JP2000075280A - 液晶表示装置 - Google Patents
液晶表示装置Info
- Publication number
- JP2000075280A JP2000075280A JP10243502A JP24350298A JP2000075280A JP 2000075280 A JP2000075280 A JP 2000075280A JP 10243502 A JP10243502 A JP 10243502A JP 24350298 A JP24350298 A JP 24350298A JP 2000075280 A JP2000075280 A JP 2000075280A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- liquid crystal
- crystal display
- gate line
- display device
- line
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
- G02F1/1362—Active matrix addressed cells
- G02F1/136209—Light shielding layers, e.g. black matrix, incorporated in the active matrix substrate, e.g. structurally associated with the switching element
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
- H10D30/00—Field-effect transistors [FET]
- H10D30/60—Insulated-gate field-effect transistors [IGFET]
- H10D30/67—Thin-film transistors [TFT]
- H10D30/6704—Thin-film transistors [TFT] having supplementary regions or layers in the thin films or in the insulated bulk substrates for controlling properties of the device
- H10D30/6723—Thin-film transistors [TFT] having supplementary regions or layers in the thin films or in the insulated bulk substrates for controlling properties of the device having light shields
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Nonlinear Science (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Mathematical Physics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Liquid Crystal (AREA)
- Thin Film Transistor (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 遮光膜を持つ液晶表示装置において、ゲート
線遅延を回避することができる構造の液晶表示装置を提
供する。 【解決手段】 基板上に形成した薄膜トランジスタを備
える液晶表示装置において、基板側からの入射光を遮光
する遮光膜１を、画素トランジスタ２２，２４を遮光す
る部分以外については、付加容量線４下あるいはゲート
線３と付加容量線４との間のゲート線３を避けた位置に
配置して、ゲート線３との間の寄生容量を抑制する。
線遅延を回避することができる構造の液晶表示装置を提
供する。 【解決手段】 基板上に形成した薄膜トランジスタを備
える液晶表示装置において、基板側からの入射光を遮光
する遮光膜１を、画素トランジスタ２２，２４を遮光す
る部分以外については、付加容量線４下あるいはゲート
線３と付加容量線４との間のゲート線３を避けた位置に
配置して、ゲート線３との間の寄生容量を抑制する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、液晶表示装置に関
し、特に、基板上に形成した薄膜トランジスタを備える
液晶表示装置に関するものである。
し、特に、基板上に形成した薄膜トランジスタを備える
液晶表示装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来より、ガラスや石英等より成る基板
上に薄膜トランジスタを形成した液晶表示装置が知られ
ている（特開平５−１５０２６２号公報、同５−２５７
１６４号公報、同１０−７０２７７号公報等）。薄膜ト
ランジスタ（以下適宜ＴＦＴと称することもある）は、
表示電極としての機能を果たす。
上に薄膜トランジスタを形成した液晶表示装置が知られ
ている（特開平５−１５０２６２号公報、同５−２５７
１６４号公報、同１０−７０２７７号公報等）。薄膜ト
ランジスタ（以下適宜ＴＦＴと称することもある）は、
表示電極としての機能を果たす。
【０００３】従来のこの種のもの、たとえばポリシリコ
ン薄膜トランジスタや、あるいはａ−Ｓｉ（アモルファ
スシリコン）薄膜トランジスタ等により形成された液晶
表示装置は、基板（石英基板等）側からの入射光によ
り、画素トランジスタのオフ電流が上がって、画素電位
がリークしてしまう現象が生じるという問題点を有す
る。この現象は、特に、液晶表示装置がプロジェクタ用
で使われる場合に、生じる傾向が大きい。
ン薄膜トランジスタや、あるいはａ−Ｓｉ（アモルファ
スシリコン）薄膜トランジスタ等により形成された液晶
表示装置は、基板（石英基板等）側からの入射光によ
り、画素トランジスタのオフ電流が上がって、画素電位
がリークしてしまう現象が生じるという問題点を有す
る。この現象は、特に、液晶表示装置がプロジェクタ用
で使われる場合に、生じる傾向が大きい。
【０００４】上記現象を避けるため、従来技術にあって
は、図２に平面構造で示し、図３に断面構造で示すよう
に、画素トランジスタの直下に光を通さない金属層等を
配置して遮光膜としている。遮光膜をなすたとえば金属
層は、周辺部でＶｓｓ，Ｖｃｏｍなどの固定電位に接続
している。
は、図２に平面構造で示し、図３に断面構造で示すよう
に、画素トランジスタの直下に光を通さない金属層等を
配置して遮光膜としている。遮光膜をなすたとえば金属
層は、周辺部でＶｓｓ，Ｖｃｏｍなどの固定電位に接続
している。
【０００５】ところがこのような従来技術における金属
層の接続方法では、一般にこれを、横方向のブラックマ
トリックス下に形成しているが、この固定電位の金属層
とゲート線との寄生容量により、ゲート電位の遅延が引
き起こされる。結果的に、液晶表示のコントラスト低
下、あるいはユニフォーミティ劣化などの不具合を引き
起こす。
層の接続方法では、一般にこれを、横方向のブラックマ
トリックス下に形成しているが、この固定電位の金属層
とゲート線との寄生容量により、ゲート電位の遅延が引
き起こされる。結果的に、液晶表示のコントラスト低
下、あるいはユニフォーミティ劣化などの不具合を引き
起こす。
【０００６】従来技術の構成及び問題点について、図２
及び図３を参照してさらに説明すると、次のとおりであ
る。図２は従来例を、遮光膜をなす金属層〜データ線の
部分の平面構造で示すものであり、図３は、図２のＡ−
Ａ’線断面対応図である。
及び図３を参照してさらに説明すると、次のとおりであ
る。図２は従来例を、遮光膜をなす金属層〜データ線の
部分の平面構造で示すものであり、図３は、図２のＡ−
Ａ’線断面対応図である。
【０００７】図２及び図３に示すように、基板１０（こ
こでは石英基板）上に形成した第１のシリコン層２１，
２３と、その上層のゲート線３（第２のシリコン層）と
により（両者の間にはゲート酸化膜３１が介在する）、
画素トランジスタ２２，２４が形成されている。前述の
ように、画素トランジスタ２２，２４を遮光する必要が
あるので、図３に示すように、基板１０側に、遮光膜１
として、金属層を設ける。この遮光膜１は、図２に特に
細点を施して示す。図示のように、この遮光膜１はＶｓ
ｓ，Ｖｃｏｍなどの固定電位を持つ金属層７に接続する
とともに、従来技術にあっては遮光膜１は、ゲート線３
の直下に形成される。ゲート線３及び付加容量線は、第
２のシリコン層から形成され、特に図２においても斜線
を施して示す。
こでは石英基板）上に形成した第１のシリコン層２１，
２３と、その上層のゲート線３（第２のシリコン層）と
により（両者の間にはゲート酸化膜３１が介在する）、
画素トランジスタ２２，２４が形成されている。前述の
ように、画素トランジスタ２２，２４を遮光する必要が
あるので、図３に示すように、基板１０側に、遮光膜１
として、金属層を設ける。この遮光膜１は、図２に特に
細点を施して示す。図示のように、この遮光膜１はＶｓ
ｓ，Ｖｃｏｍなどの固定電位を持つ金属層７に接続する
とともに、従来技術にあっては遮光膜１は、ゲート線３
の直下に形成される。ゲート線３及び付加容量線は、第
２のシリコン層から形成され、特に図２においても斜線
を施して示す。
【０００８】上記のように従来技術にあっては、固定電
位の金属層７と接続する遮光膜１はゲート線３の直下に
形成されるため、固定電位の金属層７とゲート線３との
寄生容量により、ゲート電位の遅延が引き起こされ、こ
れに伴う問題が生じ得るのである。
位の金属層７と接続する遮光膜１はゲート線３の直下に
形成されるため、固定電位の金属層７とゲート線３との
寄生容量により、ゲート電位の遅延が引き起こされ、こ
れに伴う問題が生じ得るのである。
【０００９】なお図２，図３中、符号６は第２のコンタ
クト、符号８は第１のコンタクト、５１，５２はデータ
線、９は開口部で、１１は第１の絶縁層、１２は第２の
絶縁層、１３は第３の絶縁層、１４は平坦化膜、１５は
透明電極層、１６は液晶層、１７は対向基板側透明電極
層、１８は対向基板である。
クト、符号８は第１のコンタクト、５１，５２はデータ
線、９は開口部で、１１は第１の絶縁層、１２は第２の
絶縁層、１３は第３の絶縁層、１４は平坦化膜、１５は
透明電極層、１６は液晶層、１７は対向基板側透明電極
層、１８は対向基板である。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、上記した問
題点を解決するためになされたもので、本発明の目的
は、遮光膜を持つ液晶表示装置において、ゲート線遅延
を回避することができる構造の液晶表示装置を提供する
ことである。
題点を解決するためになされたもので、本発明の目的
は、遮光膜を持つ液晶表示装置において、ゲート線遅延
を回避することができる構造の液晶表示装置を提供する
ことである。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明に係る液晶表示装
置は、基板上に形成した薄膜トランジスタを備える液晶
表示装置において、基板側からの入射光を遮光する遮光
膜を、画素トランジスタを遮光する部分以外について
は、付加容量線下あるいはゲート線と付加容量線との間
のゲート線を避けた位置に配置したことを特徴とするも
のである。
置は、基板上に形成した薄膜トランジスタを備える液晶
表示装置において、基板側からの入射光を遮光する遮光
膜を、画素トランジスタを遮光する部分以外について
は、付加容量線下あるいはゲート線と付加容量線との間
のゲート線を避けた位置に配置したことを特徴とするも
のである。
【００１２】本発明によれば、遮光膜（遮光金属層等）
を、必要な画素トランジスタを遮光する部分以外につい
ては、ゲート線の直下には設置せず、上記の配置にした
構造をとることにより、寄生容量の問題を低減でき、ゲ
ート線駆動トランジスタの負荷を減らし、ゲートパルス
の遅延を抑えることが可能となる。
を、必要な画素トランジスタを遮光する部分以外につい
ては、ゲート線の直下には設置せず、上記の配置にした
構造をとることにより、寄生容量の問題を低減でき、ゲ
ート線駆動トランジスタの負荷を減らし、ゲートパルス
の遅延を抑えることが可能となる。
【００１３】
【発明の実施の形態】以下、本発明の好ましい実施の形
態について、図面を参照して具体的な実施の形態例を説
明することにより、さらに説明する。但し当然のことで
はあるが、本発明は以下の説明及び図示の実施の形態例
に限定されるものではない。
態について、図面を参照して具体的な実施の形態例を説
明することにより、さらに説明する。但し当然のことで
はあるが、本発明は以下の説明及び図示の実施の形態例
に限定されるものではない。
【００１４】実施の形態例１ 本実施の形態例の構成を、図１に平面構造（従来技術を
示した図２に対応）で示す。本実施の形態例は、図２、
図３に示したのとほぼ同様な構造の液晶表示装置である
が、遮光膜１の構造が異なる。図１中、符号は図２、図
３に示したものと対応する。
示した図２に対応）で示す。本実施の形態例は、図２、
図３に示したのとほぼ同様な構造の液晶表示装置である
が、遮光膜１の構造が異なる。図１中、符号は図２、図
３に示したものと対応する。
【００１５】遮光するのは、画素トランジスタの直下が
必須であり、その他斜め光を遮光するための画素トラン
ジスタ周辺の一部であれば十分なので、本実施の形態例
では、遮光膜１（遮光金属層で形成。先と同様、特に細
点を施して示す）は、次のような構造にした。すなわ
ち、ゲート線３の直下にはほとんど遮光膜１が存在しな
いようにした。具体的には、ゲート線３を避けて、ゲー
ト線３に対応する部分は切り欠くようにして、遮光膜１
を配置した。たとえば図１にＢで示す部位においては、
図示のようにゲート線３を避けて遮光膜１が走る構造に
なっている。
必須であり、その他斜め光を遮光するための画素トラン
ジスタ周辺の一部であれば十分なので、本実施の形態例
では、遮光膜１（遮光金属層で形成。先と同様、特に細
点を施して示す）は、次のような構造にした。すなわ
ち、ゲート線３の直下にはほとんど遮光膜１が存在しな
いようにした。具体的には、ゲート線３を避けて、ゲー
ト線３に対応する部分は切り欠くようにして、遮光膜１
を配置した。たとえば図１にＢで示す部位においては、
図示のようにゲート線３を避けて遮光膜１が走る構造に
なっている。
【００１６】隣り合う画素間、あるいは周辺のＶｓｓ，
Ｖｃｏｍなどの固定電位を持つ金属層７への接続は、付
加容量線４の下に遮光膜１を配置するか、または図示の
ように、ゲート線３と付加容量線４との間（ゲート線３
の下は避ける）に遮光膜１を配置する。
Ｖｃｏｍなどの固定電位を持つ金属層７への接続は、付
加容量線４の下に遮光膜１を配置するか、または図示の
ように、ゲート線３と付加容量線４との間（ゲート線３
の下は避ける）に遮光膜１を配置する。
【００１７】この構造により、遮光金属層等の遮光膜１
が固定電位と接続される場合も、ゲート線３との間で寄
生容量が増加することが抑制され、ゲート線３の負荷増
は最小限に抑えられ、ゲート電位の遅延の極めて少ない
構造となる。
が固定電位と接続される場合も、ゲート線３との間で寄
生容量が増加することが抑制され、ゲート線３の負荷増
は最小限に抑えられ、ゲート電位の遅延の極めて少ない
構造となる。
【００１８】この結果、コントラスト、ユニフォーミテ
ィの向上が実現され、液晶表示装置の画質が向上する。
ィの向上が実現され、液晶表示装置の画質が向上する。
【００１９】
【発明の効果】上述したように、本発明によれば、遮光
膜を持つ液晶表示装置において、ゲート線遅延を回避す
ることができ、ゲート電位の遅延が抑制され、コントラ
スト、ユニフォーミティ等の液晶表示装置の画質向上が
実現できる。
膜を持つ液晶表示装置において、ゲート線遅延を回避す
ることができ、ゲート電位の遅延が抑制され、コントラ
スト、ユニフォーミティ等の液晶表示装置の画質向上が
実現できる。
【図１】 本発明の実施の形態例１の構成を平面構造で
示すものである。
示すものである。
【図２】 従来技術の構成を平面構造で示すものであ
る。
る。
【図３】 従来技術の構成を断面構造で示すものであ
り、図２のＡ−Ａ’線断面対応図である。
り、図２のＡ−Ａ’線断面対応図である。
１・・・遮光膜（遮光用金属層）、２１，２３・・・第
１のシリコン層、２２，２４・・・画素トランジスタ、
３・・・ゲート線（第２のシリコン層）、４・・・付加
容量線（第２のシリコン層）、５１，５２・・・データ
線、６・・・第２のコンタクト、７・・・固定電位を持
つ層、８・・・第１のコンタクト、９・・・開口部、１
０・・・透明基板（石英基板）。
１のシリコン層、２２，２４・・・画素トランジスタ、
３・・・ゲート線（第２のシリコン層）、４・・・付加
容量線（第２のシリコン層）、５１，５２・・・データ
線、６・・・第２のコンタクト、７・・・固定電位を持
つ層、８・・・第１のコンタクト、９・・・開口部、１
０・・・透明基板（石英基板）。
Claims (1)
- 【請求項１】 基板上に形成した薄膜トランジスタを備
える液晶表示装置において、 基板側からの入射光を遮光する遮光膜を、画素トランジ
スタを遮光する部分以外については、付加容量線下ある
いはゲート線と付加容量線との間のゲート線を避けた位
置に配置したことを特徴とする液晶表示装置。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10243502A JP2000075280A (ja) | 1998-08-28 | 1998-08-28 | 液晶表示装置 |
| US09/382,394 US6124903A (en) | 1998-08-28 | 1999-08-25 | Liquid crystal display device |
| KR1019990035693A KR20000017565A (ko) | 1998-08-28 | 1999-08-26 | 액정 표시 장치 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10243502A JP2000075280A (ja) | 1998-08-28 | 1998-08-28 | 液晶表示装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000075280A true JP2000075280A (ja) | 2000-03-14 |
Family
ID=17104860
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10243502A Pending JP2000075280A (ja) | 1998-08-28 | 1998-08-28 | 液晶表示装置 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6124903A (ja) |
| JP (1) | JP2000075280A (ja) |
| KR (1) | KR20000017565A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3141860B2 (ja) * | 1998-10-28 | 2001-03-07 | ソニー株式会社 | 液晶表示装置の製造方法 |
Family Cites Families (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05150262A (ja) * | 1991-11-28 | 1993-06-18 | Sanyo Electric Co Ltd | 液晶表示装置 |
| JP2800956B2 (ja) * | 1992-03-10 | 1998-09-21 | シャープ株式会社 | アクティブマトリクス基板 |
| JP2797972B2 (ja) * | 1994-06-28 | 1998-09-17 | 日本電気株式会社 | アクティブマトリクス型液晶表示装置 |
| TW347477B (en) * | 1994-09-30 | 1998-12-11 | Sanyo Electric Co | Liquid crystal display with storage capacitors for holding electric charges |
| JPH0926603A (ja) * | 1995-05-08 | 1997-01-28 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 表示装置 |
| JP2735070B2 (ja) * | 1996-04-15 | 1998-04-02 | 日本電気株式会社 | アクティブマトリクス液晶表示パネル |
| JP3708637B2 (ja) * | 1996-07-15 | 2005-10-19 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 液晶表示装置 |
| JP3145931B2 (ja) * | 1996-08-26 | 2001-03-12 | 日本電気株式会社 | 薄膜トランジスタ |
| JP3992797B2 (ja) * | 1996-09-25 | 2007-10-17 | 東芝松下ディスプレイテクノロジー株式会社 | 液晶表示装置 |
| KR100247628B1 (ko) * | 1996-10-16 | 2000-03-15 | 김영환 | 액정 표시 소자 및 그 제조방법 |
| US5953088A (en) * | 1997-12-25 | 1999-09-14 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Liquid crystal display with shield electrodes arranged to alternately overlap adjacent pixel electrodes |
-
1998
- 1998-08-28 JP JP10243502A patent/JP2000075280A/ja active Pending
-
1999
- 1999-08-25 US US09/382,394 patent/US6124903A/en not_active Expired - Fee Related
- 1999-08-26 KR KR1019990035693A patent/KR20000017565A/ko not_active Ceased
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US6124903A (en) | 2000-09-26 |
| KR20000017565A (ko) | 2000-03-25 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US20060192201A1 (en) | Display device | |
| JP4784382B2 (ja) | 液晶表示装置 | |
| US6570631B2 (en) | Black matrix in liquid crystal display and method of fabricating the same | |
| JPH09203908A (ja) | 液晶表示装置用薄膜トランジスタおよび液晶表示装置 | |
| JP2000330132A (ja) | アクティブマトリクス型表示装置 | |
| JP2008077030A (ja) | 電気光学装置用基板及び電気光学装置、並びに電子機器 | |
| US6791631B2 (en) | Pixel structure of thin-film transistor liquid crystal display including storage capacitor formed under signal line | |
| JP2002049052A (ja) | 電気光学装置 | |
| JPH1126768A (ja) | 液晶表示装置用薄膜トランジスタ | |
| JP2009063603A (ja) | 液晶表示装置及びその製造方法 | |
| US10928694B2 (en) | Active matrix substrate and liquid crystal display device | |
| JP3423380B2 (ja) | 液晶表示装置 | |
| US20030232459A1 (en) | Manufacturing method for electro-optical device, electro-optical device, manufacturing method for semiconductor device,semiconductor device, projection-type display apparatus, and electronic apparatus | |
| JPH10133227A (ja) | 液晶表示装置およびその製造方法 | |
| JPH08160451A (ja) | アクティブマトリクス液晶表示素子 | |
| JP2000075280A (ja) | 液晶表示装置 | |
| KR20020053460A (ko) | 액정 디스플레이 패널 | |
| JPH05297346A (ja) | アクティブマトリクス型液晶表示装置 | |
| US20130106679A1 (en) | Lcd panel and method of manufacturing the same | |
| JP3049022B2 (ja) | 液晶表示装置 | |
| US5965906A (en) | Liquid crystal display element and manufacturing method thereof | |
| JP2002296619A (ja) | アクティブマトリクス型表示装置 | |
| JPH08146462A (ja) | 液晶表示装置及びその製造方法 | |
| JP4078928B2 (ja) | 電気光学装置および電子機器 | |
| JP2009115883A (ja) | 電気光学装置及び電子機器 |