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JPH0926603A - 表示装置 - Google Patents

表示装置

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Publication number
JPH0926603A
JPH0926603A JP5850096A JP5850096A JPH0926603A JP H0926603 A JPH0926603 A JP H0926603A JP 5850096 A JP5850096 A JP 5850096A JP 5850096 A JP5850096 A JP 5850096A JP H0926603 A JPH0926603 A JP H0926603A
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JP
Japan
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electrode
light
pixel electrode
pixel
shielding
Prior art date
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Withdrawn
Application number
JP5850096A
Other languages
English (en)
Inventor
Kouyuu Chiyou
宏勇 張
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd
Original Assignee
Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd filed Critical Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd
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Priority to US08/646,512 priority patent/US5777701A/en
Priority to KR1019960014941A priority patent/KR100333156B1/ko
Publication of JPH0926603A publication Critical patent/JPH0926603A/ja
Priority to US09/062,874 priority patent/US6219118B1/en
Priority to KR1019990006628A priority patent/KR100351398B1/ko
Priority to US09/816,492 priority patent/US7190420B2/en
Priority to US11/002,659 priority patent/US7110059B2/en
Priority to US11/684,980 priority patent/US7683978B2/en
Withdrawn legal-status Critical Current

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Abstract

(57)【要約】 【目的】 アクティブマトリクス型の液晶表示装置にお
いて、画素に配置される補助容量を開口率の低下を招か
ずに得る。 【構成】 ＩＴＯでなる画素電極１１８の周辺部を覆う
ように、ブラックマトリクスを兼ねた金属電極１１６を
配置する。ここで金属電極１１６は、画素の周辺部を覆
うブラックマトリクスと機能する。また同時に、画素電
極１１８と金属電極１１６とが重なった領域が補助容量
として機能する。この補助容量は、薄い絶縁膜１１７を
介して構成されるので、容量を大きなものとすることが
できる。また、補助容量とブラックマトリクスとを兼ね
た構成とすることで、補助容量用の電極を特別に設ける
必要がなく、開口率を低下を招くことがない。また、ブ
ラックマトリクスによってソース線１１３やゲイト線１
１０を完全に遮光することができる。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本明細書で開示する発明は、アク
ティブマトリクス型の液晶表示装置の画素領域の構成に
関する。さらにいうならば、画素電極と並列に接続され
る補助容量とブラックマトリクス（ＢＭ）の構成に関す
る。
【０００２】また広くブラックマトリクスを必要とする
フラットパネルディスプテイの画素領域の構成に関す
る。
【０００３】
【従来の技術】アクティブマトリクス型の液晶表示装置
が知られている。これは、マトリクス状に多数設けられ
た画素電極のそれぞに薄膜トランジスタを少なくとも一
つ接続し、画素電極に出入りする電荷をこの薄膜トラン
ジスタでもって制御するものである。
【０００４】画素電極は液晶を挟んで対向する電極との
間で容量（キャパシタ）を形成している。薄膜トランジ
スタは、この容量に電荷の出入りを制御するスイッチン
グ素子として機能する。
【０００５】しかし、実際の動作においては、この画素
電極部分で構成れる容量では、値が小さすぎ、補助の容
量を設ける必要がある。
【０００６】しかしながら、容量を構成するための電極
を金属材料等の導電材料で構成した場合、画素内に光を
遮蔽する部分が存在することとなるので、開口率が低下
してしまう。
【０００７】一方で画素電極の周囲には、ブラックマト
リクスという光を遮蔽する部材が必要とされる。
【０００８】一般に、格子状に配置されたソース配線
（薄膜トランジスタのソース領域に電流を供給するため
の配線）とゲイト配線（（薄膜トランジスタのゲイト電
極の信号電位を与えるために配線）が形成されている領
域においては、その上部が盛り上がってしまう。
【０００９】この結果、この部分における配向膜に対す
るラビング処理が上手くいかず、その部分での液晶分子
の配向性が乱れてしまう。そしてこのことにより、画素
の周辺部において、光が漏れたり、逆に光が所定量で透
過しなかったりする現象が現れてしまう。また、この部
分において液晶に所定の電気光学的な動作を行わすこと
ができなくなってしまう。
【００１０】上記の現象が生じると、画素周辺の表示が
ぼやけたようになり、全体としての画像の鮮明さが失わ
れてしまう。
【００１１】この問題を解決するための構成として、画
素電極の縁の部分を覆うように遮光膜を配置する構成が
ある。この遮光膜はブラックマトリクス（ＢＭ）と称さ
れている。
【００１２】このようなブラックマトリクスを配置する
構成としては、US.Patent 5,339,181 号公報に記載され
た構成が公知である。この公報に記載されている技術
は、そのFig.2Cに示されているように、画素電極の縁に
重ねるようにゲイト線から延在したブラックマトリクス
を配置したものである。またこのブラックマトリクスと
画素電極の重なり部分で補助容量が形成されるように工
夫されている。
【００１３】しかし、上記公報に記載されている技術に
は以下の２つの問題がある。第１にブラックマトリクス
がゲイト線から延在した構成となっているために完全な
遮光を行うことができないという問題がある。
【００１４】これは、クロストークの関係からソース線
とブラックマトリクスとを重ねることができないからで
ある。従って、その部分で光が漏れてしまうことを許容
しなければならない。
【００１５】第２の問題として、ゲイト線と同一層にブ
ラックマトリクスが配置されることになるので、当然の
ことながらゲイト線自身の遮光を行うことができない。
また、前述のクロストークの関係からソース線の遮光を
行うこともできない。
【００１６】近年デジタル機器の発達にともない、低周
波からマイクロ波に至るまでの電磁波の影響が問題とな
っている。即ち、液晶電気光学装置が使用される環境に
おいいては、上記の電磁波の影響が懸念される。
【００１７】従って、液晶電位光学装置もこのような電
磁波の影響を受けにくいものとする必要がある。
【００１８】このことを考慮すると、上記のUS.Patent
5,339,181 号公報に記載された構成のような画像信号が
伝達されるソース線やゲイト線が外部からの電磁波に曝
されてしまうような構成は好ましくない。これは、ソー
ス線やゲイト線がアンテナとして機能してしまうことが
懸念されるからである。
【００１９】
【発明が解決しようとする課題】本明細書で開示する発
明は、アクティブマトリクス型の液晶表示装置の画素の
構成において、ブラックマトリクスによる効果的な遮光
を得る構成を提供することを課題とする。
【００２０】また、装置全体を外部からの電磁波の影響
から守る構成を提供することを課題とする。
【００２１】また、開口率の低下を招かずに、必要とす
る容量の補助容量を形成することを課題とする。
【００２２】
【課題を解決するための手段】本明細書で開示する発明
の一つは、図１及び図２のその具体的な構成を示すよう
に、格子状に配置されたソース配線１１３とゲイト配線
１１０とを有し、前記ソース配線またはゲイト配線によ
って囲まれた領域には、少なくも一つの画素電極１１８
が配置され、前記ソース配線１１３およびゲイト配線１
１０を覆って可視光を遮蔽する電極１１６が配置され、
前記画素電極１１８の周辺部は前記可視光を遮蔽する電
極１１８と重なっており、該重なった領域（１１９や１
２０で示される）が補助容量として機能することを特徴
とする。
【００２３】上記の構成においては、画素電極１１８と
薄膜トランジスタ１０３のドレイン領域以外を全て入射
光から遮光することができる。特に、ソース線やゲイト
線を完全に外部からシールドすることができる。このよ
うにすることにより、外部からソース線やゲイト線に電
磁波が飛び込み、装置の誤動作や動作不良が生じてしま
うことを防ぐことができる。
【００２４】また開口率の低下の招かずに補助容量を形
成することができる。また画素電極以外に対して完全な
る遮光を行うことができる。
【００２５】上記構成において、画素電極はＩＴＯ等の
透明導電膜で構成される。基本的な構成においては、画
素電極は各画素に一つであるが、一つの画素において、
画素電極を複数に分割する構成もある。
【００２６】画素電極の周囲の縁の部分と重なる形で配
置されるブラックマトリクス１１６は、チタンやクロム
で構成される。このブラックマトリクスは、遮光膜とし
機能するのみならず、補助容量を構成する一方の電極と
しても機能する。
【００２７】この金属電極１１６は、極力画素電極の周
辺部全てにおいて重なるようにすることが好ましい。即
ち、金属電極１１６と画素電極１１８との重なりは、画
素電極１１８の周辺部の大部分において実現されること
が好ましい。
【００２８】他の発明の構成は、例えば図１及ぶ図２の
例示するように、格子状に配置されたソース配線１１３
とゲイト配線１１０とを有し、前記ソース配線１１３ま
たはゲイト配線１１０によって囲まれた領域には、少な
くも一つの画素電極１１８が配置され、画素電極の周辺
部に重ねて光を遮蔽する電極１１６が配置され、前記画
素電極１１８と前記光を遮蔽する電極１１６とは、絶縁
膜１１７を介して容量を構成しており、前記光を遮光す
る電極１１６と前記ソース線１１３及びゲイト線１１０
とは異なる層に配置されていることを特徴とする。
【００２９】他の発明の構成は、例えば図１及ぶ図２の
例示するように、入射光側（図１の上方）から順に、画
素電極１１８、遮光電極１１６、ソース配線１１３、ゲ
イト配線１１０、と配置されており、前記画素電極と遮
光電極との間で容量（１１９や１２０で示される）が形
成されていることを特徴とする。
【００３０】上記の構成は、最も入射光側に画素電極を
配置し、次に遮光電極１１６（ブラックマトリクス）を
配置することにより、その下層に配置されるソース線や
ゲイト線、さらに薄膜トランジスタ（ドレイン領域以外
の）を完全に遮光することができる。
【００３１】この構成は、遮光のみならず、外部からの
電磁波による影響を排除する意味でも非常に有用なもの
となる。
【００３２】また開口率の低下を招かずに１１９や１２
０で示される容量を形成することができる。
【００３３】
【実施例】図１及び図２に本明細書で開示する発明を利
用したアクティブマトリクス型の液晶表示装置の構成を
示す。
【００３４】図２のＡ−Ａ’で切った断面が図１であ
る。図１及び図２においては、アクティブマトリクス型
の液晶表示装置の画素領域（画素領域は多数の画素から
構成されている）を構成する一つの画素の状態が示され
ている。
【００３５】また、図１及び図２に示されているのは、
薄膜トランジスタが配置された基板側の構成のみを示
す。実際には、対向する基板も存在する。そしてその基
板と図１に示す基板との間に液晶が数μｍの間隔を有し
て保持されることになる。
【００３６】図１及び図２において、薄膜トランジスタ
は１０３で示される部分に形成されている。図１及び図
２において、１０１はガラス基板である。ガラス基板の
他には石英基板が利用される。１０２は下地膜を構成す
る酸化珪素膜である。１０４、１０７、１０５、１０
８、１０６、で構成されるのが薄膜トランジスタの活性
層である。この活性層は、非晶質珪素膜を加熱またはレ
ーザー光の照射によって、結晶化させた結晶性珪素膜で
構成されている。
【００３７】この活性層の中で、１０４がソース領域で
あり、１０７と１０８がオフセットゲイト領域であり、
１０５がチャネル形成領域であり、１０６がドレイン領
域である。
【００３８】１０９は、ゲイト絶縁膜として機能する酸
化珪素膜である。１１０はアルミニウムを主成分とする
ゲイト配線から延在したゲイト電極である。図では、ゲ
イト電極もゲイト配線も１１０で示される。
【００３９】１１１は、アルミニウムを陽極とした陽極
酸化を行うことにより形成される陽極酸化膜である。
【００４０】１１２は、酸化珪素膜でなる第１の層間絶
縁膜である。１１３はソース線から延在したソース領域
１０４からの引き出し電極である。図では、ソース電極
もソース線も１１３で示される。
【００４１】また、１１５は、ドレイン領域１０６から
の引き出し電極であり、画素電極となるＩＴＯ電極１１
８に接続されている。また、１１４は第２の層間絶縁膜
であり、１１７は第３の層間絶縁膜である。
【００４２】また、１１６がブラックマトリクスを兼ね
るチタン電極である。チタン以外には、クロム等が利用
される。このチタン電極１１６は、ブラックマトリクス
として機能するように画素電極１１８の周辺部に重なる
ように配置されている。
【００４３】そしてこのチタン電極１１６と画素電極１
１８とが重なった領域が補助容量となる。即ち、１１
９、１２０で示される部分において、第３の層間絶縁膜
１１７を介して、画素電極１１８とチタン電極１１６と
の間に容量が形成される。この容量は、絶縁膜１１７を
薄いものとすることができるので、大きな容量とするこ
とができる。
【００４４】このチタン電極１１６は、ゲイト線１１０
やソース線１１３をも遮光するもので、強光の照射によ
る電荷の発生や蓄積を防ぐことができる。またこのチタ
ン電極は、外部からの電磁波に対するシールドとしても
機能する。即ち、ゲイト線１１０やソース線１１３がア
ンテナとなることによる不要な信号の侵入を防ぐ機能も
有する。
【００４５】また、チタン電極１１６は、薄膜トランジ
スタ１０３をも覆うように配置されている。これは、薄
膜トランジスタに光が照射されることによって、その動
作に影響が出ることを防ぐためである。
【００４６】ここでは、絶縁膜１１７単層にした構成を
示した。しかし、絶縁膜１１７を多層構造にしてもよ
い。
【００４７】
【発明の効果】画素電極の周辺部を覆うブラックマトリ
クスと画素電極とを絶縁膜を介して一部重ねることによ
り、その部分を補助容量として構成することができる。
こうすることで、画素の開口率を低下させることがない
ものとすることができる。また、絶縁膜を薄くすること
ができるので、その容量値を大きなものとすることがで
きる。
【００４８】即ち、ブラックマトリクスによる効果的な
遮光を得る構成を提供できる。
【００４９】また、装置全体を外部からの電磁波の影響
から守る構成を提供できる。
【００５０】本明細書に開示する発明は、アクティブマ
トリクス型の液晶電気光学装置のみではなく、画素電極
とその周辺を覆うブラックマトリクスと、薄膜トランジ
スタに接続さえる補助容量とが必要とされるフラットパ
ネルディスプレイに利用することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】 アクティブマトリクス型の液晶表示装置の画
素領域の状態を示す。
【図２】 アクティブマトリクス型の液晶表示装置の画
素領域を上面から見た様子を示す。
【符号の説明】
１０１ ガラス基板 １０２ 下地膜（酸化珪素膜） １０３ 薄膜トランジスタ １０４ ソース領域 １０５ チャネル形成領域 １０６ ドレイン領域 １０７、１０８ オフセットゲイト領域 １０９ ゲイト絶縁膜 １１０ ゲイト電極（ゲイト線） １１１ 陽極酸化膜 １１２ 第１の層間絶縁膜 １１３ ソース電極（ソース線） １１４ 第２の層間絶縁膜 １１５ ドレイン電極 １１６ ブラックマトリクスを構成するチタン
電極（容量を構成する電極） １１７ 第３の層間絶縁膜 １１８ 画素電極（ＩＴＯ電極） １１９、１２０ 補助容量が形成される部分

Claims (6)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】格子状に配置されたソース配線とゲイト配
    線とを有し、 前記ソース配線またはゲイト配線によって囲まれた領域
    には、少なくも一つの画素電極が配置され、 前記ソース配線およびゲイト配線を覆って可視光を遮蔽
    する電極が配置され、 前記画素電極の周辺部は前記可視光を遮蔽する電極と重
    なっており、 該重なった領域が補助容量として機能することを特徴と
    する表示装置。
  2. 【請求項２】格子状に配置されたソース配線とゲイト配
    線とを有し、 前記ソース配線またはゲイト配線によって囲まれた領域
    には、少なくも一つの画素電極が配置され、 画素電極の周辺部に重ねて光を遮蔽する電極が配置さ
    れ、 前記画素電極と前記光を遮蔽する電極とは、絶縁膜を介
    して容量を構成しており、 前記光を遮光する電極と前記ソース線及びゲイト線とは
    異なる層に配置されていることを特徴とする表示装置。
  3. 【請求項３】請求項１または請求項２において、画素電
    極と光を遮蔽する電極とは同一基板上に形成されている
    ことを特徴とする表示装置。
  4. 【請求項４】入射光側から順に画素電極、 遮光電極、 ソース配線、 ゲイト配線、 と配置されており、 前記画素電極と遮光電極との間で容量が形成されている
    ことを特徴とする表示装置。
  5. 【請求項５】請求項４において、遮光電極は画素電極の
    縁の部分と重なって配置されていることを特徴とする表
    示装置。
  6. 【請求項６】請求項４において、遮光電極によってソー
    ス配線とゲイト配線とは入射光から遮光されていること
    を特徴とする表示装置。
JP5850096A 1995-05-08 1996-02-21 表示装置 Withdrawn JPH0926603A (ja)

Priority Applications (8)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP5850096A JPH0926603A (ja) 1995-05-08 1996-02-21 表示装置
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US09/062,874 US6219118B1 (en) 1995-05-08 1998-04-20 LCD with shield film formed at overlapping portion of bus lines and pixel electrode
KR1019990006628A KR100351398B1 (ko) 1995-05-08 1999-02-27 표시 장치
US09/816,492 US7190420B2 (en) 1995-05-08 2001-03-23 Display device
US11/002,659 US7110059B2 (en) 1995-05-08 2004-12-03 Display device
US11/684,980 US7683978B2 (en) 1995-05-08 2007-03-12 Display device

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US (5) US5777701A (ja)
JP (1) JPH0926603A (ja)
KR (2) KR100333156B1 (ja)

Cited By (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH1096963A (ja) * 1996-08-30 1998-04-14 Lg Electron Inc 液晶表示装置及びその製造方法
KR100508057B1 (ko) * 1997-11-19 2005-12-01 삼성전자주식회사 박막트랜지스터기판및박막트랜지스터액정표시장치제조방법
JP2006245031A (ja) * 2005-02-28 2006-09-14 Casio Comput Co Ltd 薄膜トランジスタパネル
KR100590739B1 (ko) * 1998-04-03 2006-10-04 삼성전자주식회사 액정 표시 장치 및 그 제조 방법
JP2007183681A (ja) * 2007-03-29 2007-07-19 Seiko Epson Corp Ｔｆｔアレイ基板、液晶パネル及び電子機器
JP2008020774A (ja) * 2006-07-14 2008-01-31 Seiko Epson Corp 電子装置及び表示装置
KR100825318B1 (ko) * 2002-06-26 2008-04-28 엘지디스플레이 주식회사 횡전계방식 액정 표시소자 및 그 제조방법
JP2008276108A (ja) * 2007-05-07 2008-11-13 Sony Corp 液晶表示装置
US7510917B2 (en) 1997-07-01 2009-03-31 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Active matrix display device and method of manufacturing the same
US7838886B2 (en) 2008-08-26 2010-11-23 Samsung Electronics Co., Ltd. Thin film transistor array panel
US7948571B2 (en) 1997-03-28 2011-05-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device having thin film transistor with particular drain electrode structure
JP2013190825A (ja) * 1999-07-06 2013-09-26 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置
US9053679B2 (en) 1997-09-03 2015-06-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor display device correcting system and correcting method of semiconductor display device
JP2016048686A (ja) * 1999-02-23 2016-04-07 株式会社半導体エネルギー研究所 Ｅｌ表示装置
US9405145B2 (en) 2013-09-05 2016-08-02 Samsung Display Co., Ltd. Thin film transistor array panel for a display and manufacturing method thereof
JP2016208043A (ja) * 1999-05-14 2016-12-08 株式会社半導体エネルギー研究所 液晶表示装置

Families Citing this family (115)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0926603A (ja) * 1995-05-08 1997-01-28 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 表示装置
JPH09105953A (ja) * 1995-10-12 1997-04-22 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 液晶表示装置
US6900855B1 (en) * 1995-10-12 2005-05-31 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device having resin black matrix over counter substrate
JP3597305B2 (ja) * 1996-03-05 2004-12-08 株式会社半導体エネルギー研究所 液晶表示装置およびその作製方法
JP3527009B2 (ja) * 1996-03-21 2004-05-17 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置およびその作製方法
JPH09281508A (ja) * 1996-04-12 1997-10-31 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 液晶表示装置およびその作製方法
JPH09311342A (ja) * 1996-05-16 1997-12-02 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 表示装置
JP3433779B2 (ja) * 1996-06-19 2003-08-04 シャープ株式会社 アクティブマトリクス基板およびその製造方法
US6288764B1 (en) * 1996-06-25 2001-09-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device or electronic device having liquid crystal display panel
JP3126661B2 (ja) * 1996-06-25 2001-01-22 株式会社半導体エネルギー研究所 液晶表示装置
JP3634089B2 (ja) * 1996-09-04 2005-03-30 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置
JPH10104663A (ja) 1996-09-27 1998-04-24 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 電気光学装置およびその作製方法
US6262438B1 (en) * 1996-11-04 2001-07-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Active matrix type display circuit and method of manufacturing the same
JP3454340B2 (ja) * 1996-11-22 2003-10-06 シャープ株式会社 液晶表示装置
US6088070A (en) 1997-01-17 2000-07-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Active matrix liquid crystal with capacitor between light blocking film and pixel connecting electrode
JP3856889B2 (ja) * 1997-02-06 2006-12-13 株式会社半導体エネルギー研究所 反射型表示装置および電子デバイス
US6927826B2 (en) * 1997-03-26 2005-08-09 Semiconductor Energy Labaratory Co., Ltd. Display device
JPH1152429A (ja) * 1997-06-05 1999-02-26 Seiko Epson Corp 液晶パネル用基板、液晶パネル及びそれを用いた電子機器
WO1998057222A1 (en) * 1997-06-10 1998-12-17 Lg. Philips Lcd Co., Ltd. Liquid crystal display with wide viewing angle and method for making it
US6618100B2 (en) * 1997-07-23 2003-09-09 Seiko Epson Corporation Liquid crystal device, liquid crystal device manufacturing method and electronic apparatus
US6023309A (en) * 1997-12-22 2000-02-08 Philips Electronics North America Corporation Reflective liquid crystal display having integral light shielding
US6556265B1 (en) * 1998-03-19 2003-04-29 Seiko Epson Corporation LCD having auxiliary capacitance lines and light shielding films electrically connected via contact holes
US6335776B1 (en) 1998-05-30 2002-01-01 Lg. Philips Lcd Co., Ltd. Multi-domain liquid crystal display device having an auxiliary electrode formed on the same layer as the pixel electrode
KR100357213B1 (ko) 1998-07-23 2002-10-18 엘지.필립스 엘시디 주식회사 멀티도메인 액정표시소자
WO2000008521A1 (en) * 1998-08-06 2000-02-17 Konovalov Victor A Liquid-cristal display and the method of its fabrication
JP2000075280A (ja) * 1998-08-28 2000-03-14 Sony Corp 液晶表示装置
US6654090B1 (en) 1998-09-18 2003-11-25 Lg. Philips Lcd Co., Ltd. Multi-domain liquid crystal display device and method of manufacturing thereof
US6525794B1 (en) 1998-10-19 2003-02-25 Lg. Philips Lcd Co., Ltd. Multi-domain liquid crystal display device having a dielectric frame controlling alignment of the liquid crystal molecules
KR100313949B1 (ko) 1998-11-11 2002-09-17 엘지.필립스 엘시디 주식회사 멀티도메인액정표시소자
US6900869B1 (en) 1998-11-25 2005-05-31 Lg. Philips Lcd Co., Ltd. Multi-domain liquid crystal display device with particular dielectric structures
US6809787B1 (en) 1998-12-11 2004-10-26 Lg.Philips Lcd Co., Ltd. Multi-domain liquid crystal display device
KR100301855B1 (ko) * 1998-12-11 2001-09-26 구본준, 론 위라하디락사 멀티도메인 액정표시소자
TW413949B (en) * 1998-12-12 2000-12-01 Samsung Electronics Co Ltd Thin film transistor array panels for liquid crystal displays and methods of manufacturing the same
JP4094759B2 (ja) * 1999-02-05 2008-06-04 株式会社日立製作所 液晶表示装置
KR100339332B1 (ko) 1999-02-08 2002-06-03 구본준, 론 위라하디락사 멀티도메인 액정표시소자
US6576924B1 (en) * 1999-02-12 2003-06-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device having at least a pixel unit and a driver circuit unit over a same substrate
US6791647B1 (en) 1999-02-24 2004-09-14 Lg Philips Lcd Co., Ltd. Multi-domain liquid crystal display device
KR100357216B1 (ko) 1999-03-09 2002-10-18 엘지.필립스 엘시디 주식회사 멀티도메인 액정표시소자
KR100330363B1 (ko) * 1999-03-18 2002-04-01 니시무로 타이죠 액티브 매트릭스형 액정표시장치
US6475836B1 (en) 1999-03-29 2002-11-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
US6861670B1 (en) * 1999-04-01 2005-03-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device having multi-layer wiring
KR100519366B1 (ko) 1999-04-03 2005-10-07 엘지.필립스 엘시디 주식회사 멀티도메인 액정표시소자
KR100308161B1 (ko) 1999-05-07 2001-09-26 구본준, 론 위라하디락사 멀티도메인 액정표시소자
KR100627107B1 (ko) 1999-07-31 2006-09-25 엘지.필립스 엘시디 주식회사 멀티 도메인 액정표시소자 및 그 제조방법
TW478014B (en) * 1999-08-31 2002-03-01 Semiconductor Energy Lab Semiconductor device and method of manufacturing thereof
JP3889533B2 (ja) * 1999-09-22 2007-03-07 シャープ株式会社 液晶表示装置及びその製造方法
JP4193339B2 (ja) * 1999-09-29 2008-12-10 セイコーエプソン株式会社 液晶装置及び投射型表示装置並びに液晶装置の製造方法
CN1195243C (zh) * 1999-09-30 2005-03-30 三星电子株式会社 用于液晶显示器的薄膜晶体管阵列屏板及其制造方法
US6639641B1 (en) 1999-11-25 2003-10-28 Lg.Philips Lcd Co., Ltd. Multi-domain liquid crystal display device
US6825488B2 (en) * 2000-01-26 2004-11-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
US6646692B2 (en) * 2000-01-26 2003-11-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid-crystal display device and method of fabricating the same
US7023021B2 (en) * 2000-02-22 2006-04-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method of manufacturing the same
US6407440B1 (en) 2000-02-25 2002-06-18 Micron Technology Inc. Pixel cell with high storage capacitance for a CMOS imager
TW521303B (en) * 2000-02-28 2003-02-21 Semiconductor Energy Lab Electronic device
JP3753613B2 (ja) * 2000-03-17 2006-03-08 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置及びそれを用いたプロジェクタ
US6789910B2 (en) 2000-04-12 2004-09-14 Semiconductor Energy Laboratory, Co., Ltd. Illumination apparatus
US6580475B2 (en) 2000-04-27 2003-06-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method of fabricating the same
US7804552B2 (en) * 2000-05-12 2010-09-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Electro-optical device with light shielding portion comprising laminated colored layers, electrical equipment having the same, portable telephone having the same
KR100367009B1 (ko) * 2000-05-19 2003-01-09 엘지.필립스 엘시디 주식회사 액정표시소자 및 그 제조방법
KR100595296B1 (ko) 2000-06-27 2006-07-03 엘지.필립스 엘시디 주식회사 멀티 도메인 액정표시소자 및 그 제조방법
KR100595295B1 (ko) * 2000-06-27 2006-07-03 엘지.필립스 엘시디 주식회사 멀티 도메인 액정표시장치 및 그 제조방법
US7072017B1 (en) 2000-06-29 2006-07-04 Lg. Philips Lcd Co., Ltd. Multi-domain liquid crystal display device having a common-auxiliary electrode and dielectric structures
US6734924B2 (en) 2000-09-08 2004-05-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device
US6509616B2 (en) 2000-09-29 2003-01-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and its manufacturing method
TW525216B (en) * 2000-12-11 2003-03-21 Semiconductor Energy Lab Semiconductor device, and manufacturing method thereof
SG111923A1 (en) 2000-12-21 2005-06-29 Semiconductor Energy Lab Light emitting device and method of manufacturing the same
JP2002258320A (ja) * 2001-02-28 2002-09-11 Nec Corp 液晶表示装置
KR100491143B1 (ko) 2001-12-26 2005-05-24 삼성에스디아이 주식회사 블랙매트릭스를 구비한 평판표시장치 및 그 제조방법
KR100746283B1 (ko) * 2002-01-25 2007-08-03 삼성전자주식회사 액정표시장치
KR100862240B1 (ko) * 2002-07-31 2008-10-09 엘지디스플레이 주식회사 반사형 액정표시장치와 그 제조방법
KR100675626B1 (ko) * 2002-08-22 2007-02-01 엘지.필립스 엘시디 주식회사 액정표시소자
JP4095518B2 (ja) * 2002-10-31 2008-06-04 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置及び電子機器
TWI283143B (en) * 2002-12-03 2007-06-21 Au Optronics Corp Structure and method for reducing the resistance of power line, suitable for use in a LED displayer
KR100460979B1 (ko) * 2002-12-31 2004-12-09 엘지.필립스 엘시디 주식회사 반사형 액정표시장치용 어레이기판과 그 제조방법
JP4317705B2 (ja) * 2003-04-24 2009-08-19 シャープ株式会社 液晶表示装置
TWI319622B (en) * 2003-10-01 2010-01-11 Samsung Electronics Co Ltd Thin film transistor array panel and liquid crystal display including the same
KR20050054264A (ko) * 2003-12-04 2005-06-10 삼성전자주식회사 박막 트랜지스터 표시판 및 그 제조 방법
KR100692685B1 (ko) * 2003-12-29 2007-03-14 비오이 하이디스 테크놀로지 주식회사 반사투과형 액정표시장치용 어레이 기판 및 그의 제조 방법
TWI245426B (en) * 2004-01-07 2005-12-11 Hannstar Display Corp Shielded-junction TFT structure
TWI231153B (en) * 2004-02-26 2005-04-11 Toppoly Optoelectronics Corp Organic electroluminescence display device and its fabrication method
TWI252445B (en) * 2004-03-03 2006-04-01 Toppoly Optoelectronics Corp Mirror-surface display
JP2005275102A (ja) * 2004-03-25 2005-10-06 Nec Lcd Technologies Ltd 半透過型液晶表示装置及びその製造方法
TWI247943B (en) * 2004-10-15 2006-01-21 Chunghwa Picture Tubes Ltd Multi-domain vertical alignment (MVA) liquid crystal panel, thin film transistor array substrate and pixel structure thereof
KR101112543B1 (ko) * 2004-11-04 2012-03-13 삼성전자주식회사 다중 도메인 박막 트랜지스터 표시판
KR20060073826A (ko) * 2004-12-24 2006-06-29 삼성전자주식회사 박막 트랜지스터 표시판
KR101133760B1 (ko) * 2005-01-17 2012-04-09 삼성전자주식회사 박막 트랜지스터 표시판 및 이를 포함하는 액정 표시 장치
US8305507B2 (en) * 2005-02-25 2012-11-06 Samsung Display Co., Ltd. Thin film transistor array panel having improved storage capacitance and manufacturing method thereof
KR20060101944A (ko) * 2005-03-22 2006-09-27 삼성전자주식회사 액정 표시 장치
KR101209051B1 (ko) * 2005-05-04 2012-12-06 삼성디스플레이 주식회사 박막 트랜지스터 표시판 및 그를 포함하는 액정 표시 장치
JP2006344849A (ja) * 2005-06-10 2006-12-21 Casio Comput Co Ltd 薄膜トランジスタ
TWI271867B (en) * 2005-06-20 2007-01-21 Au Optronics Corp Pixel structure and fabrication method thereof
KR20070000123A (ko) * 2005-06-27 2007-01-02 엘지.필립스 엘시디 주식회사 반사투과형 액정표시장치와 그 제조방법
KR20070002685A (ko) * 2005-06-30 2007-01-05 삼성전자주식회사 표시기판, 이의 제조 방법 및 표시기판을 갖는 표시장치
KR101189275B1 (ko) 2005-08-26 2012-10-09 삼성디스플레이 주식회사 박막 트랜지스터 표시판 및 그 제조 방법
KR20070080463A (ko) * 2006-02-07 2007-08-10 삼성전자주식회사 표시기판, 이를 갖는 표시패널 및 이의 제조방법
KR101230307B1 (ko) * 2006-02-17 2013-02-06 삼성디스플레이 주식회사 액정 표시 장치
KR101490477B1 (ko) * 2008-03-07 2015-02-05 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
KR101579487B1 (ko) * 2008-10-28 2015-12-23 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
JP5294883B2 (ja) * 2009-01-05 2013-09-18 株式会社ジャパンディスプレイウェスト 液晶表示装置および電子機器
US8456586B2 (en) 2009-06-11 2013-06-04 Apple Inc. Portable computer display structures
US8179490B2 (en) 2009-06-12 2012-05-15 Au Optronics Corporation Pixel designs of improving the aperture ratio in an LCD
US8471973B2 (en) * 2009-06-12 2013-06-25 Au Optronics Corporation Pixel designs of improving the aperture ratio in an LCD
US8743309B2 (en) 2009-11-10 2014-06-03 Apple Inc. Methods for fabricating display structures
CN102221761B (zh) * 2010-04-16 2014-04-02 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 硅基液晶器件及其制作方法
JP5978625B2 (ja) * 2011-06-07 2016-08-24 ソニー株式会社 放射線撮像装置、放射線撮像表示システムおよびトランジスタ
CN103137616B (zh) * 2011-11-25 2017-04-26 上海天马微电子有限公司 Tft阵列基板及其形成方法、显示面板
US20140063419A1 (en) * 2012-09-04 2014-03-06 Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co. Ltd. Display Panel and Liquid Crystal Display Device
KR102147520B1 (ko) 2013-07-29 2020-08-25 삼성디스플레이 주식회사 곡면표시장치
KR20150039404A (ko) * 2013-10-02 2015-04-10 삼성디스플레이 주식회사 박막 트랜지스터 표시판, 액정 표시 장치 및 박막 트랜지스터 표시판의 제조방법
KR102254619B1 (ko) * 2013-11-15 2021-05-24 삼성디스플레이 주식회사 표시 기판 및 그의 제조 방법
TWI534517B (zh) * 2014-01-17 2016-05-21 群創光電股份有限公司 液晶顯示面板
JP6597768B2 (ja) 2017-12-27 2019-10-30 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置および電子機器
US11522983B2 (en) 2019-12-03 2022-12-06 Apple Inc. Handheld electronic device
US11637919B2 (en) 2019-12-03 2023-04-25 Apple Inc. Handheld electronic device
US12003657B2 (en) 2021-03-02 2024-06-04 Apple Inc. Handheld electronic device

Family Cites Families (42)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3307150B2 (ja) * 1995-03-20 2002-07-24 ソニー株式会社 アクティブマトリクス型表示装置
JPS6045219A (ja) * 1983-08-23 1985-03-11 Toshiba Corp アクテイブマトリクス型表示装置
JPS60213062A (ja) * 1984-04-09 1985-10-25 Hosiden Electronics Co Ltd 薄膜トランジスタの製造方法
JPS6442635U (ja) 1987-09-08 1989-03-14
US5327001A (en) * 1987-09-09 1994-07-05 Casio Computer Co., Ltd. Thin film transistor array having single light shield layer over transistors and gate and drain lines
US5032883A (en) * 1987-09-09 1991-07-16 Casio Computer Co., Ltd. Thin film transistor and method of manufacturing the same
JPH01183628A (ja) * 1988-01-18 1989-07-21 Matsushita Electric Ind Co Ltd アクティブマトリックスアレイ
JP2693513B2 (ja) 1988-08-30 1997-12-24 株式会社東芝 アクティブマトリクス型液晶表示素子
US5051570A (en) * 1989-01-20 1991-09-24 Nec Corporation Liquid crystal light valve showing an improved display contrast
JP2870072B2 (ja) 1989-12-25 1999-03-10 カシオ計算機株式会社 液晶表示装置
JP2538086B2 (ja) * 1990-01-11 1996-09-25 松下電器産業株式会社 液晶表示デバイスおよびその製造方法
JP2622183B2 (ja) * 1990-04-05 1997-06-18 シャープ株式会社 アクティブマトリクス表示装置
US5162933A (en) * 1990-05-16 1992-11-10 Nippon Telegraph And Telephone Corporation Active matrix structure for liquid crystal display elements wherein each of the gate/data lines includes at least a molybdenum-base alloy layer containing 0.5 to 10 wt. % of chromium
JPH0451121A (ja) 1990-06-18 1992-02-19 Sharp Corp アクティブマトリクス液晶表示装置
JPH07113731B2 (ja) 1990-08-03 1995-12-06 カシオ計算機株式会社 液晶表示素子
JP2772405B2 (ja) * 1990-11-22 1998-07-02 株式会社日立製作所 液晶表示装置
KR960010723B1 (ko) * 1990-12-20 1996-08-07 가부시끼가이샤 한도오따이 에네루기 겐큐쇼 전기광학장치
JP3176661B2 (ja) * 1991-10-03 2001-06-18 セイコーインスツルメンツ株式会社 光書込型空間光変調器、およびその感度調整方法
JPH04318523A (ja) 1991-04-17 1992-11-10 Oki Electric Ind Co Ltd 薄膜トランジスタ型液晶表示装置
JPH04318513A (ja) 1991-04-17 1992-11-10 Oki Electric Ind Co Ltd 薄膜トランジスタ型液晶表示装置
KR940004322B1 (ko) * 1991-09-05 1994-05-19 삼성전자 주식회사 액정표시장치 및 그 제조방법
JPH05127195A (ja) 1991-11-08 1993-05-25 Toshiba Corp 液晶表示装置
US5317433A (en) * 1991-12-02 1994-05-31 Canon Kabushiki Kaisha Image display device with a transistor on one side of insulating layer and liquid crystal on the other side
JPH05181159A (ja) 1991-12-27 1993-07-23 Toshiba Corp アクティブマトリックス型液晶表示素子
US5459595A (en) * 1992-02-07 1995-10-17 Sharp Kabushiki Kaisha Active matrix liquid crystal display
JP2800956B2 (ja) 1992-03-10 1998-09-21 シャープ株式会社 アクティブマトリクス基板
NL194848C (nl) * 1992-06-01 2003-04-03 Samsung Electronics Co Ltd Vloeibaar-kristalindicatorinrichting.
JPH0611728A (ja) 1992-06-29 1994-01-21 Toshiba Corp 液晶表示装置およびその製造方法
US5459596A (en) * 1992-09-14 1995-10-17 Kabushiki Kaisha Toshiba Active matrix liquid crystal display with supplemental capacitor line which overlaps signal line
JP2924506B2 (ja) * 1992-10-27 1999-07-26 日本電気株式会社 アクティブマトリックス型液晶表示装置の画素構造
JP2950061B2 (ja) 1992-11-13 1999-09-20 日本電気株式会社 液晶表示素子
EP0603866B1 (en) * 1992-12-25 2002-07-24 Sony Corporation Active matrix substrate
JPH07248507A (ja) 1994-03-10 1995-09-26 Matsushita Electron Corp 液晶表示装置
JPH07302912A (ja) * 1994-04-29 1995-11-14 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置
JPH08122768A (ja) * 1994-10-19 1996-05-17 Sony Corp 表示装置
KR0169385B1 (ko) * 1995-03-10 1999-03-20 김광호 블랙 매트릭스 구조가 가능한 액정용 박막 트랜지스터 기판 및 그 제조방법
JPH0926603A (ja) * 1995-05-08 1997-01-28 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 表示装置
US5641974A (en) * 1995-06-06 1997-06-24 Ois Optical Imaging Systems, Inc. LCD with bus lines overlapped by pixel electrodes and photo-imageable insulating layer therebetween
JP3200552B2 (ja) * 1995-10-26 2001-08-20 株式会社日立製作所 アクティブマトリクス型液晶表示装置
KR0158260B1 (ko) * 1995-11-25 1998-12-15 구자홍 엑티브 매트릭스 액정표시장치의 매트릭스 어레이 및 제조방법
JP3433779B2 (ja) * 1996-06-19 2003-08-04 シャープ株式会社 アクティブマトリクス基板およびその製造方法
JP3813280B2 (ja) * 1997-01-08 2006-08-23 エルジー フィリップス エルシーディー カンパニー リミテッド 液晶表示装置および電子機器

Cited By (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH1096963A (ja) * 1996-08-30 1998-04-14 Lg Electron Inc 液晶表示装置及びその製造方法
US8248551B2 (en) 1997-03-28 2012-08-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device including capacitor line parallel to source line
US8531619B2 (en) 1997-03-28 2013-09-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Active matrix liquid crystal display device with overlapping conductive film and pixel electrode
US7948571B2 (en) 1997-03-28 2011-05-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device having thin film transistor with particular drain electrode structure
US7510917B2 (en) 1997-07-01 2009-03-31 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Active matrix display device and method of manufacturing the same
US9053679B2 (en) 1997-09-03 2015-06-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor display device correcting system and correcting method of semiconductor display device
KR100508057B1 (ko) * 1997-11-19 2005-12-01 삼성전자주식회사 박막트랜지스터기판및박막트랜지스터액정표시장치제조방법
KR100590739B1 (ko) * 1998-04-03 2006-10-04 삼성전자주식회사 액정 표시 장치 및 그 제조 방법
US9910334B2 (en) 1999-02-23 2018-03-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and fabrication method thereof
JP2016048686A (ja) * 1999-02-23 2016-04-07 株式会社半導体エネルギー研究所 Ｅｌ表示装置
JP2016208043A (ja) * 1999-05-14 2016-12-08 株式会社半導体エネルギー研究所 液晶表示装置
US9052551B2 (en) 1999-07-06 2015-06-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method of fabricating the same
JP2013190825A (ja) * 1999-07-06 2013-09-26 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置
US9069215B2 (en) 1999-07-06 2015-06-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method of fabricating the same
US9395584B2 (en) 1999-07-06 2016-07-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method of fabricating the same
KR100825318B1 (ko) * 2002-06-26 2008-04-28 엘지디스플레이 주식회사 횡전계방식 액정 표시소자 및 그 제조방법
JP2006245031A (ja) * 2005-02-28 2006-09-14 Casio Comput Co Ltd 薄膜トランジスタパネル
JP2008020774A (ja) * 2006-07-14 2008-01-31 Seiko Epson Corp 電子装置及び表示装置
JP2007183681A (ja) * 2007-03-29 2007-07-19 Seiko Epson Corp Ｔｆｔアレイ基板、液晶パネル及び電子機器
JP2008276108A (ja) * 2007-05-07 2008-11-13 Sony Corp 液晶表示装置
US8183570B2 (en) 2008-08-26 2012-05-22 Samsung Electronics Oc., Ltd. Thin film transistor array panel
US7838886B2 (en) 2008-08-26 2010-11-23 Samsung Electronics Co., Ltd. Thin film transistor array panel
US9405145B2 (en) 2013-09-05 2016-08-02 Samsung Display Co., Ltd. Thin film transistor array panel for a display and manufacturing method thereof

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