JP2002296619A - アクティブマトリクス型表示装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 高開口率のアクティブマトリクス型表示装置
の実現。 【解決手段】 各画素がトップゲート型の薄膜トランジ
スタ（ＴＦＴ）１と補助容量Ｃscと液晶容量Ｃlcを備え
るアクティブマトリクス型表示装置であり、補助容量Ｃ
scの第１電極３０は、ＴＦＴ１のｐ−Ｓｉ能動層１４が
兼用し、第２電極３２は、能動層１４の下層に間に絶縁
層１２を挟んで、該能動層１４と少なくとも一部が重な
るように形成する。よって、ＴＦＴ１の形成領域内に補
助容量Ｃscが形成でき、補助容量Ｃscを設けることによ
る開口率低下を防止できる。遮光性材料を用いて第２電
極３２を形成すれば、第１基板側からの入射光からＴＦ
Ｔ１の能動層を遮蔽でき、能動層１４での光リーク電流
の発生を防止して高コントラストの表示が可能となる。
また第２電極３２はブラックマトリクスとして用いるこ
ともできる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】この発明は、各画素に薄膜ト
ランジスタを備えるアクティブマトリクス型表示装置に
関する。

【０００２】

【従来の技術】液晶表示装置（以下ＬＣＤ）等のフラッ
トパネルディスプレイは、薄型化、小型化、軽量化が可
能で低消費電力であり、ＬＣＤなどは、既に、様々な機
器の表示部として、携帯情報機器をはじめ、多くの機器
に採用されている。ＬＣＤなどにおいて、各画素に、ス
イッチ素子として薄膜トランジスタ等を設けたものは、
アクティブマトリクス型と称され、このパネルは、画素
毎の表示内容の維持が確実であるため、高精細な表示や
高い表示品質を実現するための表示装置として用いられ
ている。

【０００３】図４は、アクティブマトリクス型ＬＣＤの
画素についての等価回路を示している。各画素は、ゲー
トラインとデータラインに接続された薄膜トランジスタ
１（ＴＦＴ）を備え、ゲートラインに出力される選択信
号によってＴＦＴがオンすると、データラインからこの
ＴＦＴを介して表示内容に応じたデータが液晶容量２
（Ｃlc）に供給される。ここで、ＴＦＴが選択されてデ
ータが書き込まれてから次にＴＦＴが再び選択されるま
での期間、書き込まれた表示データを確実に保持するこ
とが必要であるため、ＴＦＴに対して液晶容量Ｃlcと並
列に補助容量３（Ｃsc）が接続されている。

【０００４】図５は、従来のＬＣＤのＴＦＴ形成基板
（第１基板１００）における画素部の平面構成を表して
おり、図６は、図５のＸ−Ｘ線に沿った位置でのＬＣＤ
の断面構成を示している。ＬＣＤは第１及び第２基板の
間に液晶が封入された構成を備え、アクティブマトリク
ス型ＬＣＤでは、第１基板１００上にマトリクス状にＴ
ＦＴ１、画素電極７４等が配置され、第１基板１００と
対向配置される第２基板５００には共通電圧Ｖcomの印
加される共通電極５６や、カラーフィルタ５４などが形
成されている。そして、各画素電極７４と、液晶２００
を挟んで対向する共通電極５６との間に印加する電圧に
より画素毎に液晶容量Ｃlcを駆動する。

【０００５】第１基板１００側に、画素毎に設けられる
ＴＦＴは、図６に示すように、ゲート電極６０が能動層
６４より上層に位置するいわゆるトップゲート型ＴＦＴ
である。ＴＦＴの能動層６４は、基板１００上に図５に
示すようにパターニングされ、この能動層６４を覆って
ゲート絶縁膜６６が形成され、ゲート絶縁膜６６上には
ゲート電極６０を兼用するゲートラインが形成されてい
る。能動層６４は、ゲート電極６０と対向する位置がチ
ャネル領域であり、このチャネル領域を挟む両側に不純
物の注入されたドレイン領域６４ｄ及びソース領域６４
ｓが形成されている。

【０００６】能動層６４のドレイン領域６４ｄは、ゲー
ト電極６０を覆って形成される層間絶縁膜６８に形成さ
れたコンタクトホールを介し、データラインを兼用する
ドレイン電極７０に接続されている。

【０００７】また、上記ドレイン電極及びデータライン
７０を覆って平坦化絶縁膜７２が形成されており、能動
層６４のソース領域６４ｓは、この平坦化絶縁膜７２の
上にＩＴＯ（Indium Tin Oxide）などからなる画素電極
７４と、コンタクトホールを介して接続されている。

【０００８】能動層６４のソース領域６４ｓは、さら
に、各画素に設けられる補助容量Ｃscの第１電極８０を
兼用しており、図５に示すように、画素電極７４とのコ
ンタクト領域からさらに延びている。補助容量Ｃscの第
２電極８４は、図６に示すようにゲート電極６０と同層
で同時に形成されており、ゲート電極６０とは、所定の
間隙をあけて別の領域に形成されている。第１電極８０
と第２電極８４との層間の誘電体はゲート絶縁膜６６が
兼用している。また、補助容量Ｃscの第２電極８４は、
図５に示すように、画素毎に独立しておらず、ゲートラ
イン６０と同様に画素領域を行方向に延び、所定の補助
容量電圧Ｖscが印加されている。

【０００９】このように各画素に、補助容量Ｃscを設け
ることで、ＴＦＴの非選択期間中、液晶容量Ｃlcに印加
すべき表示内容に応じた電荷を補助容量Ｃscにおいて保
持する。従って、画素電極７４の電位変動を抑制し、表
示内容を保持することを可能としている。

【００１０】

【発明が解決しようとする課題】表示装置の小型化、高
精細化が強く要求される用途においては、１画素あたり
の面積を小さくせざるを得ず、１画素当たりの液晶容量
Ｃlcも小さくなる。従って、各画素における表示データ
を単位表示期間中、確実に保持するためには、上述のよ
うな補助容量Ｃscの存在が必要になる。

【００１１】しかし、その一方で、補助容量Ｃsc自体は
表示領域として機能しないため、透過型のLCDの場合、
補助容量Ｃscを各画素に形成すれば、それにより１画素
当たりの表示可能面積の減少、つまり開口率の低下がさ
けられない。特に、図５及び図６に示すように、補助容
量Ｃscの第２電極８４はゲートライン６０と同層で形成
するので、ゲートライン６０と第２電極８４とが短絡し
ないように絶縁スペースが必要となる。さらに、ゲート
と同一材料であるため、第２電極領域は不透明であり、
その分、開口率は低下し、高輝度表示が難しくなるとい
う問題が起きる。

【００１２】上記課題を解決するために本発明は、十分
な補助容量を確保しつつ開口率の高いアクティブマトリ
クス型表示装置を実現することを目的とする。

【００１３】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
にこの発明は、各画素に、薄膜トランジスタと、補助容
量とを備えるアクティブマトリクス型表示装置におい
て、基板上には、画素毎にトップゲート型として前記Ｔ
ＦＴが形成されており、前記補助容量の第１電極は、前
記ＴＦＴの能動層と電気的に接続され、前記補助容量の
第２電極は、前記ＴＦＴの能動層と少なくとも一部が重
なるように該能動層と前記基板との間に絶縁層を挟んで
形成されていることを特徴とする。

【００１４】本発明の他の特徴は、各画素に、ＴＦＴ
と、液晶容量と、補助容量とを備え、第１及び第２基板
の間隙に封入された液晶を駆動して表示を行うアクティ
ブマトリクス型表示装置において、前記第１基板の液晶
対向面側には、画素毎にトップゲート型として前記ＴＦ
Ｔが形成されており、前記補助容量は、前記ＴＦＴの能
動層が兼用する第１電極と、前記ＴＦＴの能動層と前記
第１基板との間に絶縁膜を挟んで配置された第２電極と
の対向領域に形成されていることである。

【００１５】以上のように、補助容量の第１電極をＴＦ
Ｔの能動層に接続し（兼用させ）、さらに、第２電極を
ゲートラインと同層ではなく、第１電極の下層に設ける
ことで、十分な大きさの補助容量Ｃscを開口率を落とす
ことなく各画素に形成することが可能となる。

【００１６】また、本発明の他の特徴は、上記アクティ
ブマトリクス型表示装置において、前記補助容量の第２
電極は遮光機能を備えることである。

【００１７】さらに本発明の別の特徴は、アクティブマ
トリクス型表示装置において、前記補助容量の第２電極
は、画素開口領域を除く領域に形成され、ブラックマト
リクスを兼用することである。

【００１８】ＴＦＴの能動層の下層に配される補助容量
の第２電極を遮光性とすれば、能動層下方側から外部よ
り光が入射して光リーク電流が発生することを防止でき
る。また、ブラックマトリクスとすれば、ＴＦＴでの光
リーク電流発生をより確実に防止でき、コントラストを
高めることも可能となる。

【００１９】また、上記アクティブマトリクス型表示装
置において、前記ＴＦＴの能動層には、成膜したアモル
ファスシリコン層にレーザを照射することで、多結晶化
したポリシリコン層を用いることができる。

【００２０】多結晶化のためのレーザアニールに際し、
アモルファスシリコン層の能動層領域、特にＴＦＴチャ
ネル領域の下層に一様に第２電極層が形成されていれ
ば、チャネル領域に対するアニール条件が一致するた
め、ポリシリコン層の粒径が揃い、ＴＦＴ間での特性ば
らつきを防止することができる。

【００２１】

【発明の実施の形態】以下、図面を用いてこの発明の好
適な実施の形態（以下実施形態という）について説明す
る。なお、表示装置としては、以下、液晶表示装置（Ｌ
ＣＤ）を例に説明する。

【００２２】図１は、この発明の実施形態に係るアクテ
ィブマトリクス型ＬＣＤの表示画素における平面構造を
示している。また図２は、図１のＡ−Ａ線に沿った位置
におけるＬＣＤの概略断面構成、図３は図１のＢ−Ｂ線
に沿った位置での第１基板上の断面構成を示している。

【００２３】ＬＣＤは、ガラスなどの透明絶縁材料が用
いられた第１基板１００と第２基板５００とが間に液晶
２００を挟んで貼り合わされて構成されている。

【００２４】各画素の等価回路は上述の図４と同様であ
り、第１基板１００上には、図１に示すように、マトリ
クス状に画素電極２４が配置され、各画素電極２４に対
応してトップゲート型ＴＦＴ１及び補助容量３（Ｃsc）
が設けられている。各画素において、ＴＦＴ１の能動層
１４は、屈曲して行方向に延びるゲートライン２０と交
差し、この交差部分に能動層１４はチャネル領域１４ｃ
が構成され、ゲートライン２０はここがゲートとなる。
ドレイン（又はソース）１４ｄは列方向に延びるデータ
ライン２２に接続され、ソース（又はドレイン）１４ｓ
には、液晶容量２（Ｃlc）と補助容量Ｃscとが並列に接
続されている。各画素の等価回路は、上述の図４とほぼ
同じであるが、本実施形態では、各画素のＴＦＴは、マ
ルチゲート型ＴＦＴを採用しており、ゲートが共通で、
データラインと画素電極との間に電気的に複数のＴＦＴ
能動層が直列接続された構成となっている。もちろん、
図４と同じく、各画素に単一のＴＦＴを設けた構成でも
良い。

【００２５】各画素の上記ＴＦＴ１のソースに接続され
た液晶容量（表示容量）Ｃlcは、液晶２００を挟んで配
され、表示内容に応じた電圧の印加される画素電極２４
と、共通電位Ｖcomの印加される対向電極（共通電極）
５６との間に構成されている。

【００２６】補助容量Ｃscは、第１電極３０と第２電極
３２とが絶縁層１２を挟んで重なる領域に構成されてい
る。第１電極３０は、ＴＦＴ１の能動層１４が兼用す
る。また、第２電極３２は、第１基板１００上に形成さ
れており、能動層１４との間に絶縁膜（バッファ層）１
２を挟んで能動層１４の下に延在している。このよう
に、第２電極が能動層１４の下層全域に広がっているの
で、ＴＦＴの能動層自身が第１電極３０として機能する
ことができ、補助容量Ｃscのための特別大きい領域を必
要としない。第１電極３０には、ＴＦＴ１を介してデー
タライン２２から供給される表示内容に応じた電圧が印
加され、第２電極３２には例えば表示領域内で共通の補
助容量電圧Ｖscが印加される。

【００２７】補助容量Ｃscの第２電極３２の材料は、従
来の補助容量第２電極のようにゲートラインと同層とす
る必要がないので、使用材料はゲート材料に制限されな
い。このため、導電性材料であれば良導体で遮光性の金
属材料に限らず、ＩＴＯなどの透明導電材料を採用する
こともできる。しかし、本実施形態では、遮光性の金属
材料を用いてこの第２電極３２を形成している。これに
より、トップゲート型ＴＦＴ１において、第１基板側か
らの入射光がＴＦＴ１の能動層１４に到達することを防
止でき、ＴＦＴの光リーク電流を低減し、表示のコント
ラストを一層向上させることを可能としている。

【００２８】また本実施形態では、この第２電極３２
は、単にＴＦＴ能動層１４と電気的に接続された層（第
１電極３０）と重なるだけでなく、少なくとも能動層１
４のチャネル領域と重なるパターンとなっており、この
第２電極３２は遮光層としても好適である。図１のレイ
アウトでは、行方向にゲートライン２０が延び、ＴＦＴ
１の能動層１４はデータライン２２の下層付近からゲー
トライン２０の下をくぐる（図１では２回）パターンで
あり、チャネル領域１４ｃは、ゲートライン２０との交
差領域に形成される。そこで、このようなＴＦＴの能動
層１４の遮光を兼ねた補助容量Ｃscの第２電極３２は、
チャネル領域、即ち、ゲート（ゲートライン）形成領域
と重なる領域に形成することが好ましい。位置合わせ余
裕を考慮し、ゲートライン幅より多少広い幅（例えば、
両側にそれぞれ＋２μｍ）でゲートラインの下層に形成
することがより好適である。このようなパターンとすれ
ば、第２電極３２は、遮光層として好適であり、その
上、第１電極３０を兼用するＴＦＴ１の能動層１４と、
ほとんどの位置で重なるため、上述の図５のように第１
電極３０をＴＦＴのソース領域１４ｓから延出させない
場合であっても大きい補助容量Ｃscを構成でき、小面積
内に効率的に補助容量Ｃscを形成することができる。

【００２９】ここで、ＴＦＴ１の能動層１４としては、
後述するようにレーザアニールなどによって多結晶化さ
れたポリシリコン（ｐ−Ｓｉ）層が採用可能である。こ
の場合にも、本実施形態では、補助容量Ｃscの第２電極
３２が、このｐ−Ｓｉ層の下層に存在するため、多結晶
の粒径を揃え、特性ばらつきの少ないＴＦＴを形成する
ことが可能となっている。

【００３０】その理由は以下のとおりである。即ち、レ
ーザアニールによりアモルファスシリコンを多結晶化す
る場合、アモルファスシリコン膜の下層の熱伝導率に差
があるとアニール条件が変わり、能動層１４内で粒径が
ばらついてしまう。特に、チャネル領域内での粒径のば
らつきはＴＦＴ特性に大きな影響を及ぼす。能動層１４
の下層に形成する補助容量Ｃscの第２電極３２には、高
融点金属であるＣｒ等を用いることができるが、このＣ
ｒなどは第１基板を構成するガラスなどよりも熱伝導性
が高い。従って、レーザアニールによりｐ−Ｓｉ能動層
１４を形成する場合、能動層１４の下層に、熱伝導性の
高い第２電極３２が存在したり、しなかったりすること
はアニール条件が変わるため好ましくない。そこで、本
実施形態では、図１及び図２に示すように、第２電極３
２を能動層１４の少なくともチャネル領域の下層には一
様に設け、アモファスシリコン層に対するアニール条件
を等しくし、各ＴＦＴの特性ばらつきを抑制する。

【００３１】上記目的のため、第２電極３２は、能動層
の下層領域のみに配置してもよいが、本実施形態では、
第２電極３２には、図１に示すように表示領域内で画素
電極対応領域だけ開口し、他の領域を覆うパターンを採
用している。第２電極３２に遮光性材料を用い、図１の
ようなマトリクスパターンとすれば、能動層１４との重
畳面積を増大でき（補助容量の増大）させ、また、能動
層１４に対する遮光をより確実とできる。さらに、この
ようなパターンであれば、この第２電極３２をパネルの
ブラックマトリクスとしても利用することができる。即
ち、第１基板の外側（図２の下側）を表示装置の観察面
としたり、プロジェクタのライトバルブの用途などにお
いて、光源側に第１基板を配置することができ、その場
合に能動層１４への光照射を防止して一層のコントラス
ト向上を可能としている。

【００３２】なお、本実施形態では、補助容量Ｃscは、
平面的に見た場合にＴＦＴと別領域に形成することなく
十分な容量を形成することができる。但し、補助容量Ｃ
scの容量値が不足する場合には、第１電極３０の領域、
つまり能動層１４のソース領域１４ｓの面積を拡大し、
例えば隣接する画素電極２４の間の領域に引き延ばすこ
とが望ましい。

【００３３】次に、本実施形態に係るＬＣＤの第１基板
側の各要素の製造方法について説明する。

【００３４】第１基板１００としては、ガラス基板、石
英基板、サファイア基板などの透明絶縁性基板を用い
る。まず、この第１基板１００上にＣｒ等の高融点金属
層を形成し、画素電極形成予定領域部分を開口すること
で、図１のようなパターンの補助容量第２電極３２を形
成する。次に、この第２電極３２を覆う基板全面にＳｉ
Ｏ₂や、ＳｉＮｘ等の絶縁層１２を形成する。

【００３５】絶縁層１２の上にはアモルファスシリコン
層を形成し、次に、図２において第１基板１００の上方
位置からエキシマレーザを照射し、アモルファスシリコ
ン層をアニールして多結晶化させる。上述のように、こ
のエキシマレーザアニールの際、アモルファスシリコン
層の少なくともチャネル形成領域の下には、第２電極３
２が一様に形成されている。従って、チャネル形成領域
は等しい条件でレーザアニールを実行でき、この領域に
は粒径のそろった多結晶シリコン層が形成される。この
アニール処理後、得られた多結晶シリコン層を要求され
るＴＦＴ能動層及び補助容量の第１電極の形状にパター
ニングし、さらに、このシリコン層を覆ってＳｉＯ₂か
らなるゲート絶縁膜１６を形成する。

【００３６】ゲート絶縁膜１６を形成した後、例えばＣ
ｒを用いて金属層を形成、パターニングし、ゲート電極
と一体のゲートライン２０を形成する。次に、ゲート側
からゲートをマスクとして能動層１４に向け不純物を低
濃度ドーピングし、さらに、ゲートライン２０をそのラ
イン幅より一定幅広いマスクで覆い、能動層１４に高濃
度に不純物をドーピングする。その後、アニール処理を
施してドープした不純物を活性化させる。これにより、
能動層１４において、ゲートライン２０に対応する領域
には、不純物がドープされない真性のチャネル領域１４
ｃが形成され、チャネル領域１４ｃの両側には不純物が
低濃度にドープされたＬＤ領域１４ｌｄが形成され、こ
のＬＤ領域の外側には不純物が高濃度に注入されたドレ
イン領域１４ｄ及びソース領域１４ｓが形成される。

【００３７】次にゲートライン２０を覆う全面に層間絶
縁膜１７を形成し、ＴＦＴ１のドレイン領域１４ｄ（或
いはソース領域１４ｓ）に対応した領域（本実施形態で
はドレイン）に層間絶縁膜１７及びゲート絶縁膜１６を
貫通するコンタクトホールを形成する。さらに、Ａｌ等
を用いてドレイン電極を兼用するデータライン２２を形
成し、このデータライン２２と能動層１４のドレイン領
域１４ｄとを上記コンタクトホールを介して接続する。

【００３８】データライン２２形成後、データライン２
２を覆う基板全体に樹脂などを用いた平坦化絶縁膜１８
を形成し、ＴＦＴ１のソース領域１４ｓに対応する位置
に、平坦化絶縁膜１８、層間絶縁膜１７及びゲート絶縁
膜１６を貫通するコンタクトホールを形成する。さら
に、ＩＴＯなどの透明導電性材料層を形成し、これを画
素電極形状にパターニングし、上記コンタクトホールを
介してソース領域１４ｓと接続された画素電極２４を形
成する。

【００３９】画素電極２４の形成後、必要に応じて全面
に液晶配向を制御する配向膜２６を形成し、以上により
第１基板側に必要な要素が形成される。なお、第１基板
１００の表示領域の外側（基板の外縁部分）には、上記
画素部のＴＦＴ１とほぼ同一工程を経て、ポリシリコン
層を能動層とするＴＦＴから構成される駆動回路（ゲー
トドライバ、データドライバ）が形成されていてもよ
い。

【００４０】ＬＣＤの第２基板５００側は、ガラスやプ
ラスチックなどの透明基板を用いた第２基板５００上
に、カラー表示装置の場合Ｒ，Ｇ，Ｂ等のカラーフィル
タ５４が形成される。このカラーフィルタ５４の上に、
第１基板１００の各画素電極２４とで液晶２００に電圧
を印加するためのＩＴＯなどからなる対向電極（共通電
極）５６が形成される。この対向電極５６の上には、、
第１基板１００側と同様に配向膜５８が形成されてい
る。

【００４１】以上のようにして得られる第１基板１００
と第２基板５００とは、その外縁部分で一定のギャップ
を隔てて貼り合わせ、基板間の間隙に液晶２００を封入
してＬＣＤが完成する。なお、第２基板５００の外側
（図２（ａ）では上面側）には偏光フィルム、位相差フ
ィルムなどが配されている。

【００４２】以上の説明においては、アクティブマトリ
クス型表示装置としてＬＣＤを例にあげてたが、本発明
は補助容量を各画素に必要とする他のアクティブマトリ
クス型表示装置、例えば、アクティブマトリクス型のエ
レクトロルミネッセンス表示装置などにも採用可能であ
り、同様の効果を得ることができる。

【００４３】

【発明の効果】以上説明したように、この発明では、ア
クティブマトリクス型表示装置の各画素に設ける補助容
量の第１電極は、トップゲート型のＴＦＴの能動層に兼
用させ、該補助容量の第２電極は、絶縁膜を挟んでＴＦ
Ｔ能動層の下層に形成する。第２電極をトップゲートＴ
ＦＴの能動層の下層に設けることで、透過型表示装置に
おいて通常表示に寄与しないＴＦＴ形成領域に対し、補
助容量を重ねて形成することができ、画素の開口率向上
に寄与できる。

【００４４】また、第２電極に遮光性材料を用いること
で、ＴＦＴの能動層を第１基板側からの入射光から確実
に遮蔽でき、ＴＦＴにおける光リーク電流の発生を防止
することができ、表示コントラストを向上することが可
能となる。

【図面の簡単な説明】

【図１】 本発明の実施形態に係るアクティブマトリク
ス型液晶表示装置の各表示画素における概略平面構成を
示す図である。

【図２】 図１のＡ−Ａ線に沿った位置における本発明
の実施形態に係る液晶表示装置の概略断面構成を示す図
である。

【図３】 図１のＢ−Ｂ線に沿った位置における液晶表
示装置の第１基板側の概略断面構成を示す図である。

【図４】 アクティブマトリクス型液晶表示装置の１画
素当たりの等価回路を示す図である。

【図５】 従来のアクティブマトリクス型液晶表示装置
における画素領域の概略平面構造を示す図である。

【図６】 図５のＸ−Ｘ線に沿った位置での従来の液晶
表示装置の概略断面構造を示す図である。

【符号の説明】

１ 薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）、２ 液晶容量（Ｃl
c）、３ 補助容量（Ｃsc）、１２ 絶縁膜（バッファ
層）、１４ 能動層（ドレイン領域、チャネル領域、ソ
ース領域）、１６ ゲート絶縁膜、１７ 層間絶縁膜、
１８ 平坦化絶縁膜、２０ ゲートライン（ゲート兼
用）、２２ データライン（ドレイン兼用）、２４ 画
素電極、２６、５８ 配向膜、３０ 補助容量の第１電
極、３２ 補助容量の第２電極、５４ カラーフィル
タ、５６ 共通電極、１００ 第１基板、２００ 液
晶、５００ 第２基板。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 2H092 JA25 JA34 JA37 JA41 JA46 JB13 JB22 JB31 JB52 JB57 JB58 JB63 JB69 KA04 KA05 KA10 MA12 MA27 MA30 NA07 NA22 5C094 AA06 AA10 BA03 BA43 CA19 DA14 DA15 EA04 EA07 ED15 5F110 AA30 BB01 CC02 DD02 DD03 DD04 DD13 DD14 EE04 FF02 GG02 GG13 HJ23 HM15 NN03 NN44 NN46 NN72 NN73 PP03 QQ11

Claims (5)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 各画素に、薄膜トランジスタと、補助容
   量とを備えるアクティブマトリクス型表示装置におい
   て、 基板上には、画素毎にトップゲート型として前記薄膜ト
   ランジスタが形成されており、 前記補助容量の第１電極は、前記薄膜トランジスタの能
   動層と電気的に接続され、 前記補助容量の第２電極は、前記薄膜トランジスタの能
   動層と少なくとも一部が重なるように、該能動層と前記
   基板との間に絶縁層を挟んで形成されていることを特徴
   とするアクティブマトリクス型表示装置。
2. 【請求項２】 各画素に、薄膜トランジスタと、液晶容
   量と、補助容量とを備え、第１及び第２基板の間隙に封
   入された液晶を駆動して表示を行うアクティブマトリク
   ス型表示装置において、 前記第１基板の液晶対向面側には、画素毎にトップゲー
   ト型として前記薄膜トランジスタが形成されており、 前記補助容量は、前記薄膜トランジスタの能動層が兼用
   する第１電極と、前記薄膜トランジスタの能動層と前記
   第１基板との間に絶縁膜を挟んで配置された第２電極と
   の対向領域に形成されていることを特徴とするアクティ
   ブマトリクス型表示装置。
3. 【請求項３】 請求項１又は請求項２のいずれかに記載
   のアクティブマトリクス型表示装置において、 前記補助容量の第２電極は、遮光機能を備えることを特
   徴とするアクティブマトリクス型表示装置。
4. 【請求項４】 請求項１〜請求項３のいずれか一つに記
   載のアクティブマトリクス型表示装置において、 前記補助容量の第２電極は、画素開口領域を除く領域に
   形成され、ブラックマトリクスを兼用することを特徴と
   するアクティブマトリクス型表示装置。
5. 【請求項５】 請求項１〜請求項４のいずれか一つに記
   載のアクティブマトリクス型表示装置において、 前記薄膜トランジスタの能動層には、成膜したアモルフ
   ァスシリコン層にレーザを照射することで、多結晶化し
   たポリシリコン層が用いられていることを特徴とするア
   クティブマトリクス型表示装置。