갖는 반사 금속층(570)의 탄성을 증가시킬 수 있다. 이에 따라, 유기 발광 표시 장치(500)가 플렉서블 기판(510) 및 투명한 플렉서블 봉지층(580)을 포함할 경우, 나노 크기의 격자들을 갖는 반사 금속층(570)을 구비한 유기 발광 표시 장치(500)가 플렉서블 미러 디스플레이 장치로 구현될 수 있다. 또한, 상기 나노-인프린팅 공정을 통해 무기층(550)과 유기층(560) 사이에 반사 금속층(570)을 형성시킬 수 있는 인-셀(In-Cell) 공정이 가능할 수 있다. 더욱이, 반사 금속층(570)에 포함된 격자들의 크기가 상기 나노 크기로 형성되기 때문에 유기 발광 표시 장치(500)의 전면에 위치한 사용자는 반사 금속층(570)의 상기 격자들을 인지할 수 없고, 나노 크기의 격자들을 갖는 반사 금속층(570)을 구비한 유기 발광 표시 장치(500)의 영상 이미지의 시인성이 증가될 수 있다.
무기층(550)과 유기층(560) 사이에 베이스층(590)이 형성될 수 있다. 예를 들어, 무기층(550)을 화학 기상 증착 공정을 이용하여 형성한 후, 상기 나노-인프린팅 공정으로 반사 금속층(570)형성할 수 있고, 무기층(550) 및 반사 금속층(570) 상에 베이스층(590)이 형성될 수 있다. 베이스층(590)은 투명한 무기 물질 또는 투명한 유기 물질을 포함할 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 베이스층(590)은 반사 금속층(570)의 상기 제2 면을 노출시켜서, 유기층(560)에 접촉시킬 수 있다. 다른 예시적인 실시예들에 있어서, 베이스층(590)은 반사 금속층(570)을 커버하거나, 베이스층(590)을 형성하지 않고, 유기층(560)을 형성할 수도 있다. 선택적으로, 봉지층(580) 상에 무기층(550) 및 유기층(560)이 교번하여 추가적으로 형성될 수 있다.
도 7a 내지 도 7g는 본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 유기 발광 표시 장치의 제조 방법을 나타내는 단면도들이다.
도 7a 및 7b를 참조하면, 기판(810) 상에는 반사 금속층(840)이 형성될 수 있고, 반사 금속층(840)은 화소 영역(I)으로부터 주변 영역(II)까지 연장될 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 기판(810)은 연성을 갖는 투명 수지를 사용하여 형성될 수 있다. 반사 금속층(840)은 기판(810)과 접촉되는 제1 면 및 상기 제1 면과 대향하는 제2 면을 포함할 수 있다.
반사 금속층(840)은 복수의 나노선들을 포함할 수 있고, 상기 나노선들은 복수의 개구들을 한정할 수 있다. 다시 말하면, 반사 금속층(840)은 인접하는 두 나노선들 사이에 하나의 개구가 형성되는 구성을 가질 수 있다. 상기 복수의 나노선들은 복수의 제1 나노선들 및 복수의 제2 나노선들로 형성될 수 있다. 상기 제1 나노선들은 열 방향을 따라 연장될 수 있고, 인접하는 제1 나노선들은 제1 간격으로 이격될 수 있으며, 실질적으로 서로 평행하게 형성 될 수 있다. 상기 제2 나노선들은 상기 열 방향과 직교하는 행 방향을 따라 연장될 수 있고, 인접하는 제2 나노선들은 제2 간격으로 이격될 수 있으며, 실질적으로 서로 평행하게 형성될 수 있다. 상기 제1 나노선들 및 상기 제2 나노선들은 실질적으로 동일한 레벨(또는 층)에 형성될 수 있고, 상기 제1 나노선들과 상기 제2 나노선들은 서로 교차되게 형성될 수 있다. 이에 따라, 상기 제1 나노선들과 상기 제2 나노선들을 포함하는 반사 금속층(840)은 실질적으로 메쉬 구조로 형성될 수 있다. 반사 금속층(840)은 상대적으로 큰 반사율을 가지는 물질을 사용하여 형성될 수 있다. 예를 들어, 반사 금속층(840)은 금, 은, 알루미늄, 백금, 니켈, 티타늄 등을 포함할 수 있다. 상기 제1 나노선들 및 상기 제2 나노선들이 각기 나노 규모의 크기를 갖기 때문에, 나노-임프린팅 공정을 통해서 형성될 수 있다. 인접하는 상기 제1 나노선들 사이의 제1 간격과 인접하는 상기 제2 나노선들 사이의 제2 간격은 실질적으로 동일하게 형성될 수 있다. 여기서, 인접하는 상기 제1 나노선들 사이의 제1 간격 및 인접하는 상기 제2 나노선들 사이의 제2 간격에 따라 반사 금속층(840)의 상기 개구들의 크기가 조절될 수 있다. 예를 들어, 상기 개구들의 형상이 변화될 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 상기 제1 간격이 상기 제2 간격과 실질적으로 동일한 경우, 상기 개구는 실질적으로 정사각형의 평면 형상을 가질 수 있다. 반사 금속층(840)의 제1 면으로부터 외부에서 기판(810)을 통해 입사되는 광이 반사될 수 있고, 화소 영역(I)에 배치되는 반사 금속층(840)의 상기 개구들을 통해 유기 발광 표시 장치의 발광층으로부터 발생되는 광이 통과될 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 반사 금속층(840)이 상기 메쉬 구조를 포함할 경우, 상기 나노-임프린팅 공정을 통해 수득되는 반사 금속층(840)의 탄성을 증가시킬 수 있다. 또한, 반사 금속층(840)에 포함된 격자들의 크기가 실질적으로 나노 크기로 형성되기 때문에 상기 유기 발광 표시 장치의 전면을 통해 사용자가 반사 금속층(840)의 격자들을 실질적으로 인지할 수 없게 되어, 나노 크기의 격자들을 갖는 반사 금속층(840)을 구비하는 상기 유기 발광 표시 장치의 영상의 시인성이 개선될 수 있다.
기판(810) 및 반사 금속층(840) 상에 베이스층(820)이 형성될 수 있다. 예를 들어, 베이스층(820)은 투명한 무기 물질 또는 투명한 유기 물질을 사용하여 형성될 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 베이스층(820)은 반사 금속층(840)의 상기 개구들을 실질적으로 채우면서 반사 금속층(840)의 제2 면을 노출시킬 수 있다. 다른 예시적인 실시예들에 따르면, 베이스층(120)은 반사 금속층(840)의 상기 개구들을 채우면서 반사금속층(840)을 커버할 수 있다. 또 다른 예시적인 실시예들에 있어서, 기판(810) 상에 베이스층(820)을 형성하지 않을 수도 있다.
도 7c를 참조하면, 베이스층(820) 상에 버퍼층(830)이 배치될 수 있다. 버퍼층(830)은 화소 영역(I)으로부터 주변 영역(II)까지 형성할 수 있다. 예를 들어, 기판(810)이 연성을 갖는 투명 수지를 사용하여 형성될 수 있고, 버퍼층(830)은 실리콘 질화물, 실리콘 산화물 등을 사용하여 형성될 수 있다. 버퍼층(830)이 실리콘 산화물로 형성되는 경우, 발광층으로부터 방출된 광은 버퍼층(830)을 통과할 수 있다.
제1 및 제2 액티브 패턴들(850, 860)은 서로 소정의 간격으로 이격되어 버퍼층(830)의 주변 영역(II) 상에 형성될 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 제1 및 제2 액티브 패턴들(850, 860)은 각기 산화물 반도체, 무기물 반도체 또는 유기물 반도체 등을 사용하여 동시에 형성될 수 있다. 형성될 수 있다.
제1 절연층(870)은 버퍼층(830) 상에 형성될 수 있고, 제1 절연층(870)은 제1 및 제2 액티브 패턴들(850, 860)을 커버하며, 화소 영역(II)까지 연장될 수 있다. 예를 들어, 제1 절연층(870)은 실리콘 화합물, 금속 산화물 등을 사용하여 형성될 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 제1 절연층(870)과 버퍼층(830)이 실질적으로 동일한 물질로 형성되는 경우, 화소 영역(I)에서 제1 절연층(870)과 버퍼층(830)은 동일한 굴절률을 갖게 되고, 화소 영역(I)에서 광 투과율이 향상될 수 있다.
제1 게이트 전극(880)은 제1 절연층(870) 중에서 하부에 제1 액티브 패턴(850)이 위치하는 부분 상에 형성될 수 있고, 제2 게이트 전극(890)은 제1 절연층(870) 중에서 하부에 제2 액티브 패턴(860)이 위치하는 부분 상에 형성될 수 있으며, 제1 커패시터 전극(900)은 제1 절연층(870) 상에서 제1 게이트 전극(880)과 소정의 간격으로 이격되어 형성될 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 제1 게이트 전극(880), 제2 게이트 전극(890) 및 제1 커패시터 전극(900)은 각기 금속, 합금, 금속 질화물, 도전성 금속 산화물, 투명 도전성 물질 등을 사용하여 동시에 형성될 수 있다.
도 7d를 참조하면, 제2 절연층(910)은 제1 절연층(870) 상에 형성될 수 있고, 제1 커패시터 전극(900), 제1 게이트 전극(880) 및 제2 게이트 전극(890)을 커버하며, 화소 영역(I)까지 연장될 수 있다. 예를 들어, 제2 절연층(910)은 실리콘 화합물, 금속 산화물 등을 사용하여 형성될 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 제2 절연층(910), 버퍼층(830) 및 제1 절연층(870)이 실질적으로 동일한 물질로 형성되는 경우, 화소 영역(I)에서 제2 절연층(910), 버퍼층(830) 및 제1 절연층(870)이 동일한 굴절률을 갖게 되고, 화소 영역(I)에서 광 투과율이 향상될 수 있다.
제2 커패시터 전극(930)은 제2 절연층(910) 중에서 하부에 제1 커패시터 전극(900)이 위치하는 부분 상에 형성됨으로써, 제1 커패시터 전극(900) 및 제2 커패시터 전극(930)을 포함하는 스토리지 커패시터(940)가 구성될 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 제2 커패시터 전극(930)은 제1 게이트 전극(880), 제2 게이트 전극(890) 및 제1 커패시터 전극(900)과 실질적으로 동일한 물질을 사용하여 형성될 수 있다.
도 7e를 참조하면, 평탄화층(950)은 제2 절연층(910) 상에 실리콘 화합물, 금속 산화물 등을 사용하여 형성될 수 있고, 제2 커패시터 전극(930)을 커버하며, 화소 영역(I)까지 연장될 수 있다. 그 다음, 평탄화층(950)의 주변 영역(II)에서 제1 내지 제5 콘택 홀들이 형성될 수 있다. 상기 제1 콘택 홀은 제2 커패시터 전극(930)의 제1 부분을 노출시킬 수 있고, 상기 제2 및 제3 콘택 홀들은 제1 액티브 패턴(850)의 제2 및 제3 부분들을 노출시킬 수 있으며, 상기 제4 및 제5 콘택 홀들은 제2 액티브 패턴(860)의 제4 및 제5 부분들을 노출시킬 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 평탄화층(950)이 제2 절연층(910), 버퍼층(830) 및 제1 절연층(870)과 실질적으로 동일한 물질로 형성되는 경우, 화소 영역(I)에서 평탄화층(950), 제2 절연층(910), 버퍼층(830) 및 제1 절연층(870)이 동일한 굴절률을 갖게 되고, 화소 영역(I)에서 상기 유기 발광 표시 장치가 배면 발광 방식을 가지는 경우, 광 투과율이 향상될 수 있다.
도 7f를 참조하면, 평탄화층(950)의 주변 영역(II) 상에 전원 전극(980), 구동 트랜지스터(1020)의 제1 소스 전극, 구동 트랜지스터(1020)의 제1 드레인 전극(990), 스위칭 트랜지스터(340)의 제1 소스 전극(1000) 및 스위칭 트랜지스터(1040)의 제2 드레인 전극(1010)이 형성될 수 있다. 예를 들어, 전원 전극(980)의 형성 과정에 있어서, 전원 전극(980)은 상기 제1 콘택 홀을 채우고 상기 제1 콘택 홀 내로 연장되어 배치된 제2 커패시터 전극(930)의 상기 제1 부분과 접속될 수 있다. 동시에, 전원 전극(980)이 상기 제2 콘택 홀을 채우고 상기 제2 콘택 홀 내로 연장되어 배치된 제1 액티브 패턴(850)의 상기 제2 부분과 접속될 수 있다. 여기서, 구동 트랜지스터(1020) 상기 제1 소스 전극이 형성될 수 있다. 유사하게, 구동 트랜지스터(1020) 제1 드레인 전극(990)의 형성 과정에서, 구동 트랜지스터(1020)의 제1 드레인 전극(990)은 상기 제3 콘택 홀을 채우고 상기 제3 콘택 홀 내로 연장되어 배치된 제1 액티브 패턴(850)의 상기 제3 부분과 접속될 수 있다. 이와 같이, 구동 트랜지스터(1020)의 상기 제1 소스 전극, 구동 트랜지스터(1020)의 제1 드레인 전극(990), 제1 게이트 전극(880) 및 제1 액티브 패턴(850)을 포함하는 구동 트랜지스터(1020)가 구성될 수 있다.
스위칭 트랜지스터(1040)의 제2 소스 전극(1000)의 형성 과정에 있어서, 스위칭 트랜지스터(1040)의 제2 소스 전극(1000)은 상기 제4 콘택 홀을 채우고 상기 제4 콘택 홀 내로 연장되어 배치된 제2 액티브 패턴(860)의 상기 제4 부분과 접속될 수 있다. 스위칭 트랜지스터(1040)의 제2 드레인 전극(1010)의 형성 과정에 있어서, 스위칭 트랜지스터(1040)의 제2 드레인 전극(1010)은 상기 제5 콘택 홀을 채우고 상기 제5 콘택 홀 내로 연장되어 배치된 제2 액티브 패턴(860)의 상기 제5 부분과 접속될 수 있다. 이와 같이, 스위칭 트랜지스터(1040)의 제2 소스 전극(1000), 스위칭 트랜지스터(1040)의 제2 드레인 전극(1010), 제2 게이트 전극(890) 및 제2 액티브 패턴(860)을 포함하는 스위칭 트랜지스터(1040)가 구성될 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 전원 전극(980), 구동 트랜지스터(1020)의 상기 제1 소스 전극, 구동 트랜지스터(1020)의 제1 드레인 전극(990), 스위칭 트랜지스터(1040)의 제2 소스 전극(1000) 및 스위칭 트랜지스터(1040)의 제2 드레인 전극(1010)은 각기 금속, 합금, 금속 질화물, 도전성 금속 산화물, 투명 도전성 물질 등을 사용하여 동시에 형성될 수 있다.
도 7g를 참조하면, 제3 절연층(1030)이 평탄화층(950) 상에 전원 전극(980), 구동 트랜지스터(1020)의 상기 제1 소스 전극, 구동 트랜지스터(1020)의 제1 드레인 전극(990), 스위칭 트랜지스터(1040)의 제1 소스 전극(1000) 및 스위칭 트랜지스터(1040)의 제2 드레인 전극(1010)을 커버하며 전체적으로 형성된 후, 제3 절연층(1030)은 제1 개구(1080) 및 제2 개구(1150)를 형성할 수 있다. 제3 절연층(1030)의 제1 개구(1080)는 화소 영역(I)에 배치될 수 있고, 제3 절연층(1030)의 제2 개구(1150)는 주변 영역(II)에 배치될 수 있다. 제3 절연층(1030)은 무기 물질 또는 유기 물질을 사용하여 형성될 수 있다.
도 7h를 참조하면, 제3 절연층(1030)의 제1 개구(1080)를 통해 제1 전극(1050)의 일부가 평탄화층(950) 상에 형성될 수 있고, 제1 개구(1080)의 내부에 형성된 제1 전극(1050)은 주변 영역(II)으로 연장되며, 전원 전극(980)의 일부와 제2 개구(1150)를 통해 접속될 수 있다. 제1 전극(1050)은 금속, 합금, 금속 질화물, 도전성 금속 산화물, 투명 도전성 물질 등을 사용하여 형성될 수 있다.
도 7i를 참조하면, 발광층(1090)은 제1 전극(1050) 상에 형성될 수 있다. 발광층(1090)은 상이한 색광들(즉, 적색광, 녹색광, 청색광 등)을 방출시킬 수 있는 발광 물질들을 사용하여 형성될 수 있다. 선택적으로는, 발광층(1090)은 적색광, 녹색광, 청색광 등과 같은 상이한 색광들을 발생시킬 수 있는 발광 물질들이 적층되어 백색광을 발광할 수도 있다.
화소 정의막(1070)은 발광층(1090)의 일부, 제1 전극(1050)의 일부, 제3 절연층(1030)의 일부 상에 형성될 수 있다. 화소 영역(I)에서 제1 전극(1050)과 제2 전극(1110) 사이에 형성된 화소 정의막(1070)은 제1 전극(1050)과 제2 전극(1110)을 전기적으로 절연시키는 역할을 할 수 있다. 화소 정의막(1070)은 유기 물질 또는 무기 물질을 사용하여 형성될 수 있다. 선택적으로, 화소 정의막(1070)과 제3 절연층(1030)은 실질적으로 동일한 물질로 구성될 수 있다.
제2 전극(1110)은 화소 정의막(1070) 및 발광층(1090) 상에 형성될 수 있다. 예를 들어, 제2 전극(1110)이 화소 정의막(1070) 및 발광층(1090)의 프로파일을 따라 실질적으로 균일한 두께로 형성될 수 있다. 즉, 제2 전극(1110)은 화소 영역(I) 및 주변 영역(II)에 전체적으로 형성될 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 제2 전극(1110)은 금속, 합금, 금속 질화물, 도전성 금속 산화물, 투명 도전성 물질 등을 사용하여 형성될 수 있다.
봉지층(1130)은 제2 전극(1110) 상에 형성될 수 있다. 예를 들어, 봉지층(1130)은 제2 전극(1110)의 프로파일을 따라 형성될 수 있다. 봉지층(1130)은 투명 무기 물질 또는 플렉서블 플라스틱을 사용하여 형성될 수 있다. 실시예들에 있어서, 봉지층(1130)은 적어도 하나의 유기층 및 적어도 하나의 무기층이 교대로 적층되어 형성될 수 있다.
상술한 바에서는, 본 발명의 예시적인 실시예들을 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 하기의 특허청구범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 것이다.
본 발명은 미러 유기 발광 표시 장치를 구비할 수 있는 다양한 디스플레이 기기들에 적용될 수 있다. 예를 들면, 본 발명은 사무실용, 화장실용, 공공장소용 및 차량용 정보 거울 장치들, 선박용 및 항공기용 디스플레이 장치들, 휴대용 통신 장치들, 전시용 또는 정보 전달용 디스플레이 장치들, 의료용 디스플레이 장치들 등과 같은 수많은 디스플레이 기기들에 적용 가능하다.
100, 500: 유기 발광 표시 장치 110, 510, 810: 기판
120, 590, 820: 베이스층 130, 830: 버퍼층
140, 440, 570, 840: 반사 금속층 145, 445, 590: 개구
140a, 440a: 제1 나노선 140b, 440b: 제2 나노선
150, 850: 제1 액티브 패턴 160, 860: 제2 액티브 패턴
170, 870: 제1 절연층 180, 880: 제1 게이트 전극
190, 890: 제2 게이트 전극 200, 900: 제1 커패시터 전극
210, 910: 제2 절연층 230, 930: 제2 커패시터 전극
240, 940: 스토리지 커패시터 250, 950: 평탄화층
280, 980: 전원 전극 290, 990: 제1 드레인 전극
300, 1000: 제1 소스 전극 310, 1010: 제2 드레인 전극
320, 1020: 구동 트랜지스터 330, 1030: 제3 절연층
340, 1040: 스위칭 트랜지스터 350, 1050: 제1 전극
370, 1070: 화소 정의막 380, 1080: 제1 개구
390, 1090: 발광층 410, 1110: 제2 전극
430, 580, 1130: 봉지층 430, 1130: 제2 개구
530: 발광 구조물 550: 무기층
560: 유기층 630: 실런트
I: 화소 영역 II: 주변 영역

Claims (20)

  1. 화소 영역 및 주변 영역을 포함하는 기판;
    상기 기판 상부에 배치되는 발광 구조물;
    상기 기판과 상기 발광 구조물 사이에 배치되고, 복수의 나노선들 및 상기 복수의 나노선들 사이의 복수의 개구들을 구비하는 반사 금속층; 및
    상기 반사 금속층과 상기 발광 구조물 사이에 배치되는 버퍼층을 포함하는 유기 발광 표시 장치.
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 반사 금속층의 상기 나노선들은,
    각기 제1 두께 및 제1 폭을 가지고, 제1 방향을 따라 연장되며, 제1 간격으로 서로 이격되는 복수의 제1 나노선들을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치.
  3. 제 2 항에 있어서, 상기 반사 금속층의 상기 나노선들은,
    각기 제2 두께 및 제2 폭을 가지고, 상기 제1 방향에 직교하는 제2 방향을 따라 연장되며, 제2 간격으로 서로 이격되는 복수의 제2 나노선들을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치.
  4. 제 3 항에 있어서, 상기 제1 나노선들과 상기 제2 나노선들은 상기 기판 상의 동일한 층에서 서로 교차되는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치.
  5. 제 3 항에 있어서, 상기 제2 나노선들은 상기 제1 나노선들 상에 배치되는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치.
  6. 제 3 항에 있어서, 상기 제1 두께, 상기 제1 폭, 상기 제1 간격, 상기 제2 두께, 상기 제2 폭 및 상기 제2 간격에 따라 유기 발광 표시 장치의 반사율 및 투과율이 조절되는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치.
  7. 제 6 항에 있어서, 상기 제1 간격 및 상기 제2 간격에 따라 상기 개구들의 크기가 조절되는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치.
  8. 제 1 항에 있어서, 상기 반사 금속층은 메쉬 구조를 가지는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치.
  9. 제 1 항에 있어서, 상기 반사 금속층의 개구들은 각기 직사각형의 평면 형상 또는 정사각형의 평면 형상을 가지는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치.
  10. 삭제
  11. 제 1 항에 있어서, 상기 반사 금속층은 상기 기판과 접촉되는 제1 면 및 상기 제1 면에 대향하는 제2 면을 가지는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치.
  12. 제 11 항에 있어서, 상기 제1 면은 외부에서 상기 기판을 통해 입사된 광을 반사시키며, 상기 제2 면은 상기 버퍼층에 접촉되는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치.
  13. 제 12 항에 있어서, 상기 기판은 투명 물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치.
  14. 제 1 항에 있어서, 상기 발광 구조물은,
    상기 버퍼층 상에 배치되는 평탄화층;
    상기 화소 영역의 상기 평탄화층 상에 배치되고, 제1 방향으로 연장되는 제1 전극;
    상기 주변 영역의 상기 평탄화층 상에 배치되고, 상기 제1 방향과 다른 제2 방향으로 연장되며, 상기 제1 전극의 상기 주변 영역에서 접촉되는 전원 전극;
    상기 화소 영역의 상기 제1 전극 상에 배치되는 발광층;
    상기 발광층 상에 배치되는 제2 전극; 및
    상기 제2 전극 상에 배치되는 봉지층을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치.
  15. 제 14 항에 있어서, 상기 화소 영역의 상기 반사 금속층의 개구들을 통해 상기 발광층으로부터 발생되는 광이 방출되는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치.
  16. 제 15 항에 있어서,
    상기 주변 영역의 상기 버퍼층 상에 배치되는 적어도 하나의 반도체 소자; 및
    상기 주변 영역의 상기 버퍼층 상에 상기 적어도 하나의 반도체 소자와 이격되어 배치되는 커패시터를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치.
  17. 제 16 항에 있어서, 상기 적어도 하나의 반도체 소자는, 상기 버퍼층 상에 배치되는 제1 액티브 패턴, 상기 제1 액티브 패턴 상에 배치되는 제1 절연층, 상기 제1 절연층 상에 배치되는 제1 게이트 전극, 상기 제1 액티브 패턴의 일측에 접속되는 상기 전원 전극 그리고 상기 제1 액티브 패턴의 타측에 접속되는 제1 드레인 전극을 포함하는 제1 반도체 소자를 구비하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치.
  18. 제 17 항에 있어서, 상기 커패시터는, 상기 제1 절연층 상에 배치되는 제1 커패시터 전극, 상기 전원 전극의 연장되는 부분에 접속되고 상기 제1 커패시터 전극 상에 배치되는 제2 커패시터 전극, 그리고 상기 제1 커패시터 전극과 상기 제2 커패시터 전극 사이에 배치되는 제2 절연층을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치.
  19. 제 18 항에 있어서, 상기 적어도 하나의 반도체 소자는, 상기 버퍼층 상에 배치되는 제2 액티브 패턴, 상기 제2 액티브 패턴 상에 배치되는 상기 제1 절연층, 상기 제1 절연층 상에 배치되는 제2 게이트 전극, 그리고 상기 제2 액티브 패턴에 각기 접속되는 제2 소스 및 드레인 전극들을 포함하는 제2 반도체 소자를 구비하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치.
  20. 제 19 항에 있어서, 상기 버퍼층, 상기 제1 절연층, 상기 제2 절연층, 상기 평탄화층은 투명 물질을 포함하고, 상기 유기 발광 표시 장치는 배면 발광 방식을 가지는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치.
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